JP2019201061A - Processing method of workpiece - Google Patents

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Abstract

To provide a processing method of workpiece capable of restraining occurrence of processing failure, when processing a tabular workpiece by irradiating with a laser beam.SOLUTION: A processing method of workpiece for processing a tabular workpiece including N (N is a natural number of 3 or more) scheduled lines set at regular intervals comprises a first processing step of forming a processing mark on the workpiece by irradiating a first scheduled line existing at a first position where the distance from the scheduled line located at the outermost side of the workpiece is represented by 2×D (D is the distance of two adjoining first scheduled line, n is the maximum natural number satisfying 2<N) with a laser beam, and a (k+1)th processing step of forming a processing mark on the workpiece by irradiating the scheduled line, selected from the first scheduled line existing at a (k+1)th position where the distance from the k-th position (k is a natural number of less than n) is represented by 2×D×m (m is a natural number), with the laser beam.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、板状の被加工物を分割予定ラインに沿って加工する被加工物の加工方法に関する。   The present invention relates to a workpiece processing method for processing a plate-like workpiece along a predetermined division line.

各種の電子機器に組み込まれるデバイスチップは、基材であるウェーハの表面をストリートと呼ばれる分割予定ラインで複数の領域に区画し、各領域に集積回路等のデバイスを形成した上で、このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより得られる。ウェーハの分割には、例えば、環状の切削ブレードを回転させて対象に切り込ませる切削装置が用いられる。   Device chips incorporated into various electronic devices are divided into a plurality of areas on the surface of a wafer, which is a base material, by dividing lines called streets, and devices such as integrated circuits are formed in each area. It is obtained by dividing along the planned dividing line. In order to divide the wafer, for example, a cutting device that rotates an annular cutting blade and cuts into a target is used.

この切削装置を用いるウェーハの切削加工では、回転する切削ブレードによってウェーハが機械的に削り取られる。そのため、例えば、切削ブレードの一方側の側面(表面)と他方側の側面(裏面)とのそれぞれからウェーハに作用する負荷に偏りがあると、欠けやひび割れ等の加工不良がウェーハに発生し易い。また、このような負荷の偏りが大きくなると、切削ブレードが破損することもある。   In wafer cutting using this cutting apparatus, the wafer is mechanically cut by a rotating cutting blade. Therefore, for example, if there is a bias in the load acting on the wafer from one side surface (front surface) and the other side surface (back surface) of the cutting blade, processing defects such as chipping and cracking are likely to occur in the wafer. . In addition, when such load imbalance increases, the cutting blade may be damaged.

そこで、ウェーハに切削ブレードを切り込ませる順序を工夫して、切削ブレードとウェーハとの間に作用する負荷の偏りを小さくする方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法では、分割によって生じる2つの小片の面積が概ね等しくなるような順序でウェーハの分割予定ラインに切削ブレードを切り込ませることにより、切削ブレードとウェーハとの間に作用する負荷の偏りを小さくしている。   In view of this, a method has been proposed in which the order in which the cutting blades are cut into the wafer is devised to reduce the bias of the load acting between the cutting blade and the wafer (see, for example, Patent Document 1). In this method, the deviation of the load acting between the cutting blade and the wafer is reduced by cutting the cutting blade into the planned dividing line of the wafer in such an order that the areas of the two pieces generated by the division are approximately equal. doing.

上述した切削装置の代わりに、ウェーハに対して吸収性を示す波長のレーザービームを照射できるレーザー加工装置を用いてウェーハを分割する方法も知られている(例えば、特許文献2参照)。このレーザー加工装置を用いる方法では、パルス発振させたレーザービームをウェーハの分割予定ラインに沿って照射することで、ウェーハを分割するような加工痕(溝)を形成している。   There is also known a method of dividing a wafer using a laser processing apparatus capable of irradiating a laser beam having a wavelength exhibiting absorption with respect to the wafer instead of the above-described cutting apparatus (see, for example, Patent Document 2). In this method using a laser processing apparatus, a processing mark (groove) that divides a wafer is formed by irradiating a pulsed laser beam along a planned division line of the wafer.

特開平4−245663号公報JP-A-4-245663 特開平10−305420号公報JP-A-10-305420

しかしながら、レーザー加工装置を用いる上述の方法でウェーハを加工する場合にも、ウェーハに欠けやひび割れ等の加工不良が発生してしまうことがあった。   However, even when a wafer is processed by the above-described method using a laser processing apparatus, processing defects such as chipping and cracking may occur in the wafer.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザービームを照射して板状の被加工物を加工する際に加工不良の発生を抑制できる被加工物の加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a workpiece that can suppress the occurrence of processing defects when processing a plate-like workpiece by irradiating a laser beam. It is to provide a processing method.

本発明の一態様によれば、等間隔に設定されるN本(Nは3以上の自然数)の分割予定ラインによって複数の領域に区画された板状の被加工物を、該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することにより加工する被加工物の加工方法であって、該被加工物の最も外側に位置する該分割予定ラインからの距離が2×D(Dは隣り合う2本の該分割予定ラインの距離、nは2<Nを満たす最大の自然数)で表される第1位置に存在する該分割予定ラインに該レーザービームを照射して該被加工物に加工痕を形成する第1加工ステップと、該第1加工ステップの後、第k位置(kは、n以下の自然数)からの距離が2n-k×D×m(mは自然数)で表される第k+1位置に存在する該分割予定ラインから選択される該分割予定ラインに該レーザービームを照射して該被加工物に加工痕を形成する第k+1加工ステップと、を含み、1からnまでのkについて順に該第k+1加工ステップを行い、該第k+1加工ステップでは、iがk以下の自然数である全ての該第i加工ステップにおいて該レーザービームが照射されていない該分割予定ラインが選択される被加工物の加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, plate-like workpieces divided into a plurality of regions by N (N is a natural number of 3 or more) division planned lines set at equal intervals are used as the division division lines. A method of processing a workpiece to be processed by irradiating a laser beam along a distance of 2 n × D (D is two adjacent lines) from the divisional line located on the outermost side of the workpiece. The laser beam is irradiated to the division line existing at the first position represented by the distance of the division line, and n is a maximum natural number satisfying 2 n <N), and a work trace is formed on the workpiece. A first machining step to be formed, and after the first machining step, a distance from the k-th position (k is a natural number equal to or less than n ) is represented by 2 n−k × D × m (m is a natural number). The scheduled division line selected from the planned division lines existing at the k + 1 position Irradiating the laser beam to form a machining mark on the workpiece, and performing the k + 1 machining step in order for k from 1 to n, and in the k + 1 machining step, There is provided a processing method of a workpiece in which the division line not irradiated with the laser beam is selected in all the i-th processing steps in which i is a natural number equal to or less than k.

本発明の一態様において、該被加工物は、GaAsウェーハでも良い。   In one embodiment of the present invention, the workpiece may be a GaAs wafer.

本発明の一態様に係る被加工物の加工方法では、被加工物に加工痕を形成してある程度の大きさの領域に分けた後に、既に形成されている2つの加工痕の中間に位置する第1分割予定ラインにレーザービームを照射して新たな加工痕を形成するので、既に形成されている2つの加工痕によって挟まれた領域は、新たに形成される加工痕によって同程度の体積を持つ2つの小領域に分けられることになる。   In the processing method of the workpiece according to one aspect of the present invention, after forming a processing mark on the workpiece and dividing the region into a region having a certain size, the processing method is positioned between two already formed processing marks. Since a new machining trace is formed by irradiating the first division line with a laser beam, the area sandwiched between the two machining traces that have already been formed has the same volume as the newly formed machining trace. It will be divided into two small areas.

そのため、既に存在する加工痕によって、レーザービームの照射時に生じる熱の伝導が妨げられたとしても、2つの小領域で熱を同じように伝導させることができる。つまり、2つの小領域の一方と他方とで加工時の熱による温度差が生じ難くなるので、偏った熱の伝導に起因する加工不良の発生を抑制できる。このように、本発明の一態様によれば、レーザービームを照射して板状の被加工物を加工する際に加工不良の発生を抑制できる被加工物の加工方法が提供される。   For this reason, even if the existing processing traces hinder the conduction of heat generated during laser beam irradiation, heat can be conducted in the same way in the two small regions. That is, a temperature difference due to heat during processing hardly occurs between one of the two small regions and the other, so that it is possible to suppress the occurrence of processing failure due to uneven heat conduction. Thus, according to one embodiment of the present invention, there is provided a processing method for a workpiece that can suppress the occurrence of processing defects when processing a plate-shaped workpiece by irradiating a laser beam.

被加工物等の構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural examples, such as to-be-processed object. 被加工物が加工される様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that a to-be-processed object is processed. 第1位置に存在する分割予定ラインに沿って加工された被加工物を示す平面図である。It is a top view which shows the to-be-processed object processed along the division | segmentation scheduled line which exists in a 1st position. 第2位置に存在する分割予定ラインに沿って加工された被加工物を示す平面図である。It is a top view which shows the to-be-processed object processed along the division | segmentation scheduled line which exists in a 2nd position. 第3位置に存在する分割予定ラインに沿って加工された被加工物を示す平面図である。It is a top view which shows the to-be-processed object processed along the division | segmentation scheduled line which exists in a 3rd position. 第4位置に存在する分割予定ラインに沿って加工された被加工物を示す平面図である。It is a top view which shows the to-be-processed object processed along the division | segmentation scheduled line which exists in a 4th position.

レーザービームを照射して板状の被加工物に溝等の加工痕を形成する場合、例えば、この被加工物を端から順に加工すると、被加工物に欠けやひび割れ等の加工不良が発生し易くなる。この現象は、レーザービームの照射によって形成される加工痕を境に分けられる2つの領域の一方が十分に小さい場合に、この2つの領域の間で、レーザービームの照射時に発生する熱による大きな温度差が生じることに起因すると推察される。   When processing marks such as grooves are formed on a plate-shaped workpiece by irradiating a laser beam, for example, if the workpiece is processed sequentially from the end, processing defects such as chipping and cracking will occur in the workpiece. It becomes easy. This phenomenon is caused by a large temperature due to the heat generated during laser beam irradiation between two regions when one of the two regions divided by the processing mark formed by laser beam irradiation is sufficiently small. It is inferred that the difference is caused.

すなわち、加工痕を境に分けられる2つの領域でレーザービームの照射時に発生する熱を同じように伝導させることができれば、この問題を解決できると考えられる。そこで、本発明では、被加工物に複数の加工痕を形成してある程度の大きさの領域に分けた後に、既に形成されている2つの加工痕の中間に位置する分割予定ラインにレーザービームを照射して新たな加工痕を形成する。   That is, it is considered that this problem can be solved if the heat generated during laser beam irradiation can be conducted in the same manner in two regions separated by the processing mark. Therefore, in the present invention, after forming a plurality of machining marks on a workpiece and dividing the area into a region of a certain size, a laser beam is applied to a planned division line positioned between two already formed machining marks. Irradiate to form new processing marks.

これにより、既に存在する2つの加工痕によって挟まれた領域は、新たに形成される加工痕によって同程度の体積を持つ2つの小領域に分けられることになるので、既に存在する2つの加工痕によってレーザービームの照射時に生じる熱の伝導が妨げられたとしても、2つの小領域で熱を同じように伝導させることができる。   As a result, the region sandwiched between the two existing processing marks is divided into two small regions having the same volume by the newly formed processing marks. Even if heat conduction generated during irradiation with the laser beam is hindered, heat can be conducted in the same manner in the two small regions.

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係る被加工物の加工方法で加工される板状の被加工物11等の構成例を示す斜視図である。図1に示すように、被加工物11は、例えば、GaAs(ヒ化ガリウム)でなる円盤状のGaAsウェーハである。   Embodiments according to one aspect of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration example of a plate-like workpiece 11 processed by the workpiece processing method according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the workpiece 11 is a disk-shaped GaAs wafer made of, for example, GaAs (gallium arsenide).

この被加工物11の表面11a側は、第1方向(A方向)に平行な直線状の複数の第1分割予定ライン13aと、第1方向と交差する第2方向(B方向)に平行な直線状の複数の第2分割予定ライン13bと、によって複数の小領域に区画されている。つまり、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bとは、互いに交差している。   The surface 11a side of the workpiece 11 is parallel to a plurality of straight first division planned lines 13a parallel to the first direction (A direction) and a second direction (B direction) intersecting the first direction. It is divided into a plurality of small regions by a plurality of straight second division planned lines 13b. That is, the first division planned line 13a and the second division planned line 13b intersect each other.

各小領域には、IC(Integrated Circuit)等のデバイス15が設けられている。なお、図1では、第1方向と第2方向とが概ね垂直な被加工物11を示しているが、第1方向と第2方向とは、少なくとも交差していれば良い。つまり、第1方向と第2方向とは、平行でなければ良い。   A device 15 such as an IC (Integrated Circuit) is provided in each small area. Although FIG. 1 shows the workpiece 11 in which the first direction and the second direction are substantially perpendicular, it is sufficient that the first direction and the second direction intersect at least. That is, the first direction and the second direction need not be parallel.

また、被加工物11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板等を被加工物11とすることもできる。同様に、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。被加工物11には、デバイス15が形成されていなくても良い。   Moreover, there is no restriction | limiting in the material of the workpiece 11, a shape, a structure, a magnitude | size, etc. For example, the substrate 11 made of a material such as another semiconductor, ceramics, resin, or metal can be used as the workpiece 11. Similarly, the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device 15 are not limited. The device 15 may not be formed on the workpiece 11.

この被加工物11の裏面11b側には、被加工物11よりも径の大きいダイシング用のテープ17が貼付される。テープ17の外周部分は、概ね円形の開口19aを有する環状のフレーム19に貼付される。すなわち、被加工物11は、テープ17を介してフレーム19に支持される。   A dicing tape 17 having a diameter larger than that of the workpiece 11 is attached to the back surface 11b side of the workpiece 11. The outer peripheral portion of the tape 17 is attached to an annular frame 19 having a generally circular opening 19a. That is, the workpiece 11 is supported by the frame 19 via the tape 17.

なお、本実施形態では、被加工物11を表面11a側から加工するために、裏面11b側にテープ17を貼付しているが、被加工物11を裏面11b側から加工する場合には、表面11a側にテープ17を貼付すれば良い。また、被加工物11を直に保持する冶具テーブルを用いる場合等には、被加工物11にテープ17を貼付しなくても良い。   In addition, in this embodiment, in order to process the to-be-processed object 11 from the surface 11a side, the tape 17 is affixed on the back surface 11b side. However, when processing the to-be-processed object 11 from the back surface 11b side, What is necessary is just to stick the tape 17 to the 11a side. Further, when a jig table that directly holds the workpiece 11 is used, the tape 17 may not be attached to the workpiece 11.

図2は、被加工物11が加工される様子を示す斜視図である。本実施形態に係る被加工物の加工方法では、例えば、図2に示すレーザー加工装置2を用いて被加工物11が加工される。このレーザー加工装置2は、被加工物11を保持するためのチャックテーブル4を備えている。   FIG. 2 is a perspective view showing how the workpiece 11 is processed. In the workpiece processing method according to the present embodiment, for example, the workpiece 11 is processed using the laser processing apparatus 2 shown in FIG. The laser processing apparatus 2 includes a chuck table 4 for holding a workpiece 11.

チャックテーブル4の上面の一部には、例えば、多孔質材でなる保持板(不図示)が露出している。保持板の上面は、X軸方向及びY軸方向に対して概ね平行に形成され、チャックテーブル4の内部に設けられた吸引路(不図示)等を介して吸引源(不図示)に接続されている。   For example, a holding plate (not shown) made of a porous material is exposed at a part of the upper surface of the chuck table 4. The upper surface of the holding plate is formed substantially parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction, and is connected to a suction source (not shown) via a suction path (not shown) provided inside the chuck table 4. ing.

チャックテーブル4の周囲には、環状のフレーム19を固定するための複数のクランプ(不図示)が設けられている。また、チャックテーブル4の下部には、移動機構(不図示)及び回転機構(不図示)が連結されている。チャックテーブル4は、この移動機構によってX軸方向(加工送り方向)及びY軸方向(割り出し送り方向)に移動し、回転機構によってZ軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。   A plurality of clamps (not shown) for fixing the annular frame 19 are provided around the chuck table 4. Further, a moving mechanism (not shown) and a rotating mechanism (not shown) are connected to the lower portion of the chuck table 4. The chuck table 4 is moved in the X-axis direction (machining feed direction) and the Y-axis direction (index feed direction) by this moving mechanism, and is rotated around a rotation axis substantially parallel to the Z-axis direction (vertical direction) by the rotating mechanism. To do.

チャックテーブル4の上方には、レーザー加工ユニット6が配置されている。レーザー加工ユニット6は、レーザー発振器(不図示)でパルス発振されたレーザービーム21を所定の位置に照射、集光する。本実施形態で使用されるレーザー発振器は、被加工物11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム21をパルス発振できるように構成され、被加工物11のアブレーション加工に適している。   A laser processing unit 6 is disposed above the chuck table 4. The laser processing unit 6 irradiates and focuses a laser beam 21 pulsed by a laser oscillator (not shown) at a predetermined position. The laser oscillator used in the present embodiment is configured to be able to pulse-oscillate a laser beam 21 having a wavelength that is absorptive with respect to the workpiece 11, and is suitable for ablation processing of the workpiece 11.

レーザー加工ユニット6の側方には、被加工物11等を撮像するためのカメラ(撮像ユニット)8が配置されている。このカメラ8により取得される画像に基づいて、例えば、被加工物11の第1分割予定ライン13a(又は第2分割予定ライン13b)と、X軸方向とのなす角度が調整される。   A camera (imaging unit) 8 for imaging the workpiece 11 and the like is disposed on the side of the laser processing unit 6. Based on the image acquired by the camera 8, for example, the angle formed between the first division planned line 13a (or the second division planned line 13b) of the workpiece 11 and the X-axis direction is adjusted.

本実施形態に係る被加工物の加工方法では、まず、このレーザー加工装置2のチャックテーブル4に被加工物11を保持させる(保持ステップ)。具体的には、被加工物11の裏面11b側に貼付されているテープ17をチャックテーブル4(保持板)の上面に接触させた上で、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプでフレーム19を固定する。これにより、被加工物11は、表面11a側が上方に露出した状態で保持される。   In the workpiece processing method according to the present embodiment, first, the workpiece 11 is held on the chuck table 4 of the laser processing apparatus 2 (holding step). Specifically, the negative pressure of the suction source is applied after the tape 17 attached to the back surface 11b side of the workpiece 11 is brought into contact with the upper surface of the chuck table 4 (holding plate). At the same time, the frame 19 is fixed with a clamp. Thereby, the to-be-processed object 11 is hold | maintained in the state which the surface 11a side exposed upwards.

チャックテーブル4に被加工物11を保持させた後には、レーザービーム21を照射してこの被加工物11を加工する(加工ステップ)。なお、本実施形態では、第1分割予定ライン13aに沿ってのみ被加工物11を加工する手順について説明するが、同様の手順で更に第2分割予定ライン13bに沿って被加工物11を加工しても良い。もちろん、第2分割予定ライン13bに沿ってのみ被加工物11を加工することもできる。   After the workpiece 11 is held on the chuck table 4, the workpiece 11 is processed by irradiating the laser beam 21 (processing step). In this embodiment, the procedure for processing the workpiece 11 only along the first division line 13a will be described. However, the workpiece 11 is further processed along the second division line 13b in the same procedure. You may do it. Of course, the workpiece 11 can be processed only along the second division line 13b.

具体的には、まず、Nを被加工物11に設定されている第1分割予定ライン13aの総本数、Dを隣接する2本の第1分割予定ライン13aの距離、nを2<Nを満たす最大の自然数として、被加工物11の最も外側に位置する第1分割予定ライン13aからの距離が2×Dで表される第1位置に存在する第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して被加工物11を加工する(第1加工ステップ)。 Specifically, first, N is the total number of first division planned lines 13a set on the workpiece 11, D is the distance between two adjacent first division planned lines 13a, and n is 2 n <N. As the maximum natural number satisfying the above, the laser beam is applied to the first planned dividing line 13a existing at the first position where the distance from the first planned dividing line 13a located on the outermost side of the workpiece 11 is represented by 2 n × D. 21 is processed to process the workpiece 11 (first processing step).

なお、2<Nを満たすnが自然数であることから、加工の対象となる第1分割予定ライン13aの総本数は3本以上でなくてはならない。また、複数の第1分割予定ライン13aは、概ね等間隔に設定される必要がある。すなわち、被加工物11には、概ね等間隔にN本(Nは、3以上の自然数)の第1分割予定ライン13aが設定される。 In addition, since n satisfying 2 n <N is a natural number, the total number of the first division planned lines 13a to be processed must be three or more. The plurality of first division planned lines 13a need to be set at approximately equal intervals. That is, N (N is a natural number of 3 or more) first division planned lines 13a are set on the workpiece 11 at approximately equal intervals.

一方で、第2分割予定ライン13bの本数や配置等に制限はない。もちろん、本実施形態と同様の手順で被加工物11を第2分割予定ライン13bに沿って加工する場合には、第1分割予定ライン13aと同等の条件となるように第2分割予定ライン13bの条件が設定される。   On the other hand, there is no limitation on the number and arrangement of the second scheduled division lines 13b. Of course, when the workpiece 11 is processed along the second scheduled division line 13b in the same procedure as in the present embodiment, the second scheduled division line 13b is set to satisfy the same conditions as the first scheduled division line 13a. Is set.

図3は、第1位置L1に存在する分割予定ライン13aに沿って加工された被加工物11を示す平面図である。以下では、被加工物11に設定されている第1分割予定ライン13aの総本数を11本(すなわち、N=11)として説明する。この場合、2<Nを満たす最大の自然数nは3である。よって、被加工物11の最も外側に位置する第1分割予定ライン13a(基準位置L0)から第1位置L1までの距離は、図3に示すように、8×Dとなる。 FIG. 3 is a plan view showing the workpiece 11 processed along the division line 13a existing at the first position L1. Below, the total number of the 1st division | segmentation scheduled lines 13a set to the to-be-processed object 11 is demonstrated as 11 lines (namely, N = 11). In this case, the maximum natural number n satisfying 2 n <N is 3. Therefore, the distance from the first division planned line 13a (reference position L0) located on the outermost side of the workpiece 11 to the first position L1 is 8 × D as shown in FIG.

第1位置L1に存在する第1分割予定ライン13aに沿ってレーザービーム21を照射する際には、まず、チャックテーブル4を移動させて、第1位置L1に存在する第1分割予定ライン13aの延長線の上方にレーザー加工ユニット6を位置付ける。なお、レーザー加工装置2のX軸方向と被加工物11の第1分割予定ライン13aとが平行になっていない場合には、チャックテーブル4を回転させて、第1分割予定ライン13aの向きを調整しておく。   When irradiating the laser beam 21 along the first division planned line 13a existing at the first position L1, first, the chuck table 4 is moved and the first division planned line 13a existing at the first position L1 is moved. The laser processing unit 6 is positioned above the extension line. In addition, when the X-axis direction of the laser processing apparatus 2 and the 1st division | segmentation scheduled line 13a of the to-be-processed object 11 are not parallel, the chuck table 4 is rotated and the direction of the 1st division | segmentation scheduled line 13a is made. Adjust it.

その後、被加工物11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム21をレーザー加工ユニット6から照射しながら、チャックテーブル4をX軸方向に移動させる。これにより、第1位置L1に存在する第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第1加工痕(溝)11cを形成できる。なお、第1加工痕11cの深さに制限はない。例えば、被加工物11を分断(切断)する深さの第1加工痕11cを形成することもできる。   Thereafter, the chuck table 4 is moved in the X-axis direction while irradiating the workpiece 11 with a laser beam 21 having an absorptive wavelength from the laser processing unit 6. As a result, the first machining trace (groove) 11c can be formed by irradiating the first division planned line 13a existing at the first position L1 with the laser beam 21. The depth of the first machining mark 11c is not limited. For example, it is possible to form the first processing mark 11c having a depth for dividing (cutting) the workpiece 11.

第1加工痕11cを形成した後には、第1位置L1からの距離が2n-1×D×m(mは自然数)で表される第2位置L2に存在する第1分割予定ライン13aにレーザービームを照射して被加工物11を加工する(第2加工ステップ)。 After the formation of the first processing mark 11c, the distance from the first position L1 to the first division planned line 13a existing at the second position L2 represented by 2 n−1 × D × m (m is a natural number) The workpiece 11 is processed by irradiating a laser beam (second processing step).

図4は、第2位置L2に存在する分割予定ライン13aに沿って加工された被加工物11を示す平面図である。上述の通り、2<Nを満たす最大の自然数nは3である。よって、図4に示すように、第1位置L1から第2位置L2までの距離は、4×D×mとなる。なお、図4では、代表的な第2位置L2のみが示されている。 FIG. 4 is a plan view showing the workpiece 11 processed along the division line 13a existing at the second position L2. As described above, the maximum natural number n satisfying 2 n <N is 3. Therefore, as shown in FIG. 4, the distance from the first position L1 to the second position L2 is 4 × D × m. In FIG. 4, only a representative second position L2 is shown.

第2位置L2に存在する第1分割予定ライン13aに沿ってレーザービーム21を照射する際には、まず、チャックテーブル4を移動させて、対象となるいずれかの第1分割予定ライン13aの延長線の上方にレーザー加工ユニット6を位置付ける。そして、被加工物11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム21をレーザー加工ユニット6から照射しながら、チャックテーブル4をX軸方向に移動させる。   When irradiating the laser beam 21 along the first division planned line 13a existing at the second position L2, first, the chuck table 4 is moved to extend any one of the target first division planned lines 13a. The laser processing unit 6 is positioned above the line. Then, the chuck table 4 is moved in the X-axis direction while irradiating the workpiece 11 with a laser beam 21 having an absorptive wavelength from the laser processing unit 6.

これにより、対象となるいずれかの第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第2加工痕(溝)11dを形成できる。なお、この第2加工痕11dの深さにも制限はない。その後、同様の手順を繰り返し、対象となる全ての第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第2加工痕11dを形成する。   As a result, it is possible to form the second processing trace (groove) 11d by irradiating any one of the target first division planned lines 13a with the laser beam 21. The depth of the second machining mark 11d is not limited. Thereafter, the same procedure is repeated to irradiate all target first division planned lines 13a with the laser beam 21 to form the second processing trace 11d.

なお、図4では、被加工物11の外部の第2位置L2も示されているが、当然、この第2位置L2には、レーザービーム21を照射しなくて良い。一方で、第1位置L1からの距離が4×D×2で表され、基準位置L0と重なる第2位置L2に存在する第1分割予定ライン13aには、レーザービーム21を照射する。   In FIG. 4, the second position L <b> 2 outside the workpiece 11 is also shown, but naturally, the second position L <b> 2 may not be irradiated with the laser beam 21. On the other hand, the distance from the first position L1 is represented by 4 × D × 2, and the first division planned line 13a existing at the second position L2 overlapping the reference position L0 is irradiated with the laser beam 21.

第2加工痕11dを形成した後には、第2位置L2からの距離が2n-2×D×m(mは自然数)で表される第3位置L3に存在する第1分割予定ライン13aのうちで第1加工痕11c、第2加工痕11dのいずれも形成されていない第1分割予定ライン13a(すなわち、第1加工ステップ及び第2加工ステップにおいてレーザービームが照射されていない第1分割予定ライン13a)にレーザービームを照射して被加工物11を加工する(第3加工ステップ)。 After forming the second machining mark 11d, the distance from the second position L2 of the first division planned line 13a existing at the third position L3 represented by 2 n−2 × D × m (m is a natural number) Among them, the first division planned line 13a in which neither the first machining trace 11c nor the second machining trace 11d is formed (that is, the first division schedule where the laser beam is not irradiated in the first machining step and the second machining step). The workpiece 11 is processed by irradiating the line 13a) with a laser beam (third processing step).

図5は、第3位置L3に存在する分割予定ライン13aに沿って加工された被加工物11を示す平面図である。上述の通り、2<Nを満たす最大の自然数nは3である。よって、図5に示すように、第2位置L2から第3位置L3までの距離は、2×D×mとなる。なお、図5では、代表的な第3位置L3のみが示されている。 FIG. 5 is a plan view showing the workpiece 11 processed along the division line 13a existing at the third position L3. As described above, the maximum natural number n satisfying 2 n <N is 3. Therefore, as shown in FIG. 5, the distance from the second position L2 to the third position L3 is 2 × D × m. In FIG. 5, only a representative third position L3 is shown.

第3位置L3に存在する第1分割予定ライン13aのうちで第1加工痕11c、第2加工痕11dのいずれも形成されていない第1分割予定ライン13aに沿ってレーザービーム21を照射する際には、まず、チャックテーブル4を移動させて、対象となるいずれかの第1分割予定ライン13aの延長線の上方にレーザー加工ユニット6を位置付ける。そして、被加工物11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム21をレーザー加工ユニット6から照射しながら、チャックテーブル4をX軸方向に移動させる。   When irradiating the laser beam 21 along the first division planned line 13a in which neither the first machining trace 11c nor the second machining trace 11d is formed among the first division planned lines 13a existing at the third position L3. First, the chuck table 4 is moved, and the laser processing unit 6 is positioned above the extension line of any one of the first planned division lines 13a. Then, the chuck table 4 is moved in the X-axis direction while irradiating the workpiece 11 with a laser beam 21 having an absorptive wavelength from the laser processing unit 6.

これにより、対象となるいずれかの第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第3加工痕(溝)11eを形成できる。なお、この第3加工痕11eの深さにも制限はない。その後、同様の手順を繰り返し、対象となる全ての第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第3加工痕11eを形成する。   Thereby, the 3rd process trace (groove | channel) 11e can be formed by irradiating the laser beam 21 to any 1st division | segmentation planned line 13a used as object. The depth of the third machining mark 11e is not limited. Thereafter, the same procedure is repeated to irradiate all target first division planned lines 13a with the laser beam 21 to form the third processing trace 11e.

第3加工痕11eを形成した後には、第3位置L3からの距離が2n-3×D×m(mは自然数)で表される第4位置L4に存在する第1分割予定ライン13aのうちで第1加工痕11c、第2加工痕11d、第3加工痕11eのいずれも形成されていない第1分割予定ライン13a(すなわち、第1加工ステップ、第2加工ステップ、及び第3加工ステップにおいてレーザービームが照射されていない第1分割予定ライン13a)にレーザービームを照射して被加工物11を加工する(第4加工ステップ)。 After forming the third processing mark 11e, the distance from the third position L3 of the first division planned line 13a existing at the fourth position L4 represented by 2 n−3 × D × m (m is a natural number) Among them, the first division line 13a in which none of the first machining trace 11c, the second machining trace 11d, and the third machining trace 11e is formed (that is, the first machining step, the second machining step, and the third machining step). Then, the workpiece 11 is processed by irradiating the first division planned line 13a) not irradiated with the laser beam with a laser beam (fourth processing step).

図6は、第4位置L4に存在する分割予定ライン13aに沿って加工された被加工物11を示す平面図である。上述の通り、2<Nを満たす最大の自然数nは3である。よって、図6に示すように、第3位置L3から第4位置L4までの距離は、1×D×mとなる。なお、図6では、代表的な第4位置L4のみが示されている。 FIG. 6 is a plan view showing the workpiece 11 processed along the division line 13a existing at the fourth position L4. As described above, the maximum natural number n satisfying 2 n <N is 3. Therefore, as shown in FIG. 6, the distance from the third position L3 to the fourth position L4 is 1 × D × m. In FIG. 6, only a representative fourth position L4 is shown.

第4位置L4に存在する第1分割予定ライン13aのうちで第1加工痕11c、第2加工痕11d、第3加工痕11eのいずれも形成されていない第1分割予定ライン13aに沿ってレーザービーム21を照射する際には、まず、チャックテーブル4を移動させて、対象となるいずれかの第1分割予定ライン13aの延長線の上方にレーザー加工ユニット6を位置付ける。そして、被加工物11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム21をレーザー加工ユニット6から照射しながら、チャックテーブル4をX軸方向に移動させる。   Of the first planned dividing line 13a existing at the fourth position L4, the laser is along the first divided planned line 13a in which none of the first processed mark 11c, the second processed mark 11d, and the third processed mark 11e is formed. When irradiating the beam 21, first, the chuck table 4 is moved, and the laser processing unit 6 is positioned above the extension line of any one of the first planned division lines 13 a. Then, the chuck table 4 is moved in the X-axis direction while irradiating the workpiece 11 with a laser beam 21 having an absorptive wavelength from the laser processing unit 6.

これにより、対象となるいずれかの第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第4加工痕(溝)11fを形成できる。なお、この第4加工痕11fの深さにも制限はない。その後、同様の手順を繰り返し、対象となる全ての第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して第4加工痕11fを形成する。これにより、全ての第1分割予定ライン13aに沿って被加工物11が加工されたことになる。   As a result, the fourth processing trace (groove) 11f can be formed by irradiating one of the target first division lines 13a with the laser beam 21. The depth of the fourth machining mark 11f is not limited. Thereafter, the same procedure is repeated to irradiate all target first division planned lines 13a with the laser beam 21 to form the fourth machining trace 11f. As a result, the workpiece 11 has been processed along all the first division planned lines 13a.

以上のように、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、被加工物11に加工痕(第1加工痕11c、第2加工痕11d)を形成してある程度の大きさの領域に分けた後に、既に形成されている2つの加工痕の中間に位置する第1分割予定ライン13aにレーザービーム21を照射して新たな加工痕(第3加工痕11e、第4加工痕11f)を形成するので、既に形成されている2つの加工痕によって挟まれた領域は、新たに形成される溝によって同程度の体積を持つ2つの小領域に分けられることになる。   As described above, in the processing method of the workpiece according to the present embodiment, the processing marks (the first processing marks 11c and the second processing marks 11d) are formed on the workpiece 11 and divided into regions of a certain size. After that, the laser beam 21 is irradiated to the first division planned line 13a located in the middle of the two already formed processing marks to form new processing marks (third processing marks 11e, fourth processing marks 11f). Therefore, a region sandwiched between two already formed processing marks is divided into two small regions having the same volume by a newly formed groove.

そのため、既に存在する加工痕によって、レーザービーム21の照射時に生じる熱の伝導が妨げられたとしても、2つの小領域で熱を同じように伝導させることができる。つまり、2つの小領域の一方と他方とで加工時の熱による温度差が生じ難くなるので、偏った熱の伝導に起因する加工不良の発生を抑制できる。   For this reason, even if the existing processing traces prevent the heat conduction that occurs when the laser beam 21 is irradiated, the heat can be conducted in the same manner in the two small regions. That is, a temperature difference due to heat during processing hardly occurs between one of the two small regions and the other, so that it is possible to suppress the occurrence of processing failure due to uneven heat conduction.

なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、主に、第1分割予定ラインの総本数が11本の場合について説明しているが、第1分割予定ラインの総本数が任意のN本(Nは3以上の自然数)の場合には、次のような手順で被加工物11を加工できる。   In addition, this invention is not restrict | limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, the case where the total number of the first division planned lines is 11 is mainly described. However, the total number of the first division planned lines is arbitrary N (N is a natural number of 3 or more). ), The workpiece 11 can be processed in the following procedure.

まず、被加工物の最も外側に位置する第1分割予定ラインからの距離が2×D(Dは隣り合う2本の該第1分割予定ラインの距離、nは2<Nを満たす最大の自然数)で表される第1位置に存在する第1分割予定ラインにレーザービームを照射して被加工物に加工痕(溝)を形成する(第1加工ステップ)。なお、この第1加工ステップは、上記実施形態と同様である。 First, the distance from the first division planned line located on the outermost side of the workpiece is 2 n × D (D is the distance between two adjacent first division planned lines, and n is the maximum satisfying 2 n <N. The first division planned line existing at the first position represented by (natural number) is irradiated with a laser beam to form a processing mark (groove) on the workpiece (first processing step). In addition, this 1st process step is the same as that of the said embodiment.

第1加工ステップの後には、第k位置(kは、n以下の自然数)からの距離が2n-k×D×m(mは自然数)で表される第k+1位置に存在する第1分割予定ラインから選択される第1分割予定ラインにレーザービームを照射して被加工物に加工痕を形成する(第k+1加工ステップ)。 After the first machining step, the first division exists at the (k + 1) th position where the distance from the kth position (k is a natural number equal to or less than n ) is represented by 2 n−k × D × m (m is a natural number). A laser beam is irradiated to the first division planned line selected from the planned lines to form a processing mark on the workpiece (k + 1 processing step).

この第k+1加工ステップは、1からnまでのkについて順に行われる。また、第k+1加工ステップでは、iがk以下の自然数である全ての第i加工ステップにおいてレーザービームが照射されていない分割予定ラインが選択される。具体的には、例えば、第5加工ステップでは、第1加工ステップ、第2加工ステップ、第3加工ステップ、及び第4加工ステップにおいてレーザービームが照射されていない分割予定ライン13aが選択されることになる。   This k + 1th processing step is sequentially performed for k from 1 to n. In the (k + 1) -th processing step, a division planned line that is not irradiated with a laser beam in all i-th processing steps in which i is a natural number equal to or less than k is selected. Specifically, for example, in the fifth processing step, the division line 13a that is not irradiated with the laser beam in the first processing step, the second processing step, the third processing step, and the fourth processing step is selected. become.

また、上記実施形態では、被加工物11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム21を照射することにより被加工物11をアブレーション加工しているが、このアブレーション加工に使用されるレーザービームの波長等に特段の制限はない。例えば、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザービームを用いる場合にも、このレーザービームを十分に集光させて多光子吸収を生じさせることにより、被加工物11をアブレーション加工することができる。   Further, in the above embodiment, the workpiece 11 is ablated by irradiating the workpiece 11 with a laser beam 21 having an absorptive wavelength. There is no particular limitation on the wavelength. For example, even when a laser beam having a wavelength that is transmissive to the workpiece 11 is used, the workpiece 11 is ablated by sufficiently concentrating the laser beam to cause multiphoton absorption. be able to.

また、上記実施形態では、第1分割予定ライン13aに沿ってのみ被加工物11を加工する手順について説明したが、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bとを交互に加工しても良い。この場合には、例えば、第1分割予定ライン13aを加工するための第1加工ステップの後に、第2分割予定ライン13bを加工するための第1加工ステップを行い、その後、第1分割予定ライン13aを加工するための第2加工ステップを行う、といった手順で被加工物11を加工できる。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the procedure which processes the to-be-processed object 11 only along the 1st division | segmentation scheduled line 13a, the 1st division | segmentation scheduled line 13a and the 2nd division | segmentation scheduled line 13b are processed alternately. Also good. In this case, for example, after the first processing step for processing the first division planned line 13a, the first processing step for processing the second division planned line 13b is performed, and then the first division planned line is performed. The workpiece 11 can be processed by the procedure of performing the second processing step for processing 13a.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
11c 第1加工痕(溝)
11d 第2加工痕(溝)
11e 第3加工痕(溝)
11f 第4加工痕(溝)
13a 第1分割予定ライン
13b 第2分割予定ライン
15 デバイス
17 テープ
19 フレーム
21 レーザービーム
L1 第1位置
L2 第2位置
L3 第3位置
L4 第4位置
2 レーザー加工装置
4 チャックテーブル
6 レーザー加工ユニット
8 カメラ(撮像ユニット)
11 Workpiece 11a Front surface 11b Back surface 11c First processing mark (groove)
11d Second machining mark (groove)
11e Third processing mark (groove)
11f Fourth machining mark (groove)
13a 1st division planned line 13b 2nd division planned line 15 Device 17 Tape 19 Frame 21 Laser beam L1 1st position L2 2nd position L3 3rd position L4 4th position 2 Laser processing device 4 Chuck table 6 Laser processing unit 8 Camera (Imaging unit)

Claims (2)

等間隔に設定されるN本(Nは3以上の自然数)の分割予定ラインによって複数の領域に区画された板状の被加工物を、該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することにより加工する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の最も外側に位置する該分割予定ラインからの距離が2×D(Dは隣り合う2本の該分割予定ラインの距離、nは2<Nを満たす最大の自然数)で表される第1位置に存在する該分割予定ラインに該レーザービームを照射して該被加工物に加工痕を形成する第1加工ステップと、
該第1加工ステップの後、第k位置(kは、n以下の自然数)からの距離が2n-k×D×m(mは自然数)で表される第k+1位置に存在する該分割予定ラインから選択される該分割予定ラインに該レーザービームを照射して該被加工物に加工痕を形成する第k+1加工ステップと、を含み、
1からnまでのkについて順に該第k+1加工ステップを行い、
該第k+1加工ステップでは、iがk以下の自然数である全ての該第i加工ステップにおいて該レーザービームが照射されていない該分割予定ラインが選択されることを特徴とする被加工物の加工方法。
By irradiating a plate-like workpiece divided into a plurality of areas by N (N is a natural number of 3 or more) division lines set at equal intervals along the division lines A processing method of a workpiece to be processed,
The distance from the planned division line located on the outermost side of the workpiece is 2 n × D (D is the distance between two adjacent planned division lines, and n is the maximum natural number satisfying 2 n <N). A first processing step of forming a processing mark on the workpiece by irradiating the laser beam to the division line existing at the first position represented;
After the first machining step, the division schedule is present at the k + 1th position where the distance from the kth position (k is a natural number equal to or less than n ) is represented by 2 nk × D × m (m is a natural number). Irradiating the laser beam to the division line selected from a line to form a processing mark on the workpiece, and k + 1 processing step,
The k + 1th processing step is sequentially performed for k from 1 to n,
In the (k + 1) -th processing step, the division-scheduled line that is not irradiated with the laser beam is selected in all the i-th processing steps in which i is a natural number equal to or less than k. .
該被加工物は、GaAsウェーハであることを特徴とする請求項1に記載の被加工物の加工方法。   The method of processing a workpiece according to claim 1, wherein the workpiece is a GaAs wafer.
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