KR102367001B1 - Wafer processing method - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

[과제]기판의 표면에 적층된 기능층에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼에서의 기능층을 박리시키지 않음과 함께 기판에 보이드나 크랙 등이 생성되지 않고, 분할 예정 라인을 따라서 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
[해결수단]기판의 표면에 적층된 기능층에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라서 미리 정해진 간격을 두고 레이저 광선을 조사하고, 기능층을 분할 예정 라인을 따라서 융기시킴으로써 2개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정과, 볼록부 형성 공정이 실시된 웨이퍼를 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 포함한다. [Problem] In addition to not peeling off the functional layer from the wafer in which the device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a grid pattern on the functional layer laminated on the surface of the substrate, voids or cracks in the substrate A method of processing a wafer that can be divided along a line to be divided without being generated is provided.
[Solution] A method of processing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a grid pattern on a functional layer laminated on the surface of a substrate, wherein a predetermined interval is provided along the division line formed on the wafer. A convex portion forming step of forming two convex portions by irradiating a laser beam on the surface and raising the functional layer along a line to be divided, and dividing the wafer subjected to the convex portion forming step along a region sandwiched between the two convex portions It includes a splitting process.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}Wafer processing method {WAFER PROCESSING METHOD}

본 발명은, 실리콘 등의 기판의 표면에 적층된 기능층에 의해 디바이스가 형성된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer processing method in which a wafer having a device formed thereon by a functional layer laminated on the surface of a substrate such as silicon is divided along a division scheduled line.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도체 디바이스를 제조하고 있다.In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by scheduled division lines arranged in a grid on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. Then, each semiconductor device is manufactured by dividing the region in which the device is formed by cutting the semiconductor wafer along the line to be divided.

최근에는, IC, LSI 등의 반도체칩의 처리 능력을 향상시키기 위해, 실리콘 등의 기판의 표면에 SiO2, SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막으로 이루어진 저유전률 절연체 피막(Low-k막)이 적층된 기능층에 의해 반도체 디바이스를 형성시킨 형태의 반도체 웨이퍼가 실용화되어 있다. In recent years, in order to improve the processing capability of semiconductor chips such as IC and LSI, an inorganic film such as SiO 2 , SiOF, BSG (SiOB), or a polyimide-based, parylene-based polymer on the surface of a substrate such as silicon A semiconductor wafer of a type in which a semiconductor device is formed by a functional layer in which a low-k insulator film (Low-k film) made of an organic film, which is a film, is laminated has been put to practical use.

이와 같은 반도체 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따른 분할은, 통상 다이서라고 부르고 있는 절삭 장치에 의해 행해지고 있다. 이 절삭 장치는, 피가공물인 반도체 웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 상기 척테이블에 유지된 반도체 웨이퍼를 절삭하기 위한 절삭 수단과, 척테이블과 절삭 수단을 상대적으로 이동시키는 이동 수단을 구비하고 있다. 절삭 수단은, 고속 회전되는 회전 스핀들과 상기 스핀들에 장착된 절삭 블레이드를 포함하고 있다. 절삭 블레이드는 원반형상의 베이스와 상기 베이스의 측면 외주부에 장착된 고리형의 절삭날을 포함하고 있고, 절삭날은 예컨대 입경 3 ㎛ 정도의 다이아몬드 지립(砥粒)을 전기 주조에 의해 고정하여 형성되어 있다. The division of such a semiconductor wafer along the division|segmentation schedule line is normally performed by the cutting device called a dicer. This cutting device includes a chuck table holding a semiconductor wafer as a workpiece, cutting means for cutting the semiconductor wafer held on the chuck table, and moving means for relatively moving the chuck table and the cutting means. The cutting means includes a high-speed rotating spindle and a cutting blade mounted on the spindle. The cutting blade includes a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side of the base, and the cutting edge is formed by, for example, fixing diamond abrasive grains with a particle diameter of about 3 μm by electroforming. .

그런데, 전술한 Low-k막은, 절삭 블레이드에 의해 절삭하는 것이 어렵다. 즉, Low-k막은 운모와 같이 매우 취약하기 때문에, 절삭 블레이드에 의해 분할 예정 라인을 따라서 절삭하면 Low-k막이 박리되고, 이 박리가 회로에까지 도달하여 디바이스에 치명적인 손상을 준다고 하는 문제가 있다. However, it is difficult to cut the aforementioned Low-k film with a cutting blade. That is, since the low-k film is very fragile like mica, when the cutting blade is cut along the line to be divided, the low-k film is peeled off, and this peeling reaches the circuit, causing fatal damage to the device.

상기 문제를 해소하기 위해, 반도체 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라서 기능층에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사함으로써, 분할 예정 라인을 따라서 레이저 가공홈을 형성하여 기능층을 제거하고, 이 레이저 가공홈에 절삭 블레이드를 위치 부여하여 절삭 블레이드와 반도체 웨이퍼를 상대 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 절단하는 웨이퍼의 분할 방법이 하기 특허문헌 1에 개시되어 있다. In order to solve the above problem, the functional layer is irradiated with a laser beam having an absorptive wavelength to the functional layer along the dividing line formed on the semiconductor wafer, thereby forming a laser processing groove along the dividing line to remove the functional layer. A method of dividing a wafer in which a semiconductor wafer is cut along a line to be divided by relatively moving the cutting blade and the semiconductor wafer by positioning the cutting blade in the processing groove is disclosed in Patent Document 1 below.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2009-21476호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-21476

그런데, 기능층에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사함으로써, 분할 예정 라인을 따라서 레이저 가공홈을 형성하여 기능층을 제거하면, 기능층을 제거한 레이저 광선이 실리콘 기판이나 질화갈륨 기판 등의 반도체 기판에 조사되고, 파단의 기점이 되는 보이드나 크랙 등이 반도체 기판에 생성되어 디바이스의 항절 강도를 저하시킨다고 하는 문제가 있다. However, when the functional layer is irradiated with a laser beam having an absorptive wavelength to form a laser processing groove along a line to be divided to remove the functional layer, the laser beam from which the functional layer has been removed is converted into a semiconductor such as a silicon substrate or gallium nitride substrate. When the substrate is irradiated, there is a problem that voids, cracks, and the like, which are the starting points of fracture, are generated in the semiconductor substrate, thereby reducing the flexural strength of the device.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주요 기술 과제는, 기판의 표면에 적층된 기능층에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼에서의 기능층을 박리시키지 않음과 함께 기판에 보이드나 크랙 등이 생성되지 않고, 분할 예정 라인을 따라서 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다. The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is a function in a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a grid shape on a functional layer laminated on the surface of a substrate. It is to provide a processing method of a wafer that can be divided along a line to be divided without causing voids, cracks, or the like to be generated in the substrate without peeling the layer.

상기 주요 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 기판의 표면에 적층된 기능층에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, there is provided a method of processing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a grid shape on a functional layer laminated on the surface of a substrate,

웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라서 미리 정해진 간격을 두고 레이저 광선을 조사하고, 기능층을 분할 예정 라인을 따라서 융기시킴으로써 2개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정과, A convex portion forming step of forming two convex portions by irradiating a laser beam at a predetermined interval along a predetermined division line formed on the wafer and raising the functional layer along the division scheduled line;

상기 볼록부 형성 공정이 실시된 웨이퍼를 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다. There is provided a wafer processing method comprising a dividing step of dividing the wafer subjected to the convex portion forming step along a region sandwiched between the two convex portions.

상기 볼록부 형성 공정에 있어서는, 레이저 광선의 출력이 기능층만을 팽창시키는 출력으로 설정되어 있다. In the said convex part forming process, the output of a laser beam is set to the output which expands only a functional layer.

상기 볼록부 형성 공정에서의 레이저 광선의 출력은, 레이저 광선의 1펄스당 에너지가 4∼10 nJ로 설정되어 있다. As for the output of the laser beam in the said convex part forming process, the energy per pulse of a laser beam is set to 4-10 nJ.

또한, 상기 볼록부 형성 공정에서의 레이저 광선의 스폿과 스폿의 간격은, 4∼8 nm로 설정되어 있다. In addition, the interval between the spot and the spot of the laser beam in the convex portion forming step is set to 4 to 8 nm.

상기 분할 공정은, 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역에 절삭 블레이드를 위치 부여하여 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 절단한다. In the division process, a cutting blade is positioned in a region sandwiched between two convex portions to cut the wafer along a line to be divided.

또한, 상기 분할 공정은, 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역에 레이저 광선을 조사하여 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 절단한다. Further, in the division step, a laser beam is irradiated to a region sandwiched between the two convex portions to cut the wafer along a line to be divided.

본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라서 미리 정해진 간격을 두고 레이저 광선을 조사하고, 기능층을 분할 예정 라인을 따라서 융기시킴으로써 2개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정과, 상기 볼록부 형성 공정이 실시된 웨이퍼를 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 포함하고 있기 때문에, 분할 공정을 실시할 때에는, 볼록부 형성 공정을 실시함으로써 웨이퍼를 구성하는 기능층에는 분할 예정 라인을 따라서 2개의 볼록부가 형성되어 있기 때문에, 2개의 볼록부에 의해 절삭 블레이드나 레이저 광선의 조사에 의한 파괴력이 디바이스측에 이르지 않도록 억제되어, 디바이스를 구성하는 적층된 기능층은 박리되지 않고, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는다. A wafer processing method according to the present invention comprises: a convex portion forming step of forming two convex portions by irradiating a laser beam at a predetermined interval along a predetermined division line formed on the wafer, and raising the functional layer along the division scheduled line; , since it includes a division step of dividing the wafer subjected to the convex portion forming step along a region sandwiched between the two convex portions, when performing the division step, a function of configuring the wafer by performing the convex portion forming step Since two convex portions are formed in the layer along the line to be divided, the destructive force caused by the irradiation of the cutting blade or laser beam is suppressed by the two convex portions so as not to reach the device side, and the laminated functional layer constituting the device is It does not peel off and does not deteriorate the quality of a device.

도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법에 의해 가공되는 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도.
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 웨이퍼를 고리형의 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 접착한 상태를 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법에서의 볼록부 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 주요부 사시도.
도 4는 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치에 장비되는 레이저 광선 조사 수단의 블록 구성도.
도 5는 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법에서의 볼록부 형성 공정의 설명도.
도 6은 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치에 장비되는 레이저 광선 조사 수단을 구성하는 집광기의 다른 실시형태를 나타내는 블록 구성도.
도 7은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법에서의 분할 공정으로서의 절삭 공정을 실시하기 위한 절삭 장치의 주요부 사시도.
도 8은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법에서의 분할 공정으로서의 절삭 공정의 설명도.
도 9는 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법에서의 분할 공정으로서의 레이저 가공홈 형성 공정의 설명도. 1 is a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor wafer as a wafer processed by a wafer processing method according to the present invention;
Fig. 2 is a perspective view showing a state in which the semiconductor wafer shown in Fig. 1 is adhered to the surface of a dicing tape mounted on an annular frame;
Fig. 3 is a perspective view of an essential part of a laser processing apparatus for performing a convex portion forming step in the wafer processing method according to the present invention.
Fig. 4 is a block configuration diagram of a laser beam irradiating means equipped in the laser processing apparatus shown in Fig. 3;
5 is an explanatory view of a convex portion forming step in the wafer processing method according to the present invention;
Fig. 6 is a block diagram showing another embodiment of a condenser constituting a laser beam irradiation means equipped in the laser processing apparatus shown in Fig. 3;
Fig. 7 is a perspective view of an essential part of a cutting device for performing a cutting step as a dividing step in the wafer processing method according to the present invention.
Fig. 8 is an explanatory view of a cutting process as a division process in the wafer processing method according to the present invention;
9 is an explanatory view of a laser processing groove forming step as a division step in the wafer processing method according to the present invention.

이하, 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법의 바람직한 실시형태에 관해, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the processing method of the wafer by this invention is described in detail with reference to attached drawing.

도 1의 (a) 및 (b)에는, 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도가 도시되어 있다. 도 1의 (a) 및 (b)에 나타내는 반도체 웨이퍼(2)는, 두께가 예컨대 100 ㎛인 실리콘 등의 기판(20)의 표면(20a)에 절연막과 회로를 형성하는 기능막이 적층된 기능층(21)이 형성되어 있고, 이 기능층(21)에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(211)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(212)가 형성되어 있다. 또, 도시한 실시형태에 있어서는, 기능층(21)을 형성하는 절연막은, SiO2막 또는 SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막으로 이루어진 저유전률 절연체 피막(Low-k막)으로 이루어져 있고, 두께가 10 ㎛로 설정되어 있다. 또한, 분할 예정 라인(211)의 폭은, 도시한 실시형태에 있어서는 50 ㎛로 설정되어 있다. 1A and 1B, a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main part of a semiconductor wafer as a wafer are shown. The semiconductor wafer 2 shown in FIGS. 21 is formed, and devices 212 such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of divisional lines 211 formed in a lattice form in the functional layer 21 . In addition, in the illustrated embodiment, the insulating film forming the functional layer 21 is a SiO 2 film, an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB), or an organic film that is a polymer film such as polyimide or parylene. It is made of a low-k insulator film (Low-k film) made of a film of In addition, the width|variety of the division schedule line 211 is set to 50 micrometers in the illustrated embodiment.

전술한 반도체 웨이퍼(2)를 분할 예정 라인(211)을 따라서 분할하기 위해서는, 우선, 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기판(20)의 이면에 다이싱 테이프를 접착하고 상기 다이싱 테이프의 외주부를 고리형의 프레임에 의해 지지하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 즉, 도 2에 나타낸 바와 같이, 고리형 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기판(20)의 이면(20b)을 접착한다. 따라서, 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착된 반도체 웨이퍼(2)는, 기능층(21)의 표면(21a)이 상측이 된다. In order to divide the above-mentioned semiconductor wafer 2 along the dividing line 211, first, a dicing tape is adhered to the back surface of the substrate 20 constituting the semiconductor wafer 2, and the outer periphery of the dicing tape is separated. A wafer support step supported by an annular frame is performed. That is, as shown in Fig. 2, the back surface 20b of the substrate 20 constituting the semiconductor wafer 2 on the surface of the dicing tape T with the outer periphery attached to cover the inner opening of the annular frame F. ) is attached. Therefore, as for the semiconductor wafer 2 adhered to the surface of the dicing tape T, the surface 21a of the functional layer 21 becomes an upper side.

전술한 웨이퍼 지지 공정을 실시했다면, 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 분할 예정 라인(211)을 따라서 미리 정해진 간격을 두고 레이저 광선을 조사하고, 기능층(21)을 분할 예정 라인(211)을 따라서 융기시킴으로써 2개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정을 실시한다. 이 볼록부 형성 공정은, 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치(3)를 이용하여 실시한다. 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치(3)는, 피가공물을 유지하는 척테이블(31)과, 상기 척테이블(31) 상에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)과, 척테이블(31) 상에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(33)을 구비하고 있다. 척테이블(31)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 도 3에 있어서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동됨과 함께, 도시하지 않은 인덱싱 이송 수단에 의해 도 3에 있어서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동되도록 되어 있다. If the above-described wafer support process is performed, laser beams are irradiated at predetermined intervals along the division line 211 formed on the semiconductor wafer 2 , and the functional layer 21 is raised along the division line 211 . The convex part forming process which forms two convex parts by making it perform is implemented. This convex part forming process is implemented using the laser processing apparatus 3 shown in FIG. The laser processing apparatus 3 shown in FIG. 3 includes a chuck table 31 for holding a workpiece, a laser beam irradiating means 32 for irradiating a laser beam on the workpiece held on the chuck table 31, , an imaging means (33) for imaging the workpiece held on the chuck table (31). The chuck table 31 is configured to suck and hold a workpiece, and is moved in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X in FIG. 3 by a machining feed means (not shown), and indexing (not shown) It is moved by the conveying means in the indexing conveyance direction (Y-axis direction) indicated by the arrow Y in FIG.

상기 레이저 광선 조사 수단(32)은, 실질적으로 수평으로 연장되는 원통형상의 케이싱(321)을 포함하고 있다. 이 레이저 광선 조사 수단(32)에 관해, 도 4를 참조하여 설명한다. The laser beam irradiation means 32 includes a cylindrical casing 321 extending substantially horizontally. This laser beam irradiation means 32 is demonstrated with reference to FIG.

도시한 레이저 광선 조사 수단(32)은, 상기 케이싱(321) 내에 설치된 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)과, 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)에 의해 발진된 펄스 레이저 광선(LB)의 출력을 조정하는 출력 조정 수단(323)과, 상기 출력 조정 수단(323)에 의해 출력이 조정된 펄스 레이저 광선을 상기 척테이블(31)의 유지면에 유지된 피가공물(W)에 조사하는 집광기(324)를 구비하고 있다. The illustrated laser beam irradiating means 32 outputs the pulsed laser beam oscillation means 322 provided in the casing 321 and the pulsed laser beam LB oscillated by the pulsed laser beam oscillation means 322 . an output adjusting means 323 for adjusting, and a condenser 324 for irradiating the pulsed laser beam whose output has been adjusted by the output adjusting means 323 to the workpiece W held on the holding surface of the chuck table 31 . ) is provided.

상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)은, 펄스 레이저 광선을 발진하는 펄스 레이저 광선 발진기(322a)와, 펄스 레이저 광선 발진기(322a)가 발진하는 펄스 레이저 광선의 반복 주파수를 설정하는 반복 주파수 설정 수단(322b)으로 구성되어 있다. 또, 펄스 레이저 광선 발진기(322a)는, 도시한 실시형태에 있어서는 파장이 355 nm인 펄스 레이저 광선(LB)을 발진한다. The pulsed laser beam oscillation means 322 includes a pulsed laser beam oscillator 322a for oscillating a pulsed laser beam, and a repetition frequency setting means for setting a repetition frequency of the pulsed laser beam oscillated by the pulsed laser beam oscillator 322a ( 322b). Moreover, the pulsed laser beam oscillator 322a oscillates the pulsed laser beam LB whose wavelength is 355 nm in the illustrated embodiment.

상기 출력 조정 수단(323)은, 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)으로부터 발진된 펄스 레이저 광선의 출력을 미리 정해진 출력으로 조정한다. 이들 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)의 펄스 레이저 광선 발진기(322a), 반복 주파수 설정 수단(322b) 및 출력 조정 수단(323)은, 도시하지 않은 제어 수단에 의해 제어된다. The output adjusting means 323 adjusts the output of the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 322 to a predetermined output. The pulse laser beam oscillator 322a, the repetition frequency setting means 322b, and the output adjustment means 323 of these pulsed laser beam oscillation means 322 are controlled by the control means (not shown).

상기 집광기(324)는, 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)으로부터 발진되고 출력 조정 수단(323)에 의해 출력이 조정된 펄스 레이저 광선을 척테이블(31)의 유지면을 향해서 방향 변환하는 방향 변환 미러(324a)와, 상기 방향 변환 미러(324a)에 의해 방향 변환된 펄스 레이저 광선을 집광하여 척테이블(31)에 유지된 피가공물(W)에 조사하는 집광 렌즈(324b)를 구비하고 있다. 이와 같이 구성된 집광기(324)는, 도 3에 나타낸 바와 같이 케이싱(321)의 선단에 장착된다. The light condenser 324 is a direction changing mirror that converts the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means 322 and whose output is adjusted by the output adjusting means 323 toward the holding surface of the chuck table 31 . and a condensing lens 324b for condensing the pulsed laser beam whose direction has been changed by the direction changing mirror 324a and irradiating it onto the workpiece W held by the chuck table 31 . The light collector 324 configured in this way is attached to the tip of the casing 321 as shown in FIG. 3 .

도 3으로 되돌아가 설명을 계속하면, 상기 촬상 수단(33)은 레이저 광선 조사 수단(32)을 구성하는 케이싱(321)의 선단부에 장착되어 있다. 이 촬상 수단(33)은, 현미경 등의 광학계와 촬상 소자(CCD) 등으로 구성되어 있고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단에 보낸다. Returning to FIG. 3 and continuing the description, the imaging means 33 is attached to the tip of the casing 321 constituting the laser beam irradiating means 32 . This imaging means 33 is comprised by optical systems, such as a microscope, and an imaging element (CCD) etc., and sends the imaged image signal to the control means (not shown).

전술한 레이저 가공 장치(3)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 분할 예정 라인(211)을 따라서 미리 정해진 간격을 두고 레이저 광선을 조사하고, 기능층(21)을 분할 예정 라인(211)을 따라서 융기시킴으로써 2개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정에 관해, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. Using the above-described laser processing apparatus 3, laser beams are irradiated at predetermined intervals along the division scheduled line 211 formed on the semiconductor wafer 2, and the functional layer 21 is divided into the division scheduled line 211. A convex portion forming step of forming two convex portions by protruding along the ridges will be described with reference to Figs. 3 and 4 .

우선, 전술한 웨이퍼 지지 공정이 실시되고 반도체 웨이퍼(2)의 다이싱 테이프(T)측을 척테이블(31) 상에 얹어 놓는다. 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써, 다이싱 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(2)를 척테이블(31) 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척테이블(31)에 유지된 반도체 웨이퍼(2)는, 기능층(21)의 표면(21a)이 상측이 된다. 또, 도 3에 있어서는 다이싱 테이프(T)가 장착된 고리형의 프레임(F)을 생략하여 나타내고 있지만, 고리형의 프레임(F)은 척테이블(31)에 설치된 적절한 프레임 유지 수단에 유지된다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척테이블(31)은, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 촬상 수단(33)의 바로 아래에 위치 부여된다. First, the above-described wafer support step is performed, and the dicing tape T side of the semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 31 . By operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 31 via the dicing tape T (wafer holding step). Accordingly, in the semiconductor wafer 2 held by the chuck table 31 , the surface 21a of the functional layer 21 is on the upper side. In addition, although the annular frame F to which the dicing tape T is attached is abbreviate|omitted and shown in FIG. 3, the annular frame F is held by the suitable frame holding means provided in the chuck table 31. . In this way, the chuck table 31 holding the semiconductor wafer 2 by suction is positioned directly below the imaging means 33 by a processing transfer means (not shown).

척테이블(31)이 촬상 수단(33)의 바로 아래에 위치 부여되면, 촬상 수단(33) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 얼라이먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(33) 및 도시하지 않은 제어 수단은, 반도체 웨이퍼(2)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(211)과, 상기 분할 예정 라인(211)을 따라서 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(324)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 광선 조사 위치의 얼라이먼트를 수행한다(얼라이먼트 공정). 또한, 반도체 웨이퍼(2)에 상기 미리 정해진 방향과 직교하는 방향으로 형성된 분할 예정 라인(211)에 대해서도, 마찬가지로 레이저 광선 조사 위치의 얼라이먼트가 수행된다. When the chuck table 31 is positioned immediately below the imaging means 33, an alignment operation of detecting a processing area to be laser processed of the semiconductor wafer 2 is performed by the imaging means 33 and a control means (not shown). run That is, the imaging means 33 and the control means (not shown) irradiate a laser beam along the predetermined division line 211 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2 and the division scheduled line 211 . Image processing such as pattern matching for aligning the condenser 324 of the laser beam irradiating means 32 is performed to align the laser beam irradiating positions (alignment step). In addition, alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed also about the division|segmentation line 211 formed in the direction orthogonal to the said predetermined direction on the semiconductor wafer 2 similarly.

전술한 얼라이먼트 공정을 실시했다면, 도 3에 나타낸 바와 같이 척테이블(31)을 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(324)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 미리 정해진 분할 예정 라인(211)의 일단(도 5의 (a)에 있어서 좌단)이 집광기(324)의 바로 아래에 위치하도록 위치 부여한다. 이 때, 분할 예정 라인(211)의 폭방향 중앙으로부터 일방측으로 예컨대 20 ㎛의 위치가 집광기(324)의 바로 아래에 위치하도록 위치 부여한다. 그리고, 집광기(324)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선(LB)의 집광점(P)을 분할 예정 라인(211)에서의 기능층(21)의 표면(상면) 부근에 위치 부여한다. 다음으로, 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(324)로부터 기능층(21)만을 팽창시키는 출력으로 설정된 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척테이블(31)을 도 5의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이 분할 예정 라인(211)의 타단(도 5의 (b)에 있어서 우단)이 집광기(324)의 바로 아래 위치에 도달하면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지함과 함께 척테이블(31)의 이동을 정지한다. If the above-described alignment process is performed, as shown in FIG. 3, the chuck table 31 is moved to the laser beam irradiation area where the condenser 324 of the laser beam irradiating means 32 for irradiating the laser beam is located, as shown in FIG. As shown in (a) of (a), one end (the left end in Fig. 5(a)) of the predetermined division line 211 formed on the semiconductor wafer 2 is positioned so that it is located directly below the light collector 324. . At this time, a position of, for example, 20 µm from the center of the dividing line 211 in the width direction to one side is positioned immediately below the light collector 324 . Then, the converging point P of the pulsed laser beam LB irradiated from the condenser 324 is positioned in the vicinity of the surface (upper surface) of the functional layer 21 in the division scheduled line 211 . Next, the chuck table 31 is moved by arrow X1 in FIG. It is moved at a predetermined machining feed rate in the indicated direction. Then, as shown in FIG. 5B, when the other end (the right end in FIG. 5B) of the dividing line 211 reaches a position immediately below the condenser 324, the pulse laser beam is irradiated. While stopping, the movement of the chuck table 31 is stopped.

다음으로, 척테이블(31)을 지면에 수직인 방향(인덱싱 이송 방향)으로 예컨대 40 ㎛ 이동시킨다. 그 결과, 분할 예정 라인(211)의 폭방향 중앙으로부터 타방측으로 20 ㎛의 위치가 집광기(324)의 바로 아래에 위치 부여되게 된다. 그리고, 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(324)로부터 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척테이블(31)을 화살표 X2로 나타내는 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시켜, 도 5의 (a)에 나타내는 위치에 도달하면 펄스 레이저 광선의 조사를 정지함과 함께 척테이블(31)의 이동을 정지한다. Next, the chuck table 31 is moved, for example, by 40 mu m in a direction perpendicular to the ground (indexing feed direction). As a result, a position of 20 mu m from the center of the division scheduled line 211 in the width direction to the other side is positioned just below the light collector 324 . Then, as shown in Fig. 5(c), while irradiating a pulse laser beam from the condenser 324 of the laser beam irradiation means 32, the chuck table 31 is moved in the direction indicated by the arrow X2 at a predetermined processing feed rate. When the position shown in Fig. 5(a) is reached, irradiation of the pulsed laser beam is stopped and the movement of the chuck table 31 is stopped.

전술한 볼록부 형성 공정을 실시함으로써, 반도체 웨이퍼(2)의 기능층(21)에는 도 5의 (d)에 나타낸 바와 같이 분할 예정 라인(211)을 따라서 융기된 2개의 볼록부(24, 24)가 형성된다. 그리고, 전술한 볼록부 형성 공정을 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 모든 분할 예정 라인(211)을 따라서 실시한다. By performing the above-described convex portion forming step, the functional layer 21 of the semiconductor wafer 2 has two convex portions 24 and 24 protruding along the division scheduled line 211 as shown in FIG. 5D . ) is formed. Then, the above-described convex portion forming step is performed along all the divisional lines 211 formed on the semiconductor wafer 2 .

또, 상기 볼록부 형성 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 행해진다. In addition, the said convex part formation process is performed under the following processing conditions, for example.

레이저 광선의 파장 : 355 nm Wavelength of laser beam: 355 nm

반복 주파수 : 80 MHz Repetition frequency: 80 MHz

평균 출력 : 0.5 W Average power: 0.5 W

집광 스폿 직경 : φ10 ㎛ Condensing spot diameter: φ10 μm

가공 이송 속도 : 450 mm/초Machining feed rate: 450 mm/sec

다음으로, 상기 볼록부 형성 공정을 실시하는 레이저 가공 장치(3)의 레이저 광선 조사 수단(32)을 구성하는 집광기(324)의 다른 실시형태에 관해, 도 6을 참조하여 설명한다. Next, another embodiment of the condenser 324 which comprises the laser beam irradiation means 32 of the laser processing apparatus 3 which implements the said convex part formation process is demonstrated with reference to FIG.

도 6에 나타내는 집광기(324)는, 방향 변환 미러(324a)와 집광 렌즈(324b) 사이에 방향 변환 미러(324a)에 의해 방향 변환된 펄스 레이저 광선을 Y축 방향으로 분기하는 월라스톤 프리즘(Wollaston Prism) 등의 분기 수단(324c)이 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 집광기(324)는, 분기 수단(324c)에 의해 분기한 펄스 레이저 광선 LB1과 LB2를 Y축 방향으로 미리 정해진 간격을 두고 조사한다. 따라서, 도 6에 나타내는 집광기(324)를 이용함으로써, 분할 예정 라인을 따라서 융기된 2개의 볼록부를 동시에 형성할 수 있다. 또, 도 6에 나타내는 집광기(324)를 이용하면, 분기 수단(324c)에 의해 분기된 펄스 레이저 광선 LB1과 LB2의 출력은 상기 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)으로부터 발진되는 펄스 레이저 광선(LB)의 출력의 1/2이 되기 때문에, 상기 볼록부 형성 공정에 있어서 펄스 레이저 광선 발진 수단(322)으로부터 발진되는 펄스 레이저 광선(LB)의 평균 출력을 1.0 W로 설정한다. The condenser 324 shown in FIG. 6 is a Wollaston prism that branches the pulse laser beam, which is directionally changed by the direction conversion mirror 324a between the direction conversion mirror 324a and the condensing lens 324b, in the Y-axis direction. Branch means 324c such as prisms are provided. The condenser 324 configured in this way irradiates the pulsed laser beams LB1 and LB2 branched by the branching means 324c at a predetermined interval in the Y-axis direction. Therefore, by using the light condenser 324 shown in FIG. 6, the two convex parts protruding along the division|segmentation schedule line can be formed simultaneously. In addition, when the condenser 324 shown in Fig. 6 is used, the outputs of the pulsed laser beams LB1 and LB2 branched by the branching means 324c are pulsed laser beams LB oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 322. Since it becomes 1/2 of the output of , the average power of the pulsed laser beam LB oscillated from the pulsed laser beam oscillation means 322 in the convex portion forming step is set to 1.0 W.

전술한 볼록부 형성 공정을 실시했다면, 반도체 웨이퍼(2)를 2개의 볼록부(24, 24) 사이에 끼워진 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 실시한다. 이 분할 공정의 제1 실시형태는, 도시한 실시형태에 있어서는 도 7에 나타내는 절삭 장치(4)를 이용하여 실시한다. 도 7에 나타내는 절삭 장치(4)는, 피가공물을 유지하는 척테이블(41)과, 상기 척테이블(41)에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 수단(42)과, 상기 척테이블(41)에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(43)을 구비하고 있다. 척테이블(41)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 도 7에 있어서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동됨과 함께, 도시하지 않은 인덱싱 이송 수단에 의해 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동되도록 되어 있다. If the above-described convex portion forming step has been performed, a dividing step of dividing the semiconductor wafer 2 along the region sandwiched between the two convex portions 24 and 24 is performed. 1st Embodiment of this division|segmentation process is implemented using the cutting device 4 shown in FIG. 7 in the illustrated embodiment. The cutting device 4 shown in FIG. 7 includes a chuck table 41 for holding a workpiece, a cutting means 42 for cutting the workpiece held by the chuck table 41 , and the chuck table 41 . and imaging means 43 for imaging the workpiece held by the . The chuck table 41 is configured to suck and hold a workpiece, and is moved in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X in FIG. 7 by a machining feed means (not shown), and indexing (not shown) It is made to move in the indexing conveyance direction (Y-axis direction) indicated by arrow Y by a conveying means.

상기 절삭 수단(42)은, 실질적으로 수평으로 배치된 스핀들 하우징(421)과, 상기 스핀들 하우징(421)에 회전 가능하게 지지된 회전 스핀들(422)과, 상기 회전 스핀들(422)의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(423)를 포함하고 있고, 회전 스핀들(422)이 스핀들 하우징(421) 내에 설치된 도시하지 않은 서보 모터에 의해 화살표 423a로 나타내는 방향으로 회전되도록 되어 있다. 절삭 블레이드(423)는, 알루미늄 등의 금속재에 의해 형성된 원반형상의 베이스(424)와, 상기 베이스(424)의 측면 외주부에 장착된 고리형의 절삭날(425)을 포함하고 있다. 고리형의 절삭날(425)은, 베이스(424)의 측면 외주부에 입경이 3∼4 ㎛인 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 굳힌 전기 주조 블레이드로 이루어져 있고, 도시한 실시형태에 있어서는 두께가 30 ㎛이고 외경이 50 mm로 형성되어 있다. The cutting means 42 includes a spindle housing 421 disposed substantially horizontally, a rotating spindle 422 rotatably supported by the spindle housing 421 , and mounted on a distal end of the rotating spindle 422 . It includes a cutting blade 423 that has been cut, and the rotating spindle 422 is rotated in the direction indicated by the arrow 423a by a servo motor (not shown) installed in the spindle housing 421 . The cutting blade 423 includes a disk-shaped base 424 formed of a metal material such as aluminum, and an annular cutting edge 425 attached to the outer periphery of the side surface of the base 424 . The annular cutting edge 425 is composed of an electroforming blade in which diamond abrasive grains having a particle diameter of 3 to 4 μm are hardened by nickel plating on the outer peripheral portion of the side surface of the base 424, and in the illustrated embodiment, the thickness is 30 μm. It has an outer diameter of 50 mm.

상기 촬상 수단(43)은, 스핀들 하우징(421)의 선단부에 장착되어 있고, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 상기 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 이미지를 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단에 보낸다. The imaging means 43 is mounted on the tip of the spindle housing 421, and includes an illuminating means for illuminating the workpiece, an optical system for capturing an area illuminated by the illuminating means, and an image captured by the optical system. An image pickup device (CCD) or the like for capturing an image of

전술한 절삭 장치(4)를 이용하여 분할 공정을 실시하기 위해서는, 도 7에 나타낸 바와 같이 척테이블(41) 상에 상기 볼록부 형성 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)가 접착된 다이싱 테이프(T)측을 얹어 놓는다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으로써, 다이싱 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(2)를 척테이블(41) 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척테이블(41)에 유지된 반도체 웨이퍼(2)는, 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)가 상측이 된다. 또, 도 7에 있어서는 다이싱 테이프(T)가 장착된 고리형의 프레임(F)을 생략하여 나타내고 있지만, 고리형의 프레임(F)은 척테이블(41)에 설치된 적절한 프레임 유지 수단에 유지된다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척테이블(41)은, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 촬상 수단(43)의 바로 아래에 위치 부여된다. In order to perform the division process using the above-described cutting device 4, as shown in FIG. 7, a dicing tape ( T) side up. Then, the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 41 via the dicing tape T by operating a suction means (not shown) (wafer holding step). Accordingly, in the semiconductor wafer 2 held by the chuck table 41 , the two convex portions 24 , 24 formed along the division scheduled line 211 are on the upper side. In addition, although the annular frame F to which the dicing tape T is attached is abbreviate|omitted and shown in FIG. 7, the annular frame F is hold|maintained by the suitable frame holding means provided in the chuck table 41. . In this way, the chuck table 41 on which the semiconductor wafer 2 is sucked and held is positioned directly below the imaging means 43 by a processing transfer means (not shown).

척테이블(41)이 촬상 수단(43)의 바로 아래에 위치 부여되면, 촬상 수단(43) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 절삭해야 할 영역을 검출하는 얼라이먼트 공정을 실시한다. 이 얼라이먼트 공정에 있어서는, 상기 볼록부 형성 공정에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)를 촬상 수단(43)에 의해 촬상하여 실행한다. 즉, 촬상 수단(43) 및 도시하지 않은 제어 수단은, 반도체 웨이퍼(2)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)가 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행한지 아닌지의 얼라이먼트를 수행한다(얼라이먼트 공정). 만약에 반도체 웨이퍼(2)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)가 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하지 않은 경우에는, 척테이블(41)을 회동시켜 2개의 볼록부(24, 24)가 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행해지도록 조정한다. 또한, 반도체 웨이퍼(2)에 상기 미리 정해진 방향과 직교하는 방향으로 형성된 2개의 볼록부(24, 24)에 대해서도, 마찬가지로 절삭 블레이드(423)에 의해 절삭하는 절삭 영역의 얼라이먼트가 수행된다. When the chuck table 41 is positioned just below the imaging means 43, an alignment process of detecting the area to be cut of the semiconductor wafer 2 is performed by the imaging means 43 and a control means (not shown). . In this alignment process, the imaging means 43 images and performs the two convex parts 24 and 24 formed along the division|segmentation line 211 of the semiconductor wafer 2 by the said convex part formation process. That is, in the imaging means 43 and the control means (not shown), the two convex portions 24 and 24 formed along the planned division line 211 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2 are formed in the processing transfer direction. Alignment is performed whether or not parallel to (X-axis direction) is performed (alignment process). If the two convex portions 24 and 24 formed along the division scheduled line 211 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2 are not parallel to the processing transfer direction (X-axis direction), the chuck By rotating the table 41, it adjusts so that the two convex parts 24 and 24 may become parallel to the machining feed direction (X-axis direction). Also, the two convex portions 24 and 24 formed in the semiconductor wafer 2 in a direction orthogonal to the predetermined direction are also aligned with the cutting regions to be cut by the cutting blade 423 .

이상과 같이 하여 척테이블(41) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)의 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)를 검출하고, 절삭 영역의 얼라이먼트가 행해졌다면, 반도체 웨이퍼(2)를 유지한 척테이블(41)을 절삭 영역의 절삭 개시 위치로 이동시킨다. 이 때, 도 8의 (a)에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)는 절삭해야 할 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부의 일단(도 8의 (a)에 있어서 좌단)이 절삭 블레이드(423)의 바로 아래보다 미리 정해진 양만큼 우측에 위치하도록 위치 부여된다. If the two convex portions 24 and 24 formed along the division scheduled line 211 of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 41 as described above are detected, and alignment of the cutting region is performed, The chuck table 41 holding the semiconductor wafer 2 is moved to the cutting start position in the cutting area. At this time, as shown in FIG. 8(a), the semiconductor wafer 2 has one end (in FIG. 8(a) ) in the left end) is positioned so as to be located to the right by a predetermined amount rather than just below the cutting blade 423 .

이와 같이 하여 절삭 장치(4)의 척테이블(41) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(2)가 절삭 가공 영역의 절삭 개시 위치에 위치 부여되었다면, 절삭 블레이드(423)를 도 8의 (a)에 있어서 이점쇄선으로 나타내는 대기 위치로부터 화살표 Z1로 나타낸 바와 같이 아래쪽으로 절입 이송하여, 도 8의 (a)에 있어서 실선으로 나타낸 바와 같이 미리 정해진 절입 이송 위치에 위치 부여한다. 이 절입 이송 위치는, 도 8의 (a) 및 도 8의 (c)에 나타낸 바와 같이 절삭 블레이드(423)의 하단이 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 접착된 다이싱 테이프(T)에 도달하는 위치로 설정되어 있다. In this way, if the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 41 of the cutting device 4 is positioned at the cutting start position in the cutting area, the cutting blade 423 is shown in Fig. 8(a). As shown by arrow Z1 from the stand-by position shown by the double-dotted line, it cut-feeds downward, and as shown by the solid line in Fig.8 (a), it positions at the predetermined cut-in feed position. This cutting feed position is, as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (c), the lower end of the cutting blade 423 reaches the dicing tape T adhered to the back surface of the semiconductor wafer 2 position is set.

다음으로, 절삭 블레이드(423)를 도 8의 (a)에 있어서 화살표 423a로 나타내는 방향으로 미리 정해진 회전 속도로 회전시키고, 척테이블(41)을 도 8의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 미리 정해진 절삭 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 척테이블(8)이 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부의 타단(도 8의 (b)에 있어서 우단)이 절삭 블레이드(423)의 바로 아래보다 미리 정해진 양만큼 좌측에 위치할 때까지 도달했다면, 척테이블(41)의 이동을 정지한다. 이와 같이 척테이블(41)을 절삭 이송함으로써, 도 8의 (d)에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)의 기판(20)은 분할 예정 라인(211)에 형성된 2개의 볼록부(24, 24)에 끼워진 영역의 이면에 도달하는 절삭홈(25)이 형성되어 절단된다(절삭 공정). Next, the cutting blade 423 is rotated at a predetermined rotation speed in the direction indicated by the arrow 423a in Fig. 8A, and the chuck table 41 is rotated in the direction indicated by the arrow X1 in Fig. 8A. moves at a predetermined cutting feed rate. And, as shown in FIG. 8(b) of the chuck table 8, the other end (the right end in FIG. 8(b)) of the middle part of the two convex parts 24 and 24 is immediately of the cutting blade 423. When it reaches the position to the left by a predetermined amount from below, the movement of the chuck table 41 is stopped. By cutting and feeding the chuck table 41 in this way, as shown in FIG. 8(d) , the substrate 20 of the semiconductor wafer 2 is formed by two convex portions 24 and 24 formed in the division scheduled line 211 . A cutting groove 25 reaching the back surface of the region sandwiched in the slit is formed and cut (cutting process).

다음으로, 절삭 블레이드(423)를 도 8의 (b)에 있어서 화살표 Z2로 나타낸 바와 같이 상승시켜 이점쇄선으로 나타내는 대기 위치에 위치 부여하고, 척테이블(41)을 도 8의 (b)에 있어서 화살표 X2로 나타내는 방향으로 이동시켜, 도 8의 (a)에 나타내는 위치로 복귀시킨다. 그리고, 척테이블(41)을 지면에 수직인 방향(인덱싱 이송 방향)으로 분할 예정 라인(211)의 간격에 해당하는 양만큼 인덱싱 이송하고, 다음에 절삭해야 할 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부를 절삭 블레이드(423)와 대응하는 위치에 위치 부여한다. 이와 같이 하여, 다음 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부를 절삭 블레이드(423)와 대응하는 위치에 위치 부여했다면, 전술한 절삭 공정을 실시한다. Next, the cutting blade 423 is raised as shown by arrow Z2 in FIG. It is moved in the direction shown by arrow X2, and it is made to return to the position shown to Fig.8 (a). Then, the chuck table 41 is indexed and fed by an amount corresponding to the interval of the dividing line 211 in a direction perpendicular to the ground (indexing feed direction), and formed along the dividing line 211 to be cut next. The intermediate portions of the two convex portions 24 and 24 are positioned at positions corresponding to the cutting blade 423 . In this way, if the intermediate portions of the two convex portions 24 and 24 formed along the next scheduled division line 211 are positioned at positions corresponding to the cutting blades 423, the above-described cutting process is performed.

또, 상기 절삭 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 행해진다. In addition, the said cutting process is performed under the following processing conditions, for example.

절삭 블레이드 : 외경 50 mm, 두께 30 ㎛ Cutting blade: outer diameter 50 mm, thickness 30 ㎛

절삭 블레이드의 회전 속도 : 20000 rpm Rotational speed of cutting blade: 20000 rpm

절삭 이송 속도 : 50 mm/초Cutting feed rate: 50 mm/sec

전술한 절삭 공정을 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 모든 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부에 실시한다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(2)의 기판(20)은 2개의 볼록부(24, 24)가 형성된 분할 예정 라인(211)을 따라서 절단되어, 개개의 디바이스(212)로 분할된다(분할 공정). 이와 같이 분할 공정을 실시할 때에는, 상기 볼록부 형성 공정을 실시함으로써 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기능층(21)에는 분할 예정 라인(211)을 따라서 2개의 볼록부(24, 24)가 형성되어 있기 때문에, 2개의 볼록부(24, 24)에 의해 절삭 블레이드(423)에 의한 파괴력이 디바이스(212)측에 이르지 않도록 억제되어, 디바이스를 구성하는 적층된 기능층(21)은 박리되지 않고, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는다. The above-described cutting process is performed in the middle of the two convex portions 24 and 24 formed along all the divisional lines 211 formed on the semiconductor wafer 2 . As a result, the substrate 20 of the semiconductor wafer 2 is cut along the division scheduled line 211 in which the two convex portions 24 and 24 are formed, and divided into individual devices 212 (dividing step). When performing the division process in this way, two projections 24 and 24 are formed along the division scheduled line 211 in the functional layer 21 constituting the semiconductor wafer 2 by performing the above projection forming step. Therefore, the two convex portions 24 and 24 suppress the destructive force of the cutting blade 423 so as not to reach the device 212 side, and the laminated functional layer 21 constituting the device does not peel off. , does not degrade the quality of the device.

여기서, 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기능층(21)에 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성되는 2개의 볼록부(24, 24)에서의 절삭 블레이드(423)에 의한 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과에 관한 실험예에 관해 설명한다. Here, in the functional layer 21 constituting the semiconductor wafer 2 , the functional layer formed by cutting with the cutting blade 423 in the two convex portions 24 and 24 formed along the division scheduled line 211 . Experimental examples regarding the effect of suppressing peeling in (21) will be described.

실험예Experimental example

[실험예 : 1][Experimental Example: 1]

상기 볼록부 형성 공정의 가공 조건에서의 레이저 광선의 파장, 반복 주파수, 집광 스폿 직경, 가공 이송 속도를 상기와 같이 고정하고, 평균 출력을 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0 W로 변화시켜 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성되는 2개의 볼록부(24, 24)를 형성했다. The wavelength, repetition frequency, converging spot diameter, and processing feed rate of the laser beam under the processing conditions of the convex portion forming step are fixed as described above, and the average output is 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8 , 0.9, and 1.0 W to form two convex portions 24 and 24 formed along the dividing line 211 .

평균 출력 0.1 W, 0.2 W에 있어서는, 기능층의 융기는 보이지 않고, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과는 없었다. At the average powers of 0.1 W and 0.2 W, the functional layer was not raised, and there was no effect of suppressing peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the dividing line 211 with the cutting blade.

평균 출력 0.3 W에 있어서, 2 ㎛ 정도의 기능층의 융기가 보이고, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과가 있었다. At an average output of 0.3 W, elevation of the functional layer of about 2 μm was observed, and there was an effect of suppressing peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the planned division line 211 with the cutting blade.

평균 출력 0.4 W∼0.7 W에 있어서, 3∼5 ㎛의 기능층의 융기가 보이고, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과가 있었다. At an average output of 0.4 W to 0.7 W, elevation of the functional layer of 3 to 5 μm is seen, and the effect of suppressing peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the planned division line 211 by the cutting blade is obtained. there was.

평균 출력 0.8 W에 있어서, 기능층의 융기가 파괴되고, 펄스 레이저 광선이 기판의 상면에 조사되어 약간의 크랙이 발생했다. 그러나, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과는 보이고, 디바이스의 항절 강도의 저하는 없었다. At an average output of 0.8 W, the elevation of the functional layer was destroyed, and a pulsed laser beam was irradiated to the upper surface of the substrate, resulting in slight cracks. However, the effect of suppressing peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the planned division line 211 by the cutting blade was observed, and there was no decrease in the flexural strength of the device.

평균 출력이 0.9 W를 초과하면, 기능층의 융기가 파괴되고, 펄스 레이저 광선이 기판의 상면에 조사되어 보이드 및 크랙이 발생했다. 그러나, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과는 보였지만 디바이스의 항절 강도는 저하되었다. When the average power exceeded 0.9 W, the elevation of the functional layer was destroyed, and a pulsed laser beam was irradiated to the upper surface of the substrate to generate voids and cracks. However, although the effect of suppressing peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the planned division line 211 by the cutting blade was observed, the flexural strength of the device was lowered.

따라서, 펄스 레이저 광선의 1펄스당 에너지는, 0.3 W/80 MHz∼0.8 W/80 MHz, 즉, 4(3.75)∼10 nJ로 설정하는 것이 바람직하다. Accordingly, the energy per pulse of the pulsed laser beam is preferably set to 0.3 W/80 MHz to 0.8 W/80 MHz, that is, 4 (3.75) to 10 nJ.

[실험예 : 2][Experimental Example: 2]

상기 볼록부 형성 공정의 가공 조건에서의 레이저 광선의 파장, 반복 주파수, 집광 스폿 직경을 상기와 같이 고정하고, 가공 이송 속도를 260, 280, 300, 320, 340, 360, 380, 400, 420, 440, 460, 480, 500, 520, 540, 560, 580, 600, 620, 640, 660, 680, 700 mm/초로 변화시켜 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성되는 2개의 볼록부(24, 24)를 형성했다. The wavelength, repetition frequency, and converging spot diameter of the laser beam under the processing conditions of the convex portion forming process are fixed as described above, and the processing feed rate is set to 260, 280, 300, 320, 340, 360, 380, 400, 420, 440, 460, 480, 500, 520, 540, 560, 580, 600, 620, 640, 660, 680, and 700 mm/sec. The two convex portions 24 and 24 formed along the dividing line 211 by ) was formed.

가공 이송 속도 260∼300 mm/초에 있어서는, 2개의 볼록부(24, 24)가 부분적으로 파괴되고, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 있어서 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과는 있었지만, 부분적으로 기판에 크랙이 생성되어 디바이스의 항절 강도가 저하되었다. At a machining feed rate of 260 to 300 mm/sec, the two convex portions 24 and 24 are partially broken, and peeling of the functional layer 21 is prevented in cutting along the dividing line 211 with the cutting blade. Although there was an effect of suppressing it, cracks were partially generated in the substrate, and the flexural strength of the device was lowered.

가공 이송 속도 320∼640 mm/초에 있어서는, 양호한 2개의 볼록부(24, 24)가 형성되고, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과가 있었다. At a machining feed rate of 320 to 640 mm/sec, good two convex portions 24 and 24 are formed, and peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the planned division line 211 with a cutting blade is prevented. had a deterrent effect.

가공 이송 속도가 640 mm/초를 초과하면, 2개의 볼록부(24, 24)가 부분적으로 도중에 끊겨, 절삭 블레이드에 의한 분할 예정 라인(211)을 따른 절삭에 의해 생기는 기능층(21)의 박리를 억제하는 효과가 부분적으로 없었다. When the machining feed rate exceeds 640 mm/sec, the two convex portions 24, 24 are partially cut off on the way, and peeling of the functional layer 21 caused by cutting along the line 211 to be divided by the cutting blade was partially ineffective.

상기 실험 결과에서, 집광 스폿 직경이 φ10 ㎛인 레이저 광선을 조사하는 경우, 가공 이송 속도는 320∼640 mm/초로 설정하는 것이 바람직하고, 이 때, 레이저 광선의 스폿과 스폿의 간격은 4∼8 nm이다. 따라서, 상기 볼록부 형성 공정에서의 레이저 광선의 스폿과 스폿의 간격은 4∼8 nm로 설정하는 것이 바람직하다. From the above experimental results, when irradiating a laser beam having a converging spot diameter of φ10 μm, it is preferable to set the processing feed rate to 320 to 640 mm/sec. is nm. Therefore, it is preferable to set the distance between the spot and the spot of the laser beam in the convex portion forming step to be 4 to 8 nm.

다음으로, 반도체 웨이퍼(2)를 2개의 볼록부(24, 24) 사이에 끼워진 영역을 따라서 분할하는 분할 공정의 제2 실시형태에 관해, 도 9를 참조하여 설명한다. 이 분할 공정의 제2 실시형태는, 상기 도 3 및 도 4에 나타내는 레이저 가공 장치(3)를 이용하여 실시한다. Next, with reference to FIG. 9, the 2nd Embodiment of the division|segmentation process which divides the semiconductor wafer 2 along the area|region sandwiched between the two convex parts 24 and 24 is demonstrated. 2nd Embodiment of this division|segmentation process is implemented using the laser processing apparatus 3 shown in said FIG.3 and FIG.4.

레이저 가공 장치(3)를 이용하여 분할 공정을 실시하기 위해서는, 상기 볼록부 형성 공정을 실시한 상태로부터, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이 척테이블(31)을 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(324)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 미리 정해진 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부의 일단(도 9의 (a)에 있어서 좌단)이 집광기(324)의 바로 아래에 위치하도록 위치 부여한다. 다음으로, 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(324)로부터 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기판(20)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척테이블(31)을 도 9의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 9의 (b)에 나타낸 바와 같이 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부의 타단(도 9의 (b)에 있어서 우단)이 집광기(324)의 바로 아래 위치에 도달하면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지함과 함께 척테이블(61)의 이동을 정지한다. In order to perform a division|segmentation process using the laser processing apparatus 3, the chuck table 31 is irradiated with a laser beam as shown in FIG.9(a) from the state which implemented the said convex part formation process. By moving the condenser 324 of the means 32 to the laser beam irradiation area where it is located, the middle part of the two convex parts 24 and 24 formed along the predetermined division line 211 formed on the semiconductor wafer 2 is formed. It is positioned so that one end (the left end in FIG. 9A ) is located just below the light condenser 324 . Next, the chuck table 31 is moved as shown in FIG. 9 while irradiating a pulsed laser beam of a wavelength having absorptivity to the substrate 20 constituting the semiconductor wafer 2 from the condenser 324 of the laser beam irradiating means 32 . It is moved at a predetermined machining feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in (a). Then, as shown in Fig. 9(b), the other end (the right end in Fig. 9(b)) of the middle portion of the two convex portions 24 and 24 formed along the division scheduled line 211 is a light condenser 324. Upon reaching the position just below the , the movement of the chuck table 61 is stopped while the pulsed laser beam irradiation is stopped.

전술한 레이저 가공 공정을 실시함으로써, 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기판(20)은 도 9의 (c)에 나타낸 바와 같이 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부를 따라서 형성되는 레이저 가공홈(26)에 의해 절단된다(레이저 가공홈 형성 공정). By performing the above-described laser processing process, the substrate 20 constituting the semiconductor wafer 2 is formed along the division scheduled line 211 as shown in FIG. It is cut by the laser processing groove 26 formed along the middle part of (laser processing groove forming process).

또, 상기 레이저 가공홈 형성 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 행해진다. In addition, the said laser processing groove|channel formation process is performed, for example under the following processing conditions.

레이저 광선의 파장 : 355 nm Wavelength of laser beam: 355 nm

반복 주파수 : 50 MHz Repetition frequency: 50 MHz

평균 출력 : 3 W Average power: 3 W

집광 스폿 직경 : φ10 ㎛ Condensing spot diameter: φ10 μm

가공 이송 속도 : 100 mm/초Machining feed rate: 100 mm/sec

전술한 레이저 가공홈 형성 공정을 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 모든 분할 예정 라인(211)을 따라서 형성된 2개의 볼록부(24, 24)의 중간부를 따라서 실시함으로써, 반도체 웨이퍼(2)는 분할 예정 라인(211)을 따라서 절단되어 개개의 디바이스(212)로 분할된다(분할 공정). 이와 같이 분할 공정을 실시할 때에는, 상기 볼록부 형성 공정을 실시함으로써 반도체 웨이퍼(2)를 구성하는 기능층(21)에는 분할 예정 라인(211)을 따라서 2개의 볼록부(24, 24)가 형성되어 있기 때문에, 2개의 볼록부(24, 24)에 의해 레이저 광선에 의한 파괴력이 디바이스(212)측에 이르지 않도록 억제되어, 디바이스를 구성하는 적층된 기능층(21)은 박리되지 않고, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는다. By carrying out the above-described laser processing groove forming step along the middle portion of the two convex portions 24 and 24 formed along all the division lines 211 formed on the semiconductor wafer 2, the semiconductor wafer 2 is formed along the division scheduled line. It is cut along 211 and divided into individual devices 212 (dividing process). When performing the division process in this way, two projections 24 and 24 are formed along the division scheduled line 211 in the functional layer 21 constituting the semiconductor wafer 2 by performing the above projection forming step. Therefore, the two convex portions 24 and 24 suppress the destructive force caused by the laser beam so as not to reach the device 212 side, and the laminated functional layer 21 constituting the device does not peel off, and the device Does not degrade quality.

2 : 반도체 웨이퍼
3 : 레이저 가공 장치
31 : 레이저 가공 장치의 척테이블
32 : 레이저 광선 조사 수단
324 : 집광기
33 : 촬상 수단
4 : 절삭 장치
41 : 절삭 장치의 척테이블
42 : 절삭 수단
423 : 절삭 블레이드
43 : 촬상 수단
F : 고리형의 프레임
T : 다이싱 테이프2: semiconductor wafer
3: Laser processing equipment
31: chuck table of laser processing device
32: laser beam irradiation means
324 : light collector
33: imaging means
4: cutting device
41: chuck table of the cutting device
42: cutting means
423: cutting blade
43: imaging means
F : Annular frame
T: dicing tape

Claims (6)

기판의 표면에 적층된 Low-k막에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 따라서 미리 정해진 간격을 두고 레이저 광선을 조사하고, Low-k막을 분할 예정 라인을 따라서 융기시킴으로써 2개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정과,
상기 볼록부 형성 공정이 실시된 웨이퍼를 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 포함하며
상기 볼록부 형성 공정에 있어서는, 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에서의 Low-k막의 표면 부근에 위치 부여하여, 레이저 광선의 출력을 Low-k막만을 팽창시키는 출력으로 설정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법. A method of processing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a grid shape on a low-k film laminated on the surface of a substrate,
A convex portion forming step of forming two convex portions by irradiating a laser beam with a predetermined interval along the division scheduled line formed on the wafer and raising the Low-k film along the division scheduled line;
a dividing process of dividing the wafer on which the convex part forming process has been performed along a region sandwiched between the two convex parts;
In the convex part forming step, the light-converging point of the laser beam is positioned in the vicinity of the surface of the Low-k film in the dividing line, and the output of the laser beam is set to an output that expands only the Low-k film, characterized in that Wafer processing method. 제1항에 있어서, 상기 볼록부 형성 공정에서의 레이저 광선의 출력은, 레이저 광선의 1펄스당 에너지가 4∼10 nJ로 설정되어 있는 것인 웨이퍼의 가공 방법.The wafer processing method according to claim 1, wherein the output of the laser beam in the convex portion forming step has an energy of 4 to 10 nJ per pulse of the laser beam. 제2항에 있어서, 상기 볼록부 형성 공정에서의 레이저 광선의 스폿과 스폿의 간격은, 4∼8 nm로 설정되어 있는 것인 웨이퍼의 가공 방법. The wafer processing method according to claim 2, wherein the interval between the laser beam spot and the spot in the convex portion forming step is set to 4 to 8 nm. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분할 공정은, 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역에 절삭 블레이드를 위치 부여하여 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 절단하는 것인 웨이퍼의 가공 방법. The method for processing a wafer according to any one of claims 1 to 3, wherein the dividing step cuts the wafer along a dividing line by positioning a cutting blade in a region sandwiched between two convex portions. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분할 공정은, 2개의 볼록부 사이에 끼워진 영역에 레이저 광선을 조사하여 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 절단하는 것인 웨이퍼의 가공 방법.The method for processing a wafer according to any one of claims 1 to 3, wherein the dividing step cuts the wafer along a line to be divided by irradiating a laser beam to a region sandwiched between two convex portions. 삭제delete
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