KR20190129441A - A surface-emitting laser packgae and optical module including the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a surface emitting light emitting laser package, which has excellent reliability and stability and can protect devices disposed inside from external impacts, and an optical module including the same. The surface emitting light emitting laser package according to an embodiment of the present invention can comprise: a body including a cavity; a surface emitting light emitting laser device disposed inside the cavity; a light receiving device disposed in the cavity to be spaced apart from the surface emitting light emitting laser device, and detecting light emitted from the surface emitting light emitting laser device; and a diffusion part disposed on the body and including a transmission part and a reflection part. The transmission part can be disposed on the surface emitting light emitting laser device, and the reflection part can be disposed on the light receiving device. The second width of the reflection part is narrower than the first width of the transmission part, and the reflection part cannot overlap the divergence angle of the surface emitting light emitting laser device.

Description

표면방출발광레이저 패키지 및 이를 포함하는 광 모듈{A SURFACE-EMITTING LASER PACKGAE AND OPTICAL MODULE INCLUDING THE SAME}Surface-emitting light emitting laser package and optical module including same {A SURFACE-EMITTING LASER PACKGAE AND OPTICAL MODULE INCLUDING THE SAME}

실시예는 반도체소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 발광소자, 반도체 광원소자, 반도체 광 소자, 반도체 광원 칩, 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광 모듈, 광 송수신 모듈, 자동 초점 장치, 광 어셈블리 관한 것이다. 상기 반도체 발광소자는 수직공진형 표면발광 레이저(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: VCSEL. 이하, 표면방출발광 레이저소자 또는 VCSEL)를 포함할 수 있다.The embodiment relates to a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device, a semiconductor light source device, a semiconductor optical device, a semiconductor light source chip, a light emitting device, a light emitting device package, and an optical module, an optical transmission / reception module, an autofocus device including the same, Relates to an optical assembly. The semiconductor light emitting device may include a vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL) or a surface emitting laser device or a VCSEL.

GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체소자는 밴드 갭 에너지가 넓고, 밴드 갭 에너지의 제어가 용이 한 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaAs, AlGaAs, GaN, and AlGaN are widely used in light emitting devices, light receiving devices, and various diodes because they have broad band gap energy and easy control of band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Particularly, light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductors of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductors have been developed through the development of thin film growth technology and device materials. Various colors such as blue and ultraviolet light can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or combining colors, and low power consumption, semi-permanent life, and quick response compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. It has the advantages of speed, safety and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is also manufactured using a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material of a semiconductor, the development of device materials absorbs light in various wavelength ranges to generate a photocurrent. As a result, light in various wavelengths can be used from gamma rays to radio wavelengths. It also has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of device materials, making it easy to use in power control or microwave circuits or communication modules.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, a white light emitting device which can replace a LED backlight, a fluorescent lamp or an incandescent bulb that replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means and a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, and sensors to detect gas or fire. In addition, applications can be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

한편 종래 반도체 광원소자 기술 중에, 수직공진형 표면발광 레이저(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: VCSEL)가 있는데, 이는 광 모듈, 광 송수신 모듈, 광 통신, 광병렬 처리, 광연결, 자동 초점 장치 등에 사용되고 있다.Meanwhile, among conventional semiconductor light source device technologies, there is a vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL), which is an optical module, an optical transmission / reception module, an optical communication, an optical parallel processing, an optical connection, an auto focusing device, or the like. It is used.

또한 종래기술에서 수직공진형 표면발광 레이저는 차량용이나 모바일용으로 고출력(High-power) VCSEL 패키지 구조로 활용되고 있다.Also, in the related art, the vertical resonance surface emitting laser is used as a high-power VCSEL package structure for a vehicle or a mobile device.

한편, 종래기술에서 고출력 VCSEL 패키지 구조에서는 일정한 발산각(divergence angle)을 형성하기 위해 확산부(Diffuser)를 채용하고 있는데, 차량이나 모바일에서 사용 중 충격 등에 의해 확산부가 이탈하는 경우에 VCSEL의 레이저(laser)가 직접적으로 사람의 눈에 조사될 경우, 사람이 실명할 수도 있는 위험성이 있다. 이에 따라, 차량에 적용되거나 사람의 움직임 등의 응용 분야에 적용되면서도, 사람에게 직접적인 강한 레이저가 입사되는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 패키지에 대한 연구가 필요한 실정이다.Meanwhile, in the prior art, a high output VCSEL package structure employs a diffuser to form a constant divergence angle. When the diffuser is separated by an impact during use in a vehicle or a mobile, the laser of the VCSEL ( If the laser is irradiated directly on the human eye, there is a risk that the person may become blind. Accordingly, there is a need for a study on a semiconductor device package that can be applied to a vehicle or an application field such as a person's movement, and can prevent a strong laser from being directly incident on a person.

또한, 종래기술에서 반도체소자는 응용분야가 다양해 지면서 고출력, 고전압 구동이 요구됨과 아울러 제품의 소형화를 위해 반도체소자 패키지에 대한 소형화도 강하게 요청되고 있다.In addition, in the prior art, as semiconductor devices are diversified in application fields, high power and high voltage driving are required, and miniaturization of semiconductor device packages is strongly required for miniaturization of products.

또한, 상기 발산각(divergence angle)는 Radiance 측정법 및 Irradiance 측정법에 의해 측정 될 수 있다.In addition, the divergence angle (divergence angle) can be measured by the method of measuring the radiance and irradiance.

실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 신뢰성과 안정성이 우수하고 내부에 배치된 소자를 외부 충격으로부터 안전하게 보호할 수 있는 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공하고자 함이다.One of the technical problems of the embodiment is to provide a surface emitting light emitting laser package and an optical module excellent in reliability and stability and capable of safely protecting a device disposed therein from external impact.

또한, 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 고출력, 고전압 구동이 가능하면서도 콤팩트 한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공하고자 함이다.In addition, one of the technical problems of the embodiment is to provide a compact surface emitting light emitting laser package and an optical module capable of high power and high voltage driving.

실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 내용에 한정되는 것은 아니며, 발명의 설명 전체로부터 파악될 수 있는 것도 포함한다.The technical problem of the embodiments is not limited to the contents described in this section, but also includes those that can be grasped from the entire description of the invention.

실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지는 캐비티(C)를 포함하는 몸체(210); 상기 캐비티(C) 내부에 배치되는 표면방출발광레이저 소자(230); 상기 캐비티(C) 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 배치되며, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발광된 빛을 감지하는 수광소자(240); 및 상기 몸체(210)상에 배치되어 투과부(250) 및 반사부(260)를 포함하는 확산부(250, 260)를 포함하며, 상기 투과부(250)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상에 배치될 수 있다.The surface-emitting light emitting laser package according to the embodiment includes a body 210 including a cavity (C); A surface emitting laser device 230 disposed inside the cavity C; A light receiving device 240 disposed in the cavity C and spaced apart from the surface emitting light emitting laser device 230 to sense light emitted from the surface emitting light emitting laser device 230; And diffusion parts 250 and 260 disposed on the body 210 to include a transmission part 250 and a reflection part 260, wherein the transmission part 250 is disposed on the surface emission laser device 230. Can be placed in.

상기 반사부(260)는 상기 수광소자(240) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사부(260)의 제2 폭(W20)은 상기 투과부(250)의 제1 폭(W10)보다 좁을 수 있다. 상기 반사부(260)는 상기 표면방출레이저 소자(230)의 발산각(divergence angle)과 중첩되지 않을 수 있다.The reflector 260 may be disposed on the light receiving element 240. The second width W20 of the reflector 260 may be narrower than the first width W10 of the transmission part 250. The reflector 260 may not overlap with the divergence angle of the surface emitting laser element 230.

실시예에서 상기 반사부(260)의 제2 폭(W20)은 상기 투과부(250)의 제1 폭(W10)보다 좁을 수 있다. In an embodiment, the second width W20 of the reflective part 260 may be narrower than the first width W10 of the transmissive part 250.

상기 투과부(250)의 제1 폭(W10)은 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 발산각(divergence angle)보다 넓을 수 있다.The first width W10 of the transmission part 250 may be wider than the divergence angle of the surface emission laser device 230.

상기 반사부(260)는 상기 표면방출레이저 소자(230)의 발산각(divergence angle)과 중첩되지 않을 수 있다.The reflector 260 may not overlap with the divergence angle of the surface emitting laser element 230.

실시예는 상기 표면방출발광레이저 소자가 배치되는 제1 전극부(221); 상기 수광소자(240)가 배치되는 제2 전극부(222); 상기 표면방출발광레이저 소자와 제1 와이어(W1)에 의해 전기적으로 연결되는 제3 전극부(223); 및 상기 수광소자(240)와 제2 와이어(W2)에 의해 전기적으로 연결되는 제4 전극부(224)를 포함할 수 있다.An embodiment includes a first electrode part 221 in which the surface emitting light emitting laser device is disposed; A second electrode part 222 on which the light receiving element 240 is disposed; A third electrode part 223 electrically connected to the surface emission laser device and a first wire W1; And a fourth electrode part 224 electrically connected to the light receiving element 240 by the second wire W2.

실시예에서 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 상면으로부터 상기 투과부(250)까지의 제1 이격거리(D1)는, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 2/75 내지 1/5 범위일 수 있다.In an embodiment, the first separation distance D1 from the top surface of the surface emitting laser device 230 to the transmission part 250 is equal to 2 of the third horizontal width W30 of the surface emitting light emitting laser device 230. It may range from / 75 to 1/5.

상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)은 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 18/15배 내지 6배 범위일 수 있다.The first horizontal width W10 of the transmission part 250 may be in a range of 18/15 to 6 times of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230.

상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20)은 상기 수광소자(240)의 수평 폭의 16/15배 내지 4배 범위일 수 있다.The second horizontal width W20 of the reflector 260 may range from 16/15 times to 4 times the horizontal width of the light receiving device 240.

상기 반사부(262)의 두께(T3)는 상기 투과부(250)의 두께(T1)보다 얇을 수 있다.The thickness T3 of the reflection part 262 may be thinner than the thickness T1 of the transmission part 250.

상기 반사부(262)의 두께(T3)는, 상기 투과부(250)의 두께(T1)의 1/10 내지 1/2 범위일 수 있다.The thickness T3 of the reflector 262 may be in a range of 1/10 to 1/2 of the thickness T1 of the transmission part 250.

상기 반사부(262)의 두께(T3)는, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 1/75 내지 1배 범위일 수 있다.The thickness T3 of the reflector 262 may be in a range of 1/75 to 1 times the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230.

또한 실시예에 다른 표면방출발광레이저 패키지는 캐비티(C)를 포함하는 몸체(210); 상기 캐비티(C) 내에 상호 이격되어 배치되는 제5 전극부(225)와 제6 전극부(226);In addition, another embodiment surface-emitting light emitting laser package includes a body 210 including a cavity (C); A fifth electrode part 225 and a sixth electrode part 226 disposed to be spaced apart from each other in the cavity C;

상기 제5 전극부(225) 상에 배치되며 상기 제6 전극부(226)와 제3 와이어(W3)에 의해 전기적으로 연결되는 표면방출발광레이저 소자(230); 상기 캐비티(C) 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 상기 제6 전극부(226) 상에 배치되어 상기 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발광된 빛을 감지하는 제2 수광소자(232); 및 상기 몸체(210) 상에 배치되어 제2 투과부(252) 및 제3 반사부(263)를 포함하는 확산부(252, 263)를; 포함하며, 상기 제2 투과부(252)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상에 배치되고, 상기 제3 반사부(263)은 상기 제2 수광소자(232) 상에 배치되며, 상기 제3 반사부(263)는 상기 표면방출레이저 소자(230)의 발산각(divergence angle)과 중첩되지 않을 수 있다.A surface emission laser device 230 disposed on the fifth electrode part 225 and electrically connected to the sixth electrode part 226 by a third wire W3; A second light receiving space spaced apart from the surface emitting light emitting laser element 230 in the cavity C and disposed on the sixth electrode part 226 to sense light emitted from the surface emitting light emitting laser element 230; Element 232; And diffusion parts 252 and 263 disposed on the body 210 and including a second transmission part 252 and a third reflection part 263. The second transmission part 252 is disposed on the surface emission laser device 230, and the third reflection part 263 is disposed on the second light reception device 232. The reflector 263 may not overlap the divergence angle of the surface emitting laser device 230.

실시예에 따른 광 모듈은 상기 표면방출발광레이저 패키지를 포함할 수 있다. The optical module according to the embodiment may include the surface emitting light emitting laser package.

실시예에 의하면 신뢰성과 안정성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the embodiment there is a technical effect that can provide a surface emitting light emitting laser package and an optical module excellent in reliability and stability.

또한, 실시예에 의하면, 고출력, 고전압 구동이 가능하면서도 콤팩트 한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, it is possible to provide a compact surface emitting light emitting laser package and an optical module capable of high power and high voltage driving.

실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 내용에 한정되는 것은 아니며, 발명의 설명 전체로부터 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical effects of the embodiments are not limited to the contents described in this section, but include those that can be grasped from the entire description of the invention.

도 1은 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서 확산부와 반사부가 생략된 평면도.
도 3a는 도 1과 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)의 A1-A1' 선을 따른 단면도.
도 3b는 도 1과 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)의 A2-A2' 선을 따른 단면도.
도 4는 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서 발광소자와 수광소자가 생략된 평면도.
도 5a는 도 4에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 A3-A3' 선을 따른 단면도.
도 5b는 도 4에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 A4-A4' 선을 따른 단면도.
도 6은 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서의 표면방출발광레이저 소자의 평면도.
도 7은 도 6에 도시된 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서의 표면방출발광레이저 소자의 B영역의 부분 확대도.
도 8은 도 7에 도시된 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 표면방출발광레이저 소자의 제1 에미터의 A5-A5'선을 따른 단면도.
도 9a는 도 3a에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 상세 단면도이며 제1 와이어가 생략된 도면.
도 9b는 도 9a에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서 반사부의 두께가 투과부의 두께보다 얇은 도면.
도 10a는 제2 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 평면도.
도 10b는 도 10a에 도시된 제2 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서 제2 투과부와 제3 반사부가 생략된 도면.
도 11은 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지를 포함하는 광 모듈이 적용된 이동 단말기의 사시도.
1 is a plan view of a surface-emitting light emitting laser package according to the first embodiment.
FIG. 2 is a plan view in which the diffuser and the reflector are omitted in the surface emission laser package according to the first embodiment shown in FIG. 1; FIG.
3A is a cross-sectional view taken along line A1-A1 'of the surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment shown in FIGS.
3B is a cross-sectional view taken along line A2-A2 'of the surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment shown in FIGS.
4 is a plan view in which the light emitting device and the light receiving device are omitted in the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG.
5A is a cross-sectional view taken along line A3-A3 'of the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG.
5B is a cross-sectional view taken along line A4-A4 'of the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG.
6 is a plan view of a surface emitting light emitting laser device in a surface emitting light emitting laser package according to an embodiment;
7 is a partially enlarged view of a region B of the surface emitting light emitting laser device in the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment shown in FIG.
8 is a cross-sectional view taken along line A5-A5 'of the first emitter of the surface emitting light emitting laser device of the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment shown in FIG.
FIG. 9A is a detailed cross-sectional view of the surface-emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG. 3A, in which the first wire is omitted.
FIG. 9B is a view in which the thickness of the reflecting portion is thinner than the thickness of the transmitting portion in the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG. 9A;
10A is a plan view of a surface emitting light emitting laser package according to a second embodiment;
FIG. 10B is a view illustrating a second transmission portion and a third reflection portion in the surface emission laser package according to the second embodiment of FIG. 10A; FIG.
11 is a perspective view of a mobile terminal to which an optical module including a surface emitting light emitting laser package according to an embodiment is applied.

이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when described as being formed on the "on or under" of each element, the on or under is It includes both the two elements are in direct contact with each other, or one or more other elements are formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as "on" or "under", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

(제1 실시예)(First embodiment)

도 1은 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)의 평면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서 투과부(250)와 반사부(260)가 생략된 평면도이다. 상기 투과부(250)와 반사부(260)를 포함하여 확산부로 칭해질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.1 is a plan view of a surface emitting light emitting laser package 200 according to a first embodiment, and FIG. 2 is a transmissive part 250 and a reflecting part 260 in the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG. 1. ) Are omitted. The transmission part 250 and the reflection part 260 may be referred to as a diffusion part, but are not limited thereto.

우선, 도 1을 참조하면 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)는 몸체(210), 투과부(250) 및 반사부(260)를 포함할 수 있다. 실시예의 도면에서 x축과 y축에 의해 지면이 정의될 수 있고, 지면(xy평면)에 수직한 법선방향이 z축일 수 있다. 실시예에서 몸체(210)는은 지면에서의 x축 방향의 수평 폭이 y축 방향의 수평 폭보다 클 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 몸체(210)에는 인덱스 마크(M1)가 형성되어 투과부(250)와 반사부(260)의 위치가 용이하게 확인될 수 있다. 도 1과 도 2에서 단면선인 A1-A1'과 A2-A2'은 도 3a와 도 3b에서 설명하기로 한다. 상기 몸체(210)는 기판으로 칭해질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.First, referring to FIG. 1, the surface emission laser package 200 according to the first embodiment may include a body 210, a transmission part 250, and a reflection part 260. In the drawings of the embodiment, the ground may be defined by the x-axis and the y-axis, and the normal direction perpendicular to the ground (xy plane) may be the z-axis. In an embodiment, the body 210 may have a horizontal width in the x-axis direction greater than a horizontal width in the y-axis direction on the ground, but is not limited thereto. An index mark M1 is formed on the body 210 so that the positions of the transmission part 250 and the reflection part 260 can be easily confirmed. Section lines A1-A1 'and A2-A2' in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. The body 210 may be referred to as a substrate, but is not limited thereto.

도 1과 도 2를 참조하면 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)는 캐비티(C)를 포함하는 몸체(210)와, 상기 캐비티(C) 내부에 배치되는 표면방출발광레이저 소자(230)와, 상기 캐비티(C) 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 배치되며 상기 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발광된 빛을 감지하는 수광소자(240)와, 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상의 몸체(210) 상에 배치되는 투과부(250)와, 상기 수광소자(240) 상에 배치되는 반사부(260)를 포함할 수 있다. 상기 투과부(250)와 반사부(260)는 확산부로 칭해질 수 있다.1 and 2, the surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment includes a body 210 including a cavity C, and a surface emitting light emitting device disposed in the cavity C. Referring to FIGS. 230, spaced apart from the surface emitting laser device 230 in the cavity C, and a light receiving device 240 for detecting light emitted from the surface emitting light emitting device 230, and It may include a transmissive portion 250 disposed on the body 210 on the surface emitting light emitting laser element 230, and a reflecting portion 260 disposed on the light receiving element 240. The transmission part 250 and the reflection part 260 may be referred to as diffusion parts.

도 2를 참조하면, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)는 발광부(100)와 패드부(235)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the surface-emitting light emitting laser device 230 may include a light emitting part 100 and a pad part 235.

또한 실시예는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 상기 수광소자(240) 사이의 캐비티(C) 바닥에 배치되는 단일 또는 복수의 전극부를 포함할 수 있다.In addition, the embodiment may include a single or a plurality of electrode parts disposed on the bottom of the cavity (C) between the surface emitting light emitting laser device 230 and the light receiving device 240.

예를 들어, 실시예는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)가 배치되는 제1 전극부(221)와, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 제1 와이어(W1)에 의해 전기적으로 연결되는 제3 전극부(223)와, 상기 수광소자(240)가 배치되는 제2 전극부(222) 및 상기 수광소자(240)와 제2 와이어(W2)에 의해 전기적으로 연결되는 제4 전극부(224)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극부(222)는 제1 전극부(221)에서 연장되어 일체로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the embodiment is electrically connected by a first electrode portion 221 on which the surface emitting light emitting laser element 230 is disposed, and by the surface emitting light emitting laser element 230 and the first wire W1. The third electrode part 223, the second electrode part 222 on which the light receiving element 240 is disposed, and the fourth electrode part electrically connected by the light receiving element 240 and the second wire W2 ( 224). The second electrode part 222 may extend from the first electrode part 221 to be integrally formed, but is not limited thereto.

실시예에 의하면, 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발산된 레이저가 투과부(250)를 통해 확산됨과 아울러 패키지 내부에서 반사되는 빛을 수광소자(240)가 감지하여 감지된 빛의 양을 변화 정도를 측정하여 투과부(250)의 탈착여부를 정밀하게 제어할 수 있다.According to the embodiment, the laser emitted from the surface emitting laser device 230 is diffused through the transmission unit 250 and the light receiving device 240 detects the light reflected from the inside of the package to change the amount of light detected. It is possible to precisely control whether the transmission portion 250 is detached by measuring the.

이때 실시예는 표면방출발광레이저 소자(230)에서의 빔의 발산(beam divergence) 범위에는 투과부(250)를 배치하고, 그 외의 영역에는 반사부(260)를 배치하여 패키지 내부에서 반사, 전반사 되는 빛들을 반사부(260)를 통해 외부로 보내지 않고 내부로 반사시킬 수 있으며, 이와 반대로 패키지 외부에서 패키지 내부로 입사되는 빛들을 반사부(260)를 통해 반사시킴으로써 내부로 입사시키지 않을 수 있다. 이를 통해 실시예는 수광소자(240)에서의 광 감지 성능을 현저히 향상시킴으로써 신뢰성과 안정성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다. In this embodiment, the transmission unit 250 is disposed in the beam divergence range of the beam in the surface emission laser device 230, and the reflection unit 260 is disposed in the other areas to reflect and totally reflect inside the package. The light may be reflected inside without passing through the reflector 260, and conversely, light incident from the outside of the package into the package may not be incident into the inside by reflecting the light through the reflector 260. This embodiment has a technical effect that can provide a surface emitting light emitting laser package and an optical assembly excellent in reliability and stability by significantly improving the light sensing performance in the light receiving device 240.

다음으로 도 3a와 도 3b를 참조하여 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)를 좀 더 상술하기로 한다.Next, the surface emission laser package 200 according to the first embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 3A and 3B.

도 3a는 도 1과 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)의 A1-A1' 선을 따른 단면도이며, 도 3b는 도 1과 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)의 A2-A2' 선을 따른 단면도이다.3A is a cross-sectional view taken along line A1-A1 'of the surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, and FIG. 3B is a first embodiment shown in FIGS. A cross-sectional view taken along line A2-A2 'of the surface emitting light emitting laser package 200 according to an example.

도 3a와 도 3b를 참조하면, 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)는 캐비티(C)를 포함하는 몸체(210)와, 상기 캐비티(C) 내부에 배치되는 표면방출발광레이저 소자(230)와, 상기 캐비티(C) 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 배치되며 상기 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발광된 빛을 감지하는 수광소자(240)와, 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상의 몸체(210) 상에 배치되는 투과부(250)와, 상기 수광소자(240) 상에 배치되는 반사부(260)를 포함할 수 있다.3A and 3B, the surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment includes a body 210 including a cavity C, and a surface emitting light emitting laser disposed in the cavity C. An element 230, a light receiving element 240 disposed in the cavity C and spaced apart from the surface emitting light emitting laser element 230, and configured to sense light emitted from the surface emitting light emitting laser element 230; The surface emission light emitting laser device 230 may include a transmissive part 250 disposed on the body 210 and a reflective part 260 disposed on the light receiving element 240.

실시예에서 몸체(210)는 단일층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(210)는 단일층의 기판으로 형성되거나, 도시된 바와 같이 제1 기판(211), 제2 기판(212) 및 제3 기판(213)을 포함할 수 있다.In an embodiment, the body 210 may be formed of a single layer or a plurality of layers. For example, the body 210 may be formed of a single layer substrate, or may include a first substrate 211, a second substrate 212, and a third substrate 213 as shown.

상기 몸체(210)는 열 전도율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(210)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발생된 열을 외부로 효율적으로 방출할 수 있도록 방열 특성이 좋은 물질로 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 몸체(210)는 세라믹 소재를 포함할 수 있다. 상기 몸체(210)는 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함할 수 있다. The body 210 may include a material having high thermal conductivity. Accordingly, the body 210 may be provided with a material having a good heat dissipation property so as to efficiently discharge the heat generated by the surface emission laser device 230 to the outside. For example, the body 210 may include a ceramic material. The body 210 may include a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or a high temperature co-fired ceramic (HTCC) that is co-fired.

또한, 상기 몸체(210)는 금속 화합물을 포함할 수 있다. 상기 몸체(210)는 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 몸체(210)는 질화 알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.In addition, the body 210 may include a metal compound. The body 210 may include a metal oxide having a thermal conductivity of 140 W / mK or more. For example, the body 210 may include aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O 3 ).

또한 상기 몸체(210)는 수지 계열의 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(210)는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성 재질로 제공될 수 있다.In addition, the body 210 may include a resin-based insulating material. The body 210 may be provided of a silicone resin, an epoxy resin, a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistant material.

또한 상기 몸체(210)는 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(210)이 도전성 물질, 예컨대 금속으로 제공되는 경우, 상기 몸체(210)와 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 사이의 전기적인 절연을 위한 절연층(미도시)이 제공될 수 있다.In addition, the body 210 may include a conductive material. For example, when the body 210 is made of a conductive material, such as a metal, an insulating layer (not shown) for electrical insulation between the body 210 and the surface emitting light emitting laser device 230 is provided. Can be.

이에 따라 실시예에 의하면, 고출력, 고전압 구동 가능하면서도 방열특성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.Accordingly, according to the embodiment, there is a technical effect of providing a surface emitting light emitting laser package and an optical module capable of driving high power and high voltage but having excellent heat dissipation characteristics.

상기 제1 기판(211), 상기 제2 기판(212) 및 상기 제3 기판(213)은 상기 몸체(210)의 물질이 모두 동일하거나 적어도 하나는 다르게 포함할 수 있다.The first substrate 211, the second substrate 212, and the third substrate 213 may all include the same material or at least one different material of the body 210.

다음으로, 실시예에서 상기 몸체(210)에 단일 또는 복수의 전극부가 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 실시예는 상기 몸체(210)에 제1 전극부(221), 제2 전극부(222), 제3 전극부(223), 제4 전극부(224)가 배치될 수 있다.Next, in an embodiment, a single or a plurality of electrode parts may be disposed on the body 210. For example, referring to FIG. 2, in the embodiment, the body 210 has a first electrode portion 221, a second electrode portion 222, a third electrode portion 223, and a fourth electrode portion 224. Can be arranged.

예를 들어, 실시예는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)가 배치되는 제1 전극부(221)와, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 제1 와이어(W1)에 의해 전기적으로 연결되는 제3 전극부(223)와, 상기 수광소자(240)가 배치되는 제2 전극부(222)와 상기 수광소자(240)와 제2 와이어(W2)에 의해 전기적으로 연결되는 제4 전극부(224)를 포함할 수 있다(도 2 참조).For example, the embodiment is electrically connected by a first electrode portion 221 on which the surface emitting light emitting laser element 230 is disposed, and by the surface emitting light emitting laser element 230 and the first wire W1. The third electrode part 223, the second electrode part 222 on which the light receiving element 240 is disposed, and the fourth electrode part electrically connected by the light receiving element 240 and the second wire W2 ( 224) (see FIG. 2).

상기 제1 전극부(221) 내지 제4 전극부(224)는 전도성 금속물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극부(221) 내지 제4 전극부(224)는 Cu, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first electrode portion 221 to the fourth electrode portion 224 may be formed of a conductive metal material. For example, the first electrode portion 221 to the fourth electrode portion 224 are Cu, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf It may be formed in a single layer or multiple layers using an alloy of at least one or two or more of them.

다시 도 3a와 도 3b를 함께 참조하면, 상기 제1 전극부(221)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제1 상부전극(221a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제1 하부전극(221b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 상부전극(221a)에 표면방출발광레이저 소자(230)가 배치될 수 있다. 상기 제1 하부전극(221b)은 상기 제1 상부전극(221a) 보다 크게 형성되어 전기전도성 및 방열효율을 향상시킬 수 있다.Referring again to FIGS. 3A and 3B, the first electrode part 221 may include a first upper electrode 221 a disposed on the body 210 and a first lower electrode disposed below the body 210. 221b. A surface emitting light emitting laser device 230 may be disposed on the first upper electrode 221a. The first lower electrode 221b may be formed larger than the first upper electrode 221a to improve electrical conductivity and heat dissipation efficiency.

또한 상기 제2 전극부(222)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제2 상부전극(222a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제2 하부전극(222b)를 포함할 수 있다. 상기 제2 상부전극(222a)에 수광소자(240)가 배치될 수 있다. 상기 제2 하부전극(222b)은 상기 제2 상부전극(222a) 보다 크게 형성되어 전도성과 방열효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the second electrode unit 222 may include a second upper electrode 222a disposed on the body 210 and a second lower electrode 222b disposed below the body 210. The light receiving device 240 may be disposed on the second upper electrode 222a. The second lower electrode 222b may be formed larger than the second upper electrode 222a to improve conductivity and heat radiation efficiency.

또한 상기 제3 전극부(223)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제3 상부전극(223a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제3 하부전극(223b)을 포함할 수 있다. 상기 제3 상부전극(223a)은 제1 와이어(W1)에 의해 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the third electrode unit 223 may include a third upper electrode 223a disposed on the body 210 and a third lower electrode 223b disposed below the body 210. The third upper electrode 223a may be electrically connected to the surface emission laser device 230 by a first wire W1.

이때 실시예에 의하면, 상기 제3 전극부(223)가 상기 제1 전극부(221)와 제2 전극부(222) 사이에 배치되고, 상기 제1 전극부(221)에 표면방출발광레이저 소자(230)가 배치되고, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 상기 제2 전극부(222) 상에 수광소자(240)가 배치됨으로써 표면방출발광레이저 소자(230)의 빔의 발산(beam divergence) 범위를 넓게 확보함과 아울러 패키지 내부에 수광소자가 차지하는 영역을 최소화 함으로써 고감도 광감지 기능의 수행이 가능하면서 콤팩트 한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있다.According to the embodiment, the third electrode portion 223 is disposed between the first electrode portion 221 and the second electrode portion 222, the surface emission light emitting laser device on the first electrode portion 221 The light emitting device 240 is disposed on the second electrode part 222 so as to be spaced apart from the surface emitting light emitting laser device 230, and thus the beam of the surface emitting light emitting laser device 230 is emitted. By providing a wide beam divergence range and minimizing the area occupied by the light receiving element inside the package, a highly sensitive light sensing function can be performed and a compact surface emitting laser package and an optical module can be provided.

다음으로 도 4 내지 도 5b를 참조하여 실시예에서 전극부의 특징을 좀 더 상술하기로 한다.Next, the features of the electrode unit in the embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 4 to 5B.

도 4는 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서 표면방출발광레이저 소자(230)와 수광소자(240)가 생략된 평면도이며, 도 5a는 도 4에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 A3-A3' 선을 따른 단면도이며, 도 5b는 도 4에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 A4-A4' 선을 따른 단면도이다.4 is a plan view in which the surface emitting light emitting laser device 230 and the light receiving device 240 are omitted in the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG. 3, and FIG. 5A is a first view shown in FIG. 4. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line A3-A3 'of the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line A4-A4' of the surface emitting light emitting package according to the first embodiment shown in FIG.

도 5a와 도 5b를 함께 참조하면, 상기 제1 전극부(221)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제1 상부전극(221a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제1 하부전극(221b), 상기 제1 상부전극(221a)과 상기 제1 하부전극(221b)을 전기적으로 연결하는 제1 연결전극(221c)을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결전극(221c)은 비아 전극일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.5A and 5B, the first electrode unit 221 may include a first upper electrode 221a disposed on the body 210 and a first lower electrode disposed below the body 210. 221b) and a first connection electrode 221c electrically connecting the first upper electrode 221a and the first lower electrode 221b to each other. The first connection electrode 221c may be a via electrode, but is not limited thereto.

상기 제1 상부전극(221a)은 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 상부전극(221a) 상에 상기 표면방출발광레이저 소자(230)가 배치될 수 있다.The first upper electrode 221a may be electrically connected to the surface emission laser device 230. For example, the surface emission laser device 230 may be disposed on the first upper electrode 221a.

다음으로, 도 5a를 참조하면 상기 제2 전극부(222)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제2 상부전극(222a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제2 하부전극(222b)을 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면, 상기 제2 전극부(222)는 상기 제1 전극부(221)에서 연장된 일체로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, referring to FIG. 5A, the second electrode part 222 may include a second upper electrode 222a disposed on the body 210 and a second lower electrode 222b disposed below the body 210. It may include. Referring to FIG. 4, the second electrode part 222 may be integrally formed to extend from the first electrode part 221, but is not limited thereto.

상기 제2 전극부(222)가 상기 제1 전극부(221)에서 연장된 일체로 형성되는 경우, 제2 전극부(222)의 제2 상부전극(222a)과 제2 하부전극(222b)은 제1 전극부(221)의 제1 연결전극(221c)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.When the second electrode part 222 is integrally formed to extend from the first electrode part 221, the second upper electrode 222a and the second lower electrode 222b of the second electrode part 222 are formed. It may be electrically connected by the first connection electrode 221c of the first electrode unit 221.

이때 상기 제2 상부전극(222a)은 상기 수광소자(240)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 상부전극(222a) 상에 수광소자(240)가 배치될 수 있다.In this case, the second upper electrode 222a may be electrically connected to the light receiving element 240. For example, the light receiving device 240 may be disposed on the second upper electrode 222a.

다음으로 상기 제3 전극부(223)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제3 상부전극(223a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제3 하부전극(223b), 상기 제3 상부전극(223a)과 상기 제3 하부전극(223b)을 전기적으로 연결하는 제3 연결전극(223c)을 포함할 수 있다. 상기 제3 상부전극(223a)은 제1 와이어(W1)를 통해 표면방출발광레이저 소자(230)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제3 연결전극(223c)은 비아 전극일 수 있다.Next, the third electrode part 223 includes a third upper electrode 223a disposed on the body 210, a third lower electrode 223b disposed below the body 210, and the third upper electrode. The third connection electrode 223c may be electrically connected to the second and second lower electrodes 223a and 223b. The third upper electrode 223a may be electrically connected to the surface emission laser device 230 through the first wire W1. The third connection electrode 223c may be a via electrode.

도 2와 도 4를 참조하면, 제1 전극부(221)에 표면방출발광레이저 소자(230)가 배치되고, 수광소자(240)가 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 상기 제2 전극부(222) 상에 배치됨으로써 표면방출발광레이저 소자(230)의 빔의 발산(beam divergence) 범위를 넓게 확보함과 아울러 패키지 내부에 수광소자가 차지하는 영역을 최소화 함으로써 고감도 광감지 기능의 수행이 가능하면서 콤팩트 한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있다.2 and 4, the surface emitting light emitting laser device 230 is disposed on the first electrode part 221, and the light receiving device 240 is spaced apart from the surface emitting light emitting laser device 230 so as to separate the second electrode. By being disposed on the part 222, it is possible to secure a wide range of beam divergence of the beam of the surface emitting light emitting laser device 230, and to minimize the area occupied by the light receiving device in the package, thereby performing a high sensitivity light sensing function. It is possible to provide a compact surface emitting laser package and an optical assembly.

다음으로 도 2와 도 4를 참조하면, 상기 제4 전극부(224)는 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제4 상부전극(224a), 상기 몸체(210) 아래에 배치되는 제4 하부전극(미도시), 상기 제4 상부전극(224a)과 상기 제4 하부전극을 전기적으로 연결하는 제4 연결전극(224c)을 포함할 수 있다. 상기 제4 상부전극(224a)은 제2 와이어(W2)를 통해 수광소자(240)와 전기적으로 연결될 수 있다(도 2 참조). 상기 제4 연결전극(224c)은 비아 전극일 수 있다.Next, referring to FIGS. 2 and 4, the fourth electrode part 224 is a fourth upper electrode 224a disposed on the body 210 and a fourth lower electrode disposed below the body 210. (Not shown), a fourth connection electrode 224c may be electrically connected to the fourth upper electrode 224a and the fourth lower electrode. The fourth upper electrode 224a may be electrically connected to the light receiving device 240 through the second wire W2 (see FIG. 2). The fourth connection electrode 224c may be a via electrode.

한편, 도 5a와 도 5b를 참조하면, 실시예의 몸체(210)에는 캐비티(C)가 배치될 수 있으며, 단일 또는 복수의 캐비티가 배치될 수 있다. 예를 들어, 실시예의 몸체(210)는 제2 기판(212)에 위치하는 제1 캐비티(C1)와, 상기 제3 기판(213)에 위치하는 제2 캐비티(C2)를 포함할 수 있다. 상기 제2 캐비티(C2)의 수평 폭은 상기 제1 캐비티(C1)의 수평 폭에 비해 크게 형성될 수 있다. Meanwhile, referring to FIGS. 5A and 5B, the cavity C may be disposed in the body 210 of the embodiment, and a single or a plurality of cavities may be disposed. For example, the body 210 of the embodiment may include a first cavity C1 positioned on the second substrate 212 and a second cavity C2 positioned on the third substrate 213. The horizontal width of the second cavity C2 may be larger than the horizontal width of the first cavity C1.

도 3a를 참조하면 상기 제1 캐비티(C1)에 표면방출발광레이저 소자(230)와 수광소자(240)가 배치될 수 있고, 상기 제2 캐비티(C2)에 투과부(250)와 반사부(260)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3A, the surface emitting light emitting laser device 230 and the light receiving device 240 may be disposed in the first cavity C1, and the transmitting part 250 and the reflecting part 260 may be disposed in the second cavity C2. ) May be arranged.

다음으로 도 6 내지 도 8을 참조하여, 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서의 표면방출발광레이저 소자(230)에 대해 설명하기로 한다.Next, with reference to FIGS. 6 to 8, the surface-emitting light emitting laser device 230 in the surface-emitting light emitting laser package according to the embodiment will be described.

도 6은 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서의 표면방출발광레이저 소자(230)의 평면도이며, 도 7은 도 6에 도시된 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서의 표면방출발광레이저 소자(230)의 B영역의 부분 확대도이다.6 is a plan view of the surface emitting light emitting laser device 230 in the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment, and FIG. 7 is the surface emitting light emitting laser device in the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment shown in FIG. A partial enlarged view of area B of 230.

도 6 내지 도 8에서, 실시예에 따른 표면방출발광레이저 소자(230)는 수직공진형 표면발광 레이저(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: VCSEL)에 대해 도시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.6 to 8, the surface emission laser device 230 according to the embodiment is illustrated for a vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL), but is not limited thereto.

도 6을 참조하면, 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에서의 표면방출발광레이저 소자(230)는 발광부(100)와 패드부(235)를 포함할 수 있다. 도 6 및 도 7과 같이, 상기 발광부(100)에는 복수의 발광 에미터(E1, E2, E3)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 6, the surface-emitting light emitting laser device 230 of the surface-emitting light emitting laser package according to the embodiment may include a light emitting part 100 and a pad part 235. 6 and 7, a plurality of light emitting emitters E1, E2, and E3 may be disposed in the light emitting unit 100.

도 8은 도 7에 도시된 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 표면방출발광레이저 소자(230)의 제1 에미터(E1)의 A5-A5'선을 따른 단면도이다.8 is a cross-sectional view taken along line A5-A5 'of the first emitter E1 of the surface emitting light emitting laser element 230 of the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment shown in FIG.

도 8을 참조하면, 실시예에서 표면방출발광레이저 소자의 제1 에미터(E1)는 제1 전극(115), 지지기판(110), 제1 반사층(120), 캐비티영역(130), 애퍼처(141), 절연영역(142), 제2 반사층(150), 제2 접촉 전극(155), 제2 전극(180), 패시베이션층(170) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, in the embodiment, the first emitter E1 of the surface emitting laser device may include the first electrode 115, the support substrate 110, the first reflective layer 120, the cavity region 130, and the aperture. One or more of the aperture 141, the insulating region 142, the second reflective layer 150, the second contact electrode 155, the second electrode 180, and the passivation layer 170 may be included.

실시예에서 상기 지지기판(110)은 방열 특성이 우수할 수 있으며, 전도성 기판 또는 비전도성 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(110)은 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, AlN, GaAs, ZnO, SiC 등)를 포함하는 전도성 물질 중에서 선택된 적어도 하나로 제공될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the support substrate 110 may have excellent heat dissipation and may be a conductive substrate or a non-conductive substrate. For example, the support substrate 110 may include copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), and carrier wafers (eg, Si, Ge, AlN). , GaAs, ZnO, SiC, etc.) may be provided at least one selected from conductive materials, but is not limited thereto.

실시예에서 지지기판(110)의 하부에 제1 전극(115)이 배치될 수 있으며, 상기 제1 전극(115)은 도전성 재료로 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다.In an embodiment, the first electrode 115 may be disposed under the support substrate 110, and the first electrode 115 may be disposed in a single layer or multiple layers with a conductive material.

상기 제1 반사층(120)은 제1 도전형의 도펀트가 도핑된 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 제공될 수 있다. 상기 제2 반사층(150)은 제2 도전형의 도펀트가 도핑된 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 제공될 수 있다. The first reflective layer 120 may be provided as at least one of a compound semiconductor of Group 3-Group 5 or Group 2-Group 6 doped with a first conductivity type dopant. The second reflective layer 150 may be provided as at least one of a compound semiconductor of Group 3-Group 5 or Group 2-Group 6 doped with a second conductivity type dopant.

예컨대 상기 제1 반도층(120)과 상기 제2 반사층(150)은 GaAs, GaAl, InP, InAs, GaP를 포함하는 그룹 중 하나일 수 있다. 상기 제1 반도체층(120)과 상기 제2 반사층(150)은 예컨대, AlxGa1-xAs(0<x<1)/AlyGa1-yAs(0<y<1)(y<x)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 제공될 수 있다. For example, the first semiconductor layer 120 and the second reflective layer 150 may be one of a group including GaAs, GaAl, InP, InAs, and GaP. The first semiconductor layer 120 and the second reflective layer 150 may be, for example, a semiconductor having a composition formula of Al x Ga 1-x As (0 <x <1) / AlyGa 1-y As (0 <y <1) (y <x). It may be provided as a material.

상기 캐비티영역(130)은 상기 제1 반사층(120)과 상기 제2 반사층(150) 사이에 배치되며, 소정의 활성층(미도시) 및 상기 활성층의 하측에 배치되는 제1 캐비티(미도시), 상기 활성층의 상측에 배치되는 제2 캐비티(미도시)를 포함할 수 있다. 실시예의 캐비티 영역(130)은 제1 캐비티와 제2 캐비티를 모두 포함하거나, 둘 중의 하나만 포함할 수도 있다.The cavity region 130 is disposed between the first reflective layer 120 and the second reflective layer 150, and has a predetermined active layer (not shown) and a first cavity (not shown) disposed below the active layer. It may include a second cavity (not shown) disposed above the active layer. The cavity area 130 of the embodiment may include both the first cavity and the second cavity, or only one of them.

실시예에서 캐비티 영역(130) 상에 절연영역(142)이 배치되며, 상기 절연영역(142)에 의해서 정의되는 애퍼처(141)가 위치할 수 있다.In an embodiment, the insulating region 142 is disposed on the cavity region 130, and the aperture 141 defined by the insulating region 142 may be located.

상기 절연영역(142)은 절연층, 예를 들어 알루미늄 산화물로 이루어져서 전류 절연영역으로 작용할 수 있으며, 중앙 영역에는 애퍼처(141)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 소정의 AlGaAs층에서 H2O와 반응하여 가장자리가 Al2O3로 변함에 따라 절연영역(142)이 형성될 수 있고, H2O와 반응하지 않은 중앙영역은 AlGaAs로 이루어진 애퍼처(141)가 될 수 있다. The insulating region 142 may be formed of an insulating layer, for example, aluminum oxide, to serve as a current insulating region, and an aperture 141 may be disposed in the central region. For example, an insulating region 142 may be formed as the edge is changed to Al 2 O 3 by reacting with H 2 O in a predetermined AlGaAs layer, and the center region which does not react with H 2 O is made of AlGaAs. It may be the aperture 141.

실시예에 따른 표면방출발광레이저 소자는 애퍼처(141)의 둘레의 영역에서 제2 반사층(150)으로부터 절연영역(142)과 캐비티영역(130)까지 메사 식각 될 수 있다. 또한, 제1 반사층(120)의 일부까지 메사 식각될 수 있다.The surface emission laser device according to the embodiment may be mesa-etched from the second reflective layer 150 to the insulating region 142 and the cavity region 130 in the region around the aperture 141. In addition, mesa may be etched up to a part of the first reflective layer 120.

제2 반사층(150) 상에는 제2 접촉 전극(155)이 배치될 수 있는데, 제2 접촉 전극(155)의 사이의 영역에서 제2 반사층(150)이 노출되는 영역은 상술한 절연영역(142)의 중앙 영역의 애퍼처(141)와 대응될 수 있다. 상기 접촉 전극(155)은 제2 반사층(150)과 제2 전극(180)의 접촉 특성을 향상시킬 수 있다.The second contact electrode 155 may be disposed on the second reflective layer 150, and the region in which the second reflective layer 150 is exposed in the region between the second contact electrodes 155 is the insulating region 142 described above. It may correspond to the aperture 141 of the central region of the. The contact electrode 155 may improve contact characteristics between the second reflective layer 150 and the second electrode 180.

패시베이션층(170)은 메사 식각된 발광 구조물의 측면과 상부면 및 제1 반사층(120)의 상부면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(170)은 절연성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 질화물 또는 산화물로 이루어질 수 있다.The passivation layer 170 may be disposed on the side and top surfaces of the mesa-etched light emitting structure and the top surface of the first reflective layer 120. The passivation layer 170 may be made of an insulating material, for example, nitride or oxide.

제2 전극(180)은 노출된 제2 접촉 전극(155)과 전기적으로 접촉하며 패시베이션층(170)의 상부로 연장되어 배치되어 패드부(235)로부터 전류를 공급받을 수 있다. 제2 전극(180)은 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(180)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The second electrode 180 may be in electrical contact with the exposed second contact electrode 155 and disposed to extend above the passivation layer 170 to receive current from the pad unit 235. The second electrode 180 may be made of a conductive material. For example, the second electrode 180 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). It may be formed into a structure.

다시 도 3a를 참조하면, 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지에 채용되는 수광소자(240)는 모니터용 광검출기일 수 있으며, 역방향 바이어스 전압이 인가되어 입사광을 수광할 수 있다. 상기 수광소자(240)에 전기적으로 연결된 제2 상부전극(222a)은 분리된 복수의 전극을 포함할 수 있으며, 이들은 외부 전원을 수광소자(240)에 인가하거나 수광소자(240)에서 검출된 전기신호를 외부로 전달할 수 있다.Referring back to FIG. 3A, the light receiving device 240 used in the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment may be a photodetector for a monitor, and a reverse bias voltage may be applied to receive incident light. The second upper electrode 222a electrically connected to the light receiving element 240 may include a plurality of separated electrodes, which may be configured to apply an external power source to the light receiving element 240 or to detect electricity from the light receiving element 240. You can pass the signal to the outside.

다음으로 도 9a를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 좀 더 상술하기로 한다. 도 9a는 도 3a에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)의 상세 단면도이며 제1 와이어(W1)가 생략된 도면이다.Next, the technical features of the light emitting device package according to the embodiment will be described in more detail with reference to FIG. 9A. FIG. 9A is a detailed cross-sectional view of the surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment shown in FIG. 3A, and the first wire W1 is omitted.

제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(200)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상의 상기 몸체(210) 상에 배치되는 투과부(250) 및 상기 수광소자(240) 상에 배치되는 반사부(260)를 포함할 수 있다.The surface emitting light emitting laser package 200 according to the first embodiment of the present invention is a transmissive part 250 disposed on the body 210 on the surface emitting light emitting laser element 230 and a reflection disposed on the light receiving element 240. It may include a portion 260.

실시예에 의하면, 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발산된 레이저가 투과부(250)를 통해 확산됨과 아울러 패키지 내부에서 반사되는 빛을 수광소자(240)가 감지하고 감지되는 빛의 양을 변화 정도를 측정하여 투과부(250)의 탈착여부를 정밀하게 제어할 수 있다.According to the embodiment, the laser emitted from the surface emitting laser device 230 is diffused through the transmission unit 250, and the light receiving device 240 detects the light reflected from the package and changes the amount of light detected. It is possible to precisely control whether the transmission portion 250 is detached by measuring the.

상기 투과부(250)는 표면방출발광레이저 소자(230)에서의 빔의 발산(beam divergence) 범위에 배치되며, 반사부(260)는 수광소자(240) 상에 배치되어 패키지 내부에서 반사, 전반사 되는 빛들이 반사부(260)를 통해 외부로 투과되지 않고 내부로 반사됨으로써 수광소자(240)에서의 광 감지 성능을 현저히 향상시킬 수 있으며, 이와 반대로 패키지 외부에서 패키지 내부로 입사되는 빛들을 반사부(260)를 통해 반사시킴으로써 내부로 입사시키지 않아 수광소자(240)에서의 광 감지 성능을 현저히 향상시킬 수 있다.The transmission part 250 is disposed in a beam divergence range of the beam in the surface emitting light emitting laser device 230, and the reflecting part 260 is disposed on the light receiving device 240 to be reflected and totally reflected inside the package. Since the light is reflected inside the light through the reflecting unit 260 and not transmitted to the outside, the light sensing performance of the light receiving device 240 may be significantly improved. On the contrary, the light incident from the outside of the package into the package may be reflected. By reflecting through the light source 260, the light sensing performance of the light receiving device 240 may be remarkably improved since the light is not incident to the inside.

상기 투과부(250)와 상기 반사부(260)는 표면방출발광레이저 패키지의 장시간 사용 또는 진동 등의 극한 환경에서 상기 몸체(210)에서 분리될 수 있는 가능성이 있으며, 상기 투과부(250) 또는 상기 반사부(260)가 이탈되는 경우, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)로부터 방출되는 강한 레이저가 투과부(250)를 경유하지 않고 외부로 직접 조사되어 사용자 등의 시력에 손상을 가할 수 있다.The transmission part 250 and the reflection part 260 may be separated from the body 210 in an extreme environment such as a long time use or vibration of the surface emitting light emitting laser package, and the transmission part 250 or the reflection When the unit 260 is separated, the strong laser emitted from the surface emission laser device 230 may be irradiated directly to the outside without passing through the transmission unit 250 to damage the eyesight of the user or the like.

이에 실시예에서 의하면, 제2 캐비티(C2)(도 5a 참조)에 투과부(250)와 반사부(260)가 배치될 수 있으며, 노출된 제2 기판(212) 상에 접착층(270)이 배치되어 투과부(250) 및 반사부(260)와 제2 기판(212) 간의 결합력을 향상시킬 수 있다.In this embodiment, the transmission part 250 and the reflection part 260 may be disposed in the second cavity C2 (see FIG. 5A), and the adhesive layer 270 is disposed on the exposed second substrate 212. The coupling force between the transmission part 250 and the reflection part 260 and the second substrate 212 may be improved.

상기 접착층(270)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 접착층(270)은 에폭시 계열의 레진 또는 실리콘계 레진을 포함할 수 있으며, 투과부(250) 및 반사부(260)와 제2 기판(212) 간의 결합력을 향상시킴으로써 상기 표면방출발광레이저 소자(230)로부터 방출되는 강한 빛에 의하여 사람이 다치지 않을 수 있는 안정적인 표면방출발광레이저 패키지를 제공할 수 있다.The adhesive layer 270 may include an organic material. For example, the adhesive layer 270 may include an epoxy-based resin or a silicone-based resin, and may improve the bonding force between the transmissive part 250, the reflecting part 260, and the second substrate 212 by the surface emitting light emitting laser. It is possible to provide a stable surface emitting laser package that can be injured by a strong light emitted from the device 230.

실시예에서 투과부(250)는 표면방출발광레이저 소자(230)로부터 발광된 빛의 빔 발산각(divergence angle)을 확장시키는 기능을 할 수 있다. 이를 위해, 상기 투과부(250)는 마이크로 렌즈, 요철 패턴 등을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the transmission part 250 may function to extend a beam divergence angle of light emitted from the surface emission laser device 230. To this end, the transmission part 250 may include a micro lens, an uneven pattern.

또한, 상기 투과부(250)는 무반사(anti-reflective) 기능을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 투과부(250)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 대향되는 일면에 배치된 무반사층(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투과부(250)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 마주보는 하부 면에 배치된 무반사층을 포함할 수 있다. 이를 통해 상기 무반사층은 상기 표면방출발광레이저 소자(230)로부터 입사되는 빛이 상기 투과부(250)의 표면에서 반사되는 것을 방지하고 투과시킴으로써 반사에 의한 광 손실을 개선할 수 있다.In addition, the transmission part 250 may include an anti-reflective function. For example, the transmission part 250 may include an antireflective layer (not shown) disposed on one surface of the surface emitting light emitting laser device 230. For example, the transmission part 250 may include an antireflection layer disposed on a lower surface facing the surface emission laser device 230. Through this, the anti-reflective layer may improve light loss due to reflection by preventing and transmitting the light incident from the surface emission laser device 230 on the surface of the transmission part 250.

상기 무반사층은 예로서 무반사 코팅 필름으로 형성되어 상기 투과부(250)의 표면에 부착될 수 있다. 또한, 상기 무반사층은 상기 투과부(250)의 표면에 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등을 통하여 형성될 수도 있다. 예로서, 상기 무반사층은 TiO2, SiO2, Al2O3, Ta2O3, ZrO2, MgF2를 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The anti-reflective layer may be formed of, for example, an anti-reflective coating film and attached to the surface of the transmission part 250. In addition, the antireflection layer may be formed on the surface of the transmission part 250 by spin coating or spray coating. For example, the antireflective layer may be formed as a single layer or multiple layers including at least one of a group containing TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 3 , ZrO 2 , MgF 2 .

잠시 도 1을 참조하면, 몸체(210)의 x축 방향의 제1 폭이 y축 방향의 제2 폭에 비해서 클 수 있으며, 이를 통해 x축 방향으로 투과부(250)와 반사부(260)를 배치하여 광 확산도의 향상 및 신뢰성을 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(210)의 x축 방향의 제1 폭은 약 3.0mm 내지 5.0mm일 수 있으며, y축 방향의 제2 폭은 약 2.0mm 내지 3.0mm일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 1, the first width in the x-axis direction of the body 210 may be larger than the second width in the y-axis direction, through which the transmission part 250 and the reflection part 260 may be moved in the x-axis direction. Arrangement can improve the light diffusivity and ensure reliability. For example, the first width in the x-axis direction of the body 210 may be about 3.0 mm to 5.0 mm, and the second width in the y-axis direction may be about 2.0 mm to 3.0 mm, but is not limited thereto. .

다시 도 9a를 참조하면, 상기 몸체(210)의 z 축 방향의 두께(T20)는 약 1.0mm 내지 2.0mm로 확보되어 신뢰성이 높으면서도 콤팩트한 발광소자 패키지를 구현할 수 있다.Referring back to FIG. 9A, the thickness T20 of the z-axis direction of the body 210 may be secured to about 1.0 mm to 2.0 mm to implement a highly reliable and compact light emitting device package.

이때 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 y축 방향의 제3 수평 폭(W30)은 약 500㎛ 내지 1,500㎛ 일 수 있다. 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 x축 방향의 수평 폭도 y축 방향의 제3 수평 폭(W30)과 같을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, the third horizontal width W30 in the y-axis direction of the surface emission laser device 230 may be about 500 μm to 1,500 μm. The horizontal width in the x-axis direction of the surface emission laser device 230 may also be the same as the third horizontal width W30 in the y-axis direction, but is not limited thereto.

실시예에서 표면방출발광레이저 소자 칩의 에미터(Emitter) 수에 따라 광출력이 정해지므로 제품에 따라 표면방출발광레이저 소자의 사이즈가 상이할 수 있다. 예를 들어, 최근 모바일(Mobile) 수준에서는 광출력(Radiant Power)은 약 1W ~ 2W 수준의 성능이 필요하므로, 표면방출발광레이저 소자의 사이즈는 약 500x500㎛ ~ 1,500x1500㎛일 수 있다.In the embodiment, since the light output is determined according to the number of emitters of the surface emitting laser device chip, the size of the surface emitting laser device may be different according to a product. For example, at a mobile level, since radiant power requires about 1W to 2W of performance, the size of the surface emitting laser device may be about 500x500 μm to 1,500x1500 μm.

예를 들어, 실시예에서 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)은 500㎛ 내지 1,500㎛일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in the embodiment, the third horizontal width W30 of the surface emitting laser device 230 may be 500 μm to 1,500 μm, but is not limited thereto.

다음으로, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 상면으로부터 상기 투과부(250)까지의 제1 이격거리(D1)는, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 2/75 내지 약 1/5 범위일 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상면으로부터 상기 투과부(250)까지의 제1 이격거리(D1)는 약 40㎛ 내지 100㎛일 수 있다. Next, the first separation distance D1 from the upper surface of the surface emitting light emitting laser element 230 to the transmission part 250 is about the third horizontal width W30 of the surface emitting light emitting laser element 230. It may range from 2/75 to about 1/5. For example, in an exemplary embodiment, the first separation distance D1 from the upper surface of the surface emission laser device 230 to the transmission part 250 may be about 40 μm to 100 μm.

예를 들어, 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 상면으로부터 상기 투과부(250)까지의 제1 이격거리(D1)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 2/75 이상, 예를 들어 제1 와이어(W1) 공정을 고려하여 최소 거리인 약 40㎛ 이상을 확보할 수 있다. 또한 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상면으로부터 상기 투과부(250)까지의 제1 이격거리(D1)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 1/5 이하, 예를 들어 약 100㎛ 이하가 됨으로써 콤팩트한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.For example, the first separation distance D1 from the top surface of the surface emitting light emitting laser device 230 to the transmission part 250 is about the third horizontal width W30 of the surface emitting light emitting laser device 230. 2/75 or more, for example, considering the first wire W1 process, a minimum distance of about 40 μm or more may be secured. In addition, the first separation distance D1 from the upper surface of the surface emitting light emitting laser element 230 to the transmission part 250 is about 1/5 or less of the third horizontal width W30 of the surface emitting light emitting laser element 230. For example, a compact light emitting device package can be provided by being about 100 μm or less.

또한 실시예에서 투과부(250)의 두께(T1)는 표면방출발광레이저 소자(230)에서의 빔 발산각(beam divergence angle)(Θ과 투과부(250)에서의 발산각(Θ2)를 고려하여 약 200㎛ 내지 약 1,000㎛로 설정할 수 있다. Further, in the embodiment, the thickness T1 of the transmission part 250 is about in consideration of the beam divergence angle Θ at the surface emission light emitting laser element 230 and the divergence angle Θ2 at the transmission part 250. 200 μm to about 1,000 μm.

상기 투과부(250)의 두께(T1)는 약 200㎛ 이상으로 제어되어 레이저의 충분한 발산 범위를 확보할 수 있으며, 상기 투과부(250)의 두께(T1)가 200㎛ 미만에서는 제조공정이나 실제 사용시 파손의 우려가 있다. 또한 투과부(250)의 두께(T1)를 1,000㎛ 이하로 설계하여 콤팩트한 표면방출발광레이저 패키지를 구현할 수 있다.The thickness T1 of the transmission part 250 may be controlled to about 200 μm or more to secure a sufficient divergence range of the laser, and when the thickness T1 of the transmission part 250 is less than 200 μm, it may be damaged during the manufacturing process or actual use. There is concern. In addition, it is possible to implement a compact surface emitting light emitting laser package by designing the thickness T1 of the transmitting part 250 to 1,000 μm or less.

실시예에서 표면방출발광레이저 소자(230)에서의 빔 발산각(beam divergence angle)(Θ은 0˚ 이상으로 설계할 수 있다. 예를 들어, 표면방출발광레이저 소자(230)에서 빛이 출사되는 애퍼춰를 2개를 형성한다면 빔 발산각(Θ이 0˚에 가깝게 만들 수도 있다.In an exemplary embodiment, the beam divergence angle Θ of the surface emission laser device 230 may be designed to be greater than or equal to 0 °. For example, light is emitted from the surface emission laser device 230. If two apertures are formed, the beam divergence angle (Θ may be close to 0 °).

또한 실시예에서 투과부(250)의 발산각(Θ2) 범위는 제품을 고려하여 0˚ 초과 내지 160 ˚이내 일 수 있다.In addition, the range of the divergence angle Θ2 of the transmission part 250 in the embodiment may be greater than 0 ° to 160 ° in consideration of the product.

실시예에서 발산각의 측정은 Radiance 측정 또는 Irradiance 측정으로 진행할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the measurement of the divergence angle may be performed as a radiance measurement or an irradiance measurement, but is not limited thereto.

다음으로 실시예는 상기 수광소자(240) 상에 배치되는 반사부(260)를 포함할 수 있다. 이를 통해 실시예는 표면방출발광레이저 소자(230)에서의 빔의 발산(beam divergence) 범위에 투과부(250)가 배치되고, 그 외의 영역에는 반사부(260)가 배치됨으로써 패키지 내부에서 반사, 전반사 되는 빛들을 반사부(260)를 통해 외부로 보내지 않고 내부로 반사시킬 수 있으며, 이와 반대로 패키지 외부에서 패키지 내부로 입사되는 빛들을 반사부(260)를 통해 반사시킴으로써 내부로 입사시키지 않을 수 있다. 이에 따라 실시예는 수광소자(240)에서의 광 감지 성능을 현저히 향상시킴으로써 신뢰성과 안정성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다. Next, the embodiment may include a reflector 260 disposed on the light receiving element 240. Through this, in the embodiment, the transmissive part 250 is disposed in the beam divergence range of the beam in the surface emission laser device 230, and the reflecting part 260 is disposed in the other area, thereby reflecting and total reflection inside the package. The light may be reflected inside without passing through the reflector 260, and conversely, the light incident from the outside of the package into the package may not be incident into the inside by reflecting the light through the reflector 260. Accordingly, the embodiment has a technical effect of providing a surface emitting light emitting laser package and an optical assembly excellent in reliability and stability by significantly improving the light sensing performance in the light receiving device 240.

상기 반사부(260)는 투과부(250)와 달리 패키지 내/외부에서의 빛을 차단하여 내/외부 반사시킬 수 있으며, Al, Ag의 분말 혹은 이들의 합금분말을 포함하는 수지층으로 형성될 수 있다.Unlike the transmissive part 250, the reflective part 260 may block internal / external reflection of light inside / outside the package, and may be formed of a resin layer including Al, Ag powder, or an alloy powder thereof. have.

실시예에서 투과부(250)의 제1 폭(W10)의 범위가 표면방출레이저 소자(230)의 애퍼처와 빔의 발산각(divergence angle)에 맞게 설정되는 경우, 출사광의 투과부(250)에 입사율을 거의 100%수준으로 제어할 수 있으며, 출사광의 반사부(260)로의 입사율은 거의 0% 수준으로 제어할 수 있다.In the embodiment, when the range of the first width W10 of the transmission part 250 is set to match the divergence angle of the aperture of the surface emitting laser element 230 and the beam, The incident rate of the exiting light through the transmission part 250 may be controlled to about 100%, and the incident rate of the exiting light into the reflecting part 260 may be controlled to about 0%.

다음으로 도 9b는 도 9a에 도시된 제1 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지의 다른 실시예의 단면도이다. 9B is a cross-sectional view of another embodiment of the surface emitting light emitting laser package according to the first embodiment shown in FIG. 9A.

실시예에서 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 투과부(250)의 두께(T1)보다 얇게 형성될 수 있다. 이를 통해 투과부(250)에서 출사될 수 있는 발산각을 최대한 넓게 확보하면서도 제2 반사부(262)에서 패키지 내부에서의 반사된 빛들이 수광소자(240)로 최대한 반사되도록 함으로써 광 감지 성능의 신뢰성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.In an exemplary embodiment, the thickness T3 of the second reflector 262 may be thinner than the thickness T1 of the transmissive part 250. This ensures the divergence angle that can be emitted from the transmissive part 250 as wide as possible, while the light reflected from the second reflector 262 in the package is reflected to the light receiving element 240 to maximize the reliability of the light sensing performance. There is a technical effect that can provide excellent surface emitting laser package and optical assembly.

실시예에서 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 상기 투과부(250)의 두께(T1)의 1/10 내지 1/2 범위일 수 있다. 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)가 상기 투과부(250)의 두께(T1)의 1/10 이상으로 확보됨으로써 반사부로서의 기능을 수행할 수 있다. In an exemplary embodiment, the thickness T3 of the second reflector 262 may be in a range of 1/10 to 1/2 of the thickness T1 of the transmission part 250. The thickness T3 of the second reflector 262 may be secured to 1/10 or more of the thickness T1 of the transmissive part 250, thereby performing a function as a reflector.

특히 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)가 상기 투과부(250)의 두께(T1)의 1/2 이하로 형성됨으로써 상기 제2 반사부(262) 상측으로 투과될 수 있는 광의 비율을 높여서 광출력을 향상시킬 수 있다. In particular, since the thickness T3 of the second reflecting portion 262 is formed to be 1/2 or less of the thickness T1 of the transmitting portion 250, the ratio of the light that can be transmitted above the second reflecting portion 262 is determined. Increase the light output.

예를 들어, 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 약 20㎛ 내지 약 500㎛로 설정할 수 있다. 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)가 상기 투과부(250)의 두께(T1)의 1/10 이상, 예를 들어 약 20㎛ 이상으로 확보됨으로써 반사부로서의 기능을 수행할 수 있다. 또한 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)가 상기 투과부(250)의 두께(T1)의 1/2 이하, 예를 들어 500㎛ 이하로 배치됨으로써 상기 제2 반사부(262) 상측으로 투과될 수 있는 광의 비율을 높여서 광출력을 향상시킬 수 있다. For example, the thickness T3 of the second reflector 262 may be set to about 20 μm to about 500 μm. The thickness T3 of the second reflector 262 may be secured to 1/10 or more, for example, about 20 μm or more of the thickness T1 of the transmission part 250, thereby serving as a reflector. In addition, the thickness T3 of the second reflecting portion 262 is disposed to be 1/2 or less, for example, 500 μm or less of the thickness T1 of the transmitting portion 250, so as to be above the second reflecting portion 262. The light output can be improved by increasing the ratio of light that can be transmitted.

다시 도 9a를 참조하면, 상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)은 상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20)에 비해 크게 형성됨으로써 수광소자(240)로 반사되어 수광되는 빛의 양을 늘릴 수 있다. Referring to FIG. 9A again, the first horizontal width W10 of the transmissive part 250 is larger than the second horizontal width W20 of the reflective part 260, thereby being reflected and received by the light receiving element 240. You can increase the amount of light.

상기 반사부(260)는 상기 수광소자(240)와 상하간에 중첩될 수 있으나, 제3 전극부(223) 또는 표면방출발광레이저 소자(230)와는 상하간에 중첩되지 않을 수 있다.The reflector 260 may overlap the light receiving device 240 vertically, but may not overlap the third electrode part 223 or the surface emitting light emitting laser device 230.

예를 들어, 상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)이 상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20)에 비해 크게 형성됨으로써 상기 투과부(250)의 상측 표면에서 전반사 되는 빛도 수광소자(240)에 도달할 가능성을 높여서 광 감지 성능의 신뢰성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있다.For example, since the first horizontal width W10 of the transmission part 250 is formed larger than the second horizontal width W20 of the reflection part 260, the light totally reflected on the upper surface of the transmission part 250 may also be used. By increasing the possibility of reaching the light receiving device 240, it is possible to provide a surface emitting light emitting laser package and an optical assembly having excellent reliability of light sensing performance.

실시예에서 상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)은 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 18/15배 내지 6배 범위일 수 있다. 예를 들어, 상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)은 약 1,800㎛ 내지 3,000㎛일 수 있다. 이때 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)은 500㎛ 내지 1,500㎛일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the first horizontal width W10 of the transmission part 250 may range from 18/15 times to 6 times of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230. For example, the first horizontal width W10 of the transmission part 250 may be about 1,800㎛ to 3,000㎛. In this case, the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230 may be 500 μm to 1,500 μm, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)이 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 18/15배 이상, 예를 들어 약 1,800㎛ 이상으로 형성됨으로써 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 발산각(divergence angle)보다 넓게 확보될 수 있다. In an exemplary embodiment, the first horizontal width W10 of the transmission part 250 is formed to be 18/15 times or more, for example, about 1,800 μm or more of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230. As a result, it may be secured to be wider than the divergence angle of the surface emission laser device 230.

또한 실시예에서 상기 투과부(250)의 제1 수평 폭(W10)이 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 6배 이하, 예를 들어 약 3,000㎛ 이하로 형성됨으로써 반사부(260)의 영역을 확보하여 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발산된 레이저가 패키지 내부에서 반사되는 빛을 수광소자(240)가 감지하도록 함으로써 감지된 빛의 양을 변화 정도를 측정하여 투과부(250)의 탈착여부를 더욱 정밀하게 제어할 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment, the first horizontal width W10 of the transmission part 250 is formed to be 6 times or less, for example, about 3,000 μm or less of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230. By measuring the degree of change in the amount of light detected by securing the area of the reflector 260 to allow the light receiving device 240 to detect the light emitted from the surface emitting light emitting laser device 230 reflected inside the package Whether or not the transmission unit 250 is detached can be controlled more precisely.

또한 실시예에서 상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20)은 상기 수광소자(240)의 수평 폭의 16/15배 내지 4배 범위일 수 있다. 예를 들어, 상기 상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20) 약 1,600㎛ 내지 2,000㎛일 수 있으며, 상기 수광소자(240)의 수평 폭은 약 500㎛ 내지 1,500㎛일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the embodiment, the second horizontal width W20 of the reflector 260 may be in the range of 16/15 times to 4 times the horizontal width of the light receiving element 240. For example, the second horizontal width W20 of the reflector 260 may be about 1,600 μm to 2,000 μm, and the horizontal width of the light receiving device 240 may be about 500 μm to 1,500 μm, but the present invention is not limited thereto. It doesn't happen.

이에 따라 상기 투과부(250)와 반사부(260)를 포함하는 확산부의 수평 폭은 약 3,400㎛ 내지 5,000㎛일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Accordingly, the horizontal width of the diffusion part including the transmission part 250 and the reflection part 260 may be about 3,400 μm to 5,000 μm, but is not limited thereto.

예를 들어, 실시예에서 상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20)이 상기 수광소자(240)의 수평 폭의 16/15배 이상, 예를 들어 약 1,600㎛ 이상으로 형성됨으로써 반사부(260)의 영역을 확보하여 레이저가 패키지 내부에서 반사되는 빛을 수광소자(240)가 감지하도록 함으로써 감지된 빛의 양을 변화 정도를 측정하여 투과부(250)의 탈착여부를 더욱 정밀하게 제어할 수 있다.For example, in the exemplary embodiment, the second horizontal width W20 of the reflector 260 is formed to be 16/15 times or more, for example, about 1,600 μm or more of the horizontal width of the light receiving element 240. By securing the area of 260 to allow the light receiving element 240 to detect the light reflected from the inside of the package, it is possible to more precisely control the detachment of the transmission unit 250 by measuring the degree of change in the amount of detected light. Can be.

또한 실시예에서 상기 반사부(260)의 제2 수평 폭(W20)이 상기 수광소자(240)의 수평 폭의 4배 이하, 예를 들어 약 2,000㎛ 이하로 형성됨으로써 상기 반사부(260)가 상기 표면방출레이저 소자(230)의 발산각(divergence angle)과 중첩되지 않도록 할 수 있다.In addition, in the embodiment, the second horizontal width W20 of the reflector 260 is formed to be 4 times or less, for example, about 2,000 μm or less of the horizontal width of the light receiving element 240, so that the reflector 260 is formed. The surface emitting laser device 230 may not overlap with a divergence angle.

다시 도 9b를 참조하면, 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 1/75 내지 약 1배 범위로 설정할 수 있다. 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)가 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 1/75 이상으로 형성되어 반사부 기능을 함과 아울러 투과될 수 있는 레이저의 비율을 향상시킬 수 있다. Referring back to FIG. 9B, the thickness T3 of the second reflecting portion 262 may be set in a range of about 1/75 to about 1 times the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230. Can be. The thickness T3 of the second reflector 262 may be formed to be about 1/75 or more of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230 to function as a reflector and to be transmitted. The ratio of the laser can be improved.

또한 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)가 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 1배 이하로 형성되어 반사부 기능을 함과 제2 반사부(262)의 두께를 얇게 제어하여 광출력을 향상시킬 수 있다. In addition, the thickness T3 of the second reflector 262 is formed to be about 1 times or less than the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230 to function as a reflector and a second reflector. The thickness of 262 can be controlled to be thin to improve the light output.

예를 들어, 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 약 20㎛ 내지 약 500㎛로 설정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 1/75 이상, 예를 들어 약 20㎛ 이상으로 형성되어 반사부 기능을 함과 아울러 투과될 수 있는 레이저의 비율을 향상시킬 수 있다.For example, the thickness T3 of the second reflector 262 may be set to about 20 μm to about 500 μm. For example, the thickness T3 of the second reflector 262 may be about 1/75 or more, for example, about 20 μm or more of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230. It can be formed to function as a reflector and to improve the ratio of the laser can be transmitted.

또한 상기 제2 반사부(262)의 두께(T3)는 상기 표면방출발광레이저 소자(230)의 제3 수평 폭(W30)의 약 1배 이하, 예를 들어 약 500㎛로 형성되어 반사부 기능을 함과 제2 반사부(262)의 두께를 얇게 제어하여 광출력을 향상시킬 수 있다. In addition, the thickness T3 of the second reflector 262 is formed to be about 1 times or less, for example, about 500 μm of the third horizontal width W30 of the surface emission laser device 230, thereby reflecting the function of the reflector. And lightly control the thickness of the second reflector 262 to improve the light output.

(제2 실시예)(2nd Example)

도 10a는 제2 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(202)의 평면도이며, 도 10b는 도 10a에 도시된 제2 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(202)에서 제2 투과부(252)와 제3 반사부(263)가 생략된 도면이다.FIG. 10A is a plan view of the surface emitting light emitting laser package 202 according to the second embodiment, and FIG. 10B is a second transmission portion 252 in the surface emitting light emitting laser package 202 according to the second embodiment shown in FIG. 10A. And the third reflector 263 are omitted.

제2 실시예는 제1 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The second embodiment may employ the technical features of the first embodiment, and will be described below with reference to the main features of the second embodiment.

도 10a와 도 10b를 참조하면, 제2 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지(202)는 캐비티(C)를 포함하는 몸체(210)와, 상기 캐비티(C) 내에 상호 이격되어 배치되는 제5 전극부(225), 제6 전극부(226)와, 상기 제5 전극부(225) 상에 배치되며 상기 제6 전극부(226)와 제3 와이어(W3)에 의해 전기적으로 연결되는 표면방출발광레이저 소자(230)와, 상기 캐비티(C) 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자(230)와 이격되어 상기 제6 전극부(226) 상에 배치되어 상기 표면방출발광레이저 소자(230)에서 발광된 빛을 감지하는 제2 수광소자(232)와, 상기 표면방출발광레이저 소자(230) 상의 상기 몸체(210) 상에 배치되는 제2 투과부(252) 및 상기 제2 수광소자(232) 상에 배치되는 제3 반사부(263)를 포함할 수 있다. 상기 제2 투과부(252)와 상기 제3 반사부(263)는 확산부로 칭해질 수 있다.10A and 10B, the surface emitting light emitting laser package 202 according to the second embodiment may include a body 210 including a cavity C, and a fifth spaced apart from each other in the cavity C. Surface emission disposed on the electrode part 225, the sixth electrode part 226, and the fifth electrode part 225 and electrically connected by the sixth electrode part 226 and the third wire W3. The light emitting laser device 230 and the cavity C are spaced apart from the surface emitting light emitting laser device 230 and disposed on the sixth electrode part 226 to emit light from the surface emitting light emitting laser device 230. On the second light receiving element 232 for detecting the light, the second transmission portion 252 and the second light receiving element 232 disposed on the body 210 on the surface emitting light emitting laser element 230 It may include a third reflector 263 disposed. The second transmission part 252 and the third reflection part 263 may be referred to as diffusion parts.

상기 제2 수광소자(232)는 제4 와이어(W4)에 의해 상기 제5 전극부(225)와 전기적으로 연결되어 역방향 바이어스 전압이 인가될 수 있다. The second light receiving element 232 may be electrically connected to the fifth electrode part 225 by a fourth wire W4 to apply a reverse bias voltage.

제2 실시예에 의하면, 표면방출발광레이저 소자(230)와 전기적으로 연결되는 제6 전극부(226) 상에 제2 수광소자(232)를 배치하여 제2 수광소자(232)에서 광 감지기능을 수행하게 하고, 상기 제2 수광소자(232) 상에 제3 반사부(263)가 배치됨으로써 고 성능의 광 감지 성능을 구현함과 아울러 콤팩트 한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있다.According to the second embodiment, the second light receiving element 232 is disposed on the sixth electrode part 226 electrically connected to the surface emitting light emitting laser element 230 to detect the light in the second light receiving element 232. The third reflector 263 is disposed on the second light receiving element 232 to provide a high performance light sensing performance and to provide a compact surface emitting laser package and an optical module. have.

또한 도 10a를 참조하면, 제2 실시예에서 제1 축 방향으로의 상기 제2 투과부(252)의 제1 수평 폭(W10)은 상기 제1 축 방향으로의 상기 제3 반사부(263)의 제2 수평 폭(W20)에 비해 크게 형성되어 제2 수광소자(232)로 수광되는 빛의 양을 늘릴 수 있다. Also, referring to FIG. 10A, in the second embodiment, the first horizontal width W10 of the second transmission portion 252 in the first axial direction is equal to that of the third reflection portion 263 in the first axial direction. It is formed larger than the second horizontal width (W20) can increase the amount of light received by the second light receiving element (232).

예를 들어, 상기 제2 투과부(252)의 제1 수평 폭(W10)이 상기 제3 반사부(263)의 제2 수평 폭(W20)에 비해 크게 형성됨으로써 상기 제2 투과부(252)의 상측 표면에서 전반사되는 빛도 제2 수광소자(232)에 도달할 가능성을 높여서 광 감지 성능의 신뢰성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있다.For example, the first horizontal width W10 of the second transmission portion 252 is formed larger than the second horizontal width W20 of the third reflection portion 263, so that the upper side of the second transmission portion 252 is higher. It is possible to provide a surface emitting light emitting laser package and an optical assembly having excellent reliability of light sensing performance by increasing the likelihood that light totally reflected from the surface reaches the second light receiving device 232.

또한 도 9b에서와 같이, 제2 실시예에서 상기 제3 반사부(263)의 두께는 상기 제2 투과부(252)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. 이를 통해 제2 투과부(252)에서 출사될 수 있는 발산각을 최대한 넓게 확보하면서도 제3 반사부(263)에서 패키지 내부에서의 반사된 빛들이 제2 수광소자(232)로 최대한 반사되도록 함으로써 광 감지 성능의 신뢰성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 어셈블리를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, as shown in FIG. 9B, in the second embodiment, the thickness of the third reflector 263 may be thinner than the thickness of the second transmissive part 252. This ensures the divergence angle that can be emitted from the second transmission unit 252 as wide as possible, while the light reflected by the third reflection unit 263 reflected inside the package to the second light receiving element 232 as possible to detect the light There is a technical effect that can provide a surface emitting light emitting laser package and an optical assembly with excellent reliability of performance.

실시예에 의하면 신뢰성과 안정성이 우수한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the embodiment there is a technical effect that can provide a surface emitting light emitting laser package and an optical module excellent in reliability and stability.

또한, 실시예에 의하면, 고출력, 고전압 구동이 가능하면서도 콤팩트 한 표면방출발광레이저 패키지 및 광 모듈을 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, it is possible to provide a compact surface emitting light emitting laser package and an optical module capable of high power and high voltage driving.

이상에서 설명된 바와 같이 실시 예에 따른 표면방출발광레이저 패키지는 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자(VCSEL)를 포함할 수 있다.As described above, the surface emitting laser package according to the embodiment may include a vertical cavity surface emitting laser semiconductor device (VCSEL).

수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 전기신호를 광신호로 변환할 수 있다. 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 일반적인 측면 발광레이저(LD)와 다르게, 원형의 레이저 빔이 기판 표면에서 수직으로 방출될 수 있다. 따라서, 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 수광 소자나 광섬유 등에 연결이 쉬우며 2차원 배열이 용이하여 병렬신호처리가 가능한 장점이 있다. 또한, 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 소자의 소형화로 고밀도 집적이 가능하며, 전력소비가 작고, 제작공정이 간단하며, 내열성이 좋은 장점이 있다.The vertical cavity surface emitting laser semiconductor device can convert an electrical signal into an optical signal. In the vertical cavity surface emitting laser semiconductor device, unlike a general side emitting laser LD, a circular laser beam may be emitted vertically from the substrate surface. Accordingly, the vertical cavity surface emitting laser semiconductor device has an advantage in that it is easy to connect to a light receiving device or an optical fiber and the two-dimensional array can be easily processed in parallel. In addition, the vertical cavity surface-emitting laser semiconductor device has the advantages of high density integration due to the miniaturization of the device, small power consumption, simple manufacturing process, and good heat resistance.

수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자의 응용 분야로는, 디지털 미디어 부문으로 레이저 프린터, 레이저 마우스, DVI, HDMI, 고속 PCB, 홈 네트워크 등에 응용될 수 있다. 또한, 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 자동차 내 멀티미디어 네트워크, 안전 센서 등의 자동자 분야에 응용될 수 있다. 또한, 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 Gigabit Ethernet, SAN, SONET, VSR 등의 정보통신분야에도 응용될 수 있다. 또한, 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 엔코더, 가스 센서 등의 센서 분야에도 응용될 수 있다. 또한, 수직 캐비티 표면 방출 레이저 반도체소자는 혈당측정기, 피부 관리용 레이저 등의 의료 및 바이오 분야에도 응용될 수 있다.Applications of vertical cavity surface emitting laser semiconductor devices include digital printers, laser printers, laser mice, DVI, HDMI, high-speed PCBs, and home networks. In addition, the vertical cavity surface emitting laser semiconductor device may be applied to automotive applications such as multimedia networks and safety sensors in automobiles. In addition, the vertical cavity surface emitting laser semiconductor device may be applied to information communication fields such as Gigabit Ethernet, SAN, SONET, and VSR. In addition, the vertical cavity surface emitting laser semiconductor device may be applied to sensor fields such as encoders and gas sensors. In addition, the vertical cavity surface emitting laser semiconductor device can be applied to medical and biotechnology such as blood glucose meter, laser for skin care.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 표면방출발광레이저 패키지는 근접 센서, 자동 초점 장치 등에 적용될 수 있다. 상기 자동 초점 장치는 이동 단말기, 카메라, 차량용 센서, 광 통신용 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 상기 자동 초점 장치는 피사체의 위치를 검출하는 멀티 위치 검출을 위한 다양한 분야에 적용될 수 있다.On the other hand, the surface emitting light emitting laser package according to the embodiment described above may be applied to a proximity sensor, an auto focusing device, and the like. The auto focus device may be variously applied to a mobile terminal, a camera, a vehicle sensor, and an optical communication device. The auto focus apparatus may be applied to various fields for multi-position detection for detecting the position of a subject.

(광 어셈블리)(Optical assembly)

도 11은 실시예에 따른 표면방출발광레이저 패키지를 포함하는 광 어셈블리, 예를 들어 자동 초점 장치가 적용된 이동 단말기(1500)의 사시도이다.11 is a perspective view of a light assembly including a surface emitting light emitting laser package according to an embodiment, for example, a mobile terminal 1500 to which an autofocus device is applied.

도 11에 도시된 바와 같이, 실시예의 이동 단말기(1500)는 후면에 제공된 카메라 모듈(1520), 플래쉬 모듈(1530), 자동 초점 장치(1510)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 자동 초점 장치(1510)는 발광부로서 도 1 내지 도 10b을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 표면방출발광레이저 패키지 중의 하나를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 11, the mobile terminal 1500 of the embodiment may include a camera module 1520, a flash module 1530, and an auto focusing device 1510 provided at a rear surface thereof. Here, the auto focus device 1510 may include one of the surface emitting light emitting laser packages according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10B as a light emitting unit.

상기 플래쉬 모듈(1530)은 내부에 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 상기 플래쉬 모듈(1530)은 이동 단말기의 카메라 작동 또는 사용자의 제어에 의해 작동될 수 있다. The flash module 1530 may include a light emitting device that emits light therein. The flash module 1530 may be operated by camera operation of a mobile terminal or control of a user.

상기 카메라 모듈(1520)은 이미지 촬영 기능 및 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 카메라 모듈(1520)은 이미지를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다.The camera module 1520 may include an image capturing function and an auto focus function. For example, the camera module 1520 may include an auto focus function using an image.

상기 자동 초점 장치(1510)는 레이저를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 상기 자동 초점 장치(1510)는 상기 카메라 모듈(1520)의 이미지를 이용한 자동 초점 기능이 저하되는 조건, 예컨대 10m 이하의 근접 또는 어두운 환경에서 주로 사용될 수 있다. 상기 자동 초점 장치(1510)는 수직 캐비티 표면 방출 레이저(VCSEL) 반도체소자를 포함하는 발광부와, 포토 다이오드와 같은 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 수광부를 포함할 수 있다.The auto focus device 1510 may include an auto focus function using a laser. The auto focus device 1510 may be mainly used in a condition in which the auto focus function using the image of the camera module 1520 is degraded, for example, in a proximity or dark environment of 10 m or less. The auto focus device 1510 may include a light emitting unit including a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) semiconductor device, and a light receiving unit converting light energy such as a photodiode into electrical energy.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, but are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to this combination and modification are included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made with reference to the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the embodiments, and those of ordinary skill in the art to which the embodiments pertain may have various examples that are not illustrated above without departing from the essential characteristics of the embodiments. It will be appreciated that eggplant modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

몸체(210), 표면방출발광레이저 소자(230), 수광소자(240), 투과부(250), 반사부(260),
제1 전극부(221), 제2 전극부(222), 제3 전극부(223), 제4 전극부(224)
Body 210, surface emitting light emitting laser element 230, light receiving element 240, transmission portion 250, reflecting portion 260,
The first electrode part 221, the second electrode part 222, the third electrode part 223, and the fourth electrode part 224.

Claims (12)

캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 내부에 배치되는 표면방출발광레이저 소자;
상기 캐비티 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자와 이격되어 배치되며, 상기 표면방출발광레이저 소자에서 발광된 빛을 감지하는 수광소자; 및
상기 몸체 상에 배치되어 투과부 및 반사부를 포함하는 확산부를 포함하며,
상기 투과부는 상기 표면방출발광레이저 소자 상에 배치되고,
상기 반사부는 상기 수광소자 상에 배치되며,
상기 반사부의 제2 폭은 상기 투과부의 제1 폭보다 좁으며,
상기 반사부는 상기 표면방출레이저 소자의 발산각(divergence angle)과 중첩되지 않는 표면방출발광레이저 패키지.
A body including a cavity;
A surface emitting light emitting laser element disposed in the cavity;
A light receiving device disposed in the cavity and spaced apart from the surface emitting light emitting laser device, and configured to sense light emitted from the surface emitting light emitting laser device; And
A diffusion part disposed on the body and including a transmission part and a reflection part,
The transmission portion is disposed on the surface emitting light emitting laser element,
The reflector is disposed on the light receiving element,
The second width of the reflecting portion is narrower than the first width of the transmitting portion,
And the reflecting portion does not overlap a divergence angle of the surface emitting laser device.
제1 항에 있어서,
상기 표면방출발광레이저 소자가 배치되는 제1 전극부;
상기 수광소자가 배치되는 제2 전극부;
상기 표면방출발광레이저 소자와 제1 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 제3 전극부; 및
상기 수광소자와 제2 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 제4 전극부를 포함하는 표면방출발광레이저 패키지.
According to claim 1,
A first electrode part on which the surface emission laser device is disposed;
A second electrode part on which the light receiving element is disposed;
A third electrode part electrically connected to the surface emitting laser element by a first wire; And
And a fourth electrode part electrically connected by the light receiving element and the second wire.
제1 항에 있어서,
상기 표면방출발광레이저 소자의 상면으로부터 상기 투과부까지의 제1 이격거리는, 상기 표면방출발광레이저 소자의 제3 수평 폭의 2/75 내지 1/5 범위인 표면방출발광레이저 패키지.
According to claim 1,
And a first separation distance from an upper surface of the surface emitting light emitting laser device to the transmission portion is in a range of 2/75 to 1/5 of a third horizontal width of the surface emitting light emitting laser device.
제1 항에 있어서,
상기 투과부의 제1 수평 폭은
상기 표면방출발광레이저 소자의 제3 수평 폭의 18/15배 내지 6배 범위인 표면방출발광레이저 패키지.
According to claim 1,
The first horizontal width of the transmission portion
And a surface emitting light emitting laser package in a range of 18/15 to 6 times the third horizontal width of the surface emitting light emitting laser device.
제1 항에 있어서,
상기 반사부의 제2 수평 폭은
상기 수광소자의 수평 폭의 16/15배 내지 4배 범위인 표면방출발광레이저 패키지.
According to claim 1,
The second horizontal width of the reflector
And a surface emitting light emitting laser package ranging from 16/15 times to 4 times the horizontal width of the light receiving element.
제1 항에 있어서,
상기 반사부의 두께는 상기 투과부의 두께보다 얇은 표면방출발광레이저 패키지.
According to claim 1,
The surface emission light emitting laser package of which the thickness of the reflecting portion is thinner than the thickness of the transmitting portion.
제6 항에 있어서,
상기 반사부의 두께는,
상기 투과부의 두께의 1/10 내지 1/2 범위인 표면방출발광레이저 패키지.
The method of claim 6,
The thickness of the reflector,
The surface-emitting light emitting laser package of 1/10 to 1/2 of the thickness of the transmission portion.
제6 항에 있어서,
상기 반사부의 두께는,
상기 표면방출발광레이저 소자의 제3 수평 폭의 1/75 내지 1배 범위인 표면방출발광레이저 패키지.
The method of claim 6,
The thickness of the reflector,
The surface-emitting light emitting laser package of 1/75 to 1 times the third horizontal width of the surface-emitting light emitting laser device.
캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 내에 상호 이격되어 배치되는 제5 전극부와 제6 전극부;
상기 제5 전극부 상에 배치되며 상기 제6 전극부와 제3 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 표면방출발광레이저 소자;
상기 캐비티 내부에 상기 표면방출발광레이저 소자와 이격되어 상기 제6 전극부 상에 배치되어 상기 표면방출발광레이저 소자에서 발광된 빛을 감지하는 제2 수광소자; 및
상기 몸체 상에 배치되어 제2 투과부 및 제3 반사부를 포함하는 확산부를; 포함하며,
상기 제2 투과부는 상기 표면방출발광레이저 소자 상에 배치되고,
상기 제3 반사부는 상기 제2 수광소자 상에 배치되며,
상기 제3 반사부는 상기 표면방출레이저 소자의 발산각(divergence angle)과 중첩되지 않는 표면방출발광레이저 패키지.
A body including a cavity;
A fifth electrode part and a sixth electrode part spaced apart from each other in the cavity;
A surface emission laser device disposed on the fifth electrode part and electrically connected to the sixth electrode part by a third wire;
A second light receiving element spaced apart from the surface emitting light emitting laser element in the cavity and disposed on the sixth electrode part to sense light emitted from the surface emitting light emitting laser element; And
A diffusion part disposed on the body and including a second transmission part and a third reflection part; Include,
The second transmission portion is disposed on the surface emitting light emitting device,
The third reflector is disposed on the second light receiving element,
And the third reflecting portion does not overlap a divergence angle of the surface emitting laser device.
제9 항에 있어서,
제1 축 방향으로의 상기 제2 투과부의 제1 수평 폭은
상기 제1 축 방향으로의 상기 제3 반사부의 제2 수평 폭에 비해 큰 표면방출발광레이저 패키지.
The method of claim 9,
The first horizontal width of the second transmission portion in the first axial direction is
And a surface emitting light emitting laser package larger than a second horizontal width of the third reflecting portion in the first axial direction.
제9 항에 있어서,
상기 제3 반사부의 두께는 상기 제2 투과부의 두께보다 얇은 표면방출발광레이저 패키지.
The method of claim 9,
And a thickness of the third reflecting portion is thinner than a thickness of the second transmitting portion.
제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 의한 표면방출발광레이저 패키지를 포함하는 광 모듈.An optical module comprising the surface emitting light emitting laser package according to any one of claims 1 to 11.
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