KR20190129256A - 이미지 센싱 장치 - Google Patents
이미지 센싱 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190129256A KR20190129256A KR1020180053618A KR20180053618A KR20190129256A KR 20190129256 A KR20190129256 A KR 20190129256A KR 1020180053618 A KR1020180053618 A KR 1020180053618A KR 20180053618 A KR20180053618 A KR 20180053618A KR 20190129256 A KR20190129256 A KR 20190129256A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dummy
- light amount
- amount control
- control pattern
- size
- Prior art date
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/61—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise the noise originating only from the lens unit, e.g. flare, shading, vignetting or "cos4"
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 기술은 노출 시간(integration time)을 가변시키지 않고서도 서로 다른 노출 시간에 대한 테스트를 수행할 수 있는 이미지 센싱 장치를 개시한다. 본 기술의 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 액티브 픽셀 영역; 상기 액티브 픽셀 영역의 외곽에 위치하며, 복수의 더미 픽셀들을 포함하는 더미 픽셀 영역; 및 상기 복수의 더미 픽셀들 각각에 서로 다른 양의 광이 입사되도록 하는 광량 조절 패턴을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 이미지 센싱 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노출 시간(integration time)을 가변시키지 않고서도 서로 다른 노출 시간에 대한 테스트를 수행할 수 있는 이미지 센싱 장치에 관한 것이다.
이미지 센싱 장치는 빛에 반응하는 반도체의 성질을 이용하여 이미지를 캡쳐(capture)하는 소자이다. 최근 들어, 컴퓨터 산업과 통신산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라, 로봇 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대되고 있다.
이미지 센싱 장치는 크게 CCD(Charge Coupled Device)를 이용한 이미지 센싱 장치와, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)를 이용한 이미지 센싱 장치로 구분될 수 있다. 최근에는 아날로그 및 디지털 제어회로를 하나의 집적회로(IC) 위에 직접 구현할 수 있는 장점으로 인하여 CMOS를 이용한 이미지 센싱 장치가 많이 이용되고 있다.
본 발명의 실시예는 노출 시간(integration time)을 가변시키지 않고서도 한 번에 서로 다른 노출 시간들에 대한 테스트를 동시에 수행할 수 있는 이미지 센싱 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 액티브 픽셀 영역; 상기 액티브 픽셀 영역의 외곽에 위치하며, 복수의 더미 픽셀들을 포함하는 더미 픽셀 영역; 및 상기 복수의 더미 픽셀들 각각에 서로 다른 양의 광이 입사되도록 하는 광량 조절 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 액티브 픽셀 영역 및 서로 다른 양의 광이 입사되는 복수의 더미 픽셀들을 포함하는 더미 픽셀 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재들로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예는 한 번의 노출만으로 서로 다른 노출 시간들에 대한 테스트가 가능하여 테스트 시간 및 테스트 횟수를 크게 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이미지 센싱 장치의 구조를 예시적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 픽셀 영역에 형성된 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 3a 및 도 3b는 도 1에서 더미 로우 라인들을 따라 배열된 더미 픽셀들을 A-A'를 따라 절단한 단면 모습들을 예시적으로 보여주는 단면도들.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 10a는 더미 픽셀들이 더미 로우 라인들(D_Row 1, D_Row 2)을 따라 배열된 모습을 보여주는 평면도.
도 10b 및 도 10c는 도 10a에서 더미 로우 라인들을 따라 배열된 더미 픽셀들을 B-B'를 따라 절단한 단면의 모습들을 예시적으로 보여주는 단면도들.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 더미 픽셀 영역에 형성된 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 3a 및 도 3b는 도 1에서 더미 로우 라인들을 따라 배열된 더미 픽셀들을 A-A'를 따라 절단한 단면 모습들을 예시적으로 보여주는 단면도들.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면.
도 10a는 더미 픽셀들이 더미 로우 라인들(D_Row 1, D_Row 2)을 따라 배열된 모습을 보여주는 평면도.
도 10b 및 도 10c는 도 10a에서 더미 로우 라인들을 따라 배열된 더미 픽셀들을 B-B'를 따라 절단한 단면의 모습들을 예시적으로 보여주는 단면도들.
이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치의 구조를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 이미지 센싱 장치(100)는 액티브 픽셀 영역(110) 및 더미 픽셀 영역(120)을 포함할 수 있다.
액티브 픽셀 영역(110)은 제 1 내지 제 X 컬럼(Col 1 ~ Col X)과 제 1 내지 제 Y 로우(Row 1 ~ Row Y)로 2차원적으로 배열된 XㅧY 개의 액티브 픽셀들{P(1,1) ~ P(X,Y)}을 포함한다. 액티브 픽셀들{P(1,1) ~ P(X,Y)}은 입사광에 의해 발생된 전기적 신호(픽셀 신호)를 출력한다. 액티브 픽셀 영역(110)은 로우별로 픽셀 신호들을 순차적으로 리드아웃할 수 있다. 예컨대, 액티브 픽셀 영역(110)은 제 1 로우 선택 시간 동안 제 1 로우(Row 1)에 배열된 제 1 내지 제 X 액티브 픽셀들{P(1,1) ~ P(X,1)}로부터 제 1 내지 제 X 픽셀 신호들을 제 1 내지 제 X 컬럼 라인들(Col 1 ~ Col X)을 통해 동시에 리드아웃할 수 있고, 제 2 로우 선택 시간 동안 제 2 로우(Row 2)에 배열된 제 1 내지 제 X 액티브 픽셀들{P(1,2) ~ P(X,2)}로부터 제 1 내지 제 X 픽셀 신호들을 제 1 내지 제 X 컬럼 라인들(Col 1 ~ Col X)을 통해 동시에 리드아웃할 수 있다. 이와 같은 방법으로, 제 1 로우(Row 1)에서부터 제 Y 로우(Row Y)까지, 각 로우에 배열된 제 1 내지 제 X 액티브 픽셀들의 픽셀 신호들이 리드아웃될 수 있다.
여기서, 각각의 픽셀 신호는 리셋 신호와 데이터 신호를 포함할 수 있으며, 리셋 신호가 픽셀 신호로써 먼저 리드 아웃된 다음 데이터 신호가 픽셀 신호로써 리드 아웃될 수 있다.
더미 픽셀 영역(120)은 액티브 픽셀 영역(110)의 외곽에 위치하며, 복수의 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(X,2)}을 포함한다. 예컨대, 더미 픽셀 영역(120)은 액티브 픽셀 영역(110)의 일측 외곽에 위치하며, 적어도 하나(도 1의 실시예에서 2개)의 더미 로우 라인들(D_Row 1, D_Row 2)에 배열된 제 1 내지 제 X 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(X,1), DP(1,2) ~ DP(X,2)}을 포함할 수 있다. 제 1 내지 제 X 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(X,1), DP(1,2) ~ DP(X,2)}은 액티브 픽셀 영역(110)에 연결된 제 1 내지 제 X 컬럼 라인들(Col 1 ~ Col X)에 각각 연결될 수 있다.
도 1에서는 더미 픽셀 영역(120)이 액티브 픽셀 영역(110)의 일측 외곽에만 형성되는 경우를 도시하고 있으나, 더미 픽셀 영역(120)은 액티브 픽셀 영역(110)을 둘러싸도록 액티브 픽셀 영역(110)의 외곽에 형성될 수 있다. 또한, 더미 픽셀 영역(120)은 액티브 픽셀 영역(110)과 옵티컬 블랙(Optical Black) 영역(미도시) 사이에 위치할 수 있다.
특히, 본 실시예에서의 더미 픽셀 영역(120)은 더미 픽셀 별로 입사되는 광량이 서로 다르게 조절된 복수의 더미 픽셀들을 포함할 수 있다. 이때, 복수의 더미 픽셀들 각각에 입사되는 광량은 더미 픽셀들의 상부에 더미 픽셀 별로 서로 다른 크기의 오픈 영역을 갖는 광량 조절 패턴(차광 마스크)을 형성함으로써 조절될 수 있다. 또는 복수의 더미 픽셀들 각각에 입사되는 광량은 각 더미 픽셀의 포토다이오드(더미 포토다이오드)의 크기를 달리함으로써 조절될 수 있다. 이러한 광량 조절 패턴에 대해서는 상세하게 후술된다.
도 1에서는 편의상 액티브 픽셀들{P(1,1) ~ P(X,Y)}과 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(X,2)}을 사각 형상으로 표시하였으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면이며, 도 3a 및 도 3b는 도 1에서 A-A'를 따라 절단한 더미 픽셀들의 단면 모습들을 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 광량 조절 패턴은 제 1 더미 로우 라인(D_Row 1)에 연결된 복수의 제 1 내지 제 N 더미 픽셀들{예컨대, DP(1,1) ~ DP(N,1), N ≤ X}에 형성될 수 있다. 이때, 제 1 내지 제 N 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}은 각각 광량 조절 패턴에 의해 서로 다른 크기(면적)의 오픈 영역을 갖는다. 이때, 오픈 영역은 차광 마스크인 광량 조절 패턴에 의해 광의 입사가 차단된 영역(차광 영역)에 의해 정의된다. 즉, 오픈 영역은 제 1 내지 제 N 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}의 광 입사면에서 광량 조절 패턴에 의해 차폐되지 않은 영역으로, 해당 더미 픽셀들에서는 오픈 영역으로만 광이 입사되고 광량 조절 패턴이 형성된 영역(차광 영역)으로는 광의 입사가 차단된다.
이러한 광량 조절 패턴은 차광 마스크인 텅스텐 그리드 마스크(tungsten grid mask)로 형성될 수 있다. 광량 조절 패턴은 도 3a에서와 같이, 컬러 필터(CF)와 마이크로 렌즈(ML) 사이에 형성되거나, 도 3b에서와 같이, 더미 포토다이오드(DPD 1 ~ DPD N)와 컬러 필터(CF) 사이에 형성될 수 있다.
제 1 내지 제 N 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}의 오픈 영역들은 그 크기가 선형적으로 순차적으로 증가하는 형태로 형성된다. 예컨대, 제 1 더미 픽셀{DP(1,1)}은 픽셀 전체가 광량 조절 패턴에 의해 차폐되어 광이 더미 포토다이오드(DPD 1)에 전혀 입사되지 않도록 형성될 수 있다. 그리고, 제 2 더미 픽셀{DP(2,1)}은 중앙부의 일부 영역이 정사각(square) 형상으로 오픈되어 광이 해당 오픈 영역을 통해서만 더미 포토다이오드(DPD 2)에 입사되도록 형성될 수 있다. 이때, 제 2 더미 픽셀{DP(2,1)}의 오픈 영역의 크기는 테스트의 목적에 따라 임의의 크기로 결정될 수 있다. 제 3 더미 픽셀{DP(3,1)}은 제 2 더미 픽셀{DP(2,1)} 보다 큰 정사각 형상으로 중앙부가 오픈된다. 제 3 더미 픽셀{DP(3,1)}의 오픈 영역의 크기는 제 2 더미 픽셀{DP(2,1)}의 오픈 영역의 크기의 2배가 될 수 있다. 이와 같이, 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}의 중앙부에 형성되는 오픈 영역들은 그 크기가 제 1 방향(도 2에서는 오른쪽 방향)을 따라 점차 일정 비율로 증가하는 패턴으로 형성된다.
도 2에서는 광량 조절 패턴이 제 1 더미 로우 라인(D_Row 1)을 따라 배열된 복수의 더미 픽셀들에 형성되는 경우만을 예시적으로 나타내고 있으나, 제 2 더미 로우 라인(D_Row 2)을 따라 배열된 복수의 더미 픽셀들에도 형성될 수 있다.
또한, 도 2에서는 제 1 더미 픽셀{DP(1,1)}이 완전히 차폐된 경우를 도시하였으나, 완전히 차폐된 더미 픽셀은 형성하지 않을 수도 있다. 이 경우, 완전히 차폐된 픽셀의 값은 옵티컬 블랙 영역(미도시)의 값을 이용할 수 있다.
또한, 도 2에서는 각 더미 픽셀에 형성된 광량 조절 패턴들이 별개의 패턴으로 서로 분리되어 있는 모습으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며, 광량 조절 패턴은 도 3a 또는 도 3b에서와 같이 복수의 오픈 영역들을 갖는 하나의 패턴으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센싱 장치(100)는 더미 픽셀 영역(120)에 도 2와 같은 광량 조절 패턴을 형성함으로써, 실제로 노출 시간을 달리하지 않으면서도 마치 노출 시간을 달리하여 테스트를 수행한 것과 같은 결과를 얻을 수 있어 테스트 시간 및 연산 시간을 크게 단축시킬 수 있다.
예컨대, 이미지 센싱 장치에 대한 리니어 웰 캐패시턴스(LWC: Linear Well Capacitance)를 측정하기 위해서는, 하나의 이미지 센싱 장치에 대해 노출 시간 또는 외부 광량을 가변시키면서 신호의 변화를 관찰해야 한다. 이때, 서로 다른 40개의 노출 시간들에 대한 신호들의 변화를 측정하고자 하는 경우, 종래의 이미지 센싱 장치에서는 40회 만큼 노출 시간을 조절하면서 테스트를 수행하고, 각각의 노출 시간 동안에 픽셀에 입사된 광량을 측정해야 한다. 만약, 각각의 노출 시간에 대해 10번의 촬영이 필요한 경우에는, 총 400(40ㅧ10)회 만큼의 테스트를 수행하고 그 데이터를 연산해야 한다.
그러나, 이미지 센싱 장치의 더미 픽셀 영역(120)에, 도 2에서와 같이 오픈 영역들의 크기가 선형적으로 증가하는 40개(N=40)의 더미 픽셀들을 포함하는 테스트 패턴이 형성되는 경우, 한 번의 촬영만으로 서로 다른 40개의 노출 시간들에 대응되는 신호들을 얻을 수 있다. 즉, 본 실시예는 더미 픽셀들의 물리적인 구조를 변화시켜 동일한 시간 동안에 한 번에 복수의 더미 픽셀들에 입사되는 광량이 서로 달라지도록 함으로써, 동일한 구조의 픽셀에 대해 노출 시간을 달리하여 여러 번 촬영함 것과 같은 결과를 얻을 수 있도록 한 것이다. 따라서 본 실시예에 따른 구조에서는, 각 노출 시간에 대해 10번의 촬영이 필요한 경우에, 총 10회의 촬영만으로 종래에 400회를 촬영한 것과 같은 결과를 얻을 수 있다.
이를 위해, 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}에 형성되는 오픈 영역들의 크기들은 테스트하고자 하는 노출 시간들의 변화 비율과 같은 비율로 제 1 방향을 따라 선형적으로 변화(증가)되도록 형성된다. 예컨대, 테스트하고자 하는 노출 시간이 0, 1ms, 2ms, 3ms, … 로 변화되는 경우, 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}의 오픈 영역들의 크기(면적)도 제 1 방향을 따라 0, 1배, 2배, 3배, … 로 증가되도록 형성될 수 있다. 즉, 제 1 더미 픽셀{DP(1,1)}의 오픈 영역의 크기를 임의로 정한 후, 제 2 더미 픽셀{DP(2,1)}의 오픈 영역의 크기는 제 1 더미 픽셀{DP(1,1)}의 오픈 영역의 크기의 2배가 되도록 하고, 제 3 더미 픽셀{DP(3,1)}의 오픈 영역의 크기는 제 1 더미 픽셀{DP(1,1)}의 오픈 영역의 크기의 3배가 되도록 하는 방식으로 더미 픽셀들의 오픈 영역을 형성한다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습들을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면들이다.
상술한 도 2에서는 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}의 중앙부에 정사각 형상으로 오픈 영역들이 형성되는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 오픈 영역들은 길이(Length)(L)는 일정하게 유지되면서 제 1 방향을 따라 폭(Width)(W)이 일정 비율로 증가하는 슬릿(slit) 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 슬릿들의 폭은 테스트하고자 하는 노출 시간들의 변화 비율과 같은 비율로 제 1 방향을 따라 선형적으로 변화되도록 정해진다.
본 실시예에서, 슬릿 형상의 오픈 영역들은 도 4a에서와 같이 각 더미 픽셀의 입사면의 중심선 상에 위치하도록 형성되거나, 도 4b와 같이 중심선에서 벗어나게 위치하도록 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면이다.
상술한 실시예들에서는 오픈 영역이 정사각 형상 또는 슬릿 형상인 경우만을 실시예로 설명하였으나, 도 5에서와 같이 오픈 영역은 원(또는 타원) 형상으로 형성될 수 있다.
즉, 오픈 영역은 그 크기가 각 더미 픽셀의 중심부를 기준으로 선형적으로 순차적으로 증가되는 형태로만 형성될 수 있다면 어떠한 형태로든 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 6을 참조하면, 오픈 영역들은 제 1 방향을 따라 대칭적으로 배치되는 형태로 형성될 수 있다. 예컨대, 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(2N-1,1)}에서, 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}은 제 1 방향을 따라 오픈 영역의 크기가 선형적으로 순차적으로 증가하도록 형성되고, 더미 픽셀들{DP(N+1,1) ~ DP(2N-1,1)}은 제 1 방향을 따라 오픈 영역의 크기가 선형적으로 순차적으로 감소하도록 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 7을 참조하면, 슬릿 형상의 오픈 영역들도 제 1 방향을 따라 대칭적으로 배치될 수 있다.
상술한 실시예들에서는 오픈 영역들이 동일한 하나의 더미 로우 라인에 순차적으로 배열된 더미 픽셀들에 형성되는 경우를 예시적으로 설명하였으나, 오픈 영역들은 서로 다른 복수의 더미 로우 라인들에 있는 더미 픽셀들에 분산되게 형성될 수도 있다. 즉, 원하는 크기의 오픈 영역들을 갖는 복수의 더미 픽셀들이 모두 더미 픽셀 영역(120)에 포함되도록 더미 픽셀 영역(120) 전체에 골고루 분산되도록 배치될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광량 조절 패턴의 모습을 각 더미 픽셀 별로 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예는 제 1 더미 로우 라인(D_Row 1)의 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}과 제 2 더미 로우 라인(D_Row 2)의 더미 픽셀들{DP(1,2) ~ DP(N,2)}에 도 2와 같은 광량 조절 패턴이 동일하게 형성된다. 즉, 광량 조절 패턴은 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}에 형성되는 제 1 광량 조절 패턴과 더미 픽셀들{DP(1,2) ~ DP(N,2)}에 형성되는 제 2 광량 조절 패턴을 포함하며, 제 1 광량 조절 패턴과 제 2 광량 조절 패턴은 각각 오픈 영역들의 크기가 제 1 방향을 따라 동일한 순서로 증가하는 형태로 형성될 수 있다.
LWC 측정을 위해 각 노출 시간 마다 10회의 촬영이 필요한 경우, 도 2 내지 도 7의 더미 픽셀들을 이용하는 경우에는 10회의 촬영이 필요하다. 그러나, 본 실시예에서와 같이 동일한 구조의 광량 조절 패턴들(제 1 광량 조절 패턴 및 제 2 광량 조절 패턴)이 이중으로 형성되는 경우, 5회의 촬영만으로도 각 노출 시간에 대해 10회 촬영한 것과 같은 결과를 얻을 수 있다.
도 8에서는 동일한 형태의 광량 조절 패턴들이 이중으로 형성되는 경우만을 예시적으로 도시하였으나, 더미 패턴 영역(120)의 크기에 따라 3중 이상의 다중 구조로 형성될 수도 있다.
또한, 다중 구조로 광량 조절 패턴들이 형성되는 경우, 이웃하는 더미 로우 라인들에 형성되는 광량 조절 패턴들은 그 오픈 영역들의 크기가 서로 반대가 되도록 형성될 수 있다. 예컨대, 도 9에서와 같이, 제 1 더미 로우 라인(D_Row 1)의 더미 픽셀들{DP(1,1) ~ DP(N,1)}에 형성되는 제 1 광량 조절 패턴은 제 1 방향을 따라 오픈 영역의 크기가 선형적으로 증가되는 구조로 형성되고, 제 2 더미 로우 라인(D_Row 2)의 더미 픽셀들{DP(1,2) ~ DP(N,2)}에 형성되는 제 2 광량 조절 패턴은 제 1 방향을 따라 오픈 영역의 크기가 선형적으로 감소되는 구조로 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 더미 픽셀들의 구조를 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 10a는 더미 픽셀들이 더미 로우 라인들(D_Row 1, D_Row 2)을 따라 배열된 모습을 보여주는 평면도이며, 도 10b 및 도 10c는 도 10a에서 더미 로우 라인들(D_Row 1)을 따라 배열된 더미 픽셀들을 B-B'를 따라 절단한 단면의 모습들을 예시적으로 보여주는 도면들이다.
상술한 실시예들에서는, LWC 측정을 위한 더미 픽셀들 각각에 입사되는 광량을 달리하기 위해, 차광 마스크인 광량 조절 패턴을 이용하여 각 더미 픽셀들에 대한 오픈 영역의 크기를 조절하였다.
도 10을 참조하면, 본 실시예에서는 각 더미 픽셀에서 입사된 광을 전기적 신호로 변환하는 더미 포토다이오드들(DPD 1 ~ DPD X)의 크기가 더미 픽셀 별로 다르게 형성된다.
이때, 더미 포토다이오드들(DPD 1 ~ DPD X)은, 도 10b에서와 같이, 수평 단면의 크기는 동일하게 형성되고, 수직 단면의 크기만 제 1 방향에 따라 점차적으로 증가되는 형태로 형성될 수 있다. 또는 더미 포토다이오드들(DPD 1 ~ DPD X)은, 도 10c에서와 같이, 수직 단면의 크기는 동일하게 형성되고, 수평 단면의 크기만 제 1 방향에 따라 점차적으로 증가되는 형태로 형성될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 이미지 센싱 장치
110 : 액티브 픽셀 영역
120 : 더미 픽셀 영역
Col 1 ~ Col X : 컬럼 라인들
Row 1 ~ Row Y : 로우 라인들
D_Row 1, D_Row 2 : 더미 로우 라인들
P(1,1) ~ P(X,Y) : 액티브 픽셀들
DP(1,1) ~ DP(X,2) : 더미 픽셀들
DPD 1 ~ DPD X : 더미 포토다이오드들
110 : 액티브 픽셀 영역
120 : 더미 픽셀 영역
Col 1 ~ Col X : 컬럼 라인들
Row 1 ~ Row Y : 로우 라인들
D_Row 1, D_Row 2 : 더미 로우 라인들
P(1,1) ~ P(X,Y) : 액티브 픽셀들
DP(1,1) ~ DP(X,2) : 더미 픽셀들
DPD 1 ~ DPD X : 더미 포토다이오드들
Claims (19)
- 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 액티브 픽셀 영역;
상기 액티브 픽셀 영역의 외곽에 위치하며, 복수의 더미 픽셀들을 포함하는 더미 픽셀 영역; 및
상기 복수의 더미 픽셀들 각각에 서로 다른 양의 광이 입사되도록 하는 광량 조절 패턴을 포함하는 이미지 센싱 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
상기 복수의 더미 픽셀들에서 더미 픽셀 별로 광이 입사되는 오픈 영역의 크기를 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 2항에 있어서, 상기 오픈 영역은
상기 복수의 더미 픽셀들의 광 입사면에서 상기 광량 조절 패턴에 의해 차폐되지 않은 영역인 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 2항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
제 1 더미 로우 라인에 배열되는 복수의 더미 픽셀들에 형성되며, 각 더미 픽셀의 오픈 영역의 크기가 제 1 방향을 따라 선형적으로 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 4항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
상기 제 1 방향을 따라 넓이가 일정 비율로 증가하는 정사각 형상의 오픈 영역들, 높이(Length)는 일정하게 유지되면서 상기 제 1 방향을 따라 폭(Width)이 일정 비율로 증가하는 슬릿(slit) 형상의 오픈 영역들 또는 상기 제 1 방향을 따라 넓이가 일정 비율로 증가하는 원 형상의 오픈 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 2항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
제 1 더미 로우 라인에 배열되는 복수의 더미 픽셀들에 형성되며, 각 더미 픽셀의 오픈 영역의 크기가 제 1 방향을 따라 대칭적으로 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
제 1 더미 로우 라인에 배열되는 복수의 더미 픽셀들에 형성되며, 각 더미 픽셀의 오픈 영역의 크기가 제 1 방향을 따라 순차적으로 증가하도록 형성된 제 1 광량 조절 패턴; 및
제 2 더미 로우 라인에 배열되는 복수의 더미 픽셀들에 형성되며, 각 더미 픽셀의 오픈 영역의 크기가 상기 제 1 방향을 따라 순차적으로 증가하도록 형성된 제 2 광량 조절 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
제 1 더미 로우 라인에 배열되는 복수의 더미 픽셀들에 형성되며, 각 더미 픽셀의 오픈 영역의 크기가 제 1 방향을 따라 순차적으로 증가하도록 형성된 제 1 광량 조절 패턴; 및
제 2 더미 로우 라인에 배열되는 복수의 더미 픽셀들에 형성되며, 각 더미 픽셀의 오픈 영역의 크기가 상기 제 1 방향을 따라 순차적으로 감소하도록 형성된 제 2 광량 조절 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 복수의 더미 픽셀들은
더미 포토다이오드; 및
상기 더미 포토다이오드 상부에 위치하는 컬러 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 9항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
상기 더미 포토다이오드와 상기 컬러 필터 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 9항에 있어서, 상기 광량 조절 패턴은
상기 컬러 필터 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 액티브 픽셀 영역; 및
서로 다른 양의 광이 입사되는 복수의 더미 픽셀들을 포함하는 더미 픽셀 영역을 포함하는 이미지 센싱 장치. - 제 12항에 있어서, 상기 복수의 더미 픽셀들은
광량 조절 패턴에 의해 차폐된 차광 영역; 및
상기 차광 영역에 의해 정의되며 광이 입사되는 오픈 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 13항에 있어서, 상기 복수의 더미 픽셀들은
각각 서로 다른 크기의 상기 오픈 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 14항에 있어서, 상기 복수의 더미 픽셀들은
상기 오픈 영역의 크기가 제 1 방향을 따라 점차적으로 증가하도록 상기 더미 픽셀 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 13항에 있어서, 상기 복수의 더미 픽셀들은
상기 제 1 방향을 따라 넓이가 일정 비율로 증가하는 정사각 형상의 오픈 영역들, 높이(Length)는 일정하게 유지되면서 상기 제 1 방향을 따라 폭(Width)이 일정 비율로 증가하는 슬릿(slit) 형상의 오픈 영역들 또는 상기 제 1 방향을 따라 넓이가 일정 비율로 증가하는 원 형상의 오픈 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 12항에 있어서, 상기 복수의 더미 픽셀들은
각각 서로 다른 크기의 더미 포토다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 17항에 있어서, 상기 더미 포토다이오드들은
수평 단면의 크기는 동일하며, 수직 단면의 크기가 제 1 방향을 따라 점차적으로 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치. - 제 17항에 있어서, 상기 더미 포토다이오드들은
수직 단면의 크기는 동일하며, 수평 단면의 크기가 제 1 방향을 따라 점차적으로 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180053618A KR102549481B1 (ko) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 이미지 센싱 장치 |
| CN201811438097.9A CN110475084B (zh) | 2018-05-10 | 2018-11-27 | 图像感测装置 |
| US16/204,210 US10728479B2 (en) | 2018-05-10 | 2018-11-29 | Image sensing device |
| TW107142636A TWI842688B (zh) | 2018-05-10 | 2018-11-29 | 圖像感測裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180053618A KR102549481B1 (ko) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 이미지 센싱 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190129256A true KR20190129256A (ko) | 2019-11-20 |
| KR102549481B1 KR102549481B1 (ko) | 2023-06-30 |
Family
ID=68464417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180053618A KR102549481B1 (ko) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 이미지 센싱 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10728479B2 (ko) |
| KR (1) | KR102549481B1 (ko) |
| CN (1) | CN110475084B (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019187029A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP7133523B2 (ja) * | 2019-09-05 | 2022-09-08 | 株式会社東芝 | 光検出装置及び電子装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009109965A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-05-21 | Nikon Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
| KR20140112277A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| JP2016029674A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR20160087427A (ko) * | 2015-01-13 | 2016-07-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7623168B2 (en) * | 2000-07-13 | 2009-11-24 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus to extend the effective dynamic range of an image sensing device |
| KR100749264B1 (ko) | 2001-11-12 | 2007-08-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서의 테스트 패턴 및 테스트 방법 |
| US7978255B2 (en) * | 2007-10-11 | 2011-07-12 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor and image-capturing device |
| KR101024728B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2011-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| JP5246433B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2013-07-24 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP2012023137A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2012033583A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 |
| US8350934B2 (en) * | 2010-10-21 | 2013-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Color image sensor array with color crosstalk test patterns |
| JP2014183206A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法ならびに電子機器 |
| KR102039464B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2019-11-01 | 삼성전자주식회사 | 전자 센서와, 그의 제어 방법 |
| KR20150061074A (ko) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| CN105245765A (zh) * | 2015-07-20 | 2016-01-13 | 联想(北京)有限公司 | 图像传感阵列及其排布方法、图像采集部件、电子设备 |
| KR102433534B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-08-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 옵티컬 블랙 픽셀 어레이 구비한 이미지 센서 및 그 제조방법 |
-
2018
- 2018-05-10 KR KR1020180053618A patent/KR102549481B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-27 CN CN201811438097.9A patent/CN110475084B/zh active Active
- 2018-11-29 US US16/204,210 patent/US10728479B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009109965A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-05-21 | Nikon Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
| JP2016029674A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR20140112277A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| KR20160087427A (ko) * | 2015-01-13 | 2016-07-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190349544A1 (en) | 2019-11-14 |
| CN110475084A (zh) | 2019-11-19 |
| KR102549481B1 (ko) | 2023-06-30 |
| TW201947750A (zh) | 2019-12-16 |
| US10728479B2 (en) | 2020-07-28 |
| CN110475084B (zh) | 2021-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9881951B2 (en) | Image sensors with phase detection pixels | |
| US9383548B2 (en) | Image sensor for depth estimation | |
| CN109981939B (zh) | 成像系统 | |
| US20170041525A1 (en) | Image Sensor With Symmetric Multi-Pixel Phase-Difference Detectors, And Associated Methods | |
| US9432568B2 (en) | Pixel arrangements for image sensors with phase detection pixels | |
| US20090141157A1 (en) | Image sensing apparatus and imaging system | |
| US9659982B2 (en) | Image sensor pixel structure with optimized uniformity | |
| US6884985B2 (en) | Solid state image sensors and microlens arrays | |
| US9485442B1 (en) | Image sensors for robust on chip phase detection, and associated system and methods | |
| KR102549481B1 (ko) | 이미지 센싱 장치 | |
| EP2210073B1 (de) | Schaltungsanordnung zum erzeugen von licht- und temperaturabhängigen signalen, insbesondere für ein bildgebendes pyrometer | |
| US20160241772A1 (en) | Dynamic auto focus zones for auto focus pixel systems | |
| JPH0739935B2 (ja) | 撮像素子 | |
| KR20200075828A (ko) | 촬상 소자, 화상 처리 장치, 화상 처리 방법, 및 프로그램 | |
| DE102018132973A1 (de) | Bildsensoren mit kalibrierten Phasendetektionspixeln | |
| CN213278093U (zh) | 半导体器件 | |
| EP1152599B1 (en) | Built-in self test signals for column output circuits in X-Y addressable image sensor | |
| US11085760B2 (en) | Shape measurement sensor | |
| TWI842688B (zh) | 圖像感測裝置 | |
| US11923389B2 (en) | Image sensing device | |
| de Lima Monteiro et al. | Various layouts of analog CMOS optical position-sensitive detectors | |
| KR20210056754A (ko) | 이미지 센서 | |
| DE102010002599B4 (de) | Sensorvorrichtung und Verfahren zum Erfassen von lokalen Intensitätsgradienten | |
| JPH1093871A (ja) | 高解像度撮像方法及びその装置 | |
| KR20100074367A (ko) | 이미지센서의 컬러필터 어레이 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |