KR20190128831A - Vertical-cavity surface-emitting laser package and automatic focusing device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a surface light emitting laser package having a new structure without wires, and an autofocusing device. The surface light emitting laser package comprises: a surface light emitting laser device disposed on a substrate; a housing disposed on the substrate and surrounding the surface light emitting laser device to have a step; a diffusion part disposed in the step of the housing; a conductive line disposed between the diffusion part and a surface light emitting laser and between the diffusion part and the step; a connection hole formed in one side of the step; and a connection wiring disposed in the connection hole and electrically connected to the conductive line. The conductive line includes at least two connection pads disposed between the diffusion part and the surface light emitting laser and between the diffusion part and the step, and at least two connection lines disposed between the diffusion part and the surface light emitting laser and between the diffusion part and the step, and having a width smaller than that of the connection pad and electrically connected to the connection pad.

Description

표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치{Vertical-cavity surface-emitting laser package and automatic focusing device}Surface-emitting laser package and automatic focusing device

실시예는 표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치에 관한 것이다.Embodiments relate to surface emitting laser packages and autofocus devices.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy-to-adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 표면광방출레이저 패키지는 광통신, 센서, 자동 초점장치, 근접 센서, 자동 초점 장치에 채택될 수 있다. In particular, surface light emitting laser packages using semiconductors of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials may be employed in optical communications, sensors, auto focus devices, proximity sensors, auto focus devices.

표면광방출레이저 패키지에서 표면광방출레이저 패키지는 와이어를 이용하여 전기적으로 연결된다. 와이어가 가늘기 때문에 외부의 충격과 같은 물리적인 힘에 의해 전기적으로 단선되는 문제가 있다.In the surface light emitting laser package, the surface light emitting laser package is electrically connected using a wire. Since the wire is thin, there is a problem that the wire is electrically disconnected by physical force such as an external impact.

실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiment aims to solve the above and other problems.

실시예의 다른 목적은 새로운 구조를 갖는 표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface light emitting laser package and an autofocusing apparatus having a novel structure.

실시예의 또 다른 목적은 와이어를 제거한 표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치를 제공한다.It is yet another object of the embodiment to provide a surface light emitting laser package and an autofocusing device with the wire removed.

실시예의 또 다른 목적은 확산부의 탈착을 용이하게 감지할 수 있는 표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치를 제공한다. Still another object of the embodiment is to provide a surface light emitting laser package and an autofocusing device capable of easily detecting the detachment of the diffusion part.

실시예의 또 다른 목적은 표면광방출레이저 소자와 기판 간의 전기적인 단선을 방지할 수 있는 표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치를 제공한다.Still another object of the embodiment is to provide a surface light emitting laser package and an autofocusing device capable of preventing electrical disconnection between the surface light emitting laser element and the substrate.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 일 측면에 따르면, 표면광방출레이저 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 표면광방출레이저 소자; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 표면광방출레이저 소자를 둘러싸고 단차를 갖는 하우징; 상기 하우징의 상기 단차에 배치되는 확산부; 상기 확산부와 상기 표면광방출레이저 사이 및 상기 확산부와 상기 단차 사이에 배치되는 도전라인; 상기 단차의 일측에 형성되는 연결홀; 및 상기 연결홀에 배치되어 상기 도전라인과 전기적으로 연결되는 연결배선;을 포함한다. 상기 도전라인은, 상기 확산부와 상기 표면광방출레이저 사이 및 상기 확산부와 상기 단차 사이에 배치되는 적어도 둘 이상의 연결패드; 및 상기 확산부와 상기 표면광방출레이저 사이 및 상기 확산부와 상기 단차 사이에 배치되며, 상기 연결패드의 폭보다 작은 폭을 갖고 상기 연결패드에 전기적으로 연결되는 적어도 둘 이상의 연결라인을 포함한다.According to an aspect of the embodiment to achieve the above or another object, the surface light emitting laser package, the substrate; A surface light emitting laser element disposed on the substrate; A housing disposed on the substrate and surrounding the surface light emitting laser element and having a step; A diffusion part disposed at the step of the housing; A conductive line disposed between the diffuser and the surface light emitting laser and between the diffuser and the step; A connection hole formed at one side of the step; And a connection wiring disposed in the connection hole and electrically connected to the conductive line. The conductive line may include at least two connection pads disposed between the diffuser and the surface light emitting laser and between the diffuser and the step; And at least two connection lines disposed between the diffuser and the surface light emitting laser and between the diffuser and the step and having a width smaller than that of the connection pad and electrically connected to the connection pad.

실시예의 또 다른 측면에 따르면, 자동 초점 장치는, 상기 표면광방출레이저 패키지; 및 상기 표면광방출레이저 패키지에서 방출된 빛의 반사된 빛을 입사 받는 수광부를 포함한다.According to yet another aspect of an embodiment, an autofocus device comprises: the surface light emitting laser package; And a light receiving unit receiving the reflected light of the light emitted from the surface light emitting laser package.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지 및 자동초점장치의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effects of the surface light emitting laser package and the autofocusing apparatus according to the embodiment are as follows.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 확산부의 아래에 배치되는 연결패드와 연결라인에 의해 연결패드나 연결라인의 단선을 통해 확산부의 스크래치, 깨짐, 이탈 또는 탈착을 용이하게 감지할 수 있다는 장점이 있다. 이와 같이 확산부의 불량이 감지되는 경우, 표면광방출레이저 소자의 구동이 중지도어 사용자의 눈으로 강한 레이저빔이 조사되는 것이 차단될 수 있다.According to at least one of the embodiments, there is an advantage that the scratch, crack, detachment or detachment of the diffuser can be easily detected through the disconnection of the connection pad or the connection line by the connection pad and the connection line disposed under the diffuser. . When the defect of the diffusion unit is detected as described above, the driving of the surface light emitting laser device may stop the strong laser beam from being irradiated to the user's eyes.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 확산부 아래에 배치되는 연결패드와 연결라인 중에서 표면광방출레이저 소자에 대응되는 부분에는 연결패드보다 폭이 작은 연결라인이 배치되거나 표면광방출레이저 소자에 대응되는 부분에 연결라인이 배치되지 않도록 하여 표면광방출레이저 소자로부터 확산부로의 레이저빔의 진행에 대한 방해를 최소화하여 레이저빔의 광확산 불량이나 광 출력 저하를 방지할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, a connection line having a width smaller than that of the connection pad or a surface corresponding to the surface light emitting laser device is disposed at a portion of the connection pad and the connection line disposed below the diffusion unit corresponding to the surface light emitting laser device. The connection line is not disposed at the portion, thereby minimizing interference with the progress of the laser beam from the surface light emitting laser element to the diffusion portion, thereby preventing the light diffusion defect or the light output degradation of the laser beam.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 각 범프가 접착부에 의해 감싸지고 각 범프에 의해 연결패드와 표면광방출레이저 소자가 부착되도록 하여, 연결패드와 표면광방출레이저 소자 간의 전기적인 단선을 방지할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, each bump is wrapped by an adhesive portion and each bump is attached to the connection pad and the surface light emitting laser element, thereby preventing electrical disconnection between the connection pad and the surface light emitting laser element. There is an advantage.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 표면광방출레이저 소자와 기판 사이에 배치된 도전라인과 범프에 의해 표면광방출레이저 소자와 기판이 전기적으로 연결되므로, 별도의 와이어가 필요없다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, since the surface light emitting laser device and the substrate are electrically connected to each other by a conductive line and a bump disposed between the surface light emitting laser device and the substrate, there is an advantage that a separate wire is not required.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 복수의 도전라인이 확산부 아래에 배치되어, 이들 복수의 도전라인의 단선 여부를 통해 확산부의 탈착을 간편하게 검출할 수 있다 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, a plurality of conductive lines are disposed under the diffusion part, and thus the detachment of the diffusion part can be easily detected through disconnection of the plurality of conductive lines.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 접착부에 의해 확산부가 표면광방출레이저 소자 또는 하우징에 접착됨으로써, 확산부의 부착력이 강화되어 확산부의 탈착이 방지될 수 있다 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the diffusion portion is adhered to the surface light emitting laser element or the housing by the adhesive portion, so that the adhesion of the diffusion portion can be strengthened to prevent detachment of the diffusion portion.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 접착부가 표면광방출레이저 소자의 둘레를 포함한 하우징의 개구 내의 모든 공간에 배치됨으로써, 확산부(140)의 탈착이 원천적으로 차단될 수 있다.According to at least one of the embodiments, since the adhesive portion is disposed in all the spaces in the opening of the housing including the periphery of the surface light emitting laser element, the detachment of the diffusion portion 140 may be blocked at the source.

실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. Further scope of the applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description below. However, various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments can be clearly understood by those skilled in the art, and therefore, specific embodiments, such as the detailed description and the preferred embodiments, are to be understood as given by way of example only.

도 1은 제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 평면도이다.
도 3은 표면광방출레이저 소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 하우징을 도시한 평면 사시도이다.
도 5는 연결패드와 연결라인을 도시한다.
도 6은 제2 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이다.
도 7은 제3 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이다.
도 8은 제3 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 평면도이다.
도 9는 제4 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이다.
도 10은 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지를 포함하는 자동 초점 장치가 적용된 이동 단말기의 사시도이다.
1 is a cross-sectional view of a surface light emitting laser package according to the first embodiment.
2 is a plan view of a surface light emitting laser package according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view showing a surface light emitting laser device.
4 is a top perspective view of the housing;
5 shows a connection pad and a connection line.
6 is a cross-sectional view of the surface light emitting laser package according to the second embodiment.
7 is a cross-sectional view of a surface light emitting laser package according to the third embodiment.
8 is a plan view of a surface light emitting laser package according to a third embodiment.
9 is a sectional view of a surface light emitting laser package according to the fourth embodiment.
10 is a perspective view of a mobile terminal to which an autofocusing apparatus including a surface light emitting laser package according to an embodiment is applied.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments disclosed herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components will be given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used in consideration of ease of specification, and do not have distinct meanings or roles from each other. In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed herein, but are not limited to the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings, all changes included in the spirit and scope of the embodiments, It should be understood to include equivalents and substitutes.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 1은 제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 평면도이고, 도 3은 표면광방출레이저 소자를 도시한 단면도이며, 도 4는 하우징을 도시한 평면 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a surface light emitting laser package according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of a surface light emitting laser package according to a first embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a surface light emitting laser device. 4 is a top perspective view of the housing;

도 1 내지 도 4를 참조하면, 제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 기판(110)을 제공할 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 기판(110)은 휨 특성이 없는 리지드형(rigid type) 인쇄회로기판 또는 휨 특성이 우수한 플렉서블형(flexible type) 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(110)은 표면광방출레이저 소자(200)에 구동 전원을 제공할 수 있다. 기판(110)은 표면광방출레이저 소자(200)에 전기적으로 연결되기 위한 적어도 하나 이상의 신호라인을 포함할 수 있다. 전원이 기판(110)의 신호라인을 통해 표면광방출레이저 소자(200)로 공급될 수 있다. 1 to 4, the surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide a substrate 110. For example, the substrate 110 may include a printed circuit board. The substrate 110 may be a rigid type printed circuit board having no bending property or a flexible type printed circuit board having excellent bending property. The substrate 110 may provide driving power to the surface light emitting laser device 200. The substrate 110 may include at least one signal line to be electrically connected to the surface light emitting laser device 200. Power may be supplied to the surface light emitting laser device 200 through the signal line of the substrate 110.

제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 표면광방출레이저 소자(200)를 제공할 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide the surface light emitting laser device 200.

표면광방출레이저 소자(200)는 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 예컨대, 접착부재를 이용하여 기판(110) 상에 부착될 수 있다. 접착부재는 도전성 재질, 예컨대 은(Ag) 페이스트 재질로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 표면광방출레이저 소자(200)는 기판(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 표면광방출레이저 소자(200)의 제1 전극은 접착부재를 통해 기판(110)의 제1 신호라인(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. The surface light emitting laser device 200 may be disposed on the substrate 110. The surface light emitting laser device 200 may be attached onto the substrate 110 using, for example, an adhesive member. The adhesive member may be made of a conductive material such as silver (Ag) paste material, but is not limited thereto. The surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to the substrate 110. For example, the first electrode of the surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to a first signal line (not shown) of the substrate 110 through an adhesive member.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 표면광방출레이저 소자(200)는 제1 전극(215), 기판(210), 제1 반사층(220), 캐비티영역(230), 어퍼처(241), 절연영역(242), 제2 반사층(250), 제2 전극(280), 패시베이션층(270), 패드전극(290) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 2 and 3, the surface light emitting laser device 200 includes a first electrode 215, a substrate 210, a first reflective layer 220, a cavity region 230, and an aperture 241. One or more of the insulating region 242, the second reflective layer 250, the second electrode 280, the passivation layer 270, and the pad electrode 290 may be included.

캐비티영역(230)은 활성층(미도시)과 캐비티(미도시)를 포함할 수 있으며, 이하에서 상술하기로 한다. 절연영역(242)는 제1 에미터(E1)에 배치되는 제1 절연영역(242a)와, 제2 에미터(E2)에 배치되는 제2 절연영역(242b) 및 제3 에미터(E3)에 배치되는 제3 절연영역(242c)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The cavity region 230 may include an active layer (not shown) and a cavity (not shown), which will be described below. The insulating region 242 includes a first insulating region 242a disposed in the first emitter E1, a second insulating region 242b and a third emitter E3 disposed in the second emitter E2. It may include a third insulating region 242c disposed in, but is not limited thereto.

이하에서 표면광방출레이저 소자(200)를 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the surface light emitting laser device 200 will be described in more detail.

<기판, 제1 전극><Substrate, first electrode>

실시예에서 기판(210)은 전도성 기판 또는 비전도성 기판일 수 있다. 전도성 기판을 사용할 경우 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 표면광방출레이저 소자(200) 작동 시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 GaAs 기판, 또는 금속기판을 사용하거나 실리콘(Si) 기판 등을 사용할 수 있다.In an embodiment the substrate 210 may be a conductive substrate or a non-conductive substrate. In the case of using a conductive substrate, a metal having excellent electrical conductivity may be used, and since the heat generated when operating the surface light emitting laser device 200 should be sufficiently dissipated, a GaAs substrate having a high thermal conductivity, a metal substrate, or silicon ( Si) substrate etc. can be used.

비전도성 기판을 사용할 경우, AlN 기판이나 사파이어(Al2O3) 기판 또는 세라믹 계열의 기판을 사용할 수 있다.In the case of using a non-conductive substrate, an AlN substrate, a sapphire (Al 2 O 3) substrate, or a ceramic substrate may be used.

실시예에서 기판(210) 아래에 제1 전극(215)이 배치될 수 있으며, 제1 전극(215)은 도전성 재료로 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(215)은 금속일 수 있고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성되어 전기적 특성을 향상시켜 광출력을 높일 수 있다.In an embodiment, the first electrode 215 may be disposed below the substrate 210, and the first electrode 215 may be disposed in a single layer or multiple layers with a conductive material. For example, the first electrode 215 may be a metal and include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). As a single layer or a multi-layer structure can be formed to improve the electrical characteristics to increase the light output.

<제1 반사층><1st reflective layer>

기판(210) 상에는 제1 반사층(220)이 배치될 수 있다.The first reflective layer 220 may be disposed on the substrate 210.

제1 반사층(220)은 제1 도전형 도펀트로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다.The first reflective layer 220 may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first conductivity type dopant may include an n type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.

또한 제1 반사층(220)은 갈륨계 화합물, 예를 들면 AlGaAs를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 반사층(220)은 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 예를 들어, 제1 반사층(220)은 서로 다른 굴절 률을 가지는 물질로 이루어진 제1 층 및 제2 층이 교대로 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.In addition, the first reflective layer 220 may include a gallium-based compound, for example, AlGaAs, but is not limited thereto. The first reflective layer 220 may be a distributed bragg reflector (DBR). For example, the first reflective layer 220 may have a structure in which a first layer and a second layer made of materials having different refractive indices are alternately stacked at least once.

제1 층과 제2 층은 AlGaAs를 포함할 수 있고, 상세하게는 AlxGa(1-x)As(0<x<1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 제1 층 또 는 제2 층 내의 Al이 증가하면 각 층의 굴절률은 감소하고, Ga가 증가하면 각 층의 굴절률은 증가할 수 있다.The first layer and the second layer may include AlGaAs, and in detail, may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of Al x Ga (1-x) As (0 <x <1). Herein, when Al in the first layer or the second layer increases, the refractive index of each layer may decrease, and when Ga increases, the refractive index of each layer may increase.

그리고, 제1 층 및 제2 층 각각의 두께는 λ/4n이고, λ는 캐비티영역(230)에서 발생하는 광의 파장일 수 있고, n은 상술한 파장의 광에 대한 각 층의 굴절률일 수 있다. 여기서, λ는 650 내지 980nm일 수 있고, n은 각층의 굴절률일 수 있다. 이러한 구조의 제1 반사층(220)은 약 940 nm의 파장 영역의 광에 대하여 99.999%의 반사율을 가질 수 있다.In addition, the thickness of each of the first and second layers may be λ / 4n, λ may be a wavelength of light generated in the cavity region 230, and n may be a refractive index of each layer with respect to light having the aforementioned wavelength. . Here, λ may be 650 to 980 nm, n may be the refractive index of each layer. The first reflective layer 220 having such a structure may have a reflectance of 99.999% for light in a wavelength region of about 940 nm.

제1 층과 제2 층의 두께는 각각의 굴절률과 캐비티영역(230)에서 방출되는 광의 파장 λ에 따라 결정될 수 있다.The thickness of the first layer and the second layer may be determined according to respective refractive indices and the wavelength λ of the light emitted from the cavity region 230.

<캐비티영역, 절연영역, 어퍼처><Cavity area, insulation area, aperture>

실시예에서 제1 반사층(220) 상에 캐비티영역(230), 절연영역(242) 및 어퍼처(241)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 캐비티영역(230)은 제1 반사층(220) 상에 배치되고, 절연영역(242) 및 어퍼처(241)은 캐비티영역(230) 상에 배치될 수 있다. In an embodiment, the cavity region 230, the insulating region 242, and the aperture 241 may be disposed on the first reflective layer 220. In detail, the cavity region 230 may be disposed on the first reflective layer 220, and the insulating region 242 and the aperture 241 may be disposed on the cavity region 230.

캐비티영역(230)은 활성층(미도시) 및 활성층의 하측에 배치되는 제1 캐비티(미도시), 상측에 배치되는 제2 캐비티(미도시)를 포함할 수 있다. 실시예의 캐비티영역(230)은 제1 캐비티와 제2 캐비티를 모두 포함하거나, 둘 중의 하나만 포함할 수도 있다.The cavity region 230 may include an active layer (not shown), a first cavity (not shown) disposed under the active layer, and a second cavity (not shown) disposed above. The cavity area 230 of the embodiment may include both the first cavity and the second cavity, or may include only one of them.

캐비티영역(230)은 제1 반사층(220)과 제2 반사층(250)의 사이에 배치될 수 있다. 실시예의 캐비티영역(230)에는 활성층이 배치될 수 있으며, 활성층은 단일우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The cavity region 230 may be disposed between the first reflective layer 220 and the second reflective layer 250. In an embodiment, an active layer may be disposed in the cavity region 230, and the active layer may include a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well structure, a quantum dot structure, or the like. It may include any one of the quantum wire structure.

활성층은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면, AlGaInP/GaInP, AlGaAs/AlGaAs, AlGaAs/GaAs,GaAs/InGaAs 등의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer may be formed using a pair structure of a well layer and a barrier layer, for example, AlGaInP / GaInP, AlGaAs / AlGaAs, AlGaAs / GaAs, GaAs / InGaAs, using a compound semiconductor material of a group III-V element. It doesn't work. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제1 캐비티와 제2 캐비티는 AlyGa(1-y)As(0<y<1) 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The first cavity and the second cavity may be formed of an AlyGa (1-y) As (0 <y <1) material, but are not limited thereto.

실시예에서 캐비티영역(230) 상에는 절연영역(242)과 어퍼처(241)가 배치될 수 있다. In an embodiment, the insulating region 242 and the aperture 241 may be disposed on the cavity region 230.

예를 들어, 제1 에미터(E1)는 제1 절연영역(242a)과 제1 어퍼처(241a)를 포함하고, 제2에미터(E2)는 제2 절연영역(242b)과 제2 어퍼처(241b)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 에미터(E3)는 제3 절연영역(242c)과 제3 어퍼처(241c)를 포함하고, 제4 에미터(E4)는 제4 절연영역(미도시)과 제4 어퍼처(미도시)를 포함할 수 있다.For example, the first emitter E1 includes a first insulating region 242a and a first aperture 241a, and the second emitter E2 includes a second insulating region 242b and a second upper. It may include a location 241b. In addition, the third emitter E3 includes a third insulating region 242c and a third aperture 241c, and the fourth emitter E4 includes a fourth insulating region (not shown) and a fourth aperture. (Not shown).

절연영역(242)은 절연 물질, 예를 들어 알루미늄 산화물로 이루어진 절연층으로서, 전류 차단층으로 작용할 수 있다. 각 절연영역의 중앙 영역에 위치하는 각 어퍼처(241a, 241b, 241c)는 비절연층, 즉 도전층일 수 있다.The insulating region 242 is an insulating layer made of an insulating material, for example, aluminum oxide, and may serve as a current blocking layer. Each of the apertures 241a, 241b, and 241c positioned in the central region of each insulating region may be a non-insulating layer, that is, a conductive layer.

절연영역(242)는 어퍼처(241)를 둘러쌀 수 있다. 어퍼처(241)의 사이즈는 절연영역(242)에 의해 조절될 수 있다. 예컨대, 캐피티영역(230) 상에 점유되는 절연영역(242)의 면적이 커질수록, 어퍼처(241)의 면적은 작아질 수 있다. The insulating region 242 may surround the aperture 241. The size of the aperture 241 may be adjusted by the insulating region 242. For example, as the area of the insulating region 242 occupied on the cavity region 230 becomes larger, the area of the aperture 241 may be smaller.

예를 들어, 제1 어퍼처(241a)는 제1 절연영역(242a)에 의해 정의될 수 있으며, 예를 들어, 제2 어퍼처(241b)는 제2 절연영역(242b)에 의해 정의될 수 있다. 또한, 제3 어퍼처(241c)는 제3 절연영역(242c)에 의해 정의될 수 있고, 제4 어퍼처는 제4 절연영역에 의해 정의될 수 있다. 구체적으로, 각 절연영역(242)는 알루미늄 갈륨 아세나이드(aluminum gallium arsenide)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연영역(242)은 AlGaAs가 H2O와 반응하여 가장자리가 알루미늄산화물(Al2O3)로 변함에 따라 절연영역(242)이 형성될 수 있고, H2O와 반응하지 않은 중앙영역은 AlGaAs로 이루어진 각 어퍼처가 형성될 수 있다. For example, the first aperture 241a may be defined by the first insulation region 242a, and for example, the second aperture 241b may be defined by the second insulation region 242b. have. In addition, the third aperture 241c may be defined by the third insulating region 242c, and the fourth aperture may be defined by the fourth insulating region. In detail, each insulating region 242 may include aluminum gallium arsenide. For example, the insulating region 242 may form an insulating region 242 as AlGaAs reacts with H 2 O and its edge is changed to aluminum oxide (Al 2 O 3), and the center region that does not react with H 2 O may be formed of AlGaAs. An aperture can be formed.

실시예에 의하면, 각 어퍼처(241a, 241b, 241c)를 통해 캐비티영역(230)에서 발광된 레이저빔이 상부 영역을 향해 방출될 수 있으며, 절연영역(242a, 242b, 242c)과 비교하여 어퍼처(241a, 241b, 241c)의 광투과율이 우수할 수 있다.According to the embodiment, the laser beam emitted from the cavity region 230 through the apertures 241a, 241b, and 241c may be emitted toward the upper region, and the upper portion is compared with the insulating regions 242a, 242b, and 242c. The light transmittance of the features 241a, 241b, and 241c may be excellent.

<제2 반사층><Second reflective layer>

제2 반사층(250)은 캐비티영역(230) 상에 배치될 수 있다.The second reflective layer 250 may be disposed on the cavity region 230.

제2 반사층(250)은 갈륨계 화합물 예를 들면 AlGaAs를 포함할 수 있으며, 제2 반사층(250)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 한편, 제1 반사층(220)이 p형 도펀트로 도핑될 수도 있고, 제2 반사층(250)이 n형 도펀트로 도핑될 수도 있다.The second reflective layer 250 may include a gallium-based compound, for example, AlGaAs, and the second reflective layer 250 may be doped with a second conductive dopant. For example, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. Meanwhile, the first reflective layer 220 may be doped with a p-type dopant, and the second reflective layer 250 may be doped with an n-type dopant.

제2 반사층(250)은 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 예를 들어, 제2 반사층(250)은 서로 다른 굴절률을 가지는 물질로 이루어진 제1 층(미도시) 및 제2 층(미도시)이 교대로 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.The second reflective layer 250 may be a distributed Bragg reflector (DBR). For example, the second reflective layer 250 may have a structure in which a first layer (not shown) and a second layer (not shown) made of materials having different refractive indices are alternately stacked at least once.

제1 층과 제2 층은 AlGaAs를 포함할 수 있고, 상세하게는 AlxGa(1-x)As(0<x<1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, Al이 증가하면 각 층의 굴절률은 감소하고, Ga가 증가하면 각 층의 굴절률은 증가할 수 있다. 그리고, 제1 층 및 제2 층 각각의 두께는 λ/4n이고, λ는 활성층에서 방출되는 광의 파장일 수 있고, n은 상술한 파장의 광에 대한 각 층의 굴절률일 수 있다.The first layer and the second layer may include AlGaAs, and in detail, may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of Al x Ga (1-x) As (0 <x <1). Herein, when Al increases, the refractive index of each layer may decrease, and when Ga increases, the refractive index of each layer may increase. In addition, the thickness of each of the first layer and the second layer is λ / 4n, λ may be a wavelength of light emitted from the active layer, and n may be a refractive index of each layer with respect to light having the aforementioned wavelength.

이러한 구조의 제2 반사층(250)은 940 nm의 파장 영역의 광에 대하여 99.9%의 반사율을 가질 수 있다.The second reflective layer 250 having such a structure may have a reflectance of 99.9% with respect to light in a wavelength region of 940 nm.

제2 반사층(250)은 제3 층/제4층이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 제1 반사층(220) 내에서 제1 층과 제2층의 페어(pair) 수는 제2 반사층(250) 내에서 제3 층과 제4 층의 페어 수보다 더 많을 수 있으며, 이때 상술한 바와 같이 제1 반사층(220)의 반사율은 99.999% 정도로 제2 반사층(250)의 반사율인 99.9%보다 클 수 있다. 예를 들면, 제1 반사층(220) 내에서 제1 층과 제2 층의 페어 수는 20 내지 50회일 수 있고, 제2 반사층(250) 내에서 제3 층과 제4 층의 페어 수는 10 내지 30회일 수 있다.The second reflective layer 250 may be formed by alternately stacking the third and fourth layers, and the number of pairs of the first layer and the second layer in the first reflective layer 220 is the second reflective layer 250. ) May be greater than the number of pairs of the third layer and the fourth layer, and as described above, the reflectance of the first reflecting layer 220 may be greater than 99.9% of reflectance of the second reflecting layer 250 by 99.999%. have. For example, the number of pairs of the first layer and the second layer in the first reflective layer 220 may be 20 to 50 times, and the number of pairs of the third layer and the fourth layer in the second reflective layer 250 may be 10 times. To 30 times.

<패시베이션층, 제2 전극>Passivation layer, second electrode

에미터(E1, E2, E3, E4)의 측면과 상부면 그리고 각 에미터(E1, E2, E3, E4) 사이에 노출된 제1 반사층(220)의 상부면에 패시베이션층(270)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(270)은 세그먼트(segment) 단위로 분리된 각 에미터(E1, E2, E3, E4)의 측면에 배치되어, 각 에미터(E1, E2, E3, E4)를 보호하고 절연시킬 수 있다. 패시베이션층(270)은 절연성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 질화물 또는 산화물로 이루어질 수 있다.The passivation layer 270 is disposed on the side and top surfaces of the emitters E1, E2, E3, and E4 and the top surface of the first reflective layer 220 exposed between the emitters E1, E2, E3, and E4. Can be. The passivation layer 270 is disposed on the side of each of the emitters E1, E2, E3, and E4 separated in units of segments to protect and insulate the emitters E1, E2, E3, and E4. have. The passivation layer 270 may be made of an insulating material, for example, nitride or oxide.

제2 전극(280)이 제2 반사층(250)과 전기적으로 연결되도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 전극(280)은 패드전극(290)로부터 연장되어 각 에미터(E1, E2, E3, E4)를 둘러싸는 패시베이션층(270)을 경유하여 제2 반사층(250)의 일부에 접촉될 수 있다. 제2 전극(280)은 패시베이션층(270) 위에 배치될 수 있다. The second electrode 280 may be disposed to be electrically connected to the second reflective layer 250. That is, the second electrode 280 extends from the pad electrode 290 and contacts a portion of the second reflective layer 250 via the passivation layer 270 surrounding each of the emitters E1, E2, E3, and E4. Can be. The second electrode 280 may be disposed on the passivation layer 270.

제2 전극(280)은 도전성 재료로 이루어질 수 있고, 예를 들면 금속일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(280)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The second electrode 280 may be made of a conductive material, for example, may be a metal. For example, the second electrode 280 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). It can be formed as.

다시 도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 하우징(120)을 제공할 수 있다. 예컨대, 하우징(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. Referring back to FIG. 1, the surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide a housing 120. For example, the housing 120 may be disposed on the substrate 110.

구체적으로, 하우징(120)은 표면광방출레이저 소자(200)를 둘러쌀 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 하우징(120)으로 내측면으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 하우징(120)은 예컨대, 접착부재를 이용하여 기판(110) 상에 부착될 수 있다. Specifically, the housing 120 may surround the surface light emitting laser device 200. The surface light emitting laser device 200 may be disposed to be spaced apart from the inner surface of the housing 120. The housing 120 may be attached to the substrate 110 using, for example, an adhesive member.

하우징(120)은 개구(105)를 가질 수 있다. 하우징(120)의 개구(105)에 의해 기판(110)의 상면이 노출되고, 표면광방출레이저 소자(200)가 상기 노출된 기판(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. The housing 120 can have an opening 105. An upper surface of the substrate 110 may be exposed by the opening 105 of the housing 120, and the surface light emitting laser device 200 may be disposed on the exposed surface of the substrate 110.

하우징(120)은 단차(180)를 가질 수 있다. 단차(180)는 하우징(120)의 상부에 형성될 수 있다. 단차(180)는 하우징(120)의 상부에서 개구(105)와 연결될 수 있다. 하우징(120)의 단차(180)는 도 4에 도시한 바와 같이, 바닥면(117)을 가질 수 있다. The housing 120 may have a step 180. The step 180 may be formed at an upper portion of the housing 120. The step 180 may be connected to the opening 105 at the top of the housing 120. The step 180 of the housing 120 may have a bottom surface 117, as shown in FIG. 4.

하우징(120)의 일측에 복수의 연결배선(111)이 배치될 수 있다. 즉, 하우징(120)의 연결홀(121)에 복수의 연결배선(111)이 배치될 수 있다. A plurality of connection wires 111 may be disposed on one side of the housing 120. That is, a plurality of connection wirings 111 may be disposed in the connection holes 121 of the housing 120.

연결배선(111)은 하우징(120)의 연결홀(121)에 배치될 수 있다. 연결홀(121)은 단차(180)에 대응되는 하우징(120)의 상면으로부터 하면으로 관통하여 형성될 수 있다. 연결홀(121) 각각의 내경은 연결배선(111) 각각의 외경과 동일할 수 있다. The connection wiring 111 may be disposed in the connection hole 121 of the housing 120. The connection hole 121 may be formed to penetrate from the top surface of the housing 120 corresponding to the step 180 to the bottom surface. The inner diameter of each of the connection holes 121 may be the same as the outer diameter of each of the connection wires 111.

연결배선(111) 각각의 상면은 하우징(120)의 단차(180)의 바닥면(117)에 노출될 수 있다. 즉, 연결배선(111) 각각의 상면은 하우징(120)의 단차(180)의 바닥면(117)과 동일 면 상에 위치될 수 있다. 연결배선(111) 각각의 하면은 하우징(120)의 하면에 노출될 수 있다. 즉, 연결배선(111) 각각의 하면은 하우징(120)의 하면과 동일 면 상에 위치될 수 있다. 연결배선(111) 각각의 하면은 기판(110)의 제2 신호라인(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다. The top surface of each of the connection wires 111 may be exposed to the bottom surface 117 of the step 180 of the housing 120. That is, the upper surface of each of the connection wires 111 may be located on the same surface as the bottom surface 117 of the step 180 of the housing 120. The lower surface of each of the connection wires 111 may be exposed to the lower surface of the housing 120. That is, the bottom surface of each of the connection wires 111 may be positioned on the same surface as the bottom surface of the housing 120. A lower surface of each of the connection lines 111 may be electrically connected to a second signal line (not shown) of the substrate 110.

제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 확산부(140)를 제공할 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide the diffuser 140.

확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200) 위에 배치될 수 있다. 확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The diffusion unit 140 may be disposed on the surface light emitting laser device 200. The diffusion unit 140 may be spaced apart from the surface light emitting laser device 200.

확산부(140)는 투명한 절연 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 확산부(140)는 유리나 고분자 수지일 수 있다. 예컨대, 확산부(140)는 유리로 이루어지는 바디와 바디의 일측에 배치되고 고분자 수지로 이루어지는 확산패턴을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The diffusion unit 140 may be made of a transparent insulating material. For example, the diffusion part 140 may be glass or a polymer resin. For example, the diffusion part 140 may include a body made of glass and a diffusion pattern disposed on one side of the body and made of a polymer resin, but is not limited thereto.

확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)로부터 발광된 레이저빔 화각을 확장시킬 수 있다. The diffusion unit 140 may extend the angle of view of the laser beam emitted from the surface light emitting laser device 200.

확산부(140)는 무반사(anti-reflective) 기능을 포함할 수 있다. 예로서, 확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)와 대향되는 일면에 배치된 무반사층을 포함할 수 있다. 무반사층은 확산부(140)와 별개로 형성될 수 있다. 확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)와 마주보는 하면에 배치된 무반사층을 포함할 수 있다. 무반사층은 표면광방출레이저 소자(200)로부터 입사되는 레이저빔이 확산부(140)의 표면에서 반사되는 것을 방지하고 확산부(140) 내로 투과시킴으로써 반사에 의한 광 손실을 개선할 수 있다.The diffusion unit 140 may include an anti-reflective function. For example, the diffuser 140 may include an antireflection layer disposed on one surface of the diffuser 140 facing the surface light emitting laser device 200. The antireflective layer may be formed separately from the diffusion part 140. The diffusion unit 140 may include an antireflection layer disposed on a bottom surface of the diffuser 140 facing the surface light emitting laser device 200. The anti-reflective layer may prevent the laser beam incident from the surface light emitting laser device 200 from being reflected from the surface of the diffuser 140 and transmit the light into the diffuser 140 to improve light loss due to reflection.

무반사층은 예로서 무반사 코팅 필름으로 형성되어 확산부(140)의 표면에 부착될 수 있다. 무반사층은 확산부(140)의 표면에 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등을 통하여 형성될 수도 있다. 예로서, 무반사층은 TiO2, SiO2, Al2O3, Ta2O3, ZrO2, MgF2를 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The antireflective layer may be formed of, for example, an antireflective coating film and attached to the surface of the diffusion part 140. The antireflective layer may be formed on the surface of the diffusion part 140 by spin coating or spray coating. As an example, the antireflective layer may be formed of a single layer or multiple layers including at least one of a group comprising TiO 2, SiO 2, Al 2 O 3, Ta 2 O 3, ZrO 2, MgF 2.

제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 도전라인을 제공할 수 있다. 도전라인은 확산부(140)의 하부에 배치될 수 있다. 예컨대, 도전라인은 확산부(140)의 하면에 배치될 수 있다. 도전라인은 예컨대, 스퍼터링 공정과 식각 공정에 의해 확산부(140)의 하면에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide a conductive line. The conductive line may be disposed under the diffusion part 140. For example, the conductive line may be disposed on the bottom surface of the diffusion unit 140. The conductive line may be formed on the lower surface of the diffusion part 140 by, for example, a sputtering process and an etching process, but is not limited thereto.

도 2에 도시한 바와 같이, 도전라인은 복수의 연결패드(131 내지 134)와 이들 패드 사이를 전기적으로 연결시키는 연결라인(135, 136)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 2, the conductive line may include a plurality of connection pads 131 to 134 and connection lines 135 and 136 electrically connecting the pads.

도면에는 제1 연결패드(131)가 연결라인에 연결되지 않는 것으로 도시되고 있지만, 실시예는 복수의 연결패드(131 내지 134) 모두 연결라인(135, 136)에 의해 연결될 수도 있고 복수의 연결패드(131 내지 134) 중 일부 연결패드가 연결라인에 의해 연결되지 않을 수도 있다.Although the first connection pad 131 is not shown to be connected to the connection line in the drawing, in the embodiment, all of the plurality of connection pads 131 to 134 may be connected by the connection lines 135 and 136 or a plurality of connection pads. Some connection pads 131 to 134 may not be connected by a connection line.

복수의 연결패드(131 내지 134)은 서로 이격될 수 있다. 예컨대, 제1 연결패드(131)는 확산부(140)의 하면의 제1 영역에 배치되고, 제2 연결패드(132)는 확산부(140)의 하면의 제2 영역에 배치되고, 제3 연결패드(133)는 확산부(140)의 하면의 제3 영역에 배치되며, 제4 연결패드(134)는 확산부(140)의 하면의 제4 영역에 배치될 수 있다. 확산부(140)의 하면의 제1 영역은 확산부(140)의 하면의 제2 영역 및 확산부(140)의 하면의 제3 영역 사이에 배치될 수 있고, 확산부(140)의 하면의 제3 영역은 확산부(140)의 하면의 제1 영역 및 확산부(140)의 하면의 제4 영역 사이에 배치될 수 있다. 확산부(140)의 하면의 제1 영역은 표면광방출레이저 소자(200)의 상면의 제1 영역에 대응될 수 있다. 확산부(140)의 하면의 제2 영역은 하우징(120)의 연결홀(121)에 대응될 수 있다. 하우징(120)의 연결홀(121)에 연결배선(111)이 배치될 수 있다. 확산부(140)의 하면의 제3 영역은 표면광방출레이저 소자(200)의 상면의 제2 영역에 대응될 수 있다. 확산부(140)의 하면의 제4 영역은 하우징(120)의 연결홀(121)의 타측에 대응될 수 있다. The plurality of connection pads 131 to 134 may be spaced apart from each other. For example, the first connection pad 131 is disposed in the first region of the lower surface of the diffusion unit 140, the second connection pad 132 is disposed in the second region of the lower surface of the diffusion unit 140, and the third The connection pad 133 may be disposed in the third region of the lower surface of the diffusion unit 140, and the fourth connection pad 134 may be disposed in the fourth region of the lower surface of the diffusion unit 140. The first region of the lower surface of the diffusion unit 140 may be disposed between the second region of the lower surface of the diffusion unit 140 and the third region of the lower surface of the diffusion unit 140. The third region may be disposed between the first region of the bottom surface of the diffusion unit 140 and the fourth region of the bottom surface of the diffusion unit 140. The first region of the lower surface of the diffusion unit 140 may correspond to the first region of the upper surface of the surface light emitting laser device 200. The second area of the bottom surface of the diffusion part 140 may correspond to the connection hole 121 of the housing 120. The connection wiring 111 may be disposed in the connection hole 121 of the housing 120. The third region of the bottom surface of the diffusion unit 140 may correspond to the second region of the top surface of the surface light emitting laser device 200. The fourth region of the bottom surface of the diffusion part 140 may correspond to the other side of the connection hole 121 of the housing 120.

제1 내지 제4 연결패드(131 내지 134) 각각의 길이는 상이할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제3 연결패드(131, 133) 각각의 길이는 제2 및 제4 연결패드(132, 134) 각각의 길이보다 작을 수 있다. 제1 및 제2 연결패드(132) 각각의 길이는 표면광방출레이저 소자(200)의 가로폭 또는 세로폭보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 연결패드(131, 132) 각각의 길이는 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극의 길이와 같거나 클 수 있다. 제2 및 제4 연결패드(132, 134) 각각의 길이는 표면광방출레이저 소자(200)의 가로폭 또는 세로폭보다 클 수 있다. 제2 및 제4 연결패드(132, 134) 각각의 길이는 하우징(120)의 일측에 형성된 단차(180)의 길이보다 작을 수 있다. Each of the first to fourth connection pads 131 to 134 may have a different length. For example, the length of each of the first and third connection pads 131 and 133 may be smaller than the length of each of the second and fourth connection pads 132 and 134. The length of each of the first and second connection pads 132 may be smaller than the width or length of the surface light emitting laser device 200. For example, the length of each of the first and second connection pads 131 and 132 may be equal to or greater than the length of the second electrode of the surface light emitting laser device 200. The length of each of the second and fourth connection pads 132 and 134 may be greater than the width or length of the surface light emitting laser device 200. The length of each of the second and fourth connection pads 132 and 134 may be smaller than the length of the step 180 formed at one side of the housing 120.

제2 연결패드(132)는 표면광방출레이저 소자(200)의 제1 측에 인접하는 하우징(120)의 연결홀(121)에 대응되도록 배치될 수 있다. 제4 연결패드(134)는 표면광방출레이저 소자(200)의 제1 측의 반대편인 제2 측에 인접하는 하우징(120)의 연결홀(121)의 타측에 대응되도록 배치될 수 있다. The second connection pad 132 may be disposed to correspond to the connection hole 121 of the housing 120 adjacent to the first side of the surface light emitting laser device 200. The fourth connection pad 134 may be disposed to correspond to the other side of the connection hole 121 of the housing 120 adjacent to the second side opposite to the first side of the surface light emitting laser device 200.

제1 연결라인(135)은 제2 연결패드(132)와 제4 연결패드(134)를 전기적으로 연결시켜주는 부재로서, 제2 연결패드(132)와 제4 연결패드(134) 사이에서 어떠한 형태로 배치되어도 무방하다. 예컨대, 제1 연결라인(135)은 확산부(140)의 하면에서 표면광방출레이저 소자(200)의 주변을 따라 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 연결라인(135)은 확산부(140)의 하면에서 표면광방출레이저 소자(200)와 중첩되지 않도록 배치되어, 표면광방출레이저 소자(200)로부터의 레이저빔의 진로를 방해하지 않을 수 있다. The first connection line 135 is a member that electrically connects the second connection pad 132 and the fourth connection pad 134. The first connection line 135 is formed between the second connection pad 132 and the fourth connection pad 134. It may be arranged in the form. For example, the first connection line 135 may be disposed along the periphery of the surface light emitting laser device 200 at the bottom surface of the diffusion unit 140. For example, the first connection line 135 is disposed so as not to overlap the surface light emitting laser device 200 at the bottom surface of the diffuser 140, so as not to obstruct the path of the laser beam from the surface light emitting laser device 200. You may not.

제2 연결라인(136)은 제3 연결패드(133)와 제4 연결패드(134)를 전기적으로 연결시켜주는 부재로서, 제3 연결패드(133)와 제4 연결패드(134) 사이에서 어떠한 형태로 배치되어도 무방하다. The second connection line 136 is a member that electrically connects the third connection pad 133 and the fourth connection pad 134, and there is no connection between the third connection pad 133 and the fourth connection pad 134. It may be arranged in the form.

제1 연결패드(131)는 연결라인을 이용하여 제2 연결패드(132)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결패드(131)는 연결라인을 이용하여 제3 연결패드(133)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결패드(131)는 연결라인을 이용하여 제4 연결패드(134)와 전기적으로 연결될 수 있다. The first connection pad 131 may be electrically connected to the second connection pad 132 using a connection line. The first connection pad 131 may be electrically connected to the third connection pad 133 by using a connection line. The first connection pad 131 may be electrically connected to the fourth connection pad 134 using a connection line.

제1 연결패드(131)와 제3 연결패드(133) 중 적어도 하나의 연결패드는 제2 연결패드(132)와 연결될 수 있다. 제1 연결패드(131)는 제2 연결패드(132)와 전기적으로 연결되고, 제3 연결패드(133)는 어떠한 연결패드와도 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 제4 연결패드(134)는 어떠한 연결패드와도 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. At least one connection pad of the first connection pad 131 and the third connection pad 133 may be connected to the second connection pad 132. The first connection pad 131 may be electrically connected to the second connection pad 132, and the third connection pad 133 may not be electrically connected to any connection pad. The fourth connection pad 134 may not be electrically connected to any connection pad.

제3 연결패드(133)는 연결라인을 이용하여 제2 연결패드(132)와 전기적으로 연결될 수 있다.The third connection pad 133 may be electrically connected to the second connection pad 132 using a connection line.

연결라인의 폭은 연결패드의 폭보다 작을 수 있다. 예컨대, 연결패드의 폭은 예컨대, 나중에 설명된 범프(151, 153, 155, 157)의 직경과 같거나 클 수 있다. 예컨대, 연결라인 각각의 폭은 연결패드 각각의 폭의 3% 내지 10%일 수 있다. 연결라인 각각의 폭은 연결패드의 폭의 3% 이하인 경우, 저항 성분이 커져서 전류가 잘 흐르지 않게 된다. 연결라인 각각의 폭은 연결패드 각각의 폭의 10%이상인 경우 표면광방출레이저 소자(200)의 레이저빔의 진행을 방해할 수 있다. 이와 같이, 범프(151, 153, 155, 157)와의 전기적인 접촉이 필요한 연결패드는 비교적 폭을 크게 하고, 범프(151, 153, 155, 157)와의 전기적인 접촉이 필요하지 않은 연결라인은 폭을 현저히 작게 하여, 표면광방출레이저 소자(200)로부터 확산부(140)로의 레이저빔의 진행에 대한 방해를 최소화하여 레이저빔의 광확산 불량이나 광 출력 저하를 방지할 수 있다.The width of the connection line may be smaller than the width of the connection pad. For example, the width of the connection pad may be equal to or greater than the diameter of the bumps 151, 153, 155, 157 described later, for example. For example, the width of each connection line may be 3% to 10% of the width of each connection pad. When the width of each of the connection lines is less than or equal to 3% of the width of the connection pads, the resistance component becomes large so that current does not flow easily. When the width of each of the connection lines is 10% or more of the width of each of the connection pads, it may hinder the progress of the laser beam of the surface light emitting laser device 200. As such, the connection pads requiring electrical contact with the bumps 151, 153, 155, and 157 are relatively wider, and the connection lines that do not require electrical contact with the bumps 151, 153, 155, and 157 are wider. Remarkably small, the interference with the progress of the laser beam from the surface light emitting laser device 200 to the diffusion unit 140 can be minimized to prevent poor light diffusion of the laser beam or a decrease in light output.

제1 실시예에 따르면, 확산부(140)의 아래에 배치되는 연결패드와 연결라인에 의해 연결패드나 연결라인의 단선을 통해 확산부(140)의 스크래치, 깨짐, 이탈 또는 탈착을 용이하게 감지할 수 있다. 이와 같이 확산부(140)의 불량이 감지되는 경우, 표면광방출레이저 소자(200)의 구동이 중지도어 사용자의 눈으로 강한 레이저빔이 조사되는 것이 차단될 수 있다.According to the first embodiment, the scratches, cracks, detachment or detachment of the diffusion unit 140 are easily sensed through disconnection of the connection pad or the connection line by the connection pad and the connection line disposed below the diffusion unit 140. can do. When the defect of the diffuser 140 is detected as described above, the driving of the surface light emitting laser device 200 may be prevented from irradiating a strong laser beam to the eyes of the user who stops the door.

도전라인은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 도전라인은 투명한 도전 물질로서, ITO, TCO일 수 있다. 예컨대, 도전라인은 불투명한 도전 물질로서, 알루미뉴(Al), 구리(Cu), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(W)이나 이들의 합금일 수 있다.  The conductive line may include a conductive material. For example, the conductive line is a transparent conductive material, and may be ITO or TCO. For example, the conductive line is an opaque conductive material, and may be aluminium (Al), copper (Cu), gold (Au), chromium (Cr), tungsten (W), or an alloy thereof.

도 5에 도시한 바와 같이, 복수의 연결패드와 복수의 연결라인은 다양한 형태로 배치될 수 있다. As shown in FIG. 5, the plurality of connection pads and the plurality of connection lines may be arranged in various forms.

도 5a에 도시한 바와 같이, 확산부(140)의 하면에서 배치되는 제1 연결패드(131)과 제1 연결패드(131)과 이격되며 전기적으로 연결되지 않으며 지그재그 형태로 배치되는 제2 연결패드(132)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 연결패드(131)과 제2 연결패드(132)는 연결라인에 의해 연결되지 않는다. 제1 연결패드(131)는 표면광방출레이저 소자(200)의 상면의 적어도 일 영역에 대응될 수 있다. As shown in FIG. 5A, the second connection pads spaced apart from the first connection pads 131 and the first connection pads 131 disposed on the bottom surface of the diffusion unit 140 and not electrically connected to each other are arranged in a zigzag form. 132 may include. That is, the first connection pad 131 and the second connection pad 132 are not connected by the connection line. The first connection pad 131 may correspond to at least one region of the top surface of the surface light emitting laser device 200.

도면에는 제1 연결패드(131)와 제2 연결패드(132)가 전기적으로 연결되지 않고 있지만, 제1 연결패드(131)와 제2 연결패드(132)가 전기적으로 연결될 수도 있다. Although the first connection pad 131 and the second connection pad 132 are not electrically connected in the drawing, the first connection pad 131 and the second connection pad 132 may be electrically connected to each other.

제1 연결패드(131)가 제2 연결패드(132)에 전기적으로 연결되지 않는 경우, 제2 연결패드(132)는 연결배선(111)을 경유하여 기판(110)의 제2 신호라인과 전기적으로 연결되지 않게 된다. 이러한 경우, 제1 연결패드(131)와 제1 범프(151)는 전극 역할을 하지 못하고 확산부(140)를 지지하는 기둥역할을 할 수 있다. 만일 제1 연결패드(131)가 제2 연결패드(132)에 전기적으로 연결되는 경우, 제1 연결패드(131)와 제1 범프(151)는 표면광방출레이저 소자(200)와 기판(110)의 제2 신호라인을 연결하는 전극 역할 뿐만 아니라 확산부(140)를 지지하는 기둥역할도 할 수 있다. When the first connection pad 131 is not electrically connected to the second connection pad 132, the second connection pad 132 is electrically connected to the second signal line of the substrate 110 via the connection wiring 111. Will not be connected. In this case, the first connection pad 131 and the first bump 151 may not serve as an electrode but may serve as a pillar supporting the diffusion part 140. If the first connection pad 131 is electrically connected to the second connection pad 132, the first connection pad 131 and the first bump 151 may be formed of the surface light emitting laser device 200 and the substrate 110. It may serve as a pillar supporting the diffusion part 140 as well as an electrode connecting the second signal line.

도 5a에는 연결라인이 생략될 수 있다. 또는 도 5a에서 제2 연결패드(132)의 형태 중에서 예컨대 하우징(120)의 단차(180)에 배치되는 연결배선(111)에 대응되는 제2 연결패드(132)는 패드 형태로 형성되고 그 외의 다른 제2 연결패드(132)는 패드보다 폭이 작은 라인으로 형성될 수도 있다. In FIG. 5A, a connection line may be omitted. Alternatively, in FIG. 5A, the second connection pad 132 corresponding to the connection wiring 111 disposed on the step 180 of the housing 120 among the shapes of the second connection pads 132 may be formed in the form of a pad. The other second connection pad 132 may be formed as a line having a width smaller than that of the pad.

도 5b에서, 제1 내지 제4 연결패드(131 내지 134)의 배치는 도 2와 동일하다. 다만, 도 5b에서 연결라인(135, 136)의 배치 형태가 도 2와 상이하다. 도면에는 제1 연결패드(131)가 다른 연결패드 또는 연결라인과 전기적으로 연결되지 않고 있지만, 제1 연결패드(131)는 다른 연결패드 또는 연결라인과 전기적으로 연결될 수도 있다.In FIG. 5B, the arrangement of the first to fourth connection pads 131 to 134 is the same as that of FIG. 2. However, the arrangement of the connection lines 135 and 136 in FIG. 5B is different from that of FIG. 2. Although the first connection pad 131 is not electrically connected to other connection pads or connection lines in the drawing, the first connection pad 131 may be electrically connected to other connection pads or connection lines.

도 5c에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제4 연결패드 각각이 서로 이격된 복수의 패드로 구성될 수 있다. 도면에는 제1 연결패드(131)가 다른 연결패드 또는 연결라인과 전기적으로 연결되지 않고 있지만, 제1 연결패드(131)는 다른 연결패드 또는 연결라인과 전기적으로 연결될 수도 있다.As illustrated in FIG. 5C, each of the first to fourth connection pads may be formed of a plurality of pads spaced apart from each other. Although the first connection pad 131 is not electrically connected to other connection pads or connection lines in the drawing, the first connection pad 131 may be electrically connected to other connection pads or connection lines.

제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 복수의 범프(151, 153, 155, 157)를 제공할 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide a plurality of bumps 151, 153, 155, and 157.

복수의 제1 범프(151)는 제1 연결패드(131)와 표면광방출레이저 소자(200) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 범프(151)는 제1 연결패드(131)와 표면광방출레이저 소자(200)의 상면의 일측 영역 사이에 배치될 수 있다. 제1 범프(151)는 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극과 전기적으로 접촉될 수 있다. 제2 범프(153)는 제2 연결패드(132)와 하우징(120) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 범프(153)는 제2 연결패드(132)와 하우징(120)의 연결홀(121) 영역 사이에 배치될 수 있다. The plurality of first bumps 151 may be disposed between the first connection pad 131 and the surface light emitting laser device 200. In detail, the first bump 151 may be disposed between the first connection pad 131 and one region of the top surface of the surface light emitting laser device 200. The first bump 151 may be in electrical contact with the second electrode of the surface light emitting laser device 200. The second bump 153 may be disposed between the second connection pad 132 and the housing 120. In detail, the second bump 153 may be disposed between the second connection pad 132 and the connection hole 121 region of the housing 120.

만일 제1 연결패드(131)와 제2 연결패드(132)가 연결라인에 의해 전기적으로 연결되는 경우, 표면광방출레이저 소자(200)는 제1 범프(151), 제1 연결패드(131), 제2 연결패드(132), 제2 범프(153) 및 하우징(120)의 연결홀(121) 영역에 배치된 연결배선(111)을 통해 기판(110)의 제2 신호라인과 연결될 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 기판(110)의 제2 신호라인과 전기적으로 연결되므로, 기판(110)의 제1 신호라인? 표면광방출레이저 소자(200)?제1 범프(151)?제1 연결패드(131)?제2 연결패드(132)?제2 범프(153)?연결배선(111)?기판(110)의 제2 신호라인으로 구성되는 전기적인 통로가 형성될 수 있다. 따라서, 기판(110)의 제1 및 제2 신호라인으로 인가된 전원에 의해 표면광방출레이저 소자(200)로부터 레이저빔이 방출될 수 있다. If the first connection pad 131 and the second connection pad 132 are electrically connected by a connection line, the surface light emitting laser device 200 may include a first bump 151 and a first connection pad 131. The second connection line 132 may be connected to the second signal line of the substrate 110 through a connection line 111 disposed in an area of the second connection pad 132, the second bump 153, and the connection hole 121 of the housing 120. . Since the surface light emitting laser device 200 is electrically connected to the second signal line of the substrate 110, the first signal line of the substrate 110? The surface light emitting laser device 200, the first bump 151, the first connection pad 131, the second connection pad 132, the second bump 153, the connection wiring 111, and the substrate 110 may be formed. An electrical passage formed of the second signal line may be formed. Therefore, the laser beam may be emitted from the surface light emitting laser device 200 by the power applied to the first and second signal lines of the substrate 110.

복수의 제3 범프(155)는 제3 연결패드(133)와 표면광방출레이저 소자(200) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제3 범프(155)는 제3 연결패드(133)와 표면광방출레이저 소자(200)의 상면의 타측 영역 사이에 배치될 수 있다. 제3 범프(155)는 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극과 전기적으로 접촉될 수 있다. 제4 범프(157)는 제4 연결패드(134)와 하우징(120) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제4 범프(157)는 제4 연결패드(134)와 하우징(120)의 연결홀(121)의 타측 영역 사이에 배치될 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제3 연결패드(133)와 제4 연결패드(134)는 제2 연결라인(136)에 의해 전기적으로 연결되고, 제2 연결패드(132)와 제3 연결패드(133)는 제1 연결라인(135)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 기판(110)의 제1 신호라인? 표면광방출레이저 소자(200)?제3 범프(155)?제3 연결패드(133)?제2 연결라인(136)?제4 연결패드(134)? 제1 연결라인(135)?제2 연결패드(132)?제2 범프(153)?연결배선(111)?기판(110)의 제2 신호라인으로 구성되는 전기적인 통로가 형성될 수 있다. 따라서, 기판(110)의 제1 및 제2 신호라인으로 인가된 전원에 의해 표면광방출레이저 소자(200)로부터 레이저빔이 방출될 수 있다. The plurality of third bumps 155 may be disposed between the third connection pad 133 and the surface light emitting laser device 200. In detail, the third bump 155 may be disposed between the third connection pad 133 and the other region of the upper surface of the surface light emitting laser device 200. The third bump 155 may be in electrical contact with the second electrode of the surface light emitting laser device 200. The fourth bump 157 may be disposed between the fourth connection pad 134 and the housing 120. In detail, the fourth bump 157 may be disposed between the fourth connection pad 134 and the other region of the connection hole 121 of the housing 120. As shown in FIG. 2, the third connection pad 133 and the fourth connection pad 134 are electrically connected by the second connection line 136, and the second connection pad 132 and the third connection pad are connected to each other. 133 may be electrically connected by the first connection line 135. Accordingly, the first signal line of the substrate 110? Surface light emitting laser device 200, third bump 155, third connection pad 133, second connection line 136, fourth connection pad 134? An electrical passage including the first connection line 135, the second connection pad 132, the second bump 153, the connection wiring 111, and the second signal line of the substrate 110 may be formed. Therefore, the laser beam may be emitted from the surface light emitting laser device 200 by the power applied to the first and second signal lines of the substrate 110.

제1 내지 4 범프는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4 범프(151, 153, 155, 157)는 금(Au), 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first to fourth bumps may be made of a metal material. For example, the first to fourth bumps 151, 153, 155, and 157 may be made of gold (Au) or aluminum (Al), but are not limited thereto.

이상에서 설명된 제1 내지 제4 범프(151, 153, 155, 157)는 도트(dot)로 지칭될 수도 있다. The first to fourth bumps 151, 153, 155, and 157 described above may be referred to as dots.

제1 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 접착부(161, 163)를 제공할 수 있다. 접착부(161, 163)는 제1 접착부(161)와 제2 접착부(163)를 포함할 수 있다.The surface light emitting laser package 100 according to the first embodiment may provide adhesive parts 161 and 163. The adhesive parts 161 and 163 may include a first adhesive part 161 and a second adhesive part 163.

제1 및 제2 접착부(161, 163)는 접착성 및 방열 특성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 접착부(161, 163)는 수지 계열의 절연 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 접착부(161, 163)는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성 재질로 제공될 수 있다. The first and second adhesive parts 161 and 163 may be made of a material having excellent adhesiveness and heat dissipation characteristics. For example, the first and second adhesive parts 161 and 163 may include a resin-based insulating material. For example, the first and second adhesive parts 161 and 163 may be made of a silicone resin, an epoxy resin, a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistant material.

제1 및 제2 접착부(161, 163)는 도전성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 접착부(161, 163)는 은 페이스트(Ag paste)일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first and second adhesive parts 161 and 163 may be made of a material having excellent conductivity. For example, the first and second adhesive parts 161 and 163 may be silver pastes, but are not limited thereto.

제1 접착부(161)는 제1 연결패드(131)와 표면광방출레이저 소자(200) 사이에 위치된 제1 범프(151)를 둘러쌀 수 있다. 제2 접착부(163)는 제3 연결패드(133)와 표면광방출레이저 소자(200) 사이에 위치된 제3 범프(155)를 둘러쌀 수 있다. The first adhesive part 161 may surround the first bump 151 positioned between the first connection pad 131 and the surface light emitting laser device 200. The second adhesive part 163 may surround the third bump 155 positioned between the third connection pad 133 and the surface light emitting laser device 200.

도시되지 않았지만, 접착부(161, 163)는 제2 연결패드(132)와 하우징(120)의 연결홀(121) 영역 사이에 위치된 제2 범프(153)를 둘러싸거나 제4 연결패드(134)와 하우징(120)의 연결홀(121)의 타측 영역 사이에 위치된 제4 범프(157)를 둘러쌀 수 있다.Although not shown, the adhesive parts 161 and 163 surround the second bump 153 positioned between the second connection pad 132 and the connection hole 121 region of the housing 120 or the fourth connection pad 134. And the fourth bump 157 positioned between the other region of the connection hole 121 of the housing 120.

제1 실시예에 따르면, 제2 접착부(163)가 제3 범프(155)를 감싸고 제3 연결패드(133)와 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극(280)이 부착되도록 하여, 제3 범프(155)에 의해 제3 연결패드(133)와 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극(280) 간의 전기적인 단선이 방지될 수 있다.According to the first embodiment, the second adhesive part 163 surrounds the third bump 155 and attaches the third connection pad 133 and the second electrode 280 of the surface light emitting laser device 200 to each other. Electrical disconnection between the third connection pad 133 and the second electrode 280 of the surface light emitting laser device 200 may be prevented by the third bump 155.

제1 실시예에 따르면, 표면광방출레이저 소자(200)에 와이어가 필요없다. 즉, 표면광방출레이저 소자(200)와 기판(110) 사이에 배치된 도전라인(131 내지 136)과 범프에 의해 표면광방출레이저 소자(200)와 기판(110)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 실시예에서는 종래에 와이어의 단선으로 인한 불량을 방지할 수 있다.According to the first embodiment, no wire is required for the surface light emitting laser element 200. That is, the surface light emitting laser device 200 and the substrate 110 may be electrically connected to each other by bumps and conductive lines 131 to 136 disposed between the surface light emitting laser device 200 and the substrate 110. Accordingly, in the first embodiment, defects due to disconnection of the wire can be prevented conventionally.

제1 실시예에 따르면, 제1 내지 제4 연결패드(131 내지 134) 및 제1 및 제2 연결라인(135, 136)이 확산부(140)에 구비됨으로써, 이들 제1 내지 제4 연결패드(131 내지 134) 및 제1 및 제2 연결라인(135, 136)의 단선 여부를 통해 확산부(140)의 탈착을 간편하게 검출할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4 연결패드(131 내지 134) 및 제1 및 제2 연결라인(135, 136) 중 하나가 단선되는 경우, 기판(110)과 표면광방출레이저 소자(200) 사이의 전기적인 통로가 차단되어 표면광방출레이저 소자(200)로부터 레이저빔이 방출되지 않게 되고, 이러한 레이저빔의 방출 여부를 통해 확산부(140)의 탈착을 검출할 수 있다. According to the first embodiment, the first to fourth connection pads 131 to 134 and the first and second connection lines 135 and 136 are provided in the diffusion part 140, thereby providing the first to fourth connection pads. Desorption of the diffusion unit 140 can be easily detected through disconnection of the first and second connecting lines 135 and 136 and 131 to 134. For example, when one of the first to fourth connection pads 131 to 134 and one of the first and second connection lines 135 and 136 is disconnected, an electrical connection between the substrate 110 and the surface light emitting laser device 200 is performed. Since the passage is blocked, the laser beam is not emitted from the surface light emitting laser device 200, and the detachment of the diffuser 140 can be detected through the emission of the laser beam.

제1 실시예에 따르면, 접착부(161, 163)에 의해 확산부(140)가 표면광방출레이저 소자(200) 또는 하우징(120)에 접착됨으로써, 확산부(140)의 부착력이 강화되어 확산부(140)의 탈착이 방지될 수 있다. According to the first embodiment, the diffusion part 140 is adhered to the surface light emitting laser element 200 or the housing 120 by the adhesion parts 161 and 163, thereby increasing the adhesion of the diffusion part 140 to thereby diffuse the diffusion part 140. Desorption of the 140 can be prevented.

<제2 실시예>Second Embodiment

도 6은 제2 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of the surface light emitting laser package according to the second embodiment.

제2 실시예는 접착부(160)를 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 제2 실시예의 설명에서 제1 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조를 갖는 구성 요소에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다. 제2 실시예에서 생략된 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The second embodiment is the same as the first embodiment except for the adhesive portion 160. In the description of the second embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same functions, shapes, and / or structures as the first embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted. The description omitted in the second embodiment can be easily understood from the description of the first embodiment.

도 6을 참조하면, 제2 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100A)는 접착부(160)를 제공할 수 있다. Referring to FIG. 6, the surface light emitting laser package 100A according to the second embodiment may provide an adhesive part 160.

접착부(160)는 확산부(140)의 일측 영역과 표면광방출레이저 소자(200)의 일측 영역 사이, 확산부(140)의 일측 영역과 기판(110)의 일측 영역 사이 그리고 확산부(140)의 일측 영역과 표면광방출레이저 소자(200)의 일측 영역과 기판(110)의 일측 영역 사이의 영역에 배치될 수 있다. The adhesion part 160 may be disposed between one region of the diffusion portion 140 and one region of the surface light emitting laser device 200, between one region of the diffusion portion 140 and one region of the substrate 110 and the diffusion portion 140. It may be disposed in a region between one side of the region and one region of the surface light emitting laser device 200 and one region of the substrate 110.

접착부(160)의 확산부(140)의 타측 영역과 표면광방출레이저 소자(200)의 타측 영역 사이, 확산부(140)의 타측 영역과 기판(110)의 타측 영역 사이 그리고 확산부(140)의 타측 영역과 표면광방출레이저 소자(200)의 타측 영역과 기판(110)의 타측 영역 사이의 영역에 배치될 수 있다. Between the other region of the diffusion portion 140 of the bonding portion 160 and the other region of the surface light emitting laser element 200, between the other region of the diffusion portion 140 and the other region of the substrate 110 and the diffusion portion 140. It may be disposed in the region between the other region and the other region of the surface light emitting laser device 200 and the other region of the substrate 110.

접착부(160)는 하우징(120)의 개구(105)에서 표면광방출레이저 소자(200)와 하우징(120)의 내면 사이 및 확산부(140)와 하우징(120)의 내면 사이의 공간 영역에 배치될 수 있다. The adhesive part 160 is disposed in the spatial region between the surface light emitting laser element 200 and the inner surface of the housing 120 and between the diffuser 140 and the inner surface of the housing 120 in the opening 105 of the housing 120. Can be.

접착부(160)는 제1 연결패드(131)와 제3 연결패드(133) 사이에 해당하는 표면광방출레이저 소자(200)와 확산부(140) 사이에 배치될 수 있다. The adhesive part 160 may be disposed between the surface light emitting laser device 200 and the diffusion part 140 corresponding to the first connection pad 131 and the third connection pad 133.

제2 실시예에 따르면, 접착부(160)가 표면광방출레이저 소자(200)의 둘레를 포함한 하우징(120)의 개구(105) 내의 모든 공간에 배치됨으로써, 접착부(160)에 의해 확산부(140)뿐만 아니라 하우징(120)도 접착되므로, 확산부(140)의 탈착이 원천적으로 차단될 수 있다. According to the second embodiment, the adhesive part 160 is disposed in all the spaces in the opening 105 of the housing 120 including the circumference of the surface light emitting laser element 200, whereby the diffusion part 140 is formed by the adhesive part 160. In addition, since the housing 120 is also bonded, the detachment of the diffusion unit 140 may be blocked at the source.

<제3 실시예>Third Embodiment

도 7은 제3 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이고, 도 8은 제3 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 평면도이다.7 is a cross-sectional view of the surface light emitting laser package according to the third embodiment, and FIG. 8 is a plan view of the surface light emitting laser package according to the third embodiment.

제3 실시예의 설명에서 제1 및 제2 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조를 갖는 구성 요소에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다. 제3 실시예에서 생략된 설명은 제1 및 제2 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. In the description of the third embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same functions, shapes, and / or structures as the first and second embodiments, and the detailed description is omitted. The description omitted in the third embodiment can be easily understood from the description of the first and second embodiments.

도 7 및 도 8을 참조하면, 제3 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100B)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되는 표면광방출레이저 소자(200), 표면광방출레이저 소자(200)를 둘러싸는 하우징(120), 표면광방출레이저 소자(200) 상에 배치되는 확산부(140)를 포함할 수 있다. 7 and 8, the surface light emitting laser package 100B according to the third embodiment may include a substrate 110, a surface light emitting laser device 200 disposed on the substrate 110, and a surface light emitting laser. The housing 120 surrounding the device 200 may include a diffusion unit 140 disposed on the surface light emitting laser device 200.

하우징(120)은 상하로 관통되는 개구(105)를 가질 수 있다. 하우징(120)은 상측에 형성되고 개구(105)와 연결되는 제1 단차(180)를 가질 수 있다. 하우징(120)은 적어도 제1 단차(180)의 상면보다 낮은 위치에 형성되는 제2 단차(182)를 가질 수 있다. 제1 단차(180)는 하우징(120)의 내측을 따라 형성될 수 있다. 제2 단차(182)는 연결홀(121)에 인접하여 형성되지만, 하우징(120)의 내측을 따라 형성될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 제2 단차(182)의 바닥면은 제1 단차(180)의 바닥면으로부터 하우징(120)의 중심을 향해 연장될 수 있다. The housing 120 may have an opening 105 penetrating up and down. The housing 120 may have a first step 180 formed at an upper side thereof and connected to the opening 105. The housing 120 may have a second step 182 formed at a position lower than at least an upper surface of the first step 180. The first step 180 may be formed along the inside of the housing 120. The second step 182 is formed adjacent to the connection hole 121, but may or may not be formed along the inner side of the housing 120. The bottom surface of the second step 182 may extend from the bottom surface of the first step 180 toward the center of the housing 120.

하우징(120)은 제1 연결홀(121)과 제2 연결홀(122)를 포함할 수 있다. 제2 연결홀(122)은 제1 연결홀(121)의 타측에 해당하는 하우징(120)을 상하로 관통하도록 형성될 수 있다.The housing 120 may include a first connection hole 121 and a second connection hole 122. The second connection hole 122 may be formed to penetrate up and down the housing 120 corresponding to the other side of the first connection hole 121.

제1 연결홀(121)은 수직 방향을 따라 형성되는 수직연결홀(121a)와 수직연결홀(121a)에 연결되고 수평 방향을 따라 형성되는 수평연결홀(121b)를 포함할 수 있다. 수직연결홀(121a)은 제1 단차(180)의 상측에서 수직으로 형성되고, 수평연결홀(121b)은 수직연결홀(121a)에 연결되어 제2 단차(182)의 측부에 노출되도록 수평 방향을 따라 형성될 수 있다. 수평연결홀(121b)은 제2 단차(182)의 상측에 연결될 수 있다. The first connection hole 121 may include a vertical connection hole 121a formed along the vertical direction and a horizontal connection hole 121b connected to the vertical connection hole 121a and formed along the horizontal direction. The vertical connection hole 121a is formed vertically at the upper side of the first step 180, and the horizontal connection hole 121b is connected to the vertical connection hole 121a to be exposed to the side of the second step 182. It can be formed along. The horizontal connection hole 121b may be connected to an upper side of the second step 182.

수직연결홀(121a)과 수평연결홀(121b) 대신에 라운드형 연결홀이 형성될 수도 있다. 라운드형 연결홀의 일측은 하우징(120)의 내측면에 노출되고 라운드형 연결홀의 타측은 하우징(120)의 제1 단차(180)의 상측에 노출될 수 있다. Instead of the vertical connection holes 121a and the horizontal connection holes 121b, round connection holes may be formed. One side of the round connection hole may be exposed to the inner surface of the housing 120, and the other side of the round connection hole may be exposed to the upper side of the first step 180 of the housing 120.

제1 연결홀(121)에 제1 연결배선(111)이 배치될 수 있다. 제1 연결배선(111)의 단면은 원형, 사각형이거나 그 외의 다른 형상도 가능하다. 구체적으로, 제1 연결배선(111)은 수직연결홀(121a)에 배치되는 수직연결배선(111a)과 수평연결홀(121b)에 배치되는 수평연결배선(111b)을 포함할 수 있다. 수직연결배선(111a)의 일측은 제1 단차(180)의 바닥면에 노출될 수 있다. 수평연결배선(111b)의 일측은 수직연결배선(111a)과 접하고 수평연결배선(111b)의 타측은 제2 단차(182)의 바닥면에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 수평연결배선(111b)의 상면과 표면광방출레이저 소자(200)의 상면은 동일 선상에 위치될 수 있다. 즉, 수평연결배선(111b)의 상면과 표면광방출레이저 소자(200)의 상면은 동일 위치를 가질 수 있다. 또는 수평연결배선(111b)의 상면은 표면광방출레이저 소자(200)의 상면보다 낮게 위치될 수 있다. 이에 따라, 와이어(190)은 표면광방출레이저 소자(200)과 수평연결배선(111b)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. The first connection wire 111 may be disposed in the first connection hole 121. The cross section of the first connection line 111 may be circular, rectangular, or other shapes. In detail, the first connection wiring 111 may include a vertical connection wiring 111a disposed in the vertical connection hole 121a and a horizontal connection wiring 111b disposed in the horizontal connection hole 121b. One side of the vertical connection line 111a may be exposed on the bottom surface of the first step 180. One side of the horizontal connection line 111b may be in contact with the vertical connection line 111a and the other side of the horizontal connection line 111b may be disposed on the bottom surface of the second step 182. In this case, the upper surface of the horizontal connection wiring 111b and the upper surface of the surface light emitting laser device 200 may be positioned on the same line. That is, the upper surface of the horizontal connection wiring 111b and the upper surface of the surface light emitting laser device 200 may have the same position. Alternatively, the upper surface of the horizontal connection wiring 111b may be lower than the upper surface of the surface light emitting laser device 200. Accordingly, the wire 190 may electrically connect the surface light emitting laser device 200 and the horizontal connection wiring 111b.

수평연결배선(111b)은 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 연결패드(137)의 길이 방향을 따라 길게 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수의 와이어(190)가 수평연결배선(111b)의 서로 상이한 영역에 용이하게 본딩될 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the horizontal connection wiring 111b may be disposed to extend in the longitudinal direction of the first connection pad 137. Accordingly, the plurality of wires 190 may be easily bonded to different regions of the horizontal connection wiring 111b.

복수의 와이어(190)를 이용하여 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극과 수평연결배선(111b)이 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 와이어(190)의 일측은 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 전극과 전기적으로 연결되고, 와이어(190)의 타측은 제1 연결배선의 수평연결배선(111b)의 상면의 일 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. The second electrode of the surface light emitting laser device 200 and the horizontal connection wiring 111b may be electrically connected by using the plurality of wires 190. Specifically, one side of the wire 190 is electrically connected to the second electrode of the surface light emitting laser element 200, and the other side of the wire 190 is one of the upper surface of the horizontal connection line 111b of the first connection line. It may be electrically connected to the area.

제2 연결홀(122)에 제2 연결배선(113)이 배치될 수 있다. The second connection wiring 113 may be disposed in the second connection hole 122.

확산부(140)의 하면에 제1 연결패드(137), 제2 연결패드(138) 및 연결라인(139)를 포함하는 도전라인이 배치될 수 있다. 연결라인에 의해 제1 연결패드(137)와 제2 연결패드(138)가 전기적으로 연결될 수 있다. A conductive line including a first connection pad 137, a second connection pad 138, and a connection line 139 may be disposed on the bottom surface of the diffusion unit 140. The first connection pad 137 and the second connection pad 138 may be electrically connected by the connection line.

제1 연결패드(137)는 도 1에 도시된 제2 연결패드(132)와 동일하고 제2 연결패드(138)는 도 1에 도시된 제4 연결패드(134)와 동일할 수 있다. 제3 실시예에서는 표면광방출레이저 소자(200)가 어떠한 연결패드와도 전기적으로 연결되지 않기 때문에, 도 1에 도시된 제1 연결패드(131)와 제3 연결패드(133)가 생략될 수 있다. The first connection pad 137 may be the same as the second connection pad 132 shown in FIG. 1, and the second connection pad 138 may be the same as the fourth connection pad 134 shown in FIG. 1. In the third embodiment, since the surface light emitting laser device 200 is not electrically connected to any connection pad, the first connection pad 131 and the third connection pad 133 shown in FIG. 1 may be omitted. have.

연결라인(139)은 제1 연결패드(137)와 제2 연결패드(138) 사이에서 지그재그 형태로 배치될 수 있지만, 어떠한 형태로 배치되어도 무방하다. 도면에서는 연결라인이 표면광방출레이저 소자(200)와 중첩되지 않도록 도시되고 있지만, 표면광방출레이저 소자(200)와 중첩되도록 배치될 수도 있다. The connection line 139 may be arranged in a zigzag form between the first connection pad 137 and the second connection pad 138, but may be arranged in any form. In the drawing, although the connection line is illustrated so as not to overlap the surface light emitting laser device 200, the connection line may be arranged to overlap the surface light emitting laser device 200.

제1 범프(156)가 제1 연결패드(137)와 제1 연결배선(111) 사이에 배치되어, 제1 범프(156)에 의해 제1 연결패드(137)와 제1 연결배선(111)이 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 범프(156)의 일측은 제1 연결패드(137)의 하면에 접촉되고, 제1 범프(156)의 타측은 제1 연결배선(111)의 수직연결배선(111a)의 상면과 접촉될 수 있다. The first bump 156 is disposed between the first connection pad 137 and the first connection wire 111, and the first connection pad 137 and the first connection wire 111 are formed by the first bump 156. This can be electrically connected. Specifically, one side of the first bump 156 is in contact with the bottom surface of the first connection pad 137, the other side of the first bump 156 is the top surface of the vertical connection wiring 111a of the first connection wiring 111. Can be contacted with.

제2 범프(158)가 제2 연결패드(138)와 제2 연결배선(113) 사이에 배치되어, 제2 범프(158)에 의해 제2 연결패드(138)와 제2 연결배선(113)이 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 범프(158)의 일측은 제2 연결패드(138)의 하면에 접촉되고, 제2 범프(158)의 타측은 제2 연결배선(113)의 상면에 접촉될 수 있다. The second bump 158 is disposed between the second connection pad 138 and the second connection wiring 113, and the second connection pad 138 and the second connection wiring 113 are formed by the second bump 158. This can be electrically connected. Specifically, one side of the second bump 158 may be in contact with the bottom surface of the second connection pad 138, and the other side of the second bump 158 may be in contact with the top surface of the second connection wiring 113.

표면광방출레이저 소자(200)의 하면, 즉 제1 전극은 기판(110)의 제1 신호라인와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결배선(113)의 하면은 기판(110)의 제2 신호라인와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 기판(110)의 제1 신호라인? 표면광방출레이저 소자(200)?와이어(190)?제1 연결배선(111)?제1 범프(156)?제1 연결패드(137)?연결라인?제2 연결패드(138)?제2 범프(158)?제2 연결배선(113)?기판(110)의 제2 신호라인으로 구성되는 전기적인 통로가 형성될 수 있다. 따라서, 기판(110)의 제1 및 제2 신호라인으로 인가된 전원에 의해 표면광방출레이저 소자(200)로부터 레이저빔이 방출될 수 있다. The lower surface of the surface light emitting laser device 200, that is, the first electrode may be electrically connected to the first signal line of the substrate 110. The lower surface of the second connection line 113 may be electrically connected to the second signal line of the substrate 110. Accordingly, the first signal line of the substrate 110? Surface light emitting laser device 200, wire 190, first connection wiring 111, first bump 156, first connection pad 137, connection line, second connection pad 138, second An electrical passage formed of the bump 158, the second connection wiring 113, and the second signal line of the substrate 110 may be formed. Therefore, the laser beam may be emitted from the surface light emitting laser device 200 by the power applied to the first and second signal lines of the substrate 110.

도시되지 않았지만, 제1 범프(156)의 둘레 및 제2 범프(158)의 둘레에 접착부가 배치될 수 있다. Although not shown, an adhesive part may be disposed around the first bump 156 and around the second bump 158.

<제4 실시예>Fourth Example

도 9는 제4 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 단면도이다.9 is a sectional view of a surface light emitting laser package according to the fourth embodiment.

제4 실시예는 접착부(160)를 제외하고는 제3 실시예와 동일하다. 제4 실시예의 설명에서 제3 실시예와 동일한 기능, 형상 및/또는 구조를 갖는 구성 요소에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다. 제4 실시예에서 생략된 설명은 제4 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The fourth embodiment is the same as the third embodiment except for the adhesive portion 160. In the description of the fourth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same functions, shapes, and / or structures as the third embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted. The description omitted in the fourth embodiment can be easily understood from the description of the fourth embodiment.

도 9를 참조하면, 제4 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100C)는 접착부(160)를 제공할 수 있다. Referring to FIG. 9, the surface light emitting laser package 100C according to the fourth embodiment may provide an adhesive part 160.

접착부(160)는 하우징(120)의 개구(105)에 배치될 수 있다. 접착부(160)는 표면광방출레이저 소자(200)와 확산부(140) 사이에 배치될 수 있다. 접착부(160)는 표면광방출레이저 소자(200)의 둘레에 배치될 수 있다. 접착부(160)는 하우징(120)의 제1 단차(180) 및 제2 단차(182) 위에 배치될 수 있다. 접착부(160)는 제1 연결패드(137)와 제2 연결패드(138) 사이에 배치될 수 있다. 접착부(160)는 제1 범프(156)의 둘레와 제2 범프(158)의 둘레에 배치될 수 있다. The adhesive part 160 may be disposed in the opening 105 of the housing 120. The adhesive part 160 may be disposed between the surface light emitting laser device 200 and the diffusion part 140. The adhesive part 160 may be disposed around the surface light emitting laser device 200. The adhesive part 160 may be disposed on the first step 180 and the second step 182 of the housing 120. The adhesive part 160 may be disposed between the first connection pad 137 and the second connection pad 138. The adhesive part 160 may be disposed around the first bump 156 and around the second bump 158.

제4 실시예에 따르면, 접착부(160)가 표면광방출레이저 소자(200)의 둘레를 포함한 하우징(120)의 개구(105) 내의 모든 공간에 배치됨으로써, 접착부(160)에 의해 확산부(140)뿐만 아니라 하우징(120)도 접착되므로, 확산부(140)와 하우징(120)의 탈착이 원천적으로 차단될 수 있다. According to the fourth embodiment, the adhesive part 160 is disposed in all the spaces in the opening 105 of the housing 120 including the circumference of the surface light emitting laser element 200, whereby the diffusion part 140 is formed by the adhesive part 160. As well as the housing 120 is also bonded, detachment of the diffusion unit 140 and the housing 120 can be blocked at the source.

한편, 이상에서 설명된 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100, 100A, 100B, 100C)는 근접 센서, 자동 초점 장치 등에 적용될 수 있다. 예컨대, 실시예에 따른 자동 초점 장치는 빛을 발광하는 발광부와 빛을 수광하는 수광부를 포함할 수 있다. 발광부의 예로서 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 제1 내지 제4 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100, 100A, 100B, 100C) 중에서 적어도 하나가 적용될 수 있다. 수광부의 예로서 포토 다이오드가 적용될 수 있다. 수광부는 발광부에서 방출된 빛이 물체에서 반사되는 빛을 입사 받을 수 있다.On the other hand, the surface light emitting laser package (100, 100A, 100B, 100C) according to the embodiment described above may be applied to a proximity sensor, an auto focus device, and the like. For example, the autofocus apparatus according to the embodiment may include a light emitting unit for emitting light and a light receiving unit for receiving light. As an example of the light emitting unit, at least one of the surface light emitting laser packages 100, 100A, 100B, and 100C according to the first to fourth embodiments described with reference to FIGS. 1 to 9 may be applied. As an example of the light receiving portion, a photodiode may be applied. The light receiver may receive light reflected from an object from the light emitted from the light emitter.

자동 초점 장치는 이동 단말기, 카메라, 차량용 센서, 광 통신용 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 자동 초점 장치는 피사체의 위치를 검출하는 멀티 위치 검출을 위한 다양한 분야에 적용될 수 있다.The auto focus device may be variously applied to a mobile terminal, a camera, a vehicle sensor, and an optical communication device. The auto focus device may be applied to various fields for multi-position detection for detecting the position of the subject.

도 10은 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지를 포함하는 자동 초점 장치가 적용된 이동 단말기의 사시도이다.10 is a perspective view of a mobile terminal to which an autofocusing apparatus including a surface light emitting laser package according to an embodiment is applied.

도 10에 도시된 바와 같이, 실시예의 이동 단말기(1500)는 후면에 제공된 카메라 모듈(1520), 플래쉬 모듈(1530), 자동 초점 장치(1510)를 포함할 수 있다. 여기서, 자동 초점 장치(1510)는 발광부로서 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 제1 내지 제4 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100, 100A, 100B, 100C) 중의 하나를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10, the mobile terminal 1500 of the embodiment may include a camera module 1520, a flash module 1530, and an auto focusing device 1510 provided at a rear surface thereof. Here, the auto focus apparatus 1510 may include one of the surface light emitting laser packages 100, 100A, 100B, and 100C according to the first to fourth embodiments described with reference to FIGS. 1 to 9 as a light emitting unit. Can be.

플래쉬 모듈(1530)은 내부에 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 플래쉬 모듈(1530)은 이동 단말기의 카메라 작동 또는 사용자의 제어에 의해 작동될 수 있다. 카메라 모듈(1520)은 이미지 촬영 기능 및 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 카메라 모듈(1520)은 이미지를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다.The flash module 1530 may include a light emitting device that emits light therein. The flash module 1530 may be operated by camera operation of a mobile terminal or control of a user. The camera module 1520 may include an image capturing function and an auto focus function. For example, the camera module 1520 may include an auto focus function using an image.

자동 초점 장치(1510)는 레이저를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 자동 초점 장치(1510)는 카메라 모듈(1520)의 이미지를 이용한 자동 초점 기능이 저하되는 조건, 예컨대 10m 이하의 근접 또는 어두운 환경에서 주로 사용될 수 있다. 자동 초점 장치(1510)는 표면광방출레이저 패키지를 포함하는 발광부와, 포토 다이오드와 같은 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 수광부를 포함할 수 있다. 수광부는 표면광방출레이저 패키지에서 방출되어 반사된 빛을 입사받을 수 있다. The auto focus device 1510 may include an auto focus function using a laser. The auto focus device 1510 may be mainly used in a condition in which the auto focus function using the image of the camera module 1520 is degraded, for example, in a proximity or dark environment of 10 m or less. The auto focus device 1510 may include a light emitting unit including a surface light emitting laser package, and a light receiving unit converting light energy such as a photodiode into electrical energy. The light receiver may receive light reflected from the surface light emitting laser package.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as limiting in all respects but should be considered as illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.

100: 표면광방출레이저 패키지
105: 개구
110: 기판
111, 113: 연결배선
111a: 수직연결배선
111b: 수평연결배선
117: 바닥면
120: 하우징
121, 122: 연결홀
121a: 수직연결홀
121b: 수평연결홀
131, 132, 133, 134, 137, 138: 연결패드
135, 136, 139: 연결라인
140: 확산부
151, 153, 155, 156, 157, 158: 범프
160, 161, 163: 접착부
180, 182: 단차
190: 와이어
200: 표면광방출레이저 소자
100: surface light emitting laser package
105: opening
110: substrate
111, 113: connection wiring
111a: vertical connection wiring
111b: horizontal connection wiring
117: floor surface
120: housing
121, 122: connecting hole
121a: vertical connection hole
121b: horizontal connection hole
131, 132, 133, 134, 137, 138: connection pad
135, 136, 139: connection line
140: diffusion part
151, 153, 155, 156, 157, 158: bump
160, 161, 163: adhesive
180, 182: step
190: wire
200: surface light emitting laser device

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 표면광방출레이저 소자;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 표면광방출레이저 소자를 둘러싸고 단차를 갖는 하우징;
상기 하우징의 상기 단차에 배치되는 확산부;
상기 확산부와 상기 표면광방출레이저 사이 및 상기 확산부와 상기 단차 사이에 배치되는 도전라인;
상기 단차의 일측에 형성되는 연결홀; 및
상기 연결홀에 배치되어 상기 도전라인과 전기적으로 연결되는 연결배선;을 포함하고,
상기 도전라인은,
상기 확산부와 상기 표면광방출레이저 사이 및 상기 확산부와 상기 단차 사이에 배치되는 적어도 둘 이상의 연결패드; 및
상기 확산부와 상기 표면광방출레이저 사이 및 상기 확산부와 상기 단차 사이에 배치되며, 상기 연결패드의 폭보다 작은 폭을 갖고 상기 연결패드에 전기적으로 연결되는 적어도 둘 이상의 연결라인을 포함하는 표면광방출레이저 패키지.
Board;
A surface light emitting laser element disposed on the substrate;
A housing disposed on the substrate and surrounding the surface light emitting laser element and having a step;
A diffusion part disposed at the step of the housing;
A conductive line disposed between the diffuser and the surface light emitting laser and between the diffuser and the step;
A connection hole formed at one side of the step; And
And a connection wiring disposed in the connection hole and electrically connected to the conductive line.
The conductive line,
At least two connection pads disposed between the diffuser and the surface light emitting laser and between the diffuser and the step; And
Surface light including at least two connection lines disposed between the diffuser and the surface light emitting laser and between the diffuser and the step and having a width smaller than that of the connection pad and electrically connected to the connection pad Emission laser package.
제1항에 있어서,
상기 연결홀은 복수의 연결홀을 포함하는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 1,
The connection hole is a surface light emitting laser package including a plurality of connection holes.
제1항에 있어서,
상기 도전라인은,
상기 확산부의 하부에 라인 형태로 배치되는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 1,
The conductive line,
Surface light emitting laser package disposed in the form of a line below the diffusion.
제1항에 있어서,
상기 적어도 둘 이상의 연결패드는,
상기 표면광방출레이저 소자의 일측과 중첩되는 제1 연결패드; 및
상기 하우징의 상기 단차의 일측과 중첩되는 제2 연결패드를 포함하는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 1,
The at least two connection pads,
A first connection pad overlapping one side of the surface light emitting laser element; And
And a second connection pad overlapping one side of the step of the housing.
제4항에 있어서,
상기 연결라인 각각의 폭은 상기 연결패드 각각의 폭의 3% 내지 10%인 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 4, wherein
The width of each of the connection line is a surface light emitting laser package of 3% to 10% of the width of each of the connection pad.
제4항에 있어서,
상기 도전라인을 상기 표면광방출레이저 소자와 상기 연결배선에 전기적으로 연결시켜주는 복수의 범프를 더 포함하는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 4, wherein
And a plurality of bumps electrically connecting the conductive line to the surface light emitting laser device and the connection wiring.
제6항에 있어서,
상기 복수의 범프는,
상기 제1 연결패드와 상기 표면광방출레이저 소자의 일측 사이에 배치되는 복수의 제1 범프; 및
상기 제2 연결패드와 상기 단차의 일측 사이에 배치되는 복수의 제2 범프를 포함하고,
상기 복수의 제2 범프는 상기 연결배선에 연결되는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 6,
The plurality of bumps,
A plurality of first bumps disposed between the first connection pad and one side of the surface light emitting laser device; And
A plurality of second bumps disposed between the second connection pad and one side of the step,
The plurality of second bumps are surface light emitting laser package connected to the connection wiring.
제7항에 있어서,
상기 적어도 둘 이상의 연결패드는,
상기 표면광방출레이저 소자의 타측과 중첩되는 제3 연결패드; 및
상기 하우징의 상기 단차의 타측과 중첩되는 제4 연결패드를 포함하는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 7, wherein
The at least two connection pads,
A third connection pad overlapping the other side of the surface light emitting laser element; And
And a fourth connection pad overlapping the other side of the step of the housing.
제8항에 있어서,
상기 복수의 범프는,
상기 제3 연결패드와 상기 표면광방출레이저 소자의 타측 사이에 배치되는 복수의 제3 범프; 및
상기 제4 연결패드와 상기 단차의 타측 사이에 배치되는 복수의 제2 범프를 포함하는 표면광방출레이저 패키지.
The method of claim 8,
The plurality of bumps,
A plurality of third bumps disposed between the third connection pad and the other side of the surface light emitting laser device; And
And a plurality of second bumps disposed between the fourth connection pad and the other side of the step.
제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 의한 상기 표면광방출레이저 패키지; 및
상기 표면광방출레이저 패키지에서 방출된 빛의 반사된 빛을 입사 받는 수광부를 포함하는 자동 초점 장치.
The surface light emitting laser package according to any one of claims 1 to 9; And
And a light receiving part receiving the reflected light of the light emitted from the surface light emitting laser package.
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