KR20190127770A - Paste Resin Composition - Google Patents

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KR20190127770A
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게이지 오기노
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

(A) 에폭시 수지, (B) 액상 경화제, (C) 열전도성 필러, 및 (D) 분산제를 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The paste resin composition containing (A) epoxy resin, (B) liquid hardening | curing agent, (C) heat conductive filler, and (D) dispersing agent.

Description

페이스트상 수지 조성물Paste Resin Composition

본 발명은 페이스트상 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 페이스트상 수지 조성물을 사용한 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 전자 부재에 관한 것이다. The present invention relates to a paste-like resin composition. Moreover, it is related with the circuit board, semiconductor chip package, and electronic member which used paste-like resin composition.

최근, 전자 기기의 소형화 및 고기능화가 진행되어, 프린트 배선판에 있어서의 반도체 소자의 실장 밀도는 높아지는 경향이 있다. 실장되는 반도체 소자의 고기능화와 더불어, 반도체 소자가 발생시키는 열을 효율적으로 방열하는 기술이 요구되고 있다. In recent years, miniaturization and high functionalization of electronic devices advance, and there exists a tendency for the mounting density of the semiconductor element in a printed wiring board to become high. In addition to the enhancement of the semiconductor device to be mounted, a technology for efficiently dissipating heat generated by the semiconductor device is required.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 수지 및 소정의 요건을 충족시키는 알루미나를 함유하는 수지 조성물을 경화시킨 절연층을 회로 기판에 사용함으로써, 방열시키는 것이 개시되어 있다. For example, Patent Document 1 discloses heat dissipation by using, for a circuit board, an insulating layer cured of a resin composition containing a resin and an alumina satisfying a predetermined requirement.

일본 공개특허공보 특개2012-77123호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-77123

본 발명자들은 반도체 소자가 발생시키는 열을 더욱 효율적으로 방열시키기 위해 검토하였다. 그 결과, 예를 들면 탄화규소를 수지 조성물에 함유시키면, 절연층의 열전도율을 높일 수 있지만, 수지 조성물의 점도가 상승하여, 수지 조성물을 회로 기판 등에 도포할 수 없을 우려가 있는 것을 발견하였다. The present inventors examined to more efficiently radiate the heat which the semiconductor element generate | occur | produces. As a result, for example, when silicon carbide is contained in the resin composition, the thermal conductivity of the insulating layer can be increased, but the viscosity of the resin composition increases, and it has been found that the resin composition may not be applied to a circuit board or the like.

본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 열전도율이 높은 경화물을 얻을 수 있는, 점도가 낮은 페이스트상 수지 조성물; 및 당해 페이스트상 수지 조성물을 사용한, 회로 기판, 반도체 칩 패키지, 및 전자 부재를 제공한다. This invention is made | formed in view of the above, The paste-like resin composition with low viscosity which can obtain the hardened | cured material with high thermal conductivity; And a circuit board, a semiconductor chip package, and an electronic member using the pasty resin composition.

본 발명의 과제를 달성하기 위해, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 액상 경화제, (C) 열전도성 필러, 및 (D) 분산제를 함유시킴으로써, 열전도율이 높은 경화물을 얻을 수 있었다. 또한, 점도가 낮은 페이스트상 수지 조성물을 제공할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. In order to achieve the subject of this invention, as a result of earnestly examining by the present inventors, the hardened | cured material with high thermal conductivity is contained by containing (A) epoxy resin, (B) liquid curing agent, (C) thermal conductive filler, and (D) dispersing agent. Could get Moreover, it turned out that the pasty resin composition with a low viscosity can be provided and came to complete this invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다. That is, this invention includes the following content.

[1] (A) 에폭시 수지, [1] (A) epoxy resin,

(B) 액상 경화제,(B) liquid curing agent,

(C) 열전도성 필러, 및 (C) a thermally conductive filler, and

(D) 분산제를 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. (D) Paste-shaped resin composition containing a dispersing agent.

[2] 페이스트상 수지 조성물 중에 함유되는 유기 용제의 함유량이, 페이스트상 수지 조성물의 전 질량에 대해, 1.0질량% 미만인, [1]에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [2] The paste-like resin composition according to [1], wherein the content of the organic solvent contained in the paste-like resin composition is less than 1.0% by mass relative to the total mass of the paste-like resin composition.

[3] 페이스트상 수지 조성물의 경화물의 열전도율이 2.0W/mK 이상인, [1] 또는 [2]에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [3] The paste-like resin composition according to [1] or [2], wherein the thermal conductivity of the cured product of the paste-like resin composition is 2.0 W / mK or more.

[4] (D) 성분이 옥시알킬렌 함유 인산에스테르를 함유하는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [4] The paste-like resin composition according to any one of [1] to [3], in which the component (D) contains an oxyalkylene-containing phosphate ester.

[5] (C) 성분이 탄화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [5] The paste-like resin composition according to any one of [1] to [4], in which the component (C) contains at least one member selected from silicon carbide, boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide.

[6] (C) 성분이 탄화규소를 함유하는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [6] The paste-like resin composition according to any one of [1] to [5], in which the component (C) contains silicon carbide.

[7] 탄화규소의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상 30㎛ 이하인, [6]에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [7] The paste-like resin composition according to [6], wherein the silicon carbide has an average particle diameter of 1 µm or more and 30 µm or less.

[8] (C) 성분이 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 함유하는, [6] 또는 [7]에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [8] The paste-like resin composition according to [6] or [7], in which the component (C) further contains at least one member selected from boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide.

[9] (C) 성분의 함유량이, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상 95질량% 이하인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [9] The paste form according to any one of [1] to [8], wherein the content of the component (C) is 60% by mass to 95% by mass when the nonvolatile component in the pasty resin composition is 100% by mass. Resin composition.

[10] (B) 성분이 폴리티올 화합물 및 액상 페놀 수지로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [10] The paste-like resin composition according to any one of [1] to [9], in which the component (B) contains at least one member selected from a polythiol compound and a liquid phenol resin.

[11] (B) 성분이, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 트리스-[(3-머캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트, 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트, 티오글리콜산옥틸, 에틸렌글리콜비스티오글리콜레이트, 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트, 펜타에리스리톨테트라키스티오글리콜레이트, 3-머캅토프로피온산, 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토부티레이트), 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토부티레이트), 1,3,4,6-테트라키스(2-머캅토에틸)글리콜우릴, 및 4,4'-이소프로필리덴비스[(3-머캅토프로폭시)벤젠]으로부터 선택되는 1종 이상의 폴리티올 화합물, 및 알케닐기 함유 노볼락형 페놀 수지로부터 선택되는 액상 페놀 수지로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [11] The component (B) is trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) ), Tris-[(3-mercaptopropionyloxy) -ethyl] -isocyanurate, tris (3-mercaptopropyl) isocyanurate, thioglycolate octyl, ethylene glycol bisthioglycolate, trimethylol Propanetristhioglycolate, pentaerythritol tetrakisthioglycolate, 3-mercaptopropionic acid, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, 1, 3,5-tris (3-mercaptobutyryloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, trimethylolpropanetris (3-mercapto Butyrate), trimethylolethanetris (3-mercaptobutyrate), 1,3,4,6-tetrakis (2-mercaptoethyl) glycoluril, and 4,4'-iso Containing at least one polythiol compound selected from propylidenebis [(3-mercaptopropoxy) benzene] and a liquid phenol resin selected from alkenyl group-containing novolac phenol resins, The paste resin composition as described in any one of 1]-[10].

[12] 페이스트상 수지 조성물의 25℃에서의 점도가 350Pa·s 이하인, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물. [12] The paste-like resin composition according to any one of [1] to [11], wherein the viscosity at 25 ° C. of the paste-like resin composition is 350 Pa · s or less.

[13] [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판. [13] A circuit board comprising an insulating layer formed of the cured product of the paste-like resin composition according to any one of [1] to [12].

[14] [13]에 기재된 회로 기판과 상기 회로 기판 위에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지. [14] A semiconductor chip package, comprising the circuit board according to [13] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.

[15] [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물에 의해 봉지된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지. [15] A semiconductor chip package comprising the semiconductor chip sealed by the paste-like resin composition according to any one of [1] to [12].

[16] 히트싱크, 상기 히트싱크 위에 설치된 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 페이스트상 수지 조성물의 경화물, 및 상기 경화물 위에 장착된 전자 부품을 갖는, 전자 부재. [16] An electronic member having a heat sink, a cured product of the paste-like resin composition according to any one of [1] to [12] provided on the heat sink, and an electronic component mounted on the cured product.

본 발명에 의하면, 열전도율이 높은 경화물을 얻을 수 있는, 점도가 낮은 페이스트상 수지 조성물; 및 당해 페이스트상 수지 조성물을 사용한, 회로 기판, 반도체 칩 패키지, 및 전자 부재를 제공할 수 있다. According to this invention, the paste-like resin composition with low viscosity which can obtain the hardened | cured material with high thermal conductivity; And a circuit board, a semiconductor chip package, and an electronic member using the pasty resin composition.

도 1은 본 발명의 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)의 일례를 도시한 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) of the present invention.

이하, 본 발명의 페이스트상 수지 조성물, 회로 기판, 반도체 칩 패키지, 및 전자 부재에 관해서 상세하게 설명한다. Hereinafter, the paste-like resin composition, the circuit board, the semiconductor chip package, and the electronic member of the present invention will be described in detail.

[페이스트상 수지 조성물]Paste Resin Compositions

페이스트상 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 액상 경화제, (C) 열전도성 필러, 및 (D) 분산제를 함유한다. (A) 내지 (D) 성분을 함유함으로써, 페이스트상 수지 조성물의 점도를 낮게 할 수 있으며, 그 경화물의 열전도율을 높게 할 수 있다. 또한, 페이스트상 수지 조성물은 페이스트상이기 때문에, 그 경화물과 회로 기판 등의 전자 부재의 밀착성이 향상된다. 페이스트상 수지 조성물의 경화물은 열전도율이 높으며, 또한 밀착성이 향상되기 때문에, 당해 전자 부재의 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 페이스트상 수지 조성물은, 25℃에서 페이스트상이다. 페이스트상이란, 회로 기판 등의 전자 부재에 도포하는 것이 가능한 점도를 갖는 풀(糊)상의 성상을 나타낸다. The paste resin composition contains (A) an epoxy resin, (B) a liquid curing agent, (C) a thermally conductive filler, and (D) a dispersant. By containing (A)-(D) component, the viscosity of a pasty resin composition can be made low and the thermal conductivity of the hardened | cured material can be made high. Moreover, since a paste resin composition is paste form, adhesiveness of the hardened | cured material and electronic members, such as a circuit board, improves. Since the hardened | cured material of a pasty resin composition has high thermal conductivity and adhesiveness improves, the heat radiation efficiency of the said electronic member can be improved. The paste resin composition is paste at 25 ° C. The paste shape refers to a full-phase property having a viscosity that can be applied to electronic members such as a circuit board.

페이스트상 수지 조성물은, (A) 성분 내지 (D) 성분 외에, 필요에 따라 추가로 (E) 경화 촉진제, (F) 난연제 및 (G) 임의의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다. 이하, 페이스트상 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 관해서 상세하게 설명한다. The paste-like resin composition may further contain (E) a curing accelerator, (F) flame retardant, and (G) optional additives in addition to the components (A) to (D) as necessary. Hereinafter, each component contained in a paste resin composition is demonstrated in detail.

<(A) 에폭시 수지><(A) Epoxy Resin>

페이스트상 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지를 함유한다. (A) 성분을 함유시킴으로써, 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The paste resin composition contains the epoxy resin (A). By containing (A) component, insulation reliability can be improved.

(A) 성분으로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. As the component (A), for example, bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol Epoxy resin, naphthol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, Glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclo Hexane type epoxy resin, cyclohexane dimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, Li may be mentioned methyl olhyeong epoxy resin, tetraphenyl ethane epoxy resin and the like. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(A) 성분은, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 수지 조성물은, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하「액상 에폭시 수지」라고 한다)를 함유하는 것이 바람직하며, 액상 에폭시 수지와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 한다)를 조합하여 함유하는 것이 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하며, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하며, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서, 방향족계의 에폭시 수지란, 그 분자 내에 방향환을 갖는 에폭시 수지를 의미한다. It is preferable that (A) component contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. When the nonvolatile component of an epoxy resin is 100 mass%, it is preferable that at least 50 mass% or more is an epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. It is preferable that a resin composition contains liquid epoxy resin (henceforth "liquid epoxy resin") at 20 degreeC, and is a liquid epoxy resin and epoxy resin (henceforth "solid epoxy resin") solid at temperature 20 degreeC. It is more preferable to contain in combination). As a liquid epoxy resin, the liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable. As a solid epoxy resin, the solid epoxy resin which has three or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid epoxy resin which has three or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable. In the present invention, the aromatic epoxy resin means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 및 사이클로헥산형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032」,「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠사 제조의「828US」,「jER828EL」,「825」,「에피코트828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」,「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지),「630」,「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세켐텍스사 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), 다이셀사 제조의「세록사이드2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지),「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ZX1658」,「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠사 제조의「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, and phenol novolac type epoxy resins. , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resins and cyclohexane type epoxy resins are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene-type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "828US", "jER828EL", "825" and "Epicoat" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. 828EL "(bisphenol A type epoxy resin)," jER807 "," 1750 "(bisphenol F type epoxy resin)," jER152 "(phenol novolak type epoxy resin)," 630 "," 630LSD "(glycidylamine type) Epoxy resin), "ZX1059" by Shinnitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin), "EX-721" by Nagase Chemtex Co., Ltd. (glycidyl ester type epoxy) Resin), "Ceroxide 2021P" manufactured by Daicel Co., Ltd. (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton), "PB-3600" (epoxy resin having butadiene structure), "ZX1658" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., " ZX1658GS "(Liquid 1,4-glycidylcyclohexane-type epoxy resin), Mitsubishi Chemical "630LSD" (glycidyl amine-type epoxy resin) of the product of and the like. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하며, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」,「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지),「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지),「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지),「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지),「HP-7200HH」,「HP-7200H」,「EXA-7311」,「EXA-7311-G3」,「EXA-7311-G4」,「EXA-7311-G4S」,「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼가야쿠사 제조의「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지),「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지),「NC3000H」,「NC3000」,「NC3000L」,「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지),「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠사 제조의「YX4000H」,「YX4000」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지),「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지),「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카가스케미칼사 제조의「PG-100」,「CG-500」, 미쯔비시가가쿠사 제조의「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지), 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠사 제조의「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. As a solid epoxy resin, a bixylenol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, a non- Phenyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, tetraphenylethane type epoxy resins are preferred, and bixylenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, More preferred are bisphenol AF type epoxy resins and naphthylene ether type epoxy resins. As a specific example of a solid epoxy resin, "HP4032H" (naphthalene-type epoxy resin), "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin) by a DIC company, "N-690" (cresol novolak) Type epoxy resin), "N-695" (cresol novolac type epoxy resin), "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin), "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311" "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H" by Nihon Kayaku Co., Ltd. Phenolic epoxy resin), `` NC7000L '' (naphthol novolac type epoxy resin), `` NC3000H '', `` NC3000 '', `` NC3000L '', `` NC3100 '' (biphenyl type epoxy resin), manufactured by Shinnitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. ESN475V '' (naphthalene type epoxy resin), `` ESN485 '' (naphthol novolac type epoxy resin), Mitsubishi Chemical Co., Ltd. 'YX4000H', 'YX4000', 'YL6121' (biphenyl type epoxy resin), 'YX4000HK' ( ratio (Synolol type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin), "PG-100" by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., "CG-500", "YL7760" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol AF type epoxy resin) "YL7800" (fluorene type epoxy resin), "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

(A) 성분으로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(액상 에폭시 수지 : 고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.01 내지 1:5의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있는 등의 효과가 얻어진다. 상기 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지 : 고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.05 내지 1:1의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.1 내지 1:0.5의 범위가 더욱 바람직하다. As a component (A), when using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together, these ratios (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) have a mass ratio, and the range of 1: 0.01-1: 5 is preferable. By setting the ratio between the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin in such a range, effects such as obtaining a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the above effects, the ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is more preferably in the range of 1: 0.05 to 1: 1 by mass ratio, and 1: 0.1 to 1: 0.5. The range of is more preferable.

(A) 성분의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분 전체를 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 효과가 나타나는 한에 있어서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다. When content of (A) component makes 100 mass% of the whole non volatile components in paste resin composition from a viewpoint of obtaining the insulating layer which shows favorable mechanical strength and insulation reliability, Preferably it is 1 mass% or more, More preferable Preferably it is 3 mass% or more, More preferably, it is 5 mass% or more. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited as long as the effect of this invention appears, Preferably it is 30 mass% or less, More preferably, it is 25 mass% or less, More preferably, it is 20 mass% or less.

(A) 성분의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 더욱 보다 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있으며, 1당량의 에폭시기를 함유하는 수지의 질량이다. The epoxy equivalent of (A) component becomes like this. Preferably it is 50-5000, More preferably, it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By setting it as this range, the crosslinking density of hardened | cured material becomes enough and it can bring about the insulating layer with small surface roughness. In addition, an epoxy equivalent can be measured according to JISK7236, and is a mass of resin containing 1 equivalent of epoxy groups.

(A) 성분의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. The weight average molecular weight of (A) component becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of an epoxy resin is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

<(B) 액상 경화제><(B) Liquid Curing Agent>

페이스트상 수지 조성물은, (B) 액상 경화제를 함유한다. (B) 성분과 후술하는 (D) 분산제를 조합하여 함유시킴으로써, 페이스트상 수지 조성물의 점도를 낮게 할 수 있다. (B) 성분으로서는, (A) 성분을 경화시키는 기능을 가지며, 온도 20℃에서 액상인 경화제이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 폴리티올 화합물, 액상 페놀 수지, 산무수물, 이미다졸 등을 들 수 있다. (B) 성분은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. The pasty resin composition contains the liquid curing agent (B). The viscosity of a paste-like resin composition can be made low by combining the component (B) and the dispersing agent (D) mentioned later. The component (B) has a function of curing the component (A), and is not particularly limited as long as it is a liquid curing agent at a temperature of 20 ° C. Examples include a polythiol compound, a liquid phenol resin, an acid anhydride, and imidazole. Can be. (B) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

(B) 성분으로서는, 페이스트상 수지 조성물을 저온 영역에서 경화시킬 수 있으며, 또한 페이스트상 수지 조성물의 저점도화에도 크게 기여시키는 관점에서, 폴리티올 화합물, 및 액상 페놀 수지로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것이 바람직하며, 폴리티올 화합물, 및 액상 페놀 수지 중 어느 한쪽을 함유하는 것이 바람직하다. The component (B) contains at least one member selected from a polythiol compound and a liquid phenol resin from the viewpoint of being able to cure the paste resin composition in a low temperature region and greatly contribute to the low viscosity of the paste resin composition. It is preferable to, and it is preferable to contain either a polythiol compound and a liquid phenol resin.

폴리티올 화합물은, 에폭시기를 가교 또는 중합하는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 1분자 중의 티올기 수가 2 내지 6 (2관능 내지 6관능)인 것이 바람직하며, 3 내지 6 (3관능 내지 6관능)인 것이 바람직하다. 이러한 폴리티올 화합물로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트)(약칭: TMTP), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트)(약칭: PEMP), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트)(약칭: DPMP), 트리스-[(3-머캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트(약칭: TEMPIC), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트(약칭: TMPIC), 티오글리콜산옥틸(약칭: OTG), 에틸렌글리콜비스티오글리콜레이트(약칭: EGTG), 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트(약칭: TMTG), 펜타에리스리톨테트라키스티오글리콜레이트(약칭: PETG), 3-머캅토프로피온산(약칭: 3-MPA), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토부티레이트)(약칭: TPMB), 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토부티레이트)(약칭: TEMB), 1,3,4,6-테트라키스(2-머캅토에틸)글리콜우릴, 4,4'-이소프로필리덴비스[(3-머캅토프로폭시)벤젠] 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 공지의 방법으로 합성할 수 있으며, 예를 들면, 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트(약칭: TMPIC)나 4,4'-이소프로필리덴비스[(3-머캅토프로폭시)벤젠]은, 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2012-153794호 또는 국제공개 제2001/00698호에 기재된 방법으로 합성할 수 있다. The polythiol compound is not particularly limited as long as it is a compound that crosslinks or polymerizes an epoxy group. However, the number of thiol groups in one molecule is preferably 2 to 6 (bifunctional to 6 functional), and 3 to 6 (trifunctional to 6 functional). It is preferable. As such a polythiol compound, trimethylol propane tris (3-mercaptopropionate) (abbreviation: TMTP), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate) (abbreviation: PEMP), dipenta Erythritol hexakis (3-mercaptopropionate) (abbreviated as DPMP), tris-[(3-mercaptopropionyloxy) -ethyl] -isocyanurate (abbreviated as: TEMPIC), tris (3-mercapto Propyl) isocyanurate (abbreviation: TMPIC), octyl thioglycolate (abbreviation: OTG), ethylene glycol bisthioglycolate (abbreviation: EGTG), trimethylolpropane tristhioglycolate (abbreviation: TMTG), pentaerythritol tetra Kisthioglycolate (abbreviation: PETG), 3-mercaptopropionic acid (abbreviation: 3-MPA), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane , 1,3,5-tris (3-mercaptobutyryloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, trimethylol Lophantris (3-mercaptobutyrate) (abbreviation: TPMB), trimethylolethane tris (3-mercaptobutyrate) (abbreviation: TEMB), 1,3,4,6-tetrakis (2-mercaptoethyl) glycol Usyl, 4,4'-isopropylidene bis [(3-mercaptopropoxy) benzene], etc. are mentioned. These compounds can be synthesized by a known method, for example, tris (3-mercaptopropyl) isocyanurate (abbreviated as TMPIC) or 4,4'-isopropylidenebis [(3-mercaptoprop Foxy) benzene] can be synthesized, for example, by the method described in JP-A-2012-153794 or JP-A-2001 / 00698.

폴리티올 화합물은 시판품을 사용해도 좋고, 시판품으로서는, 예를 들면「PEMP」(SC유키가가쿠사 제조),「OTG」,「EGTG」,「TMTG」,「PETG」,「3-MPA」,「TMTP」,「PETP」(요도가가쿠사 제조),「TEMP」,「PEMP」,「TEMPIC」,「DPMP」(사카이가가쿠고교사 제조),「PE-1」(펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트)), 「BD-1」(1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄),「NR-1」(1,3,5-트리스(3-머캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온),「TPMB」,「TEMB」(쇼와덴코사 제조),「TS-G」(머캅토에틸글리콜)(시코쿠가세이고교사 제조) 등을 들 수 있다. 폴리티올 화합물은 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The polythiol compound may use a commercial item, and as a commercial item, for example, "PEMP" (made by SC Yuki Chemical Co., Ltd.), "OTG", "EGTG", "TMTG", "PETG", "3-MPA", `` TMTP '', `` PETP '' (manufactured by Yodogagaku Co., Ltd.), `` TEMP '', `` PEMP '', `` TEMPIC '', `` DPMP '' (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.), `` PE-1 '' (pentaerythritol tetrakis ( 3-mercaptobutyrate)), "BD-1" (1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane), "NR-1" (1,3,5-tris (3-mercaptobuty) Reyloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione), "TPMB", "TEMB" (made by Showa Denko), "TS-G (Mercaptoethyl glycol) (manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.). You may use a polythiol compound 1 type or in combination of 2 or more types.

폴리티올 화합물의 티올기 당량은, 바람직하게는 50 내지 500g/eq, 보다 바람직하게는 75 내지 300g/eq, 더욱 바람직하게는 100 내지 200g/eq이다. 「티올기 당량」이란 1그램 당량의 티올기를 함유하는 수지의 그램수(g/eq)이며, 공지의 방법, 예를 들면 전분을 지시약으로서 사용하는 요소 용액 적정법에 의해 측정할 수 있다. The thiol group equivalent of the polythiol compound is preferably 50 to 500 g / eq, more preferably 75 to 300 g / eq, still more preferably 100 to 200 g / eq. A "thiol group equivalent" is the number of grams (g / eq) of resin containing a 1-gram equivalent thiol group, and can be measured by a well-known method, for example, the urea solution titration method which uses a starch as an indicator.

액상 페놀 수지로서는, 페놀성 수산기를 함유하는 온도 20℃에서 액상인 수지인 한 특별히 한정되지 않는다. 페놀성 수산기를 함유하는 온도 20℃에서 액상인 수지로서는, 크레졸 수지, 노볼락형 페놀 수지(페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 및 이들의 변성물 등), 액상의 알케닐기 함유 페놀 수지 등을 들 수 있으며, 액상의 알케닐기 함유 페놀 수지가 바람직하다. 알케닐기의 탄소원자수는, 바람직하게는 2 내지 10, 보다 바람직하게는 2 내지 6, 더욱 바람직하게는 2 내지 4, 특히 바람직하게는 3이다. 이 중에서도, 알케닐기로서는, 2-프로페닐기(알릴기)가 바람직하다. The liquid phenol resin is not particularly limited as long as it is a liquid resin at a temperature of 20 ° C. containing a phenolic hydroxyl group. Examples of the liquid resin at a temperature of 20 ° C. containing a phenolic hydroxyl group include cresol resins, novolak type phenol resins (phenol novolak resins, cresol novolak resins, and modified substances thereof), liquid alkenyl group-containing phenol resins, and the like. These are mentioned, A liquid alkenyl-group containing phenol resin is preferable. Carbon number of an alkenyl group becomes like this. Preferably it is 2-10, More preferably, it is 2-6, More preferably, it is 2-4, Especially preferably, it is 3. Among these, as an alkenyl group, 2-propenyl group (allyl group) is preferable.

액상의 알케닐기 함유 페놀 수지로서는, 알케닐기 함유 노볼락형 페놀 수지를 들 수 있으며, 하기 화학식 1로 표시되는 페놀 수지가 바람직하다. As a liquid alkenyl group containing phenol resin, an alkenyl group containing novolak-type phenol resin is mentioned, The phenol resin represented by following General formula (1) is preferable.

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 화학식 1에서, In Chemical Formula 1,

R1, R2, R3, R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 수소원자 또는 알케닐기를 나타내고, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or an alkenyl group,

R7 및 R8은, 각각 독립적으로, 수소원자 또는 알킬기를 나타내고, R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group,

j는 0 내지 5의 정수를 나타내며, 단, R1, R2, R3, R4 및 R5의 적어도 1개는 알케닐기이다. j represents an integer of 0 to 5, provided that at least one of R 1 , R 2 , R 3 , R 4, and R 5 is an alkenyl group.

상기 화학식 1 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 수소원자 또는 알케닐기를 나타낸다. 단, 화학식 1 중, R1, R2, R3, R4 및 R5의 적어도 1개는 알케닐기이다. 알케닐기의 탄소원자수는, 바람직하게는 2 내지 10, 보다 바람직하게는 2 내지 6, 더욱 바람직하게는 2 내지 4, 특히 바람직하게는 3이다. 이 중에서도, 알케닐기로서는, 2-프로페닐기(알릴기)가 바람직하다. In said Formula (1), R <1> , R <2> , R <3> , R <4> and R <5> represent a hydrogen atom or an alkenyl group each independently. However, in general formula (1), at least 1 of R <1> , R <2> , R <3> , R <4> and R <5> is an alkenyl group. Carbon number of an alkenyl group becomes like this. Preferably it is 2-10, More preferably, it is 2-6, More preferably, it is 2-4, Especially preferably, it is 3. Among these, as an alkenyl group, 2-propenyl group (allyl group) is preferable.

화학식 1 중, 알케닐기의 개수는, 1 이상이면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 벤젠환 1개당 1개 또는 2개, 보다 바람직하게는 벤젠환 1개당 1개이다. In Formula (1), the number of alkenyl groups is not particularly limited as long as it is 1 or more, but preferably one or two per one benzene ring, and more preferably one per one benzene ring.

화학식 1 중, 복수개 있는 R1은, 서로 동일해도 상이해도 좋다. R2, R3, R4 및 R5에 관해서도 마찬가지이다. In Formula (1), a plurality of R 1 may be the same as or different from each other. The same applies to R 2 , R 3 , R 4, and R 5 .

화학식 1 중, R7 및 R8은, 각각 독립적으로, 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다. 알킬기의 탄소원자수는, 바람직하게는 1 내지 10, 보다 바람직하게는 1 내지 6, 더욱 바람직하게는 1 내지 4, 1 내지 3, 또는 1이다. In formula (1), R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, still more preferably 1 to 4, 1 to 3, or 1.

화학식 1 중, R7이 복수 존재하는 경우, 이들은 동일해도 상이해도 좋다. R8에 관해서도 마찬가지이다. In Formula 1, when two or more R <7> exists, these may be same or different. The same applies to R 8 .

화학식 1 중, j는 0 내지 5의 정수, 바람직하게는 0 내지 3의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더욱 바람직하게는 0이다. In formula (1), j is an integer of 0-5, Preferably it is an integer of 0-3, More preferably, it is 0 or 1, More preferably, it is 0.

R1 내지 R8은, 치환기를 가지고 있지 않아도 좋고, 치환기를 가지고 있어도 좋다. 치환기로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 할로겐 원자, -OH, -O-C1-6 알킬기, -N(C1-6 알킬기)2, C1-6 알킬기, C6-10 아릴기, -NH2-, -CN, -C(O)O-C1-6 알킬기, -COOH, -C(O)H-, -NO2 등을 들 수 있다. 여기서, 「Cp-q」(p 및 q는 양의 정수이며, p<q를 충족시킨다)라는 용어는, 이 용어의 직후에 기재된 유기기의 탄소원자수가 p 내지 q인 것을 나타낸다. 예를 들면,「C1-6 알킬기」라는 표현은, 탄소원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타낸다. 상기의 치환기는, 추가 치환기(이하, 「이차 치환기」라고 하는 경우가 있다)를 가지고 있어도 좋다. 이차 치환기로서는, 특별히 기재가 없는 한, 상기의 치환기와 동일한 것을 사용하면 좋다. R 1 to R 8 may not have a substituent and may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as a substituent, For example, a halogen atom, -OH, -OC 1-6 alkyl group, -N (C 1-6 alkyl group) 2 , C 1-6 alkyl group, C 6-10 aryl group,- NH 2- , -CN, -C (O) OC 1-6 alkyl group, -COOH, -C (O) H-, -NO 2 and the like. Here, the term "C pq " (p and q are positive integers and satisfies p <q) indicates that the number of carbon atoms in the organic group described immediately after this term is p to q. For example, the expression "C 1-6 alkyl group" represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Said substituent may have an additional substituent (henceforth a "secondary substituent"). As a secondary substituent, the thing similar to the said substituent may be used unless there is particular notice.

액상 페놀 수지는 시판품을 사용해도 좋다. 액상 페놀 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 메이와가세이사 제조「MEH-8000H」,「MEH-8005」등을 들 수 있다. A liquid phenol resin may use a commercial item. As a commercial item of a liquid phenol resin, Meiwa Kasei Co., Ltd. "MEH-8000H", "MEH-8005", etc. are mentioned, for example.

액상 페놀 수지의 페놀성 수산기 당량은, 바람직하게는 50 내지 500g/eq, 보다 바람직하게는 75 내지 300g/eq, 더욱 바람직하게는 100 내지 200g/eq이다. 페놀성 수산기 당량은, JIS K0070에 따라 측정할 수 있으며, 1당량의 페놀성 수산기를 함유하는 수지의 질량이다. The phenolic hydroxyl group equivalent of a liquid phenol resin becomes like this. Preferably it is 50-500 g / eq, More preferably, it is 75-300 g / eq, More preferably, it is 100-200 g / eq. Phenolic hydroxyl group equivalent can be measured according to JIS K0070, and is the mass of resin containing 1 equivalent of phenolic hydroxyl group.

에폭시 수지와 액상 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수] : [액상 경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.1 내지 1:10의 범위가 바람직하며, 1:0.5 내지 1:5가 보다 바람직하며, 1:0.5 내지 1:3이 더욱 바람직하다. 여기서, 액상 경화제의 반응기란, 티올기, 페놀성 수산기 등이며, 액상 경화제의 종류에 따라 상이하다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 관해서 합계한 값이며, 액상 경화제의 반응기의 합계수란, 각 액상 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 액상 경화제에 관해서 합계한 값이다. 에폭시 수지와 액상 경화제의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 페이스트상 수지 조성물의 경화물의 내열성이 보다 향상된다. The ratio between the epoxy resin and the liquid curing agent is preferably in the range of 1: 0.1 to 1:10 in the ratio of [total number of epoxy groups of epoxy resin]: [total number of reactors of liquid curing agent], and 1: 0.5 to 1 : 5 is more preferable, and 1: 0.5-1: 3 are still more preferable. Here, the reactor of a liquid curing agent is a thiol group, a phenolic hydroxyl group, etc., and changes with kinds of liquid curing agent. The total number of epoxy groups of the epoxy resin is a value obtained by dividing the solid content mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent and the total number of all epoxy resins. The total number of reactors of the liquid curing agent is the solid content mass of each liquid curing agent. The value divided by the reactor equivalent is the sum of all liquid curing agents. By making the ratio of an epoxy resin and a liquid hardening | curing agent into such a range, the heat resistance of the hardened | cured material of a pasty resin composition improves more.

(B) 성분의 함유량은, 페이스트상 수지 조성물의 저점도화의 관점에서, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분 전체를 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. When content of (B) component makes 100 mass% of the whole non volatile components in paste resin composition from a viewpoint of the low viscosity of a pasty resin composition, Preferably it is 1 mass% or more, More preferably, it is 2 mass % Or more, More preferably, it is 3 mass% or more. Preferably an upper limit is 20 mass% or less, More preferably, it is 15 mass% or less, More preferably, it is 10 mass% or less.

(A) 성분과 (B) 성분의 합계 함유량은, 페이스트상 수지 조성물의 저점도화 및 절연 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 2질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 8질량% 이상이다. 당해 합계 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30질량% 이하이다. When the total content of the component (A) and the component (B) is 100% by mass of the nonvolatile component in the paste-like resin composition from the viewpoint of lowering the viscosity of the paste-like resin composition and improving the insulation reliability, preferably 2 It is mass% or more, More preferably, it is 5 mass% or more, More preferably, it is 8 mass% or more. Although the upper limit of the said total content is not specifically limited, Preferably it is 50 mass% or less, More preferably, it is 40 mass% or less, More preferably, it is 30 mass% or less.

<(C) 열전도성 필러><(C) Thermally Conductive Filler>

페이스트상 수지 조성물은 (C) 열전도성 필러를 함유한다. (C) 성분을 함유시킴으로써 열전도율이 높은 경화물(절연층)을 얻을 수 있다. The pasty resin composition contains the (C) thermally conductive filler. By containing (C) component, hardened | cured material (insulating layer) with high thermal conductivity can be obtained.

(C) 성분의 재료는, 예를 들면, 탄화규소, 질화규소, 질화알루미늄, 산화알루미늄(알루미나) 등을 들 수 있다. (C) 성분은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 또한, 2종 이상의 동일 재료를 조합하여 사용해도 좋다. 이 중에서도 (C) 성분은, 열전도율이 높은 경화물을 얻는 관점에서, 탄화규소를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, (C) 성분은, 열전도율이 높은 경화물을 얻는 동시에, 점도를 저하시키는 관점에서, 탄화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것이 바람직하며, 탄화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 2종 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하며, 탄화규소와 함께, 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것이 더욱 바람직하다. Examples of the material of the component (C) include silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide (alumina), and the like. (C) A component may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type. Moreover, you may use combining 2 or more types of the same materials. Especially, it is preferable that (C) component contains a silicon carbide from a viewpoint of obtaining the hardened | cured material with high thermal conductivity. The component (C) preferably contains at least one member selected from silicon carbide, boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide from the viewpoint of lowering the viscosity while obtaining a cured product having high thermal conductivity. It is more preferable to contain 2 or more types selected from silicon, boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide, and it is more preferable to contain 1 or more types chosen from boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide with silicon carbide. desirable.

열전도성 필러의 열전도율은, 열전도율이 높은 경화물을 얻는 관점에서, 바람직하게는 30W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 170W/m·K 이상, 더욱 바람직하게는 270W/m·K 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 1000W/m·K 이하 등으로 할 수 있다. The thermal conductivity of the thermally conductive filler is preferably 30 W / m · K or more, more preferably 170 W / m · K or more, and even more preferably 270 W / m · K or more from the viewpoint of obtaining a cured product having high thermal conductivity. Although an upper limit is not specifically limited, It can be 1000 W / m * K or less.

탄화규소의 평균 입자 직경은, 열전도율이 높은 경화물을 얻는 관점에서, 바람직하게는 45㎛ 이하, 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 35㎛ 이하이다. 평균 입자 직경의 하한은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상이다. The average particle diameter of silicon carbide is preferably 45 µm or less, more preferably 40 µm or less, and even more preferably 35 µm or less from the viewpoint of obtaining a cured product having high thermal conductivity. The minimum of an average particle diameter becomes like this. Preferably it is 0.1 micrometer or more, More preferably, it is 0.5 micrometer or more, More preferably, it is 1 micrometer or more.

탄화규소를 제외한 (C) 성분의 평균 입자 직경은, 열전도율이 높은 경화물을 얻는 동시에 페이스트상 수지 조성물의 점도를 저하시키는 관점에서, 바람직하게는 2.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이하이다. 평균 입자 직경의 하한은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.08㎛ 이상이다. The average particle diameter of the component (C) excluding silicon carbide is preferably 2.5 µm or less, more preferably 2 µm or less, from the viewpoint of obtaining a cured product having high thermal conductivity and decreasing the viscosity of the pasty resin composition. Preferably it is 1.5 micrometers or less. The minimum of an average particle diameter becomes like this. Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.05 micrometer or more, More preferably, it is 0.08 micrometer or more.

(C) 성분의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절 산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, (C) 성분을 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, 호리바세사쿠쇼사 제조「LA-500」, 시마즈세사쿠쇼사 제조「SALD2200」등을 사용할 수 있다. The average particle diameter of (C) component can be measured by the laser diffraction scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by making a particle size distribution of an inorganic filler by volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, and making the median diameter into an average particle diameter. The measurement sample can use preferably what disperse | distributed (C) component in water by the ultrasonic wave. As a laser diffraction scattering particle size distribution measuring apparatus, "LA-500" by Horiba Sesaku Sho Co., Ltd. "SALD2200" by Shimadzu Sekushoku Co., etc. can be used.

(C) 성분의 비표면적은, 열전도율이 우수한 경화물을 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 0.025㎡/g 이상, 더욱 바람직하게는 0.05㎡/g 이상이다. 상한은 바람직하게는 30㎡/g 이하, 보다 바람직하게는 25㎡/g 이하, 더욱 바람직하게는 20㎡/g 이하이다. (C) 성분의 비표면적은, 질소 BET법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 자동 비표면적 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있으며, 자동 비표면적 측정 장치로서는, 마운텍사 제조「Macsorb HM-1210」등을 사용할 수 있다. The specific surface area of the component (C) is preferably 0.01 m 2 / g or more, more preferably 0.025 m 2 / g or more, and even more preferably 0.05 m 2 / g or more from the viewpoint of obtaining a cured product having excellent thermal conductivity. Preferably an upper limit is 30 m <2> / g or less, More preferably, it is 25 m <2> / g or less, More preferably, it is 20 m <2> / g or less. The specific surface area of (C) component can be measured by the nitrogen BET method. Specifically, it can measure using an automatic specific surface area measuring device, and "Macsorb HM-1210" by Mountain Tech Co., Ltd. can be used as an automatic specific surface area measuring device.

(C) 성분의 종횡비는, 바람직하게는 8 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하, 2 이하, 또는 1.5 이하이다. 하한은 1.0 이상 등으로 할 수 있다. 이러한 범위 내의 종횡비를 갖는 (C) 성분을 페이스트상 수지 조성물에 함유시킴으로써, 점도를 상승시키지 않고 열전도율이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 종횡비란, (C) 성분의 분체의 장변의 길이를 단변의 길이로 나눈 값을 가리킨다. The aspect ratio of the component (C) is preferably 8 or less, more preferably 5 or less, still more preferably 3 or less, 2 or less, or 1.5 or less. The lower limit can be 1.0 or more. By containing (C) component which has aspect ratio in such a range in paste resin composition, the hardened | cured material excellent in thermal conductivity can be obtained without raising a viscosity. The aspect ratio refers to the value obtained by dividing the length of the long side of the powder of the component (C) by the length of the short side.

(C) 성분은, 시판품을 사용해도 좋다. 시판품으로서는, 예를 들면 덴카사 제조「DAW-0525」,「ASFP-20」, 시나노덴키세이렌사 제조「SSC-A01」,「SSC-A15」,「SSC-A30」, 토쿠야마사 제조「HF-01」, 미쯔이가가쿠사 제조「MBN-010T」등을 들 수 있다. You may use a commercial item for (C) component. As a commercial item, for example, "Danko Corporation DAW-0525", "ASFP-20", Shinano Denki styrene company "SSC-A01", "SSC-A15", "SSC-A30", Tokuyama company "HF" -01 "," MBN-010T "by Mitsui Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned.

(C) 성분은, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제) 등을 들 수 있다. The component (C) is an aminosilane-based coupling agent, an epoxysilane-based coupling agent, a mercaptosilane-based coupling agent, a silane-based coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, or a titanium from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. You may be processed by 1 or more types of surface treating agents, such as a nate coupling agent. As a commercial item of a surface treating agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxy propyl trimethoxysilane), Shin-Shin Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyl trimethoxy, for example) Silane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. High School SZ-31 (hexamethyldisilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long chain epoxy type silane coupler) Ring agent), and the like.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (C) 성분의 분산성 향상의 관점에서, (C) 성분 100질량부에 대해, 0.2 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하며, 0.2 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하며, 0.3 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the grade of the surface treatment by a surface treating agent is surface-treated with 0.2-5 mass parts of surface treating agents with respect to 100 mass parts of (C) component from a viewpoint of the dispersibility improvement of (C) component, and is 0.2- It is preferable to surface-treat at 3 mass parts, and it is preferable to surface-treat at 0.3-2 mass parts.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (C) 성분의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. (C) 성분의 단위 표면적당 카본량은, (C) 성분의 분산성 향상의 관점에서, 0.02㎎/㎡ 이상이 바람직하며, 0.1㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하며, 0.2㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1㎎/㎡ 이하가 바람직하며, 0.8㎎/㎡ 이하가 보다 바람직하며, 0.5㎎/㎡ 이하가 더욱 바람직하다. The degree of surface treatment by a surface treating agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of (C) component. From the viewpoint of improving the dispersibility of the component (C), the amount of carbon per unit surface area of the component (C) is preferably 0.02 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / m 2 or more, further 0.2 mg / m 2 or more desirable. On the other hand, 1 mg / m <2> or less is preferable, 0.8 mg / m <2> or less is more preferable, and 0.5 mg / m <2> or less is more preferable from a viewpoint of suppressing a raise of melt viscosity.

(C) 성분의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리후의 (C) 성분을 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 (C) 성분에 더하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 (C) 성분의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세사쿠쇼사 제조「EMIA-320V」등을 사용할 수 있다. The amount of carbon per unit surface area of the component (C) can be measured after the component (C) after surface treatment is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, in addition to the component (C) surface-treated with a surface treating agent, a sufficient amount of MEK as a solvent is ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes. After removing a supernatant liquid and drying solid content, the carbon amount per unit surface area of (C) component can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analysis system, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Sesaku Sho, Inc., etc. can be used.

(C) 성분은, 평균 입자 직경이 상이한 2종의 동일 재료를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 열전도율이 보다 높은 경화물을 얻는 동시에 페이스트상 수지 조성물의 점도를 보다 저하시킬 수 있다. 2종의 동일 재료에 있어서, 평균 입자 직경이 작은 (C) 성분을 C1로 하고, 평균 입자 직경이 큰 (C) 성분을 C2로 한 경우, 그 질량비(C1/C2)로서는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이다. 상한은 바람직하게는 1 이하, 보다 바람직하게는 0.9 이하, 더욱 바람직하게는 0.8 이하이다. It is preferable to use (C) component in combination of 2 types of the same material from which an average particle diameter differs. By setting it as such a structure, hardened | cured material with a higher thermal conductivity can be obtained and the viscosity of a pasty resin composition can be further reduced. In the same two kinds of materials, when the (C) component having a small average particle diameter is set to C1 and the (C) component having a large average particle diameter is set to C2, the mass ratio (C1 / C2) is preferably 0.1. As mentioned above, More preferably, it is 0.2 or more, More preferably, it is 0.3 or more. The upper limit is preferably 1 or less, more preferably 0.9 or less, and still more preferably 0.8 or less.

(C)성분의 함유량은, 열전도율이 우수한 경화물을 얻고, 페이스트상 수지 조성물의 점도를 저하시키는 관점에서, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 더욱 바람직하게는 80질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 93질량% 이하, 더욱 바람직하게는 90질량% 이하이다. When content of (C) component obtains the hardened | cured material excellent in thermal conductivity and lowers the viscosity of a pasty resin composition, when the non volatile component in pasty resin composition is 100 mass%, Preferably it is 60 mass%. As mentioned above, More preferably, it is 70 mass% or more, More preferably, it is 80 mass% or more. Preferably an upper limit is 95 mass% or less, More preferably, it is 93 mass% or less, More preferably, it is 90 mass% or less.

(C) 성분의 함유량은, 열전도율이 우수한 경화물을 얻고, 페이스트상 수지 조성물의 점도를 저하시키는 관점에서, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 바람직하게는 30체적% 이상, 보다 바람직하게는 40체적% 이상, 더욱 바람직하게는 50체적% 이상 또는 55체적% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 90체적% 이하, 보다 바람직하게는 85체적% 이하, 더욱 바람직하게는 80체적% 이하 또는 75체적% 이하이다. The content of component (C) is preferably 30 vol% when the nonvolatile component in the pasty resin composition is 100 vol% from the viewpoint of obtaining a cured product having excellent thermal conductivity and lowering the viscosity of the pasty resin composition. More preferably, it is 40 volume% or more, More preferably, it is 50 volume% or more or 55 volume% or more. Preferably an upper limit is 90 volume% or less, More preferably, it is 85 volume% or less, More preferably, it is 80 volume% or less or 75 volume% or less.

<(D) 분산제><(D) Dispersant>

페이스트상 수지 조성물은, (D) 분산제를 함유한다. (D) 성분을 (B) 성분과 함께 함유시킴으로써, 페이스트상 수지 조성물의 유동성이 향상되고, 그 결과 페이스트상 수지 조성물의 점도를 저하시킬 수 있다. (D) 성분으로서는, 페이스트상 수지 조성물의 점도를 저하시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 옥시알킬렌 함유 인산에스테르, 티타네이트계 커플링제, 폴리아크릴산, 폴리카르복실산계 분산제를 들 수 있으며, 옥시알킬렌 함유 인산에스테르, 티타네이트계 커플링제가 바람직하다. (D) 성분은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. The pasty resin composition contains the dispersant (D). By containing (D) component together with (B) component, the fluidity | liquidity of a pasty resin composition improves and as a result, the viscosity of a pasty resin composition can be reduced. The component (D) is not particularly limited as long as the viscosity of the pasty resin composition can be reduced, and examples thereof include oxyalkylene-containing phosphate esters, titanate coupling agents, polyacrylic acids, and polycarboxylic acid dispersants. And oxyalkylene-containing phosphate esters and titanate-based coupling agents are preferred. (D) component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

옥시알킬렌 함유 인산에스테르로서는, 예를 들면, 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르인산에스테르 등을 들 수 있으며, 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르가 바람직하다. As oxyalkylene containing phosphate ester, polyoxyalkylene alkyl ether phosphate ester, polyoxyalkylene alkyl phenyl ether phosphate ester, etc. are mentioned, for example, A polyoxyalkylene alkyl ether phosphate ester is preferable.

폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르는, 알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기가, 인산염의 인 원자에, 1 내지 3개 결합하고 있는 형태를 가지고 있다. The polyoxyalkylene alkyl ether phosphate ester has a form in which one to three alkyl-oxy-poly (alkyleneoxy) groups are bonded to a phosphorus atom of a phosphate salt.

알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기에 있어서의 폴리(알킬렌옥시) 부위의 알킬렌옥시의 반복 단위수로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 2 내지 30이 바람직하며, 3 내지 20이 보다 바람직하다. The number of repeat units of the alkyleneoxy of the poly (alkyleneoxy) moiety in the alkyl-oxy-poly (alkyleneoxy) group is not particularly limited, but for example, 2 to 30 is preferable, and 3 to 20 More preferred.

폴리(알킬렌옥시) 부위에 있어서의 알킬렌기로서는, 탄소원자수가 2 내지 4인 알킬렌기가 바람직하다. 이러한 알킬렌기로서는, 예를 들면 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 부틸렌기, 이소부틸기 등을 들 수 있다. As the alkylene group in the poly (alkyleneoxy) moiety, an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms is preferable. As such an alkylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, a butylene group, an isobutyl group, etc. are mentioned, for example.

알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소원자수가 6 내지 30인 알킬기가 바람직하며, 탄소원자수가 8 내지 20인 알킬기가 보다 바람직하다. 이러한 알킬기로서는, 예를 들면, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. As the alkyl group in the alkyl-oxy-poly (alkyleneoxy) group, an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 8 to 20 carbon atoms is more preferable. As such an alkyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, etc. are mentioned, for example.

또한, 폴리옥시알킬렌알킬에테르인산에스테르가 복수의 알킬-옥시-폴리(알킬렌옥시)기를 가지고 있는 경우, 복수의 알킬기, 및 폴리(알킬렌옥시) 부위에 있어서의 알킬렌기는, 상이해도 좋지만, 동일해도 좋다. 또한, 옥시알킬렌 함유 인산에스테르를, 아민 등과의 혼합물이라도 좋다. When the polyoxyalkylene alkyl ether phosphate ester has a plurality of alkyl-oxy-poly (alkyleneoxy) groups, the plurality of alkyl groups and the alkylene groups at the poly (alkyleneoxy) moiety may be different. May be the same. The oxyalkylene-containing phosphate ester may be a mixture with an amine or the like.

옥시알킬렌 함유 인산에스테르의 산가는, 바람직하게는 10 이상, 보다 바람직하게는 15 이상이며, 또한, 바람직하게는 200 이하, 보다 바람직하게는 150 이하이다. 산가는 중화 적정법 등에 의해 측정된다. The acid value of the oxyalkylene-containing phosphate ester is preferably 10 or more, more preferably 15 or more, and preferably 200 or less, and more preferably 150 or less. The acid value is measured by neutralization titration or the like.

옥시알킬렌 함유 인산에스테르는 시판품을 사용해도 좋고, 시판품으로서는, 예를 들면 쿠스모토가세이사의 HIPLAAD 시리즈(예를 들면「ED152」,「ED153」,「ED154」,「ED118」,「ED174」,「ED251」등) 등을 들 수 있다. A commercial item may be used for the oxyalkylene containing phosphate ester, As a commercial item, for example, the HIPLAAD series (for example, "ED152", "ED153", "ED154", "ED118", "ED174" of Kusumoto Chemical Co., Ltd.), ED251 etc.) etc. are mentioned.

티타네이트계 커플링제로서는, 예를 들면, 이소프로필트리스스테아로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸피로포스페이트)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸피로포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)에틸렌티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필트리데실벤젠설포닐티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 디쿠밀페닐옥시아세테이트티타네이트, 디이소스테아로일에틸렌티타네이트 등을 들 수 있으며, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트가 바람직하다. As a titanate coupling agent, for example, isopropyl tris stearoyl titanate, isopropyl tris (dioctylpyrophosphate) titanate, tetraisopropyl bis (dioctyl pyrophosphite) titanate, tetraoctyl bis ( Ditridecyl phosphite) titanate, tetraisopropylbis (ditridecyl phosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (Dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl tridecyl benzenesulfonyl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate , Isopropyl dimethacrylic isostearoyl titanate, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl tricumyl phenyl titanate And dicumylphenyloxyacetate titanate, diisostearoylethylene titanate, and the like, and tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate desirable.

티타네이트계 커플링제는 시판품을 사용해도 좋고, 시판품으로서는, 예를 들면 아지노모토파인테크노사 제조의 「프렌악토(PLENACT)55」,「프렌악토TTS」,「프렌악토46B」등을 들 수 있다. A titanate coupling agent may use a commercial item, and examples of the commercially available product include "Frenc Acto (PLENACT) 55", "Frenc Acto TTS" and "Frenc Acto 46B" manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.

(D) 성분의 함유량은, 페이스트상 수지 조성물의 저점도화의 관점에서, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분 전체를 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 8질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다. When content of (D) component makes the whole non volatile component in paste resin composition into 100 mass% from a viewpoint of the low viscosity of a paste resin composition, Preferably it is 0.1 mass% or more, More preferably, it is 0.3 mass % Or more, More preferably, it is 0.5 mass% or more. Preferably an upper limit is 10 mass% or less, More preferably, it is 8 mass% or less, More preferably, it is 5 mass% or less.

<(E) 경화 촉진제><(E) Curing Accelerator>

일 실시형태에 있어서, 페이스트상 수지 조성물은, (E) 경화 촉진제를 함유할 수 있다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있으며, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하며, 페이스트상 수지 조성물의 점도를 저하시켜, 페이스트상 수지 조성물의 경화물의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 인계 경화 촉진제가 바람직하다. In one embodiment, the paste-like resin composition can contain the (E) hardening accelerator. As a hardening accelerator, a phosphorus hardening accelerator, an amine hardening accelerator, an imidazole hardening accelerator, a guanidine hardening accelerator, a metal hardening accelerator, etc. are mentioned, for example, A phosphorus hardening accelerator, an amine hardening accelerator, imidazole hardening An accelerator and a metal-based hardening accelerator are preferable, and a phosphorus-based hardening accelerator is preferable from a viewpoint of reducing the viscosity of a pasty resin composition and improving the adhesiveness of the hardened | cured material of a pasty resin composition.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있으며, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산 및 그 염이 바람직하다. As a phosphorus hardening accelerator, a triphenyl phosphine, a phosphonium borate compound, tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate, n-butyl phosphonium tetraphenyl borate, tetrabutyl phosphonium decanoic acid, tetrabutyl phosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyl triphenylphosphonium thiocyanate, and the like, and triphenylphosphine, tetrabutylphosphonium decanoic acid and salts thereof desirable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있으며, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다. Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, and 1,8. -Diazabicyclo (5,4,0) -undecene and the like, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferred.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리메리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리메리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피로로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있으며, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다. As an imidazole series hardening accelerator, 2-methylimidazole, 2-undecyl imidazole, 2-heptadecyl imidazole, 1,2- dimethyl imidazole, 2-ethyl-4-methyl, for example. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl 4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecyl imidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecyl Imidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid addition , 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, etc. Adduct of an imidazole compound, an imidazole compound, and an epoxy resin is mentioned, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미쯔비시가가쿠사 제조의「P200-H50」등을 들 수 있다. As an imidazole series hardening accelerator, you may use a commercial item, For example, "P200-H50" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. is mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있으며, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다. Examples of the guanidine-based curing accelerators include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1-allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and the like. Preference is given to 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아염(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다. As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and salts (II) acetylacetonate. Organic iron complexes, such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes, such as nickel (II) acetylacetonate, organic manganese complexes, such as manganese (II) acetylacetonate, etc. are mentioned. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.

페이스트상 수지 조성물이 경화 촉진제를 함유하는 경우, 경화 촉진제의 함유량은, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분 전체를 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하이다. 경화 촉진제의 함유량을 이러한 범위 내로 함으로써, 점도를 저하시킬 수 있으며, 경화물의 밀착성도 향상시킬 수 있다. When the pasty resin composition contains a curing accelerator, the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass when the entire nonvolatile component in the pasty resin composition is 100% by mass. As mentioned above, More preferably, it is 0.1 mass% or more. Preferably an upper limit is 3 mass% or less, More preferably, it is 2 mass% or less, More preferably, it is 1 mass% or less. By making content of a hardening accelerator into this range, a viscosity can be reduced and the adhesiveness of hardened | cured material can also be improved.

<(F) 난연제><(F) flame retardant>

일 실시형태에 있어서, 페이스트상 수지 조성물은, (F) 난연제를 함유할 수 있다. 난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. In one embodiment, the pasty resin composition can contain the (F) flame retardant. As a flame retardant, an organophosphorus flame retardant, an organic nitrogen containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, a metal hydroxide, etc. are mentioned, for example. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

난연제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 산코사 제조의「HCA-HQ」, 다이하치가가쿠고교사 제조의「PX-200」등을 들 수 있다. 난연제로서는 가수분해하기 어려운 것이 바람직하며, 예를 들면, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 등이 바람직하다. As a flame retardant, a commercial item may be used, for example, "HCA-HQ" by Sanko Corp., "PX-200" by Daihachi Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned. As a flame retardant, a thing which is hard to hydrolyze is preferable, For example, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphafaphenanthrene-10-oxide etc. are preferable.

페이스트상 수지 조성물이 난연제를 함유하는 경우, 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.5 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 15질량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 10질량%가 더욱 바람직하다. When the pasty resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is not particularly limited, but when the nonvolatile component in the pasty resin composition is 100% by mass, preferably 0.5 to 20% by mass, more preferably 0.5 15 mass%, More preferably, 0.5-10 mass% is more preferable.

<(G) 임의의 첨가제><(G) any additive>

수지 조성물은, 추가로 필요에 따라, 다른 첨가제를 함유하고 있어도 좋으며, 이러한 다른 첨가제로서는, 예를 들면, 열가소성 수지, 무기 충전재(단, (C) 성분에 해당하는 것은 제외한다.), 유기 충전재, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및, 바인더, 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. The resin composition may further contain other additives as necessary, and as such other additives, for example, a thermoplastic resin, an inorganic filler (except those corresponding to the component (C)), and an organic filler And organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds, and organic cobalt compounds, and resin additives such as binders, thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, and coloring agents.

<페이스트상 수지 조성물의 물성, 용도><Physical Properties and Uses of Paste Resin Compositions>

페이스트상 수지 조성물 중에 함유되는 유기 용제의 함유량은, 페이스트상 수지 조성물의 전 질량에 대해, 바람직하게는 1.0질량% 미만, 보다 바람직하게는 0.8질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하, 0.1질량% 이하이다. 하한은, 특별히 제한은 없지만 0.001질량% 이상, 또는 함유하지 않는 것이다. 본 발명의 페이스트상 수지 조성물은, 유기 용제를 함유하지 않아도, 그 점도를 낮게 할 수 있다. 이와 같이 유기 용제의 양이 적은 것에 의해, 유기 용제의 휘발에 의한 보이드의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 회로 기판 등의 전자 부재와의 밀착성을 양호하게 할 수 있으며, 그 결과, 당해 전자 부재의 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 유기 용제란, (A) 성분을 경화시키는 기능을 갖지 않는, 25℃에서 액체인 성분을 말한다. The content of the organic solvent contained in the pasty resin composition is preferably less than 1.0 mass%, more preferably 0.8 mass% or less, still more preferably 0.5 mass% or less, relative to the total mass of the pasty resin composition. It is mass% or less. Although a minimum does not have a restriction | limiting in particular, It is 0.001 mass% or more, or does not contain. The pasty resin composition of this invention can make the viscosity low, even if it does not contain the organic solvent. Since the generation of voids due to volatilization of the organic solvent can be suppressed because the amount of the organic solvent is small in this manner, adhesion to electronic members such as a circuit board can be improved, and as a result, The heat dissipation efficiency can be improved. Here, an organic solvent means the component which is a liquid at 25 degreeC which does not have the function to harden | cure the (A) component.

페이스트상 수지 조성물의 25℃에 있어서의 점도는, 바람직하게는 350Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 330Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 310Pa·s 이하이다. 하한은 특별히 제한은 없지만, 1Pa·s 이상, 10Pa·s 이상 등으로 할 수 있다. 점도는, 후술하는 [점도의 측정]의 기재에 따라 측정할 수 있다. 페이스트상 수지 조성물의 점도를 이러한 범위 내로 함으로써 페이스트상 수지 조성물의 유동성이 높아지며, 또한, 밀착성도 향상된다. The viscosity at 25 degrees C of a pasty resin composition becomes like this. Preferably it is 350 Pa * s or less, More preferably, it is 330 Pa * s or less, More preferably, it is 310 Pa * s or less. Although a minimum does not have a restriction | limiting in particular, It can be set to 1 Pa * s or more, 10 Pa * s or more. A viscosity can be measured according to description of the [measurement of viscosity] mentioned later. By making the viscosity of a paste resin composition into such a range, the fluidity | liquidity of a paste resin composition becomes high and adhesiveness also improves.

페이스트상 수지 조성물의 경화물(예를 들면, 페이스트상 수지 조성물을 150℃에서 60분간 열경화시켜 얻어진 경화물, 페이스트상 수지 조성물을 120℃에서 60분간 열경화시켜 얻어진 경화물, 페이스트상 수지 조성물을 150℃에서 60분간 열경화시킨 후, 추가로 180℃에서 60분간 열경화시켜 얻어진 경화물)은, 우수한 열전도율을 나타낸다. 즉 열전도율이 높은 절연층을 초래한다. 열전도율로서는, 1.0W/m·K 이상, 바람직하게는 2.0W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 3.0W/m·K 이상, 더욱 바람직하게는 5.0W/m·K 이상이다. 열전도율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 10W/m·K 이하 등으로 할 수 있다. 열전도율의 평가는, 후술하는 [열전도율의 측정]에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다. Hardened | cured material of a paste-like resin composition (For example, the hardened | cured material obtained by thermosetting a paste-like resin composition for 60 minutes at 150 degreeC, the hardened | cured material obtained by thermosetting the paste-like resin composition for 60 minutes at 120 degreeC, and paste-like resin composition. After heat-hardening at 150 degreeC for 60 minutes, the hardened | cured material obtained by further thermosetting at 180 degreeC for 60 minutes) shows the outstanding thermal conductivity. That is, an insulation layer with high thermal conductivity is brought about. As thermal conductivity, it is 1.0W / m * K or more, Preferably it is 2.0W / m * K or more, More preferably, it is 3.0W / m * K or more, More preferably, it is 5.0W / m * K or more. Although the upper limit of thermal conductivity is not specifically limited, It can be 10 W / m * K or less. Evaluation of thermal conductivity can be measured according to the method as described in [measurement of thermal conductivity] mentioned later.

페이스트상 수지 조성물을 150℃에서 60분간 열경화시켜 얻어진 경화물은, 우수한 밀착성을 나타낸다. 즉 밀착성이 우수한 절연층을 초래한다. 당해 경화물의 다이 시어(Die Shear) 강도로서는, 바람직하게는 10N 이상, 보다 바람직하게는 20N 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 200N 이하 등으로 할 수 있다. 밀착성의 평가는, 후술하는 [밀착성의 평가]에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다. 당해 경화물은 우수한 밀착성을 나타내는 동시에 우수한 열전도율을 나타내기 때문에, 경화물과 접촉하는 전자 부재 등으로의 방열 효율을 높게 할 수 있다. The hardened | cured material obtained by thermosetting paste resin composition at 150 degreeC for 60 minutes shows the outstanding adhesiveness. That is, the insulating layer excellent in adhesiveness is brought about. As Die Shear strength of the said hardened | cured material, Preferably it is 10N or more, More preferably, it is 20N or more. The upper limit is not particularly limited, but may be 200 N or less. Evaluation of adhesiveness can be measured in accordance with the method as described in [evaluation of adhesiveness] mentioned later. Since the said hardened | cured material shows the outstanding adhesiveness and the outstanding thermal conductivity, heat dissipation efficiency to the electronic member etc. which contact | connect with hardened | cured material can be made high.

페이스트상 수지 조성물은 유동성이 높은 페이스트상이기 때문에, 예를 들면, 페이스트상 수지 조성물을 실린지로 주입하고, 페이스트상 수지 조성물을 가압하여 균일한 두께가 되도록 넓혀 수지 조성물층을 형성하는 것이 가능해진다. 이로 인해, 일본 공개특허공보 특개2012-77123호에 기재되어 있는 바와 같이, 유기 용제를 사용하여 수지 바니쉬를 제작하고, 수지 바니쉬를 건조시켜 유기 용제를 제거하고, 필름상으로 성형(수지 조성물층을 형성)할 필요는 없다. 페이스트상 수지 조성물은, 유기 용제를 사용하여 수지 바니쉬를 제작할 필요가 없기 때문에, 유기 용제가 존재함으로써, 전자 부재의 방열 효율이 저하될 우려는 없다. Since the pasty resin composition is a paste having high fluidity, for example, the pasty resin composition is injected into a syringe, and the pasty resin composition is pressurized to be widened to a uniform thickness to form a resin composition layer. For this reason, as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-77123, the resin varnish is produced using the organic solvent, the resin varnish is dried, the organic solvent is removed, and it shape | molded in the film form (resin composition layer Need not be formed). Since the paste-like resin composition does not need to produce a resin varnish using an organic solvent, there exists no possibility that the heat radiation efficiency of an electronic member may fall because an organic solvent exists.

본 발명의 페이스트상 수지 조성물은 열전도율 및 밀착성이 높은 절연층을 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명의 페이스트상 수지 조성물은, 히트싱크와 전자 부품을 접착하기 위한 페이스트상 수지 조성물(히트싱크의 접착용 페이스트상 수지 조성물), 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 페이스트상 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용 페이스트상 수지 조성물), 회로 기판(프린트 배선판을 포함함)의 절연층을 형성하기 위한 페이스트상 수지 조성물(회로 기판의 절연층용 페이스트상 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있으며, 그 위에 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 페이스트상 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 회로 기판의 층간 절연층용 페이스트상 수지 조성물)로서 더욱 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 반도체 칩을 봉지하기 위한 페이스트상 수지 조성물(반도체 칩 봉지용 페이스트상 수지 조성물), 반도체 칩에 배선을 형성하기 위한 페이스트상 수지 조성물(반도체 칩 배선 형성용 페이스트상 수지 조성물)로서도 적합하게 사용할 수 있다. The paste resin composition of the present invention can result in an insulating layer having high thermal conductivity and high adhesion. Therefore, the paste resin composition of this invention is a paste resin composition (paste resin composition for adhesion of heat sinks) for bonding a heat sink and an electronic component, and a paste resin composition for forming the insulating layer of a semiconductor chip package. (Paste-like resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package) and a paste-like resin composition (paste-like resin composition for an insulating layer of a circuit board) for forming an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board), It can be used suitably as a paste resin composition (paste resin composition for interlayer insulation layers of the circuit board which forms a conductor layer by plating) for forming the interlayer insulation layer in which the conductor layer is formed by plating on it. Moreover, it can use suitably also as paste resin composition (paste resin composition for semiconductor chip sealing) for sealing a semiconductor chip, and paste resin composition (paste resin composition for semiconductor chip wiring formation) for forming wiring in a semiconductor chip. Can be.

[회로 기판][Circuit board]

본 발명의 회로 기판은, 본 발명의 페이스트상 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다. The circuit board of this invention contains the insulating layer formed of the hardened | cured material of the paste resin composition of this invention.

본 발명의 회로 기판의 제조 방법은, The manufacturing method of the circuit board of this invention,

(1) 기재와, 당해 기재의 적어도 한쪽 면에 설치된 배선층을 갖는 배선층 부착 기재를 준비하는 공정,(1) a step of preparing a substrate with a wiring layer having a substrate and a wiring layer provided on at least one side of the substrate;

(2) 페이스트상 수지 조성물을, 배선층이 매입되도록, 배선층 부착 기재 위에 도포하고, 열경화시켜 절연층을 형성하는 공정,(2) Process of apply | coating paste-form resin composition on the base material with wiring layer so that a wiring layer may be embedded, thermosetting, and forming an insulating layer,

(3) 배선층을 층간 접속하는 공정을 포함한다. 또한, 회로 기판의 제조 방법은, (3) The process of connecting an interconnect layer interlayer is included. In addition, the manufacturing method of a circuit board,

(4) 기재를 제거하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. (4) You may include the process of removing a base material.

공정 (3)은, 배선층을 층간 접속할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 절연층에 비아홀을 형성하고, 배선층을 형성하는 공정, 및 절연층을 연마 또는 연삭하여 배선층을 노출시키는 공정의 적어도 어느 하나의 공정인 것이 바람직하다. The step (3) is not particularly limited as long as the wiring layer can be interlayer connected, but at least one of the steps of forming a via hole in the insulating layer, forming the wiring layer, and polishing or grinding the insulating layer to expose the wiring layer. Is preferably.

< 공정 (1)><Step (1)>

공정 (1)은, 기재와, 당해 기재의 적어도 한쪽 면에 설치된 배선층을 갖는 배선층 부착 기재를 준비하는 공정이다. 통상, 배선층 부착 기재는, 기재의 양면에 기재의 일부인 제1 금속층, 제2 금속층을 각각 가지며, 제2 금속층의 기재측의 면과 반대측의 면에 배선층을 가진다. 상세하게는, 기재 위에 드라이 필름(감광성 레지스트 필름)을 적층하고, 포토마스크를 사용하여 소정의 조건으로 노광, 현상하여 패턴 드라이 필름을 형성한다. 현상한 패턴 드라이 필름을 도금 마스크로 하여 전해 도금법에 의해 배선층을 형성한 후, 패턴 드라이 필름을 박리한다. Process (1) is a process of preparing the base material with wiring layer which has a base material and the wiring layer provided in at least one surface of the said base material. Usually, the base material with a wiring layer has the 1st metal layer and the 2nd metal layer which are a part of base material on both surfaces of a base material, respectively, and has a wiring layer in the surface on the opposite side to the surface of the base material side of a 2nd metal layer. In detail, a dry film (photosensitive resist film) is laminated | stacked on a base material, and it exposes and develops on predetermined conditions using a photomask, and forms a pattern dry film. After forming a wiring layer by the electroplating method using the developed pattern dry film as a plating mask, a pattern dry film is peeled off.

기재로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스나 냉간 압연 강판(SPCC) 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있으며, 기판 표면에 구리박 등의 금속층이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층(예를 들면, 미쯔이킨조쿠고교사 제조의 캐리어 구리박 부착 극박 구리박, 상품명「Micro Thin」) 등의 금속층이 형성되어 있어도 좋다. As a base material, board | substrates, such as a glass epoxy board | substrate, a metal board | substrate (such as stainless steel and a cold rolled steel plate (SPCC)), a polyester board | substrate, a polyimide board | substrate, BT resin board | substrate, and a thermosetting polyphenylene ether board | substrate, are mentioned, for example. Moreover, metal layers, such as copper foil, may be formed in the board | substrate surface. Moreover, metal layers, such as the 1st metal layer and the 2nd metal layer (for example, ultra-thin copper foil with carrier copper foil by Mitsui Kinzoku Co., Ltd. make, brand name "Micro Thin") which can peel on the surface, may be formed.

드라이 필름으로서는, 포토레지스트 조성물로 이루어지는 감광성의 드라이 필름인 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 드라이 필름을 사용할 수 있다. 드라이 필름은 시판품을 사용해도 좋다. As a dry film, as long as it is a photosensitive dry film which consists of a photoresist composition, it will not specifically limit, For example, dry films, such as a novolak resin and an acrylic resin, can be used. You may use a commercial item for a dry film.

기재와 드라이 필름의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시하면 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80 내지 140℃의 범위이며, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다. What is necessary is just to perform lamination | stacking of a base material and a dry film by the vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the hot pressing temperature is preferably in the range of 60 to 160 ° C, more preferably 80 to 140 ° C, and the hot pressing pressure is preferably 0.098 to 1.77 MPa, more preferably 0.29 to It is the range of 1.47 MPa, and heat-compression time is for 20 to 400 second preferably, More preferably, it is the range for 30 to 300 second. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions of 13 hPa or less.

드라이 필름을 기재 위에 적층후, 드라이 필름에 대해 원하는 패턴을 형성하기 위해 포토마스크를 사용하여 소정의 조건으로 노광, 현상을 행한다. After laminating | stacking a dry film on a base material, in order to form a desired pattern with respect to a dry film, it exposes and develops on predetermined conditions using a photomask.

배선층의 라인(회로폭)/스페이스(회로간의 폭)비는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20㎛ 이하(즉 피치가 40㎛ 이하), 보다 바람직하게는 10/10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5/5㎛ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 1/1㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.5/0.5㎛ 이상이다. 피치는, 배선층의 전체에 걸쳐 동일할 필요는 없다. 배선층의 최소 피치는, 40㎛ 이하, 36㎛ 이하, 또는 30㎛ 이하라도 좋다. The line (circuit width) / space (width between circuits) ratio of the wiring layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 µm or less (that is, pitch is 40 µm or less), more preferably 10/10 µm or less, further preferably Preferably it is 5/5 micrometer or less, More preferably, it is 1/1 micrometer or less, Especially preferably, it is 0.5 / 0.5 micrometer or more. The pitch does not need to be the same throughout the wiring layer. The minimum pitch of the wiring layer may be 40 µm or less, 36 µm or less, or 30 µm or less.

드라이 필름의 패턴 형성후, 배선층을 형성하고, 드라이 필름을 박리한다. 여기서, 배선층의 형성은, 원하는 패턴을 형성한 드라이 필름을 도금 마스크로서 사용하여, 도금법에 의해 실시할 수 있다. After the pattern formation of a dry film, a wiring layer is formed and a dry film is peeled off. Here, formation of a wiring layer can be performed by the plating method using the dry film which formed the desired pattern as a plating mask.

배선층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 배선층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 배선층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋으며, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 것을 들 수 있다. 이 중에서도, 배선층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하며, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하며, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다. The conductor material used for a wiring layer is not specifically limited. In a suitable embodiment, the wiring layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. . The wiring layer may be either a short metal layer or an alloy layer, and the alloy layer may be, for example, an alloy of two or more metals selected from the group described above (for example, a nickel chromium alloy, a copper nickel alloy, and a copper titanium alloy). The thing formed by) is mentioned. Among these, in view of the versatility of the wiring layer formation, the cost, the ease of patterning, and the like, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, An alloy layer of a copper-titanium alloy is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of nickel-chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper More preferred.

배선층의 두께는, 원하는 배선판의 디자인에 따라 다르지만, 바람직하게는 3 내지 35㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 20㎛, 또는 15 내지 20㎛이다. 공정 (3)에 있어서 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우에는, 층간 접속하는 배선과, 접속하지 않는 배선의 두께는 상이한 것이 바람직하다. 배선층의 두께는, 전술의 패턴 형성을 반복함으로써 조정할 수 있다. 각 배선층 중, 가장 두께가 있는 배선층(도전성 필러)의 두께는, 원하는 배선판의 디자인에 따라 다르지만, 바람직하게는 2㎛ 이상 100㎛ 이하이다. 또한 층간 접속하는 배선은 볼록형(凸)으로 되어 있어도 좋다. Although the thickness of a wiring layer changes with design of a desired wiring board, Preferably it is 3-35 micrometers, More preferably, it is 5-30 micrometers, More preferably, it is 10-20 micrometers, or 15-20 micrometers. In the step (3), when the step of grinding or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer to interconnect the wiring layer is adopted, the thickness of the wiring to be connected between the layers and the wiring not to be connected is preferably different. The thickness of the wiring layer can be adjusted by repeating the above-described pattern formation. Although the thickness of the wiring layer (electroconductive filler) which has the thickest among each wiring layer changes with design of a desired wiring board, Preferably it is 2 micrometers or more and 100 micrometers or less. In addition, the wiring connected between layers may be convex.

배선층을 형성후, 드라이 필름을 박리한다. 드라이 필름의 박리는, 예를 들면, 수산화나트륨 용액 등의 알칼리성의 박리액을 사용하여 실시할 수 있다. 필요에 따라, 불필요한 배선 패턴을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 형성할 수도 있다. 형성하는 배선층의 피치에 관해서는, 상기한 바와 같다. After forming a wiring layer, a dry film is peeled off. Peeling of a dry film can be performed using alkaline peeling liquids, such as a sodium hydroxide solution, for example. If necessary, unnecessary wiring patterns may be removed by etching or the like to form desired wiring patterns. The pitch of the wiring layer to be formed is as described above.

<공정 (2)><Step (2)>

공정 (2)는, 페이스트상 수지 조성물을, 배선층이 매입되도록, 배선층 부착 기재 위에 도포하고, 열경화시켜 절연층을 형성하는 공정이다. 상세하게는, 전술한 공정 (1)에서 얻어진 배선층 부착 기재의 배선층 위에, 페이스트상 수지 조성물을 도포하고, 페이스트상 수지 조성물을 열경화시켜 절연층을 형성한다. Process (2) is a process of apply | coating a paste resin composition on the base material with wiring layer so that a wiring layer may be embedded, thermosetting, and forming an insulating layer. Specifically, the paste-like resin composition is applied onto the wiring layer of the substrate with wiring layer obtained in the above-described step (1), and the paste-like resin composition is thermosetted to form an insulating layer.

배선층과 페이스트상 수지 조성물의 도포는, 예를 들면, 페이스트상 수지 조성물을 실린지로 주입하고, 페이스트상 수지 조성물을 가압하여 균일한 두께의 수지 조성물층을 형성함으로써 행할 수 있다. Application | coating of a wiring layer and a paste resin composition can be performed, for example by inject | pouring a paste resin composition with a syringe, pressurizing a paste resin composition, and forming the resin composition layer of uniform thickness.

배선층이 매입되도록 배선층 부착 기재 위에 페이스트상 수지 조성물을 도포한 후, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화 조건은, 페이스트상 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 상이하지만, 예를 들면, 경화 온도는 120 내지 240℃의 범위, 경화 시간은 5 내지 120분간의 범위로 할 수 있다. 수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열해도 좋다. After apply | coating paste resin composition on the base material with wiring layer so that a wiring layer may be embedded, a resin composition layer is thermosetted and an insulating layer is formed. Although the thermosetting conditions of a resin composition layer differ also according to the kind of paste-like resin composition, etc., For example, hardening temperature can be made into the range of 120-240 degreeC, and hardening time is the range of 5 to 120 minutes. Before thermosetting a resin composition layer, you may preheat a resin composition layer to temperature lower than hardening temperature.

수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한 후, 절연층 표면을 연마해도 좋다. 연마 방법은 특별히 한정되지 않지만, 공지의 방법으로 연마하면 좋으며, 예를 들면 평면 연삭반을 사용하여 절연층 표면을 연마할 수 있다. After thermosetting a resin composition layer and forming an insulating layer, you may grind the surface of an insulating layer. Although a grinding | polishing method is not specifically limited, What is necessary is just to grind by a well-known method, For example, the surface of an insulating layer can be grind | polished using a planar grinder.

<공정 (3)><Step (3)>

공정 (3)은, 배선층을 층간 접속하는 공정이다. 상세하게는, 절연층에 비아홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정이다. 또는 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜 배선층을 층간 접속하는 공정이다. Process (3) is a process of connecting an interconnect layer interlayer. In detail, it is a process of forming a via hole in an insulating layer, forming a conductor layer, and connecting a wiring layer between layers. Alternatively, the insulating layer is polished or ground, and the wiring layer is exposed to interconnect the wiring layer.

절연층에 비아홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우, 비아홀의 형성은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 조사, 에칭, 메카니칼 드릴링 등을 들 수 있지만, 레이저 조사에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이 레이저 조사는, 광원으로서 탄산가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 사용하는 임의 적합한 레이저 가공기를 사용하여 행할 수 있다. In the case where a via hole is formed in the insulating layer, a conductor layer is formed, and the wiring layer is connected to each other, the formation of the via hole is not particularly limited, but laser irradiation, etching, mechanical drilling, etc. may be mentioned. It is preferable to be done. This laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine which uses a carbon dioxide laser, a YAG laser, an excimer laser, etc. as a light source.

레이저 조사의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 레이저 조사는 선택된 수단에 따른 통상적인 방법에 따르는 임의 적합한 공정에 의해 실시할 수 있다. The conditions of laser irradiation are not specifically limited, Laser irradiation can be performed by any suitable process according to the conventional method according to the selected means.

비아홀의 형상, 즉 연신 방향에서 봤을 때의 개구의 윤곽 형상은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)이 된다. The shape of the via hole, that is, the contour shape of the opening when viewed in the stretching direction is not particularly limited, but is generally circular (approximately circular).

비아홀 형성후, 비아홀 내의 스미어 제거 공정인, 소위 디스미어 공정을 행해도 좋다. 후술하는 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 행하는 경우에는, 비아홀에 대해, 예를 들면 습식의 디스미어 처리를 행해도 좋으며, 도체층의 형성을 스퍼터 공정에 의해 행하는 경우에는, 예를 들면 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스미어 공정을 행해도 좋다. 또한, 디스미어 공정은 조화 처리 공정을 겸하고 있어도 좋다. After via hole formation, what is called a desmear process which is a smear removal process in a via hole may be performed. In the case of forming the conductor layer, which will be described later, by the plating process, for example, a wet desmear treatment may be performed on the via hole, and when the conductor layer is formed by the sputtering process, for example, plasma treatment. You may perform a dry desmear process, such as a process. In addition, the desmear process may also serve as the roughening process process.

도체층을 형성하기 전에, 비아홀 및 절연층에 대해 조화 처리를 행해도 좋다. 조화 처리는 통상 행해지는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 건식의 조화 처리의 예로서는 플라즈마 처리 등을 들 수 있으며, 습식의 조화 처리의 예로서는 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서로 행하는 방법을 들 수 있다. Before forming the conductor layer, the via hole and the insulating layer may be roughened. The roughening process can employ | adopt well-known procedures and conditions normally performed. Examples of the dry roughening treatment include plasma treatment. Examples of the wet roughening treatment include a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent and a neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order.

조화 처리후의 절연층 표면의 표면 거칠기(Ra)로서는, 바람직하게는 350㎚ 이상, 보다 바람직하게는 400㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 450㎚ 이상이다. 상한은, 바람직하게는 700㎚ 이하, 보다 바람직하게는 650㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 600㎚ 이하이다. 표면 거칠기(Ra)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 거칠기계를 사용하여 측정할 수 있다. As surface roughness Ra of the insulating-layer surface after a roughening process, Preferably it is 350 nm or more, More preferably, it is 400 nm or more, More preferably, it is 450 nm or more. Preferably an upper limit is 700 nm or less, More preferably, it is 650 nm or less, More preferably, it is 600 nm or less. Surface roughness Ra can be measured using a non-contact surface roughness machine, for example.

비아홀을 형성후, 도체층을 형성한다. 도체층을 구성하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않으며, 도체층은, 도금, 스퍼터, 증착 등 종래 공지의 임의 적합한 방법에 의해 형성할 수 있으며, 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 적합한 일 실시형태는, 예를 들면, 세미어디티브법, 풀어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 도체층은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. After the via hole is formed, the conductor layer is formed. The conductor material which comprises a conductor layer is not specifically limited, A conductor layer can be formed by conventionally well-known arbitrary suitable methods, such as plating, sputter | spatter, and vapor deposition, and it is preferable to form by plating. One suitable embodiment can be plated on the surface of an insulating layer by conventionally well-known techniques, such as a semiadditive method and a free additive method, and can form the conductor layer which has a desired wiring pattern. The conductor layer may be a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys are laminated.

상세하게는, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한다. 그 때, 전해 도금층의 형성과 함께, 비아홀을 전해 도금에 의해 매입하여 필드 비아를 형성해도 좋다. 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 도체층을 형성할 때, 마스크 패턴의 형성에 사용하는 드라이 필름은, 상기 드라이 필름과 같다. Specifically, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern for exposing a part of the plating seed layer is formed on the formed plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. On the exposed plating seed layer, an electroplating layer is formed by electroplating. At that time, with the formation of the electrolytic plating layer, via holes may be embedded by electroplating to form field vias. After the electroplating layer is formed, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern. In addition, when forming a conductor layer, the dry film used for formation of a mask pattern is the same as that of the said dry film.

도체층은, 선상의 배선뿐만 아니라, 예를 들면 외부 단자가 탑재될 수 있는 전극 패드(랜드) 등도 포함할 수 있다. 또한 도체층은, 전극 패드만으로 구성되어 있어도 좋다. The conductor layer may include not only linear wiring but also an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted. In addition, the conductor layer may be comprised only by the electrode pad.

또한, 도체층은, 도금 시드층 형성후, 마스크 패턴을 사용하지 않고 전해 도금층 및 필드 비아를 형성하고, 그 후, 에칭에 의한 패터닝을 행함으로써 형성해도 좋다. In addition, the conductor layer may be formed by forming an electroplating layer and a field via after forming the plating seed layer without using a mask pattern, and then patterning by etching.

절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우, 절연층의 연마 방법 또는 연삭 방법으로서는, 배선층을 노출시킬 수 있으며, 연마 또는 연삭면이 수평하면 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지의 연마 방법 또는 연삭 방법을 적용할 수 있으며, 예를 들면, 화학 기계 연마 장치에 의한 화학 기계 연마 방법, 버프 등의 기계 연마 방법, 숫돌 회전에 의한 평면 연삭 방법 등을 들 수 있다. 절연층에 비아홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정과 같이, 스미어 제거 공정, 조화 처리를 행하는 공정을 행해도 좋고, 도체층을 형성해도 좋다. 또한, 모든 배선층을 노출시킬 필요는 없으며, 배선층의 일부를 노출시켜도 좋다. In the case where the insulating layer is polished or ground, and the wiring layer is exposed and the step of connecting the wiring layers is adopted, the wiring layer can be exposed as the polishing method or the grinding method of the insulating layer, and the polishing or grinding surface is not particularly limited. It is possible to apply a conventionally known polishing method or grinding method, and examples thereof include a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing device, a mechanical polishing method such as a buff, a planar grinding method using a grinding wheel, and the like. . A via hole may be formed in an insulating layer, a conductor layer may be formed, and a wiring layer may be connected between layers, and a smear removal process and a roughening process may be performed, or a conductor layer may be formed. In addition, it is not necessary to expose all wiring layers, and a part of wiring layers may be exposed.

<공정 (4)><Step (4)>

공정 (4)는, 기재를 제거하고, 본 발명의 회로 기판을 형성하는 공정이다. 기재의 제거 방법은 특별히 한정되지 않는다. 적합한 일 실시형태는, 제1 및 제2 금속층의 계면에서 회로 기판으로부터 기재를 박리하고, 제2 금속층을 예를 들면 염화구리 수용액 등으로 에칭 제거한다. 필요에 따라, 도체층을 보호 필름으로 보호한 상태에서 기재를 박리해도 좋다. Process (4) is a process of removing a base material and forming the circuit board of this invention. The removal method of a base material is not specifically limited. In one suitable embodiment, the substrate is peeled off from the circuit board at the interface between the first and second metal layers, and the second metal layer is etched away with, for example, an aqueous copper chloride solution. As needed, you may peel a base material in the state which protected the conductor layer with the protective film.

[반도체 칩 패키지][Semiconductor Chip Package]

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제1 형태는, 상기 회로 기판 위에, 반도체 칩이 탑재된, 반도체 칩 패키지이다. 상기 회로 기판에, 반도체 칩을 접합함으로써 반도체 칩 패키지를 제조할 수 있다. A first aspect of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package in which a semiconductor chip is mounted on the circuit board. A semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to the said circuit board.

반도체 칩의 단자 전극이 회로 기판의 회로 배선과 도체 접속하는 한, 접합 조건은 특별히 한정되지 않으며, 반도체 칩의 플립칩 실장에 있어서 사용되는 공지의 조건을 사용하면 좋다. 또한, 반도체 칩과 회로 기판 간에 절연성의 접착제를 개재하여 접합해도 좋다. The bonding conditions are not particularly limited as long as the terminal electrodes of the semiconductor chips are connected to the circuit wiring of the circuit board, and any known conditions used in flip chip mounting of the semiconductor chips may be used. Moreover, you may join through an insulating adhesive agent between a semiconductor chip and a circuit board.

적합한 일 실시형태는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착한다. 압착 조건으로서는, 예를 들면, 압착 온도는 120 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 1 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5 내지 30초간)로 할 수 있다. One suitable embodiment presses the semiconductor chip onto the circuit board. As the crimping conditions, for example, the crimping temperature is in the range of 120 to 240 ° C (preferably in the range of 130 to 200 ° C, more preferably in the range of 140 to 180 ° C), and the crimping time is in the range of 1 to 60 seconds ( Preferably 5 to 30 seconds).

또한, 다른 적합한 일 실시형태는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합한다. 리플로우 조건으로서는, 예를 들면, 120 내지 300℃의 범위로 할 수 있다. Moreover, another suitable embodiment reflows and joins a semiconductor chip to a circuit board. As reflow conditions, it can be set as the range of 120-300 degreeC, for example.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 예를 들면, 반도체 칩을 몰드언더필재로 충전함으로써 반도체 칩 패키지를 얻는 것도 가능하다. 몰드언더필재로 충전하는 방법은 공지의 방법으로 실시할 수 있다. 몰드언더필재는 페이스트상 수지 조성물을 사용해도 좋다. After bonding a semiconductor chip to a circuit board, it is also possible to obtain a semiconductor chip package by filling a semiconductor chip with a mold underfill material, for example. The method of filling with a mold underfill material can be performed by a well-known method. The mold underfill material may use a paste resin composition.

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제2 형태는, 예를 들면, 도 1에 일례를 도시하는 바와 같은 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)이다. 도 1에 일례를 도시하는 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)(100)는, 봉지층(120)을, 본 발명의 페이스트상 수지 조성물로 제조한 반도체 칩 패키지이다. 반도체 칩 패키지(100)는, 반도체 칩(110), 반도체 칩(110)의 주위를 덮도록 형성된 봉지층(120), 반도체 칩(110)의 봉지층으로 덮여 있는 측과는 반대측의 면에 재배선 형성층(절연층)(130), 도체층(재배선층)(140), 솔더레지스트층(150), 및 범프(160)를 구비한다. 이러한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, The second aspect of the semiconductor chip package of the present invention is, for example, a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in Fig. 1. The semiconductor chip package (Fan-out type WLP) 100 which shows an example in FIG. 1 is the semiconductor chip package which produced the sealing layer 120 from the paste resin composition of this invention. The semiconductor chip package 100 is grown on the surface opposite to the side covered with the semiconductor chip 110, the encapsulation layer 120 formed to cover the semiconductor chip 110, and the encapsulation layer of the semiconductor chip 110. A line forming layer (insulating layer) 130, a conductor layer (rewiring layer) 140, a solder resist layer 150, and a bump 160 are provided. The manufacturing method of such a semiconductor chip package,

(A) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(A) process of laminating a temporarily fixed film on a base material,

(B) 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정, (B) process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixed film,

(C) 본 발명의 페이스트상 수지 조성물을, 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜 봉지층을 형성하는 공정,(C) Process of apply | coating paste resin composition of this invention on semiconductor chip, thermosetting, and forming sealing layer,

(D) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정, (D) Process of peeling a base material and a temporarily fixing film from a semiconductor chip,

(E) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정,(E) process of forming a redistribution formation layer (insulation layer) in the surface which peeled the base material and the temporarily fixing film of a semiconductor chip,

(F) 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정,(F) forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring forming layer (insulating layer),

And

(G) 도체층 위에 솔더레지스트층을 형성하는 공정을 포함한다. (G) forming a soldering resist layer on the conductor layer.

또한, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, In addition, the manufacturing method of a semiconductor chip package,

(H) 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하여, 개편화하는 공정을 포함할 수 있다. (H) Dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages may be included.

<공정 (A)><Step (A)>

공정 (A)는, 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기재와 가고정 필름의 적층 조건은, 전술의 공정 (1)에서의 기재와 드라이 필름의 적층 조건과 같으며, 바람직한 범위도 같다. Process (A) is a process of laminating a temporarily fixed film on a base material. Lamination conditions of a base material and a temporarily fixed film are the same as the lamination conditions of the base material and dry film in the above-mentioned process (1), and its preferable range is also the same.

기재에 사용하는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 기재로서는, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티탄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 스며들게 하여 열경화 처리한 기판; BT 수지 등의 비스말레이미드트리아진 수지로 이루어지는 기판 등을 들 수 있다. The material used for a base material is not specifically limited. As a base material, a silicon wafer; Glass wafers; Glass substrates; Metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel sheet (SPCC); A substrate subjected to thermosetting treatment by injecting an epoxy resin or the like into glass fibers such as an FR-4 substrate; The board | substrate which consists of bismaleimide triazine resins, such as BT resin, etc. are mentioned.

가고정 필름은, 후술하는 공정 (D)에 있어서 반도체 칩으로부터 박리할 수 있는 동시에, 반도체 칩을 가고정할 수 있으면 재료는 특별히 한정되지 않는다. 가고정 필름은 시판품을 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 닛토덴코사 제조의 리발파(REVALPHA) 등을 들 수 있다. A material will not be specifically limited if a temporarily fixed film can peel from a semiconductor chip in the process (D) mentioned later, and can temporarily fix a semiconductor chip. The temporarily fixed film can use a commercial item. As a commercial item, the Nitto Denko make REVALPHA etc. are mentioned.

<공정 (B)><Step (B)>

공정 (B)는, 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 플립칩 본더, 다이 본더 등의 공지의 장치를 사용하여 행할 수 있다. 반도체 칩 배치의 레이아웃 및 배치 수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 패키지의 생산 수 등에 따라 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들면, 복수 행으로, 또한 복수 열의 매트릭스상으로 정렬시켜 가고정할 수 있다. Process (B) is a process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixed film. Temporary fixation of a semiconductor chip can be performed using well-known apparatuses, such as a flip chip bonder and a die bonder. The layout and the number of arrangements of the semiconductor chip arrangements can be appropriately set according to the shape, size of the temporarily fixed film, the number of production of the target semiconductor package, and the like, for example, arranged in a plurality of rows and a plurality of columns in a matrix. You can decide.

<공정 (C)><Step (C)>

공정 (C)는, 본 발명의 페이스트상 수지 조성물을 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜 봉지층을 형성하는 공정이다. Process (C) is a process of apply | coating the paste resin composition of this invention on a semiconductor chip, thermosetting, and forming a sealing layer.

페이스트상 수지 조성물의 도포, 열경화 조건은, 전술의 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 공정 (2)에 있어서의 페이스트상 수지 조성물의 도포 방법, 열경화 조건과 같다. Application | coating of a paste-like resin composition and thermosetting conditions are the same as the application | coating method of the pasty resin composition in the process (2) in the manufacturing method of the circuit board mentioned above, and thermosetting conditions.

<공정 (D)><Step (D)>

공정 (D)는, 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리하는 방법은, 가고정 필름의 재질 등에 따라 적절히 변경할 수 있으며, 예를 들면, 가고정 필름을 가열, 발포(또는 팽창)시켜 박리하는 방법, 및 기재측으로부터 자외선을 조사시켜, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법 등을 들 수 있다. Process (D) is a process of peeling a base material and a temporarily fixed film from a semiconductor chip. The method of peeling can be suitably changed according to the material of a temporarily fixed film, etc. For example, the method of heating and foaming (or expanding) a temporarily fixed film, and irradiating an ultraviolet-ray from the base material side, The method of reducing adhesive force and peeling is mentioned.

가고정 필름을 가열, 발포(또는 팽창)시켜 박리하는 방법에 있어서, 가열 조건은, 통상, 100 내지 250℃에서 1 내지 90초간 또는 5 내지 15분간이다. 또한, 기재측에서 자외선을 조사시켜, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법에 있어서, 자외선의 조사량은, 통상, 10 내지 1000mJ/㎠이다. In the method of heating, foaming (or expanding) and temporarily peeling off a temporarily fixed film, heating conditions are 1 to 90 second or 5 to 15 minutes at 100-250 degreeC normally. Moreover, in the method of irradiating an ultraviolet-ray from the base material side, reducing the adhesive force of a temporarily fixed film, and peeling, the irradiation amount of an ultraviolet-ray is 10-1000mJ / cm <2> normally.

<공정 (E)><Step (E)>

공정 (E)는, 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정이다. Process (E) is a process of forming a redistribution formation layer (insulating layer) in the surface which peeled the base material and the temporarily fixed film of a semiconductor chip.

재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료는, 재배선 형성층(절연층) 형성시에 절연성을 가지고 있으면 특별히 한정되지 않으며, 반도체 칩 패키지의 제조 용이성의 관점에서, 감광성 수지, 열경화성 수지가 바람직하다. The material for forming the redistribution forming layer (insulating layer) is not particularly limited as long as it has insulation at the time of forming the redistribution forming layer (insulating layer), and from the viewpoint of ease of manufacture of the semiconductor chip package, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable. .

재배선 형성층(절연층)을 형성후, 반도체 칩과 후술하는 도체층을 층간 접속하기 위해, 재배선 형성층(절연층)에 비아홀을 형성해도 좋다. After forming the redistribution forming layer (insulating layer), via holes may be formed in the redistribution forming layer (insulating layer) in order to connect the semiconductor chip and the conductor layer described later.

비아홀을 형성함에 있어서, 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료가 감광성 수지인 경우, 우선, 재배선 형성층(절연층)의 표면에 마스크 패턴을 통과시켜 활성 에너지선을 조사하여, 조사부의 최배선층을 광경화시킨다. In forming the via hole, when the material for forming the redistribution forming layer (insulating layer) is a photosensitive resin, first, the active energy ray is irradiated by passing a mask pattern through the surface of the redistribution forming layer (insulating layer), and the The wiring layer is photocured.

활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있으며, 특히 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량, 조사 시간은, 감광성 수지에 따라 적절히 변경할 수 있다. 감광 방법으로서는, 마스크 패턴을 재배선 형성층(절연층)에 밀착시켜 노광하는 접촉 노광법과, 마스크 패턴을 재배선 형성층(절연층)에 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법 중 어느 것을 사용해도 좋다. As an active energy ray, an ultraviolet-ray, a visible ray, an electron beam, X-rays, etc. are mentioned, for example, Especially ultraviolet ray is preferable. The irradiation amount and irradiation time of an ultraviolet-ray can be changed suitably according to the photosensitive resin. As the photosensitive method, any one of a contact exposure method in which a mask pattern is brought into close contact with a redistribution forming layer (insulating layer) and a noncontact exposure method in which the mask pattern is exposed using parallel rays without being in close contact with the redistribution forming layer (insulating layer). You may use it.

다음에, 재배선 형성층(절연층)을 현상하고, 미노광부를 제거함으로써, 비아홀을 형성한다. 현상은, 웨트 현상, 드라이 현상의 어느 것이라도 적합하다. 웨트 현상에서 사용하는 현상액은 공지의 현상액을 사용할 수 있다. Next, via holes are formed by developing a redistribution forming layer (insulating layer) and removing unexposed portions. The development is suitable for any of wet development and dry development. As the developer used in the wet development, a known developer can be used.

현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱 방식, 스크래핑 방식 등을 들 수 있으며, 해상성의 관점에서, 패들 방식이 적합하다. As a system of image development, a dip system, a paddle system, a spray system, a brushing system, a scraping system, etc. are mentioned, for example, A paddle system is suitable from a resolution viewpoint.

재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료가 열경화성 수지인 경우, 비아홀의 형성은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 조사, 에칭, 메카니컬드릴링 등을 들 수 있는데, 레이저 조사에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 레이저 조사는, 광원으로서 탄산가스 레이저, UV-YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 사용하는 임의 적합한 레이저 가공기를 사용하여 행할 수 있다. In the case where the material for forming the redistribution forming layer (insulating layer) is a thermosetting resin, the formation of the via hole is not particularly limited. Examples thereof include laser irradiation, etching, mechanical drilling, and the like, which is preferably performed by laser irradiation. Laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine which uses a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, an excimer laser, etc. as a light source.

레이저 조사의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 레이저 조사는 선택된 수단에 따른 통상적인 방법에 따르는 임의 적합한 공정에 의해 실시할 수 있다. The conditions of laser irradiation are not specifically limited, Laser irradiation can be performed by any suitable process according to the conventional method according to the selected means.

비아홀의 형상, 즉 연신 방향에서 봤을 때의 개구의 윤곽 형상은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)이 된다. 비아홀의 톱 직경(재배선 형성층, (절연층) 표면의 개구 직경)은, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 15㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상이다. The shape of the via hole, that is, the contour shape of the opening when viewed in the stretching direction is not particularly limited, but is generally circular (approximately circular). The top diameter (opening forming layer, opening diameter of the surface of the (insulating layer)) of the via hole is preferably 50 µm or less, more preferably 30 µm or less, still more preferably 20 µm or less. Although a minimum is not specifically limited, Preferably it is 10 micrometers or more, More preferably, it is 15 micrometers or more, More preferably, it is 20 micrometers or more.

<공정 (F)><Step (F)>

공정 (F)는, 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층을 형성하는 방법은, 회로 기판의 제조 방법에 있어서의 공정(3)의 절연층에 비아홀을 형성한 후의 도체층을 형성하는 방법과 같으며, 바람직한 범위도 같다. 또한, 공정 (E) 및 공정 (F)를 반복하여 행하고, 도체층(재배선층) 및 재배선 형성층(절연층)을 교대로 쌓아 올려(빌드업)도 좋다. Step (F) is a step of forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring forming layer (insulating layer). The method of forming a conductor layer on a redistribution formation layer (insulation layer) is the same as the method of forming the conductor layer after forming a via hole in the insulation layer of the process (3) in the manufacturing method of a circuit board, and a preferable range also is same. In addition, the step (E) and the step (F) may be repeated, and the conductor layer (rewiring layer) and the redistribution forming layer (insulating layer) may be alternately stacked (build up).

<공정 (G)><Step (G)>

공정 (G)는 도체층 위에 솔더레지스트층을 형성하는 공정이다. Process (G) is a process of forming a soldering resist layer on a conductor layer.

솔더레지스트층을 형성하는 재료는, 솔더레지스트층 형성시에 절연성을 가지고 있으면 특별히 한정되지 않으며, 반도체 칩 패키지의 제조 용이성의 관점에서, 감광성 수지, 열경화성 수지가 바람직하다. The material for forming the solder resist layer is not particularly limited as long as it has insulation at the time of forming the solder resist layer, and from the viewpoint of ease of manufacture of the semiconductor chip package, photosensitive resins and thermosetting resins are preferable.

또한, 공정 (G)는, 필요에 따라, 범프를 형성하는 범핑 가공을 행해도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에 있어서의 비아홀의 형성은 공정 (E)와 같이 행할 수 있다. In addition, process (G) may perform bumping process which forms a bump as needed. Bumping can be performed by well-known methods, such as a solder ball and solder plating. In addition, formation of the via hole in bumping process can be performed similarly to process (E).

<공정 (H)><Step (H)>

반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (A) 내지 (G) 이외에 공정 (H)를 포함하고 있어도 좋다. 공정 (H)는, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하고, 개편화하는 공정이다. The manufacturing method of a semiconductor chip package may include process (H) other than process (A)-(G). Step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them into pieces.

반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 공지의 방법을 사용할 수 있다. The method of dicing a semiconductor chip package to each semiconductor chip package is not specifically limited, A well-known method can be used.

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제3 형태는, 예를 들면, 도 1에 일례를 도시하는 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)에 있어서의 재배선 형성층(절연층)(130), 솔더레지스트층(150)을 본 발명의 페이스트상 수지 조성물로 제조한 반도체 칩 패키지이다. The third aspect of the semiconductor chip package of the present invention is, for example, a redistribution forming layer (insulating layer) 130 and a soldering resist layer in a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) shown in FIG. 1 as an example. (150) is a semiconductor chip package manufactured from the paste resin composition of the present invention.

[반도체 장치][Semiconductor Device]

본 발명의 반도체 칩 패키지를 실장하게 되는 반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들면, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다. Examples of the semiconductor device to which the semiconductor chip package of the present invention is mounted include electrical appliances (for example, computers, mobile phones, smartphones, tablet-type devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, and televisions) and vehicles (examples). For example, various semiconductor devices provided to motorcycles, automobiles, trams, ships, aircrafts, etc. can be mentioned.

[전자 부재][Electronic member]

본 발명의 전자 부재는, 히트싱크와, 당해 히트싱크 위에 설치된 본 발명의 페이스트상 수지 조성물의 경화물과, 당해 경화물 위에 장착된 전자 부품을 가진다. 페이스트상 수지 조성물의 경화물은, 열전도율 및 밀착성이 우수하기 때문에, 예를 들면, 페이스트상 수지 조성물의 경화물을 히트싱크에 접착시키도록 히트싱크 위에 설치하고, 당해 경화물 위에 전자 부품을 장착함으로써, 전자 부품의 히트싱크로의 방열 효율이 높아진다. 경화물의 형성 방법은, 전술의 공정 (C)와 같은 방법에 의해 행할 수 있다. The electronic member of this invention has a heat sink, the hardened | cured material of the paste-like resin composition of this invention provided on the said heat sink, and the electronic component mounted on the said hardened | cured material. Since the hardened | cured material of a pasty resin composition is excellent in thermal conductivity and adhesiveness, for example, it is provided on a heat sink so that the hardened | cured material of a pasty resin composition may adhere to a heat sink, and an electronic component is mounted on the said hardened | cured material. The heat dissipation efficiency of the heat sink of the electronic component is increased. The formation method of hardened | cured material can be performed by the method similar to the above-mentioned process (C).

전자 부품으로서는, 예를 들면, 반도체 칩, 파워 반도체, LED-PKG 등을 들 수 있다. 전자 부재로서는, 예를 들면, 회로 기판, 반도체 칩 패키지, 반도체 장치 등을 들 수 있다. As an electronic component, a semiconductor chip, a power semiconductor, LED-PKG etc. are mentioned, for example. As an electronic member, a circuit board, a semiconductor chip package, a semiconductor device, etc. are mentioned, for example.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서, 양을 나타내는「부」및「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각「질량부」및「질량%」를 의미한다. Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these Examples. In addition, in the following description, "part" and "%" which represent quantity mean "mass part" and "mass%", respectively, unless there is particular notice.

[페이스트상 수지 조성물의 조제][Preparation of Paste Resin Composition]

<실시예 1><Example 1>

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169g/eq, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 17부에, 액상 분산제(쿠스모토가세이사 제조「ED152」, 알킬렌옥사이드 함유 인산에스테르) 1부를 첨가하고, 싱키사 제조 아와토리렌타로를 사용하여 균일하게 교반하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 다음에, 얻어진 에폭시 수지 조성물에, 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능) 14부, 및 경화 촉진제(홋코가가쿠고교사 제조「TBP-DA」, 테트라부틸포스포늄데칸산) 0.14부를 가하여 교반하고, 베이스 수지 조성물을 조제하였다. 17 parts of bisphenol-type epoxy resin ("XX1059" by Shin-Nitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent approximately 169 g / eq, 1: 1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type) is a liquid dispersing agent (made by Kusumoto Kasei Co., Ltd. ED152 ", and 1 part of alkylene oxide containing phosphate esters) were added, and it stirred uniformly using the Awaritorentaro manufactured by Sinki Corp., and obtained the epoxy resin composition. Next, to the obtained epoxy resin composition, 14 parts of a liquid curing agent ("TMTP" manufactured by Yodogagaku Kogyo Co., Ltd.), trimethylol propane tris (3-mercaptopropionate), molecular weight 398, trifunctional), and a curing accelerator (Hokko) Kagaku Kogyo Co., Ltd. "TBP-DA" and tetrabutyl phosphonium decanoic acid) 0.14 part were added, it stirred, and the base resin composition was prepared.

베이스 수지 조성물에, 열전도성 필러(구상 알루미나 분말, 덴카사 제조「DAW-0525」, 평균 입자 직경 5.3㎛, 비표면적 0.4㎡/g, 종횡비 1.0) 69부를 가하고 혼련하여 페이스트상 수지 조성물 1을 얻었다. 페이스트상 수지 조성물 1의 유기 용제 함유량은, 페이스트상 수지 조성물 1의 전 질량에 대해, 0질량%이었다. 69 parts of thermally conductive fillers (spherical alumina powder, "DAW-0525" manufactured by Denka Corporation, an average particle diameter of 5.3 µm, a specific surface area of 0.4 m 2 / g, and an aspect ratio of 1.0) were added to the base resin composition and kneaded to obtain a paste resin composition 1. . The organic solvent content of the pasty resin composition 1 was 0 mass% with respect to the whole mass of the pasty resin composition 1.

<실시예 2><Example 2>

실시예 1에 있어서, 열전도성 필러(구상 알루미나 분말, 덴카사 제조「DAW-0525」, 평균 입자 직경 5.3㎛, 비표면적 0.4㎡/g, 종횡비 1.0) 69부를, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A01」, 평균 입자 직경 1.4㎛, 비표면적 5.0㎡/g, 종횡비 1.25) 64부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 2를 얻었다. In Example 1, 69 parts of thermally conductive fillers (spherical alumina powder, "DAW-0525" by Denka Co., Ltd., average particle diameter 5.3 micrometers, specific surface area 0.4 m <2> / g, aspect ratio 1.0) were heat conductive fillers (spherical silicon carbide powder) And "SSC-A01" manufactured by Shinano Denkiseren Co., Ltd., with an average particle diameter of 1.4 µm, a specific surface area of 5.0 m 2 / g, and an aspect ratio of 1.25). A paste resin composition 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

<실시예 3><Example 3>

실시예 1에 있어서, 열전도성 필러(구상 알루미나 분말, 덴카사 제조「DAW-0525」, 평균 입자 직경 5.3㎛, 비표면적 0.4㎡/g, 종횡비 1.0) 69부를, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A15」, 평균 입자 직경 18.6㎛, 비표면적 0.3㎡/g, 종횡비 1.25) 64부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 3을 얻었다. In Example 1, 69 parts of thermally conductive fillers (spherical alumina powder, "DAW-0525" by Denka Co., Ltd., average particle diameter 5.3 micrometers, specific surface area 0.4 m <2> / g, aspect ratio 1.0) were heat conductive fillers (spherical silicon carbide powder) And "SSC-A15" manufactured by Shinano Denkiseren Co., Ltd., having an average particle diameter of 18.6 µm, a specific surface area of 0.3 m 2 / g, and an aspect ratio of 1.25) of 64 parts. A paste resin composition 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1에 있어서, 열전도성 필러(구상 알루미나 분말, 덴카사 제조「DAW-0525」, 평균 입자 직경 5.3㎛, 비표면적 0.4㎡/g, 종횡비 1.0) 69부를, 열전도성 필러(토쿠야마사 제조「HF-01」의 구상 질화알루미늄 분말을, 아도마텍스사에 있어서 페닐아미노실란으로 표면 처리한 것, 평균 입자 직경 0.9 내지 1.4㎛, 비표면적 2.3 내지 2.9㎡/g, 종횡비 1.0 내지 1.1) 65부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 4를 얻었다. In Example 1, 69 parts of thermally conductive fillers (spherical alumina powder, "DAW-0525" by Denka Co., Ltd., average particle diameter 5.3 micrometers, specific surface area 0.4 m <2> / g, aspect ratio 1.0) were thermally conductive fillers (Tokuyama Corporation make). Surface-treated spherical aluminum nitride powder of "HF-01" with phenylaminosilane in Adomatex, average particle diameter 0.9-1.4 micrometers, specific surface area 2.3-2.9 m <2> / g, aspect ratio 1.0-1.1) 65 Changed to wealth. A paste resin composition 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

<실시예 5><Example 5>

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169g/eq, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 3부, 및 1,4-사이클로헥산디메탄올디글리시딜에테르형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1658GS」, 에폭시 당량 130-140g/eq) 3부를 금속 용기에 계량하고, 거기에, 테트라메틸비페놀형 고형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠사 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 187-197g/eq) 1부를 계량하였다. 그 후, IH 히터를 사용하여 용해하였다. Bisphenol-type epoxy resin ("ZX1059" made by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent approximately 169 g / eq, 1: 1 mixed product of bisphenol A type and bisphenol F type), and 1, 4- cyclohexane dimethanol di Three parts of glycidyl ether type epoxy resin ("ZX1658GS" made by Shin-Nitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 130-140 g / eq) are weighed in a metal container, and the tetramethylbiphenol type solid epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation) Co., Ltd. "YX4000HK" and 1 part of epoxy equivalent 187-197g / eq) were measured. Thereafter, it was dissolved using an IH heater.

냉각후, 분산제(쿠스모토가세이사 제조「ED152」, 알킬렌옥사이드 함유 인산에스테르) 4부를 첨가하고, 균일하게 교반하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다. After cooling, 4 parts of a dispersing agent ("ED152" by the Kusumoto Chemical Co., Ltd., alkylene oxide containing phosphate ester) was added, and it stirred uniformly, and obtained the epoxy resin composition.

다음에, 얻어진 에폭시 수지 조성물에 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능) 6부, 및 경화 촉진제(홋코가가쿠고교사 제조「TBP-DA」, 테트라부틸포스포늄데칸산) 0.14부를 가하여 교반하고, 베이스 수지 조성물을 조제하였다. Next, to the obtained epoxy resin composition, 6 parts of a liquid hardening | curing agent ("TMTP" by the Yodogagaku Kogyo Co., Ltd., trimethylol propane tris (3-mercaptopropionate), molecular weight 398, trifunctional), and a hardening accelerator (Hokkoga 0.14 part of "TBP-DA" by Gaku Kogyo Co., Ltd. and tetrabutyl phosphonium decanoic acid) was added and stirred to prepare a base resin composition.

베이스 수지 조성물에 열전도성 필러(알루미나 분말, 덴카사 제조「ASFP-20」, 평균 입자 직경 0.2 내지 0.5㎛, 비표면적 12 내지 18㎡/g, 종횡비 1.0) 13부, 열전도성 필러(알루미나 분말, 덴카사 제조「DAW-0525」, 평균 입자 직경 5.3㎛, 비표면적 0.4㎡/g, 종횡비 1.0) 19부, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A01」, 평균 입자 직경 1.4㎛, 비표면적 5.0㎡/g, 종횡비 1.25) 13부, 및 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A15」, 평균 입자 직경 18.6㎛, 비표면적 0.3㎡/g, 종횡비 1.25) 38부를 가하고 교반하여 페이스트상 수지 조성물 5를 얻었다. 13 parts of a thermally conductive filler (alumina powder, "ASFP-20" by Denka Co., Ltd., average particle diameter 0.2-0.5 micrometer, specific surface area 12-18 m <2> / g, aspect ratio 1.0), and a thermally conductive filler (alumina powder, "DW-0525" by Denka Co., Ltd., 19 micrometers in average particle diameter of 5.3 micrometers, specific surface area of 0.4 m <2> / g, aspect ratio 1.0), a thermally conductive filler (spherical silicon carbide powder, "SSC-A01" by Shinano Denkiseren company, average particle | grains 13 parts of diameter 1.4 micrometers, specific surface area 5.0m <2> / g, aspect ratio 1.25), and a thermally conductive filler (spherical silicon carbide powder, "SSC-A15" by Shinano Denkiserene Co., Ltd., average particle diameter 18.6micrometer, specific surface area 0.3m <2> / g And 38 parts of aspect ratio 1.25) were added and stirred, and the paste-like resin composition 5 was obtained.

<실시예 6><Example 6>

실시예 5에 있어서,In Example 5,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169g/eq, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 3부에서 4부로 하고, 1) The amount of bisphenol-type epoxy resin ("XX1059" manufactured by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 169 g / eq, 1: 1 mixed product of bisphenol A type and bisphenol F type) is 3 to 4 parts,

2) 테트라메틸비페놀형 고형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠사 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 187-197g/eq)의 양을 1부에서 2부로 하고, 2) The amount of tetramethylbiphenol-type solid epoxy resin ("YX4000HK" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 187-197g / eq) is made into 1 part to 2 parts,

3) 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능) 6부를, 액상 경화제(메이와가세이사 제조「MEH-8000H」, 2-알릴페놀·포름알데히드 중축합물, OH 당량 139-143g/eq) 8부로 변경하고, 3) 6 parts of liquid curing agents (TMTP manufactured by Yodogagaku Kogyo Co., Ltd., trimethylol propane tris (3-mercaptopropionate), molecular weight 398, trifunctional), liquid curing agent (MEH-8000H manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) 2-allyl phenol formaldehyde polycondensate, OH equivalent 139-143 g / eq) to 8 parts,

4) 분산제(쿠스모토가세이사 제조「ED152」, 알킬렌옥사이드 함유 인산에스테르)의 양을 4부에서 1부로 변경하였다. 4) The amount of the dispersant ("ED152" manufactured by Kusumoto Chemical Co., Ltd., alkylene oxide containing phosphate ester) was changed from 4 parts to 1 part.

이상의 사항 이외에는 실시예 5와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 6을 얻었다. A paste resin composition 6 was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above matters.

<실시예 7><Example 7>

실시예 5에 있어서, 분산제(쿠스모토가세이사 제조「ES152」, 알킬렌옥사이드 함유 인산에스테르) 4부를, 분산제(아지노모토파인테크노사 제조「프렌악토55」, 티타네이트계 커플링제(테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트) 4부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 5와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 7을 얻었다. In Example 5, 4 parts of a dispersing agent ("ES152" by Kusumoto Kasei Co., Ltd., alkylene oxide containing phosphate ester), a dispersing agent ("Frencto 55" by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), a titanate coupling agent (tetra (2, 2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate) was changed to 4 parts .. A paste-like resin composition 7 was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above matters.

<실시예 8><Example 8>

실시예 5에 있어서, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A01」, 평균 입자 직경 1.4㎛, 비표면적 5.0㎡/g, 종횡비 1.25) 13부를, 열전도성 필러(토쿠야마사 제조「HF-01」의 구상 질화알루미늄 분말을, 아도마텍스사에 있어서 페닐아미노실란으로 표면 처리한 것, 평균 입자 직경 0.9 내지 1.4㎛, 비표면적 2.3 내지 2.9㎡/g, 종횡비 1.0 내지 1.1) 13부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 5와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 8을 얻었다. In Example 5, 13 parts of thermally conductive fillers (spherical silicon carbide powder, "SSC-A01" by Shinano Denkiserene Co., Ltd., average particle diameter 1.4 micrometers, specific surface area 5.0 m <2> / g, aspect ratio 1.25) were heat conductive fillers (Toku The surface-treated spherical aluminum nitride powder of Yamaha "HF-01" with phenylaminosilane in Adomatex, the average particle diameter of 0.9-1.4 micrometers, specific surface area 2.3-2.9m <2> / g, aspect ratio 1.0- 1.1) Changed to 13 parts. A paste resin composition 8 was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above matters.

<실시예 9>Example 9

실시예 5에 있어서, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A01」, 평균 입자 직경 1.4㎛, 비표면적 5.0㎡/g, 종횡비 1.25) 13부를, 열전도성 필러(질화붕소 분말, 미쯔이가가쿠사 제조「MBN-010T」, 평균 입자 직경 0.9 내지 1.0㎛, 비표면적 13.0㎡/g, 종횡비 5.0) 13부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 5와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 9를 얻었다. In Example 5, 13 parts of thermally conductive fillers (spherical silicon carbide powder, "SSC-A01" by Shinano Denkiseren Co., Ltd., average particle diameter 1.4 micrometers, specific surface area 5.0 m <2> / g, aspect ratio 1.25) were heat conductive fillers (nitriding) Boron powder, "MBN-010T" by Mitsui Chemical Co., Ltd., average particle diameter 0.9-1.0 micrometer, specific surface area 13.0 m <2> / g, aspect ratio 5.0) It changed into 13 parts. A paste resin composition 9 was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above matters.

<실시예 10><Example 10>

비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169g/eq, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 2부, 및 1,4-사이클로헥산디메탄올디글리시딜에테르형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조,「ZX1658GS」, 에폭시 당량 130-140g/eq) 2부를 금속 용기에 계량하고, 거기에, 테트라메틸비페놀형 고형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠사 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 187-197g/eq) 1부를 계량하였다. 그 후, IH 히터를 사용하여 용해하였다. 2 parts of bisphenol-type epoxy resin ("XX1059" by Shin-Nitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 169 g / eq, 1: 1 mixed product of bisphenol A type and bisphenol F type), and 1, 4- cyclohexane dimethanol di 2 parts of glycidyl ether type epoxy resin (manufactured by Shinnitetsu Chemical Co., Ltd., `` ZX1658GS '', epoxy equivalent 130-140 g / eq) was weighed into a metal container, and a tetramethylbiphenol type solid epoxy resin (Mitsubishi Chemical "KX Corporation" YX4000HK "and 1 part of epoxy equivalents 187-197g / eq) were measured. Thereafter, it was dissolved using an IH heater.

냉각후, 분산제(쿠스모토가세이사 제조「ED152」, 알킬렌옥사이드 함유 인산에스테르) 3부를 첨가하고, 균일하게 교반하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다. After cooling, 3 parts of a dispersing agent ("ED152" by the Kusumoto Chemical Co., Ltd., alkylene oxide containing phosphate ester) were added, and it stirred uniformly, and obtained the epoxy resin composition.

다음에, 얻어진 에폭시 수지 조성물에 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능) 4부, 및 경화 촉진제(홋코가가쿠고교사 제조「TBP-DA」, 테트라부틸포스포늄데칸산) 0.09부를 가하여 교반하고, 베이스 수지 조성물을 조제하였다. Next, a liquid curing agent ("TMTP" manufactured by Yodogagaku Kogyo Co., Ltd., trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), molecular weight 398, trifunctional) 4 parts to the obtained epoxy resin composition, and a curing accelerator (Hokkoga "TBP-DA" manufactured by Gaku Kogyo Co., Ltd., and 0.09 parts of tetrabutyl phosphonium decanoic acid) were added and stirred, and the base resin composition was prepared.

베이스 수지 조성물에 열전도성 필러(알루미나 분말, 덴카사 제조「ASFP-20」, 평균 입자 직경 0.2 내지 0.5㎛, 비표면적 12 내지 18㎡/g, 종횡비 1.0) 14부, 열전도성 필러(알루미나 분말, 덴카사 제조「DAW-0525」, 평균 입자 직경 5.3㎛, 비표면적 0.4㎡/g, 종횡비 1.0) 19부, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A01」, 평균 입자 직경 1.4㎛, 비표면적 5.0㎡/g, 종횡비 1.25) 14부, 및 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A15」, 평균 입자 직경 18.6㎛, 비표면적 0.3㎡/g, 종횡비 1.25) 41부를 가하고 교반하여 페이스트상 수지 조성물 10을 얻었다. 14 parts of a thermally conductive filler (alumina powder, "ASFP-20" by Denka Co., Ltd., average particle diameter 0.2-0.5 micrometer, specific surface area 12-18 m <2> / g, aspect ratio 1.0), and a thermally conductive filler (alumina powder, "DW-0525" by Denka Co., Ltd., 19 micrometers in average particle diameter of 5.3 micrometers, specific surface area of 0.4 m <2> / g, aspect ratio 1.0), a thermally conductive filler (spherical silicon carbide powder, "SSC-A01" by Shinano Denkiseren company, average particle | grains) 14 micrometers in diameter 1.4 micrometers, specific surface area 5.0m <2> / g, aspect ratio 1.25), and a thermally conductive filler (spherical silicon carbide powder, "SSC-A15" by Shinano Denkiserene Co., Ltd., average particle diameter 18.6micrometer, specific surface area 0.3m <2> / g And 41 parts of aspect ratio 1.25) were added and stirred, and the paste-like resin composition 10 was obtained.

<실시예 11><Example 11>

실시예 10에 있어서, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A15」, 평균 입자 직경 18.6㎛, 비표면적 0.3㎡/g, 종횡비 1.25) 41부를, 열전도성 필러(구상 탄화규소 분말, 시나노덴키세렌사 제조「SSC-A30」, 평균 입자 직경 34.4㎛, 비표면적 0.1㎡/g, 종횡비 1.25) 41부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 10과 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 11을 얻었다. In Example 10, 41 parts of thermally conductive fillers (spherical silicon carbide powder, "SSC-A15" manufactured by Shinano Denkiserene Co., Ltd., average particle diameter 18.6 µm, specific surface area of 0.3 m2 / g, aspect ratio 1.25), and thermally conductive fillers (spherical shape) The silicon carbide powder, "SSC-A30" by Shinano Denkiseren Co., Ltd., the average particle diameter of 34.4 micrometers, specific surface area 0.1 m <2> / g, aspect ratio 1.25) 41 parts was changed. A paste resin composition 11 was obtained in the same manner as in Example 10 except for the above matters.

<실시예 12><Example 12>

실시예 11에 있어서, 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능) 4부를, 액상 경화제(쇼와덴코사 제조「PE-1」, 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트)) 4부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 11과 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 12를 얻었다. In Example 11, 4 parts of a liquid hardening | curing agent ("TMTP" by Yodogagaku Kogyo Co., Ltd., a trimethylol propane tris (3-mercapto propionate), molecular weight 398, trifunctional) are liquid curing agents (made by Showa Denko) "PE-1" and the pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate)) 4 parts were changed. A paste resin composition 12 was obtained in the same manner as in Example 11 except for the above matters.

<실시예 13>Example 13

실시예 12에 있어서, 액상 경화제(쇼와덴코사 제조「PE-1」, 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트))의 양을 4부에서 3부로 변경하고, 추가로 액상 경화제(메이와가세이사 제조「MEH-8000H」, 2-알릴페놀·포름알데히드 중축합물, OH 당량 139-143g/eq) 1부를 가하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 12와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 13을 얻었다. In Example 12, the amount of the liquid curing agent (&quot; PE-1 &quot; manufactured by Showa Denko Co., Ltd., pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate)) was changed from 4 parts to 3 parts, and further liquid curing agent (Meiwa Kasei Co., Ltd. "MEH-8000H", 2-allyl phenol formaldehyde polycondensate, and OH equivalent 139-143 g / eq) 1 part were added. A paste resin composition 13 was obtained in the same manner as in Example 12 except for the above matters.

<비교예 1>Comparative Example 1

실시예 5에 있어서, In Example 5,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169g/eq, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 3부에서 4부로 변경하고,1) Change the amount of bisphenol-type epoxy resin ("XX1059" manufactured by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 169 g / eq, 1: 1 mixed product of bisphenol A type and bisphenol F type) from 3 parts to 4 parts,

2) 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능) 6부를, 고형 경화제(페놀노볼락 수지, 아이카 SDK 페놀사 제조「BRG-557」, OH 당량 103-107g/eq) 5부로 변경하고,2) 6 parts of liquid hardening | curing agent ("TMTP" made from Yodogagaku Kogyo Co., Ltd., trimethylol propane tris (3-mercaptopropionate), molecular weight 398, trifunctional) solid curing agent (phenol novolak resin, Aika SDK phenol company) Manufactured `` BRG-557 '', OH equivalent 103-107 g / eq) to 5 parts

3) 경화 촉진제(홋코가가쿠고교사 제조「TBP-DA」, 테트라부틸포스포늄데칸산)의 양을 0.14부에서 0.16부로 변경하였다. 3) The amount of the curing accelerator ("TBP-DA" manufactured by Hokogagaku Kogyo Co., Ltd., tetrabutylphosphonium decanoic acid) was changed from 0.14 parts to 0.16 parts.

이상의 사항 이외에는 실시예 5와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 11을 얻었다. A paste resin composition 11 was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above matters.

<비교예 2>Comparative Example 2

실시예 5에 있어서, In Example 5,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠고교사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169g/eq, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 3부에서 4부로 변경하고,1) Change the amount of bisphenol-type epoxy resin (`` XX1059 '' manufactured by Shin-Nitetsu Chemical Co., Ltd. ,

2) 1,4-사이클로헥산디메탄올디글리시딜에테르형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1658GS」, 에폭시 당량 130-140g/eq)의 양을 3부에서 4부로 변경하고, 2) Change the amount of 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether type epoxy resin ("XX1658GS" manufactured by Shin-Nitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 130-140 g / eq) from 3 parts to 4 parts,

3) 테트라메틸비페놀형 고형 에폭시 수지(미쯔비시가가쿠사 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 187-197g/eq)의 양을 1부에서 2부로 변경하고, 3) Change the amount of tetramethylbiphenol type solid epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 187-197g / eq) from 1 part to 2 parts,

4) 액상 경화제(요도가가쿠고교사 제조「TMTP」, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 분자량 398, 3관능)의 양을 6부에서 8부로 변경하고, 4) Change the amount of liquid curing agent ("TMTP" manufactured by Yodogagaku Kogyo Co., Ltd., trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), molecular weight 398, trifunctional) from 6 parts to 8 parts,

5) 경화 촉진제(홋코가가쿠고교사 제조「TBP-DA」, 테트라부틸포스포늄데칸산)의 양을 0.14부에서 0.19부로 변경하고, 5) Change the amount of curing accelerator ("TBP-DA" manufactured by Hokogagaku Kogyo Co., Ltd., tetrabutylphosphonium decanoic acid) from 0.14 parts to 0.19 parts,

6) 분산제(쿠스모토가세이사 제조「ED152」, 알킬렌옥사이드 함유 인산에스테르)를 첨가하지 않았다. 6) A dispersant ("ED152" manufactured by Kusumoto Chemical Co., Ltd., alkylene oxide containing phosphate ester) was not added.

이상의 사항 이외에는 실시예 5와 같이 하여 페이스트상 수지 조성물 12를 얻었다. A paste resin composition 12 was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above matters.

[점도의 측정][Measurement of viscosity]

각 실시예 및 각 비교예의 페이스트상 수지 조성물의 온도를 25±2℃로 유지하고, E형 점도계(토키산교사 제조「RE-80U」, 1°34′×R24 콘, 회전수는 1rpm)를 사용하여 측정하였다. The temperature of the pasty resin composition of each Example and each comparative example was kept at 25 +/- 2 degreeC, and the E-type viscosity meter ("RE-80U" manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd., 1 degrees 34 'x R24 cone, rotation speed is 1 rpm). Measured using.

[열전도율의 측정][Measurement of Thermal Conductivity]

실시예 1 내지 4의 각 페이스트상 수지 조성물을 소정 용기에 넣고, 열순환 오븐에서, 120℃ 60분간 열경화하여, 두께 10㎜×직경 φ36㎜의 원통상 경화물을 제작하였다. 얻어진 원통상 경화물을, 측정 온도 25℃, 40%RH의 항온 환경하에서, 쿄토덴시고교사 제조「TPS-2500」을 사용하여, 핫디스크법에 의해 열전도율을 측정하였다. Each paste-like resin composition of Examples 1 to 4 was placed in a predetermined container, and thermally cured at 120 ° C. for 60 minutes in a thermocycling oven to prepare a cylindrical cured product having a thickness of 10 mm and a diameter of 36 mm. The thermal conductivity of the obtained cylindrical hardened | cured material was measured by the hot-disk method using "TPS-2500" by Kyoto Denso Kogyo Co., Ltd. in the constant temperature environment of measurement temperature 25 degreeC and 40% RH.

실시예 5, 7 내지 10 및 비교에 2의 각 페이스트상 수지 조성물은, 열순환 오븐으로 열경화시키는 조건을, 120℃ 60분간에서 150℃ 60분간으로 하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 열전도율을 측정하였다. In Example 5, 7-10, and each paste-like resin composition of 2, the conditions which thermoset by a thermocycling oven were made into 120 degreeC 60 minutes to 150 degreeC 60 minutes. Except for the above matters, thermal conductivity was measured in the same manner as in Example 1.

실시예 6 및 비교예 1의 각 페이스트상 수지 조성물은, 열순환 오븐으로 열경화시키는 조건을, 120℃ 60분간에서, 150℃ 60분간 열경화시킨 후, 추가로 180℃ 60분간으로 하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 열전도율을 측정하였다. Each paste-like resin composition of Example 6 and Comparative Example 1 was further subjected to 180 ° C. for 60 minutes after heat curing at 120 ° C. for 60 minutes for 150 ° C. for 60 minutes for the conditions of thermosetting in a heat circulation oven. Except for the above matters, thermal conductivity was measured in the same manner as in Example 1.

[밀착성의 측정][Measurement of Adhesiveness]

니켈 도금 기판 위에, 페이스트상 수지 조성물을 도포하고, 그 위에 콘덴서 칩을 올렸다. 콘덴서 칩의 접착 면적이 1.2㎜×2.0㎜이 되도록, 콘덴서 칩에서 튀어 나온 페이스트상 수지 조성물을 제거하고, 테스트 피스를 얻었다. The paste resin composition was apply | coated on the nickel plating board | substrate, and the capacitor | condenser chip was mounted on it. The paste-like resin composition which protruded from the capacitor | condenser chip was removed so that the adhesive area of a capacitor | tip chip might be 1.2 mm x 2.0 mm, and the test piece was obtained.

다음에, 얻어진 테스트 피스의 페이스트상 수지 조성물을 경화시켰다. 실시예 1 내지 4의 경화 조건은 120℃ 60분간, 실시예 5, 7 내지 10 및 비교예 2의 경화 조건은 150℃ 60분간, 실시예 6 및 비교에 1의 경화 조건은 150℃ 60분간 열경화시킨 후, 추가로 180℃ 60분간으로 하였다. Next, the pasty resin composition of the obtained test piece was cured. The curing conditions of Examples 1 to 4 were 120 ° C. for 60 minutes, the curing conditions of Examples 5, 7 to 10 and Comparative Example 2 were 150 ° C. for 60 minutes, and the curing conditions of Example 6 and Comparative 1 were heated to 150 ° C. for 60 minutes. After hardening, it was further made into 180 degreeC 60 minutes.

데이지사 제조 시리즈 4000을 사용하여, 25℃의 환경하, 200㎛/s의 속도로, 경화시킨 페이스트상 수지 조성물 위의 콘덴서 칩을 긁음으로써 경화시킨 페이스트상 수지 조성물의 다이 시어 강도를 측정하였다. 이 조작을 3회 행하고 그 평균치를 구하였다. 또한, 이하의 기준으로 밀착력을 평가하였다. The die shear strength of the pasty resin composition cured by using the Daisy 4000 series manufactured by scratching the capacitor | condenser chip on the pasty resin composition hardened | cured at the speed | rate of 200 micrometers / s in 25 degreeC environment was measured. This operation was performed 3 times and the average value was calculated | required. In addition, the adhesion was evaluated based on the following criteria.

◎: 다이 시어 강도가 20N 이상◎: die shear strength 20N or more

○: 다이 시어 강도가 10N 이상 20N 미만○: die shear strength is less than 10N 20N

△: 다이 시어 강도가 10N 미만△: die shear strength is less than 10N

페이스트상 수지 조성물 1 내지 12의 조제에 사용한 성분과 그 배합량(불휘발분의 질량부)을 하기 표에 기재하였다. 또한, 하기 표 중의 약어 등은 이하와 같다. The component used for preparation of paste resin composition 1-12, and its compounding quantity (mass part of non volatile matter) are shown in the following table. In addition, abbreviation etc. in the following table | surface are as follows.

(C) 성분의 함유량(질량%): 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우의 (C) 성분의 함유량Content (mass%) of (C) component: Content of (C) component when the non volatile component in paste resin composition is 100 mass%

(C) 성분의 함유량(체적%): 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우의 (C) 성분의 함유량Content (volume%) of (C) component: Content of (C) component when the non volatile component in paste resin composition is 100 volume%

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

실시예 1 내지 13은, 점도가 낮으며, 열전도율이 높은 것을 알 수 있다. 또한, 각 실시예는, 다이 시어 강도가 높기 때문에 밀착성이 우수한 것도 알 수 있다. It is understood that Examples 1 to 13 had a low viscosity and high thermal conductivity. Moreover, since each Example has high die shear strength, it turns out that it is excellent in adhesiveness.

한편, (B) 성분을 함유하지 않는 비교예 1, 및 (D) 성분을 함유하지 않는 비교예 2는, 점도가 1000Pa·s를 초과하여, 구리박이나 알루미늄박 등의 금속박에 도포할 수 없어, 페이스트상 수지 조성물로서 사용할 수 있는 것은 아니었다. On the other hand, the comparative example 1 which does not contain the (B) component, and the comparative example 2 which does not contain the (D) component are more than 1000 Pa.s, and cannot apply it to metal foil, such as copper foil and aluminum foil, It was not able to be used as a paste-like resin composition.

실시예 1 내지 13에 있어서, (E) 성분을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차이는 있지만 상기 실시예와 같은 결과로 귀착되는 것을 확인시켜 주고 있다. In Examples 1-13, even if it does not contain (E) component, although it has a difference in degree, it confirms that it results in the same result as the said Example.

Claims (16)

(A) 에폭시 수지,
(B) 액상 경화제,
(C) 열전도성 필러, 및
(D) 분산제를 함유하는, 페이스트상 수지 조성물.
(A) epoxy resin,
(B) liquid curing agent,
(C) a thermally conductive filler, and
(D) Paste-shaped resin composition containing a dispersing agent.
제1항에 있어서, 페이스트상 수지 조성물 중에 함유되는 유기 용제의 함유량이, 페이스트상 수지 조성물의 전 질량에 대해, 1.0질량% 미만인, 페이스트상 수지 조성물. The pasty resin composition of Claim 1 whose content of the organic solvent contained in a pasty resin composition is less than 1.0 mass% with respect to the total mass of a pasty resin composition. 제1항 또는 제2항에 있어서, 페이스트상 수지 조성물의 경화물의 열전도율이 2.0W/mK 이상인, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition of Claim 1 or 2 whose heat conductivity of the hardened | cured material of a pasty resin composition is 2.0 W / mK or more. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (D) 성분이 옥시알킬렌 함유 인산에스테르를 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the component (D) contains an oxyalkylene-containing phosphate ester. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분이 탄화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the component (C) contains at least one member selected from silicon carbide, boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분이 탄화규소를 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the component (C) contains silicon carbide. 제6항에 있어서, 탄화규소의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상 30㎛ 이하인, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition of Claim 6 whose average particle diameters of a silicon carbide are 1 micrometer or more and 30 micrometers or less. 제6항 또는 제7항에 있어서, (C) 성분이 질화붕소, 질화알루미늄, 및 산화알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition according to claim 6 or 7, wherein the component (C) further contains at least one member selected from boron nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 페이스트상 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상 95질량% 이하인, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin according to any one of claims 1 to 8, wherein the content of the component (C) is 60 mass% or more and 95 mass% or less when the nonvolatile component in the pasty resin composition is 100 mass%. Composition. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분이 폴리티올 화합물 및 액상 페놀 수지로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The paste resin composition as described in any one of Claims 1-9 in which (B) component contains 1 or more types chosen from a polythiol compound and a liquid phenol resin. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분이, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 트리스-[(3-머캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트, 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트, 티오글리콜산옥틸, 에틸렌글리콜비스티오글리콜레이트, 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트, 펜타에리스리톨테트라키스티오글리콜레이트, 3-머캅토프로피온산, 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토부티레이트), 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토부티레이트), 1,3,4,6-테트라키스(2-머캅토에틸)글리콜우릴, 및 4,4'-이소프로필리덴비스[(3-머캅토프로폭시)벤젠]으로부터 선택되는 1종 이상의 폴리티올 화합물, 및 알케닐기 함유 노볼락형 페놀 수지로부터 선택되는 액상 페놀 수지로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는, 페이스트상 수지 조성물. The component (B) is trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), or dipenta according to any one of claims 1 to 10. Erythritol hexakis (3-mercaptopropionate), tris-[(3-mercaptopropionyloxy) -ethyl] -isocyanurate, tris (3-mercaptopropyl) isocyanurate, thioglycolic acid Octyl, ethylene glycol bisthioglycolate, trimethylolpropane tristhioglycolate, pentaerythritol tetrakisthioglycolate, 3-mercaptopropionic acid, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), 1,4-bis (3 Mercaptobutyryloxy) butane, 1,3,5-tris (3-mercaptobutyryloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -tree On, trimethylolpropanetris (3-mercaptobutyrate), trimethylolethanetris (3-mercaptobutyrate), 1,3,4,6-tetraki (2-mercaptoethyl) glycoluril, and at least one polythiol compound selected from 4,4'-isopropylidenebis [(3-mercaptopropoxy) benzene], and an alkenyl group-containing novolak-type phenolic resin Paste-type resin composition containing 1 or more types chosen from liquid phenol resin chosen from. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 페이스트상 수지 조성물의 25℃에서의 점도가 350Pa·s 이하인, 페이스트상 수지 조성물. The paste-like resin composition according to any one of claims 1 to 11, wherein the viscosity at 25 ° C of the paste-like resin composition is 350 Pa · s or less. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 페이스트상 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판. The circuit board containing the insulating layer formed of the hardened | cured material of the pasty resin composition of any one of Claims 1-12. 제13항에 기재된 회로 기판과 상기 회로 기판 위에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package containing the circuit board of Claim 13, and the semiconductor chip mounted on the said circuit board. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 페이스트상 수지 조성물에 의해 봉지된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지. The semiconductor chip package containing the semiconductor chip sealed by the paste-like resin composition in any one of Claims 1-12. 히트싱크, 상기 히트싱크 위에 설치된 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 페이스트상 수지 조성물의 경화물, 및 상기 경화물 위에 장착된 전자 부품을 갖는, 전자 부재.The electronic member which has a heat sink, the hardened | cured material of the pasty resin composition of any one of Claims 1-12 provided on the said heat sink, and the electronic component mounted on the said hardened | cured material.
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