KR20190126965A - 화소 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 구동 방법 - Google Patents

화소 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

화소 유닛은 영상을 표시하는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드, 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 제2 전극 및 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제1 트랜지스터, 제1 전원 전압을 수신하는 제1 전극과 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 커패시터, 제1 스캔 신호를 수신하는 제1 전극, 데이터 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 스캔 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제3 트랜지스터들 중 적어도 하나는 설정 온도 이상의 구동 온도에서는 보상 전압을 수신하고, 상기 설정 온도 미만의 구동 온도에서는 플로팅 되는 제4 전극을 더 포함한다.

Description

화소 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 구동 방법{PIXEL UNIT, DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD OF DRIVING THE DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 화소 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 구동 방법 에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표시 품질을 개선하기 위한 화소 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 표시 장치로서 유기 발광 표시 장치가 많이 이용되고 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하고, 각 화소는 유기 발광 다이오드와 상기 유기 발광 다이오드를 구동하는 화소 회로를 포함한다. 상기 화소 회로는 복수의 트랜지스터들 및 복수의 커패시터를 포함한다.
상기 유기 발광 표시 장치는 장시간 구동시 고온에서 동작하게 된다. 고온 구동에서 상기 화소 회로에 포함된 트랜지스터는 문턱 전압(Threshold)이 포지티브 방향으로 쉬프트 한다. 상기 트랜지스터의 문턱 전압이 포지티브 방향으로 이동하면 트랜지스터의 누설 전류가 증가하고 이로 인해서 휘도 저하가 발생한다. 이러한 휘도 저하는 크로스토크를 유발하여 표시 품질을 저하시킨다.
본 발명의 일 목적은 고온 구동시 표시 품질을 개선하기 위한 화소 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 화소 유닛을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 구동 방법을 제공하는 것이다.
상기 일 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 화소 유닛은 영상을 표시하는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드, 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 제2 전극 및 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제1 트랜지스터, 제1 전원 전압을 수신하는 제1 전극과 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 커패시터, 제1 스캔 신호를 수신하는 제1 전극, 데이터 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 스캔 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제3 트랜지스터 및 발광 제어 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제3 트랜지스터들 중 적어도 하나는 설정 온도 이상의 구동 온도에서는 보상 전압을 수신하고, 상기 설정 온도 미만의 구동 온도에서는 플로팅 되는 제4 전극을 더 포함한다.
일 실시예에서, 제1 게이트 신호를 수신하는 제1 전극, 상기제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 전원 전압을 수신하는 제3 전극을 포함하는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광 제어 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제1 전원 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 게이트 신호를 수신하는 제1전극, 제2 전원 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 스캔 신호는 상기 제1 스캔 신호에 대해 지연된 신호이고, 상기 제1 게이트 신호는 상기 제2 스캔 신호이고, 상기 제2 게이트 신호는 상기 제1 스캔 신호일 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 영상을 표시하는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드와, 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 제2 전극 및 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제1 트랜지스터와, 제1 전압 라인에 연결된 제1 전극과 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 커패시터와, 제1 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 데이터 라인에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제2 트랜지스터와, 상기 제1 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제3 트랜지스터 및 발광 라인에 연결된 제1 전극, 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제3 트랜지스터들 중 적어도 하나는 고온 구동에서 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 전달하는 보상 라인에 연결된 제4 전극을 포함하는 화소 유닛을 포함하는 표시부, 구동 온도를 센싱하여 센싱 신호를 출력하는 온도 센싱부, 상기 보상 전압을 발생하는 전압 발생부, 및 설정 온도 이상의 구동 온도에 대응하는 센싱 신호에 응답하여 상기 보상 전압을 출력하는 스위칭부를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 표시부는 복수의 스캔 라인들, 복수의 데이터 라인들, 복수의 발광 라인들 및 복수의 보상 라인들을 포함하고, 상기 표시부의 주변 영역에 배치되고 상기 스위칭부의 출력 단자에 연결된 연결 라인을 더 포함하고, 상기 연결 라인은 상기 표시부의 주변 영역에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 구동 온도가 설정 온도 미만이면 상기 스위칭부는 상기 보상 전압의 출력을 차단하고, 상기 제4 전극은 플로팅 될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 포지티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 감소되고, 상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 네가티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 증가할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화소 유닛은 제2 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 상기제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 전압 라인에 연결된 제3 전극을 포함하는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화소 유닛은 발광 라인에 연결된 제1 전극, 상기 제1 전압 라인에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화소 유닛은 상기 제1 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 제2 전압 라인에 연결된 제2 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 스캔 라인은 스캔 방향에 대해 상기 제1 스캔 라인 다음에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 복수의 데이터 라인들에 복수의 데이터 전압들을 출력하는 데이터 구동부, 상기 복수의 스캔 라인들에 복수의 스캔 신호들을 출력하는 스캔 구동부 및 상기 복수의 발광 라인들에 복수의 발광 제어 신호들을 출력하는 발광 구동부를 더 포함하고, 상기 스캔 구동부, 상기 데이터 구동부 및 상기 발광 구동부는 상기 표시부의 주변 영역에 배치될 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 및 복수의 트랜지스터들을 포함하는 표시 장치의 구동 방법은 독립 4 단자를 갖는 제1 트랜지스터를 턴-온 하는 단계, 턴-온 된 제1 트랜지스터를 통해 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 인가되는 단계, 상기 표시 장치의 구동 온도를 센싱하여 센싱 신호를 출력하는 단계, 상기 구동 온도가 설정 온도 미만이면 상기 제1 트랜지스터의 제4 전극을 플로팅 하는 단계 및 상기 구동 온도가 설정 온도 이상이면 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 상기 제1 트랜지스터의 제4 전극에 인가하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 방법은 독립 4 단자를 갖는 제3 트랜지스터를 턴-온 하는 단계 및 턴-온 된 상기 제3 트랜지스터에 의해 다이오드 연결된 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 방법은 상기 구동 온도가 설정 온도 미만이면 상기 제3 트랜지스터의 제4 전극을 플로팅 하는 단계 및 상기 구동 온도가 설정 온도 이상이면 상기 제3 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 상기 제3 트랜지스터의 제4 전극에 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 포지티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 감소되고, 상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 네가티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 증가할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 방법은 제7 트랜지스터를 턴-온 하는 단계 및 턴-온 된 제7 트랜지스터를 통해 초기화 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 방법은 제4 트랜지스터를 턴-온 하는 단계 및 턴-온 된 제4 트랜지스터를 통해 커패시터에 충전된 이전 데이터 전압을 초기화 전압으로 초기화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 화소 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 구동 방법에 따르면, 화소 유닛은 고온 구동시 문턱 전압의 쉬프트를 보상하기 위해 독립 4 단자 트랜지스터를 포함하고, 고온 구동시 트랜지스터의 제4 전극에 문턱 전압의 쉬프트를 보상하는 위한 보상 전압을 인가함으로써 문턱 전압의 쉬프트에 기인한 크로스토크를 막을 수 있다. 또한, 제조 공정의 도핑 조건 변경 등의 공정을 변경하지 않고 고온에서 최적의 문턱 전압으로 변경할 수 있다. 따라서, 크로스토크 등과 같은 표시 품질을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 독립 4 단자 전압에 따른 I-V 곡선이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 구동방법을 설명하기 위한파형도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치는 패널부(100), 메인 구동부(200), 스캔 구동부(300) 및 발광 구동부(400)를 포함한다.
상기 패널부(100)는 표시부(DA) 및 상기 표시부(DA)를 둘러싸는 복수의 주변 영역들(PA1, PA2, PA3, PA4)을 포함하는 주변부를 포함한다.
상기 표시부(DA)는 복수의 화소 유닛들(PU), 복수의 스캔 라인들(SLn), 복수의 데이터 라인들(DLm), 복수의 발광 라인들(ELn) 및 복수의 보상 라인들(BLn)을 포함한다(n 및 m 은 자연수).
복수의 영상을 표시하는 화소 유닛(PU)을 포함한다. 상기 화소 유닛(PU)은 유기 발광 다이오드(OLED) 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하는 화소 회로(Pc)를 포함한다.
상기 화소 회로(Pc)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3트랜지스터(T3), 스토리지 커패시터(CST) 및 제6 트랜지스터(T6)를 포함한다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극에 연결된 제1 전극, 하이 전원 전압(ELVDD)이 인가되는 제2 전극, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드와 연결된 제3 전극 및 보상 라인(BLn)에 연결된 제4 전극을 포함한다. 상기 보상 라인(BLn)은 고온 구동시 쉬프트된 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 전달한다.
상기 제2 트랜지스터(T2)는 스캔 라인(SLn)에 연결된 제1 전극, 데이터 라인(DLm)에 연결된 제2 전극 및 상기 하이 전원 전압(ELVDD)이 인가되는 제3 전극을 포함한다.
상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 스캔 라인(SL)에 연결된 제1 전극, 상기 스토리지 커패시터CST)의 제1 전극에 연결된 제2 전극, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제3 전극 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 사이에 연결된 제3 전극 및 상기 보상 라인(BLn)에 연결된 제4 전극을 포함한다.
상기 제6 트랜지스터(T6)는 발광 라인(ELn)에 연결된 제1 전극, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제3 전극에 연결된 제2 전극 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결된 제3 전극을 포함한다.
상기 복수의 스캔 라인들(SLn)은 제1 방향(D1)으로 연장되고 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 스캔 라인들(SLn)은 상기 스캔 구동부(300)와 연결되어 상기 스캔 구동부(300)로부터 생성된 스캔 신호를 전달한다.
상기 복수의 데이터 라인들(DLm)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고 상기 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 데이터 라인들(DLm)은 상기 데이터 구동부(220)와 연결되어 상기 데이터 구동부(220)로부터 생성된 데이터 신호를 전달한다.
상기 복수의 발광 라인들(ELn)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고 상기 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광 라인들(ELn)은 상기 발광 구동부(400)와 연결되어 상기 발광 구동부(400)로부터 생성된 발광 제어 신호를 전달한다.
상기 복수의 보상 라인들(BLn)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고 상기 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 보상 라인들(BLn)은 상기 주변부에 제1 방향(D1)으로 연장된 연결 라인(CVL)에 하나로 연결되고 상기 연결 라인(CVL)은 상기 메인 구동부(200)와 연결된다.
상기 주변부의 제1 주변 영역(PA1), 제2 주변 영역(PA2), 제3 주변 영역(PA3) 및 제4 주변 영역(PA4)은 상기 표시부(DA)의 네 변에 각각 인접하게 정의될 수 있다.
상기 메인 구동부(200)는 상기 제1 주변 영역(PA1)에 배치되고, 상기 표시 장치의 전반적인 구동을 제어한다.
상기 메인 구동부(200)는 타이밍 컨트롤러(210), 데이터 구동부(220), 전압 발생부(230), 온도 센싱부(240) 및 스위칭부(250)를 포함한다.
상기 타이밍 컨트롤러(210)는 외부 장치로부터 영상 신호 및 제어 신호를 수신한다. 상기 영상 신호는 레드, 그린 및 블루 데이터를 포함할 수 있다. 상기 제어 신호는 수평 동기 신호, 수평 동기 신호, 메인 클럭 신호 등을 포함할 수 있다.
상기 타이밍 컨트롤러(210)는 상기 영상 신호를 상기 표시부(DA)의 화소 구조 및 해상도 등과 같은 사양에 대응하여 변환된 영상 데이터를 출력한다.
상기 타이밍 컨트롤러(210)는 상기 제어 신호에 기초하여 상기 데이터 구동부(210)를 구동하기 위한 제1 제어 신호, 상기 스캔 구동부(300)를 구동하기 위한 제2 제어 신호 및 상기 발광 구동부(400)를 구동하기 위한 제3 제어 신호를 생성할 수 있다.
상기 데이터 구동부(210)는 상기 제1 제어 신호에 응답하여 영상 데이터를 데이터 전압으로 변환하고, 상기 데이터 전압을 상기 데이터 라인들(DLm)에 출력한다.
상기 전압 발생부(230)는 복수의 구동 전압들을 생성한다. 상기 복수의 구동 전압들은 표시부(DA)에 인가되는 제1 구동 전압, 상기 데이터 구동부(210)에 인가되는 제2 구동 전압, 상기 스캔 구동부(300)에 인가되는 제3 구동 전압, 상기 발광 제어부(400)에 인가되는 제4 구동 전압 및 상기 스위칭부(240)에 제공되는 제5 구동 전압을 포함한다.
상기 제1 구동 전압은 하이 전원 전압(ELVDD) 및 로우 전원 전압(ELVSS)을 포함하고, 상기 제2 구동 전압은 디지털 전원 전압 및 아날로그 전원 전압을 포함하고, 상기 제3 구동 전압은 스캔 온 전압 및 스캔 오프 전압을 포함하고, 상기 제4 구동 전압은 발광 온 전압 및 발광 오프 전압을 포함하고, 상기 제5 구동 전압은 고온 구동시 쉬프트된 트랜지스터의 문턱 전압을 최적의 문턱 전압으로 가변하기 위한 보상 전압을 포함한다.
상기 온도 센싱부(240)는 표시 장치의 구동 온도를 센싱하고 상기 센싱 온도에 대응하는 센싱 신호를 출력한다. 예를 들면, 표시 장치의 구동 온도가 설정 온도 이상이면 제1 센싱 신호를 출력하고, 상기 설정 온도 이하이면 제2 센싱 신호를 출력할 수 있다.
상기 설정 온도가 섭씨 60도인 경우, 상기 온도 센싱부(240)는 센싱 온도가 섭씨 60도 이상이면 제1 센싱 신호를 출력하고, 센싱 온도가 섭씨 60도 보다 작으면 제2 센싱 신호를 출력할 수 있다.
상기 스위칭부(250)는 상기 온도 센싱부(240)로부터 센싱 신호를 수신하고, 상기 센싱 신호에 응답하여 상기 전압 발생부(240)로부터 수신된 보상 전압의 출력을 스위칭 한다. 상기 스위칭부(250)의 출력 단자는 상기 연결 라인(CVL)에 연결된다.
상기 스위칭부(250)는 센싱 신호에 응답하여 턴-온 되면 상기 보상 전압을 상기 연결 라인(CVL)에 출력하고, 턴-오프 되면 상기 보상 전압이 상기 연결 라인(CVL)에 출력되는 것을 차단한다.
예를 들면, 상기 스위칭부(250)는 상기 설정 온도 이상에 대응하는 상기 제1 센싱 신호가 수신되면 상기 보상 전압을 상기 연결 라인(CVL)에 출력한다. 이에 따라서, 상기 보상 전압은 상기 연결 라인(CVL)을 통해 표시부(DA)의 복수의 보상 라인들(BLn)에 인가될 수 있다. 반대로, 상기 스위칭부(250)는 상기 설정 온도 미만에 대응하는 상기 제2 센싱 신호가 수신되면 상기 보상 전압이 상기 연결 라인(CVL)에 출력되는 것을 차단한다. 이에 따라서, 상기 보상 전압은 상기 연결 라인(CVL) 및 상기 복수의 보상 라인들(BLn)에 인가되지 않는다.
상기 스캔 구동부(300)는 상기 제2 주변 영역(PA2)에 배치되고, 상기 복수의 스캔 라인들(SLn)과 연결된다. 상기 스캔 구동부(300)는 상기 제2 제어 신호에 응답하여 복수의 스캔 신호들을 생성하고, 상기 복수의 스캔 신호들을 상기 복수의 스캔 라인들(SLn)에 출력한다.
상기 발광 구동부(400)는 상기 제3 주변 영역(PA3)에 배치되고, 상기 복수의 발광 라인들(ELn)과 연결된다. 상기 발광 구동부(400)는 상기 제3 제어 신호에 응답하여 복수의 발광 제어 신호들을 생성하고, 상기 복수의 발광 제어 신호들을 상기 복수의 발광 라인들(ELn)에 출력한다.
본 실시예에 따르면, 상기 표시 장치가 설정 온도 이상의 고온에서 동작하는 경우, 쉬프트된 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 화소 회로의 트랜지스터에 인가할 수 있다. 이에 따라서, 공정 조건 변경 없이 고온에서 최적의 문턱 전압으로 가변함으로써 누설 전류에 의한 표시 품질 저하를 막을 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 유기 발광 다이오드(OLED), 화소 회로(Pc), 전압 발생부(230), 온도 센싱부(240) 및 스위칭부(250)를 포함한다.
상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 상기 화소 회로(Pc)와 연결되어 영상 계조에 대응하는 광을 발생할 수 있다.
상기 화소 회로(Pc)는 제1 트랜지스터(T1), 커패시터(CST), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 트랜지스터는 P형 트랜지스터로서 제어 전극에 로우 레벨의 전압이 인가되면 턴-온 되고, 하이 레벨의 전압이 인가되면 턴-오프 될 수 있다. 물론, 상기 트랜지스터들은 N형 트랜지스터로 구현될 수 있고, 이 경우, 턴-온 전압은 하이 레벨의 전압이고 턴-오프 전압은 로우 레벨을 전압일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 화소 회로(Pc)는 데이터 라인(DLm), 제n 스캔 라인(SLn), 제n-1 스캔 라인(SLn-1), 발광 라인(ELn) 및 보상 라인(BLn)을 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결된 제2 전극, 제3 노드(N3)에 연결된 제3 전극 및 보상 라인(BLn)에 연결된 제4 전극을 포함한다.
상기 표시 장치의 구동 온도가 설정 온도 이상이면, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제4 전극은 상기 보상 라인(BLn)으로부터 전달된 보상 전압을 수신한다. 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압은 고온에서 최적의 문턱 전압으로 가변될 수 있다.
한편, 상기 표시 장치의 구동 온도가 설정 온도 미만이면, 상기 보상 전압이 상기 보상 라인(BLn)에 인가되는 것이 차단되므로 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제4 전극은 플로팅 된다.
상기 커패시터(CST)는 제1 전압 라인(VL1)에 제1 전극과 상기 제1 노드(N1)에 연결된 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전압 라인(VL1)은 하이 전원 전압(ELVDD)을 수신한다.
상기 제2 트랜지스터(T2)는 제1 스캔 신호(Sn)를 수신하는 제1 전극, 상기 데이터 라인(DLm)에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 노드(N2)에 연결된 제3 전극을 포함한다. 상기데이터 라인(DLm)은 상기 화소 유닛(PU)에 대응하는 데이터 전압을 전달할 수 있다. 상기제1 스캔 신호(Sn)는 상기 스캔 구동부(300)로부터 제공되며, 상기 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 제n 스캔 라인(SLn)에 연결될 수 있다. 상기 제1 스캔신호(Sn)는 상기 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시키는 스캔 온 전압 및 상기 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시키는 스캔오프 전압을 포함한다.
상기 제3 트랜지스터(T3)는 제1 스캔 신호(Sn)를 수신하는 제1 전극, 제1 노드(N1)에 연결된 제2 전극, 제3 노드(N3)에 연결된 제3 전극 및 보상 라인(BLn)에 연결된 제4 전극을 포함한다. 상기제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제n 스캔 라인(SLn)에 연결될 수 있다.
상기 표시 장치의 구동 온도가 설정 온도 이상이면, 상기 제3 트랜지스터(T3)의 제4 전극은 상기 보상 라인(BLn)으로부터 전달된 보상 전압을 수신한다. 상기 제3 트랜지스터(T3)의 문턱 전압은 상기 보상 전압에 의해 고온에 최적한 문턱 전압으로 보상될 수 있다.
한편, 상기 표시 장치의 구동 온도가 설정 온도 미만이면, 상기 보상 전압이 상기 보상 라인(BLn)에 인가되는 것이 차단되므로 상기 제3 트랜지스터(T3)의 제4 전극은 플로팅 된다.
상기 제4 트랜지스터(T4)는 제1 게이트 신호(GI)를 수신하는 제1 전극, 제1 노드(N1)에 연결된 제2 전극 및 제2 전압 라인(VL2)에 연결된 제3 전극을 포함한다. 상기 제1 게이트 신호(GI)는 상기 스캔구동부(300)로부터 제공되는 제2 스캔 신호(Sn-1)일 수 있고, 제n-1 스캔 라인(SLn-1)을 통해 전달될 수 있다.
상기 제n-1 스캔 라인(SLn-1)은 제2 스캔신호(Sn-1)를 전달하고, 상기제2 전압 라인(VL2)은 초기화 전압(Vinit)을 수신한다.
상기 제5 트랜지스터(T5)는 상기 발광 라인(ELn)에 연결된 제1 전극, 상기 제1 전압 라인(VL1)에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 노드(N2)에 연결된 제3 전극을 포함한다. 상기발광 라인(ELn)은 상기 발광 구동부(400)로부터 제공된 제n 발광 제어 신호를 수신한다. 상기 제n 발광 제어신호는 상기 제5 트랜지스터(T5)를 턴-온 시키는 발광 온 전압 및 상기 제5 트랜지스터(T5)를 턴-오프 시키는 발광오프 전압을 포함할 수 있다.
상기 제6 트랜지스터(T6)는 상기 발광 라인(ELn)에 연결된 제1 전극, 상기 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극, 상기 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함한다. 상기 발광 라인(ELn)은 상기 발광 구동부(400)로부터 제공된 제n 발광 제어 신호를 수신할 수 있다.
상기 제7 트랜지스터(T7)는 제2 게이트 신호(GB)를 수신하는 제1 전극, 상기 제2 전압 라인(VL2)에 연결된 제2 전극 및 상기 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함한다. 상기 제2 게이트 신호(GB)는 상기 제1 스캔신호(Sn)일 수 있고, 상기 제n 스캔 라인(SLn)을 통해 전달될 수 있다.
상기 전압 발생부(230)는 보상 전압(BV)을 생성한다. 상기 보상 전압(BV)은 실험 결과에 의해 결정된 고온 구동시 트랜지스터의 문턱 전압의 쉬프트를 보상하기 위한 전압레벨을 갖는다.
표 1은 독립 4 단자트랜지스터의 4 단자에 인가되는 보상 전압(BV)의 변화에 따른 문턱 전압(Vth_sat)의 변화를 평가한 데이터이다.
<표 1>
Figure pat00001
표 1을 참조하면, 트랜지스터의 4 단자에 인가되는 상기 보상 전압(BV)이 1V 당 약 0.3 V 씩 네가티브 측으로 쉬프트 하는 것을 확인할 수 있다.
예를 들어, 섭씨60도에서 독립 4 단자트랜지스터의 문턱 전압은 표준대비 포지티브 측으로 0.5 V 만큼 쉬프트 한다. 상기 포지티브측으로 0.5 V 만큼 쉬프트 된 문턱 전압을 네가티브 측으로 0.5 V 만큼 쉬프트하여 보상할 수 있다.
도 3을 참조하면, 문턱전압(Vth)은 4 단자에 인가되는 보상전압이 증가할수록 네가티브 측으로 이동하고, 감소할수록 포지티브 측으로 이동한다.
따라서, 표 1을 참조하면, 기준 전압 보다 약 1V 내지 2V 증가한 보상 전압(BV)을 상기 트랜지스터의 4 단자에 인가함으로써 포지티브 측으로 0.5V 쉬프트된 문턱전압을 네가티브 측으로 약 0.5V 이동시켜 보상할 수 있다.
이와 같이, 상기전압 발생부(230)는 기설정된 보상 전압(BV)을 생성하여 출력한다.
상기 온도 센싱부(240)는 표시 장치의 온도를 센싱하고 센싱 온도에대응하는 센싱 신호를 출력한다. 예를 들면, 표시 장치의 구동 온도가 설정 온도(예컨데, 섭씨 60도) 이상이면 제1 센싱 신호를 출력하고, 상기 설정 온도 미만이면 제2 센싱 신호를 출력할 수 있다.
상기 스위칭부(250)는 상기 온도 센싱부(240)로부터 수신된 센싱 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프 되어 상기 전압발생부(230)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)의 출력을 스위칭 한다. 예를 들면, 상기 센싱 신호가 설정온도, 예컨데, 섭씨60도 이상에 대응하는 센싱 신호이면 상기 스위칭부(250)는 턴-온 되고, 상기 센싱 신호가 설정 온도 미만에 대응하는 센싱 신호이면 상기 스위칭부(250)는 턴-오프된다.
상기 스위칭부(250)가 턴-온 되면, 상기전압 발생부(240)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)은 주변 영역에 형성된 연결 라인(CVL)을 통해 표시부(DA)에 형성된 복수의 보상 라인들(BLn)에 전달될 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치가 고온에서 동작하는 경우 상기 화소회로(Pc)의 제1 및 제3 트랜지스터들(T1, T3)은 상기 보상전압(BV)에 의해 문턱전압의 쉬프트를 보상할 수 있다.
반대로, 상기 스위칭부(250)가 턴-오프 되면, 상기스위칭부(250)는 상기 전압발생부(240)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)의 출력이 차단된다. 따라서, 상기 표시 장치가 정상온도에서 동작하는 경우상기 화소 회로(Pc)의 제1 및 제3 트랜지스터들(T1, T3)의 제4 전극은 플로팅 될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 구동방법을 설명하기 위한파형도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 온도 센싱부(240)는 상기 표시 장치의 구동 온도를 센싱하고 센싱 신호를 상기스위칭부(250)에 출력한다.
상기 센싱 신호가 설정온도 보다 작은 정상온도인 경우, 상기스위칭부(250)는 상기 센싱신호에 응답하여 턴-오프 된다.
상기 스위칭부(250)가 턴-오프 됨에 따라서, 상기전압 발생부(230)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)의 출력이 차단된다. 따라서, 상기 표시부(DA)의 화소 회로에 포함된 제1 및 제3 트랜지스터들(T1, T3)의 제4 전극에 연결된 보상라인(BLn)에는 상기 보상전압(BV)이 인가되지 않는다.
한편, 상기 표시 장치가 일정 시간 구동된 후, 상기 표시 장치의 구동온도가 설정 온도 보다 높은 경우, 상기온도 센싱부(230)는 고온 구동에 대응하는 센싱 신호를 출력한다.
상기 스위칭부(250)는 상기 고온의 센싱신호에 응답하여 턴-온 된다. 상기 스위칭부(250)가 턴-온 되고 상기 전압발생부(230)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)이 상기 연결 라인(CVL)에 출력된다.
따라서, 상기 표시부(DA)의 화소 회로에 포함된 제1 및 제3 트랜지스터들(T1, T3)의 제4 전극에는 상기 보상 전압(BV)이 인가될 수 있다.
상기 화소 회로의 제1 및 제3 트랜지스터는 상기보상 전압(BV)에 의해 고온 구동에서 최적인 문턱 전압으로 보상될 수 있다.
상기 화소 회로(Pc)의 구동 방법은 다음과 같다.
프레임의 제1 구간(a) 동안, 제2 스캔 라인(SLn-1)에 인가된 제n-1 스캔 신호(Sn-1)의 로우 전압에 응답하여 상기 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온 되고, 나머지 트랜지스터들(T1, T2, T3, T5, T6, T7)은 턴-오프 된다. 이에따라서, 상기 커패시터(CST)에 충전된 이전 데이터 전압은 상기 제2 전압 라인(VL2)에 인가된 상기초기화 전압(Vinit)으로 초기화 된다.
프레임의 제2 구간(b) 동안, 제1 스캔 라인(SLn)에 인가된 제n 스캔 신호(Sn)의 로우 전압에 응답하여 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 및 제7 트랜지스터(T7)는 턴-온 되고, 나머지 트랜지스터들(T1, T5, T6)은 턴-오프 된다.
이에 따라서, 상기제3 트랜지스터(T3)는 턴-온 되어 상기 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 연결된다. 상기 제2 노드(N2)에 인가된 상기 데이터 라인(DLm)에 인가된 데이터 전압에 대응하는 전압(Vdata)과 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)의 차이 전압이 상기제1 노드(N1)에 인가된다. 이에따라서, 상기 데이터 전압에 대응하는 전압(Vdata)과 상기 문턱 전압(Vth)의 절대값의 차이 전압이 상기제1 노드(N1)에 인가되어 상기제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상될 수 있다.
또한, 상기 커패시터(CST)는 상기 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전압을 충전한다.
또한, 상기 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온 됨에 따라서, 상기 초기화 전압(Vinit)이 상기 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 각각 인가되어 상기유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극들을 초기화할 수 있다.
이와 같이, 상기프레임의 제2 구간(b) 동안, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상되고, 상기 커패시터(CST)에는 상기 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전압이 저장되고, 상기 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드 전극이 초기화될 수 있다.
프레임의 제3 구간(c) 동안, 발광 라인(ELn)에 로우 레벨의 제n 발광 온 전압이 인가되면, 상기제5 및 제6 트랜지스터들(T5, T6)은 턴-온 된다. 또한, 나머지 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T7)이 턴-오프 된다.
이에 따라서, 상기커패시터(CST)에 저장된 상기데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전압에 의해상기 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온 되고 상기 데이터 전압에 대응하는 구동전류가 상기 유기 발광다이오드(OLED)에 흐른다. 결과적으로 상기 유기 발광 다이오드(OLED)가 구동되어 영상을 표시할 수 있다.
이상의 본 발명의 실시예에 따르면, 화소 회로 중 유기 발광 다이오드의 발광 휘도를 제어하는 제1 트랜지스터와 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제3 트랜지스터를 독립4 단자 트랜지스터로 구현하고, 고온 구동시 상기제1 및 제3 트랜지스터들의 제4 전극에 보상 전압을 인가함으로써 상기 제1 및 제3 트랜지스터들의 문턱 전압을 고온에 최적한 문턱전압으로 보상할 수 있다. 이에 따라서, 고온에서 문턱 전압 쉬프트에 의한 크로스토크와 같은 화질 불량을 막을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다.
도 5를 참조하면, 상기 표시 장치는 유기 발광 다이오드(OLED), 화소 회로(Pc1), 전압 발생부(230), 온도 센싱부(240) 및 스위칭부(251)를 포함한다.
본 실시예에 따르면, 상기 화소 회로(Pc1)는 제1 트랜지스터(T1), 커패시터(CST), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)를 포함한다.
상기 화소 회로(Pc1)의 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결된 제2 전극, 제3 노드(N3)에 연결된 제3 전극 및 보상 라인(BLn)에 연결된 제4 전극을 포함한다.
상기 스위칭부(251)는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제4 전극에 연결된다.
본 실시예에 따르면, 상기 스위칭부(251)는 상기 온도 센싱부(240)로부터 수신된 센싱 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프 되어 상기 보상전압(BV)을 출력하거나 또는 차단할 수 있다. 예를 들면, 상기 센싱 신호가 설정 온도, 예컨데, 섭씨 60도 이상에 대응하는 센싱 신호이면 상기스위칭부(251)는 턴-온 되고, 상기센싱 신호가 설정온도 미만에 대응하는 센싱 신호이면 상기스위칭부(251)는 턴-오프 된다.
상기 스위칭부(251)가 턴-온 되면, 상기전압 발생부(240)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)은 주변 영역에 형성된 연결 라인(CVL)을 통해 표시부(DA)에 형성된 복수의 보상 라인들(BLn)에 전달된다. 따라서, 상기표시 장치가 고온에서 동작하는 경우 상기 화소회로(Pc)의 제1 트랜지스터(T1)는 상기 보상 전압(BV)에 의해 문턱 전압의 쉬프트를 보상할 수 있다.
반대로, 상기 스위칭부(251)가 턴-오프 되면, 상기 스위칭부(251)는 상기 전압 발생부(240)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)이 상기 복수의 보상라인들(BLn)에 전달되는 것을 차단한다. 따라서, 상기 표시 장치가 정상온도에서 동작하는 경우상기 화소 회로(Pc)의 제1 트랜지스터(T1)의 제4 전극은 플로팅 된다.
이상의 본 발명의 실시예에 따르면, 화소 회로 중 유기 발광 다이오드의 발광휘도를 제어하는 제1 트랜지스터를 독립 4 단자트랜지스터로 구현하고, 고온구동시 상기 제1 트랜지스터의 제4 전극에 보상전압을 인가함으로써 상기제1 트랜지스터의 문턱 전압을 고온에 최적한 문턱 전압으로 보상할 수 있다. 이에따라서, 고온에서 문턱전압 쉬프트에 의한 크로스토크와 같은 화질 불량을 막을 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다.
도 6을 참조하면, 상기 표시 장치는 유기 발광 다이오드(OLED), 화소 회로(Pc2), 전압 발생부(230), 온도 센싱부(240) 및 스위칭부(252)를 포함한다.
본 실시예에 따르면, 상기 화소 회로(Pc2)는 제1 트랜지스터(T1), 커패시터(CST), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)를 포함한다.
상기 화소 회로(Pc2)의 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결된 제2 전극, 제3 노드(N3)에 연결된 제3 전극 및 보상 라인(BLn)에 연결된 제4 전극을 포함한다.
상기 스위칭부(252)는 상기 제3 트랜지스터(T3)의 제4 전극에 연결된다.
본 실시예에 따르면, 상기 스위칭부(252)는 상기 온도 센싱부(240)로부터 수신된 센싱 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프 되어 상기 보상전압(BV)을 출력하거나 또는 차단할 수 있다. 예를 들면, 상기 센싱 신호가 설정 온도, 예컨데, 섭씨 60도 이상에 대응하는 센싱 신호이면 상기 스위칭부(252)는 턴-온 되고, 상기 센싱 신호가 설정온도 미만에 대응하는 센싱 신호이면 상기 스위칭부(252)는 턴-오프 된다.
상기 스위칭부(252)가 턴-온 되면, 상기전압 발생부(240)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)은 주변 영역에 형성된 연결 라인(CVL)을 통해 표시부(DA)에 형성된 복수의 보상 라인들(BLn)에 전달된다. 따라서, 상기표시 장치가 고온에서 동작하는 경우 상기 화소회로(Pc2)의 제3 트랜지스터(T3)는 상기 보상 전압(BV)에 의해 문턱 전압의 쉬프트를 보상할 수 있다.
반대로, 상기 스위칭부(252)가 턴-오프 되면, 상기 스위칭부(252)는 상기 전압 발생부(240)로부터 수신된 상기 보상 전압(BV)이 상기 복수의 보상라인들(BLn)에 전달되는 것을 차단한다. 따라서, 상기 표시 장치가 정상온도에서 동작하는 경우상기 화소 회로(Pc2)의 제3 트랜지스터(T3)의 제4 전극은 플로팅 된다.
이상의 본 발명의 실시예에 따르면, 화소 회로 중 유기 발광 다이오드의 발광휘도를 제어하는 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제3 트랜지스터를 독립4 단자 트랜지스터로 구현하고, 고온 구동시 상기 제3 트랜지스터의 제4 전극에 보상전압을 인가함으로써 상기 제3 트랜지스터의 문턱 전압을 고온에 최적한 문턱 전압으로 보상할 수 있다. 이에 따라서, 고온에서 문턱전압 쉬프트에 의한 크로스토크와 같은 화질 불량을 막을 수 있다.
이상의 실시예들에 따르면, 화소 회로는 고온 구동시 문턱 전압의 쉬프트를 보상하기 위해 독립 4 단자 트랜지스터를 포함하고, 고온 구동시 트랜지스터의 4 단자에 문턱 전압의 쉬프트를 보상하는 위한 보상 전압을 인가함으로써 문턱 전압의 쉬프트에 기인한 크로스토크를 발생을 막을 수 있다. 또한, 제조 공정의 도핑 조건 변경 등의 공정을 변경하지 않고 고온에서 최적의 문턱 전압으로 변경가능 할 수 있다. 따라서, 크로스토크 등과 같은 표시 품질을 개선할 수 있다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 장치 및 시스템에 적용될 수 있다. 따라서 본 발명은 휴대폰, 스마트 폰, PDA, PMP, 디지털 카메라, 캠코더, PC, 서버 컴퓨터, 워크스테이션, 노트북, 디지털 TV, 셋-탑 박스, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 네비게이션 시스템, 스마트 카드, 프린터 등과 같은 다양한 전자 기기에 유용하게 이용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (20)

  1. 영상을 표시하는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드;
    제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 제2 전극 및 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제1 트랜지스터;
    제1 전원 전압을 수신하는 제1 전극과 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 커패시터;
    제1 스캔 신호를 수신하는 제1 전극, 데이터 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제2 트랜지스터;
    상기 제1 스캔 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제3 트랜지스터; 및
    발광 제어 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 및 제3 트랜지스터들 중 적어도 하나는 설정 온도 이상의 구동 온도에서는 보상 전압을 수신하고, 상기 설정 온도 미만의 구동 온도에서는 플로팅 되는 제4 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 제1 게이트 신호를 수신하는 제1 전극, 상기제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 전원 전압을 수신하는 제3 전극을 포함하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 화소 유닛.
  3. 제2항에 있어서, 상기 발광 제어 신호를 수신하는 제1 전극, 상기 제1 전원 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 더 포함하는 화소 유닛.
  4. 제3항에 있어서, 제2 게이트 신호를 수신하는 제1전극, 제2 전원 전압을 수신하는 제2 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 더 포함하는 화소 유닛.
  5. 제4항에 있어서, 제2 스캔 신호는 상기 제1 스캔 신호에 대해 지연된 신호이고,
    상기 제1 게이트 신호는 상기 제2 스캔 신호이고, 상기 제2 게이트 신호는 상기 제1 스캔 신호인 것을 특징으로 하는 화소 유닛.
  6. 영상을 표시하는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드와, 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 제2 전극 및 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제1 트랜지스터와, 제1 전압 라인에 연결된 제1 전극과 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 커패시터와, 제1 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 데이터 라인에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제2 트랜지스터와, 상기 제1 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제3 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제3 트랜지스터 및 발광 라인에 연결된 제1 전극, 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제6 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 및 제3 트랜지스터들 중 적어도 하나는 고온 구동에서 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 전달하는 보상 라인에 연결된 제4 전극을 포함하는 화소 유닛을 포함하는 표시부;
    구동 온도를 센싱하여 센싱 신호를 출력하는 온도 센싱부;
    상기 보상 전압을 발생하는 전압 발생부; 및
    설정 온도 이상의 구동 온도에 대응하는 센싱 신호에 응답하여 상기보상 전압을 출력하는 스위칭부를 포함하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 표시부는 복수의 스캔 라인들, 복수의 데이터 라인들, 복수의 발광 라인들 및 복수의 보상 라인들을 포함하고,
    상기 표시부의 주변 영역에 배치되고 상기 스위칭부의 출력 단자에 연결된 연결 라인을 더 포함하고,
    상기 연결 라인은 상기 표시부의 주변 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 구동 온도가 설정 온도 미만이면 상기 스위칭부는 상기 보상 전압의 출력을 차단하고, 상기 제4 전극은 플로팅 되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 포지티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 감소되고,
    상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 네가티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 증가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 화소 유닛은 제2 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 상기제1 노드에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 전압 라인에 연결된 제3 전극을 포함하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 화소 유닛은 발광 라인에 연결된 제1 전극, 상기 제1 전압 라인에 연결된 제2 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제3 전극을 포함하는 제5 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 화소 유닛은 상기 제1 스캔 라인에 연결된 제1 전극, 제2 전압 라인에 연결된 제2 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 연결된 제3 전극을 포함하는 제7 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 스캔 라인은 스캔 방향에 대해 상기 제1 스캔 라인 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제6항에 있어서, 상기 복수의 데이터 라인들에 복수의 데이터 전압들을 출력하는 데이터 구동부;
    상기 복수의 스캔 라인들에 복수의 스캔 신호들을 출력하는 스캔 구동부; 및
    상기 복수의 발광 라인들에 복수의 발광 제어 신호들을 출력하는 발광 구동부를 더 포함하고,
    상기 스캔 구동부, 상기 데이터 구동부 및 상기 발광 구동부는 상기 표시부의 주변 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 유기 발광 다이오드 및 복수의 트랜지스터들을 포함하는 표시 장치의 구동 방법에서,
    독립 4 단자를 갖는 제1 트랜지스터를 턴-온 하는 단계;
    턴-온 된 제1 트랜지스터를 통해 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 인가되는 단계;
    상기 표시 장치의 구동 온도를 센싱하여 센싱 신호를 출력하는 단계;
    상기 구동 온도가 설정 온도 미만이면 상기 제1 트랜지스터의 제4 전극을 플로팅 하는 단계; 및
    상기 구동 온도가 설정 온도 이상이면 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 상기 제1 트랜지스터의 제4 전극에 인가하는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  16. 제15항에 있어서, 독립 4 단자를 갖는 제3 트랜지스터를 턴-온 하는 단계 및
    턴-온 된 상기 제3 트랜지스터에 의해 다이오드 연결된 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 구동 온도가 설정 온도 미만이면 상기 제3 트랜지스터의 제4 전극을 플로팅 하는 단계; 및
    상기 구동 온도가 설정 온도 이상이면 상기 제3 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 전압을 상기 제3 트랜지스터의 제4 전극에 인가하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 포지티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 감소되고,
    상기 고온 구동에서 상기 문턱 전압이 네가티브 측으로 이동하면 상기 보상 전압의 레벨은 증가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  19. 제15항에 있어서, 제7 트랜지스터를 턴-온 하는 단계; 및
    턴-온 된 제7 트랜지스터를 통해 초기화 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 인가하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  20. 제15항에 있어서, 제4 트랜지스터를 턴-온 하는 단계; 및
    턴-온 된 제4 트랜지스터를 통해 커패시터에 충전된 이전 데이터 전압을 초기화 전압으로 초기화하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
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