KR20190122552A - Method for processing wafer - Google Patents

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다로 아라카와
다카시 오카무라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

Provided is a method for processing a wafer, in which a pressurizing blade is placed on a line to be divided to apply external force and divide the wafer into a plurality of individual devices without causing a decrease in the quality of the devices. According to the present invention, the method for processing the wafer at least comprises: a step of building a polyester-based sheet, which is to place the wafer on an opening hole of a frame, which has the opening hole for accommodating the wafer, and to build a polyester-based sheet on the rear surface of the wafer and the outer circumference of the frame; a step of integrating, which is to heat and thermally compress the polyester-based sheet, and to integrate the wafer with the frame by the polyester-based sheet; a step of forming a starting point for division, which is to place a focusing point of a laser beam on a first line to be divided and a second line to be divided, to irradiate the laser beam and form a starting point for division; a step of first division, which is to place the pressurizing blade on the first line to be divided to apply external force and divide the first line to be divided; and a step of second division, which is to place the pressurizing blade on the second line to be divided to apply external force and divide the second line to be divided. The step of first division and the step of second division divide the wafer into a plurality of individual devices.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WAFER}Wafer processing method {METHOD FOR PROCESSING WAFER}

본 발명은, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer into individual devices.

IC, LSI, LED 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고, 표면에 형성된 웨이퍼는, 다이싱 장치, 레이저 가공 장치 등에 의해 개개의 디바이스로 분할되어 휴대 전화, PC 등의 전기 기기에 이용된다.A plurality of devices such as ICs, LSIs, LEDs, etc. are divided by lines to be divided, and wafers formed on the surface are divided into individual devices by dicing apparatuses, laser processing apparatuses, and the like, and used for electric devices such as mobile phones and PCs. do.

레이저 가공 장치는, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인의 내부에 위치시켜 조사하고, 개질층을 형성하여 분할의 기점으로 하는 타입의 것과 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조), 웨이퍼에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인의 상면에 위치시켜 조사하고, 어블레이션에 의해 표면에 홈을 형성하여 분할의 기점으로 하는 타입의 것 (예를 들어, 특허문헌 2 를 참조) 이 존재한다.The laser processing apparatus is one of a type having a focusing point of a laser beam having a transmittance with respect to a wafer in the inside of a division scheduled line, irradiating, forming a modified layer, and forming a starting point of division (for example, a patent document 1) A type of a type in which a focusing point of a laser beam having a wavelength absorbing to a wafer is positioned on an upper surface of a predetermined line to be irradiated, and a groove is formed on the surface by ablation to be the starting point of division (example For example, refer patent document 2).

웨이퍼는, 상기한 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인을 따라 분할의 기점이 형성된 후, 외력을 부여하는 등의 분할 공정이 실시되어 개개의 디바이스로 분할된다. 분할 공정을 거친 웨이퍼는, 개개의 디바이스로 분할된 후, 다이싱 테이프에 유지되어 웨이퍼의 형태를 유지한 채로 픽업 공정에 반송되는 점에서, 레이저 가공 장치에 투입되는 웨이퍼는, 웨이퍼를 수용하는 개구를 가진 프레임의 그 개구에 위치되고, 호제 (糊劑) 등이 도포되거나 점착층이 형성된 다이싱 테이프의 점착층측에 웨이퍼의 이면 및 프레임을 첩착 (貼着) 시킴으로써, 다이싱 테이프 및 프레임과 일체화된 상태로 된다. 이로써, 분할 공정을 거친 웨이퍼는, 개개로 분할된 디바이스가 다이싱 테이프로부터 탈리되지 않아, 웨이퍼의 형태를 유지한 채로 픽업 공정에 반송할 수 있다.After the starting point of division is formed along the division scheduled line by the above-described laser processing apparatus, the wafer is divided into individual devices by applying a division process such as applying an external force. The wafer which has passed through the dividing step is divided into individual devices and then held on a dicing tape and conveyed to the pick-up step while maintaining the shape of the wafer. Integrates with the dicing tape and the frame by attaching the back surface and the frame of the wafer to the adhesive layer side of the dicing tape, which is located in the opening of the frame having the stiffness, is coated with an adhesive or the adhesive layer is formed. It becomes the state that became. Thereby, the wafer which passed through the division process does not detach | separate from the dicing tape, and the device divided | segmented individually can be conveyed to a pick-up process, maintaining the form of a wafer.

일본 특허공보 제3408805호Japanese Patent Publication No. 3408805 일본 공개특허공보 평10-305420호Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-305420

다이싱 테이프의 점착층측에 웨이퍼의 이면과 프레임을 위치시켜 첩착시키고, 다이싱 테이프를 개재하여 프레임에 지지된 웨이퍼를, 분할 기점이 형성된 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여함으로써 분할하는 경우, 제 1 방향에 형성된 제 1 분할 예정 라인에 대해 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 분할한 후, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 형성된 제 2 분할 예정 라인에 대해 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 분할한다. 이 때, 먼저 분할되는 제 1 분할 예정 라인은 깔끔하게 분할할 수 있다. 그러나, 제 1 분할 예정 라인의 분할 기점을 따라 분할하여 분할선을 형성할 때에, 그 분할선에 점착층이 비집고 들어가는 등 하여, 아직 분할되어 있지 않은 제 2 분할 예정 라인이 근소하게 사행하고, 제 2 분할 예정 라인을 따라 가압날을 정밀하게 위치시키는 것이 곤란해져, 그대로 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 2 분할 예정 라인을 분할하면, 디바이스의 결손 등이 발생하여, 품질의 저하를 초래한다는 문제가 있다. 최근에는, 디바이스의 소사이즈 (가로 세로 2 ㎜ 이하) 화가 요망되고 있고, 특히 가로 세로 0.5 ㎜, 가로 세로 0.25 ㎜, 가로 세로 0.15 ㎜ 등, 디바이스의 사이즈가 작아질수록, 이 제 2 분할 예정 라인의 근소한 사행의 영향이 현저해지고 있다.The back surface of the wafer and the frame are placed and adhered to the adhesive layer side of the dicing tape, and the wafer supported by the frame via the dicing tape is divided by placing a pressing blade on a division scheduled line formed with a dividing origin and applying an external force. In this case, the pressing blade is positioned with respect to the first divided scheduled line formed in the first direction to apply an external force and divided, and then the pressing blade is positioned with respect to the second divided scheduled line formed in the second direction crossing the first direction. Divide by applying external force. At this time, the first division schedule line to be divided first may be neatly divided. However, when forming a dividing line by dividing along the dividing starting point of the first dividing scheduled line, the adhesive layer sticks to the dividing line, and the second dividing scheduled line which is not divided yet meanders slightly, It is difficult to precisely position the press blades along the two parting lines, and if the second parting line is divided by applying the external force by positioning the pressure blades as it is, a device defect or the like may occur, resulting in deterioration of the quality. there is a problem. In recent years, small size (less than 2 mm in width) of a device is desired, and as the size of a device becomes small, such as 0.5 mm in width, 0.25 mm in width, and 0.15 mm in width, especially, this 2nd division plan line The influence of the slight meandering of the is getting noticeable.

본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 가압날을 분할 예정 라인에 위치시켜 외력을 부여하여 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할해도, 디바이스의 품질의 저하를 초래하지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is a wafer which does not cause the deterioration of the device quality even if a pressurizing blade is located in a dividing scheduled line and external force is applied and a wafer is divided into individual devices. The present invention provides a processing method.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 제 1 방향에 형성된 제 1 분할 예정 라인과 그 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 형성된 제 2 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 프레임의 그 개구에 웨이퍼를 위치시켜 웨이퍼의 이면과 프레임의 외주에 폴리에스테르계 시트를 부설 (敷設) 하는 폴리에스테르계 시트 부설 공정과, 폴리에스테르계 시트를 가열하고 열압착시켜 웨이퍼와 프레임을 폴리에스테르계 시트에 의해 일체화하는 일체화 공정과, 레이저 광선의 집광점을 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인에 위치시켜 조사하여 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 제 1 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 1 분할 예정 라인을 분할하는 제 1 분할 공정과, 제 2 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 2 분할 예정 라인을 분할하는 제 2 분할 공정으로 적어도 구성되고, 그 제 1 분할 공정과 그 제 2 분할 공정에 의해 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said main technical subject, according to this invention, a some device is divided by the 1st division plan line which was formed in the 1st direction, and the 2nd division plan line which is formed in the 2nd direction which cross | intersects the 1st direction. A wafer processing method for dividing a wafer formed on a surface into individual devices, wherein the wafer is placed in an opening of a frame having an opening for accommodating the wafer, and a polyester sheet is laid on the back surface of the wafer and the outer circumference of the frame. A polyester sheet laying step, an integration step of heating and thermocompressing the polyester sheet to integrate the wafer and the frame with the polyester sheet, and a condensing point of the laser beam on the first dividing line and the second division In the division origin forming step of forming the division origin by irradiating it on the predetermined line and the first division scheduled line A first division step of dividing the first dividing scheduled line by placing an external blade and applying an external force; A wafer processing method is provided, which is configured at least and divides a wafer into individual devices by the first division step and the second division step.

그 분할 기점 형성 공정에 있어서 조사되는 레이저 광선의 파장을, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖도록 하고, 그 레이저 광선의 집광점을, 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인의 내부에 위치되어 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하도록할 수 있다. 또, 그 분할 기점 형성 공정에 있어서 조사되는 레이저 광선의 파장을, 웨이퍼에 대해 흡수성을 갖도록 하고, 그 레이저 광선의 집광점을, 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인의 상면에 위치시켜 어블레이션에 의해 분할의 기점이 되는 홈을 형성하도록 해도 된다.The wavelength of the laser beam irradiated in the dividing starting point forming step is made to have transparency to the wafer, and the condensing point of the laser beam is located inside the first dividing scheduled line and the second dividing scheduled line, and the starting point of the dividing. It is possible to form a modified layer to be. Moreover, the wavelength of the laser beam irradiated in the division origin forming process is made to have absorbency with respect to a wafer, and the light converging point of the laser beam is located on the upper surface of a 1st dividing line and a 2nd dividing line, and it is possible The groove may be formed as a starting point of division by the formation.

바람직하게는, 그 폴리에스테르계 시트는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트 중 어느 것에서 선택된다. 또, 그 웨이퍼는, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 탄화규소 기판, 유리 기판 중 어느 것으로 구성할 수 있다.Preferably, the polyester sheet is selected from any of polyethylene terephthalate sheet and polyethylene naphthalate sheet. Moreover, the wafer can be comprised by any of a silicon substrate, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, and a glass substrate.

본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 복수의 디바이스가 제 1 방향에 형성된 제 1 분할 예정 라인과 그 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 형성된 제 2 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 프레임의 그 개구에 웨이퍼를 위치시켜 웨이퍼의 이면과 프레임의 외주에 폴리에스테르계 시트를 부설하는 폴리에스테르계 시트 부설 공정과, 폴리에스테르계 시트를 가열하고 열압착시켜 웨이퍼와 프레임을 폴리에스테르계 시트에 의해 일체화하는 일체화 공정과, 레이저 광선의 집광점을 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인에 위치시켜 조사하여 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 제 1 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 1 분할 예정 라인을 분할하는 제 1 분할 공정과, 제 2 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 2 분할 예정 라인을 분할하는 제 2 분할 공정으로 적어도 구성되고, 그 제 1 분할 공정과 그 제 2 분할 공정에 의해 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하도록 하고 있는 점에서, 점착층을 갖는 다이싱 테이프를 사용하여 웨이퍼를 첩착시킨 경우와 같이, 제 1 분할 예정 라인을 분할한 영역에 점착층의 일부가 비집고 들어가 어긋남을 유발하는 경우가 없고, 제 1 분할 예정 라인을 분할한 후, 제 2 분할 예정 라인에 가압날을 정밀하게 위치시킬 수 있어, 디바이스의 품질을 저하시킨다는 문제가 해소된다.A wafer processing method of the present invention comprises a wafer formed on a surface of a plurality of devices partitioned by a first division scheduled line formed in a first direction and a second division scheduled line formed in a second direction crossing the first direction. A method of processing a wafer for dividing into individual devices, comprising: a polyester sheet laying step of placing a wafer in the opening of a frame having an opening for accommodating the wafer and laying a polyester sheet on the back surface of the wafer and the outer periphery of the frame; And an integration step of heating and thermocompressing a polyester sheet to integrate the wafer and the frame with the polyester sheet, and placing and focusing the laser beam focusing points on the first and second division lines. An external force is applied by placing a pressurized blade in the division starting point forming step of forming a starting point and the first division scheduled line. And a first division step of dividing the first dividing scheduled line, and a second dividing step of dividing the second dividing scheduled line by applying an external force by placing a pressure blade on the second dividing scheduled line, and applying the external force. In the process and the second dividing process, the wafer is divided into individual devices, so that the first dividing scheduled line is divided into regions, such as when the wafer is bonded using a dicing tape having an adhesive layer. Part of the adhesive layer does not squeeze out and cause misalignment, and after dividing the first division scheduled line, the pressing blade can be precisely positioned on the second division scheduled line, thereby reducing the problem of degrading device quality. do.

도 1 은 본 실시예의 폴리에스테르계 시트 부설 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 폴리에스테르계 시트 부설 공정에 있어서 폴리에스테르계 시트를 척 테이블에 재치 (載置) 하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 3 은 본 실시예의 일체화 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 4 는 본 실시예의 절단 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 5 는 본 실시예의 분할 기점 형성 공정의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 6 은 본 실시예의 분할 기점 형성 공정의 그 밖의 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 7 은 본 실시예의 분할 공정의 실시양태를 나타내는 측면도이다.1 is a perspective view showing an embodiment of the polyester sheet laying step of the present embodiment.
FIG. 2: is a perspective view which shows the aspect which mounts a polyester sheet to a chuck table in the polyester sheet | seat laying process shown in FIG.
3 is a perspective view showing an embodiment of the integration process of the present embodiment.
4 is a perspective view showing an embodiment of a cutting process of the present embodiment.
5 is a perspective view showing one embodiment of a division origin forming step of the present example.
6 is a perspective view showing another embodiment of the division origin forming step of the present example.
7 is a side view showing an embodiment of a dividing step of the present example.

이하, 본 발명에 기초하여 구성된 웨이퍼의 가공 방법의 각 공정에 대해, 순서대로 설명한다.Hereinafter, each process of the processing method of the wafer comprised based on this invention is demonstrated in order.

(폴리에스테르계 시트 부설 공정) (Polyester Sheet Laying Process)

도 1, 및 도 2 를 참조하면서, 폴리에스테르계 시트 부설 공정에 대해 설명한다. 도 1 에는, 폴리에스테르계 시트 부설 공정의 실시양태를 나타내는 사시도가 나타내어져 있다. 폴리에스테르계 시트 부설 공정을 실시할 때, 먼저, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물인 웨이퍼 (10) 와, 웨이퍼 (10) 를 수용 가능한 개구 (Fa) 를 갖는 고리형의 프레임 (F) 과, 폴리에스테르계 시트 부설 공정을 실시하기 위한 척 테이블 (20) 을 준비한다. 웨이퍼 (10) 는, 예를 들어, 실리콘 (Si) 기판으로 이루어지고, 디바이스 (14) 가, 화살표 (X) 로 나타내는 제 1 방향에 형성된 제 1 분할 예정 라인 (12A) 과, 제 1 방향과 직각으로 교차하는 화살표 (Y) 로 나타내는 제 2 방향에 형성된 제 2 분할 예정 라인 (12B) 에 의해 구획된 표면 (10a) 에 형성되어 있다.A polyester sheet laying process is demonstrated, referring FIG. 1 and FIG. The perspective view which shows embodiment of the polyester type sheet laying process is shown in FIG. When performing a polyester sheet laying process, first, as shown in FIG. 1, the annular frame F which has the wafer 10 which is a process target object, the opening Fa which can accommodate the wafer 10, and , Chuck table 20 for carrying out polyester sheet laying step is prepared. The wafer 10 is made of, for example, a silicon (Si) substrate, and the device 14 is arranged in the first direction indicated by the arrow X in the first direction 12A, the first direction and It is formed in the surface 10a partitioned by the 2nd dividing predetermined line 12B formed in the 2nd direction shown by the arrow Y crossing at right angles.

척 테이블 (20) 은, 통기성을 갖는 다공질의 포러스 세라믹으로 이루어지는 원반 형상의 흡착 척 (21) 과, 흡착 척 (21) 의 외주를 둘러싸는 원형 프레임부 (22) 로 이루어지고, 척 테이블 (20) 은, 도시되지 않은 흡인 수단에 접속되어, 흡착 척 (21) 의 상면 (유지면) 에 재치되는 웨이퍼 (10) 를 흡인 유지할 수 있다.The chuck table 20 is composed of a disk-shaped suction chuck 21 made of porous porous ceramic having air permeability, and a circular frame portion 22 surrounding the outer circumference of the suction chuck 21. ) Is connected to suction means (not shown) and can suction hold the wafer 10 placed on the upper surface (oil level) of the suction chuck 21.

웨이퍼 (10) 와, 프레임 (F) 과, 척 테이블 (20) 을 준비하였다면, 도면에 나타내는 바와 같이, 흡착 척 (21) 의 유지면에 대해, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 측을 아래로 하여, 흡착 척 (21) 의 중심에 재치한다. 흡착 척 (21) 상에 웨이퍼 (10) 를 재치하였다면, 프레임 (F) 을, 웨이퍼 (10) 가 개구 (Fa) 의 중심에 위치시키면서 흡착 척 (21) 상에 재치한다. 도면으로부터 이해되는 바와 같이, 프레임 (F) 의 개구 (Fa) 의 사이즈는, 웨이퍼 (10) 가 수용되도록 웨이퍼 (10) 보다 크게 형성되고, 또한 흡착 척 (21) 의 유지면의 사이즈는, 프레임 (F) 의 외형보다 약간 크게 형성되어 있고, 프레임 (F) 의 외측에, 흡착 척 (21) 의 유지면이 노출되는 크기로 설정된다.If the wafer 10, the frame F, and the chuck table 20 were prepared, as shown in the figure, the surface 10a side of the wafer 10 was lowered with respect to the holding surface of the suction chuck 21. It is mounted in the center of the suction chuck 21. If the wafer 10 is placed on the suction chuck 21, the frame F is placed on the suction chuck 21 with the wafer 10 positioned at the center of the opening Fa. As understood from the figure, the size of the opening Fa of the frame F is larger than the wafer 10 so that the wafer 10 is accommodated, and the size of the holding surface of the suction chuck 21 is the frame. It is formed slightly larger than the external shape of (F), and is set to the magnitude | size which exposes the holding surface of the suction chuck 21 outside the frame F. As shown in FIG.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b), 프레임 (F), 및 흡착 척 (21) 을 덮도록 설정된 원형의 폴리에스테르계 시트, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 시트 (30) 를 준비하여 흡착 척 (21) 상에 재치한다. 폴리에스테르계 시트는, 바람직하게는 20 ∼ 100 ㎛ 의 두께로 형성된다. 도 2 로부터 이해되는 바와 같이, 본 실시예의 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 는, 적어도 흡착 척 (21) 의 직경보다 크고, 바람직하게는 척 테이블 (20) 의 원형 프레임부 (22) 의 외형보다 약간 작은 직경으로 형성된다. 이로써, 흡착 척 (21) 의 유지면은, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 로 전체가 덮인다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 의 웨이퍼 (10) 및 프레임 (F) 에 재치되는 재치면측에는 호제 등의 점착층은 형성되지 않는다.As shown in FIG. 2, a circular polyester sheet, for example, polyethylene terephthalate (PET) sheet, which is set to cover the back surface 10b, the frame F, and the suction chuck 21 of the wafer 10. 30 is prepared and placed on the adsorption chuck 21. The polyester sheet is preferably formed in a thickness of 20 to 100 µm. As understood from FIG. 2, the polyethylene terephthalate sheet 30 of the present embodiment is at least larger than the diameter of the adsorption chuck 21, preferably slightly smaller than the outer shape of the circular frame portion 22 of the chuck table 20. It is formed with a small diameter. Thereby, the holding surface of the adsorption chuck 21 is covered with the polyethylene terephthalate sheet 30 as a whole. In addition, adhesion layers, such as a favorable agent, are not formed in the mounting surface side mounted on the wafer 10 and the frame F of the polyethylene terephthalate sheet 30. As shown in FIG.

척 테이블 (20) 의 흡착 척 (21) 상에 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 재치하였다면, 흡인 펌프 등을 포함하는 도시되지 않은 흡인 수단을 작동시켜, 흡인력 (Vm) 을 흡착 척 (21) 에 작용시키고, 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 흡인한다. 상기한 바와 같이, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 에 의해, 흡착 척 (21) 의 상면 (유지면) 전체면이 덮여 있기 때문에, 흡인력 (Vm) 은, 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 의 전체에 작용하고, 이것들을 흡착 척 (21) 상에 흡인 유지함과 함께, 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 사이에 잔존하고 있던 공기를 흡인하여 밀착시킨다. 이상에 의해, 폴리에스테르계 시트 부설 공정이 완료된다.If the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 are placed on the adsorption chuck 21 of the chuck table 20, suction means (not shown) including a suction pump or the like is operated, A suction force Vm is applied to the suction chuck 21, and the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 are sucked. As mentioned above, since the upper surface (oil surface) whole surface of the adsorption chuck 21 is covered by the polyethylene terephthalate sheet 30, the suction force Vm is the wafer 10, the frame F, and It acted on the whole polyethylene terephthalate sheet 30, and it sucked and hold | maintained these on the adsorption chuck 21, and remained between the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30. It sucks air and makes it adhere. As described above, the polyester sheet laying step is completed.

(일체화 공정) (Integration process)

상기한 폴리에스테르계 시트 부설 공정을 실시하였다면, 이어서, 일체화 공정을 실시한다. 일체화 공정에 대해, 도 3 을 참조하면서 설명한다.If the above polyester-based sheet laying step is carried out, an integration step is then performed. The integration process will be described with reference to FIG. 3.

도 3(a) 에는, 일체화 공정을 실시하기 위한 첫번째의 실시형태가 나타내어져 있다. 일체화 공정을 실시할 때, 도면에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10), 프레임 (F) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 에 대해 흡인력 (Vm) 을 작용시켜 흡인 유지한 상태의 척 테이블 (20) 의 상방에, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 가열하기 위한 열풍 분사 수단 (40) (일부만 나타낸다) 을 위치시킨다. 상세한 것은 생략하지만, 열풍 분사 수단 (40) 은, 척 테이블 (20) 측과 대면하는 출구측 (도면 중 하측) 에 서모스탯 등의 온도 조정 수단을 구비한 히터부를 배치 형성하고, 반대측 (도면 중 상측) 에 모터 등에 의해 구동되는 팬부를 배치 형성하고, 그 히터부, 및 팬부를 구동시킴으로써 척 테이블 (20) 을 향하여 열풍 (L) 을 분사하도록 구성된다. 열풍 분사 수단 (40) 을 척 테이블 (20) 의 상방에 위치시켰다면, 열풍 분사 수단 (40) 에 의해, 적어도 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 덮는 웨이퍼 (10), 및 프레임 (F) 이 재치된 영역 전체에 열풍 (L) 을 분사하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 융점 근방의 250 ∼ 270 ℃, 또는 그 융점 근방의 온도에서 그 융점 근방의 온도보다 50 ℃ 정도 낮은 온도까지의 범위가 되도록 가열한다. 이 가열에 의해, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 연화되어, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b), 및 프레임 (F) 에 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 밀착된 상태에서 열압착되어, 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 일체화된다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 가열하여 웨이퍼 (10) 와 열압착시키는 일체화 공정을 실시하는 수단은, 도 3(a) 에 나타내는 열풍 분사 수단 (40) 에 한정되지 않고, 다른 수단을 선택할 수도 있다. 도 3(b) 를 참조하면서, 다른 수단 (둘째의 실시형태) 에 대해 설명한다.3A shows a first embodiment for carrying out the integration step. When performing the integration step, as shown in the drawing, the chuck table 20 in a state where the suction force Vm is applied to the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 to be sucked and held. Above, the hot air injection means 40 (only a part is shown) for heating the polyethylene terephthalate sheet 30 is located. Although the detail is abbreviate | omitted, the hot air injection means 40 arrange | positions and forms the heater part provided with temperature control means, such as a thermostat, in the exit side (lower side of drawing) facing the chuck table 20 side, and the opposite side (in the figure The fan part which is driven by a motor etc. is arrange | positioned at the upper side), and it is comprised so that hot air L may be sprayed toward the chuck table 20 by driving the heater part and a fan part. If the hot air jetting means 40 is positioned above the chuck table 20, the wafer 10 covered by at least the polyethylene terephthalate sheet 30 and the frame F are placed by the hot air jetting means 40. The hot air L is blown to the entire region so that the polyethylene terephthalate sheet 30 is in a range from 250 to 270 ° C. near the melting point, or a temperature about 50 ° C. lower than the temperature near the melting point. Heat. By this heating, the polyethylene terephthalate sheet 30 is softened and thermally compressed in a state in which the polyethylene terephthalate sheet 30 is in close contact with the back surface 10b of the wafer 10 and the frame F, and the wafer ( 10), the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 are integrated. In addition, the means for performing the integration step of heating the polyethylene terephthalate sheet 30 and thermocompression bonding with the wafer 10 is not limited to the hot air jetting means 40 shown in FIG. It may be. Another means (second embodiment) will be described with reference to Fig. 3B.

상기 일체화 공정을 실시하는 다른 수단으로서, 도 3(b) 에 나타내는 가열 롤러 수단 (50) (일부만 나타낸다) 이 선택되어도 된다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼 (10), 프레임 (F) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 에 흡인력 (Vm) 을 작용시켜 흡인 유지한 상태의 척 테이블 (20) 의 상방에, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 가열하여 가압하기 위한 가열 롤러 수단 (50) 을 위치시킨다. 상세한 것은 생략하지만, 가열 롤러 수단 (50) 은, 도시되지 않은 히터를 내장하는 가열 롤러 (52) 와, 가열 롤러 (52) 를 회전시키기 위한 도시되지 않은 회전축을 구비하고, 가열 롤러 (52) 의 표면에는, 불소 수지 가공이 실시되어 있다. 가열 롤러 (52) 를 척 테이블 (20) 의 상방에 위치시켰다면, 가열 롤러 (52) 에 내장된 그 히터를 작동시켜, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 덮는 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b), 및 프레임 (F) 측 전체를 가압하여 가열 롤러 (52) 를 화살표 (R1) 로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 화살표 (X) 방향으로 이동시킨다. 가열 롤러 (52) 에 내장된 그 히터는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 융점 근방의 250 ∼ 270 ℃, 또는 그 융점 근방의 온도에서 그 융점 근방의 온도보다 50 ℃ 정도 낮은 온도까지의 범위에서 조정된다. 이 가열 및 가압에 의해, 상기 열풍 분사 수단 (40) 과 마찬가지로, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b), 및 프레임 (F) 에 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 밀착시킨 상태에서 열압착시킬 수 있고, 웨이퍼 (10), 프레임 (F) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 일체화된다. 또한, 일체화 공정을 실시하는 가열 롤러 수단 (50) 의 변형예로서, 상기한 가열 롤러 (52) 대신에, 히터를 구비한 평판상의 가압 부재를 채용하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 가열, 가압하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를, 웨이퍼 (10), 및 프레임 (F) 에 열압착시킬 수도 있다. 또, 열압착시키는 수단은 상기한 각 수단에 한정되지 않고, 예를 들어, 적외선을 조사함으로써 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 가열하여, 웨이퍼 (10), 및 프레임 (F) 과 열압착시켜도 된다.As another means for performing the integration process, the heating roller means 50 (only part of which is shown) shown in FIG. 3B may be selected. More specifically, the polyethylene terephthalate sheet 30 is located above the chuck table 20 in a state in which the suction force Vm is applied to the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 to be sucked and held. The heating roller means 50 for heating and pressurizing) is placed. Although not shown in detail, the heating roller means 50 is provided with the heating roller 52 which incorporates the heater which is not shown in figure, and the rotating shaft which is not shown for rotating the heating roller 52, Fluorine resin processing is given to the surface. If the heating roller 52 is located above the chuck table 20, the heater built in the heating roller 52 is operated, and the back surface 10b of the wafer 10 covered by the polyethylene terephthalate sheet 30 is covered, And the whole frame F side are pressed, and the heating roller 52 is rotated in the direction shown by the arrow R1, and it moves to the arrow X direction. The heater incorporated in the heating roller 52 has a polyethylene terephthalate sheet 30 in the range from 250 to 270 ° C near the melting point or from the temperature near the melting point to about 50 ° C lower than the temperature near the melting point. Adjusted. By this heating and pressurization, similarly to the said hot air injection means 40, it can thermo-compress in the state which closely contacted the polyethylene terephthalate sheet 30 to the back surface 10b of the wafer 10, and the frame F, The wafer 10, the frame F and the polyethylene terephthalate sheet 30 are integrated. Moreover, as a modification of the heating roller means 50 which implements an integration process, instead of the above-mentioned heating roller 52, the flat press member provided with a heater is employ | adopted, and the polyethylene terephthalate sheet 30 is heated, By pressurizing, the polyethylene terephthalate sheet 30 may be thermocompression-bonded to the wafer 10 and the frame F. FIG. The means for thermocompression bonding is not limited to the above-described means, and for example, the polyethylene terephthalate sheet 30 may be heated and irradiated with the wafer 10 and the frame F by irradiating infrared rays. .

본 실시예에서는, 상기한 일체화 공정에 계속하여, 후공정에 배려하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 프레임 (F) 을 따라 절단하는 절단 공정을 실시한다. 또한, 이 절단 공정은, 반드시 필수의 공정은 아니지만, 실시하는 편이 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 와 일체화된 웨이퍼 (10) 및 프레임 (F) 을 취급하기 쉬워져, 후 공정에 있어서 적합하다. 이하에, 도 4 를 참조하면서 절단 공정에 대해 설명한다.In the present Example, following the integration process mentioned above, the cutting process of cutting the polyethylene terephthalate sheet 30 along the frame F is performed in consideration of a post process. In addition, although this cutting process is not necessarily an essential process, it is easy to carry out and it becomes easy to handle the wafer 10 and the frame F integrated with the polyethylene terephthalate sheet 30, and is suitable for a later process. Below, a cutting process is demonstrated, referring FIG.

(절단 공정)(Cutting process)

도 4 에 나타내는 바와 같이, 일체화 공정에 의해 일체화된 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 흡인 유지한 척 테이블 (20) 상에, 절단 수단 (60) (일부만 나타낸다) 을 위치시킨다. 절단 수단 (60) 은, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 절단하기 위한 원반 형상의 블레이드 커터 (62) (이점 쇄선으로 나타낸다) 와, 블레이드 커터 (62) 를 화살표 (R2) 로 나타내는 방향으로 회전 구동시키기 위한 도시되지 않은 모터를 구비하고, 블레이드 커터 (62) 의 날끝을, 프레임 (F) 상의 폭 방향에 있어서의 대략 중앙에 위치시킨다. 블레이드 커터 (62) 가 프레임 (F) 상에 위치되었다면, 블레이드 커터 (62) 를 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 의 두께만큼 절입 이송하고, 척 테이블 (20) 을 화살표 (R2) 로 나타내는 방향으로 회전시킨다. 이로써, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가, 프레임 (F) 을 따른 절단 라인 (C) 을 따라 절단되고, 절단 라인 (C) 으로부터 비어져 나온 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 의 외주를 잘라낼 수 있다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 는, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 과 프레임 (F) 에 열압착되어 있고, 웨이퍼 (10), 프레임 (F), 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 일체화된 상태는 유지된다. 이상에 의해, 절단 공정이 완료된다.As shown in FIG. 4, the cutting means 60 (only a part) is carried out on the chuck table 20 which suction-held the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 integrated by the integration process. Position). The cutting means 60 drives rotation of the disk-shaped blade cutter 62 (shown by a dashed-dotted line) for cutting the polyethylene terephthalate sheet 30, and the blade cutter 62 in the direction indicated by the arrow R2. It is equipped with the motor which is not shown in figure, and the blade edge of the blade cutter 62 is located in the substantially center in the width direction on the frame F. As shown in FIG. If the blade cutter 62 is positioned on the frame F, the blade cutter 62 is plunged in the thickness of the polyethylene terephthalate sheet 30 and the chuck table 20 is rotated in the direction indicated by the arrow R2. Let's do it. Thereby, the polyethylene terephthalate sheet 30 is cut along the cutting line C along the frame F, and the outer periphery of the polyethylene terephthalate sheet 30 protruding from the cutting line C can be cut out. In addition, the polyethylene terephthalate sheet 30 is thermocompression-bonded to the back surface 10b and the frame F of the wafer 10, and the wafer 10, the frame F, and the polyethylene terephthalate sheet 30 are The integrated state is maintained. The cutting process is completed by the above.

(분할 기점 형성 공정) (Divided starting point formation process)

그 절단 공정에 의해 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 의 외주가 절단되었다면, 레이저 가공 장치를 이용하여, 분할 기점 형성 공정을 실시한다. 분할 기점 형성 공정을 실시하는 레이저 가공 방법으로는, 예를 들어, 레이저 광선의 파장을 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장으로 하고, 레이저 광선의 집광점을 제 1 분할 예정 라인 (12A) 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 내부에 위치시켜 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하는 방법, 또는 레이저 광선의 파장을 웨이퍼에 대해 흡수성을 갖는 파장으로 하고, 레이저 광선의 집광점을 제 1 분할 예정 라인 (12A) 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 상면에 위치시켜 어블레이션에 의해 분할의 기점이 되는 홈을 형성하는 방법을 선택할 수 있다.If the outer periphery of the polyethylene terephthalate sheet 30 was cut | disconnected by the cutting process, a division origin formation process is implemented using a laser processing apparatus. As a laser processing method which performs a division origin forming process, for example, the wavelength of a laser beam is made into the wavelength which has a permeability with respect to a wafer, and the condensing point of a laser beam is made into the 1st division line 12A and 2nd division | segmentation. A method of forming a modified layer which is located inside the predetermined line 12B and becomes the starting point of division, or the wavelength of the laser beam is a wavelength having absorption to the wafer, and the light converging point of the laser beam is defined as the first division scheduled line ( 12A) and the method of forming the groove | channel which becomes a starting point of division | segmentation by an ablation by being located in the upper surface of the 2nd dividing plan line 12B.

도 5 를 참조하면서, 웨이퍼 (10) 의 제 1 분할 예정 라인 (12A) 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 내부에 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하는 레이저 가공의 실시양태에 대해 설명한다.With reference to FIG. 5, the embodiment of the laser processing which forms the modified layer which becomes a starting point of division | segmentation inside the 1st dividing predetermined line 12A and the 2nd dividing predetermined line 12B of the wafer 10 is demonstrated. .

제 1 분할 예정 라인 (12A) 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 내부에 분할의 기점이 되는 개질층을 형성할 때에는, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 측으로부터 레이저 광선을 조사한다. 그래서, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 상기 일체화 공정에서 프레임 (F) 과 일체화된 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 측을 상방을 향하게 하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 측이 상방이 되도록 하여, 도 5(b) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (70) (일부만 나타낸다) 에 반송한다.When forming the modified layer which becomes a starting point of division | segmentation inside the 1st dividing scheduled line 12A and the 2nd dividing scheduled line 12B, a laser beam is irradiated from the back surface 10b side of the wafer 10. FIG. Thus, as shown in Fig. 5 (a), the back surface 10b side of the wafer 10 integrated with the frame F is faced upward in the integration step, and the polyethylene terephthalate sheet 30 side is upward. It conveys to the laser processing apparatus 70 (only one part is shown) shown to FIG. 5 (b).

도 5(b) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (70) 는, 주지된 레이저 가공 장치로서, 상세한 것에 대해서는 생략하지만, 도시되지 않은 척 테이블, 집광기 (72) 를 포함하는 레이저 광선 조사 수단 등을 구비하고 있다. 레이저 가공 장치 (70) 에 반송된 웨이퍼 (10) 는, 그 척 테이블에 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 가 상방이 되도록 재치되어 유지된다. 이어서, 도시되지 않은 적외선 촬상 수단을 구비한 얼라인먼트 수단에 의해, 그 레이저 광선 조사 수단의 집광기 (72) 에 의한 레이저 광선 (LB) 의 조사 위치와, 웨이퍼 (10) 의 피가공 위치, 즉, 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 위치 맞춤 (얼라인먼트 공정) 을 실시한다. 이 얼라인먼트 공정을 끝냈다면, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광선 (LB) 의 집광점을 웨이퍼 (10) 의 내부에 위치시켜, 집광기 (72) 와 웨이퍼 (10) 를 화살표 (X) 로 나타내는 방향으로 상대적으로 이동시켜 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 넘어로 조사하고, 분할의 기점이 되는 개질층 (100) 을 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 따라 형성한다. 그 척 테이블을 적절히 이동시킴으로써, 모든 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 따라 개질층 (100) 을 형성하였다면, 그 척 테이블을 90 도 회전시켜, 제 1 분할 예정 라인 (12A) 과 마찬가지로, 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라 웨이퍼 (10) 의 내부에 개질층 (100) 을 형성한다. 이상의 레이저 가공을 실시함으로써, 분할 기점 형성 공정이 완료된다.The laser processing apparatus 70 shown in FIG. 5 (b) is a well-known laser processing apparatus, and is omitted in detail, but is provided with a chuck table (not shown), laser beam irradiation means including the light collector 72, and the like. . The wafer 10 conveyed to the laser processing apparatus 70 is placed and held on the chuck table so that the polyethylene terephthalate sheet 30 is upward. Subsequently, the alignment means provided with the infrared imaging means not shown in the figure shows the irradiation position of the laser beam LB by the light collector 72 of the laser beam irradiation means and the processing position of the wafer 10, namely, Positioning (alignment process) of 1st division planned line 12A and 2nd division planned line 12B is performed. When this alignment process is complete | finished, as shown to FIG. 5 (b), the light converging point of the laser beam LB will be located inside the wafer 10, and the light concentrator 72 and the wafer 10 may be moved to the arrow X. It moves relatively to the direction shown by the direction, and irradiates beyond the polyethylene terephthalate sheet 30, and the modified layer 100 used as the starting point of division is formed along 12 A of 1st division planned lines. If the modified layer 100 was formed along all the 1st division lines 12A by appropriately moving the chuck table, the chuck table will be rotated 90 degrees, similarly to the 1st division schedule line 12A, and the 2nd The modified layer 100 is formed inside the wafer 10 along the division scheduled line 12B. By performing the above laser processing, the division origin forming step is completed.

또한, 상기한 분할의 기점이 되는 개질층 (100) 을 형성하는 레이저 가공 장치 (70) 의 레이저 가공 조건은, 예를 들어 이하와 같이 설정된다.In addition, the laser processing conditions of the laser processing apparatus 70 which forms the modified layer 100 used as the starting point of the division are set as follows, for example.

레이저 광선의 파장 : 1064 ㎚Wavelength of laser beam: 1064 nm

반복 주파수 : 80 ㎑Repetition frequency: 80 ㎑

평균 출력 : 0.5 WAverage power: 0.5 W

가공 이송 속도 : 800 ㎜/초Machining feed rate: 800 mm / sec

본 발명의 분할 기점 형성 공정은, 상기한 수단에 한정되지 않고, 예를 들어 도 6 에 나타내는 레이저 가공 장치 (70') 를 사용하여 실시해도 된다. 이하에, 도 6 을 참조하면서, 레이저 가공 장치 (70') 를 사용하여 분할 기점 형성 공정을 실시하는 다른 실시형태에 대해 설명한다.The division origin forming process of this invention is not limited to said means, For example, you may implement using the laser processing apparatus 70 'shown in FIG. Hereinafter, another embodiment which performs a division origin forming process using the laser processing apparatus 70 'is described, referring FIG.

분할 기점 형성 공정을 실시하는 다른 실시형태로는, 도 6 에 나타내는 바와 같은, 웨이퍼 (10) 에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선 (LB') 을 조사하고, 레이저 광선 (LB') 의 집광점을 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라, 웨이퍼 (10) 의 상면 (표면 (10a) 측) 에 위치시켜 어블레이션에 의해 분할의 기점이 되는 홈을 형성한다.As another embodiment which performs the division origin forming process, as shown in FIG. 6, the laser beam LB 'of the wavelength which has an absorptivity with respect to the wafer 10 is irradiated, and the light converging point of the laser beam LB' is shown. Is positioned along the first division scheduled line 12A and the second division scheduled line 12B on the upper surface (surface 10a side) of the wafer 10 to form a groove which is the starting point of division by ablation. do.

제 1 분할 예정 라인 (12A) 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 상에 분할의 기점이 되는 홈을 형성할 때에는, 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 상기한 일체화 공정에서 프레임 (F) 과 일체화된 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 측이 상방이 되도록 하여, 도 6(b) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (70') (일부만 나타낸다) 에 반송한다.When forming the groove which becomes a starting point of division on the surface 10a of the wafer 10 along the 1st dividing scheduled line 12A and the 2nd dividing scheduled line 12B, as shown to FIG. 6 (a). In the above integration process, the surface 10a side of the wafer 10 integrated with the frame F is upward, and is conveyed to the laser processing apparatus 70 '(shown in part) shown in FIG. 6 (b). .

레이저 가공 장치 (70') 는, 주지된 레이저 가공 장치로서, 상세한 것에 대해서는 생략하지만, 도시되지 않은 척 테이블, 집광기 (72') 를 포함하는 레이저 광선 조사 수단 등을 구비하고, 레이저 가공 장치 (70') 에 반송된 웨이퍼 (10) 는, 그 척 테이블에 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 이 상방이 되도록 재치되어 흡인 유지된다. 이어서, 도시되지 않은 촬상 수단을 구비한 얼라인먼트 수단에 의해, 그 레이저 광선 조사 수단의 집광기 (72') 에 의한 조사 위치와, 웨이퍼 (10) 의 가공 위치, 즉 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 위치 맞춤 (얼라인먼트 공정) 을 실시한다. 얼라인먼트 공정을 끝냈다면, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광선 (LB') 의 집광점을 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 상에 위치시켜, 집광기 (72') 와 웨이퍼 (10) 를 화살표 (X) 로 나타내는 방향으로 상대적으로 이동시키면서 레이저 광선 (LB') 을 조사하여 어블레이션 가공을 실시한다. 그 척 테이블을 적절히 이동시킴으로써, 분할의 기점이 되는 홈 (110) 을 제 1 분할 예정 라인 (12A) 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라 형성한다. 이상의 레이저 가공에 의해, 분할 기점 형성 공정이 완료된다.Although the laser processing apparatus 70 'is a well-known laser processing apparatus, it abbreviate | omits in detail, but is equipped with the chuck table (not shown), the laser beam irradiation means containing the condenser 72', etc., and the laser processing apparatus 70 The wafer 10 conveyed to ') is placed and sucked on the chuck table so that the surface 10a of the wafer 10 is upward. Subsequently, by the alignment means provided with the imaging means not shown, the irradiation position by the condenser 72 'of the laser beam irradiation means, the processing position of the wafer 10, that is, the first division scheduled line 12A, And position alignment (alignment process) of the second division scheduled line 12B. When the alignment process is completed, as shown to FIG. 6 (b), the light converging point of the laser beam LB 'is located on the surface 10a of the wafer 10, and the light condenser 72' and the wafer 10 Irradiation is performed by irradiating the laser beam LB 'while relatively moving in the direction indicated by the arrow X. FIG. By appropriately moving the chuck table, the groove 110 serving as the starting point of the division is formed along the first division scheduled line 12A and the second division scheduled line 12B. By the above laser processing, a division origin formation process is completed.

또한, 상기한 분할의 기점이 되는 홈 (110) 을 형성하는 레이저 가공 장치 (70') 의 레이저 가공 조건은, 예를 들어 이하와 같이 설정된다.In addition, the laser processing conditions of the laser processing apparatus 70 'which forms the groove 110 used as the starting point of the division are set as follows, for example.

레이저 광선의 파장 : 355 ㎚Wavelength of laser beam: 355 nm

반복 주파수 : 80 ㎑Repetition frequency: 80 ㎑

평균 출력 : 2.5 WAverage power: 2.5 W

가공 이송 속도 : 800 ㎜/초Machining feed rate: 800 mm / sec

본 발명의 분할 기점 형성 공정은, 상기한 레이저 가공 방법을 실시하는 것에 한정되지 않고, 다른 수단을 선택할 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼 (10) 에 대해 이면 (10b) 측으로부터 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼 (10) 의 내부에 위치시켜 조사하고, 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라 세공과 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어지는 실드 터널을 형성하여 분할의 기점으로 해도 된다.The division origin formation process of this invention is not limited to implementing said laser processing method, You can select another means. For example, the light-converging point of the laser beam having a transmittance with respect to the wafer 10 from the back surface 10b side is positioned inside the wafer 10 for irradiation, and the first division scheduled line 12A, It is good also as a starting point of division | segmentation by forming the shield tunnel which consists of the pore and the amorphous which encloses a pore along the dividing plan line 12B.

(분할 공정) (Division process)

상기한 바와 같이, 분할 기점 형성 공정을 실시하였다면, 분할 공정을 실시한다. 또한, 이하에 설명하는 분할 공정은, 상기한 분할 기점 형성 공정을 실시함으로써, 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라 웨이퍼 (10) 의 내부에 분할의 기점이 되는 개질층 (100) 을 형성한 후에 실시되는 것으로 하여 설명한다.As mentioned above, if a division origin formation process was implemented, a division process is performed. In addition, the division process described below performs the division origin forming process mentioned above, and the origin of division into the wafer 10 along the 1st division planned line 12A and the 2nd division planned line 12B is carried out. It demonstrates as what is implemented after forming the modified layer 100 to become.

본 실시예의 분할 공정은, 제 1 분할 예정 라인 (12A) 에 외력을 부여하여 제 1 분할 예정 라인을 분할하는 제 1 분할 공정과, 제 2 분할 예정 라인 (12B) 에 외력을 부여하여 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 분할하는 제 2 분할 공정으로 적어도 구성된다. 도 7 을 참조하면서, 분할 장치 (80) 를 사용하여 실시되는 분할 공정에 대해 설명한다.The dividing step of the present embodiment includes a first dividing step of dividing the first dividing scheduled line by applying an external force to the first dividing scheduled line 12A, and a second dividing by applying an external force to the second dividing scheduled line 12B. It is comprised at least by the 2nd division process which divides the predetermined line 12B. The dividing process performed using the dividing apparatus 80 is demonstrated, referring FIG.

도 7 에 나타내는 분할 장치 (80) 는, 적어도 가압날 (82), 1 쌍의 지지부 (83), 및 도시되지 않은 촬상 수단을 구비한다. 제 1 분할 공정을 실시할 때, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 하방을 향하여 1 쌍의 지지부 (83) 에 웨이퍼 (10) 를 재치한다. 그 촬상 수단은, 1 쌍의 지지부 (83) 에 재치된 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 측, 즉 하방측으로부터 웨이퍼 (10) 를 촬상하는 것이 가능하게 구성되어 있고, 그 촬상 수단에 의해 웨이퍼 (10) 의 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 촬상함으로써, 1 쌍의 지지부 (83) 사이, 또한 가압날 (82) 의 바로 아래에, 개질층 (100) 이 형성된 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 정확하게 위치시킨다. 1 쌍의 지지부 (83) 는, 일 방향 (도 7 에서 지면에 수직인 Y 방향) 으로 연장되어 있고, 평면에서 보아 그 일 방향을 따르도록 위치된 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 사이에 두도록 위치된다. 1 쌍의 지지부 (83) 의 상방에 위치되는 가압날 (82) 도, 1 쌍의 지지부 (83) 와 마찬가지로 그 일 방향으로 연장되어 있고, 도시되지 않은 가압 기구에 의해 화살표 (Z) 로 나타내는 상하 방향으로 움직이게 된다.The dividing apparatus 80 shown in FIG. 7 is equipped with the press blade 82, a pair of support part 83, and the imaging means not shown at least. At the time of performing a 1st division process, the wafer 10 is mounted on the pair of support parts 83 with the surface 10a of the wafer 10 facing downward. The imaging means is configured to be capable of imaging the wafer 10 from the surface 10a side, that is, the lower side, of the wafer 10 placed on the pair of support portions 83, and the imaging means By imaging the first division scheduled line 12A of (10), the first division scheduled line 12A having the modified layer 100 formed between the pair of support portions 83 and directly under the pressing blade 82. ) Correctly. The pair of supports 83 extend in one direction (the Y direction perpendicular to the ground in FIG. 7), so as to sandwich the first split scheduled line 12A positioned along the one direction in plan view. Is located. The presser blade 82 located above the pair of support portions 83 also extends in one direction similarly to the pair of support portions 83, and is indicated by an arrow Z not indicated by an arrow Z. Will move in the direction.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 가압날 (82) 을 웨이퍼 (10) 측에 화살표 (Z) 를 따라 하강시킴으로써, 개질층 (100) 을 분할 기점으로 하여, 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 따라 웨이퍼 (10) 를 분할하고, 분할선 (130) 을 형성한다. 이것에 계속하여, 화살표 (X) 로 나타내는 방향으로 가압날 (82), 및 1 쌍의 지지부 (83) 와 웨이퍼 (10) 를 상대적으로 이동시켜 가공 이송함으로써, 미분할된 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을, 가압날 (82) 의 바로 아래로 또한 1 쌍의 지지부 (83) 사이로 이동시켜, 동일한 분할 가공을 반복하고, 제 1 분할 예정 라인 (12A) 의 모두에 가압날 (82) 을 눌러대어 외력을 부여하여 분할선 (130) 을 형성한다. 그리고, 웨이퍼 (10) 를 90 도 회전시키고, 그 촬상 수단을 사용하여, 개질층 (100) 이 형성된 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 가압날 (82) 의 바로 아래로 또한 1 쌍의 지지부 (83) 사이에 정확하게 위치시켜, 상기 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 분할한 것과 동일한 공정에 의해 분할하여 분할선 (130) 을 형성한다. 이상에 의해, 웨이퍼 (10) 가, 개개의 디바이스 (14) 로 분할되고, 분할 공정이 완료된다. 또한, 상기한 분할 공정은, 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 을 따라 웨이퍼 (10) 의 내부에 분할의 기점이 되는 개질층 (100) 을 형성한 후에 실시되는 것으로 하여 설명했지만, 분할 기점 형성 공정에 있어서, 제 1 분할 예정 라인 (12A), 및 제 2 분할 예정 라인 (12B) 의 표면 (10a) 에 어블레이션에 의해 분할의 기점이 되는 홈 (110) 을 형성한 경우에도, 상기와 동일한 수단에 의해 분할할 수 있다.As shown in FIG. 7, by lowering the pressing blade 82 along the arrow Z on the wafer 10 side, the modified layer 100 is set as the starting point for dividing the wafer along the first division scheduled line 12A. (10) is divided and the dividing line 130 is formed. Subsequently, by first moving the pressing blade 82 and the pair of support portions 83 and the wafer 10 relative to each other in the direction indicated by the arrow X to process and transport them, the undivided first division scheduled line ( 12A is moved just below the press blade 82 and between a pair of support parts 83, the same division process is repeated, and the press blade 82 is pressed against all of the 1st division scheduled lines 12A. The dividing line 130 is formed by applying an external force. Then, the wafer 10 is rotated by 90 degrees, and using the imaging means, the pair of supporting portions (2B) of the second divided scheduled line 12B on which the modified layer 100 is formed is directly below the pressing blade 82. Positioned correctly between 83), the division line 130 is formed by dividing | segmenting by the process similar to the division | segmentation of the said 1st dividing predetermined line 12A. By the above, the wafer 10 is divided into individual devices 14, and the division process is completed. In addition, the said division process is performed after forming the modified layer 100 which becomes a starting point of a division in the inside of the wafer 10 along the 1st scheduled dividing line 12A, and the 2nd dividing scheduled line 12B. Although it demonstrated as mentioned above, in the division origin forming process, the groove 110 which becomes a starting point of division | segmentation by ablation to the surface 10a of the 1st division planned line 12A, and the 2nd division planned line 12B. In the case of forming a film, it can be divided by the same means as described above.

그 분할 공정이 완료되었다면, 웨이퍼 (10) 를 유지하는 프레임 (F) 과 함께, 픽업 공정에 반송하여, 개개의 디바이스 (14) 가 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 로부터 픽업되어, 본딩 공정에 반송되거나, 또는 수용 트레이 등에 수용되어, 후 공정에 반송된다.If the dividing process is completed, it is conveyed to the pick-up process with the frame F holding the wafer 10, and the individual devices 14 are picked up from the polyethylene terephthalate sheet 30 and conveyed to the bonding process or It is accommodated in a receiving tray etc. and conveyed to a post process.

상기한 본 실시예에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 웨이퍼 (10) 와, 프레임 (F) 과, 폴리에스테르계 시트 (폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30)) 를, 폴리에스테르계 시트 표면에 호제 등을 도포하여 형성되는 점착층에 의해 일체화하는 것이 아니라, 적어도 폴리에스테르계 시트를 가열하고 열압착시켜 웨이퍼 (10) 와 프레임 (F) 을 일체화한다. 이로써, 점착층을 갖는 다이싱 테이프의 경우와 같이, 분할된 영역 (분할선) 에 점착층의 일부가 비집고 들어가는 것에 의해 어긋남을 유발하는 등의 문제가 발생하지 않아, 제 1 분할 예정 라인 (12A) 을 분할한 후, 제 2 분할 예정 라인 (12B) 에 가압날 (82) 을 정밀하게 위치시킬 수 있어, 디바이스의 품질을 저하시키는 경우가 없다.According to the wafer processing method according to the present embodiment described above, the wafer 10, the frame F, and the polyester sheet (polyethylene terephthalate sheet 30) are applied to the surface of the polyester sheet. The wafer 10 and the frame F are integrally formed by heating and thermocompressing at least the polyester-based sheet, instead of integrating the adhesive layer formed by coating. Thereby, as in the case of the dicing tape which has an adhesion layer, the problem of causing a shift | offset | difference, etc. do not arise by a part of adhesion layer sticking into a divided area | region (dividing line), and it is 1st dividing line 12A ), The pressing blade 82 can be precisely positioned in the second division scheduled line 12B, and the quality of the device is not deteriorated.

또한, 본 발명에 의하면 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지의 변형예가 제공된다. 상기한 실시예에서는, 폴리에스테르계 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트 (30) 를 선택했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 폴리에스테르계 시트 중에서 적절히 선택할 수 있다. 다른 폴리에스테르계 시트로는, 예를 들어, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 시트여도 된다.Moreover, according to this invention, not only the said embodiment but a various modified example is provided. In the above Example, although the polyethylene terephthalate sheet 30 was selected as a polyester sheet, this invention is not limited to this, It can select suitably from a polyester sheet. As another polyester type sheet, a polyethylene naphthalate (PEN) sheet may be sufficient, for example.

상기한 실시예에서는, 일체화 공정에 있어서의 가열 온도를 융점 근방의 250 ∼ 270 ℃, 또는, 그 융점 근방의 온도에서 그 융점 근방의 온도보다 50 ℃ 정도 낮은 온도까지의 범위에서 설정했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 선택한 폴리에스테르계 시트의 종류에 따라 가열 온도를 조정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 폴리에스테르계 시트로서 폴리에틸렌나프탈레이트 시트를 선택한 경우에는, 가열 온도를 융점 근방의 160 ∼ 180 ℃, 또는 그 융점 근방의 온도에서 그 융점 근방의 온도보다 50 ℃ 정도 낮은 온도까지의 범위에서 설정하는 것이 바람직하다.In the above embodiment, the heating temperature in the integration step is set within a range from 250 to 270 ° C. near the melting point or from a temperature near the melting point to a temperature about 50 ° C. lower than the temperature near the melting point. Silver is not limited to this, and it is preferable to adjust heating temperature according to the kind of selected polyester sheet. For example, when a polyethylene naphthalate sheet is selected as a polyester sheet, the heating temperature ranges from 160-180 degreeC of melting | fusing point vicinity, or the temperature near the melting point to temperature 50 degree lower than the temperature of melting | fusing point vicinity. It is preferable to set at.

상기한 실시예에서는, 가공 대상물로 하는 웨이퍼를 실리콘 (Si) 기판으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 다른 소재, 예를 들어, 사파이어 (Al2O2) 기판, 탄화규소 (SiC) 기판, 유리 (SiO2) 기판으로 이루어지도록 구성해도 된다.In the above embodiment, the wafer to be processed is a silicon (Si) substrate, but the present invention is not limited to this, but other materials, for example, a sapphire (Al 2 O 2 ) substrate and silicon carbide (SiC) substrate, it may be configured to be composed of glass (SiO 2) substrate.

10 : 웨이퍼
12A : 제 1 분할 예정 라인
12B : 제 2 분할 예정 라인
14 : 디바이스
20 : 척 테이블
21 : 흡착 척
30 : 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트
40 : 열풍 분사 수단
50 : 가열 롤러 수단
52 : 가열 롤러
60 : 절단 수단
62 : 블레이드 커터
70, 70' : 레이저 가공 장치
72 : 집광기
80 : 분할 장치
82 : 가압날
83 : 1 쌍의 지지부
100 : 개질층
110 : 홈
130 : 분할선10: wafer
12A: first split scheduled line
12B: second split due line
14: device
20: chuck table
21: adsorption chuck
30: polyethylene terephthalate sheet
40: hot air blowing means
50: heating roller means
52: heating roller
60: cutting means
62: blade cutter
70, 70 ': laser processing device
72: condenser
80: split device
82: pressurized blade
83: 1 pair of supports
100: modified layer
110: home
130: dividing line

Claims (5)

복수의 디바이스가 제 1 방향에 형성된 제 1 분할 예정 라인과 그 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 형성된 제 2 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 프레임의 그 개구에 웨이퍼를 위치시켜 웨이퍼의 이면과 프레임의 외주에 폴리에스테르계 시트를 부설하는 폴리에스테르계 시트 부설 공정과,
폴리에스테르계 시트를 가열하고 열압착시켜 웨이퍼와 프레임을 폴리에스테르계 시트에 의해 일체화하는 일체화 공정과,
레이저 광선의 집광점을 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인에 위치시켜 조사하여 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 공정과,
제 1 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 1 분할 예정 라인을 분할하는 제 1 분할 공정과,
제 2 분할 예정 라인에 가압날을 위치시켜 외력을 부여하여 제 2 분할 예정 라인을 분할하는 제 2 분할 공정으로 적어도 구성되고,
그 제 1 분할 공정과 그 제 2 분할 공정에 의해 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는, 웨이퍼의 가공 방법.Processing of the wafer which divides the wafer formed in the surface into individual devices by dividing the wafer formed in the surface by the 1st dividing predetermined line formed in the 1st direction, and the 2nd dividing predetermined line formed in the 2nd direction crossing the 1st direction As a method,
A polyester sheet laying step of placing a wafer in the opening of the frame having the opening for accommodating the wafer and laying the polyester sheet on the back surface of the wafer and the outer periphery of the frame;
An integration process of integrating the wafer and the frame with the polyester sheet by heating and thermally compressing the polyester sheet;
A division origin forming step of forming a division origin by irradiating a light converging point of a laser beam on a first division scheduled line and a second division scheduled line to form a division origin;
A first dividing step of dividing the first dividing scheduled line by applying a force to the first dividing scheduled line by applying an external force;
At least a second dividing step of dividing the second dividing line by applying an external force by placing the press blade on the second dividing scheduled line,
A wafer processing method for dividing a wafer into individual devices by the first division step and the second division step. 제 1 항에 있어서,
그 분할 기점 형성 공정에 있어서 조사되는 레이저 광선의 파장은, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖고 있고, 그 레이저 광선의 집광점을, 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인의 내부에 위치시켜 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1,
The wavelength of the laser beam irradiated in the division starting point forming step has transparency to the wafer, and the starting point of division is made by placing the convergence point of the laser beam inside the first division scheduled line and the second division scheduled line. The wafer processing method which forms the modified layer which becomes this. 제 1 항에 있어서,
그 분할 기점 형성 공정에 있어서 조사되는 레이저 광선의 파장은, 웨이퍼에 대해 흡수성을 갖고 있고, 그 레이저 광선의 집광점을, 제 1 분할 예정 라인 및 제 2 분할 예정 라인의 상면에 위치시켜 어블레이션에 의해 분할의 기점이 되는 홈을 형성하는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1,
The wavelength of the laser beam irradiated in the division origin forming step has absorbency to the wafer, and the condensing point of the laser beam is placed on the upper surfaces of the first division line and the second division line to be ablation. The method of processing a wafer, which forms a groove that is a starting point of division. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 폴리에스테르계 시트는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트 중 어느 것에서 선택되는, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The polyester sheet is a wafer processing method selected from any one of a polyethylene terephthalate sheet and a polyethylene naphthalate sheet. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 웨이퍼는, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 탄화규소 기판, 유리 기판 중 어느 것으로 구성되는, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The wafer is a wafer processing method which consists of a silicon substrate, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, and a glass substrate.
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