KR20190118094A - Wafer Level Dispenser - Google Patents

Wafer Level Dispenser Download PDF

Info

Publication number
KR20190118094A
KR20190118094A KR1020180049892A KR20180049892A KR20190118094A KR 20190118094 A KR20190118094 A KR 20190118094A KR 1020180049892 A KR1020180049892 A KR 1020180049892A KR 20180049892 A KR20180049892 A KR 20180049892A KR 20190118094 A KR20190118094 A KR 20190118094A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
unit
pump
pump unit
wafer support
Prior art date
Application number
KR1020180049892A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102119940B1 (en
Inventor
홍승민
조희중
Original Assignee
주식회사 프로텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 프로텍 filed Critical 주식회사 프로텍
Priority to TW108111573A priority Critical patent/TWI702680B/en
Priority to CN201910274796.2A priority patent/CN110355016A/en
Priority to US16/378,528 priority patent/US10867818B2/en
Publication of KR20190118094A publication Critical patent/KR20190118094A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102119940B1 publication Critical patent/KR102119940B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

The present invention relates to a wafer level dispenser, and more specifically, to a wafer level dispenser, which has a function capable of applying a viscous solution by approaching with variable angles with respect to a semiconductor chip formed on a wafer. According to the present invention, the wafer level dispenser provides an advantage of being possible to dispensing the viscous solution on the wafer or the semiconductor chip mounted on the wafer by freely adjusting angle of a pump.

Description

웨이퍼 레벨 디스펜서{Wafer Level Dispenser}Wafer Level Dispenser

본 발명은 웨이퍼 레벨 디스펜서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩에 대해 다양한 각도로 접근하여 점성 용액을 도포할 수 있는 기능을 가지는 웨이퍼 레벨 디스펜서에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer level dispenser, and more particularly, to a wafer level dispenser having a function of applying a viscous solution by approaching at various angles to a semiconductor chip formed on a wafer.

기판에 실장된 반도체 칩의 측면에 점성 용액을 도포하여 기판에 반도체 칩 사이에 점성 용액이 채워지도록 하는 언더필 공정이 반도체 칩의 제조 공정에서 널리 사용되고 있다.Background Art An underfill process for applying a viscous solution to a side of a semiconductor chip mounted on a substrate to fill the substrate with a viscous solution is widely used in the manufacturing process of the semiconductor chip.

최근에는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩 위에 다른 반도체 칩을 다층으로 적층하여 하나의 시스템 반도체 칩을 구성하는 방법이 사용되고 있다. 이와 같이 연성회로기판(FPCB)와 같은 기판을 사용하지 않고 웨이퍼 위에 바로 반도체 칩을 다층으로 실장하는 방법을 사용함으로써 전체적인 반도체 소자의 크기와 두께를 줄일 수 있는 장점이 있다.Recently, a method of forming one system semiconductor chip by stacking different semiconductor chips on a semiconductor chip formed on a wafer in multiple layers has been used. As such, there is an advantage in that the size and thickness of the overall semiconductor device can be reduced by using a method of mounting a semiconductor chip in multiple layers directly on the wafer without using a substrate such as a flexible printed circuit board (FPCB).

이와 같이 웨이퍼 위에 반도체 칩을 실장하는 경우에도 웨이퍼와 반도체 칩 사이 및 상하로 인접하는 반도체 칩의 사이에 점성 용액을 채우는 언더필 공정은 필요하다.As described above, even when the semiconductor chip is mounted on the wafer, an underfill step of filling a viscous solution between the wafer and the semiconductor chip and between the vertically adjacent semiconductor chips is required.

반도체 칩이 실장된 기판에 언더필 공정을 수행하는 경우에 비해 웨이퍼에 언더필 공정을 수행하는 경우는 더욱 높은 정밀도와 정확도가 필요하다. 기판과 다른 구조와 특성을 가지는 웨이퍼를 효과적으로 지지하고 그에 대해 점성 용액을 도포할 수 있는 구조의 장치가 필요하게 되었다. 또한, 웨이퍼에 언더필 공정을 수행하는 경우에는 점성 용액이 도포되어 흐르는 영역을 제한하기 위해 댐(dam)을 형성하는 공정도 필요한 경우가 있는데 이와 같은 작업을 효과적으로 수행할 수 있는 기능도 필요하다.When the underfill process is performed on the wafer, higher precision and accuracy are required than when the underfill process is performed on the substrate on which the semiconductor chip is mounted. There is a need for a device having a structure capable of effectively supporting a wafer having a structure and characteristic different from that of a substrate and applying a viscous solution thereto. In addition, when the underfill process is performed on the wafer, a process of forming a dam may be necessary in order to limit an area in which the viscous solution is applied and flow, but a function capable of effectively performing such a task is also required.

또한, 웨이퍼 위에 형성되는 반도체 칩을 소형화하여 제작하기 위해서는 킵 아웃 존을 좁히는 것이 중요하다.In addition, in order to miniaturize and manufacture a semiconductor chip formed on a wafer, it is important to narrow the keep-out zone.

킵 아웃 존(KOZ; Keep Out Zone)은 언더필 공정 등을 수행하기 위해서, 반도체 칩에 전극이나 소자를 형성하는 영역 외곽에 여분으로 추가 형성하는 영역을 의미한다. 반도체 칩이 소형화되면서, 이와 같은 킵 아웃 존 역시 최소화하여야만 더욱 작은 크기의 반도체 칩을 설계 및 제작하는 것이 가능하다. 이와 같이 킵 아웃 존 면적을 줄이면, 반도체 칩의 크기를 소형화할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 칩 사이의 간격을 줄일 수 있어 같은 면적의 웨이퍼에 더 많은 반도체 칩을 제작할 수 있다.A keep out zone (KOZ) refers to a region in which an extra portion is additionally formed outside a region in which an electrode or an element is formed in a semiconductor chip in order to perform an underfill process or the like. As semiconductor chips become smaller, it is necessary to minimize such keep-out zones to design and manufacture smaller semiconductor chips. By reducing the keep-out zone area as described above, not only the size of the semiconductor chip can be reduced, but also the gap between the semiconductor chips can be reduced, so that more semiconductor chips can be manufactured on the wafer having the same area.

종래에는 언더 필 공정을 수행하기 위해 수직 상측에서 수직 방향으로 점성 용액을 디스펜싱하는 노즐이 반도체 칩에 대해 접근하여 언더필 용액을 디스펜싱하였다. 이와 같이 노즐이 수직 방향으로 접근하여 수직 방향으로(상하 방향으로) 점성 용액을 도포하는 경우 점성 용액에 의해 형성되는 액적(droplet)의 크기나 그 액적이 기판에 떨어져서 흐르는 면적 등을 고려하면 킵 아웃 존을 감소시키는 데에 한계가 있었다.Conventionally, a nozzle for dispensing a viscous solution from vertical to vertical in order to perform the underfill process approaches the semiconductor chip to dispense the underfill solution. As described above, when the nozzle approaches the vertical direction and applies the viscous solution in the vertical direction (up and down direction), it is kept out considering the size of the droplet formed by the viscous solution or the area in which the droplet flows off the substrate. There was a limit to reducing John.

이와 같이 킵 아웃 존을 감소시키고 결과적으로 반도체 칩의 크기를 감소시키기 위해서, 점성 용액의 종류, 노즐의 크기, 액적의 크기 또는 점성 용액의 토출 방법을 변경하는 것 이외의 다른 방법으로 언더필 공정이나 점성 수지에 의한 댐 형성 공정의 수행을 위한 킵 아웃 존을 줄일 수 있는 기능을 가진 웨이퍼 레벨 디스펜서가 필요하게 되었다.In order to reduce the keep-out zone and consequently reduce the size of the semiconductor chip, the underfill process or viscosity may be changed by any method other than changing the type of the viscous solution, the size of the nozzle, the size of the droplet, or the discharge method of the viscous solution. There is a need for a wafer level dispenser with the ability to reduce the keep out zone for performing dam formation processes with resins.

본 발명은 상술한 바와 같은 필요성을 충족하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 칩이 형성된 웨이퍼 또는 그 웨이퍼에 적층된 반도체 칩에 다양한 각도로 점성 용액을 도포할 수 있는 웨이퍼 레벨 디스펜서를 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of Invention The present invention has been made to meet the above-mentioned necessity, and an object thereof is to provide a wafer level dispenser capable of applying a viscous solution at various angles to a wafer on which a semiconductor chip is formed or a semiconductor chip stacked on the wafer. .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는, 점성 용액을 디스펜싱하는 펌프 유닛; 상기 펌프 유닛에 의해 디스펜싱되는 점성 용액의 토출 방향의 각도를 조절하도록 상기 펌프 유닛에 결합되어 상기 펌프 유닛을 수평 방향 중심축에 대해 회전시키는 틸트 유닛; 상기 틸트 유닛에 결합되어 상기 틸트 유닛을 이송하는 펌프 이송 유닛; 상기 펌프 유닛의 하측에 배치되고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유닛; 및 상기 웨이퍼 지지 유닛에 의해 지지되는 웨이퍼의 방향을 조절하도록 상기 웨이퍼 지지 유닛을 회전시키는 웨이퍼 회전 유닛;을 포함하는 점에 특징이 있다.Wafer level dispenser according to the present invention for achieving the above object, the pump unit for dispensing a viscous solution; A tilt unit coupled to the pump unit to adjust the angle of the discharge direction of the viscous solution dispensed by the pump unit to rotate the pump unit about a horizontal central axis; A pump transfer unit coupled to the tilt unit to transfer the tilt unit; A wafer support unit disposed below the pump unit and supporting a wafer; And a wafer rotating unit for rotating the wafer support unit to adjust a direction of the wafer supported by the wafer support unit.

본 발명에 의한 웨이퍼 레벨 디스펜서는, 펌프의 각도를 자유롭게 조절하여 웨이퍼 또는 그 웨이퍼 위에 실장된 반도체 칩에 점성 용액을 디스펜싱할 수 있는 효과가 있다.The wafer level dispenser according to the present invention has the effect of dispensing a viscous solution on a wafer or a semiconductor chip mounted on the wafer by freely adjusting the angle of the pump.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서에 웨이퍼를 로드한 상태의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 정면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 측면도이다.
도 5는 도 1 내지 도 4에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 펌프 유닛의 단면도이다.1 is a plan view of a wafer level dispenser according to one embodiment of the invention.
FIG. 2 is a plan view of a state in which a wafer is loaded in the wafer level dispenser shown in FIG. 1.
3 is a front view of the wafer level dispenser shown in FIG. 2.
4 is a side view of the wafer level dispenser shown in FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of the pump unit of the wafer level dispenser shown in FIGS.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서에 대해 설명한다.Hereinafter, a wafer level dispenser according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서에 웨이퍼(S)를 로드한 상태의 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 정면도이고, 도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 측면도이다.1 is a plan view of a wafer level dispenser according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a state in which a wafer S is loaded in the wafer level dispenser shown in FIG. 1, and FIG. 3 is shown in FIG. 2. 4 is a front view of the wafer level dispenser, and FIG. 4 is a side view of the wafer level dispenser shown in FIG.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는 틸트 유닛(200)과 전후진 유닛(300)과 펌프 이송 유닛(400)과 웨이퍼 지지 유닛(500)과 웨이퍼 가압 유닛(530)과 웨이퍼 이송 유닛(600)과 웨이퍼 회전 유닛(700)과 펌프 유닛(100)을 포함하여 이루어진다.1 to 4, the wafer level dispenser according to the present embodiment includes a tilt unit 200, a forward and backward unit 300, a pump transfer unit 400, a wafer support unit 500, and a wafer pressurization unit 530. ), A wafer transfer unit 600, a wafer rotation unit 700, and a pump unit 100.

펌프 유닛(100)은 점성 용액을 노즐(160)을 통해 토출할 수 있도록 구성된다.The pump unit 100 is configured to discharge the viscous solution through the nozzle 160.

펌프 유닛(100)은 틸트 유닛(200)에 설치된다. 틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)을 회전시킨다. 틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)을 수평 방향 중심축에 대해 회전시킨다.도 1 및 도 2를 기준으로 틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)을 X 방향 회전축을 중심으로 회전시킨다. 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)을 회전시키면 펌프 유닛(100)의 노즐(160)의 방향이 변하게 된다. 이와 같이 펌프 유닛(100)의 노즐(160)의 방향이 Z 방향의 수직축에 대해 기울어지도록 펌프 유닛(100)을 회전시키는 것을 이하에서 '틸트'라고 정의한다. The pump unit 100 is installed in the tilt unit 200. The tilt unit 200 rotates the pump unit 100. The tilt unit 200 rotates the pump unit 100 about the horizontal axis in the horizontal direction. Referring to FIGS. 1 and 2, the tilt unit 200 rotates the pump unit 100 about the X direction rotation axis. When the tilt unit 200 rotates the pump unit 100, the direction of the nozzle 160 of the pump unit 100 is changed. As such, the rotation of the pump unit 100 such that the direction of the nozzle 160 of the pump unit 100 is inclined with respect to the vertical axis in the Z direction is defined as 'tilt' below.

도 4를 참조하면, 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)과 틸트 유닛(200) 사이에 설치된다. 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)을 전후진시킨다. 전후진 유닛(300)이 펌프 유닛(100)을 전후진시키는 방향은 펌프 유닛(100)의 노즐(160)의 방향과 동일하다. 즉, 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)의 노즐(160)을 통해 점성 용액이 토출되는 방향으로 펌프 유닛(100)을 전진시키거나 후퇴시킨다.Referring to FIG. 4, the forward and backward units 300 are installed between the pump unit 100 and the tilt unit 200. The forward and backward unit 300 advances the pump unit 100 forward and backward. The direction in which the forward and backward unit 300 moves forward and backward in the pump unit 100 is the same as the direction of the nozzle 160 of the pump unit 100. That is, the forward and backward unit 300 advances or retracts the pump unit 100 in the direction in which the viscous solution is discharged through the nozzle 160 of the pump unit 100.

펌프 이송 유닛(400)은 틸트 유닛(200)에 결합된다. 펌프 이송 유닛(400)은 틸트 유닛(200)을 이송한다. 본 실시예의 경우, 펌프 이송 유닛(400)은 수평 방향과 상하 방향으로 틸트 유닛(200)을 이송한다. 여기서 수평 방향은 도 1 및 도 2에 도시된 Y 방향이고, 상하 방향은 도 3 및 도 4에 도시된 Z 방향을 의미한다.The pump transfer unit 400 is coupled to the tilt unit 200. The pump transfer unit 400 transfers the tilt unit 200. In the present embodiment, the pump transfer unit 400 transfers the tilt unit 200 in the horizontal direction and the vertical direction. Here, the horizontal direction is the Y direction shown in FIGS. 1 and 2, and the vertical direction means the Z direction shown in FIGS. 3 and 4.

웨이퍼 지지 유닛(500)은 펌프 유닛(100)의 하측에 배치된다. 웨이퍼 지지 유닛(500)은 펌프 유닛(100)에 의해 점성 용액을 디스펜싱할 웨이퍼(S)가 거치되어 고정되는 구성이다. 도 1에 도시된 것과 같이, 웨이퍼 지지 유닛(500)은 링 프레임(510)과 복수의 웨이퍼 지지 부재(520)와 복수의 승강 부재를 포함한다. 링 프레임(510)은 링 형태로 구성된 프레임이다. 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 링 프레임(510)의 일부는 개방되어 고리 형태로 형성된다. 링 프레임(510)의 개방된 부분을 통해서 웨이퍼 운송 장치가 링 프레임(510) 내부로 진입하여 링 프레임(510)에 웨이퍼(S)를 전달하게 된다. The wafer support unit 500 is disposed below the pump unit 100. The wafer support unit 500 is a configuration in which the wafer S to dispense the viscous solution is mounted and fixed by the pump unit 100. As shown in FIG. 1, the wafer support unit 500 includes a ring frame 510, a plurality of wafer support members 520, and a plurality of lifting members. The ring frame 510 is a frame configured in a ring shape. As shown in FIGS. 1 and 2, a portion of the ring frame 510 is opened to form a ring shape. The wafer transport apparatus enters the ring frame 510 through the open portion of the ring frame 510 to transfer the wafer S to the ring frame 510.

복수의 웨이퍼 지지 부재(520)는 링 프레임(510)의 원주 방향을 따라 배열된다. 도 1에 도시된 것과 같이, 복수의 웨이퍼 지지 부재(520)는 원반 형태의 웨이퍼(S) 가장 자리를 지지할 수 있는 위치에서 링 프레임(510)에 설치된다. 승강 부재는 각각 링 프레임(510)에 설치되어 웨이퍼 지지 부재(520)를 링 프레임(510)에 대해 승강시킨다. 각각의 웨이퍼 지지 부재(520)는 웨이퍼(S)의 가장 자리 하면을 흡착할 수 있도록 진공 흡착 구멍을 구비한다. The plurality of wafer support members 520 are arranged along the circumferential direction of the ring frame 510. As shown in FIG. 1, the plurality of wafer support members 520 are installed in the ring frame 510 at a position capable of supporting an edge of the disc S in a disk shape. The lifting members are respectively provided in the ring frame 510 to elevate the wafer support member 520 relative to the ring frame 510. Each wafer support member 520 is provided with a vacuum suction hole to adsorb the lower surface of the edge of the wafer (S).

히팅 블록(540)은 링 프레임(510)에 거치되는 웨이퍼(S)의 하면에 접촉하도록 배치된다. 본 실시예의 경우 도 1에 도시된 것과 같이 링 프레임(510) 내부에 히팅 블록(540)이 배치된다. 히팅 블록(540)에는 흡착 구멍이 형성되어, 웨이퍼(S) 하면을 흡착 고정할 수 있도록 구성된다. 히팅 블록(540)은 내부에 배치된 열선에 의해 온도가 조절될 수 있도록 구성된다. 웨이퍼(S)가 링 프레임(510)에 거치된 상태로 히팅 블록(540)에 의해 그 하면이 지지되면, 히팅 블록(540)에 의해 웨이퍼(S)의 온도는 미리 설정된 온도로 일정하게 유지된다. The heating block 540 is disposed to contact the bottom surface of the wafer S mounted on the ring frame 510. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the heating block 540 is disposed in the ring frame 510. Suction holes are formed in the heating block 540, and the suction block 540 is configured to be able to suck and fix the lower surface of the wafer S. The heating block 540 is configured such that the temperature can be adjusted by a heating wire disposed therein. When the lower surface is supported by the heating block 540 while the wafer S is mounted on the ring frame 510, the temperature of the wafer S is maintained at a predetermined temperature by the heating block 540. .

웨이퍼 가압 유닛(530)은 웨이퍼 지지 유닛(500)에 지지된 웨이퍼(S)를 가압한다. 웨이퍼 가압 유닛(530)은 복수의 가압 부재(531)와 복수의 가압 작동 부재(532)를 포함한다. 복수의 가압 부재(531)는 링 프레임(510)의 원주 방향을 따라 배열된다. 웨이퍼(S)를 고르게 가압하기 위해 복수의 가압 부재(531)는 링 프레임(510)의 원주 방향을 따라 동일 각도 간격으로 배열된다. 본 실시예의 경우 도 1 및 도 2에 도시한 것과 같이 3개의 가압 부재(531)를 구비한다. 가압 작동 부재(532)도 가압 부재(531)와 동일한 수로 3개가 마련된다. 가압 작동 부재(532)는 가압 부재(531)를 각각 링 프레임(510)에 대해 반경 방향으로 이송하고 승강시킨다. 가압 작동 부재(532)는 링 프레임(510)과 히팅 블록(540)에 거치된 웨이퍼(S)의 가장 자리를 가압 부재(531)로 각각 가압하여 웨이퍼(S)가 휘어지는 것을 방지한다. 즉, 도 2에 도시된 것과 같이 가압 작동 부재(532)가 가압 부재(531)를 각각 링 프레임(510)의 중심 방향으로 수평 이송한 후에 수직 방향으로 하강시키면 웨이퍼(S)의 가장자리를 누르게 된다. 반대로 웨이퍼(S)를 배출할 때는, 도 1에 도시된 것과 같이 가압 작동 부재(532)는 가압 부재(531)를 상승시킨 후 링 프레임(510)의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 후퇴시켜 웨이퍼(S)에 대한 가압을 해제한다.The wafer pressurizing unit 530 pressurizes the wafer S supported by the wafer support unit 500. The wafer pressing unit 530 includes a plurality of pressing members 531 and a plurality of pressing operation members 532. The plurality of pressing members 531 are arranged along the circumferential direction of the ring frame 510. In order to pressurize the wafer S evenly, the plurality of pressing members 531 are arranged at equal angular intervals along the circumferential direction of the ring frame 510. In the present embodiment, as shown in Figs. 1 and 2, three pressing members 531 are provided. Three pressurizing actuation members 532 are provided in the same number as pressurizing members 531. The pressurizing actuating member 532 transfers and lifts the pressurizing member 531 radially with respect to the ring frame 510, respectively. The pressing operation member 532 presses the edges of the wafer S mounted on the ring frame 510 and the heating block 540 with the pressing member 531 to prevent the wafer S from bending. That is, as shown in FIG. 2, when the pressing operation member 532 horizontally transfers the pressing members 531 in the center direction of the ring frame 510, and then lowers them in the vertical direction, the edges of the wafer S are pressed. . On the contrary, when discharging the wafer S, as shown in FIG. 1, the pressing operation member 532 raises the pressing member 531 and then retreats in a direction away from the center of the ring frame 510 to allow the wafer S to be discharged. Release the pressurization on.

웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼 지지 유닛(500)을 수평 방향 직선 경로로 전후진시킨다. 본 실시예의 경우 웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼 지지 유닛(500)을 도 1 및 도 2에 도시된 X 방향으로 이송한다. 즉, 앞에서 설명한 펌프 이송 유닛(400)은 펌프 유닛(100)을 Y 방향으로 이송하고, 웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼 지지 유닛(500)을 펌프 유닛(100)의 이송 방향에 직교하는 X 방향으로 이송한다. 이와 같은 펌프 이송 유닛(400)과 웨이퍼 이송 유닛(600)의 상호 작용에 의해 펌프 유닛(100)은 웨이퍼(S)의 임의의 위치에 대해 점성 용액을 디스펜싱하는 것이 가능하다.The wafer transfer unit 600 moves the wafer support unit 500 back and forth in a horizontal straight path. In the present embodiment, the wafer transfer unit 600 transfers the wafer support unit 500 in the X direction shown in FIGS. 1 and 2. That is, the pump transfer unit 400 described above transfers the pump unit 100 in the Y direction, and the wafer transfer unit 600 moves the wafer support unit 500 in the X direction perpendicular to the transfer direction of the pump unit 100. Transfer to. By the interaction of the pump transfer unit 400 and the wafer transfer unit 600 as described above, the pump unit 100 can dispense the viscous solution for any position of the wafer S.

웨이퍼 회전 유닛(700)은 웨이퍼 지지 유닛(500)과 웨이퍼 가압 유닛(530)을 함께 회전시킨다. 웨이퍼 회전 유닛(700)이 웨이퍼 지지 유닛(500)을 회전시키면 웨이퍼 지지 유닛(500)에 거치된 웨이퍼(S)의 방향이 조정된다.The wafer rotation unit 700 rotates the wafer support unit 500 and the wafer pressing unit 530 together. When the wafer rotation unit 700 rotates the wafer support unit 500, the direction of the wafer S mounted on the wafer support unit 500 is adjusted.

본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 경우 펌프 유닛(100)은 압전 액튜에이터를 이용하여 점성 용액을 디스펜싱하는 압전 펌프로 구성된다. In the case of the wafer level dispenser according to the present embodiment, the pump unit 100 includes a piezoelectric pump for dispensing a viscous solution using a piezoelectric actuator.

펌프 유닛(100)은 도 5에 도시된 것과 같이 두 개의 압전 액튜에이터와(제1압전 액튜에이터(110) 및 제2압전 액튜에이터(120)), 레버(130)와, 밸브 로드(140)와, 저장부(150)와, 노즐(160)로 구성된다.The pump unit 100 includes two piezoelectric actuators (the first piezoelectric actuator 110 and the second piezoelectric actuator 120), the lever 130, the valve rod 140, and storage as shown in FIG. 5. The part 150 and the nozzle 160 are comprised.

제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)는 인가되는 전압에 따라 길이가 변화하는 압전 소자로 구성된다. 본 실시예에서는 다수의 압전 소자를 적층하여 구성되는 멀티 스택(multi stack) 타입의 압전 액튜에이터(110, 120)를 사용한다. 제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)는 서로 나란하게 배치된다. 레버(130)는 그 회전축이 제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120) 사이에 놓이도록 배치된다. 레버(130)는 두 개의 압전 액튜에이터(110, 120)에 접촉하도록 구성되어, 압전 액튜에이터(110, 120)의 길이 변화에 따라 회전한다. 밸브 로드(140)는 레버(130)에 연결되어 레버(130)의 회전에 따라 전후진한다. 저장부(150)는 점성 용액을 저장한다. 저장부(150)에는 밸브 로드(140)가 삽입된다. 노즐(160)은 저장부(150)에 연결된다. 저장부(150)에 저장된 점성 용액은 밸브 로드(140)의 움직임에 따라 노즐(160)을 통해 토출된다. The first piezoelectric actuator 110 and the second piezoelectric actuator 120 are composed of a piezoelectric element whose length varies according to an applied voltage. In this embodiment, a multi-stack type piezoelectric actuator 110 or 120 configured by stacking a plurality of piezoelectric elements is used. The first piezoelectric actuator 110 and the second piezoelectric actuator 120 are arranged parallel to each other. The lever 130 is disposed such that its axis of rotation lies between the first piezoelectric actuator 110 and the second piezoelectric actuator 120. The lever 130 is configured to contact the two piezoelectric actuators 110 and 120, and rotates according to the change in the length of the piezoelectric actuators 110 and 120. The valve rod 140 is connected to the lever 130 and moves back and forth according to the rotation of the lever 130. The storage unit 150 stores the viscous solution. The valve rod 140 is inserted into the storage unit 150. The nozzle 160 is connected to the reservoir 150. The viscous solution stored in the storage 150 is discharged through the nozzle 160 as the valve rod 140 moves.

먼저, 도 5를 참조하여 펌프 유닛(100)이 점성 용액을 디스펜싱하는 과정에 대해 설명한다. First, a process of dispensing a viscous solution by the pump unit 100 will be described with reference to FIG. 5.

제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)에 전압이 교대로 인가된다. 제1압전 액튜에이터(110)에 전압이 인가되면 제1압전 액튜에이터(110)의 길이가 늘어난다. 제1압전 액튜에이터(110)의 길이가 늘어나면, 제1압전 액튜에이터(110)와 접촉한 레버(130)가 도 5를 기준으로 반시계 방향으로 회전한다. 반대로 제2압전 액튜에이터(120)에 전압이 인가되면 제2압전 액튜에이터(120)의 길이가 늘어난다. 제2압전 액튜에이터(120)의 길이가 늘어나면, 제2압전 액튜에이터(120)와 접촉한 레버(130)가 도 5를 기준으로 시계 방향으로 회전한다. Voltages are alternately applied to the first piezoelectric actuator 110 and the second piezoelectric actuator 120. When a voltage is applied to the first piezoelectric actuator 110, the length of the first piezoelectric actuator 110 is increased. When the length of the first piezoelectric actuator 110 is increased, the lever 130 in contact with the first piezoelectric actuator 110 rotates in a counterclockwise direction with reference to FIG. 5. On the contrary, when a voltage is applied to the second piezoelectric actuator 120, the length of the second piezoelectric actuator 120 increases. When the length of the second piezoelectric actuator 120 is increased, the lever 130 in contact with the second piezoelectric actuator 120 rotates in a clockwise direction with reference to FIG. 5.

이렇게 제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)에 전압이 교대로 인가되면, 레버(130)는 반시계 방향 또는 시계 방향으로 회전한다. 레버(130)의 회전에 따라 밸브 로드(140)가 저장부(150)에 대해 전후진한다. 레버(130)가 반시계 방향으로 회전하면, 도 5를 기준으로 밸브 로드(140)는 후진한다. 레버(130)가 시계 방향으로 회전하면, 도 5를 기준으로 밸브 로드(140)는 전진한다. 상술한 바와 같이 밸브 로드(140)는 저장부(150)에 삽입되어 전후진한다. 밸브 로드(140)의 전후진 스크토크는 저장부(150)에 저장된 점성 용액에 전달된다. 이 스트로크로 인해 저장부(150)에 저장된 점성 용액이 저장부(150)에 연결된 노즐(160)을 통해 펌프 유닛(100) 외부로 토출된다.When the voltage is alternately applied to the first piezoelectric actuator 110 and the second piezoelectric actuator 120, the lever 130 rotates in the counterclockwise or clockwise direction. As the lever 130 rotates, the valve rod 140 moves forward and backward with respect to the storage 150. When the lever 130 rotates in the counterclockwise direction, the valve rod 140 moves backward based on FIG. 5. When the lever 130 rotates in the clockwise direction, the valve rod 140 moves forward based on FIG. 5. As described above, the valve rod 140 is inserted into the storage 150 to move forward and backward. The forward and backward sctorks of the valve rod 140 are transmitted to the viscous solution stored in the reservoir 150. Due to this stroke, the viscous solution stored in the reservoir 150 is discharged to the outside of the pump unit 100 through the nozzle 160 connected to the reservoir 150.

다음으로, 펌프 유닛(100)의 위치 및 각도가 조절되는 과정에 대해 설명한다. Next, the process of adjusting the position and angle of the pump unit 100 will be described.

틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)과 전후진 유닛(300)을 함께 틸트시킨다. 상술한 바와 같이 틸트 유닛(200)은 도 1 및 도 2를 기준으로 X 방향 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 틸트시킨다. 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)을 틸트시키면, 도 3에 도시된 것과 같이 펌프 유닛(100)에 의해 디스펜싱되는 점성 용액이 토출되는 방향의 각도가 조절된다.The tilt unit 200 tilts the pump unit 100 and the forward and backward units 300 together. As described above, the tilt unit 200 tilts the pump unit 100 around the X-axis rotation axis based on FIGS. 1 and 2. When the tilt unit 200 tilts the pump unit 100, as shown in FIG. 3, the angle in the direction in which the viscous solution dispensed by the pump unit 100 is discharged is adjusted.

본 실시예와 같이 펌프 유닛(100)에 압전 액튜에이터(110, 120)를 사용하는 경우, 펌프 유닛(100)은 레버(130)의 구성을 필요로 하게 된다. 비교적 작은 작동 변위를 가지는 압전 액튜에이터(110, 120)의 변위를 확대하여 밸브 로드(140)을 전후진시켜야 하므로, 밸브 로드(140) 및 노즐(160)은 레버(130)의 회전 중심으로부터 압전 액튜에이터(110, 120)보다 멀리 배치된다. 이로 인해 압전 액튜에이터(110, 120)를 사용하는 펌프 유닛(100)의 노즐(160)은 한쪽으로 치우친 위치에 배치된다. 본 실시예의 웨이퍼 레벨 디스펜서의 경우 이와 같은 압전 펌프 형태의 펌프 유닛(100)의 구조를 고려하여, 틸트 유닛(200)은 압전 액튜에이터(110, 120)의 배열 방향 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 회전시킨다. 여기서 압전 액튜에이터(110, 120)의 배열 방향은 레버(130)의 연장 방향과 유사한 방향이다. 레버(130)는 압전 액튜에이터(110, 120)의 작동에 따라 그 연장 방향이 고정되지 않고 변하게 되지만, 레버(130)의 연장 방향은 본 실시예에서 두 개의 압전 액튜에이터(110, 120)가 배열되는 방향과 대략적으로 일치한다. 이와 같이 설정된 방향으로 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)을 회전시키면 펌프 유닛(100)은 주변 구성 및 반도체 칩(C)에 크게 간섭되지 않으면 노즐(160)의 방향을 조절하는 것이 가능하다. 만약, 틸트 유닛(200)이 앞에서 설명한 것과 다른 방향의 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 회전시키면 펌프 유닛(100) 하부의 노즐(160) 이외의 다른 구성이 반도체 칩(C)에 충돌하거나 다른 주위 구성에 간섭될 수 있다.When the piezoelectric actuators 110 and 120 are used in the pump unit 100 as in the present embodiment, the pump unit 100 requires the configuration of the lever 130. Since the displacement of the piezoelectric actuators 110 and 120 having a relatively small operating displacement must be enlarged and moved forward and backward, the valve rod 140 and the nozzle 160 are connected to the piezoelectric actuator from the center of rotation of the lever 130. Disposed farther than (110, 120). For this reason, the nozzle 160 of the pump unit 100 which uses the piezoelectric actuators 110 and 120 is arrange | positioned at one side. In the case of the wafer level dispenser of the present embodiment, in consideration of the structure of the pump unit 100 in the form of a piezoelectric pump, the tilt unit 200 includes the pump unit 100 around the axis of rotation of the piezoelectric actuators 110 and 120. Rotate Here, the arrangement direction of the piezoelectric actuators 110 and 120 is a direction similar to the extending direction of the lever 130. The lever 130 is not fixed in its extension direction according to the operation of the piezoelectric actuators 110 and 120, but the extension direction of the lever 130 is two piezoelectric actuators 110 and 120 in this embodiment. Roughly coincident with the direction. When the tilt unit 200 rotates the pump unit 100 in the set direction as described above, the pump unit 100 may adjust the direction of the nozzle 160 if it does not significantly interfere with the peripheral configuration and the semiconductor chip C. . If the tilt unit 200 rotates the pump unit 100 about the rotation axis in a direction different from that described above, a configuration other than the nozzle 160 under the pump unit 100 may collide with the semiconductor chip C. It may interfere with other surrounding configurations.

전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)을 점성 용액이 토출되는 방향으로 전후진시킨다. 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)과 전후진 유닛(300)을 함께 틸트시키기 때문에, 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)이 틸트된 상태에서 기울어진 상태로 펌프 유닛(100)을 전후진시킨다. The forward and backward unit 300 advances the pump unit 100 back and forth in the direction in which the viscous solution is discharged. Since the tilt unit 200 tilts the pump unit 100 and the forward / backward unit 300 together, the forward / backward unit 300 is inclined while the pump unit 100 is tilted, and thus the pump unit 100 is tilted. Forward and backward.

이하에서는 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 작동에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the wafer level dispenser according to the present embodiment will be described.

먼저, 웨이퍼 지지 유닛(500)의 복수의 승강 부재가 링 프레임(510)에 대해 웨이퍼 지지 부재(520)를 상승시킨다. 승강 부재가 웨이퍼 지지 부재(520)를 링 프레임(510)에 대해 상승시켜 웨이퍼(S) 로드를 준비함으로써, 웨이퍼(S)가 로드되는 작업이 원활하게 수행될 수 있는 공간이 확보된다. First, the plurality of lifting members of the wafer support unit 500 raise the wafer support member 520 relative to the ring frame 510. As the elevating member raises the wafer supporting member 520 relative to the ring frame 510 to prepare the wafer S load, a space in which the wafer S is loaded can be smoothly performed.

다음으로, 공지된 다양한 웨이퍼 운송 장치를 이용하여 웨이퍼(S)를 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)에 전달한다. 앞에서 설명한 링 프레임(510)의 개방된 부분으로 웨이퍼 운송 장치가 링 프레임(510) 내부로 진입하여 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)들 위에 웨이퍼(S)를 올려 놓는다. 웨이퍼 지지 부재(520)는 흡착 구멍을 통해 웨이퍼(S)의 하면을 흡착하여 지지한다. 이와 같이 웨이퍼(S)가 로드되면, 승강 부재가 웨이퍼 지지 부재(520)를 하강시켜 웨이퍼(S)를 링 프레임(510) 위에 올려 놓는다. Next, the wafer S is transferred to the wafer support member 520 of the wafer support unit 500 using various known wafer transport apparatuses. The wafer transport apparatus enters the ring frame 510 into the open portion of the ring frame 510 described above and places the wafer S on the wafer support members 520 of the wafer support unit 500. The wafer support member 520 sucks and supports the lower surface of the wafer S through the suction holes. When the wafer S is loaded in this manner, the lifting member lowers the wafer support member 520 and places the wafer S on the ring frame 510.

웨이퍼 지지 부재(520)가 하강하면, 링 프레임(510) 내부에 배치된 히팅 블록(540)과 웨이퍼(S)의 하면이 접촉한다. 점성 용액을 디스펜싱하는 공정에 있어서, 웨이퍼(S)의 온도를 일정하게 유지시키는 것은 매우 중요하다. 웨이퍼(S)의 온도가 일정하게 유지되지 않으면 디스펜싱되는 점성 용액의 점도나 물성이 변화하여 불량이 발생할 수 있다. 웨이퍼(S)의 하면과 접촉된 히팅 블록(540)은 웨이퍼(S)에 열을 공급한다. 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 히팅 블록(540)은 디스펜싱 공정이 수행되는 동안 웨이퍼(S)의 온도를 일정하게 유지시켜 상술한 문제가 발생하지 않게 한다. 또한, 히팅 블록(540)은 흡착 구멍을 통해 웨이퍼(S)의 하면을 흡착한다. 이로 인해 웨이퍼(S)는 웨이퍼 지지 유닛(500)에 안정적으로 고정될 수 있다. When the wafer support member 520 is lowered, the heating block 540 disposed inside the ring frame 510 and the lower surface of the wafer S come into contact with each other. In the process of dispensing a viscous solution, it is very important to keep the temperature of the wafer S constant. If the temperature of the wafer S is not kept constant, defects may occur due to changes in viscosity or physical properties of the viscous solution dispensed. The heating block 540 in contact with the lower surface of the wafer S supplies heat to the wafer S. The heating block 540 of the wafer level dispenser according to the present embodiment maintains the temperature of the wafer S constant while the dispensing process is performed so that the above-described problem does not occur. In addition, the heating block 540 sucks the lower surface of the wafer S through the suction hole. As a result, the wafer S may be stably fixed to the wafer support unit 500.

웨이퍼 지지 부재(520)의 하강이 완료되면, 웨이퍼 가압 유닛(530)이 웨이퍼(S)를 히팅 블록(540)에 대해 가압한다. 상술한 바와 같이, 가압 작동 부재(532)는 각각 가압 부재(531)를 웨이퍼(S)의 반경 방향으로 이송하여 웨이퍼(S)의 가장 자리로 근접시킨다. 다음으로, 가압 작동 부재(532)는 각각 가압 부재(531)를 웨이퍼(S) 쪽으로 하강시킨다. 웨이퍼(S) 하면은 웨이퍼 지지 부재(520)와 히팅 블록(540)에 의해 지지되므로, 가압 부재(531)는 웨이퍼 지지 부재(520)와 히팅 블록(540)에 대해 웨이퍼(S)를 가압하게 된다. 웨이퍼(S)에는 다수의 반도체 칩(C)이 형성되어 있고 본 실시예에서 사용하는 웨이퍼(S)의 경우에는 웨이퍼(S) 위에 다수의 반도체 칩(C)이 적층되어 실장된 상태이다. 이와 같은 구조로 인해 웨이퍼(S)에 열이 가해지면 웨이퍼(S)는 열변형에 의해 휘어지기 쉽다. 이때, 본 실시예와 같이 가압 부재(531)와 가압 작동 부재(532)에 의해 웨이퍼(S)의 가장자리를 히팅 블록(540)에 대해 눌러줌으로써, 웨이퍼(S)의 열변형에 의한 휘어짐을 방지할 수 있다. 이와 같이 웨이퍼(S)의 변형을 방지하면, 웨이퍼(S) 및 그 웨이퍼(S) 위에 실장된 반도체 칩(C)에 점성 용액을 디스펜싱하는 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. When the lowering of the wafer support member 520 is completed, the wafer pressing unit 530 presses the wafer S against the heating block 540. As described above, the pressing operation member 532 respectively transfers the pressing member 531 in the radial direction of the wafer S to approach the edge of the wafer S. As shown in FIG. Next, the pressing operation member 532 lowers the pressing member 531 toward the wafer S, respectively. Since the lower surface of the wafer S is supported by the wafer support member 520 and the heating block 540, the pressing member 531 presses the wafer S against the wafer support member 520 and the heating block 540. do. A plurality of semiconductor chips C are formed on the wafer S. In the case of the wafer S used in the present embodiment, a plurality of semiconductor chips C are stacked and mounted on the wafer S. FIG. Due to such a structure, when heat is applied to the wafer S, the wafer S tends to bend due to thermal deformation. At this time, by pressing the edge of the wafer (S) against the heating block 540 by the pressing member 531 and the pressing operation member 532 as in this embodiment, to prevent the warp due to thermal deformation of the wafer (S). can do. In this way, the deformation of the wafer S can be prevented, so that the quality of the process of dispensing a viscous solution on the wafer S and the semiconductor chip C mounted on the wafer S can be improved.

위와 같은 과정으로 웨이퍼 지지 유닛(500)에 웨이퍼(S)가 로드되면, 검사 장치가 정렬 상태를 검출한다. 검사 장치는 웨이퍼 지지 유닛(500)에 로드된 웨이퍼(S)의 정렬 상태와, 웨이퍼(S)에 존재하는 반도체 칩(C)의 정렬 상태를 측정한다. When the wafer S is loaded in the wafer support unit 500 by the above process, the inspection apparatus detects an alignment state. The inspection apparatus measures the alignment state of the wafer S loaded in the wafer support unit 500 and the alignment state of the semiconductor chip C present in the wafer S.

검사 장치에 의한 정렬 상태 측정이 완료되면, 점성 용액 디스펜싱 작업이 수행된다. 웨이퍼(S)에 존재하는 반도체 칩(C) 측면에 펌프 유닛(100)의 노즐(160)이 접근한다. 이때, 펌프 유닛(100)이 틸트된 상태에서 점성 용액을 디스펜싱할 위치(웨이퍼(S)와 반도체 칩(C)의 사이 또는 반도체 칩(C)과 반도체 칩(C)의 사이)로 전진한다. 도 3에 도시된 것과 같이 펌프 유닛(100)은 반도체 칩(C) 측면에 대해 기울어진 방향으로 접근한다. When the alignment state measurement by the inspection apparatus is completed, the viscous solution dispensing operation is performed. The nozzle 160 of the pump unit 100 approaches the side of the semiconductor chip C present in the wafer S. At this time, the pump unit 100 advances to a position (between the wafer S and the semiconductor chip C or between the semiconductor chip C and the semiconductor chip C) to dispense the viscous solution in the tilted state. . As shown in FIG. 3, the pump unit 100 approaches in a direction inclined with respect to the semiconductor chip C side.

펌프 유닛(100)이 반도체 칩(C) 측면에 충분히 접근하면, 펌프 유닛(100)의 노즐(160)을 통해 점성 용액을 반도체 칩(C)에 대해 디스펜싱한다. 이러한 디스펜싱은 웨이퍼 이송 유닛(600)과 펌프 이송 유닛(400)이 웨이퍼(S)와 펌프 유닛(100)의 상대 위치를 변경하며 수행된다. 상술한 바와 같이, 펌프 이송 유닛(400)은 펌프 유닛(100)을 Y 방향으로 이송하고, 웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼(S)를 X 방향으로 이송한다. 이와 같이, 웨이퍼(S)와 펌프 유닛(100)의 상대 위치가 변경되면서 펌프 유닛(100)이 점성 용액을 디스펜싱 하면, 웨이퍼(S)에 정렬된 모든 반도체 칩(C)의 한쪽 측면에 점성 용액이 디스펜싱 될 수 있다. 이러한 디스펜싱 작업은 앞서 검사 장치에 의해 측정된 값을 이용하여 반도체 칩(C)과 펌프 유닛(100)의 위치를 실시간으로 보정하며 수행될 수도 있다. When the pump unit 100 sufficiently approaches the side of the semiconductor chip C, a viscous solution is dispensed with respect to the semiconductor chip C through the nozzle 160 of the pump unit 100. This dispensing is performed while the wafer transfer unit 600 and the pump transfer unit 400 change relative positions of the wafer S and the pump unit 100. As described above, the pump transfer unit 400 transfers the pump unit 100 in the Y direction, and the wafer transfer unit 600 transfers the wafer S in the X direction. In this way, when the pump unit 100 dispenses a viscous solution while the relative position of the wafer S and the pump unit 100 is changed, the viscosity on one side of all the semiconductor chips C aligned with the wafer S is changed. The solution may be dispensed. The dispensing operation may be performed by correcting the positions of the semiconductor chip C and the pump unit 100 in real time using the values previously measured by the inspection apparatus.

반도체 칩(C)의 측면 하부에 디스펜싱된 점성 용액은 모세관 현상에 의해 웨이퍼(S)와 반도체 칩(C) 사이의 공간으로 흐르면서, 반도체 칩(C) 하부에 채워지게 된다. 이와 같이 본 실시예의 웨이퍼 레벨 디스펜서는 펌프 유닛(100)의 노즐(160)을 기울여서 반도체 칩(C)의 측면 하부와 웨이퍼(S)가 만나는 모서리 부분에 더욱 가깝게 직접적으로 접근하여 점성 용액을 디스펜싱할 수 있으므로, 종래의 경우에 비해 반도체 칩(C)의 킵 아웃 존을 더욱 좁게 구성하는 것이 가능하다. 즉, 웨이퍼(S)에 대해 수직 방향으로 점성 용액을 디스펜싱하는 경우에 비해 경사 방향으로 점성 용액을 디스펜싱함으로써, 본 실시예의 웨이퍼 레벨 디스펜서는 점성 용액이 반도체 칩(C) 외곽으로 흐르는 영역(킵 아웃 존)의 면적을 더욱 감소시키고 반도체 칩(C) 하부로 더욱 원활하게 흐르도록 하는 장점이 있다. 또한, 상술한 바와 같이 펌프 유닛(100)이 기울어진 상태에서 전후진 유닛(300)이 그 경사 방향으로 노즐(160)을 전후진시키므로, 노즐(160)과 반도체 칩(C)의 충돌 가능성을 줄이면서도 노즐(160)을 반도체 칩(C)의 필요한 부분에 더욱 가깝게 접근시키는 것이 가능하다. 이와 같은 구성에 의해 언더 필 공정과 같은 점성 용액 디스펜싱 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The viscous solution dispensed on the lower side of the semiconductor chip C flows into the space between the wafer S and the semiconductor chip C by capillary action, and is filled below the semiconductor chip C. As described above, the wafer level dispenser of the present embodiment tilts the nozzle 160 of the pump unit 100 to directly approach the lower portion of the side surface of the semiconductor chip C and the corner portion where the wafer S meets to dispense the viscous solution. In this way, the keep out zone of the semiconductor chip C can be configured to be narrower than in the conventional case. That is, by dispensing the viscous solution in the oblique direction as compared to the case of dispensing the viscous solution in the vertical direction with respect to the wafer (S), the wafer level dispenser of this embodiment is a region in which the viscous solution flows outside the semiconductor chip (C) ( There is an advantage that the area of the keep out zone is further reduced and flows more smoothly under the semiconductor chip (C). In addition, since the forward and backward unit 300 advances the nozzle 160 in the inclined direction in the state where the pump unit 100 is inclined as described above, the possibility of collision between the nozzle 160 and the semiconductor chip C may be reduced. It is possible to bring the nozzle 160 closer to the required portion of the semiconductor chip C while reducing it. Such a configuration has an advantage of improving the quality of a viscous solution dispensing process such as an underfill process.

도 3에 도시된 것과 같이, 틸트된 상태로 점성 용액을 디스펜싱하면 반도체 칩(C) 외곽으로 흐르는 점성 용액의 양을 줄일 수 있으므로, 킵 아웃 존(Keep Out Zone)이 줄어든다. 킵 아웃 존을 좁히면, 반도체 칩(C)의 크기를 줄이는 것이 가능하고 웨이퍼(S) 상에 더 많은 반도체 칩(C)을 배치하여 제작이 가능하므로 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반도체 칩(C)의 특성과 형상에 따라 틸트 유닛(200)으로 노즐(160)의 경사 각도를 조절할 수 있으므로 더욱 효과적인 점성 용액 디스펜싱 작업이 가능하다. As shown in FIG. 3, dispensing the viscous solution in a tilted state can reduce the amount of the viscous solution flowing outside the semiconductor chip C, thereby reducing the keep out zone. By narrowing the keep-out zone, it is possible to reduce the size of the semiconductor chip C and to manufacture more semiconductor chips C on the wafer S, thereby improving productivity. In addition, since the inclination angle of the nozzle 160 may be adjusted by the tilt unit 200 according to the characteristics and the shape of the semiconductor chip C, a more effective viscous solution dispensing operation may be performed.

경우에 따라서는 반도체 칩(C)의 2개 이상의 측면을 따라 점성 용액을 디스펜싱할 수도 있다. 이러한 경우에는 웨이퍼 회전 유닛(700)을 통해 웨이퍼(S)를 회전시켜 점성 용액을 디스펜싱할 수 있다. 웨이퍼 회전 유닛(700)의 회전축과 틸트 유닛(200)의 회전축이 서로 상이하므로, 반도체 칩(C)의 측면의 방향이 바뀌더라도 그 반도체 칩(C) 측면에 대한 방향과 경사 각도를 일정하게 유지하면서 점성 용액을 디스펜싱하는 것이 가능하다. In some cases, a viscous solution may be dispensed along two or more sides of the semiconductor chip C. In this case, the viscous solution may be dispensed by rotating the wafer S through the wafer rotation unit 700. Since the rotation axis of the wafer rotation unit 700 and the rotation axis of the tilt unit 200 are different from each other, even if the side direction of the semiconductor chip C is changed, the direction and the inclination angle with respect to the side surface of the semiconductor chip C are kept constant. It is possible to dispense viscous solutions while

사각형 반도체 칩(C)의 수직한 두 측면에 점성 용액을 디스펜싱하는 경우에는 웨이퍼 회전 유닛(700)이 웨이퍼 지지 유닛(500)을 90도 회전시키면 된다. 이와 같이 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는 펌프 유닛(100)의 틸트 각도를 유지하면서 반도체 칩(C)의 여러 측면에 대해 디스펜싱을 수행할 수 있는 효과를 갖는다.When dispensing a viscous solution on two vertical sides of the rectangular semiconductor chip C, the wafer rotation unit 700 may rotate the wafer support unit 500 by 90 degrees. As such, the wafer level dispenser according to the present exemplary embodiment has the effect of dispensing to various aspects of the semiconductor chip C while maintaining the tilt angle of the pump unit 100.

한편, 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 이용하면 반도체 칩(C)을 다층으로 쌓아 각 반도체 칩(C) 사이의 공간에 점성 용액을 디스펜싱하는 경우에도, 반도체 칩(C)의 불필요한 부분에 점성 용액이 묻는 것을 방지하면서 킵 아웃 존을 최소화하여 점성 용액을 도포하는 것이 가능하다. On the other hand, when using the wafer level dispenser according to the present embodiment, even when a viscous solution is dispensed in the space between the semiconductor chips C by stacking the semiconductor chips C in multiple layers, It is possible to apply the viscous solution by minimizing the keep out zone while preventing the viscous solution from biting.

수 개의 반도체 칩(C)이 적층될 때 적층된 반도체 칩(C)의 측면에 돌출부가 존재하는 경우에는 기존과 같이 수직 방향으로 노즐(160)을 움직이는 경우에는 돌출부 하측의 공간에 점성 용액을 도포하는 것이 불가능하다. 이와 달리 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는 노즐(160)의 각도를 변화시켜 점성 용액을 도포할 수 있으므로, 돌출부 하측의 공간에도 용이하게 노즐(160)을 접근시켜 점성 용액을 디스펜싱하는 것이 가능하다.When protrusions are present on the side surfaces of the stacked semiconductor chips C when several semiconductor chips C are stacked, a viscous solution is applied to the space under the protrusions when the nozzle 160 is moved in the vertical direction as before. It is impossible to do. In contrast, since the wafer level dispenser according to the present embodiment can apply the viscous solution by changing the angle of the nozzle 160, it is possible to easily dispense the viscous solution by approaching the nozzle 160 even in the space under the protrusion. Do.

이와 같이, 웨이퍼(S)에 존재하는 반도체 칩(C)에 디스펜싱이 완료되면, 웨이퍼(S)를 반송한다. 웨이퍼(S)의 반송은 웨이퍼(S)의 로드의 역순으로 진행된다. 먼저 웨이퍼 이송 유닛(600)이 웨이퍼 지지 유닛(500)을 웨이퍼(S)가 반송될 위치로 이송시킨다. 웨이퍼 가압 유닛(530)의 가압 작동 부재(532)는 가압 부재(531)를 웨이퍼(S)에 대해 상승시키고 가압 부재(531)를 링 프레임(510)에 대해 반경 방향으로 후진시킨다. 웨이퍼 지지 유닛(500)의 승강 부재는 링 프레임(510)에 대해 웨이퍼 지지 부재(520)를 상승시킨다. 웨이퍼 운송 장치는 웨이퍼 지지 부재(520)에 의해 들어 올려진 웨이퍼(S)를 잡아 반송시킨다. Thus, when dispensing is completed to the semiconductor chip C which exists in the wafer S, the wafer S is conveyed. The conveyance of the wafer S proceeds in the reverse order of the loading of the wafer S. First, the wafer transfer unit 600 transfers the wafer support unit 500 to the position where the wafer S is to be conveyed. The pressing operation member 532 of the wafer pressing unit 530 raises the pressing member 531 with respect to the wafer S and the pressing member 531 with respect to the ring frame 510 in the radial direction. The elevating member of the wafer supporting unit 500 raises the wafer supporting member 520 relative to the ring frame 510. The wafer transport apparatus catches and conveys the wafer S lifted by the wafer support member 520.

이상 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서에 대해 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 범위가 앞에서 설명하고 도시한 형태로 한정되는 것은 아니다.As mentioned above, although the preferable embodiment was demonstrated about the wafer level dispenser which concerns on this invention, the scope of the present invention is not limited to the form demonstrated above and shown.

예를 들어, 앞에서는 펌프 유닛(100)이 두 개의 압전 액튜에이터(110, 120)를 포함하는 압전 펌프인 것으로 설명하였으나, 하나의 압전 액튜에이터를 가진 압전 펌프로 펌프 유닛을 구성하는 것도 가능하다. 경우에 따라서는, 압전 펌프 이외의 다른 종류의 펌프로 펌프 유닛을 구성하는 것도 가능하다.For example, although the pump unit 100 has been described as a piezoelectric pump including two piezoelectric actuators 110 and 120, it is also possible to configure the pump unit with a piezoelectric pump having one piezoelectric actuator. In some cases, it is also possible to configure the pump unit with a pump other than the piezoelectric pump.

또한, 앞에서는 틸트 유닛(200)은 압전 액튜에이터(110, 120)가 배열된 방향과 나란한 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 회전시키는 것으로 설명하였으나, 틸트 유닛이 펌프 유닛을 회전시키는 회전축의 방향은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 틸트 유닛, 전후진 유닛, 펌프 유닛의 결합관계는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어 전후진 유닛, 틸트 유닛, 펌프 유닛순서로 결합되게 구성하는 것도 가능하다. In addition, in the above, the tilt unit 200 has been described as rotating the pump unit 100 around the axis of rotation parallel to the direction in which the piezoelectric actuators 110 and 120 are arranged, but the direction of the axis of rotation in which the tilt unit rotates the pump unit. May be variously changed as necessary. In addition, the coupling relationship between the tilt unit, the forward and backward units, and the pump unit may be variously modified. For example, it can also be configured to be combined in the forward and backward units, the tilt unit, the pump unit order.

또한, 앞에서 전후진 유닛(300)을 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서를 예로 들어 설명하였으나 전후진 유닛을 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다.In addition, although the wafer level dispenser including the forward and backward unit 300 has been described as an example, it is also possible to configure the wafer level dispenser according to the present invention by omitting the forward and backward unit.

또한, 앞에서 펌프 이송 유닛(400)은 Y 방향 및 Z 방향으로 펌프 유닛(100)을 이송하는 것으로 설명하였으나, 펌프 이송 유닛이 펌프 유닛을 X 방향으로도 이송할 수 있도록 펌프 이송 유닛을 구성하는 것도 얼마든지 가능하다.In addition, the pump transfer unit 400 described above transfers the pump unit 100 in the Y direction and the Z direction, but it is also configured to configure the pump transfer unit so that the pump transfer unit can also transfer the pump unit in the X direction. It is possible.

또한, 앞에서 웨이퍼 지지 유닛(500)은 링 형태의 링 프레임(510)으로 형성되는 것으로 설명하였으나, 다양한 형태의 프레임을 통해 웨이퍼(S)를 지지하도록 웨이퍼 지지 유닛을 구성할 수 있다. In addition, the wafer support unit 500 has been described as being formed of a ring frame 510 in the above, but the wafer support unit may be configured to support the wafer S through various types of frames.

또한, 앞에서 웨이퍼 지지 유닛(500)의 중심으로 돌출되는 웨이퍼 지지 부재(520)가 웨이퍼(S)의 가장 자리를 지지하는 것으로 설명하였으나, 이와 다른 다양한 형태의 구성으로 웨이퍼(S)를 지지하는 것이 가능하다.In addition, the wafer support member 520 protruding from the center of the wafer support unit 500 has been described as supporting the edge of the wafer S. However, supporting the wafer S in various other configurations It is possible.

또한, 앞에서는 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)와 히팅 블록(540)에 흡착 구멍이 형성되어 웨이퍼(S)를 진공 흡착하여 고정하는 것으로 설명하였으나, 이러한 흡착 구멍은 생략될 수 있다. In addition, in the above, the adsorption holes are formed in the wafer support member 520 and the heating block 540 of the wafer support unit 500, and thus, the suction holes are vacuum-adsorbed to fix the wafer S. However, the adsorption holes may be omitted. have.

또한, 앞에서 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)가 승강 부재에 의해 승강하는 것으로 설명하였으나, 반대로 구성하는 것도 가능하다. 즉, 웨이퍼 지지 부재를 고정시키고 승강 부재는 링 프레임을 웨이퍼 지지 부재에 대해 승강하도록 구성하는 것도 가능하다. 경우에 따라서는 웨이퍼 지지 부재와 링 프레임을 일체로 구성하고 승강 부재에 의해 링 프레임과 웨이퍼 지지 부재를 함께 승강시키도록 구성하는 것도 가능하다. 승강 부재를 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다.In addition, although the wafer support member 520 of the wafer support unit 500 has been described above as being lifted by the elevating member, the configuration may be reversed. That is, it is also possible to fix the wafer support member and the elevating member to elevate the ring frame relative to the wafer support member. In some cases, the wafer support member and the ring frame may be integrally formed, and the lift frame may be configured to lift the ring frame and the wafer support member together. It is also possible to construct the wafer level dispenser according to the present invention by omitting the elevating member.

또한, 앞에서 웨이퍼 가압 유닛(530)이 가압 부재(531)와 가압 작동 부재(532)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 웨이퍼(S)를 가압하기 위한 다른 다양한 구성으로 웨이퍼 가압 유닛을 구성할 수 있다. 경우에 따라서는 웨이퍼 가압 유닛을 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다. In addition, although the wafer pressing unit 530 has been described as including the pressing member 531 and the pressing operation member 532, the wafer pressing unit may be configured in various other configurations for pressing the wafer S. In some cases, it is also possible to construct a wafer level dispenser according to the present invention by omitting the wafer pressurization unit.

또한, 앞에서는 웨이퍼 가압 유닛(530)의 가압 부재(531)과 가압 작동 부재(532)가 3개인 것으로 설명하였으나, 가압 부재와 가압 작동 부재의 개수는 다양하게 변경가능하다.In addition, in the above, the pressing member 531 and the pressing operating member 532 of the wafer pressing unit 530 have been described as three, but the number of the pressing member and the pressing operating member may be variously changed.

또한, 앞에서는 히팅 블록(540)이 링 프레임(510) 내부에 배치되는 것으로 설명하였으나, 히팅 블록의 배치 위치는 다양하게 변경될 수 있다. 경우에 따라서는 히팅 블록을 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다.In addition, although the heating block 540 has been described above as being disposed inside the ring frame 510, the arrangement position of the heating block may be variously changed. In some cases, it is also possible to configure the wafer level dispenser according to the present invention by omitting the heating block.

100: 펌프 유닛 110: 제1압전 액튜에이터
120: 제2압전 액튜에이터 130: 레버
140: 밸브 로드 150: 저장부
160: 노즐 200: 틸트 유닛
300: 전후진 유닛 400: 펌프 이송 유닛
500: 웨이퍼 지지 유닛 510: 링 프레임
520: 웨이퍼 지지 부재 530: 웨이퍼 가압 유닛
531: 가압 부재 532: 가압 작동 부재
540: 히팅 블록 600: 웨이퍼 이송 유닛
700: 웨이퍼 회전 유닛 S: 웨이퍼
C: 반도체 칩100: pump unit 110: first piezoelectric actuator
120: second piezoelectric actuator 130: lever
140: valve rod 150: reservoir
160: nozzle 200: tilt unit
300: forward and backward unit 400: pump transfer unit
500: wafer support unit 510: ring frame
520: wafer support member 530: wafer pressing unit
531: pressing member 532: pressing operating member
540: heating block 600: wafer transfer unit
700: wafer rotating unit S: wafer
C: semiconductor chip

Claims (12)

점성 용액을 디스펜싱하는 펌프 유닛;
상기 펌프 유닛에 의해 디스펜싱되는 점성 용액의 토출 방향의 각도를 조절하도록 상기 펌프 유닛에 결합되어 상기 펌프 유닛을 수평 방향 중심축에 대해 회전시키는 틸트 유닛;
상기 틸트 유닛에 결합되어 상기 틸트 유닛을 이송하는 펌프 이송 유닛;
상기 펌프 유닛의 하측에 배치되고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유닛; 및
상기 웨이퍼 지지 유닛에 의해 지지되는 웨이퍼의 방향을 조절하도록 상기 웨이퍼 지지 유닛을 회전시키는 웨이퍼 회전 유닛;을 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.A pump unit for dispensing a viscous solution;
A tilt unit coupled to the pump unit to adjust the angle of the discharge direction of the viscous solution dispensed by the pump unit to rotate the pump unit about a horizontal central axis;
A pump transfer unit coupled to the tilt unit to transfer the tilt unit;
A wafer support unit disposed below the pump unit and supporting a wafer; And
And a wafer rotation unit for rotating the wafer support unit to adjust a direction of the wafer supported by the wafer support unit. 제1항에 있어서,
상기 펌프 유닛에 대한 상기 웨이퍼 지지 유닛의 위치를 조절하도록 상기 웨이퍼 지지 유닛을 수평 방향으로 이송하는 웨이퍼 이송 유닛;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 1,
And a wafer transfer unit for transferring the wafer support unit in a horizontal direction to adjust the position of the wafer support unit relative to the pump unit. 제2항에 있어서,
상기 웨이퍼 이송 유닛은, 상기 웨이퍼 지지 유닛을 수평 방향 직선 경로로 전후진시키고,
상기 펌프 이송 유닛은, 상기 웨이퍼 지지 유닛의 이송 방향에 직교하는 수평 방향과 상하 방향으로 상기 펌프 유닛을 이송하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 2,
The wafer transfer unit advances the wafer support unit back and forth in a horizontal straight path,
The pump transfer unit is a wafer level dispenser for transferring the pump unit in the horizontal direction and the vertical direction orthogonal to the transfer direction of the wafer support unit. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지 유닛에 거치된 웨이퍼의 하면에 접촉하여 상기 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하는 히팅 블록;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method according to any one of claims 1 to 3,
And a heating block in contact with a lower surface of the wafer mounted on the wafer support unit to maintain a constant temperature of the wafer. 제4항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지 유닛은, 원반 형태의 웨이퍼 가장 자리를 지지하는 링 형태의 링 프레임을 포함하고,
상기 히팅 블록은, 상기 웨이퍼 지지 유닛의 링 프레임의 내부에 배치되는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 4, wherein
The wafer support unit includes a ring-shaped ring frame that supports a disk-shaped wafer edge,
And the heating block is disposed inside a ring frame of the wafer support unit. 제5항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지 유닛에 거치된 웨이퍼의 휨(warpage)을 방지하도록 상기 히팅 블록에 대해 상기 웨이퍼를 가압하는 웨이퍼 가압 유닛;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 5,
And a wafer pressurizing unit pressurizing the wafer against the heating block to prevent warpage of the wafer mounted on the wafer support unit. 제6항에 있어서,
상기 틸트 유닛에 설치되어 상기 틸트 유닛에 대해 펌프 유닛을 상기 펌프 유닛에 의해 디스펜싱되는 점성 용액의 토출 방향으로 전후진시키는 전후진 유닛;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 6,
And a forward and backward unit installed in the tilt unit to move the pump unit forward and backward in the discharge direction of the viscous solution dispensed by the pump unit with respect to the tilt unit. 제6항에 있어서,
상기 웨이퍼 가압 유닛은,
상기 웨이퍼 지지 유닛의 링 프레임의 원주 방향을 따라 배열되는 복수의 가압 부재와,
상기 복수의 가압 부재를 각각 상기 링 프레임에 대해 반경 방향으로 이송하고 상기 복수의 가압 부재를 상기 링 프레임에 대해 각각 승강시키는 복수의 가압 작동 부재를 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 6,
The wafer pressurization unit,
A plurality of pressing members arranged along the circumferential direction of the ring frame of the wafer support unit;
And a plurality of pressurizing actuation members for respectively conveying the plurality of press members radially with respect to the ring frame and for lifting the plurality of press members against the ring frame. 제8항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지 유닛은,
상기 웨이퍼의 하면을 흡착할 수 있도록 형성되어 상기 링 프레임의 원주 방향을 따라 배열되는 복수의 웨이퍼 지지 부재를 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 8,
The wafer support unit,
And a plurality of wafer support members formed to absorb the lower surface of the wafer and arranged along the circumferential direction of the ring frame. 제4항에 있어서,
상기 펌프 유닛은, 압전 액튜에이터를 이용하여 점성 용액을 디스펜싱하는 압전 펌프인 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 4, wherein
The pump unit is a wafer level dispenser which is a piezoelectric pump for dispensing a viscous solution using a piezoelectric actuator. 제10항에 있어서,
상기 펌프 유닛은,
인가 전압에 따라 길이가 변하는 적어도 하나의 압전 액튜에이터와, 상기 압전 액튜에이터에 접촉하도록 배치되어 상기 압전 액튜에이터의 길이 변화에 따라 회전하는 레버와, 상기 레버에 연결되어 상기 레버의 회전에 따라 전후진하는 밸브 로드와, 상기 밸브 로드가 삽입되어 전후진하고 상기 점성 용액이 저장되는 저장부와, 상기 저장부에 연결되어 상기 점성 용액이 토출되는 노즐을 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 10,
The pump unit,
At least one piezoelectric actuator whose length varies according to an applied voltage, a lever disposed to contact the piezoelectric actuator and rotating according to a change in the length of the piezoelectric actuator, and a valve connected to the lever and moving forward and backward as the lever rotates A rod, a reservoir for inserting the valve rod forward and backward and storing the viscous solution, and a nozzle connected to the reservoir to discharge the viscous solution. 제11항에 있어서,
상기 펌프 유닛은,
상기 압전 액튜에이터를 두 개 구비하고,
상기 두 개의 압전 액튜에이터는 상기 레버의 회전축을 중심으로 양측에 배치되며,
상기 틸트 유닛은, 상기 두 개의 압전 액튜에이터가 배열된 방향과 나란한 회전축을 중심으로 상기 펌프 유닛을 회전시키는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 11,
The pump unit,
Two piezoelectric actuators,
The two piezoelectric actuators are disposed on both sides about the axis of rotation of the lever,
The tilt unit is a wafer level dispenser for rotating the pump unit about a rotation axis parallel to the direction in which the two piezoelectric actuators are arranged.
KR1020180049892A 2018-04-09 2018-04-30 Wafer Level Dispenser KR102119940B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108111573A TWI702680B (en) 2018-04-09 2019-04-01 Wafer level dispenser
CN201910274796.2A CN110355016A (en) 2018-04-09 2019-04-08 Wafer scale distributor
US16/378,528 US10867818B2 (en) 2018-04-09 2019-04-08 Wafer level dispenser

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180040810 2018-04-09
KR1020180040810 2018-04-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190118094A true KR20190118094A (en) 2019-10-17
KR102119940B1 KR102119940B1 (en) 2020-06-08

Family

ID=68424427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180049892A KR102119940B1 (en) 2018-04-09 2018-04-30 Wafer Level Dispenser

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102119940B1 (en)
TW (1) TWI702680B (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030137043A1 (en) * 2002-01-02 2003-07-24 Lejun Wang Polybenzoxazine based wafer-level underfill material
KR20080013768A (en) * 2006-08-08 2008-02-13 닛토덴코 가부시키가이샤 Semiconductor wafer holding method, semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer holding structure
KR20170113726A (en) * 2016-03-24 2017-10-13 주식회사 프로텍 Spray Dispensing Apparatus for Viscos Liquid
KR101833640B1 (en) * 2016-10-20 2018-03-05 주식회사 프로텍 Method for Dispensing Viscous Liquid

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6855030B2 (en) * 1999-10-27 2005-02-15 Strasbaugh Modular method for chemical mechanical planarization
KR100463685B1 (en) * 2002-12-30 2004-12-30 주식회사 프로텍 Dispenser device for semi-conductor chip manufacture

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030137043A1 (en) * 2002-01-02 2003-07-24 Lejun Wang Polybenzoxazine based wafer-level underfill material
KR20080013768A (en) * 2006-08-08 2008-02-13 닛토덴코 가부시키가이샤 Semiconductor wafer holding method, semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer holding structure
KR20170113726A (en) * 2016-03-24 2017-10-13 주식회사 프로텍 Spray Dispensing Apparatus for Viscos Liquid
KR101833640B1 (en) * 2016-10-20 2018-03-05 주식회사 프로텍 Method for Dispensing Viscous Liquid

Also Published As

Publication number Publication date
TW201944520A (en) 2019-11-16
TWI702680B (en) 2020-08-21
KR102119940B1 (en) 2020-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10867818B2 (en) Wafer level dispenser
US20230197669A1 (en) Methods and systems for manufacturing semiconductor devices
KR20200133634A (en) Substrate bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same
CN112331608A (en) Substrate processing apparatus and substrate drying method
KR102138420B1 (en) Tilting Dispenser
JP2013062431A (en) Joining apparatus, joining method, joining system, program, and computer storage medium
CN109560036A (en) Method and wafer platform for semiconductors manufacture
KR20190118094A (en) Wafer Level Dispenser
KR101605077B1 (en) Apparatus for bonding chip on wafer precisely
US8590143B2 (en) Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate
US20210144863A1 (en) Method for discharging fluid
US9314864B2 (en) C4NP compliant solder fill head seals
JP4115138B2 (en) Coating device
US10850507B2 (en) Substrate coating device having moving unit for moving substrate holding unit and droplet discharging unit in main scanning direction and sub scanning direction and method
CN216213351U (en) Wafer-level dispensing equipment
WO2008028027A2 (en) Adhesive dispensing for semiconductor packaging
WO2011040116A1 (en) Bonding apparatus and bonding method
KR101021980B1 (en) Substrates transffer device, substrates treating apparatus having the same and method of transtffering substrates using the same
WO2017141496A1 (en) Plating device and plating method
KR101150672B1 (en) Apparatus for transferring a solder and method of transferring a solder using the same
JP2002079163A (en) Slit coater
JP3204867U (en) Substrate temperature controller
JP2021061265A (en) Mold, planarization device, planarization method, and article manufacturing method
US10483150B2 (en) Apparatus for stacking semiconductor chips in a semiconductor package
KR100861090B1 (en) Heat treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant