KR102119940B1 - Wafer Level Dispenser - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 레벨 디스펜서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩에 대해 다양한 각도로 접근하여 점성 용액을 도포할 수 있는 기능을 가지는 웨이퍼 레벨 디스펜서에 관한 것이다.
본 발명에 의한 웨이퍼 레벨 디스펜서는, 펌프의 각도를 자유롭게 조절하여 웨이퍼 또는 그 웨이퍼 위에 실장된 반도체 칩에 점성 용액을 디스펜싱할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a wafer level dispenser, and more particularly, to a wafer level dispenser having a function to apply a viscous solution by approaching the semiconductor chip formed on the wafer at various angles.
The wafer level dispenser according to the present invention has an effect of dispensing a viscous solution on a wafer or a semiconductor chip mounted on the wafer by freely adjusting the angle of the pump.
Description
본 발명은 웨이퍼 레벨 디스펜서에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩에 대해 다양한 각도로 접근하여 점성 용액을 도포할 수 있는 기능을 가지는 웨이퍼 레벨 디스펜서에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer level dispenser, and more particularly, to a wafer level dispenser having a function to apply a viscous solution by approaching the semiconductor chip formed on the wafer at various angles.
기판에 실장된 반도체 칩의 측면에 점성 용액을 도포하여 기판에 반도체 칩 사이에 점성 용액이 채워지도록 하는 언더필 공정이 반도체 칩의 제조 공정에서 널리 사용되고 있다.An underfill process in which a viscous solution is applied to a side surface of a semiconductor chip mounted on a substrate so that the substrate is filled with a viscous solution is widely used in the manufacturing process of the semiconductor chip.
최근에는 웨이퍼에 형성된 반도체 칩 위에 다른 반도체 칩을 다층으로 적층하여 하나의 시스템 반도체 칩을 구성하는 방법이 사용되고 있다. 이와 같이 연성회로기판(FPCB)와 같은 기판을 사용하지 않고 웨이퍼 위에 바로 반도체 칩을 다층으로 실장하는 방법을 사용함으로써 전체적인 반도체 소자의 크기와 두께를 줄일 수 있는 장점이 있다.Recently, a method of constructing one system semiconductor chip by stacking other semiconductor chips in multiple layers on a semiconductor chip formed on a wafer has been used. As described above, there is an advantage of reducing the size and thickness of the entire semiconductor device by using a method of mounting a semiconductor chip in multiple layers directly on a wafer without using a substrate such as a flexible circuit board (FPCB).
이와 같이 웨이퍼 위에 반도체 칩을 실장하는 경우에도 웨이퍼와 반도체 칩 사이 및 상하로 인접하는 반도체 칩의 사이에 점성 용액을 채우는 언더필 공정은 필요하다.In this way, even when a semiconductor chip is mounted on a wafer, an underfill process is required to fill the viscous solution between the wafer and the semiconductor chip and between adjacent semiconductor chips vertically.
반도체 칩이 실장된 기판에 언더필 공정을 수행하는 경우에 비해 웨이퍼에 언더필 공정을 수행하는 경우는 더욱 높은 정밀도와 정확도가 필요하다. 기판과 다른 구조와 특성을 가지는 웨이퍼를 효과적으로 지지하고 그에 대해 점성 용액을 도포할 수 있는 구조의 장치가 필요하게 되었다. 또한, 웨이퍼에 언더필 공정을 수행하는 경우에는 점성 용액이 도포되어 흐르는 영역을 제한하기 위해 댐(dam)을 형성하는 공정도 필요한 경우가 있는데 이와 같은 작업을 효과적으로 수행할 수 있는 기능도 필요하다.When performing an underfill process on a wafer, higher precision and accuracy are required compared to an underfill process on a semiconductor chip-mounted substrate. A device having a structure capable of effectively supporting a wafer having a structure and characteristics different from that of a substrate and applying a viscous solution thereon is required. In addition, in the case of performing an underfill process on a wafer, a process of forming a dam in order to limit a region in which a viscous solution is applied and flowing is also necessary, and a function capable of effectively performing such an operation is also required.
또한, 웨이퍼 위에 형성되는 반도체 칩을 소형화하여 제작하기 위해서는 킵 아웃 존을 좁히는 것이 중요하다.In addition, it is important to narrow the keep-out zone in order to manufacture a semiconductor chip formed on a wafer by miniaturization.
킵 아웃 존(KOZ; Keep Out Zone)은 언더필 공정 등을 수행하기 위해서, 반도체 칩에 전극이나 소자를 형성하는 영역 외곽에 여분으로 추가 형성하는 영역을 의미한다. 반도체 칩이 소형화되면서, 이와 같은 킵 아웃 존 역시 최소화하여야만 더욱 작은 크기의 반도체 칩을 설계 및 제작하는 것이 가능하다. 이와 같이 킵 아웃 존 면적을 줄이면, 반도체 칩의 크기를 소형화할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 칩 사이의 간격을 줄일 수 있어 같은 면적의 웨이퍼에 더 많은 반도체 칩을 제작할 수 있다.Keep Out Zone (KOZ) refers to a region that is additionally formed outside the region in which an electrode or element is formed on a semiconductor chip in order to perform an underfill process or the like. As the semiconductor chip is miniaturized, such a keep-out zone must also be minimized to design and manufacture a smaller size semiconductor chip. By reducing the area of the keep-out zone as described above, not only can the size of the semiconductor chip be reduced, but also the gap between the semiconductor chips can be reduced, so that more semiconductor chips can be manufactured on wafers of the same area.
종래에는 언더 필 공정을 수행하기 위해 수직 상측에서 수직 방향으로 점성 용액을 디스펜싱하는 노즐이 반도체 칩에 대해 접근하여 언더필 용액을 디스펜싱하였다. 이와 같이 노즐이 수직 방향으로 접근하여 수직 방향으로(상하 방향으로) 점성 용액을 도포하는 경우 점성 용액에 의해 형성되는 액적(droplet)의 크기나 그 액적이 기판에 떨어져서 흐르는 면적 등을 고려하면 킵 아웃 존을 감소시키는 데에 한계가 있었다.Conventionally, in order to perform an underfill process, a nozzle for dispensing a viscous solution in a vertical direction from an upper vertical direction approaches a semiconductor chip to dispense an underfill solution. When the viscous solution is applied in the vertical direction (up and down) as the nozzle approaches in the vertical direction as described above, the keep-out is taken into account when considering the size of droplets formed by the viscous solution or the area where the droplet flows off the substrate. There was a limit to reducing the zone.
이와 같이 킵 아웃 존을 감소시키고 결과적으로 반도체 칩의 크기를 감소시키기 위해서, 점성 용액의 종류, 노즐의 크기, 액적의 크기 또는 점성 용액의 토출 방법을 변경하는 것 이외의 다른 방법으로 언더필 공정이나 점성 수지에 의한 댐 형성 공정의 수행을 위한 킵 아웃 존을 줄일 수 있는 기능을 가진 웨이퍼 레벨 디스펜서가 필요하게 되었다.In order to reduce the keep-out zone as described above and consequently reduce the size of the semiconductor chip, the underfill process or viscosity is changed by a method other than changing the type of the viscous solution, the size of the nozzle, the size of the droplets, or the discharge method of the viscous solution. There is a need for a wafer level dispenser with the ability to reduce the keep out zone for performing dam formation processes with resin.
본 발명은 상술한 바와 같은 필요성을 충족하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 칩이 형성된 웨이퍼 또는 그 웨이퍼에 적층된 반도체 칩에 다양한 각도로 점성 용액을 도포할 수 있는 웨이퍼 레벨 디스펜서를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to meet the above-described need, and an object of the present invention is to provide a wafer level dispenser capable of applying a viscous solution at various angles to a semiconductor chip formed on a wafer or a semiconductor chip stacked on the wafer. .
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는, 점성 용액을 디스펜싱하는 펌프 유닛; 상기 펌프 유닛에 의해 디스펜싱되는 점성 용액의 토출 방향의 각도를 조절하도록 상기 펌프 유닛에 결합되어 상기 펌프 유닛을 수평 방향 중심축에 대해 회전시키는 틸트 유닛; 상기 틸트 유닛에 결합되어 상기 틸트 유닛을 이송하는 펌프 이송 유닛; 상기 펌프 유닛의 하측에 배치되고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유닛; 및 상기 웨이퍼 지지 유닛에 의해 지지되는 웨이퍼의 방향을 조절하도록 상기 웨이퍼 지지 유닛을 회전시키는 웨이퍼 회전 유닛;을 포함하는 점에 특징이 있다.A wafer level dispenser according to the present invention for achieving the above object, a pump unit for dispensing a viscous solution; A tilt unit coupled to the pump unit to adjust the angle of the discharge direction of the viscous solution dispensed by the pump unit to rotate the pump unit about a horizontal central axis; A pump transfer unit coupled to the tilt unit to transfer the tilt unit; A wafer support unit disposed under the pump unit and supporting a wafer; And a wafer rotation unit that rotates the wafer support unit to adjust the direction of the wafer supported by the wafer support unit.
본 발명에 의한 웨이퍼 레벨 디스펜서는, 펌프의 각도를 자유롭게 조절하여 웨이퍼 또는 그 웨이퍼 위에 실장된 반도체 칩에 점성 용액을 디스펜싱할 수 있는 효과가 있다.The wafer level dispenser according to the present invention has an effect of dispensing a viscous solution on a wafer or a semiconductor chip mounted on the wafer by freely adjusting the angle of the pump.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서에 웨이퍼를 로드한 상태의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 정면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 측면도이다.
도 5는 도 1 내지 도 4에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 펌프 유닛의 단면도이다.1 is a plan view of a wafer level dispenser according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a state in which a wafer is loaded into the wafer level dispenser shown in FIG. 1.
3 is a front view of the wafer level dispenser shown in FIG. 2.
4 is a side view of the wafer level dispenser shown in FIG. 2.
5 is a cross-sectional view of the pump unit of the wafer level dispenser shown in FIGS. 1 to 4.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서에 대해 설명한다.Hereinafter, a wafer level dispenser according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서에 웨이퍼(S)를 로드한 상태의 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 정면도이고, 도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼 레벨 디스펜서의 측면도이다.1 is a plan view of a wafer level dispenser according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a state in which the wafer S is loaded in the wafer level dispenser shown in FIG. 1, and FIG. 3 is shown in FIG. It is a front view of the wafer level dispenser, and FIG. 4 is a side view of the wafer level dispenser shown in FIG. 2.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는 틸트 유닛(200)과 전후진 유닛(300)과 펌프 이송 유닛(400)과 웨이퍼 지지 유닛(500)과 웨이퍼 가압 유닛(530)과 웨이퍼 이송 유닛(600)과 웨이퍼 회전 유닛(700)과 펌프 유닛(100)을 포함하여 이루어진다.1 to 4, the wafer level dispenser according to the present embodiment is a
펌프 유닛(100)은 점성 용액을 노즐(160)을 통해 토출할 수 있도록 구성된다.The
펌프 유닛(100)은 틸트 유닛(200)에 설치된다. 틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)을 회전시킨다. 틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)을 수평 방향 중심축에 대해 회전시킨다.도 1 및 도 2를 기준으로 틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)을 X 방향 회전축을 중심으로 회전시킨다. 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)을 회전시키면 펌프 유닛(100)의 노즐(160)의 방향이 변하게 된다. 이와 같이 펌프 유닛(100)의 노즐(160)의 방향이 Z 방향의 수직축에 대해 기울어지도록 펌프 유닛(100)을 회전시키는 것을 이하에서 '틸트'라고 정의한다. The
도 4를 참조하면, 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)과 틸트 유닛(200) 사이에 설치된다. 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)을 전후진시킨다. 전후진 유닛(300)이 펌프 유닛(100)을 전후진시키는 방향은 펌프 유닛(100)의 노즐(160)의 방향과 동일하다. 즉, 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)의 노즐(160)을 통해 점성 용액이 토출되는 방향으로 펌프 유닛(100)을 전진시키거나 후퇴시킨다.Referring to FIG. 4, the forward-
펌프 이송 유닛(400)은 틸트 유닛(200)에 결합된다. 펌프 이송 유닛(400)은 틸트 유닛(200)을 이송한다. 본 실시예의 경우, 펌프 이송 유닛(400)은 수평 방향과 상하 방향으로 틸트 유닛(200)을 이송한다. 여기서 수평 방향은 도 1 및 도 2에 도시된 Y 방향이고, 상하 방향은 도 3 및 도 4에 도시된 Z 방향을 의미한다.The
웨이퍼 지지 유닛(500)은 펌프 유닛(100)의 하측에 배치된다. 웨이퍼 지지 유닛(500)은 펌프 유닛(100)에 의해 점성 용액을 디스펜싱할 웨이퍼(S)가 거치되어 고정되는 구성이다. 도 1에 도시된 것과 같이, 웨이퍼 지지 유닛(500)은 링 프레임(510)과 복수의 웨이퍼 지지 부재(520)와 복수의 승강 부재를 포함한다. 링 프레임(510)은 링 형태로 구성된 프레임이다. 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 링 프레임(510)의 일부는 개방되어 고리 형태로 형성된다. 링 프레임(510)의 개방된 부분을 통해서 웨이퍼 운송 장치가 링 프레임(510) 내부로 진입하여 링 프레임(510)에 웨이퍼(S)를 전달하게 된다. The
복수의 웨이퍼 지지 부재(520)는 링 프레임(510)의 원주 방향을 따라 배열된다. 도 1에 도시된 것과 같이, 복수의 웨이퍼 지지 부재(520)는 원반 형태의 웨이퍼(S) 가장 자리를 지지할 수 있는 위치에서 링 프레임(510)에 설치된다. 승강 부재는 각각 링 프레임(510)에 설치되어 웨이퍼 지지 부재(520)를 링 프레임(510)에 대해 승강시킨다. 각각의 웨이퍼 지지 부재(520)는 웨이퍼(S)의 가장 자리 하면을 흡착할 수 있도록 진공 흡착 구멍을 구비한다. The plurality of
히팅 블록(540)은 링 프레임(510)에 거치되는 웨이퍼(S)의 하면에 접촉하도록 배치된다. 본 실시예의 경우 도 1에 도시된 것과 같이 링 프레임(510) 내부에 히팅 블록(540)이 배치된다. 히팅 블록(540)에는 흡착 구멍이 형성되어, 웨이퍼(S) 하면을 흡착 고정할 수 있도록 구성된다. 히팅 블록(540)은 내부에 배치된 열선에 의해 온도가 조절될 수 있도록 구성된다. 웨이퍼(S)가 링 프레임(510)에 거치된 상태로 히팅 블록(540)에 의해 그 하면이 지지되면, 히팅 블록(540)에 의해 웨이퍼(S)의 온도는 미리 설정된 온도로 일정하게 유지된다. The
웨이퍼 가압 유닛(530)은 웨이퍼 지지 유닛(500)에 지지된 웨이퍼(S)를 가압한다. 웨이퍼 가압 유닛(530)은 복수의 가압 부재(531)와 복수의 가압 작동 부재(532)를 포함한다. 복수의 가압 부재(531)는 링 프레임(510)의 원주 방향을 따라 배열된다. 웨이퍼(S)를 고르게 가압하기 위해 복수의 가압 부재(531)는 링 프레임(510)의 원주 방향을 따라 동일 각도 간격으로 배열된다. 본 실시예의 경우 도 1 및 도 2에 도시한 것과 같이 3개의 가압 부재(531)를 구비한다. 가압 작동 부재(532)도 가압 부재(531)와 동일한 수로 3개가 마련된다. 가압 작동 부재(532)는 가압 부재(531)를 각각 링 프레임(510)에 대해 반경 방향으로 이송하고 승강시킨다. 가압 작동 부재(532)는 링 프레임(510)과 히팅 블록(540)에 거치된 웨이퍼(S)의 가장 자리를 가압 부재(531)로 각각 가압하여 웨이퍼(S)가 휘어지는 것을 방지한다. 즉, 도 2에 도시된 것과 같이 가압 작동 부재(532)가 가압 부재(531)를 각각 링 프레임(510)의 중심 방향으로 수평 이송한 후에 수직 방향으로 하강시키면 웨이퍼(S)의 가장자리를 누르게 된다. 반대로 웨이퍼(S)를 배출할 때는, 도 1에 도시된 것과 같이 가압 작동 부재(532)는 가압 부재(531)를 상승시킨 후 링 프레임(510)의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 후퇴시켜 웨이퍼(S)에 대한 가압을 해제한다.The
웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼 지지 유닛(500)을 수평 방향 직선 경로로 전후진시킨다. 본 실시예의 경우 웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼 지지 유닛(500)을 도 1 및 도 2에 도시된 X 방향으로 이송한다. 즉, 앞에서 설명한 펌프 이송 유닛(400)은 펌프 유닛(100)을 Y 방향으로 이송하고, 웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼 지지 유닛(500)을 펌프 유닛(100)의 이송 방향에 직교하는 X 방향으로 이송한다. 이와 같은 펌프 이송 유닛(400)과 웨이퍼 이송 유닛(600)의 상호 작용에 의해 펌프 유닛(100)은 웨이퍼(S)의 임의의 위치에 대해 점성 용액을 디스펜싱하는 것이 가능하다.The
웨이퍼 회전 유닛(700)은 웨이퍼 지지 유닛(500)과 웨이퍼 가압 유닛(530)을 함께 회전시킨다. 웨이퍼 회전 유닛(700)이 웨이퍼 지지 유닛(500)을 회전시키면 웨이퍼 지지 유닛(500)에 거치된 웨이퍼(S)의 방향이 조정된다.The
본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 경우 펌프 유닛(100)은 압전 액튜에이터를 이용하여 점성 용액을 디스펜싱하는 압전 펌프로 구성된다. In the case of the wafer level dispenser according to the present embodiment, the
펌프 유닛(100)은 도 5에 도시된 것과 같이 두 개의 압전 액튜에이터와(제1압전 액튜에이터(110) 및 제2압전 액튜에이터(120)), 레버(130)와, 밸브 로드(140)와, 저장부(150)와, 노즐(160)로 구성된다.The
제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)는 인가되는 전압에 따라 길이가 변화하는 압전 소자로 구성된다. 본 실시예에서는 다수의 압전 소자를 적층하여 구성되는 멀티 스택(multi stack) 타입의 압전 액튜에이터(110, 120)를 사용한다. 제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)는 서로 나란하게 배치된다. 레버(130)는 그 회전축이 제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120) 사이에 놓이도록 배치된다. 레버(130)는 두 개의 압전 액튜에이터(110, 120)에 접촉하도록 구성되어, 압전 액튜에이터(110, 120)의 길이 변화에 따라 회전한다. 밸브 로드(140)는 레버(130)에 연결되어 레버(130)의 회전에 따라 전후진한다. 저장부(150)는 점성 용액을 저장한다. 저장부(150)에는 밸브 로드(140)가 삽입된다. 노즐(160)은 저장부(150)에 연결된다. 저장부(150)에 저장된 점성 용액은 밸브 로드(140)의 움직임에 따라 노즐(160)을 통해 토출된다. The first
먼저, 도 5를 참조하여 펌프 유닛(100)이 점성 용액을 디스펜싱하는 과정에 대해 설명한다. First, a process of dispensing the viscous solution by the
제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)에 전압이 교대로 인가된다. 제1압전 액튜에이터(110)에 전압이 인가되면 제1압전 액튜에이터(110)의 길이가 늘어난다. 제1압전 액튜에이터(110)의 길이가 늘어나면, 제1압전 액튜에이터(110)와 접촉한 레버(130)가 도 5를 기준으로 반시계 방향으로 회전한다. 반대로 제2압전 액튜에이터(120)에 전압이 인가되면 제2압전 액튜에이터(120)의 길이가 늘어난다. 제2압전 액튜에이터(120)의 길이가 늘어나면, 제2압전 액튜에이터(120)와 접촉한 레버(130)가 도 5를 기준으로 시계 방향으로 회전한다. Voltages are alternately applied to the first
이렇게 제1압전 액튜에이터(110)와 제2압전 액튜에이터(120)에 전압이 교대로 인가되면, 레버(130)는 반시계 방향 또는 시계 방향으로 회전한다. 레버(130)의 회전에 따라 밸브 로드(140)가 저장부(150)에 대해 전후진한다. 레버(130)가 반시계 방향으로 회전하면, 도 5를 기준으로 밸브 로드(140)는 후진한다. 레버(130)가 시계 방향으로 회전하면, 도 5를 기준으로 밸브 로드(140)는 전진한다. 상술한 바와 같이 밸브 로드(140)는 저장부(150)에 삽입되어 전후진한다. 밸브 로드(140)의 전후진 스크토크는 저장부(150)에 저장된 점성 용액에 전달된다. 이 스트로크로 인해 저장부(150)에 저장된 점성 용액이 저장부(150)에 연결된 노즐(160)을 통해 펌프 유닛(100) 외부로 토출된다.When voltages are alternately applied to the first
다음으로, 펌프 유닛(100)의 위치 및 각도가 조절되는 과정에 대해 설명한다. Next, the process of adjusting the position and angle of the
틸트 유닛(200)은 펌프 유닛(100)과 전후진 유닛(300)을 함께 틸트시킨다. 상술한 바와 같이 틸트 유닛(200)은 도 1 및 도 2를 기준으로 X 방향 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 틸트시킨다. 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)을 틸트시키면, 도 3에 도시된 것과 같이 펌프 유닛(100)에 의해 디스펜싱되는 점성 용액이 토출되는 방향의 각도가 조절된다.The
본 실시예와 같이 펌프 유닛(100)에 압전 액튜에이터(110, 120)를 사용하는 경우, 펌프 유닛(100)은 레버(130)의 구성을 필요로 하게 된다. 비교적 작은 작동 변위를 가지는 압전 액튜에이터(110, 120)의 변위를 확대하여 밸브 로드(140)을 전후진시켜야 하므로, 밸브 로드(140) 및 노즐(160)은 레버(130)의 회전 중심으로부터 압전 액튜에이터(110, 120)보다 멀리 배치된다. 이로 인해 압전 액튜에이터(110, 120)를 사용하는 펌프 유닛(100)의 노즐(160)은 한쪽으로 치우친 위치에 배치된다. 본 실시예의 웨이퍼 레벨 디스펜서의 경우 이와 같은 압전 펌프 형태의 펌프 유닛(100)의 구조를 고려하여, 틸트 유닛(200)은 압전 액튜에이터(110, 120)의 배열 방향 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 회전시킨다. 여기서 압전 액튜에이터(110, 120)의 배열 방향은 레버(130)의 연장 방향과 유사한 방향이다. 레버(130)는 압전 액튜에이터(110, 120)의 작동에 따라 그 연장 방향이 고정되지 않고 변하게 되지만, 레버(130)의 연장 방향은 본 실시예에서 두 개의 압전 액튜에이터(110, 120)가 배열되는 방향과 대략적으로 일치한다. 이와 같이 설정된 방향으로 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)을 회전시키면 펌프 유닛(100)은 주변 구성 및 반도체 칩(C)에 크게 간섭되지 않으면 노즐(160)의 방향을 조절하는 것이 가능하다. 만약, 틸트 유닛(200)이 앞에서 설명한 것과 다른 방향의 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 회전시키면 펌프 유닛(100) 하부의 노즐(160) 이외의 다른 구성이 반도체 칩(C)에 충돌하거나 다른 주위 구성에 간섭될 수 있다.When using the
전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)을 점성 용액이 토출되는 방향으로 전후진시킨다. 틸트 유닛(200)이 펌프 유닛(100)과 전후진 유닛(300)을 함께 틸트시키기 때문에, 전후진 유닛(300)은 펌프 유닛(100)이 틸트된 상태에서 기울어진 상태로 펌프 유닛(100)을 전후진시킨다. The forward and
이하에서는 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 작동에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the wafer level dispenser according to the present embodiment will be described.
먼저, 웨이퍼 지지 유닛(500)의 복수의 승강 부재가 링 프레임(510)에 대해 웨이퍼 지지 부재(520)를 상승시킨다. 승강 부재가 웨이퍼 지지 부재(520)를 링 프레임(510)에 대해 상승시켜 웨이퍼(S) 로드를 준비함으로써, 웨이퍼(S)가 로드되는 작업이 원활하게 수행될 수 있는 공간이 확보된다. First, a plurality of lifting members of the
다음으로, 공지된 다양한 웨이퍼 운송 장치를 이용하여 웨이퍼(S)를 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)에 전달한다. 앞에서 설명한 링 프레임(510)의 개방된 부분으로 웨이퍼 운송 장치가 링 프레임(510) 내부로 진입하여 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)들 위에 웨이퍼(S)를 올려 놓는다. 웨이퍼 지지 부재(520)는 흡착 구멍을 통해 웨이퍼(S)의 하면을 흡착하여 지지한다. 이와 같이 웨이퍼(S)가 로드되면, 승강 부재가 웨이퍼 지지 부재(520)를 하강시켜 웨이퍼(S)를 링 프레임(510) 위에 올려 놓는다. Next, the wafer S is transferred to the
웨이퍼 지지 부재(520)가 하강하면, 링 프레임(510) 내부에 배치된 히팅 블록(540)과 웨이퍼(S)의 하면이 접촉한다. 점성 용액을 디스펜싱하는 공정에 있어서, 웨이퍼(S)의 온도를 일정하게 유지시키는 것은 매우 중요하다. 웨이퍼(S)의 온도가 일정하게 유지되지 않으면 디스펜싱되는 점성 용액의 점도나 물성이 변화하여 불량이 발생할 수 있다. 웨이퍼(S)의 하면과 접촉된 히팅 블록(540)은 웨이퍼(S)에 열을 공급한다. 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서의 히팅 블록(540)은 디스펜싱 공정이 수행되는 동안 웨이퍼(S)의 온도를 일정하게 유지시켜 상술한 문제가 발생하지 않게 한다. 또한, 히팅 블록(540)은 흡착 구멍을 통해 웨이퍼(S)의 하면을 흡착한다. 이로 인해 웨이퍼(S)는 웨이퍼 지지 유닛(500)에 안정적으로 고정될 수 있다. When the
웨이퍼 지지 부재(520)의 하강이 완료되면, 웨이퍼 가압 유닛(530)이 웨이퍼(S)를 히팅 블록(540)에 대해 가압한다. 상술한 바와 같이, 가압 작동 부재(532)는 각각 가압 부재(531)를 웨이퍼(S)의 반경 방향으로 이송하여 웨이퍼(S)의 가장 자리로 근접시킨다. 다음으로, 가압 작동 부재(532)는 각각 가압 부재(531)를 웨이퍼(S) 쪽으로 하강시킨다. 웨이퍼(S) 하면은 웨이퍼 지지 부재(520)와 히팅 블록(540)에 의해 지지되므로, 가압 부재(531)는 웨이퍼 지지 부재(520)와 히팅 블록(540)에 대해 웨이퍼(S)를 가압하게 된다. 웨이퍼(S)에는 다수의 반도체 칩(C)이 형성되어 있고 본 실시예에서 사용하는 웨이퍼(S)의 경우에는 웨이퍼(S) 위에 다수의 반도체 칩(C)이 적층되어 실장된 상태이다. 이와 같은 구조로 인해 웨이퍼(S)에 열이 가해지면 웨이퍼(S)는 열변형에 의해 휘어지기 쉽다. 이때, 본 실시예와 같이 가압 부재(531)와 가압 작동 부재(532)에 의해 웨이퍼(S)의 가장자리를 히팅 블록(540)에 대해 눌러줌으로써, 웨이퍼(S)의 열변형에 의한 휘어짐을 방지할 수 있다. 이와 같이 웨이퍼(S)의 변형을 방지하면, 웨이퍼(S) 및 그 웨이퍼(S) 위에 실장된 반도체 칩(C)에 점성 용액을 디스펜싱하는 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. When the lowering of the
위와 같은 과정으로 웨이퍼 지지 유닛(500)에 웨이퍼(S)가 로드되면, 검사 장치가 정렬 상태를 검출한다. 검사 장치는 웨이퍼 지지 유닛(500)에 로드된 웨이퍼(S)의 정렬 상태와, 웨이퍼(S)에 존재하는 반도체 칩(C)의 정렬 상태를 측정한다. When the wafer S is loaded into the
검사 장치에 의한 정렬 상태 측정이 완료되면, 점성 용액 디스펜싱 작업이 수행된다. 웨이퍼(S)에 존재하는 반도체 칩(C) 측면에 펌프 유닛(100)의 노즐(160)이 접근한다. 이때, 펌프 유닛(100)이 틸트된 상태에서 점성 용액을 디스펜싱할 위치(웨이퍼(S)와 반도체 칩(C)의 사이 또는 반도체 칩(C)과 반도체 칩(C)의 사이)로 전진한다. 도 3에 도시된 것과 같이 펌프 유닛(100)은 반도체 칩(C) 측면에 대해 기울어진 방향으로 접근한다. When the alignment state measurement by the inspection device is completed, a viscous solution dispensing operation is performed. The
펌프 유닛(100)이 반도체 칩(C) 측면에 충분히 접근하면, 펌프 유닛(100)의 노즐(160)을 통해 점성 용액을 반도체 칩(C)에 대해 디스펜싱한다. 이러한 디스펜싱은 웨이퍼 이송 유닛(600)과 펌프 이송 유닛(400)이 웨이퍼(S)와 펌프 유닛(100)의 상대 위치를 변경하며 수행된다. 상술한 바와 같이, 펌프 이송 유닛(400)은 펌프 유닛(100)을 Y 방향으로 이송하고, 웨이퍼 이송 유닛(600)은 웨이퍼(S)를 X 방향으로 이송한다. 이와 같이, 웨이퍼(S)와 펌프 유닛(100)의 상대 위치가 변경되면서 펌프 유닛(100)이 점성 용액을 디스펜싱 하면, 웨이퍼(S)에 정렬된 모든 반도체 칩(C)의 한쪽 측면에 점성 용액이 디스펜싱 될 수 있다. 이러한 디스펜싱 작업은 앞서 검사 장치에 의해 측정된 값을 이용하여 반도체 칩(C)과 펌프 유닛(100)의 위치를 실시간으로 보정하며 수행될 수도 있다. When the
반도체 칩(C)의 측면 하부에 디스펜싱된 점성 용액은 모세관 현상에 의해 웨이퍼(S)와 반도체 칩(C) 사이의 공간으로 흐르면서, 반도체 칩(C) 하부에 채워지게 된다. 이와 같이 본 실시예의 웨이퍼 레벨 디스펜서는 펌프 유닛(100)의 노즐(160)을 기울여서 반도체 칩(C)의 측면 하부와 웨이퍼(S)가 만나는 모서리 부분에 더욱 가깝게 직접적으로 접근하여 점성 용액을 디스펜싱할 수 있으므로, 종래의 경우에 비해 반도체 칩(C)의 킵 아웃 존을 더욱 좁게 구성하는 것이 가능하다. 즉, 웨이퍼(S)에 대해 수직 방향으로 점성 용액을 디스펜싱하는 경우에 비해 경사 방향으로 점성 용액을 디스펜싱함으로써, 본 실시예의 웨이퍼 레벨 디스펜서는 점성 용액이 반도체 칩(C) 외곽으로 흐르는 영역(킵 아웃 존)의 면적을 더욱 감소시키고 반도체 칩(C) 하부로 더욱 원활하게 흐르도록 하는 장점이 있다. 또한, 상술한 바와 같이 펌프 유닛(100)이 기울어진 상태에서 전후진 유닛(300)이 그 경사 방향으로 노즐(160)을 전후진시키므로, 노즐(160)과 반도체 칩(C)의 충돌 가능성을 줄이면서도 노즐(160)을 반도체 칩(C)의 필요한 부분에 더욱 가깝게 접근시키는 것이 가능하다. 이와 같은 구성에 의해 언더 필 공정과 같은 점성 용액 디스펜싱 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. The viscous solution dispensed on the lower side of the semiconductor chip C flows into the space between the wafer S and the semiconductor chip C by capillary action, and is filled in the lower portion of the semiconductor chip C. As described above, the wafer level dispenser of the present embodiment tilts the
도 3에 도시된 것과 같이, 틸트된 상태로 점성 용액을 디스펜싱하면 반도체 칩(C) 외곽으로 흐르는 점성 용액의 양을 줄일 수 있으므로, 킵 아웃 존(Keep Out Zone)이 줄어든다. 킵 아웃 존을 좁히면, 반도체 칩(C)의 크기를 줄이는 것이 가능하고 웨이퍼(S) 상에 더 많은 반도체 칩(C)을 배치하여 제작이 가능하므로 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반도체 칩(C)의 특성과 형상에 따라 틸트 유닛(200)으로 노즐(160)의 경사 각도를 조절할 수 있으므로 더욱 효과적인 점성 용액 디스펜싱 작업이 가능하다. As shown in FIG. 3, dispensing the viscous solution in a tilted state reduces the amount of the viscous solution flowing outside the semiconductor chip (C), thereby reducing the keep-out zone. If the keep-out zone is narrowed, it is possible to reduce the size of the semiconductor chip C, and it is possible to manufacture by arranging more semiconductor chips C on the wafer S, thereby improving productivity. In addition, the tilt angle of the
경우에 따라서는 반도체 칩(C)의 2개 이상의 측면을 따라 점성 용액을 디스펜싱할 수도 있다. 이러한 경우에는 웨이퍼 회전 유닛(700)을 통해 웨이퍼(S)를 회전시켜 점성 용액을 디스펜싱할 수 있다. 웨이퍼 회전 유닛(700)의 회전축과 틸트 유닛(200)의 회전축이 서로 상이하므로, 반도체 칩(C)의 측면의 방향이 바뀌더라도 그 반도체 칩(C) 측면에 대한 방향과 경사 각도를 일정하게 유지하면서 점성 용액을 디스펜싱하는 것이 가능하다. In some cases, the viscous solution may be dispensed along two or more sides of the semiconductor chip (C). In this case, the viscous solution may be dispensed by rotating the wafer S through the
사각형 반도체 칩(C)의 수직한 두 측면에 점성 용액을 디스펜싱하는 경우에는 웨이퍼 회전 유닛(700)이 웨이퍼 지지 유닛(500)을 90도 회전시키면 된다. 이와 같이 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는 펌프 유닛(100)의 틸트 각도를 유지하면서 반도체 칩(C)의 여러 측면에 대해 디스펜싱을 수행할 수 있는 효과를 갖는다.In the case of dispensing a viscous solution on two vertical sides of the rectangular semiconductor chip C, the
한편, 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 이용하면 반도체 칩(C)을 다층으로 쌓아 각 반도체 칩(C) 사이의 공간에 점성 용액을 디스펜싱하는 경우에도, 반도체 칩(C)의 불필요한 부분에 점성 용액이 묻는 것을 방지하면서 킵 아웃 존을 최소화하여 점성 용액을 도포하는 것이 가능하다. On the other hand, if the wafer-level dispenser according to the present embodiment is used to stack a semiconductor chip (C) in multiple layers and dispense a viscous solution in a space between each semiconductor chip (C), unnecessary portions of the semiconductor chip (C) It is possible to apply the viscous solution by minimizing the keep-out zone while preventing the viscous solution from being deposited.
수 개의 반도체 칩(C)이 적층될 때 적층된 반도체 칩(C)의 측면에 돌출부가 존재하는 경우에는 기존과 같이 수직 방향으로 노즐(160)을 움직이는 경우에는 돌출부 하측의 공간에 점성 용액을 도포하는 것이 불가능하다. 이와 달리 본 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서는 노즐(160)의 각도를 변화시켜 점성 용액을 도포할 수 있으므로, 돌출부 하측의 공간에도 용이하게 노즐(160)을 접근시켜 점성 용액을 디스펜싱하는 것이 가능하다.When several semiconductor chips (C) are stacked, when a protrusion is present on the side of the stacked semiconductor chip (C), when moving the
이와 같이, 웨이퍼(S)에 존재하는 반도체 칩(C)에 디스펜싱이 완료되면, 웨이퍼(S)를 반송한다. 웨이퍼(S)의 반송은 웨이퍼(S)의 로드의 역순으로 진행된다. 먼저 웨이퍼 이송 유닛(600)이 웨이퍼 지지 유닛(500)을 웨이퍼(S)가 반송될 위치로 이송시킨다. 웨이퍼 가압 유닛(530)의 가압 작동 부재(532)는 가압 부재(531)를 웨이퍼(S)에 대해 상승시키고 가압 부재(531)를 링 프레임(510)에 대해 반경 방향으로 후진시킨다. 웨이퍼 지지 유닛(500)의 승강 부재는 링 프레임(510)에 대해 웨이퍼 지지 부재(520)를 상승시킨다. 웨이퍼 운송 장치는 웨이퍼 지지 부재(520)에 의해 들어 올려진 웨이퍼(S)를 잡아 반송시킨다. As described above, when dispensing is completed on the semiconductor chip C present on the wafer S, the wafer S is transported. The transfer of the wafer S proceeds in the reverse order of the load of the wafer S. First, the
이상 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서에 대해 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 범위가 앞에서 설명하고 도시한 형태로 한정되는 것은 아니다.The preferred embodiment of the wafer level dispenser according to the present invention has been described above, but the scope of the present invention is not limited to the above-described and illustrated forms.
예를 들어, 앞에서는 펌프 유닛(100)이 두 개의 압전 액튜에이터(110, 120)를 포함하는 압전 펌프인 것으로 설명하였으나, 하나의 압전 액튜에이터를 가진 압전 펌프로 펌프 유닛을 구성하는 것도 가능하다. 경우에 따라서는, 압전 펌프 이외의 다른 종류의 펌프로 펌프 유닛을 구성하는 것도 가능하다.For example, although the
또한, 앞에서는 틸트 유닛(200)은 압전 액튜에이터(110, 120)가 배열된 방향과 나란한 회전축을 중심으로 펌프 유닛(100)을 회전시키는 것으로 설명하였으나, 틸트 유닛이 펌프 유닛을 회전시키는 회전축의 방향은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 틸트 유닛, 전후진 유닛, 펌프 유닛의 결합관계는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어 전후진 유닛, 틸트 유닛, 펌프 유닛순서로 결합되게 구성하는 것도 가능하다. In addition, in the foregoing, the
또한, 앞에서 전후진 유닛(300)을 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서를 예로 들어 설명하였으나 전후진 유닛을 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다.In addition, although the wafer level dispenser including the forward and
또한, 앞에서 펌프 이송 유닛(400)은 Y 방향 및 Z 방향으로 펌프 유닛(100)을 이송하는 것으로 설명하였으나, 펌프 이송 유닛이 펌프 유닛을 X 방향으로도 이송할 수 있도록 펌프 이송 유닛을 구성하는 것도 얼마든지 가능하다.In addition, although the
또한, 앞에서 웨이퍼 지지 유닛(500)은 링 형태의 링 프레임(510)으로 형성되는 것으로 설명하였으나, 다양한 형태의 프레임을 통해 웨이퍼(S)를 지지하도록 웨이퍼 지지 유닛을 구성할 수 있다. In addition, although the
또한, 앞에서 웨이퍼 지지 유닛(500)의 중심으로 돌출되는 웨이퍼 지지 부재(520)가 웨이퍼(S)의 가장 자리를 지지하는 것으로 설명하였으나, 이와 다른 다양한 형태의 구성으로 웨이퍼(S)를 지지하는 것이 가능하다.In addition, the
또한, 앞에서는 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)와 히팅 블록(540)에 흡착 구멍이 형성되어 웨이퍼(S)를 진공 흡착하여 고정하는 것으로 설명하였으나, 이러한 흡착 구멍은 생략될 수 있다. In addition, in the foregoing, it has been described that the suction hole is formed in the
또한, 앞에서 웨이퍼 지지 유닛(500)의 웨이퍼 지지 부재(520)가 승강 부재에 의해 승강하는 것으로 설명하였으나, 반대로 구성하는 것도 가능하다. 즉, 웨이퍼 지지 부재를 고정시키고 승강 부재는 링 프레임을 웨이퍼 지지 부재에 대해 승강하도록 구성하는 것도 가능하다. 경우에 따라서는 웨이퍼 지지 부재와 링 프레임을 일체로 구성하고 승강 부재에 의해 링 프레임과 웨이퍼 지지 부재를 함께 승강시키도록 구성하는 것도 가능하다. 승강 부재를 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다.In addition, the
또한, 앞에서 웨이퍼 가압 유닛(530)이 가압 부재(531)와 가압 작동 부재(532)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 웨이퍼(S)를 가압하기 위한 다른 다양한 구성으로 웨이퍼 가압 유닛을 구성할 수 있다. 경우에 따라서는 웨이퍼 가압 유닛을 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다. In addition, although the
또한, 앞에서는 웨이퍼 가압 유닛(530)의 가압 부재(531)과 가압 작동 부재(532)가 3개인 것으로 설명하였으나, 가압 부재와 가압 작동 부재의 개수는 다양하게 변경가능하다.In addition, although the
또한, 앞에서는 히팅 블록(540)이 링 프레임(510) 내부에 배치되는 것으로 설명하였으나, 히팅 블록의 배치 위치는 다양하게 변경될 수 있다. 경우에 따라서는 히팅 블록을 생략하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨 디스펜서를 구성하는 것도 가능하다.In addition, although the
100: 펌프 유닛 110: 제1압전 액튜에이터
120: 제2압전 액튜에이터 130: 레버
140: 밸브 로드 150: 저장부
160: 노즐 200: 틸트 유닛
300: 전후진 유닛 400: 펌프 이송 유닛
500: 웨이퍼 지지 유닛 510: 링 프레임
520: 웨이퍼 지지 부재 530: 웨이퍼 가압 유닛
531: 가압 부재 532: 가압 작동 부재
540: 히팅 블록 600: 웨이퍼 이송 유닛
700: 웨이퍼 회전 유닛 S: 웨이퍼
C: 반도체 칩100: pump unit 110: first piezoelectric actuator
120: second piezoelectric actuator 130: lever
140: valve rod 150: storage
160: nozzle 200: tilt unit
300: forward and backward units 400: pump transfer unit
500: wafer support unit 510: ring frame
520: wafer support member 530: wafer pressing unit
531: pressing member 532: pressing operation member
540: heating block 600: wafer transfer unit
700: Wafer rotating unit S: Wafer
C: semiconductor chip
Claims (12)
상기 펌프 유닛에 의해 디스펜싱되는 점성 용액의 토출 방향의 각도를 조절하도록 상기 펌프 유닛에 결합되어 상기 펌프 유닛을 수평 방향 중심축에 대해 회전시키는 틸트 유닛;
상기 틸트 유닛에 결합되어 상기 틸트 유닛을 이송하는 펌프 이송 유닛;
상기 펌프 유닛의 하측에 배치되고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 유닛;
상기 웨이퍼 지지 유닛에 의해 지지되는 웨이퍼의 방향을 조절하도록 상기 웨이퍼 지지 유닛을 회전시키는 웨이퍼 회전 유닛; 및
상기 틸트 유닛에 설치되어 상기 틸트 유닛에 대해 펌프 유닛을 상기 펌프 유닛에 의해 디스펜싱되는 점성 용액의 토출 방향으로 전후진시키는 전후진 유닛;을 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.A pump unit for dispensing viscous solutions;
A tilt unit coupled to the pump unit to adjust the angle of the discharge direction of the viscous solution dispensed by the pump unit to rotate the pump unit about a horizontal central axis;
A pump transfer unit coupled to the tilt unit to transfer the tilt unit;
A wafer support unit disposed under the pump unit and supporting a wafer;
A wafer rotating unit rotating the wafer supporting unit to adjust the direction of the wafer supported by the wafer supporting unit; And
Wafer-level dispenser comprising a; forward and backward units that are installed on the tilt unit to move the pump unit with respect to the tilt unit in the discharge direction of the viscous solution dispensed by the pump unit.
상기 펌프 유닛에 대한 상기 웨이퍼 지지 유닛의 위치를 조절하도록 상기 웨이퍼 지지 유닛을 수평 방향으로 이송하는 웨이퍼 이송 유닛;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.According to claim 1,
Wafer level dispenser further comprising; a wafer transfer unit for transferring the wafer support unit in the horizontal direction to adjust the position of the wafer support unit relative to the pump unit.
상기 웨이퍼 이송 유닛은, 상기 웨이퍼 지지 유닛을 수평 방향 직선 경로로 전후진시키고,
상기 펌프 이송 유닛은, 상기 웨이퍼 지지 유닛의 이송 방향에 직교하는 수평 방향과 상하 방향으로 상기 펌프 유닛을 이송하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.According to claim 2,
The wafer transfer unit moves the wafer support unit back and forth in a horizontal and straight path,
The pump transfer unit is a wafer level dispenser for transferring the pump unit in the horizontal direction and the vertical direction orthogonal to the transfer direction of the wafer support unit.
상기 웨이퍼 지지 유닛에 거치된 웨이퍼의 하면에 접촉하여 상기 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지하는 히팅 블록;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method according to any one of claims 1 to 3,
A wafer level dispenser further comprising; a heating block contacting a lower surface of the wafer mounted on the wafer support unit to keep the temperature of the wafer constant.
상기 웨이퍼 지지 유닛은, 원반 형태의 웨이퍼 가장 자리를 지지하는 링 형태의 링 프레임을 포함하고,
상기 히팅 블록은, 상기 웨이퍼 지지 유닛의 링 프레임의 내부에 배치되는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 4,
The wafer support unit includes a ring-shaped ring frame that supports a disc-shaped wafer edge,
The heating block is a wafer level dispenser disposed inside the ring frame of the wafer support unit.
상기 웨이퍼 지지 유닛에 거치된 웨이퍼의 휨(warpage)을 방지하도록 상기 히팅 블록에 대해 상기 웨이퍼를 가압하는 웨이퍼 가압 유닛;을 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 5,
And a wafer pressing unit that presses the wafer against the heating block to prevent warpage of the wafer mounted on the wafer support unit.
상기 웨이퍼 가압 유닛은,
상기 웨이퍼 지지 유닛의 링 프레임의 원주 방향을 따라 배열되는 복수의 가압 부재와,
상기 복수의 가압 부재를 각각 상기 링 프레임에 대해 반경 방향으로 이송하고 상기 복수의 가압 부재를 상기 링 프레임에 대해 각각 승강시키는 복수의 가압 작동 부재를 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 6,
The wafer pressing unit,
A plurality of pressing members arranged along the circumferential direction of the ring frame of the wafer support unit,
A wafer level dispenser comprising a plurality of pressing operation members for transferring the plurality of pressing members in a radial direction with respect to the ring frame, respectively, and for lifting the plurality of pressing members with respect to the ring frame, respectively.
상기 웨이퍼 지지 유닛은,
상기 웨이퍼의 하면을 흡착할 수 있도록 형성되어 상기 링 프레임의 원주 방향을 따라 배열되는 복수의 웨이퍼 지지 부재를 더 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 8,
The wafer support unit,
A wafer level dispenser further comprising a plurality of wafer support members formed to adsorb the lower surface of the wafer and arranged along the circumferential direction of the ring frame.
상기 펌프 유닛은, 압전 액튜에이터를 이용하여 점성 용액을 디스펜싱하는 압전 펌프인 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 4,
The pump unit is a piezoelectric pump that dispenses a viscous solution using a piezoelectric actuator, a wafer level dispenser.
상기 펌프 유닛은,
인가 전압에 따라 길이가 변하는 적어도 하나의 압전 액튜에이터와, 상기 압전 액튜에이터에 접촉하도록 배치되어 상기 압전 액튜에이터의 길이 변화에 따라 회전하는 레버와, 상기 레버에 연결되어 상기 레버의 회전에 따라 전후진하는 밸브 로드와, 상기 밸브 로드가 삽입되어 전후진하고 상기 점성 용액이 저장되는 저장부와, 상기 저장부에 연결되어 상기 점성 용액이 토출되는 노즐을 포함하는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 10,
The pump unit,
At least one piezoelectric actuator having a length varying according to an applied voltage, a lever disposed to contact the piezoelectric actuator and rotating according to a change in the length of the piezoelectric actuator, and a valve connected to the lever to move back and forth according to the rotation of the lever A wafer-level dispenser including a rod, a storage portion in which the valve rod is inserted and moved back and forth to store the viscous solution, and a nozzle connected to the storage portion to discharge the viscous solution.
상기 펌프 유닛은,
상기 압전 액튜에이터를 두 개 구비하고,
상기 두 개의 압전 액튜에이터는 상기 레버의 회전축을 중심으로 양측에 배치되며,
상기 틸트 유닛은, 상기 두 개의 압전 액튜에이터가 배열된 방향과 나란한 회전축을 중심으로 상기 펌프 유닛을 회전시키는 웨이퍼 레벨 디스펜서.The method of claim 11,
The pump unit,
Two piezoelectric actuators are provided,
The two piezoelectric actuators are disposed on both sides about the rotation axis of the lever,
The tilt unit is a wafer level dispenser for rotating the pump unit about a rotation axis parallel to the direction in which the two piezoelectric actuators are arranged.
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