KR20190117760A - Method for producing a cured product pattern, method for producing an optical component, a circuit board and a quartz mold replica, and a material for imprint pretreatment coating and cured product thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 높은 처리량을 제공하며 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 경화물 패턴의 제조 방법을 제공하는 것이다.
기판(301) 상에, 중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)의 액막으로 형성된 층(302)을 배치하는 제1 단계 (배치 단계) 및
용매인 성분 (D1)을 제외한 상기 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')로 형성된 층(302) 상에, 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)의 액적(303)을 이산적으로 분배하는 제2 단계 (분배 단계)
를 포함하며,
상기 조성물 (α1')과 상기 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적인,
경화물 패턴의 제조 방법.It is an object of the present invention to provide a process for producing a cured product pattern that provides high throughput and has uniform physical properties in the shot region of the substrate.
A first step (batch step) of disposing a layer 302 formed of a liquid film of the curable composition (α1) containing at least the component (A1) that is a polymerizable compound on the substrate 301;
Droplets of the curable composition (α2) containing at least component (A2), which is a polymerizable compound, on the layer 302 formed of the composition (α1 ') of the component of the curable composition (α1) except for the component (D1), which is a solvent. Second step of distributing discretely 303 (distribution step)
Including;
The mixing of the composition (α1 ') with the curable composition (α2) is exothermic,
Method for producing a cured product pattern.

Description

경화물 패턴의 제조 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅용 재료 및 그의 경화물Method for producing a cured product pattern, method for producing an optical component, a circuit board and a quartz mold replica, and a material for imprint pretreatment coating and cured product thereof

본 발명은, 경화물 패턴의 제조 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅용 재료 및 그의 경화물에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of hardened | cured material pattern, the manufacturing method of an optical component, a circuit board, and a quartz mold replica, the material for imprint pretreatment coating, and its hardened | cured material.

반도체 디바이스, MEMS 등에서 미세화의 요구가 높아져 왔다. 특히, 광 나노임프린트 기술이 주목받아 왔다. 광 나노임프린트 기술에서는, 표면에 미세한 요철 패턴이 형성된 몰드를 광경화성 조성물 (레지스트)이 도포된 기판 (웨이퍼)에 대해 가압한 상태에서, 레지스트를 경화시킨다. 이에 의해, 몰드의 요철 패턴을 레지스트의 경화물 상에 전사하고, 따라서 기판 상에 패턴을 형성한다. 광 나노임프린트 기술에 따르면, 기판 상에 수 나노미터 오더의 미세한 구조체를 형성할 수 있다.The demand for miniaturization has increased in semiconductor devices, MEMS, and the like. In particular, optical nanoimprint technology has attracted attention. In the photo nanoimprint technique, the resist is cured in a state in which a mold having a fine concavo-convex pattern formed on the surface is pressed against a substrate (wafer) to which the photocurable composition (resist) is applied. As a result, the uneven pattern of the mold is transferred onto the cured product of the resist, thus forming a pattern on the substrate. According to the photo nanoimprint technique, it is possible to form a fine structure of several nanometer order on a substrate.

광 나노임프린트 기술에서는, 먼저, 기판 상의 패턴 형성 영역에 레지스트를 도포한다 (배치 단계). 이어서, 이 레지스트를 패턴이 형성된 몰드를 사용하여 성형한다 (몰드 접촉 단계). 그리고, 광을 조사하여 레지스트를 경화 (광 조사 단계)시킨 후, 몰드를 이형시킨다 (이형 단계). 이들 단계를 실시함으로써, 미리 결정된 형상을 갖는 수지의 패턴 (광경화물)이 기판 상에 형성된다. 또한, 기판 상의 다른 위치에 상기의 전 단계를 반복함으로써, 기판 전체에 미세한 구조체를 형성할 수 있다.In the photo nanoimprint technique, first, a resist is applied to a pattern formation region on a substrate (batch step). This resist is then molded using a patterned mold (mold contact step). Then, after the light is irradiated to cure the resist (light irradiation step), the mold is released (release step). By performing these steps, a pattern (photocured product) of a resin having a predetermined shape is formed on the substrate. Further, by repeating the above steps at different positions on the substrate, a fine structure can be formed over the entire substrate.

특허문헌 1에 개시된 광 나노임프린트 기술에 의한 패턴 형성 방법을, 도 1의 모식 단면도를 참조하여 설명한다. 먼저, 잉크젯 방법을 사용하여 기판(101) 상의 패턴 형성 영역에 액상 경화성 조성물 (레지스트)(102)를 이산적으로 적하한다 (배치 단계 (1), 도 1(a) 내지 도 1(c)). 적하된 경화성 조성물(102)의 액적은 각각 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표(104)로 표시된 바와 같이 기판(101) 상에서 확산되며 (도 1(c)), 이러한 현상을 예비확산(prespread)으로 칭한다. 이어서, 상기 경화성 조성물(102)을, 패턴이 형성된 하기 기재된 조사광(106)에 대해 투명한 몰드(105)를 사용하여 성형한다 (몰드 접촉 단계 (2), 도 1(d) 및 확대부). 몰드 접촉 단계에서는, 경화성 조성물(102)의 액적은 각각 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표(104)로 표시된 바와 같이 기판(101)과 몰드(105) 사이의 간극의 전체 영역 상에 걸쳐 확산된다 (도 1(d) 및 확대부). 이러한 현상을 확산(spread)으로 칭한다. 또한, 몰드 접촉 단계에서는, 경화성 조성물(102)은 몰드(105) 상의 오목부의 내부에도, 각각 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표(104)로 표시된 바와 같이, 모세관 현상에 의해 충전된다 (도 1(d)의 확대부). 이러한 충전 현상을 충전(fill)으로 칭한다. 확산 및 충전을 완료하는데 필요한 시간을 충전 시간(filling time)으로 칭한다. 경화성 조성물(102)의 충전을 완료한 후, 조사광(106)을 조사하여 경화성 조성물(102)를 경화 (광 조사 단계 (3), 도 1(e))시키고, 그 후 기판(101)으로부터 몰드(105)를 이형시킨다 (이형 단계 (4), 도 1(f)). 상기 단계들을 순차적으로 수행함으로써 미리 결정된 패턴 형상을 갖는 경화된 경화성 조성물(102)의 패턴 (광경화막(107), 도 1(f) 및 확대부)이 기판(101) 상에 형성된다. 또한, 몰드(105)의 볼록부에 대응하는 레지스트 패턴의 오목부에 잔막(108)이 잔류할 수 있다 (도 1(f)의 확대부).The pattern formation method by the optical nanoimprint technique disclosed by patent document 1 is demonstrated with reference to a schematic cross section of FIG. First, the liquid curable composition (resist) 102 is discretely added to the pattern formation region on the substrate 101 using the inkjet method (batch step (1), Figs. 1 (a) to 1 (c)). . Droplets of the dropped curable composition 102 are diffused on the substrate 101, respectively, as indicated by arrows 104 indicating the directions in which the droplets are diffused (FIG. 1 (c)), and this phenomenon is prespreaded. It is called. Subsequently, the curable composition 102 is molded using a mold 105 transparent to the irradiation light 106 described below where the pattern is formed (mold contact step (2), FIG. 1 (d) and enlarged portion). In the mold contacting step, the droplets of the curable composition 102 are spread over the entire area of the gap between the substrate 101 and the mold 105 as indicated by arrows 104 each indicating the direction in which the droplets diffuse ( 1 (d) and an enlarged part). This phenomenon is called spread. Further, in the mold contacting step, the curable composition 102 is also filled by capillary action, as indicated by arrows 104 indicating the directions in which the droplets respectively diffuse inside the recesses on the mold 105 (FIG. 1 ( an enlarged part of d). This filling phenomenon is called fill. The time required to complete diffusion and filling is referred to as filling time. After completing the filling of the curable composition 102, the irradiation light 106 is irradiated to cure the curable composition 102 (light irradiation step (3), FIG. 1 (e)), and then from the substrate 101. The mold 105 is released (release step 4, FIG. 1 (f)). By performing the above steps sequentially, a pattern of the cured curable composition 102 (photocured film 107, FIG. 1F and enlarged portion) having a predetermined pattern shape is formed on the substrate 101. In addition, the remaining film 108 may remain in the concave portion of the resist pattern corresponding to the convex portion of the mold 105 (an enlarged portion of FIG. 1 (f)).

일본 특허 공개 제 2010-073811호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2010-073811

S. Reddy, R.T. Bonnecaze, Microelectronic Engineering, 82, 60-70 (2005) S. Reddy, R. T. Bonnecaze, Microelectronic Engineering, 82, 60-70 (2005) N. Imaishi, Int. J. Microgravity Sci. No. 31 Supplement 2014 (S5-S12) N. Imaishi, Int. J. Microgravity Sci. No. 31 Supplement 2014 (S5-S12)

특허문헌 1에 개시된 광 나노임프린트 기술에서는, 몰드 접촉 개시부터 확산 및 충전의 완료까지의 시간 (충전 시간)이 길고, 따라서 처리량이 낮다는 과제가 있었다.In the optical nanoimprint technique disclosed in Patent Literature 1, there is a problem that the time (charging time) from the start of mold contact to completion of diffusion and filling is long, and thus the throughput is low.

상기를 고려하여, 본 발명의 발명자들은 충전 시간이 짧은, 즉 처리량이 높은 광 나노임프린트 기술 (짧은 확산 시간 나노임프린트 리소그래피(Short Spread Time Nanoimprint Lithography), 이하 "SST-NIL"로 지칭됨)을 고안하였다. SST-NIL은, 도 2의 모식 단면도에 도시된 바와 같이,In view of the above, the inventors of the present invention devised a light nanoimprint technique with a short filling time, i.e. a high throughput (short short spread time nanoimprint lithography, hereinafter referred to as "SST-NIL"). It was. SST-NIL is, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG.

기판(201) 상에 경화성 조성물 (α1)(202)의 액막을 배치하는 배치 단계 (1),An arrangement step (1) of disposing a liquid film of the curable composition (α1) 202 on the substrate 201,

상기 경화성 조성물 (α1)(202)의 액막으로 형성된 층 상에 경화성 조성물 (α2)(203)의 액적을 이산적으로 분배하는 분배 단계 (2),A dispensing step (2) of discretely distributing droplets of the curable composition (α2) 203 onto a layer formed of the liquid film of the curable composition (α1) 202,

경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)가 부분적으로 혼합됨으로써 수득된 혼합층을 몰드(205)에 접촉시키는 몰드 접촉 단계 (3),A mold contacting step (3) of contacting the mold 205 with the mixed layer obtained by partially mixing the curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) 203,

상기 경화성 조성물 (α1)(202)과 상기 경화성 조성물 (α2)(203)가 혼합됨으로써 수득된 혼합층을 조사광(206)으로 경화시키는 광 조사 단계 (4), 및A light irradiation step (4) of curing the mixed layer obtained by mixing the curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) 203 with irradiation light 206, and

경화 후의 혼합층으로부터 상기 몰드(205)를 이형시키는 이형 단계 (5),A releasing step (5) of releasing the mold 205 from the mixed layer after curing,

를 포함하는, 패턴 형상을 갖는 경화막을 수득하는 기술이다.It is a technique of obtaining the cured film which has a pattern shape containing a.

SST-NIL에서, 분배 단계 (2)로부터 이형 단계 (5)까지의 일련의 단계 유닛을 "샷(shot)"으로 칭하며, 몰드(205)가 경화성 조성물 (α1)(202) 및 경화성 조성물 (α2)(203)과 접촉하는 영역, 즉, 기판(201) 상에서 패턴이 형성되는 영역을 "샷 영역"으로 칭한다.In SST-NIL, a series of step units from dispensing step (2) to release step (5) are referred to as “shots”, and mold 205 is referred to as curable composition (α1) 202 and curable composition (α2). The region in contact with the 203, that is, the region where the pattern is formed on the substrate 201, is referred to as a "shot region".

SST-NIL에서는, 이산적으로 적하된 경화성 조성물 (α2)(203)의 액적이, 경화성 조성물 (α1)(202)의 액막 상에서, 각각 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표(204)로 표시된 바와 같이 신속하게 확산되기 때문에, 충전 시간이 짧고, 처리량이 높다.In SST-NIL, as the droplets of the curable composition (α2) 203 discretely dropped are indicated by arrows 204 indicating the directions in which the droplets respectively diffuse on the liquid film of the curable composition (α1) 202. Since it diffuses quickly, the charging time is short and the throughput is high.

그러나, 도 2에 도시된 SST-NIL은 하기 문제를 포함한다. 즉, 경화성 조성물 (α1)(202)은, 기판(201) 상에 샷 영역보다 더 넓은 면적, 예를 들어 기판의 전체 표면을 점유하도록 예를 들어 스핀 코팅 방법을 사용하여 배치된다 (도 2(b)). 한편, 경화성 조성물 (α2)(203)는, 예를 들어 잉크젯 방법을 사용하여 이산적으로 분배된다. 본원에서, 경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)는 상이한 조성물이며, 경화성 조성물 (α2)(203)의 적하 후, 2종의 조성물은 광 조사 단계 (4) 전까지 혼합된다. 경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)의 혼합이 불충분할 경우, 조성이 균일하지 않게 되고 막 물성의 불균일이 발생한다. 조성이 충분히 혼합되지 않은 영역(209), 혼합이 불충분한 상태의 경화성 조성물 (α1)(202) 및 경화성 조성물 (α2)(203)의 혼합물(208)이 존재하는 상태에서 (도 2(e)), 영역(209) 및 혼합물(208)에 조사광(206)을 조사하여 경화시키는 경우 (도 2(f)), 경화에 의해 수득된 막의 건식 에칭 내성 등의 막 물성이 불균일해진다는 문제가 발생한다.However, the SST-NIL shown in FIG. 2 includes the following problem. That is, the curable composition (α1) 202 is disposed on the substrate 201 using, for example, a spin coating method so as to occupy a larger area than the shot area, for example the entire surface of the substrate (FIG. 2 ( b)). On the other hand, the curable composition (? 2) 203 is discretely distributed using, for example, an inkjet method. Here, the curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) 203 are different compositions, and after dropping of the curable composition (α2) 203, the two compositions are mixed before the light irradiation step (4) do. Insufficient mixing of the curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) 203 results in uneven composition and nonuniformity of film properties. In the state where the composition 270 is not sufficiently mixed, the curable composition (α1) 202 and the mixture 208 of the curable composition (α2) 203 are insufficient (FIG. 2E). ), When the irradiated light 206 is irradiated to the region 209 and the mixture 208 to cure it (FIG. 2 (f)), there is a problem that the film properties such as dry etching resistance of the film obtained by curing become uneven. Occurs.

경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)은, 분배 단계 (2)에서 광 조사 단계 (4) 전까지 혼합되어, 경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)의 혼합물(208)을 형성한다. 일반적으로, 경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)의 건식 에칭 내성은 차이가 있는 경우가 많다. 예를 들어, 경화성 조성물 (α1)(202)의 건식 에칭 내성이, 경화성 조성물 (α2)(203)보다 낮은 경우, 조성이 충분히 혼합되어 있지 않은 영역(209)에서의 경화막은 건식 에칭 내성이 낮다. 건식 에칭 내성이 낮은 영역은 후속 단계의 잔막 제거 단계에서의 에칭시에 결함으로 작용한다. 상기와 같은 결함을 방지하기 위해 경화성 조성물 사이의 혼합을 충분히 수행할 필요가 있다. 경화성 조성물 (α1)(202)에 경화성 조성물 (α2)(203)을 확산시키기 위해, 경화성 조성물 (α1)(202)과 경화성 조성물 (α2)(203)은 서로 긴 시간 동안 접촉될 필요가 있다. 그러나, 혼합에 긴 시간이 소요되는 경우, 1샷에 소요되는 시간이 길어지기 때문에, 처리량이 현저하게 감소하는 문제가 발생한다.The curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) 203 are mixed before the light irradiation step (4) in the distributing step (2), so that the curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) ( 203 is formed of a mixture 208. Generally, dry etching resistance of curable composition ((alpha) 1) (202) and curable composition ((alpha) 2) (203) is often different. For example, when the dry etching resistance of the curable composition (α1) 202 is lower than that of the curable composition (α2) 203, the cured film in the region 209 where the composition is not sufficiently mixed has low dry etching resistance. . The areas with low dry etch resistance act as defects in the etching in the remaining film removal step of the subsequent step. In order to prevent such defects, it is necessary to sufficiently perform mixing between the curable compositions. In order to diffuse the curable composition (α2) 203 into the curable composition (α1) 202, the curable composition (α1) 202 and the curable composition (α2) 203 need to be in contact with each other for a long time. However, when the mixing takes a long time, the time taken for one shot becomes long, which causes a problem that the throughput is significantly reduced.

상기 관점에서 본 발명은, 높은 처리량을 제공하며 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 경화물 패턴의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the above, it is an object of the present invention to provide a method for producing a cured product pattern that provides high throughput and has uniform physical properties in a shot region of a substrate.

상기 언급된 과제를 해결하기 위해 본 발명에 따르면,According to the present invention to solve the above-mentioned problem,

(1) 기판 상에, 중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)의 액막으로 형성된 층을 배치하는 제1 단계 (배치 단계),(1) a first step (batch step) of disposing a layer formed of a liquid film of the curable composition (α1) containing at least a component (A1) that is a polymerizable compound on a substrate,

(2) 용매인 성분 (D1)을 제외한 성분의 조성물 (α1')의 액막으로 형성된 층 상에, 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)의 액적을 이산적으로 분배하는 제2 단계 (분배 단계),(2) Discrete droplets of the curable composition (α2) containing at least component (A2) which is a polymerizable compound on a layer formed of a liquid film of the composition (α1 ′) except for component (D1) which is a solvent Second stage (distribution stage),

(3) 상기 조성물 (α1') 및 상기 경화성 조성물 (α2)가 혼합됨으로써 수득된 혼합층을 몰드에 접촉시키는 제3 단계 (몰드 접촉 단계),(3) a third step (molding step) of bringing the mixed layer obtained by mixing the composition (? 1 ') and the curable composition (? 2) into a mold;

(4) 상기 혼합층에 상기 몰드의 측면으로부터 광을 조사하여 상기 층을 경화시키는 제4 단계 (광 조사 단계), 및(4) a fourth step (light irradiation step) of curing the layer by irradiating the mixed layer with light from the side of the mold, and

(5) 경화 후의 상기 혼합층으로부터 상기 몰드를 이형시키는 제5 단계 (이형 단계)(5) fifth step of releasing the mold from the mixed layer after curing (releasing step)

를 포함하며,Including;

상기 조성물 (α1')과 제2 단계에서 분배되는 상기 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적인,Mixing of the composition (α1 ′) with the curable composition (α2) dispensed in the second step is exothermic,

경화물 패턴의 제조 방법이 제공된다.A method for producing a cured product pattern is provided.

또한, 본 발명에 따르면,In addition, according to the present invention,

중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)을 포함하는 임프린트 전처리 코팅용 재료이며,It is an imprint pretreatment coating material containing the curable composition ((alpha) 1) containing the component (A1) which is a polymeric compound at least,

기판 상에 임프린트 전처리 코팅용 재료로 이루어진 액막을 형성하고, 상기 액막에 대해 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)로 형성된 액적을 분배했을 때에, 상기 액적의 성분의 기판 표면 방향으로의 확산이 촉진되고,When a liquid film made of an imprint pretreatment coating material is formed on a substrate, and the droplet formed of the curable composition (α2) containing at least component (A2) which is a polymerizable compound is distributed to the liquid film, the substrate of the component of the droplet Diffusion in the surface direction is promoted,

상기 경화성 조성물 (α1)은, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 제2 단계에서 분배되는 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적인,The curable composition (α1) is exothermic in mixing of the composition (α1 ') of the component of the curable composition (α1) except the component (D1) which is a solvent with the curable composition (α2) to be dispensed in the second step.

임프린트 전처리 코팅용 재료가 제공된다.Materials for imprint pretreatment coatings are provided.

본 발명에 따르면, 높은 처리량을 제공하며, 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 경화물 패턴의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a high throughput and to provide a method for producing a cured product pattern having uniform physical properties in a shot region of a substrate.

도 1은 광 나노임프린트 기술의 선행예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 2는 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 설명하는 모식 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 광 나노임프린트 기술을 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 본 발명의 잔막 제거 단계를 나타내는 모식 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic cross section which shows the precedent example of the optical nanoimprint technique.
2 is a schematic cross-sectional view illustrating the problem to be solved by the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing an optical nanoimprint technology according to the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing the residual film removing step of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 적절히 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 설명하는 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 관련 기술분야의 통상의 기술자의 통상 지식에 기초하여, 이하에 설명하는 실시형태에 대하여 적절히 변경, 개량 등이 추가된 것이 또한 본 발명의 범주에 포함된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail, referring drawings suitably. However, this invention is not limited to embodiment described below. In addition, within the scope of the present invention, modifications, improvements, and the like are appropriately added to the embodiments described below, based on the common knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Included.

[경화성 조성물]Curable Composition

본 발명의 경화물 패턴의 제조 방법은, 적어도 경화성 조성물 (α1) 및 경화성 조성물 (α2) (이하, 둘 다 "경화성 조성물 (α)"이라고도 칭함)를 사용한다. 경화성 조성물 (α1)은, 기판 상에 임프린트 전처리 코팅이 되는 액막을 형성하고, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')의 액막에 대해 경화성 조성물 (α2)로 이루어진 액적을 분배했을 때에 액적 성분의 기판 표면 방향으로의 확산을 촉진하도록 구성된다.The manufacturing method of the hardened | cured material pattern of this invention uses at least curable composition ((alpha) 1) and curable composition ((alpha) 2) (it also calls "a curable composition ((alpha))" hereafter)). Curable composition ((alpha) 1) forms the liquid film which becomes an imprint pretreatment coating on a board | substrate, and is curable composition ((alpha) 2) with respect to the liquid film of composition ((alpha) 1 ') of the component of curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent. It is configured to promote diffusion of the droplet component in the direction of the substrate surface when dispensing the droplets.

경화성 조성물 (α1)은, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 분배되는 액적, 즉, 그 액막 상에 분배되는 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적이고, 또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')의 표면 장력이 경화성 조성물 (α2)의 표면 장력보다 더 큰 것을 특징으로 한다.The curable composition (α1) is exothermic in mixing with the composition (α1 ') of the component of the curable composition (α1) except for the component (D1), which is a solvent, and the droplets dispensed, that is, the curable composition (α2) distributed on the liquid film. In addition, the surface tension of the composition (α1 ′) of the component of the curable composition (α1) except for the component (D1) which is a solvent is characterized by being greater than the surface tension of the curable composition (α2).

여기서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적이라는 것은, 예를 들어 25℃의 환경 하에, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과, 경화성 조성물 (α2)를 1:1 (중량비)로 교반 혼합하였을 때, 2종의 경화성 조성물을 혼합한 조성물의 온도가 상승하는 것을 의미한다. 이와 같이, 혼합시 발열하는, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)를 사용함으로써, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 상으로 경화성 조성물 (α2)를 적하 혼합하는 경우, 온도 저하에 기인하는 점도 상승을 방지하여 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)의 혼합을 촉진한다. 따라서, 높은 처리량을 제공하며 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.Here, it is exothermic that mixing of the composition ((alpha) 1 ') of the component of the curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent, and curable composition ((alpha) 2) is exothermic, for example, in the 25 degreeC environment, When the composition (α1 ') of the components of the curable composition (α1) except for D1) and the curable composition (α2) were stirred and mixed at 1: 1 (weight ratio), the temperature of the composition in which the two kinds of curable compositions were mixed was increased. I mean. Thus, the curable composition except the component (D1) which is a solvent by using the composition ((alpha) 1 ') and curable composition ((alpha) 2) of the component of the curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent which generate | occur | produces at the time of mixing ( In the case of dropwise mixing the curable composition (α2) onto the composition (α1 ') of the component of α1), the composition of the component of the curable composition (α1) except the component (D1), which is a solvent, is prevented from increasing in viscosity due to a temperature drop. Promote mixing of (α1 ') with the curable composition (α2). Therefore, it is possible to provide a pattern forming method that provides high throughput and has uniform physical properties in the shot region of the substrate.

또한, 온도 상승은, 6℃ 이하인 것이 바람직하고, 5℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4℃ 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 온도 상승을 6℃ 이하로 설정함으로써, 경화성 조성물-몰드 계면에서 경화 반응 이외의 부반응이 억제된다. 또한, 본 발명의 충분한 효과를 얻기 위해서는, 0.5℃ 이상 온도 상승 하는 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is preferable that temperature rise is 6 degrees C or less, It is more preferable that it is 5 degrees C or less, It is still more preferable that it is 4 degrees C or less. By setting temperature rise to 6 degrees C or less, side reactions other than a hardening reaction in a curable composition-mold interface are suppressed. Moreover, in order to acquire the sufficient effect of this invention, it is more preferable to raise temperature more than 0.5 degreeC.

혼합시의 온도 변화가 미미하여 측정이 어려운 경우에는, 시차 열분석 장치(DTA), 시차열-열중량 동시 측정 장치(TG-DTA), 시차 주사 열량 측정 장치(DSC) 등의 열분석장치를 사용하여, 혼합시의 발열량 또는 흡열량을 측정하고, 각각을 온도 상승과 온도 저하에 대응시키는 것이 바람직하다.If the temperature change at the time of mixing is difficult and measurement is difficult, thermal analysis apparatuses, such as a differential thermal analysis apparatus (DTA), a differential thermal-gravimetric simultaneous measurement apparatus (TG-DTA), and a differential scanning calorimetry apparatus (DSC), are used. It is preferable to measure the calorific value or endothermic amount at the time of mixing, and to respectively correspond to a temperature rise and a temperature fall.

온도 상승의 평가의 일례로서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)를 1:1 (중량비)로 교반 혼합할 때, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)를 혼합한 조성물의 온도를 측정하고, 혼합시의 온도 상승의 유무를 판정할 수 있다. 온도 상승은 예를 들어 25℃의 환경 하에 평가될 수 있다.As an example of evaluation of temperature rise, when stirring and mixing the composition ((alpha) 1 ') of the component of curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent, and curable composition ((alpha) 2) at 1: 1 (weight ratio), The temperature of the composition which mixed the composition ((alpha) 1 ') of curable composition ((alpha) 1) and curable composition ((alpha) 2) except the component (D1) can be measured, and the presence or absence of the temperature rise at the time of mixing can be determined. The temperature rise can be assessed under an environment of 25 ° C., for example.

다른 예로서, 혼합시의 온도 변화가 미미하여 측정이 어려운 경우에는, 시차 열분석 장치(DTA), 시차열-열중량 동시 측정 장치(TG-DTA), 시차 주사 열량 측정 장치(DSC) 등의 열분석장치를 사용하여 평가할 수 있다. 예를 들어, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)를 1:1 (중량비)로 혼합할 때, 열분석기를 통해 발열량 또는 흡열량을 측정할 수 있다. 온도 상승은 예를 들어 실온의 환경 하에 평가될 수 있다.As another example, when the temperature change at the time of mixing is insignificant and difficult to measure, heat such as a differential thermal analysis device (DTA), a differential thermal-gravimetric simultaneous measurement device (TG-DTA), a differential scanning calorimetry device (DSC), and the like Evaluation can be made using an analytical device. For example, when mixing the composition (α1 ') of the component of the curable composition (α1) and the curable composition (α2) in a 1: 1 (weight ratio) except for component (D1), which is a solvent, a calorific value or absorption is obtained through a thermal analyzer. Calorie can be measured. The temperature rise can be assessed under an environment of, for example, room temperature.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)는 신속하게 혼합하는 것이 바람직하며, 예를 들어 25℃, 정치 상태에서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)를 혼합하는 경우, 5초 이내에 혼합하는 것이 바람직하고, 2초 이내에 혼합하는 것이 보다 바람직하고, 1초 이내에 혼합하는 것이 보다 더 바람직하다.In addition, it is preferable that the composition (α1 ') and the curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) other than the component (D1), which is a solvent, are mixed quickly, for example, at 25 ° C. in a stationary state. When mixing the composition ((alpha) 1 ') of the component of curable composition ((alpha) 1) and curable composition ((alpha) 2) except component (D1), it is preferable to mix within 5 second, and it is more preferable to mix within 2 second, and 1 It is even more preferable to mix within seconds.

또한, 본 명세서에 사용된 용어 "경화물"은, 경화성 조성물 등의 조성물에 함유되는 중합성 화합물을 중합하고, 일부 또는 전부를 경화시킴으로써 수득된 생성물을 의미한다. 또한, 경화물 중 면적에 비해 두께가 극단적으로 얇은 것을 강조하는 때에는, 특히 "경화막"이라고 기재하는 경우가 있다. 또한, 경화막 중 층 상에 적층되어 있는 것을 강조하는 때에는, 특히 "경화층"이라고 기재하는 경우가 있다. 이들 "경화물", "경화막", "경화층"의 형상은 특별히 한정되지 않고 표면에 패턴 형상을 가질 수 있다. 이하, 본 발명에 따른 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.In addition, as used herein, the term "cured product" means a product obtained by polymerizing a polymerizable compound contained in a composition such as a curable composition and curing some or all of it. In addition, when emphasizing that an extremely thin thickness is compared with the area in hardened | cured material, it may describe as "hardened film" especially. In addition, when emphasizing what is laminated | stacked on the layer among cured films, it may describe as "hardening layer" especially. The shapes of these "cured products", "cured films" and "cured layers" are not particularly limited and may have a pattern shape on the surface. Hereinafter, each component which concerns on this invention is demonstrated in detail.

(경화성 조성물 (α))(Curable Composition (α))

본 발명에서, 경화성 조성물 (α), 즉 경화성 조성물 (α1) 및 경화성 조성물 (α2)는, 중합성 화합물인 성분 (A)를 적어도 포함하는 화합물이다. 본 발명에서, 경화성 조성물 (α)는 또한 광중합 개시제인 성분 (B), 비중합성 화합물인 성분 (C), 용매인 성분 (D1)을 함유할 수 있다. 단, 경화성 조성물 (α)는 광을 조사함으로써 경화하는 조성물인 한, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 경화성 조성물 (α)는 성분 (A) 및 성분 (B)로서 작용하는 반응성 관능기를, 그의 동일 분자 내에 갖는 화합물을 함유할 수 있다. 또한, 경화성 조성물 (α1)에 함유되는 각 성분을 성분 (A1) 내지 성분 (D1)로 하고, 경화성 조성물 (α2)에 함유되는 각 성분을 성분 (A2) 내지 성분 (D2)로 한다. 이하, 경화성 조성물 (α)의 각 성분에 대해서, 상세하게 설명한다.In this invention, curable composition ((alpha)), ie, curable composition ((alpha) 1) and curable composition ((alpha) 2), is a compound containing at least component (A) which is a polymeric compound. In this invention, curable composition ((alpha)) can also contain the component (B) which is a photoinitiator, the component (C) which is a nonpolymerizable compound, and the component (D1) which is a solvent. However, as long as it is a composition which hardens | cures by irradiating light, curable composition ((alpha)) is not limited to this. For example, curable composition ((alpha)) may contain the compound which has in its same molecule the reactive functional group which acts as a component (A) and a component (B). In addition, each component contained in curable composition ((alpha) 1) is made into component (A1)-a component (D1), and each component contained in curable composition ((alpha) 2) is made into component (A2)-a component (D2). Hereinafter, each component of curable composition ((alpha)) is demonstrated in detail.

<성분 (A): 중합성 화합물><Component (A): Polymerizable Compound>

성분 (A)는 중합성 화합물이다. 여기서, 본 발명에서 중합성 화합물이란, 광중합 개시제인 성분 (B)로부터 발생한 중합 인자(라디칼 등)와 반응하고, 연쇄 반응(중합 반응)에 의해 중합하는 화합물이다. 중합성 화합물은 이 연쇄 반응에 의해, 고분자 화합물로 이루어진 경화물을 형성하는 화합물인 것이 바람직하다.Component (A) is a polymeric compound. Here, in this invention, a polymeric compound is a compound which reacts with the polymerization factor (radical etc.) which generate | occur | produced from the component (B) which is a photoinitiator, and superposes | polymerizes by chain reaction (polymerization reaction). It is preferable that a polymeric compound is a compound which forms the hardened | cured material which consists of a high molecular compound by this chain reaction.

또한 본 발명에서, 각각의 경화성 조성물 (α) 중에 함유되는 모든 중합성 화합물을 통합해서 성분 (A)로 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 각각의 경화성 조성물 (α) 중에 함유되는 중합성 화합물이 단지 1종인 구성 및 특정한 복수 종의 중합성 화합물인 구성이 포함된다.Moreover, in this invention, it is preferable to make all the polymeric compounds contained in each curable composition ((alpha)) into a component (A). In this case, the structure whose only one type of polymeric compound contained in each curable composition ((alpha)), and the structure which is a specific multiple types of polymeric compound are included.

이러한 중합성 화합물로서는, 예를 들어 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다. 중합 속도, 경화 속도, 공정 시간 등의 단축의 관점에서, 본 발명에 따른 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물인 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물은, 1개 이상의 아크릴로일 기 또는 메타크릴로일 기를 갖는 화합물, 즉, (메트)아크릴 화합물인 것이 바람직하다.As such a polymeric compound, a radical polymeric compound is mentioned, for example. It is more preferable that the polymeric compound which concerns on this invention is a radically polymerizable compound from a viewpoint of shortening of a polymerization rate, a cure rate, process time, etc. It is preferable that a radically polymerizable compound is a compound which has 1 or more acryloyl group or a methacryloyl group, ie, a (meth) acryl compound.

따라서, 본 발명에서, 경화성 조성물 (α)의 성분 (A)로서, (메트)아크릴 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 성분 (A)의 주성분이 (메트)아크릴 화합물인 것이 보다 바람직하다. 나아가 각각의 경화성 조성물 (α) 중에 함유되는 중합성 화합물이 모두 (메트)아크릴 화합물인 것이 가장 바람직하다. 또한, 여기에서 기재하는 "성분 (A)에 대한 주요 성분은 (메트)아크릴 화합물이다"라는 어구는 성분 (A)의 90 중량% 이상이 (메트)아크릴 화합물인 것을 의미한다.Therefore, in this invention, it is preferable to contain a (meth) acryl compound as component (A) of curable composition ((alpha)). Moreover, it is more preferable that the main component of component (A) is a (meth) acryl compound. Furthermore, it is most preferable that all the polymeric compounds contained in each curable composition ((alpha)) are (meth) acryl compounds. In addition, the phrase "main component with respect to component (A) is a (meth) acryl compound" described here means that 90 weight% or more of component (A) is a (meth) acryl compound.

라디칼 중합성 화합물이, 복수 종의 (메트)아크릴 화합물로 이루어지는 경우에는, 단관능 (메트)아크릴 단량체 및 다관능 (메트)아크릴 단량체를 함유하는 것이 바람직하다. 이는, 단관능 (메트)아크릴 단량체와 다관능 (메트)아크릴 단량체를 조합함으로써, 기계적 강도가 강한 경화물이 수득되기 때문이다.When a radically polymerizable compound consists of multiple types of (meth) acryl compounds, it is preferable to contain a monofunctional (meth) acryl monomer and a polyfunctional (meth) acryl monomer. This is because hardened | cured material with strong mechanical strength is obtained by combining a monofunctional (meth) acryl monomer and a polyfunctional (meth) acryl monomer.

1개의 아크릴로일 기 또는 메타크릴로일 기를 갖는 단관능 (메트)아크릴 화합물로서는, 예를 들어 페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 페녹시-2-메틸에틸 (메트)아크릴레이트, 페녹시에톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 3-페녹시-2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 2-페닐페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 4-페닐페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 3-(2-페닐페닐)-2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, EO 변성 p-쿠밀페닐 (메트)아크릴레이트, 2-브로모페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 2,4-디브로모페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 2,4,6-트리브로모페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, EO 변성 페녹시 (메트)아크릴레이트, PO 변성 페녹시 (메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테르 (메트)아크릴레이트, 이소보르닐 (메트)아크릴레이트, 1-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 보르닐 (메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐 (메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메트)아크릴레이트, 시클로헥실 (메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실 (메트)아크릴레이트, 아크릴로일 모르폴린, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, 부틸 (메트)아크릴레이트, 아밀 (메트)아크릴레이트, 이소부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 이소아밀 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 이소데실 (메트)아크릴레이트, 운데실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, 스테아릴 (메트)아크릴레이트, 이소스테아릴 (메트)아크릴레이트, 벤질 (메트)아크릴레이트, 1-나프틸메틸 (메트)아크릴레이트, 2-나프틸메틸 (메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메트)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 에톡시 디에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 메톡시 에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 에톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 디아세톤 (메트)아크릴아미드, 이소부톡시메틸 (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸 (메트)아크릴아미드, t-옥틸 (메트)아크릴아미드, 디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸 (메트)아크릴레이트, N,N-디에틸 (메트)아크릴아미드, 및 N,N-디메틸아미노프로필 (메트)아크릴아미드 등을 들 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.As a monofunctional (meth) acryl compound which has one acryloyl group or a methacryloyl group, for example, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxy-2-methylethyl (meth) acrylate, phenoxy Methoxyethyl (meth) acrylate, 3-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-phenylphenoxyethyl (meth) acrylate, 4-phenylphenoxyethyl (meth) acrylate, 3- (2-phenylphenyl) -2-hydroxypropyl (meth) acrylate, EO-modified p-cumylphenyl (meth) acrylate, 2-bromophenoxyethyl (meth) acrylate, 2,4-dibromo Phenoxyethyl (meth) acrylate, 2,4,6-tribromophenoxyethyl (meth) acrylate, EO modified phenoxy (meth) acrylate, PO modified phenoxy (meth) acrylate, polyoxyethylene Nonylphenyl ether (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate Nitrate, 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, Dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, acryloyl morpholine, 2-hydroxyethyl ( Meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (Meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylic Latex, hexyl (meth) acrylate, heptyl ( Acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acryl Latex, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 1-naphthylmethyl (meth) acrylate, 2-naphthylmethyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, ethoxy diethylene glycol (meth) acrylic Latex, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxy ethylene glycol (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, methoxy polyethylene Recall (meth) acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, diacetone (meth) acrylamide, isobutoxymethyl (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, t-octyl ( Meth) acrylamide, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) acrylate, 7-amino-3,7-dimethyloctyl (meth) acrylate, N, N-diethyl (meth) acrylic Amides, and N, N-dimethylaminopropyl (meth) acrylamide, and the like.

상기 단관능 (메트)아크릴 화합물의 시판품의 예는, 아로닉스(ARONIX) M101, M102, M110, M111, M113, M117, M5700, TO-1317, M120, M150, 및 M156 (이들 모두는 도아고세이 캄파니, 리미티드(Toagosei Co., Ltd)에 의해 제조됨); MEDOL10, MIBDOL10, CHDOL10, MMDOL30, MEDOL30, MIBDOL30, CHDOL30, LA, IBXA, 2-MTA, HPA, 및 비스코트(Viscoat) #150, #155, #158, #190, #192, #193, #220, #2000, #2100, 및 #2150 (이들 모두는 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.)에 의해 제조됨); 라이트 아크릴레이트(LIGHT ACRYLATE) BO-A, EC-A, DMP-A, THF-A, HOP-A, HOA-MPE, HOA-MPL, PO-A, P-200A, NP-4EA, 및 NP-8EA, 및 에폭시 에스테르 M-600A (이들 모두는 교에이샤 케미칼 캄파니, 리미티드(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조됨); 가야라드(KAYARAD) TC110S, R-564, 및 R-128H (이들 모두는 니폰 가야쿠 캄파니, 리미티드(Nippon Kayaku Co., Ltd.)에 의해 제조됨); NK 에스테르 AMP-10G 및 AMP-20G (이들 둘 다는 신-나카무라 케미칼 캄파니, 리미티드(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조됨); FA-511A, 512A, 및 513A (이들 모두는 히타치 케미칼 캄파니, 리미티드(Hitachi Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조됨); PHE, CEA, PHE-2, PHE-4, BR-31, BR-31M, 및 BR-32 (이들 모두는 DKS에 의해 제조됨); VP (바스프(BASF)에 의해 제조됨); 및 ACMO, DMAA, 및 DMAPAA (이들 모두는 고진 캄파니, 리미티드(Kohjin Co., Ltd.)에 의해 제조됨)를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.Examples of commercially available products of the monofunctional (meth) acryl compound include ARONIX M101, M102, M110, M111, M113, M117, M5700, TO-1317, M120, M150, and M156 (all of which are Doagosei Camper Knee, manufactured by Toagosei Co., Ltd.); MEDOL10, MIBDOL10, CHDOL10, MMDOL30, MEDOL30, MIBDOL30, CHDOL30, LA, IBXA, 2-MTA, HPA, and Viscoat # 150, # 155, # 158, # 190, # 192, # 193, # 220 , # 2000, # 2100, and # 2150 (all of which are manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Ltd.); LIGHT ACRYLATE BO-A, EC-A, DMP-A, THF-A, HOP-A, HOA-MPE, HOA-MPL, PO-A, P-200A, NP-4EA, and NP- 8EA, and epoxy ester M-600A, all of which are manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd .; KAYARAD TC110S, R-564, and R-128H (all of which are manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.); NK esters AMP-10G and AMP-20G (both of which are manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.); FA-511A, 512A, and 513A (all of which are manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.); PHE, CEA, PHE-2, PHE-4, BR-31, BR-31M, and BR-32 (all of which are manufactured by DKS); VP (manufactured by BASF); And ACMO, DMAA, and DMAPAA (all of which are manufactured by Kohjin Co., Ltd.).

추가로, 각각 2개 이상의 아크릴로일 기 또는 메타크릴로일 기를 갖는 다관능 (메트)아크릴 화합물로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, PO 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, EO,PO 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 페닐 에틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올 디(메트)아크릴레이트, 1,12-도데칸디올 디아크릴레이트, 1,3-아다만탄 디메탄올 디(메트)아크릴레이트, o-크실릴렌 디(메트)아크릴레이트, m-크실릴렌 디(메트)아크릴레이트, p-크실릴렌 디(메트)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴로일옥시)이소시아누레이트, 비스(히드록시메틸)트리시클로데칸 디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, EO 변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판, PO 변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판, 및 EO,PO 변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판을 들 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.Furthermore, as a polyfunctional (meth) acryl compound which has 2 or more acryloyl group or a methacryloyl group, respectively, For example, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO, PO modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dimethyloltricyclodecane di (meth) acrylate, Pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, phenyl ethylglycol di (meth) acrylate, polyethylene Glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexane Diol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,12-dodecane Diol diacrylate, 1,3-adamantane dimethanol di (meth) acrylate, o-xylylene di (meth) acrylate, m-xylylene di (meth) acrylate, p-xylylene Di (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, tris (acryloyloxy) isocyanurate, bis (hydroxymethyl) tricyclodecane di (meth ) Acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, EO modified 2,2-bis (4-((meth) acryloxy) phenyl) propane, PO modified 2 , 2-bis (4-((meth) acryloxy) phenyl) propane and EO, PO modified 2,2-bis (4-((meth) acryloxy) phenyl) propane , It is not limited.

상기 다관능 (메트)아크릴 화합물의 시판품의 예는, 유피머(YUPIMER) UV SA1002 및 SA2007 (이들 둘 다는 미츠비시 케미칼 코포레이션(Mitsubishi Chemical Corporation)에 의해 제조됨); 비스코트 #195, #230, #215, #260, #335HP, #295, #300, #360, #700, GPT, 및 3PA (이들 모두는 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드에 의해 제조됨); 라이트 아크릴레이트 4EG-A, 9EG-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP-A, PE-3A, PE-4A, 및 DPE-6A (이들 모두는 교에이샤 케미칼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨); 가야라드 PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA-20, -30, -60, 및 -120, 및 HX-620, D-310, 및 D-330 (이들 모두는 니폰 가야쿠 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨); 아로닉스 M208, M210, M215, M220, M240, M305, M309, M310, M315, M325, 및 M400 (이들 모두는 도아고세이 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨); 및 리폭시(Ripoxy) VR-77, VR-60, 및 VR-90 (이들 모두는 쇼와 덴코 KK(Showa Denko KK)에 의해 제조됨)을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.Examples of commercially available products of the multifunctional (meth) acryl compound include, but are not limited to, YUPIMER UV SA1002 and SA2007 (both of which are manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); Biscoats # 195, # 230, # 215, # 260, # 335HP, # 295, # 300, # 360, # 700, GPT, and 3PA (all of which are manufactured by Osaka Organic Chemicals Limited); Light acrylates 4EG-A, 9EG-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP-A, PE-3A, PE-4A, and DPE-6A (all of which are Kyoeisha Chemical company, manufactured by Limited); Gayarard PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA-20, -30, -60, and -120, and HX-620, D-310, and D-330 (all of which are Nippon Kayaku Campani , Manufactured by Limited); Aronix M208, M210, M215, M220, M240, M305, M309, M310, M315, M325, and M400 (all of which are manufactured by Doagosei Co., Ltd.); And Ripoxy VR-77, VR-60, and VR-90 (all of which are manufactured by Showa Denko KK).

이들 라디칼 중합성 화합물은, 단독으로 사용되거나 또는 그의 조합으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 언급된 화합물 군에서, 용어 "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트, 또는 상기 아크릴레이트와 동등한 알콜 잔기를 갖는 메타크릴레이트를 의미한다. 용어 "(메트)아크릴로일 기"는 아크릴로일 기, 또는 상기 아크릴로일 기와 동등한 알콜 잔기를 갖는 메타크릴로일 기를 의미한다. 약어 "EO"는 에틸렌 옥시드를 지칭하고, 용어 "EO 변성 화합물 A"는 화합물 A의 (메트)아크릴산 잔기와 알콜 잔기가 에틸렌 옥시드 기의 블록 구조를 통해 서로 결합된 화합물을 의미한다. 또한, 약어 "PO"는 프로필렌 옥시드를 지칭하고, 용어 "PO 변성 화합물 B"는 화합물 B의 (메트)아크릴산 잔기와 알콜 잔기가 프로필렌 옥시드 기의 블록 구조를 통해 서로 결합된 화합물을 의미한다.These radically polymerizable compounds may be used alone or in combination thereof. In addition, in the above-mentioned group of compounds, the term "(meth) acrylate" means acrylate or methacrylate having an alcohol residue equivalent to the acrylate. The term "(meth) acryloyl group" means acryloyl group, or methacryloyl group having an alcohol residue equivalent to the acryloyl group. The abbreviation “EO” refers to ethylene oxide, and the term “EO modified compound A” refers to a compound in which the (meth) acrylic acid residue and the alcohol residue of compound A are bonded to each other via the block structure of the ethylene oxide group. In addition, the abbreviation “PO” refers to propylene oxide, and the term “PO modified compound B” refers to a compound in which the (meth) acrylic acid residue and the alcohol residue of Compound B are bonded to each other via the block structure of the propylene oxide group. .

경화성 조성물 (α1)은 방향족 기 및/또는 지환족 탄화수소 기를 갖는 중합성 화합물(A1)을 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 경화성 조성물 (α1)의 건식 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.It is preferable that curable composition ((alpha) 1) contains the polymeric compound (A1) which has an aromatic group and / or an alicyclic hydrocarbon group. Thereby, dry etching resistance of curable composition ((alpha) 1) can be improved.

경화성 조성물 (α1)은 알킬렌 에테르 기를 갖는 중합성 화합물인 성분 (A1)을 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 조성물이 2개 이상의 알킬렌 에테르 기의 반복 단위를 갖는 중합성 화합물인 성분 (A1)을 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)를 혼합할 때의 발열량을 향상시킬 수 있다.It is preferable that curable composition ((alpha) 1) contains the component (A1) which is a polymeric compound which has an alkylene ether group. Furthermore, it is more preferred that the composition contains component (A1) which is a polymerizable compound having repeating units of two or more alkylene ether groups. Thereby, the calorific value at the time of mixing the composition ((alpha) 1 ') of the component of curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent, and curable composition ((alpha) 2) can be improved.

경화성 조성물 (α2)은, 방향족 기 및/또는 지환족 탄화수소 기를 갖는 중합성 화합물인 성분 (A2)를 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 경화성 조성물 (α2)의 건식 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.It is preferable that curable composition ((alpha) 2) contains the component (A2) which is a polymeric compound which has an aromatic group and / or an alicyclic hydrocarbon group. Thereby, the dry etching resistance of curable composition ((alpha) 2) can be improved.

중합성 화합물인 성분 (A1)의 경화성 조성물 (α1)에서의 배합 비율은 성분 (A1), 성분 (B1), 성분 (C1)의 합계 중량, 즉 용매인 성분 (D1)을 제외한 모든 성분의 합계 중량에 대하여, 바람직하게는 50 중량% 이상 100 중량% 이하이다. 또한, 배합 비율은 바람직하게는 80 중량% 이상 100 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 90 중량% 이상 100 중량% 이하이다.The blending ratio of the curable composition (α1) of the component (A1), which is a polymerizable compound, is the total weight of the component (A1), the component (B1), and the component (C1), that is, the sum of all components except the component (D1), which is a solvent. The weight is preferably 50% by weight or more and 100% by weight or less. The blending ratio is preferably 80% by weight or more and 100% by weight or less, and more preferably 90% by weight or more and 100% by weight or less.

중합성 화합물인 성분 (A1)의 배합 비율을, 경화성 조성물 (α1')의 성분의 합계 중량에 대하여 50 중량% 이상으로 함으로써, 수득되는 경화막을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화막으로 할 수 있다.By making the compounding ratio of the component (A1) which is a polymeric compound into 50 weight% or more with respect to the total weight of the component of curable composition ((alpha) 1 '), the cured film obtained can be made into the cured film which has a certain mechanical strength. .

중합성 화합물인 성분 (A2)의 경화성 조성물 (α2)에서의 배합 비율은, 성분 (A2), 성분 (B2), 성분 (C2)의 합계 중량, 즉 용매인 성분 (D2)를 제외한 모든 성분의 합계 중량에 대하여, 바람직하게는 50 중량% 이상 99.9 중량% 이하이다. 또한, 배합 비율은 바람직하게는 80 중량% 이상 99 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 90 중량% 이상 98 중량% 이하이다.The blending ratio in the curable composition (α2) of the component (A2) which is a polymerizable compound is the total weight of the component (A2), the component (B2), and the component (C2), that is, of all components except the component (D2) which is a solvent. The total weight is preferably 50% by weight or more and 99.9% by weight or less. The blending ratio is preferably 80% by weight or more and 99% by weight or less, and more preferably 90% by weight or more and 98% by weight or less.

중합성 화합물인 성분 (A2)의 배합 비율을, 경화성 조성물 (α2')의 성분의 합계 중량에 대하여 50 중량% 이상으로 함으로써, 수득되는 경화막을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화막으로 할 수 있다.By making the compounding ratio of the component (A2) which is a polymeric compound into 50 weight% or more with respect to the total weight of the component of curable composition ((alpha) 2 '), the cured film obtained can be made into the cured film which has a certain mechanical strength. .

또한, 하기 기재된 바와 같이, 경화성 조성물 (α1)은 성분 (D1)을 함유하는 것이 바람직하다. 경화성 조성물 (α1) 중 성분 (A1)의 배합 비율은 용매인 성분 (D1)을 함유하는 경화성 조성물 (α1)의 성분의 합계 중량에 대하여, 바람직하게는 0.01 중량% 이상 10중량% 이하이다.In addition, as described below, the curable composition (? 1) preferably contains a component (D1). The blending ratio of the component (A1) in the curable composition (α1) is preferably 0.01% by weight or more and 10% by weight or less based on the total weight of the components of the curable composition (α1) containing the component (D1) that is a solvent.

<성분 (B): 광중합 개시제><Component (B): Photoinitiator>

성분 (B)는, 광중합 개시제이다. 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)는, 상기 기재된 성분 (A) 이외에, 다양한 목적에 따라, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 또한 광중합 개시제인 성분 (B)을 함유할 수 있다. 성분 (B)는, 1종의 중합 개시제로 이루어지거나, 또는 복수 종의 중합 개시제로 이루어질 수 있다.Component (B) is a photoinitiator. Curable composition ((alpha)) which concerns on this invention can contain component (B) which is a photoinitiator in the range which does not impair the effect of this invention other than the component (A) described above in accordance with various objectives. Component (B) may consist of 1 type of polymerization initiators, or may consist of multiple types of polymerization initiators.

광중합 개시제는, 미리 결정된 파장의 광을 감지하여 상기 중합 인자(라디칼 등)를 발생시키는 화합물이다. 구체적으로는, 광중합 개시제는, 광 (적외선, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 전자 빔 등의 하전 입자선, 방사선)에 의해 라디칼을 발생시키는 중합 개시제 (라디칼 발생제)이다.A photoinitiator is a compound which detects the light of a predetermined wavelength, and generate | occur | produces the said polymerization factor (radical etc.). Specifically, a photoinitiator is a polymerization initiator (radical generator) which generates radicals by light (infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, charged particle beams such as electron beams, radiation).

라디칼 발생제의 예는, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 및 2-(o- 또는 p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 치환기를 가질 수 있는 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체; 벤조페논, 및 N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논 (미힐러(Michler) 케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 및 4,4'-디아미노벤조페논 등의 벤조페논 유도체; 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온 등의 α-아미노 방향족 케톤 유도체; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 및 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논; 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 및 벤조인 페닐 에테르 등의 벤조인 에테르 유도체; 벤조인, 및 메틸벤조인, 에틸벤조인, 및 프로필벤조인 등의 벤조인 유도체; 벤질 디메틸 케탈 등의 벤질 유도체; 9-페닐아크리딘 및 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체; N-페닐글리신 등의 N-페닐글리신 유도체; 아세토페논, 및 3-메틸아세토페논, 아세토페논 벤질 케탈, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 및 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 아세토페논 유도체; 티오크산톤, 및 디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 및 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤 유도체; 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐 포스핀 옥시드, 및 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸 포스핀 옥시드 등의 아실포스핀 옥시드 유도체; 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심)] 및 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심 에스테르 유도체; 크산톤; 플루오레논; 벤즈알데히드; 플루오렌; 안트라퀴논; 트리페닐아민; 카르바졸; 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온; 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.Examples of the radical generator include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer and 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer Sieve, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, and 2- (o- or p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer and the like 2,4,5-triarylimidazole dimer which may have a substituent of; Benzophenone, and N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, 4- Benzophenone derivatives such as methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, and 4,4'-diaminobenzophenone; 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane-1 Α-amino aromatic ketone derivatives such as -one; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-t-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-di Phenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, and 2,3-dimethyl Quinones such as anthraquinone; Benzoin ether derivatives such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether; Benzoin and benzoin derivatives such as methyl benzoin, ethyl benzoin, and propyl benzoin; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; Acridine derivatives such as 9-phenylacridine and 1,7-bis (9,9'-acridinyl) heptane; N-phenylglycine derivatives, such as N-phenylglycine; Acetophenone and acetophenone derivatives such as 3-methylacetophenone, acetophenone benzyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone; Thioxanthone derivatives, such as thioxanthone and diethyl thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, and 2-chloro thioxanthone; 2,4,6-trimethylbenzoyl diphenyl phosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl phosphine oxide, and bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4- Acylphosphine oxide derivatives such as trimethylpentyl phosphine oxide; 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl]-, 2- (O-benzoyloxime)] and ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H Oxime ester derivatives such as -carbazol-3-yl]-and 1- (O-acetyloxime); Xanthones; Fluorenone; Benzaldehyde; Fluorene; Anthraquinones; Triphenylamine; Carbazole; 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one; And 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one.

상기 라디칼 발생제의 시판품의 예는, 이르가큐어(Irgacure) 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, 및 2959, CGI-1700, -1750, 및 -1850, CG24-61, 다로큐어(Darocur) 1116 및 1173, 루시린(Lucirin) TPO, LR8893, 및 LR8970 (이들 모두는 바스프에 의해 제조됨), 및 우베크릴(Ubecryl) P36 (UCB에 의해 제조됨)을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.Examples of commercially available products of the radical generator include Irgacure 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, and 2959, CGI-1700, -1750, and -1850, CG24-61, Darocure (Darocur) 1116 and 1173, Lucirin TPO, LR8893, and LR8970 (all of which are manufactured by BASF), and Ubecryl P36 (made by UCB) Does not.

이들 중, 성분 (B)는 아실포스핀 옥시드계 중합 개시제 또는 알킬페논계 중합 개시제인 것이 바람직하다. 상기 기재된 예 중, 아실포스핀 옥시드계 중합 개시제는, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐 포스핀 옥시드, 또는 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸 포스핀 옥시드 등의 아실포스핀 옥시드 화합물이다. 또한, 상기의 예 중, 알킬 페논계 중합 개시제는, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 페닐에테르 등의 벤조인 에테르 유도체; 벤조인, 메틸 벤조인, 에틸 벤조인, 프로필 벤조인 등의 벤조인 유도체; 벤질 디메틸 케탈 등의 벤질 유도체; 아세토페논, 3-메틸아세토페논, 아세토페논벤질케탈, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 또는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 아세토페논 유도체; 또는 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온 등의 α-아미노 방향족케톤 유도체이다.Among these, it is preferable that a component (B) is an acyl phosphine oxide type polymerization initiator or an alkyl phenone type polymerization initiator. In the examples described above, the acylphosphine oxide-based polymerization initiator is 2,4,6-trimethylbenzoyl diphenyl phosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl phosphine oxide, or bis ( Acylphosphine oxide compounds such as 2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentyl phosphine oxide. In the above examples, the alkyl phenone-based polymerization initiator may be selected from benzoin ether derivatives such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether; Benzoin derivatives such as benzoin, methyl benzoin, ethyl benzoin and propyl benzoin; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; Acetophenone derivatives such as acetophenone, 3-methylacetophenone, acetophenonebenzyl ketal, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, or 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone; Or 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1 Α-amino aromatic ketone derivatives such as -one.

본 발명에서, 경화성 조성물 (α1)은 광반응성을 실질적으로 갖지 않는 것이 바람직하다. 이를 위해, 광중합 개시제인 성분 (B1)의 경화성 조성물 (α1)에서의 배합 비율은, 성분 (A1), 성분 (B1), 하기 기재된 비중합성 화합물인 성분 (C1)의 합계, 즉 용매인 성분 (D1)을 제외한 모든 성분의 합계 중량에 대하여, 0.1 중량% 미만으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 배합 비율은 바람직하게는 0.01 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.001 중량% 이하이다.In this invention, it is preferable that curable composition ((alpha) 1) does not have photoreactivity substantially. To this end, the blending ratio of the curable composition (α1) of the component (B1) which is a photopolymerization initiator is the sum of the component (A1), the component (B1), and the component (C1) which is a non-polymerizable compound described below, that is, the component ( It is preferable to set it as less than 0.1 weight% with respect to the total weight of all components except D1). In addition, the blending ratio is preferably 0.01% by weight or less, and more preferably 0.001% by weight or less.

경화성 조성물 (α1)은, 성분 (B1)의 배합 비율을 성분 (A1), 성분 (B1), 성분 (C1)의 합계에 대하여 0.1 중량% 미만으로 하는 것에 의해, 경화성 조성물 (α1)은 광반응성을 실질적으로 갖지 않는다. 임프린트 기술에서, 장치 구성에 따라, 임의의 샷 영역을 노광할 때에 누출 광이 발생하고, 해당 샷 영역에 인접한, 임프린팅 단계를 수행하지 않은 샷 영역이 노광되는 경우가 있다. 경화성 조성물 (α1)이 광반응성을 갖지 않는 것인 경우, 임프린팅 단계를 수행하지 않은 샷 영역에서 누출 광에 의한 경화성 조성물 (α1)의 광경화가 발생하지 않고, 상기 샷 영역에서도 짧은 충전 시간에서도 비-충전 결함이 적은 패턴이 수득된다.Curable composition (α1) is less than 0.1% by weight relative to the total of the component (A1), component (B1), component (C1), the curable composition (α1) is photoreactive Have substantially no. In the imprint technique, depending on the device configuration, leakage light occurs when exposing an arbitrary shot region, and a shot region adjacent to the shot region without performing an imprinting step may be exposed. In the case where the curable composition (α1) is not photoreactive, photocuring of the curable composition (α1) by leaking light does not occur in the shot region where the imprinting step is not performed, and even in the shot region, even at a short filling time, -A pattern with few filling defects is obtained.

경화성 조성물 (α2)는, 광중합 개시제인 2종 이상의 성분 (B2)를 함유하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 경화성 조성물 (α1)과 경화성 조성물 (α2)의 혼합물의 광경화 성능을 향상시킬 수 있다.It is preferable that a curable composition ((alpha) 2) contains 2 or more types of components (B2) which are photoinitiators. Thereby, the photocuring performance of the mixture of curable composition ((alpha) 1) and curable composition ((alpha) 2) can be improved.

광중합 개시제인 성분 (B2)의 경화성 조성물 (α2)에서의 배합 비율은, 성분 (A2), 성분 (B2) 및 하기 기재된 성분 (C2)의 합계 중량, 즉 용매인 성분 (D2)를 제외한 경화성 조성물 (α2)의 성분의 합계 중량에 대하여, 0 중량% 이상 50 중량% 이하이고, 바람직하게는 0.1 중량% 이상 20 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 1 중량% 이상 20 중량% 이하이다.The blending ratio in the curable composition (α2) of component (B2) which is a photoinitiator is the total weight of component (A2), component (B2) and component (C2) described below, that is, curable composition except component (D2) which is a solvent. It is 0 weight% or more and 50 weight% or less with respect to the total weight of the component of ((alpha) 2), Preferably they are 0.1 weight% or more and 20 weight% or less, More preferably, they are 1 weight% or more and 20 weight% or less.

경화성 조성물 (α2)에서의 성분 (B2)의 배합 비율을, 성분 (A2), 성분 (B2), 성분 (C2)의 합계 중량에 대하여 0.1 중량% 이상으로 함으로써, 경화성 조성물 (α2)의 경화 속도를 증가시킬 수 있다. 그 결과, 반응 효율이 우수해질 수 있다. 또한, 성분 (B2)의 배합 비율을 성분 (A2), 성분 (B2), 성분 (C2)의 합계 중량에 대하여 50 중량% 이하로 설정함으로써, 수득되는 경화물을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화물로 할 수 있다.The curing rate of the curable composition (α2) by setting the blending ratio of the component (B2) in the curable composition (α2) to 0.1 wt% or more based on the total weight of the component (A2), the component (B2), and the component (C2). Can be increased. As a result, the reaction efficiency can be excellent. Moreover, when setting the compounding ratio of component (B2) to 50 weight% or less with respect to the total weight of a component (A2), a component (B2), and a component (C2), when the hardened | cured material obtained has a certain mechanical strength, You can do with cargo.

<비중합성 성분 (C)><Nonpolymerizable Component (C)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)는, 상기 기재된 성분 (A), 성분 (B) 이외에, 여러 목적에 따라, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 또한 비중합성 화합물인 성분 (C)를 함유할 수 있다. 이러한 성분 (C)로서는, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분, 기타 첨가제 등을 들 수 있다.The curable composition (α) according to the present invention, in addition to the component (A) and component (B) described above, may be a component (C) that is a non-polymerizable compound within a range that does not impair the effects of the present invention according to various purposes. It may contain. As such a component (C), a sensitizer, a hydrogen donor, an internal addition mold release agent, surfactant, antioxidant, a polymer component, another additive, etc. are mentioned.

증감제는, 중합 반응 촉진 또는 반응 전환율의 향상을 목적으로 하여 적절히 첨가되는 화합물이다. 증감제로서, 예를 들어 증감 색소 등을 들 수 있다. 증감 색소는, 특정한 파장의 광을 흡수함으로써 여기되어, 광중합 개시제인 성분 (B)와 상호작용하는 화합물이다. 또한, 본원에 기재된 용어 "상호 작용"은, 여기 상태의 증감 색소로부터 광중합 개시제인 성분 (B)로의 에너지 전달 또는 전자 전달 등을 지칭한다.A sensitizer is a compound added suitably for the purpose of promoting a polymerization reaction or improving reaction conversion rate. As a sensitizer, a sensitizing dye etc. are mentioned, for example. A sensitizing dye is a compound which is excited by absorbing the light of a specific wavelength, and interacts with the component (B) which is a photoinitiator. In addition, the term "interaction" described herein refers to energy transfer, electron transfer, etc. from the sensitizing dye of an excited state to the component (B) which is a photoinitiator.

증감 색소의 구체예는, 안트라센 유도체, 안트라퀴논 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 카르바졸 유도체, 벤조페논 유도체, 티오크산톤 유도체, 크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 페노티아진 유도체, 캄포르퀴논 유도체, 아크리딘계 색소, 티오피릴륨 염계 색소, 메로시아닌계 색소, 퀴놀린계 색소, 스티릴퀴놀린계 색소, 케토쿠마린계 색소, 티오크산텐계 색소, 크산텐계 색소, 옥소놀계 색소, 시아닌계 색소, 로다민계 색소, 및 피릴륨 염계 색소를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.Specific examples of the sensitizing dye include anthracene derivatives, anthraquinone derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, carbazole derivatives, benzophenone derivatives, thioxanthone derivatives, xanthone derivatives, coumarin derivatives, phenothiazine derivatives and camphorquinone derivatives. , Acridine dyes, thiopyryllium salt dyes, merocyanine dyes, quinoline dyes, styrylquinoline dyes, ketocoumarin dyes, thioxanthene dyes, xanthene dyes, oxonol dyes, cyanine dyes Pigments, rhodamine pigments, and pyryllium salt pigments.

증감제는 단독으로 또는 그의 혼합물로서 사용될 수 있다.The sensitizers can be used alone or as a mixture thereof.

수소 공여체는 광중합 개시제인 성분 (B)로부터 발생된 개시 라디칼, 또는 중합 성장 말단의 라디칼과 반응하여, 반응성이 큰 라디칼을 발생시키는 화합물이다. 성분 (B)가 광 라디칼 발생제인 경우, 바람직하게는 수소 공여체가 첨가된다.A hydrogen donor is a compound which reacts with the starting radical generated from component (B) which is a photoinitiator, or the radical of a polymerization growth terminal, and produces | generates highly reactive radical. If component (B) is an optical radical generator, hydrogen donors are preferably added.

이러한 수소 공여체의 구체예는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 트리-n-부틸아민, 알릴티오우레아, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논, N,N-디메틸아미노벤조산 에틸 에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산 이소아밀 에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에탄올아민, 및 N-페닐글리신 등의 아민 화합물, 및 2-메르캅토-N-페닐벤즈이미다졸 및 메르캅토프로피온산 에스테르 등의 메르캅토 화합물, s-벤질이소티우로늄-p-톨루엔술피네이트 등의 황 화합물 및 트리-n-부틸포스핀 등의 인 화합물을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.Specific examples of such hydrogen donors include n-butylamine, di-n-butylamine, tri-n-butylamine, allylthiourea, 4,4'-bis (dialkylamino) benzophenone, N, N-dimethyl Amine compounds such as aminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethanolamine, and N-phenylglycine, and 2-mercapto-N-phenylbenzimidazole And mercapto compounds such as mercaptopropionic acid esters, sulfur compounds such as s-benzylisothiuronium-p-toluenesulfinate, and phosphorus compounds such as tri-n-butylphosphine.

수소 공여체는 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 그의 혼합물로서 사용될 수 있다. 또한, 수소 공여체는 증감제로서의 기능을 가질 수 있다.Hydrogen donors can be used alone or as mixtures thereof. In addition, the hydrogen donor may have a function as a sensitizer.

몰드와 경화성 조성물 (α) 사이의 계면 결합력의 저감, 즉, 하기 기재된 이형 단계에서의 이형력의 저감의 목적을 위해, 각각의 경화성 조성물 (α) 중에 내첨형 이형제를 첨가할 수 있다. 여기서, 본원에 사용된 용어 "내첨형"은 이형제가 하기 기재된 배치 단계 또는 분배 단계 전에 미리 각각의 경화성 조성물 (α)에 첨가되는 것을 의미한다.For the purpose of reducing the interfacial bonding force between the mold and the curable composition (α), that is, reducing the release force in the release step described below, an internal additive release agent may be added in each curable composition (α). As used herein, the term “internal form” means that a release agent is added to each curable composition (α) before the batching or dispensing step described below.

내첨형 이형제로서는, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제 및 탄화수소계 계면 활성제 등의 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 본 발명에서, 내첨형 이형제는 중합성을 갖지 않는다.As the internal release mold release agent, surfactants such as silicone-based surfactants, fluorine-based surfactants and hydrocarbon-based surfactants can be used. In the present invention, the internal addition type release agent is not polymerizable.

불소계 계면활성제의 예는, 퍼플루오로알킬 기를 갖는 알콜의 폴리알킬렌 옥시드 (폴리에틸렌 옥시드 또는 폴리프로필렌 옥시드 등) 부가물, 및 퍼플루오로폴리에테르의 폴리알킬렌 옥시드 (폴리에틸렌 옥시드 또는 폴리프로필렌 옥시드 등) 부가물을 포함한다. 불소계 계면활성제는, 예를 들어 분자 구조의 일부 (예를 들어, 말단기)에, 히드록실 기, 알콕시 기, 알킬 기, 아미노 기 또는 티올 기를 가질 수 있다.Examples of fluorine-based surfactants include polyalkylene oxides (such as polyethylene oxide or polypropylene oxide) adducts of alcohols having perfluoroalkyl groups, and polyalkylene oxides (polyethylene oxide) of perfluoropolyethers. Or polypropylene oxide, etc.) adducts. The fluorine-based surfactant may have, for example, a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkyl group, an amino group or a thiol group in part of the molecular structure (eg end group).

불소계 계면활성제로서는, 시판품이 사용될 수 있다. 불소계 계면활성제의 시판품의 예는, 메가팩(MEGAFACE) F-444, TF-2066, TF-2067, 및 TF-2068 (이들 모두는 DIC 코포레이션(DIC Corporation)에 의해 제조됨), 플루오라드(Fluorad) FC-430 및 FC-431 (이들 둘 다는 3M 리미티드(3M Limited)에 의해 제조됨), 서플론(SURFLON) S-382 (AGC에 의해 제조됨), EFTOP EF-122A, 122B, 및 122C, EF-121, EF-126, EF-127, 및 MF-100 (이들 모두는 미츠비시 머티리얼스 일렉트로닉 케미칼스 캄파니 리미티드(Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.)에 의해 제조됨), PF-636, PF-6320, PF-656, 및 PF-6520 (이들 모두는 옴노바 솔루션스(OMNOVA Solutions)에 의해 제조됨), 유니다인(UNIDYNE) DS-401, DS-403, 및 DS-451 (이들 모두는 다이킨 인더스트리즈, 리미티드(Daikin Industries, Ltd.)에 의해 제조됨), 및 프터전트(Ftergent) 250, 251, 222F, 및 208G (이들 모두는 네오스 코포레이션(Neos Corporation)에 의해 제조됨)를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.As a fluorine-type surfactant, a commercial item can be used. Examples of commercially available fluorine-based surfactants include MEGAFACE F-444, TF-2066, TF-2067, and TF-2068 (all of which are manufactured by DIC Corporation), Fluorad ) FC-430 and FC-431 (both of which are manufactured by 3M Limited), SURFLON S-382 (manufactured by AGC), EFTOP EF-122A, 122B, and 122C, EF-121, EF-126, EF-127, and MF-100 (all of which are manufactured by Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.), PF-636, PF-6320, PF-656, and PF-6520 (all of which are manufactured by OMNOVA Solutions), UNIDYNE DS-401, DS-403, and DS-451 (all of which are Daikin Industries, manufactured by Daikin Industries, Ltd., and Ftergent 250, 251, 222F, and 208G (all of which are manufactured by Neos Corporation) Including but not limited to.

탄화수소 계면활성제는, 예를 들어 탄소 원자수 1 이상 50 이하의 알킬 알콜에 탄소 원자수 2 이상 4 이하의 알킬렌 옥시드가 부가된 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물을 포함한다.Hydrocarbon surfactants include, for example, alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts having an alkylene oxide of 2 to 4 carbon atoms added to an alkyl alcohol having 1 to 50 carbon atoms.

알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물의 예는, 메틸 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물, 데실 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물, 라우릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물, 세틸 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물, 스테아릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물, 및 스테아릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드/프로필렌 옥시드 부가물을 포함한다. 또한, 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물의 말단기는, 단순하게 알킬 알콜에 폴리알킬렌 옥시드를 부가함으로써 제조된 히드록실 기에 제한되지는 않는다. 이러한 히드록실 기는 또 다른 치환기, 예를 들어 카르복실 기, 아미노 기, 피리딜 기, 티올 기 또는 실라놀 기 등의 극성 관능기, 또는 알킬 기 또는 알콕시 기 등의 소수성 관능기로 전환될 수 있다.Examples of alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts include methyl alcohol polyethylene oxide adducts, decyl alcohol polyethylene oxide adducts, lauryl alcohol polyethylene oxide adducts, cetyl alcohol polyethylene oxide adducts, stearyl alcohol polyethylene oxides. Seed adducts, and stearyl alcohol polyethylene oxide / propylene oxide adducts. Furthermore, the end groups of the alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts are not limited to hydroxyl groups prepared by simply adding polyalkylene oxides to the alkyl alcohols. Such hydroxyl groups can be converted to other substituents, for example polar functional groups such as carboxyl groups, amino groups, pyridyl groups, thiol groups or silanol groups, or hydrophobic functional groups such as alkyl groups or alkoxy groups.

알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물로서는, 시판품이 사용될 수 있다. 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물의 시판품의 예는, 아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드(Aoki Oil Industrial Co., Ltd.)에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 메틸 에테르 (메틸 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) (블라우논(BLAUNON) MP-400, MP-550, 및 MP-1000), 아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 데실 에테르 (데실 알콜 에틸렌 옥시드 부가물) (파인서프(FINESURF) D-1303, D-1305, D-1307, 및 D-1310), 아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르 (라우릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) (블라우논 EL-1505), 아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르 (세틸 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) (블라우논 CH-305 및 CH-310), 아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르 (스테아릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) (블라우논 SR-705, SR-707, SR-715, SR-720, SR-730, 및 SR-750), 아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드에 의해 제조된 랜덤 중합형 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 스테아릴 에테르 (블라우논 SA-50/50 1000R 및 SA-30/70 2000R), 바스프에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 메틸 에테르 (플루리올(Pluriol) A760E), 및 카오 케미칼스(Kao Chemicals)에 의해 제조된 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 (에멀겐(EMULGEN) 시리즈)를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.As the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct, a commercial item can be used. Examples of commercially available alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts include polyoxyethylene methyl ethers (methyl alcohol polyethylene oxide adducts) produced by Aoki Oil Industrial Co., Ltd. BLAUNON MP-400, MP-550, and MP-1000), Aoki Oil Industrial Co., Ltd., polyoxyethylene decyl ether (decyl alcohol ethylene oxide adduct) (FINESURF) D-1303, D-1305, D-1307, and D-1310), Aoki Oil Industrial Company, Polyoxyethylene lauryl ether (lauryl alcohol polyethylene oxide adduct) (Blaunon EL- 1505), Aoki Oil Industrial Company, Polyoxyethylene Cetyl Ether (Cetyl Alcohol Polyethylene Oxide Additives) (Blaunon CH-305 and CH-310) manufactured by Limited, Aoki Oil Industrial Camp Polyoxyethylene Stearyl Ether (Stearyl Alcohol Polyethylene Oxide Adduct) manufactured by Pany, Limited (Blaunon SR-705, SR-707, SR-715, SR-720, SR-730, and SR-750 ), Aoki Oil Industrial Co., Ltd., randomly polymerized polyoxyethylene polyoxypropylene stearyl ethers (Blaunon SA-50 / 50 1000R and SA-30 / 70 2000R) manufactured by Limited, polyoxy manufactured by BASF Ethylene methyl ether (Pluriol A760E), and polyoxyethylene alkyl ethers (EMULGEN series) manufactured by Kao Chemicals, including but not limited to.

이들 탄화수소 계면활성제 중에서도, 내첨형 이형제로서는, 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물이 바람직하고, 장쇄 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물이 보다 바람직하다. 내첨형 이형제는 단독으로 또는 그의 혼합물로서 사용될 수 있다. 경화성 조성물에 내첨형 이형제를 첨가하는 경우에는, 내첨형 이형제로서, 불소계 계면 활성제 또는 탄화수소계 계면 활성제 중 적어도 1종이 첨가되는 것이 바람직하다.Among these hydrocarbon surfactants, as the internal addition type release agent, alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts are preferable, and long chain alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts are more preferable. Internal additives may be used alone or as a mixture thereof. When adding an internal addition type mold release agent to a curable composition, it is preferable that at least 1 sort (s) of a fluorine type surfactant or a hydrocarbon type surfactant is added as an internal addition type mold release agent.

비중합성 화합물인 성분 (C)의 경화성 조성물 (α)에서의 배합 비율은, 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C)의 합계 중량, 즉 용매인 성분 (D)를 제외한 경화성 조성물 (α)의 성분의 합계 중량에 대하여, 0 중량% 이상 50 중량% 이하이고, 바람직하게는 0.1 중량% 이상 50 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1 중량% 이상 20 중량% 이하이다.The blending ratio of the curable composition (α) of the component (C), which is a non-polymerizable compound, refers to the curable composition excluding the total weight of the component (A), the component (B), and the component (C), that is, the component (D) that is a solvent ( It is 0 weight% or more and 50 weight% or less with respect to the total weight of the component of (alpha), Preferably they are 0.1 weight% or more and 50 weight% or less, More preferably, they are 0.1 weight% or more and 20 weight% or less.

성분 (C)의 배합 비율을, 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C)의 합계 중량에 대하여 50 중량% 이하로 설정함으로써, 수득되는 경화물을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화물로 할 수 있다.The hardened | cured material which has a certain mechanical strength for the hardened | cured material obtained by setting the compounding ratio of a component (C) to 50 weight% or less with respect to the total weight of a component (A), a component (B), and a component (C). You can do

<용매 성분 (D)><Solvent Component (D)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)는, 용매인 성분 (D)를 함유할 수 있다. 성분 (D)는 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C)를 용해시키는 용매인 한 특별히 제한되지는 않는다. 바람직한 용매는 상압에서의 비점이 80℃ 이상 200℃ 이하인 용매이다. 보다 바람직하게는, 히드록실기, 에테르 구조, 에스테르 구조, 케톤 구조 중 적어도 1개를 갖는 용매이다.Curable composition ((alpha)) which concerns on this invention can contain the component (D) which is a solvent. Component (D) is not particularly limited as long as it is a solvent for dissolving component (A), component (B), and component (C). Preferable solvent is a solvent whose boiling point at normal pressure is 80 degreeC or more and 200 degrees C or less. More preferably, it is a solvent which has at least 1 of a hydroxyl group, an ether structure, an ester structure, and a ketone structure.

본 발명에 따른 성분 (D)로서는, 구체적으로는, 프로필알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜 등의 알콜계 용매; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 등의 에테르계 용매; 부틸 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등의 에스테르계 용매; 메틸 이소부틸 케톤, 디이소부틸 케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 에틸 락테이트 등의 케톤계 용매로부터 선택되는 1종, 또는 그의 2종 이상의 혼합 용매가 바람직하다.Specific examples of the component (D) according to the present invention include alcohol solvents such as propyl alcohol, isopropyl alcohol and butyl alcohol; Ether solvents such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether; Ester solvents such as butyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate; Preferred is one selected from ketone solvents such as methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, ethyl lactate, or a mixture of two or more thereof.

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α1)은, 성분 (D1)을 함유하는 것이 바람직하다. 하기 기재된 바와 같이, 기판 상에 경화성 조성물 (α1)을 도포하는 방법으로서 스핀 코팅 방법이 바람직하기 때문이다. 이 경우, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 시클로헥사논, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 에틸 락테이트로부터 선택되는 1종, 또는 그의 2종 이상의 혼합 용액이 도포성의 관점에서 특히 바람직하다.It is preferable that curable composition ((alpha) 1) which concerns on this invention contains component (D1). It is because a spin coating method is preferable as a method of apply | coating curable composition ((alpha) 1) on a board | substrate as described below. In this case, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, and one or more mixed solutions thereof selected from ethyl lactate may be applied. It is especially preferable from a viewpoint.

본 발명에 따른 성분 (D1)의 경화성 조성물 (α1)에서의 배합 비율은, 성분 (A1), 성분 (B1), 성분 (C1)의 점도 또는 도포성, 형성되는 액막의 막 두께 등에 의해 적절히 조정할 수 있으나, 경화성 조성물 (α1)의 총량에 대하여 70 중량% 이상이 바람직하다. 배합 비율은 보다 바람직하게는 90 중량% 이상, 보다 바람직하게는 95 중량% 이상이다. 성분 (D1)의 배합 비율이 증가할수록 형성되는 액막의 막 두께가 감소할 수 있다. 또한, 성분 (D1)의 경화성 조성물 (α1)에서의 배합 비율이 70 중량% 이하인 경우에는 충분한 도포성이 수득되지 않는 경우가 있다.The blending ratio in the curable composition (α1) of the component (D1) according to the present invention is appropriately adjusted by the viscosity or coatability of the component (A1), the component (B1), the component (C1), the film thickness of the liquid film to be formed, and the like. Although preferably 70% by weight or more based on the total amount of the curable composition (α1). The blending ratio is more preferably 90% by weight or more, and more preferably 95% by weight or more. As the blending ratio of component (D1) increases, the film thickness of the liquid film formed may decrease. In addition, when the blending ratio of the curable composition (α1) of the component (D1) is 70% by weight or less, sufficient applicability may not be obtained.

또한, 도포 후의 경화성 조성물 (α1) 중의 성분 (D1)은, 배치 단계와 분배 단계 사이에 휘발 등에 의해 제거되는 것이 바람직하다.In addition, the component (D1) in the curable composition (α1) after application is preferably removed by volatilization or the like between the disposing step and the dispensing step.

또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α2)에는 용매인 성분 (D2)를 사용할 수도 있으나, 경화성 조성물 (α2)은 용매를 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 본원에서, "용매를 실질적으로 함유하지 않는다"는 조성물이 불순물 등의 의도치 않게 함유된 용매 이외의 용매를 함유하지 않는 것을 의미한다. 즉, 예를 들어 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α2)의 용매인 성분 (D2)의 함유량은 경화성 조성물 (α2) 전체에 대하여 3 중량% 이하인 것이 바람직하고, 1 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본원에 사용된 용어 "용매"는 경화성 조성물 또는 포토레지스트에서 일반적으로 사용되는 용매를 지칭한다. 즉 용매의 종은, 본 발명에서 사용하는 화합물을 용해 및 균일 분산시키는 것으로, 또한 해당 화합물과 반응하지 않는 한 특별히 제한되지는 않는다.In addition, although the component (D2) which is a solvent can also be used for curable composition ((alpha) 2) which concerns on this invention, it is preferable that curable composition ((alpha) 2) does not contain a solvent substantially. As used herein, "substantially free of solvent" means that the composition contains no solvent other than unintentionally contained solvents such as impurities. That is, it is preferable that content of the component (D2) which is a solvent of curable composition ((alpha) 2) concerning this invention, for example is 3 weight% or less with respect to the whole curable composition ((alpha) 2), and it is more preferable that it is 1 weight% or less. In addition, the term "solvent" as used herein refers to a solvent generally used in curable compositions or photoresists. That is, the species of the solvent is not particularly limited as long as it dissolves and homogeneously disperses the compound used in the present invention and does not react with the compound.

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)는, 나노임프린트용 경화성 조성물인 것이 바람직하고, 광 나노임프린트용 경화성 조성물인 것이 보다 바람직하고, 상기 기재된 SST-NIL 공정에서 사용하는 경화성 조성물, 즉 SST-NIL용 경화성 조성물인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the curable composition ((alpha)) which concerns on this invention is a curable composition for nanoimprints, It is more preferable that it is a curable composition for optical nanoimprints, The curable composition used in the above-mentioned SST-NIL process, ie, for SST-NIL It is more preferable that it is a curable composition.

또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α) 또는 이를 경화하여 수득되는 경화물을 적외 분광법, 자외 가시 분광법, 열분해 기체 크로마토그래피 질량분석법 등에서 분석함으로써, 각각의 경화성 조성물 (α)에서의 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C), 성분 (D)의 비율을 구할 수 있다.Furthermore, the component (A) in each curable composition (α) by analyzing the curable composition (α) according to the present invention or a cured product obtained by curing the same by infrared spectroscopy, ultraviolet visible spectroscopy, pyrolysis gas chromatography mass spectrometry, or the like. The ratio of component (B), component (C) and component (D) can be obtained.

<경화성 조성물 (α)의 배합시의 온도><Temperature at the time of blending the curable composition (α)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)를 제조시, 각 성분을 미리 결정된 온도 조건 하에서 혼합 및 용해시킨다. 구체적으로는, 혼합 및 용해는 0℃ 이상 100℃ 이하의 범위의 온도에서 수행한다.In preparing the curable composition (α) according to the invention, each component is mixed and dissolved under predetermined temperature conditions. Specifically, mixing and dissolution are performed at a temperature in the range of 0 ° C or more and 100 ° C or less.

<경화성 조성물 (α)의 점도><Viscosity of the Curable Composition (α)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α1) 및 (α2)은 액체인 것이 바람직하다. 이는 왜냐하면 하기 기재된 몰드 접촉 단계에서, 경화성 조성물 (α1) 및 (α2)가 액체이기 때문에 경화성 조성물 (α1) 및/또는 경화성 조성물 (α2)의 확산 및 충전이 신속하게 완료되며, 즉 충전 시간이 짧기 때문이다.It is preferable that curable compositions ((alpha) 1) and ((alpha) 2) concerning this invention are liquid. This is because in the mold contacting step described below, since the curable compositions (α1) and (α2) are liquid, diffusion and filling of the curable composition (α1) and / or the curable composition (α2) are completed quickly, that is, the filling time is short. Because.

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α1)에서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 조성물 (α1')의 23℃에서의 점도는, 1 mPa·s 이상 1000 mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 또한, 점도는 1 mPa·s 이상 500 mPa·s 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 mPa·s 이상 100 mPa·s 이하인 것이 보다 더 바람직하다.In curable composition ((alpha) 1) which concerns on this invention, it is preferable that the viscosity in 23 degreeC of the composition ((alpha) 1 ') of curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent is 1 mPa * s or more and 1000 mPa * s or less. Do. Moreover, it is more preferable that it is 1 mPa * s or more and 500 mPa * s or less, and it is still more preferable that they are 1 mPa * s or more and 100 mPa * s or less.

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α2)에서, 용매인 성분 (D2)를 제외한 경화성 조성물 (α2)의 조성물 (α2')의 23℃에서의 점도는, 1 mPa·s 이상 100 mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 또한, 점도는 1 mPa·s 이상 50 mPa·s 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 mPa·s 이상 12 mPa·s 이하인 것이 보다 더 바람직하다.In curable composition ((alpha) 2) which concerns on this invention, it is preferable that the viscosity in 23 degreeC of composition ((alpha) 2 ') of curable composition ((alpha) 2) except the component (D2) which is a solvent is 1 mPa * s or more and 100 mPa * s or less. Do. Moreover, it is more preferable that it is 1 mPa * s or more and 50 mPa * s or less, and it is still more preferable that they are 1 mPa * s or more and 12 mPa * s or less.

또한, 경화성 조성물 (α2)는, 용매인 성분 (D2)를 포함하지 않으며, 또한 23℃에서의 점도가, 1 mPa·s 이상 100 mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 1 mPa·s 이상 50 mPa·s 이하, 보다 더 바람직하게는 1 mPa·s 이상 12 mPa·s 이하인 것이 바람직하다.Moreover, curable composition ((alpha) 2) does not contain the component (D2) which is a solvent, and the viscosity in 23 degreeC is 1 mPa * s or more and 100 mPa * s or less, More preferably, it is 1 mPa * s or more and 50 mPa S or less, More preferably, it is 1 mPa * s or more and 12 mPa * s or less.

용매인 성분 (D)를 제외한 경화성 조성물 (α)의 성분의 조성물 (α')의 점도를 100 mPa·s 이하로 설정함으로써, 경화성 조성물 (α)를 몰드에 접촉시킬 때 확산 및 충전이 신속하게 완료된다 (비특허문헌 1). 즉, 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)를 사용하는 경우 광 나노임프린트 방법을 높은 처리량으로 행할 수 있다. 또한, 충전 불량으로 인한 패턴 결함이 발생하기 어려워진다.By setting the viscosity of the composition (α ') of the component of the curable composition (α) excluding the component (D) that is a solvent to 100 mPa · s or less, diffusion and filling are quickly achieved when the curable composition (α) is brought into contact with the mold. It is completed (nonpatent literature 1). That is, when using the curable composition ((alpha)) which concerns on this invention, a photo nanoimprint method can be performed with high throughput. In addition, pattern defects due to poor charging are less likely to occur.

또한, 점도를 1 mPa·s 이상으로 설정하는 경우, 경화성 조성물 (α)를 기판 상에 도포했을 때에 도포 불균일이 발생하기 어려워진다. 또한, 경화성 조성물 (α)를 몰드에 접촉시켰을 때에, 몰드의 단부로부터 경화성 조성물 (α)가 유출되기 어려워진다.Moreover, when setting a viscosity to 1 mPa * s or more, application | coating nonuniformity will become difficult to produce when apply | coating curable composition ((alpha)) on a board | substrate. Moreover, when making curable composition ((alpha)) contact a mold, it becomes difficult to flow out curable composition ((alpha)) from the edge part of a mold.

<경화성 조성물 (α)의 표면 장력><Surface Tension of Curable Composition (α)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)의 표면 장력은, 용매인 성분 (D)를 제외한 경화성 조성물 (α)의 성분의 조성물 (α')에 대해서, 23℃에서의 표면 장력이, 5 mN/ｍ 이상 70 mN/m 이하인 것이 바람직하다. 또한, 표면 장력은 보다 바람직하게는 7 mN/ｍ 이상 50 mN/m 이하이고, 보다 더 바람직하게는 10 mN/ｍ 이상 40 mN/m 이하이다. 이러한 경우에, 표면 장력이 더 높아짐에 따라, 예를 들어 표면 장력이 5 mN/m 이상인 경우, 모세관력이 강하게 작용하고, 따라서 조성물 (α')을 몰드에 접촉시켰을 때에, 조성물 (α')의 확산 및 충전이 더 단기간에 완료된다 (비특허문헌 1). 또한, 표면 장력을 70 mN/m 이하로 설정하는 경우, 조성물 (α')을 경화시킴으로써 수득되는 경화물은 표면 평활성을 갖는 경화물이 된다.The surface tension of the curable composition (α) according to the present invention is 5 mN / m for the surface tension at 23 ° C with respect to the composition (α ') of the component of the curable composition (α) except for the component (D) that is a solvent. It is preferable that it is more than 70 mN / m. Further, the surface tension is more preferably 7 mN / m or more and 50 mN / m or less, even more preferably 10 mN / m or more and 40 mN / m or less. In this case, as the surface tension becomes higher, for example, when the surface tension is 5 mN / m or more, the capillary force acts strongly, and thus when the composition (α ') is brought into contact with the mold, the composition (α') Diffusion and filling are completed in a shorter time (Non-Patent Document 1). In addition, when setting surface tension to 70 mN / m or less, the hardened | cured material obtained by hardening a composition ((alpha ') becomes hardened | cured material which has surface smoothness.

본 발명에서는, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')의 표면 장력이, 용매인 성분 (D2)를 제외한 경화성 조성물 (α2)의 성분의 조성물 (α2')의 표면 장력보다 높은 것이 바람직하다. 이는, 몰드 접촉 단계 전에, 하기 기재된 마란고니(Marangoni) 효과에 의해 경화성 조성물 (α2)의 예비확산이 가속되고 (액적이 광범위하게 확산됨), 따라서 하기 기재된 몰드 접촉 단계에서의 확산에 필요한 시간이 단축되어, 그 결과 충전 시간이 단축되기 때문이다.In this invention, the surface tension of the composition ((alpha) 1 ') of the component of the curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent is the composition ((alpha) 2' of the component of the curable composition ((alpha) 2) except the component (D2) which is a solvent. Higher than the surface tension). This means that, prior to the mold contacting step, the pre-diffusion of the curable composition (α2) is accelerated by the Marangoni effect described below (droplets are diffused extensively), so that the time required for diffusion in the mold contacting step described below is This is because it is shortened, and as a result, the charging time is shortened.

마란고니 효과는 액체들 사이의 국소적인 표면 장력 차로 인한 자유 표면 이동 현상이다 (비특허문헌2). 표면 장력, 즉 표면 에너지의 차가 구동력으로서 기능하여, 표면 장력이 낮은 액체가 더 넓은 표면을 피복하도록 하는 디퓨젼(diffusion)을 유발한다. 즉, 기판 전체 표면에 도포된 표면 장력이 높은 조성물 (α1)에 대하여, 표면 장력이 낮은 경화성 조성물 (α2)를 적하하는 경우, 경화성 조성물 (α2)의 예비확산이 가속된다.The marangoni effect is a free surface movement phenomenon due to local surface tension difference between liquids (Non-Patent Document 2). Surface tension, i.e., the difference in surface energy, functions as a driving force, causing a diffusion that causes a liquid having a low surface tension to cover a wider surface. That is, when dropping the curable composition (? 2) having a low surface tension, the prediffusion of the curable composition (? 2) is accelerated to the composition (? 1) having a high surface tension applied to the entire surface of the substrate.

<경화성 조성물 (α)의 접촉각><Contact Angle of the Curable Composition (α)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α1) 및 경화성 조성물 (α2)의 접촉각은, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 성분의 조성물에 대해 기판 표면 및 몰드 표면 둘 다에 대해 0° 이상 90° 이하인 것이 바람직하다. 접촉각이 90°보다 큰 경우, 몰드 패턴의 내부 또는 기판과 몰드 사이의 간극에서 모세관력이 음의 방향 (몰드와 경화성 조성물 사이의 접촉 계면을 수축시키는 방향)으로 작용하고, 따라서 조성물이 충전되지 않는다. 또한, 접촉각은 0° 이상 30° 이하인 것이 특히 바람직하다. 접촉각이 낮을수록 모세관력이 강하게 작용하여, 충전 속도가 증가된다 (비특허문헌 1).The contact angle of the curable composition (α1) and the curable composition (α2) according to the present invention is a composition of the component (α1 ′) and the component of the curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) except for the component (D1) which is a solvent. It is preferred for the substrate surface and the mold surface to be between 0 ° and 90 °. If the contact angle is greater than 90 °, the capillary force acts in the negative direction (the direction contracting the contact interface between the mold and the curable composition) inside the mold pattern or in the gap between the substrate and the mold, and thus the composition is not filled. . Moreover, it is especially preferable that a contact angle is 0 degrees or more and 30 degrees or less. The lower the contact angle, the stronger the capillary force is, and the filling speed is increased (Non-Patent Document 1).

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α1)의 점도, 표면 장력 및 접촉각은, 용매인 성분 (D1)을 첨가함으로써 변화할 수 있다. 그러나, 용매인 성분 (D1)은 경화성 조성물 (α1)의 경화를 방해할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는, 경화성 조성물 (α1) 중의 용매인 성분 (D1)은, 분배 단계 전에 휘발 등에 의해 제거된다. 또한, 경화성 조성물 (α2)은, 용매인 성분 (D2)를 실질적으로 함유하지 않는다. 따라서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 점도, 표면 장력 및 접촉각을 미리 결정된 값으로 하는 것이 바람직하다.The viscosity, surface tension, and contact angle of the curable composition (α1) according to the present invention can be changed by adding the component (D1) which is a solvent. However, component (D1), which is a solvent, may interfere with curing of the curable composition (α1). Therefore, in the present invention, component (D1) which is a solvent in the curable composition (α1) is removed by volatilization or the like before the dispensing step. In addition, curable composition ((alpha) 2) does not contain the component (D2) which is a solvent substantially. Therefore, it is preferable to make the viscosity, surface tension, and contact angle of the composition ((alpha) 1 ') and curable composition ((alpha) 2) of the component of curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent as a predetermined value.

<경화성 조성물 (α)에 혼입되는 불순물><Impurities mixed into the curable composition (α)>

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)는 각각, 가능한 한 불순물을 함유하지 않는 것이 바람직하다. 본원에 사용된 용어 "불순물"은, 경화성 조성물 (α)에 의도적으로 함유시킨 것 이외의 성분을 지칭한다. 즉, 용어는 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C) 및 성분 (D) 이외의 성분을 지칭한다. 구체적으로는 예를 들어, 입자, 금속 불순물, 유기 불순물 등을 들 수 있지만, 이들에 제한되지는 않는다.It is preferable that curable composition ((alpha)) which concerns on this invention does not contain an impurity as much as possible, respectively. The term "impurity" as used herein refers to components other than those intentionally contained in the curable composition (α). That is, the term refers to components other than component (A), component (B), component (C) and component (D). Specific examples include, but are not limited to, particles, metal impurities, organic impurities, and the like.

따라서, 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)는, 정제 단계를 거쳐서 수득된 것인 것이 바람직하다. 이러한 정제 단계로서, 필터를 사용하는 여과 등이 바람직하다. 필터를 사용하는 여과를 행할 경우, 구체적으로는, 상기 기재된 성분 (A) 및 필요에 따라 첨가되는 성분 (B), 성분 (C), 성분 (D)를 혼합한 후, 예를 들어 구멍 직경 0.001μｍ 이상 5.0μm 이하의 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 필터를 사용하는 여과를 행하는 경우, 복수의 단계로 행하거나, 복수 회 반복하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 여과한 액체는 다시 여과될 수 있다. 상이한 구멍 직경을 갖는 복수의 필터가 여과를 수행하는데 사용될 수 있다. 필터를 사용하는 여과 방법으로서, 구체적으로는, 상압 여과, 가압 여과, 감압 여과, 순환 여과 등을 들 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 여과에 사용하는 필터로서는, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 불소 수지, 나일론 수지로 제조된 필터가 사용될 수 있으나, 그에 특별히 제한되지는 않는다. 본 발명에서 사용될 수 있는 필터의 구체예는, "울티플리트(Ultipleat) P-나일론 66", "울티포어(Ultipor) N66", 및 "P 엠플론(Emflon)" (이들 모두는 니혼 폴 리미티드(Nihon Pall Ltd.)에 의해 제조됨), "라이프어슈어(LifeASSURE) PSN 시리즈", "라이프어슈어 EF 시리즈", "포토쉴드(PhotoSHIELD)", 및 "일렉트로포어(Electropor) IIEF" (이들 모두는 3M 재팬 리미티드(3M Japan Limited)에 의해 제조됨), 및 "마이크로가드(Microgard)", "옵티마이저(Optimizer) D", "임팩트 미니(Impact Mini)", 및 "임팩트(Impact) 2" (이들 모두는 엔테그리스 재팬 캄파니 리미티드 (Entegris Japan Co., Ltd.)에 의해 제조됨)를 포함한다. 이들 필터 중 1종이 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 그의 조합으로 사용될 수 있다.Therefore, it is preferable that curable composition ((alpha)) which concerns on this invention is obtained through the refinement | purification step. As such a purification step, filtration using a filter or the like is preferable. When performing filtration using a filter, specifically, after mixing the component (A) described above and the component (B), component (C), and component (D) which are added as needed, for example, the hole diameter 0.001 It is preferable to filter by the filter of the micrometer or more and 5.0 micrometers or less. When performing filtration using a filter, it is more preferable to perform in several steps or to repeat several times. In addition, the filtered liquid can be filtered again. Multiple filters with different pore diameters can be used to perform the filtration. Specific examples of the filtration method using the filter include, but are not limited to, atmospheric filtration, pressure filtration, reduced pressure filtration, circulation filtration, and the like. As the filter used for the filtration, a filter made of polyethylene resin, polypropylene resin, fluorine resin, or nylon resin may be used, but is not particularly limited thereto. Specific examples of filters that may be used in the present invention include "Ultipleat P-Nylon 66", "Ultipor N66", and "P Emflon" (both of which are Nippon Polyimide) Manufactured by Nihon Pall Ltd.), "LifeASSURE PSN Series", "LifeAssur EF Series", "PhotoSHIELD", and "Electropor IIEF" (all of them) Is manufactured by 3M Japan Limited), and "Microgard", "Optimizer D", "Impact Mini", and "Impact 2" (All of which are manufactured by Entegris Japan Co., Ltd.). One of these filters may be used alone or in combination thereof.

이러한 정제 단계를 거침으로써, 각각의 경화성 조성물 (α)에 혼입된 입자 등의 불순물을 제거할 수 있다. 이에 의해, 입자 등의 불순물로 인해, 경화성 조성물 (α)를 경화시킨 후에 수득되는 경화막에 예기치 못한 요철이 형성되어 패턴의 결함이 발생하는 것 또는 하기 기재된 몰드 접촉 단계 또는 위치 정렬 단계에서 몰드가 파손되는 것을 방지할 수 있다.By going through such a purification step, impurities such as particles incorporated into each curable composition (α) can be removed. Thereby, due to impurities such as particles, unexpected irregularities are formed in the cured film obtained after curing the curable composition (α), and defects in the pattern occur, or the mold is not formed in the mold contacting step or alignment step described below. It can prevent damage.

또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)를 반도체 집적 회로의 제조에 사용하는 경우, 제품의 작동을 방해하지 않도록 하기 위해서 경화성 조성물 (α) 중에 금속 원자를 함유하는 불순물 (금속 불순물)이 혼입되는 것을 가능한 한 방지하는 것이 바람직하다.In addition, when the curable composition (α) according to the present invention is used in the manufacture of a semiconductor integrated circuit, impurities (metal impurities) containing metal atoms are mixed in the curable composition (α) in order not to interfere with the operation of the product. It is desirable to prevent as much as possible.

따라서, 경화성 조성물 (α)는 그의 제조 단계에서 금속과 접촉하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 각 재료를 칭량하는 경우 또는 재료를 배합하고 교반하는 경우에, 금속으로 제조된 칭량 기구, 용기 등을 사용하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 상기 정제 단계 (입자 제거 단계)에서, 금속 불순물 제거 필터를 사용한 여과를 추가로 행할 수 있다.Therefore, it is preferable that the curable composition (α) does not come into contact with the metal at its production step. That is, when weighing each material, or when mixing and stirring the materials, it is preferable not to use a weighing apparatus, a container, or the like made of metal. Further, in the above purification step (particle removal step), filtration using a metal impurity removal filter can be further performed.

금속 불순물 제거 필터로서는, 셀룰로스 및 규조토, 이온 교환 수지로 제조된 필터가 사용될 수 있으나, 필터는 특별히 제한되지는 않는다. 금속 불순물 제거 필터로서는, 예를 들어 "제타 플러스(Zeta Plus) GN 그레이드" 또는 "일렉트로포어" (이들 각각은 3M 재팬 리미티드에 의해 제조됨), "포지다인(Posidyne)", "이온클린(IonKleen) AN", 또는 "이온클린 SL" (이들 모두는 니혼 폴 리미티드에 의해 제조됨), 또는 "프로테고(Protego)" (엔테그리스 재팬 캄파니 리미티드에 의해 제조됨)가 사용될 수 있다. 각각의 금속 불순물 제거 필터는 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 그의 조합으로 사용될 수 있다.As the metal impurity removal filter, a filter made of cellulose, diatomaceous earth and an ion exchange resin may be used, but the filter is not particularly limited. As the metal impurity removal filter, for example, "Zeta Plus GN Grade" or "Electropor" (each of which is manufactured by 3M Japan Limited), "Posidyne", "IonKleen" ) AN ", or" Ionclean SL "(all of which are manufactured by Nippon Poly Limited), or" Protego "(manufactured by Entegris Japan Co., Ltd.). Each metal impurity removal filter may be used alone or in combination thereof.

이들 금속 불순물 제거 필터는 세척 후 사용하는 것이 바람직하다. 세척 방법으로서는, 초순수로의 세척, 알콜로의 세척, 경화성 조성물 (α)로의 예비세척을 언급된 순서로 행하는 것이 바람직하다.These metal impurity removal filters are preferably used after washing. As the washing method, washing with ultrapure water, washing with alcohol, and preliminary washing with the curable composition (?) Are preferably performed in the order mentioned.

금속 불순물 제거 필터의 구멍 직경은, 예를 들어 적합하게는 0.001 μｍ 이상 5.0 μm 이하, 바람직하게는 0.003 μｍ 이상 0.01 μm 이하이다. 구멍 직경이 5.0 μm보다 더 큰 경우, 입자 및 금속 불순물을 흡착하는 필터의 능력이 낮다. 또한, 상기 구멍 직경이 0.001 μm보다 더 작은 경우, 필터가 경화성 조성물 (α)의 구성 성분도 포획하고, 따라서 경화성 조성물 (α)의 조성을 변동될 수 있거나, 필터 막 막힘이 발생할 수 있다.The pore diameter of the metal impurity removal filter is suitably, for example, 0.001 μm or more and 5.0 μm or less, preferably 0.003 μm or more and 0.01 μm or less. If the pore diameter is larger than 5.0 μm, the filter's ability to adsorb particles and metal impurities is low. In addition, when the pore diameter is smaller than 0.001 μm, the filter also captures the constituents of the curable composition (α), and thus the composition of the curable composition (α) may be varied, or filter clogging may occur.

이러한 경우, 경화성 조성물 (α)에 함유되는 금속 불순물의 농도는 10 ppm 이하가 바람직하고, 100 ppb이하가 보다 바람직하다.In this case, 10 ppm or less is preferable and, as for the density | concentration of the metal impurity contained in curable composition ((alpha)), 100 ppb or less is more preferable.

[경화막][Curing film]

본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)를 경화시킴으로써, 경화물이 수득된다. 이때, 경화성 조성물 (α)를 기재 물질 상에 도포하여 도포막을 형성한 후 이어서 경화시켜 경화막을 수득하는 것이 바람직하다. 이하, 도포막의 형성 방법, 경화물 또는 경화막의 형성 방법에 대해 설명한다.By hardening curable composition ((alpha)) which concerns on this invention, hardened | cured material is obtained. At this time, it is preferable to apply | coat a curable composition ((alpha)) on a base material, to form a coating film, and then to harden | cure it, and to obtain a cured film. Hereinafter, the formation method of a coating film, the hardened | cured material, or the formation method of a cured film is demonstrated.

[경화물 패턴의 형성 방법][Formation method of hardened pattern]

이어서, 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α)를 사용하여 경화물 패턴을 형성하는 경화물 패턴의 형성 방법에 대해서, 도 3의 모식 단면도를 참조하여 설명한다.Next, the formation method of the hardened | cured material pattern which forms hardened | cured material pattern using the curable composition ((alpha)) which concerns on this invention is demonstrated with reference to a schematic cross section of FIG.

본 발명의 경화물 패턴의 제조 방법은,The manufacturing method of the hardened | cured material pattern of this invention,

(1) 기판(301) 상에 중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)(302)의 액막으로 형성된 층을 배치하는 제1 단계 (배치 단계),(1) a first step (batch step) of disposing a layer formed of a liquid film of a curable composition (α1) 302 containing at least component (A1) as a polymerizable compound on a substrate 301,

(2) 용매인 성분 (D1)을 제외한 상기 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')의 액막으로 형성된 층 상에, 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적을 이산적으로 분배하는 제2 단계 (분배 단계),(2) At least the component (A2) which is a polymeric compound is formed on the layer formed from the liquid film of the composition ((alpha) 1 ') (302') of the component of the said curable composition ((alpha) 1) (302) except the component (D1) which is a solvent. A second step (dispensing step) of discretely distributing droplets of the curable composition (α2) 303 containing,

(3) 상기 조성물 (α1')(302') 및 상기 경화성 조성물 (α2)(303)가 혼합됨으로써 수득된 혼합층을 몰드(305)에 접촉시키는 제3 단계 (몰드 접촉 단계),(3) a third step (molding step) of bringing the mixed layer obtained by mixing the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 into a mold 305,

(4) 상기 혼합층에 상기 몰드(305)의 측면으로부터 광을 조사하여 상기 층을 경화시키는 제4 단계 (광 조사 단계), 및(4) a fourth step (light irradiation step) of irradiating the mixed layer with light from the side of the mold 305 to cure the layer, and

(5) 경화 후의 상기 혼합층으로부터 상기 몰드(305)를 이형시키는 제5 단계 (이형 단계)(5) fifth step of releasing the mold 305 from the mixed layer after curing (releasing step)

를 포함한다.It includes.

본 발명의 경화물 패턴의 제조 방법은, 광 나노임프린트 방법을 사용하는 경화물 패턴의 형성 방법이다.The manufacturing method of the hardened | cured material pattern of this invention is a formation method of the hardened | cured material pattern using the photo nanoimprint method.

본 발명의 경화물 패턴의 제조 방법에 의해 수득되는 경화막은, 1nm 이상 10mm 이하의 크기의 패턴을 갖는 경화물 패턴인 것이 바람직하다. 또한, 10nm 이상 100μm 이하의 크기의 패턴을 갖는 경화물 패턴인 것이 보다 바람직하다. 또한, 일반적으로, 광을 사용하여 나노 크기 (1 nm 이상 100 nm 이하)의 패턴(요철 구조)을 갖는 막을 제조하는 패턴 형성 기술은, 광 나노임프린트 방법으로 칭해진다. 본 발명의 패턴 제조 방법은, 광 나노임프린트 방법을 사용한다.It is preferable that the cured film obtained by the manufacturing method of the hardened | cured material pattern of this invention is a hardened | cured material pattern which has a pattern of the magnitude | size of 1 nm or more and 10 mm or less. Moreover, it is more preferable that it is a hardened | cured material pattern which has a pattern of the magnitude | size of 10 nm or more and 100 micrometers or less. Moreover, generally, the pattern formation technique which manufactures the film which has a pattern (concave-convex structure) of nano size (1 nm or more and 100 nm or less) using light is called a photo nanoimprint method. The pattern manufacturing method of this invention uses the optical nanoimprint method.

이하, 각 단계에 대해 설명한다.Hereinafter, each step will be described.

<배치 단계 (제1 단계)><Deployment stage (first stage)>

배치 단계에서는, 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 상기 기재된 본 발명에 따른 경화성 조성물 (α1)(302)을 기판(301) 상에 배치(도포)하여 임프린트 전처리 코팅이 되는 도포막을 형성한다. 기판(301) 상에 임프린트 전처리 코팅이 되는 액막이 형성되는 경우에, 하기 기재된 분배 단계에서 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적이 분배되면, 액적 성분의 기판 표면 방향으로의 확산이 촉진된다. 어구 "확산이 촉진된다"는 임프린트 전처리 코팅 상에 액적을 분배한 경우에, 직접 기판(301) 상에 액적을 분배한 경우의 액적 확대 속도보다 더 신속하게 기판 표면 방향으로 확산되는 것을 의미한다. 그 결과, 이산적으로 적하된 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적이 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')의 액막 상에서 신속하게 확대되고, 따라서 충전 시간이 짧고, 처리량이 높은 임프린트 공정을 제공할 수 있다.In the disposing step, as shown in Figs. 3 (a) and 3 (b), the curable composition (α1) 302 according to the present invention described above is disposed (coated) on the substrate 301 to imprint pretreatment coating. A coating film to be formed is formed. In the case where a liquid film to be an imprint pretreatment coating is formed on the substrate 301, when the droplets of the curable composition (? 2) 303 are dispensed in the dispensing step described below, diffusion of the droplet component toward the substrate surface direction is promoted. The phrase " spreading is promoted " means that when the droplets are dispensed onto the imprint pretreatment coating, they are diffused in the direction of the substrate surface faster than the droplet expansion rate when the droplets are directly dispensed onto the substrate 301. As a result, the droplets of the curable composition (α2) 303 dropwise discretely dropped onto the liquid film of the composition (α1 ') 302' of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is the solvent. It is possible to provide an imprint process which is rapidly enlarged and thus has a short filling time and a high throughput.

임프린트 전처리 코팅용 재료의 성분인 경화성 조성물 (α1)(302)을 배치하는 대상인 기판(301)은 피가공기판이며, 전형적으로 실리콘 웨이퍼가 사용된다. 기판(301) 상에는, 피가공층이 형성될 수 있다. 기판(301)과 피가공층 사이에 또 다른 층이 형성될 수 있다.The substrate 301 to which the curable composition (α1) 302 which is a component of the imprint pretreatment coating material is placed is a substrate to be processed, and a silicon wafer is typically used. On the substrate 301, a to-be-processed layer may be formed. Another layer may be formed between the substrate 301 and the layer to be processed.

본 발명에서, 기판(301)은 실리콘 웨이퍼에 제한되지는 않는다. 기판(301)은, 알루미늄, 티타늄-텅스텐 합금, 알루미늄-규소 합금, 알루미늄-구리-규소 합금, 산화규소, 질화규소 등의 반도체 디바이스용 기판으로서 공지된 기판으로부터 임의로 선택될 수 있다. 또한, 기판(301)으로서 석영 기판이 사용되는 경우, 석영 임프린트 몰드의 레플리카 (석영 몰드 레플리카)가 제조될 수 있다. 또한, 사용되는 기판(301)(피가공기판)에는, 실란 커플링 처리, 실라잔 처리, 유기 박막의 성막 등의 표면 처리에 의해 밀착층을 형성하는 것을 통해, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)과의 밀착성을 향상시킨 기판이 사용될 수 있다.In the present invention, the substrate 301 is not limited to the silicon wafer. The substrate 301 may be arbitrarily selected from substrates known as substrates for semiconductor devices such as aluminum, titanium-tungsten alloys, aluminum-silicon alloys, aluminum-copper-silicon alloys, silicon oxide, silicon nitride, and the like. Also, when a quartz substrate is used as the substrate 301, a replica (quartz mold replica) of the quartz imprint mold can be manufactured. The substrate 301 (processed substrate) to be used is formed by the adhesion layer by surface treatment such as silane coupling treatment, silazane treatment, film formation of organic thin film, etc., excluding the component (D1) which is a solvent. A substrate having improved adhesion to the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the components of the curable composition (α1) 302 may be used.

본 발명에서, 임프린트 전처리 코팅용 재료의 성분인 경화성 조성물 (α1)(302)을 기판(301) 상에 배치하는 방법으로서는, 예를 들어, 잉크젯 방법, 딥 코팅 방법, 에어 나이프 코팅법, 커튼 코팅 방법, 와이어 바 코팅 방법, 그라비아 코팅 방법, 압출 코팅 방법, 스핀 코팅 방법, 슬릿 스캔 방법 등이 사용될 수 있다. 본 발명에서는, 스핀 코팅 방법이 특히 바람직하다.In the present invention, as a method of disposing the curable composition (? 1) 302 which is a component of the material for imprint pretreatment coating on the substrate 301, for example, an inkjet method, a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating Method, wire bar coating method, gravure coating method, extrusion coating method, spin coating method, slit scanning method and the like can be used. In the present invention, the spin coating method is particularly preferable.

스핀 코팅 방법을 사용하여 경화성 조성물 (α1)(302)을 기판(301) 또는 피가공층 상에 배치하는 경우, 필요에 따라 베이킹 단계를 행하여, 용매 성분 (D1)을 휘발시킬 수 있다.When the curable composition (α1) 302 is disposed on the substrate 301 or the layer to be processed using the spin coating method, a baking step may be carried out as necessary to volatilize the solvent component (D1).

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')의 평균 막 두께는, 사용되는 용도에 따라 달라지지만, 예를 들어 0.1 nm 이상 10,000 nm 이하이고, 바람직하게는 1 nm 이상 20 nm 이하이고, 특히 바람직하게는 1 nm 이상 10 nm 이하이다.In addition, although the average film thickness of the composition ((alpha) 1 ') (302') of the component of curable composition ((alpha) 1) (302) except the component (D1) which is a solvent changes with the use used, it is 0.1 nm or more, for example. It is 10,000 nm or less, Preferably it is 1 nm or more and 20 nm or less, Especially preferably, it is 1 nm or more and 10 nm or less.

<분배 단계 (제2 단계)><Distribution stage (second stage)>

분배 단계에서는, 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적을, 임프린트 전처리 코팅으로서 기판(301) 상에 배치된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')의 층 상에 이산적으로 분배하는 것이 바람직하다. 분배 방법으로서는, 잉크젯 방법이 특히 바람직하다. 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적은, 몰드(305) 상에서 오목부가 조밀하게 존재하는 영역에 대향하는 기판(301) 상에는 조밀하게 배치되고, 오목부가 희소하게 존재하는 영역에 대향하는 기판(301) 상에는 희소하게 배치된다. 따라서, 하기 기재된 잔막을 몰드(305) 상의 패턴의 밀도와 상관 없이 균일한 두께로 제어할 수 있다.In the dispensing step, as shown in Fig. 3 (c), the droplets of the curable composition (α2) 303 are separated from the curable composition except component (D1), which is a solvent disposed on the substrate 301 as an imprint pretreatment coating ( It is desirable to dispense discretely on the layer of the composition (α1 ') 302' of the components of α1) 302. As the dispensing method, an inkjet method is particularly preferable. Droplets of the curable composition (α2) 303 are densely disposed on the substrate 301 facing the region where the recess is densely located on the mold 305, and the substrate 301 is opposed to the region where the recess is sparsely present. ) Are sparsely disposed. Therefore, the remaining film described below can be controlled to a uniform thickness regardless of the density of the pattern on the mold 305.

본 발명에서는, 분배 단계에서 분배된 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적은, 상기 기재된 바와 같이, 표면에너지 (표면 장력)의 차를 구동력으로 하는 마란고니 효과에 의해, 각각 액적의 확산 방향을 나타내는 화살표(304)로 나타낸 바와 같이, 신속하게 확산된다 (예비확산) (도 3(d)). 경화성 조성물 (α1)(302)이 광중합 개시제인 성분 (B)을 함유하지 않고, 광반응성을 실질적으로 갖지 않는 경우, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합의 결과로서, 경화성 조성물 (α2)(303)의 광중합 개시제인 성분 (B)가 조성물 (α1')(302')로 이동하고, 따라서 조성물 (α1')(302')은 처음 감광성을 수득한다.In the present invention, the droplets of the curable composition (α2) 303 dispensed in the dispensing step are each subjected to the diffusion direction of the droplets by the Marangoni effect of using the difference in surface energy (surface tension) as the driving force, as described above. As indicated by the arrow 304 shown, it diffuses rapidly (preliminary diffusion) (Fig. 3 (d)). When the curable composition (α1) 302 does not contain component (B) which is a photopolymerization initiator and does not have photoreactivity substantially, the composition of the components of the curable composition (α1) 302 except for component (D1) which is a solvent As a result of the mixing of the (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303, the component (B) which is the photopolymerization initiator of the curable composition (α2) 303 is converted into the composition (α1 ') 302'. Moving, thus composition (a1 ') 302' initially obtains photosensitivity.

전형적으로, 샷 영역 내의 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적의 혼합은, 조성의 차이에 따른 상호 확산에 의존하기 때문에, 균일한 조성이 될 때까지 수초 내지 수십초의 긴 시간이 소요된다. 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 조성물 (α1')(302') 내로 경화성 조성물 (α2)(203)이 디퓨젼되는 시간이 불충분한 경우, 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(203)이 충분히 혼합되지 않은 영역(209)이 발생한다. 이러한 조성물 (α1')(202')과 경화성 조성물 (α2)(203)이 충분히 혼합되지 않은 영역(209)에서의 경화물은, 충분히 혼합된 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합물(308)의 경화물과 비교하여, 도 2(f)의 조사광(206)로 경화시킨 후에, 건식 에칭 내성이 낮아진다. 따라서, 하기 문제가 발생한다: 이들 조성물로 형성된 막을 후속 단계, 즉 잔막 제거 단계에서 에칭시 의도하지 않는 부분이 에칭된다. 이러한 잔막 제거 단계의 세부사항에 대해서는, <경화막의 일부를 제거하는 잔막 제거 단계 (제6 단계)>에 후술한다.Typically, the mixing of the droplets of the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 excluding the component (D1) which is a solvent in the shot region is a composition. Since it depends on the mutual diffusion according to the difference of, it takes a long time from several seconds to several tens of seconds until a uniform composition is obtained. As shown in FIG. 2 (e), when the time for diffusion of the curable composition (α2) 203 into the composition (α1 ') 302' is insufficient, the composition (α1 ') 302' is curable. An area 209 occurs where the composition (α2) 203 is not sufficiently mixed. The cured product in the region 209 where such a composition (α1 ') 202' and the curable composition (α2) 203 are not sufficiently mixed is a composition (α1 ') 302' and a curable composition ( Compared with the hardened | cured material of the mixture 308 of (alpha) 2) (303), after hardening with the irradiation light 206 of FIG.2 (f), dry etching tolerance becomes low. Thus, the following problem arises: Unintended portions are etched in etching the film formed from these compositions in a subsequent step, i.e., removing the residual film. Details of this residual film removing step will be described later in <Residual film removing step (sixth step) for removing a part of the cured film).

이러한 경우, 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합을 신속하게 행하기 위해, 본 발명에서는, 혼합이 발열적인, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)을 사용함으로써, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 상에 경화성 조성물 (α2)(303)를 적하 혼합하는 경우에, 혼합 계면의 온도 저하, 또는 혼합액 전체의 온도 저하로 인한 점도 상승을 방지하고, 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합을 촉진할 수 있다는 것, 즉, 보다 단시간에, 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 혼합된 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합물(308)의 액막을 수득할 수 있다는 것을 밝혀내었다 (도 3(e)). 이에 의해, 높은 처리량을 제공하며, 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 패턴 제조 방법을 제공할 수 있다.In this case, in order to quickly mix the composition (α1 ') 302' with the curable composition (α2) 303, in the present invention, the curable composition except for component (D1), which is a solvent in which the mixing is exothermic, The composition of the components of the curable composition (α1) 302 excluding the component (D1), which is a solvent, by using the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the components of α1) 302. In the case of dropwise mixing the curable composition (α2) 303 on the (α1 ') 302', the viscosity decrease due to the temperature decrease of the mixed interface or the temperature decrease of the entire mixture is prevented, and the composition (α1 ') (302 ') and the curable composition (α2) 303 can be promoted, i.e., in a shorter time with the mixed composition (α1') 302 'having uniform physical properties in the shot region of the substrate and It was found that a liquid film of the mixture 308 of the curable composition (α 2) 303 can be obtained (FIG. 3 (e)). Thereby, it is possible to provide a pattern manufacturing method which provides high throughput and has uniform physical properties in the shot region of the substrate.

<몰드 접촉 단계 (제3 단계)><Mold contact step (third step)>

이어서, 도 3(f)에 도시된 바와 같이, 제1 단계 및 제2 단계 (배치 단계 및 분배 단계)에서 형성된 혼합물(308)인, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합물(308)에 패턴 형상을 전사하기 위한 원형 패턴을 갖는 몰드(305)를 접촉시킨다. 이에 의해, 몰드(305) 표면 상의 미세 패턴의 오목부에, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302')과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합물(308)이 충전되고, 따라서 몰드(305)의 미세 패턴에 충전된 액막이 수득된다.Then, as shown in FIG. 3 (f), the curable composition (α 1) 302 excluding the component (D 1), which is a mixture 308 formed in the first and second stages (batch stage and dispense stage). The mold 305 having the circular pattern for transferring the pattern shape is contacted with the mixture 308 of the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the component. Thereby, the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) 302 excluding the component (D1) which is a solvent in the recesses of the fine pattern on the mold 305 surface. The mixture 308 of 303 is filled, and thus a liquid film filled in the fine pattern of the mold 305 is obtained.

필요에 따라, 제2 단계 종료 후 및 본 단계 개시 전에, 몰드 측 상의 위치결정 마크와, 기판(301) (피가공기판)의 위치결정 마크가 서로 일치하도록, 몰드(305) 및/또는 기판(301) (피가공기판)의 위치를 조정할 수 있다 (위치 정렬 단계).If necessary, after the end of the second step and before the start of the present step, the mold 305 and / or the substrate (or the substrate 301) and the positioning mark of the substrate 301 (the substrate to be processed) coincide with each other. 301) The position of the (working substrate) can be adjusted (position alignment step).

몰드(305)로서는, 다음 제4 단계 (광 조사 단계)을 고려하여 광 투과성의 재료로 형성된 몰드(305)가 바람직하게 사용된다. 몰드(305)를 형성하는 재료로서는, 구체적으로는, 유리, 석영, PMMA, 폴리카르보네이트 수지 등의 광 투명성 수지, 투명 금속 증착막, 폴리디메틸실록산 등의 유연막, 광경화막, 금속막 등이 바람직하다. 단, 몰드(305)를 형성하는 재료로서 광 투명성 수지를 사용하는 경우에는, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)에 함유된 성분에 용해되지 않는 수지를 선택할 필요가 있다. 열 팽창 계수가 작고 패턴 왜곡(또는 변형)이 작기 때문에, 몰드(305)를 형성하는 재료는 석영인 것이 특히 바람직하다.As the mold 305, a mold 305 formed of a light transmissive material is preferably used in consideration of the next fourth step (light irradiation step). As a material which forms the mold 305, specifically, phototransparent resins, such as glass, quartz, PMMA, polycarbonate resin, a transparent metal vapor deposition film, flexible films, such as polydimethylsiloxane, a photocuring film, a metal film, etc. are preferable. Do. However, when using a light transparent resin as a material for forming the mold 305, the composition (α1 ') 302' and the curable composition of the components of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is a solvent It is necessary to select a resin that does not dissolve in the components contained in the composition (α2) 303. Since the coefficient of thermal expansion is small and the pattern distortion (or deformation) is small, it is particularly preferable that the material forming the mold 305 is quartz.

몰드(305) 표면 상의 미세 패턴은 패턴 높이(H)가 1 nm 이상 1,000 nm 이하이다. 또한 미세 패턴의 오목부의 폭(S)이 1 nm 이상 1000 nm 이하인 것이 바람직하고, 4 nm 이상 30 nm 미만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 미세 패턴은, 1 이상 10 이하의 요철 패턴의 오목부 종횡비(H/S)를 갖는 것이 바람직하다.The fine pattern on the surface of the mold 305 has a pattern height H of 1 nm or more and 1,000 nm or less. Moreover, it is preferable that the width S of the recessed part of a fine pattern is 1 nm or more and 1000 nm or less, and it is more preferable that it is 4 nm or more and less than 30 nm. Moreover, it is preferable that a fine pattern has recess aspect ratio (H / S) of the uneven | corrugated pattern of 1 or more and 10 or less.

몰드(305)에는, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303) 각각과 몰드(305)의 표면 사이의 박리성을 향상시키기 위해서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)과 몰드(305)와의 몰드 접촉 단계인 본 단계 전에, 표면 처리가 행해질 수 있다. 표면 처리 방법으로서는, 몰드(305)의 표면에 이형제를 도포하여 이형제 층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 몰드(305)의 표면에 도포되는 이형제로서는, 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 탄화수소계 이형제, 폴리에틸렌계 이형제, 폴리프로필렌계 이형제, 파라핀계 이형제, 몬탄계 이형제, 카르나우바계 이형제 등을 들 수 있다. 예를 들어, 다이킨 인더스트리즈, 리미티드에 의해 제조된 옵툴(OPTOOL)(상표명) DSX 등의 시판되는 도포형 이형제가 적합하게 사용될 수 있다. 이형제는 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 그의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 중, 불소계 및 탄화수소계 이형제가 특히 바람직하다.The mold 305 includes the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1), which is a solvent, and the mold 305, respectively. In order to improve the peelability between surfaces, the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1), which is a solvent, and the mold ( Prior to this step, which is a mold contact step with 305, a surface treatment may be performed. As a surface treatment method, the method of apply | coating a mold release agent to the surface of the mold 305, and forming a mold release agent layer is mentioned. In this case, the release agent applied to the surface of the mold 305 includes a silicone release agent, a fluorine release agent, a hydrocarbon release agent, a polyethylene release agent, a polypropylene release agent, a paraffin release agent, a montan release agent, a carnauba release agent, and the like. have. For example, commercially available coated mold release agents such as OPTOOL ™ DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd. can be suitably used. Release agents can be used alone or in combination thereof. Of these, fluorine-based and hydrocarbon-based releasing agents are particularly preferred.

몰드 접촉 단계에서, 도 3(f)에 도시된 바와 같이, 몰드(305)와 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)을 서로 접촉시킬 때, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)에 인가되는 압력은 특별히 제한되지는 않는다. 해당 압력은 바람직하게는 0 MPa 이상 100 MPa 이하이다. 또한, 해당 압력은 0 MPa 이상 50 MPa 이하인 것이 바람직하고, 0 MPa 이상 30 MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 0 MPa 이상 20 MPa 이하인 것이 보다 더 바람직하다.In the mold contacting step, as shown in FIG. 3 (f), the composition (α1 ′) 302 ′ of the components of the curable composition (α1) 302 excluding the mold 305 and the component (D1), which is a solvent, and When the curable composition (α2) 303 is brought into contact with each other, the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the components of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which are solvents The pressure applied to) is not particularly limited. The pressure is preferably 0 MPa or more and 100 MPa or less. The pressure is preferably 0 MPa or more and 50 MPa or less, more preferably 0 MPa or more and 30 MPa or less, even more preferably 0 MPa or more and 20 MPa or less.

본 발명에서는, 전 단계에서 경화성 조성물 (α2)(303)의 액적 예비확산이 진행되었기 때문에, 본 단계에서의 경화성 조성물 (α2)(303)의 확산은 신속하게 완료된다.In the present invention, since the droplet prediffusion of the curable composition (α2) 303 has proceeded in the previous step, diffusion of the curable composition (α2) 303 in this step is completed quickly.

이 때, 본 발명에서는, 혼합이 발열적인, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)을 사용한다. 따라서, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 상에 경화성 조성물 (α2)(303)를 적하 혼합하는 경우, 혼합 계면의 온도 저하, 또는 혼합액 전체의 온도 저하에 기인하는 점도 상승을 방지하여 조성물 (α1')(302)과 경화성 조성물 (α2)(303)의 혼합을 촉진할 수 있다. 따라서, 보다 단시간에 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 액막이 형성된다.At this time, in the present invention, the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the components of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1), which is a mixture, which is exothermic, are mixed. use. Therefore, when mixing curable composition ((alpha) 2) (303) dropwise on the composition ((alpha) 1 ') (302') of the component of curable composition ((alpha) 1) (302) except the component (D1) which is a solvent, the temperature of a mixing interface It is possible to prevent the increase in viscosity due to the decrease or the temperature decrease of the entire mixture, to promote the mixing of the composition (α1 ') 302 and the curable composition (α2) 303. Therefore, a liquid film having uniform physical properties in the shot region of the substrate is formed in a shorter time.

상기와 같이, 본 단계에서 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)의 확산 및 충전은 신속하게 완료되기 때문에, 몰드(305)와 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)을 접촉시키는 시간을 짧게 설정할 수 있다. 즉, 단시간 내에 많은 패턴 형성 단계를 완료할 수 있고, 따라서 높은 생산성을 수득하는 것이, 본 발명의 효과 중 하나이다. 몰드와 조성물을 서로 접촉시키는 시간은, 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 예를 들어 0.1초 이상 600초 이하로 설정된다. 또한, 해당 시간은 0.1초 이상 3초 이하인 것이 바람직하고, 0.1초 이상 1초 이하인 것이 특히 바람직하다. 0.1초보다 짧은 경우에는, 확산 및 충전이 불충분해지고, 미충전 결함으로 칭하는 결함이 다수 발생하는 경향이 있다.As described above, the diffusion and filling of the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the components of the curable composition (α1) 302 excluding the component (D1) which is a solvent in this step are rapid. Is completed, the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1), which is a solvent, are brought into contact with each other. You can shorten the time. That is, many pattern forming steps can be completed in a short time, and thus obtaining high productivity is one of the effects of the present invention. The time for bringing the mold and the composition into contact with each other is not particularly limited, but is preferably set to, for example, 0.1 to 600 seconds. Moreover, it is preferable that the time is 0.1 second or more and 3 second or less, and it is especially preferable that they are 0.1 second or more and 1 second or less. If it is shorter than 0.1 second, diffusion and filling become insufficient, and many defects called unfilled defects tend to occur.

또한, 확산 및 충전이 완료되었을 때의 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)(피형상 전사층)의 평균 막 두께는, 사용하는 용도에 따라 상이하지만, 예를 들어 0.001 μｍ 이상 100.0 μm 이하이다.In addition, the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is the solvent when diffusion and filling are completed (the shape of the skin) The average film thickness of the transfer layer) varies depending on the intended use, but is, for example, 0.001 µm or more and 100.0 µm or less.

본 단계에서 대기 분위기, 감압 분위기 및 불활성 기체 중 어느 조건 하에서나 행해질 수 있으나, 경화 반응에 대한 산소 또는 수분의 영향을 방지할 수 있기 때문에, 바람직하게는 감압 분위기 또는 불활성 기체 분위기 하에 행하는 것이 바람직하다. 불활성 기체 분위기 하에서 본 단계를 행하는 경우에 사용될 수 있는 불활성 기체의 구체예로서, 질소, 이산화탄소, 헬륨, 아르곤, 다양한 플루오로카본 기체 등, 또는 이들의 혼합 기체를 들 수 있다. 대기 분위기를 포함하는 특정한 기체 분위기 하에서 본 단계를 행하는 경우, 바람직한 압력은, 0.0001 atm 이상 10 atm 이하이다.Although it can be performed under any of atmospheric conditions, reduced pressure atmosphere and inert gas in this step, since the influence of oxygen or moisture on the curing reaction can be prevented, it is preferable to carry out under reduced pressure atmosphere or inert gas atmosphere. . Specific examples of the inert gas that can be used when the present step is performed under an inert gas atmosphere include nitrogen, carbon dioxide, helium, argon, various fluorocarbon gases, and the like, or mixtures thereof. When performing this step in a specific gas atmosphere including an atmospheric atmosphere, the preferred pressure is 0.0001 atm or more and 10 atm or less.

몰드 접촉 단계는, 응축성 기체를 함유하는 분위기 (이하, "응축성 기체 분위기"로 지칭됨) 하에 행해질 수 있다. 본원에 사용된 용어 "응축성 기체"는, 몰드(305) 상에 형성된 미세 패턴의 오목부, 및 몰드(305)와 기판(301) 사이의 간극에, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)과 함께 분위기 중의 기체가 충전되었을 때, 충전 시에 발생하는 모세관 압력에 의해 응축되어 액화되는 기체를 지칭한다. 또한 응축성 기체는, 몰드 접촉 단계에서 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)과 몰드(305)가 접촉하기 전에는 분위기 중의 기체로서 존재한다 (도 3(c) 내지 도 3(e)).The mold contacting step can be performed under an atmosphere containing a condensable gas (hereinafter referred to as a "condensable gas atmosphere"). As used herein, the term “condensable gas” refers to a curable composition, except for the component (D1), which is a solvent, in the recess of the fine pattern formed on the mold 305 and the gap between the mold 305 and the substrate 301. When the gas in the atmosphere is filled together with the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the components of (α1) (302), it is condensed and liquefied by capillary pressure generated at the time of filling. Refers to a gas. In addition, the condensable gas may be formed from the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is a solvent in the mold contacting step. 305 is present as a gas in the atmosphere (Figs. 3 (c) to 3 (e)).

응축성 기체 분위기 하에서 몰드 접촉 단계를 행하는 경우, 미세 패턴의 오목부에 충전된 기체가 액화되어 기포가 소멸되기 때문에 충전성이 우수해진다. 응축성 기체는, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및/또는 경화성 조성물 (α2)(303) 중에 용해될 수 있다.When the mold contact step is carried out in a condensable gas atmosphere, the gas filled in the concave portion of the fine pattern is liquefied and bubbles are eliminated, so the filling property is excellent. The condensable gas may be dissolved in the composition (α 1 ′) 302 ′ and / or the curable composition (α 2) 303 of the component of the curable composition (α 1) 302 excluding the solvent (component D 1).

응축성 기체의 비점은, 몰드 접촉 단계의 주위 온도 이하인 한, 제한되지는 않지만, -10℃ 내지 23℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10℃ 내지 23℃이다. 비점이 이러한 범위 내인 경우, 충전성이 더욱 우수하다.The boiling point of the condensable gas is preferably, but not limited to, -10 ° C to 23 ° C, more preferably 10 ° C to 23 ° C, as long as it is below the ambient temperature of the mold contacting step. If the boiling point is within this range, the filling property is more excellent.

응축성 기체의 몰드 접촉 단계의 주위 온도에서의 증기압은, 몰드 접촉 단계에서 압인할 때의, 몰드(305)와 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)을 접촉시킬 때, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)에 인가하는 압력 이하인 한 제한되지는 않지만, 0.1 MPa 내지 0.4 MPa가 바람직하다. 이러한 범위 내인 경우, 충전성이 더욱 우수하다. 주위 온도에서의 증기압이 0.4 MPa보다 큰 경우, 기포의 소멸 효과를 충분히 얻을 수 없는 경향이 관찰된다. 한편, 주위 온도에서의 증기압이 0.1 MPa보다도 작은 경우에는, 감압이 필요해지고, 따라서 장치가 복잡해지는 경향이 있다. 몰드 접촉 단계의 주위 온도는, 특별히 제한되지는 않지만, 20℃ 내지 25℃가 바람직하다.The vapor pressure at the ambient temperature of the mold contacting step of the condensable gas is the composition of the components of the curable composition (α1) 302 excluding the mold 305 and the component (D1) which is the solvent when pressed in the mold contacting step ( When contacting α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303, the composition (α1 ') 302' of the components of the curable composition (α1) 302 except for component (D1) which is a solvent and Although it is not limited as long as it is below the pressure applied to curable composition ((alpha) 2) (303), 0.1 MPa-0.4 MPa are preferable. If it is in this range, filling property is further excellent. When the vapor pressure at the ambient temperature is larger than 0.4 MPa, a tendency to not sufficiently obtain the vanishing effect of bubbles is observed. On the other hand, when the vapor pressure at ambient temperature is smaller than 0.1 MPa, depressurization is necessary, and thus the apparatus tends to be complicated. The ambient temperature of the mold contacting step is not particularly limited but is preferably 20 ° C to 25 ° C.

응축성 기체의 구체예는 트리클로로플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본 (CFC); 플루오로카본 (FC); 히드로클로로플루오로카본 (HCFC); 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판 (CHF2CH2CF3, HFC-245fa, PFP) 등의 히드로플루오로카본 (HFC); 및 펜타플루오로에틸 메틸 에테르 (CF3CF2OCH3, HFE-245mc) 등의 히드로플루오로에테르 (HFE) 등의 플루오로카본을 포함한다.Specific examples of the condensable gas include chlorofluorocarbons (CFC) such as trichlorofluoromethane; Fluorocarbons (FC); Hydrochlorofluorocarbons (HCFCs); Hydrofluorocarbons (HFC) such as 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (CHF 2 CH 2 CF 3 , HFC-245fa, PFP); And fluorocarbons such as hydrofluoroether (HFE) such as pentafluoroethyl methyl ether (CF 3 CF 2 OCH 3 , HFE-245mc).

이들 중, 몰드 접촉 단계의 주위 온도가 20℃ 내지 25℃인 경우에 충전성이 우수하다는 관점에서, 1,1,1,3,3-펜타플루오로 프로판 (23℃에서의 증기압 0.14 MPa, 비점 15℃), 트리클로로플루오로메탄 (23℃에서의 증기압 0.1056 MPa, 비점 24℃) 및 펜타플루오로에틸 메틸 에테르가 바람직하다. 또한, 안전성이 우수하다는 관점에서, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판이 특히 바람직하다.Among them, 1,1,1,3,3-pentafluoro propane (vapor pressure at 23 ° C., 0.14 MPa, boiling point in view of excellent filling properties when the ambient temperature of the mold contacting step is 20 ° C. to 25 ° C.) 15 ° C.), trichlorofluoromethane (vapor pressure of 0.1056 MPa at 23 ° C., boiling point 24 ° C.) and pentafluoroethyl methyl ether are preferred. In addition, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane is particularly preferable in view of excellent safety.

응축성 기체는 단독으로 또는 그의 혼합물로서 사용될 수 있다. 또한, 임의의 이러한 응축성 기체는 공기, 질소, 이산화탄소, 헬륨 또는 아르곤 등의 비응축성 기체와 혼합하여 사용될 수 있다. 응축성 기체와 혼합되는 비응축성 기체는 충전성의 관점에서 헬륨이 바람직하다. 헬륨은 몰드(305)를 투과할 수 있다. 따라서, 몰드 접촉 단계에서 몰드(305) 상에 형성된 미세 패턴의 오목부에, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및/또는 경화성 조성물 (α2)(303)과 함께 분위기 중의 기체 (응축성 기체 및 헬륨)가 충전되었을 때에, 응축성 기체는 액화되고, 헬륨은 몰드(305)를 투과한다.The condensable gas may be used alone or as a mixture thereof. In addition, any such condensable gas may be used in admixture with non-condensable gases such as air, nitrogen, carbon dioxide, helium or argon. The non-condensable gas mixed with the condensable gas is preferably helium from the viewpoint of filling. Helium may penetrate the mold 305. Thus, in the recesses of the fine pattern formed on the mold 305 in the mold contacting step, the composition (α1 ') 302' of the components of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1), which is a solvent, and / Alternatively, when the gas (condensable gas and helium) in the atmosphere is filled with the curable composition (? 2) 303, the condensable gas is liquefied, and helium penetrates the mold 305.

<광 조사 단계 (제4 단계)><Light irradiation step (fourth step)>

이어서, 도 3(g)에 도시된 바와 같이, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)가 혼합됨으로써 수득된 혼합층에 대하여, 몰드(305)를 통해 조사광(306)을 조사한다. 보다 상세하게는, 몰드(305)의 미세 패턴에 충전된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및/또는 경화성 조성물 (α2)(303)에, 몰드(305)를 통해 조사광(306)을 조사한다. 이에 의해, 몰드(305)의 미세 패턴에 충전된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및/또는 경화성 조성물 (α2)(303)은, 조사광(306)에 의해 경화되어 패턴 형상을 갖는 경화막(307)이 된다.Then, as shown in Fig. 3 (g), the composition (α1 ') 302' and the curable composition (α2) 303 of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is a solvent. Irradiation light 306 is irradiated to the mixed layer obtained by mixing with the mold 305. More specifically, the composition (α1 ') 302' and / or the curable composition (α2) of the components of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is a solvent filled in the fine pattern of the mold 305 303 is irradiated with the irradiation light 306 through the mold 305. Thereby, the composition (α1 ') 302' and / or curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is a solvent filled in the fine pattern of the mold 305 ( 303 is cured by the irradiation light 306 to become a cured film 307 having a pattern shape.

이러한 경우에, 몰드(305)의 미세 패턴에 충전된 피형상 전사층을 구성하는 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)에 조사하는 조사광(306)은, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)의 감도 파장에 따라서 선택된다. 구체적으로는, 150 nm 이상 400 nm 이하의 파장을 갖는 UV광, X선, 전자 빔 등을 적절히 선택 및 사용하는 것이 바람직하다.In this case, the composition (α1 ') 302' of the components of the curable composition (α1) 302 except for the component (D1) which is the solvent constituting the shaped transfer layer filled in the fine pattern of the mold 305 and The irradiation light 306 irradiated to the curable composition (α2) 303 is composed of the composition (α1 ') 302' of the component of the curable composition (α1) 302 excluding the component (D1) which is a solvent ( is selected according to the sensitivity wavelength of? 2). It is preferable to specifically select and use UV light, an X-ray, an electron beam, etc. which have a wavelength of 150 nm or more and 400 nm or less specifically.

이들 중에서도, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)에 조사하는 광(조사광(306))은 UV광이 특히 바람직하다. 이는, 경화 보조제 (광중합 개시제)로서 시판되는 화합물 중 다수가 UV광에 감도를 갖는 화합물이기 때문이다. 이러한 경우에, UV광 광원의 예는, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, 저압 수은 램프, 딥-UV 램프, 카본 아크 램프, 케미칼 램프, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, 및 F2 엑시머 레이저를 포함한다. 이들 중, 초고압 수은 램프가 특히 바람직하다. 또한, 사용되는 광원의 수는 1개, 또는 2개 이상일 수 있다. 또한, 광 조사를 행할 때에는, 몰드(305)의 미세 패턴에 충전된 피형상 전사층 (용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)(302)의 성분의 조성물 (α1')(302') 및 경화성 조성물 (α2)(303)의 전체 표면)에 행하거나, 또는 일부 영역에만 행할 수 있다.Among these, the light (irradiation light 306) which irradiates the composition ((alpha) 1 ') 302' and the curable composition ((alpha) 2) 303 of the component of the curable composition ((alpha) 1) (302) except the component (D1) which is a solvent. ) Is particularly preferably UV light. This is because many of the compounds marketed as a curing aid (photopolymerization initiator) are compounds having sensitivity to UV light. In this case, examples of UV light sources include high pressure mercury lamps, ultrahigh pressure mercury lamps, low pressure mercury lamps, dip-UV lamps, carbon arc lamps, chemical lamps, metal halide lamps, xenon lamps, KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, And an F2 excimer laser. Among these, an ultrahigh pressure mercury lamp is especially preferable. In addition, the number of light sources used may be one, or two or more. In addition, when performing light irradiation, the composition ((alpha) 1 ') (302') of the component of the curable composition ((alpha) 1) (302) except the component transfer layer (component (D1) which is a solvent) filled in the fine pattern of the mold (305) ) And the entire surface of the curable composition (? 2) 303), or only a part of the region.

또한, 광 조사는, 기판(301) 상의 전체 영역에 단속적으로 복수회 행해질 수 있거나, 또는 전체 영역에 연속적으로 조사될 수 있다. 또한, 제1 조사 과정에서 일부 영역 A에 광을 조사하고, 제2 조사 과정에서 영역 A와는 상이한 영역 B에 광을 조사할 수 있다.In addition, the light irradiation may be intermittently performed a plurality of times over the entire area on the substrate 301 or may be continuously irradiated over the entire area. In addition, the light may be irradiated to the partial region A in the first irradiation process, and the light may be irradiated to the region B different from the region A in the second irradiation process.

<이형 단계 (제5 단계)><Release step (step 5)>

이어서, 패턴 형상을 갖는 경화막(307)으로부터 몰드(305)를 이형시킨다. 본 단계에서는, 도 3(h)에 도시된 바와 같이, 패턴 형상을 갖는 경화막(307)으로부터 몰드(305)를 이형시킨다. 따라서, 제4 단계 (광 조사 단계)에서 형성되는 막인, 몰드(305) 상에 형성된 미세 패턴의 반전 패턴이 되는 패턴 형상을 갖는 경화막(307)이 수득된다.Next, the mold 305 is released from the cured film 307 having a pattern shape. In this step, as shown in FIG. 3 (h), the mold 305 is released from the cured film 307 having a pattern shape. Thus, a cured film 307 having a pattern shape that becomes a reverse pattern of a fine pattern formed on the mold 305, which is a film formed in the fourth step (light irradiation step), is obtained.

또한, 몰드 접촉 단계를 응축성 기체 분위기 하에 행하는 경우, 이형 단계에서 패턴 형상을 갖는 경화막(307)과 몰드(305)를 이형시킬 때에, 패턴 형상을 갖는 경화막(307)과 몰드(305)가 서로 접촉하는 계면의 압력이 저하되는 것에 따라 응축성 기체가 기화한다. 이에 의해, 패턴 형상을 갖는 경화막(307)과 몰드(305)를 이형시키기 위해 필요한 힘인 이형력을 저감시키는 효과를 발휘되는 경향이 있다.In the case where the mold contacting step is performed under a condensable gas atmosphere, when the cured film 307 and the mold 305 having a pattern shape are released in the release step, the cured film 307 and the mold 305 having a pattern shape are released. The condensable gas vaporizes as the pressure at the interface at which is in contact with each other decreases. Thereby, it exists in the tendency for the effect to reduce the release force which is a force required in order to release the cured film 307 and mold 305 which have a pattern shape.

패턴 형상을 갖는 경화막(307)과 몰드(305)를 이형시키는 방법으로서는, 이형시에 패턴 형상을 갖는 경화막(307)의 일부가 물리적으로 파손되지 않는 한, 특별히 제한되지는 않으며, 다양한 조건 등도 특별히 제한되지는 않는다. 예를 들어, 기판(301) (피가공기판)을 고정하고, 몰드(305)를 기판(301)로부터 멀어지도록 이동시킴으로써 박리할 수 있다. 대안적으로, 몰드(305)를 고정해서 기판(301)을 몰드(305)로부터 멀어지도록 이동시킴으로써 박리할 수 있다. 대안적으로, 기판과 몰드 둘 다를 서로에 대해 정반대 방향으로 인장함으로써 박리시킬 수 있다.The method for releasing the cured film 307 and the mold 305 having a pattern shape is not particularly limited as long as a part of the cured film 307 having a pattern shape is not physically damaged at the time of release, and various conditions Etc. are not particularly limited. For example, it can peel by fixing the board | substrate 301 (processed board | substrate) and moving the mold 305 away from the board | substrate 301. Alternatively, the mold 305 can be fixed and peeled off by moving the substrate 301 away from the mold 305. Alternatively, both the substrate and the mold can be peeled off by stretching in opposite directions relative to each other.

상기 제1 단계 내지 제5 단계를 포함하는 일련의 단계 (제조 공정)에 의해, 원하는 위치에, 원하는 요철의 패턴 형상 (몰드(305)의 요철 형상과 연관된 패턴 형상)을 갖는 경화막(307)을 수득할 수 있다. 수득된 패턴 형상을 갖는 경화막(307)은, 예를 들어 하기 기재된 반도체 가공 용도 외에도, 프레넬 렌즈 또는 회절격자 등의 광학 부재 (이러한 경화막이 광학 부재 중 1개의 부재로서 사용되는 경우 포함)로서 이용될 수 있다. 이러한 경우에, 기판(301), 및 상기 기판(301) 상에 배치된 패턴 형상을 갖는 경화막(307)을 적어도 포함하는 광학 부재를 수득할 수 있다.The cured film 307 having a pattern shape of desired irregularities (pattern shape associated with the irregular shape of the mold 305) at a desired position by a series of steps (manufacturing process) including the first to fifth steps. Can be obtained. The cured film 307 having the obtained pattern shape is, for example, an optical member such as a Fresnel lens or a diffraction grating, in addition to the semiconductor processing applications described below, including when such a cured film is used as one of the optical members. Can be used. In this case, an optical member including at least a substrate 301 and a cured film 307 having a pattern shape disposed on the substrate 301 can be obtained.

본 발명에 따른 패턴 형상을 갖는 막의 제조 방법에서는, 제1 단계에서 기판(301) 표면의 대부분에 경화성 조성물 (α1)(302)을 일괄 배치하고, 제2 단계 내지 제5 단계를 포함하는 반복 유닛(샷)을 동일 기판 상에서 반복적으로 복수회 행할 수 있다. 또한, 제1 단계 내지 제5 단계를 동일 기판 상에서 반복적으로 복수회 행할 수 있다. 제1 단계 내지 제5 단계 또는 제2 단계 내지 제5 단계를 포함하는 반복 유닛(샷)을 복수회 반복함으로써, 기판(301) (피가공기판)의 원하는 위치에 복수의 원하는 요철의 패턴 형상(몰드(305)의 요철 형상과 연관된 패턴 형상)을 갖는 경화막을 수득할 수 있다.In the method for producing a film having a pattern shape according to the present invention, in the first step, a repeating unit including the curable composition (α1) 302 on the majority of the surface of the substrate 301 and including the second to fifth steps. (Shot) can be repeatedly performed on the same substrate a plurality of times. Further, the first to fifth steps can be repeatedly performed on the same substrate a plurality of times. By repeating a repeating unit (shot) including the first step to the fifth step or the second step to the fifth step a plurality of times, the pattern shapes of the plurality of desired irregularities at the desired positions of the substrate 301 (the substrate to be processed) A cured film having a pattern shape associated with the uneven shape of the mold 305 can be obtained.

<경화막의 일부를 제거하는 잔막 제거 단계 (제6 단계)><Residual film removing step of removing a part of the cured film (sixth step)>

이형 단계에 의해 수득되는 패턴 형상을 갖는 경화막(402)(도 3의 경화막(307)에 상응)은, 특정한 패턴 형상을 갖지만, 이러한 패턴 형상이 형성되는 영역 이외의 영역에서도, 도 4(h')에 도시된 바와 같이, 경화막의 일부가 남아있는 경우가 있다 (이하, 이러한 경화막의 일부를 "잔막(403)"이라고 칭한다). 이러한 경우, 도 4(i)에 도시된 바와 같이, 수득된 패턴 형상을 갖는 경화막(402) 중 제거해야 할 영역에 있는 경화막(잔막(403))을 에칭 가스 A(405)(도 4(i)) 등에 의해 제거한다. 이에 의해, 원하는 요철 패턴 형상 (도 3의 몰드(305)의 요철 형상과 연관된 패턴 형상)을 가지며 잔막이 없는 (기판(401) 표면의 원하는 부분이 노출된) 경화물 패턴(404)을 얻을 수 있다.Although the cured film 402 (corresponding to the cured film 307 of FIG. 3) having a pattern shape obtained by the release step has a specific pattern shape, even in a region other than the region where such a pattern shape is formed, FIG. 4 ( As shown in h '), a part of the cured film may remain (hereinafter, a part of such cured film is referred to as "residual film 403"). In this case, as shown in Fig. 4 (i), the cured film (residual film 403) in the region to be removed in the cured film 402 having the obtained pattern shape is removed by etching gas A 405 (Fig. 4). (i)) or the like. Thereby, a cured product pattern 404 having a desired uneven pattern shape (pattern shape associated with the uneven shape of the mold 305 of FIG. 3) and free of residual film (exposed to a desired portion of the surface of the substrate 401) can be obtained. have.

여기서, 잔막(403)을 제거하는 방법으로서는, 예를 들어, 패턴 형상을 갖는 경화막(402)의 오목부인 경화막 (잔막(403))을 에칭 등의 방법에 의해 제거하여, 패턴 형상을 갖는 경화막(402)의 패턴의 오목부에서 기판(401)의 표면을 노출시키는 방법을 들 수 있다.Here, as a method of removing the residual film 403, for example, the cured film (residual film 403) which is a recess of the cured film 402 having a pattern shape is removed by a method such as etching to have a pattern shape. The method of exposing the surface of the board | substrate 401 in the recessed part of the pattern of the cured film 402 is mentioned.

패턴 형상을 갖는 경화막(402)의 오목부에 존재하는 잔막(403)을 에칭에 의해 제거할 경우, 그의 구체적인 방법으로서는, 특별히 제한되지는 않지만, 종래 공지의 방법, 예를 들어 에칭 가스 A(405)(도 4(i))을 사용하는 건식 에칭을 사용할 수 있다. 건식 에칭에는, 종래 공지의 건식 에칭 장치가 사용될 수 있다. 그리고, 에칭 가스 A(405)는 에칭이 행해지는 경화막의 원소 조성에 의해 적절히 선택되며, 예를 들어 CF4, C2F6, C3F8, CCl2F2, CCl4, CBrF3, BCl3, PCl3, SF6, 또는 Cl2 등의 할로겐계 기체, O2, CO, 또는 CO2 등의 산소 원자를 함유하는 기체, He, N2, 또는 Ar 등의 불활성 기체, 또는 H2 또는 NH3 기체가 사용될 수 있다. 또한, 이들의 가스는 혼합하여 사용될 수 있다.When removing the residual film 403 which exists in the recessed part of the cured film 402 which has a pattern shape by etching, it does not specifically limit as the specific method, Although it is a conventionally well-known method, for example, etching gas A ( Dry etching using 405 (FIG. 4 (i)) can be used. For dry etching, a conventionally known dry etching apparatus can be used. The etching gas A 405 is appropriately selected depending on the elemental composition of the cured film to be etched. For example, CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , CCl 2 F 2 , CCl 4 , CBrF 3 , Halogen-based gas such as BCl 3 , PCl 3 , SF 6 , or Cl 2 , gas containing oxygen atoms such as O 2 , CO, or CO 2 , inert gas such as He, N 2 , or Ar, or H 2 Or NH 3 gas may be used. In addition, these gases may be used in combination.

또한, 사용되는 기판(401)(피가공기판)이 실란 커플링 처리, 실라잔 처리, 유기 박막의 성막 등의 표면 처리에 의해 패턴 형상을 갖는 경화막(402)과의 밀착성을 향상시킨 기판인 경우에는, 패턴 형상을 갖는 경화막(402)의 오목부에 있는 경화막(잔막(403))의 에칭에 후속적으로, 상기 표면 처리층도 에칭에 의해 제거될 수 있다.Moreover, the board | substrate 401 (processed board | substrate) used is a board | substrate which improved adhesiveness with the cured film 402 which has a pattern shape by surface treatment, such as a silane coupling process, a silazane process, and the formation of an organic thin film. In this case, following the etching of the cured film (residual film 403) in the concave portion of the cured film 402 having a pattern shape, the surface treatment layer can also be removed by etching.

상기 제1 단계 내지 제6 단계를 포함하는 제조 공정에 의해, 원하는 요철 패턴 형상 (몰드(305)의 요철 형상과 연관된 패턴 형상)을 원하는 위치에 가지며 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 얻을 수 있고, 따라서 경화물 패턴을 갖는 물품을 얻을 수 있다. 또한, 수득된 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 이용해서 기판(401)을 가공하는 경우에는, 하기 기재된 기판(401)에 대하여 기판 가공 단계를 행한다.By the manufacturing process including the first to sixth steps, a cured product pattern 404 having a desired uneven pattern shape (pattern shape associated with the uneven shape of the mold 305) at a desired position and having no residual film can be obtained. Therefore, the article which has a hardened | cured material pattern can be obtained. In addition, when processing the board | substrate 401 using the obtained hardened | cured material pattern 404 without a residual film, the board | substrate process step is performed with respect to the board | substrate 401 described below.

한편, 수득된 잔막이 없는 경화물 패턴(404)은, 예를 들어 하기 기재된 반도체 가공 용도 외에도, 회절 격자 또는 편광판 등의 광학 부재 (이러한 패턴이 광학 부재 중 1개의 부재로서 사용되는 경우 포함)로서 이용되어, 광학 부품을 수득할 수 있다. 이러한 경우, 기판(401), 및 상기 기판(401) 상에 배치된 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 적어도 포함하는 광학 부품을 수득할 수 있다.On the other hand, the cured product pattern 404 obtained without a residual film is, for example, an optical member such as a diffraction grating or a polarizing plate in addition to the semiconductor processing applications described below (including when such a pattern is used as one of the optical members). Can be used to obtain an optical component. In this case, an optical component including at least a substrate 401 and a cured product pattern 404 having no residual film disposed on the substrate 401 can be obtained.

<기판 가공 단계 (제7 단계)><Substrate Processing Step (Step 7)>

잔막 제거 단계 후, 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 레지스트 막으로서 이용하여, 제6 단계에서 표면이 노출된 기판(401)의 일부에 대해 건식 에칭을 행한다. 건식 에칭에는, 종래 공지의 건식 에칭 장치가 사용될 수 있다. 그리고, 에칭 가스 B(406)(도 4(j))는, 에칭이 행해지는 경화막의 원소 조성 및 기판(401)의 원소 조성에 따라 적절히 선택되며, CF4, C2F6, C3F8, CCl2F2, CCl4, CBrF3, BCl3, PCl3, SF6, 또는 Cl2 등의 할로겐계 기체, O2, CO, 또는 CO2 등의 산소 원자를 함유하는 기체, He, N2, 또는 Ar 등의 불활성 기체, 또는 H2 또는 NH3 기체가 사용될 수 있다. 또한, 이들 기체는 혼합물로 사용될 수 있다. 에칭 가스 A(405)(도 4(i)) 및 에칭 가스 B(406) (도 4(j))는 동일하거나 상이할 수 있다.After the residual film removing step, dry etching is performed on a portion of the substrate 401 whose surface is exposed in the sixth step by using the cured product pattern 404 having no residual film as a resist film. For dry etching, a conventionally known dry etching apparatus can be used. And the etching gas B 406 (FIG. 4 (j)) is suitably selected according to the element composition of the cured film in which etching is performed, and the element composition of the board | substrate 401, CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F Halogen-containing gas such as 8 , CCl 2 F 2 , CCl 4 , CBrF 3 , BCl 3 , PCl 3 , SF 6 , or Cl 2 , gas containing oxygen atoms such as O 2 , CO, or CO 2 , He, Inert gas such as N 2 , or Ar, or H 2 or NH 3 gas may be used. These gases can also be used in mixtures. Etch gas A 405 (FIG. 4 (i)) and etching gas B 406 (FIG. 4 (j)) may be the same or different.

이상의 제1 단계 내지 제7 단계를 포함하는 일련의 단계 (제조 공정)에 추가로 전자 부품을 형성함으로써, 몰드(305)의 요철 형상과 연관된 패턴 형상에 기초하는 회로 구조를 기판(401) 상에 형성할 수 있다. 이에 의해, 반도체 소자 등에 이용되는 회로 기판을 제조할 수 있다. 본원에 사용된 용어 "반도체 소자"는 예를 들어 LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM, 또는 NAND 플래시를 지칭한다. 또한, 상기 회로 기판과 회로 기판의 회로제어 기구 등을 접속함으로써, 디스플레이, 카메라, 의료 장치 등의 전자 기기를 형성할 수 있다.By forming the electronic component in addition to the series of steps (manufacturing process) including the above first to seventh steps, a circuit structure based on the pattern shape associated with the uneven shape of the mold 305 is formed on the substrate 401. Can be formed. Thereby, the circuit board used for a semiconductor element etc. can be manufactured. As used herein, the term "semiconductor device" refers to, for example, LSI, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM, or NAND flash. In addition, by connecting the circuit control mechanism and the like of the circuit board with the circuit board, electronic devices such as a display, a camera, and a medical device can be formed.

또한, 유사하게, 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 레지스트 막으로서 이용하여 건식 에칭에 의해 기판(401)을 가공하여 광학 부품을 수득할 수 있다.Similarly, the substrate 401 can be processed by dry etching using the cured product pattern 404 without a residual film as a resist film to obtain an optical component.

또한, 기판(401)으로서 석영 기판을 사용하고, 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 레지스트 막으로서 이용하여 건식 에칭에 의해 석영을 가공함으로써, 석영 임프린트 몰드의 레플리카 (석영 레플리카 몰드)를 제조할 수 있다.In addition, a quartz substrate is used as the substrate 401, and quartz is processed by dry etching using the cured product pattern 404 without a residual film as a resist film, thereby producing a replica (quartz replica mold) of a quartz imprint mold. Can be.

또한, 회로 부착 기판 또는 전자 부품을 제조하는 경우, 최종적으로, 가공된 기판(401)으로부터 잔막이 없는 경화물 패턴(404)을 제거할 수 있지만, 임의의 이러한 소자를 구성하는 부재로서 상기 패턴을 남기는 구성이 채택될 수도 있다.In addition, when manufacturing a circuit board or electronic component with a circuit, the cured product pattern 404 without a residual film can be finally removed from the processed substrate 401, but the pattern is used as a member constituting any such element. The remaining configuration may be adopted.

<임프린트 전처리 코팅 재료 및 그의 경화물><Imprinted Pretreatment Coating Material and Cured Product thereof>

본 발명의 또 다른 실시형태는 상기 언급된 경화성 조성물 (α1)을 포함하는 임프린트 전처리 코팅용 재료이다. 적합하게는, 본 발명의 임프린트 전처리 코팅용 재료는, 경화성 조성물 (α1)로 형성된다.Another embodiment of the present invention is a material for imprint pretreatment coating comprising the above-mentioned curable composition (α1). Suitably, the imprint pretreatment coating material of this invention is formed from curable composition ((alpha) 1).

즉, 본 발명의 임프린트 전처리 코팅용 재료는, 중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)로 이루어진 임프린트 전처리 코팅용 재료이며, 기판 상에 임프린트 전처리 코팅이 되는 액막을 형성하고, 상기 액막에 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)로 형성된 액적을 분배했을 때에, 상기 액적의 성분의 기판 표면 방향으로의 확산이 촉진되며, 상기 경화성 조성물 (α1)은 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 제2 단계에서 분배되는 상기 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적인, 임프린트 전처리 코팅용 재료이다.That is, the imprint pretreatment coating material of this invention is an imprint pretreatment coating material which consists of curable composition ((alpha) 1) containing at least component (A1) which is a polymeric compound, and forms the liquid film which becomes an imprint pretreatment coating on a board | substrate, When distributing the droplet formed of the curable composition (α2) containing at least component (A2) which is a polymerizable compound to the liquid film, diffusion of the component of the droplet toward the substrate surface direction is promoted, and the curable composition (α1) Is a material for imprint pretreatment coating in which the mixing of the composition (α1 ′) of the component of the curable composition (α1) except for component (D1), which is a solvent, with the curable composition (α2) distributed in the second step is exothermic.

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명의 기술적 범위는 하기 기재된 실시예에 제한되지는 않는다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in more detail, the technical scope of this invention is not limited to the Example described below.

(실시예 1)(Example 1)

(1) 경화성 조성물 (α1-1)의 제조(1) Preparation of curable composition (α1-1)

하기에 기재된 성분 (A1), 성분 (B1), 성분 (C1), 성분 (D1)을 배합하고, 이를 0.2 마이크로미터의 초고분자량 폴리에틸렌으로 제조된 필터로 여과하고, 실시예 1의 경화성 조성물 (α1-1)을 제조하였다.The component (A1), component (B1), component (C1) and component (D1) described below were combined and filtered through a filter made of 0.2 micrometer ultra high molecular weight polyethylene, and the curable composition (α1) of Example 1 -1) was prepared.

(1-1) 성분 (A1): 합계 100 중량부(1-1) Component (A1): 100 parts by weight in total

<A1-1> 1,12-도데칸디올 디아크릴레이트(완다 사이언스(Wanda Science)에 의해 제조됨): 100 중량부<A1-1> 1,12-dodecanediol diacrylate (manufactured by Wanda Science): 100 parts by weight

(1-2) 성분 (B1): 합계 0 중량부(1-2) Component (B1): 0 parts by weight in total

성분 (B1)은 첨가하지 않았다.Component (B1) was not added.

(1-3) 성분 (C1): 합계 0 중량부(1-3) Component (C1): 0 parts by weight in total

성분 (C1)은 첨가하지 않았다.Component (C1) was not added.

(1-4) 성분 (D1): 합계 33,000 중량부(1-4) Component (D1): 33,000 parts by weight in total

<D1-1> 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(도쿄 케미칼 인더스트리 캄파니, 리미티드(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)에 의해 제조됨, 약칭: PGMEA): 33,000 중량부<D1-1> Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., abbreviated PGMEA): 33,000 parts by weight

(실시예 2)(Example 2)

(1) 경화성 조성물 (α1-2)의 제조(1) Preparation of Curable Composition (α1-2)

성분 (A1)을, <A1-1> 1,12-도데칸디올 디아크릴레이트(완다 사이언스에 의해 제조됨) 30 중량부, 및 <A1-2> 디메틸올트리시클로데칸 디아크릴레이트(사토머(Sartomer)에 의해 제조됨, 상품명:SR833s) 70 중량부로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물 (α1-2)를 제조하였다.Component (A1) comprises 30 parts by weight of <A1-1> 1,12-dodecanediol diacrylate (manufactured by Wanda Science), and <A1-2> dimethyloltricyclodecane diacrylate (sartomer) Prepared by (Sartomer), trade name: SR833s) A curable composition (α1-2) was prepared in the same manner as in Example 1 except for changing to 70 parts by weight.

(실시예 3)(Example 3)

(1) 경화성 조성물 (α1-3)의 제조(1) Preparation of curable composition (α1-3)

성분 (A1)을, <A1-3> 폴리에틸렌 글리콜 #200 디아크릴레이트 (신-나카무라 케미칼 캄파니, 리미티드(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조됨, 상품명: A-200) 100 중량부로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물 (α1-3)을 제조하였다.Component (A1) was prepared by <A1-3> polyethylene glycol # 200 diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name: A-200) 100 A curable composition (? 1-3) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the content was changed to parts by weight.

(실시예 4)(Example 4)

(1) 경화성 조성물 (α1-4)의 제조(1) Preparation of curable composition (α1-4)

성분 (A)를, <A1-1> 1,12-도데칸디올 디아크릴레이트(완다 사이언스에 의해 제조됨) 30 중량부, 및 <A1-3> 폴리에틸렌 글리콜 #200 디아크릴레이트 (신-나카무라 케미칼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨, 상품명: A-200) 70 중량부로 변경한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물 (α1-4)를 제조하였다.Component (A) comprises 30 parts by weight of <A1-1> 1,12-dodecanediol diacrylate (manufactured by Wanda Science), and <A1-3> polyethylene glycol # 200 diacrylate (Shin-Nakamura) Chemical Company, manufactured by Limited, trade name: A-200) A curable composition (? 1-4) was prepared in the same manner as in Example 1, except that 70 parts by weight was changed.

(실시예 5)(Example 5)

(1) 경화성 조성물 (α2-1)의 제조(1) Preparation of curable composition (α2-1)

하기에 제시된 성분 (A2), 성분 (B2), 성분 (C2), 성분 (D2)를 배합하고, 이를 0.2 마이크로미터의 초고분자량 폴리에틸렌으로 제조된 필터로 여과하고, 실시예 5의 경화성 조성물 (α2-1)을 제조하였다.Component (A2), Component (B2), Component (C2) and Component (D2) set forth below are combined and filtered with a filter made of 0.2 micrometer ultra high molecular weight polyethylene, and the curable composition (α2) of Example 5 -1) was prepared.

(1-1) 성분 (A2): 합계 94 중량부(1-1) Component (A2): 94 parts by weight in total

<A2-1> 이소보르닐 아크릴레이트 (교에이샤 케미칼 캄파니, 리미티드(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조됨, 상표명: IB-XA): 9.0 중량부<A2-1> Isobornyl acrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: IB-XA): 9.0 parts by weight

<A2-2> 벤질 아크릴레이트 (오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.)에 의해 제조됨, 상표명: V#160): 38.0 중량부<A2-2> Benzyl acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Ltd., trade name: V # 160): 38.0 parts by weight

<A2-3> 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트 (교에이샤 케미칼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨, 상표명: NP-A): 47.0 중량부<A2-3> neopentyl glycol diacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: NP-A): 47.0 parts by weight

(1-2) 성분 (B2): 합계 3 중량부(1-2) Component (B2): 3 parts by weight in total

<B2-1> 루시린 TPO (바스프에 의해 제조됨): 3 중량부<B2-1> Lucirin TPO (manufactured by BASF): 3 parts by weight

(1-3) 성분 (C2): 합계 2.1 중량부(1-3) Component (C2): 2.1 parts by weight in total

<C2-1> SR-730 (아오키 오일 인더스트리얼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨): 1.6 중량부<C2-1> SR-730 (manufactured by Aoki Oil Industrial Co., Ltd.): 1.6 parts by weight

<C2-2> 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 (도쿄 케미칼 인더스트리 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨): 0.5 중량부<C2-2> 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.): 0.5 parts by weight

(1-4) 성분 (D2): 합계 0 중량부(1-4) Component (D2): 0 weight part total

성분 (D2)는 첨가하지 않았다.Component (D2) was not added.

(실시예 6)(Example 6)

(1) 경화성 조성물 (α2-2)의 제조(1) Preparation of curable composition (α2-2)

하기 제시된 성분 (A2), 성분 (B2), 성분 (C2), 및 성분 (D2)를 배합하고, 이를 0.2 마이크로미터의 초고분자량 폴리에틸렌으로 제조된 필터로 여과하고, 실시예 6의 경화성 조성물 (α2-2)를 제조하였다.Component (A2), Component (B2), Component (C2), and Component (D2) set forth below are combined and filtered with a filter made of 0.2 micron ultrahigh molecular weight polyethylene, and the curable composition (α2) of Example 6 -2) was prepared.

(1-1) 성분 (A2): 합계 94 중량부(1-1) Component (A2): 94 parts by weight in total

<A2-1> 이소보르닐 아크릴레이트 (교에이샤 케미칼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨, 상품명: IB-XA): 9.0 중량부<A2-1> Isobornyl acrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: IB-XA): 9.0 parts by weight

<A2-2> 벤질 아크릴레이트 (오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드에 의해 제조됨, 상품명: V#160): 38.0 중량부<A2-2> Benzyl Acrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Limited, trade name: V # 160): 38.0 parts by weight

<A2-3> 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트 (교에이샤 케미칼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨, 상품명: NP-A): 47.0 중량부<A2-3> Neopentylglycol diacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: NP-A): 47.0 parts by weight

(1-2) 성분 (B2): 합계 0 중량부(1-2) Component (B2): 0 parts by weight in total

성분 (B2)는 첨가하지 않았다.Component (B2) was not added.

(1-3) 성분 (C2): 합계 0 중량부(1-3) Component (C2): 0 parts by weight in total

성분 (C2)는 첨가하지 않았다.Component (C2) was not added.

(1-4) 성분 (D2): 합계 0 중량부(1-4) Component (D2): 0 weight part total

성분 (D2)는 첨가하지 않았다.Component (D2) was not added.

<용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 표면 장력의 측정><Measurement of the surface tension of the composition (α1 ') and the curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) except the component (D1) which is a solvent>

용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 표면 장력의 측정은, 자동 표면 장력계 DY-300 (교와 인터페이스 사이언스 캄파니, 리미티드(Kyowa Interface Science Co., Ltd.)에 의해 제조됨)을 사용하여, 백금 플레이트를 사용하는 플레이트 방법에 의해, 25℃에서의 표면 장력을 측정함으로써 행하였다. 또한, 측정은, 측정 횟수 5회, 백금 플레이트의 프리웨트(prewet) 침지 거리 0.35 mm의 조건 하에 행하였다. 1회차의 측정치를 제외하고, 2회차 내지 5회차 측정치의 평균을 표면 장력으로서 규정하였다. 실시예 1 내지 6에 의해 제조한 경화성 조성물의 표면 장력 측정 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 실시예 1 내지 4의 경화성 조성물 (α1)에 대해서는, 용매인 성분 (D)를 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')의 표면 장력을 표 1에 나타낸다.Measurement of the surface tension of the composition (α1 ') and the curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) except the component (D1) which is a solvent is performed by the automatic surface tension meter DY-300 (Kyowa Interface Science Co., Ltd.). (Manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) was used to measure the surface tension at 25 ° C. by a plate method using a platinum plate. In addition, the measurement was performed 5 times of the measurement times and on the conditions of 0.35 mm of prewet immersion distance of a platinum plate. Except for the 1st measurement, the average of the 2nd to 5th measurements was defined as the surface tension. Table 1 shows the surface tension measurement results of the curable compositions prepared in Examples 1 to 6. In addition, about curable composition ((alpha) 1) of Examples 1-4, surface tension of the composition ((alpha) 1 ') of the component of curable composition ((alpha) 1) except the component (D) which is a solvent is shown in Table 1.

[표 1]TABLE 1

Figure pct00001
Figure pct00001

<경화성 조성물 (α1) 및 경화성 조성물 (α2)를 사용한 광 나노임프린트><Photo nanoimprint using a curable composition (α1) and a curable composition (α2)>

(실시예 7)(Example 7)

스핀 코터를 사용하여 경화성 조성물 (α1-1)을 직경 450 nm의 실리콘 웨이퍼 상에 도포했다. 이때, 경화성 조성물 (α1-1) 중의 용매인 성분 (D1)이 휘발하고, 약 7 nm 두께의, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-1)의 성분의 조성물 (α1'-1)의 막을 얻었다.The curable composition (α1-1) was applied onto a silicon wafer of 450 nm in diameter using a spin coater. At this time, the component (D1) which is a solvent in the curable composition (α1-1) is volatilized, and the composition (α1'-1) of the component of the curable composition (α1-1) except for the component (D1) which is a solvent having a thickness of about 7 nm. ) Film.

경화성 조성물 (α1'-1)의 막 상에 잉크젯 방법을 사용하여 경화성 조성물 (α2-1)의 1 pL의 액적을 이산적으로 배치했다. 액적량은, 경화성 조성물 (α1'-1)과 경화성 조성물 (α2-1)의 혼합물의 액막을 광경화하였을 때 경화막의 평균 막 두께가 약 37 nm가 되는 양으로 설정하였다. 이때, 하층에 배치된 경화성 조성물 (α1'-1)의 표면 장력은, 상층을 형성하는 적하되는 경화성 조성물 (α2-1)의 표면 장력보다 더 높기 때문에, 마란고니 효과가 발현되어, 경화성 조성물 (α2-1)의 액적의 확장 (예비확산)이 신속하였다.1 pL of droplets of the curable composition (α2-1) were discretely placed on the film of the curable composition (α1′-1) using the inkjet method. The droplet amount was set to an amount such that the average film thickness of the cured film was about 37 nm when the liquid film of the mixture of the curable composition (α1'-1) and the curable composition (α2-1) was photocured. At this time, since the surface tension of the curable composition (α1′-1) disposed in the lower layer is higher than the surface tension of the curable composition (α2-1) to be dropped to form the upper layer, the marangoni effect is expressed and the curable composition ( The expansion (prediffusion) of the droplets of α2-1) was rapid.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-1)의 성분의 조성물 (α1'-1)에, 경화성 조성물 (α2-1)을 첨가하여 1:1 (중량비)로 혼합하였을 때, 경화성 조성물 (α2-1)과 조성물 (α1'-1)은 발열적으로 혼합되었다.Furthermore, when the curable composition (α2-1) is added to the composition (α1'-1) of the component of the curable composition (α1-1) except for the component (D1), which is a solvent, is mixed at 1: 1 (weight ratio), The curable composition (α2-1) and the composition (α1'-1) were exothermicly mixed.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 경화성 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 표면 장력의 측정, 및 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 경화성 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)를 혼합하였을 때의 발열 유무의 측정은, 상기 기재된대로 행하였다.Moreover, the measurement of the surface tension of curable composition ((alpha) 1 ') and curable composition ((alpha) 2) of the component of curable composition ((alpha) 1) except component (D1) which is a solvent, and curable composition ((alpha) 1) except component (D1) which is a solvent The measurement of the presence or absence of the exotherm when the curable composition (α1 ') and the curable composition (α2) of the component were mixed was performed as described above.

(실시예 8)(Example 8)

경화성 조성물 (α1-1)을 경화성 조성물 (α1-2)로 변경한 것을 제외하고, 실시예 7과 동일한 방식으로, 액적의 확장 관찰 및 경화성 조성물의 혼합 시의 발열의 측정을 행하였다.Except for changing the curable composition (α1-1) to the curable composition (α1-2), the expansion of the droplets and the exotherm at the time of mixing the curable composition were measured in the same manner as in Example 7.

하층에 배치된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-2)의 성분의 조성물 (α1'-2)의 표면 장력은, 상층을 형성하는 적하되는 경화성 조성물 (α2-1)의 표면 장력보다 더 높기 때문에, 마란고니 효과가 발현되어, 경화성 조성물 (α2-1)의 액적의 확장 (예비확산)이 신속하였다.The surface tension of the composition (α1'-2) of the component of the curable composition (α1-2) except for the component (D1) which is a solvent disposed in the lower layer is the surface tension of the curable composition (α2-1) dropped to form the upper layer. Since it was higher, the marangoni effect was expressed and the expansion (prediffusion) of the droplets of the curable composition (α2-1) was rapid.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-2)의 성분의 조성물 (α1'-2)에, 경화성 조성물 (α2-1)을 1:1 (중량비)로 첨가하여 혼합하였을 때, 경화성 조성물 (α2-1)과 조성물 (α1'-2)는 발열적으로 혼합되었다.Moreover, when the curable composition ((alpha) 2-1) is added and mixed in 1: 1 (weight ratio) to the composition ((alpha) 1'-2) of the component of curable composition ((alpha) 1-2) except the component (D1) which is a solvent, The curable composition (α2-1) and the composition (α1'-2) were exothermicly mixed.

(실시예 9)(Example 9)

경화성 조성물 (α1-1)을 경화성 조성물 (α1-3)으로 변경한 것을 제외하고, 실시예 7과 동일한 방식으로, 액적의 확장 관찰 및 경화성 조성물의 혼합 시의 발열의 측정을 행하였다.Except for changing the curable composition (α1-1) to the curable composition (α1-3), the expansion of the droplets and the exotherm at the time of mixing the curable composition were measured in the same manner as in Example 7.

하층에 배치된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-3)의 성분의 조성물 (α1'-3)의 표면 장력은, 상층을 형성하는 적하되는 경화성 조성물 (α2-1)의 표면 장력보다 더 높기 때문에, 마란고니 효과가 발현되어, 경화성 조성물 (α2-1)의 액적의 확장 (예비확산)이 신속하였다.The surface tension of the composition (α1'-3) of the component of the curable composition (α1-3) except for the component (D1) which is the solvent disposed in the lower layer is the surface tension of the curable composition (α2-1) dropped to form the upper layer. Since it was higher, the marangoni effect was expressed and the expansion (prediffusion) of the droplets of the curable composition (α2-1) was rapid.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-3)의 성분의 조성물 (α1'-3)에, 경화성 조성물 (α2-1)을 1:1 (중량비)로 첨가하여 혼합하였을 때, 경화성 조성물 (α2-1)과 조성물 (α1'-3)은 발열적으로 혼합되었다.Furthermore, when the curable composition (α2-1) is added and mixed at a ratio of 1: 1 (weight ratio) to the composition (α1'-3) of the component of the curable composition (α1-3) except for the component (D1), which is a solvent, The curable composition (α2-1) and the composition (α1'-3) were exothermicly mixed.

(실시예 10)(Example 10)

경화성 조성물 (α1-1)을 경화성 조성물 (α1-4)로 변경한 것을 제외하고, 실시예 7과 동일한 방식으로, 액적의 확장 관찰 및 경화성 조성물의 혼합 시의 발열의 측정을 행하였다.Except for changing the curable composition (α1-1) to the curable composition (α1-4), the expansion of the droplets and the exotherm at the time of mixing the curable composition were measured in the same manner as in Example 7.

하층에 배치된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-4)의 성분의 조성물 (α1'-4)의 표면 장력은, 상층을 형성하는 적하되는 경화성 조성물 (α2-1)의 표면 장력보다 더 높기 때문에, 마란고니 효과가 발현되어, 경화성 조성물 (α2-1)의 액적의 확장 (예비확산)이 신속하였다.The surface tension of the composition (α1'-4) of the component of the curable composition (α1-4) except for the component (D1) which is a solvent disposed in the lower layer is the surface tension of the curable composition (α2-1) dropped to form the upper layer. Since it was higher, the marangoni effect was expressed and the expansion (prediffusion) of the droplets of the curable composition (α2-1) was rapid.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-4)의 성분의 조성물 (α1'-4)에, 경화성 조성물 (α2-1)을 1:1 (중량비)로 첨가하여 혼합하였을 때, 경화성 조성물 (α2-1)과 조성물 (α1'-4)는 발열적으로 혼합되었다.Moreover, when the curable composition ((alpha) 2-1) is added and mixed in 1: 1 (weight ratio) to the composition ((alpha) 1'-4) of the component of the curable composition ((alpha) 1-4) except the component (D1) which is a solvent, The curable composition (α2-1) and the composition (α1'-4) were exothermicly mixed.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

경화성 조성물 (α2-1)을 경화성 조성물 (α2-2)로 변경한 것을 제외하고, 실시예 9와 동일한 방식으로, 액적의 확장 관찰 및 경화성 조성물의 혼합 시의 발열의 측정을 행하였다.Except having changed the curable composition ((alpha) 2-1) into the curable composition ((alpha) 2-2), the expansion observation of a droplet and the exotherm at the time of mixing of a curable composition were measured in the same manner as Example 9.

하층에 배치된 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-3)의 성분의 조성물 (α1'-3)의 표면 장력은, 상층을 형성하는 적하되는 경화성 조성물 (α2-2)의 표면 장력보다 더 높기 때문에, 마란고니 효과가 발현되어, 경화성 조성물 (α2-2)의 액적의 확장 (예비확산)이 신속하였다.The surface tension of the composition (α1'-3) of the component of the curable composition (α1-3) except for the component (D1) which is the solvent disposed in the lower layer is the surface tension of the curable composition (α2-2) dropped to form the upper layer. Since it was higher, the marangoni effect was expressed and the expansion (prediffusion) of the droplets of the curable composition (α2-2) was rapid.

또한, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1-3)의 성분의 조성물 (α1'-3)에, 경화성 조성물 (α2-2)를 1:1 (중량비)로 첨가하여 혼합하였을 때, 경화성 조성물 (α2-2)와 조성물 (α1'-3)은 발열적으로 혼합되지 않았다.Moreover, when the curable composition ((alpha) 2-2) is added and mixed by 1: 1 (weight ratio) to the composition ((alpha) 1'-3) of the component of the curable composition ((alpha) 1-3) except the component (D1) which is a solvent, The curable composition (α2-2) and the composition (α1'-3) were not exothermicly mixed.

<용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)를 혼합하였을 때의 발열 유무의 측정><Measurement of presence or absence of heat generation when the composition (α1 ') and the curable composition (α2) of the component of the curable composition (α1) other than the component (D1) which is a solvent are mixed>

상기 언급된 각각의 실시예에 대해 제시된 바와 같이, 시차 주사 열량 측정 장치(DSC)를 사용하여, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')에, 경화성 조성물 (α2)를 1:1 (중량비)로 첨가하여 혼합하고, 각각의 실시예에서 혼합시의 발열량 또는 흡열량을 측정하였고, 즉 혼합시의 발열의 유무를 판정하였다. 평가는 실온의 환경 하에 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.As shown for each of the examples mentioned above, using a differential scanning calorimetry device (DSC), the composition (α1 ′) of the component of the curable composition (α1) except for the component (D1), which is a solvent, is curable composition (α2) was added at a ratio of 1: 1 (weight ratio) and mixed, and the calorific value or endothermic amount at the time of mixing was measured in each Example, that is, the presence or absence of the exotherm at the time of mixing was determined. Evaluation was performed under the environment of room temperature. The results are shown in Table 2.

[표 2]TABLE 2

Figure pct00002
Figure pct00002

이와 같이, 혼합이 발열적인, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)를 사용함으로써, 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1') 상에 경화성 조성물 (α2)를 적하 혼합하는 경우, 온도 저하에 기인하는 점도 상승을 방지하여 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 혼합을 촉진할 수 있다. 즉, 보다 단시간에, 기판의 샷 영역에서 균일한 물성의 조성물 (α1') 및 경화성 조성물 (α2)의 혼합물(308)의 액막을 수득할 수 있다 (도 3(e)). 이에 의해, 높은 처리량을 제공하며, 기판의 샷 영역에서 균일한 물성을 갖는 패턴을 형성할 수 있다.Thus, by using the composition ((alpha) 1 ') and curable composition ((alpha) 2) of the component of the curable composition ((alpha) 1) except the component (Dl) which is a mixing which is exothermic, the curable composition except the component (Dl) which is a solvent ( In the case of dropwise mixing the curable composition (α2) on the composition (α1 ') of the component of α1), it is possible to prevent the viscosity rise resulting from the temperature drop and promote mixing of the composition (α1') and the curable composition (α2). have. That is, in a shorter time, the liquid film of the mixture 308 of the composition (α1 ') and the curable composition (α2) of uniform physical properties in the shot region of the substrate can be obtained (Fig. 3 (e)). As a result, a high throughput and a pattern having uniform physical properties can be formed in the shot region of the substrate.

본 출원은 2017년 3월 8일에 출원된 미국 특허 출원 번호 62/468,462의 이익을 주장하며, 그의 전문이 본원에 참조로 포함된다.This application claims the benefit of US Patent Application No. 62 / 468,462, filed March 8, 2017, which is incorporated by reference in its entirety.

101 기판
102 레지스트
104 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표
105 몰드
106 조사광
107 광경화막
108 잔막
201 기판
202 경화성 조성물 (α1)
203 경화성 조성물 (α2)
204 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표
205 몰드
206 조사광
207 패턴 형상을 갖는 경화막
208 경화성 조성물 (α1)과 경화성 조성물 (α2)의 혼합물
209 조성물이 충분히 혼합되지 않은 영역
301 기판 (피가공기판)
302 경화성 조성물 (α1)
302' 용매인 성분 (D1)을 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')
303 경화성 조성물 (α1)
304 액적이 확산되는 방향을 나타내는 화살표
305 몰드
306 조사광
307 패턴 형상을 갖는 경화막
308 경화성 조성물 (α1)과 경화성 조성물 (α2)의 혼합물
309 조성물 (α1')과 경화성 조성물 (α2)가 충분히 혼합되지 않은 영역
401 기판 (피가공기판)
402 패턴 형상을 갖는 경화막
403 잔막
404 잔막이 없는 경화물 패턴
405 에칭 가스 A
406 에칭 가스 B101 boards
102 resist
104 Arrow indicating the direction in which the droplets spread
105 mold
106 radiation
107 Photocuring Film
108 Remnants
201 substrate
202 Curable Composition (α1)
203 Curable Composition (α2)
204 Arrow indicating direction in which droplets spread
205 mold
206 irradiation light
207 cured film having a pattern shape
208 Mixture of Curable Composition (α1) and Curable Composition (α2)
209 Areas of Composition Not Mixing Enough
301 substrate (processed substrate)
302 Curable Composition (α1)
Composition (α1 ') of component of curable composition (α1) except component (D1) which is a 302' solvent
303 Curable Composition (α1)
Arrows indicating the direction in which 304 droplets spread
305 mold
306 irradiation
307 cured film having a pattern shape
308 Mixture of Curable Composition (α1) and Curable Composition (α2)
309 A region in which the composition (α1 ') and the curable composition (α2) are not sufficiently mixed
401 substrate (processed substrate)
402 cured film
403 Remnants
404 Cured Pattern without Remnant
405 etching gas A
406 etching gas B

Claims (28)

(1) 기판 상에, 중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)의 액막으로 형성된 층을 배치하는 제1 단계 (배치 단계),
(2) 용매인 성분 (D1)을 제외한 상기 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')의 액막으로 형성된 층 상에, 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)의 액적을 이산적으로 분배하는 제2 단계 (분배 단계),
(3) 상기 조성물 (α1')과 상기 경화성 조성물 (α2)가 혼합됨으로써 수득된 혼합층을 몰드에 접촉시키는 제3 단계 (몰드 접촉 단계),
(4) 상기 혼합층에 상기 몰드의 측면으로부터 광을 조사하여 상기 층을 경화시키는 제4 단계 (광 조사 단계),
(5) 경화 후의 상기 혼합층으로부터 상기 몰드를 이형시키는 제5 단계 (이형 단계)
를 포함하며,
상기 조성물 (α1')과 상기 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적인,
경화물 패턴의 제조 방법.(1) a first step (batch step) of disposing a layer formed of a liquid film of the curable composition (α1) containing at least a component (A1) that is a polymerizable compound on a substrate,
(2) Curable composition ((alpha) 2) which contains at least component (A2) which is a polymeric compound on the layer formed from the liquid film of composition ((alpha) 1 ') of the component of said curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent. Second step (distribution step) of distributing discrete droplets of,
(3) a third step (molding step) of bringing the mixed layer obtained by mixing the composition (? 1 ') and the curable composition (? 2) into a mold;
(4) a fourth step of irradiating the mixed layer with light from the side of the mold to cure the layer (light irradiation step),
(5) fifth step of releasing the mold from the mixed layer after curing (releasing step)
Including;
The mixing of the composition (α1 ') with the curable composition (α2) is exothermic,
Method for producing a cured product pattern. 제1항에 있어서, 상기 조성물 (α1')의 표면 장력이 상기 경화성 조성물 (α2)의 표면 장력보다 큰 것인, 경화물 패턴의 제조 방법.The method for producing a cured product pattern according to claim 1, wherein the surface tension of the composition (α1 ') is greater than the surface tension of the curable composition (α2). 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 상기 경화성 조성물 (α1)의 액막으로 형성된 층을 배치하는 면에, 밀착층이 형성되어 있는 것인, 경화물 패턴의 제조 방법.The manufacturing method of the hardened | cured material pattern of Claim 1 or 2 in which the contact | adhesion layer is formed in the surface which arrange | positions the layer formed from the liquid film of the said curable composition ((alpha) 1) of the said board | substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몰드가, 표면에 요철 패턴이 형성된 몰드이며,
상기 요철 패턴의 오목부 폭이 4nm 이상 30nm 미만이고,
상기 요철 패턴의 오목부 종횡비가 1 이상 10 이하인,
경화물 패턴의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The mold is a mold having a concavo-convex pattern formed on the surface,
The concave portion width of the uneven pattern is 4 nm or more and less than 30 nm,
The recess aspect ratio of the said uneven | corrugated pattern is 1 or more and 10 or less,
Method for producing a cured product pattern. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 단계와 상기 제3 단계의 사이에, 상기 기판과 상기 몰드와의 위치 정렬을 행하는 단계를 더 포함하는, 경화물 패턴의 제조 방법.The method of manufacturing a cured product pattern according to any one of claims 1 to 4, further comprising a step of performing alignment between the substrate and the mold between the second step and the third step. . 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 단계 내지 상기 제5 단계를, 상기 기판 상의 상이한 영역들에서 복수회 반복하는 것인, 경화물 패턴의 제조 방법.The method of manufacturing a cured product pattern according to any one of claims 1 to 5, wherein the second to fifth steps are repeated a plurality of times in different regions on the substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 단계가, 응축성 기체를 포함하는 분위기 하에서 행하여지는 것인, 경화물 패턴의 제조 방법.The method for producing a cured product pattern according to any one of claims 1 to 6, wherein the third step is performed under an atmosphere containing a condensable gas. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 경화물 패턴의 제조 방법을 포함하는, 광학 부품의 제조 방법.The manufacturing method of the optical component containing the manufacturing method of the hardened | cured material pattern in any one of Claims 1-7. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 경화물 패턴의 제조 방법을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.The manufacturing method of a circuit board containing the manufacturing method of the hardened | cured material pattern in any one of Claims 1-7. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 경화물 패턴의 제조 방법을 포함하는, 석영 몰드 레플리카의 제조 방법.The manufacturing method of the quartz mold replica containing the manufacturing method of the hardened | cured material pattern in any one of Claims 1-7. 중합성 화합물인 성분 (A1)을 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α1)을 포함하는 임프린트 전처리 코팅용 재료이며,
기판 상에 상기 임프린트 전처리 코팅용 재료로 이루어진 액막을 형성하고, 용매인 성분 (D1)을 제외한 상기 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')의 액막에 대해 중합성 화합물인 성분 (A2)를 적어도 함유하는 경화성 조성물 (α2)로 형성된 액적을 분배했을 때에, 상기 액적의 성분의 기판 표면 방향으로의 확산이 촉진되고,
상기 경화성 조성물 (α1)에서는, 용매인 성분 (D)를 제외한 경화성 조성물 (α1)의 성분의 조성물 (α1')과 제2 단계에서 분배되는 상기 경화성 조성물 (α2)와의 혼합이 발열적인,
임프린트 전처리 코팅용 재료.It is an imprint pretreatment coating material containing the curable composition ((alpha) 1) containing the component (A1) which is a polymeric compound at least,
Component (A2) which forms a liquid film which consists of the said imprint pretreatment coating material on the board | substrate, and is a polymeric compound with respect to the liquid film of composition ((alpha) 1 ') of the component of said curable composition ((alpha) 1) except the component (D1) which is a solvent When distributing the droplet formed of the curable composition (α2) containing at least, the diffusion of the component of the droplet in the substrate surface direction is promoted,
In the curable composition (α1), mixing of the composition (α1 ') of the component of the curable composition (α1) except for the component (D) which is a solvent with the curable composition (α2) to be dispensed in the second step is exothermic,
Material for imprint pretreatment coatings. 제11항에 있어서, 상기 조성물 (α1')의 표면 장력이 상기 경화성 조성물 (α2)의 표면 장력보다 큰 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to claim 11, wherein the surface tension of the composition (α1 ') is greater than the surface tension of the curable composition (α2). 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 성분 (A1)이, 단관능 (메트)아크릴 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to claim 11 or 12, wherein the component (A1) contains at least one of a monofunctional (meth) acryl compound or a polyfunctional (meth) acrylic compound. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성분 (A1)이, 방향족 기 및/또는 지환족 탄화수소 기를 갖는 중합성 화합물을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 13, wherein the component (A1) contains a polymerizable compound having an aromatic group and / or an alicyclic hydrocarbon group. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성분 (A1)이, 알킬렌 에테르 기를 갖는 중합성 화합물을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 14, wherein the component (A1) contains a polymerizable compound having an alkylene ether group. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성분 (A1)이, 2개 이상의 알킬렌 에테르 기의 반복 단위를 갖는 중합성 화합물을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 15, wherein the component (A1) contains a polymerizable compound having repeating units of two or more alkylene ether groups. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물 (α1) 중의 광중합 개시제인 성분 (B1)의 함유량이, 상기 성분 (D1)을 제외한 모든 성분의 합계 중량에 대하여 0.1 중량% 미만인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The content of component (B1) which is a photoinitiator in the said curable composition ((alpha) 1) is less than 0.1 weight% with respect to the total weight of all components except the said component (D1). , Imprint pretreatment coating material. 제11항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물 (α1)이, 불소계 계면 활성제 또는 탄화수소계 계면 활성제를 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 17, wherein the curable composition (α1) contains a fluorine-based surfactant or a hydrocarbon-based surfactant. 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물 (α1')의 23℃에서의 점도가 1 mPa·s 이상 1000 mPa·s 이하인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 18, wherein a viscosity at 23 ° C. of the composition (α1 ′) is 1 mPa · s or more and 1000 mPa · s or less. 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성분 (A2)가, 단관능 (메트)아크릴 화합물 및 다관능 (메트)아크릴 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 19, wherein the component (A2) contains at least one of a monofunctional (meth) acryl compound and a polyfunctional (meth) acryl compound. material. 제11항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성분 (A2)가, 방향족 기 및/또는 지환족 탄화수소 기를 갖는 중합성 화합물을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 20, wherein the component (A2) contains a polymerizable compound having an aromatic group and / or an alicyclic hydrocarbon group. 제11항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물 (α2)가, 광중합 개시제인 성분 (B)를 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 21, wherein the curable composition (α2) contains a component (B) which is a photopolymerization initiator. 제22항에 있어서, 상기 성분 (B)가, 2종 이상의 광중합 개시제를 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to claim 22, wherein the component (B) contains two or more photopolymerization initiators. 제11항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물 (α2)가, 불소계 계면 활성제 또는 탄화수소계 계면 활성제를 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 23, wherein the curable composition (? 2) contains a fluorine-based surfactant or a hydrocarbon-based surfactant. 제11항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물 (α2)가, 불소계 계면 활성제 및 탄화수소계 계면 활성제 중 적어도 1종을 함유하는 것인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The material for imprint pretreatment coating according to any one of claims 11 to 23, wherein the curable composition (? 2) contains at least one of a fluorine-based surfactant and a hydrocarbon-based surfactant. 제11항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물 (α2) 중 용매인 성분 (D2)를 제외한 성분의 조성물 (α2')의 23℃에서의 점도가 1 mPa·s 이상 12 mPa·s 이하인, 임프린트 전처리 코팅용 재료.The viscosity at 23 degrees C of the composition ((alpha) 2 ') of the component except the component (D2) which is a solvent in the said curable composition ((alpha) 2) is 1 mPa * s or more, 12 mPa in any one of Claims 11-25. Material for imprint pretreatment coating that is s or less. 제11항 내지 제26항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 전처리 코팅용 재료를 경화하여 수득되는 경화물.Hardened | cured material obtained by hardening the material for imprint pretreatment coating of any one of Claims 11-26. 제9항에 있어서, 상기 회로 기판이 반도체 소자인, 제조 방법.The manufacturing method of Claim 9 whose said circuit board is a semiconductor element.
KR1020197028418A 2017-03-08 2018-03-02 Method for producing a cured product pattern, an optical component, a method for producing a circuit board and a quartz mold replica, and a material for pre-imprint coating and a cured product thereof KR102256349B1 (en)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10620539B2 (en) 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
JP6983760B2 (en) * 2016-04-08 2021-12-17 キヤノン株式会社 Cured product pattern forming method, processed circuit board manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method, and imprint pretreatment coating material.
US10509313B2 (en) 2016-06-28 2019-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10317793B2 (en) 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
WO2018164015A1 (en) 2017-03-08 2018-09-13 キヤノン株式会社 Pattern forming method, imprint preprocessing coating material, and substrate preprocessing method
JP7328888B2 (en) 2017-03-08 2023-08-17 キヤノン株式会社 Method for producing cured product pattern, method for producing optical component, circuit board and quartz mold replica, imprint pretreatment coating material and its cured product
CN110392919B (en) 2017-03-08 2024-01-16 佳能株式会社 Pattern forming method and processing substrate, optical member and method for manufacturing quartz mold replica, coating material for imprint pretreatment and combination thereof with imprint resist
KR102265572B1 (en) 2017-03-08 2021-06-17 캐논 가부시끼가이샤 Pattern forming method using optical nanoimprint technology, imprint apparatus and curable composition
WO2019031409A1 (en) 2017-08-10 2019-02-14 キヤノン株式会社 Pattern forming method
WO2020059604A1 (en) * 2018-09-18 2020-03-26 富士フイルム株式会社 Laminated body for imprinting, method for manufacturing laminated body for imprinting, method for forming pattern, and kit
US10892167B2 (en) * 2019-03-05 2021-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Gas permeable superstrate and methods of using the same
US11752519B2 (en) 2020-06-19 2023-09-12 Canon Kabushiki Kaisha Planarization method and photocurable composition
WO2024116787A1 (en) * 2022-11-29 2024-06-06 キヤノン株式会社 Curable composition, film forming method, and article manufacturing method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009083172A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Hitachi Ltd Optical imprinting method
JP2010073811A (en) 2008-09-17 2010-04-02 Fujifilm Corp Curable composition for nanoimprint, cured object using the same, and member for liquid display
JP2010080632A (en) * 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc Imprinting device and imprinting method
JP2010258182A (en) * 2009-04-24 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp Method and device for micropattern transfer
JP2013056440A (en) * 2011-09-07 2013-03-28 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Liquid immersion imprint method
JP2013093552A (en) * 2011-10-07 2013-05-16 Fujifilm Corp Underlay film composition for imprint and pattern formation method using the same
JP2015026740A (en) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社東芝 Resist material, and pattern formation method by use thereof
JP2016028419A (en) * 2014-07-08 2016-02-25 キヤノン株式会社 Cohesive layer composition, film manufacturing method by nanoimprint, manufacturing method of optical part, manufacturing method of circuit board, and manufacturing method of electronic device

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7432634B2 (en) 2000-10-27 2008-10-07 Board Of Regents, University Of Texas System Remote center compliant flexure device
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
EP2264524A3 (en) 2000-07-16 2011-11-30 The Board of Regents of The University of Texas System High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography
AU2001277907A1 (en) 2000-07-17 2002-01-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
US20050160011A1 (en) 2004-01-20 2005-07-21 Molecular Imprints, Inc. Method for concurrently employing differing materials to form a layer on a substrate
EP1352295B1 (en) 2000-10-12 2015-12-23 Board of Regents, The University of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
US7387508B2 (en) 2004-06-01 2008-06-17 Molecular Imprints Inc. Compliant device for nano-scale manufacturing
US20060005657A1 (en) 2004-06-01 2006-01-12 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US20050274219A1 (en) 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US20050064344A1 (en) 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
DK1704585T3 (en) * 2003-12-19 2017-05-22 Univ North Carolina Chapel Hill Methods for preparing isolated micro- and nanostructures using soft lithography or printing lithography
US20050275311A1 (en) 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Compliant device for nano-scale manufacturing
JP5198071B2 (en) 2004-12-01 2013-05-15 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Exposure method for thermal management in imprint lithography process
JP2006168147A (en) * 2004-12-15 2006-06-29 Aitesu:Kk Manufacturing method of fine structure using organic/inorganic hybrid material and nano-imprinting technique and fine structure
US20110129689A2 (en) * 2007-11-30 2011-06-02 Showa Denko K.K. Curable composition for transfer materials and method for forming micropattern using the curable composition
CN101923282B (en) 2009-06-09 2012-01-25 清华大学 Nano-imprint resist and nano-imprint method adopting same
JP2011222732A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Fujifilm Corp Pattern formation method and patterned substrate manufacturing method
JP5337776B2 (en) 2010-09-24 2013-11-06 富士フイルム株式会社 Nanoimprint method and substrate processing method using the same
JP5710553B2 (en) * 2011-08-25 2015-04-30 富士フイルム株式会社 Curable composition for imprint, pattern forming method and pattern
JP6000712B2 (en) * 2012-07-24 2016-10-05 キヤノン株式会社 Resin manufacturing method and resin manufacturing apparatus
US20150060113A1 (en) * 2013-01-22 2015-03-05 Yongcai Wang Photocurable composition, article, and method of use
JP6328001B2 (en) * 2013-08-30 2018-05-23 キヤノン株式会社 Curable composition for imprint, film, method for producing film
JP5804160B2 (en) * 2013-09-19 2015-11-04 大日本印刷株式会社 Imprint method and imprint mold manufacturing method
TWI632188B (en) * 2014-08-27 2018-08-11 日商富士軟片股份有限公司 Underlayer film forming resin composition, laminated body, pattern forming method, imprint forming kit and element manufacturing method
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
JP6141500B2 (en) * 2015-09-08 2017-06-07 キヤノン株式会社 Substrate pretreatment to reduce filling time in nanoimprint lithography
US20170068159A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10845700B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754245B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10883006B2 (en) 2016-03-31 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10829644B2 (en) 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754243B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754244B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10578965B2 (en) 2016-03-31 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method
JP6983760B2 (en) 2016-04-08 2021-12-17 キヤノン株式会社 Cured product pattern forming method, processed circuit board manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method, and imprint pretreatment coating material.
TW201817582A (en) * 2016-09-16 2018-05-16 日商富士軟片股份有限公司 Pattern forming method and method for producing semiconductor element
JP6741855B2 (en) * 2017-02-28 2020-08-19 富士フイルム株式会社 Composition for forming primer layer, kit, primer layer and laminate
WO2018164015A1 (en) 2017-03-08 2018-09-13 キヤノン株式会社 Pattern forming method, imprint preprocessing coating material, and substrate preprocessing method
KR102265572B1 (en) 2017-03-08 2021-06-17 캐논 가부시끼가이샤 Pattern forming method using optical nanoimprint technology, imprint apparatus and curable composition
CN110392919B (en) 2017-03-08 2024-01-16 佳能株式会社 Pattern forming method and processing substrate, optical member and method for manufacturing quartz mold replica, coating material for imprint pretreatment and combination thereof with imprint resist
JP7328888B2 (en) 2017-03-08 2023-08-17 キヤノン株式会社 Method for producing cured product pattern, method for producing optical component, circuit board and quartz mold replica, imprint pretreatment coating material and its cured product

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009083172A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Hitachi Ltd Optical imprinting method
US8133427B2 (en) * 2007-09-28 2012-03-13 Hitachi, Ltd. Photo nanoimprint lithography
JP2010073811A (en) 2008-09-17 2010-04-02 Fujifilm Corp Curable composition for nanoimprint, cured object using the same, and member for liquid display
JP2010080632A (en) * 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc Imprinting device and imprinting method
US9039402B2 (en) * 2008-09-25 2015-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting apparatus and method therefor
JP2010258182A (en) * 2009-04-24 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp Method and device for micropattern transfer
JP2013056440A (en) * 2011-09-07 2013-03-28 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Liquid immersion imprint method
JP2013093552A (en) * 2011-10-07 2013-05-16 Fujifilm Corp Underlay film composition for imprint and pattern formation method using the same
JP2015026740A (en) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社東芝 Resist material, and pattern formation method by use thereof
JP2016028419A (en) * 2014-07-08 2016-02-25 キヤノン株式会社 Cohesive layer composition, film manufacturing method by nanoimprint, manufacturing method of optical part, manufacturing method of circuit board, and manufacturing method of electronic device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
N. Imaishi, Int. J. Microgravity Sci. No. 31 Supplement 2014 (S5-S12)
S. Reddy, R.T. Bonnecaze, Microelectronic Engineering, 82, 60-70 (2005)

Also Published As

Publication number Publication date
KR102256349B1 (en) 2021-05-27
US11037785B2 (en) 2021-06-15
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CN110546734A (en) 2019-12-06

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