KR20190117144A - Vertical-cavity surface-emitting laser package - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a surface light emitting laser package which comprises: a surface light emitting laser element arranged on a substrate and having a non-light emitting region and a light emitting region including a plurality of emitters individually generating a first laser beam; a housing arranged around the surface light emitting laser element; and a diffusion unit arranged on the surface light emitting laser element. The light emitting region has a first width in a first direction and a second width in a second direction vertical to the first direction. The second width can be greater than the first width. The diffusion unit outputs the first laser beam as a second laser beam having a first view angle in the first direction and a second view angle in the second direction. The first view angle can be greater than the second view angle.

Description

표면광방출레이저 패키지{Vertical-cavity surface-emitting laser package}Surface-emitting laser package

실시예는 표면광방출레이저 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to surface emitting laser packages.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy-to-adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 표면광방출레이저 패키지는 광통신, 센서, 자동 초점장치, 근접 센서, 자동 초점 장치에 채택될 수 있다. In particular, surface light emitting laser packages using semiconductors of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials may be employed in optical communications, sensors, auto focus devices, proximity sensors, auto focus devices.

표면광방출레이저에 광을 확산시키기 위해 디퓨저(diffuser)가 구비된다. 하지만, 종래기술에서는 디퓨저에 의해 광이 흡수되어 광 출력이 저하되는 문제가 있다. A diffuser is provided to diffuse the light onto the surface light emitting laser. However, in the prior art, there is a problem in that light is absorbed by the diffuser and the light output is reduced.

실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiment aims to solve the above and other problems.

실시예의 다른 목적은 새로운 구조를 갖는 표면광방출레이저 패키지를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface light emitting laser package having a new structure.

실시예의 또 다른 목적은 광 출력을 향상시킬 수 있는 표면광방출레이저 패키지를 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a surface light emitting laser package which can improve the light output.

또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 일 측면에 따르면, 표면광방출레이저 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 비발광영역과 각각 제1 레이저빔을 생성하는 복수의 에미터를 포함하는 발광영역을 갖는 표면광방출레이저 소자; 상기 표면광방출레이저 소자의 둘레에 배치되는 하우징; 및 상기 표면광방출레이저 소자 상에 배치되는 확산부를 포함한다. 상기 발광영역은 제1 방향으로의 제1 너비와 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로의 제2 너비를 가지고, 상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 클 수 있다. 상기 확산부는 상기 제1 레이저빔을 상기 제1 방향으로의 제1 화각과 상기 제2 방향으로의 제2 화각을 갖는 제2 레이저빔으로 출력시키고, 상기 제1 화각은 상기 제2 화각보다 클 수 있다. Or in accordance with an aspect of the embodiment to achieve another object, the surface light emitting laser package, the substrate; A surface light emitting laser element disposed on the substrate, the surface light emitting laser element having a non-light emitting area and a light emitting area including a plurality of emitters each generating a first laser beam; A housing disposed around the surface light emitting laser element; And a diffusion part disposed on the surface light emitting laser element. The light emitting area may have a first width in a first direction and a second width in a second direction perpendicular to the first direction, and the second width may be greater than the first width. The diffusion unit outputs the first laser beam as a second laser beam having a first angle of view in the first direction and a second angle of view in the second direction, and the first angle of view may be greater than the second angle of view. have.

실시예의 다른 측면에 따르면, 상기 표면광방출레이저 패키지; 및 상기 표면광방출레이저 패키지에서 방출된 빛의 반사된 빛을 입사 받는 수광부를 포함한다.According to another aspect of the embodiment, the surface light emitting laser package; And a light receiving unit receiving the reflected light of the light emitted from the surface light emitting laser package.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the surface light emitting laser package according to the embodiment as follows.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 표면광방출레이저 소자의 발광영역의 형상에 따라 그 형상에 최적화되도록 확산판의 형상을 변형하여, 광출력을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, there is an advantage that the light output can be improved by modifying the shape of the diffusion plate so as to optimize the shape according to the shape of the light emitting area of the surface light emitting laser device.

실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. Further scope of the applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description below. However, various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments can be clearly understood by those skilled in the art, and therefore, specific embodiments, such as the detailed description and the preferred embodiments, are to be understood as given by way of example only.

도 1은 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자의 I-I'라인을 따라 도시한 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 확산부를 도시한 평면도이다.
도 5는 실시예에 따른 확산부의 x축 방향을 따라 도시한 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 확산부의 y축 방향을 따라 도시한 단면도이다.
도 7은 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자와 확산부를 도시한 평면도이다.
도 8은 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자와 확산부를 x축 방향을 따라 도시한 단면도이다.
도 9는 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자와 확산부를 y축 방향을 따라 도시한 단면도이다.
도 10a는 확산부의 출력 광에서 x축 방향을 따른 제1 화각을 보여준다.
도 10b는 확산부의 출력 광에서 y축 방향을 따른 제2 화각을 보여준다.
도 11a 및 도 11b는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 광 출력을 보여준다.
도 12a 및 도 12b는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 파워 드룹(power droop)을 보여준다.
도 13는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지를 포함하는 자동 초점 장치가 적용된 이동 단말기의 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a surface light emitting laser package according to the embodiment.
2 is a plan view of a surface light emitting laser device according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the surface light emitting laser device according to the embodiment shown in FIG. 2.
4 is a plan view illustrating a diffusion unit according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view taken along an x-axis direction of a diffusion part according to an exemplary embodiment.
6 is a cross-sectional view taken along the y-axis direction of the diffusion part according to the embodiment.
7 is a plan view illustrating a surface light emitting laser device and a diffusion unit according to an embodiment.
8 is a cross-sectional view of the surface light emitting laser device and the diffusion unit in the x-axis direction according to the embodiment.
9 is a cross-sectional view of the surface light emitting laser device and the diffuser in the y-axis direction according to the embodiment.
10A shows a first angle of view along the x-axis direction in the output light of the diffusion part.
10B shows a second angle of view along the y-axis direction in the output light of the diffusion part.
11A and 11B show light output of a surface light emitting laser package according to an embodiment.
12A and 12B show power droop of the surface light emitting laser package according to the embodiment.
13 is a perspective view of a mobile terminal to which an autofocusing apparatus including a surface light emitting laser package according to an embodiment is applied.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments disclosed herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components will be given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used in consideration of ease of specification, and do not have distinct meanings or roles from each other. In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed herein, but are not limited to the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings, all changes included in the spirit and scope of the embodiments, It should be understood to include equivalents and substitutes.

도 1은 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a surface light emitting laser package according to the embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 기판(110)을 제공할 수 있다. Referring to FIG. 1, the surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide a substrate 110.

기판(110)은 그 기판(110) 상에 배치되는 모든 구성 요소, 예컨대 표면광방출레이저(200)를 지지할 수 있다. The substrate 110 may support all components disposed on the substrate 110, such as the surface light emitting laser 200.

기판(110)은 열 전도율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 기판(110)은 표면광방출레이저 소자(200)에서 발생된 열을 외부로 효율적으로 방출할 수 있도록 방열 특성이 좋은 물질로 제공될 수 있다. 기판(110)은 절연 재질을 포함할 수 있다.The substrate 110 may include a material having high thermal conductivity. The substrate 110 may be formed of a material having a good heat dissipation property so as to efficiently radiate heat generated from the surface light emitting laser device 200 to the outside. The substrate 110 may include an insulating material.

예컨대, 기판(110)은 세라믹 소재를 포함할 수 있다. 기판(110)은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함할 수 있다. For example, the substrate 110 may include a ceramic material. The substrate 110 may include a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or a high temperature co-fired ceramic (HTCC) that is co-fired.

또한, 기판(110)은 금속 화합물을 포함할 수 있다. 기판(110)은 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 질화 알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate 110 may include a metal compound. The substrate 110 may include a metal oxide having a thermal conductivity of 140 W / mK or more. For example, the substrate 110 may include aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O 3).

기판(110)은 다른 예로서, 수지 계열의 절연 물질을 포함할 수 있다. 기판(110)은, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성 재질로 제공될 수 있다. As another example, the substrate 110 may include a resin-based insulating material. The substrate 110 may be made of a silicone resin, an epoxy resin, a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistant material.

기판(110)은 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 기판(110)이 도전성 물질, 예컨대 금속으로 제공되는 경우, 기판(110)과 표면광방출레이저 소자(200) 사이의 전기적인 절연을 위한 절연층(27)이 제공될 수 있다.The substrate 110 may include a conductive material. When the substrate 110 is made of a conductive material, such as a metal, an insulating layer 27 for electrical insulation between the substrate 110 and the surface light emitting laser device 200 may be provided.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 표면광방출레이저 소자(200)를 제공할 수 있다.The surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide the surface light emitting laser device 200.

표면광방출레이저 소자(200)는 기판(110) 위에 배치될 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 레이저빔을 생성하여 표면광방출레이저 소자(200)의 상부 면에 수직한 방향으로 레이저빔을 방출할 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 예를 들어, 15° 내지 25°의 화각을 갖는 레이저빔을 상부 방향으로 방출할 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 원형의 빔을 방출하는 복수의 에미터(E1, E2, E3, E4)를 포함할 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)의 예는 뒤에서 다시 설명하기로 한다.The surface light emitting laser device 200 may be disposed on the substrate 110. The surface light emitting laser device 200 may generate a laser beam and emit the laser beam in a direction perpendicular to the upper surface of the surface light emitting laser device 200. The surface light emitting laser device 200 may emit, for example, a laser beam having an angle of view of 15 ° to 25 ° in an upward direction. The surface light emitting laser device 200 may include a plurality of emitters E1, E2, E3, and E4 that emit circular beams. An example of the surface light emitting laser element 200 will be described later.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 하우징(130)을 제공할 수 있다. 하우징(130)은 기판(110) 위에 배치될 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 제1 영역과 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 표면광방출레이저 소자(200)는 기판(110)의 제1 영역 상에 배치되고, 하우징(130)은 기판(120)의 제2 영역 상에 배치될 수 있다. 하우징(130)은 표면광방출레이저 소자(200)의 둘레에 배치될 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide a housing 130. The housing 130 may be disposed on the substrate 110. For example, the substrate 110 may include a first region and a second region surrounding the first region. In this case, the surface light emitting laser device 200 may be disposed on the first region of the substrate 110, and the housing 130 may be disposed on the second region of the substrate 120. The housing 130 may be disposed around the surface light emitting laser device 200.

하우징(130)의 높이는 표면광방출레이저 소자(200)의 높이보다 클 수 있다. 하우징(130)은 열 전도율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 하우징(130)은 표면광방출레이저 소자(200)에서 발생된 열을 외부로 효율적으로 방출할 수 있도록 방열 특성이 좋은 물질로 제공될 수 있다. 하우징(130)은 절연 재질을 포함할 수 있다.The height of the housing 130 may be greater than the height of the surface light emitting laser device 200. The housing 130 may include a material having high thermal conductivity. The housing 130 may be provided with a material having a good heat dissipation property so that the heat generated from the surface light emitting laser device 200 may be efficiently emitted to the outside. The housing 130 may include an insulating material.

예컨대, 하우징(130)은 세라믹 소재를 포함할 수 있다. 하우징(130)은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함할 수 있다. For example, the housing 130 may include a ceramic material. The housing 130 may include a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or a high temperature co-fired ceramic (HTCC) that is co-fired.

에컨대, 하우징(130)은 금속 화합물을 포함할 수 있다. 하우징(130)은 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 하우징(130)은 질화 알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.For example, the housing 130 may include a metal compound. The housing 130 may include a metal oxide having a thermal conductivity of 140 W / mK or more. For example, the housing 130 may include aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O 3).

예컨대, 하우징(130)은 수지 계열의 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 하우징(130)은 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성 재질로 이루어질 수 있다.For example, the housing 130 may include a resin-based insulating material. Specifically, the housing 130 may be made of a silicone resin, an epoxy resin, a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistant material.

하우징(130)은 도전성 물질, 예컨대 금속으로 이루어질 수 있다.The housing 130 may be made of a conductive material such as metal.

예로서, 하우징(130)은 기판(110)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 하우징(130)이 기판(110)과 동일 물질로 형성되는 경우, 하우징(130)은 기판(110)과 일체로 형성될 수도 있다.For example, the housing 130 may include the same material as the substrate 110. When the housing 130 is formed of the same material as the substrate 110, the housing 130 may be integrally formed with the substrate 110.

또한, 하우징(130)은 기판(110)과 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 기판(110)은 하우징으로 지칭될 수도 있다. 이러한 경우, 기판(110)이 제1 하우징으로 지칭되고, 하우징(130)은 제2 하우징으로 지칭될 수 있다. 이와 달리, 하우징(130)이 기판으로 지칭될 수도 있다. 이러한 경우, 기판(110)은 제1 기판으로 지칭되고, 하우징(130)은 제2 기판으로 지칭될 수 있다. In addition, the housing 130 may be formed of a material different from that of the substrate 110. Substrate 110 may be referred to as a housing. In this case, the substrate 110 may be referred to as a first housing, and the housing 130 may be referred to as a second housing. Alternatively, the housing 130 may be referred to as a substrate. In this case, the substrate 110 may be referred to as a first substrate, and the housing 130 may be referred to as a second substrate.

실시예에 의하면, 기판(110)과 하우징(130)이 방열 특성이 우수한 물질로 제공될 수 있다. 이에 따라, 표면광방출레이저 소자(200)에서 발생되는 열이 외부로 효과적으로 방출될 수 있다.According to the embodiment, the substrate 110 and the housing 130 may be provided with a material having excellent heat dissipation characteristics. Accordingly, heat generated from the surface light emitting laser device 200 may be effectively released to the outside.

실시예에 의하면, 기판(110)과 하우징(130)이 서로 분리된 부품으로 제공되어 결합되는 경우, 기판(110)과 하우징(130) 사이에 접착층이 제공될 수 있다.According to the embodiment, when the substrate 110 and the housing 130 are provided and coupled as separate components, an adhesive layer may be provided between the substrate 110 and the housing 130.

예로서, 접착층은 유기물을 포함할 수 있다. 접착층은 에폭시 계열의 레진을 포함할 수 있다. 또한, 접착층은 실리콘계 레진을 포함할 수 있다.For example, the adhesive layer may include an organic material. The adhesive layer may include an epoxy-based resin. In addition, the adhesive layer may include a silicone-based resin.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 제1 전극(181)과 제2 전극(182)을 제공할 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide a first electrode 181 and a second electrode 182.

제1 전극(181)과 제2 전극(182)은 기판(110) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(181)과 제2 전극(182)은 기판(110) 위에 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first electrode 181 and the second electrode 182 may be disposed on the substrate 110. The first electrode 181 and the second electrode 182 may be spaced apart from each other on the substrate 110.

제1 전극(181)과 제2 전극(182) 중 하나의 전극은 표면광방출레이저 소자(200)의 둘레에 배치될 수 있다. One electrode of the first electrode 181 and the second electrode 182 may be disposed around the surface light emitting laser device 200.

표면광방출레이저 소자(200)는 제1 전극(181) 상에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제2 전극(182)는 표면광방출레이저 소자(200)의 둘레에 배치될 수 있다. The surface light emitting laser device 200 may be disposed on the first electrode 181. In this case, the second electrode 182 may be disposed around the surface light emitting laser device 200.

표면광방출레이저 소자(200)는 제1 전극(181) 위에 예컨대, 다이 본딩 방식에 의하여 제공될 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 제2 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 표면광방출레이저 소자(200)와 제2 전극(182)은 와이어(191)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 복수의 와이어에 의하여 제2 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다. 표면광방출레이저 소자(200)는 와이어(191)에 의하여 제2 전극(182)에 전기적으로 연결될 수 있다. The surface light emitting laser device 200 may be provided on the first electrode 181 by, for example, a die bonding method. The surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to the second electrode 182. For example, the surface light emitting laser device 200 and the second electrode 182 may be electrically connected by the wire 191. The surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to the second electrode 182 by a plurality of wires. The surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to the second electrode 182 by a wire 191.

표면광방출레이저 소자(200)와 제2 전극(182)을 연결하는 와이어의 수 및 연결 위치는 표면광방출레이저 소자(200)의 크기 또는 표면광방출레이저 소자(200)에서 필요한 전류 확산의 정도 등에 의하여 선택될 수 있다.The number and connection positions of the wires connecting the surface light emitting laser device 200 and the second electrode 182 are the size of the surface light emitting laser device 200 or the degree of current diffusion required in the surface light emitting laser device 200. Or the like.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)를 제공할 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide a first bonding part 183 and a second bonding part 184.

제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 기판(110) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184) 각각은 회로기판(160)의 신호라인(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다. 기판(110)은 제1 기판으로 지칭되고, 회로기판(160)은 제2 기판으로 지칭될 수 있다. The first bonding part 183 and the second bonding part 184 may be disposed under the substrate 110. For example, each of the first bonding unit 183 and the second bonding unit 184 may be electrically connected to a signal line (not shown) of the circuit board 160. The substrate 110 may be referred to as a first substrate, and the circuit board 160 may be referred to as a second substrate.

제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 기판(110) 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)는 원 형상의 패드를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first bonding part 183 and the second bonding part 184 may be spaced apart from each other under the substrate 110. The first bonding part 183 and the second bonding part 184 may have a circular pad but are not limited thereto.

제1 본딩부(183)는 기판(110)의 하부 면에 배치될 수 있다. 제1 본딩부(183)는 제1 전극(181)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 본딩부(183)는 제1 연결배선(185)을 통하여 제1 전극(181)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결배선(185)은 예로서, 기판(110)에 제공된 제1 비아홀에 배치될 수 있다.The first bonding part 183 may be disposed on the bottom surface of the substrate 110. The first bonding part 183 may be electrically connected to the first electrode 181. The first bonding unit 183 may be electrically connected to the first electrode 181 through the first connection line 185. For example, the first connection line 185 may be disposed in the first via hole provided in the substrate 110.

제2 본딩부(184)는 기판(110)의 하부 면에 배치될 수 있다. 제2 본딩부(184)는 제2 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 본딩부(184)는 제2 연결배선(186)을 통하여 제2 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 연결배선(186)은 예로서, 기판(110)에 제공된 제2 비아홀에 배치될 수 있다.The second bonding part 184 may be disposed on the bottom surface of the substrate 110. The second bonding part 184 may be electrically connected to the second electrode 182. The second bonding unit 184 may be electrically connected to the second electrode 182 through the second connection line 186. For example, the second connection line 186 may be disposed in the second via hole provided in the substrate 110.

예컨대, 제1 연결배선(185)와 제2 연결배선(186)은 텅스텐(W)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 텅스텐(W)이 1000℃ 이상의 고온에서 녹여진 후 제1 및 제2 비아홀에 주입된 후 경화되어, 제1 연결배선(185)와 제2 연결배선(186)이 형성될 수 있다. For example, the first connection wire 185 and the second connection wire 186 may include tungsten (W), but are not limited thereto. Tungsten (W) may be melted at a high temperature of 1000 ° C. or higher, injected into the first and second via holes, and cured to form a first connection line 185 and a second connection line 186.

실시예에 의하면, 회로기판(160)을 통하여 표면광방출레이저 소자(200)에 구동 전원이 제공될 수 있게 된다. According to the embodiment, the driving power may be provided to the surface light emitting laser device 200 through the circuit board 160.

이상에서 설명된 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 표면광방출레이저 소자(200)가 제1 전극(181)에 다이 본딩 방식으로 연결되고 제2 전극(182)에 와이어 본딩 방식으로 연결되는 경우를 기준으로 설명되었다. In the surface light emitting laser package 100 according to the embodiment described above, the surface light emitting laser device 200 is connected to the first electrode 181 by a die bonding method and the wire bonding method to the second electrode 182. The description is based on the case of connection.

그러나, 표면광방출레이저 소자(200)에 구동 전원이 공급되는 방식은 다양하게 변형되어 적용될 수 있다. 예로서, 표면광방출레이저 소자(200)가 플립칩 본딩 방식에 의하여 제1 전극(181)과 제2 전극(182)에 전기적으로 연결될 수도 있다. 또한, 표면광방출레이저 소자(200)가 제1 전극(181)과 제2 전극(182)에 모두 와이어 본딩 방식에 의하여 전기적으로 연결될 수도 있다.However, the way in which the driving power is supplied to the surface light emitting laser device 200 may be variously modified and applied. For example, the surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to the first electrode 181 and the second electrode 182 by a flip chip bonding method. In addition, the surface light emitting laser device 200 may be electrically connected to both the first electrode 181 and the second electrode 182 by a wire bonding method.

한편, 하우징(130)의 상부 영역에 단차가 제공될 수 있다. 예컨대, 하우징(130)의 상부 영역에 리세스 영역(142)이 제공될 수 있다. 예로서, 리세스 영역(142)의 폭 및/또는 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다.Meanwhile, a step may be provided in the upper region of the housing 130. For example, a recess region 142 may be provided in an upper region of the housing 130. By way of example, the width and / or depth of the recessed area 142 may be provided in hundreds of micrometers.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 확산부(140)를 제공할 수 있다. The surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide the diffuser 140.

확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200) 위에 배치될 수 있다. 확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 확산부(140)은 하우징(130)의 리세스 영역(142)에 배치될 수 있다. 하우징(130)의 리세스 영역(142)에 의하여 확산부(140)가 지지될 수 있다.The diffusion unit 140 may be disposed on the surface light emitting laser device 200. The diffusion unit 140 may be spaced apart from the surface light emitting laser device 200. The diffusion unit 140 may be disposed in the recess region 142 of the housing 130. The diffusion part 140 may be supported by the recess region 142 of the housing 130.

확산부(140)와 하우징(130)의 리세스 영역(142) 사이에 접착층(미도시)이 제공될 수 있다. 예로서, 접착층은 리세스 영역(142)의 내면에 접하는 확산부(140)의 하부 면과 측면에 제공될 수 있다. 예로서, 접착층은 유기물을 포함할 수 있다. 접착층은 에폭시 계열의 레진을 포함할 수 있다. 또한, 접착층은 실리콘계 레진을 포함할 수 있다.An adhesive layer (not shown) may be provided between the diffusion portion 140 and the recess region 142 of the housing 130. For example, the adhesive layer may be provided on the bottom surface and the side surface of the diffusion portion 140 in contact with the inner surface of the recess region 142. For example, the adhesive layer may include an organic material. The adhesive layer may include an epoxy-based resin. In addition, the adhesive layer may include a silicone-based resin.

확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)로부터 발광된 레이저빔 화각을 확장시킬 수 있다. The diffusion unit 140 may extend the angle of view of the laser beam emitted from the surface light emitting laser device 200.

확산부(140)는 무반사(anti-reflective) 기능을 포함할 수 있다. 예로서, 확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)와 대향되는 일면에 배치된 무반사층을 포함할 수 있다. 무반사층은 확산부(140)와 별개로 형성될 수 있다. 확산부(140)는 표면광방출레이저 소자(200)와 마주보는 하면에 배치된 무반사층을 포함할 수 있다. 무반사층은 표면광방출레이저 소자(200)로부터 입사되는 레이저빔이 확산부(140)의 표면에서 반사되는 것을 방지하고 확산부(140) 내로 투과시킴으로써 반사에 의한 광 손실을 개선할 수 있다.The diffusion unit 140 may include an anti-reflective function. For example, the diffuser 140 may include an antireflection layer disposed on one surface of the diffuser 140 facing the surface light emitting laser device 200. The antireflective layer may be formed separately from the diffusion part 140. The diffusion unit 140 may include an antireflection layer disposed on a bottom surface of the diffuser 140 facing the surface light emitting laser device 200. The anti-reflective layer may prevent the laser beam incident from the surface light emitting laser device 200 from being reflected from the surface of the diffuser 140 and transmit the light into the diffuser 140 to improve light loss due to reflection.

무반사층은 예로서 무반사 코팅 필름으로 형성되어 확산부(140)의 표면에 부착될 수 있다. 무반사층은 확산부(140)의 표면에 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등을 통하여 형성될 수도 있다. 예로서, 무반사층은 TiO2, SiO2, Al2O3, Ta2O3, ZrO2, MgF2를 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The antireflective layer may be formed of, for example, an antireflective coating film and attached to the surface of the diffusion part 140. The antireflective layer may be formed on the surface of the diffusion part 140 by spin coating or spray coating. As an example, the antireflective layer may be formed of a single layer or multiple layers including at least one of a group comprising TiO 2, SiO 2, Al 2 O 3, Ta 2 O 3, ZrO 2, MgF 2.

확산부(140)의 형상은 나중에 상세히 설명하기로 한다.The shape of the diffusion unit 140 will be described later in detail.

실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 적어도 하나 이상의 신호라인을 포함하는 회로기판(160)을 제공할 수 있다. 예컨대, 회로기판(180)은 제1 및 제2 신호라인을 포함하고, 제1 신호라인과 제2 신호라인에 제1 본딩부(183)와 제2 본딩부(184)가 전기적으로 연결될 수 있다.The surface light emitting laser package 100 according to the embodiment may provide a circuit board 160 including at least one signal line. For example, the circuit board 180 may include first and second signal lines, and the first bonding unit 183 and the second bonding unit 184 may be electrically connected to the first signal line and the second signal line. .

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 기판(110)과 하우징(130)은 웨이퍼 레벨 패키지 공정에 의하여 제조될 수 있다. 실시예에 의하면, 확산부(140)도 웨이퍼 레벨 패키지 공정에 의하여 하우징(130) 위에 부착될 수 있다.As described above, the substrate 110 and the housing 130 may be manufactured by a wafer level package process. In some embodiments, the diffusion 140 may also be attached onto the housing 130 by a wafer level package process.

즉, 웨이퍼 레벨에서 기판(110) 위에 표면광방출레이저 소자(200)와 하우징(130)이 부착되고, 하우징(130) 위에 확산부(140)가 부착된 후에, 다이싱 등에 의한 절단 방법에 의하여 기판(110)에 표면광방출레이저 소자(200), 하우징(130), 확산부(140)가 결합된 복수의 표면광방출레이저 패키지가 제공될 수 있다. That is, after the surface light emitting laser device 200 and the housing 130 are attached to the substrate 110 at the wafer level, and the diffusion unit 140 is attached to the housing 130, a cutting method by dicing or the like is performed. A plurality of surface light emitting laser packages in which the surface light emitting laser device 200, the housing 130, and the diffusion unit 140 are coupled to the substrate 110 may be provided.

이와 같이, 기판(110), 하우징(130), 확산부(140)를 포함하는 표면광방출레이저 패키지(100)가 웨이퍼 레벨 패키지 공정에 의하여 제조되는 경우, 기판(110)의 외측면, 하우징(130)의 외측면, 확산부(140)의 외측면이 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 즉, 기판(110)의 외측면, 하우징(130)의 외측면, 확산부(140)의 외측면 사이에 단차가 존재하지 않게 된다. As such, when the surface light emitting laser package 100 including the substrate 110, the housing 130, and the diffusion 140 is manufactured by a wafer level package process, the outer surface of the substrate 110 and the housing ( The outer surface of the 130 and the outer surface of the diffusion unit 140 may be disposed on the same plane. That is, there is no step between the outer surface of the substrate 110, the outer surface of the housing 130, and the outer surface of the diffusion part 140.

실시예에 의하면, 기판(110)의 외측면, 하우징(130)의 외측면, 확산부(140)의 외측면 사이에 단차가 없으므로, 종래 표면광방출레이저 패키지에서 단차 구조에 의한 투습 및 외부 마찰 등에 의하여 손상이 발생되는 불량을 근본적으로 방지할 수 있게 된다.According to the embodiment, there is no step between the outer surface of the substrate 110, the outer surface of the housing 130, the outer surface of the diffusion portion 140, the moisture permeability and external friction due to the step structure in the conventional surface light emitting laser package. It is possible to fundamentally prevent a defect caused by damage.

실시예에 의하면, 기판(110)과 하우징(130)이 웨이퍼 레벨 패키지 공정으로 제조되고, 확산부(140)는 별도의 분리된 공정에서 하우징(130) 위에 부착될 수도 있다.According to an embodiment, the substrate 110 and the housing 130 may be manufactured by a wafer level package process, and the diffusion unit 140 may be attached onto the housing 130 in a separate process.

실시예에 의하면, 확산부(140)와 하우징(130)의 리세스 영역(142) 사이에 제공된 접착층에 의하여 확산부(140)가 하우징(130)에 안정적으로 고정될 수 있다. According to an embodiment, the diffusion part 140 may be stably fixed to the housing 130 by an adhesive layer provided between the diffusion part 140 and the recess region 142 of the housing 130.

이하에서, 표면광방출레이저 소자(200)을 상세히 설명한다. 도 2는 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자의 평면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.Hereinafter, the surface light emitting laser device 200 will be described in detail. 2 is a plan view of a surface light emitting laser device according to an embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the surface light emitting laser device according to the embodiment shown in FIG. 2.

도 2를 참조하면, 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자(200)는 발광영역(245)와 비발광영역(247)을 포함할 수 있다. 비발광영역(247)은 레이저빔이 방출되지 않는 영역으로서, 예컨대 패드전극(290)이 배치될 수 있다. 발광영역(245)는 레이저빔이 방출되는 영역으로서, 예컨대 발광구조물(E)이 배치될 수 있다.2, the surface light emitting laser device 200 according to the embodiment may include a light emitting area 245 and a non-light emitting area 247. The non-light emitting area 247 is a region where the laser beam is not emitted, and for example, the pad electrode 290 may be disposed. The light emitting region 245 is a region where the laser beam is emitted, and for example, the light emitting structure E may be disposed.

발광구조물(E)은 복수의 에미터(E1, E2, E3, E4)를 포함할 수 있다. 각 에미터(E1, E2, E3, E4)는 서로 간에 이격되어 배치될 수 있다. 발광구조물(E)은 제2 전극(280)을 포함할 수 있다. 발광영역(245)은 제1 영역과 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 복수로 정의되고, 이들 제1 영역 사이의 영역이 제2 영역으로 정의될 수 있다. 이러한 경우, 각 에미터(E1, E2, E3, E4)는 제1 영역에 배치되고, 제2 전극(280)은 제2 영역에 배치될 수 있다. 각 에미터(E1, E2, E3, E4)는 제2 전극(280)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 전극(280)은 패드전극(290)와 일체로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 제2 전극(280)은 패드전극(290)로부터 발광영역(245)으로 연장되어 발광영역(245)에 배치될 수 있다. 나중에 설명하겠지만, 제2 전극(280)은 복수의 에미터(E1, E2, E3, E4)를 패드전극(290)에 전기적으로 연결시킬 수 있다. The light emitting structure E may include a plurality of emitters E1, E2, E3, and E4. Each emitter E1, E2, E3, E4 may be spaced apart from each other. The light emitting structure E may include a second electrode 280. The emission area 245 may include a first area and a second area. The first area may be defined in plural, and an area between the first areas may be defined as a second area. In this case, each of the emitters E1, E2, E3, and E4 may be disposed in the first region, and the second electrode 280 may be disposed in the second region. Each emitter E1, E2, E3, E4 may be surrounded by a second electrode 280. The second electrode 280 may be formed integrally with the pad electrode 290, but is not limited thereto. The second electrode 280 may extend from the pad electrode 290 to the light emitting region 245 and be disposed in the light emitting region 245. As will be described later, the second electrode 280 may electrically connect the plurality of emitters E1, E2, E3, and E4 to the pad electrode 290.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자(200)는 제1 전극(215), 기판(210), 제1 반사층(220), 캐비티영역(230), 어퍼처(241), 절연영역(242), 제2 반사층(250), 제2 전극(280), 패시베이션층(270), 패드전극(290) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the surface light emitting laser device 200 according to the embodiment may include a first electrode 215, a substrate 210, a first reflective layer 220, a cavity region 230, an aperture 241, One or more of the insulating region 242, the second reflective layer 250, the second electrode 280, the passivation layer 270, and the pad electrode 290 may be included.

캐비티영역(230)은 활성층(미도시)과 캐비티(미도시)를 포함할 수 있으며, 이하에서 상술하기로 한다. 절연영역(242)는 제1 에미터(E1)에 배치되는 제1 절연영역(242a)와, 제2 에미터(E2)에 배치되는 제2 절연영역(242b) 및 제3 에미터(E3)에 배치되는 제3 절연영역(242c)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The cavity region 230 may include an active layer (not shown) and a cavity (not shown), which will be described below. The insulating region 242 includes a first insulating region 242a disposed in the first emitter E1, a second insulating region 242b and a third emitter E3 disposed in the second emitter E2. It may include a third insulating region 242c disposed in, but is not limited thereto.

<기판, 제1 전극><Substrate, first electrode>

실시예에서 기판(210)은 전도성 기판 또는 비전도성 기판일 수 있다. 전도성 기판을 사용할 경우 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 표면광방출레이저 소자(200) 작동 시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 GaAs 기판, 또는 금속기판을 사용하거나 실리콘(Si) 기판 등을 사용할 수 있다.In an embodiment the substrate 210 may be a conductive substrate or a non-conductive substrate. In the case of using a conductive substrate, a metal having excellent electrical conductivity may be used, and since the heat generated when operating the surface light emitting laser device 200 should be sufficiently dissipated, a GaAs substrate having a high thermal conductivity, a metal substrate, or silicon ( Si) substrate etc. can be used.

비전도성 기판을 사용할 경우, AlN 기판이나 사파이어(Al2O3) 기판 또는 세라믹 계열의 기판을 사용할 수 있다.In the case of using a non-conductive substrate, an AlN substrate, a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate, or a ceramic substrate may be used.

실시예에서 기판(210)의 하부에 제1 전극(215)이 배치될 수 있으며, 제1 전극(215)은 도전성 재료로 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(215)은 금속일 수 있고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성되어 전기적 특성을 향상시켜 광출력을 높일 수 있다.In an embodiment, the first electrode 215 may be disposed below the substrate 210, and the first electrode 215 may be disposed in a single layer or multiple layers with a conductive material. For example, the first electrode 215 may be a metal and include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). As a single layer or a multi-layer structure can be formed to improve the electrical characteristics to increase the light output.

<제1 반사층><1st reflective layer>

기판(210) 상에는 제1 반사층(220)이 배치될 수 있다.The first reflective layer 220 may be disposed on the substrate 210.

제1 반사층(220)은 제1 도전형 도펀트로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다.The first reflective layer 220 may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first conductivity type dopant may include an n type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.

또한 제1 반사층(220)은 갈륨계 화합물, 예를 들면 AlGaAs를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 반사층(220)은 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 예를 들어, 제1 반사층(220)은 서로 다른 굴절 률을 가지는 물질로 이루어진 제1 층 및 제2 층이 교대로 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.In addition, the first reflective layer 220 may include a gallium-based compound, for example, AlGaAs, but is not limited thereto. The first reflective layer 220 may be a distributed bragg reflector (DBR). For example, the first reflective layer 220 may have a structure in which a first layer and a second layer made of materials having different refractive indices are alternately stacked at least once.

제1 층과 제2 층은 AlGaAs를 포함할 수 있고, 상세하게는 AlxGa(1-x)As(0<x<1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 제1 층 또 는 제2 층 내의 Al이 증가하면 각 층의 굴절률은 감소하고, Ga가 증가하면 각 층의 굴절률은 증가할 수 있다.The first layer and the second layer may include AlGaAs, and in detail, may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of Al x Ga (1-x) As (0 <x <1). Here, when Al in the first layer or the second layer increases, the refractive index of each layer may decrease, and when Ga increases, the refractive index of each layer may increase.

그리고, 제1 층 및 제2 층 각각의 두께는 λ/4n이고, λ는 캐비티영역(230)에서 발생하는 광의 파장일 수 있고, n은 상술한 파장의 광에 대한 각 층의 굴절률일 수 있다. 여기서, λ는 650 내지 980nm일 수 있고, n은 각층의 굴절률일 수 있다. 이러한 구조의 제1 반사층(220)은 약 940 nm의 파장 영역의 광에 대하여 99.999%의 반사율을 가질 수 있다.In addition, the thickness of each of the first and second layers may be λ / 4n, λ may be a wavelength of light generated in the cavity region 230, and n may be a refractive index of each layer with respect to light having the aforementioned wavelength. . Here, λ may be 650 to 980 nm, n may be the refractive index of each layer. The first reflective layer 220 having such a structure may have a reflectance of 99.999% for light in a wavelength region of about 940 nm.

제1 층과 제2 층의 두께는 각각의 굴절률과 캐비티영역(230)에서 방출되는 광의 파장 λ에 따라 결정될 수 있다.The thickness of the first layer and the second layer may be determined according to respective refractive indices and the wavelength λ of the light emitted from the cavity region 230.

<캐비티영역, 절연영역, 어퍼처><Cavity area, insulation area, aperture>

실시예에서 제1 반사층(220) 상에 캐비티영역(230), 절연영역(242) 및 어퍼처(241)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 캐비티영역(230)은 제1 반사층(220) 상에 배치되고, 절연영역(242) 및 어퍼처(241)은 캐비티영역(230) 상에 배치될 수 있다. In an embodiment, the cavity region 230, the insulating region 242, and the aperture 241 may be disposed on the first reflective layer 220. In detail, the cavity region 230 may be disposed on the first reflective layer 220, and the insulating region 242 and the aperture 241 may be disposed on the cavity region 230.

캐비티영역(230)은 활성층(미도시) 및 활성층의 하측에 배치되는 제1 캐비티(미도시), 상측에 배치되는 제2 캐비티(미도시)를 포함할 수 있다. 실시예의 캐비티영역(230)은 제1 캐비티와 제2 캐비티를 모두 포함하거나, 둘 중의 하나만 포함할 수도 있다.The cavity region 230 may include an active layer (not shown), a first cavity (not shown) disposed under the active layer, and a second cavity (not shown) disposed above. The cavity area 230 of the embodiment may include both the first cavity and the second cavity, or may include only one of them.

캐비티영역(230)은 제1 반사층(220)과 제2 반사층(250)의 사이에 배치될 수 있다. 실시예의 캐비티영역(230)에는 활성층이 배치될 수 있으며, 활성층은 단일우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The cavity region 230 may be disposed between the first reflective layer 220 and the second reflective layer 250. An active layer may be disposed in the cavity region 230 of the embodiment, and the active layer may be a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well structure, a quantum dot structure, or the like. It may include any one of the quantum wire structure.

활성층은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면, AlGaInP/GaInP, AlGaAs/AlGaAs, AlGaAs/GaAs,GaAs/InGaAs 등의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer may be formed of a pair structure of a well layer and a barrier layer, for example, AlGaInP / GaInP, AlGaAs / AlGaAs, AlGaAs / GaAs, GaAs / InGaAs, using a compound semiconductor material of group III-V elements. It doesn't work. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제1 캐비티와 제2 캐비티는 AlyGa(1-y)As(0<y<1) 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The first cavity and the second cavity may be formed of Al y Ga (1-y) As (0 <y <1) material, but are not limited thereto.

실시예에서 캐비티영역(230) 상에는 절연영역(242)과 어퍼처(241)가 배치될 수 있다. In an embodiment, the insulating region 242 and the aperture 241 may be disposed on the cavity region 230.

예를 들어, 제1 에미터(E1)는 제1 절연영역(242a)과 제1 어퍼처(241a)를 포함하고, 제2에미터(E2)는 제2 절연영역(242b)과 제2 어퍼처(241b)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 에미터(E3)는 제3 절연영역(242c)과 제3 어퍼처(241c)를 포함하고, 제4 에미터(E4)는 제4 절연영역(미도시)과 제4 어퍼처(미도시)를 포함할 수 있다.For example, the first emitter E1 includes a first insulating region 242a and a first aperture 241a, and the second emitter E2 includes a second insulating region 242b and a second upper. It may include a location 241b. In addition, the third emitter E3 includes a third insulating region 242c and a third aperture 241c, and the fourth emitter E4 includes a fourth insulating region (not shown) and a fourth aperture. (Not shown).

절연영역(242)은 절연 물질, 예를 들어 알루미늄 산화물로 이루어진 절연층으로서, 전류 차단층으로 작용할 수 있다. 각 절연영역의 중앙 영역에 위치하는 각 어퍼처(241a, 241b, 241c)는 비절연층, 즉 도전층일 수 있다.The insulating region 242 is an insulating layer made of an insulating material, for example, aluminum oxide, and may serve as a current blocking layer. Each of the apertures 241a, 241b, and 241c positioned in the central region of each insulating region may be a non-insulating layer, that is, a conductive layer.

절연영역(242)는 어퍼처(241)를 둘러쌀 수 있다. 어퍼처(241)의 사이즈는 절연영역(242)에 의해 조절될 수 있다. 예컨대, 캐피티영역(230) 상에 점유되는 절연영역(242)의 면적이 커질수록, 어퍼처(241)의 면적은 작아질 수 있다. The insulating region 242 may surround the aperture 241. The size of the aperture 241 may be adjusted by the insulating region 242. For example, as the area of the insulating region 242 occupied on the cavity region 230 becomes larger, the area of the aperture 241 may be smaller.

예를 들어, 제1 어퍼처(241a)는 제1 절연영역(242a)에 의해 정의될 수 있으며, 예를 들어, 제2 어퍼처(241b)는 제2 절연영역(242b)에 의해 정의될 수 있다. 또한, 제3 어퍼처(241c)는 제3 절연영역(242c)에 의해 정의될 수 있고, 제4 어퍼처는 제4 절연영역에 의해 정의될 수 있다. 구체적으로, 각 절연영역(242)는 알루미늄 갈륨 아세나이드(aluminum gallium arsenide)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연영역(242)은 AlGaAs가 H2O와 반응하여 가장자리가 알루미늄산화물(Al2O3)로 변함에 따라 절연영역(242)이 형성될 수 있고, H2O와 반응하지 않은 중앙영역은 AlGaAs로 이루어진 각 어퍼처가 형성될 수 있다. For example, the first aperture 241a may be defined by the first insulating region 242a, and for example, the second aperture 241b may be defined by the second insulating region 242b. have. In addition, the third aperture 241c may be defined by the third insulating region 242c, and the fourth aperture may be defined by the fourth insulating region. In detail, each insulating region 242 may include aluminum gallium arsenide. For example, the insulating region 242 may form an insulating region 242 as AlGaAs reacts with H 2 O and the edge is changed to aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and does not react with H 2 O. In the central region, each aperture made of AlGaAs may be formed.

실시예에 의하면, 각 어퍼처(241a, 241b, 241c)를 통해 캐비티영역(230)에서 발광된 레이저빔이 상부 영역을 향해 방출될 수 있으며, 절연영역(242a, 242b, 242c)과 비교하여 어퍼처(241a, 241b, 241c)의 광투과율이 우수할 수 있다.According to the embodiment, the laser beam emitted from the cavity region 230 through the apertures 241a, 241b, and 241c may be emitted toward the upper region, and the upper portion is compared with the insulating regions 242a, 242b, and 242c. The light transmittance of the features 241a, 241b, and 241c may be excellent.

<제2 반사층><Second reflective layer>

제2 반사층(250)은 캐비티영역(230) 상에 배치될 수 있다.The second reflective layer 250 may be disposed on the cavity region 230.

제2 반사층(250)은 갈륨계 화합물 예를 들면 AlGaAs를 포함할 수 있으며, 제2 반사층(250)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 한편, 제1 반사층(220)이 p형 도펀트로 도핑될 수도 있고, 제2 반사층(250)이 n형 도펀트로 도핑될 수도 있다.The second reflective layer 250 may include a gallium-based compound, for example, AlGaAs, and the second reflective layer 250 may be doped with a second conductive dopant. For example, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. Meanwhile, the first reflective layer 220 may be doped with a p-type dopant, and the second reflective layer 250 may be doped with an n-type dopant.

제2 반사층(250)은 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 예를 들어, 제2 반사층(250)은 서로 다른 굴절률을 가지는 물질로 이루어진 제1 층(미도시) 및 제2 층(미도시)이 교대로 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.The second reflective layer 250 may be a distributed Bragg reflector (DBR). For example, the second reflective layer 250 may have a structure in which a first layer (not shown) and a second layer (not shown) made of materials having different refractive indices are alternately stacked at least once.

제1 층과 제2 층은 AlGaAs를 포함할 수 있고, 상세하게는 AlxGa(1-x)As(0<x<1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, Al이 증가하면 각 층의 굴절률은 감소하고, Ga가 증가하면 각 층의 굴절률은 증가할 수 있다. 그리고, 제1 층 및 제2 층 각각의 두께는 λ/4n이고, λ는 활성층에서 방출되는 광의 파장일 수 있고, n은 상술한 파장의 광에 대한 각 층의 굴절률일 수 있다.The first layer and the second layer may include AlGaAs, and in detail, may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of Al x Ga (1-x) As (0 <x <1). Herein, when Al increases, the refractive index of each layer may decrease, and when Ga increases, the refractive index of each layer may increase. In addition, the thickness of each of the first and second layers may be λ / 4n, λ may be a wavelength of light emitted from the active layer, and n may be a refractive index of each layer with respect to light having the aforementioned wavelength.

이러한 구조의 제2 반사층(250)은 940 nm의 파장 영역의 광에 대하여 99.9%의 반사율을 가질 수 있다.The second reflective layer 250 having such a structure may have a reflectance of 99.9% with respect to light in a wavelength region of 940 nm.

제2 반사층(250)은 제3 층/제4층이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 제1 반사층(220) 내에서 제1 층과 제2층의 페어(pair) 수는 제2 반사층(250) 내에서 제3 층과 제4 층의 페어 수보다 더 많을 수 있으며, 이때 상술한 바와 같이 제1 반사층(220)의 반사율은 99.999% 정도로 제2 반사층(250)의 반사율인 99.9%보다 클 수 있다. 예를 들면, 제1 반사층(220) 내에서 제1 층과 제2 층의 페어 수는 20 내지 50회일 수 있고, 제2 반사층(250) 내에서 제3 층과 제4 층의 페어 수는 10 내지 30회일 수 있다.The second reflective layer 250 may be formed by alternately stacking the third and fourth layers, and the number of pairs of the first layer and the second layer in the first reflective layer 220 is the second reflective layer 250. ) May be greater than the number of pairs of the third layer and the fourth layer, and as described above, the reflectance of the first reflecting layer 220 may be greater than 99.9% of reflectance of the second reflecting layer 250 by 99.999%. have. For example, the number of pairs of the first layer and the second layer in the first reflective layer 220 may be 20 to 50 times, and the number of pairs of the third layer and the fourth layer in the second reflective layer 250 may be 10 times. To 30 times.

<패시베이션층, 제2 전극>Passivation layer, second electrode

에미터(E1, E2, E3, E4)의 측면과 상부면 그리고 각 에미터(E1, E2, E3, E4) 사이에 노출된 제1 반사층(220)의 상부면에 패시베이션층(270)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(270)은 세그먼트(segment) 단위로 분리된 각 에미터(E1, E2, E3, E4)의 측면에 배치되어, 각 에미터(E1, E2, E3, E4)를 보호하고 절연시킬 수 있다. 패시베이션층(270)은 절연성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 질화물 또는 산화물로 이루어질 수 있다.The passivation layer 270 is disposed on the side and top surfaces of the emitters E1, E2, E3, and E4 and the top surface of the first reflective layer 220 exposed between the emitters E1, E2, E3, and E4. Can be. The passivation layer 270 is disposed on the side of each of the emitters E1, E2, E3, and E4 separated in units of segments to protect and insulate the emitters E1, E2, E3, and E4. have. The passivation layer 270 may be made of an insulating material, for example, nitride or oxide.

제2 전극(280)이 제2 반사층(250)과 전기적으로 연결되도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 전극(280)은 패드전극(290)로부터 연장되어 각 에미터(E1, E2, E3, E4)를 둘러싸는 패시베이션층(270)을 경유하여 제2 반사층(250)의 일부에 접촉될 수 있다. 제2 전극(280)은 패시베이션층(270) 위에 배치될 수 있다. The second electrode 280 may be disposed to be electrically connected to the second reflective layer 250. That is, the second electrode 280 extends from the pad electrode 290 and contacts a portion of the second reflective layer 250 via the passivation layer 270 surrounding each of the emitters E1, E2, E3, and E4. Can be. The second electrode 280 may be disposed on the passivation layer 270.

제2 전극(280)은 도전성 재료로 이루어질 수 있고, 예를 들면 금속일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(280)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The second electrode 280 may be made of a conductive material, for example, may be a metal. For example, the second electrode 280 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). It can be formed as.

실시예는 확산부(140)의 형상을 변형시켜 광 출력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 실시예는 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)이 직사각 형상을 가지는 경우, 이러한 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)에 최적화되도록 확산부(140)의 형상을 변형시켜, 그 변형된 확산부(140)를 표면광방출레이저 소자(200) 상에 배치시킴으로써, 광 출력을 향상시킬 수 있다.In an embodiment, the light output may be improved by modifying the shape of the diffusion unit 140. Specifically, when the light emitting region 245 of the surface light emitting laser device 200 has a rectangular shape, the diffusion part 140 is optimized to be optimized for the light emitting region 245 of the surface light emitting laser device 200. The light output can be improved by modifying the shape of the light emitting device, and disposing the modified diffusion part 140 on the surface light emitting laser device 200.

도 2에 도시한 바와 같이, 표면광방출레이저 소자(200)는 레이저빔이 방출되는 발광영역(245)과 레이저빔이 방출되지 않으며 발광영역(245)에 접하는 비발광영역(247)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 2, the surface light emitting laser device 200 may include a light emitting region 245 in which a laser beam is emitted, and a non-light emitting region 247 in contact with the light emitting region 245 in which the laser beam is not emitted. Can be.

비발광영역(247)은 외부와의 전기적인 연결을 위한 본딩패드로서의 패드전극(290)가 배치되는 영역으로서, 이 비발광영역(247)에서는 어떠한 레이저빔도 생성되지 않는다. 발광영역(245)은 발광구조물(E)을 포함하고, 발광구조물(E)은 복수의 에미터(E1, E2, E3, E4)를 포함할 수 있다. 복수의 에미터(E1, E2, E3, E4) 각각에서 레이저빔이 생성되고, 그 생성된 레이저빔이 예컨대, 상부 방향을 향해 방출될 수 있다. 따라서, 발광영역(245)은 복수의 에미터(E1, E2, E3, E4)에서 생성된 레이저빔이 방출되는 영역일 수 있다.The non-light emitting area 247 is an area where the pad electrode 290 as a bonding pad for electrical connection with the outside is disposed, and no laser beam is generated in the non-light emitting area 247. The light emitting region 245 may include a light emitting structure E, and the light emitting structure E may include a plurality of emitters E1, E2, E3, and E4. A laser beam is generated in each of the plurality of emitters E1, E2, E3, E4, and the generated laser beam can be emitted, for example, toward the upper direction. Accordingly, the emission area 245 may be an area where the laser beams generated by the emitters E1, E2, E3, and E4 are emitted.

발광영역(245)와 비발광영역(247)을 포함하는 표면광방출레이저 소자(200)는 정사각 형상을 갖는데 반해, 표면광발출레이저 소자(200)의 발광영역(245)는 직사각 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 발광영역(245)은 x축 방향(이하, 제1 방향이라 함)으로의 제1 너비(W1)와 y축 방향(이하, 제2 방향이라 함)으로의 제2 너비(W2)를 가질 수 있다. 제2 너비(W2)는 제1 너비(W1)보다 클 수 있다. 따라서, 발광영역(245)은 제1 방향보다는 제2 방향으로 더 긴 직사각 형상을 가질 수 있다. While the surface light emitting laser device 200 including the light emitting area 245 and the non-light emitting area 247 has a square shape, the light emitting area 245 of the surface light emitting laser device 200 may have a rectangular shape. However, this is not limitative. The emission region 245 may have a first width W1 in the x-axis direction (hereinafter referred to as a first direction) and a second width W2 in the y-axis direction (hereinafter referred to as a second direction). have. The second width W2 may be larger than the first width W1. Therefore, the emission region 245 may have a rectangular shape longer in the second direction than in the first direction.

이와 같은 형상을 갖는 표면광방출레이저 소자(200)에 최적화되어 광 출력을 향상시킬 수 있도록 확산부(140)의 형상이 변형됨으로써, 확산부(140)으로부터 출사되는 광 출력이 향상될 수 있다. The shape of the diffuser 140 may be modified to be optimized for the surface light emitting laser device 200 having such a shape to improve the light output, thereby improving the light output emitted from the diffuser 140.

도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 표면광방출레이저 소자(200) 위에 확산부(140)가 배치될 수 있다. As shown in FIGS. 2 and 4, the diffusion unit 140 may be disposed on the surface light emitting laser device 200.

확산부(140)는 바디(141)와 패턴어레이(144)를 포함할 수 있다. 패턴어레이(144)는 바디(141)의 하부에 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The diffusion unit 140 may include a body 141 and a pattern array 144. The pattern array 144 may be disposed under the body 141, but is not limited thereto.

바디(141)는 우수한 내구성과 강도를 갖는 재질, 예컨대 유리로 이루어질 수 있다. 패턴어레이(144)는 가공이 용이한 재질, 예컨대 고분자 수지로 이루어질 수 있다. The body 141 may be made of a material having excellent durability and strength, such as glass. The pattern array 144 may be made of a material that is easy to process, such as a polymer resin.

다른 예로서, 패턴어레이(144)와 바디(141)가 동일한 재질, 유리 또는 고분자 수지로 이루어질 수도 있다. 예컨대, 고분자 수지의 베이스기판의 표면이 표면 처리되어 베이스기판의 표면 상에 패턴어레이(144)가 형성될 수 있다. As another example, the pattern array 144 and the body 141 may be made of the same material, glass, or polymer resin. For example, the surface of the base substrate of the polymer resin may be surface treated to form a pattern array 144 on the surface of the base substrate.

패턴어레이(144)는 표면광방출레이저 소자(200)와 마주하도록 확산부(140)의 바디(141)의 하면 상에 배치될 수 있다.The pattern array 144 may be disposed on the bottom surface of the body 141 of the diffusion part 140 to face the surface light emitting laser device 200.

패턴어레이(144)는 복수의 패턴(145)을 포함할 수 있다. 예로서, 패턴(145)은 마이크로 렌즈, 요철 패턴 등을 포함할 수 있다. 패턴(145)의 크기는 균일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The pattern array 144 may include a plurality of patterns 145. For example, the pattern 145 may include a micro lens, an uneven pattern, or the like. The size of the pattern 145 may be uniform, but is not limited thereto.

복수의 패턴(145)은 제1 방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 복수의 패턴(145)은 제2 방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다.The plurality of patterns 145 may be arranged in a line along the first direction. The plurality of patterns 145 may be arranged in a line along the second direction.

패턴(145)은 제1 방향으로의 너비(또는 길이)와 제2 방향으로의 너비가 상이할 수 있다. 각 패턴(145)은 제1 방향을 따라 짧은 단축을 가지고 제2 방향을 따라 긴 장축을 가질 수 있다. 따라서, 패턴(145)의 장축의 길이가 패턴(145)의 단축의 길이보다 클 수 있다. The pattern 145 may have a width (or length) in a first direction and a width in a second direction. Each pattern 145 may have a short axis along the first direction and a long axis along the second direction. Therefore, the length of the long axis of the pattern 145 may be larger than the length of the short axis of the pattern 145.

각 패턴(145)의 크기는 서로 상이한 랜덤한 모양을 가질 수 있다. 예컨대, 어떤 패턴은 거의 원 형상에 가까운 타원 형상을 가질 수 있다. 어떤 패턴은 거의 막대 형상에 가까운 타원 형상을 가질 수 있다. 이와 같이 각 패턴(145)의 크기가 서로 상이하더라도, 각 패턴(145)의 장축은 제2 방향을 따라 가질 수 있다. The size of each pattern 145 may have a different random shape. For example, some patterns may have an elliptic shape that is nearly circular in shape. Some patterns may have an elliptic shape that is nearly like a rod. As described above, even if the sizes of the patterns 145 are different from each other, the long axis of each pattern 145 may be along the second direction.

각 패턴(145)의 두께(또는 높이)는 서로 상이할 수 있다. 어떤 패턴의 두께는 다른 패턴의 두께보다 클 수도 있고 작을 수도 있다. 패턴(145)는 바디(141)로부터 예컨대, 하부 방향을 따라 돌출된 돌출영역을 가질 수 있다. 이 돌출영역의 최저점이 각 패턴마다 서로 상이할 수 있다. 돌출영역의 최저점은 꼭지점을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 각 패턴의 면은 라운드 형상, 직선 형상 등을 가질 수 있다. 각 패턴은 울퉁불퉁한 형상을 가질 수 있다. 어떤 패턴끼리는 서로 접하여 배치되고 다른 패턴끼리는 서로 이격되어 배치될 수 있다.The thickness (or height) of each pattern 145 may be different from each other. The thickness of one pattern may be larger or smaller than the thickness of another pattern. The pattern 145 may have a protruding region protruding from the body 141 in a lower direction, for example. The lowest point of the protruding region may be different from each other for each pattern. The lowest point of the protruding region may have a vertex, but is not limited thereto. The surface of each pattern may have a round shape, a straight shape, or the like. Each pattern may have a bumpy shape. Some patterns may be disposed to be in contact with each other and other patterns may be disposed to be spaced apart from each other.

도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 방향으로 따라 6개의 패턴이 일렬로 배치되고, 제2 방향을 따라 13개의 패턴이 일렬로 배치되어, 총 78개의 패턴(145)이 확산부(140)의 바디(141)의 하부에 배치될 수 있다. 5 and 6, six patterns are arranged in a line in the first direction, and 13 patterns are arranged in a line in the second direction, so that a total of 78 patterns 145 are formed in the diffusion part ( It may be disposed under the body 141 of the 140.

도 7에 도시한 바와 같이, 확산부(140)는 예컨대, 제1 방향으로의 제1 너비(W1)와 제2 방향으로의 제2 너비(W2)를 가질 수 있다. 이러한 경우, 제1 너비(W1)와 제2 너비(W2)가 동일할 수 있다. 따라서, 확산부(140)는 정사각 형상을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. As shown in FIG. 7, the diffusion part 140 may have, for example, a first width W1 in a first direction and a second width W2 in a second direction. In this case, the first width W1 and the second width W2 may be the same. Therefore, the diffusion unit 140 may have a square shape, but is not limited thereto.

확산부(140)의 제1 너비(W1) 및 제2 너비(W2) 각각은 적어도 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)의 제1 너비(W1) 또는 제2 너비(W2)보다 클 수 있다. Each of the first width W1 and the second width W2 of the diffuser 140 is at least a first width W1 or a second width W2 of the light emitting region 245 of the surface light emitting laser device 200. Can be greater than

도 8은 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자와 확산부를 x축 방향을 따라 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view of the surface light emitting laser device and the diffusion unit in the x-axis direction according to the embodiment.

도 8에 도시한 바와 같이, 제1 너비(W1)를 갖는 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)에서 방출된 제1 레이저빔은 확산부(140)에 의해 제1 화각(A1)을 갖는 제2 레이저빔으로 출사될 수 있다. 확산부(140)의 패턴어레이(144)가 제1 방향으로 단축을 가지므로, 확산부(140)의 패턴어레이(144)에 의해 제1 레이저빔이 보다 크게 굴절될 수 있다. 이와 같이 굴절된 제1 레이저빔이 보다 큰 입사각으로 확산부(140)의 바디(141)의 상면으로 입사되어, 확산부(140)의 상면에서 보다 큰 출사각을 갖는 제2 레이저빔으로 출사될 수 있다. As illustrated in FIG. 8, the first laser beam emitted from the light emitting region 245 of the surface light emitting laser device 200 having the first width W1 is first diffused by the diffuser 140. Can be emitted as a second laser beam having Since the pattern array 144 of the diffusion unit 140 has a short axis in the first direction, the first laser beam may be more refracted by the pattern array 144 of the diffusion unit 140. The first laser beam refracted in this way is incident on the upper surface of the body 141 of the diffusion unit 140 at a larger incident angle, and is then emitted as a second laser beam having a larger emission angle from the upper surface of the diffusion unit 140. Can be.

예컨대, 확산부(140)의 바디(141)가 1.51 내지 1.54의 굴절률을 갖는 유리 재질로 이루어지는 경우, 확산부(140)의 바디(141)와 공기가 접하는 바디(141)의 상면에서, 임계각은 대략 41.8°일 수 있다. For example, when the body 141 of the diffusion portion 140 is made of a glass material having a refractive index of 1.51 to 1.54, the critical angle on the upper surface of the body 141 in contact with the air of the body 141 of the diffusion portion 140 is It may be about 41.8 °.

확산부(140)의 바디(141)의 상면으로 41.8°보다 큰 입사각이 입사되는 경우, 제1 레이저빔이 전반사되어 투과되지 않는다. 따라서, 제1 레이저빔이 보다 큰 입사각으로 확산부(140)의 바디(141)의 상면으로 입사되되, 그 입사각은 41.8°보다 작도록 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 패턴(145)가 설계될 수 있다. When an incident angle greater than 41.8 ° is incident on the upper surface of the body 141 of the diffusion part 140, the first laser beam is totally reflected and is not transmitted. Accordingly, the first laser beam is incident on the upper surface of the body 141 of the diffuser 140 at a larger incident angle, but the pattern 145 of the pattern array 144 of the diffuser 140 is smaller than 41.8 °. ) Can be designed.

표면광방출레이저 소자(200)에서 생성된 레이저빔은 제1 레이저빔으로 지칭되고, 확산부(140)에서 출사되는 레이저빔은 제2 레이저빔으로 지칭될 수 있다. The laser beam generated by the surface light emitting laser device 200 may be referred to as a first laser beam, and the laser beam emitted from the diffusion unit 140 may be referred to as a second laser beam.

도 10a는 확산부의 출력 광에서 x축 방향을 따른 제1 화각을 보여준다.10A shows a first angle of view along the x-axis direction in the output light of the diffusion part.

확산부(140)의 중심을 기준으로 -90°으로부터 +90°으로 이동하면서 측정된 제2 레이저빔의 세기가 도 10a와 같이 나타내어질 수 있다. 이와 같이 측정된 제2 레이저빔의 세기 중 50%에 해당하는 각도 범위가 화각으로 정의될 수 있다. The intensity of the second laser beam measured while moving from −90 ° to + 90 ° based on the center of the diffusion unit 140 may be represented as shown in FIG. 10A. An angle range corresponding to 50% of the intensity of the second laser beam measured as described above may be defined as the angle of view.

제2 레이저빔의 제1 화각(A1)은 70° 내지 85°일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 85° 이상의 제1 화각(A1)이 얻어지는 경우, 임계각에 근접한 입사각을 갖는 제1 레이저빔이 확산부(140)의 바디(141)의 상면으로 입사되어, 전반사될 가능성이 높다. 70° 이하의 제1 화각(A1)이 얻어지는 경우, 나중에 설명할 제2 화각(A2)과 동일하여 광 출력이 향상될 수 없다. The first angle of view A1 of the second laser beam may be 70 ° to 85 °, but is not limited thereto. When a first angle of view A1 of 85 ° or more is obtained, a first laser beam having an angle of incidence close to the critical angle is incident on the upper surface of the body 141 of the diffusion part 140 and is highly likely to be totally reflected. When the first angle of view A1 of 70 degrees or less is obtained, it is the same as the second angle of view A2, which will be described later, so that the light output cannot be improved.

표면광방출레이저 소자(200)의 제1 축(x축)에 대응되는 확산부(140)에서는 비교적 큰 제1 화각(A1)을 갖는 제2 레이저빔이 출사될 수 있다, In the diffuser 140 corresponding to the first axis (x-axis) of the surface light emitting laser device 200, a second laser beam having a relatively large first angle of view A1 may be emitted.

도 9는 실시예에 따른 표면광방출레이저 소자(200)와 확산부를 y축 방향을 따라 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating the surface light emitting laser device 200 and the diffusion unit along the y-axis direction according to the embodiment.

도 9에 도시한 바와 같이, 제1 너비(W1)보다 큰 제2 너비(W2)를 갖는 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)에서 방출된 제1 레이저빔은 확산부(140)에 의해 제2 화각(A2)을 갖는 제2 레이저빔으로 출사될 수 있다. 확산부(140)의 패턴어레이(144)가 제2 방향으로 장축을 가지므로, 확산부(140)의 패턴어레이(144)에 의해 제1 레이저빔이 보다 덜 굴절될 수 있다. 이와 같이 보다 덜 굴절된 제1 레이저빔이 보다 작은 입사각으로 확산부(140)의 바디(141)의 상면으로 입사되어, 확산부(140)의 상면에서 보다 작은 출사각을 갖는 제2 레이저빔이 출사될 수 있다. 이러한 경우, 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 패턴(145)의 단축에서 출사되는 제2 레이저빔의 출사각은 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 패턴(145)의 장축에서 출사되는 제2 레이저빔의 출사각보다 클 수 있다. As shown in FIG. 9, the first laser beam emitted from the light emitting region 245 of the surface light emitting laser device 200 having a second width W2 larger than the first width W1 is diffused. ) May be emitted as the second laser beam having the second angle of view A2. Since the pattern array 144 of the diffuser 140 has a long axis in the second direction, the first laser beam may be less refracted by the pattern array 144 of the diffuser 140. As such, the first laser beam, which is less refracted, is incident on the upper surface of the body 141 of the diffusion unit 140 at a smaller incident angle, so that the second laser beam having a smaller emission angle on the upper surface of the diffusion unit 140 is obtained. Can be exited. In this case, the emission angle of the second laser beam emitted from the short axis of the pattern 145 of the pattern array 144 of the diffusion unit 140 is the long axis of the pattern 145 of the pattern array 144 of the diffusion unit 140. It may be greater than the emission angle of the second laser beam emitted from.

도 10b에 도시한 바와 같이, 제2 레이저빔의 제2 화각(A2)은 50° 내지 70°일 수 있지만,, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 70° 이상의 제2 화각(A2)이 얻어지는 경우, 제1 화각(A1)과 동일하여 광 출력이 향상될 수 없다. 50° 이하의 제2 화각(A2)이 얻어지는 경우, 화각이 좁아 확산 기능으로서의 역할을 할 수 없다. 표면광방출레이저 소자(200)의 제2 축(y축)에 대응되는 확산부(140)에서는 비교적 작은 제2 화각(A2)을 갖는 제2 레이저빔이 출사될 수 있다.As shown in FIG. 10B, the second angle of view A2 of the second laser beam may be 50 ° to 70 °, but is not limited thereto. When the second angle of view A2 of 70 ° or more is obtained, the same as the first angle of view A1, the light output cannot be improved. When the 2nd angle of view A2 of 50 degrees or less is obtained, an angle of view is narrow and it cannot play a role as a diffusion function. A second laser beam having a relatively small second angle of view A2 may be emitted from the diffuser 140 corresponding to the second axis (y axis) of the surface light emitting laser device 200.

이상과 같이, 표면광방출레이저 소자(200)로부터 방출된 제1 레이저빔은 확산부(140)에 의해 제1 방향으로 제1 화각(A1)을 가지고 제2 방향으로 제2 화각(A2)을 갖는 제2 레이저빔으로 출사될 수 있다. 제1 화각(A1)은 제2 화각(A2)보다 10° 내지 20° 클 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 제1 화각(A1)이 제2 화각(A2)보다 20° 이상 큰 경우 확산부(140)에서의 전반사에 의해 확산부(140)로부터 출력되는 제2 레이저빔의 광 출력이 줄어들 수 있다. 제1 화각(A1)이 제2 화각(A2)와 10° 이하의 차이를 갖는 경우, 광 출력이 줄어들 수 있다. As described above, the first laser beam emitted from the surface light emitting laser device 200 has the first angle of view A1 in the first direction by the diffusion unit 140 and the second angle of view A2 in the second direction. Having a second laser beam. The first angle of view A1 may be 10 ° to 20 ° greater than the second angle of view A2, but is not limited thereto. When the first angle of view A1 is 20 ° or more larger than the second angle of view A2, the light output of the second laser beam output from the diffuser 140 may be reduced by total reflection at the diffuser 140. When the first angle of view A1 has a difference of 10 ° or less from the second angle of view A2, the light output may be reduced.

제2 레이저빔은 직사각 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 레이저빔은 제1 방향으로의 제1 화각(A1)이 제2 방향으로의 제2 화각(A2)보다 큰 직사각 형상을 가질 수 있다. The second laser beam may have a rectangular shape. That is, the second laser beam may have a rectangular shape in which the first angle of view A1 in the first direction is larger than the second angle of view A2 in the second direction.

이하에는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지에 대한 실험 결과를 설명한다.Hereinafter, experimental results of the surface light emitting laser package according to the embodiment will be described.

실시예에서는 2개의 샘플(#1)과 샘플(#2)이 사용되었다. In the example, two samples # 1 and # 2 were used.

제1 샘플(#1) 및 제2 샘플(#2) 모두 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)은 제1 방향을 따라 14개의 에미터가 배열되고 제2 방향을 따라 22개의 에미터가 배열될 수 있다. 이에 반해, 제1 샘플에서는 확산부(140)에서 더 큰 화각을 갖도록 배열된 패턴어레이(144)가 제1 방향과 일치되도록 배치되고, 제2 샘플에서는 확산부(140)에서 더 큰 화각을 갖도록 배열된 패턴어레이(144)가 제2 방향과 일치되도록 배치될 수 있다. In the light emitting region 245 of the surface light emitting laser device 200 in both the first sample # 1 and the second sample # 2, 14 emitters are arranged in a first direction and 22 in a second direction. Emitters can be arranged. In contrast, in the first sample, the pattern array 144 arranged to have a larger angle of view in the diffuser 140 is disposed to coincide with the first direction, and in the second sample, the pattern array 144 has a larger angle of view in the diffuser 140. The arranged pattern array 144 may be arranged to coincide with the second direction.

확산부(140)으로는 84° 및 72°의 화각을 갖는 확산부(140)과 72° 및 55°의 화각을 갖는 확산부(140)이 사용되었다. As the diffusion part 140, a diffusion part 140 having an angle of view of 84 ° and 72 ° and a diffusion part 140 having an angle of view of 72 ° and 55 ° were used.

도 11a 및 도 11b는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 광 출력을 보여준다.11A and 11B show light output of a surface light emitting laser package according to an embodiment.

도 11a에 도시한 바와 같이, 84° 및 72°의 화각을 갖는 확산부(140)이 사용되는 경우, 제1 샘플(#1)이 제2 샘플(#2)에서보다 대략 1.18% 더 큰 광 출력이 얻어졌다. 이로부터, 광(wide) 화각(84°)이 얻어지는 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 단축이 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)의 단축과 일치되도록 배치될 때(제1 샘플(#1))가 협(narrow) 화각(72°)이 얻어지는 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 장축이 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)의 단축과 일치되도록 배치될 때(제2 샘플(#2))보다 큰 광 출력을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 11A, when the diffuser 140 having an angle of view of 84 ° and 72 ° is used, the light of the first sample # 1 is approximately 1.18% larger than that of the second sample # 2. The output was obtained. From this, when the short axis of the pattern array 144 of the diffusion portion 140 at which the wide field of view (84) is obtained coincides with the short axis of the light emitting region 245 of the surface light emitting laser element 200. The long axis of the pattern array 144 of the diffusion portion 140 in which the first sample # 1 has a narrow angle of view 72 ° is formed in the light emitting region 245 of the surface light emitting laser element 200. It can be seen that a light output larger than that when arranged to coincide with the short axis (second sample # 2) can be obtained.

도 11b에 도시한 바와 같이, 72° 및 55°의 화각을 갖는 사용되는 경우, 제1 샘플(#1)이 제2 샘플(#2)에서보다 대략 1.76% 더 큰 광 출력이 얻어졌다. 이로부터, 광(wide) 화각(72°)이 얻어지는 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 단축이 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)의 단축과 일치되도록 배치될 때(제1 샘플(#1))가 narrow) 화각(55°)이 얻어지는 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 장축이 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)의 단축과 일치되도록 배치될 때(제2 샘플(#2))보다 큰 광 출력을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 11B, when used with angles of view of 72 ° and 55 °, a light output of approximately 1.76% larger than that of the second sample # 2 was obtained. From this, when the short axis of the pattern array 144 of the diffusion portion 140 at which the wide angle of view 72 ° is obtained is arranged to coincide with the short axis of the light emitting area 245 of the surface light emitting laser element 200. (The first sample # 1 is narrow.) The long axis of the pattern array 144 of the diffusion portion 140 at which the angle of view 55 ° is obtained is the short axis of the light emitting region 245 of the surface light emitting laser element 200. It can be seen that a larger light output can be obtained than when arranged to match (second sample # 2).

화각범위가 더 작은 확산부(140)이 사용될 때(도 11b)가 그렇지 않을 때(도 11a)보다 더 큰 광 출력이 얻어짐을 확인할 수 있다. It can be seen that a larger light output is obtained than when the diffuser 140 having a smaller field of view range is used (FIG. 11B) or not (FIG. 11A).

도 11a 및 도 11b로부터, 광 화각이 얻어지는 확산부(140)의 패턴어레이(144)의 단축이 표면광방출레이저 소자(200)의 발광영역(245)의 단축과 일치되도록 배치하거나 화각 범위가 작아지도록 함으로써, 보다 큰 광 출력이 얻어질 수 있다. 11A and 11B, the short axis of the pattern array 144 of the diffusion unit 140 from which the wide angle of view is obtained is disposed so that the short axis of the pattern array 144 coincides with the short axis of the light emitting region 245 of the surface light emitting laser element 200 or the angle of view range is small. By this, a larger light output can be obtained.

도 12a 및 도 12b는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지의 파워 드룹(droop)을 보여준다.12A and 12B show power droop of the surface light emitting laser package according to the embodiment.

파워 드룹이라 함은 확산부(140)이 없는 상태, 즉 표면광방출레이저 패키지로부터 측정된 광 출력 대비하여 확산부(140)이 표면광방출레이저 패키지 상에 배치된 후 확산부(140)으로부터 측정된 광 출력의 감소 비율로 정의될 수 있다. 따라서, 파워 드롭이 클수록 확산부(140)에 의해 출사되는 광 출력도 클 수 있다. The power droop is measured in the absence of the diffuser 140, that is, measured from the diffuser 140 after the diffuser 140 is disposed on the surface-emitting laser package in contrast to the light output measured from the surface-emitting laser package. It can be defined as the reduction rate of the light output. Therefore, as the power drop increases, the light output emitted by the diffusion unit 140 may also increase.

도 12a에 도시한 바와 같이, 84° 및 72°의 화각을 갖는 확산부(140)이 사용되는 경우, 제1 샘플(#1)에서는 대략 93.2%의 파워 드룹이 얻어지는데 반해, 제2 샘플(#2)에서는 이보다 작은 대략 92%의 파워 드룹이 얻어질 수 있다. 이로부터, 제1 샘플(#1)에서는 제2 샘플(#2)보다 큰 파워 드룹이 얻어지므로, 제1 샘플(#1)에서 제2 샘플(#2)보다 큰 광 출력이 얻어짐을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 12A, when the diffusion 140 having angles of view of 84 ° and 72 ° is used, approximately 93.2% of power droop is obtained in the first sample # 1, whereas the second sample ( In # 2) less than approximately 92% of the power droop can be obtained. From this, since the power droop larger than the 2nd sample # 2 is obtained in the 1st sample # 1, it can be confirmed that the light output larger than the 2nd sample # 2 is obtained in the 1st sample # 1. have.

도 12b에 도시한 바와 같이, 72° 및 55°의 화각을 갖는 사용되는 경우, 제1 샘플(#1)에서는 대략 94.2%의 파워 드룹이 얻어지는데 반해, 제2 샘플(#2)에서는 이보다 작은 92.5%의 파워 드룹이 얻어질 수 있다. 이로부터, 제1 샘플(#1)에서는 제2 샘플(#2)보다 큰 파워 드룹이 얻어지므로, 제1 샘플(#1)에서 제2 샘플(#2)보다 큰 광 출력이 얻어짐을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 12B, when used with angles of view of 72 ° and 55 °, approximately 94.2% of power droop is obtained in the first sample # 1, while smaller in this case in the second sample # 2. A power droop of 92.5% can be obtained. From this, since the power droop larger than the 2nd sample # 2 is obtained in the 1st sample # 1, it can be confirmed that the light output larger than the 2nd sample # 2 is obtained in the 1st sample # 1. have.

한편, 이상에서 설명된 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100)는 근접 센서, 자동 초점 장치 등에 적용될 수 있다. 예컨대, 실시예에 따른 자동 초점 장치는 빛을 발광하는 발광부와 빛을 수광하는 수광부를 포함할 수 있다. 발광부의 예로서 도 1을 참조하여 설명된 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100) 중에서 적어도 하나가 적용될 수 있다. 수광부의 예로서 포토 다이오드가 적용될 수 있다. 수광부는 발광부에서 방출된 빛이 물체에서 반사되는 빛을 입사 받을 수 있다.Meanwhile, the surface light emitting laser package 100 according to the embodiment described above may be applied to a proximity sensor, an auto focusing device, or the like. For example, the autofocus apparatus according to the embodiment may include a light emitting unit for emitting light and a light receiving unit for receiving light. As an example of the light emitting unit, at least one of the surface light emitting laser package 100 according to the embodiment described with reference to FIG. 1 may be applied. As an example of the light receiving portion, a photodiode may be applied. The light receiver may receive light reflected from an object from the light emitted from the light emitter.

자동 초점 장치는 이동 단말기, 카메라, 차량용 센서, 광 통신용 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 자동 초점 장치는 피사체의 위치를 검출하는 멀티 위치 검출을 위한 다양한 분야에 적용될 수 있다.The auto focus device may be variously applied to a mobile terminal, a camera, a vehicle sensor, and an optical communication device. The auto focus apparatus may be applied to various fields for multi-position detection for detecting the position of the subject.

도 13는 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지를 포함하는 자동 초점 장치가 적용된 이동 단말기의 사시도이다.13 is a perspective view of a mobile terminal to which an autofocusing apparatus including a surface light emitting laser package according to an embodiment is applied.

도 13에 도시된 바와 같이, 실시예의 이동 단말기(1500)는 후면에 제공된 카메라 모듈(1520), 플래쉬 모듈(1530), 자동 초점 장치(1510)를 포함할 수 있다. 여기서, 자동 초점 장치(1510)는 발광부로서 도 1을 참조하여 설명된 실시예에 따른 표면광방출레이저 패키지(100) 중의 하나를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 13, the mobile terminal 1500 of the embodiment may include a camera module 1520, a flash module 1530, and an auto focusing device 1510 provided at a rear surface thereof. Here, the auto focusing device 1510 may include one of the surface light emitting laser packages 100 according to the embodiment described with reference to FIG. 1 as a light emitting unit.

플래쉬 모듈(1530)은 내부에 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 플래쉬 모듈(1530)은 이동 단말기의 카메라 작동 또는 사용자의 제어에 의해 작동될 수 있다. 카메라 모듈(1520)은 이미지 촬영 기능 및 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 카메라 모듈(1520)은 이미지를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다.The flash module 1530 may include a light emitting device that emits light therein. The flash module 1530 may be operated by camera operation of a mobile terminal or control of a user. The camera module 1520 may include an image capturing function and an auto focus function. For example, the camera module 1520 may include an auto focus function using an image.

자동 초점 장치(1510)는 레이저를 이용한 자동 초점 기능을 포함할 수 있다. 자동 초점 장치(1510)는 카메라 모듈(1520)의 이미지를 이용한 자동 초점 기능이 저하되는 조건, 예컨대 10m 이하의 근접 또는 어두운 환경에서 주로 사용될 수 있다. 자동 초점 장치(1510)는 표면광방출레이저 소자를 포함하는 발광부와, 포토 다이오드와 같은 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 수광부를 포함할 수 있다.The auto focus device 1510 may include an auto focus function using a laser. The auto focus device 1510 may be mainly used in a condition in which the auto focus function using the image of the camera module 1520 is degraded, for example, in a proximity or dark environment of 10 m or less. The autofocus device 1510 may include a light emitting unit including a surface light emitting laser device, and a light receiving unit converting light energy such as a photodiode into electrical energy.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The foregoing detailed description should not be construed as limiting in all respects, but should be considered as illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.

100: 표면광방출레이저 패키지
110: 기판 130: 하우징
140: 확산부 141: 바디
142: 리세스 영역 144: 패턴어레이
145: 패턴 181, 182: 전극
183, 184: 본딩부 160: 회로기판
191: 와이어 200: 표면광방출레이저 소자
210: 기판 215, 280: 전극
220, 250: 반사층 230: 캐비티영역
241a, 241b, 241c: 어퍼처 242: 절연영역
245: 발광영역 247: 비발광영역
270: 패시베이션층 290: 패드전극
A1, A2: 화각 E: 발광구조물
E1, E2, E3: 에미터 W1, W2: 너비100: surface light emitting laser package
110: substrate 130: housing
140: diffuser 141: body
142: recessed area 144: pattern array
145: pattern 181, 182: electrode
183 and 184: bonding unit 160: circuit board
191: wire 200: surface light emitting laser element
210: substrate 215, 280: electrode
220, 250: reflective layer 230: cavity area
241a, 241b, and 241c: Aperture 242: Insulation area
245: light emitting area 247: non-light emitting area
270: passivation layer 290: pad electrode
A1, A2: View angle E: Light emitting structure
E1, E2, E3: Emitters W1, W2: Width

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 배치되고, 비발광영역과 각각 제1 레이저빔을 생성하는 복수의 에미터를 포함하는 발광영역을 갖는 표면광방출레이저 소자;
상기 표면광방출레이저 소자의 둘레에 배치되는 하우징; 및
상기 표면광방출레이저 소자 상에 배치되는 확산부를 포함하고,
상기 발광영역은 제1 방향으로의 제1 너비와 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로의 제2 너비를 가지고,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 크고,
상기 확산부는 상기 제1 레이저빔을 상기 제1 방향으로의 제1 화각과 상기 제2 방향으로의 제2 화각을 갖는 제2 레이저빔으로 출력시키고,
상기 제1 화각은 상기 제2 화각보다 큰 표면광방출레이저 패키지.Board;
A surface light emitting laser element disposed on the substrate, the surface light emitting laser element having a non-light emitting area and a light emitting area including a plurality of emitters each generating a first laser beam;
A housing disposed around the surface light emitting laser element; And
A diffusion part disposed on the surface light emitting laser element,
The light emitting area has a first width in a first direction and a second width in a second direction perpendicular to the first direction,
The second width is greater than the first width,
The diffusion unit outputs the first laser beam as a second laser beam having a first angle of view in the first direction and a second angle of view in the second direction,
The first angle of view is larger than the second angle of view light emitting laser package. 제1항에 있어서,
상기 확산부는,
바디; 및
상기 바디의 일측에 배치되는 패턴어레이를 포함하는 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 1,
The diffusion unit,
body; And
Surface light emitting laser package comprising a pattern array disposed on one side of the body. 제2항에 있어서,
상기 패턴어레이는 상기 표면광방출레이저 소자와 마주하는 상기 바디의 하부에 배치되는 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 2,
And the pattern array is disposed under the body facing the surface light emitting laser element. 제2항에 있어서,
상기 패턴어레이는,
상기 제1 방향을 따라 단축을 갖고 상기 제2 방향을 따라 장축을 갖는 복수의 패턴을 포함하는 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 2,
The pattern array,
A surface light emitting laser package comprising a plurality of patterns having a short axis in the first direction and a long axis in the second direction. 제1항에 있어서,
상기 표면광방출레이저 소자는,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 큰 직사각 형상을 갖는 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 1,
The surface light emitting laser device,
And the second width has a rectangular shape larger than the first width. 제1항에 있어서,
상기 제2 레이저빔은,
상기 제1 화각은 상기 제2 화각보다 큰 직사각 형상을 갖는 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 1,
The second laser beam,
The first view angle is a surface light emitting laser package having a rectangular shape larger than the second view angle. 제1항에 있어서,
상기 확산부는,
제1 및 제2 너비 각각이 상기 표면방출발광레이저소자의 적어도 제2 너비보다 큰 정사각 형상을 갖는 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 1,
The diffusion unit,
And a first and second width each having a square shape larger than at least a second width of the surface emitting light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 제2 레이저빔은,
상기 제1 방향으로의 출사각이 상기 제2 방향으로의 출사각보다 큰 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 1,
The second laser beam,
The surface light emitting laser package of claim 1, wherein an emission angle in the first direction is larger than an emission angle in the second direction. 제1항에 있어서,
상기 제1 화각은 상기 제2 화각보다 10° 내지 20° 큰 표면광방출레이저 패키지.The method of claim 1,
The first angle of view is a surface light emitting laser package 10 ° to 20 ° greater than the second angle of view. 제1항 내지 제9항 중 하나의 항에 의한 상기 표면광방출레이저 패키지; 및
상기 표면광방출레이저 패키지에서 방출된 빛의 반사된 빛을 입사 받는 수광부를 포함하는 자동 초점 장치.The surface light emitting laser package according to any one of claims 1 to 9; And
And a light receiving part receiving the reflected light of the light emitted from the surface light emitting laser package.
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