KR20190115074A - 향상된 진공 자외선(vuv) 스펙트럼 방사 플럭스를 위해 구성된 장치 및 그 장치를 갖는 시스템 - Google Patents

향상된 진공 자외선(vuv) 스펙트럼 방사 플럭스를 위해 구성된 장치 및 그 장치를 갖는 시스템 Download PDF

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Abstract

진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치가 설명된다. 장치는, 발산을 갖는 방사 빔을 방출하는 광 소스; 방사 빔을 반사시키도록 구성된 미러 ― 만곡 미러의 미러 표면의 곡률은 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성됨 ―; 및 만곡 미러를 회전가능하게 지지하도록 구성된 미러 지지부를 포함하며, 여기서, 미러의 회전은 방사 빔의 방향을 변화시킨다.

Description

향상된 진공 자외선(VUV) 스펙트럼 방사 플럭스를 위해 구성된 장치 및 그 장치를 갖는 시스템
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 각각 기판의 전하 제어 또는 기판 상의 정전하들의 감소에 관한 것이다. 특히, 전하 제어 또는 정전하들의 감소는 대면적 기판들에 대해 제공된다. 실시예들은 향상된 진공 자외선(VUV) 스펙트럼 방사 플럭스(radiant flux)를 위한 장치들, 및 그러한 장치들을 갖는 시스템들에 관한 것으로, 구체적으로, 진공 챔버 내의 기판들을 위한 전하 제어 장치; 하전 입자 빔 디바이스; 및 기판 상의 전하 제어의 방법에 관한 것이다.
[0002] 현재의 추세는, 예컨대, 디스플레이들, 회로 보드들, 및/또는 솔라 셀들을 제공하기 위해, 기판들 상에 점점 더 많은 수의 전자 디바이스들 그리고 특히 광전자 디바이스들을 제조하는 것이다. 특히, 평면 디스플레이 엘리먼트들, 이를테면 평면 스크린들에 대한 수요가 증가되고 있다. 제어 엘리먼트들, 예컨대 박막 트랜지스터(TFT)들이 사용되는, 액정 디스플레이(LCD)들 및 다른 디스플레이 엘리먼트들에 대한 표준들이 증가하고 있다. 부가하여, 디스플레이들의 증가되는 해상도는 구조 치수들(임계 치수들)을 감소시키고, 층 두께를 감소시키며, 이는 그러한 디스플레이 디바이스들의 ESD 유발 결함들에 대한 민감도를 상승시킨다.
[0003] 평판 디스플레이의 기판은 유리 또는 다른 절연 재료로 제조될 수 있다. 기판의 핸들링(handling) 및 프로세싱 동안 기판의 표면들 상에 축적될 수 있는 전하들은 기판의 전기 분극(electrical polarization)을 초래할 수 있다. 이는 기판의 핸들링 및 프로세싱 동안 정전 방전(ESD)에 의한 손상의 리스크를 증가시킬 수 있다. 따라서, 정전 방전에 의해 야기될 수 있는 손상으로부터 기판을 보호하는 것이 유익할 것이다. 추가로, 기판의 충전은 E-빔 검사(EBI) 동안 이미징의 저하를 야기할 수 있다.
[0004] 진공 자외선(VUV) 방사는 감압 환경에서 잔여 분자들을 직접적으로 이온화함으로써 정전하들을 제거하는 것을 목적으로 한다. 진공 LCD 제조 장비, 특히, 전자 빔들(SEM 등)을 활용하는 디바이스들은 종래의 이온화기(ionizer)들의 정전기 중화로부터 이익을 얻을 수 없는데, 이는 그 종래의 이온화기들의 작동 메커니즘이 가스성 환경을 요구하기 때문이다. 추가로, 대면적 기판들 상의 전하 중화는 기판들의 사이즈를 고려할 때 기존의 방사 소스들로는 어렵다.
[0005] 일 실시예에 따르면, 진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치가 제공된다. 장치는, 발산(divergence)을 갖는 방사 빔을 방출하는 광 소스; 방사 빔을 반사시키도록 구성된 미러 ― 만곡 미러의 미러 표면의 곡률은 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성됨 ―; 및 만곡 미러를 회전가능하게 지지하도록 구성된 미러 지지부를 포함하며, 여기서, 미러의 회전은 방사 빔의 방향을 변화시킨다.
[0006] 다른 실시예에 따르면, 하전 입자 빔 디바이스가 제공된다. 하전 입자 빔 디바이스는, 진공 챔버에 제공된 기판의 일부를 이미징하도록 구성된 하전 입자 빔 현미경; 및 진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치를 포함한다. 전하 제어 장치는, 발산을 갖는 방사 빔을 방출하는 광 소스; 방사 빔을 반사시키도록 구성된 미러 ― 만곡 미러의 미러 표면의 곡률은 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성됨 ―; 및 만곡 미러를 회전가능하게 지지하도록 구성된 미러 지지부를 포함하며, 여기서, 미러의 회전은 방사 빔의 방향을 변화시킨다.
[0007] 추가적인 실시예에 따르면, 기판 상의 전하를 제어하는 방법이 제공된다. 방법은, 미러의 만곡 표면을 이용하여 광 소스의 방사 빔의 발산을 감소시키는 단계; 및 만곡 표면으로부터 반사되는 반사된 방사 빔을 미러의 회전에 의해 기판에 걸쳐 이동시키는 단계를 포함한다.
[0008] 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들과 관련되고, 아래에서 설명된다.
도 1a 및 도 1b는 본 개시내용의 실시예들에 따른 전하 제어 장치를 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 진공 챔버에 있고, 예컨대 VUV 램프를 갖는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 추가적인 전하 제어 장치들을 예시한다.
도 3은 본 개시내용의 실시예들에 따른 전하 제어 장치의 추가적인 세부사항들을 도시한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 개시내용의 실시예들에 따른 그리고 미러를 회전시키기 위한 모터를 포함하는 전하 제어 장치들의 추가적인 세부사항들을 도시한다.
도 5는 본 개시내용의 실시예들에 따른 그리고 전하 제어 장치를 포함하는 하전 입자 빔 디바이스를 도시한다.
도 6은 본 개시내용의 실시예들에 따른, 전하 제어의 방법들을 예시하는 흐름도를 도시한다.
[0009] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되고, 제한으로 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0010] 도면들의 아래의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 도면들에 도시된 구조들은 반드시 실제 실척으로 도시된 것이 아니라, 그 보다는 실시예들의 더 양호한 이해를 제공한다.
[0011] 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 비가요성 기판들(예컨대 유리 기판 또는 유리 플레이트) 및 가요성 기판들(이를테면 웹 또는 포일) 둘 모두를 포괄한다. 기판은 코팅된 기판일 수 있으며, 여기서, 예컨대 물리 기상 증착(PVD) 프로세스 또는 화학 기상 증착(CVD) 프로세스에 의해, 재료들의 하나 이상의 얇은 층들이 기판 상에 코팅 또는 증착된다.
[0012] 본원에서 설명되는 실시예들은 대면적 기판들, 특히 디스플레이 시장을 위한 대면적 기판들에 관한 것이다. 일부 실시예들에 따르면, 대면적 기판들 또는 각각의 기판 지지부들은 적어도 1 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 사이즈는 약 1.375 m2(1100 mm x 1250 mm - Gen 5) 내지 약 9 m2, 더 구체적으로는 약 2 m2 내지 약 9 m2, 또는 심지어 최대 12 m2일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 구조들, 장치들, 및 방법들이 제공되는, 기판들 또는 기판 수용 영역들은 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들일 수 있다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 1.375 m2 기판들(1.1 m x 1.25 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.39 m2 기판들(1.95 m x 2.25 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 9 m2 기판들(2.88 m x 3130 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.
[0013] 본 출원의 보호의 범위를 제한하지 않으면서, 아래에서, 하전 입자 빔 디바이스, 예컨대 하전 입자 빔 현미경 또는 이의 컴포넌트들은, 이차 또는 후방산란 입자들, 이를테면 전자들의 검출을 포함하는 하전 입자 빔 디바이스라고 예시적으로 지칭될 것이다. 여전히, 실시예들은, 표본 이미지를 획득하기 위해, 전자들 또는 이온들, 광자들, x-선들, 또는 다른 신호들의 형태의 미립자들, 이를테면 이차 및/또는 후방산란 하전 입자들을 검출하는 장치들 및 컴포넌트들에 적용될 수 있다. 미립자들을 참조하는 경우, 미립자들은 광 신호들로서 이해되어야 하며, 여기서, 미립자들은 광자들 뿐만 아니라 입자들이고, 여기서, 미립자들은 이온들, 원자들, 전자들, 또는 다른 입자들이다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 검출에 관련된 논의들 및 설명들은 스캐닝 전자 현미경들에서 전자들에 대하여 예시적으로 설명된다. 다양한 상이한 기구들에서 디바이스에 의해 다른 타입들의 하전 입자들, 예컨대 양 이온들이 활용될 수 있다.
[0014] 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본원의 실시예들에 따르면, 신호(하전 입자) 빔 또는 신호(하전 입자) 빔렛(beamlet)은 이차 및/또는 후방산란 입자들의 빔이라고 지칭된다. 전형적으로, 표본 상으로의 일차 빔 또는 일차 빔렛의 충돌에 의해 신호 빔 또는 이차 빔이 생성된다. 일차 하전 입자 빔 또는 일차 하전 입자 빔렛은 입자 빔 소스에 의해 생성되고, 검사 또는 이미징될 표본 상으로 가이딩 및 편향된다.
[0015] 본 개시내용의 실시예들은 전하 제어 장치, 예컨대 정전하 제거기에 관한 것이다. 전하 제어 장치는 진공 챔버에서 기판으로부터 정전하들을 제거하도록 구성된다. 특히, 본 개시내용에 따른 전하 제어 장치는, 대면적 기판들, 예컨대, 1.4 m2 이상, 이를테면 5 m2 이상의 사이즈를 갖는 기판들에 적합하고 그러한 기판들을 위해 구성된다. 예컨대, 진공 챔버는, 예컨대, 진공 챔버의 진공 밀폐 밀봉을 위한 그리고 대면적 기판의 로딩을 위해 구성된 슬릿 밸브를 가질 수 있다.
[0016] 본 개시내용에 따른 전하 제어 장치들은, 예컨대, LCD 디스플레이들 또는 OLED 디스플레이들을 위한 디스플레이 제조를 위해 제공될 수 있다. 추가로, ESD 손상의 리스크가 감소되기 때문에, 대면적 기판들의 유리 핸들링이 개선될 수 있다. 더 추가적인 실시예들에 따르면, 가요성 기판들, 이를테면 웹들 또는 포일들 상의 전하 제어 또는 정전하의 제거가 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 이는, 예컨대, 가요성 디스플레이들의 제조를 위해 사용될 수 있다.
[0017] 전하 제어 장치는 광 소스, 이를테면 진공 UV(VUV) 광 소스를 포함할 수 있다. 예컨대, VUV 광 소스는 진공 환경들에서 정전하들을 제거할 수 있다. VUV 광 소스에 의한 정전하들의 제거는 유익할 수 있는데, 이는, 플러드 건이 하전 입자들을 방출하는 경우일 수 있는 것처럼, 반대 극성의 전하들이 생성되지 않기 때문이다.
[0018] 본 개시내용에 따른 전하 제어 장치들은 미러를 포함하며, 여기서, 미러 표면은 광 소스로부터 방출되는 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성된 만곡 표면을 갖는다. 추가로, 미러는, 반사된 방사 빔의 전파 방향이 변화될 수 있도록, 미러 지지부에 의해 지지된다.
[0019] 도 1a 및 도 1b는 전하 제어 장치(100)를 도시한다. 도 1a는 측면도를 도시하며, 도 1b는 평면도를 도시한다. 도 1a에서 화살표에 의해 개략적으로 예시된 광 소스(110)가 광 빔(113)을 방출한다. 광 빔은 전파 방향(111), 즉 광 축을 따라 전파된다. 미러(120)는 미러 바디(122) 및 미러 표면(125)을 포함한다. 미러 표면은 만곡된다. 만곡 표면은 광 빔(113)의 발산을 감소시키도록 구성된다. 반사된 광 빔(115)은 미러 상으로 지향된 광 빔(113)보다 더 작은 발산을 갖는다.
[0020] 도 1b에 대하여 설명되는 바와 같이, 미러 바디(122) 및 미러 표면(125)을 갖는 미러(120)는 축(121)을 중심으로 회전될 수 있다. 미러의 회전은, 화살표(121')에 의해 표시된 바와 같이, 반사된 광 빔(115)의 전파 방향을 변화시킨다. 미러의 움직임은 반사된 광 빔(115)을 기판 상의 다양한 포지션들로 지향시킬 수 있게 한다. 예컨대, 반사된 광 빔은 기판에 걸쳐 스위핑될 수 있다. 반사된 광 빔을 기판에 걸쳐 스위핑 또는 스캐닝함으로써, 기판의 다양한 포지션들로부터 전하가 제어될 수 있고, 예컨대 정전하가 제거될 수 있다.
[0021] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 미러(120)는 포물면 미러(parabolic mirror)일 수 있다. 만곡 미러 표면(125)은 원형 포물면의 일부일 수 있다. 따라서, 미러(120)에 초점 거리 또는 포커스(focus)가 각각 제공될 수 있다. 포물면 미러의 포커스에서 크로스오버(crossover)(112)를 갖는 입사 광 빔은 평행한 또는 본질적으로 평행한 반사된 광 빔을 발생시킨다. 광 소스 및 미러는, 포물면 미러의 초점에 방사들의 빔의 크로스오버가 제공되도록, 서로에 대하여 배열될 수 있다. 광 빔(113)의 발산은 미러 표면(125) 상에서의 반사 시에 감소될 수 있다. 예컨대, 평면파, 즉 평행 빔이 생성될 수 있다.
[0022] 본원에서 설명되는 실시예들은, 광 소스, 예컨대, 예를 들어 30°의 발산을 갖는 VUV 램프로부터의 거리의 제곱에 정비례하는, 국부적인 조도의 감소를 줄이는 것을 가능하게 한다. 거리에 따른 VUV 램프에 대한 조도 감소(여기서, 램프는, 예컨대 30°의 발산을 가짐)는 효율적인 VUV 램프 유효 범위를, 예컨대 500 mm로 제한한다. 500 mm의 VUV 램프로부터의 전형적인 거리의 경우, VUV 조사 스폿은 VUV 램프 출력에서의 <40 mm 스폿과 비교하여 직경이 약 290 mm일 수 있다. W/cm2 단위의 레이디언스 플럭스(radiance flux)는, 500 mm 거리에서, VUV 램프 출력과 비교하여 약 50배 더 낮다. 따라서, 대면적 기판들의 경우, 예컨대, 초대형(super-sized) 진공 LCD 제조 장비의 경우, 전체 디스플레이 기판 상의 균일한 VUV 조사를 보장하기 위해, 시스템 주위에 다수의 VUV 램프들이 피팅(fit)되어야 한다.
[0023] 따라서, 본 개시내용의 실시예들은 대면적 기판들 상의 전하들을 효율적으로 제거하는 방사를 발생시키기 위한 램프들의 수를 감소시킬 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 광 소스에, 예컨대, VUV 램프 방사 경로에 축-외 포물면 미러가 제공된다. 광 소스는 축-외 포물면 포커스에 제공될 수 있다. 예컨대 30° VUV 램프 조사 각도를 갖는 발산 입사 광 빔은, 축-외 포물면 미러에 의해, 예컨대 설계된 사이즈를 갖는, 평행한 방사 플럭스로 시준된다. VUV 스펙트럼 평행 방사 플럭스로 인해, VUV 램프 방사는 장거리 영역들에 도달할 수 있고, 큰 전체 디스플레이 사이즈 공간들에 도달할 수 있다.
[0024] 본 개시내용의 실시예들은 향상된 진공 자외선(VUV) 스펙트럼 방사 플럭스를 위해 구성된 장치들, 그 장치를 갖는 시스템들, 및 그 장치의 동작의 방법들을 제공한다. 예컨대, 진공 챔버 내의 기판들을 위한 전하 제어 장치가 제공된다. 전하 제어 장치는, 발산을 갖는 방사 빔을 방출하는 광 소스; 방사 빔을 반사시키도록 구성된 미러 ― 만곡 미러의 미러 표면의 곡률은 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성됨 ―; 및 만곡 미러를 회전가능하게 지지하도록 구성된 미러 지지부를 포함하며, 여기서, 미러의 회전은 방사 빔의 방향을 변화시킨다.
[0025] 도 2a 및 도 2b는 진공 챔버(210)에 제공된 전하 제어 장치의 측면도 및 평면도를 도시한다. 도 1a에 도시된 바와 같은 하나 이상의 전하 제어 장치들(100)이 진공 챔버에 제공된다. 도 2a는 2개의 전하 제어 장치들을 도시한다. 도 2b는, 예컨대, 4개의 전하 제어 장치들을 도시한다. 반사된 방사 빔이 기판(20)의 표면에 제공될 수 있다. 기판(20)은 기판 지지부(220), 예컨대 기판 지지 테이블에 탑재될 수 있다. 구동부(222)가 진공 챔버(210) 내에서 기판(20)을 이동시키기 위해 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 구동부는 진공 챔버 내로 또는 진공 챔버 밖으로 기판(20)을 이동시키기 위해 활용될 수 있다. 다른 변형들에 따르면, 진공 챔버(210)에서 로봇 암을 갖는 로봇을 이용하여 기판이 로딩될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 지지부는 진공 척 또는 정전 척일 수 있다. 예컨대, 정전 척은 정전기 인력들로 인해 기판을 홀딩할 수 있고, 그리고 디스플레이 제조를 위한 시스템들에 대해 사용될 수 있다.
[0026] 전하 제어 장치는 광 소스(110)를 포함할 수 있다. 광 소스는, 예컨대 크로스오버(112) 후에, 발산을 갖는 방사 빔을 방출할 수 있다. 미러(120)는 방사 빔의 발산을 감소시키기 위한 만곡 표면을 갖는다. 발산이 감소된 반사된 방사 빔, 예컨대 반사된 광 빔(115)은 미러로부터 타겟 표면, 예컨대 기판 표면으로 전파된다. 만곡 미러 표면(125)을 갖는 미러(120)는 미러 지지부(230)에 의해 지지된다. 미러 지지부(230)는 미러를 지지하며, 여기서, 미러는, 예컨대, 축(232)을 중심으로 회전할 수 있다. 예컨대 축(232)을 중심으로 하는 미러의 회전은, 화살표들(121')에 의해 표시된 바와 같이, 반사된 방사 빔, 예컨대 반사된 광 빔(115)을 이동시킨다. 따라서, 반사된 광 빔은 기판(20) 상의 상이한 포지션들로 가이딩될 수 있다. 이는 도 2b에 예시적으로 도시된다.
[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 전하 제어 장치는 또한, 유휴(idle) 포지션으로 제공될 수 있다. 이는 도 2b에 도시된 좌상측 전하 제어 장치에 대해 예시적으로 도시된다. 미러(120)는 90° 이상, 예컨대 180°만큼 회전되고, 그에 따라, 반사된 방사 빔, 예컨대 반사된 광 빔(115)이 빔 블랭커(beam blanker)(270) 상으로 가이딩된다. 빔 블랭커(270)는 빔 차단 엘리먼트를 포함할 수 있다. 빔 차단 엘리먼트는 빔 차단 엘리먼트 상에 입사하는 광 빔을 반사시키지 않을 수 있거나 또는 최소로 반사시킬 수 있다.
[0028] 반사된 광 빔(115)을 빔 블랭커 상으로 지향시키는 것은, 광 소스(110)를 스위치 오프시킬 필요 없이, 기판(20)의 조명을 방지한다. 이는 도 5에 대하여 예시적으로 설명되는 바와 같은 이미징 시스템들에 대해 특히 유리할 수 있으며, 그 이미징 시스템들에서, 감지 검출기들, 예컨대 광전 증배관(PM)들이 진공 챔버에 제공된다. 본원에서 설명되는 전하 제어 장치들에 대해 활용될 수 있는 광 소스들이 스위치 오프시키기 어렵고, 특히 스위치 온시키기 어렵기 때문에, 방사 빔의 블랭킹은 개선된 프로세스 제어를 제공한다.
[0029] 일부 실시예들에 따르면, 기판은, 전하 제어 장치에 의해 프로세싱되는 동안, 예컨대 기판으로부터 정전하가 제거되는 동안, 예컨대 도 2a에 도시된 바와 같은 기판 지지 테이블(220) 상에, 정지된 상태로 있을 수 있다. 본 개시내용의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가적인 실시예들에 따르면, 기판은 본원에서 설명되는 하나 이상의 전하 제어 장치들과 함께, 프로세싱 동안 진공 챔버(210)를 통해 이동될 수 있다. 이는 도 2b에서 화살표(290)에 의해 표시된다. 예컨대, 기판은, 방사 빔에 의해 제거되면서, 진공 챔버(210)를 통해 연속적으로 또는 준-연속적으로 이동될 수 있다. 방사 빔은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 장치들을 이용하여 생성될 수 있거나, 또는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법들을 이용하여 생성될 수 있다.
[0030] 일부 실시예들에 따르면, 진공 챔버는 2개의 전하 제어 장치들을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 전하 제어 장치가 하나의 코너에 제공될 수 있고, 그 하나의 코너와 대향하는, 진공 챔버의 추가적인 코너에 제2 전하 제어 장치가 제공될 수 있다. 추가적인 코너는 진공 챔버의 측면을 따라 제공될 수 있거나, 또는 진공 챔버의 대각선을 따라 제공될 수 있다.
[0031] 도 3은 본 개시내용의 추가적인 실시예들을 예시하는 전하 제어 장치(100)를 도시한다. 방사 빔의 방출기가 광 소스(110)의 하우징(130)에 제공될 수 있다. 추가로, 하나 이상의 렌즈들(330)을 갖는 렌즈 조립체가, 예컨대 하우징(130)에 제공될 수 있다. 렌즈 조립체는 크로스오버(112)를 생성할 수 있다. 크로스오버(112)는 미러(120)의 만곡 표면(125)의 포커스에 제공될 수 있다. 예컨대, 만곡 표면(125)은 포물면 미러의 미러 표면일 수 있다. 방사 빔, 예컨대 광 빔(113)은 미러 표면에서 반사되고, 예컨대 기판 쪽으로 재지향된다. 미러(120)는 미러 지지부(230)에 의해 지지된다. 미러(120)는 미러 지지부에 의해 회전가능하게 지지될 수 있다. 예컨대, 미러는 축(232)을 중심으로 회전할 수 있다.
[0032] 도 3에 도시된 바와 같이, 광 소스(110), 이를테면 VUV 소스는 포물면 정점 축에서 수직으로 탑재될 수 있다. 예컨대 20° 내지 40° 조사 각도를 갖는 방사 빔이 축-외 포물면 미러 상으로 투영되고, 그리고 시준된 광 스폿, 즉 반사된 광 빔으로서 미러로부터 반사된다. 광 소스의 조사 각도보다 더 작은 발산을 갖는 시준된 광 스폿, 즉 반사된 광 빔이 넓은 표면들에 걸쳐 인도(conduct)된다. 빔은 90° 내지 180° 회전, 이를테면 모터에 의한 회전들을 통해 넓은 표면들에 걸쳐 인도될 수 있다. 완전 360° 회전이 가능할 수 있다.
[0033] 도 3에 도시된 바와 같이, 미러 지지부(230)는 추가로, 광 소스(110)를 지지할 수 있다. 이는 광 소스에 의해 생성되는 크로스오버(112)에 대하여 미러(120)와 그 미러(120)의 포커스 사이의 안정적인 포지셔닝을 가능하게 한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 광 소스는 VUV 램프일 수 있다. 예컨대, 광 소스는 200 nm 이하의 UV 범위의 광을 조사할 수 있다. 광 소스는 200 nm 미만의 50% 이상의 스펙트럼 에너지 분포를 갖는 방사 파장을 갖는 VUV 소스일 수 있다. 특히, 방사는 170 nm 이하, 이를테면 약 160 nm의 파장을 가질 수 있다. 예컨대, 100 W 이상, 이를테면 180 W 이상의 전력을 갖는 중수소 방전 램프(deuterium discharge lamp)가 제공될 수 있다. 방사 빔의 스펙트럼은 주로, 예컨대 121 nm, 125 nm, 및 160 nm에서 높은 방사 밀도를 가지면서, 120 nm 내지 400 nm일 수 있다. 다른 예로서, 128 nm의 주 방출 파장을 갖는 아르곤 램프가 제공될 수 있다.
[0034] 도 4a 내지 도 4c는 본 개시내용의 실시예들에 따른 전하 제어 장치들의 변형들의 추가적인 세부사항들을 예시한다. 도 4a는 측단면도를 도시하고, 도 4b는 측면도를 도시하며, 도 4c는 추가적인 단면도, 예컨대 도 4a와 비교하면 상단으로부터의 추가적인 단면도를 도시한다. 광 소스(110), 예컨대 VUV 램프는 미러 지지부(230), 이를테면 미러 박스 상에 탑재된다. 미러 지지부에서, 축-외 미러(120)가 아버(arbor) 또는 샤프트 상에 탑재된다. 아버(424)는 진공 피드-스루의 일부일 수 있다. 미러(120)는 미러 박스, 즉 미러 지지부(230)에서, 예컨대 360°만큼 회전할 수 있다.
[0035] VUV 램프는, 광 소스 원점(origin) 또는 광 소스 크로스오버가 VUV 축-외 미러 초점 거리와 일치하도록 하는 방식으로, 미러 지지부 상에 탑재된다. VUV 광 소스는 축-외 포물면 미러의 초점에 탑재된다. 광 소스는 만곡 미러의 페어런트(parent) 포물면의 광 축 상에 그리고/또는 페어런트 포물면의 초점에 탑재될 수 있으며, 즉, 미러는 축-외 미러일 수 있다. 축-외 포물면 미러는 피드-스루 아버(424)에 커플링된 모터(410)에 의해 회전될 수 있다. 예컨대, 모터는 VUV 광 스폿을 예컨대 90° 내지 180°만큼 진동시키기 위해, 시계 방향으로 그리고 반시계 방향으로 스윙(swing)할 수 있다.
[0036] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 모터 마모를 감소시키기 위해, 크랭크-로커 메커니즘(crank rocker mechanism)(420), 예컨대, 4개의 링크(link) 크랭크-로커 메커니즘 또는 4개의 바(bar) 크랭크-로커 메커니즘이 제공될 수 있다. 따라서, 미러(120)는 하나의 방향으로만, 즉, 시계 방향으로만 또는 반시계 방향으로만 회전하는 모터(410)에 의해 시계 방향으로 그리고 반시계 방향으로 스윙할 수 있다. 이는 가속 및 감속 시퀀스들로 인한 모터 및 기어 손상을 감소시킬 수 있다. 크랭크-로커 메커니즘(420)은 박스에 탑재될 수 있다. 크랭크-로커 메커니즘(420)은 특정 축-외 포물면 미러 스윙 각도를 위해 구성될 수 있다.
[0037] 도 5는 하전 입자 빔 디바이스 또는 하전 입자 빔 현미경(500)을 도시한다. 전자 빔 소스(512)에 의해 전자 빔(미도시)이 생성될 수 있다. 건 챔버(gun chamber)(510) 내에, 서프레서(suppressor), 추출기, 및/또는 애노드와 같은 추가적인 빔 형상화 수단이 제공될 수 있다. 전자 빔 소스는 TFE 방출기를 포함할 수 있다. 건 챔버는 10-8 mbar 내지 10-9 mbar의 압력으로 진공배기될 수 있다.
[0038] 하전 입자 빔 현미경(500)의 컬럼의 추가적인 진공 챔버(520)에서, 집속 렌즈가 제공될 수 있다. 추가적인 전자 광학 엘리먼트들이 추가적인 진공 챔버에 제공될 수 있다. 추가적인 전자 광학 엘리먼트들은, 스티그메이터(stigmator), 색 수차 및/또는 구면 수차를 위한 보정 엘리먼트들, 및 대물 렌즈(540)의 광축에 일차 하전 입자 빔을 정렬하기 위한 정렬 디플렉터들로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
[0039] 일차 전자 빔은 대물 렌즈(540)에 의해 기판(20) 상에 포커싱(focus)될 수 있다. 기판(20)은 기판 지지부(220)의 기판 포지션 상에 포지셔닝된다. 기판(20) 상으로의 전자 빔의 충돌 시에, 신호 전자들, 예컨대 이차 및/또는 후방산란 전자들, 및/또는 x-선이 기판(20)으로부터 방출되며, 그 신호 전자들은 검출기(539)에 의해 검출될 수 있다.
[0040] 도 5에 대하여 설명되는 예시적인 실시예들에서, 집속 렌즈(523)가 제공된다. 애퍼처에 대한 빔의 정렬을 위해, 예컨대 빔 제한 애퍼처, 예컨대 빔 형상화 애퍼처와 집속 렌즈 사이에 2-스테이지 편향 시스템(미도시)이 제공될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 대물 렌즈(540)는 자기 렌즈 컴포넌트를 가질 수 있으며, 그 자기 렌즈 컴포넌트는 자극편들을 갖고 코일을 갖는다. 대물 렌즈는 기판(20) 상에 일차 전자 빔을 포커싱한다. 추가로, 상부 전극(552) 및 하부 전극(554)이 대물 렌즈(540)의 정전 렌즈 컴포넌트를 형성한다. 하부 전극(554)은 전압 공급부(미도시)에 연결된다. 대물 렌즈의 침지 렌즈 컴포넌트, 즉 저지 필드 렌즈(retarding field lens) 컴포넌트의 감속 전극인 하부 전극은 전형적으로, 기판 상에 2 keV 이하, 예컨대 500 V 또는 1 keV의 랜딩 에너지(landing energy)의 하전 입자들을 제공하기 위한 전위에 있다. 대물 렌즈는, 예컨대 축방향 갭 또는 반경방향 갭을 갖는 정전-자기식 복합 렌즈일 수 있거나, 또는 대물 렌즈는 정전식 저지 필드 렌즈일 수 있다.
[0041] 추가로, 스캐닝 디플렉터 조립체가 제공될 수 있다. 스캐닝 디플렉터 조립체는, 예컨대, 높은 픽셀 레이트들을 위해 구성된, 자기식이지만 바람직하게는 정전식인 스캐닝 디플렉터 조립체일 수 있다. 스캐닝 디플렉터 조립체는 단일 스테이지 조립체일 수 있다. 대안적으로, 2-스테이지 또는 심지어 3-스테이지 디플렉터 조립체가 또한 스캐닝을 위해 제공될 수 있다. 각각의 스테이지는 광축을 따라 상이한 포지션에 제공될 수 있다.
[0042] 도 5에 도시된 하전 입자 빔 현미경(500)은 검출 진공 영역(530)에 검출기(539)를 포함한다. 검출기(539)는 신틸레이터 어레인지먼트(scintillator arrangement)를 포함한다. 신틸레이터 어레인지먼트는 개구(미도시), 예컨대 신틸레이터 어레인지먼트의 중심의 개구를 갖는다. 개구는 일차 하전 입자 빔 경로가 검출기를 통과하게 하는 역할을 한다. 신틸레이터 어레인지먼트는 2개 이상의 신틸레이터 세그먼트들을 갖도록 세그먼트화될 수 있다.
[0043] 기판(20), 또는 기판(20)의 부분들을 이미징할 시에, 하전 입자 빔이 충돌하는 영역 상에 전하가 축적될 수 있다. 전하 축적은 측정에 악영향을 미칠 수 있다. 예컨대, 샘플을 충전하는 것은 샘플의 전위를 변화시키고, 이는 기판 상의 일차 하전 입자 빔의 랜딩 에너지에 영향을 미친다. 추가로, 샘플의 전위를 변화시키는 것은 신호 전자들의 수집 효율을 변화시킬 수 있고, 이는 또한, 예상치 못한 방식으로 측정에 영향을 미칠 수 있고, 즉, 측정에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 기판 상의 차트를 제어하는 것이 바람직하다.
[0044] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판의 전하 제어에 대한 언급, 예컨대, 전하 제어 장치에 대한 언급은 기판으로부터의 정전하의 제거로서 이해될 수 있다.
[0045] 도 5는 진공 챔버(210) 내의 2개의 전하 제어 장치들(100)을 도시한다. 전하 제어 장치들은 하전 입자 빔 충돌로 인해 축적되었을 수 있는 전하를 기판으로부터 제거하기 위해 사용될 수 있다.
[0046] 위에서 설명된 바와 같이, 전하 제어 장치들은 회전가능 미러를 갖는다. 회전가능 미러는, 반사된 방사 빔을, 유휴 포지션으로, 예컨대 빔 블랭커 쪽으로 이동시키는 것을 가능하게 할 수 있다. 하전 입자 빔 디바이스, 예컨대 하전 입자 빔 현미경(500)에 의한 측정 동안, 광전 증배관 및 신틸레이터를 포함할 수 있는 검출기(539)가 스위치 온된다. 검출기, 예컨대 광전 증배관은 전하 제어 장치로부터 방출되는 광에 민감할 수 있다. 전하 제어 장치로부터의 방사 빔, 예컨대, VUV 램프로부터의 빔에 대한 광전 증배관의 노출을 방지하기 위해, 전하 제어 장치는 반사된 빔이 유휴 포지션에 있게 하도록 동작될 수 있으며, 여기서, 반사된 방사 빔은, 예컨대 빔 블랭커에 의해, 차단된다. 이는 광 소스로부터의 방사에 광전 증배관을 노출시키는 것을 방지한다. 본 개시내용의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 전하 제어 장치는 하전 입자 빔 디바이스, 예컨대, 전자 빔 검사(EBI)를 위한 하전 입자 빔 디바이스에서 사용될 수 있다.
[0047] 더 추가적인 실시예들에 따르면, 기판의 프로세싱, 예컨대, 기판의 이미징 또는 다른 프로세싱 단계들 동안 기판 상에 축적되었을 수 있는 전하는 정전 방전(ESD)을 초래할 수 있다. 특히, 기판 지지부, 예컨대 진공 척 또는 정전 척으로부터 기판을 분리할 시에, ESD로 인해, 높은 전압이 발생될 수 있다. 높은 전압들은 기판 상의 전자 또는 광전자 디바이스들을 파괴시킬 수 있다. 기판의 핸들링 및/또는 운송은 ESD-유발 결함들에 치명적일 수 있다. 평판 디스플레이의 기판은 유리 또는 다른 절연 재료로 제조될 수 있다. 기판의 핸들링 및 프로세싱 동안 기판의 표면들 상에 축적될 수 있는 전하들은 기판의 전기 분극을 초래할 수 있다. 이는 기판의 핸들링 및 프로세싱 동안 정전 방전(ESD)에 의한 손상의 리스크를 증가시킬 수 있다. 기판 두께가 감소되고 임계 치수가 더 작아짐에 따라, 전자 디바이스들은 ESD 손상에 더욱 더 민감하게 된다. 정전 방전(ESD)에 의한 손상의 리스크는, 예컨대, 기판의 핸들링 및/또는 운송 전에, 기판으로부터 정전하들을 제거함으로써, 감소 또는 제거될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대, 도 2a 및 도 2b에 대하여 설명된 바와 같은 진공 챔버에서의 유리 핸들링을 포함하는 프로세스들을 위해 활용될 수 있다.
[0048] 도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판, 특히 대면적 기판 상의 전하를 제어하기 위한 방법들, 및 전하 제어 장치를 동작시키는 방법들의 실시예들을 예시하는 흐름도를 도시한다. 블록(602)에 의해 표시된 바와 같이, 광 소스의 방사 빔의 발산이 미러의 만곡 표면에 의해 감소된다. 전하 제어를 위한 기판의 조사를 위해, 반사된 빔, 즉, 미러의 만곡 표면으로부터 반사된 빔이 미러의 회전에 의해 이동된다. 이는 블록(604)에 의해 표시된다.
[0049] 더 추가적인 실시예들에 따르면, 위에서 설명된 전하 제어, 예컨대, 정전하의 제거는, 클래스(class) 기판과 같은 기판의 핸들링 전에 제공된다. 특히, 전하 제거는 기판 지지부로부터 기판을 릴리즈하기 전에, 이를테면 직전에 제공된다. 부가적인 또는 대안적인 구현들에 따르면, 빔은 유휴 포지션으로 이동될 수 있다. 예컨대, 유휴 포지션은 반사된 빔을 빔 블랭커 쪽으로 지향시키는, 미러의 회전 포지션일 수 있다. 반사된 빔의 차단은 하전 입자 빔 디바이스에 의한 기판, 이를테면 대면적 기판의 이미징에 특히 유용할 수 있다.
[0050] 본 개시내용은, 진공에서 동작하는 능력, 및/또는 대면적 기판들, 특히, 1.4 m2 이상의 사이즈를 갖는 기판들, 또는 5.7 m2 이상의 사이즈를 갖는 기판들에 대해 동작하는 능력과 함께, 예컨대 정전하의 제거에 의한 전하 제어를 포함하는 여러 이점들을 갖는다. 추가로, 반사된 동작 빔은 원하는 포지션으로 이동될 수 있다. 더 추가로, 원하는 포지션은, 예컨대 VUV 램프의 광 빔에 대한 검출기의 노출을 방지하기 위한 유휴 포지션을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 전하 제어는, 하전 입자 현미경을 이용한 이미징, 이를테면 EBI, 및 ESD 이미지의 리스크가 감소된 유리 핸들링에 특히 유리할 수 있다.
[0051] 전술한 바가 일부 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 발산(divergence)을 갖는 방사 빔을 방출하는 광 소스;
    상기 방사 빔을 반사시키도록 구성된 미러(mirror) ― 상기 미러의 미러 표면의 곡률은 상기 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성됨 ―; 및
    만곡(curved) 미러를 회전가능하게 지지하도록 구성된 미러 지지부
    를 포함하며,
    상기 미러의 회전은 상기 방사 빔의 방향을 변화시키는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 미러는 초점을 갖는 포물면 미러(parabolic mirror)인,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 포물면 미러는 축-외(off-axis) 포물면 미러인,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  4. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 광 소스 및 상기 미러는, 상기 포물면 미러의 초점에 방사들의 빔의 크로스오버(crossover)가 제공되도록, 서로에 대하여 배열되는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미러 지지부는 적어도 90°만큼의 상기 미러의 회전을 위해 구성되며, 상기 미러는 유휴 포지션(idle position)으로 회전될 수 있는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 유휴 포지션에 있는 빔 블랭커(beam blanker)를 더 포함하는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미러 지지부를 시계 방향으로 그리고 반시계 방향으로 회전시키기 위한 크랭크-로커(crank-rocker) 메커니즘을 더 포함하는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 한에 있어서,
    상기 광 소스는 200 nm 미만의 50% 이상의 스펙트럼 에너지 분포를 갖는 방사 파장을 갖는 VUV 소스인,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미러 및 상기 미러 지지부는 진공 챔버에 배열되는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 진공 챔버는 대면적 기판의 로딩을 위해 구성된 슬릿 밸브를 갖는,
    진공 챔버에서 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치.
  11. 진공 챔버에 제공된 기판의 일부를 이미징하도록 구성된 하전 입자 빔 현미경; 및
    상기 진공 챔버에서 상기 기판 상의 전하를 제어하기 위한 전하 제어 장치
    를 포함하며,
    상기 전하 제어 장치는,
    발산을 갖는 방사 빔을 방출하는 광 소스;
    상기 방사 빔을 반사시키도록 구성된 미러 ― 상기 미러의 미러 표면의 곡률은 상기 방사 빔의 발산을 감소시키도록 구성됨 ―; 및
    만곡(curved) 미러를 회전가능하게 지지하도록 구성된 미러 지지부
    를 포함하며,
    상기 미러의 회전은 상기 방사 빔의 방향을 변화시키는,
    하전 입자 빔 디바이스.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 미러는 초점을 갖는 포물면 미러인,
    하전 입자 빔 디바이스.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 포물면 미러는 축-외 포물면 미러인,
    하전 입자 빔 디바이스.
  14. 제12 항 또는 제13 항에 있어서,
    상기 광 소스 및 상기 미러는, 상기 포물면 미러의 초점에 방사들의 빔의 크로스오버가 제공되도록, 서로에 대하여 배열되는,
    하전 입자 빔 디바이스.
  15. 제11 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미러 지지부는 적어도 90°만큼의 상기 미러의 회전을 위해 구성되며, 상기 미러는 유휴 포지션으로 회전될 수 있는,
    하전 입자 빔 디바이스.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 유휴 포지션에 있는 빔 블랭커를 더 포함하는,
    하전 입자 빔 디바이스.
  17. 기판 상의 전하를 제어하는 방법으로서,
    미러의 만곡 표면을 이용하여 광 소스의 방사 빔의 발산을 감소시키는 단계; 및
    상기 만곡 표면으로부터 반사되는 반사된 방사 빔을 상기 미러의 회전에 의해 상기 기판에 걸쳐 이동시키는 단계; 및
    전하 제어를 위해 상기 기판을 조사하는 단계
    를 포함하는,
    기판 상의 전하를 제어하는 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 전하 제어로 인한 정전하의 제거 후에, 기판 지지부로부터 릴리즈(release)되도록 상기 기판을 핸들링(handle)하는 단계를 더 포함하는,
    기판 상의 전하를 제어하는 방법.
  19. 제17 항 또는 제18 항에 있어서,
    유휴 포지션으로 상기 반사된 빔을 이동시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 상의 전하를 제어하는 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 반사된 빔이 상기 유휴 포지션에 있는 동안, 하전 입자 빔을 이용하여 상기 기판의 일부를 이미징하는 단계를 더 포함하는,
    기판 상의 전하를 제어하는 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11214160B2 (en) * 2020-03-05 2022-01-04 Gm Cruise Holdings Llc System for automated charging of autonomous vehicles
WO2021213673A1 (en) * 2020-04-24 2021-10-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for reducing deposition of contaminating molecules on a substrate
US11875967B2 (en) * 2020-05-21 2024-01-16 Applied Materials, Inc. System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination
TWI767779B (zh) * 2021-07-02 2022-06-11 台灣電鏡儀器股份有限公司 檢測和中和電荷裝置與其檢測和中和電荷的方法
JP2023016379A (ja) * 2021-07-21 2023-02-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 放電部位検出方法および放電部位検出装置
WO2024088718A1 (en) * 2022-10-27 2024-05-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036273A (ja) * 1998-05-15 2000-02-02 Hitachi Ltd 荷電粒子検出方法およびその装置並びに荷電粒子ビ―ムによる処理方法およびその装置
US20050006590A1 (en) * 2003-01-16 2005-01-13 Harrison Dale A. Broad band referencing reflectometer
JP2006344444A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Horon:Kk 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法
US20110079711A1 (en) * 2009-07-15 2011-04-07 Wolfram Buehler Particle beam microscopy system and method for operating the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1856702B (zh) * 2003-09-23 2010-05-26 迈特罗索尔公司 真空紫外参考反射计及其应用方法
JP2005174591A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Horon:Kk 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法
US7589322B2 (en) 2005-06-29 2009-09-15 Horiba, Ltd. Sample measuring device
JP2011060555A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tokuyama Corp 真空紫外線の検出方法および走査電子顕微鏡
US9148941B2 (en) * 2013-01-22 2015-09-29 Asml Netherlands B.V. Thermal monitor for an extreme ultraviolet light source
TWI527085B (zh) * 2013-08-27 2016-03-21 Toshiba Kk Inspection device and inspection method
CN106373848B (zh) * 2016-11-10 2018-05-22 中国原子能科学研究院 采用等离子体中和的电子显微镜装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036273A (ja) * 1998-05-15 2000-02-02 Hitachi Ltd 荷電粒子検出方法およびその装置並びに荷電粒子ビ―ムによる処理方法およびその装置
US20050006590A1 (en) * 2003-01-16 2005-01-13 Harrison Dale A. Broad band referencing reflectometer
JP2006344444A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Horon:Kk 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法
US20110079711A1 (en) * 2009-07-15 2011-04-07 Wolfram Buehler Particle beam microscopy system and method for operating the same

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