KR20190109328A - Method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a method for processing a substrate. According to the present invention, the method for processing a substrate comprises: a liquid processing step of supplying a processing liquid to the substrate in a liquid processing chamber to liquid-process the substrate; a conveying step of conveying the substrate from the liquid processing chamber to a drying chamber; and a drying step of drying the substrate in the drying chamber. In the drying step, the substrate is dried in a state in which an edge region of the substrate, except for a central region of the substrate, is supported by a support unit. In the liquid processing step, when the liquid processing is completed in the liquid processing chamber, the substrate is liquid-processed such that the height of the processing liquid remaining in the edge region of the substrate is higher than the height of the processing liquid remaining in the central region of the substrate.

Description

기판 처리 방법{Method for treating a substrate}Method for treating a substrate

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리 한 후 액을 제거하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for supplying a liquid to a substrate to remove the liquid after the liquid treatment.

반도체 공정은 기판 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 세정하는 공정을 포함한다. 이들 공정은 패턴 면이 위 또는 아래를 향하도록 기판을 스핀 헤드 상에 놓고, 스핀 헤드를 회전시킨 상태에서 기판 상에 처리액을 공급하고, 이후 웨이퍼를 건조함으로써 이루어진다The semiconductor process includes a process of cleaning a thin film, foreign matter, particles, and the like on a substrate. These processes are performed by placing the substrate on the spin head with the pattern side facing up or down, supplying the processing liquid onto the substrate with the spin head rotated, and then drying the wafer.

최근에는 기판을 세정하는 공정에 초임계가 사용된다. 일 예에의하면, 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버와 액 처리 후에 초임계상태의 유체를 이용하여 기판으로부터 처리액을 제거하는 건조 챔버가 각각 제공되고, 액 처리 챔버에서 처리가 완료된 기판은 반송 로봇에 의해 건조 챔버로 반입된다. Recently, supercritical is used in the process of cleaning a substrate. According to one example, a liquid processing chamber for supplying a processing liquid to a substrate and processing the substrate and a drying chamber for removing the processing liquid from the substrate using a supercritical fluid after the liquid processing are provided, respectively. The processed substrate is brought into the drying chamber by a transfer robot.

도 17은 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정이 수행되는 건조 챔버(1000)의 일 예를 보여준다. 건조 챔버(1000)는 내부에 기판을 지지하는 지지 유닛(1200)을 가지며, 지지 유닛(1200)은 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역을 지지한다. 17 shows an example of a drying chamber 1000 in which a drying process of drying a substrate using a supercritical fluid is performed. The drying chamber 1000 has a support unit 1200 supporting a substrate therein, and the support unit 1200 supports an edge region of the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG.

기판(W)에서 처리액을 제거할 때에 기판(W)의 전체 영역에서 처리액이 모두 초임계 유체에 의해 제거되는 것이 바람직하다. 기판(W) 상의 처리액이 초임계 유체에 의해 제거되지 않고 자연 건조 또는 가열 등에 의해 제거되면 도 18의 'A'와 같이 패턴이 기울어지는 리닝(leaning) 현상이 발생된다.When removing the processing liquid from the substrate W, it is preferable that all of the processing liquid is removed by the supercritical fluid in the entire region of the substrate W. When the treatment liquid on the substrate W is not removed by the supercritical fluid but is naturally dried or heated, a lining phenomenon in which the pattern is inclined as shown in FIG. 18A occurs.

도 17과 같은 구조의 건조 챔버(1000)를 사용하여 기판 상에서 처리액을 제거할 때에 기판(W)이 지지 유닛(1200)에 놓이면 도 19와 같이 기판(W)의 중앙 영역이 아래 방향으로 볼록하도록 기판(W)이 휘어진다. 기판(W)의 휨에 의해 기판(W)의 가장자리 영역에 잔류하는 처리액의 일부가 기판(W)의 중앙 영역으로 흐른다. 이 경우, 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액이 두께가 얇아져 초임계 유체가 공급되기 전에 기판(W)의 가장자리 영역이 자연 건조된다. 또한, 기판(W)의 중앙 영역에서는 다량의 처리액이 제거하여야 하므로, 처리액의 건조에 많은 시간이 소요된다. 기(W)판의 직경이 커질수록 이와 같은 문제는 더 커진다. When the substrate W is placed on the support unit 1200 when the processing liquid is removed from the substrate using the drying chamber 1000 having the structure as illustrated in FIG. 17, the central region of the substrate W is convex downward as shown in FIG. 19. The substrate W is bent so as to bend. A part of the processing liquid remaining in the edge region of the substrate W flows to the center region of the substrate W due to the bending of the substrate W. As shown in FIG. In this case, the processing liquid becomes thin in the edge region of the substrate W so that the edge region of the substrate W is naturally dried before the supercritical fluid is supplied. In addition, since a large amount of processing liquid must be removed in the central region of the substrate W, it takes a long time to dry the processing liquid. The larger the diameter of the base plate, the greater the problem.

또한, 초임계 챔버(1000)는 그 내부로 처리액 제거를 위해 공급된 유체를 초임계 상태로 유지하기 위해 가열된다. 이 경우 챔버(1000)의 외벽 및 지지 유닛(1200)과 같은 구조물은 챔버(1000)의 내부 공간에 비해 온도가 더 높으므로 지지 유닛(1200)과 접촉되는 기판(W)의 가장자리 영역은 가열에 의해 더 많은 량의 처리액이 증발되므로, 이 영역은 가열에 의해 건조되거나 자연 건조되기 쉽다. In addition, the supercritical chamber 1000 is heated to maintain the fluid supplied therein for processing liquid removal therein in a supercritical state. In this case, structures such as the outer wall of the chamber 1000 and the support unit 1200 have a higher temperature than the inner space of the chamber 1000, so that the edge region of the substrate W that is in contact with the support unit 1200 may not be heated. Since a larger amount of the treatment liquid is evaporated, this region is likely to be dried or naturally dried by heating.

또한, 기판의 저면 전체 영역을 지지하여 초임계 유체로 기판을 건조할 때에도 다음과 같은 문제가 발생된다. 처리액으로 기판(W)을 처리한 후 기판을 건조하여 처리액을 기판 상에서 제거할 때, 기판 상에 잔류하는 처리액의 액량이 많은 경우에는 건조에 많은 시간이 소요된다. 건조 시간을 줄이기 위해 처리액을 소량 사용하여 기판을 처리하는 경우 기판 상에 잔류하는 액이 처리액으로 충분히 치환되지 않는다. In addition, the following problem occurs when the substrate is dried with a supercritical fluid by supporting the entire bottom surface of the substrate. When the substrate W is treated with the treatment liquid and then the substrate is dried to remove the treatment liquid from the substrate, when the liquid amount of the treatment liquid remaining on the substrate is large, drying takes a long time. When the substrate is treated with a small amount of the treatment liquid to reduce the drying time, the liquid remaining on the substrate is not sufficiently substituted with the treatment liquid.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조시 건조 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can improve the drying efficiency when drying a substrate using a supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역이 자연 건조되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of preventing the edge region of the substrate from being naturally dried.

또한, 본 발명은 기판을 건조시 처리액의 제거에 많은 시간이 소요되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus that can prevent a large amount of time is required to remove the processing liquid when the substrate is dried.

또한, 본 발명은 액 처리 챔버에서 건조 챔버로 기판이 반입될 때 기판 상에 잔류하는 액량을 설정량으로 조절할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of adjusting the amount of liquid remaining on the substrate to a predetermined amount when the substrate is brought into the drying chamber from the liquid processing chamber.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 액 처리 챔버에서 기판에 처리액이 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 단계, 상기 액 처리 챔버에서 건조 챔버로 기판을 반송하는 반송 단계, 상기 건조 챔버에서 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하되, 상기 건조 단계는 상기 기판의 중앙 영역을 제외한 상기 기판의 가장자리 영역을 지지유닛에 의해 지지한 상태에서 상기 기판을 건조하고, 상기 액 처리 단계는 상기 액 처리 챔버에서 상기 액 처리가 완료될 때에, 상기 기판의 가장자리 영역에 잔류하는 상기 처리액의 높이가 상기 기판의 중앙 영역에 잔류하는 상기 처리액의 높이보다 높도록 상기 기판을 액 처리한다.The present invention provides a method of treating a substrate. According to one embodiment, the substrate processing method is a liquid processing step of supplying the processing liquid to the substrate in the liquid processing chamber to process the liquid, the conveying step of conveying the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber, wherein the drying chamber in the And a drying step of drying the substrate, wherein the drying step dries the substrate in a state in which an edge region of the substrate is supported by a support unit, except for the central region of the substrate, and the liquid treatment step includes the liquid processing chamber. When the liquid treatment is completed, the substrate is subjected to the liquid treatment so that the height of the treatment liquid remaining in the edge region of the substrate is higher than the height of the treatment liquid remaining in the central region of the substrate.

일 예에 의하면, 상기 액 처리 단계는 상기 기판이 회전되고 상기 기판을 향해 상기 처리액이 공급되는 액 공급단계와 상기 액 공급단계 이후에 상기 기판이 회전되고 상기 처리액의 공급이 중지되는 액량 조절단계를 포함할 수 있다. In one embodiment, the liquid treatment step is a liquid supply step of rotating the substrate and supplied with the processing liquid toward the substrate, and after the liquid supplying step, the substrate is rotated and the supply of the processing liquid is stopped. It may include a step.

일 예에 의하면, 상기 액 공급단계에서 상기 기판은 제1속도로 회전되고, 상기 액량 조절 단계에서 상기 기판은 제2속도로 회전되며, 상기 제2속도는 상기 제1속도보다 느리게 제공될 수 있다.In an embodiment, the substrate may be rotated at a first speed in the liquid supplying step, the substrate may be rotated at a second speed in the liquid amount adjusting step, and the second speed may be provided slower than the first speed. .

일 예에 의하면, 상기 액 공급단계는 상기 기판이 제1회전속도로 회전되고 상기 기판을 향해 제1공급유량으로 상기 처리액이 공급되는 제1공급단계와 상기 기판이 제2회전속도로 회전되고 상기 기판을 향해 제2공급유량으로 처리액이 공급되는 제2공급단계를 포함하고, 상기 제1회전속도는 상기 제2회전속도보다 빠르고, 상기 제1공급유량은 상기 제2공급유량보다 많을 수 있다. In one embodiment, the liquid supplying step is the first supplying step in which the substrate is rotated at a first rotational speed and the processing liquid is supplied at a first supply flow rate toward the substrate and the substrate is rotated at a second rotational speed And a second supply step of supplying a processing liquid to the substrate at a second supply flow rate, wherein the first rotation speed is faster than the second rotation speed and the first supply flow rate is greater than the second supply flow rate. have.

일 예에 의하면, 상기 액 처리 단계에서는 중앙 노즐과 가장자리 노즐로부터 동시에 기판으로 처리액을 공급하되, 상기 중앙 노즐은 회전되는 기판의 중앙 영역으로 처리액을 공급하고, 상기 가장자리 노즐은 회전되는 기판의 가장자리 영역으로 처리액을 공급하며, 상기 가장자리 노즐에서 공급되는 처리액의 단위시간당 공급량은 중앙 노즐에서 공급되는 처리액의 단위시간당 공급량보다 많을 수 있다. In one embodiment, in the liquid processing step, the processing liquid is simultaneously supplied to the substrate from the center nozzle and the edge nozzle, wherein the central nozzle supplies the processing liquid to the center region of the substrate to be rotated, and the edge nozzle of the substrate is rotated. The processing liquid is supplied to the edge region, and the supply amount per unit time of the processing liquid supplied from the edge nozzle may be greater than the supply amount per unit time of the processing liquid supplied from the central nozzle.

일 예에 의하면, 상기 액 처리 단계에서 상기 처리액은 액 공급 노즐을 통해 회전되는 상기 기판으로 공급되고, 상기 액 공급 노즐로부터 공급되는 상기 처리액의 토출 위치는 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장자리 영역 간에 이동되며, 상기 기판의 가장자리 영역에 토출되는 처리액의 단위시간당 공급량이 상기 기판의 중앙 영역에 공급되는 처리액의 단위시간당 공급량보다 많도록 변경될 수 있다. According to one example, in the liquid processing step, the processing liquid is supplied to the substrate rotated through the liquid supply nozzle, and the discharge position of the processing liquid supplied from the liquid supply nozzle is the center region of the substrate and the substrate. The supply amount per unit time of the processing liquid which is moved between the edge regions and is discharged to the edge region of the substrate may be changed to be larger than the supply amount per unit time of the processing liquid supplied to the central region of the substrate.

일 예에 의하면, 상기 액 처리 단계에서는 제1액, 제2액, 그리고 제3액을 순차적으로 기판에 공급하여 기판을 처리하며, 상기 처리액은 상기 제3액이고, 상기 건조 단계에서는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하고, 상기 제3액은 상기 제2액에 비해 상기 초임계 유체에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. In one embodiment, in the liquid treatment step, the first liquid, the second liquid, and the third liquid are sequentially supplied to the substrate to process the substrate, the treatment liquid is the third liquid, and in the drying step, the supercritical The substrate is dried using a fluid, and the third liquid may be a liquid that is better dissolved in the supercritical fluid than the second liquid.

일 예에 의하면, 상기 제3액은 이소프로필 알코올을 포함하고, 상기 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다. In one example, the third liquid may include isopropyl alcohol, and the supercritical fluid may be carbon dioxide.

일 예에 의하면, 상기 처리액은 상기 기판에 잔류한 상태로 상기 건조 챔버 내로 반송될 수 있다. In one example, the treatment liquid may be conveyed into the drying chamber in a state of remaining on the substrate.

일 예에 의하면, 상기 제1액은 식각액이고, 상기 제2액은 상기 제1액을 중화시키고 상기 제1액에 비해 상기 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. In some embodiments, the first liquid may be an etchant, and the second liquid may be a solution that neutralizes the first liquid and is more soluble in the third liquid than the first liquid.

일 예에 의하면, 상기 기판이 상기 건조 챔버에 반입될 때 상기 기판의 가장자리 영역에서 처리액의 높이가 상기 기판의 중앙 영역에서 처리액의 높이보다 높도록 제공될 수 있다. According to an example, when the substrate is loaded into the drying chamber, the height of the processing liquid in the edge region of the substrate may be provided to be higher than the height of the processing liquid in the central region of the substrate.

일 예에 의하면, 상기 제2속도는 10 내지 100 RPM일 수 있다.According to one example, the second speed may be 10 to 100 RPM.

일 예에 의하면, 상기 제1속도는 200 RPM 이상일 수 있다. In one example, the first speed may be 200 RPM or more.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리 하는 액 처리 챔버, 상기 기판으로부터 상기 처리액을 제거하는 건조 챔버, 상기 액 처리 챔버와 상기 건조 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 유닛, 상기 액 처리 챔버, 상기 건조 챔버, 그리고 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 처리 챔버는 내부에 처리 공간을 제공하는 컵, 상기 처리 공간에 기판을 지지하고 기판을 회전시키는 지지 유닛, 상기 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 건조 챔버는 내부에 내부 공간을 가지는 바디, 상기 내부 공간에서 기판의 가장자리 영역을 지지하는 지지체, 상기 내부 공간으로 건조용 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 내부 공간 내의 유체를 배기하는 배기 유닛을 포함하고, 상기 제어기는 상기 액 처리 챔버에서 기판에 처리액이 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 단계, 상기 액 처리 챔버에서 상기 건조 챔버로 기판을 반송하는 반송 단계, 그리고 상기 건조 챔버에서 상기 기판을 건조하는 건조 단계가 순차적으로 이루어지고, 상기 액 처리 단계는 상기 액 처리 챔버에서 액 처리가 완료될 때에 상기 기판의 가장자리 영역에 잔류하는 상기 처리액의 높이가 상기 기판의 중앙 영역에 잔류하는 상기 처리액의 높이보다 높도록 상기 액 처리 챔버, 상기 건조 챔버, 그리고 상기 반송 유닛을 제어한다. ,The present invention also provides an apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, the substrate processing apparatus supplies a liquid processing chamber for supplying a processing liquid to a substrate to process the substrate, a drying chamber for removing the processing liquid from the substrate, and transferring the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber. And a controller to control the conveying unit, the liquid processing chamber, the drying chamber, and the conveying unit, wherein the liquid processing chamber is configured to provide a processing space therein, a substrate supporting the processing space and rotating the substrate. And a support unit for supplying a processing liquid to the substrate, wherein the drying chamber includes a body having an internal space therein, a support for supporting an edge region of the substrate in the internal space, and a drying unit for the internal space. A fluid supply unit for supplying a fluid, and an exhaust unit for exhausting the fluid in the internal space, wherein the controller A liquid processing step of processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate in the liquid processing chamber, a conveying step of conveying the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber, and a drying step of drying the substrate in the drying chamber The liquid treatment step is performed sequentially, the height of the processing liquid remaining in the edge region of the substrate when the liquid processing is completed in the liquid processing chamber is higher than the height of the processing liquid remaining in the central region of the substrate The liquid processing chamber, the drying chamber, and the conveying unit. ,

일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 액 처리 단계가 상기 기판이 회전되고 상기 기판을 향해 상기 처리액이 공급되는 액 공급단계와, 상기 액 공급단계 이후에 상기 기판이 회전되고 상기 처리액의 공급이 중지되는 액량 조절단계를 포함하도록 상기 액 처리 챔버를 제어할 수 있다. According to an example, the controller may include a liquid supply step in which the liquid processing step is rotated and the processing liquid is supplied toward the substrate, and after the liquid supply step, the substrate is rotated and supply of the processing liquid is performed. The liquid processing chamber may be controlled to include a liquid level adjusting step that is stopped.

일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 액 공급단계에서의 상기 기판의 회전속도가 상기 액량 조절단계에서의 상기 기판의 회전속도보다 빠르도록 상기 액 처리 챔버를 제어할 수 있다. In an example, the controller may control the liquid processing chamber so that the rotational speed of the substrate in the liquid supplying step is faster than the rotational speed of the substrate in the liquid level adjusting step.

일 예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은 상기 기판의 중앙 영역으로 처리액을 공급하는 중앙 노즐과 상기 기판의 가장자리 영역으로 처리액을 공급하는 가장자리 노즐을 포함하고, 상기 제어기는 상기 액 공급단계에서 상기 중앙 노즐이 회전되는 상기 기판의 중앙 영역으로 처리액을 공급하고, 이와 동시에 상기 가장자리 노즐이 회전되는 기판의 가장자리 영역으로 처리액을 공급하되, 상기 가장자리 노즐에서 공급되는 처리액의 단위시간당 공급량이 상기 중앙 노즐에서 공급되는 처리액의 단위시간당 공급량보다 많도록 상기 액 처리 챔버를 제어할 수 있다. According to one example, the liquid supply unit includes a central nozzle for supplying the processing liquid to the center region of the substrate and the edge nozzle for supplying the processing liquid to the edge region of the substrate, the controller in the liquid supply step The processing liquid is supplied to the central region of the substrate on which the central nozzle is rotated, and at the same time, the processing liquid is supplied to the edge region of the substrate on which the edge nozzle is rotated. The liquid processing chamber may be controlled to be larger than the supply amount per unit time of the processing liquid supplied from the central nozzle.

일 예에 의하면, 상기 액 처리 단계에서는 제1액, 제2액, 그리고 제3액을 순차적으로 기판에 공급하여 기판을 처리하며, 상기 처리액은 상기 제3액이고, 상기 건조 단계에서는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하고, 상기 제3액은 상기 제2액에 비해 상기 초임계 유체에 더 잘 용해되는 액이며, 상기 처리액은 상기 기판에 잔류한 상태로 상기 건조 챔버 내로 반송될 수 있다. In one embodiment, in the liquid treatment step, the first liquid, the second liquid, and the third liquid are sequentially supplied to the substrate to process the substrate, the treatment liquid is the third liquid, and in the drying step, the supercritical The substrate is dried using a fluid, and the third liquid is a liquid that dissolves better in the supercritical fluid than the second liquid, and the processing liquid can be returned into the drying chamber while remaining on the substrate. have.

다른 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 액 처리 챔버에서 기판에 처리액이 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 공정, 상기 액 처리 공정 이후에, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 처리액의 액량을 조절하는 액량 조절 공정, 그리고 상기 기판 상에서 처리액을 제거하는 건조 공정을 포함하되, 상기 액량 조절 공정은 상기 기판 상으로 상기 처리액의 공급을 중지한 상태에서 상기 기판을 회전시켜 수행된다. According to another embodiment, the substrate processing method is a liquid processing step of supplying a processing liquid to the substrate in the liquid processing chamber to process the liquid, and after the liquid processing process, to adjust the liquid amount of the processing liquid remaining on the substrate And a drying step of removing the processing liquid from the substrate, wherein the liquid volume adjusting process is performed by rotating the substrate while the supply of the processing liquid is stopped onto the substrate.

일 예에 의하면, 상기 액량 조절 단계에서 상기 기판 상에 잔류시키는 액량은 상기 기판의 회전속도를 조절하여 이루어질 수 있다. According to one example, the liquid amount remaining on the substrate in the liquid amount adjusting step may be made by adjusting the rotational speed of the substrate.

일 예에 의하면, 상기 건조 공정 진행 전에 설정된 상기 기판 상의 처리액의 액량이 제1유량인 경우 상기 액량 조절 공정에서 상기 기판의 회전 속도는 제1설정속도이고, 상기 건조 공정 진행 전에 설정된 상기 기판 상의 처리액의 액량이 제2유량인 경우 상기 액량 조절 공정에서 상기 기판의 회전 속도는 제2설정속도이되, 상기 제1유량은 상기 제2유량보다 많고, 상기 제1설정속도는 상기 제2설정속도보다 작을 수 있다. According to an example, when the liquid amount of the processing liquid on the substrate set before the drying process is the first flow rate, the rotation speed of the substrate in the liquid amount adjusting process is a first set speed, and on the substrate set before the drying process proceeds. When the liquid amount of the processing liquid is the second flow rate, the rotation speed of the substrate becomes a second set speed in the liquid flow rate adjusting process, the first flow rate is greater than the second flow rate, and the first set speed is the second set speed. Can be less than

일 예에 의하면, 상기 액 처리 공정과 상기 액량 조절 공정은 액 처리 챔버에서 이루어지고, 상기 건조 공정은 건조 챔버에서 이루어지며, 상기 액 처리 챔버에서 상기 액량 조절 공정이 완료된 기판은 반송 로봇에 의해 상기 건조 챔버로 반송될 수 있다. According to one example, the liquid treatment process and the liquid volume control process is performed in the liquid processing chamber, the drying process is performed in a drying chamber, the substrate in which the liquid volume control process is completed in the liquid processing chamber by the transfer robot Can be returned to the drying chamber.

일 예에 의하면, 상기 액량 조절 공정에서 기판의 회전 속도는 상기 액 처리 공정에서 상기 기판의 회전속도보다 낮을 수 있다. In example embodiments, the rotation speed of the substrate may be lower than the rotation speed of the substrate in the liquid treatment process.

일 예에 의하면, 상기 액 처리 공정에서 제1액, 제2액, 그리고 제3액을 순차적으로 기판에 공급하여 기판을 처리하며, 상기 처리액은 상기 제3액이고, 상기 건조 공정에서는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하고, 상기 제3액은 상기 제2액에 비해 상기 초임계 유체에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. According to one embodiment, in the liquid treatment process, the first liquid, the second liquid, and the third liquid are sequentially supplied to the substrate to treat the substrate, the treatment liquid is the third liquid, and in the drying process supercritical The substrate is dried using a fluid, and the third liquid may be a liquid that is better dissolved in the supercritical fluid than the second liquid.

일 예에 의하면, 상기 기판이 상기 건조 챔버에 반입될 때 상기 기판의 가장자리 영역에서 처리액의 높이가 상기 기판의 중앙 영역에서 처리액의 높이보다 높도록 제공될 수 있다.According to an example, when the substrate is loaded into the drying chamber, the height of the processing liquid in the edge region of the substrate may be provided to be higher than the height of the processing liquid in the central region of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조시 건조 효율을 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the drying efficiency may be improved when the substrate is dried using a supercritical fluid.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 건조시 기판의 가장자리 영역이 자연 건조되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the edge region of the substrate to naturally dry when drying the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 건조시 처리액의 제거에 많은 시간이 소요되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent a large amount of time is required to remove the processing liquid when the substrate is dried.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 액 처리 챔버에서 건조 챔버로 기판을 반입할 때 기판 상에 잔류하는 처리액의 량을 설정량으로 조절하여 건조 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, the drying efficiency can be improved by adjusting the amount of the processing liquid remaining on the substrate to a predetermined amount when the substrate is brought into the drying chamber from the liquid processing chamber.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우차트이다.
도 5와 도 6은 각각 액 공급 단계와 액량 조절 단계에서 기판의 처리를 보여주는 도면이다.
도 7은 액 공급 단계에서 기판의 회전 속도의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 11은 각각 액 공급 단계, 액량 조절 단계, 그리고 반송 단계, 그리고 건조 단계에서 기판 상에서 처리액의 높이의 변동에 의해 설명한다
도 12 내지 도 15는 액 처리 챔버에서 기판에 처리액을 공급하는 다양한 변형예들을 보여주는 도면들이다.
도 16은 액량 조절 공정에서 기판의 회전수와 액량 조절 후 기판 상에 잔류하는 처리액의 무게 간의 관계를 보여준다.
도 17은 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정이 수행되는 일반적인 건조 챔버의 일 예를 보여준다
도 18은 자연 건조될 때 기판에서 발생되는 리닝 현상을 보여주는 도면이다.
도 19는 도 17의 장치에서 건조 공정 수행시 기판 상의 처리액의 상태를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1.
3 is a view schematically showing an embodiment of the drying chamber of FIG. 1.
4 is a flowchart showing an example of a substrate processing method.
5 and 6 are views showing the processing of the substrate in the liquid supplying step and the liquid level adjusting step, respectively.
7 is a view showing an example of the rotational speed of the substrate in the liquid supply step.
8 to 11 illustrate the variation of the height of the processing liquid on the substrate in the liquid supplying step, the liquid level adjusting step, the conveying step, and the drying step, respectively.
12 to 15 illustrate various modifications of supplying a processing liquid to a substrate in a liquid processing chamber.
16 shows the relationship between the rotational speed of the substrate and the weight of the treatment liquid remaining on the substrate after the liquid volume adjustment in the liquid volume control process.
17 shows an example of a general drying chamber in which a drying process of drying a substrate using a supercritical fluid is performed.
18 illustrates a lining phenomenon occurring in a substrate when it is naturally dried.
19 is a view showing a state of a processing liquid on a substrate when a drying process is performed in the apparatus of FIG. 17.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes an index module 10, a processing module 20, and a controller 30. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are disposed is referred to as a first direction 92, and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as a second direction 94. The direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 conveys the substrate W to the processing module 20 from the container 80 in which the substrate W is stored, and returns the substrate W on which the processing is completed by the processing module 20 to the container 80. I receive it. The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a loadport 12 and an index frame 14. The load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 with respect to the index frame 14. The container 80 containing the substrates W is placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, a sealed container such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed on the load port 12 by an operator (not shown) or operator, such as an overhead transfer, overhead conveyor, or automatic guided vehicle. Can be.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The index robot 14 is provided with an index robot 120. In the index frame 14, a guide rail 140 provided in a length direction in the second direction 94 may be provided, and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and the third direction 96. It may be provided to be movable along. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 건조 챔버(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, a liquid processing chamber 400, and a drying chamber 500. The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W carried into the processing module 20 and the substrate W carried out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 supplies a liquid onto the substrate W to perform a liquid processing process of liquid treating the substrate W. The drying chamber 500 performs a drying process for removing the liquid remaining on the substrate (W). The transfer chamber 300 conveys the substrate W between the buffer unit 200, the liquid processing chamber 400, and the drying chamber 500.

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 건조 챔버(500)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The conveyance chamber 300 may be provided in a length direction of the first direction 92. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 and the drying chamber 500 may be disposed at the side of the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94. The drying chamber 500 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94. The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 건조 챔버(500)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 챔버(400)들은 건조 챔버(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 챔버(300)의 일측에서 건조 챔버(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 챔버(300)의 일측에는 액 처리 챔버(400)들만 제공되고, 그 타측에는 건조 챔버(500)들만 제공될 수 있다.According to an example, the liquid processing chambers 400 are disposed at both sides of the conveying chamber 300, the drying chambers 500 are disposed at both sides of the conveying chamber 300, and the liquid processing chambers 400 are formed in the drying chamber ( It may be disposed at a position closer to the buffer unit 200 than the 500. At one side of the transfer chamber 300, the liquid processing chambers 400 may be provided in an AXB (A, B is one or more than one natural number, respectively) arrangement along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. have. In addition, the drying chambers 500 at one side of the transfer chamber 300 may be provided with CXDs (C and D are respectively 1 or greater than 1 respectively) along the first direction 92 and the third direction 96. have. Unlike the above, only the liquid processing chambers 400 may be provided at one side of the transfer chamber 300, and only the drying chambers 500 may be provided at the other side thereof.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. In the transfer chamber 300, a guide rail 340 provided in a first direction 92 in a longitudinal direction may be provided, and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and the third direction 96. It may be provided to be movable along. A plurality of hands 322 may be provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has a front face and a rear face open. The front face is a face facing the index module 10 and the back face is a face facing the conveyance chamber 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front surface, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear surface.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.FIG. 2 is a schematic view of one embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the liquid processing chamber 400 has a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a liquid supply unit 460, and a lifting unit 480. The housing 410 is generally provided in a cuboid shape. The cup 420, the support unit 440, and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리 된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the liquid onto the substrate W supported by the support unit 440. The liquid may be provided in plural kinds, and may be sequentially supplied onto the substrate W. FIG. The elevating unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery containers 422, 424, 426. The recovery bins 422, 424, 426 each have a recovery space for recovering the liquid used for the substrate processing. Each recovery container 422, 424, 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. As the liquid treatment process proceeds, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of the recovery vessels 422, 424, and 426. According to one example, the cup 420 has a first collection container 422, a second collection container 424, and a third collection container 426. The first recovery container 422 is disposed to surround the support unit 440, the second recovery container 424 is disposed to surround the first recovery container 422, and the third recovery container 426 is the second recovery container 426. It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection container 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection container 422, and the third collection container 426. The third inlet 426a for introducing the liquid into the upper portion may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The top surface of the support plate 442 may be provided in a generally circular shape and have a diameter larger than that of the substrate W. FIG. A support pin 442a for supporting a rear surface of the substrate W is provided at a central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has a support plate (the upper end of which is spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance). Protrude from 442. The chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442, and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 건조 챔버(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 건조 챔버(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필 알코올일 수 있다. 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다. In one example, the liquid supply unit 460 has a first nozzle 462, a second nozzle 464, and a third nozzle 466. The first nozzle 462 supplies the first liquid onto the substrate (W). The first liquid may be a liquid for removing a film or foreign matter remaining on the substrate W. FIG. The second nozzle 464 supplies the second liquid onto the substrate (W). The second liquid may be a liquid that is well dissolved in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that dissolves better in the third liquid than the first liquid. The second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid supplied on the substrate W. FIG. In addition, the second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid and at the same time dissolves better in the third liquid than the first liquid. In one example, the second liquid may be water. The third nozzle 466 supplies the third liquid onto the substrate W. The third liquid may be a liquid that is well dissolved in the supercritical fluid used in the drying chamber 500. For example, the third liquid may be a liquid that is more soluble in the supercritical fluid used in the drying chamber 500 than the second liquid. In one example, the third liquid may be an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol. The first nozzle 462, the second nozzle 464, and the third nozzle 466 are supported by different arms 461, and these arms 461 may be moved independently. Optionally, the first nozzle 462, the second nozzle 464, and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420. As a result, the recovery containers 422, 424, and 426 for collecting the processing liquid are changed according to the type of the liquid supplied to the substrate W, so that the liquids can be separated and recovered. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

도 3은 도 1의 건조 챔버(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 건조 챔버(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 건조 챔버(500)는 바디(520), 지지체(540), 유체 공급 유닛(560), 그리고 차단 플레이트(580)를 가진다. 3 is a view schematically showing an embodiment of the drying chamber 500 of FIG. 1. According to an embodiment, the drying chamber 500 removes the liquid on the substrate W using a supercritical fluid. The drying chamber 500 has a body 520, a support 540, a fluid supply unit 560, and a blocking plate 580.

바디(520)는 건조 공정이 수행되는 내부 공간(502)을 제공한다. 바디(520)는 상체(522, upper body)와 하체(524, lower body)를 가지며, 상체(522)와 하체(524)는 서로 조합되어 상술한 내부 공간(502)을 제공한다. 상체(522)는 하체(524)의 상부에 제공된다. 상체(522)는 그 위치가 고정되고, 하체(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하체(524)가 상체(522)로부터 이격되면 내부 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 공정 진행시에는 하체(524)가 상체(522)에 밀착되어 내부 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 건조 챔버(500)는 히터(570)를 가진다. 일 예에 의하면, 히터(570)는 바디(520)의 벽 내부에 위치된다. 히터(570)는 바디(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 바디(520)의 내부 공간(502)을 가열한다.Body 520 provides an interior space 502 where a drying process is performed. The body 520 has an upper body 522 and an lower body 524, and the upper body 522 and the lower body 524 are combined with each other to provide the internal space 502 described above. Upper body 522 is provided on top of lower body 524. The upper body 522 is fixed in position, and the lower body 524 may be lifted up and down by a driving member 590 such as a cylinder. When the lower body 524 is spaced apart from the upper body 522, the internal space 502 is opened, and the substrate W is loaded or unloaded at this time. During the process, the lower body 524 is in close contact with the upper body 522 to seal the internal space 502 from the outside. The drying chamber 500 has a heater 570. In one example, the heater 570 is located inside the wall of the body 520. The heater 570 heats the internal space 502 of the body 520 such that the fluid supplied into the internal space of the body 520 maintains a supercritical state.

지지체(540)는 바디(520)의 내부 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지체(540)는 고정 로드(542)와 거치대(544)를 가진다. 고정 로드(542)는 상체(522)의 저면으로부터 아래로 돌출되도록 상체(522)에 고정 설치된다. 고정 로드(542)는 그 길이방향이 상하 방향으로 제공된다. 고정 로드(542)는 복수 개 제공되며 서로 이격되게 위치된다. 고정 로드(542)들은 이들에 의해 둘러싸인 공간으로 기판(W)이 반입 또는 반출될 때, 기판(W)이 고정 로드(542)들과 간섭하지 않도록 배치된다. 각각의 고정 로드(542)에는 거치대(544)가 결합된다. 거치대(544)는 고정 로드(542)의 하단으로부터 고정 로드(542)들에 의해 둘러싸인 공간을 향하는 방향으로 연장된다. 상술한 구조로 인해, 바디(520)의 내부 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(544) 상에 놓이고, 기판(W)의 상면 전체 영역, 기판(W)의 저면 중 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역의 일부는 내부 공간(502)으로 공급된 건조용 유체에 노출된다. The support 540 supports the substrate W in the internal space 502 of the body 520. The support 540 has a fixed rod 542 and a cradle 544. The fixed rod 542 is fixed to the upper body 522 to protrude downward from the bottom of the upper body 522. The fixed rod 542 is provided in the longitudinal direction in the vertical direction. A plurality of stationary rods 542 are provided and are spaced apart from each other. The fixed rods 542 are disposed so that the substrate W does not interfere with the fixed rods 542 when the substrate W is brought in or taken out into the space surrounded by them. A cradle 544 is coupled to each fixed rod 542. The cradle 544 extends from the lower end of the fixing rod 542 toward the space surrounded by the fixing rods 542. Due to the above-described structure, the substrate W carried into the internal space 502 of the body 520 has its edge area on the holder 544, and the entire upper surface area of the substrate W, the substrate W. The central region of the bottom of the substrate and a portion of the edge region of the bottom of the substrate W are exposed to the drying fluid supplied to the internal space 502.

유체 공급 유닛(560)은 바디(520)의 내부 공간(502)으로 건조용 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 건조용 유체는 초임계 상태로 내부 공간(502)으로 공급될 수 있다. 이와 달리 건조용 유체는 가스 상태로 내부 공간(502)으로 공급되고, 내부 공간(502) 내에서 초임계 상태로 상변화될 수 있다. 일 예에 의하면, 유체 공급 유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 분기 라인(564), 그리고 하부 분기 라인(566)을 가진다. 상부 분기 라인(564)과 하부 분기 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 분기 라인(564)은 상체(522)에 결합되어 지지체(540)에 놓인 기판(W)의 상부에서 건조용 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 상부 분기 라인(564)은 상체(522)의 중앙에 결합된다. 하부 분기 라인(566)은 하체(524)에 결합되어 지지체(540)에 놓인 기판(W)의 하부에서 건조용 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 하부 분기 라인(566)은 하체(524)의 중앙에 결합된다. 하체(524)에는 배기 라인(550)이 결합된다. 바디(520)의 내부 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인(550)을 통해서 바디(520)의 외부로 배기된다.The fluid supply unit 560 supplies a drying fluid to the interior space 502 of the body 520. According to one example, the drying fluid may be supplied to the internal space 502 in a supercritical state. Alternatively, the drying fluid may be supplied to the internal space 502 in a gas state and phase-changed to a supercritical state in the internal space 502. According to one example, the fluid supply unit 560 has a main supply line 562, an upper branch line 564, and a lower branch line 566. The upper branch line 564 and the lower branch line 566 branch off from the main supply line 562. The upper branch line 564 is coupled to the upper body 522 to supply a drying fluid from the upper portion of the substrate (W) placed on the support 540. In one example, the upper branch line 564 is coupled to the center of the upper body 522. The lower branch line 566 is coupled to the lower body 524 to supply a drying fluid from the lower portion of the substrate W placed on the support 540. In one example, the lower branch line 566 is coupled to the center of the lower body 524. An exhaust line 550 is coupled to the lower body 524. Supercritical fluid in the interior space 502 of the body 520 is exhausted out of the body 520 through the exhaust line 550.

바디(520)의 내부 공간(502) 내에는 차단 플레이트(580)(blocking plate)가 배치될 수 있다. 차단 플레이트(580)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 차단 플레이트(580)는 바디(520)의 저면으로부터 상부로 이격되도록 지지대(582)에 의해 지지된다. 지지대(582)는 로드 형상으로 제공되고, 서로 간에 일정 거리 이격되도록 복수 개가 배치된다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(580)는 하부 분기 라인(566)의 토출구 및 배기 라인(550)의 유입구와 중첩되도록 제공될 수 있다. 차단 플레이트(580)는 하부 분기 라인(566)을 통해서 공급된 건조용 유체가 기판(W)을 향해 직접 토출되어 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. A blocking plate 580 may be disposed in the interior space 502 of the body 520. The blocking plate 580 may be provided in a disc shape. The blocking plate 580 is supported by the support 582 so as to be spaced upward from the bottom of the body 520. The support 582 is provided in a rod shape, and a plurality of supports 582 are disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance. When viewed from the top, the blocking plate 580 may be provided so as to overlap the inlet of the outlet and exhaust line 550 of the lower branch line 566. The blocking plate 580 may prevent the drying fluid supplied through the lower branch line 566 from being directly discharged toward the substrate W so that the substrate W is not damaged.

제어기(30)는 기설정된 기판 처리 방법으로 기판(W)의 처리가 이루어지도록 반송로봇, 액 처리 챔버(400) 및 건조 챔버(500)를 제어한다. 이하, 기판 처리 방법의 일 예를 설명한다. The controller 30 controls the transfer robot, the liquid processing chamber 400, and the drying chamber 500 to process the substrate W in a predetermined substrate processing method. Hereinafter, an example of the substrate processing method will be described.

도 4는 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우차트이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 방법은 액 처리 단계(S100), 반송 단계(S200), 그리고 건조 단계(S300)를 포함한다. 4 is a flowchart showing an example of a substrate processing method. Referring to FIG. 4, the substrate processing method includes a liquid treatment step S100, a transfer step S200, and a drying step S300.

액 처리 단계(S100)는 액 처리 챔버(400)에서 이루어진다. 액 처리 단계(S100)에서는 기판(W) 상에 액이 공급되어 기판(W)을 액 처리한다. 일 예에 의하면, 액 처리 단계(S100)에서 제1액, 제2액, 그리고 제3액이 순차적으로 기판(W)에 공급되어 기판(W)을 처리한다. 제1액은 황산, 질산, 염산 등과 같이 산 또는 알칼리를 포함하는 케미칼이고, 제2액은 순수이고, 제3액은 이소프로필 알코올일 수 있다. 처음에 기판(W) 상에 케미칼을 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 박막이나 이물 등을 제거한다. 이후 기판(W) 상에 순수를 공급하여, 기판(W) 상에서 케미칼을 순수로 치환한다. 이후, 기판(W) 상에 이소프로필 알코올을 공급하여, 기판(W) 상에서 순수를 이소프로필 알코올로 치환한다. 순수는 케미칼에 비해 이소프로필 알코올에 잘 용해되므로, 치환이 용이하다. 또한, 순수에 의해 기판(W)의 표면은 중화될 수 있다. 이소프로필 알코올은 건조 챔버(500)에서 사용되는 이산화탄소에 잘 용해되므로, 건조 챔버(500)에서 초임계 상태의 이산화탄소에 의해 쉽게 제거된다. The liquid processing step S100 is performed in the liquid processing chamber 400. In the liquid processing step (S100), a liquid is supplied onto the substrate W to perform a liquid treatment on the substrate W. According to an example, in the liquid processing step S100, the first liquid, the second liquid, and the third liquid are sequentially supplied to the substrate W to process the substrate W. The first liquid may be a chemical containing acid or alkali, such as sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, the second liquid may be pure, and the third liquid may be isopropyl alcohol. First, chemicals are supplied onto the substrate W to remove thin films, foreign substances, and the like remaining on the substrate W. FIG. Thereafter, pure water is supplied onto the substrate W to replace the chemical with pure water on the substrate W. Thereafter, isopropyl alcohol is supplied onto the substrate W to replace pure water with isopropyl alcohol on the substrate W. Pure water is more soluble in isopropyl alcohol than in chemicals, so it is easy to substitute. In addition, the surface of the substrate W may be neutralized by pure water. Since isopropyl alcohol is well soluble in the carbon dioxide used in the drying chamber 500, it is easily removed by the supercritical carbon dioxide in the drying chamber 500.

반송 단계(S200)는 반송 로봇(320)에 의해 이루어진다. 액 처리 챔버(400)에서 액 처리가 완료되면, 기판(W)을 액 처리 챔버(400)에서 건조 챔버(500)로 반송하는 반송 단계(S200)가 수행된다. 반송 로봇(320)에 반송되는 동안에 기판(W) 상에는 액이 잔류한다. 이하, 반송 로봇(320)에 의해 반송되는 동안게 기판(W)에 잔류하는 액을 처리액이라 칭한다. 예컨대, 상술한 예에서 처리액은 제3액이다.The transfer step S200 is performed by the transfer robot 320. When the liquid processing is completed in the liquid processing chamber 400, a conveying step S200 of conveying the substrate W from the liquid processing chamber 400 to the drying chamber 500 is performed. The liquid remains on the substrate W while being conveyed to the transfer robot 320. Hereinafter, the liquid remaining on the substrate W while being conveyed by the transfer robot 320 is referred to as a processing liquid. For example, in the above example, the processing liquid is a third liquid.

건조 단계(S300)는 건조 챔버(500)에서 이루어진다. 건조 챔버(500) 내로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(544)에 놓인 상태로 지지체(540)에 지지된다. 처음에 이산화탄소가 하부 분기 라인(566)을 통해서 바디(520)의 내부 공간(502)으로 공급된다. 바디(520)의 내부 공간(502)이 설정 압력에 도달하면 이산화탄소는 상부 분기 라인(564)을 통해서 바디(520)의 내부 공간(502)으로 공급된다. 선택적으로 바디(520)의 내부 공간(502)이 설정 압력에 도달하면 이산화탄소는 상부 분기 라인(564)과 하부 분기 라인(566)을 통해서 동시에 바디(520)의 내부 공간(502)으로 공급될 수 있다. 공정 진행시 바디(520)의 내부 공간(502)으로 이산화탄소의 공급 및 내부 공간(502)으로부터 이산화탄소의 배출은 주기적으로 복수회 진행될 수 있다. 이와 같은 방법에 의해 기판(W) 상에 잔류하는 처리액이 초임계 상태의 이산화탄소에 일정량 용해되면 내부 공간(502)으로부터 이산화탄소 배출하고, 새로운 이산화탄소를 내부 공간(502)으로 공급함으로써 기판(W)으로부터 처리액의 제거율이 향상시킬 수 있다.The drying step S300 is performed in the drying chamber 500. The substrate W carried into the drying chamber 500 is supported by the support 540 with its edge region placed on the holder 544. Initially, carbon dioxide is supplied to the inner space 502 of the body 520 through the lower branch line 566. When the internal space 502 of the body 520 reaches the set pressure, carbon dioxide is supplied to the internal space 502 of the body 520 through the upper branch line 564. Optionally, when the interior space 502 of the body 520 reaches a set pressure, carbon dioxide may be supplied to the interior space 502 of the body 520 simultaneously through the upper branch line 564 and the lower branch line 566. have. During the process, the supply of carbon dioxide to the internal space 502 of the body 520 and the discharge of carbon dioxide from the internal space 502 may be performed periodically a plurality of times. When the treatment liquid remaining on the substrate W is dissolved in a supercritical state carbon dioxide by the above method, carbon dioxide is discharged from the internal space 502 and new carbon dioxide is supplied to the internal space 502 to thereby supply the substrate W. The removal rate of the processing liquid can be improved.

다음에는 액 처리 챔버(400)에서 처리액으로 기판(W)을 처리하는 과정에 대해 상세히 설명한다. 아래 실시예에서 처리액은 이소프로필 알코올과 같은 유기용제일 수 있다Next, a process of treating the substrate W with the processing liquid in the liquid processing chamber 400 will be described in detail. In the following examples, the treatment liquid may be an organic solvent such as isopropyl alcohol.

액 처리 단계(S100)는 액 처리 챔버(400)에서 액 처리가 완료될 때에, 기판(W)의 가장자리 영역에 잔류하는 처리액의 높이가 기판(W)의 중앙 영역에 잔류하는 처리액의 높이보다 높도록 제공된다. 일 예에 의하면, 액 처리 단계(S100)는 액 공급 단계(S110)와 액량 조절 단계(S120)를 포함한다.In the liquid processing step S100, when the liquid processing is completed in the liquid processing chamber 400, the height of the processing liquid remaining in the edge region of the substrate W is the height of the processing liquid remaining in the central region of the substrate W. FIG. Provided to be higher. According to one example, the liquid treatment step (S100) includes a liquid supply step (S110) and a liquid amount adjusting step (S120).

도 5와 도 6은 각각 액 공급 단계(S110)와 액량 조절 단계(S120)에서 기판(W)의 처리를 보여주는 도면이다.5 and 6 are views showing the processing of the substrate W in the liquid supply step S110 and the liquid amount adjusting step S120, respectively.

도 5를 참조하면, 액 공급 단계(S110)에서는 기판(W) 상에 처리액이 공급된다. 액 공급 단계(S110)에서 기판(W)은 제1속도(V1)로 회전된다. 처리액은 기판(W)의 중앙 영역으로 공급된다. 예컨대, 처리액은 기판(W)의 중심을 향해 공급될 수 있다. Referring to FIG. 5, the processing liquid is supplied onto the substrate W in the liquid supplying step S110. In the liquid supply step S110, the substrate W is rotated at the first speed V1. The processing liquid is supplied to the center region of the substrate W. For example, the processing liquid may be supplied toward the center of the substrate W.

액량 조절 단계(S120)에서는 기판(W) 상에 공급된 처리액의 두께가 조절된다. 일 예에 의하면, 액량 조절 단계(S120)에서는 기판(W) 상의 영역에 따라 처리액의 두께가 상이하게 제공되도록 조절된다. 예컨대, 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 두께는 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 두께보다 두껍게 제공되도록 처리액의 두께가 조절될 수 있다. 도 6을 참조하면, 액량 조절 단계(S120)에서는 기판(W) 상으로 처리액의 공급이 중지되고 기판(W)은 제2속도(V2)로 회전된다. 처리액의 두께는 제2속도(V2)를 조절함으로써 이루어질 수 있다. In the liquid amount adjusting step S120, the thickness of the processing liquid supplied on the substrate W is adjusted. According to an example, in the liquid amount adjusting step S120, the thickness of the processing liquid is adjusted differently according to the area on the substrate W. For example, the thickness of the processing liquid may be adjusted so that the thickness of the processing liquid in the edge region of the substrate W is provided to be thicker than the thickness of the processing liquid in the central region of the substrate W. Referring to FIG. 6, in the liquid amount adjusting step S120, the supply of the processing liquid onto the substrate W is stopped and the substrate W is rotated at the second speed V2. The thickness of the treatment liquid may be achieved by adjusting the second speed V2.

도 7은 액 공급 단계(S110)에서 기판(W)의 회전 속도의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 액량 조절 단계(S120)에서의 제2속도(V2)는 액 공급 단계(S110)에서의 제1속도(V1)보다 낮은 속도로 제공될 수 있다. 액량 조절 단계(S120)에서 기판(W)의 회전수를 변경하여 테스트함으로서 기판(W)의 가장자리 영역과 기판(W)의 중앙 영역에서 요구되는 처리액의 두께에 적합한 제2속도(V2)를 결정될 수 있다. 일 예에 의하면, 액 공급단계에서 제1속도(V1)는 200 RPM 이상으로 제공되고, 액량 조절 단계(S120)에서 제2속도(V2)는 10 내지 100 RPM으로 제공될 수 있다. 액량 조절 단계(S120)가 완료되면 기판(W)의 회전이 정지된다.7 is a view showing an example of the rotational speed of the substrate (W) in the liquid supply step (S110). Referring to FIG. 7, the second speed V2 in the liquid level adjusting step S120 may be provided at a speed lower than the first speed V1 in the liquid supply step S110. By changing and testing the rotation speed of the substrate W in the liquid amount adjusting step S120, a second speed V2 suitable for the thickness of the processing liquid required in the edge region of the substrate W and the central region of the substrate W is measured. Can be determined. In an example, the first speed V1 may be provided at 200 RPM or more in the liquid supply step, and the second speed V2 may be provided at 10 to 100 RPM in the liquid amount adjusting step S120. When the liquid amount adjusting step S120 is completed, the rotation of the substrate W is stopped.

다음에는 도 8 내지 도 11을 참조하며, 액 공급 단계(S110), 반송 단계(S200), 그리고 건조 단계(S300)에서 기판(W) 상에서 처리액의 높이의 변동에 의해 설명한다. 도 8은 액 공급 단계가 완료되었을 때 기판 상에 처리액의 두께의 예를 보여주는 도면이고, 도 9는 액량 조절 단계가 완료되었을 때 기판 상에 처리액의 두께의 일 예를 보여주는 도면이다. 또한, 도 10은 건조 챔버에 기판이 반입될 때 기판 상에 처리액의 두께의 일 예를 보여주는 도면이고, 도 11은 기판이 건조 챔버의 지지체에 놓일 때 처리액의 두께의 일 예를 보여주는 도면이다. Next, referring to FIGS. 8 to 11, the variation of the height of the processing liquid on the substrate W in the liquid supplying step S110, the conveying step S200, and the drying step S300 will be described. 8 is a view showing an example of the thickness of the processing liquid on the substrate when the liquid supply step is completed, Figure 9 is a view showing an example of the thickness of the processing liquid on the substrate when the liquid volume adjustment step is completed. 10 is a view showing an example of the thickness of the processing liquid on the substrate when the substrate is brought into the drying chamber, Figure 11 is a view showing an example of the thickness of the processing liquid when the substrate is placed on the support of the drying chamber to be.

도 7에서 액 공급 단계(S110)가 완료되면, 도 8과 같이 기판(W)의 전체 영역에서 처리액의 두께(h1)는 대체로 균일하거나 기판(W)의 가장자리 영역에 비해 기판(W)의 중앙 영역의 두께가 조금 높을 수 있다. 이후, 액량 조절 단계(S120)에서 기판(W)을 상대적으로 낮은 속도로 회전하면, 기판(W)에 공급된 처리액은 원심력에 의해 기판(W)으로부터 이탈되지 않고 기판(W)의 가장자리 영역에 다량 잔류한다. 이에 의해, 도 9와 같이 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 높이(h2)가 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 높이(h3)보다 높게 될 수 있다.When the liquid supplying step S110 is completed in FIG. 7, the thickness h1 of the processing liquid in the entire area of the substrate W is substantially uniform or the edge area of the substrate W as shown in FIG. 8. The thickness of the central region may be slightly higher. Subsequently, when the substrate W is rotated at a relatively low speed in the liquid amount adjusting step S120, the processing liquid supplied to the substrate W is not separated from the substrate W by centrifugal force, and thus the edge region of the substrate W is removed. Remains in large quantities. As a result, as shown in FIG. 9, the height h2 of the processing liquid in the edge region of the substrate W may be higher than the height h3 of the processing liquid in the central region of the substrate W. As shown in FIG.

반송 로봇(320)에 의해 기판(W)이 반송되는 도중에 기판(W) 상의 처리액은 도 10과 같이 복원력 또는 표면장력에 의해서 기판(W)의 가장자리 영역에 잔류하는 처리액의 일부가 기판(W)의 중앙 영역으로 흐를 수 있다. 이에 의해 기판(W)이 건조 챔버(500)로 반입되는 직후에는 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 높이(h4)는 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 높이(h5)보다 높게 유지되나, 기판(W)의 가장자리 영역과 중앙 영역에서 높이 차는 도 9에 비해 가 줄어들 수 있다. As the processing liquid on the substrate W is transported by the transfer robot 320, a portion of the processing liquid remaining in the edge region of the substrate W by the restoring force or surface tension is partially transferred to the processing liquid as shown in FIG. 10. May flow to the central region of W). As a result, immediately after the substrate W is brought into the drying chamber 500, the height h4 of the processing liquid in the edge region of the substrate W is higher than the height h5 of the processing liquid in the central region of the substrate W. Although maintained, the height difference in the edge region and the center region of the substrate W may be reduced compared to FIG. 9.

이후, 기판(W)이 건조 챔버(500)의 지지체(540) 놓이면, 기판(W)은 도 11과 같이 아래 방향으로 볼록하게 휘어지며, 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 일부가 기판(W)의 중앙 영역으로 흐른다. 또한, 기판(W)의 가장자리 영역이 가열된 거치대(544)에 놓이므로 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 일부가 증발된다. 이로 인해 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 높이(h6)가 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 높이와 동일하게 유지되거나, 도 9 또는 도 10에 비해 높이 편차가 줄어든다.Subsequently, when the substrate W is placed on the support 540 of the drying chamber 500, the substrate W is convexly curved downward as shown in FIG. 11, and a part of the processing liquid is formed in the edge region of the substrate W. (W) flows to the central area. In addition, since the edge region of the substrate W is placed on the heated holder 544, a part of the processing liquid is evaporated in the edge region of the substrate W. As a result, the height h6 of the processing liquid in the edge region of the substrate W is kept the same as the height of the processing liquid in the central region of the substrate W, or the height deviation is reduced as compared with FIG. 9 or 10.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리액의 공급 단계가 완료된 이후에, 처리액의 공급이 중단된 상태에서 기판(W)을 일정시간 회전시키는 액량 조절 단계(S120)가 수행되므로 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 두께를 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 두께보다 더 크게 할 수 있다. 이로 인해, 기판(W)이 건조 챔버(500)로 반입시 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 두께는 중앙 영역에서 처리액의 두께보다 크게 제공될 수 있다. 기판(W)이 건조 챔버(500)로 반입되어 거치대(544)에 놓일 때 기판(W)이 아래 방향으로 볼록하도록 휨이 발생해서 가장자리 영역의 처리액의 일부가 중앙 영역으로 흐르더라도 기판(W)의 가장자리 영역에 처리액이 일정 높이 잔류하게 된다. 이는 기판(W)의 가장자리 영역에서 기판(W)이 자연 건조되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)이 건조 챔버(500)의 거치대(544)에 놓일 때, 기판(W)의 가장자리 영역과 기판(W)의 중앙 영역 간에 처리액의 높이 편차가 줄어 기판(W)의 전체 영역에 초임계 유체에 의한 건조가 균일하게 이루어질 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, after the supply of the processing liquid is completed, the liquid amount adjusting step (S120) of rotating the substrate W for a predetermined time in a state where the supply of the processing liquid is stopped is performed, so that the substrate W is used. The thickness of the processing liquid in the edge region of the substrate W can be larger than the thickness of the processing liquid in the central region of the substrate W. Thus, when the substrate W is brought into the drying chamber 500, the thickness of the processing liquid in the edge region of the substrate W may be provided to be larger than the thickness of the processing liquid in the central region. When the substrate W is brought into the drying chamber 500 and placed in the holder 544, warpage occurs so that the substrate W is convex downward, so that even if a portion of the processing liquid in the edge region flows to the central region, the substrate W The treatment liquid remains at a certain height in the edge region of the substrate. This can prevent the substrate W from naturally drying in the edge region of the substrate W. FIG. In addition, when the substrate W is placed on the holder 544 of the drying chamber 500, the height deviation of the processing liquid between the edge region of the substrate W and the central region of the substrate W is reduced, so that the entirety of the substrate W is reduced. Drying by the supercritical fluid in the region can be made uniform.

다음에는 도 12 내지 도 15를 참조하여 액 처리 챔버에서 기판에 처리액을 공급하는 다양한 변형예들에 설명한다. Next, various modifications for supplying the processing liquid to the substrate in the liquid processing chamber will be described with reference to FIGS. 12 to 15.

도 12는 기판 처리 방법의 일 예를 개략적으로 보여주는 플로우차트이다. 도 12를 참조하면, 기판(W)에 처리액을 공급하는 단계는 도 4의 실시예와 동일하게 액 공급 단계(S110), 반송 단계(S200), 그리고 건조 단계(S300)를 포함한다. 다만, 본 실시예에서 액 공급 단계(S110)는 제1공급단계(S112)와 제2공급단계(S114)를 가진다. 제1공급단계(S112)와 제2공급단계(S114)에서 처리액은 기판(W)의 중앙 영역으로 공급될 수 있다. 예컨대, 처리액은 기판(W)의 중심으로 공급될 수 있다. 제1공급단계(S112)에서 기판(W)은 제1회전속도(V11)로 회전되고, 처리액은 제1공급유량(Q11)으로 기판(W)에 공급된다. 제2공급단계(S114)에서 기판(W)은 제2회전속도로 회전되고, 처리액은 제2공급유량으로 기판(W)에 공급된다. 제1회전속도는 제2회전속도보다 빠르게 제공될 수 있다. 또한, 제1공급유량은 제2공급유량보다 크게 제공될 수 있다. 또한, 제1회전속도는 제2회전속도보다 빠르고, 동시에 제1공급유량은 제2공급유량보다 크게 제공될 수 있다. 제1회전속도 및 제2회전속도는 모두 액량 조절 단계(S120)에서 제2속도보다 빠르게 제공될 수 있다. 12 is a flowchart schematically illustrating an example of a substrate processing method. Referring to FIG. 12, the supplying of the processing liquid to the substrate W includes a liquid supplying step S110, a conveying step S200, and a drying step S300, similarly to the embodiment of FIG. 4. However, in this embodiment, the liquid supply step S110 has a first supply step S112 and a second supply step S114. In the first supply step S112 and the second supply step S114, the processing liquid may be supplied to the central area of the substrate W. FIG. For example, the processing liquid may be supplied to the center of the substrate W. In the first supply step S112, the substrate W is rotated at the first rotational speed V11, and the processing liquid is supplied to the substrate W at the first supply flow rate Q11. In the second supply step S114, the substrate W is rotated at the second rotational speed, and the processing liquid is supplied to the substrate W at the second supply flow rate. The first rotational speed may be provided faster than the second rotational speed. In addition, the first supply flow rate may be provided larger than the second supply flow rate. Further, the first rotational speed may be faster than the second rotational speed, and at the same time, the first supply flow rate may be provided larger than the second supply flow rate. Both the first rotational speed and the second rotational speed may be provided faster than the second speed in the liquid level adjusting step S120.

도 13과 도 14는 기판 처리 방법의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면으로 도 13은 제1공급단계를 보여주고, 도 14는 제2공급단계를 보여준다. 도 13과 도 14를 참조하면, 기판(W)을 처리액으로 액처리하는 단계는 액 공급 단계를 포함한다. 액 공급 단계에서는 기판(W)이 회전되고 기판(W) 상에 처리액이 공급된다. 액 공급 단계는 제1공급단계와 제2공급단계를 포함한다. 제1공급단계와 제2공급단계는 순차적으로 진행된다. 도 13을 참조하면, 제1공급단계에서 처리액은 기판(W)의 중앙 영역으로 공급된다. 일 예에 의하면, 기판(W)의 중심으로 공급된다. 제1공급단계에서 처리액은 단위시간당 제1공급유량(Q11)으로 공급된다. 도 14를 참조하면, 제2공급단계에서 처리액은 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급된다. 제2공급단계에서 처리액은 단위시간당 제2공급유량(Q12)으로 공급된다. 일 예에 의하면, 제1공급유량(Q11)은 제2공급유량(Q12)보다 작게 제공된다. 선택적으로 제1공급단계에서 기판(W)의 회전속도는 제2공급단계에서 기판(W)의 회전속도와 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 제2공급단계에서 기판(W)의 회전속도는 제1공급단계에서 기판(W)의 회전속도보다 느리게 제공될 수 있다.13 and 14 schematically show another example of the substrate processing method, in which FIG. 13 shows a first supply step and FIG. 14 shows a second supply step. 13 and 14, the liquid treatment of the substrate W with the treatment liquid includes a liquid supplying step. In the liquid supplying step, the substrate W is rotated and the processing liquid is supplied onto the substrate W. FIG. The liquid supplying step includes a first supplying step and a second supplying step. The first supply step and the second supply step proceed sequentially. Referring to FIG. 13, the processing liquid is supplied to the central region of the substrate W in the first supply step. According to one example, it is supplied to the center of the substrate (W). In the first supply step, the processing liquid is supplied at a first supply flow rate Q11 per unit time. Referring to FIG. 14, the processing liquid is supplied to the edge region of the substrate W in the second supply step. In the second supply step, the processing liquid is supplied at the second supply flow rate Q12 per unit time. In one example, the first supply flow rate Q11 is provided smaller than the second supply flow rate Q12. Optionally, the rotational speed of the substrate W in the first supplying step may be provided differently from the rotational speed of the substrate W in the second supplying step. For example, the rotation speed of the substrate W in the second supply step may be provided slower than the rotation speed of the substrate W in the first supply step.

일 예에 의하면, 처리액의 공급 동안에 제3노즐(466)이 이동되어 기판(W) 상에 처리액이 공급되는 위치가 변경된다. 처리액의 공급 위치는 기판(W)의 중심에서 기판(W)의 단부로 연속적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 처리액의 공급 위치는 기판(W)의 중앙 영역의 특정 위치에 고정되고, 이후에 기판(W)의 가장자리 영역의 특정 위치에 고정될 수 있다. 이와 같은 방법에 의해 처리액에 의한 기판 처리가 완료될 때 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 두께가 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 두께보다 크게 유지할 수 있다. 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되는 단위시간당 처리액의 공급량 또는 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급되는 단위시간당 처리액의 공급량은 각각의 영역에서 단위시간당 처리액의 공급량을 변경하여 테스트함으로서 기판(W)의 가장자리 영역과 기판(W)의 중앙 영역에서 요구되는 처리액의 두께에 적합한 공급량을 결정될 수 있다. In one example, the third nozzle 466 is moved during the supply of the processing liquid to change the position at which the processing liquid is supplied onto the substrate W. FIG. The supply position of the processing liquid can be continuously moved from the center of the substrate W to the end of the substrate W. Optionally, the supply position of the processing liquid may be fixed at a specific position of the central region of the substrate W, and then fixed at a specific position of the edge region of the substrate W. In this way, when the substrate processing by the processing liquid is completed, the thickness of the processing liquid in the edge region of the substrate W can be kept larger than the thickness of the processing liquid in the central region of the substrate W. FIG. The supply amount of the processing liquid per unit time supplied to the center region of the substrate W or the supply amount of the processing liquid per unit time supplied to the edge region of the substrate W was tested by changing the supply amount of the processing liquid per unit time in each region. A supply amount suitable for the thickness of the processing liquid required in the edge region of (W) and the central region of the substrate W can be determined.

도 15는 기판 처리 방법의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 15를 참조하면, 기판(W)에 처리액을 공급하는 제3노즐(466)은 중앙 노즐(466a)과 가장자리 노즐(466b)을 포함한다. 중앙 노즐(466a)은 기판(W)의 중앙 영역으로 처리액을 공급하고, 가장자리 노즐(466b)은 기판(W)의 가장자리 영역으로 처리액을 공급하도록 제공된다. 중앙 노즐(466a)과 가장자리 노즐(466b)은 하나의 아암(461)에 장착되어 같이 구동될 수 있다. 선택적으로 중앙 노즐(466a)과 가장자리 노즐(466b)은 상이한 아암(461)에 장착되어, 각각 구동될 수 있다. 도 15를 참조하면, 기판(W)을 처리액으로 액처리하는 단계는 액 공급 단계를 포함한다. 액 공급 단계에서는 기판(W)이 회전되고 기판(W) 상에 처리액이 공급된다. 액 공급 단계에서 처리액은 중앙 노즐(466a)과 가장자리 노즐(466b)에서 동시에 기판(W)으로 공급된다. 가장자리 노즐(466b)에서 공급되는 처리액의 단위시간당 공급(Q22)량은 중앙 노즐(466a)에서 공급되는 처리액의 단위시간당 공급량(Q21)보다 많게 제공될 수 있다. 이와 같은 방법에 의해 처리액에 의한 기판 처리가 완료될 때 기판(W)의 가장자리 영역에서 처리액의 두께가 기판(W)의 중앙 영역에서 처리액의 두께보다 크게 유지할 수 있다. 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되는 단위시간당 처리액의 공급량 또는 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급되는 단위시간당 처리액의 공급량은 중앙 노즐(466a)과 가장자리 노즐(466b)에서 공급되는 단위시간당 처리액의 공급량을 변경하여 테스트함으로서 기판(W)의 가장자리 영역과 기판(W)의 중앙 영역에서 요구되는 처리액의 두께에 적합한 공급량을 결정될 수 있다. 15 is a view schematically showing another example of a substrate processing method. Referring to FIG. 15, the third nozzle 466 that supplies the processing liquid to the substrate W includes a center nozzle 466a and an edge nozzle 466b. The central nozzle 466a supplies the processing liquid to the central area of the substrate W, and the edge nozzle 466b is provided to supply the processing liquid to the edge area of the substrate W. As shown in FIG. The center nozzle 466a and the edge nozzle 466b may be mounted to one arm 461 and driven together. Optionally, the center nozzle 466a and the edge nozzle 466b can be mounted to different arms 461 and driven respectively. Referring to FIG. 15, the liquid treatment of the substrate W with the treatment liquid includes a liquid supplying step. In the liquid supplying step, the substrate W is rotated and the processing liquid is supplied onto the substrate W. FIG. In the liquid supply step, the processing liquid is supplied to the substrate W at the same time from the center nozzle 466a and the edge nozzle 466b. The amount of supply Q22 of the processing liquid supplied from the edge nozzle 466b may be greater than the amount of supply Q21 of the processing liquid supplied from the central nozzle 466a. In this way, when the substrate processing by the processing liquid is completed, the thickness of the processing liquid in the edge region of the substrate W can be kept larger than the thickness of the processing liquid in the central region of the substrate W. FIG. The supply amount of the processing liquid per unit time supplied to the center region of the substrate W or the supply amount of the processing liquid per unit time supplied to the edge region of the substrate W is supplied per unit time supplied from the central nozzle 466a and the edge nozzle 466b. By changing and testing the supply amount of the processing liquid, the supply amount suitable for the thickness of the processing liquid required in the edge region of the substrate W and the central region of the substrate W can be determined.

도 13과 도 14의 실시예, 그리고 도 15의 실시예에서는 처리액의 공급을 중단하는 단계 없이 액 공급 단계 만으로 기판의 중앙 영역과 기판의 가장자리 영역에서 처리액의 두께를 조절할 수 있다. 선택적으로 도 13과 도 14의 실시예, 그리고 도 15의 실시예에서 액 공급 단계 이후에 처리액의 공급을 중단하고 기판을 회전시키는 단계가 추가로 더 제공될 수 있다.In the embodiments of FIGS. 13 and 14 and the embodiment of FIG. 15, the thickness of the processing liquid may be adjusted in the central region of the substrate and the edge region of the substrate using only the liquid supplying step without stopping the supply of the processing liquid. Optionally, further stopping the supply of the processing liquid and rotating the substrate after the liquid supplying step in the embodiment of FIGS. 13 and 14, and in the embodiment of FIG. 15 may be further provided.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 액 처리 공정(S500), 액량 조절 공정(S600), 그리고 건조 공정을 포함한다. According to another embodiment of the present invention, the substrate processing method includes a liquid processing step (S500), a liquid amount adjusting step (S600), and a drying step.

액 처리 공정(S500)은 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 처리한다. 일 예에 의하면, 액 처리 공정(S500)에서는 제1액, 제2액, 그리고 제3액이 순차적으로 회전되는 기판(W)에 공급되어 기판(W)을 처리한다. 제1액, 제2액, 그리고 제3액은 상술한 실시예와 동일한 종류의 액일 수 있다. 본 실시예에서 제3액은 액 처리 공정(S500)에서 기판(W) 상에 마지막으로 공급되는 액이며, 처리액은 제3액에 해당된다.In the liquid treatment step S500, a liquid is supplied onto the substrate W to process the substrate W. In an example, in the liquid treatment process S500, the first liquid, the second liquid, and the third liquid are supplied to the substrate W that is sequentially rotated to process the substrate W. The first liquid, the second liquid, and the third liquid may be the same kind of liquid as the above-described embodiment. In the present embodiment, the third liquid is a liquid finally supplied onto the substrate W in the liquid processing step S500, and the processing liquid corresponds to the third liquid.

액 처리 공정(S500)이 완료되면 액량 조절 공정(S600)이 수행된다. 액량 조절 공정(S600)은 기판(W) 상에 잔류하는 처리액의 액량을 조절한다. 액량 조절 공정(S600)은 기판(W) 상으로 처리액의 공급을 중단한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. 액량 조절 공정(S600)에서 기판(W) 상에 잔류하는 처리액의 액량은 기판(W)의 회전 속도를 조절함으로써 이루어진다. When the liquid treatment process (S500) is completed, the liquid amount adjustment process (S600) is performed. In the liquid amount adjusting step S600, the liquid amount of the processing liquid remaining on the substrate W is adjusted. The liquid amount adjusting step S600 rotates the substrate W while the supply of the processing liquid is stopped onto the substrate W. As shown in FIG. The liquid amount of the processing liquid remaining on the substrate W in the liquid amount adjusting step S600 is made by adjusting the rotational speed of the substrate W. FIG.

도 16은 액량 조절 공정에서 기판(W)의 회전 속도와 액량 조절 후 기판(W) 상에 잔류하는 처리액의 무게 간의 관계를 보여준다. 도 16을 참조하면, 액량 조절 공정(S600)에서 기판(W)의 회전수를 V21, V22, 그리고 V23로 변경하여 기판(W) 상의 처리액의 무게를 측정시 처리액의 무게는 각각 a, b, 그리고 c로 측정되었다. V21, V22, 그리고 V23는 순차적으로 회전속도가 작게 제공되었으며, 이 때 측정된 처리액의 무게는 a, b, 그리고 c 순차적으로 증가하였다. FIG. 16 shows the relationship between the rotational speed of the substrate W and the weight of the treatment liquid remaining on the substrate W after the liquid volume adjustment in the liquid volume control process. Referring to FIG. 16, when the rotation speed of the substrate W is changed to V21, V22, and V23 in the liquid amount adjusting process S600, the weight of the processing liquid is a, b, and c. V21, V22, and V23 were sequentially provided with a lower rotational speed. At this time, the weights of the measured liquids were increased a, b, and c sequentially.

본 실시예에 의하면, 건조 공정 진행 전에 기판(W) 상에 잔류하는 처리액의 액량이 제1유량으로 설정된 경우 액량 조절 공정(S600)에서 기판(W)의 회전 속도는 제1설정속도로 제공되고, 제2유량으로 설정된 경우 액량 조절 공정에서 기판(W)의 회전 속도는 제2설정속도로 제공된다. 제1유량이 제2유량보다 많은 경우, 제1설정속도는 제2설정속도보다 작게 제공된다. 액량 조절 공정(S000)에서 기판(W)의 회전수를 변경하여 테스트함으로서 액처리 공정 이후에 기판(W) 상에 잔류하는 처리액이 기설정된 처리량에 되도록 회전 속도를 결정할 수 있다. According to this embodiment, when the liquid amount of the processing liquid remaining on the substrate W before the drying process is set to the first flow rate, the rotation speed of the substrate W is provided at the first predetermined speed in the liquid amount adjusting process S600. When the second flow rate is set, the rotation speed of the substrate W is provided at the second predetermined speed in the liquid amount adjusting process. When the first flow rate is greater than the second flow rate, the first set speed is provided smaller than the second set speed. By changing and testing the rotation speed of the substrate W in the liquid amount adjusting process S000, the rotation speed may be determined so that the processing liquid remaining on the substrate W after the liquid processing process becomes a predetermined throughput.

액량 조절 공정(S600)이 완료되면 건조 공정이 수행된다. 건조 공정은 기판(W) 상에 잔류하는 처리액을 제거한다. When the liquid amount adjusting process S600 is completed, a drying process is performed. The drying step removes the treatment liquid remaining on the substrate W.

본 실시예에 의하면, 액 처리 공정은 도 1의 액 처리 챔버(400)에서 수행되고, 건조 공정은 건조 챔버(500)에서 수행될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)는 상술한 실시예와 동일하게 제공되고, 액 처리 챔버(400)에서 액 처리 공정이 완료된 기판(W)은 반송 로봇(320)에 의해 건조 공정으로 반입될 수 있다. 선택적으로 본 실시예에서 건조 챔버는 기판(W)의 저면 전체 영역을 지지하는 구조로 제공될 수 있다. 선택적으로 건조 챔버는 기판(W)의 중앙 영역만을 지지할 수 있으며, 이와 달리 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 건조 챔버에서 건조에 사용되는 유체는 상술한 실시예와 동일할 수 있다.According to the present embodiment, the liquid treatment process may be performed in the liquid treatment chamber 400 of FIG. 1, and the drying process may be performed in the drying chamber 500. The liquid processing chamber 400 and the drying chamber 500 are provided in the same manner as in the above-described embodiment, and the substrate W on which the liquid processing process is completed in the liquid processing chamber 400 is transferred to the drying process by the transfer robot 320. Can be imported. Optionally, in the present embodiment, the drying chamber may be provided in a structure supporting the entire bottom area of the substrate W. Optionally, the drying chamber may support only the central region of the substrate W, but alternatively may support the substrate W in various ways. The fluid used for drying in the drying chamber may be the same as the embodiment described above.

320 : 반송 로봇
400 : 액 처리 챔버
500 : 건조 챔버320: carrier robot
400: liquid processing chamber
500: drying chamber

Claims (7)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
액 처리 챔버에서 기판에 처리액이 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 공정과;
상기 액 처리 공정 이후에, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 처리액의 액량을 조절하는 액량 조절 공정과;
상기 기판 상에서 처리액을 제거하는 건조 공정을 포함하되,
상기 액량 조절 공정은 상기 기판 상으로 상기 처리액의 공급을 중지한 상태에서 상기 기판을 회전시켜 수행되는 기판 처리 방법. In the method of processing a substrate,
A liquid processing step of supplying a processing liquid to the substrate in the liquid processing chamber to liquid-process the substrate;
A liquid amount adjusting step of adjusting a liquid amount of the processing liquid remaining on the substrate after the liquid processing step;
Including a drying process for removing the treatment liquid on the substrate,
The liquid amount adjusting step is performed by rotating the substrate while the supply of the processing liquid is stopped onto the substrate. 제1항에 있어서,
상기 액량 조절 공정에서 상기 기판 상에 잔류시키는 액량은 상기 기판의 회전속도를 조절하여 이루어지는 기판 처리 방법. The method of claim 1,
And a liquid amount remaining on the substrate in the liquid amount adjusting step by adjusting a rotational speed of the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 건조 공정 진행 전에 설정된 상기 기판 상의 처리액의 액량이 제1유량인 경우 상기 액량 조절 공정에서 상기 기판의 회전 속도는 제1설정속도이고,
상기 건조 공정 진행 전에 설정된 상기 기판 상의 처리액의 액량이 제2유량인 경우 상기 액량 조절 공정에서 상기 기판의 회전 속도는 제2설정속도이되,
상기 제1유량은 상기 제2유량보다 많고, 상기 제1설정속도는 상기 제2설정속도보다 작은 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
When the liquid amount of the processing liquid on the substrate set before the drying process is the first flow rate, the rotation speed of the substrate in the liquid amount adjusting process is a first set speed,
When the liquid amount of the processing liquid on the substrate set before the drying process is the second flow rate, the rotation speed of the substrate becomes the second set speed in the liquid amount adjusting process,
And said first flow rate is greater than said second flow rate and said first set speed is less than said second set speed. 제2항에 있어서,
상기 액 처리 공정과 상기 액량 조절 공정은 액 처리 챔버에서 이루어지고,
상기 건조 공정은 건조 챔버에서 이루어지며,
상기 액 처리 챔버에서 상기 액량 조절 공정이 완료된 기판은 반송 로봇에 의해 상기 건조 챔버로 반송되는 기판 처리 방법.The method of claim 2,
The liquid treatment process and the liquid amount adjustment process is made in a liquid treatment chamber,
The drying process takes place in a drying chamber,
The substrate processing method in which the said liquid quantity adjustment process is completed in the said liquid processing chamber is conveyed to the said drying chamber by a transfer robot. 제2항에 있어서,
상기 액량 조절 공정에서 기판의 회전 속도는 상기 액 처리 공정에서 상기 기판의 회전속도보다 낮은 기판 처리 방법.The method of claim 2,
And a rotation speed of the substrate in the liquid amount adjusting step is lower than a rotation speed of the substrate in the liquid processing step. 제1항, 제2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 하나에 있어서,
상기 액 처리 공정에서 제1액, 제2액, 그리고 제3액을 순차적으로 기판에 공급하여 기판을 처리하며, 상기 처리액은 상기 제3액이고,
상기 건조 공정에서는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조하고,
상기 제3액은 상기 제2액에 비해 상기 초임계 유체에 더 잘 용해되는 액인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1, 2, 4 or 5,
In the liquid treatment process, the first liquid, the second liquid, and the third liquid are sequentially supplied to the substrate to treat the substrate, wherein the treatment liquid is the third liquid,
In the drying process, the substrate is dried using a supercritical fluid,
And said third liquid is a liquid that dissolves better in said supercritical fluid than said second liquid. 제1항, 제2항, 제4항 또는 제5항 중 어느 하나에 있어서,
상기 기판이 건조 챔버에 반입될 때 상기 기판의 가장자리 영역에서 처리액의 높이가 상기 기판의 중앙 영역에서 처리액의 높이보다 높도록 제공되는 기판 처리 방법.

The method according to any one of claims 1, 2, 4 or 5,
And the height of the processing liquid in the edge region of the substrate is higher than the height of the processing liquid in the central region of the substrate when the substrate is brought into the drying chamber.

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