KR102012209B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스핀헤드; 상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵; 상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역으로 제1 약액을 토출하는 제1 노즐; 및 상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역에서 외측 단부 사이에 상기 제1 약액과 화학 조성이 동일한 제2 약액을 토출하는 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 약액은 상기 제1 약액보다 농도 또는 온도 중 어느 하나 이상이 높게 제공된다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a spin head supporting a substrate; A cup surrounding the outer periphery of the spin head; A first nozzle for discharging a first chemical liquid to a center region of the substrate located at the spin head; And a second nozzle for discharging a second chemical liquid having the same chemical composition as the first chemical liquid between an outer end portion in a central region of the substrate located at the spin head, wherein the second chemical liquid is more concentrated than the first chemical liquid. Or at least one of the temperatures is provided high.

Figure R1020180118150
Figure R1020180118150

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}Substrate treating apparatus and substrate treating method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

일반적으로 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.Generally, semiconductor devices are manufactured by depositing and patterning various materials on a substrate in a thin film form. To this end, several different processes are required, such as a deposition process, a photographic process, an etching process and a cleaning process.

이들 공정 중 식각 공정은 기판상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 반도체 제조를 위한 각 단위 공정의 진행 후 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다. 식각 공정 및 세정 공정은 공정 진행 방식에 따라 습식 방식과 건식 방식으로 분류되며, 습식 방식은 배치 타입의 방식과 스핀 타입의 방식으로 분류된다.Among these processes, the etching process is a process of removing the film quality formed on the substrate, and the cleaning process is a process of removing contaminants remaining on the surface of the substrate after each unit process for semiconductor manufacturing. The etching process and the cleaning process are classified into a wet method and a dry method according to the process method, and the wet method is classified into a batch type method and a spin type method.

스핀 타입의 방식은 한 장의 기판을 처리할 수 있는 척 부재에 기판을 고정한 후, 기판을 회전시키면서 분사 노즐을 통해 기판에 약액 또는 탈이온수를 공급하여, 원심력에 의해 약액 또는 탈이온수를 기판의 전면으로 퍼지게 함으로써 기판을 세정 처리한다.In the spin type method, the substrate is fixed to a chuck member capable of processing a single substrate, and then the chemical liquid or deionized water is supplied to the substrate through the spray nozzle while the substrate is rotated. The substrate is cleaned by spreading.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 내측 및 외측을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Moreover, this invention is providing the substrate processing apparatus and substrate processing method which can process the inside and the outside of a board | substrate uniformly.

또한, 본 발명은 기판 처리에 소요되는 약액을 절감할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can reduce the chemical liquid required for substrate processing.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스핀헤드; 상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵; 상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역으로 제1 약액을 토출하는 제1 노즐; 및 상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역에서 외측 단부 사이에 상기 제1 약액과 화학 조성이 동일한 제2 약액을 토출하는 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 약액은 상기 제1 약액보다 농도 또는 온도 중 어느 하나 이상이 높게 제공된다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a spin head supporting a substrate; A cup surrounding the outer periphery of the spin head; A first nozzle for discharging a first chemical liquid to a center region of the substrate located at the spin head; And a second nozzle for discharging a second chemical liquid having the same chemical composition as the first chemical liquid between an outer end portion in a central region of the substrate located at the spin head, wherein the second chemical liquid is more concentrated than the first chemical liquid. Or at least one of the temperatures is provided high.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 기판의 회전 중심의 위쪽에 위치된 상태로 상기 제1 약액을 토출할 수 있다.In an embodiment, the first nozzle may discharge the first chemical liquid while being positioned above the rotation center of the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 중심 영역은 기판의 반지름의 1/2 내측 영역이고, 상기 제1 노즐은 상기 중심 영역 내를 이동하면서 상기 제1 약액을 토출할 수 있다.In an embodiment, the center region is a half inner region of a radius of the substrate, and the first nozzle may discharge the first chemical liquid while moving in the center region.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 기판의 회전 중심 위쪽을 지날 수 있다.In an embodiment, the first nozzle may pass above a rotation center of the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 제2 노즐은 상기 기판의 중심 영역에서 상기 기판의 외측 단부 사이를 이동하면서 상기 제2 약액을 토출하는 기판 처리 장치.In one embodiment, the second nozzle is a substrate processing apparatus for discharging the second chemical liquid while moving between the outer end of the substrate in the central region of the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐은, 제1 지지대와 상기 제1 지지대를 지지하는 제1 지지축과 상기 제1 지지축을 회전 구동 시키는 제1 구동기를 포함하는 제1 분사 부재의 상기 제1 지지대 단부에 제공될 수 있다.In one embodiment, the first nozzle, the first support member, the first support shaft for supporting the first support and the first support shaft for the first injection member including a first driver for rotationally driving the first support shaft It may be provided at the end of the support.

일 실시 예에 있어서, 상기 제2 노즐은, 제2 지지대와 상기 제2 지지대를 지지하는 제2 지지축과 상기 제2 지지축을 회전 구동 시키는 제2 구동기를 포함하는 제2 분사 부재의 상기 제2 지지대 단부에 제공될 수 있다.In an embodiment, the second nozzle may include a second support shaft, a second support shaft for supporting the second support, and a second driver for rotationally driving the second support shaft. It may be provided at the end of the support.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 약액이 저장된 하나의 저장 탱크에 연결되어 상기 저장된 약액을 공급받을 수 있다.In one embodiment, the first nozzle and the second nozzle may be connected to one storage tank in which the chemical liquid is stored to receive the stored chemical liquid.

일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 약액이 저장된 탱크를 더 포함하고, 상기 제1 노즐은 제1 배관에 의해 상기 탱크에 연결되고, 상기 제2 노즐은 제2 배관에 의해 상기 탱크에 연결될 수 있다.In one embodiment, the substrate processing apparatus further comprises a tank in which the chemical liquid is stored, the first nozzle is connected to the tank by a first pipe, the second nozzle is connected to the tank by a second pipe. Can be.

일 실시 예에 있어서, 상기 제2 배관에는 히터가 제공될 수 있다.In one embodiment, a heater may be provided in the second pipe.

일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 보조 탱크를 더 포함하고, 상기 보조 탱크는 보조 배관에 의해 상기 제1 배관과 연결될 수 있다.In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes an auxiliary tank, and the auxiliary tank may be connected to the first pipe by an auxiliary pipe.

일 실시 예에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 제1 탱크 및 제2 탱크를 더 포함하고, 상기 제1 노즐은 제1 배관으로 상기 제1 탱크에 연결되고, 상기 제2 노즐은 제2 배관으로 상기 제2 탱크에 연결될 수 있다.In an embodiment, the substrate processing apparatus further includes a first tank and a second tank, the first nozzle is connected to the first tank by a first pipe, and the second nozzle is connected by the second pipe. May be connected to a second tank.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은 스핀헤드에 기판을 위치시키는 단계; 제1 노즐로 기판의 중심 영역에 제1 약액을 토출하면서, 제2 노즐로 기판의 중심 영역에서부터 기판의 외측 단부 사이에 상기 제1 약액과 화학 조성이 동일하되 상기 제1 약액보다 농도 또는 온도 중 어느 하나 이상이 높은 제2 약액을 토출하는 단계를 포함한다.The present invention also provides a method of treating a substrate. In one embodiment, a substrate processing method includes positioning a substrate at a spinhead; While discharging the first chemical liquid to the central region of the substrate with the first nozzle, the chemical composition and the chemical composition of the first chemical is the same between the central region of the substrate and the outer end of the substrate with the second nozzle, but at a concentration or temperature higher than that of the first chemical liquid. And discharging the second chemical liquid higher than one.

일 실시 예에 있어서, 상기 기판의 중심 영역은 상기 기판의 반지름 1/2 내측 영역일 수 있다.In an embodiment, the center region of the substrate may be a radius 1/2 inner region of the substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 기판의 회전 중심의 위쪽에 정지된 상태로 상기 제1 약액을 토출하고, 상기 제2 노즐은 상기 기판의 중심 영역에서부터 상기 기판의 외측 단부 사이의 일 지점에 정지된 상태로 상기 제2 약액을 토출할 수 있다.In an embodiment, the first nozzle discharges the first chemical liquid in a stationary state above the rotational center of the substrate, and the second nozzle is disposed between a center region of the substrate and an outer end portion of the substrate. The second chemical liquid can be discharged in a stationary state.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 기판의 중심 영역 내를 이동하면서 상기 제1 약액을 토출하고, 상기 제2 노즐은 상기 기판의 반지름 1/2 외측 영역의 일 지점에 정지된 상태로 상기 제2 약액을 토출할 수 있다.In an embodiment, the first nozzle discharges the first chemical liquid while moving in the center region of the substrate, and the second nozzle is stopped at a point of a radius 1/2 outer region of the substrate. The second chemical liquid may be discharged.

일 실시 예에 있어서, 상기 제2 노즐은 상기 기판의 중심 영역에서 상기 기판의 외측 단부 사이를 이동하면서 상기 제2 약액을 토출할 수 있다.In example embodiments, the second nozzle may discharge the second chemical liquid while moving between the outer ends of the substrate in the central region of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 내측 및 외측이 균일하게 처리될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present disclosure, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of uniformly treating the inside and outside of the substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리에 소요되는 약액을 절감할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can reduce the chemical liquid required for substrate processing can be provided.

도 1은 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다.
도 2는 공정챔버들 가운데 하나 이상에 제공되는 기판처리장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 제1 분사부재 및 제2 분사부재가 기판으로 약액을 공급하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 제2 실시 예에 따라 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 제3 실시 예에 따라 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.
도 7는 제4 실시 예에 따라 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.1 is a plan view of a substrate processing facility.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus provided in one or more of the process chambers.
3 is a view showing a state in which the first injection member and the second injection member supply the chemical liquid to the substrate.
4 is a diagram illustrating a piping configuration connected to the first nozzle and the second nozzle.
FIG. 5 is a view illustrating a pipe configuration connected to the first nozzle and the second nozzle according to the second embodiment.
6 is a view showing a pipe configuration connected to the first nozzle and the second nozzle according to the third embodiment.
7 is a view illustrating a pipe configuration connected to the first nozzle and the second nozzle according to the fourth embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view of a substrate processing facility.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20.

인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 배열될 수 있다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 위쪽에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.The index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 may be sequentially arranged. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. When viewed from above, the direction perpendicular to the first direction 12 is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction. It is called (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is placed in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 130 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W. As shown in FIG. A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in parallel with the first direction 12 in the longitudinal direction thereof. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (A and B are one or more natural numbers) on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above-described process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space where the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. Surfaces facing the transfer frame 140 and surfaces facing the transfer chamber 240 are opened in the buffer unit 220.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 위치된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 입자이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 130 and the buffer unit 220 positioned in the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to convey the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130, and others are used to convey the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 20. It can be used when conveying. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment in the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its length direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. Body 244b is coupled to base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be capable of moving forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. The main arm 244c used to convey the substrate W from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and the substrate W used to convey the substrate W from the process chamber 260 to the buffer unit 220. The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)을 약액으로 처리하는 기판(W) 처리 장치가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판(W) 처리 장치는 수행하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판(W) 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판(W) 처리 장치들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판(W) 처리 장치들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 약액의 종류나, 공정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.In the process chamber 260, a substrate W processing apparatus for treating the substrate W with a chemical liquid is provided. The substrate W processing apparatus provided in each process chamber 260 may have a different structure according to the type of process to be performed. Optionally, the substrate (W) processing apparatus in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups so that the substrate W processing apparatuses provided in the process chamber 260 belonging to the same group have the same structure and are provided to the process chambers 260 belonging to different groups. The substrate W processing apparatuses may have different structures from each other. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, one side of the transfer chamber 240 is provided with process chambers 260 of the first group, and the other side of the transfer chamber 240 is provided with the second group. Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided at a lower layer, and a second group of process chambers 260 may be provided at a lower layer at each of one side and the other side of the transfer chamber 240. The process chamber 260 of the first group and the process chamber 260 of the second group may be classified according to the type of chemicals used or the type of process.

도 2는 공정챔버들 가운데 하나 이상에 제공되는 기판처리장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus provided in one or more of the process chambers.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 컵(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 제1 분사부재(380) 및 제2 분사부재(390)를 가진다. 컵(320)은 기판(W)처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a cup 320, a spin head 340, a lifting unit 360, a first spray member 380, and a second spray member 390. The cup 320 provides a space in which the substrate W processing is performed, and an upper portion thereof is opened. The cup 320 has an inner recovery container 322, an intermediate recovery container 324, and an external recovery container 326. Each recovery container 322, 324, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322, and the outer recovery container 326. ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate collection vessel 324. Inner space 322a of the inner recovery container 322, space 324a between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324 and the space between the intermediate recovery container 324 and the external recovery container 326 ( 326a functions as an inlet through which the treatment liquid flows into the inner recovery container 322, the intermediate recovery container 324, and the external recovery container 326, respectively. Each recovery container 322, 324, 326 is connected to the recovery line (322b, 324b, 326b extending vertically in the bottom direction). Each of the recovery lines 322b, 324b and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery vessels 322, 324 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀헤드(340)는 컵(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 위쪽에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전 가능한 지지축(348)이 고정 결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격 되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.Spinhead 340 is disposed within cup 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. Spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. Body 342 has a top surface that is provided generally circular when viewed from above. A support shaft 348 rotatable by the motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. A plurality of support pins 344 is provided. The support pins 344 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combining with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pins 346 are disposed farther from the support pins 344 in the center of the body 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from its position when the spin head 340 is rotated. The chuck pins 346 are provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded to the spin head 340, the chuck pins 346 are positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 346 are positioned at the support position. . The chuck pins 346 are in contact with the side of the substrate W at the support position.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 relative to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the cup 320, and the movement shaft 364 which is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The cup 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the cup 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the cup 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery containers 322, 324 and 326 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate W with the first processing liquid, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery container 322. In addition, during the processing of the substrate W with the second processing liquid and the third processing liquid, the substrate W may have a space 324a and an intermediate recovery between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, respectively. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the barrel 324 and the outer collection container 326. Unlike the above, the elevating unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the cup 320.

도 3은 제1 분사부재 및 제2 분사부재가 기판으로 약액을 공급하는 상태를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a state in which the first injection member and the second injection member supply the chemical liquid to the substrate.

도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 분사부재(380)는 제1 노즐(384) 지지대(382), 제1 노즐(384), 제1 지지축(386), 그리고 제1 구동기(388)를 가진다. 제1 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 제1 지지축(386)의 하단에는 제1 구동기(388)가 결합된다. 제1 구동기(388)는 제1 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 제1 노즐(384) 지지대(382)는 제1 구동기(388)와 결합된 제1 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 제1 노즐(384)은 제1 노즐(384) 지지대(382)의 일측 담부 저면에 설치된다. 제1 노즐(384)은 제1 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 제1 노즐(384)이 기판(W)에 제1 약액을 토출할 수 있도록, 스핀헤드(340)의 수직 상방 영역이다. 대기 위치는 제1 노즐(384)이 스핀헤드(340)의 수직 상방 영역 외측으로 벗어난 위치이다.2 and 3, the first injection member 380 may include a first nozzle 384, a support 382, a first nozzle 384, a first support shaft 386, and a first driver 388. Has The first support shaft 386 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a first driver 388 is coupled to a lower end of the first support shaft 386. The first driver 388 rotates and elevates the first support shaft 386. The support 382 of the first nozzle 384 is vertically coupled to the opposite end of the first support shaft 386 coupled with the first driver 388. The first nozzle 384 is installed on the bottom surface of one side wall of the support 382 of the first nozzle 384. The first nozzle 384 is moved to the process position and the standby position by the first driver 388. The process position is a vertically upward region of the spin head 340 so that the first nozzle 384 can discharge the first chemical liquid onto the substrate W. As shown in FIG. The standby position is a position where the first nozzle 384 is out of the vertically upward area of the spin head 340.

제1 분사 부재(380)는 스핀헤드(340)에 기판(W)이 위치된 후, 회전되는 기판(W)의 중심 영역에 제1 약액을 공급한다. 일 예로, 제1 분사 부재(380)는 제1 노즐(384)을 기판(W)의 회전 중심의 위쪽으로 이동 시킨 후, 정지된 상태에서 기판(W)의 중심 영역으로 제1 약액을 공급할 수 있다. 또한, 제1 분사 부재(380)는 제1 노즐(384)을 설정 간격 사이에서 이동 시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 제1 약액을 공급할 수 있다. 이 때, 제1 노즐(384)의 이동 경로는 기판(W)의 회전 중심 위쪽을 지나도록 제공된다. 또한, 제1 노즐(384)은 기판(W)의 중심을 기준으로 기판(W) 반지름의 1/2 내측 영역에서 이동될 수 있다. 따라서 제1 분사 부재(380)는 기판(W)의 중심에서 기판(W) 반지름의 1/2 내측 영역에 제1 약액을 토출한다.After the substrate W is positioned on the spin head 340, the first jetting member 380 supplies the first chemical liquid to the center region of the substrate W to be rotated. For example, the first spray member 380 may move the first nozzle 384 above the rotation center of the substrate W, and then supply the first chemical liquid to the center region of the substrate W in a stopped state. have. In addition, the first injection member 380 may supply the first chemical liquid to the center area of the substrate W while moving the first nozzle 384 between predetermined intervals. At this time, the movement path of the first nozzle 384 is provided to pass over the center of rotation of the substrate (W). In addition, the first nozzle 384 may be moved in a half inner region of the radius of the substrate W with respect to the center of the substrate W. FIG. Accordingly, the first injection member 380 discharges the first chemical liquid from the center of the substrate W to the half inner region of the radius of the substrate W. FIG.

제2 분사부재(390)는 스핀헤드(340)에 기판(W)이 위치된 후, 회전되는 기판(W)으로 제2 약액을 공급한다. 제2 약액은 제1 약액과 동일한 화학 조성을 가지고, 기판(W)에 대해 동일한 공정 처리를 수행한다. 제2 분사부재(390)는 제2 노즐(394) 지지대(392), 제2 노즐(394), 제2 지지축(396), 그리고 제2 구동기(398)를 가진다. 제2 지지축(396)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 제2 지지축(396)의 하단에는 제2 구동기(398)가 결합된다. 제2 구동기(398)는 제2 지지축(396)을 회전 및 승강 운동한다. 제2 노즐(394) 지지대(392)는 제2 구동기(398)와 결합된 제2 지지축(396)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 제2 노즐(394)은 제2 노즐(394) 지지대(392)의 일측 담부 저면에 설치된다. 제2 노즐(394)은 제2 구동기(398)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 제2 노즐(394)이 기판(W)에 제2 약액을 토출할 수 있도록, 스핀헤드(340)의 수직 상방 영역이다. 대기 위치는 제2 노즐(394)이 스핀헤드(340)의 수직 상방 영역 외측으로 벗어난 위치이다.After the substrate W is positioned on the spin head 340, the second injection member 390 supplies the second chemical liquid to the substrate W to be rotated. The second chemical liquid has the same chemical composition as the first chemical liquid and performs the same process treatment on the substrate W. As shown in FIG. The second spray member 390 has a second nozzle 394 support 392, a second nozzle 394, a second support shaft 396, and a second driver 398. The second support shaft 396 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a second driver 398 is coupled to a lower end of the second support shaft 396. The second driver 398 rotates and lifts the second support shaft 396. The support 392 of the second nozzle 394 is vertically coupled with the opposite end of the second support shaft 396 coupled with the second driver 398. The second nozzle 394 is installed on the bottom surface of one side wall of the support 392 of the second nozzle 394. The second nozzle 394 is moved to the process position and the standby position by the second driver 398. The process position is a vertically upward area of the spin head 340 so that the second nozzle 394 can discharge the second chemical liquid onto the substrate W. As shown in FIG. The standby position is a position where the second nozzle 394 is out of the vertically upward area of the spin head 340.

제2 분사 부재(390)는 제1 분사 부재(380)가 제1 약액을 토출하는 영역의 외측 영역에 제2 약액을 토출한다. 일 예로, 제2 분사 부재(390)는 제2 노즐(394)을 기판(W)의 중심을 기준으로 기판(W) 반지름의 1/2 외측 영역에 위치 시킨 후, 정지된 상태에서 기판(W)의 외측 영역으로 제2 약액을 공급할 수 있다. 또한, 제2 분사 부재(390)는 제2 노즐(394)을 기판(W)의 중심을 기준으로 기판(W) 반지름의 1/2과 기판(W)의 외측 단부 사이에서 이동 시키면서 제2 약액을 토출할 수 있다.The second injection member 390 discharges the second chemical liquid to an area outside the region where the first injection member 380 discharges the first chemical liquid. For example, the second spray member 390 may position the second nozzle 394 in a half outer area of the radius of the substrate W with respect to the center of the substrate W, and then stop the substrate W in a stopped state. The second chemical liquid can be supplied to the outer region of the backplane. In addition, the second spray member 390 moves the second nozzle 394 between the second half of the radius of the substrate W and the outer end of the substrate W with respect to the center of the substrate W. Can be discharged.

처리액이 기판(W)에 토출될 때, 기판(W)은 회전되는 상태로 제공된다. 따라서, 기판(W)에 토출된 처리액은 원심력으로 기판(W)의 외측으로 이동된다. 하나의 노즐을 통해 기판(W)에 처리액을 공급할 때, 기판(W)에 공급되는 처리액이 충분하지 않으면 기판(W)의 중심 영역에 단속적 또는 연속적으로 처리액에 의해 덮이지 않은 영역이 발생될 수 있다. 또한, 충분한 처리액의 공급하면서 충분한 속도로 기판(W)을 회전 시키지 않으면, 기판(W)의 중심 영역과 기판(W)의 외측 영역이 처리액에 노출되는 시간, 기판(W)의 중심 영역과 기판(W)의 외측 영역에 공급되는 처리액의 양에 차이가 발생될 수 있다. 이와 같은 현상은 기판(W)의 처리 품질을 저하 시킨다. 반면, 본 발명은 기판(W)의 영역별로 상이한 제1 노즐(384) 및 제2 노즐(394)로 제1 약액 및 제2 약액을 공급하여 기판(W)의 처리 품질을 향상 시키고, 기판(W)의 처리에 사용되는 약액을 절감할 수 있다.When the processing liquid is discharged to the substrate W, the substrate W is provided in a rotated state. Therefore, the processing liquid discharged to the substrate W is moved to the outside of the substrate W by centrifugal force. When supplying the processing liquid to the substrate W through one nozzle, if the processing liquid supplied to the substrate W is not sufficient, a region which is not covered by the processing liquid intermittently or continuously in the center region of the substrate W is formed. Can be generated. In addition, if the substrate W is not rotated at a sufficient speed while supplying sufficient processing liquid, the time at which the central region of the substrate W and the outer region of the substrate W are exposed to the processing liquid, and the central region of the substrate W And the amount of the processing liquid supplied to the outer region of the substrate W may occur. This phenomenon reduces the processing quality of the substrate (W). On the other hand, the present invention improves the processing quality of the substrate W by supplying the first chemical liquid and the second chemical liquid to the first nozzle 384 and the second nozzle 394 which are different for each region of the substrate W. The chemical liquid used for the treatment of W) can be reduced.

기판(W)에서 제1 노즐(384)에 의해 제1 약액이 공급되는 영역에 비해 제2 노즐(394)에 의해 제 2약액이 공급되는 영역은 원심력이 크게 작용한다. 따라서, 제2 노즐(394)에서 토출된 제2 약액은 제1 노즐(384)에서 토출된 제1 약액에 비해 기판(W)과의 반응 시간이 짧게 되어, 기판(W)의 처리 정도가 달라질 수 있다. 이에 제2 노즐(394)은 제1 노즐(384)과는 상이한 상태의 제2 약액을 기판(W)에 공급하여 기판(W) 처리 품질을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 제2 노즐(394)이 공급하는 제2 약액은 제1 노즐(384)이 공급하는 제1 약액에 비해 약액의 농도가 높을 수 있다. 또한, 제2 노즐(394)이 공급하는 제2 약액은 제1 노즐(384)이 공급하는 제1 약액에 비해 약액의 온도가 높을 수 있다. 제2 노즐(394)이 공급하는 제2 약액은 제1 노즐(384)이 공급하는 제1 약액에 비해 약액의 농도 및 온도가 높을 수 있다. 따라서, 제2 노즐(394)에서 공급되는 제2 약액은 제1 노즐(384)에서 공급되는 제1 약액에 비해 기판(W)과의 반응성이 증가되어, 반응 시간 감소에 따른 기판(W) 처리 상태의 저하를 상쇄 시킬 수 있다.The centrifugal force acts on the substrate W in a region where the second chemical is supplied by the second nozzle 394 as compared with a region where the first chemical is supplied by the first nozzle 384. Therefore, the second chemical liquid discharged from the second nozzle 394 has a shorter reaction time with the substrate W than the first chemical liquid discharged from the first nozzle 384, and thus the degree of processing of the substrate W is changed. Can be. Accordingly, the second nozzle 394 may supply the second chemical liquid in a state different from that of the first nozzle 384 to the substrate W to improve the substrate W processing quality. For example, the second chemical liquid supplied by the second nozzle 394 may have a higher concentration of the chemical liquid than the first chemical liquid supplied by the first nozzle 384. In addition, the temperature of the second chemical liquid supplied by the second nozzle 394 may be higher than that of the first chemical liquid supplied by the first nozzle 384. The second chemical liquid supplied by the second nozzle 394 may have a higher concentration and temperature of the chemical liquid than the first chemical liquid supplied by the first nozzle 384. Accordingly, the second chemical liquid supplied from the second nozzle 394 has an increased reactivity with the substrate W than the first chemical liquid supplied from the first nozzle 384, thereby treating the substrate W due to a decrease in reaction time. The fall of state can be canceled out.

도 4는 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a piping configuration connected to the first nozzle and the second nozzle.

도 4를 참조하면, 제1 노즐(384)은 제1 배관(410)에 의해 탱크(400)에 연결되고, 제2 노즐(394)은 제2 배관(420)을 통해 탱크(400)에 연결된다. 탱크(400)는 기판(W)으로 토출될 약액을 공급한다. 제1 배관(410)에는 제1 밸브(411)가 위치되고, 제2 배관(420)에는 제2 밸브(421)가 위치된다. 이에 따라, 제1 노즐(384) 및 제2 노즐(394)에는 동일한 약액이 공급될 수 있다.Referring to FIG. 4, the first nozzle 384 is connected to the tank 400 by the first pipe 410, and the second nozzle 394 is connected to the tank 400 through the second pipe 420. do. The tank 400 supplies the chemical liquid to be discharged to the substrate (W). The first valve 411 is located in the first pipe 410, and the second valve 421 is located in the second pipe 420. Accordingly, the same chemical liquid may be supplied to the first nozzle 384 and the second nozzle 394.

도 5는 제2 실시 예에 따라 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a view illustrating a piping configuration connected to the first nozzle and the second nozzle according to the second embodiment.

도 5를 참조하면, 제1 노즐(384)은 제1 배관(410a)에 의해 탱크(400a)에 연결되고, 제2 노즐(394)은 제2 배관(420a)을 통해 탱크(400a)에 연결된다. 탱크(400a)는 기판(W)으로 토출될 약액을 공급한다. 제1 배관(410a)에는 제1 밸브(411a)가 위치되고, 제2 배관(420a)에는 제2 밸브(421a) 및 히터(422a)가 위치된다. 히터(422a)는 제2 노즐(394)로 공급되는 약액을 가열하여, 제2 노즐(394)에서 토출되는 약액의 온도가 제1 노즐(384)에서 토출되는 약액의 온도에 비해 높게 한다. Referring to FIG. 5, the first nozzle 384 is connected to the tank 400a by the first pipe 410a, and the second nozzle 394 is connected to the tank 400a through the second pipe 420a. do. The tank 400a supplies the chemical liquid to be discharged to the substrate W. The first valve 411a is positioned in the first pipe 410a, and the second valve 421a and the heater 422a are positioned in the second pipe 420a. The heater 422a heats the chemical liquid supplied to the second nozzle 394 so that the temperature of the chemical liquid discharged from the second nozzle 394 is higher than the temperature of the chemical liquid discharged from the first nozzle 384.

도 6은 제3 실시 예에 따라 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.6 is a view showing a piping configuration connected to the first nozzle and the second nozzle according to the third embodiment.

도 6을 참조하면, 제1 노즐(384)은 제1 배관(410b)에 의해 탱크(400b)에 연결되고, 제2 노즐(394)은 제2 배관(420b)을 통해 탱크(400b)에 연결된다. 탱크(400b)는 기판(W)으로 토출될 약액을 공급한다. 제1 배관(410b)에는 제1 밸브(411b)가 위치되고, 제2 배관(420b)에는 제2 밸브(421b)가 위치된다. 보조 배관(430b)은 보조 탱크(401b)와 제1 배관(410b)을 연결한다. 보조 탱크(401b)는 약액의 농도를 낮추기 위한 약을 공급한다. 보조 탱크(401b)가 공급하는 액은 순수 일 수 있다. 보조 배관(430b)에는 보조 밸브(431b)가 제공된다. 보조 탱크(401b)가 공급하는 액이 약액과 혼합됨에 따라, 제1 노즐(384)에서 토출되는 약액은 제2 노즐(394)에서 토출되는 약액에 비해 농도가 낮아질 수 있다. 제2 배관(420b)에는 도 5의 실시 예와 유사하게 히터가 위치될 수 있다.Referring to FIG. 6, the first nozzle 384 is connected to the tank 400b by the first pipe 410b, and the second nozzle 394 is connected to the tank 400b through the second pipe 420b. do. The tank 400b supplies the chemical liquid to be discharged to the substrate W. The first valve 411b is positioned in the first pipe 410b, and the second valve 421b is positioned in the second pipe 420b. The auxiliary pipe 430b connects the auxiliary tank 401b and the first pipe 410b. The auxiliary tank 401b supplies medicine for lowering the concentration of the chemical liquid. The liquid supplied by the auxiliary tank 401b may be pure water. The auxiliary pipe 430b is provided with an auxiliary valve 431b. As the liquid supplied from the auxiliary tank 401b is mixed with the chemical liquid, the chemical liquid discharged from the first nozzle 384 may have a lower concentration than the chemical liquid discharged from the second nozzle 394. A heater may be located in the second pipe 420b similar to the embodiment of FIG. 5.

도 7는 제4 실시 예에 따라 제1 노즐 및 제2 노즐에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a view illustrating a pipe configuration connected to the first nozzle and the second nozzle according to the fourth embodiment.

도 5를 참조하면, 제1 노즐(384)은 제1 배관(410c)에 의해 제1 탱크(400c)에 연결되고, 제2 노즐(394)은 제2 배관(420c)을 통해 제2 탱크(401c)에 연결된다. 제1 탱크(400c) 및 제2 탱크(401c)는 기판(W)으로 토출될 약액을 공급한다. 제2 탱크(401c)가 공급하는 약액은 제1 탱크(400c)가 공급하는 약액에 비해 온도가 높은 약액, 농도가 높은 약액 또는 온도와 농도가 높은 약액일 수 있다. 제1 배관(410c)에는 제1 밸브(411c)가 위치되고, 제2 배관(420c)에는 제2 밸브(421c)가 위치된다. 제2 배관(420c)에는 도 5의 실시 예와 유사하게 히터가 위치될 수 있다.Referring to FIG. 5, the first nozzle 384 is connected to the first tank 400c by the first pipe 410c, and the second nozzle 394 is connected to the second tank (420) by the second pipe 420c. 401c). The first tank 400c and the second tank 401c supply the chemical liquid to be discharged to the substrate W. The chemical liquid supplied by the second tank 401c may be a chemical liquid having a higher temperature, a chemical liquid having a higher concentration, or a chemical liquid having a higher temperature and concentration than the chemical liquid supplied by the first tank 400c. The first valve 411c is located in the first pipe 410c, and the second valve 421c is located in the second pipe 420c. A heater may be located in the second pipe 420c similar to the embodiment of FIG. 5.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific fields and applications of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

10: 인덱스 모듈 20: 공정 처리 모듈
300: 기판처리장치 320: 컵
340: 스핀헤드 360: 승강유닛
380: 제1 분사부재 390: 제2 분사부재10: index module 20: process processing module
300: substrate processing apparatus 320: cup
340: spin head 360: lifting unit
380: first injection member 390: second injection member

Claims (17)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판을 지지하는 스핀헤드;
상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵;
상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역으로 제1 약액을 토출하는 제1 노즐;
상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역의 가장자리에서 외측 단부 사이에 상기 제1 약액과 화학 조성이 동일한 제2 약액을 토출하는 제2 노즐; 및
기판 처리 장치는 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액이 저장된 탱크를 더 포함하고,
상기 제1 노즐은 제1 배관에 의해 상기 탱크에 연결되고,
상기 제2 노즐은 히터가 제공된 제2 배관에 의해 상기 탱크에 연결되며,
상기 히터를 히팅함으로써 상기 제2 약액의 온도를 상기 제1 약액보다 온도보다 높게 제공하는 기판 처리 장치.A spin head supporting the substrate;
A cup surrounding the outer periphery of the spin head;
A first nozzle for discharging a first chemical liquid to a center region of the substrate located at the spin head;
A second nozzle for discharging a second chemical liquid having the same chemical composition as the first chemical liquid between an outer end portion of an edge of the center region of the substrate positioned in the spin head; And
The substrate processing apparatus further includes a tank in which the first chemical liquid and the second chemical liquid are stored.
The first nozzle is connected to the tank by a first pipe,
The second nozzle is connected to the tank by a second pipe provided with a heater,
A substrate processing apparatus for providing a temperature of the second chemical liquid higher than the temperature of the first chemical liquid by heating the heater. 제9 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 제1 약액의 농도를 낮추기 위한 순수가 저장된 보조 탱크를 더 포함하고,
상기 보조 탱크는 보조 배관에 의해 상기 제1 배관과 연결되며,
상기 보조 탱크는 상기 제1 약액의 농도를 상기 제2 약액의 농도보다 낮게 조정하기 위하여 상기 순수를 상기 제1 배관에 공급하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The substrate processing apparatus further includes an auxiliary tank storing pure water for lowering the concentration of the first chemical liquid,
The auxiliary tank is connected to the first pipe by an auxiliary pipe,
And the auxiliary tank supplies the pure water to the first pipe in order to adjust the concentration of the first chemical liquid to be lower than the concentration of the second chemical liquid. 기판을 지지하는 스핀헤드;
상기 스핀헤드를 외측 둘레를 감싸는 컵;
상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역으로 제1 약액을 토출하는 제1 노즐; 및
상기 스핀헤드에 위치된 상기 기판의 중심 영역의 가장자리에서 외측 단부 사이에 상기 제1 약액과 화학 조성이 동일한 제2 약액을 토출하는 제2 노즐;
상기 제1 약액 및 상기 제2 약액이 저장된 탱크; 및
상기 제1 약액의 농도를 낮추기 위한 순수가 저장된 보조 탱크를 포함하고,
제1 노즐은 제1 배관에 의해 상기 탱크에 연결되고,
상기 제2 노즐은 제2 배관에 의해 상기 탱크에 연결되고,
상기 보조 탱크는 보조 배관에 의해 상기 제1 배관과 연결되며,
상기 보조 탱크는 상기 제1 약액의 농도를 상기 제2 약액의 농도보다 낮게 조정하기 위하여 상기 순수를 상기 제1 배관에 공급하는 기판 처리 장치.

A spin head supporting the substrate;
A cup surrounding the outer periphery of the spin head;
A first nozzle for discharging a first chemical liquid to a center region of the substrate located at the spin head; And
A second nozzle for discharging a second chemical liquid having the same chemical composition as the first chemical liquid between an outer end portion of an edge of the center region of the substrate positioned in the spin head;
A tank in which the first chemical liquid and the second chemical liquid are stored; And
A secondary tank storing pure water for lowering the concentration of the first chemical liquid,
A first nozzle is connected to the tank by a first pipe,
The second nozzle is connected to the tank by a second pipe,
The auxiliary tank is connected to the first pipe by an auxiliary pipe,
And the auxiliary tank supplies the pure water to the first pipe in order to adjust the concentration of the first chemical liquid to be lower than the concentration of the second chemical liquid.

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