KR20190107824A - 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents

구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (A) 4가 세륨(Ce4+) 0.5 내지 6.0 중량%; (B) 함불소 화합물 0.3 내지 3.0 중량%; (C) 무기산 1.0 내지 10.0 중량%; (D) 유기산 및 유기산염 중 하나 이상 1.0 내지 20.0 중량%; (E) 고리형 아민화합물 0.1 내지 3.0 중량%; (F) 황산염 0.1 내지 5.0 중량%; (G) 아인산 0.1 내지 1.0 중량%; 및 (H) 물을 잔량으로 포함하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.

Description

구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법{ETCHANT COMPOSITION FOR COPPER-BASED AND TITANIUM-BASED METAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF AN ARRAY SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THEREOF}
본 발명은 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device)는 뛰어난 해상도에 따른 선명한 영상을 제공하며 전기를 적게 소모하고 디스플레이 화면을 얇게 만들 수 있게 하여 준다는 특성 때문에 평판 디스플레이 장치 중 가장 각광을 받고 있다. 오늘날 이러한 액정 등에 사용되는 표시 소자를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 회로로서 전형적인 박막 트랜지스터 액정표시(TFT-LCD) 소자는 디스플레이 화면의 화소(pixel)를 이루고 있다. TFT-LCD 소자에서 스위칭 소자로 작용하는 TFT는 매트릭스 형태로 배열한 TFT용기판과 그 기판을 마주 보는 컬러 필터 기판 사이에 액정 물질을 채워 제조한 것이다. TFT-LCD의 전체 제조 공정은 크게 TFT 기판 제조 공정, 컬러 필터 공정, 셀 공정, 모듈 공정으로 나뉘는데 정확하고 선명한 영상을 나타내는 데 있어서 TFT 기판과 컬러 필터 제조 공정의 중요성은 매우 크다.
화소표시 전극에 원하는 전기회로의 선로를 구현하려면 회로 패턴대로 박막층을 깎아내는 식각 (蝕刻, etching) 과정이 필요하다.
그러나, 기존의 식각액 조성물들은 주로 베리어(Barrier)막질에 주배선을 증착하여(depositon) 만들어진 이중막들에 대하여 일괄 식각이 가능하지만 좀더 다양한 금속 종류와 좀더 다층적으로 증착된 배선에 대하여 습식식각 공정을 통한 일괄식각이 용이하지 않다. 구체적으로, 4중막일 경우 4중막 모두에 대해서 동일한 식각량을 유지해야 하는데, 4중막에 해당하는 각각의 막의 식각속도가 모두 다르므로, 막마다 상이한 식각속도로 인해 균일하게 식각되지 않는 문제점이 발생한다.
한편, 대한민국 공개특허 제10-2017-0016716호는 평판디스플레이용 표시장치의 에칭공정에 사용되는 구리/구리를 포함하는 합금 식각용 에천트 및 이를 이용한 금속박막의 패턴 형성방법을 개시하고 있으나, 식각 프로파일이 좋지 않아, 표시장치의 품질이 저하되는 문제점이 있으며, 대한민국 공개특허 제10-2006-0033335호는 평판디스플레이용 표시장치의 크롬(Cr)막 에칭공정에 사용되는 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 금속박막의 패턴 형성방법을 개시하고 있으나, 구리(또는 구리화합물)막과 타이타늄(또는 타이타늄화합물)막에 적용 시, 타이타늄이 식각되지 않는 문제점을 갖고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2017-0016716호 대한민국 공개특허 제10-2006-0033335호
본 발명은 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 공정에서, 유기 기판 및 절연막에 손상을 주지 않으면서도, 구리계 및 타이타늄계 금속막에 대해 우수한 식각 성능을 제공할 수 있는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (A) 4가 세륨(Ce4+) 0.5 내지 6.0 중량%; (B) 함불소 화합물 0.3 내지 3.0 중량%; (C) 무기산 1.0 내지 10.0 중량%; (D) 유기산 및 유기산염 중 하나 이상 1.0 내지 20.0 중량%; (E) 고리형 아민화합물 0.1 내지 3.0 중량%; (F) 황산염 0.1 내지 5.0 중량%; (G) 아인산 0.1 내지 1.0 중량%; 및 (H) 물을 잔량으로 포함하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, b) 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계, c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계, d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 a) 단계 및/또는 상기 d) 단계는 구리계 및 타이타늄계 금속막으로 이루어진 층을 상기 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 공정에서, 유기 기판 및 절연막에 손상을 주지 않으면서도, 구리계 및 타이타늄계 금속막에 대해 우수한 식각 성능을 제공할 수 있는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명은 유기 기판 및 절연막에 손상을 주지 않으면서도, 구리계 및 타이타늄계 금속막에 대해 우수한 식각 성능을 제공할 수 있는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법에 대한 것으로, 구체적으로, 본 발명의 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물은, (A) 4가 세륨(Ce4+), (B) 함불소 화합물, (C) 무기산, (D) 유기산 및 유기산염 중 하나 이상, (E) 고리형 아민화합물, (F) 황산염, (G) 아인산 및 (H) 물을 포함한다.
또한, 본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, b) 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계, c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계, d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 a) 단계 및/또는 상기 d) 단계는 구리계 및 타이타늄계 금속막으로 이루어진 층을 상기 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 자세히 설명한다. 그러나 본 발명이 이들 성분들에 의해 한정되는 것은 아니다.
(A) 4가 세륨(Ce 4+ )
상기 4가 세륨은 구리계 금속막을 식각하는 주성분으로, 상기 4가 세륨이 3가 세륨으로 환원되며 구리계 금속막을 산화시키는 역할을 한다.
상기 4가 세륨은 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 6.0 중량%, 바람직하게는 0.8 내지 4 중량%로 포함되며, 0.5 중량% 미만으로 포함될 경우, 구리계 금속막의 식각 속도가 저하되어 잔사 및 공정상의 문제가 발생할 수 있으며, 6.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 타이타늄계 금속막의 식각 속도가 저하되어 잔사가 발생할 수 있으며, 구리의 과식각이 발생할 수 있다.
상기 4가 세륨은 반도체 공정용의 순도를 가져 금속 불순물이 ppb 수준 이하인 것이 사용 가능하며, 당 업계에서 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, Ammonium Ceric(IV) Nitrate, Sodium Ceric(IV) Nitrate, Potassium Ceric(IV) Nitrate, Calcium Ceric(IV) Nitrate, Ammonium Ceric(IV) Sulfate, Sodium Ceric(IV) Sulfate, Potassium Ceric(IV) Sulfate 및 Calcium Ceric(IV) Sulfate로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, Ammonium Ceric(IV) Nitrate가 보다 바람직하다.
(B) 함불소 화합물
상기 함불소 화합물은 물에 해리되어 플루오르(F) 이온을 낼 수 있는 화합물을 의미하며, 상기 4가 세륨이 식각할 수 없는 타이타늄계 금속막을 식각하는 주성분으로서, 식각 시 발생할 수 있는 잔사를 제거하여 주는 역할을 한다.
상기 함불소 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.3 내지 3.0 중량%, 바람직하게는 0.4 내지 1 중량%로 포함되며, 0.3 중량% 미만으로 포함될 경우, 타이타늄계 금속막의 식각 속도가 저하되어 잔사가 발생할 수 있으며, 3.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 금속배선이 형성되는 유리 등의 기판 및 금속 배선과 함께 형성되는 실리콘을 포함하는 절연막에 손상을 일으킬 수 있다.
상기 함불소 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride), 불화나트륨(sodium fluoride), 불화칼륨(potassium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 중불화나트륨(sodium bifluoride) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 불화암모늄, 중불화암모늄이 보다 바람직하다.
(C) 무기산
상기 무기산은 구리계 금속막을 식각하는 보조 성분으로, 식각 속도 및 테이퍼 앵글을 조절하며, 식각액 조성물의 용해도를 증가시켜 처리매수를 증가 시키는 역할을 한다.
상기 무기산은 조성물 총 중량에 대하여, 1.0 내지 10.0 중량%, 바람직하게는 1 내지 5 중량%로 포함되며, 1.0 중량% 미만으로 포함될 경우, 구리계 및 타이타늄계 금속막의 식각 속도가 저하되어 식각 프로파일 불량 및 잔사가 발생할 수 있으며, 10.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 과식각 및 포토레지스트 균열이 발생하여 약액 침투에 의하여 배선이 단락 될 수 있다.
상기 무기산은 질산, 황산 및 과염소산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 질산이 보다 바람직하다.
(D) 유기산 및 유기산염 중 하나 이상
상기 유기산 및 유기산염 중 하나 이상은 식각된 금속 이온과의 킬레이팅 작용을 하여 식각액 조성물에 영향을 주는 것을 방지해 줌으로써 결과적으로 처리매수를 증가시켜주는 역할을 한다.
상기 유기산 및 유기산염 중 하나 이상은 조성물 총 중량에 대하여, 1.0 내지 20.0 중량%, 바람직하게는 2 내지 15 중량%로 포함되며, 1.0 중량% 미만으로 포함될 경우, 처리매수 증가 효과가 없고, 20.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 과식각이 되어 배선의 단락이 발생할 수 있다.
상기 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 아세트산이 보다 바람직하다.
상기 유기산염은 상기 유기산의 나트륨염, 칼륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 암모늄염이 보다 바람직하다.
(E) 고리형 아민화합물
상기 고리형 아민화합물은 구리계 금속막의 식각 속도 조절과 일괄 식각을 하는 역할을 한다.
상기 고리형 아민화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3.0 중량%, 바람직하게는 0.3 내지 2 중량%로 포함되며, 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우, 일괄적으로 식각을 하지 못하여 배선의 식각 불량이 일어날 수 있고, 3.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 구리계 금속막의 식각 속도가 저하되어 공정상에서 식각 시간이 길어질 수 있어 생산 효율이 감소할 수 있다
상기 고리형 아민화합물은 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole), 이미다졸(imidazole), 인돌(indole), 푸린(purine), 피라졸(pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘(pyrrolidine), 피롤린(pyrroline), 5-메틸테트라졸(5-methyltetrazole) 및 벤조트리아졸(benzotriazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)이 보다 바람직하다.
(F) 황산염
상기 황산염은 상기 4가 세륨에 대한 안정제 역할을 한다. 구체적으로, 식각액 조성물 제조 시 또는 식각액 조성물을 이용한 식각 공정 중, 상기 4가 세륨이 세륨옥사이드(CeO2)의 중간 물질인 수산화세륨(Ce(OH)4H2O)으로 쉽게 변환이 되어 공정 중에 침적되는 문제가 발생되는데, 상기 황산염을 통해 이를 해결할 수 있다.
상기 황산염은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 5.0 중량%, 바람직하게는 0.2 내지 3 중량%로 포함되며, 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우, 상기 4가 세륨에 대한 안정제 역할을 수행할 수 없으며, 5.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 구리계 금속막의 식각 속도가 빨라져 과식각 및 배선 불량이 일어날 수 있다.
상기 황산염은 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산암모늄(NH4SO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산알루미늄(Al2(SO4)3), 황산수소나트륨(Na2HSO4), 황산수소암모늄(NH4HSO4) 및 황산수소칼륨(K2HSO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하고, 황산암모늄이 보다 바람직하다.
(G) 아인산
상기 아인산(H3PO2)을 상기 4가 세륨과 함께 식각액 조성물의 구성 성분으로 포함하는 경우, 타이타늄계 금속막에 대한 식각에 영향을 미치지 않으면서, 유리 기판과 절연막의 손상을 저해하고, 식각 프로파일을 향상시킬 수 있다.
식각액 조성물 내에 상기 아인산이 아닌, 인산류 및 인산염, 예를 들어, 아인산, 인산, 정인산나트륨, 피로인산나트륨, 트리폴리인산나트륨 및 칼슘피로인산염 등 인(P, phosphorous)을 포함하는 물질이 함유되는 경우, 유리 기판과 절연막의 손상을 저해하고, 식각 프로파일을 향상시킬 수는 있으나, 상기 4가 세륨이 타이타늄계 금속막에 대한 식각을 저해하는 것을 억제할 수 없어, 불량을 유발할 수 있다.
상기 아인산은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 1.0 중량%, 바람직하게는 0.2 내지 0.6 중량%로 포함되며, 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우, 유리 기판과 절연막의 손상을 저해하기 어렵고, 1.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 구리계 금속막의 식각 속도가 빨라져 과식각 현상이 발생할 수 있다.
(H) 물
상기 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 물은 물 속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항 값이 18㏁㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 각 구성 성분은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은,
a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 a) 단계 및/또는 상기 d) 단계는 구리계 및 타이타늄계 금속막으로 이루어진 층을 본 발명에 따른 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 구리계 및 타이타늄계 금속막은 구리, 구리 합금, 타이타늄 또는 타이타늄 합금의 단일막; 및 상기 단일막들 중에서 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막;을 포함하고, 상기 합금막은 질화막 또는 산화막을 포함할 수 있다.
상기 다층막의 예로는, 구리/타이타늄막, 구리/타이타늄 합금막, 구리 합금/타이타늄막, 구리 합금/타이타늄 합금막 등의 2중막, 또는 3중막 등을 들 수 있다. 상기 구리/타이타늄막은 타이타늄층과 상기 타이타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리/타이타늄 합금막은 타이타늄 합금층과 상기 타이타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리 합금/타이타늄막은 타이타늄층과 상기 타이타늄층 상에 형성된 구리 합금층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리 합금/타이타늄 합금막은 타이타늄 합금층과 상기 타이타늄 합금층 상에 형성된 구리 합금층을 포함할 수 있다.
특히, 본 발명의 식각액 조성물은 구리 또는 구리 합금막과 타이타늄 또는 타이타늄 합금막으로 이루어진 다층막의 식각에 바람직하게 적용될 수 있다.
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다.
그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
이하의 실시예 및 비교예에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다.
실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 19에 따른 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 19에 따른 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물을 제조하였다. 하기 표 1에서, 단위는 중량 %이며, 조성물의 총 중량이 100 중량 %가 되도록 물을 첨가하였다.
Figure pat00001
(A) 4가 세륨: Ammonium Ceric(IV) Nitrate
(B) 함불소 화합물: Ammonium bifluoride
(C) 무기산: Nitric acid
(D) 유기산: Acetic acid
(E) 고리형 아민화합물: 5-aminotetrazole
(F) 황산염: Ammonium sulfate
시험예
상기 실시예 및 비교예에 따른 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물을 사용하여 식각 공정을 수행하였다. 식각 공정 수행 시 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물의 식각 온도는 약 28℃ 내외이고, 식각 시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상적인 구리계 및 타이타늄계 금속막은 LCD Etching 공정에서 통상 80 내지 100초 정도로 진행하였고, 유리 기판 및 절연막 손상 측정을 위한 실험은 300초로 진행하여 SEM으로 측정하였다.
평가 기준은 하기와 같으며, 평가 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
<유리 기판 및 절연막 손상 평가 기준>
1.5 Å/sec 미만(Spec in): O로 표시
1.5 Å/sec 이상(Spec Out): 수치로 표시
<Cu 및 Ti 식각 평가 기준>
직진성 양호: ○
직진성 불량: X (과식각, 불균일 식각)
Figure pat00002
실시예와 같이, 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물이 4가 세륨과 아인산을 적정 함량 범위 내로 포함하는 경우, 유기 기판 및 절연막에 손상을 주지 않으면서도, 구리계 및 타이타늄계 금속막에 대해 우수한 식각 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
반면, 비교예와 같이, 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물에 4가 세륨과 아인산을 적정 함량 범위 내로 포함되지 않을 경우, 유리 기판 및 절연막 손상 또는 식각 특성이 저하되는 것을 확인할 수 있다.

Claims (10)

  1. 조성물 총 중량에 대하여,
    (A) 4가 세륨(Ce4+) 0.5 내지 6.0 중량%;
    (B) 함불소 화합물 0.3 내지 3.0 중량%;
    (C) 무기산 1.0 내지 10.0 중량%;
    (D) 유기산 및 유기산염 중 하나 이상 1.0 내지 20.0 중량%;
    (E) 고리형 아민화합물 0.1 내지 3.0 중량%;
    (F) 황산염 0.1 내지 5.0 중량%;
    (G) 아인산 0.1 내지 1.0 중량%; 및
    (H) 물을 잔량으로 포함하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 구리계 및 타이타늄계 금속막은 구리, 구리 합금, 타이타늄 또는 타이타늄 합금의 단일막; 및 상기 단일막들 중에서 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 (A) 4가 세륨(Ce4+)은 Ammonium Ceric(IV) Nitrate, Sodium Ceric(IV) Nitrate, Potassium Ceric(IV) Nitrate, Calcium Ceric(IV) Nitrate, Ammonium Ceric(IV) Sulfate, Sodium Ceric(IV) Sulfate, Potassium Ceric(IV) Sulfate 및 Calcium Ceric(IV) Sulfate로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 (B) 함불소 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride), 불화나트륨(sodium fluoride), 불화칼륨(potassium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 중불화나트륨(sodium bifluoride) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 (C) 무기산은 질산, 황산 및 과염소산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 (D) 유기산 및 유기산염 중 하나 이상에서,
    상기 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 글리콜산, 말론산, 옥살산, 펜탄산, 설포벤조산, 설포석신산, 설포프탈산, 살리실산, 설포살리실산, 벤조산, 락트산, 글리세르산, 석신산, 말산, 타르타르산, 이소시트르산, 프로펜산, 이미노디아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고,
    상기 유기산염은 상기 유기산의 나트륨염, 칼륨염 및 암모늄염으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 (E) 고리형 아민화합물은 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole), 이미다졸(imidazole), 인돌(indole), 푸린(purine), 피라졸(pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘(pyrrolidine), 피롤린(pyrroline), 5-메틸테트라졸(5-methyltetrazole) 및 벤조트리아졸(benzotriazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 (F) 황산염은 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산암모늄(NH4SO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산알루미늄(Al2(SO4)3), 황산수소나트륨(Na2HSO4), 황산수소암모늄(NH4HSO4) 및 황산수소칼륨(K2HSO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물.
  9. a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    b) 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    d) 상기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 a) 단계 및/또는 상기 d) 단계는 구리계 및 타이타늄계 금속막으로 이루어진 층을 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 따른 구리계 및 타이타늄계 금속막 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 구리계 및 타이타늄계 금속막은 구리, 구리 합금, 타이타늄 또는 타이타늄 합금의 단일막; 및 상기 단일막들 중에서 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
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CN110904456A (zh) * 2019-12-28 2020-03-24 苏州天承化工有限公司 一种铜蚀刻液及其制备方法和应用

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