KR20190105987A - A vaccum chuck for wafer - Google Patents

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KR20190105987A
KR20190105987A KR1020180026834A KR20180026834A KR20190105987A KR 20190105987 A KR20190105987 A KR 20190105987A KR 1020180026834 A KR1020180026834 A KR 1020180026834A KR 20180026834 A KR20180026834 A KR 20180026834A KR 20190105987 A KR20190105987 A KR 20190105987A
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Abstract

The present invention relates to a vacuum chuck for a wafer. More specifically, the vacuum chuck for a wafer includes: a base table located on a dicing facility including a control part and a dicing unit, and including a vacuum flow path connected to a vacuum source; a porous part on which a wafer is placed, and installed on the upper surface of the base table to come into contact with the vacuum flow path; a current carrying ring surrounding the porous part; a contact terminal installed on the base table to be electrically connected to the dicing facility; and a connector connected to the current carrying ring and the contact terminal. If the dicing unit comes into contact with the current carrying unit, the dicing facility and the dicing unit are electrically connected through the connector and the contact terminal to generate a signal, and then, the control part sets the zero point of the dicing facility based on the signal. Based on the composition, the zero point of the dicing facility and the vacuum chuck can be set without a current-carriable coating on the vacuum chuck.

Description

웨이퍼용 진공척{A VACCUM CHUCK FOR WAFER}Vacuum chuck for wafers {A VACCUM CHUCK FOR WAFER}

본 발명은 웨이퍼용 진공척에 관한 것으로, 특히 진공척과 다이싱 설비가 통전되어 영점(Zero point)을 셋팅시킬 수 있는 웨이퍼용 진공척에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum chuck for wafers, and more particularly, to a vacuum chuck for wafers in which a vacuum chuck and a dicing apparatus are energized to set a zero point.

일반적으로 격자형으로 배열된 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획되고, 상기 구획된 영역에 IC, LSI 등의 반도체 디바이스가 형성된 웨이퍼가 알려져 있다. BACKGROUND ART In general, a wafer is divided into a plurality of regions by a division scheduled line arranged in a lattice shape, and a semiconductor device such as an IC or an LSI is formed in the divided region.

상기 웨이퍼는 테이블에 놓인 상태에서 이송 및/또는 회전되면서 블레이드에 의해 상기 분할 예정 라인을 따라 절단됨으로써 개개의 반도체 디바이스가 되는 칩이 제조된다.The wafer is cut along the predetermined line to be divided by the blade while being transported and / or rotated in a state where the wafer is placed on a table, thereby producing a chip that becomes an individual semiconductor device.

상기 웨이퍼를 절단하는 가공 장치로는 분할 예정 라인을 따라 레이저 광선을 조사시켜 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 장치나, 회전하는 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 다이싱 가공시켜 절단하는 다이싱 가공장치가 사용되고 있다.As a processing apparatus for cutting the wafer, a laser processing apparatus for cutting a wafer by irradiating a laser beam along a dividing line, or a dicing processing apparatus for dicing and cutting a wafer by a rotating dicing blade is used. .

한편, 상기 레이저 가공 장치에 관한 기술이 게재된 국내공개특허공보 제10-2016-0029685호에서 척 테이블(20)은 판상 워크를 유지하는 유지면(21a)을 갖는 포러스(Porous)(21)와, 상기 유지면(21a)을 노출시키되 상기 포러스(21)를 둘러싸는 프레임(22)으로 구성된다. Meanwhile, in Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2016-0029685 in which a technology relating to the laser processing apparatus is published, the chuck table 20 includes a porous 21 having a holding surface 21a for holding a plate-shaped workpiece. The frame 22 is formed to expose the holding surface 21a and surround the porous 21.

상기 프레임(22)은 상기 포러스(21)와 흡인원(23)을 연통하는 제1흡인로(22b)를 구비한다. The frame 22 includes a first suction path 22b for communicating the porous portion 21 and the suction source 23.

상기 포러스(21)는 다공성 세라믹으로 형성되어 있다. 상기 유지면(21a)의 표면 저항치는 1×

Figure pat00001
∼ 1×
Figure pat00002
Ω으로 구성된다. The porous 21 is formed of a porous ceramic. The surface resistance of the holding surface 21a is 1 ×
Figure pat00001
To 1 ×
Figure pat00002
It is composed of Ω.

전술된 바와 같은 종래의 레이저 가공 장치는 다이싱 가공장치를 절삭수와 함께 이용하지 않기 때문에, 가공 중에 척 테이블 및 웨이퍼에 대전한 정전기를 제전(除電)할 수 없게 된다. 따라서 종래의 레이저 가공 장치는 접지를 통해 척 테이블을 접지시켜 척테이블의 정전기를 제전시켜야 한다. 즉, 종래의 레이저 가공 장치는 웨이퍼를 흡인하여 유지하는 포러스(Porous)를 도전성 부재로 하고, 포러스에 정전기를 통전시켜 웨이퍼의 정전기를 제전시켜야 하므로 구조가 복잡하다.In the conventional laser processing apparatus as described above, since the dicing processing apparatus is not used with the cutting water, the static electricity charged on the chuck table and the wafer during the machining cannot be prevented. Therefore, the conventional laser processing apparatus must ground the chuck table through the ground to discharge static electricity from the chuck table. In other words, the conventional laser processing apparatus has a complicated structure because a porous material that attracts and holds a wafer is used as a conductive member, and static electricity is applied to the porous to discharge static electricity from the wafer.

상기 다이싱 가공장치는 웨이퍼를 진공척에 흡인 유지시킨 상태로 가공을 한다. 상기 다이싱 가공장치는 웨이퍼를 유지하는 진공척, 상기 웨이퍼를 다이싱시키는 다이싱 유닛과 웨이퍼를 흡인하기 위한 진공펌프, 즉 진공원을 구비하며 진공척을 흡인 유지 및 회전시키는 다이싱 설비로 이루어진다. The dicing apparatus performs processing while the wafer is sucked and held by a vacuum chuck. The dicing apparatus includes a vacuum chuck for holding a wafer, a dicing unit for dicing the wafer, and a dicing facility having a vacuum pump for suctioning a wafer, that is, a vacuum source and suction holding and rotating the vacuum chuck. .

상기 진공척은 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지면을 갖는 포러스(Porous)와, 상기 포러스를 수용하며 상기 진공원과 연통된 진공홀이 형성된 베이스 프레임으로 이루어진다. 상기 프레임은 둘레가 상부로 돌출 형성되며, 이로 인해 상기 프레임에는 오목한 홈이 형성된다. 따라서 상기 포러스는 둘레와 하면이 상기 프레임과 접촉된 채 상기 홈에 수용된다. 따라서 상기 웨이퍼는 상기 진공척에 연결된 상기 포러스와 상기 진공홀에 의해 상기 진공척의 상면, 즉 포러스의 유지면에 흡인 유지될 수 있다.The vacuum chuck is composed of a porous frame having a holding surface for sucking and holding a wafer, and a base frame in which a vacuum hole is received and communicates with the vacuum source. The frame has a circumference protruding upward, thereby forming a concave groove in the frame. Therefore, the forus is accommodated in the groove with its circumference and lower surface contacting the frame. Accordingly, the wafer may be sucked and held on the upper surface of the vacuum chuck, that is, the holding surface of the porous chuck, by the porous and vacuum holes connected to the vacuum chuck.

이러한 다이싱 가공장치는 우선 다이싱 유닛이 진공척보다 상부에 위치되어야 하며, 이후에 다이싱 유닛이 진공척과 통전되도록 접촉되고 다이싱 가공장치의 영점을 셋팅시킨 후, 웨이퍼를 다이싱시키는 공정을 시작한다. Such a dicing apparatus must first be placed above the vacuum chuck, and then the dicing unit is brought into contact with the vacuum chuck and the zero point of the dicing apparatus is set, followed by dicing the wafer. To start.

한편 다이싱 유닛에는 다이싱 설비와의 통전을 가능하게 하는 통전부(미도시)가 구비된다.On the other hand, a dicing unit is provided with an electricity supply part (not shown) which enables electricity supply with a dicing facility.

한편, 국내등록특허공보 제10-0744102호의 스핀코터용 진공척은 진공척의 축에 고정된 회전판(10) 상에 십(十)자형으로 구비되되, 중앙부에 형성된 1 개의 진공흡입구(22), 상기 진공흡입구(22)를 기준으로 상,하,좌,우에 일정 간격으로 한쌍의 보조 진공흡입구(24)가 관통 형성된 판상의 진공흡입판(20), 상기 진공흡입판(20)의 보조 진공흡입구(24)를 개폐하도록 상기 회전판(10)의 내부에 구비되는 진공조절판(30)으로 구성된 웨이퍼 다이싱 가공장치에 관한 기술이 알려져 있다.On the other hand, the spin coater vacuum chuck of Korean Patent Publication No. 10-0744102 is provided in a cross shape on the rotating plate 10 fixed to the shaft of the vacuum chuck, one vacuum suction port 22 formed in the center, the A plate-shaped vacuum suction plate 20 through which a pair of auxiliary vacuum suction holes 24 penetrate at predetermined intervals on the basis of the vacuum suction hole 22 and the auxiliary vacuum suction hole of the vacuum suction plate 20 ( Description of the Related Art A wafer dicing apparatus comprising a vacuum regulating plate 30 provided inside the rotating plate 10 to open and close 24 is known.

한편 국내등록특허공보 제10-0806542호에 게재된 크기가 서로 다른 기판을 진공으로 흡인하여 지지하는 진공척(vacuum chuck)은 기판을 흡인하는 제1크기의 기판에 상당하는 제1통기부(51)와, 제2크기의 기판에만 해당하는 제2통기부(52)로 이루어진 통기부와, 상기 통기부의 하면 및 외주를 둘러싸는 비통기부(53)로 구성된다.On the other hand, a vacuum chuck that sucks and supports substrates having different sizes as disclosed in Korean Patent Publication No. 10-0806542 is a first vent part 51 corresponding to a substrate of a first size that sucks the substrate. And a vent formed of a second vent 52 corresponding to the substrate of the second size, and a non-vented part 53 surrounding the lower surface and the outer circumference of the vent.

상기 제1통기부(51)와 제2통기부(52)의 사이에는 상기 비통기부(53)가 상측으로 돌출하여 제1통기부(51)와 제2통기부(52)는 상측만 서로 연결된다. Between the first vent part 51 and the second vent part 52, the non-vent part 53 protrudes upward, so that the first vent part 51 and the second vent part 52 connect only to the upper side. do.

상기 비통기부(53)의 하부는 상기 제1통기부(51)와 연결되는 제1진공기구(55)와 제1블로워(56), 상기 제2통기부(52)와 연결되는 제2진공기구(57)와 제2블로워(58)가 설치된다.The lower part of the non-venting part 53 is a first vacuum mechanism 55 and a first blower 56 connected to the first venting part 51, and a second vacuum mechanism connected to the second venting part 52. 57 and a second blower 58 are provided.

제1크기의 기판이 재치될 때에는 제1진공기구(55)만 작동하고, 제1크기의 기판의 처리가 종료하여 청소를 할 때에는 제1, 2블로워(56,58)가 작동한다.When the substrate of the first size is placed, only the first vacuum mechanism 55 operates, and the first and second blowers 56, 58 operate when the processing of the substrate of the first size is completed and cleaned.

반면 제2크기의 기판이 재치될 때에는 제1, 2진공기구(55,57)가 작동하고, 제2크기의 기판의 처리가 종료하여 청소를 할 때에는 제1, 2블로워(56,58)가 작동한다.On the other hand, the first and second vacuum mechanisms 55 and 57 operate when the second size substrate is placed, and the first and second blowers 56 and 58 operate when the second size substrate is finished and cleaned. Works.

한편, 종래의 다이싱 가공장치 분야에서는 진공척 중 세라믹 재질로 이루어지며 상면에 TiO2(이산화 타이타늄) 코팅이 되어 통전이 가능한 베이스에 다이싱 스핀들이 접촉되면 다이싱 스핀들에 전류가 통전되어 신호가 발생되고, 상기 발생 신호를 다이싱 설비의 영점 셋팅 및 제어장치로 전달시키고, 상기 제어장치에서 상기 발생 신호를 토대로 상기 다이싱 스핀들의 영점을 셋팅시키는 기술이 알려져 있다. 그러나 이러한 기술은 상기 코팅을 하는 가격이 비싸고 공정이 복잡하며 현재 국내기술로는 극복하기 어려운 문제점이 있다.On the other hand, in the conventional dicing processing apparatus field, the vacuum chuck is made of ceramic material and is coated with TiO2 (titanium dioxide) on the upper surface, when the dicing spindle contacts the base that can be energized, current is energized through the dicing spindle to generate a signal. And a technique for transmitting the generated signal to a zero setting and control device of a dicing facility and setting the zero point of the dicing spindle based on the generated signal in the control device. However, such a technology has a problem that the coating is expensive and the process is complicated and difficult to overcome with current domestic technology.

또한, 다이싱 스핀들이 베이스의 TiO2 코팅에 접촉되면서 상기 코팅이 벗겨지는데, 이로 인해 다이싱 스핀들의 영점 셋팅이 정상적으로 이루어지지 않게 되므로 베이스를 재코팅 해야하는 상황이 발생된다.In addition, the coating is peeled off when the dicing spindle is in contact with the TiO 2 coating of the base, which results in a situation in which the base setting of the dicing spindle is not performed normally, and thus the base is to be recoated.

한편, 종래의 통전 코팅된 진공척은 전술된 바와 같이 상기 표면 저항치 값이 커 통전 시 발생되는 저항으로 인해 정확한 웨이퍼 다이싱 가공이 어려웠다.On the other hand, the conventional electrically coated vacuum chuck, as described above, the surface resistance value is large, it is difficult to precise wafer dicing due to the resistance generated when the current is applied.

국내공개특허공보 제10-2016-0029685호Domestic Patent Publication No. 10-2016-0029685 국내등록특허공보 제10-0744102호Domestic Patent Publication No. 10-0744102 국내등록특허공보 제10-0806542호Domestic Patent Publication No. 10-0806542

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 진공척에 통전이 가능한 코팅을 하지 않고도 진공척과 다이싱 설비를 통전시켜 영점(Zero Point)을 셋팅시킬 수 있는 웨이퍼용 진공척을 제공하는 것이 목적이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a vacuum chuck for a wafer that can set a zero point by energizing a vacuum chuck and a dicing facility without applying a coating capable of energizing the vacuum chuck. .

또한, 본 발명은 진공척과 다이싱 설비를 통전시키는 수단의 내구성이 좋아 정밀하게 영점이 셋팅되는 웨이퍼용 진공척을 제공하는 것이 목적이다.In addition, an object of the present invention is to provide a vacuum chuck for a wafer in which the durability of the means for energizing the vacuum chuck and the dicing equipment is good and the zero point is set precisely.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼용 진공척은, 다이싱 유닛과 연결된 제어부를 포함하는 다이싱 설비에 의해 구동되고, 진공원과 연결된 진공유로가 형성된 베이스 테이블; 상면에 웨이퍼가 놓이며, 상기 진공유로와 접촉되도록 상기 베이스 테이블의 상면에 구비되는 포러스; 상기 포러스를 둘러싸는 통전 링; 상기 다이싱 설비와 통전될 수 있도록 상기 베이스 테이블에 구비되는 접촉단자; 상기 접촉단자와 상기 통전 링에 연결되는 커넥터;를 포함하여 이루어지되, 상기 다이싱 유닛이 상기 통전 링에 접촉되면 상기 커넥터와 상기 접촉단자를 통해 상기 다이싱 유닛과 상기 다이싱 설비가 통전되어 신호가 발생되고, 상기 제어부는 상기 신호를 토대로 상기 진공척과 상기 다이싱 유닛의 영점을 셋팅하는 것을 특징으로 한다.The vacuum chuck for a wafer of the present invention for achieving the above object is a base table driven by a dicing facility including a control unit connected to the dicing unit, the vacuum table is connected to the vacuum source; A wafer placed on an upper surface of the substrate and provided on an upper surface of the base table to be in contact with the vacuum flow path; A conduction ring surrounding the porous; A contact terminal provided on the base table to be energized with the dicing facility; And a connector connected to the contact terminal and the conduction ring, wherein the dicing unit and the dicing facility are energized through the connector and the contact terminal when the dicing unit contacts the conduction ring. Is generated, and the control unit sets zero points of the vacuum chuck and the dicing unit based on the signal.

또한, 본 발명의 웨이퍼용 진공척은, 상기 베이스 테이블의 상면에는 홈이 형성되고, 상기 홈에 상기 접촉단자와 상기 커넥터가 삽입되며, 상기 홈에는 접착제가 도포되어 상기 포러스와 상기 베이스 테이블이 접착되고, 상기 커넥터가 상기 베이스 테이블에 고정되는 것을 특징으로 한다.In the wafer vacuum chuck of the present invention, a groove is formed on an upper surface of the base table, the contact terminal and the connector are inserted into the groove, and an adhesive is applied to the groove to bond the porous and the base table. And the connector is fixed to the base table.

본 발명의 웨이퍼용 진공척은 다음과 같은 효과가 있다.The vacuum chuck for wafers of the present invention has the following effects.

본 발명은 진공척에 도포가 어렵고 비싼 코팅을 하지 않아도 진공척과 다이싱 유닛이 통전되므로 다이싱 가공 장치의 영점(Zero point) 셋팅이 용이하다.In the present invention, the vacuum chuck and the dicing unit are energized even when the coating is difficult to apply to the vacuum chuck, and thus the zero point setting of the dicing apparatus is easy.

또한, 본 발명은 와이어에 의한 볼 플런저와 통전 링의 연결이 끊어질 일이 없으므로 다이싱 가공 장치의 영점 셋팅이 원활하게 이루어져 웨이퍼의 다이싱 효율이 좋다.In addition, in the present invention, since the connection between the ball plunger and the conduction ring by the wire is not broken, the zero setting of the dicing apparatus is smooth and the dicing efficiency of the wafer is good.

또한, 본 발명은 통전 링 또는 베이스 테이블의 형상이 변형되는 것이 방지되므로 웨이퍼의 다이싱 효율이 좋다.In addition, the present invention has a good dicing efficiency of the wafer since the shape of the conduction ring or the base table is prevented from being deformed.

또한, 본 발명은 다이싱 유닛이 통전 링에 접촉되어 통전됨에 따라 발생되는 저항의 값이 없거나 종래보다 극히 작게 발생되므로, 종래보다 정밀하게 다이싱 가공 장치의 영점을 셋팅시킬 수 있어 웨이퍼의 다이싱 효율이 좋다.In addition, in the present invention, since the value of the resistance generated when the dicing unit is in contact with the energization ring is energized, or is generated to be extremely small than before, the dicing of the wafer can be set more accurately than before. The efficiency is good.

도 1은 본 발명 중 제1실시 예의 진공척이 다이싱 유닛과 다이싱 설비와 전기적으로 연결됨을 나타낸 도면
도 2는 도 1의 베이스에 설치된 진공척의 부분 단면도 및 다이싱 유닛
도 3은 도 2의 부분 확대도
도 4는 도 1과 도 2에 도시된 진공척의 상면도
도 5는 도 1과 도 2에 도시된 진공척의 하면도
도 6은 제1실시 예의 진공척의 부분 단면도
도 7은 제1실시 예의 진공척의 또 다른 부분 단면도
도 8은 제2실시 예의 진공척의 부분 단면도
도 9는 제3실시 예의 진공척의 부분 단면도
도 10은 제5실시 예의 진공척의 부분 단면도
도 11은 다른 실시 예의 접촉단자가 적용된 진공척의 부분 단면도1 is a view showing that the vacuum chuck of the first embodiment of the present invention is electrically connected to a dicing unit and a dicing facility.
FIG. 2 is a partial cross sectional view of the vacuum chuck installed on the base of FIG. 1 and a dicing unit; FIG.
3 is a partially enlarged view of FIG. 2;
4 is a top view of the vacuum chuck shown in FIGS. 1 and 2;
5 is a bottom view of the vacuum chuck shown in FIGS. 1 and 2;
6 is a partial cross-sectional view of the vacuum chuck of the first embodiment;
7 is another partial sectional view of the vacuum chuck of the first embodiment;
8 is a partial cross-sectional view of the vacuum chuck of the second embodiment;
9 is a partial cross-sectional view of the vacuum chuck of the third embodiment.
10 is a partial sectional view of a vacuum chuck of the fifth embodiment
11 is a partial cross-sectional view of a vacuum chuck to which a contact terminal of another embodiment is applied;

이하에서 설명될 본 발명의 구성들 중 종래기술과 동일한 구성에 대해서는 전술한 종래기술을 참조하기로 하고 별도의 상세한 설명은 생략한다.Among the configurations of the present invention to be described below, the same configurations as the prior art will be referred to the above-described prior art, and a detailed description thereof will be omitted.

여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms “a,” “an,” and “the” include plural forms as well, unless the phrases clearly indicate the opposite. As used herein, the term "comprising" embodies a particular characteristic, region, integer, step, operation, element, and / or component, and other specific characteristics, region, integer, step, operation, element, component, and / or group. It does not exclude the presence or addition of.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "contacted" to another component, it may be directly connected to or in contact with the other component, but it may be understood that there may be other components in between. Should be.

이하에서는 도 1 내지 도 6을 토대로 본 발명의 바람직한 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)과, 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)이 연결되는 다이싱 설비(100)를 포함하여 이루어진 다이싱 가공장치에 대하여 설명하도록 한다. Hereinafter, based on FIGS. 1 to 6, a dicing facility 100 including a wafer vacuum chuck 300 according to a first embodiment of the present invention and a wafer vacuum chuck 300 according to the first embodiment are connected. The dicing apparatus will be described.

본 설명에서 다이싱 가공장치란 웨이퍼용 진공척(300) 및 다이싱 설비(100)를 통틀어 말하는 용어로 사용된다.In this description, the dicing apparatus is used as a term for the vacuum chuck 300 and the dicing equipment 100 for a wafer.

이하에서는 진공척(300)은 웨이퍼용 진공척(300)과 같다.Hereinafter, the vacuum chuck 300 is the same as the wafer vacuum chuck 300.

도 1은 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)과 다이싱 유닛(200)과 다이싱 설비(100)가 전기적으로 연결된 모습을 도시한 것이고, 도 2는 베이스(103)에 설치되되 커넥터(W)의 도시가 생략된 제1실시 예의 진공척(300)의 부분 단면도 및 다이싱 유닛(200)을 함께 나타낸 것이고 다이싱 가공 장치의 영점이 셋팅된 모습이며, 도 3은 도 2에 도시된 진공척(300)의 부분 확대도이고, 도 4는 도 1과 도 2에 도시된 진공척(300)의 상면도이며, 도 5는 도 1과 도 2에 도시된 진공척(300)의 하면도이고, 도 6은 제1실시 예의 오링(521,523)과 나사홀(340,510)이 미도시된 진공척(300)의 부분 단면도이며, 도 7은 제1실시 예의 진공척(300)의 부분 단면도이고, 도 8은 제2실시 예의 진공척(300)의 부분 단면도이며, 도 9는 제3실시 예의 진공척(300)의 부분 단면도이고, 도 10은 제5실시 예의 진공척(300)의 부분 단면도이며, 도 11은 다른 실시 예의 접촉단자(600)가 적용된 진공척(300)의 부분 단면도이다.FIG. 1 is a view illustrating a state in which a vacuum chuck 300 for a wafer, a dicing unit 200, and a dicing facility 100 of the first embodiment are electrically connected, and FIG. 2 is installed on a base 103, and a connector ( A partial cross-sectional view of the vacuum chuck 300 of the first embodiment, in which the illustration of W) is omitted, and a dicing unit 200 are shown together, and a zero point of the dicing apparatus is set, and FIG. 3 is shown in FIG. 2. A partial enlarged view of the vacuum chuck 300, FIG. 4 is a top view of the vacuum chuck 300 shown in FIGS. 1 and 2, and FIG. 5 is a bottom view of the vacuum chuck 300 shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the vacuum chuck 300 of the first embodiment of the O-rings 521 and 523 and the screw holes 340 and 510, and FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the vacuum chuck 300 of the first embodiment. 8 is a partial sectional view of the vacuum chuck 300 of the second embodiment, FIG. 9 is a partial sectional view of the vacuum chuck 300 of the third embodiment, and FIG. 10 is a partial sectional view of the vacuum chuck 300 of the fifth embodiment. 11 is a partial cross-sectional view, and FIG. 11 is a partial cross-sectional view of the vacuum chuck 300 to which the contact terminal 600 of another embodiment is applied.

본 발명의 웨이퍼용 진공척(300)은 다이싱 유닛(200)과 연결된 제어부(미도시)를 포함하는 다이싱 설비(100)에 의해 구동되고, 진공원(미도시)과 연결된 진공유로(311,313)가 형성된 베이스 테이블(310); 상면에 웨이퍼(WF)가 놓이며, 상기 진공유로(311,313)와 연결되도록 상기 베이스 테이블(310)의 상면에 구비되는 포러스(400); 상기 포러스(400)를 둘러싸는 통전 링(500); 상기 베이스 테이블(310)에 구비되어 상기 다이싱 설비(100)와 통전될 수 있는 접촉단자(600); 상기 접촉단자(600)와 상기 통전 링(500)에 연결되는 커넥터(W);를 포함하여 이루어지되, 상기 다이싱 유닛(200)이 상기 통전 링(500)에 접촉되면 상기 커넥터(W)와 상기 접촉단자(600)를 통해 상기 다이싱 유닛(200)과 상기 다이싱 설비(100)가 통전되어 신호가 발생되고, 상기 제어부는 상기 신호를 토대로 상기 진공척(300)과 상기 다이싱 유닛(200)의 영점(Zero point)을 셋팅하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 진공척(300)에 도포가 어렵고 비싼 코팅을 하지 않아도 진공척(300)과 다이싱 유닛(200)이 통전되므로 다이싱 가공 장치의 영점 셋팅이 용이하다.The vacuum chuck 300 for wafers of the present invention is driven by a dicing facility 100 including a control unit (not shown) connected to the dicing unit 200 and vacuum passages 311 and 313 connected to a vacuum source (not shown). A base table 310 on which is formed; A wafer 400 placed on an upper surface of the wafer 400 and provided on an upper surface of the base table 310 to be connected to the vacuum flow paths 311 and 313; An energization ring 500 surrounding the forus 400; A contact terminal 600 provided on the base table 310 and capable of being energized with the dicing facility 100; And a connector (W) connected to the contact terminal (600) and the conduction ring (500). When the dicing unit (200) contacts the conduction ring (500), the connector (W) and The dicing unit 200 and the dicing facility 100 are energized through the contact terminal 600 to generate a signal, and the control unit generates the vacuum chuck 300 and the dicing unit based on the signal. It is characterized by setting the zero point (200). Therefore, since the vacuum chuck 300 and the dicing unit 200 are energized even when the coating is difficult and expensive coating is applied to the vacuum chuck 300, it is easy to set the zero point of the dicing apparatus.

본 실시 예의 다이싱 가공장치는 통전 링(500)이 다이싱 블레이드(210)와 접촉되면, 전류가 다이싱 설비(100), 접촉단자(600), 커넥터(W), 통전 링(500), 다이싱 스핀들(230)을 포함하는 다이싱 유닛(200)에 모두 통하게 되는 것이다. 따라서 다이싱 유닛(200)이 다이싱 설비(100)와 통전되면 상기 통전 신호는 영점을 계산하는 상기 제어부로 전달되며, 상기 제어부는 상기 통전 신호를 토대로 정밀하게 다이싱 가공장치의 영점을 셋팅시킨다. In the dicing apparatus of this embodiment, when the energization ring 500 is in contact with the dicing blade 210, the current is dicing equipment 100, the contact terminal 600, the connector (W), the energization ring 500, All will be through the dicing unit 200 including the dicing spindle 230. Therefore, when the dicing unit 200 is energized with the dicing equipment 100, the energization signal is transmitted to the control unit for calculating the zero point, and the control unit precisely sets the zero point of the dicing processing device based on the energization signal. .

상기 제어부는 진공척(300)과 다이싱 유닛(200) 등을 제어시킬 수 있으므로 다이싱 가공장치의 영점을 셋팅시킬 수 있다.The controller may control the vacuum chuck 300, the dicing unit 200, and the like, thereby setting the zero point of the dicing apparatus.

한편, 본 명세서에 기재된 연결과 통전은 다른 것이다. 예를 들어 다이싱 유닛(200)은 다이싱 설비(100)와 연결되어 있지만 다이싱 설비(100)와 항상 통전되는 것이 아니고, 다이싱 유닛(200)이 통전 링(500)에 접촉되면 다이싱 설비(100)와 통전되는 것이다.On the other hand, the connection and energization described herein are different. For example, the dicing unit 200 is connected to the dicing facility 100 but is not always energized with the dicing facility 100, and dicing when the dicing unit 200 contacts the energization ring 500. It is energized with the facility 100.

본 발명의 웨이퍼용 진공척은 외형이 원형 또는 각형 중 어느 하나의 형상으로 제작될 수 있다. 보다 자세하게 진공척을 구성하는 부품 중 포러스(400)의 외주면, 통전 링(500)의 외주면, 베이스 테이블(300)의 외주면이 원형 또는 각형 중 어느 하나의 형상으로 제작될 수 있으나, 본 실시 예에서는 진공척이 원형으로 도시되었다.The vacuum chuck for wafers of the present invention may be manufactured in any one of a circular shape or a square shape. In detail, the outer circumferential surface of the porous 400, the outer circumferential surface of the energizing ring 500, and the outer circumferential surface of the base table 300 may be manufactured in any one of circular or square shapes. The vacuum chuck is shown in a circle.

또한, 본 발명의 웨이퍼용 진공척은, 상기 베이스 테이블(310)의 상면에는 홈(330)이 형성되고, 상기 홈(330)에 상기 접촉단자(600)와 상기 커넥터(W)가 삽입되며, 상기 홈(330)에는 접착제가 도포되어 상기 포러스(400)와 상기 베이스 테이블(310)이 접착되고, 상기 커넥터(W)가 상기 베이스 테이블(310)에 고정되는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 종래에도 포러스(400)와 베이스 테이블(310)을 접착시키기 위해 사용되던 접착제가 커넥터(W)를 고정시키는 용도로도 사용되므로 커넥터(W) 설치가 용이하고 비용이 절감된다.In the wafer vacuum chuck of the present invention, a groove 330 is formed on an upper surface of the base table 310, and the contact terminal 600 and the connector W are inserted into the groove 330. An adhesive is applied to the groove 330 to bond the porous 400 and the base table 310, and the connector W is fixed to the base table 310. Therefore, the present invention is easy to install the connector (W) and the cost is reduced because the adhesive used in the prior art for bonding the forks 400 and the base table 310 is also used for fixing the connector (W).

본 설명에서 접착제는 에폭시(E)이고, 커넥터(W)는 와이어(W)(Wire)고, 접촉단자(600)는 볼 플런저(600)(ball plunger)다. In the present description, the adhesive is epoxy (E), the connector (W) is a wire (W), and the contact terminal 600 is a ball plunger (ball plunger).

접촉단자(600)는 볼 플런저(600) 외에도 통전이 가능한 재질이면 사용할 수 있다.In addition to the ball plunger 600, the contact terminal 600 may be used as long as it is a material capable of energizing.

와이어(W)의 일측(내측)은 볼 플런저(600)에 연결되고, 와이어(W)의 타측(외측)은 통전 링(500)의 하면에 연결된다.One side (inner side) of the wire W is connected to the ball plunger 600, and the other side (outer side) of the wire W is connected to the bottom surface of the conduction ring 500.

에폭시(E)는 포러스(400)와 베이스 테이블(310)과 접착되어 포러스(400)와 베이스 테이블(310)끼리 결합시킨다. The epoxy (E) is bonded to the porous 400 and the base table 310 to bond the porous 400 and the base table 310 to each other.

또한 와이어(W)와 볼 플런저(600)를 베이스 테이블(310)의 홈(330)에 삽입시킨 상태에서 에폭시(E)를 도포시켜 굳힘으로써 와이어(W)의 움직임을 고정 또는 최소화시킨다. 따라서 본 발명은 와이어(W)의 내구성이 좋아 진공척(300)이 움직이거나 진공척(300)에 충격이 가해지더라도 와이어(W)에 의한 볼 플런저(600)와 통전 링(500)의 연결이 끊어질 일이 없으므로, 다이싱 가공 장치의 정확성이 향상되고 영점 셋팅이 원활하게 이루어져 웨이퍼(WF) 다이싱 효율이 좋다.In addition, the wire W and the ball plunger 600 are inserted into the groove 330 of the base table 310 to apply and harden epoxy to fix or minimize the movement of the wire W. Therefore, in the present invention, the durability of the wire (W) is good, even if the vacuum chuck 300 is moved or a shock is applied to the vacuum chuck 300, the connection of the ball plunger 600 and the energization ring 500 by the wire (W) is Since there is no breakage, the accuracy of the dicing apparatus is improved and the zero setting is made smooth, so that the wafer (WF) dicing efficiency is good.

한편 볼 플런저(600)는 베이스(103)와 접촉될 수 있는 볼(620)과, 볼(620)의 돌출 정도를 조절시키는 스프링(미도시)을 수용하는 몸체(610)를 포함하여 이루어진다.Meanwhile, the ball plunger 600 includes a ball 620 that may be in contact with the base 103, and a body 610 that accommodates a spring (not shown) for adjusting the degree of protrusion of the ball 620.

볼 플런저(600)가 베이스 테이블(310)에 걸려 일정 깊이 이상은 삽입되지 않도록 볼 플런저(600)의 몸체(610)에는 돌출부가 형성된다.A protrusion is formed in the body 610 of the ball plunger 600 such that the ball plunger 600 is caught by the base table 310 so that the ball plunger 600 is not inserted beyond a predetermined depth.

본 실시 예에서 볼 플런저(600)는 4 개가 설치되며, 각각이 서로 90도의 등간격을 이루도록 베이스 테이블(310)의 상하방향 중심축에 대해 방사상으로 복수 개가 형성된다.In the present embodiment, four ball plungers 600 are installed, and a plurality of ball plungers 600 are formed radially with respect to the vertical axis of the base table 310 such that each has an equal interval of 90 degrees.

볼 플런저(600)가 복수 개 설치되는 이유는, 만약 1 개의 볼 플런저(600)가 통전이 되지 않는 경우 이외의 볼 플런저(600)가 다이싱 설비(100)와 통전되도록 하기 위함이다.The reason why a plurality of ball plungers 600 are provided is to allow the ball plunger 600 to be energized with the dicing facility 100 except when one ball plunger 600 is not energized.

한편 본 실시 예의 다이싱 가공장치는 다이싱 설비(100), 다이싱 유닛(200), 웨이퍼용 진공척(300)을 포함하여 이루어진다.Meanwhile, the dicing apparatus of the present embodiment includes a dicing facility 100, a dicing unit 200, and a wafer vacuum chuck 300.

다이싱 설비(100)는 베이스 테이블(310)과 흡인 유지되는 베이스(103), 베이스 테이블(310)과 베이스(103) 사이에 위치되어 진공척(300)을 회전시키는 플레이트(101), 상기 제어부, 웨이퍼(WF)를 진공척(300)에 흡인 유지시키고 베이스 테이블(310)과 베이스(103)의 흡인을 유지시키는 진공원을 포함한다. The dicing equipment 100 includes a base 103 which is sucked and held by the base table 310, a plate 101 which is positioned between the base table 310 and the base 103 to rotate the vacuum chuck 300, and the controller. And a vacuum source for suction-holding the wafer WF to the vacuum chuck 300 and for maintaining suction of the base table 310 and the base 103.

본 실시 예에서 진공원은 진공펌프로 구성되되 당업자에 의해 변경 실시 가능함을 밝혀둔다.In the present embodiment, the vacuum source is configured as a vacuum pump, but it can be seen that it can be changed by those skilled in the art.

플레이트(101)는 대략 직육면체의 몸체와, 몸체의 상면에서 돌출된 축을 포함하여 이루어진다. 상기 축은 베이스 테이블(310)의 후술될 삽입홀에 삽입된다.The plate 101 comprises an approximately rectangular parallelepiped body and an axis protruding from the upper surface of the body. The shaft is inserted into the insertion hole of the base table 310 to be described later.

플레이트(101)는 진공척(300) 외부의 고압공기발생기(미도시)와 연결되어 있어 회전될 수 있다.The plate 101 is connected to a high pressure air generator (not shown) outside the vacuum chuck 300 and may rotate.

다이싱 유닛(200)은 다이싱 블레이드(210), 다이싱 블레이드(210)의 회전축(220), 회전축(220)이 연결된 다이싱 스핀들(230)을 포함한다.The dicing unit 200 includes a dicing blade 210, a rotating shaft 220 of the dicing blade 210, and a dicing spindle 230 to which the rotating shaft 220 is connected.

상기 진공척(300)은 베이스 테이블(310), 포러스(400), 통전 링(500), 접촉단자(600), 커넥터(W)를 포함한다.The vacuum chuck 300 includes a base table 310, a porous 400, an energizing ring 500, a contact terminal 600, and a connector (W).

베이스 테이블(310)은 원판 형상이다.The base table 310 is disc shaped.

베이스 테이블(310)은 가장자리와 연결된 부분에 통전 링(500)이 위치되는 수용홈(320)이 형성된다. The base table 310 is formed with a receiving groove 320 in which the energization ring 500 is positioned at a portion connected to the edge.

베이스 테이블(310)은 외주면과 수용홈(320)이 연결된다. The base table 310 is connected to the outer circumferential surface and the receiving groove 320.

수용홈(320)은 통전 링(500)의 내주면과 접촉되는 측면(321)과, 상기 측면(321)과 연결되며 통전 링(500)의 하면과 접촉되는 바닥면(323)을 포함한다. 따라서 베이스 테이블(310)에는 상기 수용홈(320)과 포러스(400)와 접촉되는 면인 상면에 의해 단턱이 형성된다.The receiving groove 320 includes a side surface 321 contacting the inner circumferential surface of the conduction ring 500, and a bottom surface 323 connected to the side surface 321 and in contact with the bottom surface of the conduction ring 500. Accordingly, a stepped portion is formed in the base table 310 by an upper surface, which is a surface in contact with the receiving groove 320 and the porous 400.

베이스 테이블(310)의 상면과 하면에는 각각 상면 진공유로(311)와 하면 진공유로(313)가 형성된다.Upper and lower vacuum passages 311 and 313 are respectively formed on the upper and lower surfaces of the base table 310.

본 실시 예의 1 개의 베이스 테이블(310) 당 원형의 띠 형상인 하면 진공유로(313)는 도 5에 도시된 바와 같이 4 개가 형성된다. 4 개의 하면 진공유로(313)는 각각이 연통되지 않고 분할되어 있다. As shown in FIG. 5, four bottom vacuum passages 313 having a circular band shape are formed per base table 310 of the present embodiment. The four lower surface vacuum flow paths 313 are divided without communicating with each other.

하면 진공유로(313)는 베이스 테이블(310)의 최내측에 형성된 제1진공유로(313a)와, 제1진공유로(313a)에 가장 가까운 제2진공유로(313b)와, 제2진공유로(313b)의 외측에 위치되는 제3진공유로(313c)와, 베이스 테이블(310)의 최외측의 예비진공유로(313d)로 이루어진다. 내외측 길이는 제1진공유로(313a), 제2진공유로(313b), 제3진공유로(313c), 예비진공유로(313d)순으로 길며 예비진공유로(313d)의 내외측 길이가 가장 길다. The lower surface vacuum flow path 313 includes a first vacuum sharing path 313a formed at the innermost side of the base table 310, a second vacuum sharing path 313b closest to the first vacuum sharing path 313a, and a second vacuum sharing path ( It consists of the 3rd true sharing path 313c located in the outer side of 313b, and the preliminary true sharing path 313d of the outermost side of the base table 310. As shown in FIG. The inner and outer lengths are long in order of the first true share 313a, the second true share 313b, the third share 313c, and the reserve share 313d, and the inner and outer lengths of the reserve share 313d are the longest. .

본 실시 예에서 베이스 테이블(310)의 상면 진공유로(311)는 원형의 띠 형상의 3 개로 이루어지되 각 상면 진공유로(311)를 서로 연통시키는 연통로(도면부호 미부여)를 더 포함한다.In the present embodiment, the upper surface of the vacuum passage 311 of the base table 310 is formed of three circular bands, and further includes a communication passage (not shown) for communicating the upper vacuum passages 311 with each other.

상기 상면 진공유로(311) 및 하면 진공유로(313)의 개수나 형상은 당업자에 의해 변경 실시 가능함을 밝혀둔다.Note that the number and shape of the upper vacuum passage 311 and the lower vacuum passage 313 can be changed by those skilled in the art.

베이스 테이블(310)에는 플레이트(101) 축이 삽입되는 상기 삽입홀 위치, 즉 중심축의 주위에 상하 방향으로 관통된 진공홀(315)이 복수 개 형성된다. 보다 자세하게 본 실시 예의 진공홀(315)은 총 4 개가 형성되며, 각각이 서로 90도의 등간격을 이루도록 베이스 테이블(310)의 상하방향 중심축에 대해 방사상으로 복수 개가 형성된다.The base table 310 is provided with a plurality of vacuum holes 315 penetrating in the vertical direction around the insertion hole position, that is, the central axis, into which the plate 101 axis is inserted. In more detail, a total of four vacuum holes 315 of the present embodiment are formed, and a plurality of vacuum holes 315 are radially formed with respect to the vertical axis of the base table 310 such that each has an equal interval of 90 degrees.

이때 상기 진공홀(315)의 개수는 당업자에 의해 변경 실시 가능함을 밝혀둔다.At this time, the number of the vacuum hole 315 is to be understood that the change can be carried out by those skilled in the art.

한편 베이스 테이블(310)은 크게 두 부분으로 나뉠 수 있다. 보다 자세하게 베이스 테이블(310)은 상면 진공유로(311)가 형성되는 제1몸체와, 제1몸체의 하측과 연결되고 하면 진공유로(313)와 상기 홈(330)이 형성된 제2몸체를 포함한다. 제1몸체와 제2몸체는 일체이다.On the other hand, the base table 310 can be divided into two parts. In more detail, the base table 310 includes a first body having an upper vacuum flow path 311 formed thereon, and a lower body having a vacuum flow path 313 and a second body having the groove 330 formed thereon. . The first body and the second body are integral.

제1몸체의 외경은 제2몸체의 외경보다 작게 형성되며, 상기 외경의 차이로 인해 베이스 테이블(310)에 상기 수용홈(320)이 형성되는 것이다. 따라서 수용홈(320)을 형성하는 측면(321)은 제1몸체의 외주면이고, 수용홈(320)을 형성하는 바닥면(323)은 제2몸체의 상면 중 일부분이다.The outer diameter of the first body is formed smaller than the outer diameter of the second body, the receiving groove 320 is formed in the base table 310 due to the difference in the outer diameter. Accordingly, the side surface 321 forming the receiving groove 320 is an outer circumferential surface of the first body, and the bottom surface 323 forming the receiving groove 320 is a part of the upper surface of the second body.

한편 진공척(300) 당 볼 플런저(600)가 4 개 설치되므로, 베이스 테이블(310)의 홈(330) 또한 4 개가 형성되며, 홈(330)들은 각각이 서로 90도의 등간격을 이루도록 베이스 테이블(310)의 상하방향 중심축에 대해 방사상으로 복수 개가 형성된다.On the other hand, since four ball plungers 600 are installed per vacuum chuck 300, four grooves 330 of the base table 310 are also formed, and the grooves 330 are formed at equal intervals of 90 degrees with each other. A plurality of radially is formed with respect to the vertical axis of the vertical direction (310).

한편 베이스 테이블(310)의 홈(330)은 에폭시(E)가 도포되며 내외측 방향으로 길게 연장 형성된 도포홈(331)과, 도포홈(331)의 일측(내측)에서 상하 방향으로 관통 형성된 접촉단자 수용홀(333)을 포함하여 이루어진다.On the other hand, the groove 330 of the base table 310 is coated with epoxy (E) and extending in the inner and outer direction is formed in contact with the through groove formed in the vertical direction from one side (inner side) of the coating groove 331 It comprises a terminal receiving hole 333.

도포홈(331)은 와이어(W)가 삽입된 상태에서 에폭시(E)가 도포되어야 하므로 상하측 폭이 와이어(W)의 직경보다 큰 것이 바람직하다.Since the coating groove 331 is to be coated with epoxy (E) in the wire (W) is inserted, it is preferable that the upper and lower width is larger than the diameter of the wire (W).

도포홈(331)은 내주면과 외주면, 내주면과 외주면을 연결하는 바닥면, 내주면과 외주면을 연결하는 제1몸체로 둘러싸여 형성되는 공간이다. The coating groove 331 is a space formed by being surrounded by a first body connecting the inner circumferential surface and the outer circumferential surface, the inner circumferential surface and the outer circumferential surface, and the inner circumferential surface and the outer circumferential surface.

도포홈(331)의 상기 외주면에는 통전 링(500)과 연결된 와이어(W)가 접촉되어 지지된다. 따라서 와이어(W)는 위치가 보다 확실하게 유지될 수 있으므로 통전 링(500)과 본 플러저의 연결을 잘 유지시킬 수 있고, 이를 통해 다이싱 가공 장치의 영점 셋팅이 보다 잘 이루어질 수 있다.The outer circumferential surface of the coating groove 331 is in contact with the wire (W) connected to the conduction ring 500 is supported. Therefore, the position of the wire W can be more surely maintained, so that the connection between the energization ring 500 and the present plunger can be well maintained, and thus the zero setting of the dicing apparatus can be made better.

한편 베이스 테이블(310)이 통전 링(500)과 결합되지 않았을 때를 기준으로, 도포홈(331)의 상측 가장자리에는 도포홈(331)을 외부 공간과 연통시키는 개방부(335)가 형성된다. 따라서 상기 개방부(335)를 통해 도포홈(331)이 통전 링(500)의 하면과 연통될 수 있으며, 커넥터(W)가 통전 링(500)과 연결될 수 있다.On the other hand, based on when the base table 310 is not coupled to the energization ring 500, an opening 335 is formed at the upper edge of the application groove 331 to communicate the application groove 331 with the external space. Accordingly, the application groove 331 may communicate with the bottom surface of the energization ring 500 through the opening 335, and the connector W may be connected to the energization ring 500.

한편 접촉단자 수용홀(333)은 베이스 테이블(310)의 상기 중심축과 외주면 사이의 대략 중간 지점에 형성된다.On the other hand, the contact terminal receiving hole 333 is formed at approximately an intermediate point between the central axis of the base table 310 and the outer peripheral surface.

접촉단자 수용홀(333)은 볼 플런저(600)의 돌출부가 걸리도록 직경이 서로 다른 2 개의 홀로 이루어진다. 상기 홀은 하면 진공유로(313), 보다 자세하게 제3진공유로(313c)와 연통된다.The contact terminal accommodating hole 333 is composed of two holes having different diameters so as to catch the protrusion of the ball plunger 600. The hole communicates with the lower surface vacuum flow path 313 and in more detail with the third vacuum sharing path 313c.

한편 플레이트(101)의 중앙을 기준으로 외측에도 진공홀(101a)이 형성되어 있으며, 상기 진공홀(101a)은 베이스 테이블(310)의 진공홀(315) 중 1개와 연통된다.On the other hand, a vacuum hole 101a is formed outside the center of the plate 101, and the vacuum hole 101a communicates with one of the vacuum holes 315 of the base table 310.

통전 링(500)의 내주면은 포러스(400)의 외주면, 수용홈(320)을 형성하는 측면(321)과 접촉된다. 통전 링(500)의 하면은 베이스 테이블(310), 보다 자세하게 수용홈(320)을 형성하는 바닥면(323)과 접촉된다. The inner circumferential surface of the energization ring 500 is in contact with the outer circumferential surface of the porous 400 and the side surface 321 forming the receiving groove 320. The lower surface of the energization ring 500 is in contact with the base table 310, the bottom surface 323 forming the receiving groove 320 in more detail.

통전 링(500)의 상면과 포러스(400)의 상면은 나란하고, 통전 링(500)의 외주면과 베이스 테이블(310)의 외주면이 나란한 것이 바람직하다. 특히 웨이퍼(WF)가 잘 다이싱될 수 있도록 웨이퍼(WF)가 놓이는 통전 링(500)의 상면은 평평한 것이 바람직하다. 이때 통전 링(500)의 상면의 평탄도는 약 5 um 이내가 바람직하다.It is preferable that the upper surface of the conduction ring 500 and the upper surface of the porous 400 are parallel, and the outer circumferential surface of the conduction ring 500 and the outer circumferential surface of the base table 310 are parallel to each other. In particular, the top surface of the conduction ring 500 on which the wafer WF is placed is preferably flat so that the wafer WF can be well diced. At this time, the flatness of the upper surface of the energization ring 500 is preferably within about 5 um.

한편 종래의 통전 코팅이 된 진공척(300)은 전류 저항값이 1.5 ~ 2 Ω이였으나, 본 실시 예의 진공척(300)의 전류 저항값은 0 ~ 0.005 Ω으로 설정된다. 즉 본 실시 예의 진공척(300)은 종래에 비해 전류 저항이 낮거나, 전류 저항이 아예 없다. 따라서 본 발명은 다이싱 유닛(200)이 통전 링(500)에 접촉되어 통전됨에 따라 발생되는 저항의 값이 없거나 종래보다 극히 작게 발생되므로, 종래보다 정밀하게 다이싱 가공 장치의 영점을 셋팅시킬 수 있어 웨이퍼(WF)의 다이싱 효율이 좋다.Meanwhile, the conventional vacuum coating chuck 300 has a current resistance value of 1.5 to 2 Ω, but the current resistance value of the vacuum chuck 300 of the present embodiment is set to 0 to 0.005 Ω. That is, the vacuum chuck 300 of the present embodiment has a lower current resistance or no current resistance than the prior art. Therefore, in the present invention, since the value of the resistance generated as the dicing unit 200 is brought into contact with the energization ring 500 is energized, or is generated to be extremely small than before, the zero point of the dicing processing apparatus can be set more precisely than before. The dicing efficiency of the wafer WF is good.

한편 진공척(300)의 표면은 CNT(Carbon Nano Tube)코팅을 하여 표면 저항 값을 설정할 수 있다.Meanwhile, the surface of the vacuum chuck 300 may be coated with carbon nanotube (CNT) to set a surface resistance value.

한편 베이스 테이블(310)과 통전 링(500)에는 서로를 보다 견고하게 결합시키기 위해 나사(미도시)가 체결되는 나사홀(340,510)이 형성된다. 상기 나사홀(340,510)은 베이스 테이블(310)의 상하 방향으로 관통 되고, 통전 링(500)의 하면에서 상측 방향으로 파져 형성된다. 따라서 상기 나사를 베이스 테이블(310)의 하측에서 통전 링(500) 방향으로 체결시키면 베이스 테이블(310)과 통전 링(500)이 나사체결로 결합된다.Meanwhile, screw holes 340 and 510 are formed in the base table 310 and the conduction ring 500 to which screws (not shown) are fastened to more firmly couple each other. The screw holes 340 and 510 penetrate in the up and down direction of the base table 310, and are formed by being dug up from the bottom surface of the conduction ring 500. Accordingly, when the screw is fastened in the direction of the conduction ring 500 from the lower side of the base table 310, the base table 310 and the conduction ring 500 are coupled by screwing.

본 실시 예에서 상기 나사홀(340,510)은 총 20 개가 형성되며, 각각이 18도의 등간격을 이루도록 베이스 테이블(310) 및 통전 링(500)의 중심축에 대해 방사상으로 형성된다.In this embodiment, a total of 20 screw holes 340 and 510 are formed, and the screw holes 340 and 510 are radially formed with respect to the central axis of the base table 310 and the conduction ring 500 such that each has an equal interval of 18 degrees.

따라서, 본 실시 예의 진공척(300)은 포러스(400)와 베이스 테이블(310)이 에폭시(E)에 의해 서로 접착 및 고정되고, 상기 나사 체결 및 수용홈(320)에 의해 베이스 테이블(310)과 통전 링(500)이 서로 결합될 수 있다.Accordingly, in the vacuum chuck 300 of the present embodiment, the porous 400 and the base table 310 are bonded and fixed to each other by epoxy (E), and the base table 310 is formed by the screw fastening and receiving groove 320. And the conduction ring 500 may be coupled to each other.

한편 웨이퍼용 진공척(300)은 부품간에 조립 공차가 아무리 정밀하다고 할지라도 부품간에 미세한 틈새가 존재하게 된다. 따라서 진공척(300)에는 상기 틈새를 통해 진공압이 누설되며 이로 인한 손실이 발생할 수 밖에 없으므로, 상기 누설 및 손실을 예방하기 위해서 통전 링(500)과 베이스 테이블(310)의 접촉면 사이에 실링(sealing) 처리가 필요하다. On the other hand, the vacuum chuck 300 for the wafer, even if the assembly tolerances between the parts, there is a small gap between the parts. Therefore, the vacuum chuck 300 is leaked to the vacuum chuck 300 through the gap and the loss caused by this is inevitably generated, so as to prevent the leakage and loss, the sealing between the contact surface of the conduction ring 500 and the base table 310 ( sealing)

따라서 본 발명은 통전 링(500)의 하면에 원주 방향으로 오링(O-ring) 삽입홈(520a, 520b)이 형성된다. 오링 삽입홈(520a, 520b)은 통전 링의 하면 중 내측 가장자리와 외측 가장자리 근처에 1 개씩 형성된다. 보다 자세하게 본 실시 예의 오링 삽입홈(520a, 520b)은 상기 나사홀(510)보다 내측에 형성된 내측 오링 삽입홈(520a)과, 상기 나사홀(510)보다 외측에 형성된 외측 오링 삽입홈(520b)을 포함한다.Therefore, in the present invention, O-ring insertion grooves 520a and 520b are formed in the circumferential direction on the lower surface of the energization ring 500. O-ring insertion grooves (520a, 520b) are formed one by one near the inner edge and the outer edge of the lower surface of the energizing ring. In more detail, the O-ring inserting grooves 520a and 520b of the present embodiment have an inner O-ring inserting groove 520a formed inside the screw hole 510 and an outer O-ring inserting groove 520b formed outside the screw hole 510. It includes.

상기 오링 삽입홈(520a, 520b)에 삽입되는 오링(521,523)은 베이스 테이블(310)의 상면, 보다 자세하게 수용홈(320)을 형성하는 바닥면(323)과 접촉된다. 따라서 본 발명은 통전 링(500)과 베이스 테이블(310)간에 형성될 수 있는 틈새를 상기 오링(521,523)이 이중(二重)으로 실링시킨다. The O-rings 521 and 523 inserted into the O-ring inserting grooves 520a and 520b are in contact with the top surface of the base table 310 and the bottom surface 323 forming the receiving groove 320 in more detail. Accordingly, in the present invention, the O-rings 521 and 523 double seal a gap that may be formed between the energization ring 500 and the base table 310.

베이스(103)는 대략 원판 형상이다.The base 103 is substantially disc shaped.

본 실시 예의 베이스(103)의 상면에는 서로 연통되지 않고 분할된 원형 띠 형상의 진공유로(103a, 103b, 103c)가 3 개 형성된다. 베이스(130)의 진공유로(103a, 103b, 103c)는 베이스 테이블(310)의 하면 진공유로(313)와 동일한 형상인 것이 바람직하다. 따라서 베이스(103)의 상면에 베이스 테이블(310)이 위치되면 베이스 테이블(310)의 하면 진공유로(313)가 베이스(130)의 진공유로(103a, 103b, 103c)와 연결되어 하나의 진공유로를 형성시킨다. On the upper surface of the base 103 of the present embodiment, three circular band-shaped vacuum passages 103a, 103b, and 103c which are not communicated with each other are formed. It is preferable that the vacuum flow paths 103a, 103b, 103c of the base 130 have the same shape as the lower surface vacuum flow path 313 of the base table 310. Therefore, when the base table 310 is positioned on the upper surface of the base 103, the lower surface vacuum passage 313 of the base table 310 is connected to the vacuum passages 103a, 103b, and 103c of the base 130 so that one vacuum passage is provided. To form.

본 실시 예에서 베이스 테이블(310)의 예비진공유로(313d)는 베이스(103)에 둘러싸이지 않아 진공유로를 형성시키지 않는다. 따라서 본 실시 예의 진공척(300)에는 베이스(130)의 진공유로(103a, 103b, 103c)와 베이스 테이블(310)의 하면 진공유로(313)에 의해 진공유로가 3 개 형성된다. 이때 볼 플런저(600)는 하면 진공유로(313) 중 제3진공유로(313c)와 베이스(103)의 진공유로(103a, 103b, 103c) 중 최외측의 진공유로(103c)에 의해 형성된 진공유로에 위치된다. In the present embodiment, the preliminary vacuum sharing path 313d of the base table 310 is not surrounded by the base 103 and thus does not form a vacuum flow path. Therefore, three vacuum flow paths are formed in the vacuum chuck 300 according to the present embodiment by the vacuum flow paths 103a, 103b and 103c of the base 130 and the lower surface vacuum flow path 313 of the base table 310. At this time, the ball plunger 600 is a vacuum flow path formed by the third vacuum sharing path (313c) of the lower surface vacuum flow path (313) and the outermost vacuum flow path (103c) of the vacuum flow path (103a, 103b, 103c) of the base 103 Is located in.

한편 본 실시 예의 베이스(103)보다 직경이 큰 베이스(103)가 설치된 경우, 또는 다른 이유로 예비진공유로(313d)가 베이스(103)에 둘러싸일 경우 예비진공유로(313d) 또한 진공유로를 형성하여 다른 진공유로(313a, 313b, 313c)와 함께 진공유로(313d)의 역할이 가능하다.On the other hand, when the base 103 having a larger diameter than the base 103 of the present embodiment is installed, or when the preliminary vacuum sharing passage 313d is surrounded by the base 103, the preliminary vacuum sharing passage 313d also forms a vacuum flow path. Together with other vacuum flow paths 313a, 313b, and 313c, the role of the vacuum flow path 313d is possible.

보다 자세하게 볼 플런저(600)는 제3진공유로(313c) 중에서도 외측 가장자리에 가깝게 위치된다. 이때 볼 플런저(600)의 위치는 대략 진공 척의 중심과 가장자리의 중간지점이다. 따라서 볼 플런저(600)는 진공척(300)이 받는 응력을 보다 잘 분산시켜 진공척(300)의 변형을 크게 방지시킬 수 있다.In more detail, the ball plunger 600 is located closer to the outer edge of the third true common path 313c. At this time, the position of the ball plunger 600 is approximately the middle point of the center and the edge of the vacuum chuck. Therefore, the ball plunger 600 can better disperse the stress that the vacuum chuck 300 receives, thereby greatly preventing deformation of the vacuum chuck 300.

한편 베이스(103)의 상면에는 가장자리와 볼 플런저(600)와 접촉되는 부분 사이 중 일부가 상측으로 돌출된다. 본 실시 예에서 베이스(103)의 돌출 높이의 상하폭은 0.4 ~ 0.6 mm이다. 진공척의 웨이퍼 가공 시 베이스(103)의 돌출 높이의 상하폭은 볼 플런저(600)의 구성인 스프링의 상수 값(K)을 토대로 그 수치를 고려할 수 있다. 이러한 베이스(103)의 돌출 높이의 상하폭은 스프링 력(力)에 의한 응력을 미리 예측하여 진공척의 변형을 방지시키기 위함이다.On the other hand, a portion of the upper portion of the base 103 between the edge and the portion in contact with the ball plunger 600 protrudes upward. In the present embodiment, the vertical width of the protrusion height of the base 103 is 0.4 to 0.6 mm. The upper and lower widths of the protrusion height of the base 103 during the wafer machining of the vacuum chuck may be considered based on the constant value K of the spring, which is the configuration of the ball plunger 600. The upper and lower widths of the protruding height of the base 103 are to prevent the deformation of the vacuum chuck by predicting the stress caused by the spring force in advance.

베이스(103)의 외경은 베이스 테이블(310)의 양측에 각각 위치되어 서로 마주보는 2 개의 볼 플런저(600)간에 직선거리보다 더 크게 형성되어야 한다. 왜냐하면 볼 플런저(600)가 베이스(103)와 베이스 테이블(310)이 접촉돼 형성된 진공유로 내에 위치되어야 하기 때문이다. The outer diameter of the base 103 should be greater than the linear distance between the two ball plungers 600, which are located on both sides of the base table 310 and face each other. This is because the ball plunger 600 should be positioned in the vacuum flow path formed by contacting the base 103 and the base table 310.

한편 다이싱 블레이드(210)가 통전 링(500)에 접촉될 때, 진공척(300)에는 다이싱 유닛(200)에 의해 응력이 가해진다. 상기 응력은 하측으로 약 1mm 정도 눌리는 정도의 크기다. 이때 볼 플런저(600)는 스프링이 압축되어 볼(620)이 몸체(610)의 내측으로 눌리면서 상기 응력을 상쇄시키며, 이를 통해 포러스(400), 베이스 테이블(310), 통전 링(500)의 눌림량은 볼(620)의 눌림량 이상이 되지 않는다. 따라서 포러스(400), 베이스 테이블(310), 통전 링(500)의 변형이 최소화 또는 방지된다.On the other hand, when the dicing blade 210 is in contact with the conduction ring 500, the vacuum chuck 300 is stressed by the dicing unit 200. The stress is about the size of about 1mm pressed downwards. At this time, the ball plunger 600 is the spring is compressed to cancel the stress as the ball 620 is pressed into the inside of the body 610, through which the pressing of the forrus 400, the base table 310, the energizing ring 500 The amount does not become more than the amount of depression of the ball 620. Therefore, deformation of the forrus 400, the base table 310, and the conduction ring 500 is minimized or prevented.

한편 볼(620)의 눌림량이 상기 응력에 의해 눌릴 수 있는 양보다 크면, 진공척(300)이 많이 눌리면서 웨이퍼(WF)를 놓는 포러스(400)나 통전 링(500) 또는 베이스 테이블(310)들의 상면이 평행을 이루지 못하고 변형되고, 이로 인해 웨이퍼(WF)가 바람직한 형태, 즉 평행을 유지할 수 없어 웨이퍼(WF)의 다이싱 결과가 좋지 못하게 된다. 이를 방지하기 위해 본 실시 예에서는 볼(620) 눌림량을 상기 응력에 의해 눌릴 수 있는 양인 1mm보다 작게 설정한다. 구체적으로 본 실시 예에서 볼(620) 눌림량은 0.3 ~ 0.5mm 로 설정된다. 따라서 본 발명은 볼(620)의 눌림량을 적게 하여 포러스(400), 베이스 테이블(310), 통전 링(500)의 변형을 최소화 또는 방지시킬 수 있으므로, 웨이퍼(WF)의 다이싱 결과가 좋다.On the other hand, if the amount of depression of the ball 620 is greater than the amount that can be pressed by the stress, the vacuum chuck 300 is pressed a lot of the porous 400, the conductive ring 500 or the base table 310 to place the wafer (WF) The upper surface is deformed without being parallel, which causes the wafer WF to be in a desirable shape, i.e., unable to maintain parallelism, resulting in poor dicing of the wafer WF. In order to prevent this, in this embodiment, the amount of pressing the ball 620 is set smaller than 1 mm, which is an amount that can be pressed by the stress. Specifically, in this embodiment, the amount of pressing the ball 620 is set to 0.3 ~ 0.5mm. Therefore, the present invention can minimize or prevent the deformation of the forrus 400, the base table 310, and the conduction ring 500 by reducing the amount of depression of the ball 620, so that the dicing result of the wafer WF is good. .

한편 포러스(400)는 원판 형상이다.On the other hand, the forus 400 is disc-shaped.

포러스(400)의 하면은 베이스 테이블(310)의 상면 진공유로(311)와 접촉되므로 베이스 테이블(310)의 상면에 흡인 유지될 수 있다.Since the lower surface of the porous 400 is in contact with the upper vacuum flow path 311 of the base table 310, it may be sucked and maintained on the upper surface of the base table 310.

본 발명은 포러스(400), 베이스 테이블(310)의 재질은 통전 링(500)의 재질과 다르다. 보다 자세하게 베이스 테이블(310)은 세라믹 재질로 형성되고, 통전 링(500)과 플레이트(101)와 볼 플런저(600)는 SUS 재질로 형성되는 것이 바람직하다.In the present invention, the material of the porous 400 and the base table 310 is different from that of the energization ring 500. In more detail, the base table 310 is formed of a ceramic material, and the conduction ring 500, the plate 101, and the ball plunger 600 are preferably formed of SUS material.

또한 포러스(400), 베이스 테이블(310), 통전 링(500)은 각각이 별체로 이루어진 것이다.In addition, the forus 400, the base table 310, and the energization ring 500 are each made of a separate body.

전술된 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)의 제조방법은 이하와 같다.The manufacturing method of the vacuum chuck 300 for wafers of the first embodiment described above is as follows.

우선, 베이스 테이블(310)은 상면과 하면에 일정 깊이의 진공유로(311,313)를 형성시키고, 상면에 접촉단자(600)와 커넥터(W)를 삽입할 홈(330)을 중심축과 가장자리 사이에 형성시키며, 상측 가장자리 부근에는 통전 링(500)이 수용될 수용홈(320)을 형성시킨다. First, the base table 310 forms vacuum passages 311 and 313 having a predetermined depth on the upper surface and the lower surface, and a groove 330 for inserting the contact terminal 600 and the connector W on the upper surface between the central axis and the edge. And the receiving groove 320 in which the energization ring 500 is to be received is formed near the upper edge.

이후 베이스 테이블(310)의 하면 중앙에 플레이트(101)를 설치시킨다. 이때 플레이트(101)에는 진공홀(101a)이 복수 개 형성되어 있다. Thereafter, the plate 101 is installed at the center of the lower surface of the base table 310. In this case, a plurality of vacuum holes 101a are formed in the plate 101.

이후 접촉단자(600)와 커넥터(W)를 상기 홈(330)에 삽입시킨다. 이때 커넥터(W)는 접촉단자(600)와 연결된 상태인 것이 바람직하다.Thereafter, the contact terminal 600 and the connector W are inserted into the groove 330. At this time, the connector (W) is preferably in a state connected with the contact terminal (600).

이후 베이스 테이블(310)의 도포홈(331)에 에폭시(E)를 도포시킨다. Then, the epoxy (E) is applied to the application groove 331 of the base table 310.

이후 통전 링(500)을 베이스 테이블(310)의 수용홈(320)에 위치시킨다. 이때 커넥터(W)의 타측(외측)을 통전 링(500)의 하면과 연결시킨다.Thereafter, the energization ring 500 is positioned in the accommodation groove 320 of the base table 310. At this time, the other side (outside) of the connector (W) is connected to the lower surface of the energization ring 500.

이후 상기 나사를 상기 나사홀(340,510)에 체결시켜 통전 링(500)과 베이스 테이블(310)을 서로 결합시킨다.Thereafter, the screws are fastened to the screw holes 340 and 510 to couple the energization ring 500 and the base table 310 to each other.

이후 포러스(400)를 통전 링(500)의 내측 및 베이스 테이블(310) 상면에 위치시킨다. 이때 에폭시(E)에 의해 포러스(400)와 베이스 테이블(310)이 상호 고정된다.Thereafter, the forks 400 are positioned on the inner surface of the energization ring 500 and the upper surface of the base table 310. At this time, the porous 400 and the base table 310 are fixed to each other by the epoxy (E).

이후 포러스(400) 상면을 연삭시킨다. 상기 연삭을 통해 웨이퍼(WF)가 놓여 흡인 유지되는 포러스(400) 상면이 웨이퍼(WF) 다이싱에 필요한 만큼 평평해질 수 있으며, 포러스(400)의 변형 및 균열이 방지되고, 진공척(300)의 표면 오차가 줄어드는 효과가 있다.Thereafter, the upper surface of the porous 400 is ground. The upper surface of the porous 400 that is placed and held by the wafer WF through the grinding may be flattened as necessary for dicing the wafer WF, and deformation and cracking of the porous 400 may be prevented, and the vacuum chuck 300 may be removed. The surface error of the effect is reduced.

한편 본 발명에 따른 웨이퍼용 진공척(300)의 제조방법은 전술된 제조방법과 순서가 달라질 수 있다.On the other hand, the manufacturing method of the vacuum chuck 300 for wafers according to the present invention may be different from the manufacturing method described above.

--------- 웨이퍼 진공척(300)의 제2실시 예 --------------------- Second Embodiment of Wafer Vacuum Chuck 300 ------------

이하에서는 도 8을 토대로 본 발명의 바람직한 제2실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a wafer chuck 300 for a wafer in accordance with a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8.

제2실시 예의 진공척(300)은 통전 링(500a)의 내주면과 하면이 복수 개의 돌기(501a)와 홈(503a)의 연결로 형성된다. 보다 자세하게 도 7과 같이 통전 링(500a)을 측면에서로 똑바로 볼 때, 통전 링(500a)은 내주면과 하면이 삼각형이 복수 개 연결되어 형성된 톱니 형상이다. In the vacuum chuck 300 of the second embodiment, the inner circumferential surface and the lower surface of the energization ring 500a are formed by the connection of the plurality of protrusions 501a and the grooves 503a. In more detail, when the conduction ring 500a is directly viewed from the side as shown in FIG. 7, the conduction ring 500a has a sawtooth shape formed by connecting a plurality of inner peripheral surfaces and a lower surface of a triangle.

베이스 테이블(310a)의 수용홈을 형성하는 면과 포러스(400a)의 외주면은 통전 링(500a)의 내주면과 하면에 대응되는 형상을 갖는다. 즉 포러스(400a)의 외주면과 베이스 테이블(310a)의 수용홈을 형성하는 측면 및 바닥면도 복수 개의 돌기와 홈의 연결로 형성된다. 따라서 통전 링(500a)과 접촉된 포러스(400a)와 베이스 테이블(310a)은 각각의 구성에 형성된 돌기나 홈이 통전 링(500a)에 형성된 돌기(501a)나 홈(503a)에 접촉되어 걸린다The surface forming the receiving groove of the base table 310a and the outer circumferential surface of the porous 400a have shapes corresponding to the inner circumferential surface and the lower surface of the conduction ring 500a. That is, the outer circumferential surface of the porous 400a and the side and bottom surfaces forming the receiving groove of the base table 310a are also formed by connecting a plurality of protrusions and the groove. Therefore, the projection 400a and the base table 310a which are in contact with the conduction ring 500a are caught by the projections or grooves formed in the respective structures in contact with the projections 501a or the grooves 503a formed in the conduction ring 500a.

전술된 본 실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)은 다이싱 블레이드(210)가 통전 링(500a)에 접촉될 때 발생되는 응력으로 인해 포러스(400a)나 통전 링(500a) 또는 베이스 테이블(310a)의 형상이 내외상하 방향 등으로 변형되는 것이 방지되므로 웨이퍼(WF)의 위치나 평행이 유지되고 웨이퍼(WF)의 다이싱 효율이 좋게 된다.The above-described vacuum chuck 300 for wafers of this embodiment is a porous 400a or an energizing ring 500a or a base table 310a due to the stress generated when the dicing blade 210 is in contact with the energizing ring 500a. Since the shape of is prevented from being deformed in the internal and external directions, etc., the position and parallelism of the wafer WF are maintained and the dicing efficiency of the wafer WF is improved.

전술된 것 외의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과는 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과와 동일하다.The configuration and effects of the vacuum chuck 300 for wafers other than those described above are the same as those of the vacuum chuck 300 for wafers of the first embodiment.

--------- 웨이퍼 진공척(300)의 제3실시 예 --------------------- Third Embodiment of Wafer Vacuum Chuck 300 ------------

이하에서는 도 9를 토대로 본 발명의 바람직한 제3실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a wafer chuck 300 for a wafer of a third preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9.

제3실시 예의 진공척(300)은 통전 링(500b)의 하면 중앙에 홈(503b)이 형성되고, 베이스 테이블(310b)의 수용홈(503b)을 형성하는 바닥면의 중앙에 상기 홈(503b)에 삽입되는 돌기(501b)가 형성된다. 상기 돌기(501b)와 상기 홈(503b)은 진공척(300)의 원주 방향으로 길게 형성되어 원형 띠 형상으로 형성될 수도 있고 진공척(300)의 일부분에만 형성될 수도 있다.In the vacuum chuck 300 of the third embodiment, the groove 503b is formed at the center of the bottom surface of the energization ring 500b, and the groove 503b is formed at the center of the bottom surface that forms the receiving groove 503b of the base table 310b. The projection 501b to be inserted is formed. The protrusion 501b and the groove 503b may be formed in a circumferential direction of the vacuum chuck 300 to have a circular band shape or may be formed only at a portion of the vacuum chuck 300.

보다 자세하게 제3실시 예의 진공척(300)은 도 9에 도시된 바와 같이, 통전 링(500b)을 측면에서 똑바로 볼 때 상기 홈(503b)은 내주면과 외주면과 상기 내주면 및 외주면을 연결하는 상면에 의해 형성되는 공간이며, 단면의 형상이 대략 사각형이다. 또한 상기 돌기(501b)는 내주면, 외주면 및 상면으로 이루어진다. 상기 돌기(501b)가 상기 홈(503b)에 삽입되면, 상기 돌기(501b)를 형성하는 내주면, 외주면, 상면은 각각이 상기 홈(503b)을 형성하는 내주면, 외주면, 상면과 접촉된다. In more detail, as shown in FIG. 9, the vacuum chuck 300 of the third embodiment has a groove 503b formed on an upper surface connecting the inner circumferential surface and the outer circumferential surface with the inner circumferential surface and the outer circumferential surface when the energizing ring 500b is directly viewed from the side. It is a space formed by the shape of a cross section substantially square. In addition, the protrusion 501b includes an inner circumferential surface, an outer circumferential surface, and an upper surface. When the protrusion 501b is inserted into the groove 503b, the inner circumferential surface, the outer circumferential surface, and the upper surface of the protrusion 501b are in contact with the inner circumferential surface, the outer circumferential surface, and the upper surface, respectively, which form the groove 503b.

상기 돌기(501b)의 단면 형상은 상기 홈(503b)처럼 대략 사각형이다. 따라서 통전 링(500b)과 접촉된 베이스 테이블(310b)은 돌기(501b)가 통전 링(500b)의 홈(503b)에 걸린 상태이므로, 통전 링(500b)과 베이스 테이블(310b)의 움직임, 특히 이들의 내외방향 움직임이 제한된다. 전술된 본 실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)은 다이싱 블레이드(210)가 통전 링(500b)에 접촉될 때 발생되는 응력으로 인해 포러스(400b)나 통전 링(500b) 또는 베이스 테이블(310b)의 형상이 변형되는 것이 방지되므로 웨이퍼(WF)의 위치나 평행이 유지되고 웨이퍼(WF)의 다이싱 효율이 좋게 된다.The cross-sectional shape of the protrusion 501b is approximately square like the groove 503b. Therefore, the base table 310b in contact with the energizing ring 500b is in a state where the projection 501b is caught in the groove 503b of the energizing ring 500b, and therefore, the movement of the energizing ring 500b and the base table 310b, in particular, Their inward and outward motion is limited. The above-described vacuum chuck 300 for wafers of this embodiment is a porous 400b or an energizing ring 500b or a base table 310b due to the stress generated when the dicing blade 210 is in contact with the energizing ring 500b. Since the shape of is prevented from being deformed, the position or parallelism of the wafer WF is maintained and the dicing efficiency of the wafer WF is improved.

한편 본 실시 예의 오링 삽입홈(520a, 520b)은 홈(503b)을 기준으로 좌측과 우측에 1 개씩 형성될 수 있다.Meanwhile, the O-ring insertion grooves 520a and 520b of the present embodiment may be formed at the left and right sides of the grooves 503b.

전술된 것 외의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과는 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과와 동일하다.The configuration and effects of the vacuum chuck 300 for wafers other than those described above are the same as those of the vacuum chuck 300 for wafers of the first embodiment.

--------- 웨이퍼 진공척(300)의 제4실시 예 --------------------- Fourth Embodiment of Wafer Vacuum Chuck 300 ------------

이하에서는 본 발명의 바람직한 제4실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)에 대하여 설명하도록 한다. 제4실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)은 도 9를 참고하도록 한다.Hereinafter, a description will be given of the wafer vacuum chuck 300 according to the fourth embodiment of the present invention. The vacuum chuck 300 for wafers of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. 9.

제4실시 예의 진공척(300)은 제3실시 예와 반대로 통전 링(500)의 하면의 중앙에 돌기가 형성되고, 베이스 테이블(310)의 수용홈(320)을 형성하는 바닥면의 중앙에 상기 돌기가 삽입되는 홈이 형성된다. 상기 돌기와 상기 홈은 진공척(300)의 원주 방향으로 길게 형성되어 원형 띠 형상으로 형성될 수도 있고 진공척(300)의 일부분에만 형성될 수도 있다. The vacuum chuck 300 of the fourth embodiment has a projection formed in the center of the lower surface of the energization ring 500 and the center of the bottom surface forming the receiving groove 320 of the base table 310 as opposed to the third embodiment. A groove into which the protrusion is inserted is formed. The protrusion and the groove may be formed in a circumferential direction of the vacuum chuck 300 to have a circular band shape or may be formed only in a portion of the vacuum chuck 300.

보다 자세하게, 제4실시 예의 진공척(300)은 통전 링(500)을 측면에서 똑바로 볼 때, 상기 홈은 내주면과 외주면과 상기 내주면 및 외주면을 연결하는 바닥면에 의해 형성되는 공간이며 단면의 형상이 대략 사각형이다. 또한 상기 돌기는 상기 홈을 형성하는 내주면, 외주면 및 바닥면과 각각 접촉되는 내주면, 외주면 및 하면으로 이루어진다. 상기 돌기의 단면 형상은 상기 홈처럼 대략 사각형이다. More specifically, the vacuum chuck 300 of the fourth embodiment is a space formed by the bottom surface connecting the inner circumferential surface and the outer circumferential surface and the inner circumferential surface and the outer circumferential surface when the conduction ring 500 is viewed directly from the side. This is approximately square. The protrusion may include an inner circumferential surface, an outer circumferential surface, and a lower surface that are in contact with the inner circumferential surface, the outer circumferential surface, and the bottom surface, respectively, forming the groove. The cross-sectional shape of the protrusion is approximately square like the groove.

따라서 통전 링(500)과 접촉된 베이스 테이블(310)의 홈에 통전 링(500)의 돌기가 걸리므로, 통전 링(500)과 베이스 테이블(310)의 움직임, 특히 이들의 내외방향 움직임이 제한된다. 이로 인해 본 실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)은 다이싱 블레이드(210)가 통전 링(500)에 접촉될 때 발생되는 응력으로 인해 포러스(400)나 통전 링(500) 또는 베이스 테이블(310)의 형상이 변형되는 것이 방지되므로 웨이퍼(WF)의 위치나 평행이 유지되고 웨이퍼(WF) 다이싱 효율이 좋게 된다.Therefore, since the projection of the energization ring 500 is caught in the groove of the base table 310 in contact with the energization ring 500, the movement of the energization ring 500 and the base table 310, in particular, their movement in and outward is limited. do. As a result, the vacuum chuck 300 for the wafer of the present embodiment is caused by the stress generated when the dicing blade 210 is in contact with the energizing ring 500. Since the shape of is prevented from being deformed, the position or parallelism of the wafer WF is maintained and the wafer WF dicing efficiency is good.

전술된 것 외의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과는 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과와 동일하다.The configuration and effects of the vacuum chuck 300 for wafers other than those described above are the same as those of the vacuum chuck 300 for wafers of the first embodiment.

--------- 웨이퍼 진공척(300)의 제5실시 예 --------------------- Fifth Embodiment of Wafer Vacuum Chuck 300 ------------

이하에서는 도 10을 토대로 본 발명의 바람직한 제5실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the wafer vacuum chuck 300 of the fifth exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10.

제5실시 예의 진공척(300)은 통전 링(500c)이 포러스(400c)와 베이스 테이블(310c) 사이에 삽입된다. 보다 자세하게 베이스 테이블(310c)에는 가장자리와 연결된 돌출부(301c)가 형성되며, 전술된 수용홈(320)의 형상이 내주면과 외주면 및 내주면과 외주면을 연결하는 바닥면으로 이루어진다. 이때 수용홈(320)을 형성하는 외주면은 베이스 테이블(310c)의 돌출부(301c) 중 내주면의 일부다. 따라서 도 10과 같이 통전 링(500c)을 측면에서 똑바로 볼 때 본 실시 예의 수용홈(320)은 단면 형상이 대략 사각형이다.In the vacuum chuck 300 of the fifth embodiment, an energization ring 500c is inserted between the porous 400c and the base table 310c. In more detail, the base table 310c has a protrusion 301c connected to an edge thereof, and the shape of the accommodation groove 320 described above includes an inner circumferential surface and an outer circumferential surface and a bottom surface connecting the inner circumferential surface and the outer circumferential surface. At this time, the outer circumferential surface forming the receiving groove 320 is a part of the inner circumferential surface of the protrusion 301c of the base table 310c. Therefore, as shown in FIG. 10, when the conduction ring 500c is viewed directly from the side, the receiving groove 320 of the present embodiment has a substantially rectangular cross-sectional shape.

본 실시 예의 통전 링(500c)은 내외측 두께가 다른 실시 예들의 통전 링(500c)의 내외측 두께보다 얇다. 따라서 본 실시 예의 통전 링(500c)은 크기와 무게도 다른 실시 예의 통전 링(500c)의 크기와 무게보다 작아 진공척(300)의 무게가 감소되므로 진공척(300)의 운반 및 제작이 용이하다.The conduction ring 500c of this embodiment is thinner than the inner and outer thicknesses of the conduction ring 500c of other embodiments. Therefore, the conduction ring 500c of the present embodiment is smaller in size and weight than the conduction ring 500c of another embodiment, so that the weight of the vacuum chuck 300 is reduced, so that the transport and manufacture of the vacuum chuck 300 is easy. .

한편 본 실시 예의 진공척(300)에는 포러스(400c)와 베이스 테이블(310c)의 돌출부(301c) 및 수용홈(320)에 둘러싸여 상하방향의 길이가 내외측방향의 길이보다 긴 삽입홈(505c)이 형성된다. On the other hand, the vacuum chuck 300 of the present embodiment is surrounded by the projection 301c and the receiving groove 320 of the porous 400c, the base table 310c, and the insertion groove 505c whose length in the vertical direction is longer than the length in the inner and outer directions. Is formed.

통전 링(500c)은 상기 삽입홈(505c)에 삽입되어 내측이 포러스(400c)와 베이스 테이블(310c)에 걸리고 외측이 베이스 테이블(310c)의 돌출부(301c)에 걸리므로 내외측 및 하측 방향으로의 흔들림이 제한된다. 또한 베이스 테이블(310c)은 포러스(400c)를 둘러싼 통전 링(500c)에 걸려 내외측 및 상측 방향으로의 흔들림이 제한된다. 따라서 본 실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)은 다이싱 블레이드(210)가 통전 링(500c)에 접촉될 때 발생되는 응력으로 인해 포러스(400c)나 통전 링(500c) 또는 베이스 테이블(310c)의 형상이 변형되는 것이 방지되므로 웨이퍼(WF)의 위치나 평행이 유지되고 웨이퍼(WF)의 다이싱 효율이 좋게 된다.The conduction ring 500c is inserted into the insertion groove 505c so that the inner side thereof is caught by the fortress 400c and the base table 310c and the outer side thereof is caught by the protrusion 301c of the base table 310c. Shake is limited. In addition, the base table 310c is caught by the energization ring 500c surrounding the porous 400c, thereby limiting the shaking in the inward and outward directions. Therefore, the vacuum chuck 300 for wafers of the present embodiment may be caused by the stress generated when the dicing blade 210 is in contact with the energizing ring 500c. Since the shape is prevented from being deformed, the position or parallelism of the wafer WF is maintained and the dicing efficiency of the wafer WF is improved.

또한, 본 실시 예는 웨이퍼(WF)의 위치나 평행을 유지시키기 위해 웨이퍼 진공척(300)의 상면, 보다 자세하게 포러스(400c)의 상면, 통전 링(500c)의 상면 및 베이스 테이블(310c) 돌출부(301c)의 상면은 서로 나란하고 평평한 것이 바람직하다.In addition, in the present embodiment, the top surface of the wafer vacuum chuck 300, the top surface of the porous 400c, the top surface of the energization ring 500c, and the protrusion of the base table 310c to maintain the position or parallelity of the wafer WF. It is preferable that the upper surfaces of 301c are parallel to each other and flat.

전술된 것 외의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과는 제1실시 예의 웨이퍼용 진공척(300)의 구성 및 효과와 동일하다.The configuration and effects of the vacuum chuck 300 for wafers other than those described above are the same as those of the vacuum chuck 300 for wafers of the first embodiment.

--------- 볼 플런저(600d)의 다른 실시 예 --------------------- Other Embodiments of Ball Plunger 600d ------------

볼 플런저(600d)의 볼(620d)은 제1실시 예와 도 1 내지 도 3과 도 5와 같이 구(球) 형상을 적용시킬 수도 있지만, 도 11에 도시된 바와 같이 각(角) 형상을 적용시킬 수도 있다. 상기 구 형상의 볼(610)은 베이스(103)와 점 접촉되고, 본 실시 예와 같은 각 형상의 볼(620d)은 베이스(103)와 면 접촉된다. 따라서 상기 각 형상의 볼(620d)을 적용시킨 볼 플런저(600d)는 구 형상의 볼(620)을 적용시킨 볼 플런저(600) 때보다 응력을 많이 분산시킬 수 있다. 따라서 본 실시 예의 볼 플런저(600d)는 구 형상의 볼(620)을 적용시킨 것보다 파손 가능성이 적고, 포러스(400), 베이스 테이블(310), 통전 링(500)의 변형을 보다 더 많이 방지시킬 수 있다.Although the ball 620d of the ball plunger 600d may have a spherical shape as in the first embodiment and FIGS. 1 to 3 and 5, the ball 620d may have an angular shape as shown in FIG. 11. It can also be applied. The spherical ball 610 is in point contact with the base 103, and each ball 620d as in the present embodiment is in surface contact with the base 103. Therefore, the ball plunger 600d to which the ball 620d of each shape is applied may disperse more stress than the ball plunger 600 to which the ball 620 of the spherical shape is applied. Therefore, the ball plunger 600d of the present embodiment is less likely to be damaged than the spherical ball 620 is applied, and prevents deformation of the forrus 400, the base table 310, and the energization ring 500 more. You can.

** 주요 부호에 대한 설명 **
100 : 다이싱 설비 101 : 플레이트
103 : 베이스 200 : 다이싱 유닛
210 : 다이싱 블레이드 300 : 웨이퍼 진공척
310 : 베이스 테이블 313c : 제3진공유로
315 : 진공홀 320 : 수용홈
330 : 홈 331 : 도포홈
333 : 접촉단자 수용홀 335 : 개방부
340 : 나사홀 400 : 포러스
500 : 통전 링 510 : 나사홀
520a,520b : 오링 삽입홈 521 : 내측 오링
523 : 외측 오링 600 : 접촉단자(볼 플런저)
E : 에폭시 W : 커넥터(와이어)
WF : 웨이퍼** Explanation of Major Signs **
100: dicing equipment 101: plate
103: base 200: dicing unit
210: dicing blade 300: wafer vacuum chuck
310: base table 313c: tertiary sharing path
315: vacuum hole 320: receiving groove
330: groove 331: coating groove
333: contact terminal receiving hole 335: opening
340: screw hole 400: porous
500: energization ring 510: screw hole
520a, 520b: O-ring insert groove 521: Inner O-ring
523: outer O-ring 600: contact terminal (ball plunger)
E: Epoxy W: Connector (Wire)
WF: Wafer

Claims (2)

다이싱 유닛과 연결된 제어부를 포함하는 다이싱 설비에 의해 구동되고, 진공원과 연결된 진공유로가 형성된 베이스 테이블;
상면에 웨이퍼가 놓이며, 상기 진공유로와 접촉되도록 상기 베이스 테이블의 상면에 구비되는 포러스;
상기 포러스를 둘러싸는 통전 링;
상기 다이싱 설비와 통전될 수 있도록 상기 베이스 테이블에 구비되는 접촉단자;
상기 접촉단자와 상기 통전 링에 연결되는 커넥터;를 포함하여 이루어지되,
상기 다이싱 유닛이 상기 통전 링에 접촉되면 상기 커넥터와 상기 접촉단자를 통해 상기 다이싱 유닛과 상기 다이싱 설비가 통전되어 신호가 발생되고, 상기 제어부는 상기 신호를 토대로 상기 진공척과 상기 다이싱 유닛의 영점을 셋팅하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 진공척A base table driven by a dicing facility including a control unit connected to a dicing unit, the base table having a vacuum flow path connected to a vacuum source;
A wafer placed on an upper surface of the substrate and provided on an upper surface of the base table to be in contact with the vacuum flow path;
A conduction ring surrounding the porous;
A contact terminal provided on the base table to be energized with the dicing facility;
It comprises a; connected to the contact terminal and the conduction ring;
When the dicing unit contacts the conduction ring, a signal is generated by energizing the dicing unit and the dicing equipment through the connector and the contact terminal, and the control unit generates the vacuum chuck and the dicing unit based on the signal. Wafer vacuum chuck, characterized in that for setting the zero point 청구항 1에 있어서,
상기 베이스 테이블의 상면에는 홈이 형성되고,
상기 홈에 상기 접촉단자와 상기 커넥터가 삽입되며,
상기 홈에는 접착제가 도포되어 상기 포러스와 상기 베이스 테이블이 접착되고, 상기 커넥터가 상기 베이스 테이블에 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 진공척The method according to claim 1,
Grooves are formed on the upper surface of the base table,
The contact terminal and the connector is inserted into the groove,
Adhesive is applied to the groove to bond the porous and the base table, and the connector is fixed to the base table vacuum chuck for wafer
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