KR20190099279A - Imprinting device - Google Patents

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Abstract

임프린팅 장치는 획정된 복수의 나노특징을 갖는 실리콘 마스터를 포함한다. 점착방지층은 실리콘 마스터를 코팅하되, 상기 점착방지층은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 분자를 포함한다. 방법은, 획정된 복수의 나노특징을 포함하는 실리콘 마스터 상에 제형을 증착시키는 것(여기서 상기 제형은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함함); 및 상기 제형을 경화시킴으로써 상기 실리콘 마스터 상에 점착방지층을 형성하는 것(여기서 상기 점착방지층은 분자를 포함함)에 의해, 마스터 주형을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 마스터 주형의 점착방지층 상에 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계; 상기 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 복수의 나노특징의 음성 복제물을 포함하는 작업 스탬프를 형성하는 단계; 및 마스터 주형으로부터 작업 스탬프를 방출시키는 단계를 더 포함한다.The imprinting device includes a silicon master having a plurality of defined nanofeatures. The anti-stick layer coats the silicon master, wherein the anti-stick layer includes molecules having cyclosiloxanes having at least one silane functional group. The method comprises depositing a formulation on a silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures, wherein the formulation comprises a solvent and a molecule having a cyclosiloxane having at least one silane functional group; And forming a master mold by forming an anti-stick layer on the silicon master by curing the formulation, wherein the anti-stick layer comprises molecules. The method includes depositing a silicon based work stamp material on the anti-stick layer of the master mold; Curing the silicone-based work stamp material to form a work stamp comprising a plurality of nanofeatures negative copies; And releasing the work stamp from the master mold.

Description

임프린팅 장치Imprinting device

관련 출원에 대한 상호 참조 Cross Reference to Related Application

본 출원은 2016년 12월 22일자로 출원된 미국 가출원 특허 제62/438,237호의 유익을 주장하며, 이 기초출원은 본 명세서에 그의 전문이 참고로 편입된다.This application claims the benefit of US Provisional Application No. 62 / 438,237, filed December 22, 2016, which is incorporated herein by reference in its entirety.

나노-임프린팅 기술은 나노구조의 경제적이고 효과적인 생산을 가능하게 한다. 나노-엠보싱 리소그래피(nano-embossing lithography)는 나노구조를 갖는 스탬프에 의한 레지스트 물질의 직접 기계적 변형 다음에 나노구조를 스탬프로부터 기재까지 전달하는 에칭 공정을 사용한다.Nano-imprinting technology enables the economical and effective production of nanostructures. Nano-embossing lithography uses an etching process that transfers the nanostructures from the stamp to the substrate following direct mechanical deformation of the resist material by the nanostructured stamp.

유동셀은 기재 내에서 통로 또는 웰을 통해 유체가 유동하도록 허용하는 소자이다. 핵산 분석 방법에서 유용한 패턴화된 유동셀은 삽입 틈새 영역 내에서 활성 표면의 별개 웰을 포함한다. 이러한 패턴화된 유동셀은 생물학적 어레이에서 유용할 수 있다.Flow cells are devices that allow fluid to flow through passages or wells within a substrate. Patterned flow cells useful in nucleic acid analysis methods include discrete wells of active surface within insertion gap regions. Such patterned flow cells can be useful in biological arrays.

데옥시리보핵산(DNA) 및 리보핵산(RNA)을 포함하는 분자를 검출하고 분석하기 위해 사용되는 다양한 도구 중에 생물학적 어레이가 있다. 이들 적용분야에서, 어레이는 인간 및 다른 유기체에서 유전자에 존재하는 뉴클레오타이드 서열에 대해 프로브를 포함하도록 조작된다. 특정 적용분야에서, 예를 들어, 개개 DNA 및 RNA 프로브는 어레이 지지체 상에서 기하학적 그리드 내 (또는 무작위로) 작은 위치에 부착될 수 있다. 상보성 단편이 어레이 내 개개 부위에서 프로브에 혼성화하도록, 예를 들어, 알려진 사람 또는 유기체로부터의 검사 샘플은 그리드에 노출될 수 있다. 이어서, 어레이는 단편이 혼성화되는 부위의 형광에 의해, 단편이 샘플에 존재하는지를 동정하는 부위에 걸쳐 특정 광 주파수를 스캐닝함으로써 시험될 수 있다.Biological arrays are among the various tools used to detect and analyze molecules including deoxyribonucleic acid (DNA) and ribonucleic acid (RNA). In these applications, arrays are engineered to include probes for nucleotide sequences present in genes in humans and other organisms. In certain applications, for example, individual DNA and RNA probes may be attached at small locations in the geometric grid (or randomly) on an array support. For example, test samples from known humans or organisms can be exposed to the grid so that the complementary fragments hybridize to the probe at individual sites within the array. The array can then be tested by fluorescence of the site where the fragment hybridizes, by scanning a particular light frequency across the site identifying whether the fragment is present in the sample.

생물학적 어레이는 유전자 서열분석을 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 유전자 서열분석은 유전자 물질의 길이에서 뉴클레오타이드 또는 핵산, 예컨대, DNA 또는 RNA 단편의 규모를 결정하는 것을 수반한다. 염기쌍의 점점 더 길어지는 서열이 분석되며, 얻어진 서열 정보는 단편으로부터 유래된 유전자 물질의 광대한 길이의 서열을 용이하게 결정하기 위해 함께 단편을 국소적으로 적합화하는 다양한 생물정보학적 방법에서 사용될 수 있다. 특징적 단편의 자동화된, 컴퓨터 기반 시험이 개발되었고, 게놈 맵핑, 유전자 및 그들의 기능의 동정, 특정 병태 및 질환 상태 등의 평가에서 사용되었다. 이들 적용분야를 넘어서, 다양한 분자, 분자 패밀리, 유전자 발현 수준, 단일 뉴클레오타이드 다형성의 검출 및 평가, 및 유전형질분석(genotyping)을 위해 생물학적 어레이가 사용될 수 있다.Biological arrays can be used for gene sequencing. In general, gene sequencing involves determining the size of a nucleotide or nucleic acid, such as a DNA or RNA fragment, in the length of the genetic material. The longer sequences of base pairs are analyzed and the resulting sequence information can be used in a variety of bioinformatics methods that locally fit fragments together to easily determine the vast length sequences of genetic material derived from fragments. have. Automated, computer-based tests of characteristic fragments have been developed and used in the evaluation of genome mapping, identification of genes and their functions, specific conditions and disease states, and the like. Beyond these applications, biological arrays can be used for various molecules, molecular families, gene expression levels, detection and evaluation of single nucleotide polymorphisms, and genotyping.

임프린팅 장치의 예는 획정된 복수의 나노특징(nanofeature)을 갖는 실리콘 마스터(silicon master)를 포함한다. 예시적 점착방지층은 실리콘 마스터를 코팅하며, 점착방지층은 적어도 하나의 실란 작용기가 있는 사이클로실록산을 갖는 분자를 포함한다.An example of an imprinting device includes a silicon master having a plurality of defined nanofeatures. Exemplary anti-stick layers coat the silicone master, wherein the anti-stick layer comprises molecules having cyclosiloxanes with at least one silane functionality.

방법의 예는, 획정된 복수의 나노특징을 포함하는 실리콘 마스터 상에 제형을 증착시키는 것(여기서 제형은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함함); 및 제형을 경화시킴으로써 실리콘 마스터 상에서 점착방지층을 형성하는 것(여기서 상기 점착방지층은 분자를 포함함)에 의해, 마스터 주형을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 마스터 주형의 점착방지층 상에 실리콘계(silicon-based) 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계; 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 복수의 나노특징의 음성 복제물(negative replica)을 포함하는 작업 스탬프를 형성하는 단계; 및 마스터 주형으로부터 작업 스탬프를 방출하는 단계를 더 포함한다.Examples of methods include depositing a formulation on a silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures, wherein the formulation comprises a solvent and a molecule having a cyclosiloxane having at least one silane functional group; And forming a master mold by forming an anti-stick layer on the silicone master by curing the formulation, wherein the anti-stick layer comprises molecules. The method includes depositing a silicon-based work stamp material on an anti-stick layer of a master mold; Curing the silicone based work stamp material to form a work stamp comprising a plurality of nanofeatures negative replicas; And releasing the work stamp from the master mold.

본 개시내용 예의 특징 및 이점은 다음의 상세한 설명 및 도면을 참고로 하여 명확하게 될 것이며, 이때 유사한 참조번호는 동일한 성분은 아니라고 할지라도, 유사하게 대응한다. 간결함을 위해, 앞서 기재한 기능을 갖는 참조 번호 또는 특징은 그들이 나타나는 다른 도면에 관해 기재할 수도 있고 기재하지 않을 수도 있다.
도 1은 예시적 실리콘 마스터 웨이퍼의 평면도를 도시한 도면;
도 2A 내지 도 2E는 함께 작업 스탬프를 형성하는 방법의 예를 준-개략적으로 도시한 도면;
도 3A 내지 도 3E는 함께 작업 스탬프의 예를 이용하여 표면을 형성하는 방법의 예를 준개략적으로 도시한 도면;
도 4는 좌측에서, 컷어웨이의 주사 전자 현미경(SEM) 이미지, 부분적으로 단면적의 임프린팅된 기재면(중간에 도시), 그리고 우측에서, 복수의 표면 작용기를 갖는 단일 웰의 추가적인 확장된 도시를 도시한 도면;
도 5는, 일 실시형태에서, 예시적 점착방지층으로 코팅한 마스터로부터 생산된 제1 및 제5 작업 스탬프(우측의 2개의 막대 세트)에 비해, 비교 점착방지층으로 코팅된 마스터로부터 생산된 제1 및 제5 작업 스탬프(죄측의 2개의 막대 세트)를 이용하는, 제1 임프린트와 마지막 임프린트 사이의 표면 거칠기를 도시하는 막대 그래프를 도시한 도면;
도 6은, 일 실시형태에서, 작업 스탬프 생성 및 임프린트 수의 함수로서 표면 거칠기 진행을 나타내는 막대 그래프를 도시한 도면;
도 7A는 예시적 점착방지층으로 코팅된 마스터로부터 생산된 5 세대 작업 스탬프로부터 생산된 제25 임프린트로부터 형성된 예시적인 임프린팅된 기재면 평면도의 30㎛ 원자힘 현미경(atomic-force microscopy: AFM) 이미지를 도시한 도면;
도 7B는 도 7A의 5㎛ 원자힘 현미경(AFM) 이미지를 도시한 도면;
도 8A는 바람직한 수준의 패턴 정확도/라운드 웰을 나타내고 검출 가능한 결합이 없는 예시적 점착방지층으로 코팅된 마스터로부터 생산된 작업 스탬프에 의해 형성된 예시적 임프린팅된 기재면의 하향식 SEM 이미지를 도시한 도면;
도 8B는 잘 획정된 웰 단면적/예리한 웰 에지를 나타내는, 도 8A의 임프린팅된 기재의 단면적 SEM 이미지를 도시한 도면;
도 9A는 바람직한 수준의 패턴 정확도를 나타내는, 비교 점착방지층으로 코팅된 마스터로부터 생산된 작업 스탬프에 의해 형성된 임프린팅된 기재면의 하향식 SEM 이미지를 도시한 도면; 및
도 9B는 덜 획정된 웰 횡단도 및 둥글려진 웰 에지를 나타내는 도 9A의 임프린팅된 기재의 단면적 SEM 이미지를 도시한 도면.
The features and advantages of the present disclosure examples will become apparent with reference to the following detailed description and drawings, wherein like reference numerals correspond similarly, although they are not identical components. For brevity, reference numerals or features having the functions described above may or may not be described with respect to other drawings in which they appear.
1 shows a top view of an exemplary silicon master wafer;
2A-2E are semi-schematic illustrations of an example of a method of forming a work stamp together;
3A-3E show schematically an example of a method of forming a surface using an example of a work stamp together;
4 shows an additional enlarged view of a scanning electron microscopy (SEM) image of the cutaway on the left side, an imprinted substrate surface (shown in the middle) of a partially cross-sectional area, and a single well with a plurality of surface functional groups on the right side. Illustrated;
FIG. 5 shows, in one embodiment, a first produced from a master coated with a comparative anti-stick layer as compared to the first and fifth work stamps (two sets of bars on the right) produced from a master coated with an exemplary anti-stick layer. And a bar graph showing the surface roughness between the first imprint and the last imprint, using a fifth work stamp (two sets of bars on the left side);
6 shows, in one embodiment, a bar graph showing surface roughness progression as a function of job stamp generation and imprint number;
FIG. 7A shows a 30 μm atomic-force microscopy (AFM) image of an exemplary imprinted substrate surface plan view formed from a 25th imprint produced from a fifth generation work stamp produced from a master coated with an exemplary anti-stick layer. Illustrated;
FIG. 7B shows a 5 μm atomic force microscope (AFM) image of FIG. 7A;
FIG. 8A shows a top down SEM image of an example imprinted substrate surface formed by a work stamp produced from a master coated with an example anti-stick layer exhibiting a desirable level of pattern accuracy / round wells and no detectable bonds;
FIG. 8B shows a cross-sectional SEM image of the imprinted substrate of FIG. 8A showing well defined well cross-sectional area / sharp well edges. FIG.
FIG. 9A shows a top down SEM image of an imprinted substrate surface formed by a work stamp produced from a master coated with a comparative anti-stick layer, exhibiting a desirable level of pattern accuracy; And
9B shows a cross-sectional SEM image of the imprinted substrate of FIG. 9A showing a less defined well cross section and rounded well edges.

도입 Introduction

양상에서, 임프린팅 장치는 획정된 복수의 나노특징을 포함하는 실리콘 마스터를 포함한다. 점착방지층은 실리콘 마스터를 코팅하며, 상기 점착방지층은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 분자를 포함한다.In an aspect, the imprinting device comprises a silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures. The anti-stick layer coats the silicon master, wherein the anti-stick layer comprises molecules having cyclosiloxanes having at least one silane functional group.

본 양상의 일부 예에서, 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산은 적어도 하나의 비치환된 C1- 6알킬기로 치환된, 그리고 알콕시실란기로 치환되는 적어도 하나의 C1- 12알킬기로 치환된 사이클로실록산(예컨대, 사이클로테트라실록산, 사이클로펜타실록산 또는 사이클로헥사실록산)이다. 본 양상의 다른 예에서, 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산은 각각 알콕시실란기로 치환되는 4개의 비치환된 C1-6알킬기 및 4개의 C1-12알킬기로 치환된 사이클로실록산(예컨대, 사이클로테트라실록산, 사이클로펜타실록산 또는 사이클로헥사실록산)이다. 일부 예에서, C1- 6알킬기는 메틸기이다. 다른 예에서, C1- 12알킬기는 트라이알콕시실란기로 각각 치환되고, 일부 예에서 치환된 에틸 또는 프로필기이며, 그리고 일부 예에서, 치환된 에틸기이다. 일부 예에서, 알콕시실란은 모노알콕시실란이다. 일부 예에서, 알콕시실란은 트라이알콕시실란이다. 일부 예에서, 트라이알콕시실란기는 트라이메톡시실란 또는 트라이에톡시실란이다. 일부 예에서, 트라이알콕시실란기는 트라이에톡시실란이다. 일부 예에서, 점착방지층은 사이클로실록산의 혼합물을 포함한다.In some examples of this aspect, a cyclosiloxane having at least one silane-functional group is a cycloalkyl substituted with at least one C 1- 12 alkyl group which is substituted with a, and an alkoxysilane substituted by C 1- 6 alkyl group the ring at least one Beach Siloxanes (eg, cyclotetrasiloxane, cyclopentasiloxane, or cyclohexasiloxane). In another example of this aspect, cyclosiloxanes having at least one silane functional group are cyclosiloxanes (eg cyclo) substituted with four unsubstituted C 1-6 alkyl groups and four C 1-12 alkyl groups, each substituted with an alkoxysilane group. Tetrasiloxane, cyclopentasiloxane or cyclohexasiloxane). In some instances, C 1- 6 alkyl group is a methyl group. In another example, C 1- 12 alkyl groups are each substituted by a tri-alkoxy silane, and an ethyl or propyl group which is substituted in some instances, and is in some instances, the substituted group. In some instances, the alkoxysilane is a monoalkoxysilane. In some instances, the alkoxysilane is a trialkoxysilane. In some instances, the trialkoxysilane group is trimethoxysilane or triethoxysilane. In some instances, the trialkoxysilane group is triethoxysilane. In some instances, the anti-stick layer comprises a mixture of cyclosiloxanes.

본 양상의 일례에서, 분자는 다음과 같다:In one example of this aspect, the molecule is as follows:

Figure pct00001
.
Figure pct00001
.

본 양상의 일례에서, 점착방지층은 순수한 형태의 분자와 분자의 올리고머의 혼합물을 포함한다. 본 양상의 다른 예에서, 점착방지층은 분자와 적어도 하나의 다른 사이클로실록산의 혼합물을 포함한다.In one example of this aspect, the anti-stick layer comprises a mixture of molecules in their pure form and oligomers of the molecules. In another example of this aspect, the anti-stick layer comprises a mixture of molecules and at least one other cyclosiloxane.

본 양상의 일례에서, 사이클로실록산은 사이클로테트라실록산 및 사이클로헥사실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In one example of this aspect, the cyclosiloxane is selected from the group consisting of cyclotetrasiloxane and cyclohexasiloxane.

본 양상의 일례에서, 실란 작용기는 알킬 알콕시실란이다.In one example of this aspect, the silane functional group is an alkyl alkoxysilane.

본 양상의 일례에서, 알킬 알콕시실란은 에틸 트라이에톡시실란이다.In one example of this aspect, the alkyl alkoxysilane is ethyl triethoxysilane.

본 양상의 일례에서, 임프린팅 장치는 실리콘 마스터 상에서 점착방지층과 접촉되는 실리콘계 작업 스탬프를 더 포함한다.In one example of this aspect, the imprinting apparatus further includes a silicon based work stamp in contact with the anti-stick layer on the silicon master.

본 양상의 일례에서, 실리콘계 작업 스탬프는 중합된 실리콘 아크릴레이트 단량체를 포함한다.In one example of this aspect, the silicone-based work stamp includes a polymerized silicone acrylate monomer.

본 양상의 일례에서, 임프린팅 장치는 작업 스탬프와 접촉된 뒤판을 더 포함한다.In one example of this aspect, the imprinting apparatus further comprises a back plate in contact with the work stamp.

본 양상의 일례에서, 분자는 플루오린을 제외한다. 일부 예에서, 점착방지층은 플루오린을 제외하거나 또는 플루오린-함유 화합물을 제외한다.In one example of this aspect, the molecule excludes fluorine. In some instances, the anti-stick layer excludes fluorine or excludes fluorine-containing compounds.

임프린팅 장치의 본 양상의 임의의 특징은 임의의 바람직한 방식 및/또는 입체배치로 함께 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.It should be understood that any of the features of this aspect of the imprinting device may be combined together in any desired manner and / or configuration.

양상에서, 획정된 복수의 나노특징을 포함하는 실리콘 마스터 상에서 제형을 증착시킴으로써 마스터 주형을 형성하는 단계를 포함한다. 제형은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함한다. 일부 양상에서, 상기 방법은 제형을 증착시키기 전에, 예를 들어, 플라즈마재 또는 화학적 세정에 의해, 실리콘 마스터의 표면을 세정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 제형을 경화시킴으로써, 실리콘 마스터 상에서 점착방지층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 점착방지층은 분자를 포함한다. 상기 방법은 마스터 주형의 점착방지층 상에 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계, 및 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 복수의 나노특징의 음성 복제물을 포함하는 작업 스탬프를 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 또한 마스터 주형으로부터 작업 스탬프를 방출시키는 단계를 포함한다. 일부 양상에서, 실리콘 마스터는 실리콘 또는 실리콘-SiO2 층상화된 물질을 포함한다.In an aspect, forming a master template by depositing a formulation on a silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures. The formulation comprises a solvent and a molecule having a cyclosiloxane with at least one silane functional group. In some aspects, the method includes cleaning the surface of the silicon master, eg, by plasma material or chemical cleaning, prior to depositing the formulation. The method further comprises forming an anti-stick layer on the silicone master by curing the formulation, the anti-stick layer comprising molecules. The method further includes depositing a silicon based work stamp material on the anti-stick layer of the master mold, and curing the silicon based work stamp material to form a work stamp comprising a plurality of nanofeature negative copies. The method also includes releasing the work stamp from the master mold. In some aspects, the silicon master comprises silicon or silicon-SiO 2 layered material.

상기 방법의 이 양상의 일례에서, 용매는 비등점이 약 70℃ 미만이다. 일부 예에서, 분자는 적어도 약 5중량%의 양으로 제형 중에 존재한다.In one example of this aspect of the method, the solvent has a boiling point of less than about 70 ° C. In some examples, the molecule is present in the formulation in an amount of at least about 5% by weight.

상기 방법의 이 양상의 일례에서, 용매는 테트라하이드로퓨란 또는 톨루엔이고, 그리고/또는 분자는 하기와 같다:In one example of this aspect of the method, the solvent is tetrahydrofuran or toluene and / or the molecule is as follows:

Figure pct00002
.
Figure pct00002
.

상기 방법의 이 양상의 일례에서, 제형을 증착시키는 것 및 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 것은 각각 스핀코팅을 수반한다.In one example of this aspect of the method, depositing the formulation and depositing the silicon based work stamp material each involve spin coating.

상기 방법의 이 양상의 일례에서, 실리콘계 작업 스탬프 물질은 실리콘 아크릴레이트 단량체를 포함한다.In one example of this aspect of the method, the silicone-based work stamp material comprises a silicone acrylate monomer.

상기 방법의 이 양상의 일례에서, 분자는 약 5중량% 내지 약 10중량% 범위의 양으로 제형 중에 존재한다.In one example of this aspect of the method, the molecule is present in the formulation in an amount ranging from about 5% to about 10% by weight.

일부 양상에서, 방출시키는 단계는 마스터 주형으로부터 그리고 경화된 점착방지층으로부터 작업 스탬프를 방출시키는 작용을 한다. 상기 방법의 이 양상의 일례에서, 방출된 작업 스탬프는 적어도 실질적으로 분자가 없다.In some aspects, the step of releasing serves to release the work stamp from the master mold and from the cured anti-stick layer. In one example of this aspect of the method, the released work stamp is at least substantially free of molecules.

일부 양상에서, 방출된 마스터 주형은 작업 스탬프의 추가적인 반복(예를 들어, 1 초과, 5 초과, 10 초과, 25 초과, 50 초과, 1 내지 10, 1 내지 25, 1 내지 50, 25 내지 50 등)을 제조하기 위해 재사용된다. 일부 양상에서, 방출된 마스터 주형은 점착방지층을 포함하고, 점착방지층의 재적용 없이 재사용된다. 일부 양상에서, 방출된 마스터 주형의 재사용은 방출된 마스터 주형의 점착방지층 상에 제2 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 것; 제2 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 복수의 나노특징의 나노 복제물을 포함하는 제2 작업 스탬프를 형성하는 것; 및 방출된 마스터 주형으로부터 제2 작업 스탬프를 방출시키는 것을 포함한다. 일부 양상에서, 재사용 공정은 다회(예를 들어, 2, 5, 10, 25 또는 50회) 반복된다. 일부 양상에서, 방출된 마스터 주형의 재사용은 점착방지층의 재적용을 포함하며, 따라서 방출된 마스터 주형 상에 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함하는 제형하는 증착시키는 단계; 제형을 경화시킴으로써 방출된 마스터 주형 상에 점착방지층을 형성하는 단계로서, 점착방지층은 분자를 포함하는, 상기 점착방지층을 형성하는 단계; 방출된 마스터 주형의 점착방지층 상에 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계; 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 복수의 나노특징의 음성 복제물을 포함하는 제2 작업 스탬프를 형성하는 단계; 및 방출된 마스터 주형으로부터 제2 작업 스탬프를 방출시키는 단계를 포함한다. 일부 양상에서, 재사용 방법은 제형을 증착시키기 전에, 예를 들어, 플라즈마재 또는 화학적 세정에 의해, 방출된 마스터 주형을 세정하는 단계를 포함한다. 이 공정은 동일한 마스터 주형을 이용하여 다회(예를 들어, 2, 5, 10, 25 또는 50회) 반복될 수 있다.In some aspects, the released master template may be further repeated in a work stamp (eg, greater than 1, greater than 5, greater than 10, greater than 25, greater than 50, 1 to 10, 1 to 25, 1 to 50, 25 to 50, etc. ) Is reused to manufacture. In some aspects, the released master mold includes an anti-stick layer and is reused without reapplying the anti-stick layer. In some aspects, reuse of the released master mold comprises depositing a second silicon-based work stamp material on the anti-stick layer of the released master mold; Curing the second silicon-based work stamp material to form a second work stamp comprising a plurality of nanofeatures of nano replicas; And releasing the second work stamp from the released master mold. In some aspects, the reuse process is repeated multiple times (eg, 2, 5, 10, 25 or 50 times). In some aspects, reuse of the released master template includes reapplication of an anti-stick layer, thus depositing a formulation comprising a solvent and a molecule having a cyclosiloxane having at least one silane functional group on the released master template; Forming an anti-stick layer on the master mold released by curing the formulation, wherein the anti-stick layer comprises molecules; Depositing a silicon based work stamp material on the anti-stick layer of the released master mold; Curing the silicon-based work stamp material to form a second work stamp comprising a plurality of nanofeatures negative copies; And releasing the second work stamp from the released master mold. In some aspects, the reuse method includes cleaning the released master template, eg, by plasma material or chemical cleaning, prior to depositing the formulation. This process can be repeated multiple times (eg, 2, 5, 10, 25 or 50 times) using the same master template.

상기 방법의 이 양상의 임의의 특징은 임의의 바람직한 방식으로 함께 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 게다가, 방법의 이런 양상의 그리고/또는 임프린팅 장치의 양상의 특징의 임의의 조합은 함께 사용될 수 있고, 그리고/또는 이들 양상 중 하나 또는 둘 다로부터의 임의의 특징은 본 명세서에 개시된 임의의 예와 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.It should be understood that any feature of this aspect of the method may be combined together in any desired manner. In addition, any combination of features of this aspect of the method and / or aspects of the imprinting apparatus may be used together, and / or any feature from one or both of these aspects may be used in any of the examples disclosed herein. It should be understood that it can be combined with.

양상에서, 작업 스탬프(상기 논의한 방법의 양상(들)에 의해 형성됨)를 이용하는 방법은 작업 스탬프를 지지체 상에서 임프린트 리소그래피 수지에 임프린팅하는 단계; 및 수지를 경화시킴으로써 획정된 복수의 나노특징의 복제물(예를 들어, 작업 스탬프 특징의 음성 복제, 이에 의해 본래의 마스터 주형 특징과 매칭됨)을 갖는 서열분석면을 형성하는 단계를 포함한다.In an aspect, a method using a work stamp (formed by aspect (s) of the method discussed above) includes imprinting the work stamp on an imprint lithography resin on a support; And curing the resin to form a sequencing surface having a plurality of replicas of the nanofeatures defined (eg, negative replicas of the work stamp features, thereby matching the original master template features).

사용 방법의 이런 양상의 일례에서, 서열분석면은 분자가 적어도 실질적으로 없다.In one example of this aspect of the method of use, the sequencing surface is at least substantially free of molecules.

사용 방법의 이런 양상의 일례에서, 상기 방법은 복수의 나노특징의 복제물에 존재하는 중간 구조 상에 증폭 프라이머를 접합시키는 단계를 더 포함한다. 사용 방법의 다른 양상에서, 상기 방법은 획정된 복수의 나노특징의 복제물에서 패턴화된 서열분석면에 중간 구조를 접합시키는 단계를 더 포함한다. 다른 양상에서, 상기 방법은 서열분석면 상의 복수의 나노특징의 복제물 내 중간 구조에 증폭 프라이머를 접합시키는 단계를 더 포함한다.In one example of this aspect of the method of use, the method further comprises conjugating the amplification primers on the intermediate structures present in the plurality of nanofeature copies. In another aspect of the method of use, the method further comprises conjugating the intermediate structure to the patterned sequencing surface in the defined plurality of nanofeature copies. In another aspect, the method further comprises conjugating the amplification primers to the intermediate structures in the replica of the plurality of nanofeatures on the sequencing surface.

사용 방법의 이런 양상의 일례에서, 중간 구조는 하기 화학식 (I)의 반복 단위를 포함하는 중합체 코팅제이다:In one example of this aspect of the method of use, the intermediate structure is a polymeric coating comprising repeating units of formula (I):

Figure pct00003
Figure pct00003

식 중:During the formula:

R1은 H 또는 선택적으로 치환된 알킬이고;R 1 is H or optionally substituted alkyl;

RA는 아지도, 선택적으로 치환된 아미노, 선택적으로 치환된 알켄일, 선택적으로 치환된 하이드라존, 선택적으로 치환된 하이드라진, 카복실, 하이드록시, 선택적으로 치환된 테트라졸, 선택적으로 치환된 테트라진, 나이트릴옥사이드, 나이트론 및 티올로 이루어진 군으로부터 선택되며;R A is azido, optionally substituted amino, optionally substituted alkenyl, optionally substituted hydrazone, optionally substituted hydrazine, carboxyl, hydroxy, optionally substituted tetrazole, optionally substituted tetra Selected from the group consisting of gin, nitrile oxide, nitrone and thiol;

R5는 H 및 선택적으로 치환된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 5 is selected from the group consisting of H and optionally substituted alkyl;

각각의 -(CH2)p-는 선택적으로 치환될 수 있으며;Each — (CH 2 ) p — may be optionally substituted;

p는 1 내지 50 범위의 정수이고;p is an integer ranging from 1 to 50;

n은 1 내지 50,000 범위의 정수이며; 그리고n is an integer ranging from 1 to 50,000; And

m은 1 내지 100,000 범위의 정수이다.m is an integer ranging from 1 to 100,000.

당업자는 화학식 (I)에서 반복되는 "n" 및 "m" 특징의 배열이 대표적이고, 단량체 서브유닛은 중합체 구조(예를 들어, 무작위, 블록, 패턴화 또는 이들의 조합)에서 임의의 순서로 존재할 수 있다는 것을 인식할 것이다.One skilled in the art is representative of the arrangement of the "n" and "m" features repeated in Formula (I), wherein the monomer subunits are in any order in the polymer structure (eg, random, block, patterned, or a combination thereof). It will be appreciated that it can exist.

사용 방법의 이런 양상의 임의의 특징은 임의의 바람직한 방식으로 함께 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 게다가, 사용 방법의 이런 양상의 그리고/ 방법의 양상의 그리고/또는 임프린팅 장치의 양상의 특징의 임의의 조합은 함께 사용될 수 있고, 그리고/또는 이들 양상 중 하나 또는 둘 다로부터의 임의의 특징은 본 명세서에 개시된 임의의 예와 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.It should be understood that any feature of this aspect of the method of use may be combined together in any desired manner. In addition, any combination of the features of this aspect of the method of use and / or the aspect of the method and / or of the aspect of the imprinting device may be used together, and / or any feature from one or both of these aspects It should be understood that it may be combined with any of the examples disclosed herein.

발명의 상세한 설명Detailed description of the invention

유전자 서열분석에 패턴화 기술(국소화되고 독립적인 클러스터)을 도입하는 것은 서열분석 품질을 개선시킬 수 있다. 그러나, 전통적인 리소그래피 기법(광자 또는 전자의 사용을 통한 패턴 정의)에 의해 패턴화된 유동셀을 생성하는 것은 일류의 청정실 및 웨이퍼마다의 다수의 가공 단계를 수반한다.Incorporating patterning techniques (localized and independent clusters) into gene sequencing can improve sequencing quality. However, creating a patterned flow cell by traditional lithography techniques (pattern definition through the use of photons or electrons) involves a number of processing steps per first class clean room and wafer.

본 개시내용의 예는 다이-수준 공정으로부터 웨이퍼-수준 공정까지 유리하게는 측정 가능할 수 있다.Examples of the disclosure may advantageously be measurable from die-level processes to wafer-level processes.

나노임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography: NIL)는 높은 정밀도 및 저비용을 제공하는 상대적으로 고속대량 패터닝 기법일 수 있다. 그러나, 본 발명자들은 몇몇 예에서 표준 NIL은 일반적으로 유동셀 제조(예를 들어, 특징적 크기로부터의 서열분석면 복잡성 등에 기인)에서 사용하기에도 적합하지 않고, 유전자 서열분석면 화학을 효과적으로 뒷받침할 수도 없다는 것을 발견하였다.Nanoimprint lithography (NIL) may be a relatively high speed bulk patterning technique that provides high precision and low cost. However, we note that in some instances standard NILs are not generally suitable for use in flow cell preparation (eg, due to sequencing complexity from characteristic sizes, etc.) and may effectively support gene sequencing surface chemistry. Found none.

NIL을 이용하는 임프린팅된 웨이퍼의 제작은 일반적으로 i) 작업 스탬프(working stamp: WS)(마스터의 음성 복제물)의 제작; 및 초기에 제조한 WS(임프린팅 공정)를 이용하여 수지 기질에 마스터 패턴(모델)의 복제를 수반한다.Fabrication of imprinted wafers using NIL generally involves i) fabrication of a working stamp (WS) (negative copy of the master); And replicating the master pattern (model) to the resin substrate using an initially prepared WS (imprinting process).

그러나, WS의 제작은 사전 존재하는 설비 및 물질을 이용하여 자동화될 수 없다는 것이 발견되었다. 일단 점착방지층(anti-stick layer: ASL)으로 코팅된 마스터 상에서 스핀 코팅되면, WS 제형은 적합한 스탬프를 반복적으로 제공하기 위해 표면으로부터 굉장히 빠르게 역젖음(de-wetting)되었다. WS 제작 단계는 낮은 성공률을 가지며, 따라서 전반적 NIL 공정이 자동화된 생산에 대해 사용할 수 없게 만든다. 임의의 특정 이론에 의해 구속되지 않지만, 본 발명자들은 코팅된 마스터와 WS 물질 사이의 표면 에너지 미스매치가 본 현상에 기인할 수 있다는 것으로 여긴다.However, it has been found that the fabrication of WS cannot be automated using pre-existing equipment and materials. Once spin coated on a master coated with an anti-stick layer (ASL), the WS formulation was de-wetting very quickly from the surface to repeatedly provide a suitable stamp. The WS manufacturing stage has a low success rate, thus making the overall NIL process unusable for automated production. Although not bound by any particular theory, the inventors believe that surface energy mismatches between the coated master and the WS material may be due to this phenomenon.

본 개시내용의 예는 효율적인 ASL로서 사용될 새로운 물질의 부류를 기재한다. 얻어진 예시적 ASL-코팅 마스터는 안정한 WS 제형 젖음을 제공하며, 따라서 체계적인 성공적 WS 제작 공정을 야기한다. 추가로, 공정은 높은 성공률로 자동화될 수 있다.Examples of the present disclosure describe a class of new materials to be used as efficient ASL. The exemplary ASL-coated master obtained provides stable WS formulation wetting, thus resulting in a systematic successful WS fabrication process. In addition, the process can be automated at high success rates.

본 명세서에서 사용되는 용어는 달리 구체화되지 않는 한, 적절한 기술에서 그들의 보통의 의미를 취할 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 몇몇 용어 및 그들의 의미를 이하에 제시한다.It is to be understood that the terminology used herein, unless otherwise specified, will take their ordinary meaning in the appropriate description. Some terms used herein and their meanings are set forth below.

단수 형태는 문맥에서 달리 명확하게 나타나지 않는 한, 복수의 대상을 포함한다.The singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise.

이들 용어의 다양한 형태를 포함하고, 함유하는 용어는 서로 동의어이며, 동일하게 광범위한 것으로 이해된다.It is to be understood that the various forms of these terms are included and that the terms they contain are synonymous with one another and equally broad.

본 명세서에서 사용되는 용어 "증착시키는"은 수동이거나 또는 자동화될 수 있는 임의의 적합한 적용 기법을 지칭한다. 일반적으로, 증착은 증착 기법, 코팅 기법, 접합 기법 등을 이용하여 수행될 수 있다. 일부 구체적 예는 화학적 증착(chemical vapor deposition: CVD), 분무 코팅, 스핀코팅, 덩크 또는 딥 코팅(dunk or dip coating), 퍼들 디스펜싱(puddle dispensing) 등을 포함한다.As used herein, the term “depositing” refers to any suitable application technique that can be manual or automated. In general, deposition may be performed using deposition techniques, coating techniques, bonding techniques, and the like. Some specific examples include chemical vapor deposition (CVD), spray coating, spin coating, dunk or dip coating, puddle dispensing, and the like.

본 명세서에 사용되는 바와 같은 용어 "오목부(depression)"는 패턴화된 웨이퍼면의 사이 영역(들)에 의해 완전히 둘러싸인 표면 개구부를 갖는 패턴화된 웨이퍼에서 별개의 오목한 특징을 지칭한다. 오목부는, 예로서, 원형, 타원형, 정사각형, 다각형, 별형(다수의 꼭지점이 있음) 등을 포함하는 표면 내 그들의 개구부에서 임의의 다양한 형상을 가질 수 있다. 표면과 직각으로 취해진 오목부의 단면적은 곡선형, 정사각형, 다각형, 쌍곡선, 원추형, 각 모양 등일 수 있다. 예로서, 오목면은 웰 또는 유동 통로일 수 있다.The term “depression” as used herein refers to a distinct concave feature in a patterned wafer having a surface opening that is completely surrounded by interstitial region (s) of the patterned wafer surface. The recesses may have any of a variety of shapes at their openings in the surface, including, for example, circular, elliptical, square, polygonal, star (with multiple vertices), and the like. The cross-sectional areas of the recesses taken perpendicular to the surface may be curved, square, polygonal, hyperbolic, conical, angular, or the like. By way of example, the concave surface may be a well or a flow passage.

본 명세서에 사용되는 바와 같은 용어 "하드 베이킹(hard baking)" 또는 "하드 베이크"는 용매(들)를 몰아내기 위해 중합체 제형을 인큐베이션 또는 탈수시키는 것을 지칭하며, 여기서, 공정의 지속기간은 보통 약 100℃ 내지 약 300℃ 범위의 온도에서 약 5초 내지 약 10분간 지속된다. 하드 베이킹을 위해 사용될 수 있는 장치의 비제한적 예는 핫 플레이트를 포함한다.As used herein, the term "hard baking" or "hard bake" refers to incubating or dehydrating the polymer formulation to drive off the solvent (s), wherein the duration of the process is usually about Lasting from about 5 seconds to about 10 minutes at a temperature in the range from 100 ° C to about 300 ° C. Non-limiting examples of devices that can be used for hard baking include hot plates.

본 명세서에서 사용되는 용어 "특징" 또는 "나노특징"은 기재의 별개의 물리적 요소 또는 별개의 물리적 속성을 의미하는 것으로 의도된다. 특징/나노특징은 기재의 구별 가능한 물리적 또는 구조적 속성을 포함한다. 따라서, 특징은 물리적 분리가능성을 제공하는 기재의 부품이다. 특징은, 예를 들어, 제2 특징에서 증착된 생중합체로부터 제1 특징에 증착된 생중합체를 분리시킨다.As used herein, the term "feature" or "nanocharacteristic" is intended to mean a separate physical element or separate physical attribute of a substrate. Features / nanocharacteristics include the distinguishable physical or structural attributes of the substrate. Thus, the feature is that part of the substrate that provides physical separability. The feature separates, for example, the biopolymer deposited in the first feature from the biopolymer deposited in the second feature.

본 명세서에서 사용되는 용어 "소프트 베이킹" 또는 "소프트 베이크"는 용매(들)를 몰아내기 위해 중합체 또는 하이드로겔 제형을 인큐베이션시키거나 또는 탈수시키는 공정을 지칭하며, 공정의 지속기간은 보통 약 60℃ 내지 약 130℃ 범위의 온도에서 약 5초 내지 약 10분간 지속된다. 소프트 베이킹을 위해 사용될 수 있는 장치의 비제한적 예는 핫 플레이트를 포함한다.As used herein, the term “soft baking” or “soft bake” refers to a process of incubating or dehydrating a polymer or hydrogel formulation to drive off the solvent (s), the duration of the process usually being about 60 ° C. Lasting from about 5 seconds to about 10 minutes at a temperature in the range from about 130 ° C. Non-limiting examples of devices that can be used for soft baking include hot plates.

이제 도 1 및 도 2A 내지 도 2E에 관해 함께, 복수의 실리콘 마스터(이 중 하나는 10으로 표기함)는 웨이퍼(11)(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상에 배치된다. 도 2A 내지 도 2E에 관해 이하에 기재하는 가공 후에, 복수의 작업 스탬프(16')는 단일 웨이퍼(11)로부터 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 다른 물질은 마스터(10), 예컨대, 금속, 예를 들어, 니켈로서 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예에서, 마스터(10)는 산화규소 마스터이다. 마스터(10)는 획정된 복수의 나노특징(12)을 포함한다(도 2A). 나노특징은 임의의 적합한 형상, 크기 및/또는 입체배치를 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예에서, 나노특징(12)은 단일 작업 스탬프(16')로부터 형성된 적어도 실질적으로 원통형의 오목부/웰의 형상에 있다(예를 들어, 도 4, 좌측 참조).Referring now to FIGS. 1 and 2A-2E, a plurality of silicon masters, one of which is designated 10, is disposed on wafer 11 (eg, a silicon wafer). After the processing described below with respect to FIGS. 2A-2E, it should be understood that a plurality of work stamps 16 ′ may be formed from a single wafer 11. It is to be understood that other materials may be used as the master 10, such as a metal, for example nickel. In the example, master 10 is a silicon oxide master. Master 10 includes a plurality of defined nanofeatures 12 (FIG. 2A). It is to be understood that the nanofeatures may have any suitable shape, size and / or conformation. In an example, the nanofeature 12 is in the shape of at least substantially cylindrical recesses / wells formed from a single work stamp 16 ′ (see, eg, FIG. 4, left).

본 명세서에 개시된 방법의 예에 따르면, 마스터(10)는 세정 및 건조될 수 있다. 이어서, 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함하는, 점착방지층(ASL) 제형은 마스터(10) 상에 그리고 복수의 나노특징(12) 상에 증착된다.According to an example of the method disclosed herein, the master 10 can be cleaned and dried. Subsequently, an anti-stick layer (ASL) formulation comprising a solvent and a molecule having a cyclosiloxane having at least one silane functional group is deposited on the master 10 and on the plurality of nanofeatures 12.

임의의 적합한 용매가 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 용매는 유기 용매이다. 예로서, 용매는 비등점이 약 110℃ 이하이고; 그리고 추가 예에서, 용매는 비등점이 약 70℃ 미만이다. 예로서, 용매는 테트라하이드로퓨란(THF)(비등점이 66℃임) 및 톨루엔(비등점이 110℃임)으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 다른 실시형태에서, 용매는 비등점이 약 60℃ 내지 약 150℃이다.It should be understood that any suitable solvent may be used. By way of example, the solvent is an organic solvent. By way of example, the solvent has a boiling point of about 110 ° C. or less; And in further examples, the solvent has a boiling point of less than about 70 ° C. By way of example, the solvent is selected from the group consisting of tetrahydrofuran (THF) (boiling point is 66 ° C.) and toluene (boiling point is 110 ° C.). In another embodiment, the solvent has a boiling point of about 60 ° C to about 150 ° C.

예로서, 분자는 적어도 약 5중량%의 양으로 ASL 제형에 존재한다. 다른 예로서, 분자는 약 5중량% 내지 약 10중량% 범위의 양으로 ASL 제형 중에 존재한다. 또 다른 예에서, 분자는 약 10중량% 내지 약 20중량% 범위의 양으로 ASL 제형 중에 존재한다. 본 명세서에서 사용되는 용어 ASL 제형 중에 존재하는 "분자"는 i) 그의 순수한 형태인 분자; 및/또는 ii) 그의 순수한 형태의 분자와 분자의 올리고머(들)의 혼합물을 포함하는 것으로 의도된다는 것이 이해되어야 한다.By way of example, the molecules are present in the ASL formulation in an amount of at least about 5% by weight. As another example, the molecules are present in the ASL formulation in an amount ranging from about 5% to about 10% by weight. In another example, the molecule is present in the ASL formulation in an amount ranging from about 10% to about 20% by weight. As used herein, the term “molecule” present in an ASL formulation includes: i) a molecule in its pure form; And / or ii) a mixture of molecules in their pure form and oligomer (s) of the molecule.

임의의 적합한 증착 방법이 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, ASL 층 제형은 마스터(10) 상에 스핀 코팅된다. 다른 예로서, ASL 제형은 화학적 증착(CVD) 공정을 통해 증착될 수 있다. 추가적인 예에서, ASL 제형은 임의의 분무 코팅, 덩크 또는 딥 코팅 또는 퍼들 디스펜싱을 통해 증착될 수 있다.It should be understood that any suitable deposition method may be used. As an example, the ASL layer formulation is spin coated onto the master 10. As another example, the ASL formulation can be deposited via a chemical vapor deposition (CVD) process. In a further example, the ASL formulation can be deposited via any spray coating, dunk or dip coating or puddle dispensing.

상기 방법은 ASL 제형을 경화시킴으로써, 마스터(10) 상에 점착방지층(14)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 점착방지층은 분자를 포함한다(도 2B). 예로서, ASL 제형은 열적으로 경화된다. 일부 예에서, 열적 경화는 약 60℃ 내지 약 220℃ 범위의 온도에서 수행될 수 있다. 예시적 범위가 제공되었지만, 열적 경화 온도는 사용 중인 시스템 및/또는 용매에 따라서 더 높거나 또는 더 낮을 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 온도 범위는 약 40℃ 내지 약 60℃, 또는 약 220℃ 내지 약 240℃일 수 있다.The method may further comprise forming an anti-stick layer 14 on the master 10 by curing the ASL formulation, the anti-stick layer comprising molecules (FIG. 2B). As an example, ASL formulations are thermally cured. In some examples, thermal curing may be performed at a temperature in the range of about 60 ° C to about 220 ° C. While an exemplary range has been provided, it should be understood that the thermal cure temperature may be higher or lower depending on the system and / or solvent in use. By way of example, the temperature range may be about 40 ° C to about 60 ° C, or about 220 ° C to about 240 ° C.

점착방지층(14)을 갖는 마스터(10)는 도 2B의 10'에서 일반적으로 표기되는 마스터 주형이다. 이어서, 마스터 주형(10')은 용매로 세척될 수 있다. 세척 단계는 과량의 그리고/또는 비반응 물질을 제거하는 작용을 한다.The master 10 having the anti-stick layer 14 is a master mold generally indicated at 10 'in FIG. 2B. The master mold 10 'can then be washed with a solvent. The washing step serves to remove excess and / or unreacted material.

점착방지층(14)의 예는 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 분자를 포함한다. 예로서, 분자는 하기와 같다:Examples of the anti-stick layer 14 include molecules with cyclosiloxanes having at least one silane functional group. By way of example, the molecules are as follows:

Figure pct00004
.
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.

예로서, ASL 제형(증착 및 경화 후에 점착방지층(14)으로부터 형성)은 순수한 형태의 분자와 분자의 올리고머(예를 들어, 이량체 및 삼량체)의 혼합물을 포함하며, 즉, ASL 제형/출발 ASL 물질은 소분자로 구성될 수 있을뿐만 아니라, 소분자와 분자 올리고머의 혼합물일 수 있다. 마스터 상에서 ASL 경화 단계 후에, 순수(소분자) 대 올리고머의 비는 올리고머 종에 유리하게 영향받을 수 있다. ASL 분자의 중합은 열에 의해 촉발될 수 있다. 임의의 이론에 의해 구속되는 일 없이, 순수한 분자와 올리고머 분자(거대 분자)의 혼합물은 표면의 큰 부분을 양호하게 뒤덮을 수 있고, 더 작은 분자는 올리고머 분자에 의해 뒤덮이지 않은 채로 남아있는 작은 갭(들)에서 반응될 수 있는 것으로 여겨진다. 그러나, 추가 예에서, ASL 제형은 올리고머 분자 없이 순수한 분자를 함유할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.By way of example, an ASL formulation (formed from the anti-stick layer 14 after deposition and curing) comprises a mixture of molecules in their pure form and oligomers of the molecules (eg dimers and trimers), ie ASL formulation / departure The ASL material may not only be composed of small molecules but also may be a mixture of small molecules and molecular oligomers. After the ASL curing step on the master, the ratio of pure (small molecule) to oligomer can be advantageously influenced by the oligomeric species. Polymerization of ASL molecules can be triggered by heat. Without being bound by any theory, a mixture of pure and oligomeric molecules (macromolecules) may well cover a large portion of the surface, while smaller molecules may be left uncovered by oligomeric molecules ( It is believed that it can be reacted. However, it should be understood that in further examples, ASL formulations may contain pure molecules without oligomeric molecules.

예로서, ASL 제형은 약 0중량% 내지 약 35중량% 범위의 올리고머의 양을 포함하고, 약 100중량% 내지 약 65중량% 범위의 순수한 화합물의 양을 포함한다. 다른 예로서, ASL 제형은 약 20중량% 내지 약 30중량% 범위의 올리고머의 양을 포함하고, 약 80중량% 내지 약 70중량% 범위의 순수한 화합물의 양을 포함한다. 또 다른 예에서, ASL 제형은 약 20중량% 내지 약 23중량% 범위의 올리고머 양을 포함하고, 약 80중량% 내지 약 77중량% 범위의 순수한 화합물의 양을 포함한다. 또한 추가 예에서, ASL 제형은 100중량% 순수한 화합물이다. ASL 제형 조성(즉, 순수 대 올리고머의 중량%)과 상관없이, ASL 물질의 성능은 적어도 실질적으로 변화되지 않을 것으로 여겨진다.By way of example, the ASL formulation includes an amount of oligomer in the range of about 0% to about 35% by weight, and includes an amount of pure compound in the range of about 100% to about 65% by weight. As another example, the ASL formulation includes an amount of oligomer in the range of about 20% to about 30% by weight, and includes an amount of pure compound in the range of about 80% to about 70% by weight. In another example, the ASL formulation includes an oligomer amount in the range of about 20% to about 23% by weight and comprises an amount of pure compound in the range of about 80% to about 77% by weight. In a further example, the ASL formulation is 100% pure compound. Regardless of the ASL formulation composition (ie, pure to oligomer weight percent), the performance of the ASL material is believed to be at least substantially unchanged.

순수한 화합물과 올리고머 화합물(즉, 100중량% 순수한 화합물은 아님)의 혼합물을 이용하는 예에서, 분자는 약 5중량%의 양으로 ASL 제형에 존재한다. 100중량% 순수한 화합물을 이용하는 예에서, 분자는 약 10중량%의 양으로 ASL 제형 중에 존재한다. In the example using a mixture of pure compound and oligomeric compound (ie not 100% pure compound), the molecules are present in the ASL formulation in an amount of about 5% by weight. In an example using 100% pure compounds, the molecules are present in the ASL formulation in an amount of about 10% by weight.

하나의 비제한적 예에서, 본 발명자들은 순수/올리고머 혼합물에 대해 약 5중량% 순수한 물질에 대해 약 10중량%의 양으로 ASL 제형에 존재하는 분자는 일반적으로 일관된 작업 스탬프(16')가 제조되고 임프린팅에서 성공적인 가장 낮은 농도(패턴 정확도 및/또는 낮은/제어된 거칠기(이하에 추가로 논의)의 바람직한 수준)였다는 것을 발견하였다. 이 예에서, 결과는 5/10중량% 제형에 대해 허용 가능한 ASL 균일성이 달성되고, 이에 의해 더 부드러운 임프린팅 표면을 초래한다는 것을 나타낸다. 비교하면, 더 낮은 농도는 "고르지 못한" 코팅을 생성할 수 있고, 증가된 거칠기를 초래할 수 있다. 일부 예에서, 순수한/올리고머 혼합물에 대해 5중량% 초과의 중량 백분율 및 순수한 물질에 대해 10중량% 초과의 중량 백분율이 사용된다. 그러나, 앞서 언급한 바와 같이, 더 낮은 농도는 바람직하지 않은 결과를 생성할 수 있다.In one non-limiting example, the inventors have found that molecules present in the ASL formulation in an amount of about 10% by weight based on about 5% by weight pure material relative to the pure / oligomeric mixture are generally produced with a consistent working stamp 16 '. It was found that it was the lowest concentration that was successful in imprinting (preferred level of pattern accuracy and / or low / controlled roughness (discussed further below)). In this example, the results indicate that acceptable ASL uniformity is achieved for the 5/10% by weight formulation, thereby resulting in a smoother imprinting surface. In comparison, lower concentrations can result in "uneven" coatings and can result in increased roughness. In some examples, weight percentages greater than 5% by weight for pure / oligomeric mixtures and weight percentages greater than 10% by weight for pure materials are used. However, as mentioned above, lower concentrations may produce undesirable results.

적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 분자의 수 평균 및 중량 평균 분자량은 부분적으로, 존재하는 순수한 화합물 및/또는 올리고머의 백분율에 따라서 다를 수 있다. 예로서, 수 평균 분자량은 약 1280 내지 약 1600의 범위이고/이거나 중량 평균 분자량은 약 1800 내지 약 3700의 범위이다. 분자량 결정은 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 및/또는 NMR에 의해 이루어질 수 있다.The number average and weight average molecular weight of a molecule having a cyclosiloxane with at least one silane functional group may depend, in part, on the percentage of pure compounds and / or oligomers present. By way of example, the number average molecular weight is in the range of about 1280 to about 1600 and / or the weight average molecular weight is in the range of about 1800 to about 3700. Molecular weight determinations can be made by gel permeation chromatography (GPC) and / or NMR.

임의의 적합한 사이클로실록산이 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 사이클로실록산은 사이클로테트라실록산 및 사이클로헥사실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 다양한 고리 크기의 매우 다양한 사이클로실록산은, 예를 들어, 4 내지 24개의 반복 단위(-[H2SiO]n-)(가장 통상적인 것은 6 내지 8원 고리임)의 ASL 제형이 적합한 것으로 상정된다는 것이 추가로 이해되어야 한다. 고리 크기는 Si-O 모티프의 반복이며, 짝수이어야 한다. 고리 크기가 더 커짐에 따라, 상이한 크기를 갖는 고리의 혼합물이 지배적일 수 있지만, 이는 또한 ASL 제형의 적합한 예인 것으로 상정된다. It should be understood that any suitable cyclosiloxane can be used. By way of example, the cyclosiloxane is selected from the group consisting of cyclotetrasiloxane and cyclohexasiloxane. A wide variety of cyclosiloxanes of varying ring sizes, for example, assume that suitable ASL formulations of 4 to 24 repeating units (-[H 2 SiO] n- ), most commonly 6 to 8 membered rings, are suitable. Should be further understood. Ring size is a repeat of the Si-O motif and should be even. As the ring size grows larger, mixtures of rings with different sizes may predominate, but this is also assumed to be a suitable example of an ASL formulation.

예로서, 사이클로실록산 분자의 실란 작용기(들)는 알킬 알콕시실란이다. 추가적인 예에서, 사이클로실록산과 알콕시 또는 에톡시 실란기 사이의 스페이서는 다양한 화학기, 예컨대, 아미노기, 이중 또는 삼중 결합, 에스터기, 폴리에틸렌 글리콜 단위 등을 포함할 수 있었다. 또한 추가 예에서, 알킬 알콕시실란은 에틸 트라이에톡시실란이다.By way of example, the silane functional group (s) of the cyclosiloxane molecule is an alkyl alkoxysilane. In a further example, the spacer between the cyclosiloxane and the alkoxy or ethoxy silane group could include various chemical groups, such as amino groups, double or triple bonds, ester groups, polyethylene glycol units, and the like. In a further example, the alkyl alkoxysilane is ethyl triethoxysilane.

스페이서의 길이는 마스터(10)에 대한 결합에 대해 알콕시실란에 대한 친화도에 영향을 미치지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 가장 통상적인 스페이서 길이는 C2 내지 C12 쇄이다. 일부 예에서, 알콕시실란기는 트라이- 또는 모노-메톡시실란 또는 트라이- 또는 모노-에톡시실란이거나, 또는 다른 예에서, 트라이-, 다이- 또는 모노-클로로실란이 사용될 수 있다. 일부 예에서, 알콕시실란기는 다이알킬-알콕시실란이며, 여기서 알킬기는 C1-6알킬기, 예컨대, 메틸 또는 에틸기이다. 그러나, 말단기는 메틸 실란 또는 에틸 실란이 아닌데, 마스터(10) 표면과 반응할 수 있는 화학기를 함유할 필요가 있기 때문이다. It should be understood that the length of the spacer does not affect the affinity for the alkoxysilane to the bond to the master 10. The most common spacer lengths are C2 to C12 chains. In some instances, the alkoxysilane group is tri- or mono-methoxysilane or tri- or mono-ethoxysilane, or in other examples, tri-, di- or mono-chlorosilanes may be used. In some instances, the alkoxysilane group is a dialkyl-alkoxysilane, wherein the alkyl group is a C 1-6 alkyl group, such as a methyl or ethyl group. However, the terminal group is not methyl silane or ethyl silane because it needs to contain a chemical group that can react with the surface of the master 10.

추가 예에서, ASL 분자는 플루오린을 제외한다. 플루오린을 제외한 본 명세서에 개시된 ASL 분자는 플루오린화된 화합물(예를 들어, 실리콘계 물질(16)) 이외의 작업 스탬프 물질에 적합한 표면 에너지를 가지며, 이의 효율적인 젖음을 초래한다는 것이 발견되었다.In further examples, the ASL molecule excludes fluorine. It has been found that ASL molecules disclosed herein, except for fluorine, have surface energy suitable for working stamp materials other than fluorinated compounds (eg, silicon-based material 16) and result in their efficient wetting.

상기 방법의 예는 마스터 주형(10')의 점착방지층(14) 상에서 (작업 스탬프를 형성하기 위해) 실리콘계 물질(16)을 증착시키는 단계를 더 포함한다(도 2C). 본 명세서에서 사용하는 바와 같은 "실리콘계" 물질은 물질이 적어도 약 50㏖%의 규소 함유 분자(반복 단량체 단위)로 구성된다는 것을 의미한다. 예로서, 실리콘계 WS 물질(16)은 약 100㏖%의 규소 함유 분자(반복 단량체 단위)로 구성된다. 추가 예에서, WS 물질(16)은 규소-함유 중합체(즉, 약 50㏖% 미만의 규소 함유 분자를 갖는 중합체)일 수 있다. 다른 예에서, WS 물질은 실리콘 아크릴레이트를 포함한다. 다른 예에서, WS 물질은 또한 적어도 1종의 광개시제를 포함한다.An example of the method further includes depositing a silicon based material 16 (to form a work stamp) on the anti-stick layer 14 of the master mold 10 '(FIG. 2C). "Silicone-based" material as used herein means that the material consists of at least about 50 mol% silicon-containing molecules (repeating monomer units). As an example, the silicon-based WS material 16 consists of about 100 mol% silicon-containing molecules (repeating monomer units). In further examples, WS material 16 may be a silicon-containing polymer (ie, a polymer having less than about 50 mol% silicon containing molecules). In another example, the WS material includes silicone acrylates. In another example, the WS material also includes at least one photoinitiator.

임의의 적합한 증착 방법이 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 적합한 증착 기법의 예는 분무 코팅, 스핀코팅, 덩크 또는 딥 코팅, 퍼들 디스펜싱 등을 포함한다. 예로서, 실리콘계 물질(16)은 마스터 주형(10') 상에 스핀 코팅된다. It should be understood that any suitable deposition method may be used. Examples of suitable deposition techniques include spray coating, spin coating, dunk or dip coating, puddle dispensing, and the like. By way of example, the silicon based material 16 is spin coated onto the master mold 10 '.

상기 방법은 실리콘계 물질(16)을 경화시킴으로써, 실리콘 마스터(10) 상에서 점착방지층(14)과 접촉되는 복수의 나노특징(12)의 음성 복제물을 포함하는 작업 스탬프(16')를 형성하는 단계(도 2D)를 더 포함한다. 예로서, 작업 스탬프 물질(16)은 자외선(UV) 방사선을 통해 경화된다. 다른 예로서, WS 물질(16)은 열적으로 경화된다. 일부 예에서, 열적 경화는 약 60℃ 내지 약 300℃ 범위의 온도에서 수행될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "접촉"은 성분들 사이의 물리적 접촉을 포함할 수 있다.The method comprises curing a silicon-based material 16 to form a work stamp 16 ′ comprising a negative copy of a plurality of nanofeatures 12 in contact with the anti-stick layer 14 on the silicon master 10 ( 2D). By way of example, the work stamp material 16 is cured through ultraviolet (UV) radiation. As another example, the WS material 16 is thermally cured. In some examples, thermal curing can be performed at a temperature in the range of about 60 ° C to about 300 ° C. As used herein, the term "contact" can include physical contact between components.

상기 방법은 작업 스탬프(16')에 뒤판을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예로서, 접착제가 작업 스탬프 물질(16)과 접촉되도록 접착 물질(20)을 포함하는 중합체 필름은 (경화 전에) 작업 스탬프 물질(16)에 (예를 들어, 롤 코팅에 의해) 도포될 수 있다. 이어서, UV 방사선에 노출될 때, 작업 스탬프 물질(16)과 접착 물질(20)을 둘 다 경화시킴으로써, 작업 스탬프(16')를 뒤판(18)에 접착시킬 것이다. 뒤판(18)은 임의의 적합한 중합체 물질로부터 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 뒤판(18)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름이다. 뒤판(18)의 다른 예는 폴리(비닐 클로라이드)(PVC) 및 프로필렌 옥사이드(PO)를 포함한다. 일부 양상에서, 뒤판 물질은 가요성이다. 접착 물질은 임의의 적합한 UV 경화성 물질일 수 있다는 것이 추가로 이해되어야 한다.The method may further comprise attaching a backplate to the work stamp 16 '. By way of example, a polymer film comprising the adhesive material 20 may be applied (eg, by roll coating) to the work stamp material 16 such that the adhesive is in contact with the work stamp material 16. . Then, when exposed to UV radiation, the work stamp 16 'will be bonded to the backplate 18 by curing both the work stamp material 16 and the adhesive material 20. It should be understood that the backplate 18 may be formed from any suitable polymeric material. By way of example, the backplate 18 is a polyethylene terephthalate (PET) film. Other examples of backplate 18 include poly (vinyl chloride) (PVC) and propylene oxide (PO). In some aspects, the backplate material is flexible. It should further be appreciated that the adhesive material may be any suitable UV curable material.

상기 방법은 작업 스탬프(16')를 마스터 주형(10')으로부터 방출시키는 것을 더 포함한다. 방출시키는 것은 임의의 적합한 수단에 의할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 방출시키는 것은 마스터 주형(10')으로부터 경화된 작업 스탬프(16')를 언롤링(unrolling)/필링하는 것에 의한다.The method further includes releasing the work stamp 16 'from the master mold 10'. It should be understood that the release may be by any suitable means. By way of example, ejecting is by unrolling / filling the hardened work stamp 16 'from the master mold 10'.

작업 스탬프(WS) 물질(16)이 다음의 사항을 충족시키는 임의의 물질일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. WS 물질(16)은 안정하여야 하며, 마스터 주형(10') 상에 코팅/형성될 수 있다. 안정하게, 일단 제작된다면, WS(16')은 그의 최종 사용(라이프 사이클)까지 변화되지 않고(분해 없음) 남아있어야 한다는 것을 의미한다. WS(16')는 제작 후 적어도 1개월 및 반복된 UV 노출(예를 들어, 임프린팅 공정) 동안 실온 저장을 지지하여야 한다. UV 노출의 반복은 가교 밀도를 증가시킴으로써 WS(16')의 인성/유연도를 변화시켜서는 안 된다. 얻어진 WS(16')는 연성/가요성이어야 하지만, 또한 적합한 기계적 특성을 나타내어야 한다. 예를 들어, WS(16')는 임프린팅 공정 동안 수지 상의 롤링(원통을 둘러싸는 완전한 롤링은 아님) 및 수지 경화 후 박리를 지지할 만큼 충분히 연성이어야 하지만; 그것이 임프린트 사이의 양호한 치수 및 패턴 정확도를 유지할 수 있도록 신장 가능하지 않아야 한다. 예를 들어, WS(16')는 변형에 대해 저항성이 있고, 균열/파열에 대해 저항성이 있어야 한다. 예로서, WS(16')는 일관된 특징적 치수를 생산하는데 전혀 변형을 나타내어서는 안 된다. 추가로, WS 면(22)은 (예를 들어, 임프린팅될 수지에 대해) 점착방지면 특성의 바람직한 수준을 가져야 하며; WS(16')는 화학적으로 안정하여야 하고(안정성에 대해 상기 기재한 바와 같음); 그리고 WS(16')는 큰 정도의 팽창에 대해 저항성이어야 한다. 표면 특성에 관해, 경화된 WS(16')는 임프린팅면으로부터 WS(16')의 성공적 제거를 제공하기 위한 적절한 표면 장력을 가져야 한다. 팽창에 대한 저항성은 작업 스탬프 물질(16)뿐만 아니라 수지 제형에 대해 사용되는 용매에 특이적이다. WS(16')는 WS 제작 단계 또는 임프린팅 단계 중 하나에서 팽창되어서는 안 된다. 팽창은 특징 크기 또는 치수 변화를 초래할 수 있다.It should be understood that the work stamp (WS) material 16 may be any material that meets the following. WS material 16 must be stable and can be coated / formed on master mold 10 '. Stable, this means that once fabricated, the WS 16 'must remain unchanged (no decomposition) until its final use (life cycle). WS 16 ′ should support room temperature storage for at least one month after fabrication and during repeated UV exposure (eg, an imprinting process). Repeating UV exposure should not change the toughness / flexibility of WS 16 'by increasing the crosslink density. The resulting WS 16 'must be ductile / flexible, but must also exhibit suitable mechanical properties. For example, the WS 16 'must be soft enough to support rolling on the resin (not full rolling around the cylinder) and delamination after resin curing during the imprinting process; It should not be extensible so that it can maintain good dimensional and pattern accuracy between imprints. For example, WS 16 'must be resistant to deformation and to cracks / ruptures. As an example, the WS 16 'should not show any deformation in producing consistent characteristic dimensions. In addition, the WS face 22 should have a desirable level of antistick surface properties (eg, for the resin to be imprinted); WS 16 'must be chemically stable (as described above for stability); And the WS 16 'must be resistant to a large degree of expansion. With regard to surface properties, the cured WS 16 'should have a suitable surface tension to provide for successful removal of the WS 16' from the imprinting surface. Resistance to expansion is specific to the working stamp material 16 as well as the solvent used for the resin formulation. WS 16 ′ should not be expanded in either the WS manufacturing stage or the imprinting stage. Expansion may result in feature size or dimensional changes.

예로서, 실리콘계 작업 스탬프(16')는 중합된 실리콘 아크릴레이트 단량체(즉, 단일 단량체(이는 동종 중합체임)로 이루어진 100㏖%의 규소 함유 분자)로부터 제조된다. 이는 최종 중합체의 이질성을 방지할 수 있다(예를 들어, 공중합체는 상분리, 중합체쇄의 구배를 초래할 수 있다).As an example, the silicone based work stamp 16 ′ is made from polymerized silicone acrylate monomers (ie, 100 mol% silicon containing molecules consisting of a single monomer, which is a homopolymer). This can prevent heterogeneity of the final polymer (eg, the copolymer can lead to phase separation, gradient of polymer chains).

추가 예에서, 방출된 작업 스탬프(16')는 ASL 분자가 적어도 실질적으로 없다(즉, 없거나 또는 실질적으로 없음). 임의의 이론에 의해 구속되는 일 없이, 임의의 과량의 비반응 ASL 분자가 제1 WS(16')의 제작 전에 세척되어야 하기 때문에 WS(16') 제작 공정 동안에 ASL 분자의 전달은 일어나서는 안되는 것으로 여겨진다(즉, ASL 분자가 없음). 임의의 분자가 전달된다면, 많아야 백만분율(ppm) 수준이며, 따라서 WS(16')는 ASL 분자가 실질적으로 없는 것으로 여겨진다.In a further example, the released work stamp 16 ′ is at least substantially free (ie, absent or substantially free) of ASL molecules. Without being bound by any theory, delivery of ASL molecules should not occur during the WS 16 'fabrication process because any excess unreacted ASL molecules must be washed prior to fabrication of the first WS 16'. (Ie no ASL molecule). If any molecule is delivered, it is at most parts per million (ppm), so WS (16 ') is believed to be substantially free of ASL molecules.

본 발명자들은 ASL 및 WS 물질의 선택은 효과적인 WS 제작에 중요하다는 것을 발견하였다. ASL-코팅된 마스터(마스터 주형(10'))와 작업 스탬프 물질(16) 사이에 적합한 표면 에너지 매치가 존재하여야 한다. 이어서, 이는 적합한 표면 젖음성과 효과적인 스탬프 탈착을 둘 다 제공하여야 한다. 또한 임프린트를 통한 스탬프 강건성(robustness)/온전성은 상기 제시한 세부사항을 충족시키는 WS 물질의 선택에 의해 얻어져야 한다.We have found that the choice of ASL and WS materials is important for effective WS fabrication. There must be a suitable surface energy match between the ASL-coated master (master template 10 ') and the work stamp material 16. This, in turn, should provide both suitable surface wetting and effective stamp detachment. In addition, stamp robustness / integrity through imprint should be obtained by the selection of a WS material that meets the details set out above.

본 명세서에 개시된 ASL 물질(14)은 나노-임프린트 리소그래피(NIL) 공정을 이용하여 마스터 주형(10')으로부터의 체계적인 효율적 젖음, 평탄 WS(16') 탈착, 및 고품질 임프린트(바람직한 수준의 패턴 정확도 및 낮은 표면 거칠기)에 의한 자동화된 공정에서의 실리콘계 WS 물질의 사용을 허용한다. 적합한 젖음 및 스탬프 방출은 바람직한 임프린트 품질을 항상 야기하지는 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이렇게 해서, (WS(16') 제작을 통해 성공적이라면) 본 명세서에 개시된 ASL 물질의 예가 시험되며, 임프린트 시험 계획에 의해 입증된다.The ASL materials 14 disclosed herein utilize a nano-imprint lithography (NIL) process to systematically efficient wetting from the master mold 10 ', flat WS 16' detachment, and high quality imprint (preferably at a pattern accuracy). And low surface roughness) allows the use of silicon-based WS materials in automated processes. It should be understood that proper wetting and stamp release do not always result in the desired imprint quality. In this way, an example of ASL material disclosed herein (if successful through the fabrication of WS 16 ') is tested and verified by the imprint test plan.

본 개시내용의 예에 따르면, 중합체 화합물과 소분자는 둘 다 ASL 물질(14)에 대해 고려될 수 있다.According to examples of the present disclosure, both polymeric compounds and small molecules can be considered for ASL material 14.

ASL 물질(14)은 다음의 세부사항을 충족시키는 임의의 물질일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. ASL 물질(14)은 열적으로 (소성을 견뎌내기 위한) 안정한 화합물이어야 한다. ASL 물질(14)은 또한 (예를 들어, 반복된 WS(16') 제작 공정을 견뎌내기 위한) UV 안정한 화합물이어야 한다. 실리콘 마스터 상에 코팅된 ASL 물질(14)은 실온에서(예를 들어, 기구 내의 온도) 코팅된 후 적어도 약 1개월을 견뎌야 하며, 반복된 UV 노출(즉, WS(16') 제작 공정)을 지지하여야 한다. ASL 물질은 (물을 이용하여) 약 80° 초과의 정접촉각을 나타내어야 한다. 예로서, 접촉각은 (물을 이용하여) 약 80°내지 약 110°의 범위이다. 추가로, 예로서, ASL-코팅된 마스터 주형(10')과 작업 스탬프 물질(16) 사이에 표면 에너지 매치가 존재한다. 본 명세서에서 사용되는 표면 에너지는 (물을 이용하여) ASL 물질(14)의 정접촉각이 WS 물질(16)의 정접촉각의 약 +/- 10도 내일 때, 매칭되는 것으로 고려될 수 있다. 적합한 표면 에너지 매치가 달성될 수 있다, 예를 들어, ASL-코팅된 마스터 주형(10')이 (물을 이용하여) 약 90°의 평균 접촉각을 가질 때, 작업 스탬프 물질(16)은 (물을 이용하여) 약 95° 내지 약 100° 범위의 평균 접촉각을 가진다. 본 명세서에 개시된 접촉각은 지속적 표면으로부터 수집된 측정/값이며, 패턴화된 면적으로부터는 아니다.It should be understood that the ASL material 14 can be any material that meets the following details. The ASL material 14 must be a thermally stable compound (to withstand firing). The ASL material 14 should also be a UV stable compound (eg, to withstand repeated WS 16 ′ fabrication processes). The ASL material 14 coated on the silicon master must withstand at least about 1 month after being coated at room temperature (eg, temperature in the instrument) and undergoes repeated UV exposure (ie, WS 16 'fabrication process). Must support ASL materials should exhibit a positive contact angle of greater than about 80 ° (with water). By way of example, the contact angle ranges from about 80 ° to about 110 ° (with water). Further, as an example, there is a surface energy match between the ASL-coated master mold 10 ′ and the work stamp material 16. The surface energy used herein may be considered to be matched when the positive contact angle of the ASL material 14 (using water) is within about +/− 10 degrees of the positive contact angle of the WS material 16. Suitable surface energy match can be achieved, for example, when the ASL-coated master mold 10 'has an average contact angle of about 90 ° (with water), the work stamp material 16 is (water Have an average contact angle in the range of about 95 ° to about 100 °. Contact angles disclosed herein are measurements / values collected from a persistent surface, not from patterned areas.

이제 도 3A 내지 도 3E에 관해, 작업 스탬프(16')의 예를 이용하는 방법의 예가 도시된다. Referring now to FIGS. 3A-3E, an example of a method of using an example of a work stamp 16 ′ is shown.

기재/지지체(24)는 도 3A에 나타내는 바와 같이 제공된다. 예로서, 기재(24)은 유리이다. 그러나, 임의의 적합한 기재가 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.The substrate / support 24 is provided as shown in FIG. 3A. By way of example, the substrate 24 is glass. However, it should be understood that any suitable substrate may be used.

예를 들어, 일부 적합한 기재(24)의 예는 실리카계 기재, 예컨대, 유리, 용융 실리카 및 다른 실리카-함유 물질을 포함한다. 일부 예에서, 실리콘계 기재는 또한 실리콘, 개질 실리콘, 이산화실리콘, 질화실리콘 및 수화실리콘으로부터 선택될 수 있다. 다른 예에서, 기재(24) 물질은 플라스틱/중합체 물질, 예를 들어, 아크릴산, 폴리에틸렌, 폴리스타이렌 및 스타이렌과 다른 물질의 공중합체, 폴리(비닐 클로라이드), 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 나일론, 폴리에스터, 폴리카보네이트 및 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리우레탄, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)(예컨대, 케모스(Chemours)로부터의 테플론(TEFLON)(등록상표)), 환식 올레핀/사이클로-올레핀 중합체(COP) 또는 공중합체(COC)(예컨대, 제온(Zeon)으로부터의 제오노르(ZEONOR)(등록상표)), 폴리이미드 등)으로부터 선택될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예로서, 중합체 기재 물질은 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리스타이렌 및 환식 올레핀 중합체 기재로부터 선택된다. 추가 예에서, 기재(24)는 유리, 개질 유리 또는 작용기화된 유리인 적어도 하나의 표면을 가진다. 또한 다른 적합한 기재 물질은 세라믹, 탄소, 무기 유리 및 광섬유를 포함한다. 몇몇 예가 제공되었지만, 임의의 다른 적합한 기재/지지체가 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.For example, some suitable substrates 24 include silica-based substrates such as glass, fused silica, and other silica-containing materials. In some examples, the silicon based substrate may also be selected from silicon, modified silicon, silicon dioxide, silicon nitride and silicon hydride. In another example, the substrate 24 material may be a plastic / polymer material such as acrylic acid, polyethylene, polystyrene, and copolymers of styrene and other materials, poly (vinyl chloride), polypropylene, polybutylene, nylon, poly Esters, polycarbonates and poly (methyl methacrylates), polyurethanes, polytetrafluoroethylene (PTFE) (e.g. TEFLON® from Chemours), cyclic olefins / cyclo-olefins It should be understood that it may be selected from polymers (COPs) or copolymers (COCs) (eg, ZEONOR® from Zeon, polyimide, etc.). By way of example, the polymer base material is selected from poly (methyl methacrylate), polystyrene and cyclic olefin polymer bases. In a further example, the substrate 24 has at least one surface that is glass, modified glass or functionalized glass. Other suitable substrate materials also include ceramics, carbon, inorganic glass, and optical fibers. While some examples have been provided, it should be understood that any other suitable substrate / support may be used.

일부 다른 예에서, 기재는 금속일 수 있다. 예로서, 금속은 금이다. 일부 예에서, 기재(24)는 산화금속인 적어도 하나의 표면을 가진다. 일례에서, 표면은 산화탄탈럼 또는 산화티타늄이다. 아크릴아마이드, 엔온(α,β-불포화 카보닐), 또는 아크릴레이트가 또한 기재 물질로서 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 다른 기재 물질은 갈륨 비소(GaAs), 인듐 주석 산화물(ITO), 인화인듐, 알루미늄, 세라믹스, 폴리이미드, 석영, 수지, 아릴 아자이드, 중합체 및 공중합체를 포함할 수 있다. In some other examples, the substrate can be a metal. By way of example, the metal is gold. In some examples, substrate 24 has at least one surface that is a metal oxide. In one example, the surface is tantalum oxide or titanium oxide. It should be understood that acrylamide, enon (α, β-unsaturated carbonyl), or acrylates may also be used as the base material. Other substrate materials may include gallium arsenide (GaAs), indium tin oxide (ITO), indium phosphide, aluminum, ceramics, polyimide, quartz, resins, aryl azides, polymers and copolymers.

일부 예에서, 기재(24) 및/또는 기재면(S)은 석영일 수 있다. 일부 다른 예에서, 기재(24) 및/또는 기재면(S)은 반도체, 예를 들어, 갈륨 비소(GaAs) 또는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있다.In some examples, substrate 24 and / or substrate surface S may be quartz. In some other examples, substrate 24 and / or substrate surface S may be a semiconductor, such as gallium arsenide (GaAs) or indium tin oxide (ITO).

예시적 기재는 단일 물질 또는 복수의 상이한 물질을 포함할 수 있다. 추가 예에서, 기재는 복합체 또는 라미네이트일 수 있다. 또한 추가 예에서, 기재는 편평하고 둥글 수 있다.Exemplary substrates may include a single material or a plurality of different materials. In further examples, the substrate may be a composite or laminate. Also in further examples, the substrate may be flat and round.

WS(16')를 이용하는 예시적 방법은 도 3B에 나타낸 바와 같이 기재/지지체(24)의 표면(S) 상에서 접착/프라임층(26)을 증착시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 접착/프라임층(26)에 대한 적합한 화합물은 2개의 작용기를 가져야 한다: 기재면(S)과 반응하는 하나 및 임프린트 리소그래피 수지(28)와 반응하는 하나. 표면(S)과 반응하는 기는, 예를 들어, 알콕시실란기, 예컨대, 트라이 또는 모노 메톡시실란 또는 트라이 또는 모노 에톡시실란; 또는 트라이, 다이 또는 모노클로로실란; 또는 다이알킬-알콕시실란기일 수 있다. 수지(28)와 반응하는 기는, 예를 들어, 에폭시기, 아미노기, 하이드록실기 또는 카복실산기일 수 있다. 2개의 반응기를 연결하는 분자의 골격은 임의의 특성을 가질 수 있다.An exemplary method of using the WS 16 ′ may further include depositing an adhesion / prime layer 26 on the surface S of the substrate / support 24 as shown in FIG. 3B. Suitable compounds for the adhesion / prime layer 26 should have two functional groups: one which reacts with the substrate surface S and one which reacts with the imprint lithography resin 28. Groups reacting with the surface (S) are, for example, alkoxysilane groups such as tri or mono methoxysilane or tri or mono ethoxysilane; Or tri, di or monochlorosilane; Or a dialkyl-alkoxysilane group. The group reacting with the resin 28 may be, for example, an epoxy group, an amino group, a hydroxyl group or a carboxylic acid group. The skeleton of the molecule connecting the two reactors can have any properties.

WS(16')을 이용하는 예시적 방법은 임프린트 리소그래피 수지(예를 들어, 광경화성(UV 경화를 이용할 때) 나노-임프린트 리소그래피(NIL) 중합체 수지)(28)를 지지체(24) 상에 증착시키는 단계(도 3C)를 포함한다. 과량의 용매를 제거하기 위해 수지(28)의 연질 소성 후에, 수지층(28)이 WS(16')의 톱니에 의해 움축 들어가게 하거나 또는 천공되도록 WS(16')는 수지(28) 상의 임프린트를 생성하기 위해 수지(28)층에 대해 압착된다(도 3D). 상기 방법은 여전히 (예를 들어, 수지(28)를 자외선(UV) 방사선에 노출시킴으로써) 수지(28)를 경화시키는 단계를 더 포함한다. 다른 예로서, 열적 경화가 사용될 수 있다. 열적으로 유도된 경화 공정을 위해, 온도는 550℃만큼 높을 수 있고, (WS(16')로부터) 수지(28)에 적용된 힘은 360kN만큼 높을 수 있다. 본 명세서에 개시된 연질 물질에 대해, 더 낮은 온도 및 압력이 사용될 수 있다.An exemplary method using WS 16 ′ is to deposit an imprint lithography resin (eg, photocurable (when using UV curing) nano-imprint lithography (NIL) polymer resin) 28 on support 24. Step (FIG. 3C). After soft firing of resin 28 to remove excess solvent, WS 16 ′ imprints on resin 28 such that resin layer 28 is squeezed or perforated by teeth of WS 16 ′. It is pressed against the resin 28 layer to produce (FIG. 3D). The method still further includes curing the resin 28 (eg, by exposing the resin 28 to ultraviolet (UV) radiation). As another example, thermal curing may be used. For the thermally induced curing process, the temperature can be as high as 550 ° C. and the force applied to the resin 28 (from WS 16 ′) can be as high as 360 kN. For the soft materials disclosed herein, lower temperatures and pressures can be used.

경화 후에, 작업 스탬프(16')는 방출됨으로써, 복수의 마스터(10) 나노특징(12)의 복제를 갖고(도 3E), 웰/오목부(31)를 획정하는 패턴화된 서열분석면(30)(화학적 작용기(32)를 포함하거나, 또는 후속 단계에서 화학적 작용기(32)가 첨가되는 표면, 도 4 참조)을 형성한다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "서열분석면"은 유전자 서열분석면 화학(예를 들어, 중간 구조(34) 및 증식 프라이머(36))을 지지할 수 있는 표면을 지칭한다.After curing, the work stamp 16 ′ is released, thereby having a replica of the plurality of master 10 nanofeatures 12 (FIG. 3E), and patterning sequencing surfaces defining the wells / concaves 31. 30) (the surface comprising chemical functional groups 32, or in which subsequent chemical functional groups 32 are added, see FIG. 4). The term "sequencing surface" as used herein refers to a surface capable of supporting gene sequencing surface chemistry (eg, intermediate structure 34 and proliferation primer 36).

패턴화된 서열분석면(30)을 갖는 기재(24)는 UV 경화를 완료하기 위해 열 경화/경질 소성 처리되며, 임프린트 토포그래피에서 잠금 처리될 수 있다. 일부 예에서, 열 경화/경질 소성은 약 60℃ 내지 약 300℃ 범위의 온도에서 수행될 수 있다.Substrate 24 with patterned sequencing surface 30 may be heat cured / hard calcined to complete UV curing and locked in imprint topography. In some examples, thermal curing / hard firing may be performed at a temperature in the range of about 60 ° C to about 300 ° C.

일부 예에서, 화학적 작용기(32)의 작용기(X, Y)(도 4)는 유동셀의 웰 표면 내에 있고/있거나 유동셀 통로 루멘과 접촉되는 사이 영역 내에 있다. 작용기(X, Y)는 필요하다면, DNA 서열분석 절차를 위해 단일 가닥 DNA(ssDNA)를 포획하기 위한 추가적인 작용기화에 이용 가능할 수 있다. 이 작용기화 공정은 유동셀 웰 표면(30)에 대한 중합체 지지체(예를 들어, PAZAM, 이하에서 추가로 논의함)의 선택적 포획을 포함할 수도 있고 또는 포함하지 않을 수도 있다. 작용기(X, Y)는 또한 또는 대안적으로 추가 변형을 위한 고정점으로서 작용할 수 있다.In some examples, functional groups X, Y of chemical functional group 32 (FIG. 4) are in the well surface of the flow cell and / or in the region in contact with the flow cell passage lumen. Functional groups (X, Y) may be available for further functionalization to capture single stranded DNA (ssDNA) for DNA sequencing procedures, if desired. This functionalization process may or may not include the selective capture of a polymer support (eg, PAZAM, discussed further below) on the flow cell well surface 30. The functional groups (X, Y) may also or alternatively serve as anchor points for further modification.

예로서, 서열분석면(30)은 ASL 분자가 적어도 실질적으로 없고(즉, 없거나 또는 실질적으로 없음)(예를 들어, 작업 스탬프(16')에 대해 상기 언급한 바와 같음), ASL 분자 중 어떤 것도 서열분석면(30) 상에 없거나(ASL 분자가 없음), 또는 임의의 분자가 전달된다면, 많아야 백만분율(ppm) 수준인 것으로 여겨진다. 게다가, 유전자 서열분석면 화학물질이 있는 서열분석면(30)은 또한 ASL 분자가 적어도 실질적으로 없다.By way of example, sequencing surface 30 may be at least substantially free (ie, absent or substantially free) of an ASL molecule (eg, as mentioned above with respect to work stamp 16 ′), If none is on sequencing surface 30 (no ASL molecules), or if any molecule is delivered, it is believed to be at most parts per million (ppm) level. In addition, sequencing surface 30 with gene sequencing surface chemistry is also at least substantially free of ASL molecules.

서열분석면(30)을 이용하는 방법의 예에서, 중간 구조(34)는 웰(31)에 증착된다. 웰(31)은 마이크로 웰(마이크론 규모로 적어도 하나의 치수를 가짐, 예를 들어, 약 1㎛ 내지 약 1000㎛) 또는 나노웰(나노 규모로 적어도 하나의 치수를 가짐, 예를 들어, 약 1㎚ 내지 약 1000㎚)일 수 있다. 각각의 웰(31)은 그의 용적, 웰 개구부 면적, 깊이 및/또는 직경을 특징으로 할 수 있다.In an example of a method using sequencing surface 30, intermediate structure 34 is deposited in well 31. Well 31 may have a microwell (at least one dimension on a micron scale, eg, about 1 μm to about 1000 μm) or a nanowell (at least one dimension on a nanoscale, eg, about 1 Nm to about 1000 nm). Each well 31 may be characterized by its volume, well opening area, depth and / or diameter.

각각의 웰(31)은 액체를 가둘 수 있는 임의의 용적을 가질 수 있다. 최소 또는 최대 용적은, 예를 들어, 서열분석면(30)의 하류 용도를 위해 예상되는 처리율(예를 들어, 다중성), 분해능, 분석 조성물 또는 분석물 반응성을 수용하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 용적은 적어도 약 1×10-33, 약 1×10-23, 약 0.1㎛3, 약 1㎛3, 약 10㎛3, 약 100㎛3 이상일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 용적은 최대 약 1×1043, 약 1×1033, 약 100㎛3, 약 10㎛3, 약 1㎛3, 약 0.1㎛3 이하일 수 있다. 중간 구조(34)는 웰(31) 용적의 모두 또는 부분을 채울 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 개개 웰(31)에서 중간 구조(34)의 용적은 상기 구체화된 값 초과이거나, 미만이거나 또는 그 사이일 수 있다.Each well 31 may have any volume capable of confining the liquid. The minimum or maximum volume can be selected to accommodate the expected throughput (eg, multiplicity), resolution, assay composition or analyte reactivity, for example, for downstream use of sequencing surface 30. For example, the volume may be at least about 1 × 10 −3 μm 3 , about 1 × 10 −2 μm 3 , about 0.1 μm 3 , about 1 μm 3 , about 10 μm 3 , about 100 μm 3 or more. Alternatively or additionally, the volume may be up to about 1 × 10 4 μm 3 , about 1 × 10 3 μm 3 , about 100 μm 3 , about 10 μm 3 , about 1 μm 3 , about 0.1 μm 3 or less. It should be understood that the intermediate structure 34 may fill all or part of the volume of the well 31. The volume of the intermediate structure 34 in the individual wells 31 may be above, below or between the specified values.

표면 상에서 각각의 웰 개구부에 의해 점유되는 면적은 각각의 용적에 대해 상기 제시한 것과 유사한 기준에 기반하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 표면 상에서 각각의 웰 개구부에 대한 면적은 적어도 약 1×10-32, 약 1×10-22, 약 0.1㎛2, 약 1㎛2, 약 10㎛2, 약 100㎛2 이상일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 면적은 최대 약 1×1032, 약 100㎛2, 약 10㎛2, 약 1㎛2, 약 0.1㎛2, 약 1×10-22 이하일 수 있다. The area occupied by each well opening on the surface can be selected based on criteria similar to those set forth above for each volume. For example, the area for each well opening on the surface may be at least about 1 × 10 −3 μm 2 , about 1 × 10 −2 μm 2 , about 0.1 μm 2 , about 1 μm 2 , about 10 μm 2 , about 100 May be at least 2 μm. Alternatively or additionally, the area may be up to about 1 × 10 3 μm 2 , about 100 μm 2 , about 10 μm 2 , about 1 μm 2 , about 0.1 μm 2 , about 1 × 10 −2 μm 2 or less.

각각의 웰(16')의 깊이는 적어도 약 0.1㎛, 약 1㎛, 약 10㎛, 약 100㎛ 이상일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 깊이는 최대 약 1×103㎛, 약 100㎛, 약 10㎛, 약 1㎛, 약 0.1㎛ 이하일 수 있다.The depth of each well 16 ′ may be at least about 0.1 μm, about 1 μm, about 10 μm, about 100 μm or more. Alternatively or additionally, the depth may be up to about 1 × 10 3 μm, about 100 μm, about 10 μm, about 1 μm, about 0.1 μm or less.

일부 예에서, 각각의 웰(16')의 직경은 적어도 약 50㎚, 약 0.1㎛, 약 0.5㎛, 약 1㎛, 약 10㎛, 약 100㎛ 이상일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 직경은 최대 약 1×103㎛, 약 100㎛, 약 10㎛, 약 1㎛, 약 0.5㎛, 약 0.1㎛, 약 50㎚ 이하일 수 있다.In some examples, the diameter of each well 16 ′ may be at least about 50 nm, about 0.1 μm, about 0.5 μm, about 1 μm, about 10 μm, about 100 μm or more. Alternatively or additionally, the diameter may be up to about 1 × 10 3 μm, about 100 μm, about 10 μm, about 1 μm, about 0.5 μm, about 0.1 μm, about 50 nm or less.

서열분석면(30)에서, 중간 구조(34)는 각각의 별개의 웰(31)에 위치된다. 각각의 웰(31)에서 중간 구조(34)의 포지셔닝은 중간 구조(34)를 갖는 패턴화된 표면(30)을 처음 코팅시키고, 이어서, 웰(31) 사이의 표면(30) 상에서 적어도 사이 영역(33)으로부터, 예를 들어, 화학적 또는 기계적 연마를 통해 중간 구조(34)를 제거함으로써 달성될 수 있다. 이들 공정은 웰(31)에서 중간 구조(34)의 적어도 일부를 보유하지만, 웰(31) 사이의 표면(30) 상에서 사이 영역(33)으로부터 중간 구조(34)의 적어도 실질적으로 모두를 제거하거나 또는 비활성화시킨다. 이렇게 해서, 이들 공정은 매우 다수의 주기로 서열분석 실행에 걸쳐 안정할 수 있는 서열분석을 위해 사용되는 겔 패드(34)를 생성한다(도 4).In the sequencing plane 30, the intermediate structure 34 is located in each separate well 31. The positioning of the intermediate structure 34 in each well 31 first coats the patterned surface 30 with the intermediate structure 34, and then at least the interstitial region on the surface 30 between the wells 31. From (33), for example, by removing the intermediate structure 34 through chemical or mechanical polishing. These processes retain at least a portion of the intermediate structure 34 in the well 31, but remove at least substantially all of the intermediate structure 34 from the interstitial region 33 on the surface 30 between the wells 31. Or disable it. In this way, these processes produce gel pads 34 that are used for sequencing that can be stable over sequencing runs in a very large number of cycles (FIG. 4).

특히 유용한 중간 구조(34)는 그것이 존재하는 부위의 형상을 확인할 것이다. 일부 유용한 중간 구조(34)는 (a) 그것이 존재하는 부위의 형상(예를 들어, 웰(31) 또는 다른 오목부 특징)에 상응하고 (b) 그것이 존재하는 부위의 용적을 적어도 실질적으로 초과하지 않는 용적을 가질 수 있다.A particularly useful intermediate structure 34 will identify the shape of the site in which it is present. Some useful intermediate structures 34 correspond to (a) the shape of the site where it is present (eg, well 31 or other recess features) and (b) at least substantially exceed the volume of the site where it is present. May have a volume.

예에서, 중간 구조는 중합체/겔 코팅이다. 중간 구조(34)에 대한 적합한 겔 물질의 일례는 하기 화학식 (I)의 반복 단위를 갖는 중합체를 포함한다:In an example, the intermediate structure is a polymer / gel coating. Examples of suitable gel materials for the intermediate structure 34 include polymers having repeat units of formula (I):

Figure pct00005
Figure pct00005

식 중:During the formula:

R1은 H 또는 선택적으로 치환된 알킬이고;R 1 is H or optionally substituted alkyl;

RA는 아지도, 선택적으로 치환된 아미노, 선택적으로 치환된 알켄일, 선택적으로 치환된 하이드라존, 선택적으로 치환된 하이드라진, 카복실, 하이드록시, 선택적으로 치환된 테트라졸, 선택적으로 치환된 테트라진, 나이트릴옥사이드, 나이트론 및 티올로 이루어진 군으로부터 선택되며;R A is azido, optionally substituted amino, optionally substituted alkenyl, optionally substituted hydrazone, optionally substituted hydrazine, carboxyl, hydroxy, optionally substituted tetrazole, optionally substituted tetra Selected from the group consisting of gin, nitrile oxide, nitrone and thiol;

R5는 H 및 선택적으로 치환된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 5 is selected from the group consisting of H and optionally substituted alkyl;

각각의 -(CH2)p-는 선택적으로 치환될 수 있으며;Each — (CH 2 ) p — may be optionally substituted;

p는 1 내지 50 범위의 정수이고;p is an integer ranging from 1 to 50;

n은 1 내지 50,000 범위의 정수이며; 그리고n is an integer ranging from 1 to 50,000; And

m은 1 내지 100,000 범위의 정수이다.m is an integer ranging from 1 to 100,000.

화학식 (I)에 적합한 중합체는, 예를 들어, 미국 특허 공개 제2014/0079923 A1호 또는 제2015/0005447 A1호에 기재되어 있다(이들 각각은 본 명세서에 전문이 참고로 편입됨). 화학식 (I)의 구조에서, 당업자는 "n" 및 "m" 서브유닛이 중합체 전체적으로 무작위 순서로 존재하는 반복 서브유닛이라는 것을 이해할 것이다.Suitable polymers for formula (I) are described, for example, in US Patent Publication No. 2014/0079923 A1 or 2015/0005447 A1, each of which is incorporated herein by reference in its entirety. In the structure of formula (I), those skilled in the art will understand that the "n" and "m" subunits are repeating subunits present in random order throughout the polymer.

중합체 코팅의 특정 예, 예컨대, 화학식 (I)은 폴리(N-(5-아지도아세트아미딜펜틸)아크릴아마이드-코-아크릴아마이드(PAZAM)이며, 예를 들어, 이하에 나타내는 구조를 포함하는 미국 특허 공개 제2014/0079923 A1호 또는 제2015/0005447 A1호에 기재되어 있다:Specific examples of polymer coatings, such as formula (I), are poly (N- (5-azidoacetamylpentyl) acrylamide-co-acrylamides (PAZAM), and include, for example, the structures shown below. US Patent Publication No. 2014/0079923 A1 or 2015/0005447 A1:

Figure pct00006
Figure pct00006

n은 1 내지 20,000 범위의 정수이고, m은 1 내지 100,000 범위의 정수이다. 화학식 (I)에 따르면, 당업자는 "n" 및 "m" 서브유닛이 중합체 구조 전체적으로 무작위 순서로 존재하는 반복 단위라는 것을 인식할 것이다.n is an integer ranging from 1 to 20,000 and m is an integer ranging from 1 to 100,000. According to formula (I), one skilled in the art will recognize that the "n" and "m" subunits are repeat units that exist in random order throughout the polymer structure.

화학식 (I) 중합체 또는 PAZAM 중합체의 분자량은 약 10kDa 내지 1500kD 범위일 수 있거나, 또는 구체적 예에서, 약 312kDa일 수 있다.The molecular weight of the polymer of formula (I) or PAZAM polymer may range from about 10 kDa to 1500 kD, or in specific examples, may be about 312 kDa.

일부 예에서, 화학식 (I) 또는 PAZAM 중합체는 선형 중합체이다. 일부 다른 예에서, 화학식 (I) 또는 PAZAM 중합체는 가볍게 가교된 중합체이다. 다른 예에서, 화학식 (I) 또는 PAZAM 중합체는 분지(branching)를 포함한다.In some instances, Formula (I) or PAZAM polymer is a linear polymer. In some other examples, Formula (I) or PAZAM polymer is a lightly crosslinked polymer. In another example, Formula (I) or PAZAM polymers include branching.

중간 구조(34)에 대한 적합한 겔 물질의 다른 예는 콜로이드 구조를 갖는 것, 예컨대, 아가로스; 또는 중합체 메쉬 구조, 예컨대, 젤라틴; 또는 가교된 중합체 구조, 예컨대, 폴리아크릴아마이드 중합체 및 공중합체, 무실란 아크릴아마이드(SFA, 예를 들어, 본 명세서에 참고로 편입된 미국 특허 공개 제2011/0059865호 참조), 또는 SFA의 아지도화된 형태를 포함한다. 적합한 폴리아크릴아마이드 중합체의 예는, 예를 들어, WO 2000/031148(본 명세서에 전문이 참고로 편입됨)에 기재된 바와 같이 아크릴아마이드 및 아크릴산 또는 비닐기를 함유하는 아크릴산으로부터 또는, 예를 들어, WO 2001/001143 또는 WO 2003/0014392(이들 각각은 본 명세서에 전문이 참고로 편입됨)에 기재된 바와 같은 [2+2] 광-첨가 환화 반응을 형성하는 단량체로부터 형성될 수 있다. 다른 적합한 중합체는 브로모-아세트아마이드기(예를 들어, BRAPA)로 유도체화된 SFA와 SFA의 공중합체, 또는 아지도-아세트아마이드기로 유도체화된 SFA와 SFA의 공중합체이다.Other examples of suitable gel materials for the intermediate structure 34 include those having a colloidal structure, such as agarose; Or polymeric mesh structures such as gelatin; Or cross-linked polymer structures such as polyacrylamide polymers and copolymers, silane acrylamide (SFA, see, eg, US Patent Publication No. 2011/0059865, incorporated herein by reference), or azizated of SFA Include form. Examples of suitable polyacrylamide polymers are, for example, from acrylamide and acrylic acid containing acrylic acid or vinyl groups or as described, for example, in WO 2000/031148 (incorporated herein by reference in its entirety). It may be formed from monomers forming a [2 + 2] photo-added cyclization reaction as described in 2001/001143 or WO 2003/0014392, each of which is incorporated herein by reference in its entirety. Other suitable polymers are copolymers of SFA and SFA derivatized with bromo-acetamide groups (eg BRAPA), or copolymers of SFA and SFA derivatized with azido-acetamide groups.

중간 구조(34)는 사전형성된 겔 물질일 수 있다. 사전형성된 겔 물질은 스핀코팅, 또는 디핑, 또는 양압 또는 부압 하의 겔의 유동, 또는 본 명세서에 전문이 참고로 편입된 미국 특허 제9,012,022호에 제시된 기법을 이용하여 코팅될 수 있다. 디핑 또는 딥 코팅은 표면(30) 및 사용되는 중간 구조(34)에 따라서 선택적 증착 기법일 수 있다. 예로서, 표면(30)은 사전형성된 겔 물질(34)에 디핑되고, 겔 물질(34)은 선택적으로 웰(31)에 채워지거나 또는 코팅되거나 또는 증착될 수 있고(즉, 겔 물질(34)은 사이 영역(33) 상에 증착되지 않음), 연마(또는 다른 제거 공정)는 필수적이지 않을 수도 있다.The intermediate structure 34 may be a preformed gel material. The preformed gel material may be coated using spin coating, or dipping, or the flow of the gel under positive or negative pressure, or the technique set forth in US Pat. No. 9,012,022, which is incorporated herein by reference in its entirety. Dipping or dip coating may be a selective deposition technique depending on the surface 30 and the intermediate structure 34 used. By way of example, surface 30 may be dipped in preformed gel material 34, and gel material 34 may optionally be filled, coated, or deposited into well 31 (ie, gel material 34). Not deposited on the inter silver region 33), polishing (or other removal process) may not be necessary.

사전형성된 중합체 또는 PAZAM은, 예를 들어, 스핀코팅, 또는 디핑, 또는 양압 또는 부압 하의 겔 유동, 또는 미국 특허 제9,012,022호에 제시된 기법을 이용하여 표면(30) 상에서 코팅될 수 있다. 중합체 또는 PAZAM의 탈착은 또한 실란화된 표면에 대한 표면 개시 원자 전달 라디칼 중합(SI-ATRP)을 통해 일어날 수 있다. 이 예에서, 표면(30)은 표면 상에서 하나 이상의 산소 원자에 규소를 공유적으로 연결시키기 위해 APTS(메톡시 또는 에톡시 실란)으로 전처리될 수 있다(메커니즘에 의해 유지될 것으로 의도되는 일 없이, 각각의 규소는 1, 2 또는 3개의 산소 원자에 결합될 수 있음). 이 화학적으로 처리된 표면은 아민기 단일층을 형성하도록 소성된다. 이어서, 아민기는 설포-HSAB와 반응되어 아지도 유도체를 형성한다. 1J/㎝2 내지 30J/㎝2 에너지에 의한 21℃에서의 UV 활성화는 PAZAM과의 다양한 삽입 반응을 용이하게 겪을 수 있는 활성 나이트렌 종을 생성한다.The preformed polymer or PAZAM can be coated on the surface 30 using, for example, spin coating, or dipping, or gel flow under positive or negative pressure, or the technique set forth in US Pat. No. 9,012,022. Desorption of the polymer or PAZAM can also occur via surface initiated atom transfer radical polymerization (SI-ATRP) to the silanized surface. In this example, the surface 30 may be pretreated with APTS (methoxy or ethoxy silane) to covalently link silicon to one or more oxygen atoms on the surface (without being intended to be maintained by the mechanism, Each silicon may be bonded to one, two or three oxygen atoms). This chemically treated surface is calcined to form an amine group monolayer. The amine group is then reacted with sulfo-HSAB to form an azido derivative. Of 1J / ㎝ 2 to 30J / ㎝ 2 UV activation at 21 ° C. by energy produces active nitrene species that can easily undergo various intercalation reactions with PAZAM.

표면(30) 상에서 중합체 또는 PAZAM을 코팅하기 위한 다른 예는 미국 특허 공개 제2014/0200158호(본 명세서에 전문이 참고로 편입됨)에 기재되어 있고, 아민-작용기 표면에 대한 PAZAM 단량체의 자외선(UV) 매개 연결, 또는 PAZAM의 후속적 증착 및 열의 적용에 의한 활성기(염화아크릴로일 또는 다른 알켄 또는 알킨-함유 분자)를 수반하는 열적 연결을 포함한다. 일부 예에서, 표면(30)은 개질면과 중합체 사이에 공유 결합을 형성하기 위해 클릭 화학과 같은 조건 하에, 이어서, 아지도-작용기화된 중합체, 예컨대, PAZAM 또는 아지도-유도체화된 SFA를 포함하는 것과 반응할 수 있는 알켄일 또는 사이클로알켄일기로 개질된다.Other examples for coating polymers or PAZAM on surface 30 are described in U.S. Patent Publication No. 2014/0200158, which is incorporated herein by reference in its entirety, and the ultraviolet light of PAZAM monomers to the amine-functional surface. UV) mediated linking, or thermal linking involving an active group (acryloyl chloride or other alkene or alkyne-containing molecule) by subsequent deposition of PAZAM and application of heat. In some examples, the surface 30 comprises azido-functionalized polymers such as PAZAM or azido-derivatized SFAs under conditions such as click chemistry to form covalent bonds between the modified surface and the polymer. It is modified with alkenyl or cycloalkenyl groups that can react with one.

중간 구조(34)는 후속적으로 겔 물질(34)을 형성하는 액체일 수 있다. 후속적으로 겔 물질(34)을 형성하는 액체를 적용하는 예는 액체 형태 중에서 무 실란 아크릴아마이드 및 N-[5-(2-브로모아세틸) 아미노펜틸]아크릴아마이드(BRAPA)로 웰(31)의 어레이의 코팅이며 시약이 표면 상에서 중합에 의해 겔을 형성하도록 허용한다. 본 방법에서 어레이의 코팅은 미국 특허 공개 제2011/0059865호에 제시된 화학적 시약 및 절차를 사용할 수 있다.The intermediate structure 34 may be a liquid that subsequently forms the gel material 34. An example of applying a liquid that subsequently forms gel material 34 is well 31 in liquid form with silane acrylamide and N- [5- (2-bromoacetyl) aminopentyl] acrylamide (BRAPA). It is a coating of an array of and allows the reagent to form a gel by polymerization on the surface. Coating of the array in this method can use the chemical reagents and procedures presented in US Patent Publication No. 2011/0059865.

중간 구조(34)는 (웰(31)에서) 표면(30)에 공유적으로 연결될 수 있거나 또는 표면(30)에 공유적으로 연결되지 않을 수도 있다. 웰(31)에 대한 중합체의 공유 결합은 다양한 사용 동안 표면(30)의 수명 내내 웰(31) 내의 중간 구조(34)를 유지하는 데 도움이 된다. 그러나, 상기 언급한 바와 같이 그리고 다수의 예에서, 중간 구조(34)는 웰(31)에 공유 결합될 필요가 없다. 예를 들어, 무 실란 아크릴아마이드, 즉, SFA는 표면(30)의 임의의 부분에 공유적으로 부착되지 않는다.The intermediate structure 34 may or may not be covalently connected to the surface 30 (in the well 31) or covalently to the surface 30. Covalent bonding of the polymer to the well 31 helps to maintain the intermediate structure 34 within the well 31 throughout the life of the surface 30 during various uses. However, as mentioned above and in many instances, the intermediate structure 34 need not be covalently bonded to the well 31. For example, silane free acrylamide, ie SFA, does not covalently attach to any portion of surface 30.

표면(30)을 이용하기 위한 방법의 예에서, 증폭 프라이머(36)는 임의의 적합한 방법을 통해 웰(31)에서(즉, 복수의 나노특징(12)의 복제에서) 존재하는 중간 구조(34) 상에 접합될 수 있다. 일부 예에서, 증폭 프라이머는 공유 결합을 형성하기 위해 중간 구조(34)(예컨대, 아지도기)에서 작용기와 반응할 수 있는 작용기(예컨대, 알킨일기 또는 티오포스페이트기)를 포함한다.In an example of a method for using the surface 30, the amplification primer 36 is an intermediate structure 34 present in the well 31 (ie, in the replication of the plurality of nanofeatures 12) via any suitable method. ) May be bonded onto the substrate. In some examples, amplification primers include functional groups (eg, alkynyl or thiophosphate groups) that can react with functional groups in the intermediate structure 34 (eg, azido groups) to form covalent bonds.

본 개시내용을 추가로 예시하기 위해, 본 명세서에 실시예를 제공한다. 이들 실시예는 예시적 목적을 위해 제공되며, 본 개시내용의 범주를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다는 것이 이해되어야 한다.To further illustrate the present disclosure, examples are provided herein. It is to be understood that these embodiments are provided for illustrative purposes and should not be construed as limiting the scope of the disclosure.

실시예 Example

실시예 1Example 1

D4-테트라-에틸 트라이에톡시실란을 예시적 ASL 물질로서 사용하였다. D4-테트라-에틸 트라이에톡시실란은 각각의 실리콘 위치에서 하나의 메틸기가 (트라이에톡시실릴)에틸- 기로 대체된 옥타메틸사이클로테트라실록산이다. 플루오린화된 중합체 물질을 비교 ASL 물질로서 사용하였다. 예시적 ASL 물질을 테트라하이드로퓨란(THF) 중에 약 5중량%의 물질을 함유하는 제형에 혼입시켰다.D4-tetra-ethyl triethoxysilane was used as an exemplary ASL material. D4-tetra-ethyl triethoxysilane is an octamethylcyclotetrasiloxane in which one methyl group at each silicon position is replaced by a (triethoxysilyl) ethyl- group. Fluorinated polymeric material was used as comparative ASL material. Exemplary ASL materials were incorporated into formulations containing about 5% by weight of material in tetrahydrofuran (THF).

획정된 복수의 나노-크기의 특징을 각각 포함하는 실리콘 마스터는 각각 ASL 물질 및 비교 ASL 물질로 코팅하였다. ASL 물질 및 비교 ASL 물질은 열적으로 경화시키고, 용매 세척하였다.Silicon masters each comprising a plurality of defined nano-sized features were coated with an ASL material and a comparative ASL material, respectively. The ASL material and the comparative ASL material were thermally cured and solvent washed.

실리콘 아크릴레이트 단량체로 형성된 동일한 유형의 작업 스탬프 수지를 각각의 코팅된 실리콘 마스터 상에서 스핀 코팅시켰고, 자외선(UV 경화)에 노출시켜 작업 스탬프 및 비교 작업 스탬프를 형성하였다. 하나의 작업 스탬프(1 세대) 또는 비교 작업 스탬프가 생성된 후에, 작업 스탬프 또는 비교 작업 스탬프를 각각의 코팅된 실리콘 마스터로부터 방출시켰고, 코팅된 실리콘 마스터를 추가적인 작업 스탬프 및 비교 작업 스탬프(2세대, 3세대, 4세대, 5 세대 등)를 생성하기 위해 다시 사용하였다. The same type of work stamp resin formed from silicone acrylate monomers was spin coated on each coated silicon master and exposed to ultraviolet light (UV curing) to form a work stamp and a comparative work stamp. After one work stamp (first generation) or comparison work stamp was created, the work stamp or comparison work stamp was released from each coated silicon master, and the coated silicon master was added to the additional work stamp and the comparison work stamp (second generation, 3G, 4G, 5G, etc.)

작업 스탬프 및 비교 작업 스탬프를 나노임프린트 리소그래피(NIL) 검사에서 사용하였다. (NIL를 통해) 25개의 상이한 샘플을 임프린팅하기 위해 각각의 작업 스탬프를 사용하였고, (NIL를 통해) 25개의 비교 샘플을 임프린트 하기 위해 각각의 비교 작업 스탬프를 사용하였다. 각각의 1세대 작업 스탬프(실시예 #1) 및 5 세대 작업 스탬프(실시예 #2)를 이용하여 생성된 제1 임프린트(Imp#1) 및 제25 임프린트(Imp#25)를 원자력현미경(atomic force microscopy: AFM)에 노출시켜 표면 거칠기를 결정하였다. 각각의 1세대 비교 작업 스탬프(비교 #1) 및 5 세대 비교 작업 스탬프(비교 #2)를 이용하여 생성된 제1 임프린트(Imp#1) 및 제25 임프린트(Imp#25)를 또한 AFM에 노출시켜 표면 거칠기를 결정하였다. 이들 결과를 도 5에 나타낸다. 도시한 바와 같이, 표면 거칠기는 비교예 작업 스탬프로 형성된(즉, 비교 ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터로부터 형성된) 임프린트에 비해 예시적 작업 스탬프로 형성된(즉, ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터로부터 형성된) 각각의 임프린트에 대해 더 낮았다. 일부 예에서, 본 명세서에 기재된 바와 같은 작업 스탬프로부터 생성된 임프린트의 표면 거칠기는 (본 명세서에 기재된 시험 방법을 이용하여) 100㎚ 미만, 또는 80㎚ 미만, 또는 60㎚ 미만 또는 50㎚ 미만 또는 40㎚ 미만, 또는 30㎚ 미만이다.Work stamps and comparative work stamps were used in nanoimprint lithography (NIL) inspection. Each work stamp was used to imprint 25 different samples (via NIL) and each compare work stamp was used to imprint 25 comparison samples (via NIL). The first imprint (Imp # 1) and the 25th imprint (Imp # 25) generated by using the first generation job stamp (Example # 1) and the fifth generation job stamp (Example # 2), respectively, surface roughness was determined by exposure to force microscopy (AFM). The first imprint (Imp # 1) and the 25th imprint (Imp # 25) generated using each first generation comparative work stamp (Comparative # 1) and fifth generation comparative work stamp (Comparative # 2) are also exposed to AFM. Surface roughness was determined. These results are shown in FIG. As shown, the surface roughness is formed of an exemplary work stamp (ie, formed from a silicon master coated with an ASL material) compared to an imprint formed of a comparative work stamp (ie, formed from a silicon master coated with a comparative ASL material). Lower for each imprint. In some examples, the surface roughness of the imprint generated from the work stamp as described herein is less than 100 nm, or less than 80 nm, or less than 60 nm or less than 50 nm or 40 (using the test method described herein). Less than nm, or less than 30 nm.

도 7A 및 도 7B는 각각 예시적 ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터로부터 생산된 5 세대 작업 스탬프로부터 생산된 제25 임프린트(Imp#25)의 30㎛ 및 5㎛ AFM 이미지이다. 이들 이미지는 코팅된 실리콘 마스터가 몇몇 작업 스탬프를 형성하는데 사용된 후조차, 그리고 코팅된 실리콘 마스터로부터 생산된 작업 스탬프가 임프린팅을 위해 몇회 사용된 후조차, 둥근 웰 및 예리한 웰 에지가 생성될 수 있다는 것을 나타낸다.7A and 7B are 30 μm and 5 μm AFM images of a 25th imprint (Imp # 25) produced from a fifth generation work stamp produced from a silicon master coated with an exemplary ASL material, respectively. These images show that round wells and sharp well edges can be created even after the coated silicon master is used to form some work stamps, and even after the work stamps produced from the coated silicon master have been used for imprinting several times. It is present.

예시적 ASL 물질을 또한 (단일 ASL 물질 증착에서) 두 실리콘 마스터 상에서 코팅하였다. 실리콘 아크릴레이트 단량체로 형성된 동일한 유형의 작업 스탬프 수지를 각각의 코팅된 실리콘 마스터 A 및 B 상에서 스핀 코팅하였고, 자외선(UV 경화)에 노출시켜 작업 스탬프 및 비교 작업 스탬프를 형성하였다. 하나의 작업 스탬프(1세대 A 또는 B) 후에, 작업 스탬프를 각각의 코팅된 실리콘 마스터 A 또는 B로부터 방출시켰고, 추가적인 작업 스탬프(2세대, 3세대, 4세대, 5 세대, 50세대)를 생성하기 위해 코팅된 실리콘 마스터 A 및 B를 다시 사용하였다. A 마스터에 대해, 50개의 작업 스탬프를 생성하고, 시험하고 나서, B 마스터에 대해, 30개의 작업 스탬프를 생성하고 시험하였다.Exemplary ASL materials were also coated on two silicon masters (in a single ASL material deposition). The same type of work stamp resin formed from silicone acrylate monomers was spin coated on each of the coated silicon masters A and B and exposed to ultraviolet light (UV curing) to form a work stamp and a comparative work stamp. After one work stamp (1st generation A or B), the work stamp was released from each coated silicon master A or B and additional work stamps (2nd generation, 3rd generation, 4th generation, 5th generation, 50th generation) were created. Coated Silicon Masters A and B were used again. Fifty work stamps were generated and tested for A master, and then thirty work stamps were created and tested for B master.

작업 스탬프를 나노임프린트 리소그래피(NIL) 검사에서 사용하였다. 각각의 작업 스탬프를 사용하여 (NIL을 통해) 25개의 상이한 샘플을 임프린팅하였다. 각각의 1세대 작업 스탬프(WS#1), 5세대 작업 스탬프(WS#5), 15세대 작업 스탬프(WS#15), 20세대 작업 스탬프(WS#20), 25세대 작업 스탬프(WS#25), 30세대 작업 스탬프(WS#30), 35세대 작업 스탬프(WS#35), 40세대 작업 스탬프(WS#40), 45 세대 작업 스탬프(WS#45) 및 50세대 작업 스탬프(WS#50)를 이용하여 생성된 제1 임프린트(Ima#1) 및 제25 임프린트(Ima#25)를 AFM에 노출시켜 표면 거칠기를 결정하였다.Job stamps were used in nanoimprint lithography (NIL) inspection. Each working stamp was used to imprint 25 different samples (via NIL). Each 1st Generation Job Stamp (WS # 1), 5th Generation Job Stamp (WS # 5), 15th Generation Job Stamp (WS # 15), 20th Generation Job Stamp (WS # 20), 25th Generation Job Stamp (WS # 25) ), 30th Generation Job Stamp (WS # 30), 35th Generation Job Stamp (WS # 35), 40th Generation Job Stamp (WS # 40), 45th Generation Job Stamp (WS # 45), and 50th Generation Job Stamp (WS # 50) The surface roughness was determined by exposing the first imprint (Ima # 1) and the 25th imprint (Ima # 25) generated by using AFM.

이들 결과는 도 6에 나타내는데, 이는 작업 스탬프 세대의 함수로서 (제1 및 제25 임프린트에 대해) 임프린트 표면 거칠기의 진전을 도시한다. 생성된 제1 임프린트에 대해, 표면 거칠기는 사용한 작업 스탬프 세대와 독립적이다. 이후의 임프린트(예를 들어, Ima#25)에 대해, 표면 거칠기는 작업 스탬프 세대에 의해 약간 증가되었다. 코팅된 실리콘 마스터 A 또는 B 중 하나로부터 형성된 WS#50을 이용하여, 낮은 표면 거칠기(<100㎚)를 갖는 임프린트가 여전히 생산될 수 있다. 하나의 ASL 코팅된 마스터로부터 50개의 작업 스탬프를 생산하고(ASL 물질이 단일 증착에서 코팅되는 경우) 사용 가능하지 않은 임프린트를 생성하는 모든 50개를 사용할 수 있는 것은 (예를 들어, ASL 물질로서 플루오린화된 중합체 물질을 이용하는 유사한 공정에 비교할 때) 공정 능력의 상당한 개선이 있다.These results are shown in FIG. 6, which shows the evolution of the imprint surface roughness (for first and twenty-fifth imprints) as a function of work stamp generation. For the first imprint created, the surface roughness is independent of the work stamp generation used. For subsequent imprints (eg Ima # 25), surface roughness was slightly increased by work stamp generation. Using WS # 50 formed from either coated silicon master A or B, imprints with low surface roughness (<100 nm) can still be produced. It is possible to produce 50 work stamps from one ASL coated master (if the ASL material is coated in a single deposition) and use all 50 to create an unusable imprint (e.g. There is a significant improvement in process capability as compared to similar processes using leaned polymeric materials.

실시예 2Example 2

D4-테트라-에틸 트라이에톡시실란을 예시적 ASL 물질로서 사용하였다. 플루오린화된 중합체 물질을 비교 ASL 물질로서 사용하였다. ASL 물질을 테트라하이드로퓨란(THF) 중에 약 5중량%의 물질을 함유하는 제형 내로 혼입시켰다.D4-tetra-ethyl triethoxysilane was used as an exemplary ASL material. Fluorinated polymeric material was used as comparative ASL material. ASL materials were incorporated into formulations containing about 5% by weight of material in tetrahydrofuran (THF).

획정된 복수의 나노-크기의 특징을 각각 포함하는 실리콘 마스터는 각각 ASL 물질 및 비교 ASL 물질로 코팅하였다. ASL 물질 및 비교 ASL 물질은 열적으로 경화시키고, 용매 세척하였다. 일부 예에서, 용매는 THF이다. 다른 예에서, 용매는 비경화 ASL 물질을 가용화한다.Silicon masters each comprising a plurality of defined nano-sized features were coated with an ASL material and a comparative ASL material, respectively. The ASL material and the comparative ASL material were thermally cured and solvent washed. In some examples, the solvent is THF. In another example, the solvent solubilizes the uncured ASL material.

본 실시예에서 상이한 유형의 작업 스탬프 수지를 사용하였다. 하나의 작업 스탬프 수지는 실리콘 아크릴레이트 단량체로 형성되었다. 다른 작업 스탬프 수지는 플루오린화된 작업 스탬프 물질이었다. 실리콘 아크릴레이트 작업 스탬프 수지를 ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터 상에서 스핀 코팅하고 나서, UV 경화에 노출시켜 작업 스탬프의 적어도 5개 세대를 형성하였다. 본 실시예에서 제5 세대를 사용하였고, 작업 스탬프 실시예 #3으로서 지칭한다. 실리콘 아크릴레이트 작업 스탬프 수지를 비교 ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터 상에 스핀 코팅하고 나서, UV 경화에 노출시켜 비교 작업 스탬프의 적어도 5개 세대를 형성하였다. 본 실시예에서 이들 비교 작업 스탬프의 제5 세대를 사용하였고, 비교 작업 스탬프 #3(비교예 #3)로서 지칭한다. 플루오린화된 작업 스탬프 물질을 비교 ASL 물질로 코팅한 실리콘 마스터 상에 스핀 코팅하고 나서, UV 경화에 노출시켜 추가적인 비교 작업 스탬프의 적어도 5개 세대를 형성하였다. 본 실시예에서 추가적인 비교 작업 스탬프의 제5 세대를 사용하였고, 비교 작업 스탬프 #4(비교예 #4)로서 지칭한다.Different types of working stamp resins were used in this example. One working stamp resin was formed of silicone acrylate monomers. Another work stamp resin was a fluorinated work stamp material. The silicone acrylate working stamp resin was spin coated onto a silicone master coated with ASL material and then exposed to UV curing to form at least five generations of working stamps. A fifth generation was used in this example, referred to as job stamp example # 3. The silicone acrylate working stamp resin was spin coated onto a silicone master coated with a comparative ASL material and then exposed to UV curing to form at least five generations of the comparative working stamp. The fifth generation of these comparison work stamps was used in this example and is referred to as comparison work stamp # 3 (comparative example # 3). The fluorinated work stamp material was spin coated onto a silicon master coated with a comparative ASL material and then exposed to UV curing to form at least five generations of additional comparative work stamps. In this example a fifth generation of additional comparison work stamps was used and referred to as comparison work stamp # 4 (comparative example # 4).

작업 스탬프 #3 및 비교 작업 스탬프 #3 및 #4를 나노임프린트 리소그래피(NIL) 검사에서 사용하였다. 각각의 작업 스탬프를 사용하여 (NIL을 통해) 25개의 상이한 샘플을 임프린팅하고, 각각의 비교 작업 스탬프를 사용하여 (NIL을 통해) 25개의 상이한 비교 샘플을 임프린팅하였다.Job Stamp # 3 and Comparative Job Stamps # 3 and # 4 were used in Nanoimprint Lithography (NIL) inspection. Each different work stamp was used to imprint 25 different samples (via NIL), and each comparison working stamp was used to imprint 25 different comparison samples (via NIL).

25개의 임프린트 후에, 형성된 비교 작업 스탬프 #3(즉, 5 세대 실리콘 아크릴레이트 작업 스탬프 수지는 비교(즉, 플루오린화된) ASL 물질)로 코팅된 실리콘 마스터로 코팅된 실리콘 마스터를 형성하고, 주사 전자 현미경(SEM) 이미지(나타내지 않음)는 인쇄된 웰의 바닥에 구멍이 있다는 것을 나타내었다. 물질의 이런 특정 조합은 또한 역젖음(즉, 5 세대 실리콘 아크릴레이트 작업 스탬프 수지는 비교(즉, 플루오린화된) ASL 물질로부터의 역젖음임)을 겪었고, 따라서 자동화 도구 상에서 사용할 수 없다.After 25 imprints, the formed silicon master coated with the comparative master stamp # 3 (ie, the fifth generation silicon acrylate task stamp resin formed of the comparative (i.e. fluorinated) ASL material) was coated with a scanning electron Microscopic (SEM) images (not shown) indicated that there were holes in the bottom of the printed wells. This particular combination of materials also suffered backwetting (ie, the fifth generation silicone acrylate working stamp resin is backwetting from a comparative (ie fluorinated) ASL material) and therefore cannot be used on automated tools.

도 8A 및 도 8B는 작업 스탬프 #3으로부터 형성된 제25 임프린트의 하향식 및 단면적 SEM 이미지이다. ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터 상에 형성된 실리콘 아크릴레이트 작업 스탬프 수지로부터 형성된 임프린트는 바람직한 수준의 패턴 정확도 및 예리하고, 잘 획정된 에지를 나타낸다. 표면 거칠기는 상대적으로 낮은 R(5㎛) = 2㎚ 및 R(30㎛) = 3㎚였다. 도 9A 및 도 9B는 비교 작업 스탬프 #4로부터 형성된 제25 임프린트의 하향식 및 단면도 SEM 이미지이다. 비교 ASL 물질로 코팅된 실리콘 마스터 상에 형성된 플루오린화된 작업 스탬프 물질로부터 형성된 임프린트는 바람직한 수준의 패턴 정확도를 나타내지만, 웰은 둥글고, 표면 거칠기는 상대적으로 높은 R(5㎛) = 11㎚ 및 R(30㎛) = 12㎚이다. 이 데이터는 작업 스탬프 수지 및 ASL 물질(예를 들어, 실리콘계 ASL 물질 상에 형성된 실리콘계 작업 스탬프 또는 플루오린화된 ASL 물질로부터 형성된 플루오린화된 작업 스탬프)에 대해 유사한 물질은 적합한 임프린트를 반드시 초래하지는 않는다는 것을 나타낸다. 사실, 비교 작업 스탬프 #4는 적합한 임프린트를 생산하지 않았다.8A and 8B are top down and cross-sectional SEM images of a twenty-fifth imprint formed from work stamp # 3. Imprints formed from silicone acrylate working stamp resins formed on silicon masters coated with ASL materials exhibit desirable levels of pattern accuracy and sharp, well defined edges. The surface roughnesses were relatively low R (5 mu m) = 2 nm and R (30 mu m) = 3 nm. 9A and 9B are top down and cross-sectional SEM images of a twenty-fifth imprint formed from comparative work stamp # 4. Imprints formed from fluorinated work stamp materials formed on silicon masters coated with comparative ASL materials exhibited desirable levels of pattern accuracy, but well rounded, surface roughness of relatively high R (5 μm) = 11 nm and R (30 mu m) = 12 nm. This data indicates that similar materials do not necessarily result in suitable imprints for work stamp resins and ASL materials (eg, silicon based work stamps formed on silicon based ASL materials or fluorinated work stamps formed from fluorinated ASL materials). Indicates. In fact, comparison job # 4 did not produce a suitable imprint.

추가적인 사항Additional Notes

앞서 언급한 개념(단, 이러한 개념이 상호 비일치는 아님)의 모든 조합은 본 명세서에 개시된 본 발명의 대상의 부분인 것으로 상정된다는 것이 인식되어야 한다. 특히, 본 개시내용의 마지막에 나타내는 특허 청구된 대상의 모든 조합은 본 명세서에 개시된 본 발명의 대상의 부분인 것으로 상정된다. 또한 참고로 편입된 임의의 개시내용에서 또한 나타날 수 있는 본 명세서에서 명확하게 사용되는 용어는 본 명세서에 개시된 특정 개념과 가장 일치되는 의미에 따라야 한다는 것이 인식되어야 한다.It is to be appreciated that all combinations of the aforementioned concepts, provided these concepts are not mutually inconsistent, are intended to be part of the subject matter of the invention disclosed herein. In particular, all combinations of the claimed subject matter presented at the end of this disclosure are assumed to be part of the subject matter of the invention disclosed herein. It is also to be appreciated that the terminology used explicitly herein, which may also appear in any disclosure incorporated by reference, should be in accordance with the meaning that most closely matches the specific concepts disclosed herein.

본 명세서에 인용된 모든 간행물, 특허 및 특허 출원은 본 명세서에 그들의 전문이 참고로 편입된다.All publications, patents, and patent applications cited herein are hereby incorporated by reference in their entirety.

명세서 전체적으로 "일례", "다른 예, "예" 등에 대한 언급은 예와 관련하여 기재된 특정 요소(예를 들어, 특징, 구조, 및/또는 특징)가 본 명세서에 기재된 적어도 하나의 예에 포함되고, 다른 예에 존재할 수도 있거나 또는 존재하지 않을 수도 있다는 것을 의미한다. 추가로, 임의의 예에 대해 기재된 요소는 명확하게 달리 표시되지 않는 한, 다양한 예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.Reference throughout this specification to “an example”, “another example,“ an example ”, etc., includes certain elements (eg, features, structures, and / or features) described in connection with the example in at least one example described herein; In addition, it is understood that elements described with respect to any example may be combined in any suitable manner in the various examples, unless expressly indicated otherwise. Should be.

본 명세서에 제공된 범위는 언급된 범위 및 언급된 범위 내의 임의의 값 또는 하위 범위를 포함한다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 약 5중량% 내지 약 10중량%의 범위는 약 5중량% 내지 약 10중량%의 명확하게 인용된 제한을 포함할 뿐만 아니라 개개 값, 예컨대, 약 5.2중량%, 약 6중량%, 약 7중량% 등, 및 하위 범위, 예컨대, 약 5.5중량% 내지 약 8중량% 등을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 더 나아가, "약" 및/또는 "실질적으로"가 값을 기재하기 위해 이용될 때, 그들은 언급된 값으로부터의 약간의 변동(최대 +/- 10%)을 포함하는 것으로 의미된다. It is to be understood that the ranges provided herein include the stated range and any value or subrange within the stated range. For example, the range of about 5% to about 10% by weight includes explicitly quoted limits of about 5% to about 10% by weight as well as individual values such as about 5.2% by weight, about 6% by weight , About 7% by weight, and the like, and subranges such as about 5.5% to about 8% by weight, and the like. Furthermore, when “about” and / or “substantially” are used to describe a value, they are meant to include some variation (maximum +/− 10%) from the stated value.

몇몇 예를 상세하게 기재하였지만, 개시된 예는 변형될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 앞서 언급한 설명은 비제한적인 것으로 고려되어야 한다.While some examples have been described in detail, it should be understood that the disclosed examples may be modified. Accordingly, the foregoing description should be considered as non-limiting.

Claims (34)

임프린팅 장치로서,
획정된 복수의 나노특징(nanofeature)을 포함하는 실리콘 마스터(silicon master); 및
상기 실리콘 마스터를 코팅하는 점착방지층으로서, 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 분자를 포함하는, 상기 점착방지층을 포함하는, 임프린팅 장치.
As an imprinting device,
A silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures; And
An anti-sticking layer for coating the silicon master, comprising an anti-sticking layer comprising molecules having a cyclosiloxane having at least one silane functional group.
제1항에 있어서, 상기 분자는 사이클로실록산, 사이클로테트라실록산, 사이클로펜타실록산 또는 사이클로헥사실록산이고, 상기 분자는 적어도 하나의 비치환된 C1- 6알킬기로 치환된, 그리고 알콕시실란기로 치환되는 적어도 하나의 C1- 12알킬기로 치환된, 임프린팅 장치.The method of claim 1, wherein the molecule is a cyclosiloxane, cyclotetrasiloxane, Cyclopentasiloxane, or a siloxane-cyclohexadiene, and the molecule is at least one unsubstituted ring substituted with a C 1- 6 alkyl group, and at least substituted with an alkoxy silane a C 1-, the imprinting apparatus 12 is substituted by an alkyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분자는 4개의 비치환된 C1- 6알킬기로 치환된, 그리고 트라이알콕시실란기로 각각 치환되는 4개의 C1- 12알킬기로 치환된, 임프린팅 장치. Article according to any one of the preceding claims, wherein the molecule comprises four unsubstituted C 1- 6 alkyl group a, and a tri-alkoxysilane group, the imprinting unit substituted with 1- 4 C 12 alkyl group which is substituted, each is substituted by the second term. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 비치환된 C1-6알킬기는 메틸기인, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 2 or 3, wherein the unsubstituted C 1-6 alkyl group is a methyl group. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 알콕시실란기로 각각 치환되는 상기 C1-12알킬기는 에틸 또는 프로필기인, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the C 1-12 alkyl group each substituted with the alkoxysilane group is an ethyl or propyl group. 제5항에 있어서, 상기 알콕시실란기로 각각 치환되는 상기 C1-12알킬기는 에틸기인, 임프린팅 장치. The imprinting apparatus of claim 5, wherein the C 1-12 alkyl group each substituted with the alkoxysilane group is an ethyl group. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 알콕시실란 또는 트라이알콕시실란기는 트라이메톡시실란 또는 트라이에톡시실란인, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus according to claim 2, wherein the alkoxysilane or trialkoxysilane group is trimethoxysilane or triethoxysilane. 제7항에 있어서, 상기 알콕시실란 또는 트라이알콕시실란기는 트라이에톡시실란인, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 7, wherein the alkoxysilane or trialkoxysilane group is triethoxysilane. 제1항에 있어서, 상기 사이클로실록산은 사이클로테트라실록산 및 사이클로헥사실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 1, wherein the cyclosiloxane is selected from the group consisting of cyclotetrasiloxane and cyclohexasiloxane. 제9항에 있어서, 상기 실란 작용기는 알킬 알콕시실란인, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 9, wherein the silane functional group is an alkyl alkoxysilane. 제10항에 있어서, 상기 알킬 알콕시실란은 에틸 트라이에톡시실란인, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 10, wherein the alkyl alkoxysilane is ethyl triethoxysilane. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는,
Figure pct00007
인, 임프린팅 장치.
The method according to any one of claims 1 to 11, wherein the molecule is
Figure pct00007
Phosphorus, imprinting device.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착방지층은 순수한 형태의 상기 분자와 상기 분자의 올리고머의 혼합물을 포함하는, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 1, wherein the anti-stick layer comprises a mixture of the molecule and oligomers of the molecule in pure form. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 마스터 상에서 상기 점착방지층과 접촉되는 실리콘계(silicon-based) 작업 스탬프를 더 포함하는, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 1, further comprising a silicon-based work stamp in contact with the anti-stick layer on the silicon master. 제14항에 있어서, 상기 실리콘계 작업 스탬프는 중합된 실리콘 아크릴레이트 단량체를 포함하는, 임프린팅 장치.The imprinting apparatus of claim 14, wherein the silicone based work stamp comprises a polymerized silicone acrylate monomer. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 작업 스탬프와 접촉되는 뒤판을 더 포함하는, 임프린팅 장치.16. An imprinting apparatus according to claim 14 or 15, further comprising a back plate in contact with the work stamp. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는 플루오린을 제외하는, 임프린팅 장치.The imprinting device of claim 1, wherein the molecule excludes fluorine. 방법으로서,
마스터 주형을 형성하는 단계로서,
획정된 복수의 나노특징을 포함하는 실리콘 마스터 상에 제형을 증착시키는 것으로서, 상기 제형은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함하는, 상기 제형을 증착시키는 것; 및
상기 제형을 경화시킴으로써 상기 실리콘 마스터 상에 점착방지층을 형성하는 것으로서, 상기 점착방지층은 상기 분자를 포함하는, 상기 점착방지층을 형성하는 것
에 의해서, 상기 마스터 주형을 형성하는 단계;
상기 마스터 주형의 상기 점착방지층 상에 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계;
상기 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 상기 복수의 나노특징의 음성 복제물(negative replica)을 포함하는 작업 스탬프를 형성하는 단계; 및
상기 마스터 주형으로부터 상기 작업 스탬프를 방출시키는 단계를 포함하는, 방법.
As a method,
Forming a master mold,
Depositing a formulation on a silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures, wherein the formulation comprises solvent and molecules having a cyclosiloxane having at least one silane functional group; And
Forming an anti-stick layer on the silicon master by curing the formulation, wherein the anti-stick layer comprises the molecule, forming the anti-stick layer
Thereby forming the master mold;
Depositing a silicon based work stamp material on the anti-stick layer of the master mold;
Curing the silicone-based work stamp material to form a work stamp comprising the plurality of nanofeatures negative replicas; And
Releasing the work stamp from the master mold.
제18항에 있어서,
상기 용매는 비등점이 약 70℃ 미만이고; 그리고
상기 분자는 적어도 약 5중량%의 양으로 상기 제형에 존재하는, 방법.
The method of claim 18,
The solvent has a boiling point of less than about 70 ° C .; And
The molecule is present in the formulation in an amount of at least about 5% by weight.
제18항에 있어서, 상기 용매는 테트라하이드로퓨란 또는 톨루엔인, 방법.The method of claim 18, wherein the solvent is tetrahydrofuran or toluene. 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제형을 증착시키는 것 및 상기 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 것은 각각 스핀코팅을 수반하는, 방법.21. The method of any of claims 18-20, wherein depositing the formulation and depositing the silicon-based work stamp material each comprise spin coating. 제18항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘계 작업 스탬프 물질은 실리콘 아크릴레이트 단량체를 포함하는, 방법.22. The method of any one of claims 18 to 21, wherein the silicone based work stamp material comprises a silicone acrylate monomer. 제18항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는 약 5중량% 내지 약 10중량% 범위의 양으로 상기 제형 중에 존재하는, 방법.23. The method of any one of claims 18 to 22, wherein the molecule is present in the formulation in an amount ranging from about 5% to about 10% by weight. 제18항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방출된 작업 스탬프는 상기 분자가 적어도 실질적으로 없는, 방법.The method of claim 18, wherein the released work stamp is at least substantially free of the molecule. 제18항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는,
Figure pct00008
인, 방법.
The method according to any one of claims 18 to 24, wherein the molecule is
Figure pct00008
That's how.
제18항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는 플루오린을 제외한, 방법.The method of claim 18, wherein the molecule excludes fluorine. 제18항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 작업 스탬프를 방출시키는 단계는 상기 점착방지층을 갖는 방출된 마스터 주형을 제공하고, 상기 방법은,
상기 방출된 마스터 주형의 상기 점착방지층 상에 제2 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계;
상기 제2 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 상기 복수의 나노특징의 음성 복제물을 포함하는 제2 작업 스탬프를 형성하는 단계; 및
상기 마스터 주형으로부터 상기 제2 작업 스탬프를 방출시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
27. The method of any one of claims 18 to 26, wherein releasing the work stamp provides a released master mold having the anti-stick layer, wherein the method comprises:
Depositing a second silicon based work stamp material on the anti-stick layer of the released master mold;
Curing the second silicon-based work stamp material to form a second work stamp comprising the plurality of nanofeatures negative copies; And
Releasing the second work stamp from the master mold.
제27항에 있어서, 상기 제2 실리콘계 작업 스탬프 물질의 증착 전에 상기 방출된 마스터 주형을 세정하는 단계를 더 포함하는, 방법. 28. The method of claim 27, further comprising cleaning the released master mold prior to the deposition of the second silicon-based work stamp material. 작업 스탬프를 이용하는 방법으로서, 상기 작업 스탬프는,
마스터 주형을 형성하는 단계로서,
획정된 복수의 나노특징을 포함하는 실리콘 마스터 상에 제형을 증착시키는 것으로서, 상기 제형은 적어도 하나의 실란 작용기를 갖는 사이클로실록산을 갖는 용매 및 분자를 포함하는, 상기 증착시키는 것; 및
상기 제형을 경화시킴으로써 상기 실리콘 마스터 상에 점착방지층을 형성하는 것으로, 상기 점착방지층은 상기 분자를 포함하는, 상기 점착방지층을 형성하는 것
에 의해서, 상기 마스터 주형을 형성하는 단계;
상기 마스터 주형의 상기 점착방지층 상에 실리콘계 작업 스탬프 물질을 증착시키는 단계;
상기 실리콘계 작업 스탬프 물질을 경화시켜 상기 복수의 나노특징의 음성 복제물을 포함하는 작업 스탬프를 형성하는 단계; 및
상기 마스터 주형으로부터 상기 작업 스탬프를 방출시키는 단계
에 의해 형성된 것이고,
상기 작업 스탬프를 이용하는 방법은,
상기 작업 스탬프를 지지체 상의 임프린트 리소그래피 수지에 임프린팅하는 단계; 및
상기 수지를 경화시킴으로써 획정된 복수의 나노특징의 복제물을 갖는 서열분석면을 형성하는 단계를 포함하는, 작업 스탬프를 이용하는 방법.
As a method of using a job stamp, the job stamp,
Forming a master mold,
Depositing a formulation on a silicon master comprising a plurality of defined nanofeatures, the formulation comprising a solvent and a molecule having a cyclosiloxane having at least one silane functional group; And
Forming an anti-stick layer on the silicon master by curing the formulation, wherein the anti-stick layer comprises the molecule, forming the anti-stick layer
Thereby forming the master mold;
Depositing a silicon based work stamp material on the anti-stick layer of the master mold;
Curing the silicon-based work stamp material to form a work stamp comprising the plurality of nanofeatures negative copies; And
Ejecting the work stamp from the master mold
Formed by
The method using the job stamp,
Imprinting the working stamp on an imprint lithography resin on a support; And
Forming a sequencing surface having a plurality of replicas of the nanofeatures defined by curing the resin.
제29항에 있어서, 상기 서열분석면은 상기 분자가 적어도 실질적으로 없는, 작업 스탬프를 이용하는 방법.The method of claim 29, wherein the sequencing surface is at least substantially free of the molecule. 제29항 또는 제30항에 있어서, 상기 복수의 나노특징의 상기 복제물에 존재하는 중간 구조 상에 증폭 프라이머를 접합시키는 단계를 더 포함하는, 방법.31. The method of claim 29 or 30, further comprising conjugating amplification primers on intermediate structures present in the replica of the plurality of nanofeatures. 제31항에 있어서, 상기 중간 구조는 하기 화학식 (I)의 반복 단위를 포함하는 중합체 코팅인, 방법:
Figure pct00009

식 중:
R1은 H 또는 선택적으로 치환된 알킬이고;
R A 는 아지도, 선택적으로 치환된 아미노, 선택적으로 치환된 알켄일, 선택적으로 치환된 하이드라존, 선택적으로 치환된 하이드라진, 카복실, 하이드록시, 선택적으로 치환된 테트라졸, 선택적으로 치환된 테트라진, 나이트릴옥사이드, 나이트론 및 티올로 이루어진 군으로부터 선택되며;
R5는 H 및 선택적으로 치환된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 -(CH2)p-는 선택적으로 치환될 수 있으며;
p는 1 내지 50 범위의 정수이고;
n은 1 내지 50,000 범위의 정수이며; 그리고
m은 1 내지 100,000 범위의 정수이다.
The method of claim 31, wherein the intermediate structure is a polymer coating comprising repeat units of formula (I)
Figure pct00009

During the formula:
R 1 is H or optionally substituted alkyl;
R A is azido, optionally substituted amino, optionally substituted alkenyl, optionally substituted hydrazone, optionally substituted hydrazine, carboxyl, hydroxy, optionally substituted tetrazole, optionally substituted tetra Selected from the group consisting of gin, nitrile oxide, nitrone and thiol;
R 5 is selected from the group consisting of H and optionally substituted alkyl;
Each — (CH 2 ) p — may be optionally substituted;
p is an integer ranging from 1 to 50;
n is an integer ranging from 1 to 50,000; And
m is an integer ranging from 1 to 100,000.
제29항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는,
Figure pct00010
인 방법.
33. The method of any of claims 29 to 32, wherein the molecule is
Figure pct00010
How to be.
제29항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자는 플루오린을 제외한, 방법.33. The method of any one of claims 29-32, wherein the molecule excludes fluorine.
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