KR20190098614A - 반도체용 접착 필름 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims abstract description 79
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 72
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 44
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 39
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 30
- -1 2 to 40% by weight Substances 0.000 claims description 18
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 18
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 12
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 22
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 125000004981 cycloalkylmethyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- CASUWPDYGGAUQV-UHFFFAOYSA-M potassium;methanol;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].OC CASUWPDYGGAUQV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012753 Ethylene Ionomers Polymers 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical group CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical class [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQRCRYVDGFQGO-UHFFFAOYSA-N [Bi+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [Bi+3].[O-2].[Mg+2] RRQRCRYVDGFQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUUHQINUYLQTNH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zr+4].[Sb+3] Chemical compound [O-2].[Zr+4].[Sb+3] PUUHQINUYLQTNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPTDTIWAXPDSFY-UHFFFAOYSA-N [Sb+3].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3] Chemical compound [Sb+3].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3] FPTDTIWAXPDSFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIBOKTQZOPHFAJ-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Bi] Chemical compound [Zr].[Bi] WIBOKTQZOPHFAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Mg++].[Al+3] GSWGDDYIUCWADU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVXCTUSYKCFNMG-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[Zr+4].[Al+3] HVXCTUSYKCFNMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDKUZSIDPZSPNX-UHFFFAOYSA-N aluminum;bismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Bi+3] BDKUZSIDPZSPNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZBRCYQVVLCUTR-UHFFFAOYSA-N antimony;oxobismuth Chemical compound [Sb].[Bi]=O UZBRCYQVVLCUTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920005680 ethylene-methyl methacrylate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000003721 gunpowder Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- UNIOSFZFHJCHOJ-UHFFFAOYSA-N magnesium antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [Sb+3].[O-2].[Mg+2] UNIOSFZFHJCHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANOYEYQQFRGUAC-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Mg+2].[Zr+4] ANOYEYQQFRGUAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005629 polypropylene homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000009823 thermal lamination Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 발명은, 소정의 조성을 갖는 고분자 기재; 및 상기 고분자 기재에 분산된 방열 필러;를 포함하고, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 2 내지 40중량%인 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
Description
본 발명은 반도체용 접착 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 향상된 경화 물성으로 반도체 칩의 신뢰성을 높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라 우수한 열전도 특성을 구현할 수 있는 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.
이와 같이 다단의 반도체 스택 패키지의 사용에 따라서 칩의 두께는 얇아지고 회로의 집적도는 높아지고 있는데, 칩 자체의 모듈러스는 낮아져서 제조 공정이나 최종 제품의 신뢰성에 문제점을 야기 하고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 반도체 패키징 과정에 사용되는 접착제의 물성을 강화시키는 방법들이 시도되어 왔다.
또한, 최근 반도체 칩의 두께가 얇아짐에 따라 기존의 블레이드 절삭 과정에서 칩이 손상되어 수율이 저하되는 문제가 있는데, 이를 해결하기 위하여 블레이드로 우선 반도체 칩을 절삭한 후 연마하는 제조 과정이 제시되고 있다. 이러한 제조 과정에서 접착제는 분단되어 있지 않으므로 레이저를 이용하여 접착제를 자른 후, 저온에서 기재필름의 익스펜딩 과정을 통하여 분단하고 있다. 또한 최근에는 칩 위의 회로를 보호하기 위하여 레이저를 이용하지 않고 오로지 저온 익스펜딩 과정과 열 수축과정을 통하여 접착제를 분단하는 공정을 적용하고 있다.
한편, 최근 전자 기기 및 전자 부품이 경박 단소화되는 경향에 따라 전기 소자의 집적도가 높아지고 있으며, 전기 에너지로 작동 하는 전기 소자의 발열량도 크게 증가하고 있다. 이에 따라, 전자기기 내부에서 발생된 열을 효과적으로 분산하여 발산시키는 방열 특성의 향상에 대한 요구가 높아 지고 있다.
본 발명은, 향상된 경화 물성으로 반도체 칩의 신뢰성을 높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라 우수한 열전도 특성을 구현할 수 있는 반도체용 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 높은 기계적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가지며 기판, 반도체 웨이퍼 및/또는 다이싱 다이본딩 필름 간의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있고 우수한 열전도 특성을 갖는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
본 명세서에서는, 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위(BzMA)를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지, 페놀 수지를 포함한 경화제 및 에폭시 수지를 포함하는 고분자 기재; 및 상기 고분자 기재에 분산된 방열 필러;를 포함하고, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 2 내지 40중량%인, 반도체용 접착 필름이 제공된다.
또한, 본 명세서에서는, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공된다.
발명의 구체적인 구현예의 반도체용 접착 필름에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
또한, 본 명세서에서, 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(단위: g/mol)을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, flow rate를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예로, 30 ℃의 온도, 클로로포름 용매(Chloroform) 및 1 mL/min의 flow rate를 들 수 있다.
발명의 일 구현예에 따르면, 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위(BzMA)를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지, 페놀 수지를 포함한 경화제 및 에폭시 수지를 포함하는 고분자 기재; 및 상기 고분자 기재에 분산된 방열 필러;를 포함하고, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 2 내지 40중량%인, 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
본 발명자들은 반도체 소자의 접착 또는 패키징에 사용될 수 있는 성분에 대한 연구를 진행하여, 상기 특정 조성을 갖는 고분자 기재와 이에 분산된 방열 필러를 포함하는 반도체용 접착 필름이 향상된 경화 물성으로 반도체 칩의 신뢰성을 높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라 우수한 열전도 특성을 구현할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
구체적으로, 상기 고분자 기재는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위(BzMA)를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지가 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위(BzMA)를 포함함에 따라서, 상기 반도체용 접착 필름은 포함되는 성분들간의 보다 높은 상용성 및 결합력을 확보하고 높은 탄성을 가질 수 있으며, 상대적으로 향상된 초기 인장 모듈러스를 가질 수 있다. 또한, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지가 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위(BzMA)를 포함함에 따라서 방열 필러의 분산성에 유리하게 작용되어 균일한 필러 분포와 더불어 필러 충진도를 높일 수 있다.
또한, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지가 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 포함함에 따라, 상기 반도체용 접착 필름은 보다 균일하고 견고한 내부 구조를 가지게 되어 극박 웨이퍼의 다단 적층시 높은 내충격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 2 내지 40중량%, 또는 3 내지 30중량% 또는 5 내지 25중량%일 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 너무 낮으면, 상기 에폭시 수지 또는 페놀 수지와의 상용성 및 필러의 분산성이 증대되는 효과가 미미할 수 있으며 또한 최종 제조되는 접착 필름의 흡습성을 낮추는 효과가 미미하다. 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 너무 높으면, 최 상기 반도체용 접착 필름의 접착력이 저하될 수 있다.
상기 방향족 작용기는 탄소수 6 내지 20의 아릴기(aryl); 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기를 포함하는 아릴알킬렌기일 수 있다.
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위는 에폭시 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬메틸 (메트)아크릴레이트 반복 단위를 포함할 수 있다. 상기 "에폭시 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬메틸"은 에폭시기가 결합된 탄소수 3 내지 30의 사이클로 알킬이 메틸기에 치환된 구조를 의미한다. 상기 에폭시 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬메틸 (메트)아크릴레이트의 일 예로 글리시딜 (메트)아크릴레이트 또는 3,4-에폭시시클로헥실메틸 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
한편, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 반응성 작용기를 포함한 비닐계 반복 단위 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 반복 단위를 더 포함할 수 있다.
상기 반응성 작용기는 알코올, 아민, 카르복실산, 에폭사이드, 이미드, (메트)아크릴레이트, 니트릴, 노보넨, 올레핀, 폴리에틸렌글리콜, 싸이올 및 비닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 포함할 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지가 반응성 작용기를 포함한 비닐계 반복 단위 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 반복 단위를 더 포함하는 경우, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 0.1 내지 20중량%, 또는 0.5 내지 10 중량% 포함할 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 -10℃ 내지 20℃, 또는 -5℃ 내지 15℃의 유리 전이 온도 및 30,000 내지 1,500,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 보다 바람직하게는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 200,000 내지 800,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도 및 중량평균분자량을 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 상기 반도체용 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고, 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 분자량이 너무 낮은 경우, 상기 반도체용 접착 필름의 형성이 용이하지 않아서 재단성이 악화될 수 있으며, 이에 따라 패키지 제조 과정에서 픽업성이 저하될 수 있다. 또한 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 분자량이 과도하게 높은 경우, 상기 반도체용 접착 필름의 점도가 상승하여 고온의 유동성이 저하되어 wafer wetting 성과 매립성이 저하되어 패키지 조립후 보이드가 잔존하여 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
한편, 상기 반도체용 접착 필름에서, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.55 내지 0.95일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름이 상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지를 상술한 범위로 포함함에 따라서, 상기 반도체용 접착 필름은 초기 인장시 상대적으로 높은 모듈러스를 나타내면서도 높은 탄성, 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우, 상기 반도체용 접착 필름의 접착성이 줄어 들어 웨이퍼에서는 젖음성이 줄어들고 이는 균일한 분단성을 기대할 수 없게 하고, 신뢰성 측면에서는 웨이퍼와 접착 필름 계면 간의 밀착력 저하로 인하여 접착력 저하를 초래하여 신뢰성이 취약해질 수 있다.
그리고, 상기 상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량비가 상술한 범위보다 높은 경우, 상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 15% 신장시 발생하는 모듈러스가 충분하지 않을 수 있고, 매우 높아지고, 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 높아질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 에폭시 수지 및 페놀 수지의 중량비율은 최종 제조되는 제품의 특성을 고려하여 조절 가능하며, 예를 들어 10:1 내지 1:10의 중량비일 수 있다.
또한, 상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산기 당량, 또는 90 g/eq 내지 250 g/eq의 수산기 당량, 또는 또는 100 g/eq 내지 178 g/eq의 수산기 당량, 또는 210 내지 240g/eq 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위를 가짐에 따라서, 낮은 함량에서도 경화도를 높여 우수한 접착력의 특성을 부여할 수 있다.
한편, 상기 에폭시 수지는 상기 반도체용 접착 필름의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 높이는 역할을 할 수 있다.
상기 에폭시의 수지의 구체적인 예로는, 바이페닐계 에폭시 수지, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 들 수 있다.
상기 에폭시 수지의 연화점은 -50℃ 내지 100℃일 수 있다. 상기 에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체용 접착 필름의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며, 상기 에폭시 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체용 접착 필름의 고온에서의 유동성이 저하될 수 있고 상기 반도체용 접착 필름의 접착력이 저하될 수 있다.
또한, 상기 에폭시 수지는 package 조립과정에서 충분한 유동성을 부여하기 위하여 연화점이 다른 에폭시 2종 이상을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은 100 내지 300 g/eq일 수 있다.
상기 경화제는 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 경화제의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 700중량부, 또는 30 내지 300중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체용 접착 필름 의 제조 과정에서 경화를 촉진 시키는 역할을 하며, 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 경화 촉매로는 인계 화합물, 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 액상 및 고상 에폭시 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 지르코늄, 안티몬, 비스무스, 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물; 다공성 실리케이트; 다공성 알루미노 실리케이트; 또는 제올라이트를 포함하는 이온 포착제를 더 포함할 수 있다.
상기 지르코늄, 안티몬, 비스무스, 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물의 예로는 산화지르코늄, 안티몬의 산화물, 비스무스의 산화물, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 안티몬 비스무스계 산화물, 지르코늄 비스무스계 산화물, 지르코늄 마그네슘계산화물, 마그네슘 알루미늄계 산화물, 안티몬 마그네슘계 산화물, 안티몬 알루미늄계 산화물, 안티몬 지르코늄계 산화물, 지르코늄 알루미늄계 산화물, 비스무스 마그네슘계 산화물, 비스무스 알루미늄계 산화물 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
상기 이온 포착제는 상기 반도체용 접착 필름 내부에 존재하는 금속 이온 또는 할로겐 이온 등을 흡착하는 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 상기 접착 필름과 접촉하는 배선의 전기적 신뢰성을 증진시킬 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물 중 이온 포착제의 함량이 크게 제한되는 것은 아니나, 전이 금속 이온과의 반응성, 작업성 및 상기 상기 반도체용 접착 필름 중량을 기준으로 0.01 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.01 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
한편, 상기 반도체용 접착 필름은 커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 커플링제 및 무기 충진제의 구체적이 예가 한정되는 것은 아니며, 반도체 패키징용 접착제에 사용될 수 있는 것으로 알려진 성분을 큰 제한 없이 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 구현예의 반도체용 접착 필름은 상기 고분자 기재에 분산된 방열 필러;를 포함할 수 있다.
상기 방열 필러는 반도체용 접착 필름에 사용되어 전기 소자 등에서 발생하는 열을 빠르게 힛싱크 등으로 전달하는 작용 또는 효과를 발휘할 수 있다. 이러한 방열 필러의 구체적인 예로 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화알미늄(AlN), 탄화규소(SiC), 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 수산화알미늄(Al(OH)3) 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.
이와 같이, 상술한 특정 조성의 고분자 기재와 더불어 방열 필러를 포함하는 반도체용 접착 필름은 저온 분단성이 우수하고 내열성이 높아 신뢰성 수준이 높은 특징을 가질 수 있다.
한편, 상기 반도체용 접착 필름은 각각 1 ㎛ 내지 300 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 반도체용 접착 필름은 각각 1 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 반도체용 접착 필름은 각각 300 ㎛ 이하, 또는 100 ㎛ 이하, 또는 90 ㎛ 이하, 또는 70 ㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적용되어 보다 안정적인 구조 및 우수한 내열성 및 내충격성 등의 기계적 물성을 구현하며, 또한 리플로우 균열 등을 방지할 수 있고, 특히 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드(void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있다.
또한, 상기 반도체용 접착 필름은 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가져서 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법, 예를 들어 DBG(Dicing Before Grinding)에도 적용 가능하며, 또한 저온에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재점착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을 높일 수 있다.
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름(DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 접착 필름은 다이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
한편, 발명의 다른 구현예 따르면, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공될 수 있다.
상기 상기 반도체용 접착 필름에 관한 구체적인 내용은 상술한 바와 같다.
한편, 상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체, 폴리프로필렌의 블록 공중합체, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-메타크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 상기에서 2종 이상의 고분자가 혼합물이 포함되는 기재 필름의 의미는, 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함한다.
상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 10 ㎛내지 200 ㎛, 바람직하게는 50 ㎛내지 180㎛의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 ㎛미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이(cut depth)의 조절이 불안해 질 우려가 있고, 200 ㎛를 초과 하면, 다이싱 공정에서 버(burr)가 다량 발생하게 되거나, 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 기재필름에는 필요에 따라 매트처리, 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
한편, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여, 점착제의 응집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고, 열 경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.
아울러, 상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제, 및 가교제를 포함할 수 있다.
상기에서 (메타)아크릴레이트계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.
이러한 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸 헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다.
또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
또한, 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 100 내지 300,000, 또는 500 내지 100,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. 상기 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.
또한, 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.
상기 점착층에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
이때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터, 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60 내지 200의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 범위일 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 접착층은 상기 점착층 상에 형성되며 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 관한 내용은 상술한 사항을 모두 포함한다.
상기 접착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 또는 3 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위일 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.
이형필름은 통상 10 ㎛내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛내지 200 ㎛정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재필름상에 점착부, 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법, 또는 다이싱필름(기재필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고, 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫롤라미네이트법은 10내지 100의 온도에서 0.1 Kgf/㎠내지 10 Kgf/㎠의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼;를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함한다.
상기 다이싱 방법의 세부 단계에 관한 내용을 제외하고, 통상적으로 알려진 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 사용되는 장치, 방법 등을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 과정이 후행된다.
상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 사용함에 따라서, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버(burr) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 향상된 경화 물성으로 반도체 칩의 신뢰성을 높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라 우수한 열전도 특성을 구현할 수 있는 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
또한, 상기 반도체용 접착 필름은 다양한 반도체 패키지 제조 방법으로 적용 가능하며, 반도체 팁과 기판이나 하층의 칩 등의 지지 부재와의 접착 공정에서 높은 신뢰성을 확보하게 하며, 반도체 패키지에서 반도체 팁을 실장시 요구되는 내열성, 내습성 및 절연성을 확보하면서 우수한 작업성을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 높은 기계적 물성, 내열성 및 내충격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가지며 기판, 반도체 웨이퍼 및/또는 다이싱 다이본딩 필름 간의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있고 우수한 열전도 특성을 갖는 다이싱 다이본딩 필름과 상기 다이싱 다이본딩 필름이 장착된 반도체 웨이퍼와, 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
발명의 구체적인 구현예를 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명의 구체적인 구현예를 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[합성예 1: 열가소성 수지1의 합성]
톨루엔 100g에 부틸 아크릴레이트 70g, 아크릴로니트릴 15g, 글리시딜 메타크릴레이트 5g 및 벤질메타크릴레이트 10g을 혼합하여 80℃에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트 수지1 (중량평균분자량 약 40만, 유리전이온도 10 ℃)를 합성하였다.
그리고, 상기 아크릴레이트 수지1를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 냉각시키고 0.1N KOH 메탄올 용액으로 적정하여 수산기 당량이 약 0.03eq/kg 인 점을 확인하였다.
[합성예 2: 열가소성 수지2의 합성]
톨루엔 100g에 부틸 아크릴레이트 65g, 아크릴로니트릴 15g, 글리시딜 메타크릴레이트 5g 및 벤질메타크릴레이트 15g을 혼합하여 80℃에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트 수지2 (중량평균분자량 약 20만, 유리전이온도 14 ℃)를 합성하였다.
그리고, 상기 아크릴레이트 수지1를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 냉각시키고 0.1N KOH 메탄올 용액으로 적정하여 수산기 당량이 약 0.03eq/kg 인 점을 확인하였다.
[합성예 3: 열가소성 수지3의 합성]
톨루엔 100g에 부틸 아크릴레이트 60g, 아크릴로니트릴 15g, 글리시딜 메타크릴레이트 5g 및 벤질메타크릴레이트 20g을 혼합하여 80℃에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트 수지2 (중량평균분자량 약 52만, 유리전이온도 15 ℃)를 합성하였다.
그리고, 상기 아크릴레이트 수지1를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 냉각시키고 0.1N KOH 메탄올 용액으로 적정하여 수산기 당량이 약 0.03eq/kg 인 점을 확인하였다.
[실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3: 반도체용 접착 필름의 제조]
실시예1
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KA-1160(DIC사 제품, 크레졸 노볼락 수지, 수산기 당량 190 g/eq, 연화점: 65 ℃) 4g, 에폭시 수지 EOCN-103S(일본 화약 제품, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 214 g/eq, 연화점: 80 ℃) 2g, 액상 에폭시 수지 RE-310S(일본 화학 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq) 5g, 알루미나 필러 CB-P05와 DAW-05를 혼합한 필러 85g을 메틸 에틸 케톤 용매하에서 밀링기를 이용하여 밀링하였다.
이후 이 혼합물에 합성예 1의 열가소성 아크릴레이트 수지 1(Mw: 52만, 유리전이온도: 10℃) 4g, 실란 커플링제 A-187(GE 도시바 실리콘, 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란) 0.1g, 경화 촉진제 DICY 0.1g, 2MA-OK 0.1g 를 넣고 2시간 동안 추가로 밀링하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액(고형분 80중량％ 농도)을 얻었다. 이 밀링액을 자동 도공기를 이용하여 필름두께가 20㎛의 필름을 얻었다,
실시예 2 내지 3 및 비교예 1 내지 2
하기 표1의 성분을 사용한 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 접착 필름을 제조하였다.
| 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
| KA-1160 | 4 | 3 | 4 | 4 | |
| KPH-3075 | 4 | ||||
| RE-310S | 5 | 4 | 5 | 5 | 5 |
| EOCN-103S | 2 | 2 | 1 | 2 | 2 |
| CB-P05 | 62 | 55 | 55 | 62 | 55 |
| DAW-05 | 23 | 30 | 30 | 23 | 30 |
| 아크릴 수지 1 | 4 | ||||
| 아크릴 수지 2 | 4 | ||||
| 아크릴 수지 3 | 6 | ||||
| KG-3015P | 4 | ||||
| KG-3096 | 4 |
(사용 성분의 설명)
KA-1160: 크레졸 노볼락 수지(DIC 사, 연화점 약 90℃, 수산기 당량: 110 g/eq)
KPH-75: 자일록 노롤락 수지(DIC 사, 연화점 약 75℃, 수산기 당량: 175 g/eq)
RE-310S: 비스페놀A 에폭시 수지(에폭시 당량 218 g/eq,액상)
EOCN-104S: 크레졸노볼락에폭시(일본화약㈜, 에폭시 당량: 180 g/eq, 연화점: 90℃)
NC-3000-H: 바이페닐 노볼락 에폭시 수지(에폭시 당량 180 g/eq, 연화점 65 ℃)
<충진제>
CB-P05:쇼와덴코사 알루미나 필러, 평균 입경 5㎛
DAW-05:덴카사의 알루미나 필러, 평균 입경 0.5㎛
<아크릴레이트 수지>
KG-3015: 아크릴레이트계 수지(글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 3 중량%, 중량평균분자량 약 87만 유리전이온도: 10℃)
KG-3096: 아크릴레이트계 수지(글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 3 중량%, 중량평균분자량 약 75만 유리전이온도: 17℃)
<첨가제>
DICY: Dicyandiamide
2MAOK: Imidazole-based hardening accelerator
실험예
실험예 1. 접착 필름의 평탄화 처리 및 표면 거칠기 측정
상기 실시예 및 비교예에서 코팅으로 얻은 필름을 70℃ SUS ROLL열라미기를 통과시켜 표면을 평탄화하였다. 그리고, 평탄화 정도는 Optical profiler를 이용하여 필름 표면의 거칠기(roughness)를 측정하였다.
실험예 2. 접착 필름의 열전도도 측정
상기 실험예1에 각각 얻어진 접착 필름을 고무롤 라미기를 이용하여 600 ㎛ 두께가 될 때까지 적층하였다. 이렇게 얻은 필름은 경화하여 최종적으로 경화필름을 얻었다. 그리고, 10mm*10mm단위로 시편을 제조하고 Lazer flash 방식의 열전도도기기 LFA467를 이용하여 열전도도를 측정하였다.
실험예 3. 필름의 점도측정
상기 실험예1에 각각 얻어진 접착 필름을 고무롤 라미기를 이용하여 600 ㎛ 두께가 될 때까지 적층하였다. 그리고, 얻어진 적층 필름을 8mm 원형시편을 제조한 후에 TA사의 ARES-G2를 이용하여 점도를 측정하였다.
실험예 4. 웨이퍼 젖음성 측정
상기 실험예1에 각각 얻어진 접착 필름을 필름을 지름 22 ㎝의 원형으로 제조하였다. 이와 같이 제조된 원형 필름을 점착층이 코팅된 PO필름에 라미하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
그리고, 이와는 별도로 80 ㎛ Wafer를 다이싱 필름에 라미네이트하고 8mm*8mm의 크기로 자른 이후, 마운팅 기기를 이용하여 70℃에서 분단된 웨이퍼와 접착필름 열라미를 실시하면서 접착필름의 미접착 여부를 판별하였다.
실험예 5. 경화중 잔존 보이드제거 모사실험
상기 실험예1에 각각 얻어진 접착 필름을 필름을 지름 22 ㎝의 원형으로 제조하였다. 이와 같이 제조된 원형 필름을 점착층이 코팅된 PO필름에 라미하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
그리고, 마운팅 기기를 이용하여 70℃에서 웨이퍼와 열라미를 실시하고, 이후 12mm*10mm의 크기로 웨이퍼와 접착필름을 다이싱하였다.
PCB위에 상기 얻어진 다이 본딩 필름을 다이 어때치하고 7기압, 135℃ 30분 가압경화를 실시하고, 초음파 이미지 장치를 이용하여 PCB 전체를 스캐닝하여 방열필름의 매립성을 평가하였다.
| 실시 예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 비교예1 | 비교예1 | ||
| 필름roughness | nm | 20 | 15 | 15 | 70 | 60 |
| 열전도도 | w/mK | 2.05 | 2.2 | 2.2 | 1.7 | 1.85 |
| b-stage Viscosity | Pas@70℃ | 47558 | 33445 | 39445 | 53269 | 52177 |
| Pas@120℃ | 5378 | 5163 | 5863 | 12000 | 11800 | |
| 웨이퍼 미접착 부분 | % | 0 | 0 | 0 | 20 | 15 |
| 매립성 | % | 100 | 100 | 100 | 80 | 90 |
상기 표2에서 확인되는 바와 같이, 제조예 1 내지 3의 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함한 고분자 기재와 방열 필러를 사용하여 제조되는 실시예 1 내지 3의 접착 필름이 보다 균일한 표면 특성을 가지면서 높은 열전도도, 웨이퍼에 대한 높은 접착력 및 우수한 매립성을 갖는다는 점이 확인되었다.
이에 반해, 비교예 1 및 2의 접착 필름은 웨이퍼에 대한 접착력이나 매립성이 실시예 대비 낮은 수준이며, 또한 열전도도 또한 상대적으로 낮은 것으로 확인되었다.
Claims (13)
- 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위(BzMA)를 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지, 페놀 수지를 포함한 경화제 및 에폭시 수지를 포함하는 고분자 기재; 및
상기 고분자 기재에 분산된 방열 필러;를 포함하고,
상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 작용기의 함량이 2 내지 40중량%인,
반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 수산기 당량이 0.15 eq/kg 이하인, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 -10℃ 내지 20℃의 유리전이온도 및 30,000 내지 1,500,000의 중량평균분자량을 갖는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 방열 필러는 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화알미늄(AlN), 탄화규소(SiC), 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO) 및 수산화알미늄(Al(OH)3)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 고분자 기재는 상기 방열 필러 0.1 내지 50중량%를 포함하는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.55 내지 0.95인, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 상기 방향족 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 작용기를 3 내지 30중량% 포함하는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 방향족 작용기는 탄소수 6 내지 20의 아릴기(aryl); 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기를 포함하는 아릴알킬렌기;인, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 페놀 수지는 100℃ 이상의 연화점을 갖는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 페놀 수지는 비스페놀 A 노볼락 수지 및 바이페닐노볼락 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지는 연화점이 상이한 2종 이상의 에폭시 수지를 포함하는, 반도체용 접착 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 반도체용 접착 필름은 1 ㎛ 내지 300 ㎛의 두께를 갖는, 반도체용 접착 필름.
- 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 제1항의 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층;을 포함한 다이싱 다이본딩 필름.
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