KR20190098312A - 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 및 기판 절단 장치의 동작 방법 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100072644 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) INO2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100454372 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) LCB2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100489624 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RTS1 gene Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017105 AlOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010303 TiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- HIQSCMNRKRMPJT-UHFFFAOYSA-J lithium;yttrium(3+);tetrafluoride Chemical compound [Li+].[F-].[F-].[F-].[F-].[Y+3] HIQSCMNRKRMPJT-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
기판 절단용 스테이지는, 제1 부분, 제2 부분, 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 절단 부분을 포함하는 기판 중 상기 제1 부분이 배치된 메인 스테이지, 상기 제2 부분이 배치되고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 상기 절단 부분에 중첩하는 절단 영역을 사이에 두고 상기 메인 스테이지와 이격되는 더미 스테이지를 포함한다.
Description
본 발명은 절단 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 및 기판 절단 장치의 동작 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 디스플레이 장치(display device)는 유기 발광 디스플레이(organic light emitting display, OLED), 액정 디스플레이(liquid crystal display, LCD), 전기영동 디스플레이(electrophoretic display, ED), 표면 전도형 전자 방출 소자 디스플레이(surface-conduction electron-emitter display, SED), 진공 형광 디스플레이(vaccum fluorescent display panel, VFD) 등을 포함한다.
디스플레이 장치는 스마트 폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 랩 탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기와 같은 모바일 장치나, 슬림형 텔레비전, 전시용 디스플레이, 광고판과 같은 전자 제품에 이용할 수 있다.
최근 들어서는, 보다 슬림화된 디스플레이 장치를 제조하기 위하여 연구중이다. 이중에서, 휴대하기가 용이하고, 다양한 형상의 장치에 적용할 수 있도록 플렉서블 디스플레이 장치(Flexible display device)가 차세대 디스플레이 장치로 각광받고 있다. 이중에서, 유기 발광 디스플레이 기술을 기반으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치가 가장 유력한 디스플레이 장치로 유력시되고 있다.
한편, 디스플레이 장치는 절단 공정을 거치게 된다. 절단 공정시, 기판 상에 발생하는 불순물을 원활하게 제거할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 기판 절단 공정에 따라, 기판 절단용 스테이지에 쌓인 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 및 기판 절단 장치의 동작 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지는, 제1 부분, 제2 부분, 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 절단 부분을 포함하는 기판 중 상기 제1 부분이 배치된 메인 스테이지, 상기 제2 부분이 배치되고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 상기 절단 부분에 중첩하는 절단 영역을 사이에 두고 상기 메인 스테이지와 이격되는 더미 스테이지를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 상기 메인 스테이지를 에워싼다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 절단 부분은 상기 제1 부분을 에워싼다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 상기 기판의 두께 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 평면에 대해 경사지도록 회전 가능한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 상기 메인 스테이지의 측면들 중 일 측면을 노출하고, 상기 메인 스테이지의 상기 측면들 중 나머지 측면들을 에워싸는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 제1 방향에서 서로 마주하는 제1 더미 부분 및 제2 더미 부분과 상기 제1 더미 부분의 일단 및 상기 제2 더미 부분의 일단을 연결하는 제3 더미 부분을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판은 제1 방향에서 서로 마주하는 제1 측면 및 제2 측면과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 서로 마주하는 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고, 상기 더미 스테이지는 상기 제1 측면 및 상기 제3 측면에 인접한 상기 기판의 제1 모서리 영역에 중첩하는 제1 더미 부분 및 상기 제2 측면 및 상기 제3 측면에 인접한 상기 기판의 제2 모서리 영역에 중첩하는 제2 더미 부분을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 절단 영역은 상기 제1 더미 부분 및 상기 메인 스테이지 사이의 제1 절단 영역 및 상기 제2 더미 부분 및 상기 메인 스테이지 사이의 제2 절단 영역을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 절단 영역은 상기 제1 방향에 평행한 제1 절단 라인 및 상기 제2 방향에 평행한 제2 절단 라인을 포함하고, 상기 제2 절단 영역은 상기 제1 방향에 평행한 제3 절단 라인 및 상기 제2 방향에 평행한 제4 절단 라인을 포함한다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 실시 예에 따른 기판 절단 장치는, 기판이 배치된 기판 절단용 스테이지, 상기 기판에 정의된 절단 영역에 레이저를 조사하는 레이저 모듈을 포함하고, 상기 기판 절단용 스테이지는, 제1 부분, 제2 부분, 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 절단 부분을 포함하는 기판 중 상기 제1 부분이 배치된 메인 스테이지, 상기 제2 부분이 배치되고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 상기 절단 부분에 중첩하는 절단 영역을 사이에 두고, 상기 메인 스테이지와 이격되는 더미 스테이지를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 평면에 대해 경사지도록 회전 가능한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 제1 방향에서 서로 마주하는 제1 더미 부분 및 제2 더미 부분과, 상기 제1 더미 부분 및 상기 제2 더미 부분을 연결하는 제3 더미 부분을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 더미 부분들은 상기 메인 스테이지를 에워싼다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 실시 예에 따른 기판 절단 장치의 동작 방법은, 더미 스테이지 및 메인 스테이지를 포함하는 기판 절단용 스테이지 상에 기판을 배치하는 단계, 상기 기판에 정의된 절단 영역을 따라 레이저를 조사하는 단계, 상기 기판의 두께 방향에서, 상기 메인 스테이지와 다른 높이를 갖도록 상기 더미 스테이지를 이동시키는 단계, 상기 더미 스테이지를 평면에 대해 경사지도록 회전시키는 단계를 포함하고, 상기 더미 스테이지는 상기 절단 영역을 사이에 두고 상기 메인 스테이지와 서로 이격된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 레이저가 상기 절단 영역에 조사됨에 따라, 상기 기판은 상기 메인 스테이지 상에 배치된 제1 부분 및 상기 더미 스테이지 상에 배치된 제2 부분을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지가 회전된 후에, 상기 더미 스테이지 상에 배치된 상기 제2 부분을 바를 통해 제거하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 절단 영역은 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분의 사이에 정의되며, 상기 절단 영역은 상기 제1 부분을 에워싼다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 메인 스테이지와 다른 높이를 갖도록 상기 더미 스테이지가 이동됨에 따라, 상기 메인 스테이지와 상기 더미 스테이지는 상기 두께 방향과 수직하는 방향에서 서로 비중첩하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 더미 스테이지는 상기 메인 스테이지를 사이에 두고 서로 이격된 제1 더미 부분 및 제2 더미 부분을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 절단 영역은 상기 제1 더미 부분과 상기 메인 스테이지 사이에 중첩한 제1 절단 영역 및 상기 제2 더미 부분과 상기 메인 스테이지 사이에 중첩한 제2 절단 영역을 포함하고, 상기 레이저는 상기 제1 절단 영역 및 상기 제2 절단 영역 각각에 조사된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 절단 후에 더미 스테이지 상에 쌓인 이물질이 효율적으로 제거될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판이 절단된 후에, 기판 절단용 스테이지의 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 기판 절단용 스테이지의 분해 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 따른 더미 스테이지의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치의 동작 방법이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 사시도이다.
도 9는 도 8에 도시된 기판 절단용 스테이지의 분해 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 더미 스테이지의 사시도이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치를 이용하여 제조되는 표시장치의 일 부분을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판이 절단된 후에, 기판 절단용 스테이지의 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 기판 절단용 스테이지의 분해 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 따른 더미 스테이지의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치의 동작 방법이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 사시도이다.
도 9는 도 8에 도시된 기판 절단용 스테이지의 분해 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 더미 스테이지의 사시도이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치를 이용하여 제조되는 표시장치의 일 부분을 보여주는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들 의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 절단 장치(SCD)는 기판 절단용 스테이지(SCS), 레이저 모듈(LR), 및 제어부(CT)를 포함한다.
기판 절단용 스테이지(SCS) 상에 기판(PS)이 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 기판(PS)은 기판 절단 장치(SCD)에 의해 절단 영역(CA)이 절단 되기 이전의 기판일 수 있다.
기판(PS)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 기판(PS)의 법선 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 제3 방향(DR3)은 기판(PS)의 두께 방향을 지시한다. 본 발명의 설명에 따른 각 부재들의 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 반대되는 방향으로 변환될 수 있다.
기판(PS)은 절단 영역(CA)을 사이에 두고 서로 이격된 제1 부분 및 제2 부분과, 절단 영역(CA)에 대응하는 절단 부분을 포함할 수 있다. 이하, 제1 부분은 실제 표시장치에 적용되는 구성이며, 제2 부분은 절단 공정 후에 발생한 잔여물인 것으로 설명된다.
한편, 예시적으로, 기판(PS)은 표시모듈을 의미할 수 있다. 표시모듈은 영상을 표시하는 표시패널 및 외부의 입력을 감지하는 입력 감지 유닛 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 기판(PS)은 표시모듈에 포함된 단일 베이스기판을 의미할 수 있다.
레이저 모듈(LR)은 레이저를 출사하는 레이저 빔 발생부(미도시), 레이저의 경로에 설치된 광학계(미도시)를 포함할 수 있다. 레이저 빔 발생부는 루비 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저 (yttrium aluminum garnetlaser) YLF 레이저(yttrium lithium fluoride laser)와 같은 고체 레이저나, 엑시머 레이저(excimer laser), 헬륨-네온 레이저(helium-neon laser, He-Ne laser)와 같은 기체 레이저나, 펄스화된 레이저를 포함한다.
광학계는 레이저 빔 발생부로부터 발생된 레이저의 진행 경로에 위치할 수 있다. 광학계는 레이저의 형상을 균질화시키는 호모지나이저(homogenizer), 또는, 레이저 빔을 포커싱하기 위한 집광 렌즈를 포함할 수 있다. 또한, 광학계는 레이저의 경로에 설치되어 레이저의 각도를 변환시키는 적어도 하나 이상의 미러(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 미러는 입력 전압의 변화에 따라 선형적으로 각도가 변할 수 있는 갈바노 미러, 또는, 반사미러를 포함한다.
제어부(CT)는 레이저 모듈(LR)의 위치를 제어하거나, 출사되는 레이저의 세기 및 크기를 제어할 수 있다. 제어부(CT)는 기판(PS)의 절단 영역(CA)을 따라 레이저가 기판(PS)에 조사되도록 레이저 모듈(LR)의 위치를 이동시킬 수 있다. 레이저 모듈(LR)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 이동할 수 있다.
또한, 제어부(CT)는 레이저가 기판(PS)을 절단할 수 있는 세기를 가지도록 레이저의 세기를 조정할 수 있다. 제어부(CT)는 기 설정된 레이저의 세기 또는 크기나 작업자가 입력한 레이저의 세기 또는 크기에 따라 레이저 빔 발생부에서 발진되는 레이저의 크기 및 세기를 제어할 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 절단용 스테이지(SCS)는 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS)를 포함한다.
실시 예에 따르면, 더미 스테이지(DS)는 개구부(OS)를 포함할 수 있다. 평면상에서, 더미 스테이지(DS)는 사각 형상의 개구부(OS)를 에워싸는 형상을 가질 수 있다. 메인 스테이지(MS)는 개구부(OS) 내에 배치되며, 더미 스테이지(DS)에 의해 에워싸일 수 있다.
메인 스테이지(MS)는 사각 형상을 가질 수 있다. 메인 스테이지(MS)의 측면들은 더미 스테이지(DS)의 내측면들과 각각 마주할 수 있다. 일 예로 메인 스테이지(MS)가 사각 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 메인 스테이지(MS)의 형상은 표시모듈의 형상에 대응하여 다양하게 형성될 수 있다.
개구부(OS)는 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS) 사이의 공간으로 정의되며, 절단 영역(CA)에 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 기판(PS)은 메인 스테이지(MS) 상에 배치되며, 더미 스테이지(DS) 상에 일 부분 배치될 수 있다. 이 경우, 기판(PS)의 면적 중 적어도 60% 이상이 메인 스테이지(MS) 상에 배치될 수 있다.
앞서 설명된 기판(PS)의 제1 부분은 메인 스테이지(MS) 상에 배치될 수 있으며, 제2 부분은 더미 스테이지(DS) 상에 배치될 수 있다. 제1 부분 및 제2 부분을 연결하는 절단 부분은 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS) 사이의 공간, 즉 개구부(OS)에 중첩할 수 있다.
한편, 레이저 모듈(LR)에 의해 레이저가 기판(PS)의 절단 영역(CA)에 조사될 경우, 절단 영역(CA)에 중첩한 절단 부분으로부터 이물질이 발생할 수 있다. 이물질은 절단 부분이 절단되면서 발생하는 흄(fume)이나 파티클을 포함할 수 있다.
절단 부분으로부터 발생된 이물질은 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS) 사이의 공간으로 떨어질 수 있다. 도시되지 않았지만, 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS) 사이의 공간 하부에는 이물질을 흡입하는 흡수 부재가 배치될 수 있다.
그러나, 절단 부분으로부터 발생된 이물질이 더미 스테이지(DS) 상면에 떨어질 경우, 후속 기판의 절단 공정 전에 더미 스테이지(DS) 상에 배치된 이물질을 제거하기 위한 공정이 선행된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한 평면상에서 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS)는 서로 이격될 수 있다. 메인 스테이지(MS)는 더미 스테이지(DS)와 서로 비접촉하며, 메인 스테이지(MS)는 제3 방향(DR3)에서 메인 스테이지(MS)와 다른 높이를 갖도록 이동될 수 있다.
특히, 더미 스테이지(DS) 상면에 쌍인 기판(PS)의 절단 부분으로부터 발생된 이물질을 제거하기 위해, 더미 스테이지(DS)가 평면에 대해 경사지도록 회전될 수 있다. 그 결과, 더미 스테이지(DS)의 상면은 경사면으로 제공될 수 있다. 더미 스테이지(DS)가 회전됨에 따라 더미 스테이지(DS) 상에 쌓인 이물질이 경사면을 따라 이동될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치의 동작 방법이다. 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 사시도이다. 도 5는 도 4에 도시된 기판 절단용 스테이지의 분해 사시도이다. 도 6은 도 5에 도시된 따른 더미 스테이지의 사시도이다.
이하, 도 3 내지 도 6을 통해 기판 절단 장치의 동작 방법 및 더미 스테이지(DS)의 상면에 쌓인 이물질을 제거하기 위한 방식이 설명된다.
먼저, 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 단계(S110)에서, 기판 절단용 스테이지(SCS) 상에 절단 영역(CA)이 정의된 기판(PS)이 배치될 수 있다. 기판(PS)은 평면상에서 서로 이격된 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS) 상에 각각 배치될 수 있다. 앞서 도 2를 통해 설명된 기판(PS)의 절단 부분 및 제2 부분이 제거될 수 있다.
제2 단계(S120)에서, 레이저 모듈(LR, 도1 참조)은 기판(PS)에 정의된 절단 영역(CA)을 따라 레이저를 조사할 수 있다. 그 결과, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(PS)은 메인 스테이지(MS) 상에 배치된 제1 부분(PN) 및 더미 스테이지(DS) 상에 배치된 제2 부분(PD)으로 분리될 수 있다. 절단 영역(CA)에 대응하는 기판(PS)의 절단 부분은 메인 스테이지(MS) 및 더미 스테이지(DS) 사이의 공간으로 떨어지거나, 레이저 조사에 의해 더미 스테이지(DS) 상에 이물질로 쌓일 수 있다.
제3 단계(S130)에서, 더미 스테이지(DS)는 메인 스테이지(MS)와 다른 높이를 갖도록 제3 방향(DR3)을 따라 이동될 수 있다. 자세하게, 도 5를 참조하면, 더미 스테이지(DS)는 제3 방향(DR3)을 따라 수직 하강될 수 있다. 이하, 본 발명의 설명에 따르면, 더미 스테이지(DS)가 제3 방향(DR3)을 따라 수직 하강하는 것으로 설명되지만, 더미 스테이지(DS)는 제3 방향(DR3)을 따라 수직 상승할 수 도 있다.
더미 스테이지(DS)가 제3 방향(DR3)을 따라 이동될 경우, 더미 스테이지(DS)는 제3 방향(DR3)에 수직한 제2 방향(DR2) 또는 제1 방향(DR1)에서 메인 스테이지(MS)와 비중첩할 수 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 더미 스테이지(DS)는 이동 기구에 의해 지지될 수 있다. 더미 스테이지(DS)는 이동 기구와 결합되어 제3 방향(DR3)을 따라 상승 또는 하강될 수 있다.
제4 단계(S140)에서, 도 6을 참조하면, 더미 스테이지(DS)의 일단이 평면으로부터 제3 방향(DR3)으로 이격될 수 있다. 앞서 상술된 바와 같이, 평면은 더미 스테이지(DS)의 하면을 지지하는 면일 수 있으며, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에서 정의된 면과 평행한 면일 수 있다.
상술된 바를 통해, 더미 스테이지(DS)는 평면에 대해 경사지도록 회전될 수 있다. 더미 스테이지(DS)가 회전됨에 따라 더미 스테이지(DS) 상에 배치된 기판(PS)의 제2 부분 및 절단 부분으로부터 발생된 이물질이 더미 스테이지(DS)의 경사면을 따라 이동될 수 있다.
제5 단계(S150)에서, 더미 스테이지(DS) 상에 쌓인 이물질을 바(BR)를 통해 제거할 수 있다. 이 경우, 바(BR)는 더미 스테이지(DS)의 상면에 배치되어, 더미 스테이지(DS)의 경사면을 따라 이동될 수 있다. 한편, 제5 단계(S150)는 실시 예에 따라 생략될 수도 있다.
한편, 일 예로, 더미 스테이지 및 메인 스테이지가 서로 분리되지 않는 일체형으로 제공되는 경우, 절단 공정 후에 발생된 이물질을 제거하기 위해 기판 절단용 스테이지가 전체적으로 외부 기구에 의해 옮겨져야 한다. 그 결과, 공정 속도가 저하될 수 있다.
그러나, 상술된 바와 같이, 본 발명의 더미 스테이지(DS)는 메인 스테이지(MS)와 다른 높이를 갖도록 제3 방향(DR3)으로 이동될 수 있다. 또한, 더미 스테이지(DS)가 회전됨에 따라, 기판(PS)의 절단 공정에 의해 더미 스테이지(DS)의 상면에 쌓인 이물질 및 기판(PS)의 절단 부분, 즉 제2 부분(PD)이 더미 스테이지(DS)의 경사면을 통해 미끄러질 수 있다. 그 결과, 더미 스테이지(DS)에 쌓인 이물질 또는 기판(PS)의 제2 부분(PD)이 효과적으로 더미 스테이지(DS)로부터 제거될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 평면도이다.
도 7을 참조하면, 기판 절단용 스테이지(SCS1)는 메인 스테이지(MS1) 및 더미 스테이지(DS1)를 포함한다. 도 7에 도시된 기판 절단용 스테이지(SCS1)는 도 2에 도시된 기판 절단용 스테이지(SCS)와 비교하여 메인 스테이지 및 더미 스테이지의 형상이 다를 뿐, 도 3에 도시된 기판 절단 장치의 동작 방식을 동일하게 수행할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 더미 스테이지는 절단 영역(CA)을 사이에 두고 평면상에서 메인 스테이지(MS1)와 이격될 수 있다. 특히, 더미 스테이지는 메인 스테이지(MS1)의 측면들 중 일 측면을 노출시킬 수 있다. 또한, 더미 스테이지는 메인 스테이지(MS1)의 측면들 중 나머지 측면들을 에워쌀 수 있다. 즉, 표시모듈의 형상에 따라 메인 스테이지(MS1) 및 더미 스테이지의 형상이 달라질 수 있다.
자세하게, 더미 스테이지는 제1 방향(DR1)에서 메인 스테이지(MS1)를 사이에 두고 서로 이격된 제1 더미 부분(DS1a) 및 제2 더미 부분(DS1b)과, 제1 더미 부분(DS1a) 및 제2 더미 부분(DS1b)을 연결하는 제3 더미 부분(DS1c)을 포함한다.
제1 더미 부분(DS1a)의 타단 및 제2 더미 부분(DS1b)의 타단 사이에는 메인 스테이지(MS1)의 일 부분이 배치될 수 있다. 메인 스테이지(MS1)의 일 부분이 제1 더미 부분(DS1a)의 타단 및 제2 더미 부분(DS1b)의 타단 사이에 배치됨에 따라, 메인 스테이지(MS1)의 일 측면이 더미 스테이지로부터 노출될 수 있다.
마찬가지로, 서로 연결된 제1 내지 제3 더미 부분들(DS1a~DS1c)은 제3 방향(DR3)을 따라 메인 스테이지(MS1)와 다른 높이를 갖도록 이동될 수 있다. 또한, 절단 공정 후에 더미 스테이지 상에 쌓인 이물질을 제거하기 위해, 제1 내지 제3 더미 부분들(DS1a~DS1c)은 평면에 대해 경사지도록 회전될 수 있다. 그 결과, 제1 내지 제3 더미 부분들(DS1a~DS1c)의 상면이 경사면으로 제공될 수 있으며, 제1 내지 제3 더미 부분들(DS1a~DS1c) 에 쌓인 이물질이 경사면을 따라 이동될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 절단용 스테이지의 사시도이다. 도 9는 도 8에 도시된 기판 절단용 스테이지의 분해 사시도이다. 도 10은 도 9에 도시된 더미 스테이지의 사시도이다.
도 8을 참조하면, 기판 절단용 스테이지(SCS2)는 메인 스테이지(MS2), 제1 더미 부분(DS2a), 및 제2 더미 부분(DS2b)을 포함한다.
기판(PS2)은 기판 절단용 스테이지(SCS2) 상에 배치될 수 있다. 기판(PS2)은 실제 표시모듈의 형상에 대응하는 제1 부분(PN2), 제1 절단 영역(CAa)을 사이에 두고 제1 부분(PN2)과 이격된 제2 부분(PDa), 및 제2 절단 영역(CAb)을 사이에 두고 제1 부분(PN2)과 이격된 제3 부분(PDb)을 포함한다. 실시 예에 따르면, 제2 부분(PDa)과 제3 부분(PDb)은 제1 방향(DR1)에서 제1 부분(PN2)을 사이에 두고 서로 이격될 수 있다.
또한, 기판(PS2)은 제1 방향(DR1)에서 서로 마주하는 제1 측면 및 제2 측면, 제2 방향(DR2)에서 서로 마주하며 제1 측면 및 제2 측면과 각각 연결된 제3 측면 및 제4 측면을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 더미 부분(DS2a)은 제1 측면 및 제3 측면에 인접한 기판(PS2)의 제1 모서리 영역(MAa)에 중첩할 수 있다. 제1 모서리 영역(MAa)은 제1 절단 영역(CAa)에 의해 제1 부분(PN2)으로부터 분리되는 기판(PS2)의 제2 부분(PDa)에 대응된다. 제2 더미 부분(DS2b)은 제2 측면 및 제3 측면에 인접한 기판(PS2)의 제2 모서리 영역(MAb)에 중첩할 수 있다. 제2 모서리 영역(MAb)은 제2 절단 영역(CAb)에 의해 제1 부분(PN2)으로부터 분리되는 기판(PS2)의 제3 부분(PDb)에 대응된다.
제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b)은 제1 방향(DR1)에서 메인 스테이지(MS2)를 사이에 두고 서로 이격될 수 있다. 메인 스테이지(MS2)는 제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b) 사이에 배치된 제1 메인 부분과, 제1 메인 부분으로부터 연장된 제2 메인 부분을 포함할 수 있다. 기판(PS2)의 제1 부분(PN2)은 서로 연결된 제1 메인 부분 및 제2 메인 부분의 형상으로 제공될 수 있다.
실시 예에 따르면, 제1 절단 영역(CAa)은 제1 방향(DR1)에 평행한 제1 절단 라인(CL1a) 및 제1 절단 라인(CL1a)의 일단에 연결되며 제2 방향(DR2)에 평행한 제2 절단 라인(CL2a)을 포함한다. 제1 모서리 영역(MAa)은 제1 절단 라인(CL1a) 및 제2 절단 라인(CL2a)에 의해 제1 부분(PN2)으로부터 분리되는 영역일 수 있다.
제2 절단 영역(CAb)은 제1 방향(DR1)에 평행한 제3 절단 라인(CL1b) 및 제3 절단 라인(CL1b)의 일단에 연결되며 제2 방향(DR2)에 평행한 제4 절단 라인(CL2b)을 포함한다. 제2 모서리 영역(MAb)은 제3 절단 라인(CL1b) 및 제4 절단 라인(CL2b)에 의해 제1 부분(PN2)으로부터 분리되는 영역일 수 있다.
한편, 도 8에 도시된 기판 절단용 스테이지(SCS2)는 도 2에 도시된 기판 절단용 스테이지(SCS)와 비교하여 메인 스테이지 및 더미 스테이지의 형상이 다를 뿐, 도 3에 도시된 기판 절단 장치의 동작 방식을 동일하게 수행할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b)은 제3 방향(DR3)을 따라 수직 하강될 수 있다. 제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b)가 제3 방향(DR3)을 따라 수직 하강하는 것으로 설명되지만, 제3 방향(DR3)을 따라 수직 상승할 수 도 있다. 또한, 제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b)은 동일 방향으로 상승하거나 하강할 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b) 각각의 일단이 평면으로부터 제3 방향(DR3)으로 이격될 수 있다. 따라서, 제1 더미 부분(DS2a) 및 제2 더미 부분(DS2b) 각각은 평면에 대해 경사지도록 회전될 수 있다. 이 경우, 제1 더미 부분(DS2a)이 회전됨에 따라, 제1 더미 부분(DS2a)에 배치된 제2 부분(PDa)이 제1 더미 부분(DS2a)의 경사면을 따라 이동될 수 있다. 마찬가지로, 제2 더미 부분(DS2b)이 회전됨에 따라, 제2 더미 부분(DS2b)에 배치된 제3 부분(PDb)이 제2 더미 부분(DS2b)의 경사면을 따라 이동될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 절단 장치를 이용하여 제조되는 표시장치의 일 부분을 보여주는 단면도이다.
도 11에 도시된 표시장치는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)와, 유기 발광 소자(organic light emitting display device, OLED)를 가질 수 있다. 박막 트랜지스터는 반드시 도 11에 도시된 구조로만 가능한 것은 아니며, 그 수와 구조는 다양하게 변형가능하다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(500)는 기판(510), 표시부(DS), 봉지층(ES) 및 보호층(PS)을 포함할 수 있다. 기판(510)은 플렉서블한 절연성 소재로 형성될 수 있다. 예컨대, 기판(510)은 폴리이미드(polyimide, PI)나, 폴리 카보네이트(polycarbonate, PC)나, 폴리 에테르 설폰(polyethersulphone, PES)이나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET)나, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN)나, 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR)나, 유리섬유 강화플라스틱(fiber glass reinforced plastic, FRP) 등의 고분자 기판일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판(510)은 휘어질 수 있는 두께를 가지는 글래스 기판일 수 있다. 기판(510)은 금속재를 사용할 수도 있다. 기판(510)은 투명하거나, 반투명하거나, 불투명할 수 있다. 기판(510)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(520)이 더 형성될 수 있다.
버퍼층(520)은 산소와 수분을 차단하고, 기판(510)의 표면을 평탄하게 할 수 있다. 버퍼층(520)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy), 알루미늄 옥사이드(AlOx), 알루미늄나이트라이드(AlOxNy) 등의 무기물, 또는, 아크릴, 폴리이미드, 폴리에스테르 등의 유기물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.
버퍼층(520) 상에는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)가 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 박막 트랜지스터는 탑 게이트 트랜지스터(top gate transistor)를 설명하나, 바텀 게이트 트랜지스터(bottom gate transistor) 등 다른 구조의 박막 트랜지스터가 구비될 수 있다.
버퍼층(520) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(530)이 형성된 후, 활성층(530)이 게이트 절연층(540)에 의해 매립된다. 활성층(530)은 소스 영역(531)과 드레인 영역(533)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(532)을 더 포함한다.
활성층(530)은 다양한 물질을 함유하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(530)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(530)은 산화물 반도체를 함유할 수있다. 예를 들면, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 활성층(530)이 비정질 실리콘으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
게이트 절연층(540)의 상면에는 활성층(530)과 대응되는 게이트 전극(550)과 이를 매립하는 층간 절연층(560)이 형성된다.
층간 절연층(560)과 게이트 절연층(540)에 콘택홀(H1)을 형성한 후, 층간 절연층(560) 상에 소스 전극(571) 및 드레인 전극(572)을 각각 소스 영역(531) 및 드레인 영역(533)에 콘택되도록 형성한다.
이렇게 형성된 박막 트랜지스터(TFT)의 상부로는 패시베이션막(570)이 형성되고, 패시베이션막(570) 상부에 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극(581)이 형성된다.
화소 전극(581)은 (반)투명전극 또는 반사전극일 수 있다. (반)투명전극일 경우, 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)로 형성될 수 있다. 반사전극일 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au,Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 포함할 수 있다. 물론 화소 전극(581)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(581)은 패시베이션막(570)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(572)에 콘택된다. 패시베이션막(570)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. 그리고, 패시베이션막(570)은, 공진 효과를 달성할 수 있도록 투명 절연체로 형성되는 것이 바람직하다.
패시베이션막(570) 상에 화소 전극(581)을 형성한 후에는 이 화소 전극(581) 및 패시베이션막(570)을 덮도록 화소 정의막(590)은 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소 전극(581)이 노출되도록 개구된다.
그리고, 적어도 상기 화소 전극(581) 상에 중간층(582) 및 대향 전극(583)이 형성된다. 화소 전극(581)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(583)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(581)과 대향 전극(583)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. 화소 전극(581)과 대향 전극(583)은 상기 중간층(582)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(582)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.
중간층(582)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층([0113] 582)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(HTL:hole transport layer), 전자 수송층(ETL:electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL:electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다.
상술한 실시예에서는 유기 발광층이 각 픽셀별로 별도의 발광 물질이 형성된 경우를 예로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 유기 발광층은 픽셀의 위치에 관계 없이 전체 픽셀에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다.
또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
기판(510)에 표시부(DS)가 형성된 후, 표시부(DS) 상에 봉지층(ES)을 형성할 수 있다. 봉지층(ES)은 복수의 무기층들을 포함하거나, 무기층 및 유기층을 포함할 수 있다.
봉지층(ES)의 상부에는 보호층(PS)이 형성될 수 있다. 보호층(PS)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호층(PS)은 스퍼터링 방법, 이온빔 증착 방법(Ion beam deposiotn), 증발법(Evaporation), 일반적인 화학 기상 증착 방법 등을 통하여 형성될 수 있다. 보호층(PS)은 질화실리콘(SiNx), 질화산화실리콘(SiOxNy), 산화티타늄(TIOx), 질화티타늄(TINx), 질화산화티타늄(TiOxNy), 산화지르코늄(ZrOx), 질화탄탈륨(TaNx), 산화탄탈륨(TaNx), 산화하프늄(HfOx), 산화알루미늄(AlOx) 등의 금속계 산화물 또는 질화물 계열을 포함할 수 있다.
보호층(PS)은 봉지층(ES)의 측면을 완전히 감싸도록 형성될 수 있다. 따라서 보호층(PS)은 봉지층(ES)을 수분이나 산소로부터 차단함으로써 봉지층(ES)의 수명을 증대시킬 수 있다.
표시 장치(500)는 유연성을 가지는 플렉서블한 표시 장치와 강성을 가지는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
SCS: 기판 절단용 스테이지
PS: 기판
LR: 레이저 모듈
CT: 제어부
MS: 메인 스테이지
DS: 더미 스테이지
PS: 기판
LR: 레이저 모듈
CT: 제어부
MS: 메인 스테이지
DS: 더미 스테이지
Claims (20)
- 제1 부분, 제2 부분, 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 절단 부분을 포함하는 기판 중 상기 제1 부분이 배치된 메인 스테이지; 및
상기 제2 부분이 배치되고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 상기 절단 부분에 중첩하는 절단 영역을 사이에 두고 상기 메인 스테이지와 이격되는 더미 스테이지를 포함하는 기판 절단용 스테이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 상기 메인 스테이지를 에워싸는 기판 절단용 스테이지. - 제 2 항에 있어서,
상기 절단 부분은 상기 제1 부분을 에워싸는 기판 절단용 스테이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 상기 기판의 두께 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 절단용 스테이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 평면에 대해 경사지도록 회전 가능한 것을 특징으로 하는 기판 절단용 스테이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 상기 메인 스테이지의 측면들 중 일 측면을 노출하고, 상기 메인 스테이지의 상기 측면들 중 나머지 측면들을 에워싸는 것을 특징으로 하는 기판 절단용 스테이지. - 제 6 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 제1 방향에서 서로 마주하는 제1 더미 부분 및 제2 더미 부분과 상기 제1 더미 부분의 일단 및 상기 제2 더미 부분의 일단을 연결하는 제3 더미 부분을 포함하는 기판 절단용 스테이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 제1 방향에서 서로 마주하는 제1 측면 및 제2 측면과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 서로 마주하는 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고,
상기 더미 스테이지는 상기 제1 측면 및 상기 제3 측면에 인접한 상기 기판의 제1 모서리 영역에 중첩하는 제1 더미 부분 및 상기 제2 측면 및 상기 제3 측면에 인접한 상기 기판의 제2 모서리 영역에 중첩하는 제2 더미 부분을 포함하는 기판 절단용 스테이지. - 제 8 항에 있어서,
상기 절단 영역은 상기 제1 더미 부분 및 상기 메인 스테이지 사이의 제1 절단 영역 및 상기 제2 더미 부분 및 상기 메인 스테이지 사이의 제2 절단 영역을 포함하는 기판 절단용 스테이지. - 제 9 항에 있어서,
상기 제1 절단 영역은 상기 제1 방향에 평행한 제1 절단 라인 및 상기 제2 방향에 평행한 제2 절단 라인을 포함하고,
상기 제2 절단 영역은 상기 제1 방향에 평행한 제3 절단 라인 및 상기 제2 방향에 평행한 제4 절단 라인을 포함하는 기판 절단용 스테이지. - 기판이 배치된 기판 절단용 스테이지; 및
상기 기판에 정의된 절단 영역에 레이저를 조사하는 레이저 모듈을 포함하고,
상기 기판 절단용 스테이지는,
제1 부분, 제2 부분, 및 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 절단 부분을 포함하는 기판 중 상기 제1 부분이 배치된 메인 스테이지; 및
상기 제2 부분이 배치되고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에 배치된 상기 절단 부분에 중첩하는 절단 영역을 사이에 두고, 상기 메인 스테이지와 이격되는 더미 스테이지를 포함하는 기판 절단 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 평면에 대해 경사지도록 회전 가능한 것을 특징으로 하는 기판 절단 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 제1 방향에서 서로 마주하는 제1 더미 부분 및 제2 더미 부분과, 상기 제1 더미 부분 및 상기 제2 더미 부분을 연결하는 제3 더미 부분을 포함하고,
상기 제1 내지 제3 더미 부분들은 상기 메인 스테이지를 에워싸는 기판 절단 장치. - 더미 스테이지 및 메인 스테이지를 포함하는 기판 절단용 스테이지 상에 기판을 배치하는 단계;
상기 기판에 정의된 절단 영역을 따라 레이저를 조사하는 단계;
상기 기판의 두께 방향에서, 상기 메인 스테이지와 다른 높이를 갖도록 상기 더미 스테이지를 이동시키는 단계; 및
상기 더미 스테이지를 평면에 대해 경사지도록 회전시키는 단계를 포함하고,
상기 더미 스테이지는 상기 절단 영역을 사이에 두고 상기 메인 스테이지와 서로 이격되는 기판 절단 장치의 동작 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 레이저가 상기 절단 영역에 조사됨에 따라, 상기 기판은 상기 메인 스테이지 상에 배치된 제1 부분 및 상기 더미 스테이지 상에 배치된 제2 부분을 포함하는 기판 절단 장치의 동작 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 더미 스테이지가 회전된 후에, 상기 더미 스테이지 상에 배치된 상기 제2 부분을 바를 통해 제거하는 단계를 더 포함하는 기판 절단 장치의 동작 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 절단 영역은 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분의 사이에 정의되며, 상기 절단 영역은 상기 제1 부분을 에워싸는 기판 절단 장치의 동작 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 메인 스테이지와 다른 높이를 갖도록 상기 더미 스테이지가 이동됨에 따라, 상기 메인 스테이지와 상기 더미 스테이지는 상기 두께 방향과 수직하는 방향에서 서로 비중첩하는 것을 특징으로 하는 기판 절단 장치의 동작 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는 상기 메인 스테이지를 사이에 두고 서로 이격된 제1 더미 부분 및 제2 더미 부분을 포함하는 기판 절단 장치의 동작 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 절단 영역은 상기 제1 더미 부분과 상기 메인 스테이지 사이에 중첩한 제1 절단 영역 및 상기 제2 더미 부분과 상기 메인 스테이지 사이에 중첩한 제2 절단 영역을 포함하고,
상기 레이저는 상기 제1 절단 영역 및 상기 제2 절단 영역 각각에 조사되는 기판 절단 장치의 동작 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180017964A KR102572111B1 (ko) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 및 기판 절단 장치의 동작 방법 |
US16/273,551 US11247296B2 (en) | 2018-02-13 | 2019-02-12 | Stage for cutting substrate that includes main stage and dummy stage, substrate-cutting device, and method of operating substrate-cutting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180017964A KR102572111B1 (ko) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 및 기판 절단 장치의 동작 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190098312A true KR20190098312A (ko) | 2019-08-22 |
KR102572111B1 KR102572111B1 (ko) | 2023-08-30 |
Family
ID=67540687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180017964A KR102572111B1 (ko) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 및 기판 절단 장치의 동작 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11247296B2 (ko) |
KR (1) | KR102572111B1 (ko) |
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- 2019-02-12 US US16/273,551 patent/US11247296B2/en active Active
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---|---|
US11247296B2 (en) | 2022-02-15 |
KR102572111B1 (ko) | 2023-08-30 |
US20190247955A1 (en) | 2019-08-15 |
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A201 | Request for examination | ||
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