KR20190095800A - 반도체 발광 소자를 이용한 램프 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 발광소자를 이용한 램프 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자를 이용한 면광원에 관한 것이다. 본 발명에 따른 램프는, 기판, 상기 기판 상에 배치되는 복수의 반도체 발광소자들, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 반도체 발광소자에서 발광된 빛이 입사하는 광입사면 및 입사된 빛이 출력되는 광출력면을 구비하는 광가이드층, 상기 기판과 상기 광가이드층 사이에 배치되며, 상기 광출력면과 마주보는 상기 광가이드층의 일면에 배치되어 빛을 반사하는 제1반사층 및 상기 복수의 반도체 발광소자들과 오버랩 되도록 배치되며, 상기 제1반사층이 배치된 광가이드층의 일면과 다른 일면에 배치되는 제2반사층을 포함하고, 상기 제1반사층은 상기 광입사면과 동일한 면에 배치되고, 상기 제2반사층은 상기 광입사면으로 입사된 빛이 상기 광가이드층을 따라 진행하도록, 상기 광입사면과 비스듬하게 배치되는 것을 특징으로 하는 램프를 제공한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 램프{LAMP USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 발광소자를 이용한 램프 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자를 이용한 면광원에 관한 것이다.
반도체 발광소자를 이용한 면광원은 일반 조명 대비 낮은 소비전력 및 장수명을 가지는 장점으로 평판조명, 백라이트 등 다양한 장소 및 제품에 적용되어 사용되고 있다.
반도체 발광소자를 이용하는 면광원은 크게 직하방식과 에지방식으로 구분되어지고, 에지방식의 경우 적은 수량의 광원으로 얇고 균일한 면광원을 생성 할 수 있는 장점을 가지고 있다. 특히 가전기기, 예를 들면 냉장고에서는 내부 용량 및 단열공간 증가를 위하여 박형조명에 대한 필요성이 증가되고 있다. 인테리어 조명에서도 다양한 디자인을 구현 하기 위하여 고품질 박형 조명에 대한 개발이 진행되고 있다.
에지 방식으로 슬림 조명기구를 구성하기 위해서는 소형 반도체 발광소자와 박형 도광판이 필수적이다. 최근 반도체 발광소자 기술의 발전으로 수십 마이크로 크기의 초소형 칩 및 실장 기술들이 개발되고 있어 초박형 면조명을 위한 광원 기술이 확보되고 있다.
본 발명에서는 가전제품에 적용하기 위한 초박형 면광원 구조를 제시한다.
본 발명의 일 목적은 베젤부 및 두께가 최소화된 면광원 구조를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 일 목적은 램프의 두께를 증가시키지 않고도 방열 성능을 최대화 할 수 있는 면광원 구조를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 램프는, 기판, 상기 기판 상에 배치되는 복수의 반도체 발광소자들, 상기 기판 상에 배치되며, 상기 반도체 발광소자에서 발광된 빛이 입사하는 광입사면 및 입사된 빛이 출력되는 광출력면을 구비하는 광가이드층, 상기 기판과 상기 광가이드층 사이에 배치되며, 상기 광출력면과 마주보는 상기 광가이드층의 일면에 배치되어 빛을 반사하는 제1반사층 및 상기 복수의 반도체 발광소자들과 오버랩 되도록 배치되며, 상기 제1반사층이 배치된 광가이드층의 일면과 다른 일면에 배치되는 제2반사층을 포함하고, 상기 제1반사층은 상기 광입사면과 동일한 면에 배치되고, 상기 제2반사층은 상기 광입사면으로 입사된 빛이 상기 광가이드층을 따라 진행하도록, 상기 광입사면과 비스듬하게 배치되는 것을 특징으로 하는 램프를 제공한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 광가이드층은 상기 광입사면과 비스듬하게 형성되는 측면부를 구비하고, 상기 제2반사층은 상기 측면부 상에 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2반사층과 상기 광입사면이 이루는 각도는 0 초과 및 45도 이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은 빛이 방출되는 발광면을 구비하고, 상기 반도체 발광소자는 상기 발광면이 상기 광가이드층의 두께 방향으로 향하도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2반사층은 상기 발광면 전체를 덮도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 본 발명은 상기 반도체 발광소자들과 상기 기판 사이에 배치되는 제1방열층, 상기 기판을 관통하도록 형성되는 비아 홀, 상기 비아 홀 내에 형성되며, 상기 제1방열층과 접하는 열전달부, 상기 기판 하측에 배치되며, 상기 열전달부와 접하는 제2방열층을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극이 형성되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에서 상기 제1 전극과 수평방향으로 이격 배치되는 제2 전극을 구비할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 열전달부는 상기 제1 및 제2전극과 오버랩되도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 열전달부, 상기 제1 및 제2방열층은 동일한 소재로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 열전달부, 상기 제1 및 제2방열층 각각은 Cu로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 광입사면과 상기 반도체 발광소자 사이에 배치되고, 특정 파장의 빛을 흡수하여 상기 특정 파장과 다른 빛을 방출하는 형광체층을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 형광체층은 필름 형태로 이루어지고, 상기 광입사면에 부착될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자는 청색광을 발광하고, 상기 형광체층은 상기 청색광을 흡수하여 황색광을 방출할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 본 발명은 상기 광가이드층 및 상기 제1반사층 사이에 배치되는 반사 패턴을 더 포함하고, 상기 반사 패턴의 간격은 상기 반도체 발광소자들로부터 멀어질수록 좁아질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 광가이드 층보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 광원부가 램프 하측에 배치되기 때문에, 광가이드층의 하측면을 광입사면으로 활용할 수 있게 된다. 상기 광가이드층의 하측면은 상기 광원부의 발광면보다 큰 면적으로 이루어지기 때문에, 별도의 구조물 없이도 광원의 입광 효율을 높일 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 종래 에지 방식의 램프와 같이 광원부의 입광 효율을 증가시키기 위해 광가이드층의 두께를 증가시킬 필요가 없게 된다. 이를 통해, 본 발명은 광원부의 입광 효율을 증가 시킴과 동시에 램프의 두께를 감소시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 램프의 광원부에서 발생된 열이 빠르게 기판 전체로 확산된 후 외부로 방출되도록 할 수 있다. 이를 통해, 본 발명은 방열층의 두께를 증가시키지 않고도 램프의 방열 효율을 향상 시킬 수 있게 된다.
도 1은 냉장고 내부에 배치된 램프를 나타내는 개념도이다.
도 2는 종래 면광원의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 램프의 사시도이다.
도 4는 도 3의 라인 A-A를 따라 취한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 램프의 분해 사시도이다.
도 6은 도 4의 B 영역에 대한 확대도이다.
도 7은 방열층을 구비하는 램프의 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 램프의 기판을 나타내는 사시도이다.
도 9는 도 8의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 램프에 구비된 방열층을 나타내는 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
한편, 본 명세서에서 설명되는 램프는, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 램프에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
한편, 본 명세서에서 설명되는 램프는 다양한 가전제품에 활용될 수 있다. 예를 들어, 도 1과 같이 본 발명에 따른 램프(10)는 냉장고(1) 내부에 배치될 수 있다. 음식물 보관량을 최대화하기 위해서는 냉장고 내부에 배치되는 구성요소들의 부피를 최소화해야 한다. 본 발명에 따른 램프는 종래 램프보다 그 두께가 얇기 때문에 냉장고의 내부 공간을 효율적으로 확보할 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 램프에 대하여 설명하기에 앞서, 종래 가전제품에 적용되어 왔던 면광원의 구조에 대하여 설명한다.
도 2는 종래 면광원의 단면도이다.
도 2와 같이, 종래 에지 방식의 면광원의 경우, 광원(110)에서 발광된 빛은 광가이드층(140)의 광입사면으로 입사한 후, 광가이드층(140) 하측에 배치된 반사층(120) 및 반사 패턴(130)에서 반사된 후, 광가이드층(140)의 광출력면으로 방출된다. 여기서, 상기 광입사면과 상기 광출력면은 서로 수직하게 형성된다. 광원에서 발광된 빛은 광가이드층(140)의 측면으로 입사하여 상면으로 방출된다.
상술한 에지 방식으로 얇은 두께를 가지는 면광원을 구성하기 위해서는 박형의 광원 및 광학 부품이 필요하다. 특히, 광원은 입광 효율을 높이기 위하여, 상기 광가이드층(140)보다 얇은 두께를 필요로 한다. 구체적으로, 광원에 구비된 발광면 대비 광입사면이 클수록 광원의 입광 효율이 높아진다. 상기 에지 방식의 램프의 경우, 광입사면이 광가이드층 측면에 형성되기 때문에, 광입사면의 면적을 넓히기 위해서는 광가이드층의 두께를 증가시켜야 한다.
하지만, 광원의 크기를 감소시키는 데에는 한계가 있기 때문에 광가이드층(140)의 두께도 일정 수준 이상으로 줄일 수 없다.
한편, 상기 에지 방식에 따르면 광원(110)이 광가이드층(140) 측면에 배치되기 때문에, 램프의 베젤부가 두꺼워질 수밖에 없다. 구체적으로, 상기 광가이드층(140)으로 입사하는 광량을 높이기 위해서는, 상기 광원(110)에서 상기 광가이드층(140)까지의 광경로가 길게 확보되는 것이 유리하다. 이를 위해, 상기 광원(110)과 상기 광가이드층(140) 사이에 광학갭층이 배치될 수 있는데, 상기 광학갭층은 램프의 베젤부를 두껍게하는 요인이 된다.
한편, 반도체 발광소자를 이용한 광원에서는 반도체 발광소자에서 발생되는 열에 의하여 램프의 신뢰성, 수명 및 효율이 감소한다는 문제가 있다. 종래 면광원에서는 광원의 베젤부 및 기판에 방열체를 직접 부착하여 방열 특성을 확보하였으나, 이로 인하여 광원의 베젤부의 두께가 증가하거나, 광원의 두께가 증가한다는 문제가 있었다.
본 발명에서는 방열 특성을 확보함과 동시에 램프의 베젤부의 두께 및 램프의 두께를 최소화할 수 있는 구조를 제시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 램프의 사시도이고, 도 4는 도 3의 라인 A-A를 따라 취한 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 램프의 분해 사시도이고,도 6은 도 4의 B 영역에 대한 확대도이다.
본 발명은 기판(201), 광원부(210), 광가이드층(240), 제1반사층(220) 및 제2반사층(260)을 구비한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 상술한 구성요소들에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 램프(200)의 단면을 참조하면, 기판(201) 상에는 광원부(210)가 배치된다. 상기 광원부(210)는 복수의 반도체 발광소자들을 포함할 수 있다. 본 발명에 활용되는 반도체 발광소자는 크게 두 종류가 있을 수 있다.
먼저, 상기 광원부(210)에는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극, p형 전극이 형성되는 p형 반도체층, p형 반도체층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 n형 반도체층 및 n형 반도체층 상에서 p형 전극과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극을 포함한다. 상술한 플립 칩 타입의 반도체 발광소자의 경우, 상기 p형 및 n형 전극에 전압을 인가하는 전극이 반도체 발광소자의 발광면 하측에 배치되기 때문에, 전극이 반도체 발광소자의 발광면을 가리지 않는다. 따라서, 플립 칩 타입의 반도체 발광소자는 램프의 광량을 높일 수 있다는 장점이 있다.
다른 예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 수직형 반도체 발광소자일 수 있다. 구체적으로, 수직형 반도체 발광소자는 p형 반도체층, p형 반도체층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 n형 반도체층 및 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함한다. 이 경우, n형 전극에 전압을 공급하는 전극은 상기 반도체 발광소자의 발광면 상측에 배치된다. 이에 따라, 전극의 일부가 발광면을 가리게 되지만, 이러한 수직형 반도체 발광소자는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
상기 반도체 발광소자는 발광면을 구비하고, 상기 발광면이 향하는 방향으로 빛이 방출된다. 상기 발광면으로 방출된 빛은 상기 광가이드층(240)을 거쳐 외부로 방출된다.
상기 광가이드층(240)은 광투과성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 광가이드층(240)은 PMMA, 아크릴, PC, Glass 등으로 이루어질 수 있다.
상기 광가이드층(240)은 상기 광원부(210)에서 발광된 빛이 입사되는 광입사면 및 상기 광원부(210)에서 발광된 빛이 외부로 출력되는 광출력면을 구비한다. 상기 반도체 발광소자의 발광면은 상기 광입사면을 향하도록 배치된다. 상술한 에지 방식의 램프에서는 반도체 발광소자의 발광면이 상기 광가이드층의 측면을 향하도록 배치되는 반면, 본 발명에 따른 램프에서는 상기 발광면이 상기 광가이드층(240)의 두께 방향을 향하도록 배치된다. 이에 따라, 상기 광입사면과 상기 광출력면이 서로 마주보도록 배치된다.
램프의 광균일도를 높이기 위해서는 상기 광원부에서 발광된 빛이 상기 광출력면 전체로 고르게 방출되어야 한다. 상기 제1 및 제2반사층은 상기 광원부에서 발광된 빛이 광가이드층을 따라 진행하도록 한 후, 상기 광가이드층의 광출력면으로 고르게 방출되도록 한다.
상기 제1반사층(220)은 광출력면과 마주보도록 배치되어, 광출력면과 반대면으로 진행하는 빛을 반사시킨다. 본 발명에 따른 램프의 광가이드층(240)은 광입사면과 광출력면이 서로 마주보도록 배치된다. 상기 제1반사층(220)은 상기 광입사면을 향하도록 배치된다. 이에 따라, 상기 제1반사층(220)과 상기 반도체 발광소자의 발광면은 동일한 방향을 향하게 된다. 이 때문에, 반도체 발광소자에서 발광된 빛은 곧바로 상기 제1반사층(220)으로 도달하지 않게 된다.
제2반사층(260)은 반도체 발광소자에서 발광된 빛이 광가이드층(240)을 따라 진행하거나, 상기 제1반사층(220)으로 도달하도록 한다. 이를 위해, 상기 제2반사층(260)은 광원부(210)와 오버랩되고, 상기 광입사면과 비스듬하게 배치된다. 이에 따라, 상기 제2반사층(260)은 상기 반도체 발광소자들과 오버랩되고, 상기 반도체 발광소자의 발광면과 비스듬하게 배치된다.
구체적으로, 상기 광가이드층(240)은 상기 광입사면과 비스듬하게 형성되는 측면부를 구비하고, 상기 제2반사층(260)은 상기 광입사면과 비스듬하게 형성되는 측면부 상에 배치된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2반사층(260)과 상기 광입사면이 이루는 각도는 45도 이하일 수 있다. 또한, 상기 제2반사층(260)이 상기 광원부(210)에 투영되는 면적은 상기 광원부(210)의 면적보다 넓을 수 있다. 즉, 상기 제2반사층(260)은 상기 광원부(210)에 구비된 반도체 발광소자들의 발광면 전체를 덮도록 배치된다. 이를 통해, 광원부(210)의 입광 효율을 높일 수 있다.
상술한 구조에 따르면, 도 6에 도시된 바와 같이 광원부(210)에서 발광된 빛은 제2반사층(260)에서 반사되어, 광가이드층(240)을 따라 진행하다가 제1반사층(220)에서 반사되어 광출력면으로 방출된다.
한편, 도 6과 같이, 광원부(210)는 반도체 발광소자(211) 및 형광체층(212)으로 이루어질 수 있다. 상기 형광체층(212)은 반도체 발광소자(211)에서 발광된 소정 파장의 빛을 흡수하여 상기 소정 파장과 다른 파장의 빛을 방출한다. 일 실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자가 청색 광을 발광하고, 상기 형광체층(212)은 청색 광을 흡수하여 황색 광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 상기 형광체층(212)에서 발광된 황색 광과 상기 형광체층(212)에 흡수되지 않은 일부 청색광이 합성되어 백색광이 구현된다. 이에 따라, 외부로 백색광이 방출된다.
한편, 상기 형광체층(212)은 필름 형태로 이루어질 수 있으며, 상기 광입사면에 부착될 수 있다. 상기 형광체층(212)을 상기 광입사면에 부착하고, 반도체 발광소자(211)를 상기 형광체층(212)과 오버랩되도록 배치함으로써, 반도체 발광소자(211)에서 발광된 빛이 광변환되도록 할 수 있다. 이러한 구조에 따르면, 형광체층(212)을 지지하기 위한 지지수단, 형광체층(212)과 반도체 발광소자(211)를 접착시키기 위한 접착수단을 필요로 하지 않기 때문에, 램프의 구조가 단순해질 수 있다.
한편, 상기 광가이드층(240)과 제1반사층(220) 사이에는 반사 패턴(230)이 배치될 수 있다. 상기 반사 패턴(230)의 간격은 광원부(210)에서 멀어질수록 좁아진다. 상기 반사 패턴(230)은 상기 광원부(210) 주위에서는 전반사를 유도하고, 상기 광원부(210)와 먼쪽에서는 산란을 유도한다. 이를 통해, 상기 반사 패턴(230)은 상기 광원부(210) 주변이 다른 영역보다 밝게 보이는 것을 방지하고, 상기 광원부(210)로부터 멀어질수록 다른 영역보다 어둡게 보이는 것을 방지한다.
상기 반사 패턴(230)에서 빛이 전반사되도록 상기 반사 패턴(230)을 이루는 소재는 상기 광가이드층(240)을 이루는 소재보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
한편, 상기 광가이드층(240)에 구비된 광출력면 상에는 광확산층(250)이 배치될 수 있다. 상기 광확산층(250)은 광투과성 물질로 이루어지며, 외부로 방출되는 빛의 광경로를 증가시켜 램프의 광 균일도를 높이는 역할을 한다.
상술한 구조에 따르면, 광원부가 램프 하측에 배치되기 때문에, 광가이드층의 하측면을 광입사면으로 활용할 수 있게 된다. 상기 광가이드층의 하측면은 상기 광원부의 발광면보다 큰 면적으로 이루어지기 때문에, 별도의 구조물 없이도 광원의 입광 효율을 높일 수 있게 된다. 또한, 상술한 구조에 따르면, 종래 에지 방식의 램프와 같이 광원부의 입광 효율을 증가시키기 위해 광가이드층의 두께를 증가시킬 필요가 없게 된다. 이를 통해, 본 발명은 광원부의 입광 효율을 증가 시킴과 동시에 램프의 두께를 감소시킬 수 있게 된다.
한편, 상기 광원부(210)에 포함된 반도체 발광소자는 열에 민감하기 때문에 램프의 수명 및 신뢰성을 높이기 위해서는 방열 성능이 매우 중요하다. 본 발명은 본 발명에 따른 램프의 두께를 최소화함과 동시에 방열 성능을 최대화할 수 있는 구조를 제시한다.
도 7은 방열층을 구비하는 램프의 단면도이고, 도 8은 본 발명에 따른 램프의 기판을 나타내는 사시도이고, 도 9는 도 8의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이고, 도 10은 본 발명에 따른 램프에 구비된 방열층을 나타내는 개념도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 램프의 하측에는 방열층이 배치될 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 따른 램프에는 제1 및 제2방열층이 구비될 수 있으나, 도 7에는 제2방열층(280)만 도시하였다. 상기 제2방열층(280)은 광원부(210)에서 발생된 열을 램프 하측으로 방출시킨다.
다만, 상기 제2방열층(280)만으로는 상기 광원부(210)에서 발생된 열을 효과적으로 방출시키기 어렵다. 이하에서는, 상기 광원부(210)에서 발생된 열을 효과적으로 방출시키기 위한 구조에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 기판(201) 상에는 광원부(210)가 배치된다. 광원부(210)에서 발생된 열은 방열층을 통해 외부로 방출되는데, 상기 방열층은 광원부(210)의 하측에 배치된다. 구체적으로, 도 9를 참조하면, 광원부(210) 하측에는 제1방열층(270) 및 제2방열층(280)이 배치된다. 상기 제1방열층(270)은 광원부(210) 바로 아래에 배치되어 광원부(210)에서 발생된 열을 직접적으로 전달받고, 상기 제2방열층(280)은 기판(201) 하측에 배치된다. 상기 기판(201)은 상기 제1방열층(270)과 상기 제2방열층(280)을 사이에 두고 배치된다.
상기 제2방열층(280)은 상기 제1방열층(270)으로부터 열을 전달받아 외부로 방출시킨다. 상기 제1방열층(270)에서 상기 제2방열층(280)으로 열을 빠르게 전달하기 위해, 상기 기판(201)에는 비아 홀(via hole)이 형성될 수 있다. 상기 비아 홀 내부에는 상기 제1방열층(270) 및 상기 제2방열층(280) 각각과 접하는 열전달부(290)가 배치될 수 있다. 상기 열전달부(290), 상기 제1 및 제2방열층(270 및 280)은 서로 동일한 소재로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2방열층(270 및 280)은 열전도율이 높은 Cu로 이루어질 수 있다.
상기 열전달부(290)로 열이 전달된 열은 상기 제2방열층(280) 및 기판(201)으로 빠르게 전달된다. 이를 통해, 광원부(210)에서 발생된 열을 빠르게 주변으로 분산시킬 수 있다.
한편, 상기 열전달부(290)는 광원부(210)의 전체 영역 중 발열량이 많은 영역에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(210)에 사용되는 반도체 발광소자가 플립칩 타입의 반도체 발광소자인 경우, 상기 반도체 발광소자는 제1 전극, 상기 제1 전극이 형성되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에서 제1 전극과 수평방향으로 이격 배치되는 제2 전극을 구비할 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 및 제2전극에서의 발열량이 가장 많다. 상기 열전달부(290)를 상기 제1 및 제2전극과 오버랩되도록 배치함으로써, 반도체 발광소자에서 발생되는 열을 빠르게 외부로 방출시킬 수 있게 된다.
한편, 상기 광원부(210)에 사용되는 반도체 발광소자가 수직형 반도체 발광소자인 경우, 상기 반도체 발광소자는 제1 반도체층, 제1 반도체층 상에 형성된 활성층, 활성층상에 형성된 제2 반도체층 및 제2 반도체층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다. 이러한 경우, 상기 열전달부(290)는 상기 제1전극과 오버랩되도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 램프의 광원부에서 발생된 열이 빠르게 기판 전체로 확산된 후 외부로 방출되도록 할 수 있다. 이를 통해, 본 발명은 방열층의 두께를 증가시키지 않고도 램프의 방열 효율을 향상 시킬 수 있게 된다.
이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 램프는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수의 반도체 발광소자들;
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 반도체 발광소자에서 발광된 빛이 입사하는 광입사면 및 입사된 빛이 출력되는 광출력면을 구비하는 광가이드층;
    상기 기판과 상기 광가이드층 사이에 배치되며, 상기 광출력면과 마주보는 상기 광가이드층의 일면에 배치되어 빛을 반사하는 제1반사층; 및
    상기 복수의 반도체 발광소자들과 오버랩 되도록 배치되며, 상기 제1반사층이 배치된 광가이드층의 일면과 다른 일면에 배치되는 제2반사층을 포함하고,
    상기 제1반사층은 상기 광입사면과 동일한 면에 배치되고,
    상기 제2반사층은 상기 광입사면으로 입사된 빛이 상기 광가이드층을 따라 진행하도록, 상기 광입사면과 비스듬하게 배치되는 것을 특징으로 하는 램프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드층은 상기 광입사면과 비스듬하게 형성되는 측면부를 구비하고,
    상기 제2반사층은 상기 측면부 상에 배치되는 것을 특징을 하는 램프.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2반사층과 상기 광입사면이 이루는 각도는 0 초과 및 45도 이하인 것을 특징으로 하는 램프.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자들 각각은 빛이 방출되는 발광면을 구비하고,
    상기 반도체 발광소자는 상기 발광면이 상기 광가이드층의 두께 방향으로 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 램프.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2반사층은 상기 발광면 전체를 덮도록 배치되는 것을 특징으로 하는 램프.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자들과 상기 기판 사이에 배치되는 제1방열층;
    상기 기판을 관통하도록 형성되는 비아 홀;
    상기 비아 홀 내에 형성되며, 상기 제1방열층과 접하는 열전달부;
    상기 기판 하측에 배치되며, 상기 열전달부와 접하는 제2방열층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자들 각각은,
    제1 전극;
    상기 제1 전극이 형성되는 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층; 및
    상기 제2 반도체층 상에서 상기 제1 전극과 수평방향으로 이격 배치되는 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 램프.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 열전달부는 상기 제1 및 제2전극과 오버랩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 램프.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 열전달부, 상기 제1 및 제2방열층은 동일한 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 램프.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 열전달부, 상기 제1 및 제2방열층 각각은 Cu로 이루어지는 것을 특징으로 하는 램프.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광입사면과 상기 반도체 발광소자 사이에 배치되고, 특정 파장의 빛을 흡수하여 상기 특정 파장과 다른 빛을 방출하는 형광체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 형광체층은,
    필름 형태로 이루어지고,
    상기 광입사면에 부착되는 것을 특징으로 하는 램프.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자는 청색광을 발광하고,
    상기 형광체층은 상기 청색광을 흡수하여 황색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 램프.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 광가이드층 및 상기 제1반사층 사이에 배치되는 반사 패턴을 더 포함하고,
    상기 반사 패턴의 간격은 상기 반도체 발광소자들로부터 멀어질수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 램프.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 반사 패턴은 상기 광가이드 층보다 낮은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 램프.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102089703B (zh) * 2008-06-13 2013-10-16 3M创新有限公司 具有先进注入功能的照明装置
KR101196909B1 (ko) * 2010-03-04 2012-11-05 영남대학교 산학협력단 직하형 백라이트 유닛
KR101155645B1 (ko) * 2010-08-20 2012-07-03 한국생산기술연구원 열방출 효과가 우수한 방열 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR20170033972A (ko) * 2015-09-17 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 광원 장치 및 그를 포함하는 백라이트 유닛
KR102560708B1 (ko) * 2016-01-15 2023-07-27 삼성전자주식회사 지향성 백라이트 유닛을 구비하는 디스플레이 장치 및 그 조립 방법

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