KR20190090925A - Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof - Google Patents

Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20190090925A
KR20190090925A KR1020180009705A KR20180009705A KR20190090925A KR 20190090925 A KR20190090925 A KR 20190090925A KR 1020180009705 A KR1020180009705 A KR 1020180009705A KR 20180009705 A KR20180009705 A KR 20180009705A KR 20190090925 A KR20190090925 A KR 20190090925A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
interval
displacement sensor
substrate processing
measured
Prior art date
Application number
KR1020180009705A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102455643B1 (en
Inventor
신인철
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020180009705A priority Critical patent/KR102455643B1/en
Publication of KR20190090925A publication Critical patent/KR20190090925A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102455643B1 publication Critical patent/KR102455643B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The present invention relates to an apparatus and a method for treating a substrate and, more specifically, to an apparatus and a method for treating a substrate to maintain a constant pressure in a chamber by adjusting a distance between a first and a second housing to have a constant value. The apparatus for treating a substrate comprises: a first housing in which a substrate is placed; a second housing coupled to the first housing to form a substrate treatment space; a sensing unit to measure a distance between the first and the second housing; and an adjustment unit to adjust the distance between the first and the second housing. The method for treating a substrate comprises: (a) a step of driving an adjustment unit to couple a first and a second housing while a sealing member is arranged therebetween; (b) a step of measuring a distance between the first and the second housing by a sensing unit; and (c) a step of controlling the adjustment unit to allow the distance between the first and the second housing measured in the step (b) to satisfy a preset distance to adjust the position of the first or the second housing.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof}Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof}

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 제1하우징과 제2하우징 사이의 간격이 일정한 값을 가지도록 조절하여 챔버 내부 압력을 일정하게 유지하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same, and more particularly, a substrate processing apparatus for maintaining a constant pressure in a chamber by adjusting a distance between a first housing and a second housing to have a constant value. And a substrate processing method.

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. Recently, with the rapid development of the information and communication field and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In addition, various methods have been researched and developed in order to reduce the size of individual devices formed on a substrate and maximize device performance in accordance with the trend of high integration of semiconductor devices.

일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(lithography), 증착(Deposition) 및 식각(etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.In general, a semiconductor device repeatedly processes a plurality of substrates such as lithography, deposition and etching, coating of photoresist, development, cleaning, and drying. Are manufactured.

각 공정은 각각의 목적에 적합한 공정유체를 이용하여 이루어지며, 각 공정마다 적합한 공정 환경이 요구된다. Each process is made using a process fluid suitable for each purpose, and a suitable process environment is required for each process.

각 공정은 해당하는 공정 환경이 조성되는 챔버 또는 배스에 기판을 수용하여 이루어지는 것이 일반적이며, 외부 파티클의 유입을 방지하기 위해 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 이루어질 수 있다.Each process is generally made by accommodating a substrate in a chamber or bath in which a corresponding process environment is formed, and may be made by accommodating a substrate in a sealed chamber to prevent the inflow of external particles.

각 공정을 수행하는 기판상에는 금속 불순물, 유기물 등의 파티클이 잔존하게 되는데, 이와 같은 오염물질은 기판의 공정 불량을 일으키고 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치게 된다. Particles such as metal impurities and organic matter remain on the substrate to perform each process. Such contaminants cause process defects of the substrate and adversely affect product yield and reliability.

따라서 파티클을 제거하기 위해 각 공정의 완료시마다 반복적으로 수행되는 세정 및 건조공정이 매우 중요하게 다뤄지고 있다.Therefore, the cleaning and drying process that is repeatedly performed at the completion of each process in order to remove the particles is very important.

세정은 습식세정과 건식세정으로 분류될 수 있으며, 그 중에서도 습식세정이 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. Cleaning may be classified into wet cleaning and dry cleaning, among which wet cleaning is widely used in the semiconductor manufacturing field.

습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.Wet cleaning is a method of continuously removing contaminants by using chemicals suitable for contaminants at each step. A large amount of acid and alkaline solutions are used to remove contaminants remaining on a substrate.

도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다. With reference to FIG. 1, the prior art substrate processing apparatus is demonstrated.

종래 기술에 의한 기판 처리 장치는, 기판(W)이 안착되는 제1하우징(10)과, 상기 제1하우징(10)의 상부에 결합되어 기판을 처리하기 위한 밀폐공간을 형성하는 제2하우징(20)과, 상기 제1하우징(10)과 제2하우징(20) 사이를 밀폐하는 씰링부재(30), 및 상기 제1하우징(10)을 지지하며 승강 이동시켜 상기 챔버(1)를 개폐하기 위한 실린더(40)를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the related art includes a first housing 10 on which the substrate W is seated, and a second housing coupled to an upper portion of the first housing 10 to form an airtight space for treating the substrate ( 20), the sealing member 30 sealing the space between the first housing 10 and the second housing 20, and the first housing 10 to support the lifting and moving to open and close the chamber (1) For the cylinder 40.

상기 챔버(1)는 상기 기판(W)이 상기 챔버(1) 내부에 유입되거나 상기 챔버(1) 내부로부터 반출되는 경우 개방되며, 상기 챔버(1) 내부에서 상기 기판(W)의 처리가 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.The chamber 1 is opened when the substrate W is introduced into or ejected from the chamber 1, and the processing of the substrate W is performed inside the chamber 1. Keep sealed while in operation.

상기 실린더(40)는 유압실린더로 이루어져, 상기 제1하우징(10)을 하강시켜 상기 제2하우징(20)으로부터 분리시킴으로써 상기 챔버(1)를 개방하고, 상기 제1하우징(10)을 상승시켜 상기 제2하우징(20)과 결합시킴으로써 상기 챔버(10)를 밀폐한다.The cylinder 40 is composed of a hydraulic cylinder, the first housing 10 is lowered and separated from the second housing 20 to open the chamber 1, the first housing 10 is raised The chamber 10 is sealed by combining with the second housing 20.

상기 제1하우징(10)의 상기 제2하우징(20)의 결합면을 따라 그루브(11)가 구비되며, 상기 그루브(11)에는 고리 형태의 씰링부재(30)가 구비되어 상기 제1하우징(10)과 상기 제2하우징(20) 사이를 밀폐한다.A groove 11 is provided along an engagement surface of the second housing 20 of the first housing 10, and the groove 11 is provided with a ring-shaped sealing member 30 so that the first housing ( 10) is sealed between the second housing (20).

상기 씰링부재(30)는 복원성을 가지는 수지 소재로 이루어질 수 있다.The sealing member 30 may be made of a resin material having resilience.

이때, 상기 제1하우징(10) 또는 상기 제2하우징(20)의 미세한 위치 변동으로 인해 상기 제1하우징(10)과 상기 제2하우징(20) 사이 간격이 위치에 따라 달라질 수 있다.In this case, the interval between the first housing 10 and the second housing 20 may vary depending on the position due to the minute positional variation of the first housing 10 or the second housing 20.

즉, 상기 제1하우징(10)과 상기 제2하우징(20) 사이 간격이 서로 다르게 형성되는 복수의 위치(d1,d2)가 존재하게 되면, 상기 씰링부재(30)에 불균등한 압력이 가해지게 되어 내구성이 저하되고 수명이 단축될 수 있다.That is, when there are a plurality of positions d1 and d2 in which the distance between the first housing 10 and the second housing 20 is different from each other, an uneven pressure is applied to the sealing member 30. The durability can be lowered and the life can be shortened.

또한, 상기 씰링부재(30)의 불균등한 노화가 발생하면 상기 챔버(1)의 밀폐성을 보장할 수 없게 된다.In addition, when uneven aging of the sealing member 30 occurs, it is impossible to ensure the sealability of the chamber 1.

따라서 상기 씰링부재(30)의 내구성을 보전하고 상기 챔버(1)의 밀폐성을 유지하기 위한 방법을 모색할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to search for a method for preserving the durability of the sealing member 30 and maintaining the sealability of the chamber (1).

상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 제10-2015-0064494호가 있다.An example of the prior art for the substrate processing apparatus as described above is the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2015-0064494.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 제1하우징과 제2하우징 사이 간격을 일정하게 유지하여 챔버 내부 압력을 일정하게 유지함과 아울러 씰링부재의 내구성을 보전하고 씰링부재의 수명 단축을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.The present invention has been made to solve the above problems, by maintaining a constant interval between the first housing and the second housing to maintain a constant pressure in the chamber and to preserve the durability of the sealing member and to shorten the life of the sealing member An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing the same.

또한, 씰링부재의 불균등한 노화를 방지하여 챔버의 밀폐성을 보장할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing uneven aging of the sealing member to ensure the sealing of the chamber.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판이 안착되는 제1하우징과, 상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징과, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격을 측정하는 센싱부와, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격을 조절하는 조절부를 포함하여 이루어질 수 있다.The substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object, the first housing on which the substrate is seated, the second housing is combined with the first housing to form a substrate processing space, the first housing and the It may include a sensing unit for measuring the interval between the second housing, and an adjusting unit for adjusting the interval between the first housing and the second housing.

상기 센싱부는 복수 개 구비되어 서로 다른 위치에서의 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격을 측정하도록 할 수 있다.The sensing unit may be provided in plural to measure a distance between the first housing and the second housing at different positions.

상기 센싱부의 측정값이 기설정된 간격을 만족하지 않는 경우 제어부가 상기 조절부를 제어하여 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 위치관계를 조절할 수 있다.When the measured value of the sensing unit does not satisfy the predetermined interval, the controller may control the adjusting unit to adjust the positional relationship between the first housing and the second housing.

상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격은 실시간으로 측정되며, 표시부에 표시될 수 있다.The interval between the first housing and the second housing is measured in real time and may be displayed on the display unit.

상기 센싱부의 측정값이 기설정된 간격을 만족하지 않는 경우 알람발생부에서 알람이 발생하도록 할 수 있다.When the measured value of the sensing unit does not satisfy a preset interval, an alarm may be generated by an alarm generating unit.

본 발명의 기판 처리 방법은, a) 조절부를 구동하여 제1하우징과 제2하우징이 씰링부재를 사이에 두고 결합되도록 하는 단계와, b) 센싱부를 통해 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이의 간격을 측정하는 단계와, c) 제어부가 상기 단계 b)에서 측정한 제1하우징과 제2하우징 사이의 간격이 기설정된 간격을 만족하도록 조절부를 제어하여 상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징의 위치를 조절하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. The substrate processing method of the present invention comprises the steps of: a) driving the adjusting unit so that the first housing and the second housing are coupled with the sealing member interposed therebetween, and b) between the first housing and the second housing through the sensing unit. Measuring an interval; and c) controlling the adjusting unit so that the interval between the first housing and the second housing measured in the step b) satisfies a predetermined interval, and thus the position of the first housing or the second housing. It can be made including the step of adjusting.

본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 제1하우징과 제2하우징 사이 간격을 일정하게 유지하여 챔버 내부 압력을 일정하게 유지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention, it is possible to maintain the constant pressure in the chamber by maintaining a constant distance between the first housing and the second housing.

또한, 씰링부재의 내구성을 보전하고 불균등한 노화 및 수명 단축을 방지하여 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다.In addition, it is possible to maintain the sealing of the chamber by preserving the durability of the sealing member and preventing uneven aging and shortening of life.

또한, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이의 간격이 기설정된 간격을 만족하는지 여부를 실시간으로 확인하고 조절부를 제어하여 측정되는 상기 간격이 기설정된 간격을 만족하도록 보정할 수 있다.In addition, it is possible to check in real time whether the interval between the first housing and the second housing satisfies a predetermined interval and control the adjusting unit to correct the interval measured to satisfy the predetermined interval.

또한, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이의 간격이 기설정된 간격을 만족하지 않으면 알람이 발생하는 알람발생부를 구비하여, 사용자의 작업 편의성을 향상시키고 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다.In addition, an alarm generating unit may generate an alarm when an interval between the first housing and the second housing does not satisfy a predetermined interval, thereby improving user convenience and maintaining a hermetic seal of the chamber.

또한, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이의 간격이 실시간으로 표시되는 표시부를 구비하여 사용자의 작업 편의성을 향상시킬 수 있다.In addition, the display unit which displays the interval between the first housing and the second housing in real time may improve the user's convenience.

또한, 상기 씰링부재의 수명에 따라 알람이 발생하는 알람발생부를 구비하여, 사용자의 작업 편의성을 향상시키고 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다. In addition, by providing an alarm generating unit for generating an alarm according to the life of the sealing member, it is possible to improve the user's work convenience and maintain the sealing of the chamber.

도 1은 종래 기술에 의한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 접촉식 변위센서와 피감지체가 제2하우징과 제1하우징의 결합부에 각각 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 접촉식 변위센서와 피감지체가 제2하우징과 제1하우징의 외측에 각각 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 의한 비접촉식 변위센서와 피감지체가 제2하우징과 제1하우징의 결합부에 각각 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 비접촉식 변위센서와 피감지체가 제2하우징과 제1하우징의 외측에 각각 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 의한 비접촉식 변위센서와 피감지체가 제2하우징과 제1하우징의 결합부에 각각 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 의한 비접촉식 변위센서와 피감지체가 제2하우징과 제1하우징의 외측에 각각 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도.
도 8은 본 발명의 제4실시예에 의한 센싱부가 챔버의 내측에 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면도.
도 9는 본 발명의 제4실시예에 의한 센싱부가 챔버의 외측에 구비되는 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면도.
도 10은 본 발명에 의한 기판 처리 방법을 보여주는 순서도.
1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the prior art.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a substrate processing apparatus in which a contact displacement sensor and a sensing object according to a first embodiment of the present invention are respectively provided in a coupling portion of a second housing and a first housing; FIG.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus in which the contact displacement sensor and the sensing object according to the first embodiment of the present invention are provided outside the second housing and the first housing, respectively.
4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate processing apparatus in which a non-contact displacement sensor and a sensing object according to a second embodiment of the present invention are provided at a coupling portion of a second housing and a first housing, respectively.
5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a substrate processing apparatus in which a non-contact displacement sensor and a sensing object according to a second embodiment of the present invention are provided outside the second housing and the first housing, respectively.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate processing apparatus in which a non-contact displacement sensor and a sensing object according to a third embodiment of the present invention are provided at a coupling portion of a second housing and a first housing, respectively; FIG.
7 is a cross-sectional view illustrating a structure of a substrate processing apparatus in which a non-contact displacement sensor and a sensing object according to a third embodiment of the present invention are provided outside the second housing and the first housing, respectively.
8 is a plan view illustrating a structure of a substrate processing apparatus in which a sensing unit is provided inside a chamber according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
9 is a plan view illustrating a structure of a substrate processing apparatus in which a sensing unit is provided outside the chamber according to the fourth embodiment of the present invention.
10 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2와 도 3을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 대해 서술한다.2 and 3, a first embodiment of the present invention will be described.

본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판(W)이 안착되는 제1하우징(110)과, 상기 제1하우징(110)과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징(120)과, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이 간격(d)을 측정하는 센싱부(300)와, 상기 센싱부(300)의 측정 결과에 따라 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이 간격(d)을 조절하는 조절부 (400)를 포함하여 이루어진다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a first housing 110 on which a substrate W is seated, a second housing 120 coupled to the first housing 110 to form a substrate processing space, and the first housing 110. The sensing unit 300 measuring the distance d between the first housing 110 and the second housing 120, and the first housing 110 and the second housing according to the measurement result of the sensing unit 300. It comprises a control unit 400 for adjusting the spacing (d) between the housing 120.

상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기는 본 발명의 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.The substrate W may be a silicon wafer serving as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate such as glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). The shape and size of the substrate W are not limited by the drawings of the present invention, and may have substantially various shapes and sizes, such as circular and rectangular plates.

상기 제1하우징(110)의 상부는 상기 제2하우징(120)의 하부와 결합하도록 이루어지며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)은 기판 처리용 챔버(100)를 구성한다.An upper portion of the first housing 110 is coupled to a lower portion of the second housing 120, and the first housing 110 and the second housing 120 constitute a substrate processing chamber 100. do.

상기 챔버(100)는, 상기 기판(W)의 처리에 요구되는 환경이 조성되는 밀폐된 공간을 제공한다. 상기 챔버는 기판 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 높은 강성을 가진 재질로 구성되며, 온도와 압력의 변화를 견디기 위한 높은 내열성 및 내압성과, 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 기판 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 구성된다.The chamber 100 provides a closed space in which an environment required for processing the substrate W is formed. The chamber is made of a material having a high stiffness having a predetermined thickness to withstand the substrate processing environment, high heat resistance and pressure resistance to withstand changes in temperature and pressure, and deterioration or corrosion in response to fluid, resulting in substrate processing. It is composed of a material having chemical resistance and corrosion resistance so as not to affect.

상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 챔버를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.The material satisfying the above conditions is stainless steel (SUS). Stainless steel is one of the most used materials for constructing the chamber because of its high rigidity, excellent heat resistance, corrosion resistance, chemical resistance, accessibility and economic advantages.

상기 챔버(100)는 상기 기판(W)이 상기 챔버(100) 내부에 유입되거나 상기 챔버(100) 내부로부터 반출될 때 개방되며, 상기 챔버(100) 내부에서 상기 기판(W)의 처리가 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.The chamber 100 is opened when the substrate W is introduced into or ejected from the chamber 100, and the substrate W is processed inside the chamber 100. Keep sealed while in operation.

상기 챔버(100)는 상기 제2하우징(120)의 위치를 고정하고 상기 제1하우징(110)이 상기 조절부(400)에 의해 승강이동하여 상기 챔버(100)를 개폐하도록 이루어질 수 있다. The chamber 100 may be configured to fix the position of the second housing 120 and the first housing 110 to move up and down by the control unit 400 to open and close the chamber 100.

상기 조절부(400)는 상기 제1하우징(110)을 지지하고 신축하는 실린더로 이루어질 수 있다.The adjusting unit 400 may be formed of a cylinder that supports and expands the first housing 110.

상기 제1하우징(110)에는 상기 제2하우징(120)과의 결합면을 따라 그루브(111)가 구비되며, 상기 그루브(111)에 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이를 밀폐하기 위한 씰링부재(200)가 결합된다.The first housing 110 is provided with a groove 111 along an engagement surface with the second housing 120, and the first housing 110 and the second housing 120 are provided in the groove 111. Sealing member 200 for sealing the gap is coupled.

상기 씰링부재(200)는 오링 형태로 이루어질 수 있으며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 틈새를 밀봉하여 상기 챔버(100) 내부의 기판 처리 공간을 밀폐된 상태로 유지한다. The sealing member 200 may be formed in an O-ring shape, and seals a gap between the first housing 110 and the second housing 120 to seal the substrate processing space inside the chamber 100. Keep it.

상기 센싱부(300)는, 접촉식 변위센서(310)와 상기 접촉식 변위센서(310)의 측정 대상이 되는 피감지체(311)로 이루어질 수 있다.The sensing unit 300 may include a contact displacement sensor 310 and a sensing object 311 that is a measurement target of the contact displacement sensor 310.

상기 접촉식 변위센서(310)는 상기 제2하우징(120)의 하부에 구비되며, 상기 피감지체(311)는 상기 접촉식 변위센서(310)가 위치하는 측의 상기 제1하우징(110)의 상부에 구비될 수 있다.The contact displacement sensor 310 is provided below the second housing 120, and the sensing object 311 is located on the side of the first housing 110 on which the contact displacement sensor 310 is located. It may be provided at the top.

상기 조절부(400)의 구동에 의해 상기 제1하우징(110)이 상승하면 상기 피감지체(311) 또한 상승하여 그 단부가 상기 접촉식 변위센서(310)에 접하게 되며, 상기 제1하우징(110)이 하강하면 상기 피감지체(311) 또한 하강하여 상기 접촉식 변위센서(310)로부터 멀어지게 된다.When the first housing 110 is raised by the driving of the adjusting unit 400, the sensing object 311 is also raised so that the end thereof comes into contact with the contact displacement sensor 310 and the first housing 110. ) Is lowered, the sensing object 311 is also lowered away from the contact displacement sensor 310.

도 2를 참조하면, 상기 접촉식 변위센서(310)와 상기 피감지체(311)는 상기 제2하우징(120)과 상기 제1하우징(110)의 결합부에 각각 구비될 수 있다.Referring to FIG. 2, the contact displacement sensor 310 and the sensing object 311 may be provided at coupling portions of the second housing 120 and the first housing 110, respectively.

또한, 도 3을 참조하면, 상기 접촉식 변위센서(310)와 상기 피감지체(311)는 상기 제2하우징(120)과 상기 제1하우징(110)의 외측에 각각 구비될 수 있다.In addition, referring to FIG. 3, the contact displacement sensor 310 and the sensing object 311 may be provided outside the second housing 120 and the first housing 110, respectively.

또한, 상기 피감지체(311)의 구성을 제외하고 상기 제2하우징(120)의 상면이 상기 피감지체(311)의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.In addition, the upper surface of the second housing 120 may be configured to serve as the sensing object 311 except for the configuration of the sensing object 311.

상기 접촉식 변위센서(310)와 상기 피감지체(311)의 위치는 이에 한정되지 않고, 상기 접촉식 변위 센서(310)를 특정한 위치에 고정시킬 수 있는 구성이라면 모두 적용이 가능하다.The positions of the contact displacement sensor 310 and the sensing object 311 are not limited thereto, and any contact structure may be applied as long as the contact displacement sensor 310 may be fixed at a specific position.

상기 접촉식 변위 센서(310)는 코어(CORE) 또는 코일(COIL)의 위치가 바뀜에 따라 변위량을 전기신호로 변환하는 차동변압기를 포함하고 있다. 차동변압기의 1차측을 교류 신호로 여자하고, 코어(CORE)의 변위에 따라 비례적으로 변화하는 2차측 신호를 검파하여 직류 신호를 출력하게 된다. 코어(CORE)가 코일(COIL)의 중심 위치에 있을 때 출력 전압이 0(ZERO)이 되고, 코어(CORE)의 변위에 따라서 비례적으로 증가하게 된다. 상기 출력 전압을 증폭(Amplifier) 회로와 필터(Filter) 회로를 통과시킨 후 최종 정류하면 코어(CORE)의 위치에 따른 전압을 얻을 수 있다.The contact displacement sensor 310 includes a differential transformer for converting a displacement amount into an electrical signal as the position of the core CORE or coil changes. The primary side of the differential transformer is excited by an AC signal, and the secondary signal, which is proportionally changed according to the displacement of the core CORE, is detected to output a DC signal. When the core CORE is at the center of the coil COIL, the output voltage becomes zero and increases proportionally with the displacement of the core CORE. When the output voltage is passed through an amplifier circuit and a filter circuit and finally rectified, a voltage according to the position of the core may be obtained.

상기 코어(CORE)는 상기 접촉식 변위 센서(310)의 하측 단부로서 상기 피감지체(311)와 접촉하는 부분에 연결되며, 상기 피감지체(311)의 변위에 따라 출력전압의 크기가 변화된다.The core CORE is connected to a portion contacting the sensing object 311 as a lower end of the contact displacement sensor 310, and the magnitude of the output voltage changes according to the displacement of the sensing object 311.

상기 변하는 출력 전압은 제어부(미도시)에 입력된다. 상기 제어부는 이러한 전기 신호로부터 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)을 측정할 수 있다. The variable output voltage is input to a controller (not shown). The controller may measure a distance d between the first housing 110 and the second housing 120 from the electrical signal.

상기 제어부는 측정된 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)이 기설정된 간격을 만족하는지 여부를 실시간으로 확인하고, 상기 조절부(400)의 구동을 제어하여 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)이 상기 기설정된 간격을 만족하도록 유지함으로써, 상기 씰링부재(200)의 내구성을 보전하고 불균등한 노화 및 수명 단축을 방지하여 상기 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다.The controller checks in real time whether the measured interval d between the first housing 110 and the second housing 120 satisfies a predetermined interval, and controls the driving of the controller 400. By maintaining the interval (d) between the first housing 110 and the second housing 120 to satisfy the predetermined interval, to preserve the durability of the sealing member 200 and to reduce uneven aging and life By preventing it can maintain the hermeticity of the chamber.

또한, 측정된 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)이 상기 기설정된 간격을 만족하지 않으면 알람발생부(미도시)에서 알람이 발생하도록 구성함으로써, 사용자의 작업 편의성을 향상시키고 상기 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다.In addition, when the measured interval d between the first housing 110 and the second housing 120 does not satisfy the predetermined interval, an alarm is generated by an alarm generator (not shown). It can improve the working convenience of and maintain the sealability of the chamber.

또한, 측정된 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)은 실시간으로 표시부(미도시)에 표시되도록 구성함으로써, 사용자의 작업 편의성을 향상시킬 수 있다.In addition, the measured interval d between the first housing 110 and the second housing 120 may be displayed on a display unit (not shown) in real time, thereby improving the user's convenience.

도 4와 도 5를 참조하여 본 발명의 제 2실시예에 대해 서술한다. 4 and 5, a second embodiment of the present invention will be described.

본 실시예는 상기 센싱부(300)가 레이저변위센서와 같은 비접촉식 변위센서(320)와 상기 비접촉식 변위센서(320)의 측정 대상이 되는 피감지체(321)로 이루어지는 것을 나타낸 것으로, 이를 제외한 나머지 모든 구성은 상기한 제1실시예에서 설명한 구성이 동일하게 적용될 수 있다.This embodiment shows that the sensing unit 300 is composed of a non-contact displacement sensor 320 such as a laser displacement sensor and the sensing object 321 to be measured by the non-contact displacement sensor 320, except for this The configuration described above may be equally applied to the configuration described in the first embodiment.

상기 비접촉식 변위센서(320)는 상기 제2하우징(120)의 하부에 구비되며, 상기 피감지체(321)는 상기 비접촉식 변위센서(320)가 위치하는 측의 상기 제1하우징(110)의 상부에 구비될 수 있다.The non-contact displacement sensor 320 is provided below the second housing 120, and the sensing object 321 is located above the first housing 110 on the side where the non-contact displacement sensor 320 is located. It may be provided.

상기 조절부(400)의 구동에 의해 상기 제1하우징(110)이 상승하면 상기 피감지체(321) 또한 상승하여 그 단부가 상기 비접촉식 변위센서(320)에 근접하게 되며, 상기 제1하우징(110)이 하강하면 상기 피감지체(321) 또한 하강하여 상기 비접촉식 변위센서(320)로부터 멀어지게 된다.When the first housing 110 is raised by the driving of the adjusting unit 400, the sensing object 321 is also raised so that an end thereof is close to the non-contact displacement sensor 320, and the first housing 110 is raised. ) Is lowered, the sensing object 321 is also lowered away from the non-contact displacement sensor (320).

도 4를 참조하면, 상기 비접촉식 변위센서(320)와 상기 피감지체(321)는 상기 제2하우징(120)과 상기 제1하우징(110)의 결합부에 각각 구비될 수 있다.Referring to FIG. 4, the non-contact displacement sensor 320 and the sensing object 321 may be provided at coupling portions of the second housing 120 and the first housing 110, respectively.

또한, 도 5를 참조하면, 상기 비접촉식 변위센서(320)와 상기 피감지체(321)는 상기 제2하우징(120)과 상기 제1하우징(110)의 외측에 각각 구비될 수 있다.In addition, referring to FIG. 5, the non-contact displacement sensor 320 and the sensing object 321 may be provided outside the second housing 120 and the first housing 110, respectively.

또한, 상기 피감지체(321)의 구성을 제외하고 상기 제2하우징(120)의 상면이 상기 피감지체(321)의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.In addition, except for the configuration of the sensing object 321, the upper surface of the second housing 120 may be made to serve as the sensing object 321.

상기 비접촉식 변위센서(320)와 상기 피감지체(321)의 위치는 이에 한정되지 않고, 상기 비접촉식 변위센서(320)를 특정한 위치에 고정시킬 수 있는 구성이라면 모두 적용이 가능하다.The position of the non-contact displacement sensor 320 and the sensing object 321 is not limited to this, any configuration can be applied if the non-contact displacement sensor 320 can be fixed to a specific position.

상기 비접촉식 변위센서(320)는 레이저변위센서로서, 상기 피감지체(321)를 향해 광을 발사하는 발광부(320a)와, 상기 피감지체(321)에서 반사된 광을 수신하는 수광부(320b)가 포함된다.The non-contact displacement sensor 320 is a laser displacement sensor, the light emitting unit 320a for emitting light toward the sensing object 321, and the light receiving unit 320b for receiving the light reflected from the sensing object 321 Included.

상기 발광부(320a)에서는 상기 피감지체(321)를 향해 광이 발사되고, 상기 피감지체(321)에서 반사된 광은 수광부(320b)로 입사되어, 상기 비접촉식 변위센서 (320) 내부에 구비된 수광소자(CCD,미도시)에 맺히게 된다. 이때 수광소자의 어느 위치에 반사광이 맺히느냐에 따라 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)을 측정할 수 있다.Light is emitted from the light emitting part 320a toward the sensing object 321, and the light reflected from the sensing object 321 is incident to the light receiving part 320b and is provided inside the non-contact displacement sensor 320. It is formed on a light receiving device (CCD, not shown). In this case, the distance d between the first housing 110 and the second housing 120 may be measured according to which position of the light receiving element is reflected light.

도 6과 도 7을 참조하여 본 발명의 제 3실시예에 대해 서술한다. A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

본 실시예는 상기 센싱부(300)가 와전류변위센서와 같은 비접촉식 변위센서(330)와 상기 비접촉식 변위센서(330)의 측정 대상이 되는 피감지체(331)로 이루어지는 것을 나타낸 것으로, 이를 제외한 나머지 모든 구성은 상기한 제1실시예에서 설명한 구성이 동일하게 적용될 수 있다.The present embodiment shows that the sensing unit 300 is composed of a non-contact displacement sensor 330 such as an eddy current displacement sensor and a sensing object 331 to be measured by the non-contact displacement sensor 330, except for this. The configuration described above may be equally applied to the configuration described in the first embodiment.

상기 비접촉식 변위센서(330)는 상기 제2하우징(120)의 하부에 구비되며, 상기 피감지체(331)는 상기 비접촉식 변위센서(330)가 위치하는 측의 상기 제1하우징(110)의 상부에 구비될 수 있다.The non-contact displacement sensor 330 is provided below the second housing 120, and the sensing object 331 is located above the first housing 110 on the side where the non-contact displacement sensor 330 is located. It may be provided.

상기 조절부(400)의 구동에 의해 상기 제1하우징(110)이 상승하면 상기 피감지체(331) 또한 상승하여 그 단부가 상기 비접촉식 변위센서(330)에 근접하게 되며, 상기 제1하우징(110)이 하강하면 상기 피감지체(331) 또한 하강하여 상기 비접촉식 변위센서(330)로부터 멀어지게 된다.When the first housing 110 rises by driving of the adjusting unit 400, the sensing object 331 also rises, and an end thereof approaches the non-contact displacement sensor 330, and the first housing 110. ) Is lowered, the sensing object 331 is also lowered away from the non-contact displacement sensor 330.

도 6을 참조하면, 상기 비접촉식 변위센서(330)와 상기 피감지체(331)는 상기 제2하우징(120)과 상기 제1하우징(110)의 결합부에 각각 구비될 수 있다.Referring to FIG. 6, the non-contact displacement sensor 330 and the sensing object 331 may be provided at coupling portions of the second housing 120 and the first housing 110, respectively.

또한, 도 7을 참조하면, 상기 비접촉식 변위센서(330)와 상기 피감지체(331)는 상기 제2하우징(120)과 상기 제1하우징(110)의 외측에 각각 구비될 수 있다.In addition, referring to FIG. 7, the non-contact displacement sensor 330 and the sensing object 331 may be provided outside the second housing 120 and the first housing 110, respectively.

또한, 상기 피감지체(331)의 구성을 제외하고 상기 제2하우징(120)의 상면이 상기 피감지체(331)의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.In addition, except for the configuration of the sensing object 331, the upper surface of the second housing 120 may be made to serve as the sensing object 331.

상기 비접촉식 변위센서(330)와 상기 피감지체(331)의 위치는 이에 한정되지 않고, 상기 비접촉식 변위센서(330)를 특정한 위치에 고정시킬 수 있는 구성이라면 모두 적용이 가능하다.The position of the non-contact displacement sensor 330 and the sensing object 331 is not limited to this, any configuration can be applied if the non-contact displacement sensor 330 can be fixed to a specific position.

상기 와전류변위센서는 센서에서 흘러 나오는 전류의 흐름으로 거리를 감지해내는 방식이다. 프로브(Probe)에 근접한 위치에서 상기 피감지체(331)가 이동하면 그 주변에 형성된 전류의 크기에 따라서 상기 피감지체(331)의 변위를 측정하게 된다. The eddy current displacement sensor is a way to detect the distance by the flow of current flowing from the sensor. When the sensing object 331 moves in a position close to the probe, the displacement of the sensing object 331 is measured according to the magnitude of the current formed around the probe 331.

상기 와전류변위센서의 내부에는 고주파 전류가 흐르는 감지코일이 내장되어 있고, 이 고주파 전류에 의해 감지코일 주변에 자장이 형성된다. 상기 감지코일 근처에 도체로 이루어진 상기 피감지체(331)가 접근하면 상기 피감지체(331) 내에 와전류가 발생된다. 이 와전류는 상기 감지코일에 대해 임피던스부하가 변화된 것으로 작용하여 센서의 동작점을 변경시켜, 상기 감지코일과 상기 피감지체(331) 사이의 거리 변화를 감지함으로써 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)을 측정할 수 있다.A sensing coil in which a high frequency current flows is embedded in the eddy current displacement sensor, and a magnetic field is formed around the sensing coil by the high frequency current. When the sensing object 331 made of a conductor approaches the sensing coil, an eddy current is generated in the sensing object 331. The eddy current acts as the impedance load is changed with respect to the sensing coil to change the operating point of the sensor, thereby detecting a change in the distance between the sensing coil and the sensing object 331, thereby detecting the first housing 110 and the first. The distance d between the two housings 120 may be measured.

도 8과 도 9를 참조하여 본 발명의 제 4실시예에 대해 서술한다. A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

본 실시예는 상기 센싱부(300)가 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합부를 따라 복수 개 구비되는 기판 처리 장치에 대한 것이다.The present embodiment relates to a substrate processing apparatus in which a plurality of sensing units 300 are provided along a coupling portion of the first housing 110 and the second housing 120.

상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)는 상기 챔버(100)의 사방에 구비되어 각 위치에서의 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)을 측정할 수 있다.The plurality of sensing units 301, 302, 303, and 304 may be provided at four sides of the chamber 100 to measure a distance d between the first housing 110 and the second housing 120 at each position.

도 8을 참조하면, 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)는 상기 챔버(100)의 내측에 구비될 수 있으며, 도 9를 참조하면, 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)는 상기 챔버(100)의 외측에 구비될 수도 있다.Referring to FIG. 8, the plurality of sensing units 301, 302, 303, 304 may be provided inside the chamber 100. Referring to FIG. 9, the plurality of sensing units 301, 302, 303, 304 may be disposed outside the chamber 100. It may be provided in.

상기 제어부는 상기 조절부(400)의 구동을 제어하여 각 위치에서의 상기 간격(d)이 기설정되는 간격의 오차범위를 만족하도록 유지함으로써 상기 씰링부재(200)의 내구성을 보전하고 불균등한 노화 및 수명 단축을 방지하여 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다. The controller controls the driving of the control unit 400 to maintain the gap (d) at each position to satisfy the error range of the predetermined interval to maintain the durability of the sealing member 200 and uneven aging And it is possible to prevent the shortening of life to maintain the sealing of the chamber.

또한, 각 위치의 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)로부터 측정되는 상기 간격(d)이 기설정되는 간격의 오차범위를 만족하지 않으면 알람발생부(미도시)에서 알람이 발생하도록 구성함으로써 사용자의 작업 편의성을 향상시키고 상기 챔버의 밀폐성을 유지할 수 있다.In addition, when the interval d measured from the plurality of sensing units 301, 302, 303, and 304 at each position does not satisfy an error range of a preset interval, an alarm generator (not shown) generates an alarm so that the user's work It is possible to improve the convenience and maintain the hermeticity of the chamber.

또한, 상기 제어부는 각 위치의 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)로부터 측정되는 상기 간격(d)으로부터 상기 씰링부재(200)의 남은 수명을 계산할 수 있으며, 상기 씰링부재(200)의 남은 수명이 기설정된 한계수명에 도달하면 알람발생부(미도시)에서 알람이 발생하도록 구성함으로써 사용자의 작업 편의성을 향상시킬 수 있다.In addition, the controller may calculate the remaining life of the sealing member 200 from the interval d measured from the plurality of sensing units 301, 302, 303, and 304 at each position, and the remaining life of the sealing member 200 may be calculated. When the set limit life is reached, an alarm is generated by an alarm generator (not shown), thereby improving user convenience.

도 10을 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 방법에 대해 설명한다.The substrate processing method by the substrate processing apparatus of this invention is demonstrated with reference to FIG.

단계 S10은, 조절부(400)를 구동하여 제1하우징(110)과 제2하우징(120)이 씰링부재(200)를 사이에 두고 결합되도록 하는 단계이다.In operation S10, the first housing 110 and the second housing 120 may be coupled to each other by driving the adjusting unit 400 with the sealing member 200 interposed therebetween.

상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)은 결합되어 챔버를 이룬다.The first housing 110 and the second housing 120 are combined to form a chamber.

상기 제1하우징(110)은 기판(W)을 지지하고, 상기 제2하우징(120)은 상기 제1하우징(110)의 상부에 결합되어, 상기 제1하우징(110)과 제2하우징(120) 사이에 기판 처리 공간을 형성하게 된다.The first housing 110 supports the substrate W, and the second housing 120 is coupled to an upper portion of the first housing 110 to form the first housing 110 and the second housing 120. The substrate processing space is formed between the layers.

일실시예로, 상기 제2하우징(120)의 위치는 고정되며, 상기 제1하우징(110)이 상기 조절부(400)에 의해 승강이동하여 상기 챔버를 개폐하도록 이루어질 수 있다. In one embodiment, the position of the second housing 120 is fixed, the first housing 110 may be made to open and close the chamber by moving up and down by the control unit 400.

단계 S20은, 센싱부(300)를 통해 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)을 측정하는 단계이다.In operation S20, the gap d between the first housing 110 and the second housing 120 is measured by the sensing unit 300.

상기 센싱부(300)는 차동변압기를 이용하는 접촉식 변위센서(310)와 피감지체(311)로 이루어질 수 있고, 레이저를 이용하는 비접촉식 변위센서(320)와 피감지체(321)로 이루어질 수도 있으며, 와전류를 이용하는 비접촉식 변위센서(330)와 피감지체(331)로 이루어질 수도 있다.The sensing unit 300 may include a contact displacement sensor 310 and a sensing object 311 using a differential transformer, a non-contact displacement sensor 320 and a sensing object 321 using a laser, and an eddy current. It may be made of a non-contact displacement sensor 330 and the sensing object 331 using.

상기 센싱부(300)는 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합부를 따라 복수 개 구비되어 서로 다른 위치에서의 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)을 측정할 수 있다.The sensing unit 300 is provided along a coupling portion of the first housing 110 and the second housing 120 to provide the first housing 110 and the second housing 120 at different positions. The interval d between can be measured.

상기 센싱부(300)는 상기 챔버의 사방에 구비되도록 할 수 있다.(301,302,303,304)The sensing unit 300 may be provided in four sides of the chamber. (301, 302, 303, 304)

단계 S30은, 제어부가 상기 단계 S20에서 측정한 제1하우징(110)과 제2하우징(120) 사이의 간격이 기설정된 간격을 만족하도록 상기 조절부(400)를 제어하는 단계이다.In step S30, the controller controls the adjusting unit 400 such that the interval between the first housing 110 and the second housing 120 measured in step S20 satisfies a predetermined interval.

상기 조절부(400)는 상기 제1하우징(110)을 승강구동시켜 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 위치관계를 조절할 수 있다.The adjusting unit 400 may adjust the positional relationship between the first housing 110 and the second housing 120 by elevating and driving the first housing 110.

상기 제어부는 또한 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)에서 측정된 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이 간격(d)이 기설정된 간격의 오차범위를 만족하도록 상기 조절부(400)의 구동을 제어할 수 있다.The controller also adjusts the controller 400 such that the distance d between the first housing 110 and the second housing 120 measured by the plurality of sensing units 301, 302, 303, 304 satisfies an error range of a predetermined interval. ) Can be controlled.

또한, 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)에서 측정된 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이 간격(d)이 기설정된 간격의 오차범위를 만족하지 않으면 알람발생부(미도시)에서 알람이 발생하도록 할 수 있다.In addition, if the interval d between the first housing 110 and the second housing 120 measured by the plurality of sensing units 301, 302, 303, 304 does not satisfy an error range of a predetermined interval, an alarm generator (not shown) ) Can trigger an alarm.

또한, 상기 제어부는 상기 복수 개의 센싱부(301,302,303,304)로부터 측정되는 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이 간격(d)으로부터 상기 씰링부재(300)의 남은 수명을 계산할 수 있다.In addition, the controller may calculate the remaining life of the sealing member 300 from the interval d between the first housing 110 and the second housing 120 measured from the plurality of sensing units 301, 302, 303, 304. .

또한, 상기 계산된 씰링부재(300)의 수명이 기설정된 한계수명에 도달하면 알람발생부(미도시)에서 알람이 발생하도록 할 수 있다.In addition, when the calculated life of the sealing member 300 reaches a preset limit life can be an alarm in the alarm generating unit (not shown).

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는, 제1하우징(110)과 제2하우징(120) 사이 간격(d)을 일정하게 유지하여 씰링부재(200)의 내구성을 보전하고 불균등한 노화 및 수명 단축을 방지하여 챔버의 밀폐성을 유지하고 상기 챔버 내부의 압력을 일정하게 유지할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus of the present invention maintains a constant distance d between the first housing 110 and the second housing 120 to maintain the durability of the sealing member 200 and uneven aging and By preventing the shortening of life, it is possible to maintain the hermeticity of the chamber and keep the pressure inside the chamber constant.

또한, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)이 기설정된 간격을 만족하는지 여부를 실시간으로 확인하고, 조절부(400)를 제어하여 측정되는 상기 간격(d)이 기설정된 간격을 만족하도록 보정할 수 있다.In addition, the interval d between the first housing 110 and the second housing 120 checks in real time whether a predetermined interval is satisfied, and controls the adjusting unit 400 to measure the interval ( d) may be corrected to satisfy the preset interval.

또한, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)이 기설정된 간격을 만족하지 않으면 알람이 발생하는 알람발생부(미도시)를 구비 하여 사용자의 작업 편의성을 향상시키고, 챔버(100)의 밀폐성을 유지하여 상기 챔버(100) 내부의 압력을 일정하게 유지할 수 있다.In addition, an alarm generating unit (not shown) that generates an alarm when an interval d between the first housing 110 and the second housing 120 does not satisfy a predetermined interval, provides a user's convenience. The pressure inside the chamber 100 can be kept constant by improving the sealing property of the chamber 100.

또한, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이의 간격(d)이 실시간으로 표시되는 표시부(미도시)를 구비하여 사용자의 작업 편의성을 향상시킬 수 있다.In addition, a display unit (not shown) in which an interval d between the first housing 110 and the second housing 120 is displayed in real time may be provided to improve a user's convenience.

또한, 상기 씰링부재(200)의 수명에 따라 알람이 발생하는 알람발생부(미도시)를 구비하여, 사용자의 작업 편의성을 향상시키고 챔버(100)의 밀폐성을 유지하여 상기 챔버(100) 내부의 압력을 일정하게 유지할 수 있다.In addition, an alarm generating unit (not shown) that generates an alarm according to the life of the sealing member 200 is provided, to improve the user's work convenience and maintain the sealing of the chamber 100 inside the chamber 100 The pressure can be kept constant.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and obvious modifications can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention as claimed in the claims. Implementation is within the scope of the present invention.

W : 기판 100 : 챔버
110 : 제1하우징 120 : 제2하우징
200 : 씰링부재 300,301,302,303,304 : 센싱부
310 : 차동변압기를 이용하는 접촉식 변위센서
320 : 레이저를 이용하는 비접촉식 변위센서
330 : 와전류를 이용하는 비접촉식 변위센서
311,321,331 : 피감지체
400 : 조절부
W: Substrate 100: Chamber
110: first housing 120: second housing
200: sealing member 300,301,302,303,304: sensing part
310: contact displacement sensor using a differential transformer
320: non-contact displacement sensor using a laser
330: non-contact displacement sensor using eddy current
311,321,331: Object
400: control unit

Claims (22)

기판이 안착되는 제1하우징;
상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징;
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격을 측정하는 센싱부; 및
상기 센싱부의 측정 결과에 따라 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격을 조절하는 조절부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
A first housing on which the substrate is seated;
A second housing coupled to the first housing to form a substrate processing space;
A sensing unit measuring a distance between the first housing and the second housing; And
An adjusting unit adjusting an interval between the first housing and the second housing according to a measurement result of the sensing unit;
Substrate processing apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 센싱부는 접촉식 변위센서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The sensing unit substrate processing apparatus, characterized in that consisting of a contact displacement sensor.
제2항에 있어서,
상기 센싱부는 상기 접촉식 변위센서의 측정 대상이 되는 피감지체를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
And the sensing unit includes a sensing object to be measured by the contact displacement sensor.
제2항에 있어서,
상기 접촉식 변위센서는 차동변압기를 이용하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
And the contact displacement sensor is configured to use a differential transformer.
제1항에 있어서,
상기 센싱부는 비접촉식 변위센서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The sensing unit substrate processing apparatus, characterized in that consisting of a non-contact displacement sensor.
제5항에 있어서,
상기 센싱부는 상기 비접촉식 변위센서의 측정 기준이 되는 피감지체를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
And the sensing unit includes a sensing object serving as a measurement standard of the non-contact displacement sensor.
제5항에 있어서,
상기 비접촉식 변위센서는 발광부와 수광부를 포함하는 레이저변위센서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The non-contact displacement sensor is a substrate processing apparatus, characterized in that consisting of a laser displacement sensor including a light emitting portion and a light receiving portion.
제5항에 있어서,
상기 비접촉식 변위센서는 와전류변위센서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The non-contact displacement sensor is a substrate processing apparatus, characterized in that consisting of eddy current displacement sensor.
제1항에 있어서,
상기 조절부는 신축 구동하는 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The adjusting unit is a substrate processing apparatus, characterized in that made of a stretch-driven cylinder.
제1항에 있어서,
상기 센싱부의 측정값을 실시간으로 수신하고 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 기설정된 간격을 만족하도록 상기 조절부의 구동을 제어하는 제어부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And a controller configured to receive the measured value of the sensing unit in real time and to control the driving of the adjusting unit such that the interval between the first housing and the second housing satisfies a predetermined interval.
제10항에 있어서,
상기 센싱부로부터 측정된 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 기설정된 간격을 만족하지 않으면 알람발생부에서 알람이 발생하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10,
And an alarm is generated by an alarm generator when an interval between the first and second housings measured by the sensing unit does not satisfy a predetermined interval.
제10항에 있어서,
상기 센싱부로부터 측정되는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 실시간으로 표시되는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10,
And a display unit displaying a distance between the first housing and the second housing measured from the sensing unit in real time.
제10항에 있어서,
상기 센싱부는 상기 제1하우징과 제2하우징의 결합부를 따라 복수 개 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10,
The sensing unit is provided with a plurality of substrates along the coupling portion of the first housing and the second housing.
제13항에 있어서,
상기 센싱부는 상기 제1하우징과 제2하우징의 결합부의 사방에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 13,
The sensing unit is a substrate processing apparatus, characterized in that provided on all sides of the coupling portion of the first housing and the second housing.
제13항에 있어서,
상기 제어부는 상기 복수 개의 센싱부로부터 측정된 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 기설정된 간격의 오차범위를 만족하도록 상기 조절부의 구동을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 13,
The control unit controls the driving of the adjusting unit such that the interval between the first housing and the second housing measured from the plurality of sensing units satisfies an error range of a predetermined interval.
제15항에 있어서,
상기 복수 개의 센싱부로부터 측정된 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 기설정된 간격의 오차범위를 만족하지 않으면 알람발생부에서 알람이 발생하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method of claim 15,
And an alarm is generated by an alarm generator when an interval between the first housing and the second housing measured by the plurality of sensing units does not satisfy an error range of a predetermined interval.
제15항에 있어서,
상기 제어부는 상기 복수 개의 센싱부로부터 측정되는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격으로부터 상기 씰링부재의 남은 수명을 계산하고;
상기 계산된 씰링부재의 남은 수명이 기설정된 한계수명에 도달하면 알람발생부에서 알람이 발생하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method of claim 15,
The control unit calculates the remaining life of the sealing member from the interval between the first housing and the second housing measured from the plurality of sensing units;
And an alarm is generated at an alarm generator when the calculated remaining life of the sealing member reaches a preset limit life.
제1항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이를 밀폐하는 씰링부재가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And a sealing member sealing the space between the first housing and the second housing.
a) 제1하우징과 제2하우징이 씰링부재를 사이에 두고 결합되도록 하는 단계;
b) 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이의 간격을 측정하는 단계;
c) 상기 단계 b)에서 측정되는 제1하우징과 제2하우징 사이의 간격이 기설정된 간격을 만족하도록 상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징의 위치를 조절하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 기판 처리 방법
a) allowing the first housing and the second housing to be coupled with the sealing member interposed therebetween;
b) measuring a distance between the first housing and the second housing;
c) adjusting the position of the first housing or the second housing such that the interval between the first housing and the second housing measured in step b) satisfies a predetermined interval;
Substrate processing method comprising a
제19항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합부를 따라 복수 개의 위치에서 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이의 간격을 측정하는 단계이고;
상기 단계 c)는, 상기 단계 b)에서 측정되는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 기설정된 간격의 오차범위를 만족하도록 하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 19,
The step b) is a step of measuring the distance between the first housing and the second housing at a plurality of locations along the coupling portion of the first housing and the second housing;
And said step c) is such that the gap between the first housing and the second housing measured in step b) satisfies an error range of a predetermined interval.
제20항에 있어서,
상기 단계 c)에서, 상기 단계 b)에서 측정되는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격이 기설정된 간격의 오차범위를 만족하지 않으면 알람발생부에서 알람이 발생하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
The method of claim 20,
In the step c), if the interval between the first housing and the second housing measured in the step b) does not satisfy the error range of the predetermined interval further comprises the step of generating an alarm in the alarm generating unit Substrate processing method
제20항에 있어서,
상기 단계 c)에서, 상기 단계 b)에서 측정되는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이 간격으로부터 상기 씰링부재의 남은 수명을 계산하고, 상기 계산된 씰링부재의 수명이 기설정된 한계수명에 도달하면 알람발생부에서 알람이 발생하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 20,
In the step c), the remaining life of the sealing member is calculated from the interval between the first housing and the second housing measured in the step b), and when the calculated life of the sealing member reaches a predetermined limit life And generating an alarm in the alarm generation unit.
KR1020180009705A 2018-01-26 2018-01-26 Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof KR102455643B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180009705A KR102455643B1 (en) 2018-01-26 2018-01-26 Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180009705A KR102455643B1 (en) 2018-01-26 2018-01-26 Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190090925A true KR20190090925A (en) 2019-08-05
KR102455643B1 KR102455643B1 (en) 2022-10-19

Family

ID=67615906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180009705A KR102455643B1 (en) 2018-01-26 2018-01-26 Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102455643B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220059997A (en) * 2020-11-02 2022-05-11 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20220167015A (en) * 2021-06-11 2022-12-20 세메스 주식회사 Appratus for treating substrate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020042407A (en) * 2000-11-30 2002-06-05 니시히라 쥰지 Substrate superimposition apparatus
JP2005521048A (en) * 2002-03-22 2005-07-14 ボッシュ レックスロート アクチエンゲゼルシャフト Circuit device for rectifying the output voltage of a sensor fed by an oscillator
KR20090053542A (en) * 2007-11-23 2009-05-27 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for assembling substrates
KR20100054959A (en) * 2008-11-17 2010-05-26 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for joining of substrate and method for joining of substrateusing the same
KR20100079920A (en) * 2008-12-31 2010-07-08 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for joining of substrate
KR20160006353A (en) * 2014-07-08 2016-01-19 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR101853377B1 (en) * 2016-12-30 2018-06-20 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020042407A (en) * 2000-11-30 2002-06-05 니시히라 쥰지 Substrate superimposition apparatus
JP2005521048A (en) * 2002-03-22 2005-07-14 ボッシュ レックスロート アクチエンゲゼルシャフト Circuit device for rectifying the output voltage of a sensor fed by an oscillator
KR20090053542A (en) * 2007-11-23 2009-05-27 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for assembling substrates
KR20100054959A (en) * 2008-11-17 2010-05-26 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for joining of substrate and method for joining of substrateusing the same
KR20100079920A (en) * 2008-12-31 2010-07-08 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for joining of substrate
KR20160006353A (en) * 2014-07-08 2016-01-19 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR101853377B1 (en) * 2016-12-30 2018-06-20 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220059997A (en) * 2020-11-02 2022-05-11 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR20220167015A (en) * 2021-06-11 2022-12-20 세메스 주식회사 Appratus for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102455643B1 (en) 2022-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6335229B2 (en) Substrate temperature control method and plasma processing apparatus
KR20190040912A (en) Plasma processing apparatus, and method and program for controlling elevation of focus ring
TWI797119B (en) Plasma processing apparatus
US20190385880A1 (en) Calibration jig and calibration method
CN109427531B (en) Measuring apparatus, measuring method, and plasma processing apparatus
KR102455643B1 (en) Apparatus for Treating Substrate and the Method Thereof
US20170213703A1 (en) Plasma processing apparatus and control method
KR20210002175A (en) Sensor module and etching apparatus having the same
TWI816890B (en) Plasma processing apparatus and method for measuring thickness of ring member
US10825662B2 (en) Method for driving member and processing apparatus
TW201936281A (en) Apparatus and method for removing contaminant particles from a component of an apparatus
JP5411098B2 (en) Dividable electrode, plasma processing apparatus using the electrode, and electrode exchange method
CN101140859B (en) Etching apparatus and etching method using the same
TWI776619B (en) Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
US20080061034A1 (en) Etching apparatus and etching method using the same
JP7138497B2 (en) Measuring device, measuring method and plasma processing device
TWI723173B (en) Substrate processing device, maintenance jig, maintenance method of substrate processing device, and storage medium
TW202027164A (en) Plasma processing apparatus and method for measuring shape of ring member
KR101937335B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
WO2018123621A1 (en) Consumption determination method and plasma processing device
KR20220106688A (en) Abnormality detection method of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus
JP2008311580A (en) Substrate processing device, display method, program, and recording medium
JP2024507507A (en) Methods, systems, and apparatus for performing chucking operations using adjusted chucking voltages when process shifts occur
KR20070067894A (en) Substrate treating apparatus comprising substrate detecting means and method of detecting substrate sliding using the same
KR100920668B1 (en) Apparatus and method for producting substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right