KR100920668B1 - Apparatus and method for producting substrate - Google Patents

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Abstract

기판 제조 장치는 기판을 지지하는 지지부재, 지지부재와 연결된 측정 라인, 및 측정 라인의 내부 압력을 측정하는 게이지를 구비한다. 지지부재는 감지홀이 형성되고, 측정 라인은 감지홀과 연결된다. 따라서, 지지부재와 기판의 밀착 여부에 따라 게이지에 의해 측정되는 측정 라인의 내부 압력이 다르게 측정된다. 이를 이용하여 지지부재와 기판 간의 정렬 오류를 인지할 수 있으므로, 기판 제조 장치는 기판의 온도 균일도를 향상시키고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.The substrate manufacturing apparatus includes a support member for supporting a substrate, a measurement line connected to the support member, and a gauge for measuring an internal pressure of the measurement line. The support member is formed with a sensing hole, the measuring line is connected to the sensing hole. Therefore, the internal pressure of the measurement line measured by the gauge is measured differently depending on whether the support member is in close contact with the substrate. Since the misalignment between the supporting member and the substrate can be recognized using the substrate, the substrate manufacturing apparatus can improve the temperature uniformity of the substrate and improve the yield of the product.

Description

기판 제조 장치 및 그 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCTING SUBSTRATE}Substrate manufacturing apparatus and its method {APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCTING SUBSTRATE}

본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor element, and more particularly, to a substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate using plasma.

일반적으로, 플라즈마(Plasma)는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.In general, plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like, and is generated by a very high temperature, strong electric fields, or high frequency electromagnetic fields.

특히, 글로우 방전(Glow Discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유 전자에 의해 이루어지고, 여기된 자유 전자는 가스 분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성종(Active Species)을 생성한다. 이러한 활성종은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이, 활성종에 의해 물질의 표면을 처리하는 것을 플라즈마 처리라고 한다.Particularly, plasma generation by glow discharge is performed by free electrons excited by direct current or high frequency electromagnetic field, and the excited free electrons collide with gas molecules to generate active species such as ions, radicals and electrons. ). These active species physically or chemically act on the surface of the material to change the surface properties. As such, treating the surface of a substance with active species is referred to as plasma treatment.

이러한 플라즈마 처리는 반도체 소자를 제조하는 공정, 예컨대, 박막 증착, 세정(cleaning), 애싱(ashing) 또는 에칭(etching) 공정에 이용된다.Such plasma processing is used in processes for manufacturing semiconductor devices, such as thin film deposition, cleaning, ashing or etching processes.

일반적으로, 애싱 공정은 고온(200~300℃)으로 가열된 척 위에 웨이퍼를 올려놓은 상태로 플라스마를 포토레지스트와 반응시켜 포토레지스트를 제거한다. 이러한 애싱 공정과 달리 웨이퍼의 온도를 저온으로 유지시키면서 이루어지는 반도체 공정도 있으며, 이러한 경우, 냉각된 척 위에 웨이퍼를 올려놓은 상태로 공정이 이루어진다. 이와 같이, 반도체 공정은 척을 이용한 웨이퍼의 온도 조절을 요구하는 경우가 많으므로, 웨이퍼가 척 상의 기 설정된 위치에 정상적으로 안착되어야 한다. 따라서, 웨이퍼가 기 설정된 위치로부터 벗어나 비스듬하게 안착되면, 척의 온도가 웨이퍼에 균일하게 전달되지 못한다. 이로 인해, 웨이퍼의 온도 편차가 발생하고, 반도체 공정 처리가 균일하게 이루어 지지 못하므로, 불량 웨이퍼가 발생한다.Generally, the ashing process removes the photoresist by reacting the plasma with the photoresist while the wafer is placed on a chuck heated to a high temperature (200-300 ° C.). Unlike the ashing process, there is also a semiconductor process in which the temperature of the wafer is kept at a low temperature. In this case, the process is performed while the wafer is placed on a cooled chuck. As such, since the semiconductor process often requires temperature control of the wafer using the chuck, the wafer should normally be seated at a predetermined position on the chuck. Thus, if the wafer is seated at an angle away from the preset position, the temperature of the chuck is not evenly transmitted to the wafer. As a result, a temperature variation of the wafer occurs and the semiconductor process treatment cannot be made uniform, resulting in a defective wafer.

본 발명의 목적은 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 기판 제조 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate manufacturing apparatus capable of improving the yield of the product.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 제조 장치를 이용하여 반도체 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor substrate using the substrate manufacturing apparatus described above.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 제조 장치는, 공정챔버, 지지부재, 배기라인, 측정라인 및 게이지로 이루어진다.According to one aspect of the present invention, a substrate manufacturing apparatus includes a process chamber, a support member, an exhaust line, a measurement line, and a gauge.

공정챔버는 기판의 처리 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 지지부재는 상기 공정 공간에 구비되고, 상기 기판이 안착되며, 상기 기판이 안착되는 부분에 감지홀이 형성된다. 배기라인은 상기 공정챔버와 연결되고, 상기 공정 공간의 가스를 배기한다. 측정라인은 상기 감지홀 및 상기 배기라인과 연결된다. 게이지는 상기 측정라인에 설치되고, 상기 측정라인의 압력을 측정한다.The process chamber provides a process space in which a substrate processing process is performed. A support member is provided in the process space, the substrate is seated, and a sensing hole is formed in a portion where the substrate is seated. An exhaust line is connected to the process chamber and exhausts gas in the process space. The measuring line is connected to the sensing hole and the exhaust line. A gauge is installed in the measuring line and measures the pressure of the measuring line.

또한, 기판 제조 장치는 상기 게이지에 의해 측정된 상기 측정라인의 압력을 이용하여 상기 기판과 상기 지지부재의 정렬 오류를 감지하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The substrate manufacturing apparatus may further include a controller configured to detect an alignment error between the substrate and the support member using the pressure of the measurement line measured by the gauge.

또한, 기판 제조 장치는 상기 측정라인에서 상기 감지홀과 상기 게이지 사이에 설치되고, 상기 측정 라인의 압력 변화에 따라 동작하는 조절 밸브를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate manufacturing apparatus may further include a control valve installed between the sensing hole and the gauge in the measurement line, and operated according to the pressure change of the measurement line.

또한, 상기 공정챔버의 상부에 배치되고, 상기 기판을 처리하기 위한 플라스마를 생성하여 상기 공정챔버에 제공하는 플라스마 생성부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a plasma generation unit disposed on the process chamber and generating a plasma for processing the substrate and providing the plasma to the process chamber.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 제조 방법은 다음과 같다.A substrate manufacturing method according to one feature for realizing the object of the present invention described above is as follows.

먼저, 공정챔버 안에 설치된 지지부재에 기판을 안착시킨다. 이어, 상기 지지부재에 연결된 측정라인의 압력을 측정하여 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 검사하고, 상기 기판을 처리한다.First, the substrate is mounted on the support member installed in the process chamber. Then, by measuring the pressure of the measuring line connected to the support member to check the alignment error between the substrate and the support member, and processes the substrate.

상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 검사하는 과정은 다음과 같다. 먼저, 상기 지지부재에 형성된 감지홀과 연결된 측정라인의 내부 압력을 측정한다. 이어, 측정된 압력과 상기 기판이 상기 지지부재 상의 정 위치에 안착된 경우에 대응하는 상기 측정 라인의 기준 압력을 비교하여 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 판단한다.The process of checking for misalignment between the substrate and the support member is as follows. First, the internal pressure of the measuring line connected to the sensing hole formed in the support member is measured. Subsequently, a misalignment between the substrate and the support member is determined by comparing the measured pressure with a reference pressure of the measurement line corresponding to the case where the substrate is seated on the support member.

또한, 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 검사하는 과정은 다음과 같다. 상기 지지부재에 형성된 감지홀과 연결된 측정라인의 압력을 측정하고, 상기 공정챔버 안의 가스를 배기하는 배기 라인의 압력을 측정한다. 이어, 상기 배기 라인의 압력과 상기 측정라인의 압력을 비교하여 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 판단한다.In addition, the process of checking the alignment error between the substrate and the support member is as follows. The pressure of the measurement line connected to the sensing hole formed in the support member is measured, and the pressure of the exhaust line for exhausting the gas in the process chamber is measured. Subsequently, the alignment error between the substrate and the support member is determined by comparing the pressure of the exhaust line and the pressure of the measurement line.

또한, 상기 기판을 처리하는 과정은, 상기 기판을 처리하는 공정이 진행되는 동안 상기 측정 라인의 내부 압력을 측정하여 상기 기판의 변형 및 위치 변경을 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the process of processing the substrate may further include the step of inspecting the deformation and position change of the substrate by measuring the internal pressure of the measurement line during the process of processing the substrate.

상술한 본 발명에 따르면, 기판 제조 장치는 지지부재의 감지홀과 연결된 측정 라인의 내부 압력을 측정하여 기판과 지지부재 간의 밀착 여부를 판단할 수 있다. 이를 통해, 지지부재와 기판 간의 정렬 오류를 판단할 수 있으므로, 지지부재와 기판 간의 정렬 오류 발생 시, 공정 개시 전에 기판의 위치를 조절할 수 있다. 이에 따라, 기판 제조 장치는 공정시 기판의 온도 균일도를 향상시키고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention described above, the substrate manufacturing apparatus may determine the close contact between the substrate and the support member by measuring the internal pressure of the measurement line connected to the sensing hole of the support member. As a result, since an alignment error between the support member and the substrate can be determined, when an alignment error occurs between the support member and the substrate, the position of the substrate can be adjusted before the start of the process. Accordingly, the substrate manufacturing apparatus can improve the temperature uniformity of the substrate during the process and improve the yield of the product.

또한, 기판 제조 장치는 공정 진행 중에 기판의 변형 및 들뜸을 검사할 수 있으므로, 제조 원가를 절감시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the substrate manufacturing apparatus can inspect the deformation and the lifting of the substrate during the process, the manufacturing cost can be reduced and the productivity can be improved.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

이하에서는 애싱 장치를 예로 들어 설명하나, 본 발명은 웨이퍼를 지지 플레이트에 올려놓은 상태에서 공정을 진행하는 증착 장치를 비롯한 다양한 반도체 제조장치에 응용될 수 있다.Hereinafter, an ashing apparatus will be described as an example. However, the present invention can be applied to various semiconductor manufacturing apparatuses including a deposition apparatus that performs a process while a wafer is placed on a support plate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 척을 구체적으로 나타낸 도면이다.1 is a view showing a substrate manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing in detail the chuck shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 제조 장치(400)는 처리 유닛(100), 플라스마 생성유닛(200) 및 배기 유닛(300)을 포함한다.1 and 2, the substrate manufacturing apparatus 400 of the present invention includes a processing unit 100, a plasma generating unit 200, and an exhaust unit 300.

상기 처리 유닛(100)은 애싱 공정(ashing process)을 비롯한 반도체 공정이 이루어지고, 상기 플라스마 생성유닛(200)은 상기 반도체 공정에 필요한 플라스마를 생성하여 상기 처리 유닛(100)에 제공한다. 상기 배기 유닛(300)은 상기 처리 유닛(100) 내부의 가스와 반응 부산물을 외부로 배출하고, 상기 처리 유닛(100) 내부의 압력을 조절한다.The processing unit 100 is a semiconductor process including an ashing process (ashing process) is made, the plasma generation unit 200 generates a plasma required for the semiconductor process and provides it to the processing unit 100. The exhaust unit 300 discharges the gas and the reaction by-products inside the processing unit 100 to the outside and adjusts the pressure inside the processing unit 100.

구체적으로, 상기 처리 유닛(100)은 챔버(110), 척(chuck)(120), 샤워 헤드(130) 및 커버(140)를 포함한다. 상기 챔버(110)는 상기 반도체 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공하고, 바닥면(111)에는 상기 배기 유닛(300)과 연결되는 배기홀(111a)과 연결홀(111b)이 형성된다.Specifically, the processing unit 100 includes a chamber 110, a chuck 120, a shower head 130, and a cover 140. The chamber 110 provides a process space in which the semiconductor process is performed, and an exhaust hole 111a and a connection hole 111b connected to the exhaust unit 300 are formed in the bottom surface 111.

상기 척(120)은 상기 공정 공간에 설치되고, 상기 반도체 공정시 웨이퍼를 지지한다. 또한, 상기 척(120)은 상기 반도체 공정시 웨이퍼의 온도를 기 설정된 온도로 조절한다. 즉, 상기 척(120)은 상기 웨이퍼를 특정 온도로 가열하는 척일 수도 있고, 상기 웨이퍼를 특정 온도로 냉각시키는 척일 수도 있다. 상기 척(120)에는 상기 웨이퍼의 위치를 감지하는 감지홀(121)이 형성된다. 상기 감지홀(121)은 상기 척(120)의 상면으로부터 하부측으로 연장되어 상기 챔버(110)의 연결홀(111b)을 통해 상기 배기 유닛(300)과 연결된다.The chuck 120 is installed in the process space and supports a wafer during the semiconductor process. In addition, the chuck 120 adjusts the temperature of the wafer during the semiconductor process to a preset temperature. That is, the chuck 120 may be a chuck that heats the wafer to a specific temperature, or may be a chuck that cools the wafer to a specific temperature. The chuck 120 is provided with a detection hole 121 for detecting the position of the wafer. The sensing hole 121 extends from the upper surface of the chuck 120 to the lower side and is connected to the exhaust unit 300 through the connection hole 111b of the chamber 110.

상기 척(120)의 상부에는 상기 샤워 헤드(130) 및 상기 커버(140)가 구비된다. 상기 샤워 헤드(130)는 상기 플라스마 생성유닛(200)으로부터의 플라스마를 상기 척(120)의 상면을 향해 분사한다. 상기 커버(140)는 상기 챔버(110)와 상기 샤워 헤드(130) 상부에 구비되고, 상기 챔버(110)와 결합하여 상기 공정 공간을 밀폐 한다. 또한, 상기 커버(140)는 상기 플라스마 생성유닛(200)과 결합되고, 내부에 상기 플라스마 생성유닛(200)으로부터의 플라스마를 상기 샤워 헤드(130)로 제공하기 위한 유도 공간(GS)이 형성된다.The shower head 130 and the cover 140 are provided on the chuck 120. The shower head 130 sprays the plasma from the plasma generating unit 200 toward the upper surface of the chuck 120. The cover 140 is provided on the chamber 110 and the shower head 130, and is coupled to the chamber 110 to seal the process space. In addition, the cover 140 is coupled to the plasma generating unit 200, the induction space (GS) for providing a plasma from the plasma generating unit 200 to the shower head 130 is formed therein .

상기 커버(140)의 상부에는 상기 플라스마 생성유닛(200)이 설치된다. 상기 플라스마 생성유닛(200)은 마그네트론(210), 도파관(220), 가스 공급관(230), 및 플라스마 소스부(240)를 포함한다.The plasma generating unit 200 is installed above the cover 140. The plasma generating unit 200 includes a magnetron 210, a waveguide 220, a gas supply pipe 230, and a plasma source unit 240.

구체적으로, 상기 마그네트론(210)은 플라스마 생성을 위한 마이크로파(microwave)를 발생시키고, 상기 도파관(220)은 상기 마그네트론(210)에서 생성된 마이크로파를 상기 플라스마 소스부(240)로 유도한다. 가스 공급관(26)은 반응 가스를 상기 플라스마 소스부(240)에 공급하고, 상기 플라스마 소스부(240)는 상기 가스 공급관(230)으로부터의 상기 반응 가스와 상기 마그네트론(210)으로부터의 상기 마이크로파에 의해 플라스마가 생성된다. 상기 플라스마 소스부(240)에서 생성된 플라스마는 연결된 상기 커버(140)를 통해 상기 샤워 헤드(130)에 제공된다.In detail, the magnetron 210 generates microwaves for plasma generation, and the waveguide 220 guides the microwaves generated by the magnetron 210 to the plasma source unit 240. A gas supply pipe 26 supplies a reaction gas to the plasma source part 240, and the plasma source part 240 supplies the reaction gas from the gas supply pipe 230 and the microwaves from the magnetron 210. Thereby generating plasma. The plasma generated by the plasma source unit 240 is provided to the shower head 130 through the cover 140 connected.

한편, 상기 처리 유닛(100)의 아래에는 상기 배기 유닛(300)이 설치된다. 상기 배기 유닛(300)은 배기 라인(310), 자동 압력 조절부(320), 측정 라인(330), 및 게이지(340)를 포함한다.On the other hand, the exhaust unit 300 is installed below the processing unit 100. The exhaust unit 300 includes an exhaust line 310, an automatic pressure regulator 320, a measurement line 330, and a gauge 340.

구체적으로, 상기 배기 라인(310)은 상기 챔버(110)의 바닥면(111)에 형성된 배기홀(111a)과 연결되고, 상기 공정 공간에 유입된 가스와 반도체 공정 시 발생된 공정 부산물을 외부로 배출시킨다. 상기 배기 라인(310)에는 상기 자동 압력 조절부(320)가 설치되고, 상기 자동 압력 조절부(320)는 상기 배기 라인(310)을 통해 상기 공정 공간의 압력을 조절한다.In detail, the exhaust line 310 is connected to the exhaust hole 111a formed in the bottom surface 111 of the chamber 110, and the gas introduced into the process space and the process by-products generated during the semiconductor process to the outside. Drain it. The automatic pressure regulating unit 320 is installed in the exhaust line 310, and the automatic pressure regulating unit 320 adjusts the pressure of the process space through the exhaust line 310.

상기 측정 라인(330)은 상기 챔버(110) 바닥면(111)에 형성된 상기 연결홀(111b)을 통해 상기 척(120)에 형성된 상기 감지홀(121)과 제1 단부가 연결되고, 제2 단부는 상기 배기 라인(310)과 연결된다.The measurement line 330 is connected to the sensing hole 121 formed in the chuck 120 and a first end thereof through the connection hole 111b formed in the bottom surface 111 of the chamber 110, and a second end thereof. An end is connected with the exhaust line 310.

상기 측정 라인(330)에는 상기 게이지(340)가 설치되고, 상기 게이지(340)는 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정한다. 본 발명의 일례로, 상기 게이지(340)로는 다이아프램(diaphram) 게이지가 사용된다.The gauge 340 is installed in the measurement line 330, and the gauge 340 measures the internal pressure of the measurement line 330. In one example of the present invention, a diaphragm gauge is used as the gauge 340.

상기 게이지(340)에 의해 측정된 상기 측정 라인(330)의 압력 값은 상기 웨이퍼가 상기 척(120)의 정 위치에 안착되었는지 여부를 판단하는 데 이용된다. 즉, 상기 웨이퍼가 상기 척(120)의 정 위치에 안착되면, 상기 웨이퍼의 하면과 상기 척(120)의 상면이 밀착되어 상기 공정 공간의 가스나 공기가 상기 감지홀(121)에 유입되지 못한다. 이에 따라, 상기 감지홀(121)의 압력이 감소되므로, 상기 측정 라인(330)의 내부 압력이 감소된다.The pressure value of the measurement line 330 measured by the gauge 340 is used to determine whether the wafer is seated in the correct position of the chuck 120. That is, when the wafer is seated at the correct position of the chuck 120, the lower surface of the wafer and the upper surface of the chuck 120 are in close contact with each other so that gas or air in the process space does not flow into the sensing hole 121. . Accordingly, since the pressure of the sensing hole 121 is reduced, the internal pressure of the measuring line 330 is reduced.

반면, 상기 웨이퍼가 정 위치에 안착되지 못하면, 상기 웨이퍼의 하면과 상기 척(120)의 상면이 밀착되지 못한다. 이에 따라, 상기 공정 공간의 가스나 공기가 상기 감지홀(121)에 유입되어 상기 감지홀(121)의 압력이 상승하므로, 상기 측정 라인(330)의 내부 압력이 상승한다.On the other hand, if the wafer is not seated in place, the bottom surface of the wafer and the top surface of the chuck 120 may not be in close contact. Accordingly, since the gas or air in the process space flows into the sensing hole 121 and the pressure of the sensing hole 121 increases, the internal pressure of the measuring line 330 increases.

이와 같이, 상기 웨이퍼가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착되었는지 여부에 따라 상기 측정 라인(330)의 내부 압력이 달라지므로, 이를 통해 상기 웨이퍼와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 인지할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 제조 장 치(400)는 상기 척(110)과 상기 웨이퍼의 정렬 오류로 인한 상기 웨이퍼의 불량을 방지할 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.As such, since the internal pressure of the measurement line 330 varies depending on whether the wafer is seated on the chuck 110, the alignment error between the wafer and the chuck 110 may be recognized. have. Accordingly, the substrate manufacturing apparatus 400 can prevent the defect of the wafer due to the misalignment of the chuck 110 and the wafer, thereby improving the yield of the product.

상기 배기 유닛(300)은 상기 측정 라인(330)에 설치된 조절 밸브(350)를 더 포함한다. 상기 조절 밸브(350)는 상기 측정 라인(330)의 제1 단부와 상기 게이지(330) 사이에 위치하고, 상기 측정 라인(330)의 압력 변화에 따라 조절된다. 상기 게이지(330)는 상기 조절 밸브(350)의 구동에 의해 동작한다.The exhaust unit 300 further includes a control valve 350 installed in the measurement line 330. The control valve 350 is positioned between the first end of the measurement line 330 and the gauge 330, and is adjusted according to the pressure change of the measurement line 330. The gauge 330 is operated by driving the control valve 350.

또한, 상기 배기 유닛(300)은 제어부(360)를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부(360)는 상기 게이지(340)로부터 상기 측정 라인(330)의 내부 압력값을 입력받고, 기 설정된 기준 압력과 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 비교하여 상기 웨이퍼와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 판단한다. 여기서, 상기 기준 압력은 상기 웨이퍼가 상기 척(110)의 정 위치에 위치했을 때에 대응하는 압력이다. 이러한 기준 압력 값은 시뮬레이션 등을 통해 설정되어 상기 제어부(360)에 기 저장될 수도 있고, 상기 조절 밸브(350)를 오픈하기 전에 측정된 상기 측정 라인(330)의 내부 압력 값일 수도 있다.In addition, the exhaust unit 300 may further include a controller 360. The controller 360 receives an internal pressure value of the measurement line 330 from the gauge 340, compares a preset reference pressure with an internal pressure of the measurement line 330, and the wafer and the chuck 110. Determine misalignment between Here, the reference pressure is a pressure corresponding to when the wafer is located at the correct position of the chuck 110. The reference pressure value may be set through simulation and stored in the controller 360 or may be an internal pressure value of the measurement line 330 measured before opening the control valve 350.

또한, 상기 제어부(360)는 상기 배기 라인(310)의 내부 압력과 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 비교하여 상기 웨이퍼와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 판단할 수도 있다. 즉, 상기 제어부(360)는 상기 자동 압력 조절부(320)와 연결되어 상기 자동 압력 조절부(320)로부터 상기 배기 라인(310)의 내부 압력값을 입력받고, 상기 게이지(340)와 연결되어 상기 측정 라인(330)의 내부 압력값을 입력받는다. 상기 제어부(360)는 입력된 상기 배기 라인(310)의 내부 압력과 상기 측정 라 인(330)의 내부 압력을 비교하여 상기 웨이퍼와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 판단한다.In addition, the controller 360 may determine an alignment error between the wafer and the chuck 110 by comparing the internal pressure of the exhaust line 310 with the internal pressure of the measurement line 330. That is, the controller 360 is connected to the automatic pressure controller 320 to receive an internal pressure value of the exhaust line 310 from the automatic pressure controller 320, and is connected to the gauge 340. The internal pressure value of the measuring line 330 is input. The controller 360 compares the input internal pressure of the exhaust line 310 with the internal pressure of the measurement line 330 to determine an alignment error between the wafer and the chuck 110.

이하, 도면을 참조하여서 상기 척(110)과 상기 웨이퍼 간의 정렬 오류를 판단하는 방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of determining misalignment between the chuck 110 and the wafer will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 도 1에 도시된 기판 제조 장치를 이용하여 웨이퍼를 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼의 정위치 여부를 검사하는 방법을 나타낸 흐름도이며, 도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 기판 제조 장치에서 웨이퍼가 안착된 상태를 나타낸 도면이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wafer using the substrate manufacturing apparatus illustrated in FIG. 1, and FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of inspecting whether a wafer is illustrated in FIG. 3. FIG. 5 and FIG. 6 is a view showing a state in which the wafer is seated in the substrate manufacturing apparatus shown in FIG.

도 3 및 도 5를 참조하면, 먼저, 상기 챔버(110) 안에 구비된 상기 척(110)에 웨이퍼(10)를 안착시킨다(단계 S110).3 and 5, first, the wafer 10 is seated on the chuck 110 provided in the chamber 110 (step S110).

상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)에 안착되면 상기 감지홀(121)의 압력이 변한다. 따라서, 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정하여 상기 척(110)과 상기 웨이퍼(10) 간의 정렬 오류, 즉, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착되었는지 여부를 검사한다(단계 S120).When the wafer 10 is seated on the chuck 110, the pressure of the sensing hole 121 changes. Therefore, the internal pressure of the measurement line 330 is measured to determine whether an alignment error between the chuck 110 and the wafer 10, that is, whether the wafer 10 is seated in the correct position on the chuck 110. To check (step S120).

상기 척(110)과 상기 웨이퍼(10)의 정렬 오류 검사 과정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다. The alignment error inspection process of the chuck 110 and the wafer 10 will be described in detail.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 먼저, 상기 척(110)에 구비된 리프트 핀(미도시)이 하강하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)의 상면에 안착되고, 상기 조절 밸브(350)가 오픈된다. 이어, 상기 게이지(340)는 상기 측정 라인(330)의 내부 압력 을 측정하여 상기 제어부(360)에 제공한다(단계 S121).4 to 6, first, a lift pin (not shown) provided in the chuck 110 is lowered so that the wafer 10 is seated on an upper surface of the chuck 110, and the control valve 350 is disposed. ) Is opened. Subsequently, the gauge 340 measures the internal pressure of the measurement line 330 and provides the measured pressure to the controller 360 (step S121).

상기 제어부(360)는 상기 게이지(340)에 의해 측정된 상기 측정 라인(330)의 압력과 상기 기준 압력을 비교하여 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되었는지 여부를 판단한다(단계 S123).The controller 360 compares the pressure of the measurement line 330 measured by the gauge 340 with the reference pressure to determine whether the wafer 10 is seated in the correct position (step S123).

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착된 경우, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)의 상면과 밀착된다. 이러한 경우, 측정된 상기 측정 라인(330)의 압력이 기 설정된 정상 압력 범위 안에 속하므로, 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되었음을 인지할 수 있다. 여기서, 상기 정상 압력 범위는 상기 기준 압력을 기준으로 한 오차 범위로서, 상기 웨이퍼(10)가 정 위치된 것으로 인정할 수 있는 상기 측정 라인(330)의 내부 압력 범위이다.As shown in FIG. 5, when the wafer 10 is seated at a position on the chuck 110, the wafer 10 is in close contact with the upper surface of the chuck 110. In this case, since the measured pressure of the measurement line 330 is within a preset normal pressure range, it can be recognized that the wafer 10 is seated in the correct position. Here, the normal pressure range is an error range based on the reference pressure, and is an internal pressure range of the measurement line 330 that can be recognized as being in the wafer 10.

반면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착되지 못한 경우, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)의 상면에 대해 비스듬하게 안착되어 상기 웨이퍼(10)와 상기 척(110)의 상면이 밀착되지 못하고 이격된다. 이에 따라, 상기 감지홀(121)의 내부 압력이 상승하여 상기 측정 라인(330)의 압력이 상승한다. 이러한 경우, 상기 측정 라인(330)의 압력이 상기 정상 압력 범위를 벗어나므로, 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되지 않았음을 인지할 수 있다.On the other hand, as shown in Figure 6, when the wafer 10 is not seated in place on the chuck 110, the wafer 10 is placed obliquely with respect to the upper surface of the chuck 110 is The top surface of the wafer 10 and the chuck 110 may be spaced apart from each other. As a result, the internal pressure of the sensing hole 121 increases to increase the pressure of the measuring line 330. In this case, since the pressure of the measuring line 330 is outside the normal pressure range, it can be recognized that the wafer 10 is not seated in the correct position.

이 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼(10)의 정렬 오류 검사는 상기 제어부(360)에 기 설정된 기준 압력 값을 이용하여 이루어진다. 그러나, 상기 조절 밸브(350)를 오픈하기 전에 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정한 후, 이를 기 준 압력 값으로 이용하여 상기 웨이퍼(10)의 정렬 오류 검사를 실시할 수도 있다. 이러한 경우, 상기 조절 밸브(350)를 오픈하기 전에 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정하고, 상기 조절 밸브(350)를 오픈 한 후에 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정한다. 상기 제어부(360)는 상기 측정된 이 두 내부 압력 값들을 비교하여 상기 웨이퍼(10)의 정렬 오류를 판단한다. 여기서, 상기 조절 밸브(350)를 오픈 한 후에 상기 측정 라인(330)의 내부 압력 측정하는 과정은 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)에 안착된 후에 이루어진다.In this embodiment, the alignment error check of the wafer 10 is performed using a reference pressure value preset in the controller 360. However, after measuring the internal pressure of the measurement line 330 before opening the control valve 350, it may be used to check the alignment error of the wafer 10 using the reference pressure value. In this case, the internal pressure of the measurement line 330 is measured before the control valve 350 is opened, and the internal pressure of the measurement line 330 is measured after the control valve 350 is opened. The controller 360 compares the two measured internal pressure values to determine an alignment error of the wafer 10. Here, the process of measuring the internal pressure of the measurement line 330 after opening the control valve 350 is performed after the wafer 10 is seated on the chuck 110.

또한, 이 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼(10)의 정렬 오류 검사는 상기 공정 공간이 상압 상태일 때 이루어지나, 진공 상태일 때 이루어질 수도 있다.In addition, in this embodiment, the misalignment check of the wafer 10 is performed when the process space is at atmospheric pressure, or may be performed when the vacuum is in a vacuum state.

이상에서는 상기 측정 라인(330)의 압력을 상기 기준 압력과 비교하여 상기 웨이퍼(10)와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 판단하였으나, 이하에서는 상기 측정 라인(330)과 상기 배기 라인(310)의 압력을 비교하여 상기 웨이퍼(10)와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 검사하는 과정에 대해 구체적으로 설명한다.In the above, the misalignment between the wafer 10 and the chuck 110 is determined by comparing the pressure of the measurement line 330 with the reference pressure. Hereinafter, the measurement line 330 and the exhaust line 310 are determined. The process of checking for misalignment between the wafer 10 and the chuck 110 by comparing the pressures of the wafers will be described in detail.

도 7은 도 3에 도시된 웨이퍼의 정위치 여부를 검사하는 방법의 다른 일례를 나타낸 흐름도이다.FIG. 7 is a flowchart illustrating another example of a method of inspecting whether a wafer illustrated in FIG. 3 is in a correct position.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 먼저, 상기 척(110)에 구비된 리프트 핀(미도시)이 하강하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)의 상면에 안착된다. 이어, 상기 조절 밸브(350)가 동작하고, 상기 게이지(340)는 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정하여 상기 제어부(360)에 제공한다(단계 S125).5 to 7, first, a lift pin (not shown) provided in the chuck 110 is lowered so that the wafer 10 is seated on an upper surface of the chuck 110. Subsequently, the control valve 350 is operated, and the gauge 340 measures the internal pressure of the measurement line 330 and provides it to the controller 360 (step S125).

상기 자동 압력 조절부(320)는 상기 배기 라인(310)의 내부 압력을 측정하여 상기 제어부(360)에 제공한다(단계 S127). 여기서, 상기 자동 압력 조절부(320)는 상기 웨이퍼(10)가 안착되면, 클로즈 상태를 유지한다.The automatic pressure controller 320 measures the internal pressure of the exhaust line 310 and provides the pressure to the controller 360 (step S127). Here, the automatic pressure control unit 320 maintains the closed state when the wafer 10 is seated.

이어, 상기 제어부(360)는 상기 측정 라인(330)의 압력과 상기 배기 라인(110)의 압력을 비교하여 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되었는지 여부를 판단한다(단계 S129).Subsequently, the controller 360 compares the pressure of the measurement line 330 with the pressure of the exhaust line 110 to determine whether the wafer 10 is seated in the correct position (step S129).

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착된 경우, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)의 상면과 밀착된다. 이에 따라, 상기 감지홀(121)의 압력이 감소하여 상기 측정 라인(330)의 압력이 감소된다. 한편, 상기 자동 압력 조절부(320)는 상기 웨이퍼(10)가 안착되면, 클로즈 상태를 유지한다. 따라서, 측정된 상기 측정 라인(330)의 내부 압력이 기 설정된 정상 압력 범위 안에 속하므로, 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되었음을 인지할 수 있다. 여기서, 상기 정상 압력 범위는 측정된 상기 배기 라인(310)의 내부 압력 값을 기준으로 한 오차 범위로서, 상기 웨이퍼(10)가 정 위치된 것으로 인정될 수 있는 상기 측정 라인(330)의 내부 압력 범위이다.That is, as shown in FIG. 5, when the wafer 10 is seated in the correct position on the chuck 110, the wafer 10 is in close contact with the upper surface of the chuck 110. Accordingly, the pressure of the sensing hole 121 is reduced to reduce the pressure of the measuring line 330. On the other hand, the automatic pressure control unit 320 maintains the closed state when the wafer 10 is seated. Therefore, since the measured internal pressure of the measurement line 330 is within a preset normal pressure range, it can be recognized that the wafer 10 is seated in the correct position. Here, the normal pressure range is an error range based on the measured internal pressure value of the exhaust line 310, and the internal pressure of the measurement line 330 in which the wafer 10 may be recognized as being in position. Range.

반면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착되지 못한 경우, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110)의 상면에 대해 비스듬하게 안착되어 상기 웨이퍼(10)와 상기 척(110)의 상면이 밀착되지 못하고 이격된다. 이에 따라, 상기 감지홀(121)의 내부 압력이 상승하여 상기 측정 라인(330)의 압력이 상승한다. 이러한 경우, 상기 측정 라인(330)의 내부 압력이 상기 정상 압력 범위를 벗어나므로, 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되지 않았음을 인지할 수 있다.On the other hand, as shown in Figure 6, when the wafer 10 is not seated in place on the chuck 110, the wafer 10 is placed obliquely with respect to the upper surface of the chuck 110 is The top surface of the wafer 10 and the chuck 110 may be spaced apart from each other. As a result, the internal pressure of the sensing hole 121 increases to increase the pressure of the measuring line 330. In this case, since the internal pressure of the measurement line 330 is out of the normal pressure range, it can be recognized that the wafer 10 is not seated in place.

이 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼(10)의 정렬 오류 검사는 상기 공정 공간이 진공 상태일 때 이루어지나, 상압 상태일 때 이루어질 수도 있다.In this embodiment, the misalignment check of the wafer 10 is performed when the process space is in a vacuum state, but may also be performed when the pressure is normal.

이상에서는, 상기 제어부(360)가 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 상기 기준 압력 또는 상기 배기 라인(310)의 내부 압력과 비교하여 상기 척(110)과 상기 웨이퍼(10) 간의 정렬 오류를 판단하였으나, 이러한 일련의 과정은 상기 제어부(360)를 이용하지 않고 작업자에 의해 수작업으로 이루어질 수도 있다.In the above description, the controller 360 compares the internal pressure of the measurement line 330 with the reference pressure or the internal pressure of the exhaust line 310 to correct an alignment error between the chuck 110 and the wafer 10. Although determined, such a series of processes may be manually performed by an operator without using the controller 360.

다시, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 웨이퍼(10)가 상기 척(110) 상의 정 위치에 안착되면, 상기 플라스마 생성유닛(200)은 상기 플라스마를 생성하여 상기 처리 유닛(100)에 제공하고, 상기 처리 유닛(100)은 상기 플라스마를 이용하여 상기 웨이퍼(10)를 처리한다(단계 S130). 이때, 상기 단계 S120에서 상기 웨이퍼(10)가 정 위치에 안착되지 않은 것으로 인지된 경우, 상기 웨이퍼(10)의 위치를 조절하여 상기 웨이퍼(10)를 정 위치에 안착시킨 후 상기 단계 S130을 수행한다.3 and 5, when the wafer 10 is seated in a position on the chuck 110, the plasma generating unit 200 generates the plasma and provides the plasma to the processing unit 100. The processing unit 100 processes the wafer 10 by using the plasma (step S130). In this case, when it is recognized in step S120 that the wafer 10 is not seated in the correct position, the step S130 is performed by adjusting the position of the wafer 10 and then seating the wafer 10 in the correct position. do.

또한, 상기 웨이퍼(10)를 처리하는 단계(S130)는, 상기 플라스마를 이용한 상기 웨이퍼(10)의 처리를 진행하는 동안 상기 웨이퍼(10)의 변형 및 상기 웨이퍼(10)의 정 위치 이탈 여부를 검사하는 과정을 포함할 수도 있다. 여기서, 상기 웨이퍼(10)의 변형 및 상기 웨이퍼(10)의 정 위치 이탈 여부를 검사하는 과정은 상술한 웨이퍼(10)의 정렬 오류 검사 단계(S120)와 동일하며, 그 중복된 설명은 생략한다.In addition, the step of processing the wafer 10 (S130), during the processing of the wafer 10 using the plasma whether the deformation of the wafer 10 and whether the wafer 10 is out of position or not It may also include a process of testing. Here, the process of checking whether the wafer 10 is deformed and whether the wafer 10 is out of position is the same as the above-described misalignment check step (S120) of the wafer 10, and description thereof will be omitted. .

구체적으로, 공정 진행 중에 상기 웨이퍼(10)가 휘거나 상기 척(120)으로부 터 들뜨는 경우, 상기 측정 라인(330)의 내부 압력이 상기 정상 압력 범위를 초과한다. 따라서, 공정 진행 중에 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정하여 측정된 값이 상기 정상 압력 범위 안에 속하는지 여부를 검사한다. 이러한 검사를 통해 상기 웨이퍼(10)의 변형 및 위치 변경을 공정 진행 중에 체크할 수 있다. 상기 웨이퍼(10)의 변형 및 위치 변경 검사는 주기적으로 또는 임의적으로 이루어질 수 있다.Specifically, when the wafer 10 is bent or lifted up from the chuck 120 during the process, the internal pressure of the measurement line 330 exceeds the normal pressure range. Therefore, the internal pressure of the measurement line 330 is measured during the process to check whether the measured value is within the normal pressure range. Through such inspection, deformation and positional change of the wafer 10 can be checked during the process. The deformation and repositioning inspection of the wafer 10 can be done periodically or arbitrarily.

이와 같이, 상기 기판 제조 장치(400)는 상기 측정 라인(330)의 내부 압력을 측정하는 과정을 통해 상기 웨이퍼(10)와 상기 척(110) 간의 정렬 오류와 공정 과정 중 발생할 수 있는 웨이퍼(10)의 변형 및 들뜸 현상을 검사할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 제조 장치(400)는 상기 웨이퍼(10)의 플라스마 처리 이전에 상기 웨이퍼(10)와 상기 척(110) 간의 정렬 오류를 정정할 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.As such, the substrate manufacturing apparatus 400 may measure an internal pressure of the measurement line 330 and may cause an alignment error between the wafer 10 and the chuck 110 and a wafer 10 that may occur during the process. ) Deformation and lifting phenomenon can be examined. Accordingly, since the substrate manufacturing apparatus 400 may correct an alignment error between the wafer 10 and the chuck 110 before plasma processing of the wafer 10, the yield of a product may be improved.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a substrate manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 척을 구체적으로 나타낸 도면이다.2 is a view showing in detail the chuck shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 기판 제조 장치를 이용하여 웨이퍼를 제조하는 방법을 나타낸 흐름도이다.FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a wafer using the substrate manufacturing apparatus shown in FIG. 1.

도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼의 정위치 여부를 검사하는 방법을 나타낸 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of inspecting whether a wafer shown in FIG. 3 is in a correct position.

도 5 및 도 6은 도 1에 도시된 기판 제조 장치에서 웨이퍼가 안착된 상태를 나타낸 도면이다.5 and 6 are views illustrating a state in which a wafer is seated in the substrate manufacturing apparatus shown in FIG. 1.

도 7은 도 3에 도시된 웨이퍼의 정위치 여부를 검사하는 방법의 다른 일례를 나타낸 흐름도이다.FIG. 7 is a flowchart illustrating another example of a method of inspecting whether a wafer illustrated in FIG. 3 is in a correct position.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 처리 유닛 200 : 플라스마 생성유닛100: processing unit 200: plasma generating unit

300 : 배기 유닛 400 : 기판 제조 장치300: exhaust unit 400: substrate manufacturing apparatus

Claims (14)

기판의 처리 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공하는 공정챔버;A process chamber providing a process space in which a substrate processing process is performed; 상기 공정 공간에 구비되고, 상기 기판이 안착되며, 상기 기판이 안착되는 부분에 감지홀이 형성된 지지부재;A support member provided in the process space, on which the substrate is seated, and a sensing hole is formed in a portion where the substrate is seated; 상기 공정챔버와 연결되고, 상기 공정 공간의 가스를 배기하는 배기라인;An exhaust line connected to the process chamber and configured to exhaust gas of the process space; 상기 감지홀 및 상기 배기라인과 연결된 측정라인; 및A measurement line connected to the sensing hole and the exhaust line; And 상기 측정라인에 설치되고, 상기 측정라인의 압력을 측정하는 게이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.The substrate manufacturing apparatus, characterized in that provided in the measuring line, comprising a gauge for measuring the pressure of the measuring line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이지에 의해 측정된 상기 측정라인의 압력을 이용하여 상기 기판과 상기 지지부재의 정렬 오류를 감지하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.And a control unit for detecting a misalignment between the substrate and the support member by using the pressure of the measurement line measured by the gauge. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 측정라인에서 상기 감지홀과 상기 게이지 사이에 설치되고, 상기 측정 라인의 압력 변화에 따라 동작하는 조절 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.And a control valve installed between the sensing hole and the gauge in the measurement line and operating according to a pressure change of the measurement line. 제1항에 있어서, 상기 게이지는 다이아프램(Diaphram) 게이지인 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.The apparatus of claim 1, wherein the gauge is a diaphram gauge. 제1항에 있어서, 상기 공정챔버의 상부에 배치되고, 상기 기판을 처리하기 위한 플라스마를 생성하여 상기 공정챔버에 제공하는 플라스마 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치.The apparatus of claim 1, further comprising a plasma generation unit disposed above the process chamber and generating a plasma for processing the substrate and providing the plasma to the process chamber. 공정챔버 안에 설치된 지지부재에 기판을 안착시키는 단계;Mounting a substrate on a support member installed in the process chamber; 상기 공정챔버 내의 가스를 배기하는 배기 라인과 상기 지지부재에 형성된 감지홀에 연결된 측정라인의 압력을 측정하여 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 검사하는 단계; 및Checking an alignment error between the substrate and the support member by measuring a pressure of an exhaust line exhausting gas in the process chamber and a measurement line connected to a sensing hole formed in the support member; And 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는 단계를 포함하고,Including processing the substrate; 상기 감지홀은 상기 지지부재에서 상기 기판이 안착되는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.The sensing hole is a substrate manufacturing method, characterized in that formed in the portion in which the substrate is seated in the support member. 제6항에 있어서, 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 검사하는 단계는,The method of claim 6, wherein the checking of the misalignment between the substrate and the support member comprises: 상기 측정라인의 내부 압력을 측정하는 단계; 및Measuring the internal pressure of the measurement line; And 측정된 압력과 상기 기판이 상기 지지부재 상의 정 위치에 안착된 경우에 대응하는 상기 측정 라인의 기준 압력을 비교하여 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.Determining the misalignment between the substrate and the support member by comparing the measured pressure with a reference pressure of the measurement line corresponding to when the substrate is seated on the support member. Manufacturing method. 제6항에 있어서, 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 검사하는 단계는,The method of claim 6, wherein the checking of the misalignment between the substrate and the support member comprises: 상기 지지부재에 형성된 감지홀과 연결된 측정라인의 내부 압력을 측정하는 단계;Measuring an internal pressure of a measurement line connected to a sensing hole formed in the support member; 상기 배기 라인의 압력을 측정하는 단계; 및Measuring the pressure of the exhaust line; And 상기 배기 라인의 압력과 상기 측정라인의 압력을 비교하여 상기 기판과 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.And comparing the pressure of the exhaust line with the pressure of the measurement line to determine an alignment error between the substrate and the support member. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 지지부재 간의 정렬 오류를 판단하는 단계는, 측정된 상기 배기 라인의 압력이 측정된 상기 측정라인의 압력을 포함하는 정상 압력 범위 안에 속하면 상기 기판이 정 위치에 안착된 것으로 판단하고, 상기 측정된 배기 라인의 압력이 상기 정상 압력 범위를 벗어나면 상기 기판이 비정상적으로 안착된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.The determining of the misalignment between the supporting members may include determining that the substrate is seated in the correct position when the measured pressure of the exhaust line is within a normal pressure range including the measured pressure of the measuring line. And determining that the substrate is abnormally seated when the pressure of the exhaust line is outside the normal pressure range. 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 측정라인의 압력을 측정하는 단계는,10. The method of any one of claims 8 and 9, wherein measuring the pressure of the measuring line comprises: 상기 측정라인에 설치된 조절 밸브가 상기 측정라인의 압력 변화에 의해 동 작하는 단계; 및A control valve installed in the measuring line is operated by a pressure change of the measuring line; And 상기 조절 밸브의 구동에 의해 상기 측정라인에 설치된 게이지가 구동되어 상기 측정라인의 압력을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.And a gauge installed in the measurement line by driving the control valve to measure the pressure of the measurement line. 제6항에 있어서, 상기 기판을 처리하는 단계는, 상기 기판에 플라스마를 제공하여 상기 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.The method of claim 6, wherein the processing of the substrate comprises treating the substrate by providing a plasma to the substrate. 제6항에 있어서, 상기 기판을 처리하는 단계는, 상기 기판을 처리하는 공정이 진행되는 동안 상기 기판의 변형 및 위치 변경을 검사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.The method of claim 6, wherein processing the substrate further comprises inspecting deformation and displacement of the substrate while the substrate processing process is in progress. 제12항에 있어서, 상기 기판의 변형 및 위치 변경을 검사하는 단계는,The method of claim 12, wherein the inspecting the deformation and the position change of the substrate comprises: 상기 지지부재에 형성된 감지홀과 연결된 측정라인의 내부 압력을 측정하는 단계; 및Measuring an internal pressure of a measurement line connected to a sensing hole formed in the support member; And 측정된 압력과 상기 기판이 상기 지지부재 상의 정 위치에 안착된 경우에 대응하는 상기 측정 라인의 기준 압력을 비교하여 상기 기판의 변형 및 위치 변경 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.And comparing the measured pressure with a reference pressure of the measurement line corresponding to the case where the substrate is seated on the support member, and determining whether the substrate is deformed or changed. Way. 제12항에 있어서, 상기 기판의 변형 및 위치 변경을 검사하는 단계는,The method of claim 12, wherein the inspecting the deformation and the position change of the substrate comprises: 상기 지지부재에 형성된 감지홀과 연결된 측정라인의 내부 압력을 측정하는 단계;Measuring an internal pressure of a measurement line connected to a sensing hole formed in the support member; 상기 공정챔버 안의 가스를 배기하는 배기 라인의 압력을 측정하는 단계; 및Measuring a pressure of an exhaust line for exhausting gas in the process chamber; And 상기 배기 라인의 압력과 상기 측정라인의 압력을 비교하여 상기 기판의 변형 및 위치 변경 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.And comparing the pressure of the exhaust line with the pressure of the measurement line to determine whether the substrate is deformed or changed.
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KR20040028977A (en) * 2001-08-03 2004-04-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Method and apparatus for vacuum pumping a susceptor shaft

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