KR20190090452A - 박막 코팅 방법 및 그에 따라 제조된 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 코팅 방법 및 그에 따라 제조된 전자 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 회전 방식을 이용한 박막 코팅 방법과 이를 통해 제조된 전자 소자에 관한 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법은, 희생층 상에 도전성 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 희생층과 도전성 박막을 부식액이 포함된 액체에 띄워 희생층을 제거하는 플로팅 단계; 액체에 포함된 부식액을 제거하는 제거 단계; 및 기판을 회전시켜 도전성 박막을 기판에 코팅하는 코팅 단계;를 포함한다.

Description

박막 코팅 방법 및 그에 따라 제조된 전자 소자{METHOD OF COATING THIN FILM AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD}
본 발명은 박막 코팅 방법 및 그에 따라 제조된 전자 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 회전 방식을 이용한 박막 코팅 방법과 이 방법을 통해 제조된 전자 소자에 관한 것이다.
최근에 전자 장치에 관한 기술 분야에서는 웨어러블(Wearable) 디바이스, 플렉시블(Flexible) 디바이스, 스트레처블(stretchable) 디바이스, 바이오메디컬 전자 장치(Biomedical electronic device) 등에 대한 연구가 이루어지고 있다. 이에 따라 박막 기판 디바이스 분야에서는 플랫폼(platform)을 기존의 평면 구조에서 더 나아가 곡면 구조로 발전시키는 연구가 활발히 진행되고 있다.
한국등록특허 제10-1763166호(회전 방식을 이용한 박막 코팅 방법 및 박막 코팅 장치)에서는 소정의 박막을 물 위에 띄운 후 원통형 기판에 코팅하는 방법을 제시하였다. 제시된 방법은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 전기 도금법(Electroplating), 졸-겔(Sol-Gel)법 등의 기존 코팅 방법들의 한계를 극복하고 원통 형상 또는 튜브 형상의 기판에 고품질의 박막을 전사할 수 있다.
종래에는 원통형 물체의 스트레인을 측정하기 위해서, 평면형 플랫폼(platform)을 가진 스트레인 센서를 원통형 물체에 부착하여 측정하는 방법을 이용하였다. 하지만 평면형 플랫폼(platform)을 가진 스트레인 센서는 그 자체의 굽힘 강성(bending stiffness)을 줄이는 것에 한계가 있기 때문에, 첨단의 고부가 가치를 갖는 미세 폴리머 튜브 또는 생체의 혈관과 머리카락 등의 작은 직경을 가지는 원통형 물체에는 적용하기가 어렵다.
또 다른 방법으로, 원통형 물체에 박막을 직접 증착하거나 전사하여 원통형 물체를 위한 스트레인 센서를 제조하는 방법이 있다. 하지만, 이러한 방법으로는 박막을 다양한 형태로 원통형 플랫폼(platform)에 전사하는 것이 매우 어려운 현황이다. 따라서 원통형 물체의 변형률을 정밀하게 측정하기 위한 새로운 방법에 대한 개발이 요구된다.
한국 공개특허 10-2016-0098643 (공개일자 2016년 08월 19일) 한국 등록특허 10-1763166 (공고일자 2017년 08월 03일)
본 발명의 해결하고자 하는 과제는, 다양한 형상의 기판에 도전성 박막 물질을 코팅하는 박막 코팅 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 해결하고자 하는 다른 과제는, 박막 코팅 방법에 의해 제조된 인덕터, 커패시터 및 저항과 같은 전자 소자를 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법은, 희생층 상에 도전성 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 희생층과 도전성 박막을 부식액이 포함된 액체에 띄워 희생층을 제거하는 플로팅 단계; 액체에 포함된 부식액을 제거하는 제거 단계; 및 기판을 회전시켜 도전성 박막을 기판에 코팅하는 코팅 단계;를 포함한다. 이러한 박막 코팅 방법에 의하면, 희생층을 지지하기 위한 별도의 부재가 필요없고, 도전성 박막을 기판에 정밀하게 고품질로 코팅할 수 있는 이점이 있다. 또한, 저항, 인덕터, 커패시터 등과 같은 전자 소자를 제작할 수 있다.
여기서, 희생층은 Cu 및 Ni 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 플로팅 단계에서, 희생층과 도전성 박막을 액체에 띄우되, 희생층을 도전성 박막 아래에 위치되도록 할 수 있다. 이를 통해 희생층이 액체에 포함된 부식액에 의해서 완전히 제거될 수 있다.
여기서, 제거 단계에서, 액체를 희석하여 부식액을 제거할 수 있다.
여기서, 기판은 원통형 또는 튜브형이고, 코팅 단계는 기판의 회전축과 도전성 박막의 길이 방향 사이의 각도가 예각이 되도록 기판을 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 기판을 회전시켜 나선형의 박막 패턴을 형성할 수 있다. 이를 통해 나선형의 박막 패턴이 기판의 외면에 형성될 수 있다.
여기서, 기판은 원통형 또는 튜브형이고, 코팅 단계는 기판의 회전축과 도전성 박막의 길이 방향이 평행이 되도록 기판을 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 기판을 회전시켜 기판의 외면 전체에 도전성 박막을 코팅하는 단계; 및 기판의 외면에 코팅된 도전성 박막을 레이저를 이용하여 컷팅하여 나선형의 박막 패턴을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 기판은 원통형 또는 튜브형이고, 코팅 단계는 기판의 회전축과 도전성 박막의 길이 방향이 평행이 되도록 기판을 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 기판을 회전시켜 기판의 외면에 반원통형의 박막 패턴을 형성할 수 있다.
여기서, 기판은 원통형 또는 튜브형이고, 코팅 단계는 기판의 회전축과 도전성 박막의 길이 방향이 평행이 되도록 기판을 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 기판을 회전시켜 기판의 외면 전체에 도전성 박막을 코팅하는 단계; 및 기판의 외면에 코팅된 도전성 박막을 레이저를 이용하여 컷팅하여 서로 이격된 2개의 반원통형 도전성 박막을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 기판은 원통형 또는 튜브형이고, 박막 형성 단계는 희생층 상에 패터닝된 도전성 박막을 형성하고, 코팅 단계는 기판을 패터닝된 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 기판을 회전시켜 기판의 외면에 패터닝된 도전성 박막을 형성할 수 있다.
앞서 여러 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법에 의해 제조된 전자 소자를 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 전자 소자는, 원통형 또는 튜브형 기판; 및 기판의 외면에 코팅된 나선형의 박막 패턴;을 포함하고, 박막 패턴의 인덕터스 변화를 이용하여 기판의 스트레인의 측정이 가능하다.
본 발명의 실시 형태에 따른 다른 전자 소자는, 원통형 또는 튜브형 기판; 및 기판의 외면에 코팅된 반원통형의 박막 패턴;을 포함하고, 박막 패턴의 저항 변화를 이용하여 기판의 스트레인의 측정이 가능하다.
본 발명의 실시 형태에 따른 또 다른 전자 소자는, 원통형 또는 튜브형 기판; 및 기판의 외면에 코팅된 박막 패턴;을 포함하고, 박막 패턴은 서로 이격된 2개의 반원통형의 박막 패턴을 갖고, 2개의 반원통형의 박막 패턴 사이의 커패시턴스 변화를 이용하여 기판의 스트레인의 측정이 가능하다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 다양한 형상의 기판에 도전성 박막 물질을 코팅할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 기존 플레이팅(plating) 방법이나 졸-겔(sol-gel)법으로 코팅하는 방법과 대비하여, 재료나 기판의 종류 및 특성에 영향을 받지 않고 높은 품질의 도전성 박막 전사가 가능하다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 원통형 또는 튜브형의 물체의 스트레인을 측정할 수 있는 스트레인 센서를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 박리 문제를 해결할 수 있는 스트레인 센서를 제작할 수 있다. 기존의 스트레인 센서는 2D 평면 기판을 기반으로 하기 때문에, 곡률이 있는 장치에 부착되어 사용될 때, 박리 문제가 많이 발생 되어왔다. 하지만, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 손쉽고 값싼 공정으로 장치의 외부 형태나 특성에 관계 없이 고품질의 도전성 박막을 다양한 패턴(pattern)으로 전사할 수 있을 뿐만 아니라, 전기적 성질이 가장 좋은 재료 중 하나인 금속 박막을 고품질로 기판에 전사할 수 있으므로, 인덕턴스와 같은 전기적 성질을 관찰하기에 유리하다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 박막 패턴과 기판의 외면의 컨포말한 접촉(conformal contact)으로 인한 박리 문제를 해결할 수 있으므로, 기계적 신뢰성이 향상된 스트레인 센서를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 간단한 공정을 통해 스트레인 센서의 제조가 가능하다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면, 웨어러블(wearable 플렉서블(flexible) 디바이스의 제조에 활용할 수 있다. 웨어러블(wearable 플렉서블(flexible) 디바이스 분야들은 디바이스의 재료로 다양한 물질이 사용된다. 유연성을 가져야 하기 때문에 폴리머부터 섬유(fabric)까지 디바이스의 기판으로 활용된다. 이 기법을 사용할 경우 기판에 관계 없이 스트레인을 측정할 수 있는 센서를 유연성 있는 기판에 증착할 수 있으므로, 기존 센서의 박리 문제 등을 해결할 수 있을 뿐 아니라 스트레인의 실시간 관찰도 가능하다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 사용하면 다양한 일렉트로닉 컴포넌트를 제조할 수 있다. 예를 들면, 컨덕터, 캐패시터, 인덕터와 같은 일렉트로닉 컴포넌트도 제조가 가능하다. 또한, 유연 기판에 박막을 전사하게 되면, 유연성 있는 일렉트로닉 컴포넌트를 제조할 수 있다. 이를 활용하여 스트레인 외에 기기에 가해지는 복합적인 기계적인 변형의 측정에 활용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 소자를 사용하면, 스트레인 센서로 이용할 수 있다. 특히, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 소자를 스트레인 센서로 이용할 경우, 종래의 스트레인 센서로 측정하기 어려운 직경 1cm 이하의 원통형 기판의 스트레인을 용이하게 측정할 수 있다. 종래의 기술로는 매우 얇고 곡면을 가진 대상에 대하여 스트레인을 측정하기 어려웠으나 상기 대상에 대하여 스트레인 측정이 가능한 이점이 있다. 이러한 이점을 이용하여 마이크로 머시닝, 마이크로 센서 분야에 적용가능하다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 소자를 스트레인 센서로 이용할 경우, 얇고 신축성이 있는 대상에 대하여 실시간으로 스트레인 측정이 가능하므로 머리카락, 혈관, 힘줄 등에 적용하여 바이오-모니터링(Bio-monitoring) 분야에 응용이 가능하다. 스트레인의 변화를 통해 심전도, 혈류, 인대의 피로도, 운동메커니즘 등을 간접적으로 측정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 소자의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 도 2에 도시된 전자 소자를 제조하는 방법을 개략적인 도시한 공정도이다.
도 4는 도 2에 도시된 제조 방법에 의해 실제로 제조된 전자 소자의 사진이다.
도 5는 도 1에 도시된 전자 소자를 스트레인 센서로 이용하는 경우에, 스트레인 측정 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 전자 소자와 이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 제3 실시 형태에 따른 전자 소자와 이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 제4 실시 형태에 따른 전자 소자와 이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9은 RLC 미터(meter)를 이용하여 스트레인 변화에 따른 저항, 인덕턴스 또는 캐패시턴스 변화를 측정하는 실제 실험 사진이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 도면들 중 인용부호들 및 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 인용부호들로 표시됨을 유의해야 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 소자의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 소자는 인덕터로 기능할 수 있으며, 인덕턴스의 변화를 이용하여 스트레인 센서로 활용될 수 있다. 이러한 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 소자는 기판(100)과 박막 패턴(300)을 포함한다.
기판(100)은 원통 형상으로서 소정의 길이를 가질 수 있다. 또는 기판(100)은 별도의 도면으로 도시하지 않았지만, 튜브 형상일 수 있다.
기판(100)은 신축성과 유연성을 갖는 재질일 수 있다. 따라서, 기판(100)은 외력에 의해 인장되거나 압축될 수 있다.
기판(100)은 폴리머 또는 섬유(fabric)일 수 있다.
박막 패턴(300)은 기판(100)의 외면의 타겟 영역에 형성된다. 박막 패턴(300)은 기판(100)의 외면을 수회 감아 형성된 나선형일 수 있다.
박막 패턴(300)은 전도성의 재질로 구성된다. 기판(100)의 외면에 박막 패턴(300)을 형성하는 방법은 도 2 내지 도 3을 참조하여 이하에서 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법으로서 도 1에 도시된 전자 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 3은 도 2에 도시된 전자 소자를 제조하는 방법을 개략적인 도시한 공정도이다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 도 1에 도시된 전자 소자를 제조하기 위한 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법은, 희생층(10) 상에 도전성 박막(30)을 형성하는 단계(S210), 희생층(10)과 도전성 박막(30)을 부식액(etchant)이 포함된 액체(50)에 띄워 희생층을 제거하는 단계(S230), 부식액을 제거하는 단계(S250), 도전성 박막(30)을 기판(100)에 코팅하는 단계(S270)을 포함할 수 있다.
희생층(10) 상에 도전성 박막(30)을 형성(S210)한다. S210 단계는 소정의 박막 증착법을 이용하여 희생층(10) 상에 전도성 박막(30)을 형성할 수 있다. 여기서, 소정의 박막 증착법은 화학적 기상증착법(CVD), 물리적 기상증착법(PVD), 열 증착(thermal evaportor), 스퍼터링(Sputtering), 스핀 코팅(Spin Coating),　전기 도금법(Electroplating), 졸-겔(Sol-Gel)법 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며 위에서 언급한 박막 증착법 이외에 다른 증착법으로도 전도성 박막(30)을 희생층(10) 상에 형성할 수 있다.
희생층(10)은 부식액(etchant)에 용해될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 희생층(10)은 예를 들어, 구리(Cu), 니켈(Ni) 등 금속일 수 있다.
희생층(10)은 포일(foil) 형태로서 별도의 지지부재 없이 그 형상을 유지할 수 있는 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 희생층(10)은 일 방향으로 소정의 길이를 갖고, 소정의 폭을 가지며, 도전성 박막(30)보다 더 두꺼운 두께를 갖는 필름(film) 형태일 수 있다.
희생층(10)은 PVC(polyvinylchloride), 네오프렌(neoprene), PVA(polyvinylalcohol), PMMA(polymethylmetaacrylate), PBMA(polybenzylmetaacrylate), 폴리스틴(polystyiene), 폴리실린(polysylene), SOG(Spin On Glass), PDMS(polydimethylsiloxane), PVFM(polyvinylformal), 페릴렌(parylene), 폴리에스테르(polyester), 에폭시(epoxy), 폴리에테르(polyether), 및 폴리이미드(polyimide) 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
희생층(10)에 증착되는 도전성 박막(30)은 일 방향으로 소정의 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 여기서, 도전성 박막(30)의 두께는 희생층(10)보다 더 얇게 형성될 수 있고, 도전성 박막(30)의 폭은 기판(100)의 길이보다 작게 형성될 수 있다.
이어서, 희생층(10)과 도전성 박막(30)을 부식액이 포함된 액체(50)에 띄워 희생층을 제거(S230)한다. 희생층(10)과 도전성 박막(30)을 액체(50)에 띄울 때, 도전성 박막(30)이 위쪽으로, 희생층(10)이 아래쪽으로 향하도록 한다.
액체(50)는 희생층(10)을 녹일 수 있는 부식액을 포함하며, 소정의 챔버(70)에 담길 수 있다. 액체(50)는 어느 정도의 표면 장력을 가져 도전성 박막(10)을 액체(50)의 표면에 띄울 수 있는 물질인 것이 바람직하다. 또한, 액체(50)는 도전성 박막(30)이 액체(50)의 표면에서 적은 마찰력을 가지고 슬라이딩이 가능하여 이후 공정 과정에서 좋은 품질을 유지할 수 있도록 점도가 낮은 것이 바람직하다. 액체(50)의 예로서 물이 있다.
희생층(10)과 도전성 박막(30)을 액체(50)에 띄운 후 소정 시간이 경과되면, 희생층(10)이 액체(50)에 포함된 부식액에 의해 녹는다. 그러면, 액체(50)의 표면에 도전성 박막(30)만이 띄워진다.
이어서, 희생층(10)이 액체(50)에 포함된 부식액에 의해 제거되면, 액체(50)에서 부식액을 제거(S250)한다. S250 단계는 액체(50)를 희석함으로서 부식액이 제거된 액체(50')를 얻을 수 있다.
이어서, 부식액이 제거되면, 도전성 박막(30)을 기판(100)에 코팅(S270)한다. 부식액이 제거된 액체(50') 위에 떠 있는 도전성 박막(30)을 회전식 박막 코팅 방법(thin film rolling method)을 이용하여 기판(100)의 외면의 타겟 영역에 코팅한다.
여기서, 회전식 박막 코팅 방법은, 예를 들어, 원통형 기판(100)을 액체(50') 위에 떠 있는 도전성 박막(30)에 비스듬히 접촉시키고, 원통형 기판(100)의 외면의 타겟 영역의 일부 영역을 도전성 박막(30)에 접촉시킨 상태에서 도전성 박막(30)과 원통형 기판(100)의 회전축 사이가 일정한 각도(θ)를 유지하면서 기판(100)을 회전시키는 방법일 수 있다. 여기서, 일정한 각도(θ)는 수직이 아닌 각도로서 예각 또는 둔각일 수 있다. 이러한 회전식 박막 코팅 방법에 의해서 기판(100)의 외면의 타겟 영역에 나선형의 박막 패턴(300)이 형성될 수 있다.
도전성 박막(30)이 원통형 기판(100)에 코팅되는 원리는, 원통형 기판(100)의 외면과 도전성 박막(30) 사이의 인력(ttraction force)에 의한 것일 수 있다. 여기서, 인력은 반데르발스 힘(van der Waals force)일 수 있다. 원통형 기판(100)의 외면과 도전성 박막(30) 사이의 컨포말한 접촉(conformal contact)이 반데르발스 힘을 증가시키며, 이러한 반데르발스 힘이 액체(50)와 도전성 박막(30) 사이의 접착력(adhesive force)보다 강한 경우에 코팅 동작이 수행된다.
원통형 기판(100)의 외면과 도전성 박막(30) 사이의 반데르발스 힘이 강할수록 코팅 동작이 원활하게 수행될 수 있다. 또한, 도전성 박막(30)이 증착된 두께가 얇을수록 액체(50) 상에 떠있는 도전성 박막(30)의 굽힘 강성(bending stiffness)이 작고, 원통형 기판(100)의 표면과 도전성 박막(30) 사이에 컨포말한 접촉(conformal contact)이 가능하여 반데르발스 힘이 증가할 수 있다. 따라서, 도전성 박막(30)이 증착된 두께가 얇을수록 코팅 동작이 더 원활하게 수행될 수 있다.
이러한 S210 내지 S270의 단계에 의해서, 도 1에 도시된 전자 소자를 제조할 수 있다. 도 4는 도 2 내지 도 3에 도시된 제조 방법에 의해 실제로 제조된 전자 소자의 사진이다.
한편, 도 1에 도시된 전자 소자의 다른 제조 방법을 이하에서 설명한다.
다른 제조 방법은, 도 2에 도시된 S210 내지 S270의 단계가 그대로 수행되지만, 구체적인 사항이 도 3에 도시된 공정과 차이가 있다. 각 단계별로 구체적으로 설명한다.
다른 제조 방법의 S210 단계는, 희생층 상에 도전성 박막을 형성하되, 도전성 박막의 폭을 S270 단계에서 이용되는 기판의 외면의 타겟 영역의 길이와 같게하고, 도전성 박막의 길이를 기판의 외면의 둘레와 같게 형성한다. 이 경우, 희생층의 폭은 도전성 박막의 폭과 같거나 더 크게 형성되는 것이 바람직하다.
다른 제조 방법의 S230 단계와 S250 단계는, 도 3의 공정 그대로 동일하게 수행된다.
다른 제조 방법의 S270 단계는, 도전성 박막을 기판에 코팅하되, 도전성 박막을 기판의 외면의 타겟 영역 전체에 코팅한다. 도전성 박막과 기판의 회전축은 직각을 이룰 수 있다. 기판의 외면의 타겟 영역 전체에 코팅된 도전성 박막을 레이저를 이용하여 도 1에 도시된 나선형 박막 패턴(300)의 형태로 표면 가공한다. 여기서, 레이저는 아토세컨드 레이저, 펨토세컨드 레이저, 나노세컨드 레이저, 피코세컨드 레이저 중 어느 하나일 수 있다.
이러한 다른 제조 방법은 도 3에 도시된 공정보다 더 미세한 나선형 박막 패턴(300)을 제조할 수 있어서, 더 높은 민감도를 갖는 스트레인 센서를 제조할 수 있는 이점이 있다.
도 1에 도시된 전자 소자를 이용하여 스트레인을 측정하는 원리를 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(100)에 나선형으로 감긴 박막 패턴(300)은 교류조건 하에서 박막 패턴(300)의 전체 길이, 선밀도, 두께 및 폭에 따른 고유한 인덕턴스를 갖는다.
박막 패턴(300)이 나선형으로 코팅된 기판(100)이 인장되면, 나선형의 박막 패턴(300)의 선밀도가 n0에서 n1으로 감소하게 되고, 선밀도의 감소는 박막 패턴(300)의 고유의 인덕턴스를 줄어들게 한다. 이러한 인덕턴스의 변화를 이용하여 스트레인을 측정할 수 있다.
도 1에 도시된 제1 실시 형태에 따른 전자 소자는 셀프(self) 또는/및 뮤추얼(mutual) 인덕턴스의 변화를 이용하여 스트레인을 검출할 수 있다. 특히, 제1 실시 형태에 따른 전자 소자는 신축성을 갖는 원통형 기판에 적용하기가 간편하고, 사용주파수에 따라 측정 민감도를 획기적으로 증가시킬수 있다는 장점이 있다.
도 1에 도시된 제1 실시 형태에 따른 전자 소자의 스트레인 측정 방식은, 신축성과 유연성이 있는 기판의 스트레인을 검출하는 종래의 메커니즘, 예를 들어 대표적으로 저항성 타입(resistive type)과 용량성 타입(Capacitive type)과 차이가 있다. 구체적으로, 저항성 타입은 측정이 편리하고 비교적 측정값이 정확하다는 장점이 있지만, 스트레인 센서를 만들기 위해서는 복잡한 구조를 필요로 한다. 한편, 용량성 타입은 기판이 평판형 구조를 요한다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법과 이를 통해 제조된 전자 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 제2 실시 형태에 따른 전자 소자는, 스트레인 측정 원리를 상이하지만, 제1 실시 형태에 따른 전자 소자와 마찬가지로 스트레인 센서로 이용될 수 있다. 이러한 제2 실시 형태에 따른 전자 소자는, 기판(100)과 박막 패턴(300')을 포함한다. 기판(100)은 도 1에 도시된 기판(100)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
박막 패턴(300')은 반원통형일 수 있다. 이러한 반원통형 박막 패턴(300')을 기판(100)의 외면의 타겟 영역에 형성하는 방법을 설명한다. 도 2의 S210, S230, S250 단계는 동일하게 수행되고, S270 단계에서 도전성 박막(30')을 기판(100)에 코팅하되, 기판(100)의 회전축이 도전성 박막(30')의 길이 방향과 평행하도록 기판(100)을 도전성 박막(30') 상에 위치시킨다. 그런 후 기판(100)을 회전시켜 도전성 박막(30')이 기판(100)의 외면에 코팅되도록 한다. 여기서, 도전성 박막(30')의 폭이 기판(100)의 둘레보다 작으면, 도 6에 도시된 바와 같이 기판(100)의 외면에 반원통형 박막 패턴(300')이 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 전자 소자를 이용하여 스트레인을 측정하는 원리를 설명하면, 기판(100)이 인장되면 반원통형 박막 패턴(300')의 두께는 얇아지고 길이는 증가되고, 스트레인이 증가함에 따라 저항이 증가하게 된다. 이러한 저항의 변화를 이용하여 스트레인을 측정할 수 있다. 이에 대한 관계식은 아래의 <수학식 1>과 같다.
도 7은 제3 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법과 이를 통해 제조된 전자 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 제3 실시 형태에 따른 전자 소자는, 스트레인 측정 원리는 상이하지만, 제1 실시 형태에 따른 전자 소자와 마찬가지로 스트레인 센서로 이용될 수 있다. 이러한 제3 실시 형태에 따른 스트레인 센서는, 기판(100)과 박막 패턴(300'')을 포함한다. 기판(100)은 도 1에 도시된 기판(100)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
박막 패턴(300'')은 서로 이격되어 배치된 2개의 반원통형 박막 패턴을 포함한다. 이러한 박막 패턴(300'')을 기판(100)의 외면의 타겟 영역에 형성하는 방법을 설명한다. 도 2의 S210, S230, S250 단계는 동일하게 수행되고, S270 단계에서 도전성 박막(30'')을 기판(100)에 코팅하되, 기판(100)의 외면의 타겟 영역 전체를 도전성 박막(30'')으로 코팅한다. 그런 후 기판(100)의 외면의 타겟 영역 전체에 코팅된 도전성 박막(30'')을 레이저를 이용하여 일 부분을 컷팅하여 2개의 반원통형 박막 패턴을 형성한다. 여기서, 레이저는 아토세컨드 레이저, 펨토세컨드 레이저, 나노세컨드 레이저, 피코세컨드 레이저 중 어느 하나일 수 있다. 이러한 단계들에 의해서 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 외면에 박막 패턴(300'')이 형성된다.
도 7에 도시된 전자 소자를 이용하여 스트레인을 측정하는 원리를 설명하면, 기판(100)이 인장되면, 2개의 반원통형 박막 패턴 사이의 간격이 줄어들고, 박막 패턴(300'')의 면적도 변하게 된다. 스트레인이 증가함에 따라 2개의 반원통형 박막 사이의 커패시턴스가 증가하게 되며, 이러한 커패시턴스의 변화를 이용하여 스트레인을 측정할 수 있다. 이에 대한 관계식은 아래의 <수학식 2>과 같다.
Figure pat00002
Figure pat00003
도 8은 제4 실시 형태에 따른 전자 소자와 이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 제4 실시 형태에 따른 전자 소자는, 제1 실시 형태에 따른 전자 소자와 마찬가지로 스트레인 센서로 이용될 수 있다. 이러한 제4 실시 형태에 따른 스트레인 센서는, 기판(100)과 박막 패턴(300''')을 포함한다. 기판(100)은 도 1에 도시된 기판(100)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
박막 패턴(300''')은 소용돌이형 박막 패턴을 포함한다. 이러한 박막 패턴(300''')을 기판(100)의 외면의 타겟 영역에 형성하는 방법을 설명한다. 도 2의 S210, S230, S250, S270 단계는 동일하게 수행되는데, S210 단계에서 도전성 박막(30''')은 소용돌이 형상으로 패터닝된 박막 패턴을 사용한다. 즉, 도 3 내지 도 7의 실시 형태들에서는 S210 단계에서 사각형의 스트립 형상의 박막 패턴을 희생층 상에 형성하였지만, 본 실시 형태의 전자 소자의 제조 방법에서는 소용돌이 형상으로 패터닝된 박막 패턴(30''')을 희생층 상에 형성한다. S230와 S250 단계들을 거친 후, S270 단계에서 기판(100)을 패터닝된 박막 패턴(30''') 위에서 회전시켜 상기 박막 패턴(300''')이 형성된 기판(100)을 제조할 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 실시 형태에 따른 박막 패턴(300'')은 레이저 가공을 이용하지 않고서도 기판(100)에 형성할 수 있다. 도 7에 도시된 박막 패턴(300'')과 대응되는 도전성 박막(30'')을 미리 패터닝하여 희생층과 함께 액체(50')에 띄운 후 기판(100)을 패터닝된 도전성 박막(30'') 위에서 회전시켜 도 7에 도시된 박막 패턴(300'')을 형성할 수 있다. 여기서, 레이저 가공을 추가적으로 수행하여 원하는 박막 패턴(300'')을 제조할 수도 있다.
도 9은 RLC 미터(meter)를 이용하여 스트레인 변화에 따른 저항, 인덕턴스 또는 캐패시턴스 변화를 측정하는 경우의 사진이다.
도 9을 참조하면, RLC 미터를 이용하여 도 1에 도시된 나선형 박막 패턴(300)의 인덕턴스 변화를, 도 6에 도시된 박막 패턴(300')의 저항 변화를, 도 7에 도시된 박막 패턴(300'')의 커패시턴스의 변화를, 도 8에 도시된 소용돌이형 박막 패턴(300''')의 인덕턱스 변화를 측정할 수 있다.
앞서 설명한 여러 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법은 액체의 표면 위에 떠 있는 매우 얇은 전도성 박막을 소정의 기판에 코팅한다. 매우 얇은 전도성 박막은 높은 표면 에너지를 가지므로, 별도의 부재의 지지 없이 자체적으로 그 형상을 유지하기 매우 어렵다. 하지만, 물과 같은 표면장력이 강한 액체를 이용하면 매우 ?은 전도성 박막을 별도의 부재없이 액체 위에서 그 형상을 유지할 수 있다.
또한, 여러 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법은 기판에 코팅된 전도성 박막 패턴은 높은 품질을 가지며, 박막 패턴의 두께 조절이 용이하므로, 높은 기계적 신뢰성과 계측값에 대한 민감도를 가지게 된다.
또한, 여러 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법은 제조 방법이 매우 간단하고 효율이 높다는 장점을 가지고 있다.
또한, 여러 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법을 응용하여 원통형 기판 위에 인덕턴스의 변화를 이용한 스트레인 센서, 저항의 변화를 이용한 스트레인 센서, 및 커패시턴스의 변화를 이용한 스트레인 센서를 제조할 수 있다.
이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법과 이를 통해 제조된 전자 소자에 의하면, 기존 방법으로는 한계가 있었던 미세 기판의 변형률을 손쉽게 측정할 수 있어서, 다음과 같은 산업상의 이용이 가능할 것이다.
(1) 혈관, 머리카락, 힘줄 등의 원통 형상을 가지는 인체 조직에 박막을 나선형으로 감아 올림으로써, 바이오-모니터링(bio-monitoring), 바이오-통합 센서(bio-integrated sensor) 등에 응용이 가능할 것이다. 이를 통해 혈압, 힘줄의 텐션 등을 측정할 수 있으며, 차세대 헬스 케어 시스템(health care system)으로 활용할 수 있다.
(2) 튜브형 액츄에이터(actuator)의 모션-모니터링(motion-monitoring) 용도로 활용이 가능할 것이다. 액츄에이터의 경우 굽힘(bending), 스트레칭(stretching) 등의 대변형을 겪은 경우가 많기 때문에, 안정적인 작동을 위해서는 작동(operation)시 정밀하게 스트레인(strain)을 측정할 필요가 있으며, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 소자를 이용하면 액츄에이팅(actuating)시 인가되는 스트레인을 실시간으로 모니터링 할 수 있다.
(3) 직물(Fabric) 등을 이용하여 스트레인 센서를 탑재한 웨어러블 일렉트로닉(wearable electronic)에 응용할 수 있다. 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 코팅 방법에 의하면, 직물(fabric) 자체에 박막을 코팅할 수 있을 뿐만 아니라 나선형으로도 박막을 코팅할 수 있기 때문에 기존 전도성 용액 함침 방법보다 강건한 디바이스 제조가 가능하다.
(4) 위의 응용 예시 이외에도 본 발명의 실시 형태는 다양한 분야에 응용될 수 있으며, 손쉽게 제조할 수 있는 방법이기 때문에, 차세대 기술 시장으로의 적용 및 발전 가능성이 매우 높다.
100: 기판
300, 300', 300'': 박막 패턴
10: 희생층
30: 도전성 박막
50: 액체
70: 챔버

Claims (13)

  1. 희생층 상에 도전성 박막을 형성하는, 박막 형성 단계;
    상기 희생층과 상기 도전성 박막을 부식액이 포함된 액체에 띄워 상기 희생층을 제거하는, 플로팅 단계;
    상기 액체에 포함된 상기 부식액을 제거하는, 제거 단계; 및
    기판을 회전시켜 상기 도전성 박막을 상기 기판에 코팅하는, 코팅 단계;
    를 포함하는, 박막 코팅 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층은 Cu 및 Ni 중 적어도 하나를 포함하는,　박막 코팅 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플로팅 단계에서, 상기 희생층과 상기 도전성 박막을 상기 액체에 띄우되, 상기 희생층을 상기 도전성 박막 아래에 위치되도록 하는, 박막 코팅 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제거 단계에서, 상기 액체를 희석하여 상기 부식액을 제거하는, 박막 코팅 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 원통형 또는 튜브형이고,
    상기 코팅 단계는, 상기 기판의 회전축과 상기 도전성 박막의 길이 방향 사이의 각도가 예각이 되도록 상기 기판을 상기 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 상기 기판을 회전시켜 나선형의 박막 패턴을 형성하는, 박막 코팅 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 원통형 또는 튜브형이고,
    상기 코팅 단계는,
    상기 기판의 회전축과 상기 도전성 박막의 길이 방향이 평행이 되도록 상기 기판을 상기 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 상기 기판을 회전시켜 상기 기판의 외면 전체에 도전성 박막을 코팅하는 단계; 및
    상기 기판의 외면에 코팅된 상기 도전성 박막을 레이저를 이용하여 컷팅하여 나선형의 박막 패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 박막 코팅 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 원통형 또는 튜브형이고,
    상기 코팅 단계는, 상기 기판의 회전축과 상기 도전성 박막의 길이 방향이 평행이 되도록 상기 기판을 상기 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 상기 기판을 회전시켜 상기 기판의 외면에 반원통형의 박막 패턴을 형성하는, 박막 코팅 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 원통형 또는 튜브형이고,
    상기 코팅 단계는,
    상기 기판의 회전축과 상기 도전성 박막의 길이 방향이 평행이 되도록 상기 기판을 상기 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 상기 기판을 회전시켜 상기 기판의 외면 전체에 도전성 박막을 코팅하는 단계; 및
    상기 기판의 외면에 코팅된 상기 도전성 박막을 레이저를 이용하여 컷팅하여 서로 이격된 2개의 반원통형 도전성 박막을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 박막 코팅 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 원통형 또는 튜브형이고,
    상기 박막 형성 단계는, 상기 희생층 상에 패터닝된 도전성 박막을 형성하고,
    상기 코팅 단계는, 상기 기판을 상기 패터닝된 도전성 박막에 접촉시킨 상태로 상기 기판을 회전시켜 상기 기판의 외면에 상기 패터닝된 도전성 박막을 형성하는, 박막 코팅 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 박막 코팅 방법에 의해 제조된 전자 소자.
  11. 원통형 또는 튜브형 기판; 및
    상기 기판의 외면에 코팅된 나선형 또는 소용돌이형의 박막 패턴;을 포함하고,
    상기 박막 패턴의 인덕터스 변화를 이용하여 상기 기판의 스트레인의 측정이 가능한, 전자 소자.
  12. 원통형 또는 튜브형 기판; 및
    상기 기판의 외면에 코팅된 반원통형의 박막 패턴;을 포함하고,
    상기 박막 패턴의 저항 변화를 이용하여 상기 기판의 스트레인의 측정이 가능한, 전자 소자.
  13. 원통형 또는 튜브형 기판; 및
    상기 기판의 외면에 코팅된 박막 패턴;을 포함하고,
    상기 박막 패턴은 서로 이격된 2개의 반원통형의 박막 패턴을 갖고,
    상기 2개의 반원통형의 박막 패턴 사이의 커패시턴스 변화를 이용하여 상기 기판의 스트레인의 측정이 가능한, 전자 소자.
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264327A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Kokusai Electric Co Ltd ソレノイドコイル形可変インダクタ
JP2002156590A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Yamaha Corp 光スイッチとミラー回転構造の製法
KR100394875B1 (ko) * 2001-02-22 2003-08-19 주식회사 나노위즈 집적 3차원 솔레노이드 인덕터 및 그 제조 방법
KR20050088159A (ko) * 2003-01-17 2005-09-01 제너럴 일렉트릭 캄파니 웨이퍼 처리 장치
KR100971516B1 (ko) * 2010-02-04 2010-07-21 아이엠센트럼 (주) 파이프 입체인쇄장치
KR101442426B1 (ko) * 2013-09-30 2014-11-03 고려대학교 산학협력단 스트레인 게이지 및 이의 제조 방법
KR20160098643A (ko) 2015-02-10 2016-08-19 인하대학교 산학협력단 센서용 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 센서
KR101763166B1 (ko) 2016-09-22 2017-08-03 한국과학기술원 회전 방식을 이용한 박막 코팅 방법 및 박막 코팅 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264327A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Kokusai Electric Co Ltd ソレノイドコイル形可変インダクタ
JP2002156590A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Yamaha Corp 光スイッチとミラー回転構造の製法
KR100394875B1 (ko) * 2001-02-22 2003-08-19 주식회사 나노위즈 집적 3차원 솔레노이드 인덕터 및 그 제조 방법
KR20050088159A (ko) * 2003-01-17 2005-09-01 제너럴 일렉트릭 캄파니 웨이퍼 처리 장치
KR100971516B1 (ko) * 2010-02-04 2010-07-21 아이엠센트럼 (주) 파이프 입체인쇄장치
KR101442426B1 (ko) * 2013-09-30 2014-11-03 고려대학교 산학협력단 스트레인 게이지 및 이의 제조 방법
KR20160098643A (ko) 2015-02-10 2016-08-19 인하대학교 산학협력단 센서용 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 센서
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