KR20190088785A - Sawing Apparatus of Semiconductor Materials - Google Patents
Sawing Apparatus of Semiconductor Materials Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190088785A KR20190088785A KR1020180007300A KR20180007300A KR20190088785A KR 20190088785 A KR20190088785 A KR 20190088785A KR 1020180007300 A KR1020180007300 A KR 1020180007300A KR 20180007300 A KR20180007300 A KR 20180007300A KR 20190088785 A KR20190088785 A KR 20190088785A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adsorption
- semiconductor strip
- strip
- semiconductor
- flow path
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 스트립을 개별적인 반도체 패키지로 절단하는 반도체 자재 절단장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor material cutting apparatus for cutting semiconductor strips into individual semiconductor packages.
반도체 자재 절단장치는 패키징이 완료된 반도체 스트립을 개별적인 반도체 패키지로 절단하는 장비이다.The semiconductor material cutting device is a device for cutting packaged semiconductor strip into individual semiconductor packages.
이러한 반도체 자재 절단장치는 단순히 반도체 스트립을 절단하는 기능 이외에도, 반도체 스트립의 절단, 세척 및 건조 과정을 수행한 후, 절단된 반도체 패키지의 상, 하면을 검사하여 제조 불량이 발생한 반도체 패키지를 분류하는 일련의 공정을 처리하는 기능을 제공하게 된다.In addition to the function of simply cutting the semiconductor strip, the semiconductor material cutting apparatus performs a cutting process, a cleaning process and a drying process of the semiconductor strip, and then checks the top and bottom surfaces of the cut semiconductor package to sort the semiconductor package Of the process.
이와 같은 반도체 자재 절단장치에 대한 특허로는 한국공개특허 제10-2017-0026751호(이하, '특허문헌 1'이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.A patent for such a semiconductor material cutting apparatus is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2017-0026751 (hereinafter referred to as "Patent Document 1").
특허문헌 1의 반도체 스트립 절단 및 정렬장치는, 반도체 스트립이 매거진 내에 인입된 상태로 제공되는 온로더부와, 인출된 반도체 스트립이 안착되는 인렛 레일과, 인렛 레일 상에 안착된 상기 반도체 스트립을 진공 흡착하여 척 테이블로 전달하는 스트립 픽커와, 스트립 픽커에 의해 공급된 반도체 스트립을 공급하여, 척 테이블 상에서 복수 개의 반도체 패키지로 절단하는 절단부와, 복수 개의 반도체 패키지를 진공 흡착하여 세척부를 거쳐 건조부로 전달하는 유닛 픽커와, 유닛 픽커에 흡착된 반도체 패키지를 세척하는 세척부와, 유닛 픽커에 의해 전달되는 반도체 패키지를 건조하는 건조부와, 반도체 패키지를 검사하는 비전유닛과, 반도체 패키지의 검사결과들에 따라 반도체 패키지를 분류 수납하는 분류장치를 포함하여 구성된다.The semiconductor strip cutting and aligning apparatus disclosed in Patent Document 1 includes an on-loader section provided with a semiconductor strip in a state of being drawn into a magazine, an inlet rail on which the drawn semiconductor strip is placed, A chip picker for picking up the semiconductor chips, a strip picker for picking up and delivering the semiconductor chips to the chuck table, a semiconductor strip supplied by the strip picker to cut into a plurality of semiconductor packages on the chuck table, a plurality of semiconductor packages vacuum- A drying unit for drying the semiconductor package transferred by the unit picker, a vision unit for inspecting the semiconductor package, and a cleaning unit for cleaning the semiconductor package, And a sorting device for sorting and storing the semiconductor packages.
특허문헌 1과 같은 반도체 자재 절단장치는 처리 대상의 반도체 스트립의 종류가 변경되면, 반도체 스트립 또는 반도체 패키지를 진공흡착하는 플레이트들을 매번 교체해 주어야 한다. 특히, 인렛 레일에 매번 서로 다른 크기의 반도체 스트립을 안착시키기 위해서는, 인렛 레일의 사이에서 반도체 스트립을 진공 흡착하는 흡착플레이트를 반도체 스트립의 크기에 따라 일일이 교체해줘야하는 문제점이 있다.In the semiconductor material cutting apparatus such as Patent Document 1, if the type of the semiconductor strip to be processed is changed, the plates for vacuum adsorption of the semiconductor strip or the semiconductor package must be changed each time. Particularly, in order to place semiconductor strips of different sizes each time on the inlet rail, there is a problem that the adsorption plate for vacuum-adsorbing the semiconductor strip between the inlet rails must be individually replaced according to the size of the semiconductor strip.
한편, 인렛 레일에서 안착되는 반도체 스트립의 위치에 오차가 발생할 경우, 절단부에서 절단시 오차가 발생할 수 있으므로, 인렛 레일에 안착되는 반도체 스트립의 위치는 매우 정밀하게 세팅되야 한다. 따라서, 흡착플레이트를 교체할 때마다, 인렛 레일의 고정 폭 및 흡착플레이트의 교체 위치를 매번 정밀하게 세팅해줘야하며, 이로 인해, 반도체 스트립의 절단 공정의 효율이 떨어지는 문제점이 있다.On the other hand, when an error occurs in the position of the semiconductor strip that is seated in the inlet rail, an error may occur in cutting at the cutout portion, so the position of the semiconductor strip to be placed on the inlet rail must be set very precisely. Therefore, every time the adsorption plate is exchanged, the fixing width of the inlet rail and the replacement position of the adsorption plate must be set precisely each time, which results in a problem that the efficiency of cutting the semiconductor strip is inferior.
뿐만 아니라, 기존의 반도체 자재 절단장치는 반도체 스트립의 종류가 다를 경우 흡착플레이트 교체는 물론이고, 반도체 스트립을 검사하기 위하여 반도체 스트립에 형성된 기준마크와 함께 하나의 FOV 내에서 촬영하기 위한 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭의 교체, 스트립 감지센서 등 다양한 구성이 수반되어 교체될 수 밖에 없으며 이러한 교체작업시 정밀도를 맞추기 위한 셋팅 및 조립공수가 많이 소요되어 불편함을 초래한다.In addition, in the conventional semiconductor material cutting apparatus, in order to inspect semiconductor strips, a fiducial mark for photographing in one FOV together with a reference mark formed on a semiconductor strip Replacement of the formed alignment block, strip sensor, and so on. Therefore, it is inconvenient that the number of setting and assembling operations required to adjust the precision in such a replacement operation is large.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 반도체 자재 절단장치의 흡착플레이트의 교체 없이 다양한 크기의 반도체 스트립을 안착 및 정렬시킬 수 있고, 정렬블럭, 스트립 감지센서 등의 위치를 로딩부의 센터 측에 배치시킴으로써 반도체 스트립의 크기에 상관없이 모두 수용하면서도 검사 정밀도를 향상시킬 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is conceived to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for mounting and aligning semiconductor strips of various sizes without replacing a suction plate of a semiconductor material cutting apparatus, So that the inspection accuracy can be improved while accommodating the semiconductor strip regardless of the size of the semiconductor strip.
본 발명의 일 특징에 따른 반도체 자재 절단장치는, 복수개의 반도체 스트립이 각각 적층되는 매거진; 상기 매거진으로부터 인출되는 상기 반도체 스트립을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송 가능하게 구비되는 한쌍의 인렛레일; 상기 인렛레일의 내측에 구비되어 상기 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립이 안착되는 흡착플레이트; 상기 흡착플레이트에 안착된 상기 반도체 스트립을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 상기 반도체 스트립을 검사하는 스트립비전이 구비된 스트립픽커; 상기 스트립픽커에 흡착된 반도체 스트립이 전달되고, Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되며, θ방향으로 회전 가능하게 구비되는 척테이블; 및 상기 척테이블에 전달된 반도체 스트립을 개별의 반도체 패키지로 절단하기 위한 절단부를 포함하고, 상기 흡착플레이트는 상기 흡착플레이트의 내측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제1흡착영역과 상기 흡착플레이트의 외측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제2흡착영역을 구비하며, 상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 제1흡착영역과 상기 제2흡착영역에 인가되는 공압은 선택적으로 제어되는 것을 특징으로 한다.A semiconductor material cutting apparatus according to an aspect of the present invention includes: a magazine in which a plurality of semiconductor strips are stacked, respectively; A pair of inlet rails guiding the semiconductor strips drawn out from the magazine and provided so as to be respectively transportable in the Y axis direction; An adsorption plate provided on the inside of the inlet rail for receiving a semiconductor strip supplied from the magazine; A strip picker which is movable in the X axis direction by adsorbing the semiconductor strip which is seated on the adsorption plate and has a strip vision for inspecting the semiconductor strip on one side; A chuck table which is provided with a semiconductor strip that is attracted to the strip picker, is movable in the Y-axis direction and is rotatable in the? Direction; And a cutting portion for cutting the semiconductor strip transferred to the chuck table into a separate semiconductor package, wherein the adsorption plate has a first adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an inner upper portion of the adsorption plate, and a second adsorption region for adsorbing the semiconductor strip to the outside of the adsorption plate And a second adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an upper portion thereof. The pneumatic pressure applied to the first adsorption region and the second adsorption region is selectively controlled according to the size of the semiconductor strip.
또한, 상기 흡착플레이트에 공급된 반도체 스트립의 크기에 따라, 상기 제1흡착영역에만 공압을 인가하거나, 상기 제1흡착영역 및 상기 제2흡착영역에 모두 공압을 인가하는 것을 특징으로 한다.According to the size of the semiconductor strip supplied to the adsorption plate, air pressure is applied only to the first adsorption region, or air pressure is applied to both the first adsorption region and the second adsorption region.
또한, 상기 제1흡착영역에 공압을 인가하는 제1, 제2유로와 상기 제2흡착영역에 공압을 인가하는 제3, 제4유로를 포함하고, 상기 제1, 제2유로는 상기 제3, 제4유로에 비해 유로의 길이가 짧게 구비되며, 상기 제1유로와 제2유로가 연통되고, 상기 제3유로와 제4유로가 연통되는 것을 특징으로 한다.The first and second flow paths may include first and second flow paths for applying a pneumatic pressure to the first adsorption region and third and fourth flow paths for applying air pressure to the second adsorption region, , The length of the flow path is shorter than that of the fourth flow path, the first flow path and the second flow path are communicated, and the third flow path and the fourth flow path are communicated with each other.
또한, 상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 상기 제1, 제2유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하고, 상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 작은 경우에는 상기 제1, 제2, 제3, 제4유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하는 것을 특징으로 한다.When the distance between the third flow path and the fourth flow path is larger than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first and second flow paths, And the fourth flow path is shorter than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first, second, third, and fourth flow paths.
또한, 상기 스트립비전으로 상기 반도체 스트립을 검사할 때 외부 영향을 배제하기 위하여 상기 반도체 스트립에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 더 포함하고, 상기 정렬블럭은 상기 반도체 스트립의 워페이지 영향을 최소화한 상태에서 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록, 상기 흡착플레이트의 전후 방향에 각각 구비되되, 상기 흡착플레이트에 안착되는 반도체 스트립의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치되는 것을 특징으로 한다.Further comprising an alignment block having a plurality of fiducial marks formed thereon for imaging with a reference mark formed on the semiconductor strip to exclude external influences when inspecting the semiconductor strip with the strip vision, The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the semiconductor strips are provided in the front and rear directions of the adsorption plate so as to inspect the fiducial marks provided in the alignment block in a state in which the influence of the warp page of the semiconductor strip is minimized, And is fixedly disposed in the center.
또한, 상기 스트립픽커는 승하강 가능하게 구비되는 인터록핀을 더 포함하며, 상기 정렬블럭의 상부에는 상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 인터록핀이 삽입되기 위한 인터록핀홀이 복수개 마련되는 것을 특징으로 한다.In addition, the strip picker may further include an interlock pin provided to be movable up and down, and a plurality of interlock pin holes for inserting the interlock pin according to the size of the semiconductor strip are provided on the alignment block.
또한, 상기 스트립비전이 상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 반도체 스트립과 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사하기 위하여, 상기 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크는 상기 반도체 스트립의 장변 방향과 평행하게 전후방향으로 복수개 마련되는 것을 특징으로 한다.In order to inspect the fiducial mark provided in the semiconductor strip and the alignment block regardless of the size of the semiconductor strip, the fiducial mark formed in the alignment block may be arranged in parallel with the longitudinal direction of the semiconductor strip, And a plurality of the guide grooves are provided.
또한, 상기 흡착플레이트는 내부에 유로가 형성된 흡착플레이트 바디; 및 상기 흡착플레이트 바디의 상부에 구비되어, 상부에 안착되는 상기 반도체 스트립을 흡착하기 위한 흡착홀이 형성된 흡착플레이트 커버를 포함하며, 상기 흡착플레이트 커버는 상기 흡착플레이트 바디로부터 교체 가능하도록 착탈 가능하게 구비되는 것을 특징으로 한다.The adsorption plate may include a suction plate body having a passage formed therein; And a suction plate cover provided at an upper portion of the suction plate body and having a suction hole for suctioning the semiconductor strip that is seated on the upper portion thereof, wherein the suction plate cover is detachably mountable from the suction plate body .
또한, 상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일의 하면에 상기 흡착플레이트가 도피될 수 있도록 흡착플레이트 도피홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to prevent interference between the adsorption plate and the inlet rail when the pair of inlet rails move in the Y axis direction toward the adsorption plate, And a groove is formed.
또한, 상기 흡착플레이트의 상부에는 상기 반도체 스트립을 안정적으로 흡착하기 위한 연질의 돌출된 흡착패드가 복수개 구비되는 것을 특징으로 한다.The upper surface of the adsorption plate is provided with a plurality of softly projected adsorption pads for stably adsorbing the semiconductor strip.
또한, 상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일에 형성된 흡착플레이트의 도피홈 중 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드에 대응되는 위치에 흡착패드 도피홈이 추가로 마련되는 것을 특징으로 한다.When the pair of inlet rails move in the Y-axis direction toward the adsorption plate, respectively, to prevent interference between the adsorption pad provided on the adsorption plate and the inlet rail, of the escape grooves of the adsorption plate formed on the inlet rail, And an adsorption pad recess groove is further provided at a position corresponding to the adsorption pad provided on the adsorption plate.
또한, 상기 제1유로와 상기 제2유로는 연통유로에 의해 "H"자 형상을 가지며, 상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 흡착플레이트에 흡착되는 반도체 스트립의 안착여부를 감지할 수 있도록 상기 제1유로와 제2유로 사이에 구비되는 반도체 스트립 감지센서를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first flow path and the second flow path may have a " H "shape by a communication flow path, and may detect whether the semiconductor strip is seated on the adsorption plate regardless of the size of the semiconductor strip, And a semiconductor strip detection sensor provided between the first flow path and the second flow path.
또한, 상기 스트립 픽커의 일측에는 상기 스트립비전과, 상기 매거진으로부터 상기 반도체 스트립을 인출하여 흡착플레이트에 거치시키는 그립퍼가 구비되고, 상기 스트립비전과 상기 그립퍼는 Y축 방향으로 함께 이동가능하며, 상기 흡착플레이트는 상기 제1유로가 형성된 흡착영역과 상기 제2유로가 형성된 흡착영역을 가로지르는 홈이 형성되어, 상기 홈을 통해 상기 그립퍼가 이동하는 것을 특징으로 한다.In addition, a stripper may be provided at one side of the strip picker with a strip vision and a gripper for pulling out the semiconductor strip from the magazine and placing the strip on the absorption plate. The strip vision and the gripper are movable together in the Y- Wherein the plate has grooves formed between the adsorption region where the first flow path is formed and the adsorption region where the second flow path is formed, and the gripper moves through the grooves.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 반도체 자재 절단장치에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the semiconductor material cutting apparatus of the present invention as described above, the following effects can be obtained.
본 발명에 따르면 반도체 스트립을 흡착하는 흡착플레이트에 내측 상부와 외측 상부에 각각 공압이 인가되도록 흡착영역을 분리함으로써 반도체 스트립의 크기에 따라 반도체 스트립의 흡착영역에 인가되는 공압을 선택적으로 제어할 수 있는 효과가 있다. 따라서, 작은 크기의 반도체 스트립은 내측 상부에만 공압을 인가하여 반도체 스트립을 흡착하고, 큰 크기의 반도체 스트립은 내측 및 외측 상부에 모두 공압을 인가하여 진공압 누설없이 반도체 스트립을 안정적으로 흡착 및 핸들링이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to selectively control the pneumatic pressure applied to the adsorption region of the semiconductor strip according to the size of the semiconductor strip by separating the adsorption region so that pneumatic pressure is applied to the inner upper portion and the outer upper portion, respectively, It is effective. Therefore, the semiconductor strips of a small size are attracted to the semiconductor strip by applying air pressure only to the inner upper portion, and the semiconductor strips of a large size are stably attracted and handled by applying air pressure to both the inner and outer upper portions, It becomes possible.
또한, 반도체 스트립의 기준마크와 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 통해 스트립비전으로 반도체 스트립과 기준마크를 함께 촬영함으로써, 진동 등 외부의 영향을 배제할 수 있어 검사 신뢰도를 높일 수 있다.In addition, since the semiconductor strip and the reference mark are photographed together with the strip vision through the alignment block on which the reference mark and the fiducial mark of the semiconductor strip are formed, it is possible to eliminate external influence such as vibration and increase the inspection reliability.
또한, 본 발명에 따르면 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크를 전후방향으로 복수개 형성시킴으로써 반도체 스트립의 크기에 상관없이 스트립비전의 FOV 내에서 반도체 스트립과 피듀셜마크를 함께 검사할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, a plurality of fiducial marks formed in the alignment block are formed in the forward and backward directions, so that the semiconductor strip and the fiducial mark can be inspected together within the FOV of the strip vision regardless of the size of the semiconductor strip.
또한, 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 흡착플레이트에 안착되는 반도체 스트립의 단변 방향을 기준으로 센터에 고정 배치시키고, 반도체 스트립을 흡착하는 흡착플레이트의 내측 상부에는 항상 반도체 스트립을 흡착하고 있으므로, 반도체 스트립의 워페이지에 상관없이 평평하게 흡착한 상태에서 비전 검사가 가능해져 검사 정밀도가 향상된다.Since the alignment block on which the fiducial marks are formed is fixedly arranged at the center with respect to the direction of the short side of the semiconductor strip to be seated on the adsorption plate and the semiconductor strip is always adsorbed on the inner upper side of the adsorption plate for adsorbing the semiconductor strip, It is possible to perform the vision inspection in a state of being flatly adsorbed irrespective of the warp of the image.
이 외에도 제1, 제2흡착영역 및 제1, 제2인렛레일을 통해 반도체 스트립의 좌우방향 폭의 변화에 대응하여, 반도체 스트립 고정, 정렬 및 흡착을 달성할 수 있으며, 제1흡착영역 및 제2흡착영역의 흡착을 개별적으로 제어함으로써, 진공 리크 발생 방지 또는 불필요한 흡착 방지를 달성할 수 있는 효과가 있다.In addition, the semiconductor strip fixing, alignment and adsorption can be achieved corresponding to the variation of the width of the semiconductor strip in the lateral direction through the first and second adsorption regions and the first and second inlet rails, By separately controlling the adsorption of the two adsorption regions, it is possible to prevent the occurrence of vacuum leakage or to prevent unnecessary adsorption.
또한, 제1, 제2인렛레일에 형성되는 도피홈들로 인해, 제1, 제2인렛레일의 Y축 방향 이동, 즉, 좌우측 방향 이동의 자유성이 보장되며, 이를 통해, 다양한 크기의 반도체 스트립에 대응하여 반도체 스트립을 안내 및/또는 정렬시키는 인렛레일의 기능을 용이하게 달성할 수 있다.In addition, due to the escape grooves formed in the first and second inlet rails, the freedom of movement of the first and second inlet rails in the Y-axis direction, that is, in the left and right directions is ensured, It is possible to easily achieve the function of the inlet rail for guiding and / or aligning the semiconductor strip.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치의 평면도.
도 2는 도 1의 로딩부와 스트립픽커의 사시도.
도 3은 도 2의 로딩부의 평면도.
도 4는 도 3의 로딩부의 E-E'선의 단면도.
도 5는 도 3의 로딩부에 대형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도.
도 6은 도 3의 로딩부의 제1 내지 제4유로와, 제1, 제2흡착플레이트 도피홈 및 제1, 제2흡착패드 도피홈을 도시한 도.
도 7(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제1흡착영역의 제1, 제2유로를 나타낸 단면도.
도 7(b)는 도 7(a)의 F-F'선의 단면도.
도 8(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제2흡착영역의 제3, 제4유로를 나타낸 단면도.
도 8(b)는 도 8(a)의 G-G'선의 단면도.
도 9(a)는 도 7(a)의 제1, 제2유로 각각에 제1, 제2흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도.
도 9(b)는 도 8(a)의 제3, 제4유로 각각에 제3, 제4흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도.
도 10(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도.
도 10(b)는 도 10(a)의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도.
도 11(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도.
도 11(b)는 도 11(a)의 로딩부에 소형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도.1 is a plan view of a semiconductor material cutting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a perspective view of the loading part and the strip picker of FIG. 1; FIG.
3 is a plan view of the loading portion of Fig.
4 is a sectional view taken along the line E-E 'of the loading part of FIG. 3;
Fig. 5 is a view showing that a semiconductor strip of a large size is seated on the loading portion of Fig. 3; Fig.
Fig. 6 is a view showing first to fourth flow paths of the loading part of Fig. 3, first and second adsorption plate escape grooves, and first and second adsorption pad escape grooves.
7 (a) is a cross-sectional view showing first and second flow paths of a first adsorption region formed inside the adsorption plate by cutting the loading unit of FIG. 3 into an XY plane.
7 (b) is a sectional view taken along the line F-F 'in Fig. 7 (a).
8 (a) is a cross-sectional view showing third and fourth flow paths of a second adsorption region formed inside the adsorption plate by cutting the loading portion of FIG. 3 into an XY plane.
8 (b) is a sectional view taken along the line G-G 'in Fig. 8 (a).
9 (a) is a view showing that the first and second adsorption pads are communicated with the first and second flow paths of Fig. 7 (a), respectively. Fig.
9 (b) is a view showing that the third and fourth adsorption pads are communicated with the third and fourth flow paths of Fig. 8 (a), respectively.
Fig. 10 (a) is a view showing that the first and second inlet rails are moved toward the adsorption plate so that the medium size semiconductor strip is loaded on the loading part of Fig. 3; Fig.
10 (b) is a view showing a semiconductor strip of a medium size being seated on the loading portion of Fig. 10 (a). Fig.
11 (a) is a view showing that the first and second inlet rails move in the direction of the adsorption plate so that the medium size semiconductor strip is loaded on the loading part of Fig. 3; Fig.
11 (b) is a view showing that a semiconductor strip of a small size is seated on the loading portion of Fig. 11 (a). Fig.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to devise various apparatuses which, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention. It is also to be understood that all conditional terms and examples recited in this specification are, in principle, explicitly intended only for the purpose of enabling the inventive concept to be understood, and not to be construed as limited to such specifically recited embodiments and conditions .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: .
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.The embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or perspective views that are ideal illustrations of the present invention. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process.
설명에 들어가기에 앞서, 이하의 사항들을 정의한다.Prior to the description, the following are defined.
X축은 스트립픽커 및 유닛픽커가 이동하는 방향을 의미하고, Y축은 X축 수평 평면에서 수직인 축을 의미한다.The X axis means the direction in which the strip picker and the unit picker move, and the Y axis means the axis perpendicular to the X axis horizontal plane.
X축은 전후 방향과 동일한 축을 의미하며, Y축은 좌우 방향과 동일한 축을 의미한다. The X axis means the same axis as the forward and backward direction, and the Y axis means the same axis as the left and right direction.
후방 방향은 X축선 상에서 반도체 스트립이 온로더부에서 인출되는 방향(우측 방향)을 의미하며, 전방 방향은 후방 방향의 반대방향(좌측 방향)을 의미한다.The backward direction means a direction (rightward direction) in which the semiconductor strip is drawn out from the on-loader portion on the X axis, and the forward direction means the backward direction (leftward direction).
θ방향은 X-Y평면상에서 시계방향 또는 반시계 방향으로 회전되는 방향을 의미한다.and the &thetas; direction means a direction of rotating clockwise or counterclockwise on the X-Y plane.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)에 대해 설명한다.Hereinafter, a semiconductor
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 로딩부와 스트립픽커의 사시도이고, 도 3은 도 2의 로딩부의 평면도이고, 도 4는 도 3의 로딩부의 E-E'선의 단면도이고, 도 5는 도 3의 로딩부에 대형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도이고, 도 6은 도 3의 로딩부의 제1 내지 제4유로와, 제1, 제2흡착플레이트 도피홈 및 제1, 제2흡착패드 도피홈을 도시한 도이고, 도 7(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제1흡착영역의 제1, 제2유로를 나타낸 단면도이고, 도 7(b)는 도 7(a)의 F-F'선의 단면도이고 도 8(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제2흡착영역의 제3, 제4유로를 나타낸 단면도이고, 도 8(b)는 도 8(a)의 G-G'선의 단면도이고, 도 9(a)는 도 7(a)의 제1, 제2유로 각각에 제1, 제2흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도이고, 도 9(b)는 도 8(a)의 제3, 제4유로 각각에 제3, 제4흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도이고, 도 10(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도이고, 도 10(b)는 도 10(a)의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도이고, 도 11(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도이고, 도 11(b)는 도 11(a)의 로딩부에 소형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도이다.FIG. 1 is a plan view of a semiconductor material cutting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a loading unit and a strip picker of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of a loading unit of FIG. 2, FIG. 5 is a view showing that a semiconductor strip of a large size is seated on the loading part of FIG. 3, FIG. 6 is a sectional view of the loading part of the loading part of FIG. 3, FIG. 7A is a cross-sectional view showing the first and second adsorption plate recess grooves and the first and second adsorption pad recess grooves. FIG. 7A is a cross- 7 (a) is a sectional view taken along the line F-F 'in Fig. 7 (a), and Fig. 8 (a) is a cross- 8B is a cross-sectional view taken along a line G-G 'in Fig. 8A, and Fig. 9B is a cross- (a) is a view showing that the first and second adsorption pads are communicated with the first and second flow paths of Fig. 7 (a), and Fig. 9 (b) Fig. 10 (a) is a view showing that the third and fourth adsorption pads are communicated with the fourth flow paths, respectively. Fig. 10 Fig. 10B is a view showing that a medium size semiconductor strip is seated on the loading portion of Fig. 10A, Fig. FIG. 11B is a view showing that the first and second inlet rails are moved toward the adsorption plate so that the medium size semiconductor strip is loaded on the loading portion of FIG. 11A. FIG. Fig. 5 is a view showing that the semiconductor strip of Fig.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)는, 복수개의 반도체 스트립(S)이 매거진(미도시) 내에 각각 적층되어 인입된 상태로 제공되는 온로더부(미도시)와, 상기 매거진으로부터 인출되는 반도체 스트립(S)을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송가능하게 구비되는 한 쌍의 인렛레일과, 상기 인렛레일의 내측에 구비되어 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립(S)이 안착되는 흡착플레이트(1300)를 포함하는 로딩부(1000)와, 로딩부(1000)와 절단부(4000) 사이에 X축 방향으로 이동가능하게 설치되어, 로딩부(1000)의 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 척테이블(3000)로 전달하고, 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 반도체 스트립(S)을 검사하는 스트립비전(2300)이 구비된 스트립픽커(2000)와, 스트립픽커(2000)에 흡착된 반도체 스트립(S)이 전달되고, Y축 방향으로 이동가능하게 구비되며, θ방향으로 회전 가능하게 구비되는 척테이블(3000)과, 척테이블(3000)로 전달된 반도체 스트립(S)을 개별의 반도체 패키지로 절단하는 절단부(4000)를 포함하며, 여기에서 흡착플레이트(1300)는 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제1흡착영역(1310)과, 흡착플레이트(1300)의 외측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제2흡착영역(1320)을 구비한다. 각각의 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 선택적으로 공압이 인가되도록 제어될 수 있다.1, a semiconductor material cutting apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention includes an on-loader (not shown) in which a plurality of semiconductor strips S are stacked in a magazine (not shown) (Not shown), a pair of inlet rails guiding the semiconductor strip S drawn out of the magazine and being transportable in the Y-axis direction, and a pair of inlet rollers provided on the inside of the inlet rail, A loading section 1000 including an adsorption plate 1300 on which a semiconductor strip S is placed; a loading section 1000 installed movably in the X axis direction between the loading section 1000 and the cut section 4000; The semiconductor strip S placed on the adsorption plate 1300 of the adsorption plate 1300 is transferred to the chuck table 3000 and the semiconductor strip S adsorbed on the adsorption plate 1300 is adsorbed to move in the X axis direction, Inspecting the semiconductor strip (S) A stripe picker 2000 provided with a lip vision 2300 and a semiconductor strip S which is attracted to a strip picker 2000 and is provided movably in the Y axis direction and is rotatable in the & A chuck table 3000 and a cutout 4000 for cutting the semiconductor strip S delivered to the chuck table 3000 into individual semiconductor packages wherein the adsorption plate 1300 is connected to the chuck table 3000, A first adsorption region 1310 for adsorbing the semiconductor strip S at the inner upper portion and a second adsorption region 1320 for adsorbing the semiconductor strip S at the upper outer side of the adsorption plate 1300. The
또한, 본 발명의 반도체 자재 절단장치(100)는 척테이블(3000)과 건조부(미도시) 사이에 배치되어 절단부(4000)의 절단에 의해 발생된 반도체 패키지의 이물질을 제거하는 세척부(5000)와, 세척부(5000)에서 세척된 반도체 패키지를 건조시키는 건조부와, 절단부(4000)와 건조부 사이에 X축 방향으로 이동가능 하게 설치되어 척테이블(3000) 상에서 절단부(4000)에 의해 절단된 반도체 패키지를 흡착하여 세척부(5000)를 거쳐 건조부로 전달하는 유닛픽커(6000)와, 반도체 패키지를 검사하는 비전유닛과, 반도체 패키지의 검사결과들에 따라 반도체 패키지를 분류 수납하는 분류장치를 포함하여 구성될 수도 있다.The semiconductor
본 발명은 스트립비전(2300)으로 반도체 스트립(S)을 검사할 때 진동 등 외부의 영향을 배제하기 위하여 반도체 스트립(S)에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 더 포함할 수 있다.The present invention is characterized in that when a semiconductor strip S is inspected with a
정렬블럭은 반도체 스트립(S)의 워페이지(스마일 타입, 앵그리 타입)의 영향을 최소화한 상태에서 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록 흡착플레이트(1300)의 전후 방향에 각각 구비되되, 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변 방향을 기준으로 센터에 고정배치되는 것이 바람직하다.The alignment block is provided in the forward and backward directions of the
반도체 스트립(S)에는 정렬블럭의 피듀셜마크와 함께 스트립비전(2300)에 의해 촬상되는 기준마크가 마련된다. 기준마크는 반도체 스트립(S)의 전방에 마련되는 전방 기준마크(M1)와 반도체 스트립(S)의 후방에 마련되는 후방 기준마크(M2)로 이루어질 수 있으며, 고정된 정렬블럭의 피듀셜마크로부터 반도체 스트립(S)의 기준마크를 촬영함으로써 반도체 스트립(S)의 위치 정보를 획득할 수 있게 된다.The semiconductor strip (S) is provided with a fiducial mark which is imaged by the strip vision (2300) together with the fiducial mark of the alignment block. The reference mark may be composed of a front reference mark M1 provided in front of the semiconductor strip S and a rear reference mark M2 provided behind the semiconductor strip S, The position information of the semiconductor strip S can be obtained by photographing the reference mark of the semiconductor strip S. [
한편, 온로더부에는 반도체 스트립(S)이 매거진 내에 인입된 상태로 제공되며, 온로더부에 구비된 푸셔(미도시) 또는 스트립픽커(2000)의 일측에 구비된 그립퍼(2200) 등을 통해 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)로 공급하는 기능을 한다.On the other hand, the semiconductor strip S is provided in the on-loader portion in a state in which the semiconductor strip S is drawn in the magazine, and the
스트립픽커(2000)는 로딩부(1000)와 절단부(4000) 사이에 X축 방향으로 이동가능하게 설치되어, 로딩부(1000)의 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 척테이블(3000)로 전달하는 기능을 한다. 이 경우, 스트립픽커(2000)는 로딩부(1000)의 흡착플레이트(1300)에 안착되어 흡착된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 픽업한 후, 절단부(4000)의 척테이블(3000)로 전달하게 된다.The
스트립픽커(2000)는 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 반도체 스트립(S)을 검사하는 스트립비전(2300)과 매거진으로부터 반도체 스트립(S)을 인출하여 흡착플레이트(1300)에 거치시키는 그립퍼(2200)가 구비되어 있다.The
스트립픽커(2000)의 하부에는 반도체 스트립(S)을 흡착하는 흡착부(2100)가 구비되며, 스트립픽커(2000)의 흡착부(2100)는 흡착플레이트(1300)에 공급된 반도체 스트립(S)의 워페이지를 완화시킨 상태에서 흡착플레이트(1300)에 평평하게 흡착시키기 위해 반도체 스트립(S)의 상면을 눌러준 상태에서 흡착플레이트(1300)에 반도체 스트립(S)을 안착시킬 수 있다. The
그립퍼(2200)는 매거진으로부터 반도체 스트립(S)을 인출하여 흡착플레이트(1300)에 거치시키는 기능을 하며, 스트립비전(2300)과 함께 Y축 방향으로 이동가능하게 구비될 수 있다.The
흡착플레이트(1300)는 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제1흡착영역(1310)과, 흡착플레이트(130)의 외측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제2흡착영역(1320)으로 이루어진다. 제1흡착영역(1310)에는 서로 연통된 제1유로(1311)와 제2유로(1312)에 의해 공압이 인가되며, 제2흡착영역(1320)에는 서로 연통된 제3유로(1321)와 제4유로(1322)에 의해 공압이 인가된다. The
여기에서 제1유로(1311)와 제2유로(1312)는 제3유로(1321)와 제4유로(1322)에 비해 유로의 길이가 짧게 구비되며, 흡착플레이트(1300)에 공급되는 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 작은 반도체 스트립(S)은 제1, 제2유로(1311, 1312)에 의해 제1흡착영역(1310)에서 흡착되고, 크기가 큰 반도체 스트립(S)은 제1, 제2유로(1311, 1312)에 의해 제1흡착영역(1310)과 제3, 제4유로(1321, 1322)에 의해 제2흡착영역(1320)에서 모두 흡착된다.The
예를 들어, 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 제1유로(1311)와 제2유로(1312)에 의해 인가되는 공압으로 제1흡착영역(1310)에서 반도체 스트립(S)을 흡착하고, 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립(S)의 단변방향의 길이보다 작은 경우에는 제1유로(1311), 제2유로(1312), 제3유로(1321), 제4유로(1322)에 의해 인가되는 공압으로 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에서 반도체 스트립(S)을 흡착할 수 있다. 이때 각각의 유로의 간격은 각 유로와 연통되는 흡착패드 간의 간격이 될 수 있다.For example, when the gap between the
따라서, 본 발명은 흡착플레이트(1300)에 공급되는 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 제1흡착영역에(1310)만 공압을 인가하거나, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에 모두 공압을 인가할 수 있다.Therefore, the present invention can be applied to the case where the pneumatic pressure is applied only to the
흡착플레이트(1300)는 제1유로(1311)가 형성된 흡착영역과, 제2유로(1312)가 형성된 흡착영역을 가로지르는 홈이 형성되며, 상기 홈은 상기 흡착영역보다 낮은 높이에 마련되는 오목한 함몰 구간을 가지며, 이의 구간을 통해 그립퍼(2200)가 이동한다.The
다시 말해, 흡착플레이트(1300)에는 제1흡착영역(1310) 중 제1유로(1311)가 형성된 흡착영역과, 제2흡착영역(1320) 중 제2유로(1312)가 형성된 흡착영역의 사이를 가로지르는 홈이 형성되며, 그립퍼(2200)는 상기 홈을 통해 이동될 수 있는 것이다.In other words, the
스트립픽커(2000)는 가이드레일(2001)에 설치되어 가이드레일(2001)을 따라 X축 방향으로 이동가능하다.The
스트립픽커(2000)에는 Z축 구동부(2500)가 구비되며, Z축 구동부(2500)의 구동에 의해 스트립픽커(2000)의 흡착부(2100)가 Z축 방향으로 이동, 즉, 상하 방향으로 승하강 가능하다.The
스트립픽커(200)에 구비되는 스트립비전 구동부(2400)는 스트립비전(2300)과 그립퍼(2200)를 Y축 방향으로 이동시키는 기능을 하며, 이를 통해, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)의 위치를 용이하게 검사할 수 있다.The strip
스트립픽커(2000)에는 Z축 구동부(2500)가 구비되며, Z축 구동부(2500)의 구동에 의해 스트립픽커(2000)의 흡착부(2100)가 Z축 방향으로 이동, 즉, 상하 방향으로 승하강 가능하다.The
스트립픽커(2000)는 승하강 가능하게 구비되는 인터록핀(2600)을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 인터록핀(2600)은 정렬블럭의 인터록핀홀에 삽입되어 정렬블럭과 스트립픽커(2000)의 위치를 정렬시키는 기능을 한다.The
인터록핀홀은 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 인터록핀(2600)이 용이하게 삽입될 수 있도록 복수개가 구비될 수 있다.The interlock pinholes may be provided in plurality so that the
인터록핀홀은 제1정렬블럭(1330)의 상부에 복수개로 마련되는 제1인터록핀홀(1333)과 제2정렬블럭(1330)의 상부에 복수개로 마련되는 제2인터록핀(1343)으로 이루어질 수 있다.The interlock pinholes may include a
척테이블(3000)에는 스트립픽커(2000)를 통해 전달된 반도체 스트립(S)이 흡착되어 올려지게 되며, 척테이블(3000)은 Y축 방향으로 이동가능하고 θ방향으로 회전가능하게 설치된다.The semiconductor strip S transferred through the
척테이블(3000)이 Y축으로 이동가능 및 θ방향으로 회전가능하게 설치됨에 따라, 반도체 스트립(S)을 절단부(4000)의 절단 위치로 이동시켜 절단할 수 있다.The chuck table 3000 is movable in the Y-axis direction and rotatably in the? Direction, so that the semiconductor strip S can be moved to the cutting position of the
척테이블(3000)은 Y축으로 이동가능 및 θ방향으로 회전가능하게 설치됨에 따라, 척테이블(3000) 상에 놓여진 반도체 스트립(S) 또는 반도체 패키지의 Y축 방향 및 θ방향을 보정하는 기능을 할 수 있다.The chuck table 3000 is movable in the Y-axis direction and rotatably in the θ-direction, so that the function of correcting the Y-axis direction and the θ-direction of the semiconductor strip S or semiconductor package placed on the chuck table 3000 can do.
척테이블(3000)에는 스트립픽커(2000)를 통해 전달된 반도체 스트립(S)이 흡착되는 복수의 척테이블 흡착홀(3100)과, 절단부(4000)로부터 척테이블(3000)을 보호하기 위해 형성되는 절단 도피홈(3200)이 구비된다.The chuck table 3000 is provided with a plurality of chuck table suction holes 3100 through which the semiconductor strips S transferred through the
척테이블 흡착홀(3100)은 반도체 패키지의 개수와 동일한 개수를 갖으며, 이를 통해, 절단부(4000)에서 절단된 반도체 패키지 각각이 척테이블 흡착홀(3100) 각각에 흡착됨으로써, 척테이블이 반도체 패키지를 용이하게 흡착할 수 있다. 절단 도피홈(3200)은 이러한 척테이블 흡착홀(3100) 사이에 구비되며, 이를 통해, 절단부(4000)가 반도체 스트립(S)을 절단할 때, 척테이블(3000)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.The chuck
유닛픽커(6000)는 절단부(4000)와 건조부 사이에 X축 방향으로 이동가능하게 설치되어 척테이블(3000) 상에서 절단부(4000)에 의해 절단된 반도체 패키지를 흡착하여 세척부(5000)를 거쳐 건조부로 전달하는 기능을 한다.The
유닛픽커(6000)는 가이드레일(2001)에 설치되며, 이로 인해, 가이드레일(2001)을 따라 유닛픽커(6000)가 이동함으로써, X축 방향으로 용이하게 이동할 수 있다.The
이하, 로딩부(1000)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
로딩부(1000)는 반도체 스트립(S)이 안착되는 공간을 제공하고, 반도체 스트립(S)을 정렬시키는 기능을 하며, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 정렬테이블(1100)과, 정렬테이블(1100)의 중앙에 배치되어 온로더부에서 공급된 반도체 스트립(S)이 안착되는 흡착플레이트(1300)와, 매거진으로부터 인출되는 반도체 스트립(S)을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송가능하게 구비되는 한쌍의 인렛레일을 포함하여 구성된다. The
한쌍의 인렛레일은 착플레이트(1300)의 좌측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에 설치되며, 정렬테이블(1100)에서 좌우측(또는 Y축)으로 이동 가능한 제1인렛레일(1500)과, 흡착플레이트(1300)의 우측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에 설치되며, 정렬테이블에서 좌우측(또는 Y축)으로 이동 가능한 제2인렛레일(1600)으로 이루어질 수 있다.A pair of inlet rails are installed on the alignment table 1100 so as to be disposed on the left side of the
정렬테이블(1100)의 중앙에는 개구부(1110)가 형성되어 있으며, 이러한 개구부(1110)에는 흡착플레이트(1300)가 배치된다. 이 경우, 흡착플레이트(1300)의 하부에는 흡착플레이트(1300)가 Y축 방향으로 이동 가능하고, θ 방향으로 회전가능하게 설치된 이송 로봇(1301)이 구비되며, 스트립비전(2300)으로 검사하여 반도체 스트립(S)의 위치가 정위치에 있지 않을 경우, 반도체 스트립(S)의 위치를 Y축 및 θ축 틀어짐을 보정하여 정위치로 정렬시키게 된다.An
정렬테이블(1100)의 개구부(1110)의 좌측, 즉, 흡착플레이트(1300)의 좌측에는 제1가이드홈(1120)이 형성되며, 제1가이드홈(1120)에는 제1인렛레일(1500)이 Y축 방향, 즉, 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치된다.A
정렬테이블(1100)의 개구부(1110)의 우측, 즉, 흡착플레이트(1300)의 우측에는 제2가이드홈(1130)이 형성되며, 제2가이드홈(1130)에는 제2인렛레일(1600)이 Y축 방향, 즉, 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치된다.A
정렬테이블(1100)의 전방에는 상방 촬상 검사를 위한 상방향 비전(미도시)이 추가로 설치될 수 있으며 상방향 비전은 공급되는 반도체 스트립(S)이 뒤집혔는지를 확인하는 용도로 사용 할 수 있다.An upward vision (not shown) for the upper imaging inspection may be additionally provided in front of the alignment table 1100 and an upward vision may be used to check whether the semiconductor strip S to be supplied is inverted have.
흡착플레이트(1300)는 한쌍의 인렛레일의 내측에 구비되어 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립(S)이 안착된다.The
흡착플레이트(1300)는 반도체 스트립(S)을 흡착하여 고정시키는 기능을 하며, 도 2 내지 도 4, 도 6, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 안착된 반도체 스트립(S)을 제1흡착영역(1310)과, 흡착플레이트(1300)의 외측 상부에서 안착된 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제2흡착영역(1320)과, 스트립비전(2300)으로 반도체 스트립(S)을 검사할 때 외부 영향을 배제하기 위하여 반도체 스트립(S)에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭과, 제1흡착영역(1310)의 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이에 위치하도록 흡착플레이트(1300)에 설치되는 반도체 스트립 감지센서(1350)와, 반도체 스트립(S)이 정위치에 도달하였는지 여부를 감지하는 반도체 스트립 도달감지센서(1360)를 포함하여 구성된다.The
여기에서 제1흡착영역(1310)은 제1유로(1311)와 제2유로(1312)에 의해 공압이 인가되며, 제2흡착영역(1320)은 제3유로(1321)와 제4유로(1322)에 의해 공압이 인가되되, 제1유로(1311)와 제2유로(1312)의 길이는 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 길이보다 짧게 형성된다.Here, the
정렬블럭은 반도체 스트립(S)의 워페이지 영향을 최소화한 상태에서 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록, 흡착플레이트(1300)의 전후 방향 각각에 구비되되, 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치된다. 이 경우, 정렬블럭은 제1흡착영역(1310)의 전방에 배치되는 제1정렬블럭(1330)과, 제1흡착영역(1310)의 후방에 배치되는 제2정렬블럭(1340)으로 이루어질 수 있으며, 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340) 또한, 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치된다.The alignment block is provided in each of the front and rear directions of the
정렬블럭에 마련된 피듀셜마크는 스트립픽커(2000)의 일측에 구비된 스트립비전(2300)에 의해 수행되는데, 스트립 비전(2300)의 화각(FOV) 내에 정렬블럭의 피듀셜마크와 반도체 스트립(S)에 구비된 기준마크를 함께 촬영함으로써 반도체 스트립(S)의 위치 정보, 정렬 상태를 획득할 수 있게 된다. 이때 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 함께 검사할 수 있도록 흡착플레이트(1300)의 센터에 구비되어 크기가 작은 반도체 스트립(S)과 크기가 큰 반도체 스트립(S) 모두에서 비전 검사가 가능하다.The fiducial mark provided on the alignment block is performed by a
특히, 본 발명에서는 스트립비전(2300)이 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 반도체 스트립(S)과 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사하기 위하여, 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크는 반도체 스트립(S)의 장변 방향과 평행하게 전후방향으로 복수개 마련마련됨으로써 반도체 스트립(S)의 크기에 무관하게 피듀셜마크와 반도체 스트립(S)에 형성된 기준마크를 함께 촬영할 수 있는 것이다.Particularly, in the present invention, in order to inspect the fiducial mark provided in the semiconductor strip S and the alignment block regardless of the size of the semiconductor strip S, the fiducial mark formed in the alignment block is formed in the semiconductor strip S, the fiducial mark and the reference mark formed on the semiconductor strip S can be photographed together regardless of the size of the semiconductor strip S.
여기에서, 피듀셜마크는 제1정렬블럭(1330)의 상면에 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)와 대응되는 제1피듀셜마크(1332)와, 제2정렬블럭(1340)의 상면에 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)와 대응되는 제2피듀셜마크(1342)로 이루어질 수 있다.The fiducial mark includes a first
제1피듀셜마크(1332)는 제1정렬블럭(1330)의 상면에 전후방향으로 복수개 구비될 수 있고, 제2피듀셜마크(1342)는 제2정렬블럭(1340)의 상면에 전후방향으로 복수개 구비될 수 있다.A plurality of first
반도체 스트립 감지센서(1350)는 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 흡착플레이트(1300)에 흡착되는 반도체 스트립(S)의 안착여부를 감지할 수 있도록 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이에 구비된다. 반도체 스트립 감지센서(1350)가 흡착플레이트(1300)의 외곽에 구비되는 경우에는 큰 반도체 스트립(S)은 감지할 수 있으나 작은 반도체 스트립(S)은 감지할 수 없게되므로, 반도체 스트립 감지센서(1350)도 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변 방향을 기준으로 센터, 즉 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이의 공간에 배치될 수 있다.The semiconductor
여기서 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)의 감지 유무를 이용하여 그립퍼(2200)에 의해 홀딩된 반도체 스트립(S)이 슬립되었는지를 확인할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 그립퍼(2200)는 반도체 스트립(S)을 반도체 스트립 도달감지센서(1360)에서 감지할 수 있도록 기설정된 거리만큼 이동하며 이동이 정상적으로 완료되었을 경우 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)의 도착을 감지한다. 하지만, 그립퍼(2200)로부터 반도체 스트립(S)이 슬립된 경우에는 기설정된 거리를 이동하더라도 반도체 스트립 도달감지센서(1360)로 반도체 스트립(S)의 도착여부를 감지하지 못하는 경우가 생길 수 있다. 이 경우 그립퍼(2200)는 반도체 스트립 도달감지센서(1360)가 반도체 스트립(S)을 감지할 수 있도록 후방으로 더 이동한다.Here, the semiconductor
또한, 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)의 정위치 도달 여부를 확인하여 반도체 스트립(S)의 위치 정보를 얻을 수 있으며 이 위치 정보를 이용하여 반도체 스트립(S)의 센터와 정렬테이블(1100)의 센터를 맞출 수 도 있다. 구체적으로 예를 들면, 반도체 스트립 도달감지센서(1360)가 반도체 스트립(S)을 감지하는 시점을 기준으로 설정량 만큼 반도체 스트립(S)을 전방으로 이동시켜 반도체 스트립(S)을 정렬테이블(1100)의 센터에 위치시킬 수 있다. The semiconductor
반도체 스트립 도달감지센서(1360)를 이용하여 반도체 스트립(S)을 정렬테이블(1100)의 센터로 위치시킨 후에는 스트립픽커(2000)에 구비된 스트립비전(2300)을 통해 반도체 스트립(S)에 마련된 전, 후방 기준마크(M1, M2)와 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)에 각각 구비된 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)를 함께 촬영하여 정렬상태를 검사 및 보정할 수 있다.After the semiconductor strip S is positioned at the center of the alignment table 1100 by using the semiconductor
즉, 본 발명은 반도체 스트립(S)의 기준마크와 정렬블럭의 피듀셜마크를 스트립비전(2300)의 화각(FOV) 내에 함께 촬영하여 반도체 스트립(S)의 정렬상태를 검사할 수 있으며, 이때 반도체 스트립(S)에 기준마크가 없는 경우라면, 기준마크 대신 최외곽에 위치한 패키지 등의 특정 패키지로 대체하여 반도체 스트립(S)의 특정패키지와 피듀셜 마크를 함께 검사할 수도 있을 것이다.That is, the present invention can examine the alignment state of the semiconductor strip S by taking a reference mark of the semiconductor strip S and a fiducial mark of the alignment block together in the view angle (FOV) of the
또한, 흡착플레이트(1300)의 제1흡착영역(1310)에는 그립퍼(2200)가 이동할 때 간섭을 방지하기 위해 길이 방향으로 홈을 형성할 수 있다. 길이 방향 홈은 그립퍼(2200)가 흡착플레이트(1300) 상면 보다 낮은 높이로 이동하기 때문에 형성되는 것으로, 무거운 반도체 스트립(S) 또는 얇은 반도체 스트립(S)을 그립퍼(2200)로 이송할 때 반도체 스트립(S)에 과도한 굽힘 모멘트가 작용하여 반도체 스트립(S)이 손상될 수 있으므로 하중을 분산하기 위해 반도체 스트립(S)의 일부가 인렛레일의 돌출부 또는 흡착플레이트(1300)의 상면과 접촉할 수 있도록 그립퍼(220)의 일부 높이가 흡착플레이트(1300)의 상면 높이보다 낮게 하강한다.In addition, the
흡착플레이트(1300)의 하부에는 이송로봇(1301)이 구비되며, 이송로봇(1301)에 의해 흡착플레이트(1300)는 Y축 이동이 가능하다. 또한, 이송로봇(1301)은 회전가능하게 구성되며, 이를 통해, 흡착플레이트(1300)는 θ방향 회전이 가능하다.A
또한, 흡착플레이트(1300)는 일체형으로 구비될 수도 있지만 흡착플레이트(1300)의 유지 보수를 위해 흡착플레이트(1300)의 상부와 하부가 분리 구성되어 교체 가능하도록 구성될 수 있다. 이때, 흡착플레이트(1300)는 이송로봇(1301)의 상부에 연결되며 내부에 제1, 제2, 제3, 제4유로(1311, 1312, 1321, 1322)가 형성된 흡착플레이트 바디(1300b)와, 흡착플레이트 바디(1300b)의 상부에 구비되어, 상부에 안착되는 반도체 스트립(S)을 흡착하기 위해 흡착플레이트 바디(1300b)에 결합되고, 흡착플레이트 바디(1300b)의 제1, 제2, 제3, 제4유로(1311, 1312, 1321, 1322)가 상부방향으로 연통하는 제1, 제2, 제3, 제4연통홀(1311a, 1312a, 1321a, 1322a)이 형성된 흡착플레이트 커버(1300a)로 구성될 수 있다.In addition, although the
또한, 흡착플레이트 바디(1300b)와 흡착플레이트 커버(1300a)는 체결수단(1370)에 의해 착탈가능하게 결합될 수 있으며 체결수단(1370)은 일 예로, 매미고리를 이용할 수 있고 이를 통해 유지 보수시 흡착플레이트 커버(1300a)를 흡착플레이트 바디(1300b)로부터 쉽게 분리 할 수 있고, 교체가능하다. 즉, 흡착플레이트 커버(1300a)는 흡착플레이트 바디(1300b)로부터 교체 가능하도록 착탈 가능하게 구비될 수 있다.In addition, the
흡착플레이트 커버(1300a)에는 상부에 안착되는 반도체 스트립(S)을 흡착하기 위한 흡착홀이 형성되고, 흡착플레이트(1300)의 상부에는 반도체 스트립(S)을 안정적으로 흡착하기 위한 연질의 돌출된 흡착패드가 복수개 구비될 수 있다.The
흡착패드는 후술할 제1유로(1311) 상에 구비되어 제1유로(1311)와 연통되는 복수개의 제1흡착패드(1314)와, 제2유로(1312) 상에 구비되어 제2유로(1312)와 연통되는 복수개의 제2흡착패드(1315)와, 제3유로(1321) 상에 구비되어 제3유로(1321)와 연통되는 복수개의 제3흡착패드(1315)와, 제4유로(1322) 상에 구비되어 제4유로(1322)와 연통되는 복수개의 제4흡착패드(1325)로 이루어질 수 있다.The adsorption pad includes a plurality of
도 3 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 흡착력을 이용하여 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착하는 영역을 의미한다.3 and 9, the
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)에서는 일례로써, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)에서 발생되는 흡착력이 진공에 의한 흡착력인 것을 기준으로 설명한다. 따라서, 흡착력은 정전기력 등 다른 수단을 통해 이루어질 수도 있다.In the semiconductor
제2흡착영역(1320)은 제1흡착영역(1310)의 주변에 배치되도록 형성된다. 이 경우, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 흡착플레이트(1300)의 상면에 형성되며, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 서로 중첩되지 않게 배치된다.The
제2흡착영역(1320)은 제1흡착영역(1310)의 주변에 배치됨과 동시에, 제2흡착영역(1320)의 전후 방향 폭 및 좌우 방향 폭은 제1흡착영역(1310)의 전후 방향 폭 및 좌우 방향 폭보다 크게 형성된다. 따라서, 제1흡착영역(1310)은 전후 방향 및 좌우 방향에서 제2흡착영역(1320)의 내측에 위치하게 된다.The
제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착은 개별적으로 제어 가능하게 구성된다. 이처럼 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 개별적으로 제어 가능함에 따라, 반도체 스트립(S)의 크기에 대응하여, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착을 선택적으로 할 수 있다.The adsorption of the
다시 말해, 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에 인가되는 공압은 선택적으로 제어될 수 있는 것이다. 따라서, 흡착플레이트(1300)에 공급된 반도체 스트립(S)의 크기에 따라, 제1흡착영역(1310)에만 공압을 인가하거나, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)에 모두 공압을 인가할 수 있다.In other words, the pneumatic pressure applied to the
이하, 전술한 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the
먼저, 제1흡착영역(1310)에 대해 설명한다.First, the
제1흡착영역(1310)은 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 기능을 하도록 흡착플레이트(1300)에 구비된다.The
제1흡착영역(1310)은 도 6, 도 7 및 도 9(a)에 도시된 바와 같이, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에서 전후방향으로 형성되는 제1유로(1311)와, 제1유로(1311) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제1흡착패드(1314)와, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에서 전후방향으로 형성되고, 제1유로(1311)와 연통되는 제2유로(1312)와, 제2유로(1312) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제2흡착패드(1315)를 포함하여 구성된다.The
제1, 제2유로(1311, 1312)는 제1흡착영역(1310)에 공압을 인가하는 기능을 한다.The first and
제1유로(1311)와 제2유로(1312)는 제1연결부(1313)에 의해 서로 연통되어 있다.The
제1연결부(1313)는 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이에 형성되며, 이로 인해, 제1, 제2유로(1311, 1312) 및 제1연결부(1313)는 "H"자 형상을 갖는다. The
다시 말해, 제1유로(1311)와 제2유로(1312)는 제1연결부(1313), 즉, 연통유로에 의해 "H"자 형상을 갖는 것이다.In other words, the
제1유로(1311)는 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다.The
제1유로(1311)에는 상부 방향으로 개구된 제1연통홀(1311a)이 형성되며, 이러한 제1연통홀(1311a)에는 제1흡착패드(1314)의 제1구멍(1314a)이 연통된다.A
제1흡착패드(1314)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The
제1흡착패드(1314)의 중앙에는 제1연통홀(1311a)과 연통되는 제1구멍(1314a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제1흡착패드(1314)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A
전술한 제1연통홀(1311a)은 제1유로(1311)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제1연통홀(1311a)의 개수와 동일하게 제1흡착패드(1314)도 제1유로(1311)의 전후 방향으로 제1유로(1311) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of
제2유로(1312)는 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다. The
제2유로(1312)에는 상부 방향으로 개구된 제2연통홀(1312a)이 형성되며, 이러한 제2연통홀(1312a)에는 제2흡착패드(1315)의 제2구멍(1315a)이 연통된다.A
전술한 제1, 제2유로(1311, 1312)는 후술할 제3, 제4유로(1321, 1322)에 비해 유로의 길이가 짧게 구비된다. 이렇게 유로의 길이가 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에서 다르게 구성함으로써 소형 반도체 스트립(S)을 흡착시 진공리크나 누설없이 안정적으로 반도체 스트립(S)을 흡착할 수 있고, 대형 반도체 스트립(S)의 경우에도 특정 영역에 치우치지 않고 고르게 대면적을 흡착할 수 있게 된다.The first and
제2흡착패드(1315)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The
제2흡착패드(1315)의 중앙에는 제2연통홀(1312a)과 연통되는 제2구멍(1315a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제2흡착패드(1315)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A
전술한 제2연통홀(1312a)은 제2유로(1312)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제2연통홀(1312a)의 개수와 동일하게 제2흡착패드(1315)도 제2유로(1312)의 전후 방향으로 제2유로(1312) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of the
제1, 제2흡착패드(1314, 1315)는 고무 등과 같은 연질의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)가 연질의 재질로 이루어짐에 따라, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)와 반도체 스트립(S)의 하면이 더욱 밀착되게 할 수 있으며, 이를 통해, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)의 흡착력을 극대화시킬 수 있다. 특히, 흡착플레이트(1300)가 금속 재질로 이루어질 경우, 반도체 스트립(S)을 흡착하는 흡착력이 떨어질 수 있는데, 전술한 바와 같이, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)가 연질의 재질로 구성됨에 따라, 이러한 문제점을 쉽게 해결할 수 있다.The first and
제1연결부(1313)에는 제1흡입구(1313a)가 형성되며, 제1흡입구(1313a)는 공기를 흡입하는 제1흡입부(미도시)와 연통되어 있다.The
반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착된 후, 제1흡입부가 작동하여 흡입력이 작용하면 제1, 제2유로(1311, 1312)의 공기가 제1흡입부로 흡입되며, 이를 통해, 제1, 제2유로(1311, 1312)와 각각 연통된 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)에 흡입력이 작용하게 된다. 따라서, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)의 제1, 제2구멍은 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착하게 되며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트에 진공으로 흡착된다. 다시 말해, 제1흡입부, 제1, 제2유로(1311, 1312)를 통해 공압이 인가됨으로써, 제1흡착영역(1310)에서 흡착이 이루어지는 것이다.After the semiconductor strip S is seated on the
전술한 구성을 갖는 제1흡착영역(1310)은 반도체 스트립(S)의 하면의 내측 영역을 흡착하게 된다. 따라서, 도 5의 대형 크기의 반도체 스트립(S) 또는 도 10(b)의 중형 크기의 반도체 스트립(S) 또는 도 11(b)의 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 하면의 내측 영역을 흡착할 수 있다.The
이하, 제2흡착영역(1320)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
제2흡착영역(1320)은 흡착플레이트(1300)의 외측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 기능을 하도록 흡착플레이트(1300)에 구비된다.The
제2흡착영역(1320)은 도 6, 도 8 및 도 9(b)에 도시된 바와 같이, 제1유로(1311)의 좌측에서 전후방향으로 형성되는 제3유로(1321)와, 제3유로(1321) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제3흡착패드(1324)와, 제2유로(1312)의 우측에서 전후방향으로 형성되고, 제3유로(1321)와 연통되는 제4유로(1322)와, 제4유로(1322) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제4흡착패드(1325)를 포함하여 구성된다.6, 8, and 9 (b), the
도면에 도시되지는 않았으나, 제3유로(1321)와 제4유로(1322)는 제2연결부에 의해 서로 연통될 수 있으며, 이 경우, 제2연결부는 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 전방 또는 후방에 위치하도록 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, the third and
제2연결부에는 제2흡입구가 형성되며, 제2흡입구는 공기를 흡입하는 제2흡입부(미도시)와 연통되어 있다.A second suction port is formed in the second connection portion, and the second suction port is in communication with a second suction portion (not shown) for sucking air.
제3, 제4유로(1321, 1322)는 제2흡착영역(1320)에 공압을 인가하는 기능을 한다.The third and
제3유로(1321)는 제1유로(1311)의 좌측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다.The
제3유로(1321)에는 상부 방향으로 개구된 제3연통홀(1321a)이 형성되며, 이러한 제3연통홀(1321a)에는 제3흡착패드(1324)의 제3구멍(1324a)이 연통된다.A
제3흡착패드(1324)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에 배치되도록 제1흡착패드(1314)와 이격된채 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The
제3흡착패드(1324)의 중앙에는 제3연통홀(1321a)과 연통되는 제3구멍(1324a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제3흡착패드(1324)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A
전술한 제3연통홀(1321a)은 제3유로(1321)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제3연통홀(1321a)의 개수와 동일하게 제3흡착패드(1324)도 제3유로(1321)의 전후 방향으로 제3유로(1321) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of third communicating
제4유로(1322)는 제2유로(1312)의 우측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다. The
제4유로(1322)에는 상부 방향으로 개구된 제4연통홀(1322a)이 형성되며, 이러한 제4연통홀(1322a)에는 제4흡착패드(1325)의 제4구멍(1325a)이 연통된다.A
제4흡착패드(1325)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에 배치되도록 제2흡착패드(1315) 및 제3흡착패드(1324)와 이격된채 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The
제4흡착패드(1325)의 중앙에는 제4연통홀(1322a)과 연통되는 제4구멍(1325a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제4흡착패드(1325)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A
전술한 제4연통홀(1322a)은 제4유로(1322)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제4연통홀(1322a)의 개수와 동일하게 제4흡착패드(1325)도 제4유로(1322)의 전후 방향으로 제4유로(1322) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of
제3, 제4흡착패드(1324, 1325)는 고무 등과 같은 연질의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)가 연질의 재질로 이루어짐에 따라, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)와 반도체 스트립(S)의 하면이 더욱 밀착되게 할 수 있으며, 이를 통해, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 흡착력을 극대화시킬 수 있다. 특히, 흡착플레이트(1300)가 금속 재질로 이루어질 경우, 반도체 스트립(S)을 흡착하는 흡착력이 떨어질 수 있는데, 전술한 바와 같이, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)가 연질의 재질로 구성됨에 따라, 이러한 문제점을 쉽게 해결할 수 있다.The third and
전술한 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동하면, 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)에 삽입되며, 이로 인해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 의해 덮여 가려지게 된다.When the first and
제2연결부는 공기를 흡입하는 제2흡입부(미도시)와 연통되어 있다. The second connection portion is in communication with a second suction portion (not shown) for sucking air.
반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착된 후, 제2흡입부가 작동하여 흡입력이 작용하면 제3, 제4유로(1321, 1322)의 공기가 제2흡입부로 흡입되며, 이를 통해, 제3, 제4유로(1321, 1322)와 각각 연통된 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)에 흡입력이 작용하게 된다. 따라서, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 제3, 제4구멍은 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착하게 되며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트에 진공으로 흡착된다. 다시 말해, 제2흡입부, 제3, 제4유로(1321, 1322)를 통해 공압이 인가됨으로써, 제2흡착영역(1320)에서 흡착이 이루어지는 것이다.After the semiconductor strip S is seated on the
전술한 구성을 갖는 제2흡착영역(1320)은 반도체 스트립(S)의 하면의 외측 영역을 흡착하게 된다. 따라서, 도 5의 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 하면의 외측 영역을 흡착할 수 있다. 그러나, 제2흡착영역(1320)은 도 10(b)의 중형 크기의 반도체 스트립(S)과 도 11(b)의 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 전후 방향 폭 및 좌우 방향 폭보다 외측에 위치하므로, 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착할 수 없다.The
다시 말해, 전술한 제1흡착영역(1310)은 소형 크기의 반도체 스트립(S), 중형 크기의 반도체 스트립(S) 및 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 모두 흡착할 수 있는 반면, 제2흡착영역(1320)은 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 흡착할 수 있는 것이다.In other words, the above-described
이하, 제1정렬블럭(1330) 및 제2정렬블럭(1340)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
제1정렬블럭(1330)은 제1흡착영역(1310)의 전방에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 전방 중앙에 설치된다.The
제1정렬블럭(1330)의 양측, 즉, 제1정렬블럭(1330)의 좌측 및 우측에는 상부 방향으로 돌출된 제1돌출부(1331)가 형성된다. 따라서, 제1돌출부(1331)는 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측 각각에 이격되게 위치한다.A
제1돌출부(1331)의 상면에는 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)와 대응되는 제1피듀셜마크(1332)가 전후방향으로 복수개 구비되어 있다.A plurality of first
따라서, 제1정렬블럭(1330)의 상면, 즉, 제1돌출부(1331)의 상면에는 복수개의 제1피듀셜마크(1332)가 전후방향으로 구비되어 있으며, 이로 인해, 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측에 전후방향으로 복수개의 제1피듀셜마크(1332)가 2열로 배치된다.A plurality of first
제2정렬블럭(1340)은 제1흡착영역(1310)의 후방에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 후방 중앙에 설치된다.The
제2정렬블럭(1340)의 양측, 즉, 제2정렬블럭(1340)의 좌측 및 우측에는 상부 방향으로 돌출된 제2돌출부(1341)가 형성된다. 따라서, 제2돌출부(1341)는 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측 각각에 이격되게 위치한다.A
제2돌출부(1341)의 상면에는 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)와 대응되는 제2피듀셜마크(1342)가 전후방향으로 복수개 구비되어 있다.A plurality of second
따라서, 제2정렬블럭(1340)의 상면, 즉, 제2돌출부(1341)의 상면에는 복수개의 제2피듀셜마크(1342)가 전후방향으로 구비되어 있으며, 이로 인해, 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측에 전후방향으로 복수개의 제2피듀셜마크(1342)가 2열로 배치된다.A plurality of second
제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)는 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 흡착되어 안착될 때, 전방 기준마크(M1) 및 후방 기준마크(M2)와 함께 스트립픽커(2000)의 스트립비전(2300)에 의해 반도체 스트립(S)의 정렬 상태를 검사하는 기준점이 된다.The first and second
제1, 제2돌출부(1331, 1341)의 돌출길이는 흡착플레이트(1300)의 상면의 높이보다 낮게 형성된다. 따라서, 제1, 제2돌출부(1331, 1341)의 상면은 흡착플레이트(1300)의 상면보다 낮은 위치에 위치한다. 이러한 제1, 제2돌출부(1331, 1341)의 상면과 흡착플레이트(1300)의 상면의 높이 차로 인해, 제1, 제2돌출부(1331, 1341)가 반도체 스트립(S)의 하면에 접하지 않게 되며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 용이하게 흡착되어 안착될 수 있다.The projection length of the first and
복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치하는 제1피듀셜마크(1332)는 제2흡착영역(1320)보다 흡착플레이트(1300)의 전방에 위치한다. 다시 말해, 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치하는 제1피듀셜마크(1332)는 제2흡착영역(1320)의 복수개의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325) 중 최전방에 위치하는 흡착패드보다 전방에 위치한다.The first
복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치하는 제2피듀셜마크(1342)는 제2흡착영역(1320)보다 흡착플레이트(1300)의 후방에 위치한다. 다시 말해, 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치하는 제2피듀셜마크(1342)는 제2흡착영역(1320)의 복수개의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325) 중 최후방에 위치하는 흡착패드보다 후방에 위치한다.The second
위와 같은, 최전방 및 최후방에 위치하는 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)의 배치로 인해, 반도체 스트립(S)의 크기가 달라짐에 따라 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1)의 사이의 거리 또는 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2) 사이의 거리가 멀어지게 되어 스트립비전(2300)를 통한 반도체 스트립(S)의 정렬 상태 검사 용이하게 이루어지지 않는 것을 방지할 수 있다.Due to the arrangement of the first and second
상세하게 설명하면, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 흡착되어 안착된 후, 스트립픽커(2000)의 스트립비전(2300)은 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1) 및 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2)를 촬상하여 반도체 스트립(S)의 정렬 상태를 검사한 후, 반도체 스트립(S)의 위치가 정위치에 있지 않을 경우, 흡착플레이트(1300)가 Y축 방향 및 θ방향을 보정하여 반도체 스트립(S)의 위치를 정위치로 정렬시키게 된다.The
이러한 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1) 및 후방 피듀셜 마크(M2)는 반도체 스트립(S)의 전방 및 후방에 형성되는데, 이로 인해, 반도체 스트립(S)의 크기가 달라지면, 전방 기준마크(M1)와 후방 피듀셜 마크(M2)의 위치 또한 달라지게 된다. The front reference mark M1 and the rear fiducial mark M2 of the semiconductor strip S are formed in front of and behind the semiconductor strip S so that when the size of the semiconductor strip S is changed, The position of the mark M1 and the position of the rear fiducial mark M2 are also changed.
이처럼 전방 기준마크(M1)와 후방 피듀셜 마크(M2)의 위치가 달라짐에 따라, 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1)의 사이의 거리 또는 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2) 사이의 거리가 멀어지게 되면, 스트립비전(2300)의 촬상 정밀도가 떨어지게 되며, 이로 인해, 위치 오차가 발생될 수 있다.The distance between the first
예를 들어 설명하면, 스트립비전(2300)은 좌측에 위치한 정렬블럭, 즉, 제1정렬블럭(1330)에 형성된 제1피듀셜마크(1332)와 이와 인접한 위치에 형성된 반도체 스트립(S)에 마련된 전방 기준마크(M1)를 동시에 촬영하기 위해 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1)가 함께 스트립비전(2300)의 시야에 들어올 수 있도록 FOV(Fields of View)가 설정된다. 동시 촬영은 스트립비전(2300)이 반도체 스트립(S)를 촬영할 때 외력에 의한 진동이나 기타 외부 환경에 의해 정밀도가 저하되는 것을 방지 하기 위한 것으로, 고정된 위치에 있는 정렬블럭의 피듀셜마크를 기준으로 반도체 스트립(S)의 기준마크의 좌표를 결정하여 외력 등이 작용하더라도 정밀도 높게 반도체 스트립(S)의 위치를 촬상할 수 있다.For example, the
여기서 반도체 스트립(S)의 크기가 달라질 경우 스트립비전(2300)의 FOV를 변경할 수도 있으나 FOV가 커질 경우 촬영 정밀도가 떨어질 수 있으므로 FOV를 최적화한 상태에서 정렬블럭에 다양한 사이즈의 반도체 스트립(S)에 적용할 수 있도록 다수의 피듀셜마크를 반도체 스트립(S)의 장변 방향과 평행하게 복수개 마련하여, 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 해당 피듀셜마크와 반도체 스트립(S)의 기준마크를 동시 촬영할 수 있다.If the size of the semiconductor strip S is changed, the FOV of the
따라서, 전술한 바와 같이, 제1피듀셜마크(1332) 및 제2피듀셜마크(1342)를 전후 방향으로 복수개 구비함으로써, 반도체 스트립(S)의 다양한 크기에 대응할 수 있으며, 이로 인해, 스트립비전(2300)의 촬상시 정밀도가 떨어지는 문제를 해결할 수 있다.Therefore, as described above, by providing a plurality of the first
특히, 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치하는 제1피듀셜마크(1332)의 위치를 제2흡착영역(1320)보다 전방으로 위치시키고, 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치하는 제2피듀셜마크(1342)의 위치를 제2흡착영역(1320)보다 후방으로 위치시킴으로써, 제2흡착영역(1320)보다 전후 폭이 큰 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1) 및 후방 기준마크(M2)에 제1피듀셜마크(1332)와 제2피듀셜마크(1342)를 대응시킬 수 있는 효과가 있다.In particular, the position of the first
또한, 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)은 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)상에 배치될 수 있다. 반도체 스트립(S)은 주로 폭방향으로 워피지가 발생하며 반도체 스트립(S)이 흡착된 상태에서 워피지 영향이 가장 적게 작용하는 지점에서 전, 후방 기준마크(M1, M2)를 촬상하여 스트립비전(2300)의 촬상 정밀도를 향상 시킬 수 있다.Also, the first and second alignment blocks 1330 and 1340 may be disposed on the center line C of the
또한, 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)의 상부에는 스트립픽커(2000)의 인터록핀(2600)이 삽입되는 하나 이상의 제1, 제2인터록핀홀(1333, 1343)이 마련되어 있다.At least one first and
반도체 스트립 감지센서(1350)는 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2유로(1311, 1312) 사이에 위치하도록 흡착플레이트(1300)의 중앙 전방에 설치된다. 반도체 스트립 감지센서(1350)는 흡착플레이트(1300)에 반도체 스트립(S)이 안착되어 있는지 여부를 감지하는 기능을 한다.The semiconductor
반도체 스트립 감지센서(1350)가 제1, 제2유로(1311, 1312) 사이에 위치함에 따라, 다양한 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 흡착되어 안착되더라도, 반도체 스트립 감지센서(1350)의 위치는 항상 반도체 스트립(S)의 하부에 위치하게 된다. 따라서, 반도체 스트립(S)의 크기에 상관 없이 반도체 스트립(S)이 안착되어 있는지 여부를 용이하게 감지할 수 있다.Even if the semiconductor strips S of various sizes are adsorbed on and adhered to the
반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 정렬테이블(1100)의 중앙 후방에 설치된다. 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)이 온로더부로부터 공급될 때, 흡착플레이트(1300)의 후방 방향으로 정위치에 도달하였는지 여부를 감지하는 기능을 한다.The semiconductor
이하, 제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)은 매거진으로부터 인출되는 반도체 스트립(S)을 안내하며 Y축 방향으로 각각 이송 가능하게 구비된 한 쌍의 인렛레일이다.The
여기서, 제1인렛레일(1500)은 흡착플레이트(1300)의 좌측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에 정렬테이블(1100)에서 좌우측으로 이동가능하게 설치되고, 제2인렛레일(1600)은 흡착플레이트(1300)의 우측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에서 좌우측으로 이동가능하게 설치되며, 제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600)의 내측면 각각이 반도체 스트립(S)의 좌우측면에 접함으로써, 반도체 스트립(S)을 안내 및/또는 정렬시키는 기능을 한다.The
제1인렛레일(1500)은 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)을 기준으로 좌측에 전후측 방향으로 정렬테이블(1100)에 형성되는 제1가이드홈(1120)에 설치된다. 따라서, 제1인렛레일(1500)이 제1가이드홈(1120)을 따라 이동함으로써, 정렬테이블(1100)에서 좌우측, 즉, Y축 방향으로 이동이 가능하다.The
제2인렛레일(1600)은 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)을 기준으로 우측에 전후측 방향으로 정렬테이블(1100)에 형성되는 제2가이드홈(1130)에 설치된다. 따라서, 제2인렛레일(1600)이 제2가이드홈(1130)을 따라 이동함으로써, 정렬테이블(1100)에서 좌우측, 즉, Y축 방향으로 이동이 가능하다.The
제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600) 각각은 제1가이드홈(1120) 및 제2가이드홈(1130)을 따라 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 로딩부(1000)의 내측 방향으로 이동됨으로써, 소형 크기의 반도체 스트립(S)을 안내할 수 있다.Each of the
또한, 제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600) 각각은 제1가이드홈(1120) 및 제2가이드홈(1130)을 따라 흡착플레이트(1300)의 반대 방향, 즉, 로딩부(1000)의 외측 방향으로 이동됨으로써, 중형 또는 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 고정시킬 수 있다.Each of the
다시 말해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 흡착플레이트(1300) 방향 또는 흡착플레이트(1300)의 반대 방향으로 이동함으로써, 반도체 스트립(S)의 좌우폭에 맞게 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 사이의 거리를 조절할 수 있는 것이다.In other words, the first and
제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)의 상면은 흡착플레이트(1300)의 상면보다 높은 위치에 위치한다. 따라서, 제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동되면, 제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)은 흡착플레이트(1300)의 상면을 덮게 된다.The upper surfaces of the
위와 같이, 한쌍의 인렛레일, 즉, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 각각 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 흡착플레이트(1300)와 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 인렛레일의 하면에 흡착플레이트(1300)가 도피될 수 있도록 흡착플레이트 도피홈이 형성될 수 있다.In order to prevent interference between the
흡착플레이트 도피홈은 제1인렛레일(1500)의 하면에 형성되는 제1흡착플레이트 도피홈(1511)과, 제2인렛레일(1600)의 하면에 형성되는 제2흡착플레이트 도피홈(1611)으로 이루어질 수 있다. The suction plate escape groove has a first suction
제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 용이하게 이동되기 위해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600) 각각에는 다음과 같은 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610) 및 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)이 구비된다.The first and
한쌍의 인렛레일이 각각 흡착 플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)에 구비된 흡착패드와 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 인렛레일에 형성된 흡착플레이트 도피홈 중 흡착플레이트(1300)에 구비된 흡착패드에 대응되는 위치에 흡착패드 도피홈이 추가로 마련될 수 있다.When the pair of inlet rails move in the Y-axis direction toward the adsorption plate, the
흡착패드 도피홈은 제1흡착플레이트 도피홈(1510)에 구비되어 형성되는 제1흡착패드 도피홈(1511)과, 제2흡착플레이트 도피홈(1610)에 구비되어 형성되는 제2흡착패드 도피홈(1611)으로 이루어질 수 있다. The adsorption pad escape groove includes a first adsorption
제1흡착패드 도피홈(1511)은 제3흡착패드(1324)와 제1인렛레일(1500)의 간섭을 방지하고, 제2흡착패드 도피홈(1611)은 제4흡착패드(1325)와 제2인렛레일(1600)의 간섭을 방지한다.The first adsorption
제1인렛레일(1500)의 우측 하면에는 제1흡착플레이트 도피홈(1510)이 형성된다. 제1흡착플레이트 도피홈(1510)은 제1인렛레일(1500)의 우측 하면에서 상부 방향으로 함몰되어 형성된다.A first suction
제1흡착플레이트 도피홈(1510)은 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 좌측 상부 일부가 삽입되며, 이를 통해, 흡착플레이트(1300)에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제1흡착플레이트 도피홈(1510)은 흡착플레이트(1300)의 간섭에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The first suction
제1흡착플레이트 도피홈(1510)의 내부에는 상부 방향으로 함몰되어 형성되는 제1흡착패드 도피홈(1511)이 형성된다.In the first adsorption
제1흡착패드 도피홈(1511)은 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동할 때, 제3흡착패드(1324)가 삽입되며, 이를 통해, 제3흡착패드(1324)에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제1흡착패드 도피홈(1511)은 제3흡착패드(1324)의 간섭에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The first adsorption
이러한 제1흡착패드 도피홈(1511)은 복수개의 제3흡착패드(1324)의 개수와 동일한 개수로 복수개가 형성될 수 있으며, 그 배열 또한, 복수개의 제3흡착패드(1324)에 대응되도록 제1흡착플레이트 도피홈(1510) 내에서 전후 방향으로 복수개가 배열될 수 있다.A plurality of first
제2인렛레일(1600)의 좌측 하면에는 제2흡착플레이트 도피홈(1611)이 형성된다. 제2흡착플레이트 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)의 좌측 하면에서 상부 방향으로 함몰되어 형성된다.A second suction
제2흡착플레이트 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 우측 상부 일부가 삽입되며, 이를 통해, 흡착플레이트(1300)에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제2흡착플레이트 도피홈(1611)은 흡착플레이트(1300)의 간섭에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The second suction
제2흡착플레이트 도피홈(1611)의 내부에는 상부 방향으로 함몰되어 형성되는 제2흡착패드 도피홈(1611)이 형성된다.In the second adsorption
제2흡착패드 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동할 때, 제4흡착패드(1325)가 삽입되며, 이를 통해, 제4흡착패드(1325)에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제2흡착패드 도피홈(1611)은 제4흡착패드(1325)의 간섭에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The second adsorption
이러한 제2흡착패드 도피홈(1611)은 복수개의 제4흡착패드(1325)의 개수와 동일한 개수로 복수개가 형성될 수 있으며, 그 배열 또한, 복수개의 제4흡착패드(1325)에 대응되도록 제2흡착플레이트 도피홈(1611) 내에서 전후 방향으로 복수개가 배열될 수 있다.A plurality of second adsorption
전술한 바와 같이, 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610) 및 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)을 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 형성하는 것은 로딩된 반도체 스트립(S)의 워피지를 제거하거나 정렬이 완료된 반도체 스트립(S)을 스트립픽커(2000)로 원활히 흡착하기 위해 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 상면과 흡착플레이트(1300)의 상면 높이차를 최적화하기 위한 것이다.As described above, the first and second adsorption
예를 들어 흡착플레이트(1300)에 상방에 위치한 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 두께가 커져 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 상면과 흡착플레이트(1300)의 상면 높이차가 커질 경우 스트립픽커(2000)를 이용하여 반도체 스트립(S)의 워피지를 제거할 때 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 의해 완전한 워피지 제거가 어렵고 스트립픽커(2000)의 흡착력이 반도체 스트립(S)에 전달되지 않을 수 있으므로 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610) 및 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)을 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 형성하는 것이 바람직하다.The thickness of the first and
다른 실시 예로, 흡착플레이트(1300)의 상면이 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 하면보다 낮은 위치에 있을 경우(즉, 흡착플레이트(1300)의 높이가, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 높이보다 낮을 경우), 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610)이 형성되지 않을 수 있다. 다만 이 경우에도, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)가 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 Y축 방향, 즉, 좌우 방향 이동을 방해할 수 있으므로, 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)이 제1, 제2인렛레일(1500, 1600) 각각에 형성될 수 있다.When the upper surface of the
이 경우, 제1흡착패드 도피홈(1511)은 제1인렛레일(1500)의 우측 하면에 상부 방향으로 함몰되게 형성되어 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동시, 제3흡착패드(1324)를 삽입시키는 기능을 한다. 제2흡착패드 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)의 좌측 하면에 상부 방향으로 함몰되게 형성되어 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동시, 제4흡착패드(1325)를 삽입시키는 기능을 한다. 물론, 위와 같은 경우에도, 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)은 전술한 바와 같이, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)와 대응되는 위치에 복수개의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)와 같은 개수로 복수개가 구비된다.In this case, the first adsorption
이하, 전술한 구성을 갖는 로딩부(1000)를 이용하여 다양한 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)의 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the
이하의 설명의 용이함을 위해, 반도체 스트립(S)은 그 크기에 따라 소형, 중형, 대형으로 나누어 설명한다. For ease of explanation, the semiconductor strip S is divided into a small size, a medium size and a large size according to its size.
소형 크기의 반도체 스트립(S)은 도 11(a) 및 11(b)에 도시된 바와 같이, 그 좌우폭이 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)의 외측간의 거리보다 크고, 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 내측간의 거리보다 작은 반도체 스트립(S)을 의미한다.As shown in Figs. 11 (a) and 11 (b), the small-sized semiconductor strip S has a width in the lateral direction outside the first and
중형 크기의 반도체 스트립(S)은 도 10(a) 및 도 10(b)에 도시된 바와 같이, 그 좌우폭이 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 내측간의 거리보다 크고, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 외측간의 거리보다 작은 반도체 스트립(S)을 의미한다. The semiconductor strip S of a medium size is formed so that the width of the semiconductor strip S is smaller than that of the third and
대형 크기의 반도체 스트립(S)은 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 외측간의 거리보다 큰 반도체 스트립(S)을 의미한다.The semiconductor strip S of a large size is electrically connected to the semiconductor strip S (S) larger than the distance between the outside of the third and
먼저, 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)에 대해 설명한다.First, a
도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)에 안착시킬 경우, 제1인렛레일(1500)은 그 내측면이 제3흡착패드(1324)의 외측에 위치하도록 좌측으로 이동되고, 제2인렛레일(1600)은 그 내측면이 제4흡착패드(1325)의 외측에 위치하도록 우측으로 이동된다. 따라서, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 제1, 제2흡착영역(1310, 1320)을 덮지 않고 개방하는 위치에 이동되어 세팅된다. 이 경우, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 사이의 거리는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 각각이 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 좌, 우측면 각각을 지지할 수 있도록 세팅된다.3 and 5, when the semiconductor strip S of a large size is placed on the
대형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착되면, 반도체 스트립(S)은 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)을 모두 덮게 된다.The semiconductor strip S covers both the
위와 같이, 반도체 스트립(S)이 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)을 모두 덮음에 따라, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 모두 작동하게 된다.As described above, as the semiconductor strip S covers both the
다시 말해, 제1흡착영역(1310)의 제1연결부(1313)와 연통된 제1흡입부가 작동하여 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)를 통해 반도체 스트립(S)의 내측 영역이 흡착됨과 동시에, 제2흡착영역(1320)의 제2연결부와 연통된 제2흡입부가 작동하여 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)를 통해 반도체 스트립(S)의 외측영역이 흡착되는 것이다.In other words, the first suction portion communicated with the
위와 같이, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)이 모두 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여함에 따라, 대형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 용이하게 밀착될 수 있다. 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 경우 폭방향 길이가 길어 작은 반도체 스트립(S)에 비해 워피지 정도가 더욱 심하게 발생할 수 있으며 스트립픽커(2000)의 압력에 의해 펴진 반도체 스트립(S)이 압력이 제거될 때 흡착플레이트(1300)의 흡입력과 반대 방향으로 복원력이 발생하여 흡착플레이트(1300)에 밀착되지 않을 수 있으므로 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)을 모두 이용하여 대형 크기의 반도체 스트립(S)를 흡착하는 것이 바람직하며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 밀착되지 않음에 따라, 전방 기준마크(M1) 및 후방 기준마크(M2)의 위치의 오차가 발생하는 것을 방지할 수 있어 반도체 스트립(S)의 위치 정렬시 오차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, since the
또한, 대형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)는 제1정렬블럭(1330)의 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치한 제1피듀셜마크(1332)보다 후방에 위치하고, 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)는 제2정렬블럭(1340)의 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치한 제2피듀셜마크(1342)보다 전방에 위치하게 된다. The front reference mark M1 of the semiconductor strip S is aligned with the first plurality of
따라서, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)를 용이하게 촬상하여 반도체 스트립(S)이 정위치에 위치하는지 여부를 검사할 수 있다.The
이하, 중형 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
도 10(a) 및 도 10(b)에 도시된 바와 같이, 중형 크기의 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)에 안착시킬 경우, 제1인렛레일(1500)은 그 내측면이 제3흡착패드(1324)의 내측에 위치하도록 좌측으로 이동되고, 제2인렛레일(1600)은 그 내측면이 제4흡착패드(1325)의 내측에 위치하도록 우측으로 이동된다. 따라서, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 제2흡착영역(1320)의 일부를 덮고, 제1흡착영역(1310)을 덮지 않고 개방하는 위치에 이동되어 세팅된다. 이 경우, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 사이의 거리는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 각각이 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 좌, 우측면 각각을 지지할 수 있도록 세팅된다.As shown in Figs. 10 (a) and 10 (b), when the medium size semiconductor strip S is placed on the
위와 같이, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300)의 내측 방향으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 상부 좌측 일부면 및 상부 우측 일부면 각각은 제1인렛레일(1500)의 제1흡착플레이트 도피홈(1510) 및 제2흡착플레이트 도피홈(1610)에 삽입되며, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 일부는 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611) 각각에 삽입되며, 이로 인해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 용이하게 이동될 수 있다.As described above, when the first and
중형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착되면, 반도체 스트립(S)은 제1흡착영역(1310)을 모두 덮으나, 제2흡착영역(1320)의 일부만을 덮게 된다.The semiconductor strip S covers all of the
위와 같이, 반도체 스트립(S)이 제1흡착영역(1310)을 모두 덮는 반면, 제2흡착영역(1320)의 일부만을 덮게 됨에 따라, 제1흡착영역(1310)의 흡착만이 작동하게 된다.As described above, as the semiconductor strip S covers all of the
다시 말해, 제1흡착영역(1310)의 제1연결부(1313)와 연통된 제1흡입부가 작동하여 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)를 통해 반도체 스트립(S)의 내측 영역이 흡착되고, 제2흡착영역(1320)의 제2연결부와 연통된 제2흡입부는 작동하지 않는다.In other words, the first suction portion communicated with the
위와 같이, 제1흡착영역(1310)만이 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여함에 따라, 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 외측에서 발생되는 진공 리크(leak)를 방지할 수 있다.,As described above, since only the
상세하게 설명하면, 제2흡착영역(1320)의 흡착이 이루어지게 되면, 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 일부만이 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)에 접하므로, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)에 진공 리크가 발생하게 된다. 이러한 진공 리크가 발생하게 되면, 반도체 스트립(S)과 흡착플레이트(1300)의 밀착이 저해되고, 이로 인해, 반도체 스트립(S)의 위치 오차가 더욱 크게 발생할 수 있다. 따라서, 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 경우, 반도체 스트립(S)의 하면을 모두 흡착할 수 있는 제1흡착영역(1310)만이 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여하는 것이다. 이는 전술한 바와 같이, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 개별적으로 이루어지기 때문에 용이하게 구현될 수 있다.When the adsorption of the
또한, 중형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)는 제1정렬블럭(1330)의 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치한 제1피듀셜마크(1332)보다 후방에 위치하고, 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)는 제2정렬블럭(1340)의 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치한 제2피듀셜마크(1342)보다 전방에 위치하게 된다. Further, when a medium size semiconductor strip S is seated on the attracting
따라서, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)를 용이하게 촬상하여 반도체 스트립(S)이 정위치에 위치하는지 여부를 검사할 수 있다.The
이하, 소형 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
도 11(a) 및 도 11(b)에 도시된 바와 같이, 중형 크기의 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)에 안착시킬 경우, 제1인렛레일(1500)은 그 내측면이 제1흡착패드(1314)의 외측에 위치하도록 좌측으로 이동되고, 제2인렛레일(1600)은 그 내측면이 제2흡착패드(1315)의 외측에 위치하도록 우측으로 이동된다. 따라서, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 제2흡착영역(1320)의 전체를 덮고, 제1흡착영역(1310)을 덮지 않고 개방하는 위치에 이동되어 세팅된다. 이 경우, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 사이의 거리는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 각각이 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 좌, 우측면 각각을 지지할 수 있도록 세팅된다.11 (a) and 11 (b), when the medium size semiconductor strip S is placed on the
위와 같이, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300)의 내측 방향으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 상부 좌측 일부면 및 상부 우측 일부면 각각은 제1인렛레일(1500)의 제1흡착플레이트 도피홈(1510) 및 제2흡착플레이트 도피홈(1610)에 삽입되며, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 전체는 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611) 각각에 삽입되며, 이로 인해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 용이하게 이동될 수 있다.As described above, when the first and
소형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착되면, 반도체 스트립(S)은 제1흡착영역(1310)만을 모두 덮는다.When the semiconductor strip S of a small size is placed on the
위와 같이, 반도체 스트립(S)이 제1흡착영역(1310)을 모두 덮는 반면, 제2흡착영역(1320)은 전혀 덮지 않게 됨에 따라, 제1흡착영역(1310)의 흡착만이 작동하게 된다.As described above, the semiconductor strip S covers all of the
이러한 제1흡착영역(1310)의 흡착에 대한 동작은 전술한 중형 크기의 반도체 스트립(S)에서 설명하였으므로, 생략한다.Since the operation for adsorption of the
제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 선택적인 제어는 다음과 같은 기준으로 제어될 수 있다.The selective control of the
제2흡착영역(1320)의 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립(S)의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2유로(1311, 1312)에 의해 인가되는 공압으로 반도체 스트립(S)을 흡착한다.When the distance between the
제2흡착영역(1320)의 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립(S)의 단변 방향의 길이보다 작은 경우에는 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2유로(1311, 1312)와 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4유로(1321, 1322)에 의해 인가되는 공압으로 반도체 스트립(S)을 흡착한다.When the distance between the
전술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 스트립(S)의 다양한 크기에 따라 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에 인가되는 공압을 선택적으로 제어함으로써, 흡착플레이트(1300)가 다양한 크기의 반도체 스트립(S)을 효과적으로 흡착할 수 있다.As described above, the present invention selectively controls the pneumatic pressure applied to the
위와 같이, 제1흡착영역(1310)만이 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여함에 따라, 불필요한 제2흡착영역(1320)의 흡착을 방지할 수 있다는 이점이 있으며, 이는 전술한 바와 같이, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 개별적으로 이루어지기 때문에 용이하게 구현될 수 있는 것이다.As described above, since only the
또한, 소형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)는 제1정렬블럭(1330)의 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최후방에 위치한 제1피듀셜마크(1332)보다 후방에서 제1피듀셜마크(1332)와 인접하게 위치하고, 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)는 제2정렬블럭(1340)의 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최전방에 위치한 제2피듀셜마크(1342)보다 전방에서 인접하게 위치하게 된다. Further, when a small sized semiconductor strip S is mounted on the attracting
따라서, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)를 용이하게 촬상하여 반도체 스트립(S)이 정위치에 위치하는지 여부를 검사할 수 있다.The
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)는 로딩부(1000)의 구성에 의해, 종래의 반도체 자재 절단장치와 달리, 흡착플레이트(1300)의 교체 없이 다양한 크기의 반도체 스트립(S)을 용이하게 흡착시킬 수 있다.As described above, according to the semiconductor
흡착플레이트(1300)의 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 구성을 통해, 반도체 스트립(S)의 좌우방향 폭의 변화에 대응할 수 있으며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)의 흡착을 용이하게 달성할 수 있다. 특히, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)의 흡착을 개별적으로 제어함으로써, 진공 리크 발생 방지 또는 불필요한 흡착 방지를 달성할 수 있는 효과가 있다.The width of the semiconductor strip S in the left and right direction can be changed through the configuration of the first and the
흡착플레이트(1300)의 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)의 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)의 구성을 통해, 반도체 스트립(S)의 전후방향 폭의 변화에 대응할 수 있으며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)의 위치 정렬 검사를 용이하게 달성할 수 있다. 특히, 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)가 전후 방향으로 복수개 구비되고, 2열로 배열됨으로써, 반도체 스트립(S)의 크기 여부에 관계없이 제1피듀셜마크(1332)가 전방 기준마크(M1)의 인근에 위치하고, 제2피듀셜마크(1342)가 후방 기준마크(M2)의 인근에 위치할 수 있다. 따라서, 종래에 사용하던 스트립비전(2300)으로도 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1) 및 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2)의 위치를 촬상하여 검사할 수 있다. The width of the semiconductor strip S corresponding to the change in the longitudinal width of the semiconductor strip S through the configuration of the first and second
로딩부(1000)의 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 구성을 통해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 Y축 방향 이동, 즉, 좌우측 방향 이동의 자유성이 보장되며, 이로 인해, 흡착플레이트(1300)의 영역 내부로까지 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 이동될 수 있다. 따라서, 다양한 크기의 반도체 스트립(S)에 대응하여 반도체 스트립(S)을 고정 및/또는 정렬시키는 인렛레일의 기능을 용이하게 달성할 수 있다.The freedom of movement of the first and
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims Or modified.
100: 반도체 자재 절단장치
1000: 로딩부
1100: 정렬테이블
1110: 개구부
1120: 제1가이드홈
1130: 제2가이드홈
1300: 흡착플레이트
1300a: 흡착플레이트 커버
1300b: 흡착플레이트 바디
1301: 이송로봇
1310: 제1흡착영역
1311: 제1유로
1311a: 제1연통홀
1312: 제2유로
1312a: 제2연통호
1313: 제1연결부
1313a: 제1흡입구
1314: 제1흡착패드
1314a: 제1구멍
1315: 제2흡착패드
1315a: 제2구멍
1320: 제2흡착영역
1321: 제3유로
1321a: 제3연통홀
1322: 제4유로
1322a: 제4연통홀
1324: 제3흡착패드
1324a: 제3구멍
1325: 제4흡착패드
1325a: 제4구멍
1330: 제1정렬블럭
1331: 제1돌출부
1332: 제1피듀셜마크
1333: 제1인터록핀홀
1340: 제2정렬블럭
1342: 제2피듀셜마크
1343: 제2인터록핀홀
1350: 반도체 스트립 감지센서
1360: 반도체 스트립 도달감지센서
1370: 체결수단
1500: 제1인렛레일
1510: 제1흡착플레이트 도피홈
1511: 제1흡착패드 도피홈
1600: 제2인렛레일
1610: 제2흡착플레이트 도피홈
1611: 제2흡착패드 도피홈
2000: 스트립픽커
2001: 가이드레일
2100: 흡착부
2200: 그립퍼
2300: 스트립비전
2400: 스트립비전 구동부
2500: Y축 구동부
2600: 인터록핀
3000: 척테이블
3100: 척테이블 흡착홀
3200: 절단 도피홈
4000: 절단부
5000: 세척부
6000: 유닛픽커
S: 반도체 스트립
M1: 전방 기준마크
M2: 후방 기준마크
C: 중심선100: Semiconductor material cutting device
1000: Loading section 1100: Alignment table
1110: opening 1120: first guide groove
1130: second guide groove 1300: adsorption plate
1300a:
1301: Transfer robot 1310: First suction area
1311:
1312:
1313:
1314:
1315:
1320: second adsorption region 1321: third channel
1321a: Third communication hole 1322: Fourth passage
1322a: Fourth communication hole 1324: Third adsorption pad
1324a: third hole 1325: fourth adsorption pad
1325a: fourth hole 1330: first alignment block
1331: first protrusion 1332: first pivotal mark
1333: first interlock pinhole 1340: second alignment block
1342: Second Pivotal Mark 1343: Second Interlock Pinhole
1350: Semiconductor strip detection sensor 1360: Semiconductor strip arrival detection sensor
1370: fastening means
1500: First inlet rail 1510: First adsorption plate Escape groove
1511: first adsorption pad escape groove 1600: second inlet rail
1610: second adsorption plate recess groove 1611: second adsorption pad escape groove
2000: strip picker 2001: guide rail
2100: suction part 2200: gripper
2300: Strip Vision 2400: Strip Vision Driver
2500: Y-axis driving part 2600: interlock pin
3000: chuck table 3100: chuck table suction hole
3200: cutting escape groove
4000: Cutting section 5000: Cleaning section
6000: Unit Picker
S: semiconductor strip M1: forward reference mark
M2: rear reference mark C: center line
Claims (13)
상기 매거진으로부터 인출되는 상기 반도체 스트립을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송 가능하게 구비되는 한쌍의 인렛레일;
상기 인렛레일의 내측에 구비되어 상기 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립이 안착되는 흡착플레이트;
상기 흡착플레이트에 안착된 상기 반도체 스트립을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 상기 반도체 스트립을 검사하는 스트립비전이 구비된 스트립픽커;
상기 스트립픽커에 흡착된 반도체 스트립이 전달되고, Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되며, θ방향으로 회전 가능하게 구비되는 척테이블; 및
상기 척테이블에 전달된 반도체 스트립을 개별의 반도체 패키지로 절단하기 위한 절단부를 포함하고,
상기 흡착플레이트는 상기 흡착플레이트의 내측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제1흡착영역과 상기 흡착플레이트의 외측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제2흡착영역을 구비하며,
상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 제1흡착영역과 상기 제2흡착영역에 인가되는 공압은 선택적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.A magazine in which a plurality of semiconductor strips are stacked, respectively;
A pair of inlet rails guiding the semiconductor strips drawn out from the magazine and provided so as to be respectively transportable in the Y axis direction;
An adsorption plate provided on the inside of the inlet rail for receiving a semiconductor strip supplied from the magazine;
A strip picker which is movable in the X axis direction by adsorbing the semiconductor strip which is seated on the adsorption plate and has a strip vision for inspecting the semiconductor strip on one side;
A chuck table which is provided with a semiconductor strip that is attracted to the strip picker, is movable in the Y-axis direction and is rotatable in the? Direction; And
And a cutting portion for cutting the semiconductor strip transferred to the chuck table into individual semiconductor packages,
Wherein the adsorption plate has a first adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an inner upper portion of the adsorption plate and a second adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an upper side of the adsorption plate,
Wherein the pneumatic pressure applied to the first adsorption region and the second adsorption region is selectively controlled according to the size of the semiconductor strip.
상기 흡착플레이트에 공급된 반도체 스트립의 크기에 따라,
상기 제1흡착영역에만 공압을 인가하거나,
상기 제1흡착영역 및 상기 제2흡착영역에 모두 공압을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
Depending on the size of the semiconductor strip supplied to the adsorption plate,
Applying air pressure only to the first adsorption region,
Wherein air pressure is applied to both the first adsorption region and the second adsorption region.
상기 제1흡착영역에 공압을 인가하는 제1, 제2유로와
상기 제2흡착영역에 공압을 인가하는 제3, 제4유로를 포함하고,
상기 제1, 제2유로는 상기 제3, 제4유로에 비해 유로의 길이가 짧게 구비되며,
상기 제1유로와 제2유로가 연통되고, 상기 제3유로와 제4유로가 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
First and second flow paths for applying a pneumatic pressure to the first adsorption region
And third and fourth flow paths for applying a pneumatic pressure to the second adsorption region,
Wherein the first and second flow paths have a shorter flow path length than the third and fourth flow paths,
Wherein the first flow path communicates with the second flow path, and the third flow path communicates with the fourth flow path.
상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 상기 제1, 제2유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하고,
상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 작은 경우에는 상기 제1, 제2, 제3, 제4유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
When the distance between the third flow path and the fourth flow path is larger than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first and second flow paths,
And when the gap between the third flow path and the fourth flow path is smaller than the length in the short side direction of the semiconductor strip, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first, second, third, A semiconductor material cutting device characterized by.
상기 스트립비전으로 상기 반도체 스트립을 검사할 때 외부 영향을 배제하기 위하여 상기 반도체 스트립에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 더 포함하고,
상기 정렬블럭은 상기 반도체 스트립의 워페이지 영향을 최소화한 상태에서 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록, 상기 흡착플레이트의 전후 방향에 각각 구비되되, 상기 흡착플레이트에 안착되는 반도체 스트립의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
Further comprising an alignment block formed with a plurality of fiducial marks for imaging together with a fiducial mark formed on the semiconductor strip to exclude external influences when inspecting the semiconductor strip with the strip vision,
Wherein the alignment block is provided in the front and rear direction of the adsorption plate so as to inspect the fiducial marks provided in the alignment block while minimizing the influence of warpage of the semiconductor strip, Wherein the semiconductor chip is fixedly disposed at a center with respect to a short side direction.
상기 스트립픽커는 승하강 가능하게 구비되는 인터록핀을 더 포함하며,
상기 정렬블럭의 상부에는 상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 인터록핀이 삽입되기 위한 인터록핀홀이 복수개 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.6. The method of claim 5,
The strip picker further includes an interlock pin provided to be movable up and down,
And a plurality of interlock pin holes for inserting the interlock pins according to a size of the semiconductor strip are provided on the alignment block.
상기 스트립비전이 상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 반도체 스트립과 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사하기 위하여, 상기 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크는 상기 반도체 스트립의 장변 방향과 평행하게 전후방향으로 복수개 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.6. The method of claim 5,
In order to inspect the fiducial marks provided in the semiconductor strip and the alignment block regardless of the size of the semiconductor strip, the fiducial marks formed in the alignment block are arranged in a longitudinal direction parallel to the longitudinal direction of the semiconductor strip A plurality of semiconductor material cutting devices are provided.
상기 흡착플레이트는 내부에 유로가 형성된 흡착플레이트 바디; 및 상기 흡착플레이트 바디의 상부에 구비되어, 상부에 안착되는 상기 반도체 스트립을 흡착하기 위한 흡착홀이 형성된 흡착플레이트 커버를 포함하며,
상기 흡착플레이트 커버는 상기 흡착플레이트 바디로부터 교체 가능하도록 착탈 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
Wherein the adsorption plate comprises: an adsorption plate body having a flow path formed therein; And an adsorption plate cover provided on the adsorption plate body and having an adsorption hole for adsorbing the semiconductor strip which is seated on the upper part,
Wherein the suction plate cover is detachably mounted on the suction plate body.
상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일의 하면에 상기 흡착플레이트가 도피될 수 있도록 흡착플레이트 도피홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method according to claim 1,
In order to prevent interference between the adsorption plate and the inlet rail when the pair of inlet rails move in the Y axis direction toward the adsorption plate, the suction plate escape grooves are formed in the lower surface of the inlet rail so that the adsorption plate can be escaped Is formed on the surface of the semiconductor material.
상기 흡착플레이트의 상부에는 상기 반도체 스트립을 안정적으로 흡착하기 위한 연질의 돌출된 흡착패드가 복수개 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.10. The method of claim 9,
Wherein a plurality of softly projected adsorption pads for stably adsorbing the semiconductor strip are provided on the upper portion of the adsorption plate.
상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일에 형성된 흡착플레이트의 도피홈 중 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드에 대응되는 위치에 흡착패드 도피홈이 추가로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.11. The method of claim 10,
And a pair of inlet rails disposed on the inlet plate and each of the inlet and outlet rails, respectively, to prevent interference between the inlet and outlet rails provided on the suction plate when the pair of inlet rails move in the Y- And a suction pad recess groove is additionally provided at a position corresponding to the suction pad provided on the semiconductor chip.
상기 제1유로와 상기 제2유로는 연통유로에 의해 "H"자 형상을 가지며,
상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 흡착플레이트에 흡착되는 반도체 스트립의 안착여부를 감지할 수 있도록 상기 제1유로와 제2유로 사이에 구비되는 반도체 스트립 감지센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
Wherein the first flow path and the second flow path have an "H" shape by a communication flow path,
Further comprising a semiconductor strip sensor disposed between the first flow path and the second flow path so as to detect whether the semiconductor strip is seated on the suction plate regardless of the size of the semiconductor strip. Cutting device.
상기 스트립 픽커의 일측에는 상기 스트립비전과, 상기 매거진으로부터 상기 반도체 스트립을 인출하여 흡착플레이트에 거치시키는 그립퍼가 구비되고,
상기 스트립비전과 상기 그립퍼는 Y축 방향으로 함께 이동가능하며,
상기 흡착플레이트는 상기 제1유로가 형성된 흡착영역과 상기 제2유로가 형성된 흡착영역을 가로지르는 홈이 형성되어, 상기 홈을 통해 상기 그립퍼가 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 3,
And a gripper which draws the semiconductor strip from the magazine and mounts the semiconductor strip on the adsorption plate is provided at one side of the strip picker,
The strip vision and the gripper are movable together in the Y-axis direction,
Wherein the suction plate is formed with a groove crossing an adsorption region in which the first flow path is formed and an adsorption region in which the second flow path is formed, and the gripper moves through the groove.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180007300A KR102406385B1 (en) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180007300A KR102406385B1 (en) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190088785A true KR20190088785A (en) | 2019-07-29 |
KR102406385B1 KR102406385B1 (en) | 2022-06-08 |
Family
ID=67480919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180007300A KR102406385B1 (en) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102406385B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230046750A (en) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 한미반도체 주식회사 | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110006156U (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 세크론 주식회사 | Apparatus for picking up a substrate and apparatus for sawing a substrate including the same |
KR20110124000A (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-16 | 한미반도체 주식회사 | Singulation apparatus for manufacturing semiconductor packages |
KR20150135910A (en) * | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 세메스 주식회사 | Table assembly for supporting semiconductor packages |
KR20170026751A (en) | 2015-08-27 | 2017-03-09 | 한미반도체 주식회사 | Apparatus of Sawing and Array for Semiconductor Strip and Method thereof |
KR20170065162A (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 한미반도체 주식회사 | Semiconductor Package Placing Device |
KR20180003766A (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-10 | 한미반도체 주식회사 | Semiconductor Strip Align Apparatus And Semiconductor Strip Align Method Using The Same |
-
2018
- 2018-01-19 KR KR1020180007300A patent/KR102406385B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110006156U (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 세크론 주식회사 | Apparatus for picking up a substrate and apparatus for sawing a substrate including the same |
KR20110124000A (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-16 | 한미반도체 주식회사 | Singulation apparatus for manufacturing semiconductor packages |
KR20150135910A (en) * | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 세메스 주식회사 | Table assembly for supporting semiconductor packages |
KR20170026751A (en) | 2015-08-27 | 2017-03-09 | 한미반도체 주식회사 | Apparatus of Sawing and Array for Semiconductor Strip and Method thereof |
KR20170065162A (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 한미반도체 주식회사 | Semiconductor Package Placing Device |
KR20180003766A (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-10 | 한미반도체 주식회사 | Semiconductor Strip Align Apparatus And Semiconductor Strip Align Method Using The Same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230046750A (en) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 한미반도체 주식회사 | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102406385B1 (en) | 2022-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4740414B2 (en) | Substrate transfer device | |
TWI542266B (en) | Transfer method, holding device and transfer system | |
KR101454319B1 (en) | Singulation Apparatus for Manufacturing Semiconductor Packages | |
JP3062517B2 (en) | Article alignment device | |
JP5902836B2 (en) | Conveying device, component mounting device, and gripper | |
KR102019377B1 (en) | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials | |
KR102070957B1 (en) | Package singulation system | |
CN110660700A (en) | Alignment apparatus, semiconductor wafer processing apparatus, and alignment method | |
JP5913845B2 (en) | Conveying device and conveying method for plate member | |
KR20190088785A (en) | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials | |
KR102401361B1 (en) | Die bonding apparatus | |
JP5827046B2 (en) | Plate member support device and support method, and plate member transport device | |
KR102458050B1 (en) | Bonding apparatus for micro led device and bonding method for micro led device | |
WO2023042649A1 (en) | Electronic component processing device | |
KR20190065726A (en) | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials and Method for Sawing Semiconductor Materials | |
JP4760680B2 (en) | Change kit for IC handler | |
JP4959271B2 (en) | Exposure system and work transfer method | |
KR102634174B1 (en) | Sawing Apparatus of Semiconductor Materials | |
CN113074923A (en) | Inspection apparatus and method for state control of vacuum suction head of gripping device | |
KR20120029800A (en) | Apparatus and method for precision loading of light emitting diode wafer | |
KR20210086698A (en) | Substrate processing apparatus and substrate transfer method | |
JP4544707B2 (en) | Workpiece transfer jig | |
JP4415326B2 (en) | Ball mounting device | |
JP7488694B2 (en) | Work Machine | |
KR20200086892A (en) | Sawing and Handler Apparatus of Semiconductor Materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |