KR20190088785A - Sawing Apparatus of Semiconductor Materials - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a semiconductor material cutting apparatus, which cuts a semiconductor strip into an individual semiconductor package, and specifically, to a semiconductor cutting apparatus, which is possible to mount and align semiconductor strips having various sizes without replacement of an adsorption plate of a loading unit of a semiconductor material cutting apparatus.

Description

반도체 자재 절단장치{Sawing Apparatus of Semiconductor Materials}[0001] Sawing Apparatus of Semiconductor Materials [0002]

본 발명은 반도체 스트립을 개별적인 반도체 패키지로 절단하는 반도체 자재 절단장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor material cutting apparatus for cutting semiconductor strips into individual semiconductor packages.

반도체 자재 절단장치는 패키징이 완료된 반도체 스트립을 개별적인 반도체 패키지로 절단하는 장비이다.The semiconductor material cutting device is a device for cutting packaged semiconductor strip into individual semiconductor packages.

이러한 반도체 자재 절단장치는 단순히 반도체 스트립을 절단하는 기능 이외에도, 반도체 스트립의 절단, 세척 및 건조 과정을 수행한 후, 절단된 반도체 패키지의 상, 하면을 검사하여 제조 불량이 발생한 반도체 패키지를 분류하는 일련의 공정을 처리하는 기능을 제공하게 된다.In addition to the function of simply cutting the semiconductor strip, the semiconductor material cutting apparatus performs a cutting process, a cleaning process and a drying process of the semiconductor strip, and then checks the top and bottom surfaces of the cut semiconductor package to sort the semiconductor package Of the process.

이와 같은 반도체 자재 절단장치에 대한 특허로는 한국공개특허 제10-2017-0026751호(이하, '특허문헌 1'이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.A patent for such a semiconductor material cutting apparatus is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2017-0026751 (hereinafter referred to as "Patent Document 1").

특허문헌 1의 반도체 스트립 절단 및 정렬장치는, 반도체 스트립이 매거진 내에 인입된 상태로 제공되는 온로더부와, 인출된 반도체 스트립이 안착되는 인렛 레일과, 인렛 레일 상에 안착된 상기 반도체 스트립을 진공 흡착하여 척 테이블로 전달하는 스트립 픽커와, 스트립 픽커에 의해 공급된 반도체 스트립을 공급하여, 척 테이블 상에서 복수 개의 반도체 패키지로 절단하는 절단부와, 복수 개의 반도체 패키지를 진공 흡착하여 세척부를 거쳐 건조부로 전달하는 유닛 픽커와, 유닛 픽커에 흡착된 반도체 패키지를 세척하는 세척부와, 유닛 픽커에 의해 전달되는 반도체 패키지를 건조하는 건조부와, 반도체 패키지를 검사하는 비전유닛과, 반도체 패키지의 검사결과들에 따라 반도체 패키지를 분류 수납하는 분류장치를 포함하여 구성된다.The semiconductor strip cutting and aligning apparatus disclosed in Patent Document 1 includes an on-loader section provided with a semiconductor strip in a state of being drawn into a magazine, an inlet rail on which the drawn semiconductor strip is placed, A chip picker for picking up the semiconductor chips, a strip picker for picking up and delivering the semiconductor chips to the chuck table, a semiconductor strip supplied by the strip picker to cut into a plurality of semiconductor packages on the chuck table, a plurality of semiconductor packages vacuum- A drying unit for drying the semiconductor package transferred by the unit picker, a vision unit for inspecting the semiconductor package, and a cleaning unit for cleaning the semiconductor package, And a sorting device for sorting and storing the semiconductor packages.

특허문헌 1과 같은 반도체 자재 절단장치는 처리 대상의 반도체 스트립의 종류가 변경되면, 반도체 스트립 또는 반도체 패키지를 진공흡착하는 플레이트들을 매번 교체해 주어야 한다. 특히, 인렛 레일에 매번 서로 다른 크기의 반도체 스트립을 안착시키기 위해서는, 인렛 레일의 사이에서 반도체 스트립을 진공 흡착하는 흡착플레이트를 반도체 스트립의 크기에 따라 일일이 교체해줘야하는 문제점이 있다.In the semiconductor material cutting apparatus such as Patent Document 1, if the type of the semiconductor strip to be processed is changed, the plates for vacuum adsorption of the semiconductor strip or the semiconductor package must be changed each time. Particularly, in order to place semiconductor strips of different sizes each time on the inlet rail, there is a problem that the adsorption plate for vacuum-adsorbing the semiconductor strip between the inlet rails must be individually replaced according to the size of the semiconductor strip.

한편, 인렛 레일에서 안착되는 반도체 스트립의 위치에 오차가 발생할 경우, 절단부에서 절단시 오차가 발생할 수 있으므로, 인렛 레일에 안착되는 반도체 스트립의 위치는 매우 정밀하게 세팅되야 한다. 따라서, 흡착플레이트를 교체할 때마다, 인렛 레일의 고정 폭 및 흡착플레이트의 교체 위치를 매번 정밀하게 세팅해줘야하며, 이로 인해, 반도체 스트립의 절단 공정의 효율이 떨어지는 문제점이 있다.On the other hand, when an error occurs in the position of the semiconductor strip that is seated in the inlet rail, an error may occur in cutting at the cutout portion, so the position of the semiconductor strip to be placed on the inlet rail must be set very precisely. Therefore, every time the adsorption plate is exchanged, the fixing width of the inlet rail and the replacement position of the adsorption plate must be set precisely each time, which results in a problem that the efficiency of cutting the semiconductor strip is inferior.

뿐만 아니라, 기존의 반도체 자재 절단장치는 반도체 스트립의 종류가 다를 경우 흡착플레이트 교체는 물론이고, 반도체 스트립을 검사하기 위하여 반도체 스트립에 형성된 기준마크와 함께 하나의 FOV 내에서 촬영하기 위한 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭의 교체, 스트립 감지센서 등 다양한 구성이 수반되어 교체될 수 밖에 없으며 이러한 교체작업시 정밀도를 맞추기 위한 셋팅 및 조립공수가 많이 소요되어 불편함을 초래한다.In addition, in the conventional semiconductor material cutting apparatus, in order to inspect semiconductor strips, a fiducial mark for photographing in one FOV together with a reference mark formed on a semiconductor strip Replacement of the formed alignment block, strip sensor, and so on. Therefore, it is inconvenient that the number of setting and assembling operations required to adjust the precision in such a replacement operation is large.

한국공개특허 제10-2017-0026751호Korean Patent Publication No. 10-2017-0026751

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 반도체 자재 절단장치의 흡착플레이트의 교체 없이 다양한 크기의 반도체 스트립을 안착 및 정렬시킬 수 있고, 정렬블럭, 스트립 감지센서 등의 위치를 로딩부의 센터 측에 배치시킴으로써 반도체 스트립의 크기에 상관없이 모두 수용하면서도 검사 정밀도를 향상시킬 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is conceived to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for mounting and aligning semiconductor strips of various sizes without replacing a suction plate of a semiconductor material cutting apparatus, So that the inspection accuracy can be improved while accommodating the semiconductor strip regardless of the size of the semiconductor strip.

본 발명의 일 특징에 따른 반도체 자재 절단장치는, 복수개의 반도체 스트립이 각각 적층되는 매거진; 상기 매거진으로부터 인출되는 상기 반도체 스트립을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송 가능하게 구비되는 한쌍의 인렛레일; 상기 인렛레일의 내측에 구비되어 상기 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립이 안착되는 흡착플레이트; 상기 흡착플레이트에 안착된 상기 반도체 스트립을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 상기 반도체 스트립을 검사하는 스트립비전이 구비된 스트립픽커; 상기 스트립픽커에 흡착된 반도체 스트립이 전달되고, Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되며, θ방향으로 회전 가능하게 구비되는 척테이블; 및 상기 척테이블에 전달된 반도체 스트립을 개별의 반도체 패키지로 절단하기 위한 절단부를 포함하고, 상기 흡착플레이트는 상기 흡착플레이트의 내측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제1흡착영역과 상기 흡착플레이트의 외측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제2흡착영역을 구비하며, 상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 제1흡착영역과 상기 제2흡착영역에 인가되는 공압은 선택적으로 제어되는 것을 특징으로 한다.A semiconductor material cutting apparatus according to an aspect of the present invention includes: a magazine in which a plurality of semiconductor strips are stacked, respectively; A pair of inlet rails guiding the semiconductor strips drawn out from the magazine and provided so as to be respectively transportable in the Y axis direction; An adsorption plate provided on the inside of the inlet rail for receiving a semiconductor strip supplied from the magazine; A strip picker which is movable in the X axis direction by adsorbing the semiconductor strip which is seated on the adsorption plate and has a strip vision for inspecting the semiconductor strip on one side; A chuck table which is provided with a semiconductor strip that is attracted to the strip picker, is movable in the Y-axis direction and is rotatable in the? Direction; And a cutting portion for cutting the semiconductor strip transferred to the chuck table into a separate semiconductor package, wherein the adsorption plate has a first adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an inner upper portion of the adsorption plate, and a second adsorption region for adsorbing the semiconductor strip to the outside of the adsorption plate And a second adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an upper portion thereof. The pneumatic pressure applied to the first adsorption region and the second adsorption region is selectively controlled according to the size of the semiconductor strip.

또한, 상기 흡착플레이트에 공급된 반도체 스트립의 크기에 따라, 상기 제1흡착영역에만 공압을 인가하거나, 상기 제1흡착영역 및 상기 제2흡착영역에 모두 공압을 인가하는 것을 특징으로 한다.According to the size of the semiconductor strip supplied to the adsorption plate, air pressure is applied only to the first adsorption region, or air pressure is applied to both the first adsorption region and the second adsorption region.

또한, 상기 제1흡착영역에 공압을 인가하는 제1, 제2유로와 상기 제2흡착영역에 공압을 인가하는 제3, 제4유로를 포함하고, 상기 제1, 제2유로는 상기 제3, 제4유로에 비해 유로의 길이가 짧게 구비되며, 상기 제1유로와 제2유로가 연통되고, 상기 제3유로와 제4유로가 연통되는 것을 특징으로 한다.The first and second flow paths may include first and second flow paths for applying a pneumatic pressure to the first adsorption region and third and fourth flow paths for applying air pressure to the second adsorption region, , The length of the flow path is shorter than that of the fourth flow path, the first flow path and the second flow path are communicated, and the third flow path and the fourth flow path are communicated with each other.

또한, 상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 상기 제1, 제2유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하고, 상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 작은 경우에는 상기 제1, 제2, 제3, 제4유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하는 것을 특징으로 한다.When the distance between the third flow path and the fourth flow path is larger than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first and second flow paths, And the fourth flow path is shorter than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first, second, third, and fourth flow paths.

또한, 상기 스트립비전으로 상기 반도체 스트립을 검사할 때 외부 영향을 배제하기 위하여 상기 반도체 스트립에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 더 포함하고, 상기 정렬블럭은 상기 반도체 스트립의 워페이지 영향을 최소화한 상태에서 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록, 상기 흡착플레이트의 전후 방향에 각각 구비되되, 상기 흡착플레이트에 안착되는 반도체 스트립의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치되는 것을 특징으로 한다.Further comprising an alignment block having a plurality of fiducial marks formed thereon for imaging with a reference mark formed on the semiconductor strip to exclude external influences when inspecting the semiconductor strip with the strip vision, The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the semiconductor strips are provided in the front and rear directions of the adsorption plate so as to inspect the fiducial marks provided in the alignment block in a state in which the influence of the warp page of the semiconductor strip is minimized, And is fixedly disposed in the center.

또한, 상기 스트립픽커는 승하강 가능하게 구비되는 인터록핀을 더 포함하며, 상기 정렬블럭의 상부에는 상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 인터록핀이 삽입되기 위한 인터록핀홀이 복수개 마련되는 것을 특징으로 한다.In addition, the strip picker may further include an interlock pin provided to be movable up and down, and a plurality of interlock pin holes for inserting the interlock pin according to the size of the semiconductor strip are provided on the alignment block.

또한, 상기 스트립비전이 상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 반도체 스트립과 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사하기 위하여, 상기 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크는 상기 반도체 스트립의 장변 방향과 평행하게 전후방향으로 복수개 마련되는 것을 특징으로 한다.In order to inspect the fiducial mark provided in the semiconductor strip and the alignment block regardless of the size of the semiconductor strip, the fiducial mark formed in the alignment block may be arranged in parallel with the longitudinal direction of the semiconductor strip, And a plurality of the guide grooves are provided.

또한, 상기 흡착플레이트는 내부에 유로가 형성된 흡착플레이트 바디; 및 상기 흡착플레이트 바디의 상부에 구비되어, 상부에 안착되는 상기 반도체 스트립을 흡착하기 위한 흡착홀이 형성된 흡착플레이트 커버를 포함하며, 상기 흡착플레이트 커버는 상기 흡착플레이트 바디로부터 교체 가능하도록 착탈 가능하게 구비되는 것을 특징으로 한다.The adsorption plate may include a suction plate body having a passage formed therein; And a suction plate cover provided at an upper portion of the suction plate body and having a suction hole for suctioning the semiconductor strip that is seated on the upper portion thereof, wherein the suction plate cover is detachably mountable from the suction plate body .

또한, 상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일의 하면에 상기 흡착플레이트가 도피될 수 있도록 흡착플레이트 도피홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to prevent interference between the adsorption plate and the inlet rail when the pair of inlet rails move in the Y axis direction toward the adsorption plate, And a groove is formed.

또한, 상기 흡착플레이트의 상부에는 상기 반도체 스트립을 안정적으로 흡착하기 위한 연질의 돌출된 흡착패드가 복수개 구비되는 것을 특징으로 한다.The upper surface of the adsorption plate is provided with a plurality of softly projected adsorption pads for stably adsorbing the semiconductor strip.

또한, 상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일에 형성된 흡착플레이트의 도피홈 중 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드에 대응되는 위치에 흡착패드 도피홈이 추가로 마련되는 것을 특징으로 한다.When the pair of inlet rails move in the Y-axis direction toward the adsorption plate, respectively, to prevent interference between the adsorption pad provided on the adsorption plate and the inlet rail, of the escape grooves of the adsorption plate formed on the inlet rail, And an adsorption pad recess groove is further provided at a position corresponding to the adsorption pad provided on the adsorption plate.

또한, 상기 제1유로와 상기 제2유로는 연통유로에 의해 "H"자 형상을 가지며, 상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 흡착플레이트에 흡착되는 반도체 스트립의 안착여부를 감지할 수 있도록 상기 제1유로와 제2유로 사이에 구비되는 반도체 스트립 감지센서를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first flow path and the second flow path may have a " H "shape by a communication flow path, and may detect whether the semiconductor strip is seated on the adsorption plate regardless of the size of the semiconductor strip, And a semiconductor strip detection sensor provided between the first flow path and the second flow path.

또한, 상기 스트립 픽커의 일측에는 상기 스트립비전과, 상기 매거진으로부터 상기 반도체 스트립을 인출하여 흡착플레이트에 거치시키는 그립퍼가 구비되고, 상기 스트립비전과 상기 그립퍼는 Y축 방향으로 함께 이동가능하며, 상기 흡착플레이트는 상기 제1유로가 형성된 흡착영역과 상기 제2유로가 형성된 흡착영역을 가로지르는 홈이 형성되어, 상기 홈을 통해 상기 그립퍼가 이동하는 것을 특징으로 한다.In addition, a stripper may be provided at one side of the strip picker with a strip vision and a gripper for pulling out the semiconductor strip from the magazine and placing the strip on the absorption plate. The strip vision and the gripper are movable together in the Y- Wherein the plate has grooves formed between the adsorption region where the first flow path is formed and the adsorption region where the second flow path is formed, and the gripper moves through the grooves.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 반도체 자재 절단장치에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the semiconductor material cutting apparatus of the present invention as described above, the following effects can be obtained.

본 발명에 따르면 반도체 스트립을 흡착하는 흡착플레이트에 내측 상부와 외측 상부에 각각 공압이 인가되도록 흡착영역을 분리함으로써 반도체 스트립의 크기에 따라 반도체 스트립의 흡착영역에 인가되는 공압을 선택적으로 제어할 수 있는 효과가 있다. 따라서, 작은 크기의 반도체 스트립은 내측 상부에만 공압을 인가하여 반도체 스트립을 흡착하고, 큰 크기의 반도체 스트립은 내측 및 외측 상부에 모두 공압을 인가하여 진공압 누설없이 반도체 스트립을 안정적으로 흡착 및 핸들링이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to selectively control the pneumatic pressure applied to the adsorption region of the semiconductor strip according to the size of the semiconductor strip by separating the adsorption region so that pneumatic pressure is applied to the inner upper portion and the outer upper portion, respectively, It is effective. Therefore, the semiconductor strips of a small size are attracted to the semiconductor strip by applying air pressure only to the inner upper portion, and the semiconductor strips of a large size are stably attracted and handled by applying air pressure to both the inner and outer upper portions, It becomes possible.

또한, 반도체 스트립의 기준마크와 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 통해 스트립비전으로 반도체 스트립과 기준마크를 함께 촬영함으로써, 진동 등 외부의 영향을 배제할 수 있어 검사 신뢰도를 높일 수 있다.In addition, since the semiconductor strip and the reference mark are photographed together with the strip vision through the alignment block on which the reference mark and the fiducial mark of the semiconductor strip are formed, it is possible to eliminate external influence such as vibration and increase the inspection reliability.

또한, 본 발명에 따르면 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크를 전후방향으로 복수개 형성시킴으로써 반도체 스트립의 크기에 상관없이 스트립비전의 FOV 내에서 반도체 스트립과 피듀셜마크를 함께 검사할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, a plurality of fiducial marks formed in the alignment block are formed in the forward and backward directions, so that the semiconductor strip and the fiducial mark can be inspected together within the FOV of the strip vision regardless of the size of the semiconductor strip.

또한, 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 흡착플레이트에 안착되는 반도체 스트립의 단변 방향을 기준으로 센터에 고정 배치시키고, 반도체 스트립을 흡착하는 흡착플레이트의 내측 상부에는 항상 반도체 스트립을 흡착하고 있으므로, 반도체 스트립의 워페이지에 상관없이 평평하게 흡착한 상태에서 비전 검사가 가능해져 검사 정밀도가 향상된다.Since the alignment block on which the fiducial marks are formed is fixedly arranged at the center with respect to the direction of the short side of the semiconductor strip to be seated on the adsorption plate and the semiconductor strip is always adsorbed on the inner upper side of the adsorption plate for adsorbing the semiconductor strip, It is possible to perform the vision inspection in a state of being flatly adsorbed irrespective of the warp of the image.

이 외에도 제1, 제2흡착영역 및 제1, 제2인렛레일을 통해 반도체 스트립의 좌우방향 폭의 변화에 대응하여, 반도체 스트립 고정, 정렬 및 흡착을 달성할 수 있으며, 제1흡착영역 및 제2흡착영역의 흡착을 개별적으로 제어함으로써, 진공 리크 발생 방지 또는 불필요한 흡착 방지를 달성할 수 있는 효과가 있다.In addition, the semiconductor strip fixing, alignment and adsorption can be achieved corresponding to the variation of the width of the semiconductor strip in the lateral direction through the first and second adsorption regions and the first and second inlet rails, By separately controlling the adsorption of the two adsorption regions, it is possible to prevent the occurrence of vacuum leakage or to prevent unnecessary adsorption.

또한, 제1, 제2인렛레일에 형성되는 도피홈들로 인해, 제1, 제2인렛레일의 Y축 방향 이동, 즉, 좌우측 방향 이동의 자유성이 보장되며, 이를 통해, 다양한 크기의 반도체 스트립에 대응하여 반도체 스트립을 안내 및/또는 정렬시키는 인렛레일의 기능을 용이하게 달성할 수 있다.In addition, due to the escape grooves formed in the first and second inlet rails, the freedom of movement of the first and second inlet rails in the Y-axis direction, that is, in the left and right directions is ensured, It is possible to easily achieve the function of the inlet rail for guiding and / or aligning the semiconductor strip.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치의 평면도.
도 2는 도 1의 로딩부와 스트립픽커의 사시도.
도 3은 도 2의 로딩부의 평면도.
도 4는 도 3의 로딩부의 E-E'선의 단면도.
도 5는 도 3의 로딩부에 대형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도.
도 6은 도 3의 로딩부의 제1 내지 제4유로와, 제1, 제2흡착플레이트 도피홈 및 제1, 제2흡착패드 도피홈을 도시한 도.
도 7(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제1흡착영역의 제1, 제2유로를 나타낸 단면도.
도 7(b)는 도 7(a)의 F-F'선의 단면도.
도 8(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제2흡착영역의 제3, 제4유로를 나타낸 단면도.
도 8(b)는 도 8(a)의 G-G'선의 단면도.
도 9(a)는 도 7(a)의 제1, 제2유로 각각에 제1, 제2흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도.
도 9(b)는 도 8(a)의 제3, 제4유로 각각에 제3, 제4흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도.
도 10(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도.
도 10(b)는 도 10(a)의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도.
도 11(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도.
도 11(b)는 도 11(a)의 로딩부에 소형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도.
1 is a plan view of a semiconductor material cutting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a perspective view of the loading part and the strip picker of FIG. 1; FIG.
3 is a plan view of the loading portion of Fig.
4 is a sectional view taken along the line E-E 'of the loading part of FIG. 3;
Fig. 5 is a view showing that a semiconductor strip of a large size is seated on the loading portion of Fig. 3; Fig.
Fig. 6 is a view showing first to fourth flow paths of the loading part of Fig. 3, first and second adsorption plate escape grooves, and first and second adsorption pad escape grooves.
7 (a) is a cross-sectional view showing first and second flow paths of a first adsorption region formed inside the adsorption plate by cutting the loading unit of FIG. 3 into an XY plane.
7 (b) is a sectional view taken along the line F-F 'in Fig. 7 (a).
8 (a) is a cross-sectional view showing third and fourth flow paths of a second adsorption region formed inside the adsorption plate by cutting the loading portion of FIG. 3 into an XY plane.
8 (b) is a sectional view taken along the line G-G 'in Fig. 8 (a).
9 (a) is a view showing that the first and second adsorption pads are communicated with the first and second flow paths of Fig. 7 (a), respectively. Fig.
9 (b) is a view showing that the third and fourth adsorption pads are communicated with the third and fourth flow paths of Fig. 8 (a), respectively.
Fig. 10 (a) is a view showing that the first and second inlet rails are moved toward the adsorption plate so that the medium size semiconductor strip is loaded on the loading part of Fig. 3; Fig.
10 (b) is a view showing a semiconductor strip of a medium size being seated on the loading portion of Fig. 10 (a). Fig.
11 (a) is a view showing that the first and second inlet rails move in the direction of the adsorption plate so that the medium size semiconductor strip is loaded on the loading part of Fig. 3; Fig.
11 (b) is a view showing that a semiconductor strip of a small size is seated on the loading portion of Fig. 11 (a). Fig.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to devise various apparatuses which, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention. It is also to be understood that all conditional terms and examples recited in this specification are, in principle, explicitly intended only for the purpose of enabling the inventive concept to be understood, and not to be construed as limited to such specifically recited embodiments and conditions .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.The embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or perspective views that are ideal illustrations of the present invention. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process.

설명에 들어가기에 앞서, 이하의 사항들을 정의한다.Prior to the description, the following are defined.

X축은 스트립픽커 및 유닛픽커가 이동하는 방향을 의미하고, Y축은 X축 수평 평면에서 수직인 축을 의미한다.The X axis means the direction in which the strip picker and the unit picker move, and the Y axis means the axis perpendicular to the X axis horizontal plane.

X축은 전후 방향과 동일한 축을 의미하며, Y축은 좌우 방향과 동일한 축을 의미한다.  The X axis means the same axis as the forward and backward direction, and the Y axis means the same axis as the left and right direction.

후방 방향은 X축선 상에서 반도체 스트립이 온로더부에서 인출되는 방향(우측 방향)을 의미하며, 전방 방향은 후방 방향의 반대방향(좌측 방향)을 의미한다.The backward direction means a direction (rightward direction) in which the semiconductor strip is drawn out from the on-loader portion on the X axis, and the forward direction means the backward direction (leftward direction).

θ방향은 X-Y평면상에서 시계방향 또는 반시계 방향으로 회전되는 방향을 의미한다.and the &thetas; direction means a direction of rotating clockwise or counterclockwise on the X-Y plane.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)에 대해 설명한다.Hereinafter, a semiconductor material cutting apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 로딩부와 스트립픽커의 사시도이고, 도 3은 도 2의 로딩부의 평면도이고, 도 4는 도 3의 로딩부의 E-E'선의 단면도이고, 도 5는 도 3의 로딩부에 대형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도이고, 도 6은 도 3의 로딩부의 제1 내지 제4유로와, 제1, 제2흡착플레이트 도피홈 및 제1, 제2흡착패드 도피홈을 도시한 도이고, 도 7(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제1흡착영역의 제1, 제2유로를 나타낸 단면도이고, 도 7(b)는 도 7(a)의 F-F'선의 단면도이고 도 8(a)는 도 3의 로딩부를 X-Y평면으로 절단하여 흡착플레이트의 내부에 형성된 제2흡착영역의 제3, 제4유로를 나타낸 단면도이고, 도 8(b)는 도 8(a)의 G-G'선의 단면도이고, 도 9(a)는 도 7(a)의 제1, 제2유로 각각에 제1, 제2흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도이고, 도 9(b)는 도 8(a)의 제3, 제4유로 각각에 제3, 제4흡착패드가 연통되어 있는 것을 도시한 도이고, 도 10(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도이고, 도 10(b)는 도 10(a)의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도이고, 도 11(a)는 도 3의 로딩부에 중형 크기의 반도체 스트립이 안착되기 위해 제1, 제2인렛 레일이 흡착플레이트 방향으로 이동한 것을 도시한 도이고, 도 11(b)는 도 11(a)의 로딩부에 소형 크기의 반도체 스트립이 안착된 것을 도시한 도이다.FIG. 1 is a plan view of a semiconductor material cutting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a loading unit and a strip picker of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of a loading unit of FIG. 2, FIG. 5 is a view showing that a semiconductor strip of a large size is seated on the loading part of FIG. 3, FIG. 6 is a sectional view of the loading part of the loading part of FIG. 3, FIG. 7A is a cross-sectional view showing the first and second adsorption plate recess grooves and the first and second adsorption pad recess grooves. FIG. 7A is a cross- 7 (a) is a sectional view taken along the line F-F 'in Fig. 7 (a), and Fig. 8 (a) is a cross- 8B is a cross-sectional view taken along a line G-G 'in Fig. 8A, and Fig. 9B is a cross- (a) is a view showing that the first and second adsorption pads are communicated with the first and second flow paths of Fig. 7 (a), and Fig. 9 (b) Fig. 10 (a) is a view showing that the third and fourth adsorption pads are communicated with the fourth flow paths, respectively. Fig. 10 Fig. 10B is a view showing that a medium size semiconductor strip is seated on the loading portion of Fig. 10A, Fig. FIG. 11B is a view showing that the first and second inlet rails are moved toward the adsorption plate so that the medium size semiconductor strip is loaded on the loading portion of FIG. 11A. FIG. Fig. 5 is a view showing that the semiconductor strip of Fig.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)는, 복수개의 반도체 스트립(S)이 매거진(미도시) 내에 각각 적층되어 인입된 상태로 제공되는 온로더부(미도시)와, 상기 매거진으로부터 인출되는 반도체 스트립(S)을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송가능하게 구비되는 한 쌍의 인렛레일과, 상기 인렛레일의 내측에 구비되어 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립(S)이 안착되는 흡착플레이트(1300)를 포함하는 로딩부(1000)와, 로딩부(1000)와 절단부(4000) 사이에 X축 방향으로 이동가능하게 설치되어, 로딩부(1000)의 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 척테이블(3000)로 전달하고, 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 반도체 스트립(S)을 검사하는 스트립비전(2300)이 구비된 스트립픽커(2000)와, 스트립픽커(2000)에 흡착된 반도체 스트립(S)이 전달되고, Y축 방향으로 이동가능하게 구비되며, θ방향으로 회전 가능하게 구비되는 척테이블(3000)과, 척테이블(3000)로 전달된 반도체 스트립(S)을 개별의 반도체 패키지로 절단하는 절단부(4000)를 포함하며, 여기에서 흡착플레이트(1300)는 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제1흡착영역(1310)과, 흡착플레이트(1300)의 외측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제2흡착영역(1320)을 구비한다. 각각의 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 선택적으로 공압이 인가되도록 제어될 수 있다.1, a semiconductor material cutting apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention includes an on-loader (not shown) in which a plurality of semiconductor strips S are stacked in a magazine (not shown) (Not shown), a pair of inlet rails guiding the semiconductor strip S drawn out of the magazine and being transportable in the Y-axis direction, and a pair of inlet rollers provided on the inside of the inlet rail, A loading section 1000 including an adsorption plate 1300 on which a semiconductor strip S is placed; a loading section 1000 installed movably in the X axis direction between the loading section 1000 and the cut section 4000; The semiconductor strip S placed on the adsorption plate 1300 of the adsorption plate 1300 is transferred to the chuck table 3000 and the semiconductor strip S adsorbed on the adsorption plate 1300 is adsorbed to move in the X axis direction, Inspecting the semiconductor strip (S) A stripe picker 2000 provided with a lip vision 2300 and a semiconductor strip S which is attracted to a strip picker 2000 and is provided movably in the Y axis direction and is rotatable in the & A chuck table 3000 and a cutout 4000 for cutting the semiconductor strip S delivered to the chuck table 3000 into individual semiconductor packages wherein the adsorption plate 1300 is connected to the chuck table 3000, A first adsorption region 1310 for adsorbing the semiconductor strip S at the inner upper portion and a second adsorption region 1320 for adsorbing the semiconductor strip S at the upper outer side of the adsorption plate 1300. The first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 can be controlled to selectively apply pneumatic pressure according to the size of the semiconductor strip S. [

또한, 본 발명의 반도체 자재 절단장치(100)는 척테이블(3000)과 건조부(미도시) 사이에 배치되어 절단부(4000)의 절단에 의해 발생된 반도체 패키지의 이물질을 제거하는 세척부(5000)와, 세척부(5000)에서 세척된 반도체 패키지를 건조시키는 건조부와, 절단부(4000)와 건조부 사이에 X축 방향으로 이동가능 하게 설치되어 척테이블(3000) 상에서 절단부(4000)에 의해 절단된 반도체 패키지를 흡착하여 세척부(5000)를 거쳐 건조부로 전달하는 유닛픽커(6000)와, 반도체 패키지를 검사하는 비전유닛과, 반도체 패키지의 검사결과들에 따라 반도체 패키지를 분류 수납하는 분류장치를 포함하여 구성될 수도 있다.The semiconductor material cutting apparatus 100 according to the present invention may further include a cleaning unit 5000 disposed between the chuck table 3000 and the drying unit (not shown) to remove foreign matter from the semiconductor package, A drying unit for drying the semiconductor package cleaned by the cleaning unit 5000; a drying unit for drying the semiconductor package cleaned by the cleaning unit 5000; A unit picker 6000 for picking up the cut semiconductor package and transferring the cut semiconductor package to the drying unit through the cleaning unit 5000, a vision unit for inspecting the semiconductor package, and a sorting unit As shown in FIG.

본 발명은 스트립비전(2300)으로 반도체 스트립(S)을 검사할 때 진동 등 외부의 영향을 배제하기 위하여 반도체 스트립(S)에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 더 포함할 수 있다.The present invention is characterized in that when a semiconductor strip S is inspected with a strip vision 2300, a plurality of fiducial marks for imaging are formed with a reference mark formed on the semiconductor strip S, As shown in FIG.

정렬블럭은 반도체 스트립(S)의 워페이지(스마일 타입, 앵그리 타입)의 영향을 최소화한 상태에서 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록 흡착플레이트(1300)의 전후 방향에 각각 구비되되, 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변 방향을 기준으로 센터에 고정배치되는 것이 바람직하다.The alignment block is provided in the forward and backward directions of the adsorption plate 1300 so as to inspect the fiducial marks provided in the alignment block with the influence of the warp page (Smile type, Angry type) of the semiconductor strip S being minimized, And is fixedly disposed at the center with respect to the direction of the short side of the semiconductor strip S that is seated on the adsorption plate 1300. [

반도체 스트립(S)에는 정렬블럭의 피듀셜마크와 함께 스트립비전(2300)에 의해 촬상되는 기준마크가 마련된다. 기준마크는 반도체 스트립(S)의 전방에 마련되는 전방 기준마크(M1)와 반도체 스트립(S)의 후방에 마련되는 후방 기준마크(M2)로 이루어질 수 있으며, 고정된 정렬블럭의 피듀셜마크로부터 반도체 스트립(S)의 기준마크를 촬영함으로써 반도체 스트립(S)의 위치 정보를 획득할 수 있게 된다.The semiconductor strip (S) is provided with a fiducial mark which is imaged by the strip vision (2300) together with the fiducial mark of the alignment block. The reference mark may be composed of a front reference mark M1 provided in front of the semiconductor strip S and a rear reference mark M2 provided behind the semiconductor strip S, The position information of the semiconductor strip S can be obtained by photographing the reference mark of the semiconductor strip S. [

한편, 온로더부에는 반도체 스트립(S)이 매거진 내에 인입된 상태로 제공되며, 온로더부에 구비된 푸셔(미도시) 또는 스트립픽커(2000)의 일측에 구비된 그립퍼(2200) 등을 통해 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)로 공급하는 기능을 한다.On the other hand, the semiconductor strip S is provided in the on-loader portion in a state in which the semiconductor strip S is drawn in the magazine, and the gripper 2200 provided on one side of the pusher (not shown) or the strip picker 2000 provided on the on- And serves to supply the semiconductor strip S to the loading unit 1000.

스트립픽커(2000)는 로딩부(1000)와 절단부(4000) 사이에 X축 방향으로 이동가능하게 설치되어, 로딩부(1000)의 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 척테이블(3000)로 전달하는 기능을 한다. 이 경우, 스트립픽커(2000)는 로딩부(1000)의 흡착플레이트(1300)에 안착되어 흡착된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 픽업한 후, 절단부(4000)의 척테이블(3000)로 전달하게 된다.The strip picker 2000 is disposed between the loading unit 1000 and the cutout unit 4000 so as to be movable in the X axis direction and transfers the semiconductor strip S, which is placed on the suction plate 1300 of the loading unit 1000, (3000). In this case, the strip picker 2000 is placed on the suction plate 1300 of the loading unit 1000 to pick up the adsorbed semiconductor strip S, and then transfers the picked up semiconductor strip S to the chuck table 3000 of the cut unit 4000 do.

스트립픽커(2000)는 흡착플레이트(1300)에 안착된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 반도체 스트립(S)을 검사하는 스트립비전(2300)과 매거진으로부터 반도체 스트립(S)을 인출하여 흡착플레이트(1300)에 거치시키는 그립퍼(2200)가 구비되어 있다.The strip picker 2000 is provided with a strip vision 2300 which is capable of moving in the X axis direction by adsorbing the semiconductor strip S placed on the adsorption plate 1300 and inspecting the semiconductor strip S on one side, And a gripper 2200 which draws out the adsorbent S and places it on the adsorption plate 1300.

스트립픽커(2000)의 하부에는 반도체 스트립(S)을 흡착하는 흡착부(2100)가 구비되며, 스트립픽커(2000)의 흡착부(2100)는 흡착플레이트(1300)에 공급된 반도체 스트립(S)의 워페이지를 완화시킨 상태에서 흡착플레이트(1300)에 평평하게 흡착시키기 위해 반도체 스트립(S)의 상면을 눌러준 상태에서 흡착플레이트(1300)에 반도체 스트립(S)을 안착시킬 수 있다. The stripper 2000 is provided at its lower part with a suction part 2100 for suctioning the semiconductor strip S and the suction part 2100 of the strip picker 2000 is connected to the semiconductor strip S supplied to the suction plate 1300, The semiconductor strip S can be seated on the suction plate 1300 in a state in which the upper surface of the semiconductor strip S is pushed in order to adsorb the semiconductor wafer S flat on the suction plate 1300 while the warp page of the semiconductor strip S is relaxed.

그립퍼(2200)는 매거진으로부터 반도체 스트립(S)을 인출하여 흡착플레이트(1300)에 거치시키는 기능을 하며, 스트립비전(2300)과 함께 Y축 방향으로 이동가능하게 구비될 수 있다.The gripper 2200 has a function of pulling out the semiconductor strip S from the magazine and mounting it on the attraction plate 1300 and being movable in the Y axis direction together with the strip vision 2300.

흡착플레이트(1300)는 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제1흡착영역(1310)과, 흡착플레이트(130)의 외측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제2흡착영역(1320)으로 이루어진다. 제1흡착영역(1310)에는 서로 연통된 제1유로(1311)와 제2유로(1312)에 의해 공압이 인가되며, 제2흡착영역(1320)에는 서로 연통된 제3유로(1321)와 제4유로(1322)에 의해 공압이 인가된다. The adsorption plate 1300 includes a first adsorption region 1310 for adsorbing the semiconductor strip S from the upper inside of the adsorption plate 1300 and a second adsorption region 1310 for adsorbing the semiconductor strip S from the upper side of the adsorption plate 130. [ 2 adsorption region 1320. Air is supplied to the first adsorption region 1310 by the first flow channel 1311 and the second flow channel 1312 communicated with each other and the third flow channel 1321 communicated with the second adsorption region 1320, The air pressure is applied by the four-way valve 1322.

여기에서 제1유로(1311)와 제2유로(1312)는 제3유로(1321)와 제4유로(1322)에 비해 유로의 길이가 짧게 구비되며, 흡착플레이트(1300)에 공급되는 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 작은 반도체 스트립(S)은 제1, 제2유로(1311, 1312)에 의해 제1흡착영역(1310)에서 흡착되고, 크기가 큰 반도체 스트립(S)은 제1, 제2유로(1311, 1312)에 의해 제1흡착영역(1310)과 제3, 제4유로(1321, 1322)에 의해 제2흡착영역(1320)에서 모두 흡착된다.The first flow path 1311 and the second flow path 1312 are shorter in length than the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322 and are connected to the semiconductor strips The small semiconductor strip S is adsorbed in the first adsorption region 1310 by the first and second flow paths 1311 and 1312 and the semiconductor strip S having a large size is adsorbed by the first and second adsorption regions 1310 and 1312. [ Are adsorbed in both the first adsorption region 1310 and the third adsorption region 1320 by the two flow paths 1311 and 1312 by the third and fourth flow paths 1321 and 1322.

예를 들어, 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 제1유로(1311)와 제2유로(1312)에 의해 인가되는 공압으로 제1흡착영역(1310)에서 반도체 스트립(S)을 흡착하고, 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립(S)의 단변방향의 길이보다 작은 경우에는 제1유로(1311), 제2유로(1312), 제3유로(1321), 제4유로(1322)에 의해 인가되는 공압으로 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에서 반도체 스트립(S)을 흡착할 수 있다. 이때 각각의 유로의 간격은 각 유로와 연통되는 흡착패드 간의 간격이 될 수 있다.For example, when the gap between the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322 is greater than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the air pressure applied by the first flow path 1311 and the second flow path 1312 When the gap between the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322 is smaller than the length of the semiconductor strip S in the short side direction, The semiconductor strips S (1310), 1310 (1310), 1313 (1310), 1313, 1313, 1313, 1312, 1313, Can be adsorbed. At this time, the interval of each flow path may be a distance between the adsorption pads communicating with each flow path.

따라서, 본 발명은 흡착플레이트(1300)에 공급되는 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 제1흡착영역에(1310)만 공압을 인가하거나, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에 모두 공압을 인가할 수 있다.Therefore, the present invention can be applied to the case where the pneumatic pressure is applied only to the first adsorption region 1310 or the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 are applied to the adsorption plate 1300 according to the size of the semiconductor strip S ) Can be applied.

흡착플레이트(1300)는 제1유로(1311)가 형성된 흡착영역과, 제2유로(1312)가 형성된 흡착영역을 가로지르는 홈이 형성되며, 상기 홈은 상기 흡착영역보다 낮은 높이에 마련되는 오목한 함몰 구간을 가지며, 이의 구간을 통해 그립퍼(2200)가 이동한다.The adsorption plate 1300 is formed with a groove which intersects an adsorption region where the first flow path 1311 is formed and an adsorption region where the second flow path 1312 is formed and the groove has a concave depression And the gripper 2200 moves through the section.

다시 말해, 흡착플레이트(1300)에는 제1흡착영역(1310) 중 제1유로(1311)가 형성된 흡착영역과, 제2흡착영역(1320) 중 제2유로(1312)가 형성된 흡착영역의 사이를 가로지르는 홈이 형성되며, 그립퍼(2200)는 상기 홈을 통해 이동될 수 있는 것이다.In other words, the adsorption plate 1300 is provided with an adsorption region where the first flow path 1311 of the first adsorption region 1310 is formed and an adsorption region where the second flow path 1312 of the second adsorption region 1320 is formed And a gripper 2200 can be moved through the groove.

스트립픽커(2000)는 가이드레일(2001)에 설치되어 가이드레일(2001)을 따라 X축 방향으로 이동가능하다.The strip picker 2000 is installed on the guide rail 2001 and is movable along the guide rail 2001 in the X-axis direction.

스트립픽커(2000)에는 Z축 구동부(2500)가 구비되며, Z축 구동부(2500)의 구동에 의해 스트립픽커(2000)의 흡착부(2100)가 Z축 방향으로 이동, 즉, 상하 방향으로 승하강 가능하다.The strip picker 2000 is provided with a Z axis driving part 2500 and the suction part 2100 of the strip picker 2000 moves in the Z axis direction by driving the Z axis driving part 2500, Descendable.

스트립픽커(200)에 구비되는 스트립비전 구동부(2400)는 스트립비전(2300)과 그립퍼(2200)를 Y축 방향으로 이동시키는 기능을 하며, 이를 통해, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)의 위치를 용이하게 검사할 수 있다.The strip vision driving unit 2400 provided in the strip picker 200 functions to move the strip vision unit 2300 and the gripper unit 2200 in the Y axis direction so that the strip vision unit 2300 is moved in the Y- The position of the second reference mark 1332 and the front reference mark M1 and the positions of the second fiducial mark 1342 and the rear reference mark M2 can be easily checked.

스트립픽커(2000)에는 Z축 구동부(2500)가 구비되며, Z축 구동부(2500)의 구동에 의해 스트립픽커(2000)의 흡착부(2100)가 Z축 방향으로 이동, 즉, 상하 방향으로 승하강 가능하다.The strip picker 2000 is provided with a Z axis driving part 2500 and the suction part 2100 of the strip picker 2000 moves in the Z axis direction by driving the Z axis driving part 2500, Descendable.

스트립픽커(2000)는 승하강 가능하게 구비되는 인터록핀(2600)을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 인터록핀(2600)은 정렬블럭의 인터록핀홀에 삽입되어 정렬블럭과 스트립픽커(2000)의 위치를 정렬시키는 기능을 한다.The strip picker 2000 may be configured to include an interlock pin 2600 that can be raised and lowered. The interlock pin 2600 is inserted into the interlock pinhole of the alignment block to align the position of the alignment block and the strip picker 2000.

인터록핀홀은 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 인터록핀(2600)이 용이하게 삽입될 수 있도록 복수개가 구비될 수 있다.The interlock pinholes may be provided in plurality so that the interlock pin 2600 can be easily inserted according to the size of the semiconductor strip S. [

인터록핀홀은 제1정렬블럭(1330)의 상부에 복수개로 마련되는 제1인터록핀홀(1333)과 제2정렬블럭(1330)의 상부에 복수개로 마련되는 제2인터록핀(1343)으로 이루어질 수 있다.The interlock pinholes may include a first interlock pinhole 1333 provided at the upper portion of the first alignment block 1330 and a second interlock pin 1343 provided at the upper portion of the second alignment block 1330 .

척테이블(3000)에는 스트립픽커(2000)를 통해 전달된 반도체 스트립(S)이 흡착되어 올려지게 되며, 척테이블(3000)은 Y축 방향으로 이동가능하고 θ방향으로 회전가능하게 설치된다.The semiconductor strip S transferred through the strip picker 2000 is attracted to the chuck table 3000. The chuck table 3000 is movable in the Y-axis direction and is rotatable in the? Direction.

척테이블(3000)이 Y축으로 이동가능 및 θ방향으로 회전가능하게 설치됨에 따라, 반도체 스트립(S)을 절단부(4000)의 절단 위치로 이동시켜 절단할 수 있다.The chuck table 3000 is movable in the Y-axis direction and rotatably in the? Direction, so that the semiconductor strip S can be moved to the cutting position of the cut portion 4000 and cut.

척테이블(3000)은 Y축으로 이동가능 및 θ방향으로 회전가능하게 설치됨에 따라, 척테이블(3000) 상에 놓여진 반도체 스트립(S) 또는 반도체 패키지의 Y축 방향 및 θ방향을 보정하는 기능을 할 수 있다.The chuck table 3000 is movable in the Y-axis direction and rotatably in the θ-direction, so that the function of correcting the Y-axis direction and the θ-direction of the semiconductor strip S or semiconductor package placed on the chuck table 3000 can do.

척테이블(3000)에는 스트립픽커(2000)를 통해 전달된 반도체 스트립(S)이 흡착되는 복수의 척테이블 흡착홀(3100)과, 절단부(4000)로부터 척테이블(3000)을 보호하기 위해 형성되는 절단 도피홈(3200)이 구비된다.The chuck table 3000 is provided with a plurality of chuck table suction holes 3100 through which the semiconductor strips S transferred through the strip picker 2000 are sucked and a plurality of chuck table suction holes 3110 formed to protect the chuck table 3000 from the cut portions 4000 A cutting escape groove 3200 is provided.

척테이블 흡착홀(3100)은 반도체 패키지의 개수와 동일한 개수를 갖으며, 이를 통해, 절단부(4000)에서 절단된 반도체 패키지 각각이 척테이블 흡착홀(3100) 각각에 흡착됨으로써, 척테이블이 반도체 패키지를 용이하게 흡착할 수 있다. 절단 도피홈(3200)은 이러한 척테이블 흡착홀(3100) 사이에 구비되며, 이를 통해, 절단부(4000)가 반도체 스트립(S)을 절단할 때, 척테이블(3000)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.The chuck table suction holes 3100 have the same number as the number of the semiconductor packages so that each of the semiconductor packages cut at the cut portion 4000 is adsorbed to each of the chuck table suction holes 3100, Can be easily adsorbed. The cutting escapement groove 3200 is provided between the chuck table suction holes 3100 so that the chuck table 3000 can be prevented from being broken when the cut portion 4000 cuts the semiconductor strip S have.

유닛픽커(6000)는 절단부(4000)와 건조부 사이에 X축 방향으로 이동가능하게 설치되어 척테이블(3000) 상에서 절단부(4000)에 의해 절단된 반도체 패키지를 흡착하여 세척부(5000)를 거쳐 건조부로 전달하는 기능을 한다.The unit picker 6000 is installed between the cut portion 4000 and the drying portion so as to be movable in the X axis direction and sucks the semiconductor package cut by the cut portion 4000 on the chuck table 3000, To the drying section.

유닛픽커(6000)는 가이드레일(2001)에 설치되며, 이로 인해, 가이드레일(2001)을 따라 유닛픽커(6000)가 이동함으로써, X축 방향으로 용이하게 이동할 수 있다.The unit picker 6000 is provided on the guide rail 2001 so that the unit picker 6000 moves along the guide rail 2001 and can easily move in the X axis direction.

이하, 로딩부(1000)에 대해 설명한다.Hereinafter, the loading unit 1000 will be described.

로딩부(1000)는 반도체 스트립(S)이 안착되는 공간을 제공하고, 반도체 스트립(S)을 정렬시키는 기능을 하며, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 정렬테이블(1100)과, 정렬테이블(1100)의 중앙에 배치되어 온로더부에서 공급된 반도체 스트립(S)이 안착되는 흡착플레이트(1300)와, 매거진으로부터 인출되는 반도체 스트립(S)을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송가능하게 구비되는 한쌍의 인렛레일을 포함하여 구성된다. The loading section 1000 functions to provide a space in which the semiconductor strip S is seated and to align the semiconductor strip S and includes an alignment table 1100, A suction plate 1300 on which the semiconductor strips S supplied from the loader section disposed at the center of the table 11 is seated and a semiconductor strip S which is drawn out from the magazine and which can be transported in the Y- And a pair of inlet rails.

한쌍의 인렛레일은 착플레이트(1300)의 좌측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에 설치되며, 정렬테이블(1100)에서 좌우측(또는 Y축)으로 이동 가능한 제1인렛레일(1500)과, 흡착플레이트(1300)의 우측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에 설치되며, 정렬테이블에서 좌우측(또는 Y축)으로 이동 가능한 제2인렛레일(1600)으로 이루어질 수 있다.A pair of inlet rails are installed on the alignment table 1100 so as to be disposed on the left side of the deposition plate 1300 and include a first inlet rail 1500 movable left and right (or Y axis) in the alignment table 1100, And a second inlet rail 1600 installed on the alignment table 1100 so as to be disposed on the right side of the alignment table 1300 and movable left and right (or Y axis) in the alignment table.

정렬테이블(1100)의 중앙에는 개구부(1110)가 형성되어 있으며, 이러한 개구부(1110)에는 흡착플레이트(1300)가 배치된다. 이 경우, 흡착플레이트(1300)의 하부에는 흡착플레이트(1300)가 Y축 방향으로 이동 가능하고, θ 방향으로 회전가능하게 설치된 이송 로봇(1301)이 구비되며, 스트립비전(2300)으로 검사하여 반도체 스트립(S)의 위치가 정위치에 있지 않을 경우, 반도체 스트립(S)의 위치를 Y축 및 θ축 틀어짐을 보정하여 정위치로 정렬시키게 된다.An opening 1110 is formed at the center of the alignment table 1100 and an adsorption plate 1300 is disposed in the opening 1110. In this case, a transfer robot 1301, which is capable of moving in the Y-axis direction and rotatable in the? Direction, is provided in the lower part of the adsorption plate 1300 and is inspected by the strip vision 2300, When the position of the strip S is not in the correct position, the position of the semiconductor strip S is aligned to the correct position by correcting the Y-axis and the? -Axis distortion.

정렬테이블(1100)의 개구부(1110)의 좌측, 즉, 흡착플레이트(1300)의 좌측에는 제1가이드홈(1120)이 형성되며, 제1가이드홈(1120)에는 제1인렛레일(1500)이 Y축 방향, 즉, 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치된다.A first guide groove 1120 is formed on the left side of the opening 1110 of the alignment table 1100, that is, on the left side of the suction plate 1300. A first inlet rail 1500 is provided in the first guide groove 1120, Y axis direction, that is, left and right directions.

정렬테이블(1100)의 개구부(1110)의 우측, 즉, 흡착플레이트(1300)의 우측에는 제2가이드홈(1130)이 형성되며, 제2가이드홈(1130)에는 제2인렛레일(1600)이 Y축 방향, 즉, 좌우측 방향으로 이동 가능하게 설치된다.A second guide groove 1130 is formed on the right side of the opening 1110 of the alignment table 1100 and on the right side of the suction plate 1300 and a second inlet rail 1600 is formed in the second guide groove 1130 Y axis direction, that is, left and right directions.

정렬테이블(1100)의 전방에는 상방 촬상 검사를 위한 상방향 비전(미도시)이 추가로 설치될 수 있으며 상방향 비전은 공급되는 반도체 스트립(S)이 뒤집혔는지를 확인하는 용도로 사용 할 수 있다.An upward vision (not shown) for the upper imaging inspection may be additionally provided in front of the alignment table 1100 and an upward vision may be used to check whether the semiconductor strip S to be supplied is inverted have.

흡착플레이트(1300)는 한쌍의 인렛레일의 내측에 구비되어 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립(S)이 안착된다.The adsorption plate 1300 is provided inside the pair of inlet rails to seat the semiconductor strip S supplied from the magazine.

흡착플레이트(1300)는 반도체 스트립(S)을 흡착하여 고정시키는 기능을 하며, 도 2 내지 도 4, 도 6, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 안착된 반도체 스트립(S)을 제1흡착영역(1310)과, 흡착플레이트(1300)의 외측 상부에서 안착된 반도체 스트립(S)을 흡착하는 제2흡착영역(1320)과, 스트립비전(2300)으로 반도체 스트립(S)을 검사할 때 외부 영향을 배제하기 위하여 반도체 스트립(S)에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭과, 제1흡착영역(1310)의 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이에 위치하도록 흡착플레이트(1300)에 설치되는 반도체 스트립 감지센서(1350)와, 반도체 스트립(S)이 정위치에 도달하였는지 여부를 감지하는 반도체 스트립 도달감지센서(1360)를 포함하여 구성된다.The adsorption plate 1300 serves to adsorb and fix the semiconductor strip S. The adsorption plate 1300 is fixed on the inner upper side of the adsorption plate 1300 as shown in FIGS. 2 to 4, 6, 7 to 9, A second adsorption region 1320 for adsorbing the semiconductor strip S to the first adsorption region 1310 and the semiconductor strip S seated on the outside upper side of the adsorption plate 1300, An alignment block in which a plurality of fiducial marks for photographing together with a fiducial mark formed on the semiconductor strip S is formed in order to exclude external influences when inspecting the semiconductor strip S, A semiconductor strip sensing sensor 1350 installed on the adsorption plate 1300 so as to be positioned between the flow path 1311 and the second flow path 1312 and a semiconductor strip sensing unit 1350 for sensing whether the semiconductor strip S has reached a predetermined position. And a detection sensor 1360.

여기에서 제1흡착영역(1310)은 제1유로(1311)와 제2유로(1312)에 의해 공압이 인가되며, 제2흡착영역(1320)은 제3유로(1321)와 제4유로(1322)에 의해 공압이 인가되되, 제1유로(1311)와 제2유로(1312)의 길이는 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 길이보다 짧게 형성된다.Here, the first adsorption region 1310 is pneumatically applied by the first flow path 1311 and the second flow path 1312, and the second adsorption region 1320 is connected to the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322 The length of the first flow path 1311 and the second flow path 1312 are formed to be shorter than the lengths of the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322. [

정렬블럭은 반도체 스트립(S)의 워페이지 영향을 최소화한 상태에서 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록, 흡착플레이트(1300)의 전후 방향 각각에 구비되되, 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치된다. 이 경우, 정렬블럭은 제1흡착영역(1310)의 전방에 배치되는 제1정렬블럭(1330)과, 제1흡착영역(1310)의 후방에 배치되는 제2정렬블럭(1340)으로 이루어질 수 있으며, 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340) 또한, 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치된다.The alignment block is provided in each of the front and rear directions of the adsorption plate 1300 so as to inspect the fiducial marks provided in the alignment block in a state in which the warpage effect of the semiconductor strip S is minimized, The semiconductor strip S is fixed to the center with respect to the direction of the short side of the semiconductor strip S. In this case, the alignment block may include a first alignment block 1330 disposed in front of the first adsorption area 1310 and a second alignment block 1340 disposed behind the first adsorption area 1310 The first and second alignment blocks 1330 and 1340 are also fixed to the center with respect to the direction of the short side of the semiconductor strip S which is seated on the attracting plate 1300. [

정렬블럭에 마련된 피듀셜마크는 스트립픽커(2000)의 일측에 구비된 스트립비전(2300)에 의해 수행되는데, 스트립 비전(2300)의 화각(FOV) 내에 정렬블럭의 피듀셜마크와 반도체 스트립(S)에 구비된 기준마크를 함께 촬영함으로써 반도체 스트립(S)의 위치 정보, 정렬 상태를 획득할 수 있게 된다. 이때 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 함께 검사할 수 있도록 흡착플레이트(1300)의 센터에 구비되어 크기가 작은 반도체 스트립(S)과 크기가 큰 반도체 스트립(S) 모두에서 비전 검사가 가능하다.The fiducial mark provided on the alignment block is performed by a strip vision 2300 provided on one side of the strip picker 2000. The fiducial mark provided on the alignment block is formed by a strip vision 2300, The positional information and alignment state of the semiconductor strip S can be obtained. At this time, vision inspection is possible in both the semiconductor strip S having a small size and the semiconductor strip S having a large size, which are provided at the center of the attracting plate 1300 so that the semiconductor strip S can be inspected regardless of the size thereof .

특히, 본 발명에서는 스트립비전(2300)이 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 반도체 스트립(S)과 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사하기 위하여, 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크는 반도체 스트립(S)의 장변 방향과 평행하게 전후방향으로 복수개 마련마련됨으로써 반도체 스트립(S)의 크기에 무관하게 피듀셜마크와 반도체 스트립(S)에 형성된 기준마크를 함께 촬영할 수 있는 것이다.Particularly, in the present invention, in order to inspect the fiducial mark provided in the semiconductor strip S and the alignment block regardless of the size of the semiconductor strip S, the fiducial mark formed in the alignment block is formed in the semiconductor strip S, the fiducial mark and the reference mark formed on the semiconductor strip S can be photographed together regardless of the size of the semiconductor strip S.

여기에서, 피듀셜마크는 제1정렬블럭(1330)의 상면에 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)와 대응되는 제1피듀셜마크(1332)와, 제2정렬블럭(1340)의 상면에 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)와 대응되는 제2피듀셜마크(1342)로 이루어질 수 있다.The fiducial mark includes a first fiducial mark 1332 corresponding to the front reference mark M1 of the semiconductor strip S on the upper surface of the first alignment block 1330 and a second fiducial mark 1332 And a second fiducial mark 1342 corresponding to the rear reference mark M2 of the semiconductor strip S on the upper surface.

제1피듀셜마크(1332)는 제1정렬블럭(1330)의 상면에 전후방향으로 복수개 구비될 수 있고, 제2피듀셜마크(1342)는 제2정렬블럭(1340)의 상면에 전후방향으로 복수개 구비될 수 있다.A plurality of first fiducial marks 1332 may be provided on the upper surface of the first alignment block 1330 in the forward and backward directions and a second fiducial mark 1342 may be provided on the upper surface of the second alignment block 1340 in the forward and backward directions May be provided.

반도체 스트립 감지센서(1350)는 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 흡착플레이트(1300)에 흡착되는 반도체 스트립(S)의 안착여부를 감지할 수 있도록 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이에 구비된다. 반도체 스트립 감지센서(1350)가 흡착플레이트(1300)의 외곽에 구비되는 경우에는 큰 반도체 스트립(S)은 감지할 수 있으나 작은 반도체 스트립(S)은 감지할 수 없게되므로, 반도체 스트립 감지센서(1350)도 흡착플레이트(1300)에 안착되는 반도체 스트립(S)의 단변 방향을 기준으로 센터, 즉 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이의 공간에 배치될 수 있다.The semiconductor strip detection sensor 1350 detects the presence or absence of the semiconductor strip S adhered to the adsorption plate 1300 regardless of the size of the semiconductor strip S by using the first flow path 1311 and the second flow path 1320. [ 1312. When the semiconductor strip sensing sensor 1350 is provided at the outer periphery of the attracting plate 1300, a large semiconductor strip S can be sensed but a small semiconductor strip S can not be sensed. That is, the space between the first flow path 1311 and the second flow path 1312, with respect to the direction of the short side of the semiconductor strip S that is seated on the absorption plate 1300.

여기서 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)의 감지 유무를 이용하여 그립퍼(2200)에 의해 홀딩된 반도체 스트립(S)이 슬립되었는지를 확인할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 그립퍼(2200)는 반도체 스트립(S)을 반도체 스트립 도달감지센서(1360)에서 감지할 수 있도록 기설정된 거리만큼 이동하며 이동이 정상적으로 완료되었을 경우 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)의 도착을 감지한다. 하지만, 그립퍼(2200)로부터 반도체 스트립(S)이 슬립된 경우에는 기설정된 거리를 이동하더라도 반도체 스트립 도달감지센서(1360)로 반도체 스트립(S)의 도착여부를 감지하지 못하는 경우가 생길 수 있다. 이 경우 그립퍼(2200)는 반도체 스트립 도달감지센서(1360)가 반도체 스트립(S)을 감지할 수 있도록 후방으로 더 이동한다.Here, the semiconductor strip arrival sensor 1360 can check whether or not the semiconductor strip S held by the gripper 2200 has slipped by detecting the presence or absence of the semiconductor strip S. More specifically, the gripper 2200 moves by a predetermined distance so that the semiconductor strip S can be detected by the semiconductor strip arrival sensor 1360, and when the movement is normally completed, the semiconductor strip arrival sensor 1360 Detects the arrival of the semiconductor strip (S). However, when the semiconductor strip S slips from the gripper 2200, it may be impossible to detect the arrival of the semiconductor strip S by the semiconductor strip arrival sensor 1360 even if the predetermined distance is shifted. In this case, the gripper 2200 further moves backward so that the semiconductor strip arrival sensor 1360 can sense the semiconductor strip S. [

또한, 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)의 정위치 도달 여부를 확인하여 반도체 스트립(S)의 위치 정보를 얻을 수 있으며 이 위치 정보를 이용하여 반도체 스트립(S)의 센터와 정렬테이블(1100)의 센터를 맞출 수 도 있다. 구체적으로 예를 들면, 반도체 스트립 도달감지센서(1360)가 반도체 스트립(S)을 감지하는 시점을 기준으로 설정량 만큼 반도체 스트립(S)을 전방으로 이동시켜 반도체 스트립(S)을 정렬테이블(1100)의 센터에 위치시킬 수 있다. The semiconductor strip arrival sensor 1360 can determine whether the semiconductor strip S reaches a predetermined position and obtain positional information of the semiconductor strip S. Using the positional information, The center of the alignment table 1100 may be aligned. Specifically, for example, when the semiconductor strip S detection sensor 1360 detects the semiconductor strip S, the semiconductor strip S is moved forward by a predetermined amount, ) In the center.

반도체 스트립 도달감지센서(1360)를 이용하여 반도체 스트립(S)을 정렬테이블(1100)의 센터로 위치시킨 후에는 스트립픽커(2000)에 구비된 스트립비전(2300)을 통해 반도체 스트립(S)에 마련된 전, 후방 기준마크(M1, M2)와 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)에 각각 구비된 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)를 함께 촬영하여 정렬상태를 검사 및 보정할 수 있다.After the semiconductor strip S is positioned at the center of the alignment table 1100 by using the semiconductor strip arrival sensor 1360, the semiconductor strip S is transferred to the semiconductor strip S via the strip vision 2300 provided in the strip picker 2000 The first and second fiducial marks 1332 and 1342 provided on the front and rear reference marks M1 and M2 and the first and second alignment blocks 1330 and 1340, Can be corrected.

즉, 본 발명은 반도체 스트립(S)의 기준마크와 정렬블럭의 피듀셜마크를 스트립비전(2300)의 화각(FOV) 내에 함께 촬영하여 반도체 스트립(S)의 정렬상태를 검사할 수 있으며, 이때 반도체 스트립(S)에 기준마크가 없는 경우라면, 기준마크 대신 최외곽에 위치한 패키지 등의 특정 패키지로 대체하여 반도체 스트립(S)의 특정패키지와 피듀셜 마크를 함께 검사할 수도 있을 것이다.That is, the present invention can examine the alignment state of the semiconductor strip S by taking a reference mark of the semiconductor strip S and a fiducial mark of the alignment block together in the view angle (FOV) of the strip vision 2300, If there is no reference mark on the semiconductor strip S, it may be possible to replace the reference mark with a specific package such as a package located at the outermost place so that the specific package and the fiducial mark of the semiconductor strip S are checked together.

또한, 흡착플레이트(1300)의 제1흡착영역(1310)에는 그립퍼(2200)가 이동할 때 간섭을 방지하기 위해 길이 방향으로 홈을 형성할 수 있다. 길이 방향 홈은 그립퍼(2200)가 흡착플레이트(1300) 상면 보다 낮은 높이로 이동하기 때문에 형성되는 것으로, 무거운 반도체 스트립(S) 또는 얇은 반도체 스트립(S)을 그립퍼(2200)로 이송할 때 반도체 스트립(S)에 과도한 굽힘 모멘트가 작용하여 반도체 스트립(S)이 손상될 수 있으므로 하중을 분산하기 위해 반도체 스트립(S)의 일부가 인렛레일의 돌출부 또는 흡착플레이트(1300)의 상면과 접촉할 수 있도록 그립퍼(220)의 일부 높이가 흡착플레이트(1300)의 상면 높이보다 낮게 하강한다.In addition, the first adsorption region 1310 of the adsorption plate 1300 may be formed with grooves in the longitudinal direction to prevent interference when the gripper 2200 moves. The longitudinal grooves are formed because the gripper 2200 moves to a lower height than the upper surface of the attracting plate 1300 so that when the heavy semiconductor strip S or the thin semiconductor strip S is transferred to the gripper 2200, An excessive bending moment may be applied to the semiconductor strip S to damage the semiconductor strip S so that a part of the semiconductor strip S can contact the protrusion of the inlet rail or the upper surface of the suction plate 1300 in order to disperse the load. A part of the height of the gripper 220 falls below the height of the top surface of the adsorption plate 1300.

흡착플레이트(1300)의 하부에는 이송로봇(1301)이 구비되며, 이송로봇(1301)에 의해 흡착플레이트(1300)는 Y축 이동이 가능하다. 또한, 이송로봇(1301)은 회전가능하게 구성되며, 이를 통해, 흡착플레이트(1300)는 θ방향 회전이 가능하다.A transfer robot 1301 is provided below the attraction plate 1300 and the attraction plate 1300 can be moved in the Y axis by the transfer robot 1301. In addition, the transfer robot 1301 is configured to be rotatable, whereby the attracting plate 1300 can rotate in the &thetas; direction.

또한, 흡착플레이트(1300)는 일체형으로 구비될 수도 있지만 흡착플레이트(1300)의 유지 보수를 위해 흡착플레이트(1300)의 상부와 하부가 분리 구성되어 교체 가능하도록 구성될 수 있다. 이때, 흡착플레이트(1300)는 이송로봇(1301)의 상부에 연결되며 내부에 제1, 제2, 제3, 제4유로(1311, 1312, 1321, 1322)가 형성된 흡착플레이트 바디(1300b)와, 흡착플레이트 바디(1300b)의 상부에 구비되어, 상부에 안착되는 반도체 스트립(S)을 흡착하기 위해 흡착플레이트 바디(1300b)에 결합되고, 흡착플레이트 바디(1300b)의 제1, 제2, 제3, 제4유로(1311, 1312, 1321, 1322)가 상부방향으로 연통하는 제1, 제2, 제3, 제4연통홀(1311a, 1312a, 1321a, 1322a)이 형성된 흡착플레이트 커버(1300a)로 구성될 수 있다.In addition, although the adsorption plate 1300 may be integrally formed, the upper and lower portions of the adsorption plate 1300 may be configured to be separated and replaceable for maintenance of the adsorption plate 1300. The adsorption plate 1300 includes an adsorption plate body 1300b connected to the upper portion of the transfer robot 1301 and having first, second, third and fourth flow paths 1311, 1312, 1321 and 1322 formed therein, And is disposed on the upper part of the adsorption plate body 1300b and is coupled to the adsorption plate body 1300b for adsorbing the semiconductor strip S which is seated on the upper part, Third, and fourth communication holes 1311a, 1312a, 1321a, and 1322a in which the first, second, third, and fourth flow paths 1311, 1312, 1321, ≪ / RTI >

또한, 흡착플레이트 바디(1300b)와 흡착플레이트 커버(1300a)는 체결수단(1370)에 의해 착탈가능하게 결합될 수 있으며 체결수단(1370)은 일 예로, 매미고리를 이용할 수 있고 이를 통해 유지 보수시 흡착플레이트 커버(1300a)를 흡착플레이트 바디(1300b)로부터 쉽게 분리 할 수 있고, 교체가능하다. 즉, 흡착플레이트 커버(1300a)는 흡착플레이트 바디(1300b)로부터 교체 가능하도록 착탈 가능하게 구비될 수 있다.In addition, the suction plate body 1300b and the suction plate cover 1300a can be detachably coupled by the fastening means 1370. The fastening means 1370 can use, for example, a cicada ring, The adsorption plate cover 1300a can be easily separated from the adsorption plate body 1300b and is replaceable. That is, the adsorption plate cover 1300a may be detachably provided from the adsorption plate body 1300b.

흡착플레이트 커버(1300a)에는 상부에 안착되는 반도체 스트립(S)을 흡착하기 위한 흡착홀이 형성되고, 흡착플레이트(1300)의 상부에는 반도체 스트립(S)을 안정적으로 흡착하기 위한 연질의 돌출된 흡착패드가 복수개 구비될 수 있다.The adsorption plate cover 1300a is provided with an adsorption hole for adsorbing the semiconductor strip S to be seated on the upper portion and a soft protruding adsorption A plurality of pads may be provided.

흡착패드는 후술할 제1유로(1311) 상에 구비되어 제1유로(1311)와 연통되는 복수개의 제1흡착패드(1314)와, 제2유로(1312) 상에 구비되어 제2유로(1312)와 연통되는 복수개의 제2흡착패드(1315)와, 제3유로(1321) 상에 구비되어 제3유로(1321)와 연통되는 복수개의 제3흡착패드(1315)와, 제4유로(1322) 상에 구비되어 제4유로(1322)와 연통되는 복수개의 제4흡착패드(1325)로 이루어질 수 있다.The adsorption pad includes a plurality of first adsorption pads 1314 provided on a first flow path 1311 to communicate with the first flow path 1311 and a plurality of second adsorption pads 1314 provided on the second flow path 1312, A plurality of third adsorption pads 1315 provided on the third flow path 1321 and communicating with the third flow path 1321 and a plurality of third adsorption pads 1315 communicating with the fourth flow path 1322 And a plurality of fourth adsorption pads 1325 which are provided on the first channel 1322 and communicate with the fourth channel 1322.

도 3 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 흡착력을 이용하여 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착하는 영역을 의미한다.3 and 9, the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 are formed in the same direction as the semiconductor strip S S) on the lower surface.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)에서는 일례로써, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)에서 발생되는 흡착력이 진공에 의한 흡착력인 것을 기준으로 설명한다. 따라서, 흡착력은 정전기력 등 다른 수단을 통해 이루어질 수도 있다.In the semiconductor material cutting apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention, the adsorption force generated in the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 is an adsorption force by vacuum, for example. Thus, the attraction force may be achieved through other means such as electrostatic force.

제2흡착영역(1320)은 제1흡착영역(1310)의 주변에 배치되도록 형성된다. 이 경우, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 흡착플레이트(1300)의 상면에 형성되며, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)은 서로 중첩되지 않게 배치된다.The second adsorption region 1320 is formed to be disposed around the first adsorption region 1310. In this case, the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 are formed on the upper surface of the adsorption plate 1300, and the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 do not overlap each other .

제2흡착영역(1320)은 제1흡착영역(1310)의 주변에 배치됨과 동시에, 제2흡착영역(1320)의 전후 방향 폭 및 좌우 방향 폭은 제1흡착영역(1310)의 전후 방향 폭 및 좌우 방향 폭보다 크게 형성된다. 따라서, 제1흡착영역(1310)은 전후 방향 및 좌우 방향에서 제2흡착영역(1320)의 내측에 위치하게 된다.The second adsorption region 1320 is disposed in the periphery of the first adsorption region 1310 and the width in the front-back direction and the width in the left-right direction of the second adsorption region 1320 are equal to the front- And is formed larger than the lateral width. Therefore, the first adsorption region 1310 is located inside the second adsorption region 1320 in the front-back direction and the left-right direction.

제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착은 개별적으로 제어 가능하게 구성된다. 이처럼 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 개별적으로 제어 가능함에 따라, 반도체 스트립(S)의 크기에 대응하여, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착을 선택적으로 할 수 있다.The adsorption of the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 is separately controllable. Since the adsorption of the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 can be individually controlled as described above, the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 correspond to the size of the semiconductor strip S. Accordingly, 1320 can be selectively adsorbed.

다시 말해, 반도체 스트립(S)의 크기에 따라 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에 인가되는 공압은 선택적으로 제어될 수 있는 것이다. 따라서, 흡착플레이트(1300)에 공급된 반도체 스트립(S)의 크기에 따라, 제1흡착영역(1310)에만 공압을 인가하거나, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)에 모두 공압을 인가할 수 있다.In other words, the pneumatic pressure applied to the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 can be selectively controlled according to the size of the semiconductor strip S. Therefore, depending on the size of the semiconductor strip S supplied to the adsorption plate 1300, pneumatic pressure may be applied only to the first adsorption region 1310, or both the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 Air pressure can be applied.

이하, 전술한 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 will be described in more detail.

먼저, 제1흡착영역(1310)에 대해 설명한다.First, the first adsorption region 1310 will be described.

제1흡착영역(1310)은 흡착플레이트(1300)의 내측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 기능을 하도록 흡착플레이트(1300)에 구비된다.The first adsorption region 1310 is provided in the adsorption plate 1300 so as to function to adsorb the semiconductor strip S on the inner upper side of the adsorption plate 1300.

제1흡착영역(1310)은 도 6, 도 7 및 도 9(a)에 도시된 바와 같이, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에서 전후방향으로 형성되는 제1유로(1311)와, 제1유로(1311) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제1흡착패드(1314)와, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에서 전후방향으로 형성되고, 제1유로(1311)와 연통되는 제2유로(1312)와, 제2유로(1312) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제2흡착패드(1315)를 포함하여 구성된다.The first adsorption region 1310 includes a first flow channel 1311 formed in the front and back direction on the left side of the center line C of the adsorption plate 1300, A first adsorption pad 1314 disposed on the first flow path 1311 and adapted to adsorb the semiconductor strip S in contact with the lower surface of the semiconductor strip S and a second adsorption pad 1314 disposed on the right side of the center line C of the adsorption plate 1300 A second flow path 1312 formed in the front and rear direction in the first flow path 1312 and communicating with the first flow path 1311 and a second flow path 1312 disposed on the second flow path 1312 and contacting the bottom surface of the semiconductor strip S, And a second adsorption pad 1315 for adsorbing the adsorbed water.

제1, 제2유로(1311, 1312)는 제1흡착영역(1310)에 공압을 인가하는 기능을 한다.The first and second flow paths 1311 and 1312 function to apply a pneumatic pressure to the first adsorption region 1310.

제1유로(1311)와 제2유로(1312)는 제1연결부(1313)에 의해 서로 연통되어 있다.The first flow path 1311 and the second flow path 1312 are communicated with each other by a first connection portion 1313.

제1연결부(1313)는 제1유로(1311)와 제2유로(1312) 사이에 형성되며, 이로 인해, 제1, 제2유로(1311, 1312) 및 제1연결부(1313)는 "H"자 형상을 갖는다. The first connection portion 1313 is formed between the first flow path 1311 and the second flow path 1312 so that the first and second flow paths 1311 and 1312 and the first connection portion 1313 are connected to the " Shape.

다시 말해, 제1유로(1311)와 제2유로(1312)는 제1연결부(1313), 즉, 연통유로에 의해 "H"자 형상을 갖는 것이다.In other words, the first flow path 1311 and the second flow path 1312 have the "H" shape by the first connection portion 1313, that is, the communication flow path.

제1유로(1311)는 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다.The first flow path 1311 is spaced apart from the left side of the center line C of the suction plate 1300 and is formed long in the front-back direction.

제1유로(1311)에는 상부 방향으로 개구된 제1연통홀(1311a)이 형성되며, 이러한 제1연통홀(1311a)에는 제1흡착패드(1314)의 제1구멍(1314a)이 연통된다.A first communication hole 1311a opened upward is formed in the first flow path 1311 and a first hole 1314a of the first adsorption pad 1314 is communicated with the first communication hole 1311a.

제1흡착패드(1314)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The first adsorption pad 1314 contacts the lower surface of the semiconductor strip S and adsorbs the semiconductor strip S. The first adsorption pad 1314 is disposed on the left side of the center line C of the adsorption plate 1300, And is formed to protrude upward in the upper surface.

제1흡착패드(1314)의 중앙에는 제1연통홀(1311a)과 연통되는 제1구멍(1314a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제1흡착패드(1314)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A first hole 1314a communicating with the first communication hole 1311a is formed in the center of the first absorption pad 1314. When the semiconductor strip S is mounted on the absorption plate 1300, The upper surface of the pad 1314 abuts the lower surface of the semiconductor strip S.

전술한 제1연통홀(1311a)은 제1유로(1311)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제1연통홀(1311a)의 개수와 동일하게 제1흡착패드(1314)도 제1유로(1311)의 전후 방향으로 제1유로(1311) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of first communication holes 1311a may be provided in the front-rear direction of the first flow path 1311. The first adsorption pad 1314 may be formed in the same manner as the first communication holes 1311a, A plurality of the flow paths 1311 may be provided on the first flow path 1311 in the front-rear direction of the flow path 1311.

제2유로(1312)는 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다. The second flow path 1312 is spaced apart from the right side of the center line C of the suction plate 1300 and is elongated in the front-back direction.

제2유로(1312)에는 상부 방향으로 개구된 제2연통홀(1312a)이 형성되며, 이러한 제2연통홀(1312a)에는 제2흡착패드(1315)의 제2구멍(1315a)이 연통된다.A second communication hole 1312a opened upward is formed in the second flow path 1312 and a second hole 1315a of the second adsorption pad 1315 is communicated with the second communication hole 1312a.

전술한 제1, 제2유로(1311, 1312)는 후술할 제3, 제4유로(1321, 1322)에 비해 유로의 길이가 짧게 구비된다. 이렇게 유로의 길이가 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에서 다르게 구성함으로써 소형 반도체 스트립(S)을 흡착시 진공리크나 누설없이 안정적으로 반도체 스트립(S)을 흡착할 수 있고, 대형 반도체 스트립(S)의 경우에도 특정 영역에 치우치지 않고 고르게 대면적을 흡착할 수 있게 된다.The first and second flow paths 1311 and 1312 described above have a shorter flow path length than the third and fourth flow paths 1321 and 1322 described later. By configuring the length of the flow path differently in the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320, it is possible to stably adsorb the semiconductor strip S without vacuum leakage or leakage during the adsorption of the small semiconductor strip S , And even in the case of the large semiconductor strip (S), the large area can be adsorbed evenly without being shifted to a specific area.

제2흡착패드(1315)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The second adsorption pad 1315 contacts the lower surface of the semiconductor strip S and adsorbs the semiconductor strip S. The second adsorption pad 1315 is disposed on the right side of the center line C of the adsorption plate 1300, And is formed to protrude upward in the upper surface.

제2흡착패드(1315)의 중앙에는 제2연통홀(1312a)과 연통되는 제2구멍(1315a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제2흡착패드(1315)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A second hole 1315a communicating with the second communication hole 1312a is formed at the center of the second adsorption pad 1315. When the semiconductor strip S is seated on the adsorption plate 1300, The upper surface of the pad 1315 contacts the lower surface of the semiconductor strip S.

전술한 제2연통홀(1312a)은 제2유로(1312)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제2연통홀(1312a)의 개수와 동일하게 제2흡착패드(1315)도 제2유로(1312)의 전후 방향으로 제2유로(1312) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of the second communication holes 1312a may be provided in the front and rear direction of the second flow path 1312. The second adsorption pad 1315 may be formed in the same manner as the second communication holes 1312a, A plurality of the flow paths 1312 may be provided on the second flow path 1312 in the front-back direction of the flow path 1312.

제1, 제2흡착패드(1314, 1315)는 고무 등과 같은 연질의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)가 연질의 재질로 이루어짐에 따라, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)와 반도체 스트립(S)의 하면이 더욱 밀착되게 할 수 있으며, 이를 통해, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)의 흡착력을 극대화시킬 수 있다. 특히, 흡착플레이트(1300)가 금속 재질로 이루어질 경우, 반도체 스트립(S)을 흡착하는 흡착력이 떨어질 수 있는데, 전술한 바와 같이, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)가 연질의 재질로 구성됨에 따라, 이러한 문제점을 쉽게 해결할 수 있다.The first and second adsorption pads 1314 and 1315 are preferably made of a soft material such as rubber. Since the first and second adsorption pads 1314 and 1315 are made of a soft material, the lower surfaces of the first and second adsorption pads 1314 and 1315 and the semiconductor strip S can be more closely contacted, The adsorption force of the first and second adsorption pads 1314 and 1315 can be maximized. In particular, when the adsorption plate 1300 is made of a metal material, the adsorption force for adsorbing the semiconductor strip S may be deteriorated. As described above, the first and second adsorption pads 1314 and 1315 are made of a soft material As such, this problem can be solved easily.

제1연결부(1313)에는 제1흡입구(1313a)가 형성되며, 제1흡입구(1313a)는 공기를 흡입하는 제1흡입부(미도시)와 연통되어 있다.The first connection portion 1313 is formed with a first suction port 1313a, and the first suction port 1313a is in communication with a first suction portion (not shown) for sucking air.

반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착된 후, 제1흡입부가 작동하여 흡입력이 작용하면 제1, 제2유로(1311, 1312)의 공기가 제1흡입부로 흡입되며, 이를 통해, 제1, 제2유로(1311, 1312)와 각각 연통된 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)에 흡입력이 작용하게 된다. 따라서, 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)의 제1, 제2구멍은 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착하게 되며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트에 진공으로 흡착된다. 다시 말해, 제1흡입부, 제1, 제2유로(1311, 1312)를 통해 공압이 인가됨으로써, 제1흡착영역(1310)에서 흡착이 이루어지는 것이다.After the semiconductor strip S is seated on the suction plate 1300, when the first suction portion is actuated and the suction force acts, air in the first and second flow paths 1311 and 1312 is sucked into the first suction portion, A suction force acts on the first and second adsorption pads 1314 and 1315 which are in communication with the first and second flow paths 1311 and 1312, respectively. Therefore, the first and second holes of the first and second adsorption pads 1314 and 1315 adsorb the lower surface of the semiconductor strip S, through which the semiconductor strip S is adsorbed in vacuum on the adsorption plate . In other words, adsorption is performed in the first adsorption region 1310 by applying pneumatic pressure through the first suction portion and the first and second flow paths 1311 and 1312.

전술한 구성을 갖는 제1흡착영역(1310)은 반도체 스트립(S)의 하면의 내측 영역을 흡착하게 된다. 따라서, 도 5의 대형 크기의 반도체 스트립(S) 또는 도 10(b)의 중형 크기의 반도체 스트립(S) 또는 도 11(b)의 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 하면의 내측 영역을 흡착할 수 있다.The first adsorption region 1310 having the above-described structure adsorbs the inner region of the lower surface of the semiconductor strip S. Therefore, the inner region of the lower surface of the semiconductor strip S of the large size of FIG. 5 or the semiconductor strip S of the medium size of FIG. 10 (b) or the semiconductor strip S of the small size of FIG. can do.

이하, 제2흡착영역(1320)에 대해 설명한다.Hereinafter, the second adsorption region 1320 will be described.

제2흡착영역(1320)은 흡착플레이트(1300)의 외측 상부에서 반도체 스트립(S)을 흡착하는 기능을 하도록 흡착플레이트(1300)에 구비된다.The second adsorption region 1320 is provided in the adsorption plate 1300 so as to function to adsorb the semiconductor strip S on the outer side of the adsorption plate 1300.

제2흡착영역(1320)은 도 6, 도 8 및 도 9(b)에 도시된 바와 같이, 제1유로(1311)의 좌측에서 전후방향으로 형성되는 제3유로(1321)와, 제3유로(1321) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제3흡착패드(1324)와, 제2유로(1312)의 우측에서 전후방향으로 형성되고, 제3유로(1321)와 연통되는 제4유로(1322)와, 제4유로(1322) 상에 배치되고, 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 제4흡착패드(1325)를 포함하여 구성된다.6, 8, and 9 (b), the second adsorption region 1320 includes a third flow path 1321 formed in the front-rear direction on the left side of the first flow path 1311, A third adsorption pad 1324 which is arranged on the lower surface of the semiconductor strip S and adsorbs the semiconductor strip S in contact with the lower surface of the semiconductor strip S, The fourth adsorption pad 1325 is disposed on the fourth flow path 1322 and is in contact with the lower surface of the semiconductor strip S to adsorb the semiconductor strip S. The fourth adsorption pad 1325 is disposed on the fourth flow path 1322, ).

도면에 도시되지는 않았으나, 제3유로(1321)와 제4유로(1322)는 제2연결부에 의해 서로 연통될 수 있으며, 이 경우, 제2연결부는 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 전방 또는 후방에 위치하도록 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, the third and fourth flow paths 1321 and 1322 may communicate with each other by a second connection portion. In this case, the second connection portion may include a third flow path 1321 and a fourth flow path 1322, respectively.

제2연결부에는 제2흡입구가 형성되며, 제2흡입구는 공기를 흡입하는 제2흡입부(미도시)와 연통되어 있다.A second suction port is formed in the second connection portion, and the second suction port is in communication with a second suction portion (not shown) for sucking air.

제3, 제4유로(1321, 1322)는 제2흡착영역(1320)에 공압을 인가하는 기능을 한다.The third and fourth flow paths 1321 and 1322 function to apply a pneumatic pressure to the second adsorption region 1320.

제3유로(1321)는 제1유로(1311)의 좌측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다.The third flow path 1321 is spaced apart from the left side of the first flow path 1311 and is formed long in the front-rear direction.

제3유로(1321)에는 상부 방향으로 개구된 제3연통홀(1321a)이 형성되며, 이러한 제3연통홀(1321a)에는 제3흡착패드(1324)의 제3구멍(1324a)이 연통된다.A third communication hole 1321a opened upward is formed in the third flow path 1321 and a third hole 1324a of the third adsorption pad 1324 is communicated with the third communication hole 1321a.

제3흡착패드(1324)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 좌측에 배치되도록 제1흡착패드(1314)와 이격된채 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The third adsorption pad 1324 contacts the bottom surface of the semiconductor strip S and adsorbs the semiconductor strip S. The first adsorption pad 1314 is disposed so as to be located on the left side of the center line C of the adsorption plate 1300 And is formed to protrude upward from the upper surface of the adsorption plate 1300 while being spaced apart from the adsorption plate 1300.

제3흡착패드(1324)의 중앙에는 제3연통홀(1321a)과 연통되는 제3구멍(1324a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제3흡착패드(1324)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A third hole 1324a communicating with the third communication hole 1321a is formed at the center of the third adsorption pad 1324. When the semiconductor strip S is seated on the adsorption plate 1300, The upper surface of the pad 1324 contacts the lower surface of the semiconductor strip S.

전술한 제3연통홀(1321a)은 제3유로(1321)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제3연통홀(1321a)의 개수와 동일하게 제3흡착패드(1324)도 제3유로(1321)의 전후 방향으로 제3유로(1321) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of third communicating holes 1321a may be provided in the front-rear direction of the third flow path 1321. The third adsorption pad 1324 may be formed in the same manner as the third communicating holes 1321a, A plurality of the flow paths may be provided on the third flow path 1321 in the front-rear direction of the flow path 1321.

제4유로(1322)는 제2유로(1312)의 우측에 이격되게 형성되며, 전후방향으로 길게 형성된다. The fourth flow path 1322 is spaced apart from the right side of the second flow path 1312, and is formed long in the front-back direction.

제4유로(1322)에는 상부 방향으로 개구된 제4연통홀(1322a)이 형성되며, 이러한 제4연통홀(1322a)에는 제4흡착패드(1325)의 제4구멍(1325a)이 연통된다.A fourth communication hole 1322a opened upward is formed in the fourth flow path 1322 and a fourth hole 1325a of the fourth absorption pad 1325 is communicated with the fourth communication hole 1322a.

제4흡착패드(1325)는 반도체 스트립(S)의 하면에 접하여 반도체 스트립(S)을 흡착시키는 기능을 하며, 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)의 우측에 배치되도록 제2흡착패드(1315) 및 제3흡착패드(1324)와 이격된채 흡착플레이트(1300)의 상면에 상부 방향으로 돌출되게 형성된다.The fourth adsorption pad 1325 functions to adsorb the semiconductor strip S in contact with the bottom surface of the semiconductor strip S. The second adsorption pad 1315 is disposed to the right of the center line C of the adsorption plate 1300, And the third adsorption pad 1324 while being spaced apart from the third adsorption pad 1324 and protruding upward from the upper surface of the adsorption plate 1300.

제4흡착패드(1325)의 중앙에는 제4연통홀(1322a)과 연통되는 제4구멍(1325a)이 형성되어 있으며, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 제4흡착패드(1325)의 상면이 반도체 스트립(S)의 하면에 접한다.A fourth hole 1325a communicating with the fourth communication hole 1322a is formed at the center of the fourth absorption pad 1325. When the semiconductor strip S is seated on the absorption plate 1300, The upper surface of the pad 1325 contacts the lower surface of the semiconductor strip S.

전술한 제4연통홀(1322a)은 제4유로(1322)의 전후 방향으로 복수개가 구비될 수 있으며, 이러한 제4연통홀(1322a)의 개수와 동일하게 제4흡착패드(1325)도 제4유로(1322)의 전후 방향으로 제4유로(1322) 상에 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of fourth communication holes 1322a may be provided in the forward and backward directions of the fourth flow path 1322. The fourth adsorption pad 1325 may be formed in the same manner as the fourth communication holes 1322a, A plurality of valves may be provided on the fourth flow path 1322 in the front-rear direction of the flow path 1322.

제3, 제4흡착패드(1324, 1325)는 고무 등과 같은 연질의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)가 연질의 재질로 이루어짐에 따라, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)와 반도체 스트립(S)의 하면이 더욱 밀착되게 할 수 있으며, 이를 통해, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 흡착력을 극대화시킬 수 있다. 특히, 흡착플레이트(1300)가 금속 재질로 이루어질 경우, 반도체 스트립(S)을 흡착하는 흡착력이 떨어질 수 있는데, 전술한 바와 같이, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)가 연질의 재질로 구성됨에 따라, 이러한 문제점을 쉽게 해결할 수 있다.The third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 are preferably made of a soft material such as rubber. Since the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 are made of a soft material, the lower surfaces of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 and the semiconductor strip S can be made more closely contacted. The adsorption force of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 can be maximized. Particularly, when the adsorption plate 1300 is made of a metal material, the adsorption force for adsorbing the semiconductor strip S may be deteriorated. As described above, the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 are made of a soft material As such, this problem can be solved easily.

전술한 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동하면, 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)에 삽입되며, 이로 인해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 의해 덮여 가려지게 된다.When the first and second inlet rails 1500 and 1600 move in the direction of the adsorption plate 1300, the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 are separated from the first and second adsorption pad escape grooves 1511, 1611, thereby being covered by the first and second inlet rails 1500, 1600.

제2연결부는 공기를 흡입하는 제2흡입부(미도시)와 연통되어 있다. The second connection portion is in communication with a second suction portion (not shown) for sucking air.

반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착된 후, 제2흡입부가 작동하여 흡입력이 작용하면 제3, 제4유로(1321, 1322)의 공기가 제2흡입부로 흡입되며, 이를 통해, 제3, 제4유로(1321, 1322)와 각각 연통된 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)에 흡입력이 작용하게 된다. 따라서, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 제3, 제4구멍은 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착하게 되며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트에 진공으로 흡착된다. 다시 말해, 제2흡입부, 제3, 제4유로(1321, 1322)를 통해 공압이 인가됨으로써, 제2흡착영역(1320)에서 흡착이 이루어지는 것이다.After the semiconductor strip S is seated on the suction plate 1300, when the second suction portion is actuated and a suction force is applied, the air of the third and fourth flow paths 1321 and 1322 is sucked into the second suction portion, A suction force acts on the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325, which are in communication with the third and fourth flow paths 1321 and 1322, respectively. The third and fourth holes of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 adsorb the lower surface of the semiconductor strip S through which the semiconductor strip S is adsorbed in vacuum on the adsorption plate . In other words, adsorption is performed in the second adsorption region 1320 by applying pneumatic pressure through the second suction portion, the third and fourth flow paths 1321 and 1322, and the like.

전술한 구성을 갖는 제2흡착영역(1320)은 반도체 스트립(S)의 하면의 외측 영역을 흡착하게 된다. 따라서, 도 5의 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 하면의 외측 영역을 흡착할 수 있다. 그러나, 제2흡착영역(1320)은 도 10(b)의 중형 크기의 반도체 스트립(S)과 도 11(b)의 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 전후 방향 폭 및 좌우 방향 폭보다 외측에 위치하므로, 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 하면을 흡착할 수 없다.The second adsorption region 1320 having the above-described configuration adsorbs the outer region of the lower surface of the semiconductor strip S. Therefore, the outer region of the lower surface of the large-sized semiconductor strip S in Fig. 5 can be adsorbed. However, the second adsorption region 1320 is located outside the semiconductor strip S of the medium size in Fig. 10 (b) and the semiconductor strip S of the small size in Fig. 11 (b) The lower surface of the semiconductor strip S having a small size can not be absorbed.

다시 말해, 전술한 제1흡착영역(1310)은 소형 크기의 반도체 스트립(S), 중형 크기의 반도체 스트립(S) 및 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 모두 흡착할 수 있는 반면, 제2흡착영역(1320)은 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 흡착할 수 있는 것이다.In other words, the above-described first adsorption region 1310 can adsorb both the small size semiconductor strip S, the medium size semiconductor strip S and the large size semiconductor strip S, The region 1320 is capable of adsorbing a semiconductor strip S of a large size.

이하, 제1정렬블럭(1330) 및 제2정렬블럭(1340)에 대해 설명한다.Hereinafter, the first alignment block 1330 and the second alignment block 1340 will be described.

제1정렬블럭(1330)은 제1흡착영역(1310)의 전방에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 전방 중앙에 설치된다.The first sorting block 1330 is installed at the front center of the adsorption plate 1300 so as to be disposed in front of the first adsorption region 1310.

제1정렬블럭(1330)의 양측, 즉, 제1정렬블럭(1330)의 좌측 및 우측에는 상부 방향으로 돌출된 제1돌출부(1331)가 형성된다. 따라서, 제1돌출부(1331)는 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측 각각에 이격되게 위치한다.A first protrusion 1331 protruding upward is formed on both sides of the first alignment block 1330, that is, on the left and right sides of the first alignment block 1330. Accordingly, the first projections 1331 are spaced apart from each other on the left and right sides with respect to the center line of the attracting plate 1300.

제1돌출부(1331)의 상면에는 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)와 대응되는 제1피듀셜마크(1332)가 전후방향으로 복수개 구비되어 있다.A plurality of first fiducial marks 1332 corresponding to the forward reference mark M1 of the semiconductor strip S are provided on the upper surface of the first projection 1331 in the front-rear direction.

따라서, 제1정렬블럭(1330)의 상면, 즉, 제1돌출부(1331)의 상면에는 복수개의 제1피듀셜마크(1332)가 전후방향으로 구비되어 있으며, 이로 인해, 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측에 전후방향으로 복수개의 제1피듀셜마크(1332)가 2열로 배치된다.A plurality of first fiducial marks 1332 are provided in the front-rear direction on the upper surface of the first alignment block 1330, that is, on the upper surface of the first projection 1331, A plurality of first fiducial marks 1332 are arranged in two rows in the front-rear direction on the left and right sides with respect to the center line.

제2정렬블럭(1340)은 제1흡착영역(1310)의 후방에 배치되도록 흡착플레이트(1300)의 후방 중앙에 설치된다.The second alignment block 1340 is installed at the rear center of the adsorption plate 1300 so as to be disposed behind the first adsorption area 1310.

제2정렬블럭(1340)의 양측, 즉, 제2정렬블럭(1340)의 좌측 및 우측에는 상부 방향으로 돌출된 제2돌출부(1341)가 형성된다. 따라서, 제2돌출부(1341)는 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측 각각에 이격되게 위치한다.A second protrusion 1341 protruding upward is formed on both sides of the second alignment block 1340, that is, on the left and right sides of the second alignment block 1340. Thus, the second projecting portions 1341 are located on the left and right sides of the center of the suction plate 1300, respectively.

제2돌출부(1341)의 상면에는 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)와 대응되는 제2피듀셜마크(1342)가 전후방향으로 복수개 구비되어 있다.A plurality of second fiducial marks 1342 corresponding to the rear reference mark M2 of the semiconductor strip S are provided on the upper surface of the second projection 1341 in the forward and backward directions.

따라서, 제2정렬블럭(1340)의 상면, 즉, 제2돌출부(1341)의 상면에는 복수개의 제2피듀셜마크(1342)가 전후방향으로 구비되어 있으며, 이로 인해, 흡착플레이트(1300)의 중심선을 기준으로 좌우측에 전후방향으로 복수개의 제2피듀셜마크(1342)가 2열로 배치된다.A plurality of second fiducial marks 1342 are provided in the front and rear direction on the upper surface of the second alignment block 1340, that is, on the upper surface of the second projection 1341, A plurality of second fiducial marks 1342 are arranged in two rows in the front-rear direction on the left and right sides with respect to the center line.

제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)는 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 흡착되어 안착될 때, 전방 기준마크(M1) 및 후방 기준마크(M2)와 함께 스트립픽커(2000)의 스트립비전(2300)에 의해 반도체 스트립(S)의 정렬 상태를 검사하는 기준점이 된다.The first and second fiducial marks 1332 and 1342 are formed in the strip picker 1300 together with the front fiducial mark M1 and the rear fiducial mark M2 when the semiconductor strip S is attracted to and adhered to the adsorption plate 1300 2000 is a reference point for inspecting the alignment state of the semiconductor strip S by the strip vision 2300 of FIG.

제1, 제2돌출부(1331, 1341)의 돌출길이는 흡착플레이트(1300)의 상면의 높이보다 낮게 형성된다. 따라서, 제1, 제2돌출부(1331, 1341)의 상면은 흡착플레이트(1300)의 상면보다 낮은 위치에 위치한다. 이러한 제1, 제2돌출부(1331, 1341)의 상면과 흡착플레이트(1300)의 상면의 높이 차로 인해, 제1, 제2돌출부(1331, 1341)가 반도체 스트립(S)의 하면에 접하지 않게 되며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 용이하게 흡착되어 안착될 수 있다.The projection length of the first and second projections 1331 and 1341 is formed to be lower than the height of the upper surface of the attraction plate 1300. Therefore, the upper surfaces of the first and second projections 1331 and 1341 are positioned lower than the upper surface of the attracting plate 1300. [ The first and second protrusions 1331 and 1341 do not contact the bottom surface of the semiconductor strip S due to the difference in height between the upper surface of the first and second protrusions 1331 and 1341 and the upper surface of the absorption plate 1300 Through which the semiconductor strip S can be easily adsorbed and seated on the adsorption plate 1300.

복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치하는 제1피듀셜마크(1332)는 제2흡착영역(1320)보다 흡착플레이트(1300)의 전방에 위치한다. 다시 말해, 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치하는 제1피듀셜마크(1332)는 제2흡착영역(1320)의 복수개의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325) 중 최전방에 위치하는 흡착패드보다 전방에 위치한다.The first fiducial mark 1332 located at the foremost position among the plurality of first fiducial marks 1332 is positioned in front of the adsorption plate 1300 than the second adsorption region 1320. In other words, the first fiducial mark 1332 positioned at the foremost position among the plurality of first fiducial marks 1332 is a portion of the plurality of third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 of the second adsorption region 1320 And is positioned forward of the adsorption pad located at the frontmost position.

복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치하는 제2피듀셜마크(1342)는 제2흡착영역(1320)보다 흡착플레이트(1300)의 후방에 위치한다. 다시 말해, 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치하는 제2피듀셜마크(1342)는 제2흡착영역(1320)의 복수개의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325) 중 최후방에 위치하는 흡착패드보다 후방에 위치한다.The second fiducial mark 1342 located at the rear of the second fiducial marks 1342 is positioned behind the adsorption plate 1300 rather than the second adsorption region 1320. [ The second fiducial mark 1342 located at the rear of the plurality of second fiducial marks 1342 is positioned at a position corresponding to the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 of the second adsorption region 1320, Of the adsorbing pad.

위와 같은, 최전방 및 최후방에 위치하는 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)의 배치로 인해, 반도체 스트립(S)의 크기가 달라짐에 따라 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1)의 사이의 거리 또는 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2) 사이의 거리가 멀어지게 되어 스트립비전(2300)를 통한 반도체 스트립(S)의 정렬 상태 검사 용이하게 이루어지지 않는 것을 방지할 수 있다.Due to the arrangement of the first and second fiducial marks 1332 and 1342 located at the foremost and the last fiducials as described above, the size of the semiconductor strip S varies, and thus the first fiducial mark 1332 and the forward reference The distance between the mark M1 and the distance between the second fiducial mark 1342 and the rear reference mark M2 is increased so that the alignment state of the semiconductor strip S is easily checked through the strip vision 2300 Can be prevented.

상세하게 설명하면, 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 흡착되어 안착된 후, 스트립픽커(2000)의 스트립비전(2300)은 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1) 및 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2)를 촬상하여 반도체 스트립(S)의 정렬 상태를 검사한 후, 반도체 스트립(S)의 위치가 정위치에 있지 않을 경우, 흡착플레이트(1300)가 Y축 방향 및 θ방향을 보정하여 반도체 스트립(S)의 위치를 정위치로 정렬시키게 된다.The strip vision 2300 of the strip picker 2000 is positioned between the first fiducial mark 1332 and the forward reference mark M1, And the second fiducial mark 1342 and the rear fiducial mark M2 to inspect the alignment state of the semiconductor strip S. If the position of the semiconductor strip S is not in the correct position, 1300 corrects the Y-axis direction and the? Direction to align the position of the semiconductor strip S to the correct position.

이러한 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1) 및 후방 피듀셜 마크(M2)는 반도체 스트립(S)의 전방 및 후방에 형성되는데, 이로 인해, 반도체 스트립(S)의 크기가 달라지면, 전방 기준마크(M1)와 후방 피듀셜 마크(M2)의 위치 또한 달라지게 된다. The front reference mark M1 and the rear fiducial mark M2 of the semiconductor strip S are formed in front of and behind the semiconductor strip S so that when the size of the semiconductor strip S is changed, The position of the mark M1 and the position of the rear fiducial mark M2 are also changed.

이처럼 전방 기준마크(M1)와 후방 피듀셜 마크(M2)의 위치가 달라짐에 따라, 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1)의 사이의 거리 또는 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2) 사이의 거리가 멀어지게 되면, 스트립비전(2300)의 촬상 정밀도가 떨어지게 되며, 이로 인해, 위치 오차가 발생될 수 있다.The distance between the first fiducial mark 1332 and the front reference mark M1 or the distance between the first fiducial mark 1332 and the front fiducial mark M1 can be changed according to the position of the front reference mark M1 and the rear fiducial mark M2, The imaging accuracy of the strip vision 2300 is deteriorated and a position error may be caused thereby.

예를 들어 설명하면, 스트립비전(2300)은 좌측에 위치한 정렬블럭, 즉, 제1정렬블럭(1330)에 형성된 제1피듀셜마크(1332)와 이와 인접한 위치에 형성된 반도체 스트립(S)에 마련된 전방 기준마크(M1)를 동시에 촬영하기 위해 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1)가 함께 스트립비전(2300)의 시야에 들어올 수 있도록 FOV(Fields of View)가 설정된다. 동시 촬영은 스트립비전(2300)이 반도체 스트립(S)를 촬영할 때 외력에 의한 진동이나 기타 외부 환경에 의해 정밀도가 저하되는 것을 방지 하기 위한 것으로, 고정된 위치에 있는 정렬블럭의 피듀셜마크를 기준으로 반도체 스트립(S)의 기준마크의 좌표를 결정하여 외력 등이 작용하더라도 정밀도 높게 반도체 스트립(S)의 위치를 촬상할 수 있다.For example, the strip vision 2300 includes a first alignment mark 1332 formed on a left alignment block, that is, a first alignment mark 1332 formed on a first alignment block 1330, and a second alignment mark 1332 formed on a semiconductor strip S A field of view (FOV) is set so that the first fiducial mark 1332 and the forward reference mark M1 can come together in the field of the strip vision 2300 to simultaneously photograph the forward reference mark M1. The simultaneous photographing is performed to prevent the precision of the strip vision 2300 from being lowered due to external vibration or other external environment when the semiconductor strip S is photographed. The coordinates of the reference mark of the semiconductor strip S can be determined to capture the position of the semiconductor strip S with high accuracy even when an external force or the like acts.

여기서 반도체 스트립(S)의 크기가 달라질 경우 스트립비전(2300)의 FOV를 변경할 수도 있으나 FOV가 커질 경우 촬영 정밀도가 떨어질 수 있으므로 FOV를 최적화한 상태에서 정렬블럭에 다양한 사이즈의 반도체 스트립(S)에 적용할 수 있도록 다수의 피듀셜마크를 반도체 스트립(S)의 장변 방향과 평행하게 복수개 마련하여, 반도체 스트립(S)의 크기에 상관없이 해당 피듀셜마크와 반도체 스트립(S)의 기준마크를 동시 촬영할 수 있다.If the size of the semiconductor strip S is changed, the FOV of the strip vision 2300 may be changed. However, if the FOV is increased, the imaging accuracy may be lowered. A plurality of fiducial marks may be provided parallel to the longitudinal direction of the semiconductor strip S so that the fiducial marks and the reference marks of the semiconductor strip S may be simultaneously You can shoot.

따라서, 전술한 바와 같이, 제1피듀셜마크(1332) 및 제2피듀셜마크(1342)를 전후 방향으로 복수개 구비함으로써, 반도체 스트립(S)의 다양한 크기에 대응할 수 있으며, 이로 인해, 스트립비전(2300)의 촬상시 정밀도가 떨어지는 문제를 해결할 수 있다.Therefore, as described above, by providing a plurality of the first fiducial marks 1332 and the second fiducial marks 1342 in the front-rear direction, it is possible to cope with various sizes of the semiconductor strips S, It is possible to solve the problem that the accuracy of image pickup by the image pickup device 2300 is low.

특히, 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치하는 제1피듀셜마크(1332)의 위치를 제2흡착영역(1320)보다 전방으로 위치시키고, 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치하는 제2피듀셜마크(1342)의 위치를 제2흡착영역(1320)보다 후방으로 위치시킴으로써, 제2흡착영역(1320)보다 전후 폭이 큰 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1) 및 후방 기준마크(M2)에 제1피듀셜마크(1332)와 제2피듀셜마크(1342)를 대응시킬 수 있는 효과가 있다.In particular, the position of the first fiducial mark 1332 located at the foremost position among the plurality of first fiducial marks 1332 is positioned forward of the second adsorption region 1320, and the positions of the plurality of second fiducial marks 1342 Of the large-sized semiconductor strip S (S) having a larger front-rear width than that of the second adsorption region 1320, by locating the position of the second fiducial mark 1342 located in the rear- The first fiducial mark 1332 and the second fiducial mark 1342 can be made to correspond to the front reference mark M1 and the rear reference mark M2 of the front fiducial mark M1.

또한, 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)은 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)상에 배치될 수 있다. 반도체 스트립(S)은 주로 폭방향으로 워피지가 발생하며 반도체 스트립(S)이 흡착된 상태에서 워피지 영향이 가장 적게 작용하는 지점에서 전, 후방 기준마크(M1, M2)를 촬상하여 스트립비전(2300)의 촬상 정밀도를 향상 시킬 수 있다.Also, the first and second alignment blocks 1330 and 1340 may be disposed on the center line C of the adsorption plate 1300. The semiconductor strip S primarily picks up the front and rear reference marks M1 and M2 at a point where warpage occurs in the width direction and the semiconductor strip S is adsorbed and the warp effect is minimized, It is possible to improve the imaging accuracy of the image sensor 2300.

또한, 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)의 상부에는 스트립픽커(2000)의 인터록핀(2600)이 삽입되는 하나 이상의 제1, 제2인터록핀홀(1333, 1343)이 마련되어 있다.At least one first and second interlock pinholes 1333 and 1343 in which the interlock pins 2600 of the strip picker 2000 are inserted are provided on the upper portions of the first and second alignment blocks 1330 and 1340.

반도체 스트립 감지센서(1350)는 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2유로(1311, 1312) 사이에 위치하도록 흡착플레이트(1300)의 중앙 전방에 설치된다. 반도체 스트립 감지센서(1350)는 흡착플레이트(1300)에 반도체 스트립(S)이 안착되어 있는지 여부를 감지하는 기능을 한다.The semiconductor strip detection sensor 1350 is installed in front of the center of the adsorption plate 1300 so as to be positioned between the first and second flow paths 1311 and 1312 of the first adsorption region 1310. The semiconductor strip detection sensor 1350 detects whether or not the semiconductor strip S is seated on the adsorption plate 1300.

반도체 스트립 감지센서(1350)가 제1, 제2유로(1311, 1312) 사이에 위치함에 따라, 다양한 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 흡착되어 안착되더라도, 반도체 스트립 감지센서(1350)의 위치는 항상 반도체 스트립(S)의 하부에 위치하게 된다. 따라서, 반도체 스트립(S)의 크기에 상관 없이 반도체 스트립(S)이 안착되어 있는지 여부를 용이하게 감지할 수 있다.Even if the semiconductor strips S of various sizes are adsorbed on and adhered to the adsorption plate 1300 as the semiconductor strip detection sensor 1350 is positioned between the first and second flow paths 1311 and 1312, 1350 are always located at the bottom of the semiconductor strip S. Therefore, it is possible to easily detect whether or not the semiconductor strip S is seated regardless of the size of the semiconductor strip S.

반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 정렬테이블(1100)의 중앙 후방에 설치된다. 반도체 스트립 도달감지센서(1360)는 반도체 스트립(S)이 온로더부로부터 공급될 때, 흡착플레이트(1300)의 후방 방향으로 정위치에 도달하였는지 여부를 감지하는 기능을 한다.The semiconductor strip arrival sensor 1360 is installed at the center rear of the alignment table 1100. The semiconductor strip arrival sensor 1360 detects whether or not the semiconductor strip S reaches a predetermined position in the backward direction of the adsorption plate 1300 when the semiconductor strip S is supplied from the on-loader section.

이하, 제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600)에 대해 설명한다.Hereinafter, the first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 will be described.

제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)은 매거진으로부터 인출되는 반도체 스트립(S)을 안내하며 Y축 방향으로 각각 이송 가능하게 구비된 한 쌍의 인렛레일이다.The first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 are a pair of inlet rails that guide the semiconductor strip S drawn out from the magazine and are respectively transportable in the Y axis direction.

여기서, 제1인렛레일(1500)은 흡착플레이트(1300)의 좌측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에 정렬테이블(1100)에서 좌우측으로 이동가능하게 설치되고, 제2인렛레일(1600)은 흡착플레이트(1300)의 우측에 배치되도록 정렬테이블(1100)에서 좌우측으로 이동가능하게 설치되며, 제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600)의 내측면 각각이 반도체 스트립(S)의 좌우측면에 접함으로써, 반도체 스트립(S)을 안내 및/또는 정렬시키는 기능을 한다.The first inlet rail 1500 is installed on the alignment table 1100 so as to be movable leftward and rightward in the alignment table 1100 so as to be disposed on the left side of the suction plate 1300. The second inlet rail 1600 is mounted on the suction plate The first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 are provided on the left and right sides of the alignment table 1100 so as to be disposed on the right side of the semiconductor strip S, Thereby aligning and / or aligning the semiconductor strip S.

제1인렛레일(1500)은 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)을 기준으로 좌측에 전후측 방향으로 정렬테이블(1100)에 형성되는 제1가이드홈(1120)에 설치된다. 따라서, 제1인렛레일(1500)이 제1가이드홈(1120)을 따라 이동함으로써, 정렬테이블(1100)에서 좌우측, 즉, Y축 방향으로 이동이 가능하다.The first inlet rail 1500 is installed in the first guide groove 1120 formed on the alignment table 1100 in the front and rear direction on the left side with respect to the center line C of the suction plate 1300. Accordingly, the first inlet rail 1500 moves along the first guide groove 1120, and thus it is possible to move left and right in the alignment table 1100, i.e., in the Y-axis direction.

제2인렛레일(1600)은 흡착플레이트(1300)의 중심선(C)을 기준으로 우측에 전후측 방향으로 정렬테이블(1100)에 형성되는 제2가이드홈(1130)에 설치된다. 따라서, 제2인렛레일(1600)이 제2가이드홈(1130)을 따라 이동함으로써, 정렬테이블(1100)에서 좌우측, 즉, Y축 방향으로 이동이 가능하다.The second inlet rail 1600 is installed in the second guide groove 1130 formed on the alignment table 1100 in the front and rear direction on the right side with respect to the center line C of the suction plate 1300. Accordingly, the second inlet rail 1600 moves along the second guide groove 1130 to move left and right in the alignment table 1100, i.e., in the Y-axis direction.

제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600) 각각은 제1가이드홈(1120) 및 제2가이드홈(1130)을 따라 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 로딩부(1000)의 내측 방향으로 이동됨으로써, 소형 크기의 반도체 스트립(S)을 안내할 수 있다.Each of the first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 extends along the first guide groove 1120 and the second guide groove 1130 in the direction of the attraction plate 1300, The semiconductor strip S of a small size can be guided.

또한, 제1인렛레일(1500) 및 제2인렛레일(1600) 각각은 제1가이드홈(1120) 및 제2가이드홈(1130)을 따라 흡착플레이트(1300)의 반대 방향, 즉, 로딩부(1000)의 외측 방향으로 이동됨으로써, 중형 또는 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 고정시킬 수 있다.Each of the first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 is disposed in a direction opposite to the adsorption plate 1300 along the first guide groove 1120 and the second guide groove 1130, The semiconductor strips S of medium or large size can be fixed.

다시 말해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 흡착플레이트(1300) 방향 또는 흡착플레이트(1300)의 반대 방향으로 이동함으로써, 반도체 스트립(S)의 좌우폭에 맞게 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 사이의 거리를 조절할 수 있는 것이다.In other words, the first and second inlet rails 1500 and 1600 move in the direction of the adsorption plate 1300 or the opposite direction of the adsorption plate 1300, The distance between the rails 1500 and 1600 can be adjusted.

제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)의 상면은 흡착플레이트(1300)의 상면보다 높은 위치에 위치한다. 따라서, 제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동되면, 제1인렛레일(1500)과 제2인렛레일(1600)은 흡착플레이트(1300)의 상면을 덮게 된다.The upper surfaces of the first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 are positioned higher than the upper surface of the adsorption plate 1300. When the first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 are moved in the direction of the adsorption plate 1300, the first inlet rail 1500 and the second inlet rail 1600 are connected to the inlet plate 1300 Thereby covering the upper surface.

위와 같이, 한쌍의 인렛레일, 즉, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 각각 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 흡착플레이트(1300)와 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 인렛레일의 하면에 흡착플레이트(1300)가 도피될 수 있도록 흡착플레이트 도피홈이 형성될 수 있다.In order to prevent interference between the adsorption plate 1300 and the inlet rail when the pair of inlet rails, that is, the first and second inlet rails 1500 and 1600, respectively, move in the Y axis direction toward the adsorption plate, The suction plate escape groove can be formed so that the suction plate 1300 can be escaped from the lower surface of the suction plate 1300.

흡착플레이트 도피홈은 제1인렛레일(1500)의 하면에 형성되는 제1흡착플레이트 도피홈(1511)과, 제2인렛레일(1600)의 하면에 형성되는 제2흡착플레이트 도피홈(1611)으로 이루어질 수 있다. The suction plate escape groove has a first suction plate recess groove 1511 formed in the lower surface of the first inlet rail 1500 and a second suction plate recess groove 1611 formed in the lower surface of the second inlet rail 1600 Lt; / RTI >

제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 용이하게 이동되기 위해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600) 각각에는 다음과 같은 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610) 및 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)이 구비된다.The first and second inlet rails 1500 and 1600 are respectively provided with the first and second adsorption plates 1500 and 1600 so that the first and second inlet rails 1500 and 1600 can be easily moved toward the adsorption plate 1300. [ The escape grooves 1510 and 1610 and the first and second adsorption pad recess grooves 1511 and 1611 are provided.

한쌍의 인렛레일이 각각 흡착 플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)에 구비된 흡착패드와 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 인렛레일에 형성된 흡착플레이트 도피홈 중 흡착플레이트(1300)에 구비된 흡착패드에 대응되는 위치에 흡착패드 도피홈이 추가로 마련될 수 있다.When the pair of inlet rails move in the Y-axis direction toward the adsorption plate, the adsorption plate 1300 of the adsorption plate escape grooves formed on the inlet rail, to prevent interference between the adsorption pad provided on the adsorption plate 1300 and the inlet rail, The adsorption pad may be provided at a position corresponding to the adsorption pad provided in the adsorption pad.

흡착패드 도피홈은 제1흡착플레이트 도피홈(1510)에 구비되어 형성되는 제1흡착패드 도피홈(1511)과, 제2흡착플레이트 도피홈(1610)에 구비되어 형성되는 제2흡착패드 도피홈(1611)으로 이루어질 수 있다. The adsorption pad escape groove includes a first adsorption pad escape groove 1511 formed in the first adsorption plate escape groove 1510 and a second adsorption pad escape groove 1511 formed in the second adsorption plate escape groove 1610, (1611).

제1흡착패드 도피홈(1511)은 제3흡착패드(1324)와 제1인렛레일(1500)의 간섭을 방지하고, 제2흡착패드 도피홈(1611)은 제4흡착패드(1325)와 제2인렛레일(1600)의 간섭을 방지한다.The first adsorption pad recess groove 1511 prevents interference between the third adsorption pad 1324 and the first inlet rail 1500 and the second adsorption pad escape groove 1611 prevents interference between the fourth adsorption pad 1325 and the first adsorption pad Thereby preventing the interference of the two inlet rails 1600.

제1인렛레일(1500)의 우측 하면에는 제1흡착플레이트 도피홈(1510)이 형성된다. 제1흡착플레이트 도피홈(1510)은 제1인렛레일(1500)의 우측 하면에서 상부 방향으로 함몰되어 형성된다.A first suction plate recess groove 1510 is formed on the lower right side of the first inlet rail 1500. The first suction plate recess groove 1510 is recessed upward in the right lower surface of the first inlet rail 1500.

제1흡착플레이트 도피홈(1510)은 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 좌측 상부 일부가 삽입되며, 이를 통해, 흡착플레이트(1300)에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제1흡착플레이트 도피홈(1510)은 흡착플레이트(1300)의 간섭에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The first suction plate recess groove 1510 is formed such that when the first inlet rail 1500 moves toward the adsorption plate 1300, that is, to the right, a portion of the upper left side of the adsorption plate 1300 is inserted, And prevents the first inlet rail 1500 from interfering with the movement of the first inlet rail 1500 toward the adsorption plate 1300, that is, the right side. In other words, the first adsorption plate recess groove 1510 allows the first inlet rail 1500 to smoothly move toward the adsorption plate 1300, that is, the right side, by the interference of the adsorption plate 1300.

제1흡착플레이트 도피홈(1510)의 내부에는 상부 방향으로 함몰되어 형성되는 제1흡착패드 도피홈(1511)이 형성된다.In the first adsorption plate recess groove 1510, a first adsorption pad recess groove 1511 formed to be recessed upward is formed.

제1흡착패드 도피홈(1511)은 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동할 때, 제3흡착패드(1324)가 삽입되며, 이를 통해, 제3흡착패드(1324)에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제1흡착패드 도피홈(1511)은 제3흡착패드(1324)의 간섭에 의해 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 우측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The first adsorption pad recess groove 1511 is inserted into the third adsorption pad 1324 when the first inlet rail 1500 moves toward the adsorption plate 1300, And prevents the first inlet rail 1500 from interfering with the movement of the first inlet rail 1500 toward the adsorption plate 1300, that is, the right side. In other words, the first adsorption pad recess groove 1511 allows smooth movement of the first inlet rail 1500 toward the adsorption plate 1300, that is, the right side, by interference of the third adsorption pad 1324 .

이러한 제1흡착패드 도피홈(1511)은 복수개의 제3흡착패드(1324)의 개수와 동일한 개수로 복수개가 형성될 수 있으며, 그 배열 또한, 복수개의 제3흡착패드(1324)에 대응되도록 제1흡착플레이트 도피홈(1510) 내에서 전후 방향으로 복수개가 배열될 수 있다.A plurality of first adsorption pad recesses 1511 may be formed in a number equal to the number of the plurality of third adsorption pads 1324. The arrangement of the first adsorption pad recesses 1511 may be the same as that of the plurality of third adsorption pads 1324 A plurality of adsorption plates can be arranged in the back-and-forth direction within the adsorption plate recess groove 1510.

제2인렛레일(1600)의 좌측 하면에는 제2흡착플레이트 도피홈(1611)이 형성된다. 제2흡착플레이트 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)의 좌측 하면에서 상부 방향으로 함몰되어 형성된다.A second suction plate recess groove 1611 is formed on the lower left side of the second inlet rail 1600. The second suction plate recess groove 1611 is recessed in the upper direction from the lower left side of the second inlet rail 1600.

제2흡착플레이트 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 우측 상부 일부가 삽입되며, 이를 통해, 흡착플레이트(1300)에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제2흡착플레이트 도피홈(1611)은 흡착플레이트(1300)의 간섭에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The second suction plate recess groove 1611 is inserted into the upper right portion of the suction plate 1300 when the second inlet rail 1600 moves toward the suction plate 1300, And prevents the second inlet rail 1600 from interfering with the suction plate 1300 when it is moved to the left side. In other words, the second suction plate recess groove 1611 allows smooth movement of the second inlet rail 1600 toward the suction plate 1300, that is, the left side, by the interference of the suction plate 1300.

제2흡착플레이트 도피홈(1611)의 내부에는 상부 방향으로 함몰되어 형성되는 제2흡착패드 도피홈(1611)이 형성된다.In the second adsorption plate recess groove 1611, a second adsorption pad recess groove 1611 formed to be recessed in the upward direction is formed.

제2흡착패드 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동할 때, 제4흡착패드(1325)가 삽입되며, 이를 통해, 제4흡착패드(1325)에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 이동시 간섭되는 것을 방지하는 기능을 한다. 다시 말해, 제2흡착패드 도피홈(1611)은 제4흡착패드(1325)의 간섭에 의해 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향, 즉, 좌측으로 원활하게 이동할 수 있도록 하는 것이다.The second adsorption pad escape groove 1611 is inserted into the fourth adsorption pad 1325 when the second inlet rail 1600 moves toward the adsorption plate 1300, And prevents the second inlet rail 1600 from interfering with the suction plate 1300 when it is moved to the left side. In other words, the second adsorption pad escape groove 1611 allows the second inlet rail 1600 to smoothly move toward the adsorption plate 1300, that is, the left side, by the interference of the fourth adsorption pad 1325 .

이러한 제2흡착패드 도피홈(1611)은 복수개의 제4흡착패드(1325)의 개수와 동일한 개수로 복수개가 형성될 수 있으며, 그 배열 또한, 복수개의 제4흡착패드(1325)에 대응되도록 제2흡착플레이트 도피홈(1611) 내에서 전후 방향으로 복수개가 배열될 수 있다.A plurality of second adsorption pad escape grooves 1611 may be formed in the same number as the plurality of fourth adsorption pads 1325 and the arrangement thereof may be the same as that of the plurality of fourth adsorption pads 1325 A plurality of adsorption plates can be arranged in the back-and-forth direction in the adsorption plate recess grooves 1611.

전술한 바와 같이, 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610) 및 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)을 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 형성하는 것은 로딩된 반도체 스트립(S)의 워피지를 제거하거나 정렬이 완료된 반도체 스트립(S)을 스트립픽커(2000)로 원활히 흡착하기 위해 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 상면과 흡착플레이트(1300)의 상면 높이차를 최적화하기 위한 것이다.As described above, the first and second adsorption plate recess grooves 1510 and 1610 and the first and second adsorption pad recess grooves 1511 and 1611 are formed in the first and second inlet rails 1500 and 1600 The upper surface of the first and second inlet rails 1500 and 1600 and the upper surface of the adsorption plate 1500 are removed to remove the warp of the loaded semiconductor strip S or smoothly adsorb the aligned semiconductor strip S to the strip picker 2000. [ To optimize the height difference of the top surface of the wafer 1300.

예를 들어 흡착플레이트(1300)에 상방에 위치한 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 두께가 커져 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 상면과 흡착플레이트(1300)의 상면 높이차가 커질 경우 스트립픽커(2000)를 이용하여 반도체 스트립(S)의 워피지를 제거할 때 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 의해 완전한 워피지 제거가 어렵고 스트립픽커(2000)의 흡착력이 반도체 스트립(S)에 전달되지 않을 수 있으므로 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610) 및 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)을 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)에 형성하는 것이 바람직하다.The thickness of the first and second inlet rails 1500 and 1600 located above the adsorption plate 1300 increases and the upper surface of the first and second inlet rails 1500 and 1600 and the upper surface of the adsorption plate 1300 It is difficult to completely remove the warpage by the first and second inlet rails 1500 and 1600 when the warp of the semiconductor strip S is removed using the strip picker 2000 when the height difference is large, The adsorption force may not be transferred to the semiconductor strip S and the first and second adsorption plate recess grooves 1510 and 1610 and the first and second adsorption pad recess grooves 1511 and 1611 may be connected to the first and second inlet rails (1500, 1600).

다른 실시 예로, 흡착플레이트(1300)의 상면이 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 하면보다 낮은 위치에 있을 경우(즉, 흡착플레이트(1300)의 높이가, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 높이보다 낮을 경우), 제1, 제2흡착플레이트 도피홈(1510, 1610)이 형성되지 않을 수 있다. 다만 이 경우에도, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)가 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 Y축 방향, 즉, 좌우 방향 이동을 방해할 수 있으므로, 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)이 제1, 제2인렛레일(1500, 1600) 각각에 형성될 수 있다.When the upper surface of the adsorption plate 1300 is positioned lower than the lower surface of the first and second inlet rails 1500 and 1600 (i.e., the height of the adsorption plate 1300 is lower than the lower surface of the first and second inlet rails 1500 and 1600) The height of the first and second attracting plate escape grooves 1510 and 1610 may be less than the height of the rails 1500 and 1600). In this case, however, the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 can interfere with the movement of the first and second inlet rails 1500 and 1600 in the Y axis direction, that is, in the lateral direction, 2 absorption pad recesses 1511 and 1611 may be formed in the first and second inlet rails 1500 and 1600, respectively.

이 경우, 제1흡착패드 도피홈(1511)은 제1인렛레일(1500)의 우측 하면에 상부 방향으로 함몰되게 형성되어 제1인렛레일(1500)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동시, 제3흡착패드(1324)를 삽입시키는 기능을 한다. 제2흡착패드 도피홈(1611)은 제2인렛레일(1600)의 좌측 하면에 상부 방향으로 함몰되게 형성되어 제2인렛레일(1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 이동시, 제4흡착패드(1325)를 삽입시키는 기능을 한다. 물론, 위와 같은 경우에도, 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611)은 전술한 바와 같이, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)와 대응되는 위치에 복수개의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)와 같은 개수로 복수개가 구비된다.In this case, the first adsorption pad recess groove 1511 is recessed upward in the right lower surface of the first inlet rail 1500 so that when the first inlet rail 1500 moves in the direction of the adsorption plate 1300, And functions to insert the adsorption pad 1324. [ The second adsorption pad recess groove 1611 is recessed upward in the left lower surface of the second inlet rail 1600 so that when the second inlet rail 1600 is moved toward the adsorption plate 1300, 1325). Of course, even in the above case, the first and second adsorption pad escape grooves 1511 and 1611 are formed in the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 at positions corresponding to the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325, And four adsorption pads 1324 and 1325 are provided.

이하, 전술한 구성을 갖는 로딩부(1000)를 이용하여 다양한 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)의 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the loading unit 1000 when the semiconductor strip S having various sizes is loaded using the loading unit 1000 having the above-described configuration will be described.

이하의 설명의 용이함을 위해, 반도체 스트립(S)은 그 크기에 따라 소형, 중형, 대형으로 나누어 설명한다. For ease of explanation, the semiconductor strip S is divided into a small size, a medium size and a large size according to its size.

소형 크기의 반도체 스트립(S)은 도 11(a) 및 11(b)에 도시된 바와 같이, 그 좌우폭이 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)의 외측간의 거리보다 크고, 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 내측간의 거리보다 작은 반도체 스트립(S)을 의미한다.As shown in Figs. 11 (a) and 11 (b), the small-sized semiconductor strip S has a width in the lateral direction outside the first and second adsorption pads 1314 and 1315 of the first adsorption region 1310 And is smaller than the distance between the inside of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 of the second adsorption region 1320. [

중형 크기의 반도체 스트립(S)은 도 10(a) 및 도 10(b)에 도시된 바와 같이, 그 좌우폭이 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 내측간의 거리보다 크고, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 외측간의 거리보다 작은 반도체 스트립(S)을 의미한다. The semiconductor strip S of a medium size is formed so that the width of the semiconductor strip S is smaller than that of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 of the second adsorption region 1320 as shown in Figures 10 (a) and 10 (b) Means a semiconductor strip S which is larger than the distance between the inside and the outside of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325.

대형 크기의 반도체 스트립(S)은 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 외측간의 거리보다 큰 반도체 스트립(S)을 의미한다.The semiconductor strip S of a large size is electrically connected to the semiconductor strip S (S) larger than the distance between the outside of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 of the second adsorption region 1320, as shown in Figs. 3 and 5 ).

먼저, 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)에 대해 설명한다.First, a loading unit 1000 for mounting a semiconductor strip S of a large size will be described.

도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 대형 크기의 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)에 안착시킬 경우, 제1인렛레일(1500)은 그 내측면이 제3흡착패드(1324)의 외측에 위치하도록 좌측으로 이동되고, 제2인렛레일(1600)은 그 내측면이 제4흡착패드(1325)의 외측에 위치하도록 우측으로 이동된다. 따라서, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 제1, 제2흡착영역(1310, 1320)을 덮지 않고 개방하는 위치에 이동되어 세팅된다. 이 경우, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 사이의 거리는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 각각이 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 좌, 우측면 각각을 지지할 수 있도록 세팅된다.3 and 5, when the semiconductor strip S of a large size is placed on the loading section 1000, the first inlet rail 1500 is formed such that its inner surface is connected to the third adsorption pad 1324 And the second inlet rail 1600 is moved to the right so that its inner side is located outside the fourth adsorption pad 1325. [ Accordingly, the first and second inlet rails 1500 and 1600 are moved and set in a position where they open without covering the first and second adsorption regions 1310 and 1320. In this case, the distance between the inner surfaces of the first and second inlet rails 1500 and 1600 is set such that each of the inner surfaces of the first and second inlet rails 1500 and 1600 is located on the left and right sides And is set so as to support each of them.

대형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착되면, 반도체 스트립(S)은 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)을 모두 덮게 된다.The semiconductor strip S covers both the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 when the semiconductor strip S of a large size is placed on the adsorption plate 1300. [

위와 같이, 반도체 스트립(S)이 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)을 모두 덮음에 따라, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 모두 작동하게 된다.As described above, as the semiconductor strip S covers both the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320, the adsorption of the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 both operate .

다시 말해, 제1흡착영역(1310)의 제1연결부(1313)와 연통된 제1흡입부가 작동하여 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)를 통해 반도체 스트립(S)의 내측 영역이 흡착됨과 동시에, 제2흡착영역(1320)의 제2연결부와 연통된 제2흡입부가 작동하여 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)를 통해 반도체 스트립(S)의 외측영역이 흡착되는 것이다.In other words, the first suction portion communicated with the first connection portion 1313 of the first suction region 1310 operates to adsorb the inner region of the semiconductor strip S through the first and second absorption pads 1314 and 1315 The second suction portion communicating with the second connection portion of the second suction region 1320 operates and the outer region of the semiconductor strip S is adsorbed through the third and fourth absorption pads 1324 and 1325.

위와 같이, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)이 모두 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여함에 따라, 대형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 용이하게 밀착될 수 있다. 대형 크기의 반도체 스트립(S)의 경우 폭방향 길이가 길어 작은 반도체 스트립(S)에 비해 워피지 정도가 더욱 심하게 발생할 수 있으며 스트립픽커(2000)의 압력에 의해 펴진 반도체 스트립(S)이 압력이 제거될 때 흡착플레이트(1300)의 흡입력과 반대 방향으로 복원력이 발생하여 흡착플레이트(1300)에 밀착되지 않을 수 있으므로 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)을 모두 이용하여 대형 크기의 반도체 스트립(S)를 흡착하는 것이 바람직하며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)이 밀착되지 않음에 따라, 전방 기준마크(M1) 및 후방 기준마크(M2)의 위치의 오차가 발생하는 것을 방지할 수 있어 반도체 스트립(S)의 위치 정렬시 오차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, since the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 are all involved in the adsorption of the semiconductor strips S, the semiconductor strips S of a large size are easily adhered to the adsorption plate 1300 . In the case of the semiconductor strip S of a large size, the width of the semiconductor strip S may be longer than that of the small semiconductor strip S, and the semiconductor strip S, which is expanded by the pressure of the strip picker 2000, A restoring force may be generated in a direction opposite to the suction force of the adsorption plate 1300 and may not be in close contact with the adsorption plate 1300. Therefore, the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 may be all used to form a large size It is possible to prevent the deviation of the positions of the front reference mark M1 and the rear reference mark M2 due to the fact that the semiconductor strip S is not tightly adhered thereto It is possible to prevent the occurrence of an error in the alignment of the semiconductor strip S.

또한, 대형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)는 제1정렬블럭(1330)의 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치한 제1피듀셜마크(1332)보다 후방에 위치하고, 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)는 제2정렬블럭(1340)의 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치한 제2피듀셜마크(1342)보다 전방에 위치하게 된다. The front reference mark M1 of the semiconductor strip S is aligned with the first plurality of fiducial marks 1330 of the first alignment block 1330 when the large size semiconductor strip S is seated on the attracting plate 1300, The rear fiducial mark M2 of the semiconductor strip S is positioned behind the first fiducial mark 1332 located at the foremost position among the plurality of second fiducial marks 1342 of the second alignment block 1340, The second fiducial mark 1342 located at the rear end of the first fiducial mark 1342 is positioned at the front side.

따라서, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)를 용이하게 촬상하여 반도체 스트립(S)이 정위치에 위치하는지 여부를 검사할 수 있다.The strip vision 2300 can easily pick up the first fiducial mark 1332 and the front reference mark M1 and the second fiducial mark 1342 and the rear reference mark M2, It is possible to check whether or not it is located at the correct position.

이하, 중형 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)에 대해 설명한다.Hereinafter, the loading unit 1000 for mounting the semiconductor strip S having a medium size will be described.

도 10(a) 및 도 10(b)에 도시된 바와 같이, 중형 크기의 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)에 안착시킬 경우, 제1인렛레일(1500)은 그 내측면이 제3흡착패드(1324)의 내측에 위치하도록 좌측으로 이동되고, 제2인렛레일(1600)은 그 내측면이 제4흡착패드(1325)의 내측에 위치하도록 우측으로 이동된다. 따라서, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 제2흡착영역(1320)의 일부를 덮고, 제1흡착영역(1310)을 덮지 않고 개방하는 위치에 이동되어 세팅된다. 이 경우, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 사이의 거리는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 각각이 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 좌, 우측면 각각을 지지할 수 있도록 세팅된다.As shown in Figs. 10 (a) and 10 (b), when the medium size semiconductor strip S is placed on the loading section 1000, The second inlet rail 1600 is moved to the right so as to be located inside the fourth adsorption pad 1325. The second inlet rail 1600 is moved to the left so as to be positioned inside the adsorption pad 1324, Accordingly, the first and second inlet rails 1500 and 1600 are moved to a position where the first and second inlet rails 1500 and 1600 cover a part of the second adsorption region 1320 and open without covering the first adsorption region 1310. [ In this case, the distance between the inner surfaces of the first and second inlet rails 1500 and 1600 is set such that each of the inner surfaces of the first and second inlet rails 1500 and 1600 is located on the left and right sides of the medium- And is set so as to support each of them.

위와 같이, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300)의 내측 방향으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 상부 좌측 일부면 및 상부 우측 일부면 각각은 제1인렛레일(1500)의 제1흡착플레이트 도피홈(1510) 및 제2흡착플레이트 도피홈(1610)에 삽입되며, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 일부는 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611) 각각에 삽입되며, 이로 인해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 용이하게 이동될 수 있다.As described above, when the first and second inlet rails 1500 and 1600 move inward of the adsorption plate 1300, each of the upper left side partial surface and the upper right partial surface of the adsorption plate 1300 is connected to the first inlet rail And a part of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 are inserted into the first and second adsorption plate escape grooves 1510 and 1610 of the first and second adsorption plate epitaxial layers 1500 and 1500, So that the first and second inlet rails 1500 and 1600 can be easily moved toward the adsorption plate 1300.

중형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착되면, 반도체 스트립(S)은 제1흡착영역(1310)을 모두 덮으나, 제2흡착영역(1320)의 일부만을 덮게 된다.The semiconductor strip S covers all of the first adsorption region 1310 but covers only a part of the second adsorption region 1320. In this case,

위와 같이, 반도체 스트립(S)이 제1흡착영역(1310)을 모두 덮는 반면, 제2흡착영역(1320)의 일부만을 덮게 됨에 따라, 제1흡착영역(1310)의 흡착만이 작동하게 된다.As described above, as the semiconductor strip S covers all of the first adsorption region 1310, only the part of the second adsorption region 1320 is covered, so that only the adsorption of the first adsorption region 1310 is activated.

다시 말해, 제1흡착영역(1310)의 제1연결부(1313)와 연통된 제1흡입부가 작동하여 제1, 제2흡착패드(1314, 1315)를 통해 반도체 스트립(S)의 내측 영역이 흡착되고, 제2흡착영역(1320)의 제2연결부와 연통된 제2흡입부는 작동하지 않는다.In other words, the first suction portion communicated with the first connection portion 1313 of the first suction region 1310 operates to adsorb the inner region of the semiconductor strip S through the first and second absorption pads 1314 and 1315 And the second suction portion communicating with the second connection portion of the second suction region 1320 does not operate.

위와 같이, 제1흡착영역(1310)만이 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여함에 따라, 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 외측에서 발생되는 진공 리크(leak)를 방지할 수 있다.,As described above, since only the first adsorption region 1310 is involved in the adsorption of the semiconductor strip S, it is possible to prevent a vacuum leak generated outside the medium size semiconductor strip S. In addition,

상세하게 설명하면, 제2흡착영역(1320)의 흡착이 이루어지게 되면, 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 일부만이 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)에 접하므로, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)에 진공 리크가 발생하게 된다. 이러한 진공 리크가 발생하게 되면, 반도체 스트립(S)과 흡착플레이트(1300)의 밀착이 저해되고, 이로 인해, 반도체 스트립(S)의 위치 오차가 더욱 크게 발생할 수 있다. 따라서, 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 중형 크기의 반도체 스트립(S)의 경우, 반도체 스트립(S)의 하면을 모두 흡착할 수 있는 제1흡착영역(1310)만이 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여하는 것이다. 이는 전술한 바와 같이, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 개별적으로 이루어지기 때문에 용이하게 구현될 수 있다.When the adsorption of the second adsorption region 1320 is performed, only a part of the semiconductor strip S of the medium size is adsorbed to the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 of the second adsorption region 1320. Specifically, So that vacuum leakage occurs in the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325. Such vacuum leakage may interfere with the adhesion between the semiconductor strip S and the adsorption plate 1300, which may cause the positional deviation of the semiconductor strip S to be larger. In order to solve such a problem, in the case of the semiconductor strip S of a medium size, only the first adsorption region 1310 capable of adsorbing the entire bottom surface of the semiconductor strip S is adsorbed to the semiconductor strip S It is involved. This can be easily implemented because the adsorption of the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 is performed separately as described above.

또한, 중형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)는 제1정렬블럭(1330)의 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최전방에 위치한 제1피듀셜마크(1332)보다 후방에 위치하고, 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)는 제2정렬블럭(1340)의 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최후방에 위치한 제2피듀셜마크(1342)보다 전방에 위치하게 된다. Further, when a medium size semiconductor strip S is seated on the attracting plate 1300, the forward reference mark M1 of the semiconductor strip S is aligned with a plurality of first fiducial marks (not shown) of the first alignment block 1330 The rear fiducial mark M2 of the semiconductor strip S is positioned behind the first fiducial mark 1332 located at the foremost position among the plurality of second fiducial marks 1342 of the second alignment block 1340, The second fiducial mark 1342 located at the rear end of the first fiducial mark 1342 is positioned at the front side.

따라서, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)를 용이하게 촬상하여 반도체 스트립(S)이 정위치에 위치하는지 여부를 검사할 수 있다.The strip vision 2300 can easily pick up the first fiducial mark 1332 and the front reference mark M1 and the second fiducial mark 1342 and the rear reference mark M2, It is possible to check whether or not it is located at the correct position.

이하, 소형 크기의 반도체 스트립(S)을 안착시킬 때의 로딩부(1000)에 대해 설명한다.Hereinafter, the loading unit 1000 for mounting the semiconductor strip S having a small size will be described.

도 11(a) 및 도 11(b)에 도시된 바와 같이, 중형 크기의 반도체 스트립(S)을 로딩부(1000)에 안착시킬 경우, 제1인렛레일(1500)은 그 내측면이 제1흡착패드(1314)의 외측에 위치하도록 좌측으로 이동되고, 제2인렛레일(1600)은 그 내측면이 제2흡착패드(1315)의 외측에 위치하도록 우측으로 이동된다. 따라서, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)은 제2흡착영역(1320)의 전체를 덮고, 제1흡착영역(1310)을 덮지 않고 개방하는 위치에 이동되어 세팅된다. 이 경우, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 사이의 거리는 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 내측면 각각이 소형 크기의 반도체 스트립(S)의 좌, 우측면 각각을 지지할 수 있도록 세팅된다.11 (a) and 11 (b), when the medium size semiconductor strip S is placed on the loading section 1000, the first inlet rail 1500 has its inner surface, The second inlet rail 1600 is moved to the right so as to be positioned on the outer side of the adsorption pad 1314 and the inner side of the second inlet rail 1600 is located on the outside of the second adsorption pad 1315. Therefore, the first and second inlet rails 1500 and 1600 are moved and set to a position covering the entire second adsorption region 1320 and opening without covering the first adsorption region 1310. [ In this case, the distance between the inner surfaces of the first and second inlet rails 1500 and 1600 is set such that each of the inner surfaces of the first and second inlet rails 1500 and 1600 is located on the left and right sides And is set so as to support each of them.

위와 같이, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300)의 내측 방향으로 이동할 때, 흡착플레이트(1300)의 상부 좌측 일부면 및 상부 우측 일부면 각각은 제1인렛레일(1500)의 제1흡착플레이트 도피홈(1510) 및 제2흡착플레이트 도피홈(1610)에 삽입되며, 제3, 제4흡착패드(1324, 1325)의 전체는 제1, 제2흡착패드 도피홈(1511, 1611) 각각에 삽입되며, 이로 인해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 흡착플레이트(1300) 방향으로 용이하게 이동될 수 있다.As described above, when the first and second inlet rails 1500 and 1600 move inward of the adsorption plate 1300, each of the upper left side partial surface and the upper right partial surface of the adsorption plate 1300 is connected to the first inlet rail And the entirety of the third and fourth adsorption pads 1324 and 1325 is inserted into the first adsorption plate recess groove 1510 and the second adsorption plate recess groove 1610 of the first adsorption plate So that the first and second inlet rails 1500 and 1600 can be easily moved toward the adsorption plate 1300.

소형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착되면, 반도체 스트립(S)은 제1흡착영역(1310)만을 모두 덮는다.When the semiconductor strip S of a small size is placed on the adsorption plate 1300, the semiconductor strip S covers only the first adsorption region 1310. [

위와 같이, 반도체 스트립(S)이 제1흡착영역(1310)을 모두 덮는 반면, 제2흡착영역(1320)은 전혀 덮지 않게 됨에 따라, 제1흡착영역(1310)의 흡착만이 작동하게 된다.As described above, the semiconductor strip S covers all of the first adsorption region 1310, while the second adsorption region 1320 is not covered at all, only the adsorption of the first adsorption region 1310 is operated.

이러한 제1흡착영역(1310)의 흡착에 대한 동작은 전술한 중형 크기의 반도체 스트립(S)에서 설명하였으므로, 생략한다.Since the operation for adsorption of the first adsorption region 1310 has been described in the medium-sized semiconductor strip S described above, it is omitted.

제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 선택적인 제어는 다음과 같은 기준으로 제어될 수 있다.The selective control of the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 can be controlled according to the following criteria.

제2흡착영역(1320)의 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립(S)의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2유로(1311, 1312)에 의해 인가되는 공압으로 반도체 스트립(S)을 흡착한다.When the distance between the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322 in the second adsorption region 1320 is larger than the length in the short side direction of the semiconductor strip S, And adsorbs the semiconductor strip S with the air pressure applied by the two flow paths 1311 and 1312. [

제2흡착영역(1320)의 제3유로(1321)와 제4유로(1322)의 간격이 반도체 스트립(S)의 단변 방향의 길이보다 작은 경우에는 제1흡착영역(1310)의 제1, 제2유로(1311, 1312)와 제2흡착영역(1320)의 제3, 제4유로(1321, 1322)에 의해 인가되는 공압으로 반도체 스트립(S)을 흡착한다.When the distance between the third flow path 1321 and the fourth flow path 1322 in the second adsorption region 1320 is smaller than the length in the short side direction of the semiconductor strip S, The semiconductor strip S is adsorbed by the pneumatic pressure applied by the second and third flow paths 1311 and 1312 and the third and fourth flow paths 1321 and 1322 of the second adsorption region 1320.

전술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 스트립(S)의 다양한 크기에 따라 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)에 인가되는 공압을 선택적으로 제어함으로써, 흡착플레이트(1300)가 다양한 크기의 반도체 스트립(S)을 효과적으로 흡착할 수 있다.As described above, the present invention selectively controls the pneumatic pressure applied to the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 according to various sizes of the semiconductor strip S, The semiconductor strip S can be effectively adsorbed.

위와 같이, 제1흡착영역(1310)만이 반도체 스트립(S)의 흡착에 관여함에 따라, 불필요한 제2흡착영역(1320)의 흡착을 방지할 수 있다는 이점이 있으며, 이는 전술한 바와 같이, 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 흡착이 개별적으로 이루어지기 때문에 용이하게 구현될 수 있는 것이다.As described above, since only the first adsorption region 1310 is involved in the adsorption of the semiconductor strip S, there is an advantage that it is possible to prevent the adsorption of the unnecessary second adsorption region 1320, Since the adsorption of the adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320 is performed separately, it can be easily implemented.

또한, 소형 크기의 반도체 스트립(S)이 흡착플레이트(1300)에 안착될 때, 반도체 스트립(S)의 전방 기준마크(M1)는 제1정렬블럭(1330)의 복수개의 제1피듀셜마크(1332) 중 최후방에 위치한 제1피듀셜마크(1332)보다 후방에서 제1피듀셜마크(1332)와 인접하게 위치하고, 반도체 스트립(S)의 후방 기준마크(M2)는 제2정렬블럭(1340)의 복수개의 제2피듀셜마크(1342) 중 최전방에 위치한 제2피듀셜마크(1342)보다 전방에서 인접하게 위치하게 된다. Further, when a small sized semiconductor strip S is mounted on the attracting plate 1300, the forward reference mark M1 of the semiconductor strip S is aligned with a plurality of first fiducial marks (not shown) of the first alignment block 1330 The rear fiducial mark M2 of the semiconductor strip S is positioned adjacent to the first fiducial mark 1332 in the rear of the second fiducial mark 1332 The second fiducial mark 1342 located at the foremost position among the plurality of second fiducial marks 1342 of the second fiducial mark 1342 is positioned adjacent to the front side.

따라서, 스트립비전(2300)이 제1피듀셜마크(1332) 및 전방 기준마크(M1)와, 제2피듀셜마크(1342) 및 후방 기준마크(M2)를 용이하게 촬상하여 반도체 스트립(S)이 정위치에 위치하는지 여부를 검사할 수 있다.The strip vision 2300 can easily pick up the first fiducial mark 1332 and the front reference mark M1 and the second fiducial mark 1342 and the rear reference mark M2, It is possible to check whether or not it is located at the correct position.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 자재 절단장치(100)는 로딩부(1000)의 구성에 의해, 종래의 반도체 자재 절단장치와 달리, 흡착플레이트(1300)의 교체 없이 다양한 크기의 반도체 스트립(S)을 용이하게 흡착시킬 수 있다.As described above, according to the semiconductor material cutting apparatus 100 according to the preferred embodiment of the present invention, unlike the conventional semiconductor material cutting apparatus, due to the configuration of the loading unit 1000, It is possible to easily adsorb the semiconductor strip (S)

흡착플레이트(1300)의 제1흡착영역(1310)과 제2흡착영역(1320)의 구성을 통해, 반도체 스트립(S)의 좌우방향 폭의 변화에 대응할 수 있으며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)의 흡착을 용이하게 달성할 수 있다. 특히, 제1흡착영역(1310) 및 제2흡착영역(1320)의 흡착을 개별적으로 제어함으로써, 진공 리크 발생 방지 또는 불필요한 흡착 방지를 달성할 수 있는 효과가 있다.The width of the semiconductor strip S in the left and right direction can be changed through the configuration of the first and the second adsorption regions 1310 and 1320 of the adsorption plate 1300, Can be easily achieved. Particularly, by individually controlling the adsorption of the first adsorption region 1310 and the second adsorption region 1320, it is possible to prevent occurrence of vacuum leakage or prevent unnecessary adsorption.

흡착플레이트(1300)의 제1, 제2정렬블럭(1330, 1340)의 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)의 구성을 통해, 반도체 스트립(S)의 전후방향 폭의 변화에 대응할 수 있으며, 이를 통해, 반도체 스트립(S)의 위치 정렬 검사를 용이하게 달성할 수 있다. 특히, 제1, 제2피듀셜마크(1332, 1342)가 전후 방향으로 복수개 구비되고, 2열로 배열됨으로써, 반도체 스트립(S)의 크기 여부에 관계없이 제1피듀셜마크(1332)가 전방 기준마크(M1)의 인근에 위치하고, 제2피듀셜마크(1342)가 후방 기준마크(M2)의 인근에 위치할 수 있다. 따라서, 종래에 사용하던 스트립비전(2300)으로도 제1피듀셜마크(1332)와 전방 기준마크(M1) 및 제2피듀셜마크(1342)와 후방 기준마크(M2)의 위치를 촬상하여 검사할 수 있다. The width of the semiconductor strip S corresponding to the change in the longitudinal width of the semiconductor strip S through the configuration of the first and second fiducial marks 1332 and 1342 of the first and second alignment blocks 1330 and 1340 of the attracting plate 1300 Whereby the alignment inspection of the semiconductor strip S can be easily achieved. In particular, a plurality of first and second fiducial marks 1332 and 1342 are arranged in the front-rear direction and are arranged in two rows, so that the first fiducial mark 1332 is arranged in the forward direction The second fiducial mark 1342 may be located in the vicinity of the rear reference mark M2. Therefore, the position of the first fiducial mark 1332, the front reference mark M1, the second fiducial mark 1342, and the rear reference mark M2 is imaged by the conventional strip vision 2300, can do.

로딩부(1000)의 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 구성을 통해, 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)의 Y축 방향 이동, 즉, 좌우측 방향 이동의 자유성이 보장되며, 이로 인해, 흡착플레이트(1300)의 영역 내부로까지 제1, 제2인렛레일(1500, 1600)이 이동될 수 있다. 따라서, 다양한 크기의 반도체 스트립(S)에 대응하여 반도체 스트립(S)을 고정 및/또는 정렬시키는 인렛레일의 기능을 용이하게 달성할 수 있다.The freedom of movement of the first and second inlet rails 1500 and 1600 in the Y-axis direction, that is, in the left and right direction, is assured through the configuration of the first and second inlet rails 1500 and 1600 of the loading unit 1000 Whereby the first and second inlet rails 1500 and 1600 can be moved to the inside of the region of the adsorption plate 1300. Therefore, the function of the inlet rail for fixing and / or aligning the semiconductor strip S corresponding to the semiconductor strips S of various sizes can be easily achieved.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims Or modified.

100: 반도체 자재 절단장치
1000: 로딩부 1100: 정렬테이블
1110: 개구부 1120: 제1가이드홈
1130: 제2가이드홈 1300: 흡착플레이트
1300a: 흡착플레이트 커버 1300b: 흡착플레이트 바디
1301: 이송로봇 1310: 제1흡착영역
1311: 제1유로 1311a: 제1연통홀
1312: 제2유로 1312a: 제2연통호
1313: 제1연결부 1313a: 제1흡입구
1314: 제1흡착패드 1314a: 제1구멍
1315: 제2흡착패드 1315a: 제2구멍
1320: 제2흡착영역 1321: 제3유로
1321a: 제3연통홀 1322: 제4유로
1322a: 제4연통홀 1324: 제3흡착패드
1324a: 제3구멍 1325: 제4흡착패드
1325a: 제4구멍 1330: 제1정렬블럭
1331: 제1돌출부 1332: 제1피듀셜마크
1333: 제1인터록핀홀 1340: 제2정렬블럭
1342: 제2피듀셜마크 1343: 제2인터록핀홀
1350: 반도체 스트립 감지센서 1360: 반도체 스트립 도달감지센서
1370: 체결수단
1500: 제1인렛레일 1510: 제1흡착플레이트 도피홈
1511: 제1흡착패드 도피홈 1600: 제2인렛레일
1610: 제2흡착플레이트 도피홈 1611: 제2흡착패드 도피홈
2000: 스트립픽커 2001: 가이드레일
2100: 흡착부 2200: 그립퍼
2300: 스트립비전 2400: 스트립비전 구동부
2500: Y축 구동부 2600: 인터록핀
3000: 척테이블 3100: 척테이블 흡착홀
3200: 절단 도피홈
4000: 절단부 5000: 세척부
6000: 유닛픽커
S: 반도체 스트립 M1: 전방 기준마크
M2: 후방 기준마크 C: 중심선
100: Semiconductor material cutting device
1000: Loading section 1100: Alignment table
1110: opening 1120: first guide groove
1130: second guide groove 1300: adsorption plate
1300a: adsorption plate cover 1300b: adsorption plate body
1301: Transfer robot 1310: First suction area
1311: first flow path 1311a: first communication hole
1312: Second flow path 1312a: Second communication line
1313: first connection part 1313a: first intake port
1314: first adsorption pad 1314a: first hole
1315: second adsorption pad 1315a: second hole
1320: second adsorption region 1321: third channel
1321a: Third communication hole 1322: Fourth passage
1322a: Fourth communication hole 1324: Third adsorption pad
1324a: third hole 1325: fourth adsorption pad
1325a: fourth hole 1330: first alignment block
1331: first protrusion 1332: first pivotal mark
1333: first interlock pinhole 1340: second alignment block
1342: Second Pivotal Mark 1343: Second Interlock Pinhole
1350: Semiconductor strip detection sensor 1360: Semiconductor strip arrival detection sensor
1370: fastening means
1500: First inlet rail 1510: First adsorption plate Escape groove
1511: first adsorption pad escape groove 1600: second inlet rail
1610: second adsorption plate recess groove 1611: second adsorption pad escape groove
2000: strip picker 2001: guide rail
2100: suction part 2200: gripper
2300: Strip Vision 2400: Strip Vision Driver
2500: Y-axis driving part 2600: interlock pin
3000: chuck table 3100: chuck table suction hole
3200: cutting escape groove
4000: Cutting section 5000: Cleaning section
6000: Unit Picker
S: semiconductor strip M1: forward reference mark
M2: rear reference mark C: center line

Claims (13)

복수개의 반도체 스트립이 각각 적층되는 매거진;
상기 매거진으로부터 인출되는 상기 반도체 스트립을 안내하며, Y축 방향으로 각각 이송 가능하게 구비되는 한쌍의 인렛레일;
상기 인렛레일의 내측에 구비되어 상기 매거진으로부터 공급된 반도체 스트립이 안착되는 흡착플레이트;
상기 흡착플레이트에 안착된 상기 반도체 스트립을 흡착하여 X축 방향으로 이동 가능하며, 일측에 상기 반도체 스트립을 검사하는 스트립비전이 구비된 스트립픽커;
상기 스트립픽커에 흡착된 반도체 스트립이 전달되고, Y축 방향으로 이동 가능하게 구비되며, θ방향으로 회전 가능하게 구비되는 척테이블; 및
상기 척테이블에 전달된 반도체 스트립을 개별의 반도체 패키지로 절단하기 위한 절단부를 포함하고,
상기 흡착플레이트는 상기 흡착플레이트의 내측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제1흡착영역과 상기 흡착플레이트의 외측 상부에서 상기 반도체 스트립을 흡착하는 제2흡착영역을 구비하며,
상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 제1흡착영역과 상기 제2흡착영역에 인가되는 공압은 선택적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
A magazine in which a plurality of semiconductor strips are stacked, respectively;
A pair of inlet rails guiding the semiconductor strips drawn out from the magazine and provided so as to be respectively transportable in the Y axis direction;
An adsorption plate provided on the inside of the inlet rail for receiving a semiconductor strip supplied from the magazine;
A strip picker which is movable in the X axis direction by adsorbing the semiconductor strip which is seated on the adsorption plate and has a strip vision for inspecting the semiconductor strip on one side;
A chuck table which is provided with a semiconductor strip that is attracted to the strip picker, is movable in the Y-axis direction and is rotatable in the? Direction; And
And a cutting portion for cutting the semiconductor strip transferred to the chuck table into individual semiconductor packages,
Wherein the adsorption plate has a first adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an inner upper portion of the adsorption plate and a second adsorption region for adsorbing the semiconductor strip at an upper side of the adsorption plate,
Wherein the pneumatic pressure applied to the first adsorption region and the second adsorption region is selectively controlled according to the size of the semiconductor strip.
제1항에 있어서,
상기 흡착플레이트에 공급된 반도체 스트립의 크기에 따라,
상기 제1흡착영역에만 공압을 인가하거나,
상기 제1흡착영역 및 상기 제2흡착영역에 모두 공압을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method according to claim 1,
Depending on the size of the semiconductor strip supplied to the adsorption plate,
Applying air pressure only to the first adsorption region,
Wherein air pressure is applied to both the first adsorption region and the second adsorption region.
제1항에 있어서,
상기 제1흡착영역에 공압을 인가하는 제1, 제2유로와
상기 제2흡착영역에 공압을 인가하는 제3, 제4유로를 포함하고,
상기 제1, 제2유로는 상기 제3, 제4유로에 비해 유로의 길이가 짧게 구비되며,
상기 제1유로와 제2유로가 연통되고, 상기 제3유로와 제4유로가 연통되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method according to claim 1,
First and second flow paths for applying a pneumatic pressure to the first adsorption region
And third and fourth flow paths for applying a pneumatic pressure to the second adsorption region,
Wherein the first and second flow paths have a shorter flow path length than the third and fourth flow paths,
Wherein the first flow path communicates with the second flow path, and the third flow path communicates with the fourth flow path.
제3항에 있어서,
상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 큰 경우에는 상기 제1, 제2유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하고,
상기 제3유로와 상기 제4유로의 간격이 상기 반도체 스트립의 단변 방향의 길이보다 작은 경우에는 상기 제1, 제2, 제3, 제4유로에 의해 인가되는 공압으로 상기 반도체 스트립을 흡착하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method of claim 3,
When the distance between the third flow path and the fourth flow path is larger than the length of the semiconductor strip in the short side direction, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first and second flow paths,
And when the gap between the third flow path and the fourth flow path is smaller than the length in the short side direction of the semiconductor strip, the semiconductor strip is adsorbed by the air pressure applied by the first, second, third, A semiconductor material cutting device characterized by.
제3항에 있어서,
상기 스트립비전으로 상기 반도체 스트립을 검사할 때 외부 영향을 배제하기 위하여 상기 반도체 스트립에 형성된 기준마크와 함께 촬영하기 위한 복수개의 피듀셜마크가 형성된 정렬블럭을 더 포함하고,
상기 정렬블럭은 상기 반도체 스트립의 워페이지 영향을 최소화한 상태에서 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사할 수 있도록, 상기 흡착플레이트의 전후 방향에 각각 구비되되, 상기 흡착플레이트에 안착되는 반도체 스트립의 단변방향을 기준으로 센터에 고정 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method of claim 3,
Further comprising an alignment block formed with a plurality of fiducial marks for imaging together with a fiducial mark formed on the semiconductor strip to exclude external influences when inspecting the semiconductor strip with the strip vision,
Wherein the alignment block is provided in the front and rear direction of the adsorption plate so as to inspect the fiducial marks provided in the alignment block while minimizing the influence of warpage of the semiconductor strip, Wherein the semiconductor chip is fixedly disposed at a center with respect to a short side direction.
제5항에 있어서,
상기 스트립픽커는 승하강 가능하게 구비되는 인터록핀을 더 포함하며,
상기 정렬블럭의 상부에는 상기 반도체 스트립의 크기에 따라 상기 인터록핀이 삽입되기 위한 인터록핀홀이 복수개 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
6. The method of claim 5,
The strip picker further includes an interlock pin provided to be movable up and down,
And a plurality of interlock pin holes for inserting the interlock pins according to a size of the semiconductor strip are provided on the alignment block.
제5항에 있어서,
상기 스트립비전이 상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 반도체 스트립과 상기 정렬블럭에 마련된 피듀셜마크를 검사하기 위하여, 상기 정렬블럭에 형성된 피듀셜마크는 상기 반도체 스트립의 장변 방향과 평행하게 전후방향으로 복수개 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
6. The method of claim 5,
In order to inspect the fiducial marks provided in the semiconductor strip and the alignment block regardless of the size of the semiconductor strip, the fiducial marks formed in the alignment block are arranged in a longitudinal direction parallel to the longitudinal direction of the semiconductor strip A plurality of semiconductor material cutting devices are provided.
제1항에 있어서,
상기 흡착플레이트는 내부에 유로가 형성된 흡착플레이트 바디; 및 상기 흡착플레이트 바디의 상부에 구비되어, 상부에 안착되는 상기 반도체 스트립을 흡착하기 위한 흡착홀이 형성된 흡착플레이트 커버를 포함하며,
상기 흡착플레이트 커버는 상기 흡착플레이트 바디로부터 교체 가능하도록 착탈 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method according to claim 1,
Wherein the adsorption plate comprises: an adsorption plate body having a flow path formed therein; And an adsorption plate cover provided on the adsorption plate body and having an adsorption hole for adsorbing the semiconductor strip which is seated on the upper part,
Wherein the suction plate cover is detachably mounted on the suction plate body.
제1항에 있어서,
상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일의 하면에 상기 흡착플레이트가 도피될 수 있도록 흡착플레이트 도피홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method according to claim 1,
In order to prevent interference between the adsorption plate and the inlet rail when the pair of inlet rails move in the Y axis direction toward the adsorption plate, the suction plate escape grooves are formed in the lower surface of the inlet rail so that the adsorption plate can be escaped Is formed on the surface of the semiconductor material.
제9항에 있어서,
상기 흡착플레이트의 상부에는 상기 반도체 스트립을 안정적으로 흡착하기 위한 연질의 돌출된 흡착패드가 복수개 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
10. The method of claim 9,
Wherein a plurality of softly projected adsorption pads for stably adsorbing the semiconductor strip are provided on the upper portion of the adsorption plate.
제10항에 있어서,
상기 한쌍의 인렛레일이 각각 상기 흡착플레이트를 향하여 Y축 방향으로 이동할 때 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드와 상기 인렛레일의 간섭을 방지하고자, 상기 인렛레일에 형성된 흡착플레이트의 도피홈 중 상기 흡착플레이트에 구비된 흡착패드에 대응되는 위치에 흡착패드 도피홈이 추가로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
11. The method of claim 10,
And a pair of inlet rails disposed on the inlet plate and each of the inlet and outlet rails, respectively, to prevent interference between the inlet and outlet rails provided on the suction plate when the pair of inlet rails move in the Y- And a suction pad recess groove is additionally provided at a position corresponding to the suction pad provided on the semiconductor chip.
제3항에 있어서,
상기 제1유로와 상기 제2유로는 연통유로에 의해 "H"자 형상을 가지며,
상기 반도체 스트립의 크기에 상관없이 상기 흡착플레이트에 흡착되는 반도체 스트립의 안착여부를 감지할 수 있도록 상기 제1유로와 제2유로 사이에 구비되는 반도체 스트립 감지센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method of claim 3,
Wherein the first flow path and the second flow path have an "H" shape by a communication flow path,
Further comprising a semiconductor strip sensor disposed between the first flow path and the second flow path so as to detect whether the semiconductor strip is seated on the suction plate regardless of the size of the semiconductor strip. Cutting device.
제3항에 있어서,
상기 스트립 픽커의 일측에는 상기 스트립비전과, 상기 매거진으로부터 상기 반도체 스트립을 인출하여 흡착플레이트에 거치시키는 그립퍼가 구비되고,
상기 스트립비전과 상기 그립퍼는 Y축 방향으로 함께 이동가능하며,
상기 흡착플레이트는 상기 제1유로가 형성된 흡착영역과 상기 제2유로가 형성된 흡착영역을 가로지르는 홈이 형성되어, 상기 홈을 통해 상기 그립퍼가 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.
The method of claim 3,
And a gripper which draws the semiconductor strip from the magazine and mounts the semiconductor strip on the adsorption plate is provided at one side of the strip picker,
The strip vision and the gripper are movable together in the Y-axis direction,
Wherein the suction plate is formed with a groove crossing an adsorption region in which the first flow path is formed and an adsorption region in which the second flow path is formed, and the gripper moves through the groove.
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