KR20190088779A - Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same - Google Patents

Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190088779A
KR20190088779A KR1020180007287A KR20180007287A KR20190088779A KR 20190088779 A KR20190088779 A KR 20190088779A KR 1020180007287 A KR1020180007287 A KR 1020180007287A KR 20180007287 A KR20180007287 A KR 20180007287A KR 20190088779 A KR20190088779 A KR 20190088779A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
resin composition
photosensitive resin
resin
Prior art date
Application number
KR1020180007287A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최화섭
박한우
장석운
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020180007287A priority Critical patent/KR20190088779A/en
Publication of KR20190088779A publication Critical patent/KR20190088779A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/36Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes condensation products of phenols with aldehydes or ketones

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

The present invention relates to a positive-type photosensitive resin composition comprising a binder resin, a linear vinyl ether compound, a photoacid generator and a solvent. The interaction between the binder resin and the linear vinyl ether compound can form an insulation film having improved transmittance and reliability.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 절연막{POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND INSULATION LAYER FORMED FROM THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a positive-type photosensitive resin composition and an insulating film formed from the positive-

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 감광성 수지 및 광산발생제를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and an insulating film made therefrom. More particularly, the present invention relates to a positive photosensitive resin composition comprising a photosensitive resin and a photoacid generator, and an insulating film prepared from the positive photosensitive resin composition.

예를 들면, 디스플레이 기기의 포토레지스트, 절연막, 보호막, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 등의 다양한 광경화 절연 패턴을 형성하기 위해 감광성 수지 조성물이 사용된다. 예를 들면, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연막은 유전율이 높아, 저유전 유기 절연막에 대한 수요가 증가하고 있으며, 상기 유기 절연막 형성을 위해 상기 감광성 수지 조성물이 사용될 수 있다.For example, a photosensitive resin composition is used to form various photocurable insulating patterns such as a photoresist, an insulating film, a protective film, a black matrix, and a column spacer of a display device. For example, an inorganic insulating film such as silicon oxide or silicon nitride has a high dielectric constant, and the demand for a low dielectric organic insulating film is increasing, and the photosensitive resin composition can be used for forming the organic insulating film.

상기 유기 절연막은 상기 감광성 수지 조성물을 코팅한 후, 예비 열처리를 통해 경화시킨 후 노광 및 현상 공정을 통해 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.The organic insulating layer may be formed in a predetermined pattern through an exposure and development process after the photosensitive resin composition is coated and cured through a preliminary heat treatment.

상기 감광성 수지 조성물은 현상 공정에 의해 제거되는 부분에 따라 포지티브형 및 네가티브형으로 분류된다. 포지티브형 조성물에서는, 노광된 부분이 현상액에 의해 용해되며, 네가티브형 조성물에서는 노광되지 않은 부분이 용해되어 패턴이 형성될 수 있다.The photosensitive resin composition is classified into a positive type and a negative type according to a portion removed by a developing process. In the positive-working composition, the exposed portion is dissolved by the developing solution, and in the negative-type composition, the unexposed portion may be dissolved to form a pattern.

상기 유기 절연막의 경우 우수한 절연성과 함께 내열성 등과 같은 기계적 특성을 갖도록 형성될 필요가 있으며, 상기 노광 공정에 대한 우수한 감도를 갖도록 상기 감광성 수지 조성물이 제조될 필요가 있다.In the case of the organic insulating film, it is necessary to form the organic insulating film so as to have mechanical properties such as heat resistance together with excellent insulating property, and the photosensitive resin composition needs to be prepared so as to have excellent sensitivity to the exposure process.

또한, 상기 열처리에 의해 상기 유기 절연막의 광학적 특성이 변형되어 투과율 저하가 초래되어 디스플레이 장치의 이미지 품질을 열화시킬 수 있다. 따라서, 상기 유기 절연막의 광학적 특성 역시 고려하여 상기 감광성 수지 조성물을 설계할 필요가 있다.In addition, the optical characteristics of the organic insulating film may be deformed by the heat treatment, and the transmittance may be lowered, thereby deteriorating the image quality of the display device. Therefore, it is necessary to design the photosensitive resin composition in consideration of the optical characteristics of the organic insulating film.

예를 들면, 한국공개특허 제2013-0021324호에서 포지티브형 레지스트 조성물을 개시하고 있으나, 상술한 기계적, 광학적 특성 향상을 위한 대안을 제공하지는 못하고 있다.For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2013-0021324 discloses a positive resist composition, but does not provide an alternative for improving the mechanical and optical properties described above.

한국공개특허 제10-2013-0021324호Korean Patent Publication No. 10-2013-0021324

본 발명의 일 과제는 우수한 화학적, 광학적, 기계적 특성을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition having excellent chemical, optical, and mechanical properties.

본 발명의 일 과제는 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성되어 우수한 투과도, 신뢰성을 갖는 절연막을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an insulating film formed from the photosensitive resin composition and having excellent transparency and reliability.

본 발명의 일 과제는 상기 감광성 수지 조성물로 형성된 제조된 절연막을 포함하는 화상표시장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide an image display device including the insulating film formed by the photosensitive resin composition.

1. 바인더 수지; 선형 비닐 에테르 화합물; 광산 발생제; 및 용제를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.1. Binder resin; Linear vinyl ether compounds; Photoacid generators; And a solvent.

2. 위 1에 있어서, 상기 바인더 수지는 산분해성기로 보호된 페놀 단위가 함유된 제1 수지를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.2. The positive photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the binder resin comprises a first resin containing a phenol unit protected with an acid-decomposable group.

3. 위 1에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:3. The positive photosensitive resin composition according to 1 above, wherein said first resin comprises a structural unit represented by the following formula (1)

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(화학식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, (Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or a methyl group,

R3은 상기 산분해성기를 나타내며, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 혹은 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 테트라하이드로피라닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 혹은 탄소수 4 내지 8의 시클로알콕시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임)R 3 represents an acid-decomposable group and is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a tetrahydropyranyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a cycloalkoxy group having 4 to 8 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, p is 40 to 80 mol%, and q is 20 to 60 mol%

4. 위 3에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1-1로 표시되는 구조단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:4. The positive photosensitive resin composition according to 3 above, wherein the first resin comprises a structural unit represented by the following formula (1-1)

[화학식 1-1] [Formula 1-1]

Figure pat00002
Figure pat00002

(화학식 1-1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, (Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or a methyl group,

R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임)R 4 and R 5 are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, p is from 40 to 80 mol%, and q is from 20 to 60 mol%

5. 위 2에 있어서, 상기 바인더 수지는 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제2 수지를 더 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.5. The positive photosensitive resin composition according to 2 above, wherein the binder resin further comprises a second resin containing an epoxy group-containing acrylic resin.

6. 위 5에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체들 중 적어도 하나로부터 유래하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:6. The positive photosensitive resin composition according to item 5, wherein the second resin is derived from at least one of monomers represented by the following general formula (2) or (3)

[화학식 2](2)

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 3](3)

Figure pat00004
Figure pat00004

(화학식 2 및 3 중, Z1은 수소 또는 메틸기이며, Z2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이거나, 서로 연결되어 탄소수 3 내지 8의 고리를 형성하며, m은 1 내지 6의 정수임)(Wherein Z 1 is hydrogen or a methyl group, Z 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, Z 3 and Z 4 are independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, 3 to 8 rings, and m is an integer of 1 to 6)

7. 위 5에 있어서, 상기 바인더 수지 총 100중량부 중 상기 제1 수지는 약 30 내지 55중량부, 상기 제2 수지는 약 10 내지 55 중량부로 포함되는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.7. The positive photosensitive resin composition according to 5 above, wherein the first resin is contained in an amount of about 30 to 55 parts by weight and the second resin is contained in about 10 to 55 parts by weight in 100 parts by weight of the total binder resin.

8. 위 1에 있어서, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 하기의 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:8. The positive photosensitive resin composition according to 1 above, wherein said linear vinyl ether compound comprises a compound represented by the following formula (4)

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00005
Figure pat00005

(화학식 4 중, R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬렌기이고, n은 1 내지 6의 정수임).(Wherein R 1 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 12 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 6).

9. 위 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 상기 바인더 수지의 함량은 5 내지 50중량%이며, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 상기 바인더 수지 100중량부 중 1 내지 40중량부로 포함되는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.9. The positive photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the content of the binder resin in the total weight of the composition is 5 to 50% by weight, and the linear vinyl ether compound is contained in 1 to 40 parts by weight of 100 parts by weight of the binder resin .

10. 위 1에 있어서, 상기 광산발생제는 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술포네이트계 및 트라아진계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.10. The photoacid generator according to 1 above, wherein the photoacid generator is at least one selected from the group consisting of a diazonium salt, a phosphonium salt, a sulfonium salt, an iodonium salt, an imidosulfonate, an oxime sulfonate, a diazodisulfone, - a nitrobenzylsulfonate-based compound, and a tripazine-based compound.

11. 위 1 내지 10 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성된 절연막.11. An insulating film formed from the positive-type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 10 above.

12. 위 11에 있어서, 화상 표시 장치의 층간 절연막 또는 비아 절연막으로 사용되는, 절연막12. In the above eleventh embodiment, the insulating film used as the interlayer insulating film or the via insulating film of the image display apparatus

13. 위 11의 절연막을 포함하는 화상표시장치.13. An image display device comprising an upper insulating film.

예시적인 실시예들에 따른 감광성 수지 조성물은 선형 비닐에테르 화합물을 포함하며, 예를 들면 포스트 베이킹(Post-Baking)과 같은 열처리에 의해 페놀기의 산화가 방지되어 황변 현상이 방지될 수 있다. 따라서, 경화 후에도 우수한 투과도가 유지되는 절연막이 형성될 수 있다.The photosensitive resin composition according to the exemplary embodiments includes a linear vinyl ether compound, and oxidation of the phenol group can be prevented by heat treatment such as post-baking, for example, to prevent yellowing. Therefore, an insulating film can be formed which maintains excellent transparency even after curing.

또한, 상기 선형 비닐 에테르 화합물에 의해 상기 절연막의 밀착성, 코팅성 등과 같은 막 특성이 추가적으로 향상될 수 있다.Further, the linear vinyl ether compound can further improve the film properties such as the adhesion of the insulating film, the coating property, and the like.

상기 감광성 수지 조성물은 히드록실기 및 보호기를 포함하는 제1 수지 및 에폭시기를 함유하는 제2 수지를 바인더 수지로서 포함할 수 있다. 상기 제1 수지에 의해 노광 공정의 감도, 현상 공정의 해상도가 확보되며, 상기 제2 수지에 의해 절연막의 기계적 특성이 향상될 수 있다.The photosensitive resin composition may include a first resin containing a hydroxyl group and a protecting group and a second resin containing an epoxy group as a binder resin. The sensitivity of the exposure process and the resolution of the developing process are secured by the first resin, and the mechanical properties of the insulating film can be improved by the second resin.

도 1 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.1 to 5 are schematic cross-sectional views for explaining a method of forming an insulating film according to exemplary embodiments.

본 발명의 실시예들은 바인더 수지, 선형 비닐 에테르 화합물, 광산 발생제 및 용매를 포함하며, 우수한 투과도, 막 형성 신뢰성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성된 절연막 및 상기 절연막을 포함하는 화상 표시 장치가 제공된다.Embodiments of the present invention provide a positive photosensitive resin composition comprising a binder resin, a linear vinyl ether compound, a photoacid generator, and a solvent, and having excellent transparency and film forming reliability. An image display device including the insulating film formed from the positive photosensitive resin composition and the insulating film is also provided.

이하, 본 발명의 실시예들에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail.

<포지티브형 감광성 수지 조성물>&Lt; Positive photosensitive resin composition >

본 발명의 실시예들에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물(이하, 감광성 조성물로 약칭될 수도 있다)은 바인더 수지, 선형 비닐 에테르 화합물, 광산 발생제 및 용매를 포함할 수 있다. The positive photosensitive resin composition according to the embodiments of the present invention (hereinafter also abbreviated as photosensitive composition) may include a binder resin, a linear vinyl ether compound, a photo acid generator, and a solvent.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 감광성 조성물은 예를 들면 노광 공정에 의해 발생하는 산(acid)에 의해 용해도 차이가 발생하는 화학증폭형 레지스트(Chemically Amplified Resist: CAR) 조성물로 제공될 수 있다. 따라서, 예를 들면 퀴논디아지드와 같은 광활성 화합물(Photo Active Compound: PAC) 기반의 조성물에 비해 향상된 감도 및 해상도로 절연막 또는 절연 패턴이 형성될 수 있다.According to exemplary embodiments, the photosensitive composition may be provided in a chemically amplified resist (CAR) composition in which the solubility difference is caused by, for example, an acid generated by an exposure process. Therefore, an insulating film or an insulating pattern can be formed with improved sensitivity and resolution as compared with, for example, a composition based on Photo Active Compound (PAC) such as quinone diazide.

바인더 수지Binder resin

예시적인 실시예들에 따른 감광성 조성물은 베이스 성분으로 바인더 수지를 포함할 수 있다. 상기 바인더 수지는 상기 감광성 조성물로부터 형성된 절연막의 기본 골격을 제공하며, 노광 공정에 의한 용해도 차이를 제공할 수 있다.The photosensitive composition according to exemplary embodiments may comprise a binder resin as a base component. The binder resin provides the basic skeleton of the insulating film formed from the photosensitive composition and can provide a difference in solubility by the exposure process.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 바인더 수지는 페놀 계(또는 노볼락 계) 수지를 포함하는 제1 수지 및 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제2 수지를 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the binder resin may comprise a first resin comprising a phenolic (or novolak) resin and a second resin comprising an epoxy group containing acrylic resin.

상기 제1 수지는 복수의 히드록실기들을 포함하며, 상기 히드록실기들 중 적어도 일부는 산분해성기로 보호될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 수지의 포함된 페놀 단위들 중, 적어도 일부의 페놀 단위에 포함된 히드록실기가 상기 산분해성기로 보호될 수 있다.The first resin comprises a plurality of hydroxyl groups, and at least a part of the hydroxyl groups may be protected with an acid-decomposable group. For example, among the phenol units contained in the first resin, the hydroxyl group contained in at least part of the phenol unit may be protected with the acid-decomposable group.

예를 들면, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1로 표시되는 구조 단위(예를 들면, 반복 단위)를 포함할 수 있다.For example, the first resin may include a structural unit (for example, a repeating unit) represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00006
Figure pat00006

화학식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기를 나타낼 수 있다. R3은 상기 산분해성기를 나타내며, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 테트라하이드로피라닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 또는 탄소수 4 내지 8의 시클로알콕시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낼 수 있다.In the formula (1), R 1 and R 2 each independently represent hydrogen or a methyl group. R 3 represents an acid-decomposable group, and is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a tetrahydropyranyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a cycloalkoxy group having 4 to 8 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms Or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

p 및 q는 각각 페놀 단위 및 산분해성기로 보호된 페놀 단위의 몰비를 나타낼 수 있다. 예를 들면, p는 약 40 내지 80몰%, q는 약 20 내지 60몰%일 수 있다. p와 q는 상기 페놀 단위 및 산분해성기로 보호된 페놀 단위의 상대적 몰비를 나타내며, 다른 단위의 추가를 배제하는 것은 아니다. p and q may represent the molar ratio of the phenol unit and the phenol unit protected by the acid decomposable group, respectively. For example, p may be about 40 to 80 mole%, and q may be about 20 to 60 mole%. p and q represent the relative molar ratio of the phenol unit and the phenol unit protected by the acid decomposable group, and does not exclude the addition of other units.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1-1로 표시되는 구조를 포함할 수 있다.In some embodiments, the first resin may include a structure represented by Formula 1-1 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00007
Figure pat00007

R1, R2, p 및 q는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다. R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타낼 수 있다. R 1 , R 2 , p and q are as defined in the above formula (1). R 4 and R 5 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

예를 들면, 상기 페놀 단위는 제1 단량체로서 히드록시 스티렌으로부터 유래할 수 있다. 상기 산분해성기로 보호된 페놀 단위는 하기의 화학식 1-2, 일 실시예에 있어서 화학식 1-3으로 표시되는 제2 단량체로부터 유래할 수 있다.For example, the phenol unit may be derived from hydroxystyrene as the first monomer. The phenol unit protected by the acid-decomposable group may be derived from the following formula 1-2, and in one embodiment, the second monomer represented by formula 1-3.

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00009
Figure pat00009

화학식 1-2 및 1-3 중, R3, R4 및 R5는 상기 화학식 1 및 1-1에서 정의된 바와 같다.In formulas (1-2) and (1-3), R 3 , R 4 and R 5 are as defined in the above formulas (1) and (1-1).

상기 제1 수지는 상기 제1 단량체 및 상기 제2 단량체의 공중합반응을 통해 제조될 수 있으며, 원하는 p 및 q로 표시되는 몰비에 대응하도록 상기 제1 단량체 및 상기 제2 단량체의 몰수를 조절할 수 있다.The first resin may be prepared through a copolymerization reaction of the first monomer and the second monomer, and the number of moles of the first monomer and the second monomer may be controlled so as to correspond to a molar ratio expressed by p and q, respectively .

상술한 바와 같이, 상기 제1 수지는 히드록실기가 잔류하는 페놀 단위 및 히드록실기가 산분해성기로 보호된 페놀 단위를 함께 포함함으로써, 노광 공정에 대한 감도 및 기재와의 밀착성을 함께 구현할 수 있다.As described above, the first resin contains both a phenol unit in which a hydroxyl group remains and a phenol unit in which a hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group, so that sensitivity to the exposure process and adhesion to a substrate can be realized at the same time .

일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 수지는 상기 제1 및 제2 단량체 외에 제3 단량체로부터 유래한 단위를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 단량체는 예를 들면, (메타)아크릴레이트 계열 단량체를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 단량체의 비제한적인 예로서 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트류; 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트 등의 지환족(메타)아크릴레이트류; 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등의 아릴(메타)아크릴레이트류 등을 들 수 있다.In some embodiments, the first resin may further comprise units derived from a third monomer other than the first and second monomers. The third monomer may comprise, for example, a (meth) acrylate-based monomer. In this case, examples of the third monomer include, but not limited to, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, Alkyl (meth) acrylates such as n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate and t-butyl (Meth) acrylate such as cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, 2-dicyclopentanyloxyethyl (Meth) acrylates; (Meth) acrylates such as phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate and the like.

상기 제3 단량체는 히드록실기 포함 단량체를 포함할 수도 있다. 이 경우, 제3 단량체는 예를 들면 아크릴산과 같은 카르복시기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체, 히드록시 메틸스티렌 등을 포함할 수 있다.The third monomer may include a monomer containing a hydroxyl group. In this case, the third monomer may include, for example, an ethylenically unsaturated monomer having a carboxyl group such as acrylic acid, hydroxymethylstyrene, and the like.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 35,000, 바람직하게는 5,000 내지 20,000일 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 감광성 조성물의 잔막율이 효과적으로 개선되며, 막 잔사가 감소될 수 있다.In some embodiments, the weight average molecular weight of the first resin may range from 5,000 to 35,000, preferably from 5,000 to 20,000. Within this range, the residual film ratio of the photosensitive composition is effectively improved, and the film residue can be reduced.

상기 바인더 수지는 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 상기 제2 수지로서 더 포함할 수 있다. 상기 제2 수지가 포함됨에 따라, 예를 들면, 포스트-베이킹(Post-Baking)과 같은 열처리 공정에서 열경화성이 향상되어, 절연막의 내열성, 내충격성과 같은 기계적 특성이 보다 향상될 수 있다. The binder resin may further comprise an epoxy resin-containing acrylic resin as the second resin. As the second resin is included, the thermosetting property is improved in a heat treatment process such as post-baking, for example, and the mechanical properties such as heat resistance and impact resistance of the insulating film can be further improved.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 2로 표시되는 단량체로부터 유래할 수 있다.In some embodiments, the second resin may be derived from a monomer represented by the following formula (2).

[화학식 2](2)

Figure pat00010
Figure pat00010

화학식 2 중, Z1은 수소 또는 메틸기이며, Z2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기일 수 있다. Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기일 수 있으며, 서로 연결되어 탄소수 3 내지 8의 고리를 형성할 수 있다. m은 1 내지 6의 정수일 수 있다,In the general formula (2), Z 1 is hydrogen or a methyl group, and Z 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Z 3 and Z 4 may independently be hydrogen or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and may be connected to each other to form a ring having 3 to 8 carbon atoms. m may be an integer of 1 to 6,

상기 화학식 2로 표시되는 단량체는 Z2는 인접한 산소 원자를 통해 에테르 결합을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 에테르 결합을 통한 회전이 가능하므로, 유리전이온도가 감소되어 감광성 조성물의 흐름성이 개선될 수 있다.A monomer represented by the above formula (2) Z 2 may form an ether bond with an adjacent oxygen atom. Therefore, since rotation through the ether bond is possible, the glass transition temperature can be reduced, and the flowability of the photosensitive composition can be improved.

또한 상기 화학식 2에서 m의 조정을 통해 단량체 길이가 조절될 수 있다. 상기 단량체 길이 조절을 통해 현상 공정 이후 생성되는 절연 패턴의 측벽 기울기가 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 측벽 기울기를 감소시켜 투명전극과 같은 후속 도전 패턴 형성시, 상기 절연 패턴의 손상, 도전 패턴의 탈락을 방지할 수 있다.Also, the monomer length can be controlled by adjusting m in the above formula (2). By adjusting the monomer length, the sidewall slope of the insulation pattern generated after the development process can be controlled. For example, when the subsequent conductive pattern such as the transparent electrode is formed by reducing the inclination of the sidewall, damage to the insulation pattern and dropout of the conductive pattern can be prevented.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 3으로 표시되는 단량체로부터 유래될 수도 있다.In some embodiments, the second resin may be derived from a monomer represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

Figure pat00011
Figure pat00011

화학식 3 중, Z1, Z3, Z3 및 Z4는 상기 화학식 2에서 정의된 바와 같다.In the formula (3), Z 1 , Z 3 , Z 3 and Z 4 are as defined in the above formula (2).

상기 화학식 3으로 표시되는 단량체를 통해 상기 제2 수지의 투과율이 보다 향상될 수 있다.The transmittance of the second resin can be further improved through the monomer represented by the general formula (3).

일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 수지는 화학식 2의 단량체 또는 화학식 3의 단량체 중 적어도 하나를 사용하여 제조될 수 있다.In some embodiments, the second resin may be prepared using at least one of the monomers of formula (2) or the monomers of formula (3).

상기 제2 수지는 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체 외에 아크릴계 수지를 형성할 수 있는 당해 기술분야에서 상용되는 기타 단량체들을 공중합시켜 제조될 수 있다.The second resin may be prepared by copolymerizing monomers represented by the general formula (2) or (3) and other monomers commonly used in the art capable of forming an acrylic resin.

일부 실시예들에 있어서, 상기 기타 단량체는 현상성 및 기재와의 밀착성 향상을 위해 카르복시기 함유 에틸렌성 불포화 단량체를 포함할 수 있다. 상기 카르복시기 함유 에틸렌성 불포화 단량체의 예로서, 아크릴산, 메타아크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산류; 푸마르산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산류 및 이들의 무수물 등을 들 수 있다.In some embodiments, the other monomer may include a carboxyl group-containing ethylenically unsaturated monomer for improving developability and adhesion to a substrate. Examples of the carboxyl group-containing ethylenically unsaturated monomers include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; Dicarboxylic acids such as fumaric acid, mesaconic acid and itaconic acid, and anhydrides thereof.

상기 기타 단량체의 추가적인 비제한적인 예로서, 스티렌, 비닐톨루엔, 메틸스티렌, p-클로로스티렌, o-메톡시스티렌, m-메톡시스티렌, p-메톡시스티렌, o-비닐벤질메틸에테르, m-비닐벤질메틸에테르, p-비닐벤질메틸에테르 등의 방향족 비닐 화합물; N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-o-히드록시페닐말레이미드, N-m-히드록시페닐말레이미드, N-p-히드록시페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드, N-o-메톡시페닐말레이미드, N-m-메톡시페닐말레이미드, N-p-메톡시페닐말레이미드 등의 N-치환 말레이미드계 화합물; 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트류; 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, , 2-디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트 등의 지환족(메타)아크릴레이트류; 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등의 아릴(메타)아크릴레이트류; 3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-트리플루오로메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-4-트리플루오로메틸옥세탄 등의 불포화 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As additional non-limiting examples of the other monomers there may be mentioned styrene, vinyl toluene, methyl styrene, p-chlorostyrene, o-methoxystyrene, m-methoxystyrene, p- methoxystyrene, o- Aromatic vinyl compounds such as vinyl benzyl methyl ether and p-vinyl benzyl methyl ether; N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-phenylmaleimide, No-hydroxyphenylmaleimide, Nm-hydroxyphenylmaleimide, Np-hydroxyphenylmaleimide, No-methylphenylmaleimide, Nm N-substituted maleimide-based compounds such as methylphenyl maleimide, Np-methylphenyl maleimide, No-methoxyphenyl maleimide, Nm-methoxyphenyl maleimide and Np-methoxyphenyl maleimide; Propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylates such as sec-butyl (meth) acrylate and t-butyl (meth) acrylate; Acrylate such as cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, 2-dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate and isobonyl Alicyclic (meth) acrylates; Aryl (meth) acrylates such as phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate; 3- (methacryloyloxymethyl) -2-trifluoromethyl oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) 2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -4-trifluoromethyloxetane, and the like Unsaturated oxetane compounds, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

예를 들면, 상기 제2 수지는 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체 및 상술한 기타 단량체들중 적어도 하나를 공중합시켜 제조될 수 있다. 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체의 몰비는 총 단량체 중 약 5 내지 60몰%일 수 있다. 이 경우, 상기 제2 수지를 통한 현상성, 투명성, 패턴 기울기 등의 개선을 효과적으로 구현할 수 있다.For example, the second resin may be prepared by copolymerizing at least one of the monomers represented by the general formula (2) or (3) and the above-mentioned other monomers. The molar ratio of the monomer represented by the formula (2) or (3) may be about 5 to 60 mol% of the total monomers. In this case, improvements in developability, transparency, pattern slope, and the like can be effectively achieved through the second resin.

상기 제2 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 40,000, 바람직하게는 15,000 내지 30,000일 수 있다. 상기 범위에서 현상성이 보다 개선되고 및 막 잔사가 감소할 수 있다.The weight average molecular weight of the second resin may be 5,000 to 40,000, preferably 15,000 to 30,000. The developability can be further improved and the film residue can be reduced in the above range.

상술한 바와 같이, 바인더 수지는 상기 제1 수지 및 상기 제2 수지를 포함할 수 있으며, 전체 바인더 수지 총 100중량부 중 상기 제1 수지는 약 30 내지 55중량부, 상기 제2 수지는 약 10 내지 55 중량부로 포함될 수 있다. 이 경우, 노광 및 현상 공정 후의 잔막율 및 조성물의 경시 안정성이 보다 향상될 수 있다.As described above, the binder resin may include the first resin and the second resin, and the first resin is about 30 to 55 parts by weight and the second resin is about 10 parts by weight To 55 parts by weight. In this case, the residual film ratio after the exposure and development step and the stability with time of the composition can be further improved.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 감광성 조성물 총 중량 중, 상기 바인더 수지는 약 5 내지 50중량%, 바람직하게는 약 바람직하게는 10 내지 40중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 노광 공정에 대한 감도 및 현상 공정에 대한 해상도가 함께 향상될 수 있다.In exemplary embodiments, the binder resin may comprise from about 5 to about 50 weight percent, and preferably from about 10 to about 40 weight percent, of the total weight of the photosensitive composition. Within this range, the sensitivity to the exposure process and the resolution to the development process can be improved together.

선형 비닐 에테르 화합물Linear vinyl ether compound

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 감광성 조성물은 선형 비닐 에테르 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 모노머 형태로 포함되며, 상기 바인더 수지에 포함된 페놀 단위 또는 히드록실기의 보호제 또는 산화 방지제로서 기능할 수 있다.According to exemplary embodiments, the photosensitive composition may comprise a linear vinyl ether compound. For example, the linear vinyl ether compound may be contained in the form of a monomer, and may function as a protecting agent or an antioxidant of a phenol unit or a hydroxyl group contained in the binder resin.

상기 선형 비닐 에테르 화합물은 말단에 비닐기가 에테르 결합을 포함하는 선형 링커기에 의해 결합된 2관능 비닐 화합물을 포함할 수 있다.The linear vinyl ether compound may include a bifunctional vinyl compound having a vinyl group bonded to the terminal by a linear linker group containing an ether bond.

일부 실시예들에 있어서, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 하기의 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In some embodiments, the linear vinyl ether compound may include a compound represented by Formula 4 below.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00012
Figure pat00012

화학식 4 중, R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬렌기를 나타낼 수 있다. n은 1 내지 6의 정수일 수 있다.In the general formula (4), R 1 may represent an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 12 carbon atoms. and n may be an integer of 1 to 6.

상기 선형 비닐 에테르 화합물의 예로서 디에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리에틸렌 글리콜디비닐에테르, 디프로필렌글리콜디비닐에테르, 트리프로필렌글리콜 디비닐에테르, 시클로헥산디메탄올디비닐에테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.Examples of the linear vinyl ether compound include diethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, dipropylene glycol divinyl ether, tripropylene glycol divinyl ether, and cyclohexanedimethanol divinyl ether. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 선형 비닐 에테르 화합물은 예를 들면, 노광 및 현상 공정 이후 포스트 베이킹 공정 또는 그 이후의 후속 열처리 공정에서 페놀 단위 혹은 산분해성기가 이탈되어 생성된 페놀 단위가 산화되어 예를 들면, 퀴논(quinone)으로 변성되는 것을 방지할 수 있다. 상기 바인더 수지가 퀴논을 포함하도록 변성되는 경우, 절연막의 황변(yellowish) 현상이 야기되어 절연막의 투과도가 저하될 수 있다.In the linear vinyl ether compound, for example, the phenol unit or the acid-decomposable group is released in the post-baking process after the exposure and development process or the subsequent thermal process, and the resulting phenol unit is oxidized, for example, as quinone It is possible to prevent denaturation. When the binder resin is modified to include quinone, the yellowish phenomenon of the insulating film may be caused and the transmittance of the insulating film may be lowered.

예를 들면, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 상기 노광 및 현상 공정 이후, 상기 페놀 단위에 노출된 히드록실기와 결합하여 상기 퀴논 단위로의 산화 변성을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 절연막의 원하는 투명도, 투과도가 상기 포스트 베이킹 또는 후속 열처리 공정 이후에도 유지될 수 있다.For example, the linear vinyl ether compound may be combined with a hydroxyl group exposed to the phenol unit after the exposure and development processes to inhibit oxidation modification to the quinone unit. Therefore, the desired transparency and transmittance of the insulating film can be maintained after the post-baking or subsequent heat treatment process.

상기 선형 비닐 에테르 화합물은 선형 링커를 통해 말단에 각각 비닐기가 포함되므로, 인접한 바인더 수지의 히드록실기와 입체 장애 없이 용이하게 만날 수 있다. 선형 비닐 에테르 화합물의 길이가 지나치게 증가되는 경우, 분자 폴딩 등으로 인해 상기 히드록실기와의 반응 또는 상호작용 가능성이 감소될 수 있다. 상술한 측면을 고려하여, 화학식 4에서 n은 6이하로 조절될 수 있다.The linear vinyl ether compound includes vinyl groups at the ends thereof via a linear linker, so that the linear vinyl ether compounds can easily meet with the hydroxyl groups of adjacent binder resins without steric hindrance. If the length of the linear vinyl ether compound is excessively increased, the possibility of reaction or interaction with the hydroxyl group due to molecular folding or the like may be reduced. In view of the above-mentioned aspect, in the formula (4), n can be adjusted to 6 or less.

상기 선형 비닐 에테르 결합은 상술한 바와 같이 바인더 수지에 포함된 히드록실기와 상호 작용하여 조성물의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 에테르 결합의 회전 가능 구조를 통해 조성물의 흐름성이 향상되고, 이에 따라 코팅성, 평탄성과 같은 막 형성 특성이 함께 증진될 수 있다.The linear vinyl ether bond may interact with the hydroxyl group contained in the binder resin as described above to improve the adhesion of the composition. In addition, the flowability of the composition is improved through the rotatable structure of the ether bond, and film formation properties such as coatability and flatness can be enhanced together.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 선형 비닐 에테르 화합물의 함량은 상기 바인더 수지 100중량부에 대하여 약 1 내지 40중량부, 바람직하게는 약 10 내지 40중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 절연막의 상술한 투과율 및 밀착성 향상이 효과적으로 구현될 수 있다,In the exemplary embodiments, the content of the linear vinyl ether compound may be about 1 to 40 parts by weight, preferably about 10 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the binder resin. The above-described improvement in transmittance and adhesion of the insulating film within the above range can be effectively implemented.

광산발생제Photoacid generator

예시적인 실시예들에 따른 감광성 조성물은 광산 발생제를 포함하는 CAR 타입 조성물일 수 있다.The photosensitive composition according to exemplary embodiments may be a CAR type composition comprising a photoacid generator.

상기 광산 발생제는 자외선 또는 방사선을 활용한 노광 공정에 의해 산(예를 들면, 프로톤(H+))을 발생시키는 화합물로서, 감광성 조성물 분야에서 공지된 화합물을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다.The photoacid generator is a compound which generates an acid (for example, proton (H + )) by an exposure process using ultraviolet rays or radiation, and a compound known in the field of photosensitive compositions can be used without any particular limitation.

예를 들면, 상기 광산발생제는 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술포네이트계, 트라아진계 화합물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.For example, the photoacid generator may be at least one selected from the group consisting of a diazonium salt, a phosphonium salt, a sulfonium salt, an iodonium salt, an imidosulfonate, an oxime sulfonate, a diazodisulfone, a disulfone, Sulfonate-based compounds, and triprazine-based compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 광산 발생제의 함량은 예를 들면, 상기 바인더 수지 100중량부에 대하여 약 0.1 내지 20중량부일 수 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 10중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 바인더 수지 및 상기 선형 비닐 에테르 화합물을 통한 투과율 및 기계적 특성의 저해 없이 노광 공정에 대한 충분한 감도를 획득할 수 있다.The content of the photo-acid generator may be, for example, about 0.1 to 20 parts by weight, and preferably about 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the binder resin. Within this range, sufficient sensitivity to the exposure process can be obtained without impairing the transmittance and mechanical properties of the binder resin and the linear vinyl ether compound.

일부 실시예들에 있어서, 노광 공정의 감도 향상을 위해 증감제가 상기 광산 발생제와 함께 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 증감제에 의해 상기 광산 발생제로부터의 산 생성이 증폭될 수 있다.In some embodiments, a sensitizer may be used with the photo acid generator to improve the sensitivity of the exposure process. For example, the acid generator from the photo acid generator can be amplified by the sensitizer.

예를 들면, 상기 증감제는 다핵 방향족류, 크산텐류, 크산톤류, 시아닌류, 옥소놀류, 티아진류, 아크리딘류, 아크리돈류, 안트라퀴논류, 스쿠알륨류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류, 안트라센류 화합물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.For example, the sensitizer may be at least one selected from the group consisting of polynuclear aromatic compounds, xanthines, xanthones, cyanines, oxonols, thiazines, acridines, acridones, anthraquinones, squaryliums, Coumarins, anthracene compounds, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

일 실시예에 있어서, 상기 증감제는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment, the sensitizer may include a compound represented by Formula 5 below.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00013
Figure pat00013

화학식 5 중, L1 및 L2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기일 수 있다.In formula (5), L 1 and L 2 may independently be an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

예를 들면, 상기 증감제는 하기 화학식 5-1 내지 5-3으로 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the sensitizer may include at least one of the compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-3).

[화학식 5-1][Formula 5-1]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 5-2][Formula 5-2]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 5-3][Formula 5-3]

Figure pat00016
Figure pat00016

예를 들면, 증감제의 함량은 상기 바인더 수지 100중량부에 대하여 약 0.01 내지 60중량부일 수 있으며, 바람직하게는 약 0.5 내지 10중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서, 예를 들면 상기 선형 비닐 에테르 화합물로부터의 투과도 향상 효과를 저해하지 않으면서 노광 공정에 대한 감도를 향상시킬 수 있다.For example, the content of the sensitizer may be about 0.01 to 60 parts by weight, and preferably about 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the binder resin. Within this range, for example, the sensitivity to the exposure process can be improved without impairing the effect of improving the permeability from the linear vinyl ether compound.

용매menstruum

상기 감광성 조성물은 용매로서 상술한 바인더 수지, 선형 비닐 에테르 화합물과 같은 유기 성분에 대해 충분한 용해도를 갖는 유기 용매를 사용할 수 있다.The photosensitive composition may use, as a solvent, an organic solvent having a sufficient solubility in an organic component such as the above-mentioned binder resin and linear vinyl ether compound.

예를 들면, 에테르류, 아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 용매를 사용할 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.For example, ethers, acetates, esters, ketones, amides, and lactones may be used. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

에테르류 용매의 예로서 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르, 디프로필렌글리콜디알킬에테르 등을 들 수 있다.Examples of the ether solvents include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl Ether, and the like.

아세테이트류 용매의 예로서 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜 모노알킬 에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 디알킬 아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of the acetate solvents include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether acetate, dipropylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol dialkyl acetate, and the like. .

에스테르류의 용매의 예로서 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피르브산메틸, 피르브산에틸, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvent include ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyric acid, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate , 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and diethylene glycol methyl ethyl ester.

케톤류 용매의 예로서 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvent include methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone.

아미드류 용매의 예로서 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 락톤류 용매의 예로서 γ-부티로락톤을 들 수 있다.Examples of the amide solvent include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone. An example of a lactone solvent is gamma -butyrolactone.

바람직하게는 도포성 및 절연막의 두께 균일성 측면에서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸에틸에스테르 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.Preferably, propylene glycol methyl ether acetate, diethylene glycol methyl ethyl ester, or a mixture thereof may be used in view of coating property and thickness uniformity of the insulating film.

상기 용매의 함량은 상술한 성분들 및 후술하는 첨가제를 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 용매의 함량은 상기 감광성 조성물 총 중량 중 약 40 내지 90중량%일 수 있으며, 바람직하게는 약 50 내지 80중량%일 수 있다. 상기 범위 내에서 고형분의 함량 및 점도를 적절히 유지하여 조성물의 코팅성을 증진시킬 수 있다.The content of the solvent may be included in the balance excluding the above-mentioned components and additives described later. For example, the content of the solvent may be about 40-90 wt%, preferably about 50-80 wt% of the total weight of the photosensitive composition. Within this range, the solid content and viscosity can be appropriately maintained to improve the coating property of the composition.

첨가제additive

상기 감광성 조성물은 예를 들면, 상술한 바인더 수지, 선형 비닐 에테르 화합물 및 광산 발생제의 상호 작용을 저해하지 않는 범위 내에서 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive composition may further contain additives, for example, within a range that does not inhibit the interaction between the binder resin, the linear vinyl ether compound and the photoacid generator described above.

상기 첨가제는 염기성 화합물, 계면활성제, 커플링제, 열가교제, 광안정제, 광경화촉진제, 레벨링제, 소포제 등을 포함할 수 있으며, 감광성 조성물 분야에서 상용되는 화합물들이 사용될 수 있다.The additive may include a basic compound, a surfactant, a coupling agent, a heat crosslinking agent, a light stabilizer, a photocuring accelerator, a leveling agent, a defoaming agent, and the like.

예를 들면, 상기 염기성 화합물은 예를 들면, 현상성 조절을 위해 포함될 수 있으며, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 포함할 수 있다.For example, the basic compound may be included, for example, for developing control and may include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like have.

상기 계면활성제는 기재와 감광성 조성물의 밀착성을 개선시킬 수 있다.The surfactant can improve the adhesion between the substrate and the photosensitive composition.

상기 계면활성제는 당해 기술분야에 널리 알려진 불소계 계면활성제, 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 실리콘 계 계면활성제 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The surfactant may include a fluorine surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone surfactant, which are well known in the art. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 커플링제는 상기 감광성 조성물과 무기물을 포함하는 기판과의 밀착성을 향상시키고, 절연 패턴의 테이퍼각 조절을 위해 포함될 수 있다.The coupling agent may be included to improve the adhesion between the photosensitive composition and the substrate including the inorganic material, and to adjust the taper angle of the insulation pattern.

상기 커플링제는 예를 들면, 실란 커플링제 또는 티올계 화합물을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 실란 커플링제가 사용될 수 있다.The coupling agent may include, for example, a silane coupling agent or a thiol-based compound, and preferably a silane coupling agent may be used.

상기 실란 커플링제의 예로서 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란 등을 들 수 있다. Examples of the silane coupling agent include? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacrylate (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane, Vinyltrialkoxysilane, and the like.

열가교제는 조성물로서 포스트 베이킹과 같은 열처리 공정을 통해 절연막의 가교도를 추가적으로 향상시켜, 경도 및 내열성을 향상시킬 수 있다.The thermal cross-linking agent can further improve the degree of crosslinking of the insulating film through heat treatment such as post-baking as a composition, thereby improving hardness and heat resistance.

상기 열가교제는 예를 들면, 폴리아크릴레이트 수지, 에폭시 수지, 페놀수지, 멜라민 수지, 유기산, 아민 화합물, 무수 화합물 등을 포함할 수 있다.The thermal cross-linking agent may include, for example, a polyacrylate resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, an organic acid, an amine compound, an anhydrous compound and the like.

상기 광안정제는 상기 감광성 조성물의 내광성을 개선시킬 수 있다. 상기 광안정제는 예를 들면, 벤조트리아졸계, 트리아진계, 벤조페논계, 힌더드아미노에테르(hindered aminoether)계, 힌더드아민계 화합물 등을 포함할 수 있다.The light stabilizer can improve the light resistance of the photosensitive composition. The light stabilizer may include, for example, benzotriazole-based, triazine-based, benzophenone-based, hindered aminoether-based, hindered amine-based compounds, and the like.

상술한 첨가제들의 함량은 공정 조건을 고려하여 적절히 변경될 수 있으며, 예를 들면 각각 바인더 수지 100중량부에 대하여 0.01 내지 10중량부로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.1 내지 5중량부의 함량으로 포함될 수 있다.The content of the above-mentioned additives can be appropriately changed in consideration of process conditions, for example, 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the binder resin, respectively .

<절연막 및 화상표시 장치><Insulating Film and Image Display Device>

본 발명의 실시예들은 상술한 감광성 조성물로부터 형성된 절연막 및 이의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an insulating film formed from the above-described photosensitive composition and a method of manufacturing the same.

도 1 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.1 to 5 are schematic cross-sectional views for explaining a method of forming an insulating film according to exemplary embodiments.

도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전 패턴(110)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 1, a first conductive pattern 110 may be formed on a substrate 100.

기판(100)은 예를 들면, 글래스 기판 또는 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함하는 수지 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 화상 표시 장치의 디스플레이 패널 기판일 수 있다.The substrate 100 may be, for example, a glass substrate or a resin substrate containing polyimide, polymethylmethacrylate (PMMA), or the like. For example, the substrate 100 may be a display panel substrate of an image display apparatus.

제1 도전 패턴(110)은 금속 또는 ITO와 같은 투명 도전성 산화물을 증착하여 제1 도전막을 형성한 후, 이를 식각하여 형성될 수 있다.The first conductive pattern 110 may be formed by depositing a metal or a transparent conductive oxide such as ITO to form a first conductive layer and then etching the first conductive layer.

일부 실시예들에 있어서, 제1 도전 패턴(110)을 형성하기 전에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함하는 배리어막을 기판(100) 상면 상에 형성할 수 있다.In some embodiments, a barrier film including silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like may be formed on the upper surface of the substrate 100 before the first conductive pattern 110 is formed.

제1 도전 패턴(110)은 예를 들면, 화상 표시 장치에 포함되는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극, 소스 전극 또는 드레인 전극 등과 같은 전극으로 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 도전 패턴(110)은 화상 표시 장치의 스캔 라인, 데이터 라인, 전원 라인 등과 같은 배선으로 제공될 수도 있다.The first conductive pattern 110 may be provided, for example, as an electrode such as a gate electrode, a source electrode, or a drain electrode of a thin film transistor (TFT) included in an image display device. In some embodiments, the first conductive pattern 110 may be provided as a wiring such as a scan line, a data line, a power supply line, or the like of an image display apparatus.

도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전 패턴(110)을 덮는 예비 절연막(120)을 형성할 수 있다. 예비 절연막(120)은 상술한 감광성 조성물을 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 롤 코팅 공정 등을 통해 도포한 후, 건조 및/또는 소프트 베이킹(Soft Baking) 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 소프트 베이킹 공정은 약 60 내지 150℃ 온도 범위에서 수행될 수 있다.Referring to FIG. 2, a preliminary insulating layer 120 may be formed on the substrate 100 to cover the first conductive pattern 110. The preliminary insulating layer 120 may be formed by applying the above-described photosensitive composition through a spin coating process, a slit coating process, a roll coating process, or the like, followed by drying and / or a soft baking process. For example, the soft bake process may be performed at a temperature range of about 60 to 150 &lt; 0 &gt; C.

상술한 바와 같이, 감광성 조성물은 선형 비닐 에테르 화합물을 포함하므로, 조성물의 흐름성이 증진되어 막 평탄성, 코팅성이 보다 향상될 수 있다. 또한, 상술한 제1 수지 및 제2 수지의 조합을 통해 기판(100)과의 밀착성이 보다 증진될 수 있다.As described above, since the photosensitive composition contains a linear vinyl ether compound, the flowability of the composition is improved and the film flatness and coating properties can be further improved. Further, the adhesion with the substrate 100 can be further improved through the combination of the first resin and the second resin.

도 3을 참조하면, 노광 공정을 통해 예비 절연막(120)을 노광부(123) 및 비노광부(125)를 포함하는 절연막으로 변환할 수 있다.Referring to FIG. 3, the preliminary insulating layer 120 can be converted into an insulating layer including the exposed portion 123 and the non-exposed portion 125 through an exposure process.

예시적인 실시예들에 따르면, 예비 절연막(120) 위로 차광부 및 투과부를 포함하는 마스크를 배치한 후, 상기 마스크를 통해 엑시머 레이저, 원자외선, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 또는 g-선(파장 436nm), i-선(파장 365nm), h-선(파장 405nm) 등의 광을 조사할 수 있다.According to exemplary embodiments, a mask including a light shielding portion and a transmissive portion may be disposed on the preliminary insulation layer 120, and then an excimer laser, deep ultraviolet light, ultraviolet light, visible light, electron beam, X- (Wavelength: 436 nm), i-line (wavelength: 365 nm), and h-line (wavelength: 405 nm).

예를 들면, 상기 마스크의 투과부는 제1 도전 패턴(110)과 중첩될 수 있으며, 상기 투과부를 통해 광을 조사받은 예비 절연막(120) 부분이 노광부(123)로 변환될 수 있다.For example, the transmissive portion of the mask may overlap with the first conductive pattern 110, and the portion of the preliminary insulation layer 120 irradiated with light through the transmissive portion may be converted into the exposure portion 123.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 노광 공정에 의해 상기 감광성 조성물에 포함된 광산 발생제로부터 산이 발생되어 바인더 수지(예를 들면, 제1 수지)에 포함된 산분해성기를 이탈시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 산분해성기로 보호된 페놀 단위의 히드록실기가 노출되어, 노광부(123)의 현상액에 대한 용해도가 증가할 수 있다.According to exemplary embodiments, an acid is generated from the photoacid generator contained in the photosensitive composition by the exposure process, and the acid-decomposable group contained in the binder resin (for example, the first resin) can be released. As a result, the hydroxyl group of the phenol unit protected by the acid-decomposable group is exposed, and the solubility of the exposed portion 123 in the developer can be increased.

일부 실시예들에 있어서, 상기 노광 공정 이후 발생된 산의 확산을 방지하기 위해 노광후 베이킹(Post Exposure Baking: PEB) 공정을 더 수행할 수도 있다.In some embodiments, a post exposure baking (PEB) process may be further performed to prevent diffusion of the acid generated after the exposure process.

도 4를 참조하면, 현상 공정을 수행하여 노광부(123)를 제거할 수 있다. 이에 따라, 잔류하는 비노광부(125)에 의해 절연 패턴이 정의될 수 있다. 상기 현상 공정은 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH)과 같은 알칼리 현상액을 사용하여 수행될 수 있다. Referring to FIG. 4, the exposure process can be performed to remove the exposed portion 123. Accordingly, the insulating pattern can be defined by the remaining non-visible portion 125. [ The developing process can be performed using, for example, an alkali developing solution such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH).

상기 현상 공정에 의해 노광부(123)가 제거된 공간에는 예를 들면, 제1 도전 패턴(110)을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부(127)가 형성될 수 있다.In the space in which the exposing portion 123 is removed by the developing process, for example, an opening 127 for exposing the first conductive pattern 110 at least partially may be formed.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 현상 공정 이후 절연 패턴(예를 들면, 잔류한 비노광부(125))의 추가 경화를 통한 기계적 특성 향상을 위해 포스트 베이킹 공정을 더 수행할 수 있다. 상기 포스트 베이킹 공정은 약 150 내지 350℃ 온도에서 수행될 수 있다.In the exemplary embodiments, a post-baking process may be further performed to improve the mechanical characteristics through additional curing of the insulation pattern (for example, the remaining unexposed portions 125) after the development process. The post-baking process may be performed at a temperature of about 150 to 350 ° C.

상기 포스트 베이킹 공정과 같은 고온 열처리가 수행되는 경우, 상기 바인더 수지에 포함된 페놀 단위가 산화되어(예를 들면, 퀴논 단위로) 상기 절연 패턴의 황변이 초래될 수 있다.When a high-temperature heat treatment such as the post-baking process is performed, the phenol units included in the binder resin may be oxidized (for example, in quinone units) to cause yellowing of the insulation pattern.

그러나, 예시적인 실시예들에 따르면 상기 선형 비닐 에테르 화합물에 의해 상기 페놀 단위가 보호되어 황변을 억제하여 상기 절연 패턴의 투과율을 유지할 수 있다.However, according to exemplary embodiments, the phenol unit may be protected by the linear vinyl ether compound to suppress the yellowing and maintain the transmittance of the insulation pattern.

도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 개구부(127) 내에 제2 도전 패턴(130)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the second conductive pattern 130 may be formed in the opening 127 shown in FIG.

예를 들면, 개구부(127)를 충분히 채우며 금속 또는 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 비노광부(125) 상에 형성한 후, 상기 제2 도전막을 패터닝하여 제2 도전 패턴(130)이 형성될 수 있다,For example, after forming a second conductive film that sufficiently fills the opening 127 and includes a metal or a transparent conductive oxide on the non-visible portion 125, the second conductive film is patterned to form a second conductive pattern 130 Can be,

상기 제2 도전막 형성을 위해 고온 증착 공정과 같은 열 처리 공정이 수행되는 경우에도, 상술한 선형 비닐 에테르 화합물의 작용을 통해 비노광부(125)의 황변, 탈락 등을 억제할 수 있다.Even when the heat treatment process such as the high-temperature deposition process is performed for forming the second conductive film, the yellowing and dropping of the non-visible portion 125 can be suppressed through the action of the linear vinyl ether compound.

제2 도전 패턴(130)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 화소 전극으로 제공될 수 있으며, 각종 배선 구조물로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 제2 도전 패턴(130)은 제1 도전 패턴(110)과 전기적으로 연결되기 위해 상기 절연 패턴을 관통하는 비아(via) 구조를 포함하는 화소 전극으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 도전 패턴(110)은 상기 화소 전극과 연결되는 드레인 전극으로 제공될 수 있다.The second conductive pattern 130 may be provided, for example, as a pixel electrode of an image display device, or may be provided as various wiring structures. For example, the second conductive pattern 130 may be provided as a pixel electrode including a via structure passing through the insulating pattern to be electrically connected to the first conductive pattern 110. In this case, the first conductive pattern 110 may be provided as a drain electrode connected to the pixel electrode.

본 발명의 실시예들은 상술한 절연막 혹은 절연 패턴을 포함하는 화상 표시 장치를 제공한다. 상기 절연막은 상기 화상 표시 장치의 게이트 절연막, 층간 절연막, 비아(via) 절연막 등으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 도 5에 도시된 제2 도전 패턴(130)이 화소 전극으로 제공되며, 제2 도전 패턴(130) 상에 액정층 또는 유기 발광층 등을 포함하는 표시층이 형성되어 LCD 장치 또는 OLED 장치 등이 구현될 수 있다.Embodiments of the present invention provide an image display device including the above-described insulating film or an insulating pattern. The insulating film may be provided as a gate insulating film, an interlayer insulating film, a via insulating film, or the like of the image display apparatus. For example, the second conductive pattern 130 shown in FIG. 5 is provided as a pixel electrode, and a display layer including a liquid crystal layer or an organic light emitting layer is formed on the second conductive pattern 130 to form an LCD device or an OLED Device, etc. may be implemented.

상기 표시층 상에는 상기 화소 전극과 마주보는 대향 전극(예를 들면, 음극)이 배치될 수 있으며, 상기 대향 전극 상에 인캡슐레이션 층, 하드 코팅 층, 윈도우 기판 등과 같은 추가적인 구조물들이 적층될 수 있다.A counter electrode (for example, a cathode) facing the pixel electrode may be disposed on the display layer, and additional structures such as an encapsulation layer, a hard coating layer, and a window substrate may be stacked on the counter electrode .

상술한 바와 같이, 상기 절연막은 열처리에 의한 황변 현상이 억제되어 우수한 투명도를 가지므로, 화상 표시 장치의 이미지 품질을 향상시킬 수 있다.As described above, since the insulating film is suppressed in yellowing due to the heat treatment and has excellent transparency, the image quality of the image display device can be improved.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

실시예 및 비교예 Examples and Comparative Examples

하기 표 1에 기재된 조성 및 함량(중량부)을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A positive photosensitive resin composition having the composition and the content (parts by weight) shown in Table 1 below was prepared.

구분division 바인더 수지(A)/
선형비닐 에테르 화합물(B)
The binder resin (A) /
The linear vinyl ether compound (B)
광산발생제
(C1)/
증감제(C2)
Photoacid generator
(C1) /
Sensitizer (C2)
용매
(D)
menstruum
(D)
첨가제additive
염기성
화합물
(E)
Basic
compound
(E)
커플링제(F)The coupling agent (F) 계면활성제Surfactants
실시예 1Example 1 A1-1/A2-1/B1A1-1 / A2-1 / B1 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 2Example 2 A1-1/A2-1/B2A1-1 / A2-1 / B2 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 3Example 3 A1-1/A2-1/B3A1-1 / A2-1 / B3 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 4Example 4 A1-1/A2-2/B1A1-1 / A2-2 / B1 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 5Example 5 A1-1/A2-2/B2A1-1 / A2-2 / B2 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 6Example 6 A1-1/A2-2/B3A1-1 / A2-2 / B3 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 7Example 7 A1-2/A2-1/B1A1-2 / A2-1 / B1 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 8Example 8 A1-2/A2-1/B2A1-2 / A2-1 / B2 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 9Example 9 A1-2/A2-1/B3A1-2 / A2-1 / B3 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 10Example 10 A1-2/A2-2/B1A1-2 / A2-2 / B1 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 11Example 11 A1-2/A2-2/B2A1-2 / A2-2 / B2 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 실시예 12Example 12 A1-2/A2-2/B3A1-2 / A2-2 / B3 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 비교예 1Comparative Example 1 A1-1/A2-1/B4A1-1 / A2-1 / B4 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 비교예 2Comparative Example 2 A1-1/A2-2/B4A1-1 / A2-2 / B4 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 비교예 3Comparative Example 3 A1-1/A2-1/-A1-1 / A2-1 / - 70/30/-70/30 / - 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 비교예 4Comparative Example 4 A1-1/A2-2/- A1-1 / A2-2 / - 70/30/-70/30 / - 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 비교예 5Comparative Example 5 A1-2/A2-1/B4A1-2 / A2-1 / B4 45/30/2545/30/25 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1 비교예 6Comparative Example 6 A1-2/A2-2/B4A1-2 / A2-2 / B4 45/35/2045/35/20 1.0/0.51.0 / 0.5 D1/D2D1 / D2 120/80120/80 0.010.01 1.01.0 G1/G2G1 / G2 0.1/0.10.1 / 0.1

구체적인 성분들은 아래와 같다. 바인더 수지(A)에 포함된 각 단위의 수치는 몰%를 의미한다.Specific ingredients are as follows. The numerical value of each unit included in the binder resin (A) means mol%.

A1-1)

Figure pat00017
p/q = 60/40, Mw=12,000A1-1)
Figure pat00017
p / q = 60/40, Mw = 12,000

A1-2)

Figure pat00018
p/q/r = 60/25/15, Mw=12,000 A1-2)
Figure pat00018
p / q / r = 60/25/15, Mw = 12,000

A2-1, A2-2

Figure pat00019
A2-1, A2-2
Figure pat00019

A2-1) a/b/c/d = 15/10/50/25, Mw=25,000A2-1) a / b / c / d = 15/10/50/25, Mw = 25,000

A2-2) a/b/c/d = 15/15/40/30, Mw=24,000A2-2) a / b / c / d = 15/15/40/30, Mw = 24,000

B1)

Figure pat00020
(TCI사 제조)B1)
Figure pat00020
(Manufactured by TCI)

B2)

Figure pat00021
(TCI사 제조)B2)
Figure pat00021
(Manufactured by TCI)

B3)

Figure pat00022
(Sigma-Aldrich사 제조)B3)
Figure pat00022
(Sigma-Aldrich)

B4)

Figure pat00023
(Sigma-Aldrich사 제조)B4)
Figure pat00023
(Sigma-Aldrich)

C1)

Figure pat00024
C1)
Figure pat00024

C2)

Figure pat00025
C2)
Figure pat00025

D1) 프로필렌 글리콜 메틸 에틸 아세테이트D1) Propylene glycol methyl ethyl acetate

D2) 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에스테르D2) Diethylene glycol methyl ethyl ester

E) 디시클로헥실메틸아민E) Dicyclohexylmethylamine

F) γ-글리시독시프로필트리알콕시실란F)? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane

G1) SH-8400(다우코닝사 제조)G1) SH-8400 (manufactured by Dow Corning)

G2) F-475(DIC사 제조)G2) F-475 (manufactured by DIC)

실험예Experimental Example

표 1의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 김광성 조성물에 대하여 하기와 같은 평가를 진행하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.The following evaluations were carried out on the greenish compositions prepared according to Examples and Comparative Examples in Table 1, and the results are shown in Table 2 below.

(1) 감도 측정(1) Sensitivity measurement

0.7mm 두께의 유리 기판(코닝1737, 코닝사 제조) 위에, 스피너로 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 각각 도포하고, 100℃의 핫플레이트 상에서 125초간 가열하여 용매를 휘발시켜, 두께 4.0㎛의 예비 절연층을 형성하였다.The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were coated on a 0.7 mm thick glass substrate (Corning 1737, Corning) with a spinner and heated on a hot plate at 100 캜 for 125 seconds to volatilize the solvent, Thereby forming an insulating layer.

이후, 직경 10㎛의 콘택트 홀 패턴을 얻기 위해, 노광부가 10㎛의 변을 갖는 사각 패턴 개구부를 갖는 마스크를 이용하여 i선 스텝퍼(NSR-205i11D, 니콘(주))로 노광을 실시하였다.Thereafter, in order to obtain a contact hole pattern having a diameter of 10 mu m, the exposure portion was exposed with an i-line stepper (NSR-205i11D, Nikon Corporation) using a mask having a square pattern opening with sides of 10 mu m.

노광 후의 기판을 2.38% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 23℃에서 40초 동안 퍼들 현상을 행하고, 230℃의 오븐에서 30분간 가열하여 경화된 절연 패턴을 형성하였다.The substrate after exposure was subjected to a puddle development in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 DEG C for 40 seconds using a developer and heated in an oven at 230 DEG C for 30 minutes to form a cured insulating pattern.

이후에 기판을 수직으로 절삭하고 각 절연 패턴에 10㎛ 콘택트 홀이 형성되는데 소요된 노광량을 측정하여 감도를 평가하였다.Subsequently, the substrate was cut vertically and the sensitivity was evaluated by measuring the amount of exposure required to form 10 占 퐉 contact holes in each insulating pattern.

(2) 패턴 각도(2) Pattern angle

감도 측정을 위해 형성된 절연 패턴들을 수직으로 절삭하고, 기판과의 각도를 광학 사진으로부터 산출하였다.The insulating patterns formed for the sensitivity measurement were cut vertically and the angle with the substrate was calculated from the optical photographs.

(3) 투과율 측정(3) Measurement of transmittance

감도 측정을 위해 형성된 절연 패턴들에 대해 400nm에서의 투과율을 분광광도계로 측정하였다.The transmittance at 400 nm was measured with a spectrophotometer for the insulating patterns formed for the sensitivity measurement.

(4) 잔막율(4)

0.7mm 두께의 유리 기판(코닝1737, 코닝社 제조) 위에 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 스피너로 도포하고, 100℃의 핫플레이트 상에서 125초간 가열하여 용매를 휘발시킨 후 막두께(A)를 측정하였다. 이후, 2.38% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 23℃에서 40초 동안 퍼들 현상을 행하고, 230℃의 오븐에서 30분간 가열하여 절연패턴을 형성한 후 막두께(B)를 측정하고, 하기 수학식 1에 따라 잔막율을 산출하였다.The photosensitive resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were coated on a 0.7 mm thick glass substrate (Corning 1737, manufactured by Corning) with a spinner and heated on a hot plate at 100 ° C for 125 seconds to volatilize the solvent. A) was measured. Thereafter, a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was subjected to a puddle development at 23 DEG C for 40 seconds using a developing solution, and an insulating pattern was formed by heating in an oven at 230 DEG C for 30 minutes. Then, the film thickness (B) The film residual ratio was calculated according to the following equation (1).

[수학식 1] [Equation 1]

잔막율(%) = B / A * 100Residual film ratio (%) = B / A * 100

구분division 감도(mJ/cm2)Sensitivity (mJ / cm 2 ) 패턴 각도(o)Pattern angle ( o ) 투과율(%)Transmittance (%) 잔막율(%)Remaining film ratio (%) 실시예 1Example 1 2424 5353 9898 7979 실시예 2Example 2 2424 5252 9999 7979 실시예 3Example 3 2525 5151 9898 7777 실시예 4Example 4 2525 5353 9898 7676 실시예 5Example 5 2727 5252 9999 7878 실시예 6Example 6 2626 5353 9999 8080 실시예 7Example 7 2626 5151 9898 7777 실시예 8Example 8 2727 5252 9898 7878 실시예 9Example 9 2525 5050 9999 7979 실시예 10Example 10 2626 5151 9898 7878 실시예 11Example 11 2727 5252 9999 7676 실시예 12Example 12 2626 5050 9999 7878 비교예 1Comparative Example 1 5050 6464 9797 6565 비교예 2Comparative Example 2 5353 6060 9797 6363 비교예 3Comparative Example 3 4040 6464 9494 8080 비교예 4Comparative Example 4 4343 6060 9393 8282 비교예 5Comparative Example 5 5454 6060 9797 6868 비교예 6Comparative Example 6 5656 5555 9494 6565

표 2를 참고하면, 선형 비닐 에테르 화합물이 바인더 수지와 함께 포함된 실시예들은 모두 98%이상의 투과율을 나타내면서 감도 및 패턴 프로파일 특성 역시 향상되었다.Referring to Table 2, all of the embodiments in which the linear vinyl ether compound was included together with the binder resin exhibited a transmittance of 98% or more, and the sensitivity and pattern profile characteristics were also improved.

말단에 아크릴레이트기가 결합된 화합물이 사용된 비교예 1, 2, 5 및 6의 경우, 감도가 현저히 저하되면서 잔막율이 함께 감소하였다. 또한, 상기 선형 비닐 에테르 화합물이 생략된 비교예 3 및 4의 경우, 황변 현상으로 인해 투과율이 감소되었다.In the case of Comparative Examples 1, 2, 5 and 6 in which a compound having an acrylate group at the terminal thereof was used, the sensitivity and the residual film ratio decreased together. In the case of Comparative Examples 3 and 4 in which the linear vinyl ether compound was omitted, the transmittance was decreased due to the yellowing phenomenon.

100: 기판 110: 제1 도전 패턴
120: 예비 절연막 123: 노광부
125: 비노광부 127: 개구부
130: 제2 도전 패턴
100: substrate 110: first conductive pattern
120: preliminary insulating film 123:
125: Non-visible portion 127:
130: second conductive pattern

Claims (13)

바인더 수지;
선형 비닐 에테르 화합물;
광산 발생제; 및
용제를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Binder resin;
Linear vinyl ether compounds;
Photoacid generators; And
A positive photosensitive resin composition comprising a solvent.
청구항 1에 있어서, 상기 바인더 수지는 산분해성기로 보호된 페놀 단위가 함유된 제1 수지를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the binder resin comprises a first resin containing a phenol unit protected with an acid-decomposable group.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00026

(화학식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
R3은 상기 산분해성기를 나타내며, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 혹은 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 테트라하이드로피라닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 혹은 탄소수 4 내지 8의 시클로알콕시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,
p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임).
[2] The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the first resin comprises a structural unit represented by the following formula (1)
[Chemical Formula 1]
Figure pat00026

(Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or a methyl group,
R 3 represents an acid-decomposable group and is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a tetrahydropyranyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a cycloalkoxy group having 4 to 8 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
p is 40 to 80 mol%, and q is 20 to 60 mol%).
청구항 3에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1-1로 표시되는 구조단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1-1]
Figure pat00027

(화학식 1-1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,
p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임).
4. The positive photosensitive resin composition according to claim 3, wherein the first resin comprises a structural unit represented by the following formula (1-1)
[Formula 1-1]
Figure pat00027

(Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or a methyl group,
R 4 and R 5 are each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
p is 40 to 80 mol%, and q is 20 to 60 mol%).
청구항 2에 있어서, 상기 바인더 수지는 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제2 수지를 더 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The positive photosensitive resin composition according to claim 2, wherein the binder resin further comprises a second resin including an epoxy resin containing an epoxy group.
청구항 5에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체들 중 적어도 하나로부터 유래하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00028

[화학식 3]
Figure pat00029

(화학식 2 및 3 중, Z1은 수소 또는 메틸기이며, Z2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이거나, 서로 연결되어 탄소수 3 내지 8의 고리를 형성하며,
m은 1 내지 6의 정수임).
The positive photosensitive resin composition according to claim 5, wherein the second resin is derived from at least one of monomers represented by the following general formula (2) or (3)
(2)
Figure pat00028

(3)
Figure pat00029

(Wherein Z 1 is hydrogen or a methyl group, Z 2 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, Z 3 and Z 4 are independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Form a ring of 3 to 8,
and m is an integer of 1 to 6).
청구항 5에 있어서, 상기 바인더 수지 총 100중량부 중 상기 제1 수지는 약 30 내지 55중량부, 상기 제2 수지는 약 10 내지 55 중량부로 포함되는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The positive photosensitive resin composition according to claim 5, wherein the first resin is contained in an amount of about 30 to 55 parts by weight and the second resin is contained in about 10 to 55 parts by weight in 100 parts by weight of the total binder resin.
청구항 1에 있어서, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 하기의 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 4]
Figure pat00030

(화학식 4 중, R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬렌기이고, n은 1 내지 6의 정수임).
The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the linear vinyl ether compound comprises a compound represented by the following formula (4):
[Chemical Formula 4]
Figure pat00030

(Wherein R 1 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkylene group having 3 to 12 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 6).
청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 상기 바인더 수지의 함량은 5 내지 50중량%이며, 상기 선형 비닐 에테르 화합물은 상기 바인더 수지 100중량부 중 1 내지 40중량부로 포함되는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the content of the binder resin in the total weight of the composition is 5 to 50% by weight, and the linear vinyl ether compound is contained in 1 to 40% by weight in 100 parts by weight of the binder resin.
청구항 1에 있어서, 상기 광산발생제는 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술포네이트계 및 트라아진계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The photoacid generator according to claim 1, wherein the photoacid generator is at least one selected from the group consisting of a diazonium salt, a phosphonium salt, a sulfonium salt, an iodonium salt, an imidosulfonate, an oxime sulfonate, a diazodisulfone, A benzylsulfonate-based compound, and a triprazine-based compound.
청구항 1 내지 10 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성된 절연막.
An insulating film formed from the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10.
청구항 11에 있어서, 화상 표시 장치의 층간 절연막 또는 비아 절연막으로 사용되는, 절연막
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 11, wherein the insulating film used as an interlayer insulating film or a via insulating film of an image display apparatus
청구항 11의 절연막을 포함하는 화상표시장치.

An image display device comprising the insulating film of claim 11.

KR1020180007287A 2018-01-19 2018-01-19 Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same KR20190088779A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180007287A KR20190088779A (en) 2018-01-19 2018-01-19 Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180007287A KR20190088779A (en) 2018-01-19 2018-01-19 Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190088779A true KR20190088779A (en) 2019-07-29

Family

ID=67480550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180007287A KR20190088779A (en) 2018-01-19 2018-01-19 Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190088779A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130021324A (en) 2011-08-22 2013-03-05 후지필름 가부시키가이샤 Resist pattern forming method, resist pattern, positive resist composition, nanoimprint mold and photomask

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130021324A (en) 2011-08-22 2013-03-05 후지필름 가부시키가이샤 Resist pattern forming method, resist pattern, positive resist composition, nanoimprint mold and photomask

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5498971B2 (en) Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic EL display device
CN105938299B (en) Chemically amplified photosensitive resin composition and insulating film produced therefrom
JP6096202B2 (en) Photosensitive resin composition and method for producing pattern using the same
KR100964773B1 (en) Chemically amplified Positive Extremely High Sensitive Organic Insulator Composition And Method of Foming Organic Insulator Using Thereof
JP5814144B2 (en) Photosensitive resin composition and method for producing pattern using the same
JP2012042837A (en) Positive photosensitive composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device and organic el display device
JP4509107B2 (en) Positive photosensitive resin composition and resulting interlayer insulating film and microlens
JP2022001941A (en) Polymer, and production method thereof
KR101354538B1 (en) A photoactive compound including xanthene structure and an organic insulation layer composition comprising the same
JP5334755B2 (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR20190110019A (en) Radiation-sensitive composition, cured film and display device
JP2010181866A (en) Positive photosensitive resin composition, cured film, interlayer dielectric, organic electroluminescence display device, and liquid crystal display device
KR102564141B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same
KR20190088779A (en) Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same
CN110119068B (en) Positive photosensitive resin composition, insulating film, and image display device
JP5325278B2 (en) Positive photosensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR102044944B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device
KR20200088130A (en) Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same
KR20200099864A (en) Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same
KR20190114609A (en) Positive-type photosensitive resin composition and insulation layer formed from the same
KR102193440B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR20170109264A (en) Chemically amplified positive photosensitive resin composition for an organic insulation film and insulation layer prepared from the same
KR20110087208A (en) Positive type photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device
KR20190106412A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive resin layer using the same