KR20190086143A - 발광소자 패키지 및 광원 장치 - Google Patents

발광소자 패키지 및 광원 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190086143A
KR20190086143A KR1020180004318A KR20180004318A KR20190086143A KR 20190086143 A KR20190086143 A KR 20190086143A KR 1020180004318 A KR1020180004318 A KR 1020180004318A KR 20180004318 A KR20180004318 A KR 20180004318A KR 20190086143 A KR20190086143 A KR 20190086143A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
disposed
conductive
metal
Prior art date
Application number
KR1020180004318A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102453886B1 (ko
Inventor
김원중
송준오
임창만
김성호
윤석범
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020180004318A priority Critical patent/KR102453886B1/ko
Publication of KR20190086143A publication Critical patent/KR20190086143A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102453886B1 publication Critical patent/KR102453886B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀; 상기 제1관통홀에 대면하는 제1본딩부와 상기 제2관통홀에 대면하는 제2본딩부를 갖는 발광소자; 상기 제1관통홀의 일부에 배치된 제1금속부; 및 상기 제2관통홀의 일부에 배치된 제2금속부를 포함하며, 상기 제1금속부는 상기 제1본딩부에 연결되며, 상기 제2금속부는 상기 제2본딩부에 연결되며, 상기 제1 및 제2금속부 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀의 상부 중심 간의 간격보다 더 클 수 있다.

Description

발광소자 패키지 및 광원 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE UNIT}
발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 하부에 몸체의 관통 홀이 배치되고 상기 관통홀의 표면 및 상기 몸체의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광 소자와 중첩되는 영역에 몸체의 관통 홀과 금속부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 바닥과 몸체의 양측면으로 금속부를 배치한 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 바닥에 도전부를 확산을 억제할 수 있는 절연부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체와 소자 사이에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀; 상기 제1관통홀에 대면하는 제1본딩부와 상기 제2관통홀에 대면하는 제2본딩부를 갖는 발광소자; 상기 제1관통홀의 일부에 배치된 제1금속부; 및 상기 제2관통홀의 일부에 배치된 제2금속부를 포함하며, 상기 제1금속부는 상기 제1본딩부에 연결되며, 상기 제2금속부는 상기 제2본딩부에 연결되며, 상기 제1 및 제2금속부 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀의 상부 중심 간의 간격보다 더 클 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1금속부로부터 상기 몸체의 바닥으로 연장된 제1연결부; 및 상기 제2금속부로부터 상기 몸체의 바닥으로 연장된 제2연결부를 포함하며, 상기 제1 및 제2연결부의 폭은 상기 제1 및 제2관통홀의 폭보다 클 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연결부로터 상기 몸체의 측면 중 적어도 한 측면으로 연장된 제1측부; 및 상기 제2연결부로부터 상기 몸체의 측면 중 적어도 한 측면으로 연장된 제2측부를 포함하며, 상기 제1 및 제2측부가 배치된 측면은 상기 몸체의 측면 중 어느 한 측면이거나, 서로 반대측 면일 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연결부와 상기 제2연결부는 상기 제1 및 제2관통홀의 길이보다 긴 제1개구부와 제2개구부를 포함하며, 상기 제1 및 제2개구부에는 상기 몸체의 바닥 일부가 돌출된 돌기가 노출될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연결부 및 상기 제2연결부의 아래에 배치된 절연성 재질의 돌기를 포함하며, 상기 돌기는 상기 제1 및 제2관통홀의 길입보다 긴 길이를 가질 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 수지 재질로 형성되며, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며, 상기 제1수지는 상기 제1 및 제2본딩부 사이에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2관통홀 각각에 배치된 도전 돌기를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 발광소자 아래의 제1몸체와, 상기 발광소자 둘레에 제2몸체를 포함하며, 상기 제2몸체는 상기 발광소자가 배치딘 캐비티를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 하부 둘레에 제2수지 및 상기 캐비티 내에 몰딩부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 상기의 발광소자 패키지가 배치되며, 상기 발광소자 패키지의 제1 및 제2관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며, 상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부 및 상기 제1관통홀 내의 제1금속부에 연결되며, 상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부 및 상기 제2관통홀 내의 제2금속부에 연결될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀에 금속부를 제공하여, 본딩부와의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀 및 바닥에 배치된 금속부를 도전부로 본딩하여 줌으로써, 관통홀 내의 도전부의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀을 통해 도전부와 소자의 본딩부를 연결시켜 주어, 플립 칩의 본딩부의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀에 소자의 본딩부와 도전부가 연결될 수 있도록 하여, 플립 칩의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부와 몸체 사이에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지, 이를 갖는 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 4의 발광소자 패키지의 몸체에 리세스를 배치한 예이다.
도 6은 도 5의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 분해 도면이다.
도 7은 도 6의 광원 장치의 결합 예이다.
도 8은 도 5의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 9는 도 8의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 10은 도 5의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 11은 도 10의 발광소자 패키지의 금속부를 보여주기 위한 배면도이다.
도 12는 도 5의 발광소자 패키지의 제3변형 예이다.
도 13은 도 12의 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다.
도 14는 도 5의 발광소자 패키지의 제4변형 예이다.
도 15는 도 5의 발광소자 패키지의 제5변형 예이다.
도 16는 도 15의 발광소자 패키지의 저면의 예이다.
도 17은 도 15의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 18은 도 5의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 19는 도 18의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 20은 도 15의 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다.
도 21은 도 5의 발광소자 패키지의 발광소자의 다른 예이다.
도 22는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
도 23은 도 22의 발광소자의 F-F선 단면도이다.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이며, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이고, 도 5는 도 4의 발광소자 패키지의 몸체에 제1리세스를 배치한 예이며, 도 6은 도 5의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 분해 도면이고, 도 7은 도 6의 광원 장치의 결합 예이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1몸체(115)와 제2몸체(110A)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 위에 캐비티(102)를 제공할 수 있다. 일 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 별개로 형성된 후 부착되거나 결합될 수 있다. 이러한 결합을 위해, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)는 걸림홈 또는/및 걸림턱과 같은 결합 구조를 가질 수 있다.
다른 표현으로서, 제1 몸체(115)는 하부 몸체, 제2 몸체(110A)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102)를 제공하는 제2 몸체(110A)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 제1 몸체(115)만을 포함할 수도 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 발광소자(120)의 둘레에 배치되며, 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 캐비티(102)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102)는 바닥면과, 바닥면에서 몸체(110)의 상면에 대해 경사진 측면(132)을 포함할 수 있다. 상기 측면(132)는 스텝 구조를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 몸체(110)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향일 수 있다. 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1방향에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격이 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향 길이일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제1방향의 길이일 수 있다.
상기 몸체(110)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 이러한 몸체(110)는 상면 또는 캐비티(102)의 바닥에 금속 프레임이 제거된 구조이므로, 금속 프레임을 갖는 구조에 비해 몸체 재질의 선택의 폭이 넓을 수 있다.
상기 몸체(110)는 관통홀(TH1,TH2)을 구비할 수 있다. 상기 몸체(110)는 하나 또는 복수의 관통홀을 구비할 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 서로 이격된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 아래에 배치된 상기 몸체(110)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 제1몸체(115)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 캐비티(102)의 바닥에서 상기 제1몸체(115)의 하면까지 관통될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 관통될 수 있다.
실시예에 의하면, 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)의 내면은 수직한 면이거나, 경사진 면 또는 곡면 중에서 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)와 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은 100 마이크로 미터 내지 600 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)와 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은, 상기 발광소자 패키지(100)가 회로기판, 또는 서브 마운트에 실장되는 경우에, 전기적인 간섭을 방지하기 위하여 상기의 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 제1 몸체(115)의 두께와 동일할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 제1 몸체(115)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)의 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 도 4 및 도 5와 같이, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 더 길 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 기판(124)는 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 둘레에 상기 제2몸체(110A)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 외측 둘레에 배치된 내 측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 몸체(111) 또는 제1몸체(115)와 대면할 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 제2몸체(110A)의 상부 방향으로 추출될 수 있게 된다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질 및 비금속 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(120)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체(110)과 상기 발광소자(120) 사이의 영역에는 소정의 갭(Gap)이 배치될 수 있다. 상기 갭의 높이는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 두께와 같거나 클 수 있다. 상기 갭에는 제1수지(160)가 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 제1몸체(115)의 상면 또는 캐비티 바닥 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 도 7에 도시된 도전부(221,223)가 형성되기 전에 상기 발광소자(120)의 하부에 디스펜싱되어, 상기 발광소자(120)를 상기 제1몸체(115) 상에 부착시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1수지(160)는 상기 도전부(221,223)가 리멜팅되더라도, 상기 제1몸체(115)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 제1몸체(115)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 제1몸체(115)에 접착시켜 주어, 상기 발광소자(120)의 지지력을 증가시켜 줄 수 있고 상기 발광소자(120)의 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1몸체(115) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 접촉되어, 도 7과 같은 회로 기판(201) 상에서 상기 발광소자(120)와 본딩되는 도전부(221,223)가 리멜팅될 경우, 상기 발광소자(120)의 유동을 방지하고 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다.
발명에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(110)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 Z 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(TH1)을 통해 상기 제1 본딩부(121)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제1 관통홀(TH1)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제2 관통홀(TH2)을 통해 상기 제2 본딩부(122)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제2 관통홀(TH2)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 제1방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 Z축 방향으로 중첩될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1관통홀(TH1)은 X 방향의 폭과 Y 방향의 길이가 서로 동일하거나 Y 방향의 길이가 X 방향의 폭보다 클 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 X 방향의 폭과 Y 방향의 길이가 서로 동일하거나 Y 방향의 길이가 X 방향의 폭보다 클 수 있다. 이러한 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 폭 및 길이는 제1 및 제2본딩부(121,122)의 크기에 의해 달라질 수 있다. X 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, X 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. Y 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 길이가 상기 제1 본딩부(121)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, Y 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 길이가 상기 제2 본딩부(122)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 대칭 형상이거나 비 대칭 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상/하면의 중심이 서로 어긋나게 배치된 경우, 두 관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 직선 거리는 하면 중심 간의 직선 거리보다 더 작을 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 금속부(111,113)를 포함할 수 있다. 상기 금속부(111,113)는 서로 이격된 제1 및 제2금속부(111,113)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(113)는 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제1금속부(111)와 상기 제2금속부(113)는 수직 방향 또는 Z 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면과 상기 몸체(110)의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면과 상기 몸체(110)의 바닥 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(111) 및 상기 제2금속부(113)는 금속으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 두께는 5 마이크로 미터 이상 예컨대, 5 내지 100 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 금속부(111,113)의 두께가 상기 범위보다 크면 열 전도율의 개선이나 전기 전도 특성의 개선이 미미하며, 상기 범위보다 작으면 방열 효율이나 전기 전도특성이 저하될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 몸체의 표면에 증착 공정, 도금 공정, 라미네이션(Lamination) 공정 또는 사출 성형 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 중에서 제2측면(S2)보다 제1측면(S1)에 더 인접한 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 중에서 제1측면(S1)보다 제2측면(S2)에 더 인접한 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 제1 및 제2금속부(111,113) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 제1 및 제2금속부(111,113) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 중심 간의 간격보다 클 수 있다.
상기 제1금속부(111)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 제1연결부(111B) 및 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)에 배치된 제1측부(111A)를 포함할 수 있다. 상기 제1연결부(111B)는 상기 제1금속부(111)로부터 연장될 수 있고, 상기 제1측부(111A)는 상기 제1연결부(111B)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1금속부(111), 제1연결부(111B) 및 제1측부(111A)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1연결부(111B)는 상기 제1관통홀(TH1)을 기준으로 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 몸체(110)의 제1측면(S1) 사이의 바닥 일부 또는 바닥 전체에 배치될 수 있다. 상기 제1측부(111A)는 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)의 일부 또는 전체에 배치될 수 있다.
상기 제2금속부(113)는 상기 몸체(110)의 바닥으로 연장된 제2연결부(113B) 및 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)에 배치된 제2측부(113A)를 포함할 수 있다. 상기 제2연결부(113B)는 상기 제2금속부(113)로부터 연장될 수 있고, 상기 제2측부(113A)는 상기 제2연결부(113B)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2금속부(113), 제2연결부(113B) 및 제2측부(113A)는 동일한 적층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제2연결부(113B)는 상기 제2관통홀(TH2)을 기준으로 상기 제2관통홀(TH2)과 상기 몸체(110)의 제2측면(S2) 사이의 바닥 일부 또는 바닥 전체에 배치될 수 있다. 상기 제2측부(113A)는 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)의 일부 또는 전체에 배치될 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 제2방향 길이는 상기 제1 및 제2연결부(111B,113B)의 제2방향 길이보다 작을 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2금속부(111,113)로부터 발생된 열은 제1 및 제2연결부(111B,113B)를 통해 전도되거나 방열될 수 있다. 상기 제1 및 제2측부(111A,113A)의 제2방향 길이는 상기 제1 및 제2연결부(111B,113B)의 제2방향 길이와 같거나 다를 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 표면적은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 표면적보다는 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 제1 및 제2연결부(111B,113B)의 면적이 다른 영역의 면적보다 클 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 높이는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 높이보다 크고, 상기 제1몸체(115)의 두께보다 클 수 있다. 이는 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 제1 및 제2연결부의 두께를 포함하고 있어, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 높이는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하면보다 더 아래로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 상단은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면과 같거나 더 낮게 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2금속부(111,113)의 상단은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 통해 상기 제1몸체(115)의 상면으로 연장될 수 있다.
상기 제1측부(111A) 및 상기 제2측부(113A)의 상단은 상기 몸체(110)의 제1측면(S1) 및 제2측면(S2)의 상단과 같은 평면 상에 배치되거나, 상기 몸체(110)의 제1 및 제2측면(S1,S2)의 상단보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(111)의 제1측부(111A)와 상기 제2금속부(113)의 제2측부(113A)는 도 10과 같이, 광원 장치의 제1회로 기판(205)과 제2회로 기판(207) 상에 각각 대면하고, 상기 제1 및 제2회로 기판(205,207)과 연결될 수 있다. 즉, 도 10의 발광소자 패키지는 제1 및 제2회로 기판(205,207) 사이에 상기 발광소자 패키지(100)를 사이드뷰 타입으로 배치할 수 있고, 제1 및 제2측부(111A,113A)를 통해 상기 제1 및 제2회로 기판(205,207)으로부터 전원을 공급받을 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1금속부(111)의 제1측부(111A)와 상기 제2금속부(113)의 제2측부(113A)는 인접한 발광소자 패키지와 측면 접합을 통해, 인접한 두 발광소자 패키지를 직렬로 연결시켜 줄 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와 연결될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 상기 제1본딩부(121)와 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 상기 제2본딩부(122)와 접촉되거나 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)와 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 계면은 금속 또는 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 배치될 수 있다. 상기 금속 또는 금속간 화합물층은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전성 물질 예컨대, 솔더 페이스트, 실버 페이스트와 같은 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 도전성 물질은 금속부(111,113)와 본딩부(121,122)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 도전성 물질은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전성 물질은 CuxSny계, AgxSny계, AuxSny계, SAC계 페이스트 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.
도 6 및 도 7과 같이, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 도전부(221,223)가 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)에는 제1도전부(221)가 배치되고, 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2도전부(223)가 배치될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 제1금속부(111)의 표면과 상기 제1관통홀(TH1)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 제1관통홀(TH1)에서 상기 제1금속부(111)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 제2금속부(113)의 표면과 상기 제2관통홀(TH2)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 제2관통홀(TH2) 내에서 상기 제2금속부(113)의 표면에 접촉될 수 있다.
상기 제1도전부(221)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와, 상기 제1금속부(111) 및 상기 회로 기판(201)의 제1패드(211)에 연결될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와, 상기 제2금속부(113) 및 상기 회로 기판(201)의 제2패드(213)에 연결될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2도전부(221,223)에 의한 전기적인 및 열적인 경로를 최소화할 수 있다.
상기 회로 기판(201)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층(203)이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층(203)으로부터 노출된 패드(211,213)가 배치된다. 상기 패드(211,213)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층(203)은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.
상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
상기 제1패드(211)는 상기 제1도전부(221)를 통해 상기 제1본딩부(121)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(213)는 상기 제2도전부(223)을 통해 상기 제2본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6과 같이, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 액상의 재질로 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(201) 상에 정렬된 발광소자(120)를 결합하게 된다. 이때 상기 제1패드(211) 상에 배치된 제1도전부(221)는 제1관통홀(TH1)에 주입되고, 상기 제2패드(213) 상에 배치된 제2도전부(223)는 제2관통홀(TH2)에 주입될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)은 상기 제1금속부(111)가 배치된 영역 이외의 표면이 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1도전부(221)의 확산을 억제할 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 제2금속부(113)가 배치된 영역 이외의 표면이 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제2도전부(223)의 확산을 억제할 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 제1몸체(115)는 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(221,223) 사이에 배치된 제1몸체(115)는 액상의 도전성 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(221,223) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다.
상기 제1금속부(111)의 제1연결부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연결부(113B)는 회로 기판(201)과 연결되어 열을 전도하거나 상기 회로 기판(201)의 패드(211,213)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 도 7과 같이 상기 제1금속부(111)의 제1연결부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연결부(113B)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 인접한 부분이 상기 회로 기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 제1금속부(111)의 제1연결부(111B)와 상기 제2금속부(113)의 제2연결부(113B)는 상기 회로 기판(201) 상의 보호층(203)과 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 보호층(203)이 절연성 재질로 배치되어, 상기 제1 및 제2연결부(111B,113B)를 따라 도전부(221,223)가 확산되는 것을 방지할 수 있다.
발명의 실시 예는 도전부(221,223)의 유동 또는 확산을 수지 재질의 몸체(110)로 방지할 수 있고 상기 각 관통홀(TH1,TH2) 내에 금속부(111,113)를 각각 배치하여, 도전부(221,223)의 접합성을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 도전부(221,223)의 확산을 억제할 수 있어, 상기 도전부(221,223)가 일정한 분포나 형상을 갖게 되므로, 도전부(221,223)의 불균일한 분포로 인한 전기적 오픈 문제나 열 전달 효율의 저하 문제를 방지할 수 있다. 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 일부 표면에 수지가 노출되고 다른 표면에 금속부(111,113)가 배치되므로, 도전부(221,223)가 배치되는 관통홀(TH1,TH2) 내에 보이드(void)가 형성되는 것을 억제하거나 보이드 양을 줄여줄 수 있다. 또는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내에는 상기 도전부(221,223) 및 금속부(111,113) 및 보이드를 포함할 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,222)의 물질이 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(221,223)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,223)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(221,223)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 사이 또는 사익 도전부(221,223)과 상기 패드(211,213) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다. 예 로서, 상기 도전부(221,223)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전부(221,223)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 도전부(221,223)를 이루는 물질과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(221,223) 및 합금층이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(221,223)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)로부터 제공될 수 있다.
상기 도전부(221,223)가 Sn 물질을 포함하고 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)의 금속층이 Ag 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Ag 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는, 상기 도전부(221,223)가 Sn 물질을 포함하고 상기 금속층이 Au 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Au 물질의 결합에 의하여 AuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는, 상기 도전부(221,223)가 Sn 물질을 포함하고 상기 금속층이 Cu 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Cu 물질의 결합에 의하여 CuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.
또는 상기 도전부(221,223)가 Ag 물질을 포함하고 상기 금속층의 일부 층이 Sn 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(221,223)가 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Ag 물질과 Sn 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다. 이상에서 설명된 금속간 화합물층은 다른 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 몰딩부(190)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제2몸체(110A)에 의하여 제공된 캐비티(102)에 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 제1 및 제2금속부(111,113) 및 도전부(221,223)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전부(221,223)의 용융점이 다른 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 도전부와 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
도 5는 도 4의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다. 도 5의 구성은 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(110) 상에는 오목한 리세스(Recess)(R1)가 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1)는 상기 제1 및 제2금속부(111,113) 사이에 배치될 수 있다.
상기 리세스(R1)는 상기 제1몸체(115) 상에 오목하게 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1)에는 제1수지(160)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 리세스(R1)는 상기 제1수지(160)를 지지하고 상기 제1수지(160)가 발광소자(120)의 측면으로 유동하는 것을 방지할 수 있다. 상기 리세스(R1)는 제1몸체(115) 상에 하나 또는 복수로 배치되어, 상기 제1수지(160)의 일부와 결합될 수 있다. 상기 리세스(R1)은 적어도 일부가 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 적어도 일부가 발광소자(120)의 측면 외측으로 돌출된 외측부를 포함할 수 있다. 이러한 리세스(R1)은 일부가 발광소자(120)의 내측에서 외측으로 돌출되므로, 발광소자(120)의 가압에 따라 이동되는 수지를 담을 수 있다. 상기 제1몸체(115)와 발광소자(120) 사이에는 제1수지(160)가 배치될 수 있다.
상기 리세스(R1)의 깊이는 상기 제1몸체(115)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 예컨대 20 마이크로 미터 이상 또는 20 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 리세스(R1)의 깊이가 상기 범위보다 크면 제1몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작으면 지지력이 미미할 수 있다. 이러한 리세스(R1)의 깊이는 상기 제1몸체(115)의 두께보다 작을 수 있다.
도 8은 도 4의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다. 제1변형 예의 구성은 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함하거나 상기에 개시된 구성에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 8을 참조하면, 발광소자 패키지는 제1 및 제2도전부(221,223)와, 제1 및 제2수지부(225,227)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)의 제1관통홀(TH1)의 일부에는 제1금속부(111)가 배치되고, 제2관통홀(TH2)의 일부에는 제2금속부(113)가 배치될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)에는 상기 제1도전부(221)가 배치되고, 상기 제1도전부(221)의 아래에 제1수지부(225)가 배치될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 상기 제1수지부(225)와 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 제2수지부(227)와 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 두께 또는 높이는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이보다 작을 수 있어, 상기 제1 및 제2수지부(225,227)가 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 두께 또는 높이는 상기 제1 및 제2수지부(225,227)의 두께보다 클 수 있어, 제1 및 제2금속부(111,113)와의 전기적 접촉 면적을 확보할 수 있다.
상기 제1 및 제2수지부(225,227)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 상기 제1몸체(115)와의 접촉될 수 있어, 결합력이 개선될 수 있다. 상기 제1 및 제2수지부(225,227)는 상기 제1 및 제2도전부(221,223)가 리멜팅되더라도, 상기 몸체(110)의 바닥 방향으로 누설되는 것을 방지할 수 있어, 제1 및 제2도전부(221,223)의 크랙을 방지하거나 오픈 문제를 줄여줄 수 있다.
도 8과 같은 발광소자 패키지는 도 7과 같이 회로 기판 상에 탑뷰(Top view) 타입으로 탑재하거나, 도 9와 같이 사이드 뷰(side view) 타입으로 배치할 수 있다. 도 9와 같이, 서로 대면하는 제1 및 제2회로 기판(205,207) 사이에 상기 발광소자 패키지(100)를 배치한 후, 제2회로 기판(207) 상에 제2금속부(113)의 제2측부(113A)를 본딩시키고, 제1회로 기판(205) 아래에 제1금속부(111)의 제1측부(111A)를 본딩시켜 줄 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2회로 기판(205,207)은 제1 및 제2금속부(111,113)와 연결될 수 있고, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 제1 및 제2금속부(111,113)와 제1 및 제2본딩부(121,122)와 연결될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지는 관통홀(TH1,TH2)에 금속부(111,113)를 배치하고 도전부(221,223)를 채워줌으로써, 패키지 타입을 다양하게 적용할 수 있고 도전부에 의한 신뢰성 저하 문제를 방지할 수 있다.
도 10은 도 5의 발광소자 패키지의 제2변형 예이며, 도 11은 도 10의 발광소자 패키지의 금속부를 보여주기 위한 배면도이다. 제2변형 예의 구성은 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함하거나 상기에 개시된 구성에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 발광소자 패키지는 제1 및 제2금속부(111,113) 중 적어도 하나를 다른 금속부와 같은 몸체 측면에 노출시켜 줄 수 있다. 예컨대, 도 11과 같이 제1금속부(111)의 제1측부(111A)와 제2금속부(113)의 제2측부(113A)는 몸체(110)의 제2측면(S2)에 배치되거나 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)으로 연장될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자 패키지는 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)을 회로 기판 상에 배치하여, 사이드 뷰 타입으로 구현할 수 있다.
이를 위해 제1금속부(111)와 제2금속부(113)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치되고, 제1금속부(111)의 제1 및 제2연결부(111B,113B)는 제2관통홀(TH2)과 제2측면(S2) 사이의 영역에 양측으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1금속부(111)의 제1연결부(111B)의 제1방향 길이는 제2금속부(113)의 제2연결부(113B)의 제1방향 길이보다 길 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2측부(111A,113A)는 몸체(110)의 제1측면(S1), 제3 또는 제4측면(S3,S4) 중 적어도 하나에서 서로 다른 영역에 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지는 몸체의 한 측면에 하나의 회로 기판 만을 이용하게 되므로, 도 9의 구성보다는 간략하게 제공할 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에는 상기 제1 및 제2도전부(221,223) 아래에 제1 및 제2수지부(225,227)가 배치되어, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 유동 또는 누설을 방지할 수 있다. 이에 따라 사이드 뷰 타입의 발광소자 패키지에서의 도전부에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
도 12는 도 5의 발광소자 패키지의 제3변형 예이며, 도 13은 도 12의 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다. 제3변형 예는 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함하거나 상기에 개시된 구성에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 발광소자 패키지는 제1 및 제2금속부(111,113)가 제1 및 제2측부 없이 구현될 수 있다. 상기 제1금속부(111)는 제1관통홀(TH1)에서 몸체(110)의 바닥에 배치된 제1연결부(111B)로 연장되고 상기 제1연결부(111B)는 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)에 노출될 수 있다. 상기 제2금속부(113)는 제2관통홀(TH2)에서 몸체(110)의 바닥에 배치된 제2연결부(113B)로 연장되고 상기 제2연결부(113B)는 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)에 노출될 수 있다.
도 13과 같이, 상기 제1관통홀(TH1)에는 제1금속부(111) 및 제1도전부(221)가 배치되며, 상기 제1금속부(111) 및 상기 제1도전부(221)는 상기 제1본딩부(121)와 제1패드(211) 사이를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2금속부(113)와 제2도전부(223)가 배치되며, 상기 제2금속부(113) 및 상기 제2도전부(223)는 상기 제2본딩부(122)와 제2패드(213) 사이를 연결시켜 줄 수 있다.
다른 예로서, 도 12의 발광소자 패키지는 제1 및 제2금속부(111,113)의 제1 및 제2연결부(111B,113B)를 도 11과 같이 구현할 경우, 사이드 뷰 타입의 패키지로 배치될 수 있다.
도 14는 도 5의 발광소자 패키지의 제4변형 예이다. 제4변형 예는 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함하거나 상기에 개시된 구성에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 14를 참조하면, 발광소자 패키지는 제1금속부가 제1연결부(111B)로 형성되며, 제2금속부가 제2연결부(113B)로 이루어질 수 있다. 상기 제1연결부(111B)와 상기 제2연결부(113B)는 몸체(110)의 바닥에 배치될 수 있다. 상기 제1연결부(111B)는 제1관통홀(TH1)의 하부 일부에 노출되며, 상기 제2연결부(113B)는 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 일부에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2연결부(111B,113B)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치되지 않고 노출되는 형태로 제공되어 있어, 상기에 개시된 제1 및 제2도전부(221,223)와의 접촉이 가능하며 전기적으로 연결될 수 있다.
도 15는 도 5의 발광소자 패키지의 제5변형 예이며, 도 16는 도 15의 발광소자 패키지의 저면의 예이며, 도 17은 도 15의 발광소자 패키지의 다른 예이고, 도 18은 도 5의 발광소자 패키지의 다른 예이며, 도 19는 도 18의 발광소자 패키지의 다른 예이고, 도 20은 도 15의 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다. 제5변형 예는 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함하거나 상기에 개시된 구성에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 발광소자 패키지는 제1금속부(111)의 제1연결부(111B)에 제1개구부(11) 및 상기 제2금속부(113)의 제2연결부(113B)에 제2개구부(13)가 배치될 수 있다.
상기 제1개구부(11)에는 상기 몸체(110)의 제1돌기(51)가 돌출되며, 상기 제2개구부(13)에는 몸체(110)의 제2돌기(R3)가 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2개구부(11,13)는 도 16과 같이, 제1방향의 폭보다는 제2방향으로 긴 길이를 갖고 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제2개구부(11,13)는 제2방향의 길이가 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제2방향 길이보다 길게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2개구부(11,13)의 제1방향 폭은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1방향 폭보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(51,53) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 간의 간격보다 클 수 있어, 도전부의 측 방향 확산을 방지할 수 있다.
도 20과 같이 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 제1 및 제2도전부(221,223)가 배치된 경우, 상기 제1 및 제2개구부(11,13)에 노출된 제1 및 제2돌기(51,53)가 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 제1 방향으로의 확산이나 이동을 방지할 수 있다. 이에 따라 상기 제 1 및 제2도전부(221,223)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 밀도나 두께 확보가 가능하여, 상기 제 1 및 제2도전부(221,223)의 크랙 발생이나 오픈 문제를 방지할 수 있다. 도 20의 광원 장치과 같이, 제1 및 제2금속부(111,113)의 제1 및 제2연결부(111B,113B)와 회로 기판(201)의 제1 패드(211) 및 제2패드(213) 사이에 상기 도전부(221,223)를 더 배치하여, 전기적인 연결 및 방열 문제를 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예는 제1 및 제2금속부(111,113) 중에서 몸체(110)의 바닥에 배치된 제1 및 제2연결부(111B,113B)를 부분 오픈시켜, 상기 몸체(110)의 돌기(51,53)가 돌출되거나 몸체(110)가 노출되거나, 다른 절연체가 배치되어, 상기 도전부(221,223)의 이동을 제한할 수 있다. 이에 따라 도전부(221,223)의 확산 또는 유동에 따른 문제를 줄여줄 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 도 15와 같이, 제1 및 제2금속부(111,113)에 연결되는 제1 및 제2측부(111A,113A)를 포함하거나, 도 17과 같이, 제1 및 제2측부 없이 제공될 수 있다. 도 17에 개시된 발광소자 패키지는, 도 16의 제1 및 제2연결부(111B,113B) 상에 제1 및 제2개구부(11,13)를 포함할 수 있다.
도 18은 발광소자 패키지에서 제1금속부(111)의 제1연결부(111B)와, 제2금속부(113)의 제2연결부(113B) 아래에 제1 및 제2돌기(52,54)를 배치할 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(52,54)는 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(52,54)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(52,54)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있으며, 예를 들면, TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2돌기(52,54)는 수지 재질이므로, 도 15 및 도 17과 같은 몸체(110)의 돌기(51,53)와 동일한 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(52,54)는 제2방향으로 상기 제 1 및 제2관통홀(TH2)의 길이보다 긴 길이로 배치되어, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치되는 도전부(221,223)의 확산을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(52,54)의 제1방향 폭은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1방향 폭보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2돌기(52,54) 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 간의 간격보다 클 수 있어, 도전부(221,223)의 측 방향 확산을 방지할 수 있다.
도 19는 도 18의 발광소자 패키지에서 제1 및 제2금속부(111,113)에 연결된 제1 및 제2측부가 제거된 구성이며, 상세한 구성은 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 도 15 내지 도 19에서 제1돌기(51,52)는 몸체(110)의 제1측면(S1)보다 제1관통홀(TH1)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2돌기(53,54)는 상기 몸체(110)의 제2측면(S2)보다 제2관통홀(TH2)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 이 경우 상기 제1 및 제2돌기(51,52,53,54)의 위치에 따라 도전부(221,223)의 주입량을 조절할 수 있다. 상기의 도 15 내지 도 19는 도 20과 같이, 발광소자 패키지는 회로 기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 배치될 수 있고, 제1 및 제2돌기(51,52,53,54)에 의해 도전부(221,223)의 확산이 방지될 수 있다.
도 21은 도 5의 발광소자 패키지의 발광소자의 다른 예이다.
도 21를 참조하면, 발광소자 패키지는 발광소자(120)의 하부에 도전돌기(21A,22A)를 포함할 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 제1 및 제2금속부(111,113)에 인접하거나 연결될 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)와 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 상기 제1본딩부(121)로부터 몸체 하면 방향으로 돌출된 제1도전돌기(21A)와, 상기 제2본딩부(122)로부터 몸체 하면 방향으로 돌출된 제2도전 돌기(22A)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전돌기(21A,22A)는 도 20의 제1 및 제2도전부(221,223)에 접촉될 수 있어, 제1 및 제2패드(211,213)에 연결될 수 있다. 상기 제 1 및 제2도전돌기(21A,22A)의 높이 또는 두께는 상기 제1몸체(115)의 두께보다 작거나 크게 제공되어, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 주입되는 도전부(221,223)와 연결될 수 있고 상기 회로 기판(201)의 제 1 및 제2패드(211,213)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전돌기(21A,22A)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 통해 상기 몸체(111)의 하면에 노출될 수 있다.
상기 도전돌기(21A,22A)는 기둥 형상 예컨대, 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상을 포함할 수 있다. 상기 도전돌기(21A,22A)는 본딩부(121,122) 상에서 씨드층이 배치되고 상기 씨드층 상에 기둥 형태로 돌출된 금속 기둥을 포함할 수 있다. 상기 금속 기둥은 Cu, Au, Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 기둥은 바텀뷰 형상이 원 기둥 또는 다각 기둥 형상일 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 도 20과 같은 회로 기판(201) 상의 제1 및 제2패드(211,213)에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 도전돌기(21A,22A)는 패드(211,213)와 대면하고 도전부(221,223)와 연결될 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 상기 패드(211,213)와 도전돌기(21A,22A) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 도전돌기(21A,22A)는 상기 본딩부(121,122)로부터 전도된 열을 패드로 최단 경로로 전달할 수 있어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있고, 상기 도전부(221,223)의 주입 효율 저하에 따른 문제를 줄여줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 도전 돌기(21A,22A)의 상부 둘레에 도전부가 아닌 절연 부재가 배치될 수 있어, 상기 도전 돌기(21A,22A)를 지지할 수 있다. 이 경우 도전부(221,223)는 도전돌기(21A,22A)의 하부 및 그 둘레에 패드(211,213) 사이에 배치되어, 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예 또는 변형예에 따른 발광소자 패키지는, 도 21과 같이 제2수지(165)를 포함할 수 있다. 이러한 제2수지(165)는 발광소자(120)를 배치한 다음 디스펜싱하는 공정으로 형성할 수 있다. 상기 제2수지(165)는 제1몸체(115)와 몰딩부(190) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(165)의 상면 일부 또는 전체는 상기 발광소자(120)의 하면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 반사성 수지 재질로 형성되어, 상기 발광소자(120)의 측 방향으로 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 몸체(110)의 상면 재질보다 반사율이 더 높은 재질일 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 몸체(110)과 상기 발광소자(120)의 하부 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 제2 몸체(110A)에 제공된 캐비티(102)의 바닥 면에 제공될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 제1 본딩부(121) 및 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 발광소자(120)의 하면과 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(165)의 두께는 상기 발광소자(120)와 상기 제1몸체(115) 사이의 간격과 동일하거나 작을 수 있다.
상기 제2수지(165)는 상기 제1수지(160)와 연결되거나 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 본딩부(121,122)의 외부를 감싸거나 접촉될 수 있다.
상기 제1수지(160) 및 제2수지(165)는 상기 도전부(221,223)가 발광소자(120)의 본딩부(121,122)의 외측으로 유동하는 것을 차단할 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 도전부(221,223)의 상부 영역을 밀봉하고 상기 발광소자(120)의 하면에 접촉되어, 상기 도전부(221,223)으로부터 발광소자(120)를 보호할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2수지(160,165)는 도전부(221,223)가 리멜팅되더라도, 다른 영역으로 유동되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2수지(165)는 투명한 수지에 필러, 금속 산화물 또는 고굴절 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(165)는 내부에 필러 예컨대, TiO2, SiO2, 또는 Al2O3를 포함할 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제2수지(165)에 첨가된 필러들에 대해, 침전 현상을 가속시키는 공정을 진행할 경우, 상기 제2수지(165)에 첨가된 필러들은 바닥 방향으로 침전될 수 있다. 여기서, 상기 침전 현상을 가속시키는 공정은 원심 분리기를 이용하여 가속시키는 공정을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(165)는 캐비티(102)의 측면에 더 높게 배치될 수 있어, 광 반사율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 제2수지(165)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제2수지(165)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1몸체(115) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제2수지(165)는 몰딩부(190)와 밀착되므로, 습기 침투를 억제할 수 있다.
또한, 상기 제2수지(165)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제2수지(165)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 제2 몸체(110A)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 제2수지(165)와 상기 제1수지(160)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2수지(165)는 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122) 둘레에 배치될 수 있어, 캐비티 내부로 도전부의 확산을 방지하여 도전부의 댐 역할을 수행할 수 있다.
도 22는 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 23은 도 22에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 22를 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 도 23과 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다. 상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. 예로서, 상기 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.
상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.
상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다.
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 투광성 전극층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다. 도 23에서 영역 R11,R12,R13은 각 서브 전극의 영역별 중첩 영역을 구분하기 위해 나타낸다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 보호층(1150)을 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다.
또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.
이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다.
또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1000)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1000)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.
예로서, 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1000)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1000)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자(1000)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.
즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1000)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1000)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.
실시 예에서는 상기 발광소자(1000)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1000)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1000)의 장축 방향에 따른 길이는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.
상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 몸체(110)가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다.
또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 몸체(110)에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1000)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
또한, 상기 발광소자(1000)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다.
앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1000)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1000)가 실장되는 몸체(110)가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1000)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1000)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 몸체(110)가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1000)의 하부 영역에 배치된 몸체(110)가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1000)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1000)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1000)의 하부 면에 근접하게 배치된 몸체(110)가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 실시 예예 따른 발광소자(1000)에 의하면, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.
상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다.
예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1000)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1000)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 투광성 전극층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.
따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1000)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.
발광소자의 다른 예로서, 제1전극과 제2전극 중 적어도 하나는 패턴 형태로 구현될 수 있고, 상기 패턴 형태의 전극에 도 21과 같은 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 패턴은 하나 또는 복수의 암 형상 또는 가지 형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개의 발광 셀을 갖는 발광소자가 개시될 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 관통홀에 배치된 금속부 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 관통홀에 배치된 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
또한 프레임의 관통 홀의 하부 형상을 대칭적 또는 비 대칭적으로 형성하여, 도전부과 도전돌기의 결합 면적을 증가시켜 주어, 크랙 발생을 억제하고, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 또는 조명 모듈로 구현될 수 있으며, 상기 발광 모듈 또는 조명 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

110: 몸체
110A: 제2몸체
111,113: 금속부
111A,113A: 측부
111B,113B: 연결부
115: 제1몸체
120: 발광소자
121,122: 본딩부
TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지
165: 제2수지
201: 회로 기판
211,213: 패드
221,223: 도전부

Claims (10)

  1. 몸체;
    상기 몸체에 서로 이격된 제1 및 제2관통홀;
    상기 제1관통홀에 대면하는 제1본딩부와 상기 제2관통홀에 대면하는 제2본딩부를 갖는 발광소자;
    상기 제1관통홀의 일부에 배치된 제1금속부; 및
    상기 제2관통홀의 일부에 배치된 제2금속부를 포함하며,
    상기 제1금속부는 상기 제1본딩부에 연결되며,
    상기 제2금속부는 상기 제2본딩부에 연결되며,
    상기 제1 및 제2금속부 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀의 상부 중심 간의 간격보다 더 큰 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1금속부로부터 상기 몸체의 바닥으로 연장된 제1연결부; 및
    상기 제2금속부로부터 상기 몸체의 바닥으로 연장된 제2연결부를 포함하며,
    상기 제1 및 제2연결부의 폭은 상기 제1 및 제2관통홀의 폭보다 큰 발광소자 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1연결부로터 상기 몸체의 측면 중 적어도 한 측면으로 연장된 제1측부; 및
    상기 제2연결부로부터 상기 몸체의 측면 중 적어도 한 측면으로 연장된 제2측부를 포함하며,
    상기 제1 및 제2측부가 배치된 측면은 상기 몸체의 측면 중 어느 한 측면이거나, 서로 반대측 면인 발광소자 패키지.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1연결부와 상기 제2연결부는 상기 제1 및 제2관통홀의 길이보다 긴 제1개구부와 제2개구부를 포함하며,
    상기 제1 및 제2개구부에는 상기 몸체의 바닥 일부가 돌출된 돌기가 노출된 발광소자 패키지.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1연결부 및 상기 제2연결부의 아래에 배치된 절연성 재질의 돌기를 포함하며,
    상기 돌기는 상기 제1 및 제2관통홀의 길입보다 긴 길이를 갖는 발광소자 패키지.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 몸체는 수지 재질로 형성되며,
    상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며,
    상기 제1수지는 상기 제1 및 제2본딩부 사이에 배치되는 발광소자 패키지.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 제1 및 제2관통홀 각각에 배치된 도전 돌기를 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 발광소자 아래의 제1몸체와, 상기 발광소자 둘레에 제2몸체를 포함하며,
    상기 제2몸체는 상기 발광소자가 배치딘 캐비티를 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광소자의 하부 둘레에 제2수지 및 상기 캐비티 내에 몰딩부를 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및
    상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며,
    상기 발광소자 패키지는, 청구항 2 또는 3의 발광소자 패키지이며,
    상기 발광소자 패키지의 제1 및 제2관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며,
    상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부 및 상기 제1관통홀 내의 제1금속부에 연결되며,
    상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부 및 상기 제2관통홀 내의 제2금속부에 연결되는 광원 장치.
KR1020180004318A 2018-01-12 2018-01-12 발광소자 패키지 및 광원 장치 KR102453886B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180004318A KR102453886B1 (ko) 2018-01-12 2018-01-12 발광소자 패키지 및 광원 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180004318A KR102453886B1 (ko) 2018-01-12 2018-01-12 발광소자 패키지 및 광원 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190086143A true KR20190086143A (ko) 2019-07-22
KR102453886B1 KR102453886B1 (ko) 2022-10-11

Family

ID=67469114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180004318A KR102453886B1 (ko) 2018-01-12 2018-01-12 발광소자 패키지 및 광원 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102453886B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11362244B2 (en) 2020-02-03 2022-06-14 Au Optronics Corporation Light-emitting diode display

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020089785A (ko) * 2001-05-24 2002-11-30 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
KR20080004931A (ko) * 2006-07-07 2008-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20140008911A (ko) * 2012-07-13 2014-01-22 주식회사 대원이노스트 광 모듈 및 그 제조 방법
KR20140103513A (ko) * 2013-02-18 2014-08-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR20140132068A (ko) * 2013-05-07 2014-11-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20150017920A (ko) * 2013-08-08 2015-02-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020089785A (ko) * 2001-05-24 2002-11-30 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
KR20080004931A (ko) * 2006-07-07 2008-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20140008911A (ko) * 2012-07-13 2014-01-22 주식회사 대원이노스트 광 모듈 및 그 제조 방법
KR20140103513A (ko) * 2013-02-18 2014-08-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR20140132068A (ko) * 2013-05-07 2014-11-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20150017920A (ko) * 2013-08-08 2015-02-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11362244B2 (en) 2020-02-03 2022-06-14 Au Optronics Corporation Light-emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
KR102453886B1 (ko) 2022-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10672959B2 (en) Light emitting device package and light source apparatus
KR20190031094A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
KR20190025457A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
EP3439049B1 (en) Light-emitting device package
EP3471156B1 (en) Light-emitting device package
KR20190083042A (ko) 발광소자 패키지
KR20190029399A (ko) 발광소자 패키지
KR20190014957A (ko) 반도체 소자 패키지 및 광원 장치
KR20190066519A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102453886B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190077897A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190031092A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190034016A (ko) 발광소자 패키지 및 조명 모듈
KR20190031087A (ko) 발광소자 패키지
KR20190044449A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190086099A (ko) 발광소자 패키지
KR20190069152A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190034043A (ko) 발광소자 패키지
KR20190065011A (ko) 발광소자 패키지
KR20190029250A (ko) 발광소자 패키지 및 조명 모듈
KR102426849B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102550291B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190086194A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190083139A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190025458A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant