KR20190083799A - 솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템 - Google Patents

솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치는, 내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고 제1 측벽의 타측의 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징, 및 내부 공간에 수용되며 패키지 베이스 기판 및 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 반도체 칩을 가지는 패키지 기판 모듈을 포함하되, 복수의 통기공 각각은 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장된다.

Description

솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템{Solid state drive apparatus and data storage system having the same}
본 발명은 솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 통기공을 가지는 하우징을 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템에 관한 것이다.
종래의 하드디스크 드라이브를 대체할 차세대 저장 장치로서 솔리드 스테이트 드라이브 장치가 주목받고 있다. 솔리드 스테이트 드라이브 장치는 비휘발성 메모리에 기반한 저장 장치로서 소비 전력이 낮고 저장 밀도가 높다. 또한 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 저장 장치로서 이용하면 빠른 속도로 대용량의 데이터의 입출력이 가능하여 수요 증대가 기대되고 있다.
따라서 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 가지는 데이터 저장 시스템도 개발되고 있다. 반면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치가 고용량화함에 따라 발열이 증가하는 문제가 있다.
본 발명의 기술적 과제는 방열을 극대화하여 신뢰성이 향상된 솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 이를 가지는 데이터 저장 시스템을 제공하는 데에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치는, 내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고, 상기 제1 측벽의 타측의 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징; 및 상기 내부 공간에 수용되며, 패키지 베이스 기판 및 상기 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 반도체 칩을 가지는 패키지 기판 모듈;을 포함하되, 상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장된다.
본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치는, 내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고, 상기 제1 측벽의 타측의 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징; 상기 내부 공간에 수용되며, 제1 패키지 베이스 기판 및 상기 제1 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 제1 메모리 반도체 칩 및 적어도 하나의 콘트롤러 칩을 가지는 제1 패키지 기판 모듈; 상기 내부 공간에 수용되며, 제2 패키지 베이스 기판 및 상기 제2 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 제2 메모리 반도체 칩을 가지는 제2 패키지 기판 모듈;을 포함하되, 상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하며 연장된다.
본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 가지는 데이터 저장 시스템은, 메인 보드; 내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고, 상기 제1 측벽의 타측의 상기 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징, 및 상기 내부 공간에 수용되며, 패키지 베이스 기판 및 상기 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 반도체 칩을 가지는 패키지 기판 모듈을 각각 포함하며 상기 제2 측벽이 상기 메인 보드를 향하며 상기 메인 보드와 연결되는 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치; 및 상기 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 제1 측벽에 인접하도록 배치되는 적어도 하나의 냉각 팬;을 포함하며, 상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장된다.
본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치는 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 외부에서 관찰자가 반도체 칩을 관찰할 수 없다. 구체적으로, 본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치는 서로 반대되는 제1 측벽 및 제2 측벽이 각각 가지는 통기공및 커넥터 홈을 통하여 공기가 통할 수 있어, 솔리드 스테이트 드라이브 장치 내에서 발생하는 열을 쉽게 방출하면서도, 동시에 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 외부에서 통기공에 프로브를 삽입하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치 내의 정보를 빼내는 것을 방지할 수 있는 보안 효과를 가질 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 서로 다른 방향에서 바라보며 나타낸 사시도들이고, 도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 절단하여 나타낸 단면도이고, 도 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이고, 도 2c는 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 통기공에 대한 단면 확대도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 절단하여 나타낸 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 시스템을 나타내는 구성도이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 서로 다른 방향에서 바라보며 나타낸 사시도들이고, 도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 절단하여 나타낸 단면도이고, 도 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다. 구체적으로, 도 1c는 도 1a 및 도 1b의 IC-IC' 선을 따라서 절단한 단면도이다.
도 1a 내지 도 1d를 함께 참조하면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)는 하우징(100) 및 하우징(100)의 내부에 실장된 패키지 기판 모듈(400)을 포함한다.
하우징(100)은 단일의 물질로 이루어질 수도 있고, 열전달 특성을 고려하여 상이한 물질들이 조합된 것일 수 있다. 하우징(100)은 금속, 탄소계 소재, 폴리머 소재, 또는 이들의 조합로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 하우징(100)은 예를 들면, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 주석(Sn), 스테인레스 스틸 또는 이들을 포함하는 클래드 금속(clad metal)로 이루어질 수 있다. 또는 하우징(100)은 예를 들면, 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene), 탄소섬유, 탄소나노튜브 복합소재(carbon nanotube composite, CNT composite) 등으로 이루어질 수 있다. 또는 하우징(100)은 예를 들면, 에폭시 수지, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP) 등과 같은 폴리머 소재로 이루어질 수 있다.
하우징(100)은 상부 커버(102), 및 상부 커버(102)와 결합되는 하부 커버(104)를 포함할 수 있다. 하우징(100)은 그 내부에 상부 커버(102)와 하부 커버(104)에 의하여 포위되며 패키지 기판 모듈(400)이 수용되는 내부 공간(108)을 가질 수 있다.
하우징(100)은 서로 반대되는 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2)을 가질 수 있다. 본 명세서에서는 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2)의 대부분이 상부 커버(102)의 일부분인 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람에 의하여 하우징(100)의 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2)의 대부분이 하부 커버(104)의 일부분이도록 변형하거나, 또는 하우징(100)의 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2) 각각이 상부 커버(102)의 일부분과 하부 커버(104)의 일부분 각각의 다양한 형태로 구성되도록 변형할 수 있다. 다만, 본 명세서에서는 설명의 편의를 위하여, 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2)의 대부분이 상부 커버(102)의 일부분인 경우를 예시로 설명한다.
하우징(100)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(vent hole, 110)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 외부와 내부 공간(108)을 연통하도록, 제1 측벽(SW1)을 관통할 수 있다. 복수의 통기공(110)은 예를 들면 상부 커버(102)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 상측 표면 및 제1 측벽(SW1)의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110) 각각의 수직 단면은 예를 들면, 바 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 복수의 통기공(110) 각각의 수직 단면은 원형, 타원형, 직사각형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
복수의 통기공(110)에 대해서는 도 2a 내지 도 2c를 통하여 자세히 설명하도록 한다.
하우징(100)은 제2 측벽(SW2)에 커넥터 홈(120)을 가질 수 있다. 커넥터 홈(120)은 하우징(100)의 외부와 내부 공간(108)을 연통하도록, 제2 측벽(SW2)을 관통할 수 있다. 커넥터 홈(120)은 예를 들면 상부 커버(102)를 관통하도록 형성될 수 있다. 커넥터 홈(120)에는 패키지 기판 모듈(400)과 연결되는 외부 커넥터(200)가 배치될 수 있다.
외부 커넥터(200)는 패키지 기판 모듈(400)과 전기적으로 연결되는 단자부(210) 및 단자부(210)를 지지하는 커넥터 몸체부(220)를 포함할 수 있다. 외부 커넥터(200)는 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)를 외부 호스트와 연결하여 신호를 주고 받거나, 및/또는 전원을 공급받을 수 있다. 외부 커넥터(200)는, 예를 들면, PATA(parallel advanced technology attachment) 표준, SATA(serial advanced technology attachment) 표준, SCSI 표준, 또는 PCIe(PCI Express) 표준에 따른 방식으로 외부 장치와 연결될 수 있도록 구성된 커넥터일 수 있다. 여기에서, 상기 SATA 표준은 SATA-1 뿐만 아니라 SATA-2, SATA-3, e-SATA(external SATA) 등의 모든 SATA 계열 표준을 포괄한다. 상기 PCIe 표준은 PCIe 1.0 뿐만 아니라, PCIe 2.0, PCIe 2.1, PCIe 3.0, PCIe 4.0 등 모든 PCIe 계열 표준을 포괄한다. SCSI 표준은 병렬 SCSI, 시리얼 결합 SA-SCSI(SAS), iSCSI 등 모든 SCSI 계열 표준을 포괄한다. 일부 실시 예에서, 외부 커넥터(200)는 M2인터페이스, mSATA 인터페이스, 또는 2.5″ 인터페이스를 지원하도록 구성된 커넥터일 수 있다.
패키지 기판 모듈(400)은 패키지 베이스 기판(410) 및 패키지 베이스 기판(410)에 실장된 복수의 반도체 칩(420)을 포함할 수 있다. 패키지 기판 모듈(400)은 예를 들면, 복수의 반도체 칩(420)이 패키지 베이스 기판(410)의 상면에 실장된 SIMM(single in-lined memory module)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 패키지 기판 모듈(400)은 예를 들면, 복수의 반도체 칩(420)이 패키지 베이스 기판(410)의 상면 및 하면 각각에 실장된 DIMM(dual in-lined memory module)일 수 있다.
복수의 반도체 칩(420)이 패키지 베이스 기판(410)에 실장되는 방식은 BGA(ball grid array) 방식, PGA(pin grid array) 방식, TCP(tape carrier package) 방식, COB(chip-on-board) 방식, QFN(quad flat non-leaded) 방식, QFP(quad flat package) 방식 등일 수 있으나 여기에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시 예에서, 패키지 베이스 기판(410)은 인쇄회로기판(Printed circuit Board)일 수 있다. 예를 들면, 패키지 베이스 기판(410)은 양면 인쇄 회로 기판(double-sided Printed Circuit Board) 또는 멀티 레이어 인쇄 회로 기판(multi-layer Printed Circuit Board)일 수 있다. 패키지 베이스 기판(410)은 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 기판 베이스를 포함할 수 있다. 상기 기판 베이스는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 기판 베이스는 예를 들면, FR4(Frame Retardant 4), 사관능성 에폭시(Tetrafunctional epoxy), 폴레페닐렌 에테르(Polyphenylene ether), 에폭시/폴리페닐렌 옥사이드(Epoxy/polyphenylene oxide), BT(Bismaleimide triazine), 써마운트(Thermount), 시아네이트 에스터(Cyanate ester), 폴리이미드(Polyimide) 및 액정 고분자(Liquid crystal polymer) 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
패키지 베이스 기판(410)은 상기 기판 베이스의 상면 및 하면에 형성되는 배선 패턴을 가질 수 있다. 일부 실시 예에서, 상기 기판 베이스가 복수의 층으로 이루어지는 경우, 상기 배선 패턴은 상기 기판 베이스가 이루는 복수의 층 각각의 사이에도 형성될 수 있다. 패키지 베이스 기판(410)은 상기 기판 베이스 내에서, 상기 배선 패턴을 연결하는 도전 비아가 형성될 수 있다. 상기 도전 비아는 상기 기판 베이스의 전부 또는 일부분을 관통하여, 상기 배선 패턴을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 배선 패턴 및/또는 상기 도전 비아는 구리, 니켈, 스테인레스 스틸 또는 베릴륨구리(beryllium copper)로 이루어질 수 있다.
패키지 베이스 기판(410)의 상면과 하면에는 상기 기판 베이스의 상면과 하면에 배치된 상기 배선 패턴의 적어도 일부분을 덮는 솔더 레지스트층이 형성될 수 있다. 상기 기판 베이스의 상면과 하면에 배치된 상기 배선 패턴 중 상기 솔더 레지스트층에 덮이지 않는 부분은 패키지 베이스 기판(410)의 상면 및/또는 하면에 부착되는 복수의 반도체 칩(420), 능동 소자 또는 수동 소자와 전기적으로 연결되기 위한 패드로 사용될 수 있다.
복수의 반도체 칩(420)은 복수의 메모리 반도체 칩(422), 및 적어도 하나의 콘트롤러 칩(424)을 포함할 수 있다.
복수의 메모리 반도체 칩(422), 및 콘트롤러 칩(424)은 각각 반도체 기판을 포함할 수 있다. 상기 반도체 기판은 예를 들면, 실리콘(Si, silicon)을 포함할 수 있다. 또는 상기 반도체 기판은 저머늄(Ge, germanium)과 같은 반도체 원소, 또는 SiC(silicon carbide), GaAs(gallium arsenide), InAs(indium arsenide), 및 InP(indium phosphide)와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 반도체 기판은 활성면과 상기 활성면에 반대되는 비활성면을 가질 수 있다. 복수의 메모리 반도체 칩(422), 및 콘트롤러 칩(424) 각각은 상기 활성면에 다양한 종류의 복수의 개별 소자(individual devices)를 포함하는 반도체 소자가 형성될 수 있다.
복수의 메모리 반도체 칩(422)은 비휘발성 메모리 장치일 수 있다. 상기 비휘발성 메모리 장치는, 예를 들면, 플래시 메모리, 상변화 메모리(phase-change RAM, PRAM), 저항 메모리(resistive RAM, RRAM), 강유전체 메모리(ferroelectric RAM, FeRAM), 고체자기 메모리(magnetic RAM, MRAM) 등일 수 있지만 여기에 한정되지 않는다. 상기 플래시 메모리는, 예를 들면 낸드(NAND) 플래시 메모리일 수 있다. 상기 플래시 메모리는, 예를 들면 브이낸드(V-NAND) 플래시 메모리일 수 있다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 하나의 반도체 다이로 이루어질 수도 있고, 여러 개의 반도체 다이들이 적층된 것일 수도 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 메모리 반도체 칩(422) 중 일부 개는 휘발성 메모리 장치일 수 있다. 상기 휘발성 메모리 장치는 예를 들면, DRAM, SRAM, SDRAM, DDR RAM, RDRAM 등일 수 있지만 여기에 한정되지 않는다. 상기 휘발성 메모리 장치는 상기 외부 호스트가 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)를 액세스할 때 자주 사용되는 데이터를 저장하는 캐시(cache) 기능을 제공하여, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)와 연결되는 외부 호스트의 프로세스 성능에 맞도록 액서스 시간(access-time)과 데이터 전송 능력(data-transfer performance)을 조정(scale)할 수 있다.
콘트롤러 칩(424)은 복수의 메모리 반도체 칩(422)을 제어할 수 있다. 콘트롤러 칩(424) 내부에는 제어부가 내장되어 있을 수 있다. 상기 제어부는 상기 비휘발성 메모리 장치에 저장된 데이터에 대한 액세스를 제어할 수 있다. 즉, 상기 제어부는 외부 호스트의 제어 명령에 따라 상기 비휘발성 메모리 장치, 예컨대 플래시 메모리 등의 쓰기/읽기 동작을 제어할 수 있다. 상기 제어부는 주문형 반도체(application specific integrated circuit, ASIC)와 같은 별도의 제어 반도체 칩으로 구성될 수 있다. 상기 제어부는, 예를 들면 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)가 상기 외부 호스트에 연결될 때, 상기 외부 호스트의 운영 시스템에 의하여 자동으로 실행되도록 설계될 수 있다. 상기 제어부는 PATA(parallel advanced technology attachment), SATA(serial advanced technology attachment), SCSI, 또는 PCIe(PCI Express)와 같은 표준 프토토콜을 제공할 수 있다. 또한 상기 제어부는 상기 비휘발성 메모리 장치를 위하여, 웨어 레벨링(wear leveling), 가비지 콜렉션(Garbage Collection), 불량 블록 관리(bad block management) 및 에러 보정 부호(ECC, Error Correcting Code)를 수행할 수 있다. 이 경우 상기 제어부는 자동 실행을 위한 스크립트와 상기 외부 호스트에서 실행될 수 있는 응용 프로그램을 포함할 수 있다.
별도로 도시하지는 않았으나, 패키지 기판 모듈(400)은 패키지 베이스 기판(410)에 실장되는 칩저항, 칩커패시터, 인덕턴스, 스위치, 온도 센서, DC-DC 컨버터, 클럭 발생을 위한 쿼츠(quartz) 또는 전압 레굴레이터 등의 능동 소자 또는 수동 소자를 더 포함할 수 있다.
하우징(100)은 제1 측벽(SW1)에 테스트 홈(130)을 가질 수 있다. 테스트 홈(130)은 하우징(100)의 외부와 내부 공간(108)을 연통하도록, 제1 측벽(SW1)을 관통할 수 있다. 테스트 홈(130)은 예를 들면 상부 커버(102)를 관통하도록 형성될 수 있다. 테스트 홈(130)은 복수의 통기공(110) 각각과 이격될 수 있다.
패키지 베이스 기판(410)에는 테스트 홈(130)에 대응되는 테스트 커넥터(300)가 실장될 수 있다. 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)가 외부 커넥터(200)를 통하여 외부 호스트와 연결된 상태에서도, 테스트 커넥터(300)를 통하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)를 테스트할 수 있다.
테스트에 대해 도 1 및 도 11을 함께 참조하여 간략히 설명하면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)가 메인 보드(700)에 연결된 상태에서, 테스트 커넥터(300)는 메인 보드(700)를 향하는 제2 측벽(SW2)과 반대되는 제1 측벽(SW1)이 가지는 테스트 홈(130)에 대응된다. 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)를 메인 보드(700)로부터 분리하지 않고도, 테스트 커넥터(300)를 통하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)에 대한 테스트를 수행할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이고, 도 2c는 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 통기공에 대한 단면 확대도이다. 구체적으로, 도 2a는 도 1c의 A 부분에 대한 확대도이고, 도 2b는 도 1d의 B 부분에 대한 확대도이다. 또한 도 2c는 도 2a의 C 부분에 대한 확대도를 별도로 도시한 것이다.
도 2a 내지 도 2c를 함께 참조하면, 하우징(100)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110)은 예를 들면 상부 커버(102)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 상측 표면 및 제1 측벽(SW1)의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110) 각각은 하우징(100)의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장될 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 별도로 도시하지는 않았으나, 예를 들면, 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 하강하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 측벽(SW1)의 두께 방향에 대한 통기공(110)의 연장 방향의 하우징(100)의 기울기(θ)는 arcsin(HR/CT)ㅁ5ㅀ의 값을 가질 수 있고, 여기에서 CT는 하우징(100)의 제1 측벽(SW1)의 두께이고, HR은 통기공(110)의 직경이다.
복수의 통기공(110) 각각의 일측과 타측에는 각각 외측부(112)와 내측부(114)가 형성될 수 있다. 외측부(112)와 내측부(114)는 통기공(110)을 한정하도록 통기공(110)에 인접한 하우징(100)의 일부분일 수 있다. 외측부(112)는 하우징(100)의 외부 측에서 통기공(110)을 한정하는 하우징(100)의 일부분일 수 있고, 내측부(114)는 하우징(100)의 내부 공간(108) 측에서 통기공(110)을 한정하는 하우징(100)의 일부분일 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110) 각각의 내측부(114)는 외측부(112)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 별도로 도시하지는 않았으나, 예를 들면, 복수의 통기공(110) 각각의 내측부(114)는 외측부(112)보다 전체적으로 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 여기에서 내측부(114)가 외측부(112)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치한다는 것은, 내측부(114)의 상단이 외측부(112)의 상단보다 높은 레벨을 가지고, 내측부(114)의 하단도 외측부(112)의 하단보다 높은 레벨을 가진다는 것을 의미한다. 마찬가지로, 내측부(114)가 외측부(112)보다 전체적으로 낮은 레벨에 위치한다는 것은, 내측부(114)의 상단이 외측부(112)의 상단보다 낮은 레벨을 가지고, 내측부(114)의 하단도 외측부(112)의 하단보다 낮은 레벨을 가진다는 것을 의미한다.
일부 실시 예에서, 외측부(112) 상단의 레벨인 제1 레벨(L1)은 내측부(114) 하단의 레벨인 제2 레벨(L2)과 같거나 낮은 레벨을 가질 수 있다. 이 경우, 통기공(110)의 연장 방향의 기울기(θ)는 arcsin(HR/CT) 내지 arcsin(HR/CT)+5ㅀ의 값을 가질 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110) 중 일부 개에서 제2 레벨(L2)은 패키지 베이스 기판(410)의 상면보다 낮고 하면보다 높은 레벨일 수 있다. 복수의 통기공(110) 중 나머지에서 제2 레벨(L2)은 반도체 칩(420)의 상면보다 높은 레벨일 수 있다.
하우징(100)의 외부에서 수평 방향으로 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100)의 외부에서 통기공(110)을 바라보는 관찰자는 외측부(112)를 통하여 통기공(110)의 내부면만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110)을 통하여 하우징(100)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
도 3a 내지 도 6b는 도 1a 내지 도 2c에서 설명한 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)의 변형 실시 예로, 도 1a 내지 도 2c의 부재 번호를 함께 참조할 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다. 구체적으로, 도 3a는 도 1c의 A 부분에 대응하는 부분의 확대도이고, 도 3b는 도 1d의 B 부분에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 3a 및 도 3b를 함께 참조하면, 하우징(100a)은 상부 커버(102a) 및 상부 커버(102a)와 결합되는 하부 커버(104a)를 포함할 수 있다. 하우징(100a)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110a)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110a)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100a)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110a)은 예를 들면 상부 커버(102a)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110a) 각각은 하우징(100a)의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장될 수 있다. 예를 들면, 복수의 통기공(110a)은 하우징(100a)의 상측 표면 및 제1 측벽(SW1)의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110a)은 하우징(100a)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.
복수의 통기공(110a) 각각의 일측과 타측에는 각각 외측부(112a)와 내측부(114a)가 형성될 수 있다. 외측부(112a)와 내측부(114a)는 통기공(110a)을 한정하도록 통기공(110a)에 인접한 하우징(100a)의 일부분일 수 있다. 외측부(112a)는 하우징(100a)의 외부 측에서 통기공(110a)을 한정하는 하우징(100a)의 일부분일 수 있고, 내측부(114a)는 하우징(100a)의 내부 공간(108) 측에서 통기공(110a)을 한정하는 하우징(100a)의 일부분일 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110a) 각각의 내측부(114a)는 외측부(112a)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 별도로 도시하지는 않았으나, 예를 들면, 복수의 통기공(110a) 각각의 내측부(114a)는 외측부(112a)보다 전체적으로 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 여기에서 내측부(114a)가 외측부(112a)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치한다는 것은, 내측부(114a)의 상단이 외측부(112a)의 상단보다 높은 레벨을 가지고, 내측부(114a)의 하단도 외측부(112a)의 하단보다 높은 레벨을 가진다는 것을 의미한다. 마찬가지로, 내측부(114a)가 외측부(112a)보다 전체적으로 낮은 레벨에 위치한다는 것은, 내측부(114a)의 상단이 외측부(112a)의 상단보다 낮은 레벨을 가지고, 내측부(114a)의 하단도 외측부(112a)의 하단보다 낮은 레벨을 가진다는 것을 의미한다.
일부 실시 예에서, 외측부(112a) 상단의 레벨인 제1 레벨(L1a)은 내측부(114a) 하단의 레벨인 제2 레벨(L2a)보다 높은 레벨을 가질 수 있다. 이 경우, 통기공(110)의 연장 방향의 기울기(도 2c의 θ 참조)는 arcsin(HR/CT) 내지 arcsin(HR/CT)-5ㅀ의 값을 가질 수 있다. 여기에서 CT(도 2c 참조)는 하우징(100a)의 제1 측벽(SW1)의 두께이고, HR(도 2c 참조)은 통기공(110a)의 직경이다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110a) 중 일부 개에서 제2 레벨(L2a)은 패키지 베이스 기판(410)의 상면보다 낮고 하면보다 높은 레벨일 수 있다. 복수의 통기공(110a) 중 나머지에서 제2 레벨(L2a)은 반도체 칩(420)의 상면보다 높은 레벨일 수 있다.
하우징(100a)의 외부에서 수평 방향으로 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100a)의 외부에서 통기공(110a)을 바라보는 관찰자는 외측부(112a)를 통하여 하우징(100a) 내부 중 패키지 베이스 기판(410)의 측면 또는 하우징(100a)의 내부 공간(108)만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110a)을 통하여 하우징(100a)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
도 4a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다. 구체적으로, 도 4a는 도 1c의 A 부분에 대응하는 부분의 확대도이고, 도 4b는 도 1d의 B 부분에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 4a 및 도 4b를 함께 참조하면, 하우징(100b)은 상부 커버(102b) 및 상부 커버(102b)와 결합되는 하부 커버(104b)를 포함할 수 있다. 하우징(100b)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110b)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110b)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100b)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110b)은 예를 들면 상부 커버(102b)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110b) 각각은 하우징(100b)의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장될 수 있다. 복수의 통기공(110b) 각각은 서로 연통되는 내부 통기공(110b-I) 및 외부 통기공(110b-O)으로 이루어질 수 있다. 내부 통기공(110b-I)은 하우징(100b)의 내부 공간(108) 측으로부터 하우징(100b)의 제1 측벽(SW1)의 내부를 향하여 수평 방향으로 연장되고, 외부 통기공(110b-O)은 하우징(100b)의 외부 측로부터 하우징(100b)의 제1 측벽(SW1)의 내부를 향하여 수평 방향으로 연장되어, 내부 통기공(110b-I)과 외부 통기공(110b-O)이 서로 연통되도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110b) 각각의 내부 통기공(110b-I)과 외부 통기공(110b-O)은 전체적으로 다른 레벨을 가지고 하우징(100b)의 내측과 외측으로부터 내부를 향하여 수평 방향으로 연장될 수 있다.
복수의 통기공(110b) 각각의 일측과 타측에는 각각 외측부(112b)와 내측부(114b)가 형성될 수 있다. 외측부(112b)와 내측부(114b)는 통기공(110b)을 한정하도록 통기공(110b)에 인접한 하우징(100b)의 일부분일 수 있다. 외측부(112b)는 하우징(100b)의 외부 측에서 통기공(110b), 즉 외부 통기공(110b-O)을 한정하는 하우징(100b)의 일부분일 수 있고, 내측부(114b)는 하우징(100b)의 내부 공간(108) 측에서 통기공(110b), 즉 내부 통기공(110b-I)을 한정하는 하우징(100b)의 일부분일 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110b) 각각의 내측부(114b)는 외측부(112b)보다 전체적으로 낮은 레벨에 위치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 별도로 도시하지는 않았으나, 예를 들면, 복수의 통기공(110b) 각각의 내측부(114b)는 외측부(112b)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치할 수 있다. 여기에서 내측부(114b)가 외측부(112b)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치한다는 것은, 내측부(114b)의 상단이 외측부(112b)의 상단보다 높은 레벨을 가지고, 내측부(114b)의 하단도 외측부(112b)의 하단보다 높은 레벨을 가진다는 것을 의미한다. 마찬가지로, 내측부(114b)가 외측부(112b)보다 전체적으로 낮은 레벨에 위치한다는 것은, 내측부(114b)의 상단이 외측부(112b)의 상단보다 낮은 레벨을 가지고, 내측부(114b)의 하단도 외측부(112b)의 하단보다 낮은 레벨을 가진다는 것을 의미한다.
일부 실시 예에서, 외측부(112b) 상단의 레벨인 제1 레벨(L1b)과 내측부(114b) 하단의 레벨인 제2 레벨(L2b)은 서로 실질적으로 동일한 레벨을 가질 수 있다. 하우징(100b)의 외부에서 수평 방향으로 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100b)의 외부에서 통기공(110b)을 바라보는 관찰자는 외측부(112b)를 통하여 외부 통기공(110b-O) 내의 하우징(100b)의 부분만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110b)을 통하여 하우징(100b)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
복수의 통기공(110b) 중 일부 개에서 제1 레벨(L1b) 및 제2 레벨(L2b)은 패키지 베이스 기판(410)의 상면보다 낮고 하면보다 높은 레벨일 수 있다. 복수의 통기공(110b) 중 나머지에서 제1 레벨(L1b) 및 제2 레벨(L2b)은 반도체 칩(420)의 상면보다 높은 레벨일 수 있다.
또 다른 일부 실시 예에서, 외측부(112b) 상단의 레벨인 제1 레벨(L1b)은 내측부(114b) 하단의 레벨인 제2 레벨(L2b)보다 낮은 레벨을 가질 수 있다. 하우징(100b)의 외부에서 수평 방향으로 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100b)의 외부에서 통기공(110b)을 바라보는 관찰자는 외측부(112b)를 통하여 하우징(100b)의 내부 중 패키지 베이스 기판(410)의 측면 또는 하우징(100b)의 내부 공간(108)만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110b)을 통하여 하우징(100b)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다. 구체적으로, 도 5a는 도 1c의 A 부분에 대응하는 부분의 확대도이고, 도 5b는 도 1d의 B 부분에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 5a 및 도 5b를 함께 참조하면, 하우징(100c)은 상부 커버(102c) 및 상부 커버(102c)와 결합되는 하부 커버(104c)를 포함할 수 있다. 하우징(100c)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110c)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110c)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100c)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110c)은 예를 들면 상부 커버(102c)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110c) 각각은 하우징(100c)의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장될 수 있다. 복수의 통기공(110c) 각각은 서로 연통되는 내부 통기공(110c-I) 및 외부 통기공(110c-O)으로 이루어질 수 있다. 내부 통기공(110c-I)은 하우징(100c)의 내부 공간(108) 측으로부터 하우징(100c)의 제1 측벽(SW1)의 내부를 향하여 사선 방향으로 연장되고, 외부 통기공(110c-O)은 하우징(100c)의 외부 측로부터 하우징(100c)의 제1 측벽(SW1)의 내부를 향하여 사선 방향으로 연장되어, 내부 통기공(110c-I)과 외부 통기공(110c-O)이 서로 연통되도록 형성될 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110c)은 내부 통기공(110c-I)이 하우징(100)의 내측으로부터 내부를 향하여 레벨이 하강하는 사선 방향으로 연장되도록 형성되고, 외부 통기공(110c-O)이 하우징(100)의 외측으로부터 내부를 향하여 레벨이 하강하는 사선 방향으로 연장되도록 형성되어, 하우징(100c)의 외측으로부터 내측을 향하여 V자 형상을 가지며 연장될 수 있다.
별도로 도시하지는 않았으나, 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110c)은 내부 통기공(110c-I)이 하우징(100)의 내측으로부터 내부를 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성되고, 외부 통기공(110c-O)이 하우징(100)의 외측으로부터 내부를 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성되어, ^자 형상을 가질 수 있다.
복수의 통기공(110c) 각각의 일측과 타측에는 각각 외측부(112c)와 내측부(114c)가 형성될 수 있다. 외측부(112c)와 내측부(114c)는 통기공(110c)을 한정하도록 통기공(110c)에 인접한 하우징(100c)의 일부분일 수 있다. 외측부(112c)는 하우징(100c)의 외부 측에서 통기공(110c), 즉 외부 통기공(110c-O)을 한정하는 하우징(100c)의 일부분일 수 있고, 내측부(114c)는 하우징(100c)의 내부 공간(108) 측에서 통기공(110c), 즉 내부 통기공(110c-I)을 한정하는 하우징(100c)의 일부분일 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110c) 각각의 내측부(114c)는 외측부(112c)보다 전체적으로 높은 레벨에 위치하거나, 동일한 레벨에 위치하거나, 낮은 레벨에 위치할 수 있다.
일부 실시 예에서, 외측부(112c) 상단의 레벨인 제1 레벨(L1c)은, 외부 통기공(110c-O)과 내부 통기공(110c-I)이 만나는 통기공(110c)의 부분의 상단의 레벨인 제3 레벨(L3c)보다 높은 레벨을 가지고, 제3 레벨(L3c)은 내측부(114c) 하단의 레벨인 제2 레벨(L2c)보다 높은 레벨을 가질 수 있다.
하우징(100c)의 외부에서 수평 방향으로 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100c)의 외부에서 통기공(110c)을 바라보는 관찰자는 외측부(112c)를 통하여 하우징(100c) 내부 중 패키지 베이스 기판(410)의 측면 또는 하우징(100c)의 내부 공간(108)만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110c)을 통하여 하우징(100c)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
별도로 도시하지는 않았으나, 다른 일부 실시 예에서, 제1 레벨(L1c)이 제3 레벨(L3c)과 같거나 낮은 레벨을 가지거나, 제2 레벨(L2c)이 제3 라벨(L3c)과 같거나 높은 레벨을 가지는 경우, 하우징(100c)의 외부에서 수평 방향으로 통기공(110c)을 바라보는 관찰자는 외측부(112c)를 통하여 외부 통기공(110c-O) 내의 하우징(100c)의 부분 또는 내부 통기공(110c-I) 내의 하우징(100c)의 부분만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110c)을 통하여 하우징(100b)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
도 6a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 단면 확대도이고, 도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 부분 측면 확대도이다. 구체적으로, 도 6a는 도 1c의 A 부분에 대응하는 부분의 확대도이고, 도 6b는 도 1d의 B 부분에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 6a 및 도 6b를 함께 참조하면, 하우징(100d)은 상부 커버(102d) 및 상부 커버(102d)와 결합되는 하부 커버(104d)를 포함할 수 있다. 하우징(100d)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110d)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110d)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100d)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110d)은 예를 들면 상부 커버(102d)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110d) 각각은 하우징(100d)의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장될 수 있다. 복수의 통기공(110d)은 하우징(100d)의 상측 표면 및 제1 측벽(SW1)의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110d)은 하우징(100d)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.
복수의 통기공(110d) 각각의 일측과 타측에는 각각 외측부(112d)와 내측부(114d)가 형성될 수 있다. 외측부(112d)와 내측부(114d)는 통기공(110d)을 한정하도록 통기공(110d)에 인접한 하우징(100d)의 일부분일 수 있다. 외측부(112d)는 하우징(100d)의 외부 측에서 통기공(110d)을 한정하는 하우징(100d)의 일부분일 수 있고, 내측부(114d)는 하우징(100d)의 내부 공간(108) 측에서 통기공(110d)을 한정하는 하우징(100d)의 일부분일 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110d) 각각의 외측부(112d) 부분의 직경인 제1 직경(HRa)은 내측부(114d) 부분의 직경인 제2 직경(HRb)보다 큰 값을 가질 수 있다. 일부 실시 예에서, 통기공(110d)은 하우징(100d)의 외측으로부터 내측을 향하여 직경이 감소하며 연장될 수 있다.
통기공(110d)의 내측 직경인 제2 직경(HRb)이 외측 직경인 제1 직경(HRa)보다 작으므로, 하우징(100d)의 외부에서 수평 방향으로 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100d)의 외부에서 통기공(110d)을 바라보는 관찰자는 외측부(112d)를 통하여 통기공(110d)의 내부면만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110d)을 통하여 하우징(100d)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
도 1a 내지 도 6b를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)는 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)의 외부에서 관찰자가 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다. 구체적으로, 본 발명에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)는 서로 반대되는 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2)이 각각 가지는 통기공(110, 110a, 110b, 110c, 110d) 및 커넥터 홈(120)을 통하여 공기가 통할 수 있어, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 내에서 발생하는 열을 쉽게 방출하면서도, 동시에 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 외부에서 통기공(110, 110a, 110b, 110c, 110d)에 프로브(probe)를 삽입하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 내의 정보를 빼내는 것을 방지할 수 있는 보안 효과를 가질 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 7을 참조하면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1a)는 하우징(100)의 제1 측벽(SW1) 상에 테스트 홈(130)을 완전히 덮는 라벨지(150)가 부착될 수 있다. 일부 실시 예에서, 라벨지(150)는 하우징(100)의 제1 측벽(SW1) 상으로부터 하면까지 연장되도록 부착될 수 있다. 라벨지(150)는 예를 들면, 접착제가 도포된 스티커일 수 있다.
라벨지(150)가 테스트 홈(130)을 완전히 덮기 때문에, 테스트 커넥터(300)는 외부로 노출되지 않을 수 있다. 따라서, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1a) 외부에서 테스트 커넥터(300)를 통하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1a) 내의 정보를 빼내는 것을 방지할 수 있다.
일부 실시 예에서, 라벨지(150)는 보이드 라벨(void label)일 수 있다. 따라서, 라벨지(150)를 제거한 후, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1a) 외부에서 테스트 커넥터(300)를 통하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1a) 내의 정보를 빼내가는 경우, 라벨지(150)의 일부분이 보이드 마킹(void marking)으로 하우징(100)의 표면에 잔류하여, 정보 유출 가능성을 확인할 수 있다.
도 8a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 절단하여 나타낸 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 8a 및 도 8b를 함께 참조하면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(2)는 하우징(100) 및 하우징(100)의 내부에 실장된 제1 패키지 기판 모듈(400) 및 제2 패키지 기판 모듈(500)을 포함한다.
제1 패키지 기판 모듈(400)은 제1 패키지 베이스 기판(410) 및 제1 패키지 베이스 기판(410)에 실장된 복수의 제1 반도체 칩(420)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 반도체 칩(420)은 복수의 제1 메모리 반도체 칩(422), 및 적어도 하나의 콘트롤러 칩(424)을 포함할 수 있다. 제1 패키지 기판 모듈(400), 제1 패키지 베이스 기판(410), 제1 메모리 반도체 칩(422), 및 콘트롤러 칩(424)은 도 1a 내지 도 1d에서 설명한 패키지 기판 모듈(400), 패키지 베이스 기판(410), 메모리 반도체 칩(422), 및 콘트롤러 칩(424)과 유사한 바, 자세한 설명은 생략하도록 한다.
제1 패키지 기판 모듈(400)의 복수의 제1 반도체 칩(420)의 실장 위치는 도 1c에 도시한 패키지 기판 모듈(400)의 복수의 반도체 칩(420)의 실장 위치와 다르게 도시되었으나, 이는 각각 예시적인 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 복수의 제1 메모리 반도체 칩(422)은 제1 패키지 베이스 기판(410)의 상면에만 실장되거나, 하면에만 실장되거나, 상면과 하면에 각각 일부 개씩이 실장될 수도 있다. 또한 예를 들면, 적어도 하나의 콘트롤러 칩(424)은 제1 패키지 베이스 기판(410)의 상면에만 실장되거나, 하면에만 실장될 수도 있다.
제2 패키지 기판 모듈(500)은 제2 패키지 베이스 기판(510) 및 제2 패키지 베이스 기판(510)에 실장된 복수의 제2 메모리 반도체 칩(520)을 포함할 수 있다. 제2 패키지 베이스 기판(510), 및 제2 메모리 반도체 칩(520) 각각은 도 1a 내지 도 1d에서 설명한 제1 패키지 베이스 기판(410) 및 메모리 반도체 칩(422)와 유사한 바, 자세한 설명은 생략하도록 한다.
제2 패키지 기판 모듈(500)은 예를 들면, 복수의 제2 메모리 반도체 칩(520)이 제2 패키지 베이스 기판(510)의 상면 및 하면 각각에 실장된 DIMM일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제2 패키지 기판 모듈(500)은 복수의 제2 메모리 반도체 칩(520)이 제2 패키지 베이스 기판(510)의 상면 또는 하면 중 어느 하나의 면에 실장된 SIMM일 수 있다.
하우징(100)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110)은 예를 들면 상부 커버(102)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 상측 표면 및 제1 측벽(SW1)의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 별도로 도시하지는 않았으나, 예를 들면, 복수의 통기공(110)은 하우징(100)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 하강하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.
하우징(100)의 외부에서, 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100)의 외부에서 통기공(110)을 바라보는 관찰자는 외측부(112)를 통하여 통기공(110)의 내부면만을 관찰할 수 있다. 따라서 관찰자는 통기공(110)을 통하여 하우징(100)의 내부 공간(108)에 위치하는 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 일 측면도이다.
도 9를 참조하면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(2a)는 하우징(100a)을 포함한다. 솔리드 스테이트 드라이브 장치(2a)는 도 8a에 보인 솔리드 스테이트 드라이브 장치(2)와 유사하게 하우징(100a)의 내부에 실장된 제1 패키지 기판 모듈(400) 및 제2 패키지 기판 모듈(500)을 포함한다.
하우징(100a)은 상부 커버(102a) 및 상부 커버(102a)와 결합되는 하부 커버(104a)를 포함할 수 있다. 하우징(100a)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110a)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110a)은 제1 측벽(SW1)을 관통하여 하우징(100a)의 외부와 내부 공간(108)을 연통할 수 있다. 복수의 통기공(110a)은 예를 들면 상부 커버(102a)를 관통하도록 형성될 수 있다. 복수의 통기공(110a)은 하우징(100a)의 상측 표면 및 제1 측벽(SW1)의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 통기공(110a)은 하우징(100a)의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하는 사선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.
하우징(100a)의 외부에서, 제1 측벽(SW1)을 바라볼 때, 하우징(100a)의 외부에서 통기공(110a)을 바라보는 관찰자는 통기공(110a)을 통해서 제1 패키지 베이스 기판(410)의 측면 및 제2 패키지 베이스 기판(510)의 측면을 관찰할 수 있다. 구체적으로, 관찰자는, 복수의 통기공(110a) 중 일부 개를 통해서는 제1 패키지 베이스 기판(410)의 측면을 관찰할 수 있고, 나머지를 통해서는 제2 패키지 베이스 기판(510)의 측면을 관통할 수 있다.
따라서 관찰자는 통기공(110a)을 통하여 하우징(100a)의 내부 공간(도 8b의 108)에 위치하는 제1 반도체 칩(420) 및 제2 메모리 반도체 칩(520)을 관찰할 수 없다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치를 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 10을 참조하면, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(3)는 하우징(100e) 및 하우징(100e)의 내부에 실장된 패키지 기판 모듈(400)을 포함한다. 하우징(100e)은 상부 커버(102e), 및 상부 커버(102e)와 결합되는 하부 커버(104e)를 포함할 수 있다.
솔리드 스테이트 드라이브 장치(3)는 하우징(100e)을 제외하고는 도 1a 내지 도 1d에서 설명한 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)와 유사하고, 하부 커버(104e)는 도 1a 내지 도 1d에서 설명한 하부 커버(104)와 유사한 바, 자세한 설명은 생략하도록 한다.
하우징(100e)은 서로 반대되는 제1 측벽(SW1) 및 제2 측벽(SW2)을 가질 수 있다. 하우징(100e)은 제1 측벽(SW1)에 복수의 통기공(110)을 가질 수 있다. 복수의 통기공(110)은 예를 들면 상부 커버(102e)를 관통하도록 형성될 수 있다. 하우징(100e)은 제2 측벽(SW2)에 커넥터 홈(120)을 가질 수 있다. 커넥터 홈(120)은 예를 들면 상부 커버(102e)를 관통하도록 형성될 수 있다.
상부 커버(102e)는 적어도 하나의 돌출부(102e-P)를 가질 수 있다. 적어도 하나의 돌출부(102e-P)는 상부 커버(102e)의 내부 공간(108)을 향하는 측에 배치될 수 있다. 구체적으로 상부 커버(102e)는 상측 외부를 향하는 표면은 평평한(flat) 형상을 가질 수 있고, 내부 공간(108)을 향하는 표면은 적어도 하나의 돌출부(102e-P)가 다른 부분으로부터 패키지 기판 모듈(400)을 향하여 돌출된 형상을 가질 수 있다. 적어도 하나의 돌출부(102e-P)는 복수의 반도체 칩(420)과 대응되도록 배치될 수 있다.
적어도 하나의 돌출부(102e-P)와 복수의 반도체 칩(420) 사이에는 열전도 물질(TIM, 160)이 배치될 수 있다. 적어도 하나의 돌출부(102e-P)와 복수의 반도체 칩(420)은 열전도 물질(160)을 통하여 상부 커버(102e)와 열적 접촉을 할 수 있다. 열전도 물질(160)은 예를 들면, 그리스(grease), 열전도성 접착제, 미네랄 오일(mineral oil), 갭 필러 퍼티(gap filler putty), 상변화 물질(phase change)로 이루어진 겔(gel)이나 패드(pad) 또는 분말 충전 에폭시(particle filled epoxy)일 수 있다. 예를 들면, 상용으로 입수 가능한 그리스로는 ShinEtsu G750, ShinEtsu G751, ShinEtsu G765, Berquist TIC-7500, 상변화 물질로는 Thermax HF60110-BT, Chromerics T725, Chromerics T443, Chromerics T454, Thermagon T-pcm 905c, Berquist 200U, Berquist HiFlow 225-U, Berquist HiFlow 225-UT, 열전도성 접착제로는 Chromerics therm-A-form T642 등이 있으나, 이러한 재료들에 한정되는 것은 아니다.
적어도 하나의 돌출부(102e-P)가 복수의 메모리 칩(422)에 대응되는 제1 돌출부(102e-P1)와, 적어도 하나의 콘트롤러 칩(424)에 대응되는 제2 돌출부(102e-P2)로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 열전도 물질(160)은 제1 돌출부(102e-P1)와 복수의 메모리 칩(422) 사이에 배치되는 제1 열전도 물질(162)과 제2 돌출부(102e-P2)와 적어도 하나의 콘트롤러 칩(424) 사이에 배치되는 제2 열전도 물질(164)로 이루어질 수 있다.
적어도 하나의 돌출부(102e-P)의 개수는 복수의 반도체 칩(420) 각각의 상면 면적과 배치를 고려하여, 다양하게 구성될 수 있다. 일부 실시 예에서, 상부 커버(102e)는 복수의 반도체 칩(420)에 함께 대응되는 하나의 돌출부(102e-P)를 가질 수 있다. 일부 실시 예에서, 제1 돌출부(102e-P1)는 복수의 메모리 칩(422) 각각에 대응되는 복수 개일 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 시스템을 나타내는 구성도이다.
도 11을 참조하면, 시스템(1000)은 메인 보드(700)에 연결되는 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1), 및 적어도 하나의 냉각 팬(800)을 포함한다. 시스템(1000)은 예를 들면, NAS(Network-Attached Storage)와 같은 데이터 저장 시스템일 수 있다. 별도로 도시하지는 않았으나, 시스템(1000)은 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)가 설치되는 랙, 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 및 적어도 하나의 냉각 팬(800)을 감싸는 케이스, 및 전원을 공급하는 전원 공급부를 더 포함할 수 있다.
복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 각각은 외부 커넥터(200)에 체결되는 신호 전달 매체(750)를 통하여 메인 보드(700)에 전기적으로 연결될 수 있다. 시스템(1000) 내에서, 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 각각은 제2 측벽(SW2)이 메인 보드(700)를 향할 수 있다. 신호 전달 매체(750)는 예를 들면, 필름 케이블, BtoB(Board-to-Board) 커넥터, FFC(Flat Flexible Cable) 커넥터 또는 FPC(Flexible Printed Circuitry) 커넥터일 수 있다.
적어도 하나의 냉각 팬(800)은 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)의 제1 측벽(SW1)에 인접하도록 배치될 수 있다. 적어도 하나의 냉각 팬(800)은 시스템(1000) 내에서 강제 대류 환경을 형성할 수 있다. 적어도 하나의 냉각 팬(800)에 의하여 시스템(1000) 내에 형성된 공기의 흐름은 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)의 제1 측벽(SW1)이 가지는 복수의 통기공(110)을 통하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 내로 전달된 후, 제2 측벽(SW2)이 가지는 커넥터 홈(120)을 통하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)의 외부로 전달될 수 있다.
따라서, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)는 제1 측벽(SW1)이 가지는 복수의 통기공(110)을 통하여 내부로 전달된 후 제2 측벽(SW2)이 가지는 커넥터 홈(120)을 통하여 외부로 전달되는 공기의 흐름에 의하여 냉각될 수 있다.
이때, 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)의 외부에서 관찰자가 복수의 통기공(110)을 통하여 반도체 칩(420)을 관찰할 수 없다. 따라서 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 외부에서 통기공(110)에 프로브(probe)를 삽입하여 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1) 내의 정보를 빼내는 것을 방지할 수 있는 보안 효과를 가질 수 있다.
시스템(1000)은 도 1a 내지 도 2c에 보인 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)을 가지는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 시스템(100)은 도 7a 내지 도 10에 보인 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1a, 2, 2a, 3) 중 적어도 하나를 가질 수 있다. 또한 시스템(1000)이 가지는 솔리드 스테이트 드라이브 장치(1)는 도 1a 내지 도 2c에 보인 복수의 통기공(110)을 가지는 것으로 도시되었으나 이에 한정되지 않고, 도 3a 내지 도 6b에 보인 복수의 통기공(110a, 101b, 110c, 110d) 중 어느 하나를 가질 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
1, 1a, 2, 2a : 솔리드 스테이트 드라이브 장치, 100, 100a, 100b, 100c, 100d : 하우징, 110, 110a, 101b, 110c, 110d : 통기공, 120 : 커넥터 홈, 200 : 외부 커넥터, 400 : 패키지 기판 모듈, 800 : 냉각 팬, 1000 : 시스템

Claims (20)

  1. 내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고, 상기 제1 측벽의 타측의 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징; 및
    상기 내부 공간에 수용되며, 패키지 베이스 기판 및 상기 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 반도체 칩을 가지는 패키지 기판 모듈;을 포함하되,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장되는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 상측 표면 및 상기 제1 측벽의 표면 각각에 대하여 사선 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 복수의 통기공 각각의 일측과 타측에 외측부와 내측부를 가지며,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 외측부로부터 상기 내측부를 향하여 레벨이 상승하며 연장되는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 외측부로부터 상기 내측부를 향하여 직경이 감소하며 연장되는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 외측부 상단의 레벨인 제1 레벨은 상기 내측부 하단의 레벨인 제2 레벨과 같거나 낮은 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 외측부 상단의 레벨인 제1 레벨은 상기 내측부 하단의 레벨인 제2 레벨보다 높은 레벨을 가지고,
    상기 제2 레벨은 상기 패키지 베이스 기판의 상면보다 낮고 하면보다 높은 레벨인 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 외측부 상단의 레벨인 제1 레벨은 상기 내측부 하단의 레벨인 제2 레벨보다 높은 레벨을 가지고,
    상기 복수의 통기공 중 일부 개에서 상기 제2 레벨은 상기 패키지 베이스 기판의 상면보다 낮고 하면보다 높은 레벨이고, 나머지에서 상기 제2 레벨의 상기 복수의 반도체 칩의 상면보다 높은 레벨인 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 V자 형상을 가지며 연장되는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 통기공 각각은, 전체적으로 다른 레벨을 가지고 상기 하우징의 내측과 외측으로부터 내부를 향하여 수평 방향으로 연장되며, 서로 연통되는 내부 통기공과 외부 통기공으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 통기공 각각은, 전체적으로 다른 레벨을 가지고 상기 하우징의 내측과 외측으로부터 내부를 향하여 수평 방향으로 연장되며, 서로 연통되는 내부 통기공과 외부 통기공으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에서 수평 방향으로 상기 복수의 통기공을 바라보는 관찰자는, 상기 복수의 통기공 각각의 내부면만을 관찰할 수 있는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에서 수평 방향으로 상기 복수의 통기공을 바라보는 관찰자는, 상기 복수의 통기공 중 일부 개를 통하여 상기 패키지 베이스 기판의 측면을 관찰할 수 있되, 상기 복수의 반도체 칩을 관찰할 수 없는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  13. 메인 보드;
    내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고, 상기 제1 측벽의 타측의 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징, 및 상기 내부 공간에 수용되며, 패키지 베이스 기판 및 상기 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 반도체 칩을 가지는 패키지 기판 모듈을 각각 포함하며 상기 제2 측벽이 상기 메인 보드를 향하며 상기 메인 보드와 연결되는 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치; 및
    상기 복수의 솔리드 스테이트 드라이브 장치의 제1 측벽에 인접하도록 배치되는 적어도 하나의 냉각 팬;을 포함하며,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 적어도 일부분에서 레벨이 변화하며 연장되는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 시스템.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 제1 측벽에 상기 제1 측벽을 관통하되, 상기 복수의 통기공 각각과 이격되는 테스트 홈을 더 가지며,
    상기 하우징의 제1 측벽 상에 상기 테스트 홈을 완전히 덮는 라벨지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 시스템.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 라벨지는 보이드 라벨인 것을 특징으로 하는 데이터 저장 시스템.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에서 수평 방향으로 상기 복수의 통기공을 바라보는 관찰자는, 상기 복수의 반도체 칩을 관찰할 수 없는 것을 특징으로 하는 데이터 저장 시스템.
  17. 내부 공간을 가지며, 일측의 제1 측벽을 관통하는 복수의 통기공을 가지고, 상기 제1 측벽의 타측의 제2 측벽을 관통하는 커넥터 홈을 가지는 하우징;
    상기 내부 공간에 수용되며, 제1 패키지 베이스 기판 및 상기 제1 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 제1 메모리 반도체 칩 및 적어도 하나의 콘트롤러 칩을 가지는 제1 패키지 기판 모듈;
    상기 내부 공간에 수용되며, 제2 패키지 베이스 기판 및 상기 제2 패키지 베이스 기판에 실장되는 복수의 제2 메모리 반도체 칩을 가지는 제2 패키지 기판 모듈;을 포함하되,
    상기 복수의 통기공 각각은, 상기 하우징의 외측으로부터 내측을 향하여 레벨이 상승하며 연장되는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에서 수평 방향으로 상기 복수의 통기공을 바라보는 관찰자는, 상기 복수의 통기공 각각의 내부면만을 관찰할 수 있는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에서 수평 방향으로 상기 복수의 통기공을 바라보는 관찰자는, 상기 복수의 통기공 중 일부 개를 통하여 상기 제1 패키지 베이스 기판의 측면을 관찰할 수 있고, 나머지를 통하여 상기 제2 패키지 베이스 기판의 측면을 관찰할 수 있는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에서 수평 방향으로 상기 복수의 통기공을 바라보는 관찰자는, 상기 복수의 제1 메모리 반도체 칩, 상기 복수의 제2 메모리 반도체 칩, 및 상기 적어도 하나의 콘트롤러 칩을 관찰할 수 없는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치.
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