KR20190082525A - Nozzle unit and substrate procesing apparatus having the same - Google Patents
Nozzle unit and substrate procesing apparatus having the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190082525A KR20190082525A KR1020180000233A KR20180000233A KR20190082525A KR 20190082525 A KR20190082525 A KR 20190082525A KR 1020180000233 A KR1020180000233 A KR 1020180000233A KR 20180000233 A KR20180000233 A KR 20180000233A KR 20190082525 A KR20190082525 A KR 20190082525A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- fluid
- nozzle
- injection nozzle
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시킬 수 있는 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 소자는 미세한 회로선이 고밀도로 집적되어 제조됨에 따라, 이에 상응하는 정밀 연마가 웨이퍼 표면에 행해질 수 있어야 한다. 웨이퍼의 연마를 보다 정밀하게 행하기 위해서는 기계적인 연마 뿐만 아니라 화학적 연마가 병행되는 화학 기계적 연마 공정(CMP공정)이 수행될 수 있다.As semiconductor devices are fabricated with high density integration of fine circuit lines, corresponding precision polishing must be able to be performed on the wafer surface. In order to perform polishing of the wafer more precisely, a chemical mechanical polishing process (CMP process) in which chemical polishing as well as mechanical polishing is performed can be performed.
화학 기계적 연마(CMP) 공정은 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는 공정이다. The chemical mechanical polishing (CMP) process is widely used for planarization to remove the height difference between the cell area and the peripheral circuit area due to the irregularities of the wafer surface generated by repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process, Polishing the surface of the wafer in order to improve the surface roughness of the wafer due to contact / wiring film separation and highly integrated elements.
이러한 CMP 공정은 웨이퍼의 공정면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 가압하여 공정면의 화학적 연마와 기계적 연마를 동시에 행하는 것에 의해 이루어지고, 연마 공정이 종료된 웨이퍼는 캐리어 헤드에 의하여 파지되어 공정면에 묻은 이물질을 세정하는 세정 공정을 거치게 된다.The CMP process is performed by pressing the wafer in a state in which the process surface of the wafer faces the polishing pad to simultaneously perform the chemical polishing and the mechanical polishing of the process surface, So that a cleaning process is performed to clean the foreign substances on the process surface.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정은 로딩 유닛(20)에서 웨이퍼가 화학 기계적 연마 시스템(X1)에 공급되면, 웨이퍼(W)를 캐리어 헤드(S1, S2, S1', S2'; S)에 밀착된 상태로 정해진 경로(Po)를 따라 이동(66-68)하면서 다수의 연마 정반(P1, P2, P1', P2') 상에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 것에 의해 이루어진다. 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼(W)는 캐리어 헤드(S)에 의하여 언로딩 유닛의 거치대(10)로 이전되고, 그 다음의 세정 공정이 행해지는 세정 유닛(X2)으로 이전하여 다수의 세정 모듈(70)에서 웨이퍼(W)에 묻은 이물질을 세정하는 공정이 행해진다.1, a chemical mechanical polishing process of a wafer is generally carried out in the
한편, 세정 모듈에서 웨이퍼의 세정 공정이 완료된 후에도 웨이퍼의 표면에 이물질이 잔존할 수 있다. 이에 따라, 다음 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)이 진행되기 전에, 웨이퍼의 표면에 잔존하는 이물질을 제거하기 위한 포스트 세정 공정(post cleaning process)이 추가적으로 진행되고 있는 실정이다.On the other hand, foreign matter may remain on the surface of the wafer even after the cleaning process of the wafer is completed in the cleaning module. Accordingly, a post cleaning process for removing foreign substances remaining on the surface of the wafer is further performed before the next process (for example, the thin film deposition process) proceeds.
그러나, 기존에는 세정 모듈과 별도로 포스트 세정장비를 추가적으로 마련해야 함에 따라 설비의 레이아웃에 불리할 뿐만 아니라, 웨이퍼의 이송 및 세정 처리 공정이 복잡해지고 세정 시간이 증가하는 문제점이 있으며, 이에 따라 비용이 상승되고 수율이 저하되는 문제점이 있다.However, since a post-cleaning device must be additionally provided separately from the cleaning module, it is not only disadvantageous in terms of facility layout, but also involves a complicated process of transferring and cleaning the wafer and increasing the cleaning time, The yield is lowered.
이에 따라, 최근에는 기판의 세정 효율 및 수율을 향상시킬 수 있으며, 비용을 절감하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.Accordingly, in recent years, the cleaning efficiency and yield of the substrate can be improved, and various studies have been made to reduce the cost, but it is still insufficient and development thereof is required.
본 발명은 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시킬 수 있는 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a nozzle unit and a substrate processing apparatus having the nozzle unit capable of improving the cleaning efficiency of the substrate and improving the cleaning effect.
또한, 본 발명은 기판에 잔존하는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to be able to effectively remove foreign matter remaining on a substrate and improve the yield.
또한, 본 발명은 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Further, the present invention aims at improving the degree of freedom of design and contributing to downsizing of facilities.
또한, 본 발명은 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to improve stability and reliability.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사함과 아울러 세정 유체를 분사하는 것에 의하여, 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시킬 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a substrate, comprising: spraying a vibration fluid including vibration energy on a surface of a substrate and injecting a cleaning fluid, The effect can be improved.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of increasing the cleaning efficiency of the substrate and improving the cleaning effect.
특히, 본 발명에 따르면 기판의 표면에서 분리된 이물질이 기판의 표면에 재부착되기 전에 빠른 시간 내에 효과적으로 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Particularly, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of effectively removing the foreign matter separated from the surface of the substrate in a short time before reattaching to the surface of the substrate.
또한, 본 발명에 따르면 기판에 잔존하는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있으며, 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to effectively remove foreign matters remaining on the substrate and to obtain an advantageous effect of improving the yield.
또한, 본 발명에 따르면 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 설비의 소형화에 기여하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to improve the degree of freedom of design and to obtain an advantageous effect contributing to downsizing of the facility.
또한, 본 발명에 따르면 기판 세정에 따른 비용을 절감할 수 있으며, 공정 효율성을 향상시킬 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to reduce the cost of cleaning the substrate and improve the process efficiency.
본 발명에 따르면 안정성 및 신뢰성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, an advantageous effect of improving stability and reliability can be obtained.
도 1은 종래 화학 기계적 연마 장비의 구성을 도시한 도면,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 노즐 유닛의 사용예를 설명하기 위한 도면,
도 4 내지 도 8은 본 발명에 따른 노즐 유닛을 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 노즐 유닛의 다른 사용예를 설명하기 위한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 shows the construction of a conventional chemical mechanical polishing equipment,
2 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention,
3 is a view for explaining an example of using a nozzle unit as a substrate processing apparatus according to the present invention,
4 to 8 are views for explaining a nozzle unit according to the present invention,
9 is a view for explaining another use example of the nozzle unit as the substrate processing apparatus according to the present invention.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements and can be described with reference to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents which are judged to be obvious to the person skilled in the art or repeated can be omitted.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 노즐 유닛의 사용예를 설명하기 위한 도면이며, 도 4 내지 도 8은 본 발명에 따른 노즐 유닛을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 노즐 유닛의 다른 사용예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a view for explaining an example of use of a nozzle unit as a substrate processing apparatus according to the present invention, And Fig. 9 is a view for explaining another example of use of the nozzle unit as the substrate processing apparatus according to the present invention.
도 2 내지 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판에 대한 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해지는 연마 파트(100)와; 연마 공정이 완료된 기판에 대한 예비 세정이 행해지는 예비 세정 파트(200)와; 예비 세정 공정이 행해진 기판을 이송받아 기판에 대한 후속 세정 공정이 행해지는 후속 세정 파트(300)와; 예비 세정 파트(200)와 후속 세정 파트(300) 중 적어도 어느 하나 이상에 마련되어 예비 세정 또는 후속 세정을 수행하며, 기판(10)의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐(232)과, 진동 유체에 의해 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 세정하기 위한 세정 유체를 기판(10)의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐(234)을 구비하는 노즐 유닛(230)을; 포함한다.2 to 9, a
이는, 기판에 이물질에 재부착되는 것을 최소화하고, 기판의 세정 효율을 향상시키기 위함이다.This is to minimize the reattachment to foreign matter on the substrate and to improve the cleaning efficiency of the substrate.
기판의 연마면에 묻어있던 연마 입자 등이 건조되면서 연마면에 고화되면, 연마면에 고화된 입자를 제거하는 데 훨씬 긴 시간의 세정 공정이 필요하고 세정 효과도 낮아지는 문제점이 있다. 이와 같은 문제를 해소하기 위하여, 종래에는 기판의 연마 시간을 최대한 단축하고 연마 공정이 행해진 기판을 가능한 빠른 시간 내에 신속하게 세정 파트로 이송하여 세정 공정을 시작하고자 하는 노력이 시도되어 왔다. 그러나, 기판의 세정이 행해지는 중에 기판으로부터 분리된 이물질이 다시 기판의 표면에 재부착되는 것을 피할 수 없어서, 상기 노력에도 불구하고 세정 공정이 오래 소요되고 세정 효과가 낮았던 문제를 해결하는 데 한계가 따르면 문제점이 있다. When the abrasive grains or the like on the abrasive surface of the substrate are dried and solidified on the abrasive surface, a cleaning process for a much longer time is required to remove the solidified particles on the abrasive surface, and the cleaning effect is also lowered. In order to solve this problem, efforts have been made in the past to shorten the polishing time of the substrate as much as possible and to start the cleaning process by transferring the substrate subjected to the polishing process to the cleaning part as quickly as possible. However, it is inevitable that the foreign matter separated from the substrate again on the surface of the substrate during the cleaning of the substrate is inevitable, so that the cleaning process is long and the cleaning effect is low despite the above efforts. There is a problem.
하지만, 본 발명은 기판의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사함과 아울러 세정 유체를 분사하는 것에 의하여, 이물질을 포함한 진동 유체와 세정 유체를 기판의 바깥으로 최대한 신속하게 배출시킬 수 있으므로, 이물질의 분리 효율을 높이고, 기판으로부터 분리된 이물질이 기판에 재부착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, according to the present invention, a vibration fluid including vibration energy and a cleaning fluid can be discharged to the outside of the substrate as quickly as possible by spraying a vibration fluid including vibration energy on the surface of a substrate, It is possible to obtain an advantageous effect of increasing the separation efficiency of the substrate and minimizing the reattachment of the foreign matter separated from the substrate to the substrate.
연마 파트(100)는 화학 기계적 연마 공정을 수행 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있으며, 연마 파트(100)의 구조 및 레이아웃(lay out)에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The
연마 파트(100)에는 복수개의 연마 정반(110)이 제공될 수 있고, 각 연마 정반(110)의 상면에는 연마 패드가 부착될 수 있다. 연마 파트(100)의 영역 상에 제공되는 로딩 유닛에 공급된 기판(10)은 미리 설정된 경로를 따라 이동하는 캐리어 헤드(120)에 밀착된 상태로 슬러리가 공급되는 연마 패드의 상면에 회전 접촉됨으로써 화학 기계적 연마 공정이 수행될 수 있다.The
캐리어 헤드(120)는 연마 파트(100) 영역 상에서 기설정된 순환 경로를 따라 이동할 수 있으며, 로딩 유닛에 공급된 기판(10)(이하 기판의 로딩 위치에 공급된 기판이라 함)은 캐리어 헤드(120)에 밀착된 상태로 캐리어 헤드(120)에 의해 이송될 수 있다. 이하에서는 캐리어 헤드(120)가 로딩 유닛에서부터 시작하여 연마정반(110)을 거쳐 대략 사각형 형태의 순환 경로로 이동하도록 구성된 예를 들어 설명하기로 한다.The
다르게는, 연마 파트(100)에 구비된 한 쌍의 서로 마주하는 연마영역의 사이에 센터이송라인을 마련하고, 연마 파트(100)에 진입된 기판(10)이 센터이송라인을 따라 먼저 이송되고, 각 연마영역에서 연마된 후, 곧바로 언로딩 영역(P1)에 언로딩되게 하는 것도 가능하다. 이와 같이 기판(10)이 연마영역에서 연마되기 전에 센터이송라인을 통해 먼저 이송되는 방식은, 연마가 완료된 기판(10)의 습식 상태를 유지하기 위한 별도의 분사장치를 배제하고, 워터마크의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Alternatively, a center transfer line may be provided between a pair of opposed abrasive areas provided in the
연마 파트의 일측에는 언로딩 영역(P1)이 마련되며, 연마 공정이 완료된 기판(10)은 언로딩 영역(P1)에서 언로딩된다.An unloading area P1 is provided on one side of the polishing part, and the
예비 세정 파트(230)는 연마 공정이 완료된 기판(10)을 예비 세정(pre-cleaning)하기 위해 마련된다.The
참고로, 본 발명에서 기판(10)의 예비 세정이라 함은, 후속 세정 파트(300)에서 세정이 진행되기 전에 기판(10)의 표면(특히, 기판의 연마면)에 존재하는 이물질을 최대한 세정하기 위한 공정으로 이해될 수 있다. 특히, 기판(10)의 예비 세정에서는 기판(10)의 표면에 존재하는 이물질 중 비교적 큰 크기의 이물질(예를 들어, 100㎚보다 큰 크기의 이물질)을 제거할 수 있으며, 기판(10)의 표면에 존재하는 유기물을 제거할 수 있다.For reference, the preliminary cleaning of the
일 예로, 예비 세정 파트는 연마 공정이 완료된 기판이 언로딩되도록 연마 파트의 내부에 마련된 언로딩 영역에 배치된다. 경우에 따라서는 예비 세정 파트가 언로딩 영역의 외측에 마련되는 것도 가능하다.In one example, the preliminary cleaning part is disposed in an unloading area provided inside the polishing part so that the substrate on which the polishing process is completed is unloaded. In some cases, the preliminary cleaning part may be provided outside the unloading area.
이와 같이, 언로딩 영역(P1)에서 연마 공정이 완료된 기판(10)이 언로딩됨과 아울러, 예비 세정이 함께 진행되도록 하는 것에 의하여, 예비 세정을 진행하기 위한 별도의 공간을 추가적으로 마련하지 않아도 되기 때문에, 기존 설비의 레이아웃을 변경하거나 추가하지 않고 거의 그대로 유지할 수 있으며, 연마가 완료된 기판(10)이 곧바로 세정 파트로 곧바로 진입됨에 따른 후속 세정 파트(300)의 오염도 증가를 낮출 수 있다.As described above, since the
더욱이, 세정 파트에서 세정이 행해져오던 종래의 틀에서 벗어나, 연마 파트에서 연마된 기판 연마면을 세정 파트로 이송하기 이전에, 연마 파트에서 곧바로 예비적으로 간단하고도 짧은 예비 세정 공정을 하여, 젖은 상태에서 이물질을 제거하는 것에 의해 보다 높은 세정 효율을 얻을 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, prior to transferring the abraded surface of the abraded substrate from the abrading part to the cleaning part, the abrading part is subjected to a preliminary simple and short preliminary cleaning process immediately after the cleaning process has been performed in the cleaning part, It is possible to obtain a favorable effect of obtaining a higher cleaning efficiency.
즉, 연마 공정이 행해진 기판을 세정 파트로 이송하는 과정에서, 연마 공정 중에 기판의 연마면에 묻어있던 연마 입자 등이 건조되면서 연마면에 고착되면, 연마면에 고착된 입자를 제거하는 데 훨씬 긴 시간의 세정 공정이 필요하고 세정 효과도 낮아지는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명은 기판의 CMP 공정이 행해진 다음에, 연마 파트의 언로딩 영역에서 언로딩된 상태로 지체없이 예비 세정 공정이 행해짐에 따라, 기판 연마면이 건조되면서 연마 입자 등이 연마면에 고착되는 것을 최소화하여, 후속 세정 공정에 소요되는 공정 시간을 최소화하는 효과를 얻을 수 있다.That is, in the process of transferring the substrate on which the polishing process has been performed to the cleaning part, when the abrasive particles or the like on the polishing surface of the substrate are dried and fixed on the polishing surface during the polishing process, There is a problem in that a time cleaning process is required and the cleaning effect is also lowered. However, according to the present invention, after the CMP process of the substrate is performed, the preliminary cleaning process is performed without unreleased in the unloaded area of the polishing part, the substrate polishing surface is dried and the abrasive particles are adhered to the polishing surface So that the processing time required for the subsequent cleaning process can be minimized.
일 예로, 언로딩 영역(P1)에는 기판거치부(220)가 마련되고, 반전 유닛(210)에 의해 반전 회전된 기판(10)은 거핀거치부(220)에 수평하게 거치된 상태에서 예비 세정 공정이 행해진다.For example, the
기판거치부(220)는 회전축(221)을 중심으로 회전 가능하게 구비되며, 기판거치부(220)의 상면에는 기판(10)의 저면이 거치되는 거치핀(224)이 형성될 수 있다. 기판거치부(220)를 형성하는 스핀 지그 플레이트(미도시)의 상면에는 소정 간격을 두고 이격되게 복수개의 거치핀(224)이 형성될 수 있으며, 기판(10)의 저면은 거치핀(224)의 상단에 거치될 수 있다. 거치핀(224)의 갯수 및 배치구조는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The
또한, 기판거치부(220)는 기판(10)의 가장자리가 거치되는 가장자리 거치부(222)를 포함할 수 있다. 일 예로, 기판거치부(220)는 스핀 지그 플레이트에 연결되어 기판(10)의 가장자리를 지지할 수 있다. 바람직하게, 고속 회전중에 기판(10)이 요동하는 것을 방지할 수 있도록 기판거치부(220)에는 기판(10)의 외주 끝단을 수용 지지하기 위한 요입부(미도시)가 형성될 수 있다. 아울러, 케이싱(242)과 기판거치부(220)의 사이에는 기판(10)으로부터 비산되는 세정액을 막아주기 위한 커버부재(226)가 제공될 수 있다. 경우에 따라서는 기판거치부가 거치핀이나 가장자리 거치부없이 단순한 플레이트 형태로 형성되는 것도 가능하다.In addition, the
보다 구체적으로, 예비 세정 파트(200)는, 기판(10)의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐(232)과, 진동 유체에 의해 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 세정하기 위한 세정 유체를 기판(10)의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐(234)을 구비하는 노즐 유닛(230)을 포함한다.More specifically, the
제1분사노즐(232)은 기판(10)의 표면에 진동 에너지(예를 들어, 고주파 진동 에너지 또는 저주파 진동 에너지)를 포함한 진동 유체를 분사하도록 마련된다.The
일 예로, 제1분사노즐(232)은 액상 유체(예를 들어, DIW)를 매개로 기판(10)의 표면에 진동 에너지를 공급하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 액상 유체로서 케미컬 또는 여타 다른 액상 유체를 사용하는 것도 가능하다. 다르게는 제1분사노즐(232)이 버블(bubble)을 매개로 기판(10)의 표면에 진동 에너지를 공급하는 것도 가능하다.In one example, the
참고로, 진동 유체에 의한 세정 방식은, 초음파에 의해 액상 유체에서 발생하는 진공의 기포가 파열할 때 생기는 충격파를 이용하여 세정하는 방식이다For reference, a cleaning method using a vibration fluid is a method of cleaning using a shock wave generated when a vacuum bubble generated in a liquid fluid is ruptured by ultrasonic waves
즉, 액체에 초음파를 조사하게 되면 액체가 충격을 받아 요동을 치며 국소적으로 압력이 높은 부분과 낮은 부분이 생기게 된다. 압력이 낮은 부분은 액체 중에서 작은 진공의 공동이 생기게 되며 이것을 캐비티(cavity)라고 하며, 또 다시 초음파 진동에 의해 압력이 증가할 때 이 공동이 압력을 받아 터지면서 충격파를 발생하게 된다. 실제 이 진공포는 높은 압력으로 존재하다가 갑자기 압력이 낮아지는 부(-)의 압력시에 폭발을 하게 된다. 이 충격파가 제품의 오염물에 충격을 가하여 세정이 이루어진다.That is, when an ultrasonic wave is applied to a liquid, the liquid is impacted to swing, resulting in locally high and low pressure portions. The low-pressure part creates a small vacuum cavity in the liquid. This cavity is called a cavity. When the pressure is increased by the ultrasonic vibration, the cavity is pressurized to generate a shock wave. Actually, this fear is present at high pressure, but suddenly it explodes when the pressure is low (-). This shock wave impacts the contaminants of the product and is cleaned.
바람직하게, 진동 유체에 의한 세정 효과를 극대화할 수 있도록, 제1분사노즐(232)은 기판(10)의 표면에 수직한 방향에 대해 1°~ 30°(θ1)로 경사지게 진동 유체를 분사한다.Preferably, the
아울러, 제1분사노즐(232)은 기판(10)의 표면으로부터 10~30㎜ 이격된 높이(H)에서 진동 유체를 분사하는 것에 의하여, 기판(10)의 표면에 존재하는 이물질을 충분한 타격력으로 타결할 수 있으며, 진동 유체에 의한 이물질 분리 효율을 보다 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The
아울러, 진동의 주파수 대역에 따라 제거되는 파티클(이물질)의 크기가 달라질 수 있는 바, 진동을 발생시키는 메가소닉 발생기(미도시)는 파티클의 크기에 따라 선택적으로 주파수 대역을 달리하는 것이 가능하다. 이와 같은 주파수 대역 변경 방식은, 기판(10)의 표면에 형성되는 트렌치(trench) 또는 콘택홀(contact hole)의 내부에 기포가 존재하는 경우 기포에 의해 초음파 진동이 기판(10)의 표면에 전달되지 못하는 문제를 해결하고, 기판(10)의 표면에 초음파 진동이 균일하게 인가된 진동 유체가 공급될 수 있게 한다.In addition, since the size of particles (foreign matter) removed according to the frequency band of the vibration can be changed, the megasonic generator (not shown) that generates vibration can selectively change the frequency band depending on the particle size. When the bubbles are present in the trenches or the contact holes formed on the surface of the
제2분사노즐(234)은 제1분사노즐(232)에 인접하게 배치되며, 기판(10)의 표면에 진동 유체가 분사되는 중에, 진동 유체에 의해 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 세정하기 위한 세정 유체를 기판(10)의 표면에 경사지게 분사한다.The
여기서, 세정 유체가 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 세정한다 함은, 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 기판(10)의 바깥으로 배출시키는 것으로 정의된다.Here, cleaning of the foreign matter separated from the
세정 유체로서는 기판(10)에 잔류한 이물질을 기판(10)의 바깥으로 배출시킬 수 있는 다양한 유체가 사용될 수 있으며, 세정 유체의 종류의 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 세정 유체로서는 순수(DIW), 케미컬(예를 들어, SC1, 암모니아, 황산, 오존불산, 과산화수소) 등이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 세정 유체로서 이종 유체를 사용하거나 스팀 등을 이용하는 것도 가능하다.As the cleaning fluid, various fluids that can discharge the foreign substances remaining on the
바람직하게, 제2분사노즐(234)은 제1분사각도(θ1)와 다른 제2분사각도(θ2)로 기판(10)의 표면에 세정 유체를 경사지게 분사한다. 이와 같이, 제2분사노즐(234)의 제2분사각도(θ2)와 제1분사노즐(232)의 제1분사각도(θ1)를 서로 다르게 하는 것에 의하여, 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 기판(10)의 바깥으로 보다 효과적으로 배출하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the
보다 구체적으로, 제2분사노즐(234)은 기판(10)의 내측에서 기판(10)의 외측을 향하는 방향으로 세정 유체를 분사하되, 제2분사각도(θ2)는 제1분사각도(θ1)보다 높게 형성된다.More specifically, the
즉, 제2분사노즐(234)이 기판(10)의 내측에서 기판(10)의 외측을 향하는 방향으로 세정 유체를 분사하되, 제2분사노즐(234)의 제2분사각도(θ2)를 제1분사노즐(232)의 제1분사각도(θ1)보다 높게 형성(θ2 〉θ1, 제2분사노즐(234)을 제1분사노즐(232)보다 뉘어지게 배치)하는 것에 의하여, 기판(10)의 표면으로 분사된 세정 유체가 되튀어 기판(10)의 표면(예를 들어, 기판의 중앙부 표면)에 잔류하는 것을 최소화할 수 있고, 세정 유체를 기판(10)의 바깥 방향을 향해 보다 빠르게 배출할 수 있다. 따라서, 이물질을 포함한 진동 유체와 세정 유체를 기판(10)의 바깥으로 최대한 신속하게 배출시킬 수 있으며, 기판(10)으로부터 분리된 이물질이 기판(10)에 재부착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, the
바람직하게, 세정 유체의 배출 효율을 극대화할 수 있도록, 제2분사노즐(234)은 기판(10)의 표면에 수직한 방향에 대해 2°~ 60°(θ2)로 경사지게 세정 유체를 분사한다. 더욱 바람직하게, 제2분사노즐(234)의 제2분사각도(θ2)는 제1분사노즐(232)의 제1분사각도(θ1)보다 적어도 2배 이상 높게 형성된다. 이하에서는, 제2분사노즐(234)의 제2분사각도(θ2)가 10°이고, 제1분사노즐(232)의 제1분사각도(θ1)가 20°도 구성된 예를 들어 설명하기로 한다.Preferably, the
더욱 바람직하게, 기판(10)의 표면에서 진동 유체가 분사되는 제1분사위치와 세정 유체가 분사되는 제2분사위치의 사이 거리(L)는 2~40㎜인 것이 바람직하다.More preferably, the distance L between the first ejecting position where the vibration fluid is ejected from the surface of the
즉, 제1분사위치와 제2분사위치의 사이 거리(L)가 2㎜보다 작으면, 진동 유체와 세정 유체의 분사 위치가 겹쳐질 수 있으므로, 진동 유체에 의한 이물질 분리 효율이 낮아진다. 반대로, 제1분사위치와 제2분사위치의 사이 거리(L)가 40㎜보다 커지면, 세정 유체에 의한 이물질의 배출 시간이 지연되어 이물질이 기판(10)의 표면에 재부착될 우려가 있다. 따라서, 제1분사위치와 제2분사위치의 사이 거리(L)를 2~40㎜로 하는 것에 의하여, 이물질의 분리 효율을 높이고, 기판(10)으로부터 분리된 이물질이 기판(10)에 재부착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, if the distance L between the first injection position and the second injection position is less than 2 mm, the vibration fluid and the jetting position of the cleaning fluid can overlap, thereby reducing the foreign matter separation efficiency by the vibration fluid. On the other hand, if the distance L between the first injection position and the second injection position is larger than 40 mm, the discharge time of the foreign substance by the cleaning fluid may be delayed and the foreign matter may adhere to the surface of the
또한, 노즐 유닛(230)은 기판(10)의 중앙부(RP1)에서 기판(10)의 가장자리(RP2)를 향한 스윙(swing) 궤적(SP)을 따라 기판(10)에 대해 스윙 회전하는 스윙부재(236)를 포함하되, 제1분사노즐(232)은 스윙부재(236)에 장착되고, 제2분사노즐(234)은 스윙 궤적(SP)을 따라 제1분사노즐(232)의 후방에 배치되도록 스윙부재(236)에 장착된다.The
이와 같이, 스윙부재(236)의 스윙 궤적(SP)을 따라 제1분사노즐(232)의 후방에 제2분사노즐(234)을 배치하는 것에 의하여, 다시 말해서, 기판(10)의 중앙부(RP1)에서 기판(10)의 가장자리(RP2)를 향해 이동하는 제1분사노즐(232)의 이동 방향을 따라 제1분사노즐(232)의 후방에 제2분사노즐(234)을 배치하는 것에 의하여, 진동 유체에 의해 기판(10)의 표면에서 분리된 이물질(D)을 기판(10)의 중앙부에서 기판(10)의 가장자리를 향해 쓸어내어 기판(10)의 바깥으로 배출시키는 유리한 효과를 얻을 수 있으며, 이물질(D)이 기판(10)의 표면에 잔류되거나 재부착되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by disposing the
아울러, 기판(10)이 언로딩 영역에 언로딩되는 중에는 스윙부재(236)가 기판(10)의 외측 영역에 배치되게 함으로써, 반전 유닛(210) 또는 이송 유닛과 같은 주변 장치와의 충돌을 미연에 방지하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, while the
전술한 본 발명의 실시예에서는 제1분사노즐과 제2분사노즐이 하나의 스윙부재에 장착된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1분사노즐과 제2분사노즐이 서로 다른 스윙부재에 의해 독립적으로 스윙 회전하도록 구성하는 것도 가능하다.In the embodiment of the present invention described above, the first injection nozzle and the second injection nozzle are mounted on one swing member. However, in some cases, the first injection nozzle and the second injection nozzle may have different swing members It is also possible to arrange to swing independently.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 노즐 유닛(230)은, 기판(10)의 중앙부에서 기판(10)의 가장자리를 향한 스윙 궤적을 따라 기판(10)에 대해 스윙 회전하는 제1스윙부재(236')와, 제1스윙부재(236')에 장착되며 기판(10)의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐(232)과, 기판(10)의 중앙부에서 기판(10)의 가장자리를 향한 스윙 궤적을 따라 기판(10)에 대해 스윙 회전하는 제2스윙부재(236")와, 스윙 궤적을 따라 제1분사노즐(232)의 후방에 배치되도록 제2스윙부재(236")에 장착되며 진동 유체에 의해 기판(10)으로부터 분리된 이물질을 기판(10)의 외측으로 배출시키기 위한 세정 유체를 기판(10)의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐(234)을 포함한다.That is, according to another embodiment of the present invention, the
이때, 제1스윙부재(236')와 제2스윙부재(236")는 서로 동기화되어 동일한 스윙 궤적을 따라 기판(10)에 대해 스윙 회전하도록 구성될 수 있다.At this time, the first swing member 236 'and the
또한, 예비 세정 파트는 언로딩 영역(P1)에서 예비 세정이 수행되는 동안 언로딩 영역(P1)의 예비 세정 처리 공간을 그 이외의 공간과 차단하는 차단 유닛(240)을 포함한다.The preliminary cleaning part also includes a
여기서, 언로딩 영역(P1)의 예비 세정 처리 공간이라 함은, 예비 세정이 이루어지는 공간으로 이해될 수 있으며, 예비 세정 처리 공간은 차단 유닛(240)에 의해 독립적으로 밀폐된 챔버 구조로 제공될 수 있다.Here, the pre-cleaning processing space of the unloading area P1 can be understood as a space in which the pre-cleaning is performed, and the pre-cleaning processing space can be provided in an independently sealed chamber structure by the blocking
차단 유닛(240)은 기판(10)의 예비 세정시 사용된 세정액(예를 들어, 케미컬) 등이 인접한 다른 장비(예를 들어, 연마패드)로 유입되는 것을 방지할 수 있게 한다.The blocking
차단 유닛(240)은 외부와 차단된 독립적인 밀폐 공간을 제공 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 차단 유닛(240)은 기판(10)의 주변을 감싸도록 제공되며 독립적인 예비 세정 처리 공간을 제공하는 케이싱(242)과, 케이싱(242)의 출입구를 개폐하는 개폐부재(244)를 포함한다.The blocking
일 예로, 케이싱(242)은 상단부에 출입구가 형성된 대략 사각 박스 형태로 제공될 수 있으며, 개폐부재(244)는 통상의 구동부(예를 들어, 모터 및 동력 전달부재의 조합)에 의해 일 지점을 중심으로 회전하며 케이싱(242)의 출입구를 개폐하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 개폐부재가 직선 이동하며 출입구를 개폐하도록 구성하는 것도 가능하며, 다르게는 출입구를 케이싱의 측벽부에 형성하는 것도 가능하다.For example, the
그리고, 케이싱(242)의 벽면에 형성되는 배기구(242a)와, 케이싱(242)의 외측에 연결되며 배기구(242a)와 연통되는 배기 공간을 형성하는 배기챔버(242b)와, 배기챔버(242b)에 연통되는 배기관(242c)을 포함할 수 있으며, 배기챔버(242b)는 배기관(242c)보다 확장된 단면적을 갖도록 형성된다.An
이와 같이, 본 발명은 케이싱(242)의 내부 기체(예를 들어, 흄)이 배기구(242a)와 배기챔버(242b)를 거쳐 배기관(242c)을 통해 외부로 배출될 수 있게 하되, 배기구(242a) 및 배기챔버(242b)가 배기관(242c)보다 확장된 단면적을 갖도록 하는 것에 의하여, 배기관(242c)에 의한 배기압이 배기챔버(242b)를 거쳐 배기구(242a)의 전체 영역에 고르게 작용할 수 있게 함으로써, 케이싱(242)의 내부 기체가 외부로 배출될 시 케이싱(242) 내부에 비정상적인 와류가 발생하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 더욱 바람직하게, 배기구(242a)와 배기챔버(242b)를 케이싱(242)의 측면 둘레를 따라 전체적으로 형성(예를 들어, 링 형태)로 형성하는 것에 의하여, 케이싱(242)의 내부에 균일한 배기압을 형성하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the present invention allows the internal gas (e.g., fume) of the
도 2 및 도 9를 참조하면, 후속 세정 파트(300)는 연마 파트(100)의 인접한 측부에 제공되며, 언로딩 영역(P1)에서 예비 세정된 기판(10)의 표면에 잔류하는 이물질을 세정하기 위해 제공된다.2 and 9, a
참고로, 본 발명에서 후속 세정 파트(300)에서 진행되는 기판(10)의 세정이라 함은, 예비 세정이 진행된 후 기판(10)의 표면(특히, 기판(10)의 연마면, 기판(10)의 비연마면도 세정 가능)에 잔류하는 이물질을 최대한 세정하기 위한 공정으로 이해될 수 있다. 특히, 기판(10)의 세정에서는 기판(10)의 표면에 존재하는 이물질 중 비교적 작은 크기의 이물질(예를 들어, 40~100㎚ 크기의 이물질)과, 비교적 강한 부착력으로 부착된 이물질을 제거할 수 있다.In the present invention, cleaning of the
아울러, 후속 세정 파트(300)에서 세정된 기판(10)은 무세정 상태로 기설정된 다음 공정을 수행하도록 구성된다. 여기서, 기판(10)을 무세정 상태로 다음 공정을 수행한다 함은, 후속 세정 파트(300)에서의 세정 공정을 마지막으로 기판(10)에 대한 모든 세정 공정이 완료되는 것으로 이해될 수 있고, 세정 공정이 완료된 기판(10)에 대해서는 추가적인 세정 공정없이 다음 공정(예를 들어, 증착 공정)이 진행될 수 있다.In addition, the
후속 세정 파트(300)는 여러 단계의 세정 및 건조 공정을 수행 가능한 구조로 제공될 수 있으며, 후속 세정 파트(300)를 구성하는 세정 스테이션의 구조 및 레이아웃에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The
바람직하게, 후속 세정 파트(300)는 기판(10)의 표면에 잔류하는 유기물 및 여타 다른 이물질을 제거하기 위한 세정을 효과적으로 수행할 수 있도록, 기판(10)의 표면에 물리적으로 접촉되며 세정을 수행하는 접촉식 세정유닛(400)과, 기판(10)의 표면에 물리적으로 비접촉되며 세정을 수행하는 비접촉식 세정유닛(500)을 포함하여 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 세정 파트가 접촉식 세정유닛 및 비접촉식 세정유닛 중 어느 하나만을 포함하여 구성되는 것도 가능하다. 아울러, 세정 파트를 구성하는 복수개의 세정유닛은 단층 구조로 배치되는 것이 가능하나, 경우에 따라서는 세정 파트를 구성하는 복수개의 세정유닛을 상하 방향을 따라 적층하여 다층 구조로 배치하는 것도 가능하다.Preferably, the
접촉식 세정유닛(402,404)에는 세정 브러쉬(404a), 케미컬 공급부 등이 구비될 수 있다.The contact
비접촉식 세정유닛(502,504)에서, 기판(10)은 거치대에 낱장 단위로 거치된 상태로, 세정 유체 분사부(세정액 분사부, 스팀 분사부, 이종 유체 분사부), 이소프로필 알콜 분사부, 메가소닉 발생기 중 적어도 어느 하나에 의해 세정될 수 있다.In the noncontact
일 예로, 노즐 유닛(502a)은 후속 세정 파트(300)의 내부에 마련되어, 세정 브러쉬(404a)에 의한 기판의 후속 세정이 행해지기 전 또는 이후에 기판(10)을 후속 세정하도록 구성될 수 있다. 전술한 바와 마찬가지로, 노즐 유닛(502a)은 제1분사노즐(도 7의 232 참조) 및 제2분사노즐(도 7의 234 참조)을 포함할 수 있으며, 스윙부재(도 7의 236 참조)에 의해 스윙 회전하면서, 기판(10)의 표면에서 이물질을 분리하여 기판(10)의 바깥으로 배출할 수 있다.In one example, the
경우에 따라서는 노즐 유닛을 후속 세정 파트의 외측에 배치하고, 후속 세정 파트의 외측에서 기판을 세정하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, the nozzle unit may be arranged outside the subsequent cleaning part, and the substrate may be cleaned outside the subsequent cleaning part.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. It will be understood that the present invention can be changed.
10 : 기판 100 : 연마 파트
110 : 연마 정반 120 : 캐리어 헤드
200 : 예비 세정 파트 210 : 반전 유닛
220 : 기판거치부 230,502 : 노즐 유닛
232 : 제1분사노즐 234 : 제2분사노즐
236 : 스윙부재 240 : 차단 유닛
242 : 케이싱 244 : 개폐부재
300 : 세정 파트 400 : 접촉식 세정 유닛
500 : 비접촉식 세정 유닛10: substrate 100: polishing part
110: polishing plate 120: carrier head
200: preliminary cleaning part 210: reversing unit
220:
232: First injection nozzle 234: Second injection nozzle
236: swing member 240:
242: casing 244: opening / closing member
300: Cleaning part 400: Contact cleaning unit
500: Non-contact cleaning unit
Claims (16)
기판의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐과;
상기 진동 유체에 의해 상기 기판으로부터 분리된 이물질을 세정하기 위한 세정 유체를 상기 기판의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐을;
포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
As the nozzle unit,
A first injection nozzle for spraying a vibration fluid including vibration energy on a surface of a substrate;
A second injection nozzle for obliquely spraying a cleaning fluid for cleaning a foreign substance separated from the substrate with the vibration fluid on the surface of the substrate;
Wherein the nozzle unit comprises a plurality of nozzles.
상기 제1분사노즐은 상기 기판의 표면에 수직한 방향에 대해 경사진 제1분사각도로 상기 진동 유체를 분사하고,
상기 제2분사노즐은 상기 제1분사각도와 다른 제2분사각도로 상기 기판의 표면에 상기 세정 유체를 경사지게 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the first injection nozzle injects the vibration fluid at a first injection angle inclined with respect to a direction perpendicular to the surface of the substrate,
Wherein the second injection nozzle injects the cleaning fluid obliquely onto the surface of the substrate at a second spray angle different from the first spray angle.
상기 제2분사노즐은 상기 기판의 내측에서 상기 기판의 외측을 향하는 방향으로 상기 세정 유체를 분사하되,
상기 제2분사각도는 상기 제1분사각도보다 높게 형성된 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the second injection nozzle injects the cleaning fluid in a direction toward the outside of the substrate from the inside of the substrate,
Wherein the second spray angle is higher than the first spray angle.
상기 제1분사노즐은 상기 기판의 표면에 수직한 방향에 대해 1°~ 30°로 경사지게 상기 진동 유체를 분사하고,
상기 제2분사노즐은 상기 기판의 표면에 수직한 방향에 대해 2°~ 60°로 경사지게 상기 세정 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
The method of claim 3,
Wherein the first injection nozzle injects the vibrating fluid at an angle of 1 DEG to 30 DEG with respect to a direction perpendicular to the surface of the substrate,
Wherein the second injection nozzle injects the cleaning fluid at an angle of 2 ° to 60 ° with respect to a direction perpendicular to the surface of the substrate.
상기 제1분사노즐은 상기 기판의 표면으로부터 10~30㎜ 이격된 높이에서 상기 진동 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the first injection nozzle injects the vibrating fluid at a height 10 to 30 mm away from the surface of the substrate.
상기 기판의 표면에서 상기 진동 유체가 분사되는 제1분사위치와 상기 세정 유체가 분사되는 제2분사위치의 사이 거리는 2~40㎜인 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein a distance between a first ejection position where the vibration fluid is ejected from the surface of the substrate and a second ejection position where the cleaning fluid is ejected is 2 to 40 mm.
상기 진동 유체는 액상 유체 또는 버블(bubble)을 매개로 상기 기판의 표면에 상기 진동 에너지를 공급하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the vibrating fluid supplies the vibration energy to a surface of the substrate via a liquid fluid or a bubble.
기판의 중앙부에서 상기 기판의 가장자리를 향한 스윙 궤적을 따라 상기 기판에 대해 스윙 회전하는 스윙부재와;
상기 스윙부재에 장착되며, 상기 기판의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐과;
상기 스윙 궤적을 따라 상기 제1분사노즐의 후방에 배치되도록 상기 스윙부재에 장착되며, 상기 진동 유체에 의해 상기 기판으로부터 분리된 이물질을 상기 기판의 외측으로 배출시키기 위한 세정 유체를 상기 기판의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐을;
포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
As the nozzle unit,
A swing member swinging with respect to the substrate along a swing locus toward the edge of the substrate at a central portion of the substrate;
A first injection nozzle mounted on the swing member for spraying a vibration fluid including vibration energy on a surface of the substrate;
A cleaning fluid mounted on the swing member so as to be disposed behind the first injection nozzle along the swing locus and for discharging foreign matter separated from the substrate by the vibration fluid to the outside of the substrate, A second spray nozzle for spraying obliquely;
Wherein the nozzle unit comprises a plurality of nozzles.
기판의 중앙부에서 상기 기판의 가장자리를 향한 스윙 궤적을 따라 상기 기판에 대해 스윙 회전하는 제1스윙부재와;
상기 제1스윙부재에 장착되며, 상기 기판의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐과;
기판의 중앙부에서 상기 기판의 가장자리를 향한 상기 스윙 궤적을 따라 상기 기판에 대해 스윙 회전하는 제2스윙부재와;
상기 스윙 궤적을 따라 상기 제1분사노즐의 후방에 배치되도록 상기 제2스윙부재에 장착되며, 상기 진동 유체에 의해 상기 기판으로부터 분리된 이물질을 상기 기판의 외측으로 배출시키기 위한 세정 유체를 상기 기판의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐을;
포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
As the nozzle unit,
A first swing member swinging with respect to the substrate along a swing locus toward the edge of the substrate at a central portion of the substrate;
A first spray nozzle mounted on the first swing member for spraying a vibration fluid including vibration energy on a surface of the substrate;
A second swing member swinging with respect to the substrate along the swing locus toward the edge of the substrate at a central portion of the substrate;
A cleaning fluid that is mounted on the second swing member so as to be disposed behind the first injection nozzle along the swing locus and discharges foreign matter separated from the substrate by the vibration fluid to the outside of the substrate, A second injection nozzle for spraying obliquely onto the surface;
Wherein the nozzle unit comprises a plurality of nozzles.
상기 제1분사노즐은 상기 기판의 표면에 수직한 방향에 대해 경사진 제1분사각도로 상기 진동 유체를 분사하고,
상기 제2분사노즐은 상기 기판의 내측에서 상기 기판의 외측을 향하는 방향을 따라 상기 제1분사각도보다 높은 제2분사각도로 상기 기판의 표면에 상기 세정 유체를 경사지게 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 유닛.
10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the first injection nozzle injects the vibration fluid at a first injection angle inclined with respect to a direction perpendicular to the surface of the substrate,
Wherein the second jetting nozzle slants the cleaning fluid obliquely onto the surface of the substrate at a second jetting angle higher than the first jetting angle along a direction toward the outside of the substrate from the inside of the substrate. .
기판에 대한 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해지는 연마 파트와;
상기 연마 공정이 완료된 상기 기판에 대한 예비 세정이 행해지는 예비 세정 파트와;
상기 예비 세정 공정이 행해진 상기 기판을 이송받아 상기 기판에 대한 후속 세정 공정이 행해지는 후속 세정 파트와;
상기 예비 세정 파트와 상기 후속 세정 파트 중 적어도 어느 하나 이상에 마련되어 상기 예비 세정 또는 상기 후속 세정을 수행하며, 상기 기판의 표면에 진동 에너지를 포함한 진동 유체를 분사하는 제1분사노즐과, 상기 진동 유체에 의해 상기 기판으로부터 분리된 이물질을 세정하기 위한 세정 유체를 상기 기판의 표면에 경사지게 분사하는 제2분사노즐을 구비하는 노즐 유닛을;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus comprising:
A polishing part on which a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed on the substrate;
A preliminary cleaning part for preliminarily cleaning the substrate on which the polishing process is completed;
A subsequent cleaning part on which the substrate subjected to the preliminary cleaning process is transferred and a subsequent cleaning process is performed on the substrate;
A first injection nozzle provided in at least one of the preliminary cleaning part and the subsequent cleaning part for performing the preliminary cleaning or the subsequent cleaning and for spraying a vibration fluid including vibration energy on a surface of the substrate; And a second ejection nozzle for obliquely ejecting a cleaning fluid for cleaning a foreign substance separated from the substrate by the first nozzle;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 노즐 유닛은,
상기 기판의 중앙부에서 상기 기판의 가장자리를 향한 스윙 궤적을 따라 상기 기판에 대해 스윙 회전하는 스윙부재를 포함하되,
상기 제1분사노즐은 상기 스윙부재에 장착되고, 상기 제2분사노즐은 상기 스윙 궤적을 따라 상기 제1분사노즐의 후방에 배치되도록 상기 스윙부재에 장착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the nozzle unit comprises:
And a swing member swinging with respect to the substrate along a swing locus toward the edge of the substrate at a central portion of the substrate,
Wherein the first injection nozzle is mounted to the swing member, and the second injection nozzle is mounted to the swing member so as to be disposed behind the first injection nozzle along the swing trajectory.
상기 제1분사노즐은 상기 기판의 표면에 수직한 방향에 대해 경사진 제1분사각도로 상기 진동 유체를 분사하고,
상기 제2분사노즐은 상기 기판의 내측에서 상기 기판의 외측을 향하는 방향을 따라 상기 제1분사각도보다 높은 제2분사각도로 상기 기판의 표면에 상기 세정 유체를 경사지게 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the first injection nozzle injects the vibration fluid at a first injection angle inclined with respect to a direction perpendicular to the surface of the substrate,
Wherein the second spray nozzle slants the cleaning fluid obliquely onto the surface of the substrate at a second spray angle higher than the first spray angle along the direction toward the outside of the substrate from the inside of the substrate Device.
상기 예비 세정 파트는, 상기 연마 공정이 완료된 상기 기판이 언로딩되도록 상기 연마 파트의 내부에 마련된 언로딩 영역에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the preliminary cleaning part is disposed in an unloading area provided inside the polishing part so that the substrate on which the polishing process is completed is unloaded.
상기 후속 세정 파트는 상기 기판의 표면에 물리적으로 접촉되며 상기 기판을 상기 후속 세정하는 접촉식 세정 유닛을 포함하고,
상기 노즐 유닛은 상기 후속 세정 파트의 내부에 마련되어, 상기 접촉식 세정 유닛에 의한 상기 기판의 상기 후속 세정이 행해지기 전 또는 이후에 상기 기판을 상기 후속 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the subsequent cleaning part comprises a contact cleaning unit for physically contacting the surface of the substrate and for subsequent cleaning of the substrate,
Wherein the nozzle unit is provided inside the subsequent cleaning part to perform the subsequent cleaning of the substrate before or after the subsequent cleaning of the substrate by the contact cleaning unit.
상기 접촉식 세정 유닛은 상기 기판의 표면에 회전 접촉되는 세정 브러쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the contact type cleaning unit includes a cleaning brush which is in rotational contact with the surface of the substrate.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180000233A KR102570224B1 (en) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | Substrate procesing apparatus |
CN201820232266.2U CN207781556U (en) | 2018-01-02 | 2018-02-09 | Nozzle unit and the substrate board treatment for having it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180000233A KR102570224B1 (en) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | Substrate procesing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190082525A true KR20190082525A (en) | 2019-07-10 |
KR102570224B1 KR102570224B1 (en) | 2023-08-25 |
Family
ID=63210199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180000233A KR102570224B1 (en) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | Substrate procesing apparatus |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102570224B1 (en) |
CN (1) | CN207781556U (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102379163B1 (en) * | 2020-01-31 | 2022-03-25 | 에스케이실트론 주식회사 | First cleaning apparatus, cleaning equipment and method including the same |
CN116864377B (en) * | 2023-09-04 | 2023-11-10 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | Taihe wafer processing method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09171985A (en) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate cleaning equipment and cleaning of substrate |
KR20030043235A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same |
KR101786485B1 (en) * | 2016-03-08 | 2017-10-18 | 주식회사 케이씨텍 | Chemical mechanical polishing system |
-
2018
- 2018-01-02 KR KR1020180000233A patent/KR102570224B1/en active IP Right Grant
- 2018-02-09 CN CN201820232266.2U patent/CN207781556U/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09171985A (en) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate cleaning equipment and cleaning of substrate |
KR20030043235A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same |
KR101786485B1 (en) * | 2016-03-08 | 2017-10-18 | 주식회사 케이씨텍 | Chemical mechanical polishing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN207781556U (en) | 2018-08-28 |
KR102570224B1 (en) | 2023-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7032269B2 (en) | Brush scrubbing-high frequency resonating substrate processing system | |
US10518382B2 (en) | Substrate processing system | |
US10002777B2 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
KR101816694B1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and control method thereof | |
KR101277614B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101813943B1 (en) | Substrate processing system | |
TW201609279A (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
KR19990026619A (en) | Megasonic cleaning method | |
KR20190082525A (en) | Nozzle unit and substrate procesing apparatus having the same | |
KR101786485B1 (en) | Chemical mechanical polishing system | |
KR102637827B1 (en) | Substrate procesing system | |
JPH02109333A (en) | Cleaning device | |
JP2010251524A (en) | Cleaning mechanism | |
JP7249373B2 (en) | Polishing pad cleaner | |
TW202228864A (en) | Substrate cleaning apparatus and method of cleaning substrate | |
KR20060133208A (en) | Wafer back grinding apparatus using ultrasonic cleaning | |
CN208589417U (en) | Base plate processing system and substrate board treatment | |
KR20170104785A (en) | Control method of chemical mechanical polishing system | |
KR101846771B1 (en) | Cleaning device for lapping surface | |
KR20190086202A (en) | Substrate procesing system and substrate procesing apparatus | |
JP2004146439A (en) | Substrate cleaning method and device thereof | |
TWI823171B (en) | Apparatus and method of substrate edge cleaning and substrate carrier head gap cleaning | |
JP4642183B2 (en) | Wafer polishing equipment | |
KR102483002B1 (en) | Substrate procesing apparatus | |
KR20240132703A (en) | Substrate cleaning apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |