KR20190078788A - 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 강판을 가열하여 초고강력강으로 가공시키는 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법에 관한 것으로서, 상기 핫스탬핑 공정용 가열장치는 철(Fe)계 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 형성된 강판을 이송시키는 이송부와, 상기 이송부의 상부에 배치되고 강판을 상기 코팅막의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도까지 가열하는 제1 가열부와, 상기 제1 가열부 후단에 배치되고 강판을 2차 목표온도까지 가열하여 상기 코팅막을 용융시켜 상기 모재와의 반응에 의해 화합물을 형성시키는 제2 가열부와, 상기 제2 가열부 후단에 배치되고 강판을 3차 목표온도까지 가열하는 제3 가열부, 그리고 상기 제3 가열부 후단에 배치되고 강판이 일정 시간동안 상기 3차 목표온도를 유지하도록 가열하는 소킹부를 포함한다. 이러한 구성으로, 코팅막과 모재 사이에 화합물층을 형성하여 코팅막의 용융점 이상의 온도에서 고주파 가열을 하여도 코팅막의 밀림 현상이 발생하지 않아 강판의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

Description

핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법{HEATING APPARATUS AND METHOD FOR HOT STAMPING}
본 발명은 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 강판을 가열하여 초고강력강으로 가공시키는 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법에 관한 것이다.
일반적으로 핫스탬핑(hot stamping) 기술은 강판을 적정온도(약 900℃)로 가열하여 프레스 금형 내에서 프레스 성형으로 한번에 성형한 후, 급속 냉각하여 고강도 부품을 제조하는 성형기술이다.
종래의 핫스탬핑 공정에서는 전기로를 이용하여 소재를 가열하였다. 그러나 전기로를 이용한 가열 방식은 가열을 위하여 긴 설비 라인을 갖추어야 하고, 전기로 자체의 온도를 상승시키는 데에 에너지 소모가 크며, 비가동시에도 전기로의 온도를 유지시키기 위하여 계속적으로 에너지를 사용하여야 하므로 에너지 효율이 낮은 문제점이 발생하였다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여 먼저 고주파 가열기로 가열하는 방법이 도입되었다. 이 경우 고주파 가열기는 짧은 설비 라인만 요구되고, 짧은 시간에 강판을 가열할 수 있으므로 에너지 면에서 효율성이 좋다.
도 1을 참고하면, 종래의 고주파 가열 방법에 의하면 고주파 가열기의 코일에서 발생하는 전자기력(로렌츠 힘)이 존재하므로 코팅막이 용융되는 온도 이후부터는 코팅막에 이온화가 일어나고, 극성을 갖는 이온은 로렌츠 힘에 의하여 밀리며, 결국 코팅막이 뭉치고 흘러내리는 현상이 발생한다. 따라서 코팅막이 용융되는 온도 이후에는 고주파 가열기를 활용하지 못하고 전기로를 통하여 가열하여야 하는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 코팅막의 용융점 이상의 온도에서도 고주파 가열이 가능한 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 핫스탬핑 공정용 가열장치는, 철(Fe)계 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 형성된 강판을 이송시키는 이송부; 상기 이송부의 상부에 배치되고, 강판을 상기 코팅막의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도까지 가열하는 제1 가열부; 상기 이송부 상에서 상기 제1 가열부 후단에 배치되고, 강판을 2차 목표온도까지 가열하여 상기 코팅막을 용융시켜 상기 모재와의 반응에 의해 화합물을 형성시키는 제2 가열부; 상기 이송부 상에서 상기 제2 가열부 후단에 배치되고, 강판을 3차 목표온도까지 가열하는 제3 가열부; 및 상기 이송부 상에서 상기 제3 가열부 후단에 배치되고, 강판이 일정 시간동안 상기 3차 목표온도를 유지하도록 가열하는 소킹부;를 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 제1 가열부는, 종방향 자계(LF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 LF 가열장치로 마련되어, 강판을 상기 1차 목표온도인 530℃ ~ 570℃까지 가열할 수 있다.
그리고, 상기 제2 가열부는, 전기 가열 방식으로 가열하는 전기 가열장치로 마련되어, 강판을 상기 2차 목표온도인 770℃ ~ 820℃까지 가열할 수 있다.
또한, 상기 제3 가열부는, 수직형 자계(TF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 TF 가열장치로 마련되어, 강판을 상기 3차 목표온도인 900℃ ~ 950℃까지 가열할 수 있다.
여기서, 상기 제2 가열부는, 강판이 상기 제3 가열부에서 고주파 가열되는 경우 고주파에 의해 상기 코팅층에 밀림 현상이 발생하지 않는 온도까지 가열할 수 있다.
나아가, 상기 소킹부는, 상기 강판이 완전 오스테나이트화되는 시간 동안 상기 강판을 가열하도록 마련될 수 있다.
그리고, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 핫스탬핑 공정용 가열방법은, 철(Fe)계 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 형성된 강판을 상기 코팅막의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도까지 가열하는 1차 가열단계; 상기 1차 가열단계를 통과한 강판을 2차 목표온도까지 가열하여 상기 코팅막을 용융시켜 상기 모재와의 반응에 의해 화합물을 형성시키는 2차 가열단계; 상기 2차 가열단계를 통과한 강판을 3차 목표온도까지 가열하는 3차 가열단계; 및 상기 3차 가열단계를 통과한 강판을 일정 시간동안 상기 3차 목표온도를 유지하도록 가열하는 소킹단계;를 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 제1 가열단계는, 종방향 자계(LF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 LF 가열장치로 강판을 상기 1차 목표온도인 530℃ ~ 570℃까지 가열할 수 있다.
그리고, 상기 2차 가열단계는, 전기 가열 방식으로 가열하는 전기 가열장치로 강판을 상기 2차 목표온도인 780℃ ~ 820℃까지 가열할 수 있다.
또한, 상기 3차 가열단계는, 수직형 자계(TF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 TF 가열장치로 강판을 상기 3차 목표온도인 900℃ ~ 950℃까지 가열할 수 있다.
여기서, 상기 2차 가열단계는, 강판이 상기 3차 가열단계에서 고주파 가열되는 경우 고주파에 의해 상기 코팅층에 밀림 현상이 발생하지 않는 온도까지 가열할 수 있다.
나아가, 상기 소킹단계는, 상기 강판이 완전 오스테나이트화되는 시간 동안 상기 강판을 가열하도록 마련될 수 있다.
본 발명에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법에 따르면, 코팅막과 모재 사이에 화합물층을 형성하여 코팅막의 용융점 이상의 온도에서 고주파 가열을 하여도 코팅막의 밀림 현상이 발생하지 않아 강판의 품질을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 종래의 고주파 가열에 의한 코탕막의 밀림 현상을 나타낸 사진,
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치를 개략적으로 도시해 보인 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치를 이용하여 2차 목표온도까지 가열된 강판의 단면을 나타낸 사진,
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치의 제2 가열부에서 가열된 강판의 가열 온도에 따른 제3 가열부에서의 코팅막 상태를 나타낸 사진,
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 고주파 가열 방법을 개략적으로 나타낸 순서도,
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 고주파 가열 방법을 개략적으로 나타낸 시간에 대한 온도 그래프이다.
본 발명의 특징들에 대한 이해를 돕기 위하여, 이하 본 발명의 실시예와 관련된 핫스탬핑 공정용 가열장치 및 가열방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
이하 설명되는 실시예의 이해를 돕기 위하여 첨부된 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치를 개략적으로 도시해 보인 도면이다. 그리고, 도 3은 상기 핫스탬핑 공정용 가열장치를 이용하여 2차 목표온도까지 가열된 강판의 단면을 나타낸 사진이고, 도 4는 상기 핫스탬핑 공정용 가열장치의 제2 가열부에서 가열된 강판의 가열 온도에 따른 제3 가열부에서의 코팅막 상태를 나타낸 사진이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치(100)는 강판(10)을 이송시키는 이송부(110)와, 상기 이송부(110) 상에 배치되고 상기 이송부(110)를 따라 이동하는 강판(10)을 온도를 상승시키며 순차적으로 가열하는 제1 가열부(120), 제2 가열부(130), 제3 가열부(140), 그리고 제3 가열부(140)에서 가열된 강판(10)의 온도를 일정 시간 유지하는 소킹부(150)를 포함한다.
상기 강판(10)은 철(Fe)계 모재(11)에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막(12)이 형성된 것으로, 특히 상기 모재(11)에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막(12)이 70~75g/m2 형성된 것을 대상으로 한다.
상기 이송부(110)는 상기 강판(10)이 상기 제1 가열부(120)에서 상기 제2 가열부(130) 그리고 상기 제3 가열부 마지막으로 상기 소킹부(150)을 순차적으로 통과하면서 가열되도록 상기 강판(10)을 이송시킨다.
여기서, 상기 이송부(110)는 상기 강판(10)을 동일한 속도로 이송시키거나, 상기 강판(10)이 상기 제1 가열부(120), 상기 제2 가열부(130), 상기 제3 가열부, 그리고 상기 소킹부(150) 각각의 내부에서 다른 속도로 이동하도록 이동 속도를 서로 달리하도록 마련될 수도 있다.
이러한 상기 이송부(110)는 종래의 어떠한 이송장치로도 마련될 수 있다. 다만, 상기 가열부와 소킹부에 의해 상기 강판(10)이 고온으로 가열되므로 고온을 견딜 수 있는 이송장치로 마련되는 것이 바람직하다.
상기 제1 가열부(120)는 상기 이송부(110)의 상부에 배치되고, 강판(10)을 상기 코팅막(12)의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도까지 가열한다. 즉, 상기 제1 가열부(120)에서는 상기 강판(10)을 예열하는 장치이다.
이를 위하여, 상기 제1 가열부(120)는 종방향 자계(LF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 LF 가열장치로 마련되어, 상기 강판(10)을 상기 코팅막(12)의 용융점 이하의 온도인 530℃ ~ 570℃(1차 목표온도)까지 가열한다. 여기서, 상기 제1 가열부(120)를 고주파 가열장치로 마련하여 짧은 설비 라인에서 짧은 시간에 강판을 목표 온도까지 가열할 수 있다.
고주파 가열은 고주파수(1KHz 이상)의 전류가 흐르는 코일 안에 강판을 놓고, 이를 통과시키면 전자기유도현상에 의하여 상기 코일로부터 발생하는 자계를 상쇄하는 방향으로 강판에 자계를 유도하는 와전류가 발생하여 상기 강판 자체의 저항과의 관계에서 전력량(단위 시간에 따른 에너지 소모량)의 전기 에너지가 열로 전환되면서 상기 강판을 가열하는 방식이다.
상기 제2 가열부(130)는 상기 이송부(110) 상에서 상기 제1 가열부(120) 후단에 배치되고, 상기 제1 가열부(120)에서 가열된 강판(10)을 2차 목표온도까지 가열하여 상기 코팅막(12)을 용융시켜 상기 모재(11)와의 반응에 의해 화합물(13)을 형성시킨다. 상기 화합물(13)은 도 3에 도시된 바와 같이 모재(11)와 코팅막(12) 사이에 형성되고, 상기 코팅막(12) 내부에도 존재하게 된다. 이때, 상기 화합물(13)은 상기 강판(10)의 가열 온도와 시간에 따라 화합물(13)의 종류와 양이 달라지게 된다.
여기서, 상기 코팅막(12)이 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 소재이고 상기 모재(11)가 철(Fe)로 마련되므로, 상기 화합물(13)은 Al8Fe2Si, Al2Fe2Si, 또는 Fe2Al5/FeAl2 화합물 중 적어도 어느 하나의 화합물로 형성될 수 있다. 이렇게 형성된 화합물(13)은 상기 코팅막(12)의 전체적인 용융 온도를 상승시키게 된다.
즉, Al8Fe2Si 화합물은 용융온도가 약 855℃이고, Al2Fe2Si 화합물은 용융온도가 약 1050℃이고, Fe2Al5/FeAl2 화합물은 용융온도가 약 1156℃이므로 상기 코팅막(12)의 전체적인 용융 온도를 상승시켜 상기 제3 가열부(140)에서 상기 강판(10)이 더 가열되는 경우에 상기 화합물(13)에 의해 상기 코팅막(12)이 뭉치거나 흘러내리는 현상을 방지할 수 있다.
이를 위하여, 상기 제2 가열부(130)는 전기 가열 방식으로 가열하는 전기 가열장치로 마련되어, 상기 1차 목표온도인 530℃ ~ 570℃까지 가열된 강판을 상기 코팅막(12)이 용융되는 2차 목표온도까지 가열한다.
특히, 상기 모재(11)에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막(12)이 70~75g/m2 형성된 강판(10)을 사용하는 경우 상기 제2 가열부(130)에서는 770℃ ~ 820℃까지 가열한다. 이는, 상기 제3 가열부(140)에서 고주파 가열을 수행하는 경우 코팅막(12)이 밀리는 것을 방지할 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 가열부(130)에서 705℃, 730℃, 755℃까지 강판을 가열한 후 3차 목표온도까지 국부적으로 고주파 가열을 수행한 결과 코팅층이 밀리는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 상기 제2 가열부(130)에서 770℃, 783℃, 800℃ 즉, 770℃ 이상으로 강판을 가열한 후 3차 목표온도까지 국부적으로 고주파 가열을 수행한 결과 코팅층이 밀리는 현상이 발생하지 않았다.
따라서, 상기 제2 가열부(130)에서는 상기 제3 가열부에서 코팅막(12)의 밀림 현상을 방지하기 위하여 770℃ ~ 820℃까지 가열한다.
나아가, 상기 제2 가열부(130)는 상기 강판(10)을 770℃ 이상으로 가열하기 위하여 전기 가열장치로 마련된다. 즉, 상기 강판(10)은 큐리점(Curie Temperature)이 750℃이므로 750℃ 이상에서 강자성의 성질을 잃어버리게 되어 LF 가열장치로는 750℃ 이상으로 가열할 수 없게 된다.
따라서, 상기 제2 가열부(130)는 상기 제3 가열부(140)에서의 코팅막 밀림 현상을 방지할 수 있는 온도인 770℃ 이상으로 상기 강판(10)을 가열하여야 하므로, LF 가열장치가 아닌 전기 가열장치로 마련된다.
상기 제3 가열부(140)는 상기 이송부(110) 상에서 상기 제2 가열부(130) 후단에 배치되고, 상기 제2 가열부(130)에서 770℃ ~ 820℃까지 가열된 강판(10)을 3차 목표온도인 900℃ ~ 950℃까지 가열한다. 즉, 상기 제3 가열부(140)에서는 상기 강판(10)을 오스테나이트화되는 온도까지 가열한다.
이를 위하여, 상기 제3 가열부(140)는 수직형 자계(TF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 TF 가열장치로 마련하여 짧은 설비 라인에서 짧은 시간에 강판을 목표 온도까지 가열할 수 있다.
수직형 자계 가열 방식은 강판의 이송경로와 수직하게 두 개의 수직코일을 이송경로의 상하로 배치시키고, 강판을 그 사이로 통과시킨다. 이때, 상기 수직코일은 강판을 향하여 개방되어 있는 원형의 코일 형태이다. 따라서 전류가 인가되면 상기 수직코일들 사이에서 자기장이 발생되고, 이를 통과하는 강판에 전자기유도현상에 따른 와전류가 발생하며, 전력량만큼의 에너지가 열로 변환되어 강판을 가열하게 된다.
따라서, 수직형 자계 가열 방식의 경우에는 강판이 큐리점 이상으로 가열되어 강자성의 성질을 잃어버려도 수직코일에서 발생되는 자기장과 강판이 만나는 자기장의 수(자속)를 증가시켜 가열 효율을 증가시켜 강판을 더 높은 온도까지 가열할 수 있다.
상기 소킹부(150)는 상기 이송부(110) 상에서 상기 제3 가열부(140) 후단에 배치되고, 상기 제3 가열부(140)에서 900℃ ~ 950℃까지 가열된 강판을 일정 시간동안 상기 3차 목표온도인 900℃ ~ 950℃를 유지하도록 가열한다.
즉, 상기 소킹부(150)는 일정 길이를 가지는 전기 가열장치로 마련되어, 상기 강판(10)이 완전 오스테나이트화(complete austenitizing)되는 시간 동안 상기 강판(10)을 가열하도록 마련된다. 이렇게 완전 오스테나이트화된 강판은 이후 냉각을 통하여 마르텐사이트화된다.
이러한, 본원발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열장치를 통하여 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 70~75g/m2 정도로 두껍게 형성되어도 코팅막의 밀림 현상 없이 고주파 가열장치를 이용하여 급속으로 고온까지 가열할 수 있어, 설비 라인의 길이를 줄이고 공정 시간을 단축할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 고주파 가열 방법을 개략적으로 나타낸 순서도 및 시간에 대한 온도 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 고주파 가열 방법은 철(Fe)계 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 형성된 강판을 상기 코팅막의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도(T1)까지 가열하는 1차 가열단계(S110)와, 상기 1차 가열단계(S110)를 통과한 강판을 2차 목표온도(T2)까지 가열하여 상기 코팅막을 용융시켜 상기 모재와의 반응에 의해 화합물을 형성시키는 2차 가열단계(S120)와, 상기 2차 가열단계(S120)를 통과한 강판을 3차 목표온도(T3)까지 가열하는 3차 가열단계(S130), 그리고 상기 3차 가열단계(S130)를 통과한 강판을 일정 시간동안 상기 3차 목표온도(T3)를 유지하도록 가열하는 소킹단계(S140)를 포함한다.
여기서, 상기 제1 가열단계(S110)는 종방향 자계(LF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 LF 가열장치로 강판을 상기 1차 목표온도(T1)인 530℃ ~ 570℃까지 가열하여 짧은 시간에 강판을 예열한다.
그리고, 상기 제2 가열단계(S120)는 전기 가열 방식으로 가열하는 전기 가열장치로 강판을 상기 2차 목표온도(T2)인 780℃ ~ 820℃까지 가열한다. 즉, 상기 제2 가열단계(S120)에서는 코팅막을 용융시켜 모재와의 반응을 통해 화합물을 형성시킨다. 이렇게 형성된 화합물에 의해 상기 3차 가열단계에서 고주파 가열되어도 코팅막의 밀림 현상을 방지할 수 있다.
그리고, 상기 3차 가열단계(S130)는 수직형 자계(TF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 TF 가열장치로 강판을 상기 3차 목표온도(T3)인 900℃ ~ 950℃까지 가열하여 상기 강판을 오스테나이트화 한다.
마지막으로, 상기 소킹단계(S140)는 상기 3차 가열단계(S130)에서 900℃ ~ 950℃까지 가열된 강판을 일정 시간동안 유지시킨다. 즉, 상기 강판이 완전 오스테나이트화되도록 일정 시간동안 3차 목표온도(T3)인 900℃ ~ 950℃의 온도를 유지하도록 가열한다. 이렇게, 상기 소킹단계(S140)에서 완전 오스테나이트화된 강판은 이후 냉각단계를 통하여 마르텐사이트화된다.
이러한, 본원발명의 실시예에 의한 핫스탬핑 공정용 가열방법을 통하여 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 70~75g/m2 정도로 두껍게 형성되어도 코팅막의 밀림 현상 없이 고주파 가열장치를 이용하여 급속으로 고온까지 가열할 수 있어, 설비 라인의 길이를 줄이고 공정 시간을 단축할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 가능함은 물론이다.
10 : 강판
11 : 모재
12 : 코팅막
13 : 화합물
100 : 핫스탬핑 공정용 가열장치
110 : 이송부
120 : 제1 가열부
130 : 제2 가열부
140 : 제3 가열부
150 : 소킹부

Claims (12)

  1. 철(Fe)계 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 형성된 강판을 이송시키는 이송부;
    상기 이송부의 상부에 배치되고, 강판을 상기 코팅막의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도까지 가열하는 제1 가열부;
    상기 이송부 상에서 상기 제1 가열부 후단에 배치되고, 강판을 2차 목표온도까지 가열하여 상기 코팅막을 용융시켜 상기 모재와의 반응에 의해 화합물을 형성시키는 제2 가열부;
    상기 이송부 상에서 상기 제2 가열부 후단에 배치되고, 강판을 3차 목표온도까지 가열하는 제3 가열부; 및
    상기 이송부 상에서 상기 제3 가열부 후단에 배치되고, 강판이 일정 시간동안 상기 3차 목표온도를 유지하도록 가열하는 소킹부;
    를 포함하는 핫스탬핑 공정용 가열장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가열부는,
    종방향 자계(LF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 LF 가열장치로 마련되어, 강판을 상기 1차 목표온도인 530℃ ~ 570℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 가열부는,
    전기 가열 방식으로 가열하는 전기 가열장치로 마련되어, 강판을 상기 2차 목표온도인 770℃ ~ 820℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 가열부는,
    수직형 자계(TF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 TF 가열장치로 마련되어, 강판을 상기 3차 목표온도인 900℃ ~ 950℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 가열부는,
    강판이 상기 제3 가열부에서 고주파 가열되는 경우 고주파에 의해 상기 코팅층에 밀림 현상이 발생하지 않는 온도까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 소킹부는,
    상기 강판이 완전 오스테나이트화되는 시간 동안 상기 강판을 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열장치.
  7. 철(Fe)계 모재에 알루미늄-실리콘(Al-Si) 합금 코팅막이 형성된 강판을 상기 코팅막의 용융점 이하의 온도인 1차 목표온도까지 가열하는 1차 가열단계;
    상기 1차 가열단계를 통과한 강판을 2차 목표온도까지 가열하여 상기 코팅막을 용융시켜 상기 모재와의 반응에 의해 화합물을 형성시키는 2차 가열단계;
    상기 2차 가열단계를 통과한 강판을 3차 목표온도까지 가열하는 3차 가열단계; 및
    상기 3차 가열단계를 통과한 강판을 일정 시간동안 상기 3차 목표온도를 유지하도록 가열하는 소킹단계;
    를 포함하는 핫스탬핑 공정용 가열방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 가열단계는,
    종방향 자계(LF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 LF 가열장치로 강판을 상기 1차 목표온도인 530℃ ~ 570℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 2차 가열단계는,
    전기 가열 방식으로 가열하는 전기 가열장치로 강판을 상기 2차 목표온도인 780℃ ~ 820℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 3차 가열단계는,
    수직형 자계(TF) 가열 방식으로 고주파 가열하는 TF 가열장치로 강판을 상기 3차 목표온도인 900℃ ~ 950℃까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 2차 가열단계는,
    강판이 상기 3차 가열단계에서 고주파 가열되는 경우 고주파에 의해 상기 코팅층에 밀림 현상이 발생하지 않는 온도까지 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 소킹단계는,
    상기 강판이 완전 오스테나이트화되는 시간 동안 상기 강판을 가열하는 것을 특징으로 하는 핫스탬핑 공정용 가열방법.
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