KR20190075782A - Light irradiation apparatus - Google Patents

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타카아키 타나카
노부히사 나가노
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도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a light irradiation apparatus, which is to uniformly arrange pitches of a plurality of light emitting elements, and to suppress an increase in the number of substrates when forming a large-sized light emitting region. According to an embodiment of the present invention, the light irradiation apparatus comprises: a substrate having a plurality of light emitting elements connected thereto; a heat dissipation member installed with the substrate; a first power source for supplying power to a first light emitting element group among the light emitting elements; and a second power source for supplying power to a second light emitting element group among the light emitting elements. According to the present invention, the light emitting element positioned at the uppermost stream in a current direction in the first light emitting element group and the light emitting element positioned at the uppermost stream in a current direction in the second light emitting element group are arranged to be adjacent to each other on the substrate. The light emitting element positioned at the lowermost stream in the current direction in the first light emitting element group and the light emitting element positioned at the lowermost stream in the current direction in the second light emitting element group have the same potential as that of the heat dissipation member.

Description

광 조사 장치 {LIGHT IRRADIATION APPARATUS}[0001] LIGHT IRRADIATION APPARATUS [0002]

본 발명의 실시 형태는, 광 조사 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a light irradiation apparatus.

액정 패널의 제조 공정에서는, 예를 들면, 액정 패널의 유리 기판을 맞붙일 때 등에 자외선 경화형의 봉지재를 경화시키기 위해, 자외선을 조사하는 광 조사 장치가 이용되고 있다. 액정 패널의 제조 공정에 이용되는 광 조사 장치는, 액정 패널의 유리 기판의 대형화에 수반하여, 대형의 액정 패널에 자외선을 조사하기 위해 자외선 램프가 장척화되고, 자외선 램프의 개수가 증가되는 경향이 있다. 한편, 광 조사 장치의 소비 에너지의 저감을 도모하기 위해, 자외선 램프 대신에 발광 소자로서 자외선을 발하는 발광 다이오드(LED)가 이용되고 있다.In the manufacturing process of the liquid crystal panel, for example, a light irradiation device for irradiating ultraviolet rays is used to cure an ultraviolet curing type sealing material when the glass substrate of the liquid crystal panel is bonded. As the glass substrate of the liquid crystal panel is increased in size, the light irradiating apparatus used in the manufacturing process of the liquid crystal panel tends to increase the number of the ultraviolet lamps because the ultraviolet lamp is elongated in order to irradiate ultraviolet rays to the large liquid crystal panel have. On the other hand, in order to reduce the consumption energy of the light irradiation device, a light emitting diode (LED) that emits ultraviolet rays as a light emitting element is used instead of an ultraviolet lamp.

관련 기술의 광 조사 장치로서는, 인접하게 배치되는 각 기판에서, 기판의 배선 패턴의 간격을 다르게 함으로써, 각 기판의 LED 사이에 생기는 연면(沿面) 방전을 억제함과 동시에, 다수의 LED를 고밀도로 배치하는 구성이 있다.As the light irradiation apparatus of the related art, it is possible to suppress the surface discharge occurring between the LEDs of the respective substrates by making the intervals of the wiring patterns of the substrates different in each of the substrates disposed adjacent to each other, There is a configuration to deploy.

일본 특허 공개 공보 제2017－91974호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-91974

광 조사 장치에서는, 예를 들면, 한 변이 2［m］~3［m］ 정도의 대형의 액정 패널을 제조하는 경우, 조사 범위에서 적산 광량이 균일하게 얻어지도록 다수의 LED를 균등한 피치로 배열하는 것이 바람직하다. 또한, 자외선 조사 장치에서는, 자외선 램프와 동등한 광량을 확보하기 위해, 다수의 LED를 가급적 고밀도로 배치하는 것이 바람직하다.In the light irradiation apparatus, for example, when a large-sized liquid crystal panel having a size of about 2 [m] to 3 [m] is manufactured, a plurality of LEDs are arranged at an even pitch so as to obtain an integrated amount of light uniformly in the irradiation range . Further, in the ultraviolet irradiation apparatus, it is preferable to arrange as many high-density LEDs as possible in order to secure the same amount of light as the ultraviolet lamp.

그러나, 예를 들면, LED를 길이가 3［m］ 정도의 배열 방향에 대하여 4［mm］의 피치로 일렬로 배열하는 경우, LED의 순방향 전압(VF)을 3.5［V］로 하면, 복수의 LED를 일괄하여 점등시키는 점등 전압이 2.6［kV］의 고전압이 되므로, 전원을 실현하는 것이 곤란하다. 게다가, LED의 배열 방향에 있어서의 길이가 3［m］ 정도의 기판을 실현하는 것도 곤란하다.However, for example, when the LEDs are arranged in a line at a pitch of 4 [mm] with respect to the arrangement direction of about 3 [m] in length, when the forward voltage VF of the LED is 3.5 [V] The lighting voltage for turning on the LEDs collectively becomes a high voltage of 2.6 [kV], making it difficult to realize the power supply. In addition, it is also difficult to realize a substrate having a length of about 3 [m] in the direction of arrangement of LEDs.

이 때문에, 복수의 LED를 복수의 기판으로 나누어 배열함과 동시에, 개개의 기판을 복수의 전원으로 각각 점등시키는 구성을 생각할 수 있다. 그러나, 기판의 개수가 증가함에 따라 각 기판 간 또는 기판과 전원과의 접속 구조의 복잡화를 초래하므로, 기판의 개수를 억제하는 것이 바람직하다. 한편, 기판의 개수를 억제한 경우에는, 전원의 고전압화를 초래하므로, 각 기판 간의 절연 거리를 확보하는 것이 어려워진다. 즉, 고전압의 전원을 이용하는 구성에서, 각 기판 간의 절연 거리를 적정하게 확보하는 경우에는, LED의 배열 방향에 대한 기판끼리의 간격을 넓힘으로써, 복수의 기판 전체에서 LED를 균등한 피치로 배치할 수 없게 된다.For this reason, it is conceivable to arrange a plurality of LEDs into a plurality of substrates, and to illuminate individual substrates with a plurality of power sources. However, as the number of the substrates increases, the connection structure between the substrates or between the substrate and the power source is complicated, so that it is desirable to suppress the number of substrates. On the other hand, in the case where the number of substrates is reduced, it is difficult to secure an insulation distance between the respective substrates since the power supply is caused to have a higher voltage. That is, in the case of using a high-voltage power supply, if the insulation distance between the substrates is appropriately secured, the spacing between the substrates with respect to the arrangement direction of the LEDs is widened so that the LEDs are arranged at equal pitches throughout the plurality of substrates Can not.

이에, 본 발명은, 복수의 발광 소자의 피치를 균등하게 배치함과 동시에, 대형의 발광 영역을 형성할 때의 기판의 개수의 증대를 억제할 수 있는 광 조사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a light irradiation apparatus capable of uniformly arranging the pitches of a plurality of light emitting elements and suppressing an increase in the number of substrates when a large light emitting region is formed.

실시 형태에 따른 광 조사 장치는, 복수의 발광 소자가 접속된 기판과, 상기 기판이 설치된 방열 부재와, 상기 복수의 발광 소자 중, 제1 발광 소자군에 전력을 공급하는 제1 전원과, 상기 복수의 발광 소자 중, 제2 발광 소자군에 전력을 공급하는 제2 전원을 구비하고, 기판 상에는, 상기 제1 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자와, 상기 제2 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자가 서로 인접하게 배치되고, 상기 제1 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자와, 상기 제2 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자가, 상기 방열 부재와 동전위이다.A light irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate to which a plurality of light emitting elements are connected, a heat radiation member provided with the substrate, a first power supply for supplying power to the first light emitting element group among the plurality of light emission elements, And a second power source for supplying electric power to the second light emitting element group among the plurality of light emitting elements, wherein a light emitting element located in the uppermost stream in the current direction in the first light emitting element group, A light emitting element disposed at the most upstream in the current direction in the element group and disposed adjacent to each other and positioned at the downstream of the current direction in the first light emitting element group; The light emitting element located at the most downstream in the current direction of the light emitting element is in the same potential as the heat radiating member.

본 발명에 의하면, 복수의 발광 소자의 피치를 균등하게 배치함과 동시에, 대형의 발광 영역을 형성할 때의 기판의 개수의 증대를 억제할 수 있다.According to the present invention, pitches of a plurality of light emitting elements can be uniformly arranged, and increase in the number of substrates when a large light emitting region is formed can be suppressed.

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 측면도이다.
도 3은, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치의 제1 발광 소자군 및 제2 발광 소자군을 설명하기 위한 측면도이다.
도 4는, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치에 있어서의 각 발광 소자 및 배선 패턴의 연면 거리를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치에 있어서, 복수의 기판이 배열되는 구성을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치가 가지는 복수의 발광 소자에 의해 피조사체에 자외선을 조사하는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 7은, 제2 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 평면도이다.
도 8은, 제3 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a light irradiation apparatus according to a first embodiment.
2 is a side view showing a light irradiation apparatus according to the first embodiment.
3 is a side view for explaining the first light emitting element group and the second light emitting element group of the light irradiation apparatus according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view for explaining creepage distances of light emitting elements and wiring patterns in the light irradiation apparatus according to the first embodiment.
5 is a cross-sectional view for explaining a configuration in which a plurality of substrates are arranged in the light irradiation apparatus according to the first embodiment.
Fig. 6 is a schematic diagram showing a state in which ultraviolet rays are irradiated to an object to be irradiated by a plurality of light emitting elements included in the light irradiation apparatus according to the first embodiment. Fig.
7 is a plan view showing the light irradiation device according to the second embodiment.
8 is a plan view showing a light irradiation apparatus according to the third embodiment.

이하에서 설명하는 실시 형태에 따른 광 조사 장치(1, 2, 3)는, 기판(5)과, 방열 부재(6)와, 제1 전원(7A)과, 제2 전원(7B)을 구비한다. 기판(5)에는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)이 설치되어 있다. 제1 발광 소자군(11A)은, 복수의 발광 소자(10)가 직렬 접속되어 있다. 제2 발광 소자군(11B)은, 복수의 발광 소자(10)가 직렬 접속되어 있다. 방열 부재(6)는, 기판(5)을 지지한다. 제1 전원(7A)은, 제1 발광 소자군(11A)에 전력을 공급한다. 제2 전원(7B)은, 제2 발광 소자군(11B)에 전력을 공급한다. 기판(5) 상에는, 발광 소자(10a)와 발광 소자(10b)가 서로 인접하게 배치되어 있다. 발광 소자(10a)는, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치한다. 발광 소자(10b)는, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치한다. 발광 소자(10c)와 발광 소자(10d)는, 방열 부재(6)와 동전위이다. 발광 소자(10c)는, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치한다. 발광 소자(10d)는, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치한다.The light irradiation devices 1, 2 and 3 according to the embodiments to be described below are provided with a substrate 5, a radiation member 6, a first power source 7A and a second power source 7B . The substrate 5 is provided with a first light emitting element group 11A and a second light emitting element group 11B. In the first light emitting element group 11A, a plurality of light emitting elements 10 are connected in series. In the second light emitting element group 11B, a plurality of light emitting elements 10 are connected in series. The radiation member (6) supports the substrate (5). The first power source 7A supplies electric power to the first light emitting element group 11A. The second power source 7B supplies electric power to the second light emitting element group 11B. On the substrate 5, the light emitting element 10a and the light emitting element 10b are disposed adjacent to each other. The light emitting element 10a is located at the most upstream in the current direction in the first light emitting element group 11A. The light emitting element 10b is located at the most upstream in the current direction in the second light emitting element group 11B. The light emitting element 10c and the light emitting element 10d are on the same potential as the heat radiating member 6. [ The light emitting element 10c is located at the most downstream of the current direction in the first light emitting element group 11A. The light emitting element 10d is located at the most downstream in the current direction in the second light emitting element group 11B.

또한, 이하에서 설명하는 실시 형태에 따른 광 조사 장치(1, 2, 3)가 구비하는 기판(5)은, 제1 도체(배선 패턴(8a)) 및 제2 도체(배선 패턴(8b))를 가진다. 제1 도체(배선 패턴(8a))는, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 복수의 발광 소자(10)를 접속한다. 제2 도체(배선 패턴(8b))는, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 복수의 발광 소자(10)를 접속한다. 각 발광 소자(10), 제1 도체(배선 패턴(8a)) 및 제2 도체(배선 패턴(8b))로부터 방열 부재(6)까지의, 기판(5)의 표면에 따른 연면 거리가 절연 거리 이상이다.The substrate 5 provided in the light irradiation devices 1, 2, and 3 according to the embodiments described below has a first conductor (wiring pattern 8a) and a second conductor (wiring pattern 8b) . The first conductor (wiring pattern 8a) connects the plurality of light emitting elements 10 in the first light emitting element group 11A. The second conductor (wiring pattern 8b) connects the plurality of light emitting elements 10 in the second light emitting element group 11B. The creepage distance along the surface of the substrate 5 from each light emitting element 10, the first conductor (wiring pattern 8a) and the second conductor (wiring pattern 8b) Or more.

또한, 이하에서 설명하는 실시 형태에 따른 광 조사 장치(1, 2)에 있어서의 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)은, 복수의 발광 소자(10)가 동일 직선 상을 따라 배열되어 있다.The first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B in the light irradiating apparatuses 1 and 2 according to the embodiments to be described below are arranged such that a plurality of light emitting elements 10 are arranged in the same straight line Are arranged along the image.

또한, 이하에서 설명하는 실시 형태에 따른 광 조사 장치(3)에 있어서의 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)은, 복수의 발광 소자(10)가 사행(蛇行)하여 배열되어 있다.The first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B in the light irradiating apparatus 3 according to the embodiment described below are arranged such that a plurality of light emitting elements 10 are meandering, Respectively.

또한, 이하에서 설명하는 실시 형태에 따른 광 조사 장치(1, 2, 3)에 있어서의 발광 소자(10)는, 파장 200［nm］~450［nm］의 자외선을 발한다.The light emitting device 10 in the light irradiation devices 1, 2, and 3 according to the embodiments described below emits ultraviolet rays having a wavelength of 200 [nm] to 450 [nm].

(제1 실시 형태) (First Embodiment)

이하, 실시 형태에 따른 광 조사 장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 측면도이다. 도 3은, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치의 제1 발광 소자군 및 제2 발광 소자군을 설명하기 위한 측면도이다.Hereinafter, a light irradiation apparatus according to an embodiment will be described with reference to the drawings. 1 is a plan view showing a light irradiation apparatus according to a first embodiment. 2 is a side view showing a light irradiation apparatus according to the first embodiment. 3 is a side view for explaining the first light emitting element group and the second light emitting element group of the light irradiation apparatus according to the first embodiment.

(광 조사 장치의 구성) (Configuration of Light Irradiation Apparatus)

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치(1)는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)이 설치된 기판(5)과, 기판(5)을 지지하는 방열 부재(6)와, 제1 발광 소자군(11A)에 전력을 공급하는 제1 전원(7A)과, 제2 발광 소자군(11B)에 전력을 공급하는 제2 전원(7B)을 구비한다.1 and 2, the light irradiation device 1 according to the first embodiment includes a substrate 5 provided with a first light emitting element group 11A and a second light emitting element group 11B, A first power source 7A for supplying power to the first light emitting element group 11A and a second power source 7B for supplying power to the second light emitting element group 11B, And a power source 7B.

도면에서, 장척상을 이루는 기판(5)의 긴 방향(발광 소자(10)의 배열 방향)을 X 방향으로서 나타내고, 기판(5)의 짧은 방향을 Y 방향으로서 나타낸다. 제1 실시 형태에서는, 설명의 편의상, 1 개의 기판(5)을 가지는 광 조사 장치(1)에 대하여 설명하겠으나, 기판(5)의 개수를 한정하는 것은 아니다.In the drawing, the long direction (arrangement direction of the light emitting elements 10) of the long substrate 5 is shown as the X direction, and the short direction of the substrate 5 is shown as the Y direction. In the first embodiment, the light irradiation apparatus 1 having one substrate 5 will be described for convenience of explanation, but the number of the substrates 5 is not limited.

기판(5)은, 알루미나 등의 세라믹, 에폭시 수지 등의 절연성을 가지는 재료에 의해 장척상으로 형성되어 있고, 긴 방향에 대한 길이가, 예를 들면, 1［m］ 정도로 형성되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(5)에는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 각각으로서, 예를 들면, 150 개~170 개 정도의 발광 소자(10)가 X 방향을 따라 일렬로 배열되어 있다. 발광 소자(10)로서는, 파장이 200［nm］ 정도~450［nm］ 정도의 자외선을 발하는 LED가 이용되고 있다. 복수의 발광 소자(10)는, 예를 들면, 4［mm］ 정도의 소정의 피치(P)로 배열되어 있다. 기판(5)에는, 제1 도체로서의 배선 패턴(8a), 및 제2 도체로서의 배선 패턴(8b)이, 발광 소자(10)가 실장되는 실장면에 설치되어 있고, 배선 패턴(8a, 8b)을 통하여 복수의 발광 소자(10)가 직렬 접속되어 있다.The substrate 5 is formed in an elongated shape by an insulating material such as ceramics such as alumina or epoxy resin, and the length of the substrate 5 in the longitudinal direction is, for example, about 1 [m]. 1, the substrate 5 is provided with, for example, about 150 to about 170 light-emitting elements 10 (light emitting elements) as the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, respectively Are arranged in a line along the X direction. As the light emitting element 10, an LED that emits ultraviolet rays having a wavelength of about 200 [nm] to about 450 [nm] is used. The plurality of light emitting elements 10 are arranged at a predetermined pitch P of, for example, about 4 [mm]. The wiring patterns 8a and 8b as a first conductor and the wiring pattern 8b as a second conductor are provided on the substrate 5 in a mounting view in which the light emitting element 10 is mounted, A plurality of light emitting devices 10 are connected in series.

제1 발광 소자군(11A)은, 기판(5)의 배선 패턴(8a)을 통하여 복수의 발광 소자(10)가 직렬 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 발광 소자군(11B)은, 배선 패턴(8b)을 통하여 복수의 발광 소자(10)가 직렬 접속되어 있다. 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10)는, 동일한 피치(P)로 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)은, 복수의 발광 소자(10)가 동일 직선 상을 따라 배열되어 있다.The first light emitting element group 11A is connected in series with a plurality of light emitting elements 10 through the wiring pattern 8a of the substrate 5. [ Similarly, in the second light emitting element group 11B, a plurality of light emitting elements 10 are connected in series through the wiring pattern 8b. The light emitting elements 10 of the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are arranged at the same pitch P. [ In this embodiment, in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, a plurality of light emitting elements 10 are arranged along the same straight line.

기판(5) 상에는, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10a)와, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10b)가 기판(5)의 긴 방향(X 방향)의 중앙에 배치되어 있고, 기판(5)의 중앙에서 각 발광 소자(10a, 10b)가 서로 인접하게 배치되어 있다. 또한, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10c)와, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10d)가, 기판(5)의 외주측에 배치되어 있고, 각 발광 소자(10c, 10d)가 방열 부재(6)와 동전위로 되어 있다.The light emitting element 10a located at the uppermost position in the current direction in the first light emitting element group 11A and the light emitting element 10b positioned at the most upstream position in the current direction in the second light emitting element group 11B The elements 10b are arranged at the center in the longitudinal direction (X direction) of the substrate 5 and the respective light emitting elements 10a and 10b are arranged adjacent to each other at the center of the substrate 5. [ The light emitting element 10c located at the most downstream in the current direction in the first light emitting element group 11A and the light emitting element 10c located at the most downstream in the current direction in the second light emitting element group 11B 10d are arranged on the outer peripheral side of the substrate 5 so that the light emitting elements 10c and 10d are coaxial with the heat radiation member 6. [

즉, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)은, 직렬 접속된 복수의 발광 소자(10)에서, 정전압(애노드)측의 단부에 배치된 발광 소자(10a, 10b)끼리가 인접하게 배치되어 있다. 또한, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)은, 직렬 접속된 복수의 발광 소자(10)에서, 부전압(캐소드)측의 단부에 배치된 발광 소자(10c, 10d)가 기판(5)의 외주측에 배치되어 있다. 각 발광 소자(10c, 10d), 보다 구체적으로는, 각 발광 소자(10c, 10d)의 부전압(캐소드)측은, 접지 전위가 된 방열 부재(6)와 동전위가 됨으로써, 방열 부재(6)와 마찬가지로 접지 상태로 되어 있다.That is, the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are connected to the light emitting elements 10a and 10b arranged at the end on the positive voltage (anode) side in the plurality of light emitting elements 10 connected in series, Are disposed adjacent to each other. The first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are connected to the light emitting elements 10c and 10d arranged at the ends on the negative voltage (cathode) side in the plurality of light emitting elements 10 connected in series Is disposed on the outer peripheral side of the substrate 5. [ The negative voltage (cathode) side of each of the light emitting elements 10c and 10d, more specifically, each of the light emitting elements 10c and 10d, becomes the same potential as the radiating member 6 having the ground potential, As shown in Fig.

또한, 제1 발광 소자군(11A)으로서 배열된 복수의 발광 소자(10)의 개수와, 제2 발광 소자군(11B)으로서 배열된 복수의 발광 소자(10)의 개수는, 동일하게 설정되어 있다. 이 때문에, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10a)와, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10b)는 동전위이다. 이와 같이, 기판(5)의 중앙에서, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)에서의 정전압측의 단부에 배치된 각 발광 소자(10a, 10b)의 사이에서, 연면 방전이 생기는 것이 억제되므로, 인접하는 각 발광 소자(10a, 10b) 간에 확보하는 공간 거리를 작게 할 수 있다. 따라서, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)에서 균등한 피치(P)로 배열할 수 있다.The number of the plurality of light emitting elements 10 arranged as the first light emitting element group 11A and the number of the plurality of light emitting elements 10 arranged as the second light emitting element group 11B are set to be the same have. Therefore, the light emitting element 10a located in the current direction in the first light emitting element group 11A and the light emitting element 10b located in the uppermost stream in the current direction in the second light emitting element group 11B ) Is on the coin. As described above, in the center of the substrate 5, between the light emitting elements 10a and 10b disposed at the end on the constant voltage side in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, The occurrence of discharge is suppressed, so that the space distance secured between adjacent light emitting elements 10a and 10b can be reduced. Therefore, the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B can be arranged at an equal pitch P.

또한, 본 실시 형태에서, 제1 발광 소자군(11A)으로서 배열된 복수의 발광 소자(10)의 개수와, 제2 발광 소자군(11B)으로서 배열된 복수의 발광 소자(10)의 개수는, 동일하게 설정되었으나, 동일한 개수로 한정되는 것은 아니다. 인접하게 배치된 각 발광 소자(10a, 10b) 간에서의 연면 방전을 억제하는 관점에서는, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 발광 소자(10)의 개수와 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 발광 소자(10)의 개수는 동일한 것이 바람직하지만, 연면 거리 기준을 만족시키는 전위차의 범위에서, 제1 발광 소자군(11A)으로서 배열된 복수의 발광 소자(10)의 개수와, 제2 발광 소자군(11B)으로서 배열된 복수의 발광 소자(10)의 개수에 차이가 생겨도 된다.In the present embodiment, the number of the plurality of light emitting elements 10 arranged as the first light emitting element group 11A and the number of the plurality of light emitting elements 10 arranged as the second light emitting element group 11B are , But they are not limited to the same number. The number of the light emitting elements 10 in the first light emitting element group 11A and the number of the second light emitting element groups 11B in the first light emitting element group 11A can be reduced in order to suppress the surface discharge between the adjacent light emitting elements 10a, The number of the light emitting elements 10 arranged in the first light emitting element group 11A and the number of the plurality of light emitting elements 10 arranged in the range of the potential difference satisfying the creepage distance criterion are the same, There may be a difference in the number of the plurality of light emitting elements 10 arranged as the two light emitting element groups 11B.

방열 부재(6)는, 알루미늄 등의 금속 재료에 의해 형성되어 있고, 발광 소자(10)가 배열된 기판(5)의 실장면의 이면측에 고정되어 있다. 방열 부재(6)는, 히트 싱크이며, 도시하지는 않았으나, 기판(5)의 두께 방향을 따라 돌출하는 복수의 핀을 가진다. 방열 부재(6)에는, 냉각 매체를 내부로 흘릴 수 있는 냉각 블록이 설치되어 있어도 된다. 방열 부재(6)에 의해 발광 소자(10)가 발생하는 열이 방열됨으로써, 발광 소자(10)의 온도 상승이 억제되므로, 조도의 변동이 억제된다.The heat dissipating member 6 is formed of a metal material such as aluminum and is fixed to the back side of the mounting surface of the substrate 5 on which the light emitting elements 10 are arranged. The heat dissipating member 6 is a heat sink and has a plurality of fins protruding along the thickness direction of the substrate 5 although not shown. The heat dissipating member 6 may be provided with a cooling block for allowing the cooling medium to flow therein. Since the heat generated by the light emitting element 10 is dissipated by the heat dissipating member 6, the rise in the temperature of the light emitting element 10 is suppressed, and variations in the illuminance are suppressed.

제1 전원(7A)은, 제1 발광 소자군(11A)의 배선 패턴(8a)과 접속선(9)을 통하여 접속되어 있다. 마찬가지로, 제2 전원(7B)은, 제2 발광 소자군(11B)의 배선 패턴(8b)과 접속선(9)을 통하여 접속되어 있다. 제1 전원(7A) 및 제2 전원(7B)은, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 각 발광 소자(10)를 일괄하여 점등시킨다. 제1 전원(7A) 및 제2 전원(7B)으로서는, 예를 들면, 600［V］ 정도의 직류 고압 전원이 이용되고 있다. 또한, 광 조사 장치(1)는, 도시하지 않은 제어 회로 또는 스위치 회로 등을 통하여, 제1 전원(7A) 및 제2 전원(7B)이 일괄하여 온, 오프되도록 구성되어 있다.The first power source 7A is connected to the wiring pattern 8a of the first light emitting element group 11A through the connection line 9. [ Likewise, the second power source 7B is connected to the wiring pattern 8b of the second light emitting element group 11B through the connection line 9. The first power source 7A and the second power source 7B collectively light each of the light emitting elements 10 in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B. As the first power source 7A and the second power source 7B, for example, a DC high voltage power source of about 600 [V] is used. The light irradiating apparatus 1 is configured such that the first power source 7A and the second power source 7B are collectively turned on and off through a control circuit or a switch circuit not shown.

(광 조사 장치에 있어서의 연면 거리) (Creepage distance in the light irradiation apparatus)

도 4는, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치(1)에 있어서의 각 발광 소자(10) 및 배선 패턴(8a)의 연면 거리를 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 4에서는, 편의상, 후술하는 연면 거리(d)를, 기판(5)의 표면으로부터 멀어진 파선으로 나타내고 있으나, 기판(5)의 표면 상을 따르는 거리이다. 여기서 연면 거리란, 2 개의 도체 간의 절연 재료의 표면을 따른 최단 거리를 가리킨다. 또한, 도 4에서는 배선 패턴(8a)만을 나타내고, 이하, 배선 패턴(8a)에 대해서만 설명하겠으나, 배선 패턴(8b)에 대해서도 배선 패턴(8a)과 동일하다.4 is a cross-sectional view for explaining the creepage distances of the light emitting elements 10 and the wiring patterns 8a in the light irradiation apparatus 1 according to the first embodiment. 4, for the sake of convenience, the creepage distance d described later is indicated by a dashed line away from the surface of the substrate 5, but it is a distance along the surface of the substrate 5. [ Here, the creepage distance refers to the shortest distance along the surface of the insulating material between the two conductors. 4 shows only the wiring pattern 8a and only the wiring pattern 8a will be described below. However, the wiring pattern 8b is also the same as the wiring pattern 8a.

도 4에 도시한 바와 같이, 광 조사 장치(1)에서는, 기판(5)의 단변 방향(Y 방향)에서, 기판(5) 상의 각 발광 소자(10)로부터 방열 부재(6)까지를 묶는, 기판(5)의 표면을 따르는 연면 거리(d)가, 상술한 절연 거리 이상으로 확보되어 있다. 마찬가지로, 기판(5)의 단변 방향에서, 기판(5) 상의 배선 패턴(8a)의 일단으로부터 방열 부재(6)까지를 묶는, 기판(5)의 표면을 따르는 연면 거리(d)는, 절연 거리 이상으로 확보되어 있다. 이에 의해, 기판(5)의 단변 방향에서, 기판(5) 상의 발광 소자(10)의 전체 및 배선 패턴(8a)의 전역은, 적정하게 절연되어 있다. 기판(5)의 두께는 1.0［mm］ 정도로 형성되어 있다.4, in the light irradiation device 1, the light emitting elements 10 on the substrate 5 are bonded to the heat radiation members 6 in the short side direction (Y direction) of the substrate 5, The creepage distance d along the surface of the substrate 5 is ensured to be equal to or larger than the above-described insulation distance. Similarly, the creepage distance d along the surface of the substrate 5, which ties the heat radiation member 6 from one end of the wiring pattern 8a on the substrate 5 in the short side direction of the substrate 5, Or more. Thus, in the short side direction of the substrate 5, the whole of the light emitting element 10 on the substrate 5 and the entire area of the wiring pattern 8a are properly insulated. The thickness of the substrate 5 is about 1.0 [mm].

여기서 절연 거리란, 정보 기기에 관한 안전 규격 IEC－J60950－1으로 규정되는 절연 거리이며, 기판(5) 상의 복수의 발광 소자(10) 및 배선 패턴(8a)이 적정하게 절연되는 이간 거리를 가리키고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 절연 거리는, 발광 소자(10)로서의 LED의 패키지(외장재)의 외주면을 기준으로 한 최단 거리이다. 또한, 절연 거리는, LED의 패키지의 외주면보다 배선 패턴(8a)의 외연이 기판(5)의 단면(외주연)에 가까운 경우, 즉, LED의 패키지의 외주면보다, 배선 패턴(8a)의 외연이 기판(5)의 외측에 위치하도록 배선 패턴(8a)이 크게 형성되어 있는 경우에는, 배선 패턴(8a)의 외연을 기준으로 한 최단 거리이다.Here, the insulation distance is an insulation distance defined by the safety standard IEC-J60950-1 for information devices, and indicates the distance between the plurality of light emitting elements 10 and the wiring pattern 8a on the substrate 5 properly insulated have. The insulation distance in the present embodiment is the shortest distance based on the outer peripheral surface of the package (exterior material) of the LED as the light emitting element 10. The insulation distance is set such that the outer edge of the wiring pattern 8a is closer to the end surface (outer periphery) of the substrate 5 than the outer peripheral surface of the LED package, When the wiring pattern 8a is formed so as to be located on the outer side of the substrate 5, it is the shortest distance with respect to the outer edge of the wiring pattern 8a.

도 3에 도시한 바와 같이, 제1 발광 소자군(11A)의 발광 소자(10a)와 제2 발광 소자군(11B)의 발광 소자(10b)에서, 발광 소자(10)의 배열 방향에 인접하는 각 LED의 패키지의 측면끼리의 간극(공간 거리)이 0.5［mm］ 정도로 형성되어 있다. 본 실시 형태는, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 각 발광 소자(10a, 10b)가 동전위이므로, 상술한 간극을 작게 할 수 있다.3, in the light emitting element 10a of the first light emitting element group 11A and the light emitting element 10b of the second light emitting element group 11B, And a gap (space distance) between the side surfaces of each LED package is about 0.5 [mm]. In the present embodiment, since the light emitting elements 10a and 10b located at the most upstream in the current direction in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are on the same potential, can do.

또한, 기판(5)의 긴 방향(X 방향)에 있어서의 양단은, 제1 발광 소자군(11A)의 발광 소자(10c) 및 제2 발광 소자군(11B)의 발광 소자(10d)로서의 LED의 패키지의 측면(발광 소자(10)의 배열 방향에 있어서의 배선 패턴(8a, 8b)의 일단)으로부터, 기판(5)의 일단까지의 최단 연재 거리는, 0.25［mm］ 정도로 형성되어 있다. 마찬가지로, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 발광 소자(10)의 배열 방향에서, 이 배열 방향에 있어서의 배선 패턴(8a, 8b)의 일단으로부터, 기판(5)의 일단까지의 최단 연재 거리는, 0.25［mm］ 정도로 형성되어 있다(도 5 참조). 본 실시 형태는, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)에서, 전류 방향의 최하류에 위치하는 각 발광 소자(10c, 10d)가 방열 부재(6)와 동전위이므로, 상술한 최단 연재 거리를 작게 할 수 있다.Both ends of the substrate 5 in the longitudinal direction (X direction) are connected to the light emitting element 10c of the first light emitting element group 11A and the light emitting element 10d of the second light emitting element group 11B (One end of the wiring patterns 8a and 8b in the arrangement direction of the light emitting elements 10) of the package of the light emitting element 10 is formed to about 0.25 mm. Similarly, in the arrangement direction of the light emitting elements 10 of the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, from one end of the wiring patterns 8a and 8b in this arrangement direction, ) Is formed to be about 0.25 [mm] (see Fig. 5). In the present embodiment, in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, since each of the light emitting elements 10c and 10d located at the most downstream in the current direction is on the same potential as the heat radiating member 6 , The above-described shortest extension distance can be reduced.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(5)의 두께 방향에서, 기판(5)이 지지된 방열 부재(6)의 지지면으로부터, 기판(5) 상의 배선 패턴(8a, 8b)의 상면까지의 높이는, 1.0［mm］ 정도로 형성되어 있다. 기판(5)의 두께 방향에서, 배선 패턴(8a, 8b)의 표면으로부터 LED의 패키지의 상면까지의 높이가, 1.5［mm］ 정도로 형성되어 있다. LED의 배열 방향에서, LED의 패키지의 길이(L)는, 3.5［mm］ 정도로 형성되어 있다.3, the upper surface of the wiring patterns 8a and 8b on the substrate 5 is exposed from the supporting surface of the heat radiation member 6 on which the substrate 5 is supported in the thickness direction of the substrate 5, Is about 1.0 [mm]. The height from the surface of the wiring patterns 8a and 8b to the upper surface of the LED package is set to about 1.5 mm in the thickness direction of the substrate 5. [ In the array direction of the LEDs, the length L of the package of LED is about 3.5 [mm].

도 5에 도시한 바와 같이, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)이 설치된 기판(5)은, 발광 소자(10)의 배열 방향에 대하여 나란하게 배치되어도 된다. 본 실시 형태에 의하면, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10c, 10d)가 방열 부재(6)와 동전위인 것에 의해 기판(5)의 양단의 최단 연재 거리가 짧아져 있으므로, 각 기판(5) 간에 인접하는 발광 소자(10c, 10d) 간의 거리가 커지는 것이 억제되고, 복수의 기판(5)에 걸쳐 복수의 발광 소자(10)를 균일한 피치(P)로 배열하는 것이 가능하도록 되어 있다.The substrate 5 provided with the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B may be arranged in parallel with the arrangement direction of the light emitting elements 10 as shown in Fig. The light emitting elements 10c and 10d of the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are coincident with the heat radiation member 6, The distance between the adjacent light emitting elements 10c and 10d between the substrates 5 is suppressed from increasing and the plurality of light emitting elements 10 are uniformly spaced across the plurality of substrates 5, (P).

(광 조사 장치에 있어서의 자외선의 조사 상태) (Irradiation state of ultraviolet rays in the light irradiation apparatus)

도 6은, 제1 실시 형태에 따른 광 조사 장치가 가지는 복수의 발광 소자에 의해 피조사체에 자외선을 조사하는 상태를 나타내는 모식도이다.Fig. 6 is a schematic diagram showing a state in which ultraviolet rays are irradiated to an object to be irradiated by a plurality of light emitting elements included in the light irradiation apparatus according to the first embodiment. Fig.

도 6에 도시한 바와 같이, 광 조사 장치(1)는, 액정 패널 등의 피조사체(W)가, 기판(5)의 짧은 방향(Y 방향)을 따라 반송됨으로써, 자외선의 조사 범위를 통과하는 피조사체(W)에 대하여, 기판(5)의 긴 방향(X 방향)을 따라 배열된 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10)가 발하는 자외선이 조사된다. 광 조사 장치(1)는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 복수의 발광 소자(10)의 모두가 동일한 피치(P)로 배치되어 있으므로, 피조사체(W)에 대하여 자외선이 균일하게 조사된다.6, the light irradiating apparatus 1 is configured such that the object W such as a liquid crystal panel is transported along the short direction (Y direction) of the substrate 5, Light emitted from each light emitting element 10 of the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B arranged along the longitudinal direction (X direction) of the substrate 5 with respect to the object to be irradiated W . The light irradiating device 1 is arranged such that all of the plurality of light emitting elements 10 in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are arranged at the same pitch P, Ultraviolet rays are uniformly irradiated onto the wafer W.

상술한 바와 같이 제1 실시 형태의 광 조사 장치(1)에 있어서의 기판(5) 상에는, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10a)와, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10b)가 서로 인접하게 배치되어 있고, 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10c)와, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10d)가, 방열 부재(6)와 동전위이다. 이에 의해, 제1 발광 소자군(11A)과 제2 발광 소자군(11B)에서 인접하는 각 발광 소자(10a, 10b) 간에 연면 방전이 발생하는 것이 억제되므로, 각 발광 소자 간의 간극을 작게 할 수 있다. 또한, 발광 소자(10)의 배열 방향에 대하여 배열되는 기판(5)끼리의 절연 거리를 작게 할 수 있다. 이 때문에, 피조사체(W)에 대한 조사 범위에서 자외선의 적산 광량을 균일화하는 것을, 기판(5)의 개수를 억제함과 동시에, 전원의 고전압화를 억제한 구성에 의해 실현하는 것이 가능해진다.As described above, on the substrate 5 in the light irradiation device 1 of the first embodiment, the light emitting element 10a located at the uppermost position in the current direction in the first light emitting element group 11A, The light emitting elements 10b located at the most upstream in the current direction in the two light emitting element groups 11B are arranged adjacent to each other and the light emitting elements 10b positioned at the most downstream in the current direction in the first light emitting element group 11A The element 10c and the light emitting element 10d located at the downstream in the current direction in the second light emitting element group 11B are in the same potential as the radiator 6. This suppresses the generation of surface discharge between the adjacent light emitting elements 10a and 10b in the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, have. Further, the insulation distance between the substrates 5 arranged in the arrangement direction of the light emitting elements 10 can be reduced. Therefore, it is possible to equalize the accumulated amount of ultraviolet light in the irradiation range with respect to the workpiece W, suppress the number of the substrates 5, and suppress the increase in the power supply voltage.

따라서, 광 조사 장치(1)에 의하면, 복수의 발광 소자(10)의 피치(P)를 균등하게 배치함과 동시에, 한 변이 3［m］ 정도 이상의 대형의 발광 영역을 형성할 때의 기판(5)의 개수의 증대를 억제할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 한 변의 길이가 3［mm］ 정도 이상의 대형의 액정 패널을 제조하기 위한 광 조사 장치에서, 자외선의 조도 분포의 균일성을 확보함과 동시에, 장치 전체의 소형화를 도모할 수 있다.Therefore, according to the light irradiating apparatus 1, the pitch P of the plurality of light emitting elements 10 is uniformly arranged, and at the same time, the size of the substrate (for example, 5 can be suppressed from increasing. As a result, for example, in a light irradiation apparatus for manufacturing a large-size liquid crystal panel having a side length of about 3 mm, it is possible to secure the uniformity of the ultraviolet light intensity distribution and to reduce the size of the entire apparatus .

또한, 제1 실시 형태의 광 조사 장치(1)는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10) 및 배선 패턴(8a, 8b)으로부터 방열 부재(6)까지의, 기판(5)의 표면을 따른 연면 거리(d)가 절연 거리 이상이다. 이에 의해, 기판(5)에 있어서의 연면 방전의 발생을 억제할 수 있다.The light irradiating apparatus 1 of the first embodiment differs from the light emitting elements 10 and the wiring patterns 8a and 8b of the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, The creepage distance d along the surface of the substrate 5 to the substrate 6 is not less than the insulation distance. As a result, generation of surface discharge in the substrate 5 can be suppressed.

또한, 제1 실시 형태의 광 조사 장치(1)에 있어서의 발광 소자(10)는, 파장이 200［nm］~450［nm］의 자외선을 발한다. 이에 의해, 액정 패널의 유리 기판을 맞붙일 때 등에, 자외선 경화형의 봉지재를 경화시키는 자외선을 조사할 때에 특히 바람직하다.The light emitting device 10 in the light irradiation device 1 of the first embodiment emits ultraviolet rays having a wavelength of 200 [nm] to 450 [nm]. This is particularly preferable when irradiating ultraviolet rays for curing an ultraviolet curable encapsulating material when the glass substrates of the liquid crystal panel are bonded together.

또한, 제1 실시 형태에서는, 1 개의 기판(5) 상에 한 조의 발광 소자군인 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)이 설치되었으나, 1 개의 기판(5) 상에 복수 조의 발광 소자군이, 발광 소자(10)의 배열 방향으로 나란히 설치되어도 된다. 예를 들면, 1 개의 기판(5)에서, 제1 발광 소자군 및 제2 발광 소자군과, 제3 발광 소자군 및 제4 발광 소자군이 배치되고, 제2 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자와, 제3 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자가 서로 인접하게 배치되어도 된다. 즉, 1 개의 기판(5) 상에는, 발광 소자(10)의 배열 방향을 따라 짝수 개의 발광 소자군이 나란하게 배치되어도 된다.In the first embodiment, the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B, which are a set of light emitting element groups, are provided on one substrate 5, A plurality of groups of light emitting elements may be provided in parallel in the array direction of the light emitting elements 10. [ For example, in one substrate 5, the first light emitting element group and the second light emitting element group, the third light emitting element group and the fourth light emitting element group are arranged, and the current direction in the second light emitting element group And the light emitting element located at the most downstream of the current direction in the third light emitting element group may be arranged adjacent to each other. That is, even number of light emitting element groups may be arranged side by side along the arrangement direction of the light emitting elements 10 on one substrate 5.

이하, 다른 실시 형태의 광 조사 장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 다른 실시 형태에서, 제1 실시 형태와 동일한 구성 부재에는, 편의상, 제1 실시 형태와 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다. Hereinafter, a light irradiation apparatus of another embodiment will be described with reference to the drawings. In other embodiments, the same constituent members as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment for the sake of convenience, and a description thereof will be omitted.

(제2 실시 형태) (Second Embodiment)

도 7은, 제2 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 평면도이다. 제2 실시 형태는, 복수의 제1 발광 소자군(11A) 및 복수의 제2 발광 소자군(11B)을 가지는 점이, 제1 실시 형태와 다르다.7 is a plan view showing the light irradiation device according to the second embodiment. The second embodiment is different from the first embodiment in that a plurality of first light emitting element groups 11A and a plurality of second light emitting element groups 11B are provided.

도 7에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태의 광 조사 장치(2)는, 기판(5)의 짧은 방향(Y 방향)으로 나란하게 설치된 복수의 제1 발광 소자군(11A) 및 복수의 제2 발광 소자군(11B)을 가진다. 복수의 제1 발광 소자군(11A) 및 복수의 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10)는, 기판(5)의 긴 방향(X 방향) 및 짧은 방향에 대하여 동일한 피치(P)로 배치되어 있다. 복수의 제1 발광 소자군(11A)은, 배선 패턴(8a)을 통하여 제1 전원(7A)과 병렬 접속되어 있다. 마찬가지로, 복수의 제2 발광 소자군(11B)은, 배선 패턴(8b)을 통하여 제2 전원(7B)과 병렬 접속되어 있다. 또한, 복수의 제1 발광 소자군(11A) 및 복수의 제2 발광 소자군(11B)의 각각이 복수의 전원에 각각 직렬 접속되어도 된다.7, the light irradiation device 2 of the second embodiment comprises a plurality of first light emitting element groups 11A arranged in parallel in the short direction (Y direction) of the substrate 5, And two light emitting element groups 11B. The light emitting elements 10 of the plurality of first light emitting element groups 11A and the plurality of second light emitting element groups 11B are arranged at the same pitch P ). The plurality of first light emitting element groups 11A are connected in parallel with the first power source 7A through the wiring pattern 8a. Similarly, the plurality of second light emitting element groups 11B are connected in parallel with the second power supply 7B through the wiring pattern 8b. Each of the plurality of first light emitting element groups 11A and the plurality of second light emitting element groups 11B may be connected in series to a plurality of power sources.

또한, 제2 실시 형태에 있어서의 「제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10)」란, 도 7 중의 파선으로 둘러싼 복수의 발광 소자(10a)를 가리킨다. 마찬가지로, 「제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10)」는, 파선으로 둘러싼 복수의 발광 소자(10b)를 가리키고, 「제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10)」는, 파선으로 둘러싼 복수의 발광 소자(10c)를 가리키고, 「제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10)」는, 파선으로 둘러싼 복수의 발광 소자(10d)를 가리킨다.The "light emitting element 10 located at the most upstream position in the current direction in the first light emitting element group 11A" in the second embodiment means a plurality of light emitting elements 10a surrounded by broken lines in FIG. 7 Point. Similarly, the "light emitting element 10 located at the most upstream position in the current direction in the second light emitting element group 11B" refers to a plurality of light emitting elements 10b surrounded by a broken line, and the "first light emitting element group 11A Quot; the light emitting element 10 located at the most downstream in the current direction in the current direction ") refers to a plurality of light emitting elements 10c surrounded by a broken line, Quot; refers to a plurality of light emitting elements 10d surrounded by broken lines.

제2 실시 형태에서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 복수의 발광 소자(10)의 피치(P)를 균등하게 배치함과 동시에, 대형의 발광 영역을 형성할 때의 기판(5)의 개수의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 제2 실시 형태에서도, 각 발광 소자(10)의 배열 방향으로 복수의 기판(5)을 나란하게 배치해도 된다.In the second embodiment, similarly to the first embodiment, the pitches P of the plurality of light emitting elements 10 are uniformly arranged, and the number of the substrates 5 is increased in forming a large light emitting area Can be suppressed. Also in the second embodiment, a plurality of substrates 5 may be arranged in a row in the arrangement direction of each light emitting element 10.

(제3 실시 형태) (Third Embodiment)

도 8은, 제3 실시 형태에 따른 광 조사 장치를 나타내는 평면도이다. 제3 실시 형태는, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)이 사행하여 배열된 점이, 제1 실시 형태와 다르다.8 is a plan view showing a light irradiation apparatus according to the third embodiment. The third embodiment differs from the first embodiment in that the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are arranged diagonally.

도 8에 도시한 바와 같이, 제3 실시 형태의 광 조사 장치(3)에서, 배선 패턴(8a, 8b)은, 예를 들면, 기판(5)의 짧은 방향(Y 방향)의 양단에서 되돌아 접히도록 사행하여 구불구불하게 형성되어 있다. 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10)는, 배선 패턴(8a, 8b)을 따라 사행하여 배열되어 있고, 배선 패턴(8a, 8b)에 의해 직렬 접속되어 있다. 제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10a)와, 제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10b)는, 기판(5)의 긴 방향(X 방향) 및 짧은 방향의 중앙에 서로 인접하게 배치되어 있다. 또한, 복수의 제1 발광 소자군(11A) 및 복수의 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10)는, 기판(5)의 긴 방향 및 짧은 방향에 대하여 동일한 피치(P)로 배치되어 있다.8, in the light irradiation device 3 of the third embodiment, the wiring patterns 8a and 8b are folded back at both ends in the short direction (Y direction) of the substrate 5, for example, It is formed by meandering and winding. Each of the light emitting elements 10 of the first and second light emitting element groups 11A and 11B is arranged in a meandering manner along the wiring patterns 8a and 8b and the wiring patterns 8a and 8b Connected in series. The light emitting element 10a positioned at the uppermost position in the current direction in the first light emitting element group 11A and the light emitting element 10b located at the most upstream position in the current direction in the second light emitting element group 11B, Are arranged adjacent to each other in the long direction (X direction) and the short direction center of the substrate 5. The light emitting elements 10 of the plurality of first light emitting element groups 11A and the plurality of second light emitting element groups 11B are arranged at the same pitch P with respect to the long and short directions of the substrate 5 Respectively.

또한, 제3 실시 형태에 있어서의 「제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10)」란, 도 8 중의 파선으로 둘러싼 복수의 발광 소자(10a)를 가리킨다. 마찬가지로 「제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자(10)」는, 파선으로 둘러싼 복수의 발광 소자(10b)를 나타낸다. 또한, 도 8에는 도시하지는 않았으나, 「제1 발광 소자군(11A)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10)」는, 기판(5)의 짧은 방향(Y 방향)을 따라 일렬로 배열된 복수의 발광 소자(10c)를 가리키고, 「제2 발광 소자군(11B)에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자(10)」는, 기판(5)의 짧은 방향(Y 방향)을 따라 일렬로 배열된 복수의 발광 소자(10d)를 가리킨다.The "light emitting element 10 located at the most upstream position in the current direction in the first light emitting element group 11A" in the third embodiment means a plurality of light emitting elements 10a surrounded by broken lines in FIG. 8 Point. Likewise, the "light emitting element 10 located at the most upstream position in the current direction in the second light emitting element group 11B" represents a plurality of light emitting elements 10b surrounded by a broken line. Although not shown in FIG. 8, the "light emitting element 10 located at the downstream of the first light emitting element group 11A in the current direction" is arranged to extend along the short direction (Y direction) of the substrate 5 Refers to a plurality of light emitting elements 10c arranged in a row and the "light emitting element 10 located at the most downstream of the current direction in the second light emitting element group 11B" Y direction) of the plurality of light emitting elements 10d arranged in a line.

또한, 도시하지는 않았으나, 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)의 각 발광 소자(10)는, 기판(5)의 중앙으로부터 기판(5)의 외주측을 향해 소용돌이 형상 등의 임의의 배열이 적용되어도 된다. 제1 발광 소자군(11A) 및 제2 발광 소자군(11B)이 소용돌이 형상으로 배열되는 경우에는, 각 발광 소자(10)가 소용돌이의 지름 방향에 대하여 동일한 피치(P)로 배치된다.Although not shown, each of the light emitting elements 10 of the first and second light emitting element groups 11A and 11B has a spiral shape from the center of the substrate 5 toward the outer peripheral side of the substrate 5 Or the like may be applied. When the first light emitting element group 11A and the second light emitting element group 11B are arranged in a spiral shape, the respective light emitting elements 10 are arranged at the same pitch P with respect to the diameter direction of the vortex.

제3 실시 형태에서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 복수의 발광 소자(10)의 피치(P)를 균등하게 배치함과 동시에, 대형의 발광 영역을 형성할 때의 기판(5)의 개수의 증대를 억제할 수 있다.In the third embodiment, similarly to the first embodiment, the pitches P of the plurality of light emitting elements 10 are uniformly arranged and the number of the substrates 5 is increased in forming the large light emitting area Can be suppressed.

본 발명의 실시 형태를 설명하였으나, 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하는 것을 의도하고 있지 않다. 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시하는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 실시 형태 또는 그 변형은, 본 발명의 범위나 요지에 포함되는 것과 마찬가지로, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함되는 것이다.While the embodiments of the invention have been described, the embodiments are given by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. The embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. The embodiments or modifications thereof are included in the scope of the invention and the equivalents of the invention described in the claims.

1 : 광 조사 장치
5 : 기판
6 : 방열 부재
7A : 제1 전원
7B : 제2 전원
8 : 배선 패턴(도체)
10(10a, 10b, 10c, 10d) : 발광 소자
11A : 제1 발광 소자군
11B : 제2 발광 소자군1: light irradiation device
5: substrate
6:
7A: First power source
7B: Second power source
8: Wiring pattern (conductor)
10 (10a, 10b, 10c, 10d): Light emitting element
11A: First light emitting element group
11B: second light emitting element group

Claims (5)

복수의 발광 소자가 직렬 접속된 제1 발광 소자군 및 제2 발광 소자군이 설치된 기판과,
상기 기판을 지지하는 방열 부재와,
상기 제1 발광 소자군에 전력을 공급하는 제1 전원과,
상기 제2 발광 소자군에 전력을 공급하는 제2 전원을 구비하고,
상기 기판 상에는, 상기 제1 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자와, 상기 제2 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최상류에 위치하는 발광 소자가 서로 인접하게 배치되고,
상기 제1 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자와, 상기 제2 발광 소자군에 있어서의 전류 방향의 최하류에 위치하는 발광 소자가, 상기 방열 부재와 동전위인, 광 조사 장치.A substrate provided with a first light emitting element group and a second light emitting element group in which a plurality of light emitting elements are connected in series,
A heat dissipating member for supporting the substrate,
A first power source for supplying power to the first light emitting element group,
And a second power source for supplying power to the second light emitting element group,
A light emitting element located at an uppermost position in a current direction in the first light emitting element group and a light emitting element located at an uppermost position in a current direction in the second light emitting element group are arranged adjacent to each other,
A light emitting element located at the most downstream in the current direction in the first light emitting element group and a light emitting element located at the most downstream in the current direction in the second light emitting element group, Investigation device. 제1항에 있어서,
상기 기판은, 상기 제1 발광 소자군에 있어서의 상기 복수의 발광 소자를 접속하는 제1 도체 및 상기 제2 발광 소자군에 있어서의 상기 복수의 발광 소자를 접속하는 제2 도체를 가지고,
각 발광 소자, 상기 제1 도체 및 상기 제2 도체의 각각으로부터 상기 방열 부재까지의, 상기 기판의 표면을 따른 연면 거리가 절연 거리 이상인, 광 조사 장치.The method according to claim 1,
The substrate includes a first conductor for connecting the plurality of light emitting elements in the first light emitting element group and a second conductor for connecting the plurality of light emitting elements in the second light emitting element group,
Wherein a creepage distance from each of the light emitting elements, the first conductor and the second conductor to the heat radiation member along a surface of the substrate is an insulation distance or more. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 발광 소자군 및 상기 제2 발광 소자군은, 상기 복수의 발광 소자가 동일 직선 상을 따라 배열되어 있는, 광 조사 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first light emitting element group and the second light emitting element group are arranged along the same straight line in the plurality of light emitting elements. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 발광 소자군 및 상기 제2 발광 소자군은, 상기 복수의 발광 소자가 사행하여 배열되어 있는, 광 조사 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first light emitting element group and the second light emitting element group are arranged such that the plurality of light emitting elements are meanderingly arranged. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광 소자는, 파장이 200［nm］~450［nm］의 자외선을 발하는, 광 조사 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the light emitting element emits ultraviolet light having a wavelength of 200 [nm] to 450 [nm].
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