KR20190058217A - Metal substrate and mask using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 부식을 방지할 수 있고, 균일한 물성을 가질 수 있는 금속판 및 이를 이용한 증착용 마스크에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a metal plate capable of preventing corrosion and having uniform physical properties, and a vapor deposition mask using the same.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.Display devices are used in various devices. For example, display devices are used not only for small devices such as smart phones and tablet PCs, but also for large devices such as TVs, monitors, public displays (PDs) and the like. In particular, in recent years, there is an increasing demand for ultrahigh resolution UHD (UHD, UHD) over 500 PPI (Pixel Per Inch), and high resolution display devices are being applied to small devices and large devices. Accordingly, there is a growing interest in techniques for implementing low power and high resolution.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.A commonly used display device can be roughly divided into an LCD (Liquid Crystal Display) and an OLED (Organic Light Emitting Diode) according to a driving method.
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치 이다. An LCD is a display device driven using a liquid crystal. The LCD has a structure in which a light source including a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) or a light emitting diode (LED) is disposed under the liquid crystal. And is driven by adjusting the amount of light emitted from the light source using the liquid crystal disposed.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.Further, the OLED is a display device which is driven using organic materials, and a separate light source is not required, and the organic material itself can function as a light source and can be driven with low power. In addition, OLEDs are attracting attention as a display device capable of expressing an infinite contrast ratio, having a response speed that is about 1000 times faster than that of an LCD, and excellent viewing angle, thereby being able to replace an LCD.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 일반적으로 금속판으로 형성되며, 상기 금속판은 상기 화소의 패턴과 대응되는 위치에 형성되는 관통홀을 포함한다. 이때, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 유기물은 도 5에 도시된 바와 같이 상기 금속판의 관통홀을 통과하여 상기 기판 상에 증착되며, 이에 따라 상기 기판 상에 화소 패턴을 형성할 수 있다.In particular, the organic material contained in the light emitting layer in the OLED can be deposited on the substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to a pattern formed on the deposition mask Pattern to form a pixel. In detail, the vapor deposition mask is generally formed of a metal plate, and the metal plate includes a through hole formed at a position corresponding to the pattern of the pixel. At this time, red, green and blue organic substances are deposited on the substrate through the through holes of the metal plate as shown in FIG. 5, thereby forming a pixel pattern on the substrate can do.
상기 증착용 마스크는 일반적으로 철(Fe)-니켈(Ni) 합금으로 이루어진 금속판으로 제조된다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 인바(Invar) 합금으로 제조된다. 제조된 금속판으로 즉시 증착용 마스크를 제조하는 것이 유리하나, 현실적으로 어려운 이유가 있다. 예를 들어, 상기 금속판의 제조 공정과 상기 증착용 마스크의 제조공정은 서로 다른 지역에서 수행될 수 있기 때문에, 상기 금속판을 제조한 후에 상기 증착용 마스크를 제조하는 지역으로 이송해야 하는 경우 장기간 공기에 노출될 수 있다. 또는, 상기 금속판을 이송한 경우라 하더라도, 모든 금속판을 동시에 증착용 마스크의 제조공정에 투입하기는 어려우며, 순차적으로 투입하는 경우, 장기간 보관되는 금속판이 있기 마련이다. 별도의 보관 방법을 고려할 수 있으나, 지나치게 고비용이 예상될 수 있다.The vapor deposition mask is generally made of a metal plate made of an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. For example, the vapor deposition mask is made of Invar alloy. It is advantageous to manufacture a vapor deposition mask with a metal plate manufactured immediately, but there is a real reason that it is difficult. For example, since the manufacturing process of the metal plate and the manufacturing process of the vapor deposition mask can be performed in different regions, if the metal plate is to be transferred to the region where the vapor deposition mask is manufactured after the metal plate is manufactured, Can be exposed. Even if the metal plate is transferred, it is difficult to insert all the metal plates at the same time into the manufacturing process of the evaporation mask, and there is a metal plate to be stored for a long period of time when the metal plate is sequentially charged. Separate storage methods can be considered, but excessive cost can be expected.
이에 따라, 상기 금속판은 표면 부식을 방지하기 위해 철(Fe) 및 니켈(Ni) 이외에 크롬(Cr)을 더 포함할 수 있다. 크롬(Cr)은 내식성을 확보할 수 있는 원소로 상기 금속판은 크롬(Cr)에 의해 내식성이 향상될 수 있으나, 상기 금속판을 제조하기 위한 조성물 내에서 크롬(Cr)을 균일하게 분산 또는 분포시키기 어려운 문제점이 있다.Accordingly, the metal plate may further include chromium (Cr) in addition to iron (Fe) and nickel (Ni) to prevent surface corrosion. The chromium (Cr) is an element that can secure corrosion resistance. The metal plate may be improved in corrosion resistance by chromium (Cr), but it is difficult to uniformly disperse or distribute chromium (Cr) in the composition for producing the metal plate There is a problem.
또한, 상기 크롬(Cr)이 균일하게 분산 또는 분포되지 않고 특정 부분에 밀집되는 경우, 상기 금속판을 제조하는 공정에서 편석 및 제 2 석출상 등의 형성을 촉진시켜 금속판의 물성이 변화할 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판의 내식성 및 가공성이 저하되어, 상기 금속판을 이용한 고해상도의 증착용 마스크 제조 시 불량이 발생하는 문제점이 있다. 구체적으로 상기 금속판을 이용하여 증착용 마스크를 제조할 경우 상술한 문제점들에 의해 상기 금속판의 일면 및 타면상에 홈을 형성하는 가공성이 저하되는 문제점이 있다.In addition, when chromium (Cr) is not uniformly dispersed or distributed and is densely packed in a specific region, physical properties of the metal plate may be changed by promoting the formation of segregation and a second precipitate phase in the process of producing the metal plate. As a result, the corrosion resistance and processability of the metal plate are deteriorated, and defects are generated in manufacturing a high-resolution deposition mask using the metal plate. Specifically, when a mask for vapor deposition is manufactured using the metal plate, there is a problem in that the processability of forming a groove on one surface and the other surface of the metal plate is deteriorated due to the above-described problems.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 금속판 및 이를 이용한 증착용 마스크가 요구된다.Accordingly, there is a demand for a metal plate and a mask for vapor deposition using the metal plate, which can solve the above problems.
실시예는 내식성이 향상된 금속판을 제공하고자 한다. 또한, 실시예는 내식성이 향상된 상기 금속판으로 증착용 마스크를 제조하여 상기 증착용 마스크를 제조하는 과정 및 상기 증착용 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 과정에서 부식되는 것을 방지할 수 있는 증착용 마스크를 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide a metal plate with improved corrosion resistance. In addition, in the embodiment, an evaporation-use mask is manufactured by manufacturing the evaporation-use mask with the metal plate having improved corrosion resistance, and an evaporation-use mask capable of preventing corrosion in the process of forming a pattern using the evaporation- .
또한, 실시예는 상기 증착용 마스크를 제조하기 이전에 상기 금속판의 이송, 보관 과정에서 발생되는 부식을 방지할 수 있는 금속판 및 증착용 마스크를 제공하고자 한다. 즉, 실시예는 부식에 의해 발생할 수 있는 에칭 불균일 현상을 방지할 수 있어 고해상도를 구현할 수 있는 금속판 및 증착용 마스크를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a metal plate and a vapor deposition mask that can prevent corrosion caused during the transportation and storage of the metal plate before manufacturing the vapor deposition mask. That is, the embodiment is intended to provide a metal plate and a vapor deposition mask which can prevent a phenomenon of etching unevenness that may be caused by corrosion and realize a high resolution.
또한, 실시예는 크롬(Cr)의 함량을 최소화하여 균일한 물성을 가질 수 있는 금속판을 가질 수 있어 가공성이 향상된 금속판 및 이를 이용한 증착용 마스크를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a metal plate having a metal plate capable of minimizing the content of chromium (Cr) and having uniform physical properties, thereby improving workability and a mask for vapor deposition using the metal plate.
실시예에 따른 증착용 마스크 제조용 금속판은 30㎛ 이하의 두께를 가지고, 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함하는 철(Fe)-니켈(Ni) 합금 금속재를 포함하고, 상기 금속재는 상기 크롬(Cr)의 원자 농도가 0.03 at% 이하인 인바(invar)이고, 상기 금속재는 표면을 포함하는 외부 부분 및 상기 외부 부분 이외의 내부 부분을 포함하고, 상기 외부 부분은 상기 표면으로부터 14nm 이하의 깊이 범위에서, 상기 철(Fe)의 최대 원자 농도는 60 at% 이하이며 상기 니켈(Ni)의 최대 원자 농도는 40 at% 내지 45 at%이고, 상기 산소(O)의 최소 원자 농도는 10 at% 이하이다.The metal sheet for manufacturing an evaporation mask according to an embodiment includes an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal material having a thickness of 30 mu m or less and containing oxygen (O) and chromium (Cr) Wherein the metal material comprises an outer portion including a surface and an inner portion other than the outer portion, the outer portion having an atomic concentration of 0.03 at% or less in a depth range of 14 nm or less from the surface , The maximum atom concentration of iron (Fe) is 60 at% or less, the maximum atom concentration of nickel (Ni) is 40 at% to 45 at%, the minimum atom concentration of oxygen (O) is 10 at% to be.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하는 철(Fe)-니켈(Ni) 합금 금속재를 포함하고, 상기 증착 영역은, 길이 방향으로 이격된 다수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는 상기 금속재의 일면 상에 형성되는 다수 개의 소면공들, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 다수 개의 대면공들, 상기 소면공들 및 상기 대면공들을 각각 연통하는 다수 개의 관통홀들 및 인접한 상기 관통홀들 사이에 형성되는 아일랜드부를 포함하고, 상기 관통홀은 400 PPI 이상의 해상도를 가지고, 상기 금속재는 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함하며, 상기 크롬(Cr)의 원자 농도는 0.03 at% 이하인 인바(invar)이고, 상기 금속재는 표면을 포함하는 외부 부분 및 상기 외부 부분 이외의 내부 부분을 포함하고, 상기 비증착 영역, 상기 비유효부 및 상기 아일랜드부 중 적어도 하나의 표면으로부터 14nm 이하의 깊이 범위에서, 상기 철(Fe)의 최대 원자 농도는 60 at% 이하이고, 상기 니켈(Ni)의 최대 원자 농도는 40 at% 내지 45 at%이고, 상기 산소(O)의 최대 원자 농도는 10 at% 이하이다.Further, the deposition mask according to the embodiment includes an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal material including a deposition region and a non-deposition region other than the deposition region, and the deposition region includes a plurality of longitudinally spaced apart Wherein the effective portion includes a plurality of small hole holes formed on one surface of the metal material, a plurality of opposite holes formed on the other surface opposite to the one surface, Holes and an island portion formed between the adjacent through holes, wherein the through hole has a resolution of 400 PPI or more, and the metal material is at least one selected from the group consisting of iron (Fe), nickel (Cr) is an invar with an atomic concentration of 0.03 at% or less, said metal material comprising an outer portion comprising a surface and an outer portion of said outer portion Wherein the maximum atom concentration of the iron (Fe) is 60 at% or less in a depth range of 14 nm or less from the surface of at least one of the non-vapor-deposition region, the non-flux portion and the island portion, (Ni) has a maximum atom concentration of 40 at% to 45 at% and a maximum atom concentration of oxygen (O) of 10 at% or less.
실시예에 따른 금속판은 향상된 내식성을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 금속판은 상기 금속판의 표면 니켈(Ni) 함량을 높여 상기 금속판의 내식성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 상기 금속판이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 금속판으로 제조한 증착용 마스크의 내식성을 향상시킬 수 있다.The metal sheet according to the embodiment can have improved corrosion resistance. In detail, the metal plate may increase the surface nickel (Ni) content of the metal plate to improve the corrosion resistance of the metal plate, thereby preventing the metal plate from being corroded. Therefore, the corrosion resistance of the vapor deposition mask made of the metal plate can be improved.
또한, 실시예에 따른 금속판은 0.03 at% 이하의 원자 농도를 가지는 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)에 포함되는 크롬(Cr)의 함량을 최소화할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판은 상기 크롬(Cr)을 극소량 포함하기 때문에 상기 금속판 제조 공정에서 상기 크롬(Cr)은 균일하게 분산될 수 있고 상기 금속판에 편석 및 제 2 석출상 등이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 금속판은 균일한 물성을 가질 수 있고 가공성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판의 일면 및 타면에 형성되는 소면공 및 대면공을 균일하게 형성할 수 있고, 상기 소면공 및 상기 대면공에 의해 형성되는 관통홀을 보다 정밀하고 균일하게 형성할 수 있다.In addition, the metal plate according to the embodiment may include chromium (Cr) having an atomic concentration of 0.03 at% or less. That is, the content of chromium (Cr) contained in the
따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 400PPI 이상의 해상도, 자세하게 500 PPI 이상의 고해상도, 나아가 800 PPI 이상의 초고해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있다.Accordingly, the deposition mask according to the embodiment can uniformly deposit OLED pixel patterns having a resolution of 400 PPI or more, a high resolution of 500 PPI or more, and an ultrahigh resolution of 800 PPI or more.
도 1은 실시예에 따른 금속판의 단면도를 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 금속판의 조성에 대한 그래프를 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 10은 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부를 평면에서 바라본 현미경 사진이다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 12는 도 9 또는 도 10의 A-A'의 단면도 및 B-B'의 단면도를 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 13은 도 9 또는 도 10의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.
도 14는 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 공정을 도시한 도면들이다.
도 15 및 도 16은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.1 is a sectional view of a metal plate according to an embodiment.
FIGS. 2 to 4 are graphs showing the composition of the metal plate according to the embodiment.
5 to 7 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on a substrate using the deposition mask according to the embodiment.
8 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment.
9 is a view showing a plan view of an effective part of the vapor deposition mask according to the embodiment.
10 is a photomicrograph of the effective portion of the vapor deposition mask according to the embodiment viewed from a plane.
11 is another plan view of the vapor deposition mask according to the embodiment.
12 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 9 or 10 and a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG.
FIG. 13 is a view showing a cross-sectional view in the direction of BB 'of FIG. 9 or FIG. 10. FIG.
14 is a view showing a manufacturing process of a vapor deposition mask according to an embodiment.
15 and 16 are views showing a deposition pattern formed through the deposition mask according to the embodiment.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Hereinafter, the configuration and operation according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
또한, 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Also, in the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under quot; under " includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Also, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only a case of being "directly connected" but also a case of being "indirectly connected" with another member in between. Also, when an element is referred to as " comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.
이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 금속판을 설명한다.Hereinafter, a metal plate according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
도 1은 실시예에 따른 금속판의 단면을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a metal plate according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe)과 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.Referring to FIG. 1, the
자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 여기서 소량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 상기 인바는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다. In detail, the
상술한 철-니켈 합금을 포함하는 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성될 수 있고 상기 공정들 또는 추가 두께 감소 공정을 통해 약 30㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 제조되는 과정에서 상기 금속판(10)의 표면 원자 농도는 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 표면을 포함하는 외부 부분(SP) 및 상기 외부 부분(SP) 이외의 내부 부분(IP)을 포함할 수 있고, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)의 원자 농도와 상이할 수 있다. The
상기 금속판(10)은 사각형 형태를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 장축 및 단축을 가지는 직사각형 형태를 가질 수 있고, 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.The
상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있고, 상기 크롬(Cr)의 원자 농도는 상기 금속판(10) 전체에 대해 약 0.03 at% 이하일 수 있다.The
또한, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)과 상이할 수 있다. 여기서 상기 외부 부분(SP)은 상기 금속판(10)의 일면 및 타면 각각의 표면으로부터 약 30nm 이하의 깊이 범위를 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 외부 부분(SP)은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 25nm 이하의 깊이 범위를 의미할 수 있다. 또한, 상기 내부 부분(IP)은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 상술한 범위를 초과하는 깊이 범위를 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 내부 부분(IP)은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 30nm를 초과하는 깊이 범위 부분을 의미할 수 있다.The atomic concentration of the outer portion SP of the
상기 금속판(10)에 포함되는 원소의 종류 및 원자 농도는 X선 원소 분석법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)에 의해 확인할 수 있다. 상기 X선 원소 분석법은 전자분광법 중 하나로 X선을 광원을 이용하여 원소를 분석할 수 있다. 자세하게, 금속판에 X선 조사 시, 광전자가 물질 밖으로 방출되며 그 운동 에너지는 그 물질을 구성하는 원자의 원 위치에서의 결합 에너지의 크기를 반영하고 있어 이로 인해 물질의 조성 및 결합 상태 등을 알 수 있다. 실시예는 XPS 장비(ULVAL-PHI社 제조)를 이용하여 금속판(10)의 원소를 측정하였으며, 이때 X선 입사각은 90도이고 광전자 취입각은 40도이다. 또한, 사용된 X선의 에너지 소스는 Monochromated Al-Kα (hv=1486.6 eV)이며, 15kV 및 1.6mA의 X선 출력으로 샘플 금속판의 100㎛Ф 영역을 측정하였다.The type and atomic concentration of the elements contained in the
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 금속판의 각각의 원소별 원자 농도의 비율에 대한 XPS 그래프를 도시한 도면이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 금속판(10)의 외부 부분(SP) 원자 농도를 알 수 있다. 이때, 상기 도면들 각각에 도시된 그래프에서 X축은 시간(Min)을 의미하고, Y축은 원자 농도(at%)를 의미한다. 또한, 측정을 위해 금속판의 무작위 영역을 가공하여 동일 크기의 샘플 2개를 제작하였으며, 상기 샘플들 각각은 가로 1cm, 세로 1cm로 제작하였다. 또한, 측정은 약 25℃의 온도 및 약 40% 내지 약 50%의 습도의 항온항습 조건에서 측정하였으며, 측정한 제 1 샘플의 측정 결과는 실선으로 도시하고, 제 2 샘플의 측정 결과는 점선으로 도시하였다.FIGS. 2 to 4 are graphs showing XPS graphs of atomic concentration ratios of the respective elements of the metal plate according to the embodiment. Referring to FIGS. 2 to 4, the atomic concentration of the outer portion SP of the
상기 도 2내지 도 4의 그래프에서 0.6분(Min) 영역은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 3nm 내지 약 4nm 깊이 지점, 보다 자세하게 상기 0.6분(Min) 영역은 약 3.6nm 깊이 지점에서 측정한 결과 의미할 수 있다. 또한, 상기 그래프에서 1.5분(Min) 영역은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 8nm 내지 약 10nm 깊이 지점, 보다 자세하게 상기 1.5분(Min) 영역은 약 9nm 깊이 지점에서 측정한 결과 의미할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)에 0.1분(Min) 동안 스퍼터링을 진행할 경우, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 0.6nm 깊이 지점에서 조성을 측정 할 수 있다. X선 원소 분석법의 경우, 측정 지점에서부터 약 5nm 이내의 깊이 범위의 원자 농도를 측정할 수 있기 때문에, 특정 지점을 측정한 결과는 특정 지점으로부터 약 5nm 이내의 깊이 범위에서의 조성을 측정한 것으로 해석할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 시간이 0.6분 인 것은, 0.6분동안 금속판(10)의 표면을 스퍼터링 한 것을 의미할 수 있고, 표면으로부터 약 1nm 내지 약 7nm 깊이 범위에 포함된 원자 농도를 측정하는 것을 의미할 수 있다. 자세하게, 스퍼터링 시간이 0.6분 인 것은 상기 표면으로부터 3.6nm 깊이까지 스퍼터링 한 후, 상기 스퍼터링 종료 지점에서부터 약 5nm 더 깊은 지점까지의 범위인 약 3.6nm 내지 약 8.6nm 깊이에 포함된 원자 농도를 측정하는 것을 의미할 수 있다. 스퍼터링을 진행하면서 X선 원소 분석법을 사용하면 표면으로부터 특정 깊이의 조성 및 원자 농도를 파악할 수 있다. 이를 활용하면 표면으로부터 특정 깊이까지 범위에서 특정 원자의 농도 및 그 최대 농도를 파악할 수 있고, 특정 원자 농도의 증가/감소 경향 등을 파악할 수 있다. 또한, 각각의 원자 농도에 대해 후술할 내용에서 최대 원자 농도는 상기 X선 원소 분석법을 사용하여 측정된 값 중 최대 값을 의미할 수 있다.In the graphs of FIGS. 2 to 4, the 0.6 minute (Min) region is measured at a point about 3 nm to about 4 nm deep from the surface of the
도 2를 참조하면, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에 포함되는 철의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)에 포함되는 철의 최대 원자 농도와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 65 at% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 14nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 60 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 12nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 60 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 60 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 8nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 60 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 6nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 60 at% 이하일 수 있다. 자세하게, 0.3분 내지 1.5분의 시간으로 스퍼터링을 진행하고, 스퍼터링 종료 지점으로부터 약 5nm 이하 범위의 더 깊은 지점을 측정하였을 때, 상기 철의 최대 원자 농도는 약 60 at% 이하일 수 있다.2, the atomic concentration of iron contained in the outer portion SP of the
또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 14nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 50 at% 내지 약 60 at% 일 수 있다. 자세하게, 상기 0.3분 내지 1.5분 스퍼터링을 진행한 후 측정한 상기 철의 최대 원자 농도는 약 50 at% 내지 약 60 at% 일 수 있다.In addition, the maximum atom concentration of iron in the depth range of about 14 nm or less from the surface of the
또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 7nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 50 at% 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 표면으로부터 약 6.8nm 이하의 깊이 범위에서 상기 철의 최대 원자 농도는 약 50 at% 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 스퍼터링을 0.3분 진행할 경우 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 1.8nm 깊이까지 스퍼터링이 진행될 수 있고, 상기 스퍼터링 종료 지점으로부터 약 5nm 이하의 더 깊은 지점까지를 측정하였을 때, 상기 철의 최대 원자 농도는 약 50 at% 이하일 수 있다.In addition, the maximum atom concentration of iron in the depth range of about 7 nm or less from the surface of the
또한, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에서의 상기 철의 최대 원자 농도는 스터퍼링 시간이 증가할수록, 예컨대 스퍼터링 후 측정 지점의 깊이가 깊어질수록 점점 증가할 수 있다. 즉, 상기 농도는 상기 금속판(10)의 표면으로부터 멀어질수록 점점 증가할 수 있다.In addition, the maximum atom concentration of the iron in the outer portion SP of the
도 3을 참조하면, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에 포함되는 니켈의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)에 포함되는 니켈의 원자 농도와 상이할 수 있다. 자세하게, 상기 외부 부분(SP) 및 상기 내부 부분(IP)에 포함되는 니켈의 최대 원자 농도는 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45 at% 이하일 수 있고, 상기 내부 부분(IP)에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 상술한 범위보다 작을 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에서, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 14nm 이하의 깊이 범위에서의 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 12nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 8nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 6nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 40 at% 이하일 수 있다. 즉, 0.6분 내지 1.5분 동안 스터퍼링을 진행하고, 스퍼터링 종료 지점을 기준으부터 약 5nm 이하 범위의 더 깊은 지점을 측정하였을 때 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45at% 이하일 수 있다.3, the atomic concentration of nickel contained in the outer portion SP of the
자세하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 14nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at% 일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 12nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈 의 최대 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at% 일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at%일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 8nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at%일 수 있다. In detail, the maximum atomic concentration of nickel in the depth range of about 14 nm or less from the surface of the
더 자세하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 14nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 42 at% 내지 약 44 at% 일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 12nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 42 at% 내지 약 44 at% 일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 42 at% 내지 약 44 at% 일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 8nm 이하의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 42 at% 내지 약 44 at%일 수 있다. More specifically, the maximum atom concentration of the nickel at a depth of about 14 nm or less from the surface of the
일례로, 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)이 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼의 니켈을 포함하는 경우, 상기 금속판(10) 외부 부분(SP)의 최대 니켈 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at% 일 수 있다. 바람직하게, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)의 최대 니켈 원자 농도는 약 42 at% 내지 약 44 at% 일 수 있다.For example, when the inner portion IP of the
이와 같이, 상기 금속판(10)의 표면에서의 니켈 원자 농도를 높이면서, 최대 니켈 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at%, 바람직하게는 약 42 at% 내지 약 44 at%까지 높이는 경우, 상기 금속판(10)의 표면에서 발생하는 녹을 효과적으로 억제할 수 있다.Thus, when the maximum nickel atom concentration is increased from about 40 at% to about 45 at%, preferably from about 42 at% to about 44 at%, while increasing the nickel atom concentration on the surface of the
또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 1nm 내지 약 14nm의 깊이 범위에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 약 45 at% 이하일 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 1.5nm 내지 약 14nm의 깊이 범위에서 상기 니켈의 원자 농도는 약 40 at% 내지 약 45 at% 일 수 있다. 바람직하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 3nm 내지 약 14nm의 깊이 범위에서 상기 니켈의 원자 농도는 약 42 at% 내지 약 44 at% 일 수 있다.In addition, the maximum atom concentration of the nickel in the depth range of about 1 nm to about 14 nm from the surface of the
또한, 표면으로부터 약 9nm 이하의 깊이 범위에 포함된 니켈의 최대 원자 농도값은 표면으로부터 약 7nm 이하의 깊이 범위에 포함된 니켈의 최대 원자 농도값보다 클 수 있다. 자세하게, 표면으로부터 약 8.6nm 이하의 깊이 범위에 포함된 니켈의 최대 원자 농도값은 표면으로부터 약 6.8nm 이하의 깊이 범위에 포함된 니켈의 최대 원자 농도값보다 클 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링을 0.6분 진행한 지점을 기준으로 측정한 니켈의 원자 농도의 최대값은 상기 스퍼터링을 0.3분 진행한 지점을 기준으로 측정한 니켈의 원자 농도의 최대값보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 스퍼터링을 0.6분 진행하고 그 지점을 기준으로 측정한 표면으로부터 약 3.6nm 내지 약 8.6nm의 깊이 범위의 니켈 원자 농도의 최대값은, 상기 스퍼터링을 0.3분 진행하고 그 지점을 기준으로 측정한 표면으로부터 약 1.8nm 내지 약 6.8nm의 깊이 범위의 니켈 원자 농도의 최대값보다 클 수 있다. 또한, 상기 외부 부분(SP)의 원자 농도를 측정을 위해 0.3분 내지 1.5분 스퍼터링을 진행할 때, 상기 스퍼터링을 0.6분 진행하고 측정한 니켈 원자 농도의 값이 표면 영역(SP)에서 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 외부 부분(SP)에 포함된 니켈 원자의 농도는 상기 표면으로부터 약 3nm 내지 약 9nm의 깊이 범위에서 최대값을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 표면으로부터 약 3.6nm 내지 약 8.6nm의 깊이 범위에서 최대값을 가질 수 있다.Further, the maximum atomic concentration value of nickel contained in the depth range of about 9 nm or less from the surface may be larger than the maximum atomic concentration value of nickel contained in the depth range of about 7 nm or less from the surface. In detail, the maximum atomic concentration value of nickel contained in the depth range of about 8.6 nm or less from the surface may be greater than the maximum atomic concentration value of nickel contained in the depth range of about 6.8 nm or less from the surface. For example, the maximum value of the atomic concentration of nickel measured based on the point where the sputtering has proceeded for 0.6 minutes may be larger than the maximum value of the atomic concentration of nickel measured based on the point where the sputtering proceeds for 0.3 minutes. In detail, the maximum value of the nickel atom concentration in the depth range of about 3.6 nm to about 8.6 nm from the surface of the sputtering conducted for 0.6 minutes and based on the point was measured by 0.3 minute of the sputtering May be greater than the maximum value of nickel atom concentration in a depth range from about 1.8 nm to about 6.8 nm from one surface. Also, when sputtering is performed for 0.3 minute to 1.5 minutes for measuring the atomic concentration of the outer part SP, the value of the nickel atomic concentration measured in the sputtering for 0.6 minutes is the maximum value in the surface area SP . Also, the concentration of nickel atoms contained in the outer portion (SP) may have a maximum value in the depth range from about 3 nm to about 9 nm from the surface. In detail, it may have a maximum value in the depth range from about 3.6 nm to about 8.6 nm from the surface.
도 4를 참조하면, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에 포함되는 산소의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)에 포함되는 산소의 원자 농도와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 5 at% 이하일 수 있다.4, the atomic concentration of oxygen included in the outer portion SP of the
자세하게, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)에서, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 23nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 10 at% 이하일 수 있고, 약 14nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 10 at% 이하일 수 있다. 또한, 약 12nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 10 at% 이하일 수 있다. 또한, 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 10 at% 이하일 수 있다. 또한, 약 8nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 10 at% 이하일 수 있다.In detail, the minimum atom concentration of oxygen in the depth region of about 23 nm or less from the surface of the
더 자세하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 14nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 5 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 12nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 5 at% 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 상기 산소의 최소 원자 농도는 약 5 at% 이하일 수 있다.More specifically, the minimum atomic concentration of oxygen in the depth range of about 14 nm or less from the surface of the
또한, 표면으로부터 약 7nm 이하의 깊이 범위에 포함된 산소의 최소 원자 농도값은 표면으로부터 약 9nm 이하의 깊이 범위에 포함된 산소의 최소 원자 농도값보다 클 수 있다. 자세하게, 표면으로부터 약 6.8nm 이하의 깊이 범위에 포함된 산소의 최소 원자 농도값은 표면으로부터 약 8.6nm 이하의 깊이 범위에 포함된 산소의 최소 원자 농도값보다 클 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링을 0.3분 진행한 지점을 기준으로 측정한 산소 원자 농도의 최소값은 상기 스퍼터링을 0.6분 진행한 지점을 기준으로 측정한 산소 원자 농도의 최소값보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 스퍼터링을 0.3분 진행하고 그 지점을 기준으로 측정한 표면으로부터 약 1.8nm 내지 약 6.8nm 깊이 범위의 산소 원자 농도의 최소값은 상기 스퍼터링을 0.6분 진행하고 그 지점을 기준으로 측정한 표면으로부터 약 3.6nm 내지 약 8.6nm 깊이 범위의 산소 원자 농도의 최소값보다 클 수 있다. 그리고, 상기 스퍼터링을 0.6분 진행한 지점을 기준으로 측정한 산소 원자 농도의 최소값은 상기 스퍼터링을 0.9분 진행한 지점을 기준으로 측정한 산소 원자 농도의 최소값보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 스퍼터링을 0.6분 진행하고 그 지점을 기준으로 측정한 표면으로부터 약 3.6nm 내지 약 8.6nm 깊이 범위의 산소 원자 농도의 최소값은 상기 스퍼터링을 0.9분 진행하고 그 지점을 기준으로 측정한 표면으로부터 약 5.4nm 내지 약 10.4nm 깊이 범위의 산소 원자 농도의 최소값보다 클 수 있다.Further, the minimum atomic concentration value of oxygen contained in the depth range of about 7 nm or less from the surface may be larger than the minimum atomic concentration value of oxygen contained in the depth range of about 9 nm or less from the surface. In detail, the minimum atomic concentration value of oxygen contained in the depth range of about 6.8 nm or less from the surface may be greater than the minimum atomic concentration value of oxygen contained in the depth range of about 8.6 nm or less from the surface. For example, the minimum value of the oxygen atom concentration measured based on the point where the sputtering has proceeded for 0.3 minutes may be larger than the minimum value of the oxygen atom concentration measured based on the point where the sputtering proceeds for 0.6 minutes. In detail, the minimum value of the oxygen atom concentration in the range of about 1.8 nm to about 6.8 nm from the surface of the sputtering proceeding for 0.3 minutes and based on the spot is measured from the surface measured based on the sputtering for 0.6 minutes May be greater than the minimum value of the oxygen atom concentration in the depth range of about 3.6 nm to about 8.6 nm. The minimum value of the oxygen atom concentration measured based on the point where the sputtering has proceeded for 0.6 minutes may be larger than the minimum value of the oxygen atom concentration measured based on the point where the sputtering proceeds for 0.9 minutes. In detail, the minimum value of the oxygen atom concentration in the range of about 3.6 nm to about 8.6 nm from the surface of the sputtering conducted for 0.6 minutes and based on the spot was measured from the surface measured for 0.9 minutes May be greater than the minimum value of the oxygen atom concentration in the depth range of about 5.4 nm to about 10.4 nm.
즉, 실시예에 따른 금속판(10)은 상기 금속판(10)을 제조하는 과정에서 표면 원자의 농도를 변화시킬 수 있다. 자세하게, 상술한 어닐링 공정으로 상기 금속판(10)의 표면 원자의 농도를 조절할 수 있다.That is, the
일례로, 상기 금속판(10)을 약 550℃ 내지 약 650℃의 온도에서 약 45초 내지 약 75초동안 어닐링 공정을 진행할 수 있다. 바람직하게, 상기 금속판(10)을 약 600℃의 온도에서 약 60초동안 어닐링 공정을 진행할 수 있다.For example, the
상기 어닐링 공정은 불활성 기체 분위기에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 어닐링 공정은 헬륨, 질소 및 아르곤 등 불활성 가스 분위기 등에서 수행될 수 있다. 여기서 상기 분위기는 불활성 가스가 90% 이상 존재하는 분위기를 의미할 수 있다.The annealing process may be performed in an inert gas atmosphere. For example, the annealing process may be performed in an inert gas atmosphere such as helium, nitrogen, and argon. Here, the atmosphere may mean an atmosphere in which 90% or more of inert gas is present.
상기 어닐링 공정에 의해 상기 금속판(10) 표면의 원자들을 재배열할 수 있다. 자세하게, 상기 어닐링 공정에 의해 상기 금속판(10) 표면의 철, 니켈, 산소 등의 원자 농도를 변화시킬 수 있고, 표면에 산화막을 형성하여 부식 발생 및 부식 진행을 사전에 방지할 수 있다. The atoms on the surface of the
즉, 실시예에 따른 금속판(10)의 내부 부분(IP)은 약 60 중량% 내지 약 65 중량%의 철 및 약 35 중량% 내지 약 40 중량%의 니켈을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)은 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%의 철 및 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%의 니켈을 포함할 수 있다.That is, the inner portion IP of the
또한, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP), 예를 들어 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 30nm 이하의 깊이 범위 영역은 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)보다 높은 니켈 원자 농도를 가질 수 있고, 특히 상기 니켈의 원자 농도는 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 최대값을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 니켈의 원자 농도는 상기 표면으로부터 약 8.6nm 이하의 깊이 범위에서 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위 영역에서 산소 원자 농도는 약 10 at% 이하를 가질 수 있다. A depth region of about 30 nm or less from the surface of the outer portion SP of the
이에 따라, 상기 금속판(10)은 향상된 내식성을 가질 수 있어 외부 환경에 의해 부식되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 표면 산소 원자 농도가 낮기 때문에 표면에 형성되는 산화막의 두께를 최소화시킬 수 있고, 표면 니켈 원자 농도가 높기 때문에 향상된 내식성을 가질 수 있다.Accordingly, the
즉, 상기 금속판(10)을 이용하여 후술할 증착용 마스크(100)를 제조할 경우, 상기 금속판(10)을 이송하거나 및 보관 시에 부식되는 것을 방지할 수 있고, 상기 증착용 마스크(100)를 이용하여 기판(300) 상에 화소 패턴 형성을 위한 반복 사용 시에 상기 증착용 마스크(100)가 부식되는 것을 방지할 수 있다. That is, when the
또한, 상기 금속판(10)은 크롬의 함량을 최소화할 수 있다. 자세하게, 상기 크롬의 원자 농도는 상기 금속판(10) 전체에 대해 약 0.03 at% 이하만큼 포함될 수 있다. 더 자세하게, 상기 인바(Invar)에서 상기 크롬은 약 0.03 at% 이하만큼 포함될 수 있다. 상기 크롬은 상기 금속판(10)의 내식성을 향상시킬 수 있는 원소이다. 그러나, 상기 크롬은 상기 금속판(10)을 제조하기 위한 조성물에 균일하게 분산 또는 분포시키기 어려운 문제점이 있다. 또한, 상기 조성물 내에 균일하게 분산 또는 분포되지 않을 경우 편석 및 제 2 석출상 등을 형성하여 상기 금속판(10)의 물성을 변화할 수 있다.In addition, the
따라서, 실시예에 따른 금속판(10)은 상기 크롬의 함량을 최소화하여 균일한 물성을 구현할 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판(10)을 가공하여 후술할 증착용 마스크(100) 제조 시 가공성을 향상시킬 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 일면 및 타면 각각에 소면공(V1) 및 대면공(V2)을 형성하는 증착용 마스크(100) 제조 공정에서 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)을 균일하게 형성할 수 있으며, 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 보다 정밀하고 균일하게 형성할 수 있다.Therefore, the
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.5 to 7 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on the
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 6은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 7은 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다. FIG. 5 is a view showing an organic material deposition apparatus including the
도 5 내지 도 7을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.5 to 7, the organic material deposition apparatus may include an
상기 증착용 마스크(100)는 상술한 금속판(10)으로 제조될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다. The
상기 마스크 프레임(200)은 개구부를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다. The
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.4kgf 내지 약 1.5 kgf의 힘으로 인장될 수 있다. 이에 따라, 인장된 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 거치될 수 있다. The
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.Then, the
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 기판(300) 상에는 상기 적색, 녹색 및 청색의 유기물 패턴 이외에 흰색(White)의 유기물 패턴이 더 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 WRGB 패턴이 형성될 수 있다.The
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다. The organic
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.As the heat source and / or current is supplied to the crucible in the
도 7을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 제 1 면과 대향하는 타면(102)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7, the
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 타면(102)은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의하여 연통될 수 있다. The one
상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)은 연통하여 관통홀을 형성할 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)과 연통하여 하나의 관통홀을 형성할 수 있다.The
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 타면(102)에서 측정될 수 있다.The width of the face-to-face V2 may be greater than the width of the small-plane hole V1. At this time, the width of the small-hole (V1) may be measured at the one surface (101), and the width of the facing hole (V2) may be measured at the other surface (102).
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. The small-sized hole (V1) may be disposed toward the
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다. The facing surface (V2) may be disposed toward the organic material deposition container (400). Accordingly, the face-to-face V2 can accommodate the organic material supplied from the organic
도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. FIG. 8 is a plan view of the
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다.The deposition region DA may be a region for forming a deposition pattern. The deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area. The pattern region may be a region including a small-plane hole V1, a large-diameter hole V2, a through hole TH and an island portion IS, and the non-pattern region may include a small- ), The through hole (TH), and the island portion (IS).
또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예의 상기 증착 영역(DA)은 복수의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 포함할 수 있다. In addition, one
복수의 유효부(AA1, AA2, AA3)는 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3)를 포함할 수 있다. 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나일 수 있다.The plurality of valid portions AA1, AA2, and AA3 may include a first valid portion AA1, a second valid portion AA2, and a third valid portion AA3. One deposition area DA may be any one of the first effective part AA1, the second effective part AA2 and the third effective part AA3.
스마트 폰과 같은 소형 표시장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In the case of a small display device such as a smart phone, any one of the plurality of deposition regions included in the
이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다. Alternatively, in the case of a large-sized display device such as a television, a plurality of effective portions included in one
상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효부(AA1) 및 상기 제 2 유효부(AA2)의 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3)의 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 분리 영역에 의해 인접한 유효 영역을 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수의 유효 영역을 지지할 수 있다. The deposition area DA may include a plurality of isolation areas IA1 and IA2 included in one
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양 측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The
상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다. The non-deposition region NDA of the
상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA) 에는 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 어느 일면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면 및/또는 타면, 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.As described above, the deposition region DA may be a region for forming a deposition pattern, and the non-deposition region NDA may be a region not involved in deposition. At this time, a surface treatment layer different from the material of the
상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 하프에칭부(HF1)를 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 하프에칭부(HF2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈부를 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭 되거나 Y축방향으로 대칭 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다. The non-deposition region NDA may include half etching portions HF1 and HF2. For example, the non-deposition area NDA of the
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 반원 형상의 홈부를 포함할 수 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.The half-etching portions HF1 and HF2 may be formed in various shapes. The half etching portions HF1 and HF2 may include a semicircular groove portion. The grooves may be formed on at least one surface of the
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 평면은 상기 제 1 유효부(AA1)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다. In addition, the half-etching portions HF1 and HF2 may include a curved surface and a flat surface. The plane of the first half etching part HF1 may be disposed adjacent to the first effective part AA1 and the plane may be disposed horizontally with the longitudinal end of the
또한, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 평면은 상기 제 3 유효부(AA3)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.The plane of the second half-etching portion HF2 may be disposed adjacent to the third effective portion AA3, and the plane may be disposed horizontally with respect to the longitudinal direction end of the
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 하프에칭부(HF1, HF2)가 관통되지 않을 수 있다.The half etching portions HF1 and HF2 can be formed at the same time when forming the small-plane hole V1 or the facing hole V2. This can improve process efficiency. In addition, the grooves formed on one
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 짝수 개의 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.In addition, the half-etching portions HF1 and HF2 may be further formed on the unaffected portion UA of the deposition region DA. For example, the half-etching portions HF1 and HF2 may be disposed in a plurality of the non-fluxing portions UA dispersed in all or a part of the UA to disperse the stress in tension of the
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.The half etching portions HF1 and HF2 may also be formed in the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, when the deposition mask 100 (see FIG. 1) is formed when the
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역은 복수 개의 하프에칭부를 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다.That is, the
상기 비증착 영역(NDA)의 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 하프에칭부(HF1, HF2) 및 상기 하프에칭부(HF1, HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 1 하프에칭부(HF1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효부(AA1)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 하프에칭부(HF2) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효부(AA3)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착패턴부를 동시에 고정할 수 있다.The frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다. In addition, the
이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 하프에칭부(HF1, HF2)를 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 하프에칭부(HF1, HF2) 또는 제 2 하프에칭부(HF1, HF2)와 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격거리가 제일 짧을 수 있다. At this time, the curved surface of the open portion may be directed to the half-etching portions HF1 and HF2. Accordingly, the opening portions located at both ends of the
또한, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우에, 응력이 고르게 분산될 수 있어, 증착용 마스크(100)의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(d1:d2 = 0.8~2:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(d1:d2 = 0.9~1.5:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(d1:d2 = 0.95~1.1:1). The vertical length d1 of the first half-etching portion HF1 or the second half-etching portion HF2 may correspond to the length d2 of the open portion in the vertical direction. Accordingly, when the
또한, 도면에는 도시하지 않았으나 상기 하프에칭부는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.Further, although not shown in the figure, the half-etched portion may be further formed in the unaffected portion UA of the deposition region DA. The half-etching portion may be disposed in a plurality of the non-legible portions UA dispersed in all or a part of the non-legible portion UA in order to disperse the stress during tensioning of the vapor-
또한, 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 프레임에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.The half etching portions HF1 and HF2 may also be formed in the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, the stress of the
상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. The
상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 대면공(V2), 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.The effective portions AA1, AA2, and AA3 include a plurality of small-hole holes V1 formed on one surface of the
또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 상기 관통홀(TH)들 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다. The effective portions AA1, AA2, and AA3 may include an island portion IS that supports a plurality of through holes TH.
상기 아일랜드부(IS)는 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 관통홀(TH)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에서 관통홀(TH) 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다. The island portion IS may be positioned between adjacent through holes TH of the plurality of through holes TH. That is, the areas other than the through holes TH in the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 일면(101) 또는 타면(102)에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 대면공(V2)이 형성된 타면(1021)에서 관통홀과 관통홀 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다. The island portion IS may refer to a portion of the effective portion of the
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 동일평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부의 적어도 일 부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다. The island portion IS may be disposed on the same plane as the
또는, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크(100)의 타면(102)의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다. Alternatively, the island portion IS may be disposed in a plane parallel to the
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽에 배치되는 비유효부(UA)를 포함할 수 있다. 상기 유효부(AA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효부(UA)은 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다. The
상기 비유효부(UA)은 상기 증착 영역(DA)의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다. 상기 비유효부(UA)은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽을 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. The unaffected portion UA is a region excluding the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the deposition region DA and the non-deposition region NDA. The non-divergent portion UA may include outer regions OA1, OA2, and OA3 surrounding the outer portions of the valid portions AA1, AA2, and AA3.
상기 외곽영역(OA1, OA2, OA3)의 개수는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효부의 끝단으로부터 수평방향 및 수직방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽영역을 포함할 수 있다.The number of the outer areas OA1, OA2, and OA3 may correspond to the number of the valid parts AA1, AA2, and AA3. That is, one valid part may include one outer area that is separated from the end of the valid part by a predetermined distance in the horizontal direction and the vertical direction, respectively.
상기 제 1 유효부(AA1)는 제 1 외곽영역(OA1) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽영역(OA1)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The first valid portion AA1 may be included in the first outer area OA1. The first effective portion AA1 may include a plurality of through holes TH for forming a deposition material. The first outer area OA1 surrounding the outer periphery of the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes.
예를 들어, 상기 제 1 외곽영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 상기 제 1 유효부(AA1)의 최외곽에 위치한 관통홀(TH)들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부(AA1, AA2, AA3)에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.For example, the plurality of through holes included in the first outer region OA1 are for reducing the etching failure of the through holes TH located at the outermost portion of the first effective portion AA1. Accordingly, the
또한, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효부(AA1)에 포함된 관통홀(TH)의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상은 원형일 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 관통홀(TH)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있다.The shape of the through hole TH of the first effective part AA1 may correspond to the shape of the through hole of the first outer area OA1. Accordingly, the uniformity of the through hole TH included in the first effective portion AA1 can be improved. For example, the shape of the through hole TH of the first effective part AA1 and the shape of the through hole of the first outer area OA1 may be circular. However, the embodiment is not limited to this, and the through hole TH may have various shapes such as a diamond pattern, an elliptical pattern, and the like.
상기 제 2 유효부(AA2)는 제 2 외곽영역(OA2) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 2 유효부(AA2)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The second valid portion AA2 may be included in the second outer area OA2. The second effective part AA2 may have a shape corresponding to the first effective part AA1. The second outer area OA2 may have a shape corresponding to the first outer area OA1.
상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 두 개의 관통홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.The second outer area OA2 may further include two through holes in the horizontal direction and the vertical direction from the through hole located at the outermost of the second effective part AA2. For example, in the second outer area OA2, two through holes may be arranged in a row in the horizontal direction at the upper and lower positions of the through holes located at the outermost of the second effective part AA2. For example, in the second outer area OA2, two through holes may be arranged in a line in the vertical direction on the left side and the right side of the through hole located at the outermost side of the second effective part AA2. The plurality of through holes included in the second outer region OA2 are for reducing the etching failure of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the vapor deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of the plurality of through holes located in the effective portion, thereby improving the quality of the vapor deposition pattern manufactured through the mask.
상기 제 3 유효부(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)는 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The third valid part AA3 may be included in the third outer area OA3. The third effective portion AA3 may include a plurality of through holes for forming an evaporation material. The third outer area OA3 surrounding the outer periphery of the third effective part AA3 may include a plurality of through holes.
상기 제 3 유효부(AA3)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The third effective part AA3 may have a shape corresponding to the first effective part AA1. The third outer area OA3 may have a shape corresponding to the first outer area OA1.
또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀(TH)은 상기 비유효부(UA)에 포함된 관통홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일레로, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀은 상기 비유효부(UA)의 에지부에 위치한 관통홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 위치에 따른 응력의 차이를 조절 할 수 있다. The through holes TH included in the effective portions AA1, AA2, and AA3 may have a shape partially corresponding to the through holes included in the non-effective portion UA. The through holes included in the effective portions AA1, AA2, and AA3 may have different shapes from the through holes located at the edge portions of the non-effective portion UA. Accordingly, it is possible to control the difference in stress depending on the position of the
도 9 및 도 10은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 유효부의 평면도를 도시한 도면이고, 도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.FIG. 9 and FIG. 10 are plan views of the effective portion of the
도 9 내지 도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효부(AA1), 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나의 평면도일 수 있다. 또한, 상기 도 9 및 도 10은 관통홀(TH)의 형상 및 상기 관통홀(TH) 간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 관통홀(TH)의 개수에 한정되지 않는다.9 to 11 are plan views of any one of the first effective portion AA1, the second effective portion AA2 and the third effective portion AA3 of the
도 9 내지 도 11을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.9 to 11, the
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통홀(TH)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 대응될 수 있다.9 and 10, the
상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. The through holes TH may be arranged in a line according to the direction. For example, the through holes TH may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. The first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a line on the horizontal axis and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a line on the horizontal axis. have.
또한, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. The first through hole TH1 and the third through hole TH3 may be arranged in a row on the vertical axis and the second through hole TH2 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a row on the horizontal axis. have.
즉, 관통홀(TH)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀(TH)들 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. That is, when the through holes TH are arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis, respectively, the island portions IS are positioned between the two adjacent through holes TH in the diagonal direction, can do. That is, the island portion IS may be positioned between two adjacent through holes TH located in diagonal directions with respect to each other.
예를 들어, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다. For example, the island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 and the fourth through hole TH4. The island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 and the third through hole TH3. The island portion IS may be positioned in the inclination angle direction of about +45 degrees and the inclination angle direction of about -45 degrees, respectively, based on the horizontal axis crossing the two adjacent through holes. Here, the direction of the inclination angle of about +/- 45 may mean the diagonal direction between the abscissa and the ordinate, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the abscissa and the ordinate.
또한, 도 11을 참조하면, 실시예에 따른 다른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수 개의 관통홀은 타원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있다. Also, referring to FIG. 11, another
상기 관통홀(TH)들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. The through holes TH may be arranged in a line in one axis of the longitudinal axis or in the transverse axis and may be staggered in the other axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)와 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. The first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a line on the abscissa axis and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be arranged in the first through hole TH1. And the second through hole (TH2), respectively.
상기 관통홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 중 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들은 일렬로 배치되는 관통홀이며, 나머지 하나의 관통홀(TH3)은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통홀(TH1, TH2) 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통홀(TH2), 제 3 관통홀(TH3) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.In the case where the through holes TH are arranged in a row in one of the longitudinal and transverse axes and are staggered in the other direction, two adjacent through holes TH1, TH2 may be located between the island portions IS. Alternatively, the island portion IS may be positioned between the three through holes TH1, TH2, and TH3 positioned adjacent to each other. The two through holes TH1 and TH2 among the three adjacent through holes TH1 and TH2 are through holes arranged in a line and the other through hole TH3 is adjacent to the one in the direction corresponding to the in- Hole, which can be disposed in an area between the two through-holes TH1 and TH2. The island portion IS may be disposed between the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3. Alternatively, the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2, the third through hole TH3, and the fourth through hole TH4.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 관통홀(TH)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.In the case of measuring the diameter Cx in the horizontal direction and the diameter Cy in the vertical direction of the reference hole which is any one of the through holes in the
도 9 내지 도 11의 아일랜드부(IS)는 유효부(AA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 관통홀(TH)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효부(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 에칭면(ES2) 및 관통홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.The island portion IS in FIGS. 9 to 11 denotes an un-etched surface between the through holes TH on the other surface of the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full-HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the
상기 관통홀(TH)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 직경은 소면공(V1) 내의 에칭면의 끝단과 대면공(V2) 내의 에칭면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통홀(TH)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균 값일 수 있다. The diameter of the through hole (TH) may be a width between the communicating portions (CA). In detail, the diameter of the through hole TH can be measured at the point where the end of the etched surface in the small-hole V1 meets the end of the etched surface in the opposite surface V2. The measuring direction of the diameter of the through hole TH may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction. The diameter of the through-hole TH measured in the horizontal direction may be 33 탆 or less. Alternatively, the diameter of the through-hole TH measured in the horizontal direction may be 33 탆 or less. Alternatively, the diameter of the through-hole TH may be an average value of values measured in the horizontal direction, the vertical direction, and the diagonal direction, respectively.
이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착불량이 발생할 수 있다. Accordingly, the
도 9 및 도 10을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.Referring to FIGS. 9 and 10, a pitch between two adjacent through-holes TH among the plurality of through-holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, the pitch between adjacent two through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 탆 to about 48 탆. For example, the pitch between two neighboring through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 탆 to about 35 탆. Here, the interval may mean the interval P1 between the center of the two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction. Alternatively, the spacing may mean the distance P2 between the center of the two adjacent first island portions and the center of the second island portion in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be the center on the un-etched side between the four through-holes TH adjacent in the horizontal direction and the vertical direction. For example, the center of the island portion IS may be located adjacent to the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 adjacent to each other in the vertical direction A vertical axis connecting the transverse axis connecting the edge of one island portion IS located in the region between the third through hole TH3 and the fourth through hole TH4 adjacent to the second through hole TH2 in the vertical direction, This can mean a point of intersection.
또한, 도 11을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 하나의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 두 개의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 인접한 세 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 11, the pitch between adjacent two through holes TH among the plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 占 퐉 or less. For example, the pitch between adjacent two through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 탆 to about 48 탆. For example, the pitch between two neighboring through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 탆 to about 35 탆. Here, the interval may mean the interval P1 between the center of the two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction. In addition, the interval may mean the interval (P2) between the center of the two adjacent first island portions and the center of the second island portion in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be the center of the unexposed face between one through-hole and two through-holes adjacent in the vertical direction. Alternatively, the center of the island portion IS may be centered on the unexposed face between the two through holes and one through hole adjacent in the vertical direction. That is, the center of the island portion (IS) is the center of the non-etched opposite surface between the adjacent three through holes, and the adjacent three through holes may mean that a triangular shape can be formed when the center is the center.
상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다. The measuring direction of the distance between the two through-holes (TH) adjacent to the measurement direction of the diameter of the through-hole (TH) may be the same. The distance between the through holes TH may be measured by measuring the distance between the two through holes TH adjacent to each other in the horizontal direction or the vertical direction.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 약 33um 이하이고, 상기 관통홀(TH) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 보다 자세하게, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 녹색 유기물을 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. That is, the
상기 관통홀(TH)의 직경 및 상기 관통홀(TH) 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. 상기 녹색(G) 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로, 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 많은 수가 요구되며, 상기 관통홀(TH)들 사이의 간격이 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 좁을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 QHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착용 마스크일 수 있다.The diameter of the through hole (TH) and the distance between the through holes (TH) may be a size for forming green subpixels. For example, the diameter of the through hole TH can be measured based on a green (G) pattern. The green (G) pattern requires a larger number of red (R) patterns and blue (B) patterns because the recognition rate through the time is low, and the spacing between the through holes (TH) (B) pattern. The
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크(100)가 필요할 수 있다.The pixel arrangement of the organic light emitting display may be arranged in the order of 'red (R) - first green (G1) - blue (B) - second green (G2)' (RGBG). In this case, the red R - the first green G1 can form one pixel RG, and the blue B - the second green G2 can form another pixel BG. In the organic light emitting display having such an arrangement, since the deposition interval of the green light emitting organic material is narrower than the red light emitting organic material and the blue light emitting organic material, the
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 수평방향에서 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 20㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 약 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. The diameter of the through hole TH may be about 20 占 퐉 or less in the horizontal direction in the
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 UHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다. The diameter of the through hole and the distance between the through holes may be a size for forming a green sub-pixel. The deposition mask may be an OLED deposition mask for implementing a UHD display pixel.
도 12는 도 9 및 도 10의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.Fig. 12 is a diagram showing overlapping sections of respective sections to explain height differences and sizes between a section in the direction of A-A 'and a section in the direction of B-B' in Figs. 9 and 10. Fig.
먼저, 도 9 및 도 10의 A-A'방향에서의 횡단면을 설명한다. A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, A-A'방향에서의 횡단면은 관통홀(TH)을 포함하지 않을 수 있다.First, a cross section in the direction of A-A 'in Figs. 9 and 10 will be described. The A-A 'direction is a transverse cross section that crosses the central region between the two first through-holes TH1 and TH3 adjacent in the vertical direction. That is, the cross section in the direction A-A 'may not include the through hole TH.
상기 A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2) 및 대면공 내의 식각면(ES2)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크(100)의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다. The transverse section in the direction A-A 'may be located between the etching surface ES2 in the facing face and the etching surface ES2 in the facing surface, and the island portion IS, which is the other surface of the deposition mask, is not etched. Accordingly, the island portion IS may include a surface parallel to an un-etched surface of the deposition mask. Alternatively, the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the unmasked surface of the
다음으로, 도 A 및 도 B의 B-B'방향에서의 횡단면을 설명한다. B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.Next, a cross-sectional view in the direction of B-B 'of Figs. A and B will be described. And the B-B 'direction is a transverse cross section that crosses the center of each of the first through holes TH1 and the second through holes TH2 adjacent in the horizontal direction. That is, the cross-section in the direction of B-B 'may include a plurality of through holes TH.
상기 B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통홀(TH3)과 제 4 관통홀(TH4) 사이에 하나의 리브(RB)가 위치할 수 있다. 제 4 관통홀(TH4) 및 제 4 관통홀과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통홀 사이에는 다른 하나의 리브(RB)가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통홀(TH)이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브(RB) 사이에는 하나의 관통홀(TH)이 위치할 수 있다.One rib (RB) may be positioned between the adjacent third through hole (TH3) and the fourth through hole (TH4) in the direction of B-B '. Another rib RB may be positioned between the fourth through hole TH4 and the fourth through hole in the horizontal direction and between the fifth through hole located in the opposite direction to the third through hole TH3. One through hole (TH) may be positioned between the one rib and the other rib. That is, one through hole TH may be positioned between two ribs RB adjacent to each other in the horizontal direction.
또한, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 식각면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 아일랜드부(IS)의 폭은 약 2㎛ 이상일 수 있다. 즉, 상기 타면에서 에칭되지 않고 남아있는 부분의 상기 타면과 평행한 방향으로의 폭이 약 2㎛ 이상일 수 있다. 하나의 아일랜드부(IS)의 일단과 타단의 폭이 약 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크(100)의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크(100)는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.The cross section in the direction of B-B 'may be a rib RB which is an area where the etching surface ES2 in the facing face and the etching surfaces ES2 in the adjacent facing face are connected to each other. Here, the rib (RB) may be a region to which the boundaries of two adjacent facing balls are connected. Since the ribs RB are etched, the ribs RB may be thinner than the island portions IS. For example, the width of the island portion IS may be about 2 탆 or more. That is, the width of the portion remaining unetched at the other surface in the direction parallel to the other surface may be about 2 탆 or more. When the width of one end and the other end of one island portion IS is about 2 mu m or more, the entire volume of the mask for
도 13은 도 9 또는 도 10의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다. 도 13을 참조하여, 도 9 및 도 10의 B-B'의 횡단면과 도 12에 따른 유효 영역의 리브(RB) 및 상기 리브(RB)들 사이의 관통홀(TH)을 확대한 횡단면을 설명한다. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG. 9 or 10. FIG. Referring to Fig. 13, a cross section of B-B 'in Figs. 9 and 10 and a cross section of a rib (RB) and a through hole (TH) between the ribs (RB) do.
실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 식각에 의한 관통홀(TH)이 형성되는 유효부(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 리브(RB)의 두께는 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께보다 작을 수 있다.The mask for
실시예예 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA)의 두께가 유효부(AA1, AA2, AA3)의 두께보다 클 수 있다. 이때, 상기 아일랜드부(IS)는 식각되지 않은 영역으로, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 30㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)의 최대 두께는 약 30㎛ 이하일 수 있고, 상기 아일랜드부(IS)를 제외한 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 두께는 상기 비유효부(UA)의 두께보다 작을 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)의 최대 두께는 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 30㎛를 초과하는 경우에는 상기 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 두께가 두꺼워지기 때문에 때문에 미세한 크기의 관통홀(TH)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 15㎛ 미만인 경우에는 금속판의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다.The thickness of the non-affected portion UA may be larger than the thickness of the effective portions AA1, AA2, AA3. At this time, the island portion IS may be an unetched region, and the island portion IS may correspond to a maximum thickness of the unaffected portion UA to the non-deposited region NDA. For example, the
상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다. 상기 리브(RB) 의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.The maximum thickness (T3) measured at the center of the rib (RB) may be about 15 mu m or less. For example, the maximum thickness T3 measured at the center of the rib (RB) may be about 7 占 퐉 to about 10 占 퐉. For example, the maximum thickness T3 measured at the center of the rib (RB) may be about 6 占 퐉 to about 9 占 퐉. When the maximum thickness (T3) measured at the center of the rib (RB) exceeds about 15 mu m, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more. Further, when the maximum thickness T3 measured at the center of the rib (RB) is less than about 6 mu m, uniform formation of the deposition pattern may be difficult.
상기 증착용 마스크(100)의 소면공의 높이(H1)는 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)의 약 0.2배 내지 약 0.4배일 수 있다. 일례로, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 7㎛ 내지 약 9㎛이고, 상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이(H1)는 약 1.4㎛ 내지 약 3.5㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공의 높이(H1)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공(V1)의 높이는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)의 높이는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)의 높이는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. 여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 8, 도 9 또는 도 10의 평면도에서 상술한 수평방향(x방향)과 수직방향(y방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다. The height H1 of the small hole of the
상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다. When the height between the one surface of the
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)과 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W2)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)은 연통부에서의 공경(W2)보다 클 수 있다. The pore W1 on one surface of the
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.For example, the difference between the pore size W1 on one surface of the
상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.When the difference between the pore size W1 on one surface of the
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102)에 위치한 상기 대면공(V2)의 일단(E1) 및 상기 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각(θ1)은 40도 내지 55도 일 수 있다. 이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착 패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면(102)상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다.One end E1 of the face-to-face V2 located on the
도 14는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 공정을 도시한 도면들이다.FIG. 14 is a view showing a manufacturing process of the
도 14를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 공정은 금속판(10)을 준비하는 단계, 상기 금속판(10)에 포토레스트층을 이용하여 관통홀을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 제거하여 상기 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the manufacturing process of the
상기 금속판(10)을 준비하는 단계에서, 상기 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 냉간압연 및 어닐링 공정 등을 통해 형성될 수 있다.In the step of preparing the
상기 금속판(10)은 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe)과 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 여기서 소량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 인바(Invar)를 포함할 수 있다.The
상기 어닐링 공정에서 상기 금속판(10)의 표면 원자 농도는 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 표면을 포함하는 외부 부분(SP) 및 상기 외부 부분(SP) 이외의 내부 부분(IP)을 포함할 수 있고, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)의 원자 농도와 상이할 수 있다. In the annealing process, the surface atom concentration of the
자세하게, 상기 어닐링 공정에서 상기 금속판(10)은 약 550℃ 내지 약 650℃의 온도에서 약 45초 내지 약 75초동안 열처리될 수 있다. 바람직하게, 상기 어닐링 공정에서 상기 금속판(10)은 약 600℃의 온도에서 약 60초동안 열처리될 수 있다.In detail, in the annealing process, the
상기 어닐링 공정은 불활성 기체 분위기에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 어닐링 공정은 헬륨, 질소 및 아르곤 분위기 등의 불활성 가스 분위기에서 수행될 수 있다. 여기서 상기 분위기는 불활성 가스가 약 90% 이상 존재하는 분위기를 의미할 수 있다.The annealing process may be performed in an inert gas atmosphere. For example, the annealing process may be performed in an inert gas atmosphere such as a helium, nitrogen, and argon atmosphere. Here, the atmosphere may mean an atmosphere containing about 90% or more inert gas.
상기 어닐링 공정에 의해 상기 금속판(10) 표면의 원자들을 재배열할 수 있다. 자세하게, 상기 어닐링 공정에 의해 상기 금속판(10) 표면의 철, 니켈, 산소 등의 원자 농도를 변화시킬 수 있고, 표면에 산화막이 형성되어 부식 발생 및 부식 진행을 사전에 방지할 수 있다.The atoms on the surface of the
이에 따라, 상기 금속판(10) 표면의 철, 니켈, 산소 등의 원자 농도는 변화될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 30nm 이하의 깊이 범위 영역은 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)보다 니켈의 최대 원자 농도 값이 클 수 있고, 특히 상기 외부 부분(SP) 중 약 10nm의 깊이 범위에서 니켈 원자 농도 값은 최대값을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위 영역에서 산소 원자 농도의 최소값은 약 10 at% 이하 일 수 있다. Accordingly, the atomic concentration of iron, nickel, oxygen, etc. on the surface of the
즉, 상기 어닐링 공정에 의해 상기 금속판(10)의 표면 산소 원자 농도를 낮출 수 있어 형성되는 산화막의 두께를 최소화할 수 있다. 또한, 상기 어닐링 공정에 의해 표면 니켈 원자 농도를 높일 수 있어 향상된 내식성을 가질 수 있다. That is, the surface oxygen atom concentration of the
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는, 목표로 하는 금속판(10)의 두께에 따라 두께 감소 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 두께 감소 단계는, 상기 압연 공정을 거친 금속판(10) 보다 더 압연하거나 에칭하여 요구되는 두께를 형성하는 단계일 수 있다.The step of preparing the
예를 들어, 400PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 500PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 15㎛ 내지 약 20㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있다.For example, a
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는, 식각 팩터 향상을 위한 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 자세하게, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있어 소면공(V1)의 식각 팩터가 저하될 수 있다. 따라서, 미세한 크기의 관통홀(TH) 및 균일한 위치에 관통홀(TH)을 형성하는 것이 어려울 수 있다.In addition, the step of preparing the
따라서, 상기 금속판(10)의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 표면 처리층을 형성할 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)보다 식각 속도가 느린 식각 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다. Therefore, a surface treatment layer for preventing rapid etching on the surface of the
예를 들어, 동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 식각액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다. For example, in the same corrosive environment, the surface treatment layer may have a corrosion potential different from that of the
상기 금속판(10)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 상기 금속판(10)보다 큰 함량으로 포함할 수 있다. The
다음으로, 상기 금속판(10)에 포토레스트층을 이용하여 관통홀을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 상기 관통홀을 형성하는 단계는 상기 금속판(10)의 일면 상에 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 및 상기 금속판(10)의 타면 상에 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하여 관통홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Next, a step of forming a through hole using the photoresist layer on the
상기 금속판(10)에 소면공(V1)을 형성하기 위해서 상기 금속판(10)의 일면 상에 포토레지스트층을 배치할 수 있다. 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 패턴화된 제 1 포토레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 일면과 반대되는 타면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다.A photoresist layer may be disposed on one side of the
이어서, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 홈을 형성할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 상기 금속판(10)의 일면 중 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.Next, a first groove may be formed on one surface of the
상기 제 1 홈을 형성하는 단계는, 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께(T1)의 상기 금속판(10)을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 이 단계를 통해 형성된 제 1 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 이 단계 후에 형성된 제 1 홈의 중심에서 측정한 상기 금속판의 두께(T2)는 약 10㎛ 내지 약 15㎛일 수 있다.The step of forming the first groove may be a step of etching the
상기 제 1 홈을 형성하는 단계는, 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR)의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다. The step of forming the first groove may be an anisotropic etching or a semi-additive process (SAP). In detail, an anisotropic etching or semi-addition method may be used to half-etch the open portion of the first photoresist layer PR. Accordingly, the grooves formed through the half-etching can have an etching speed (direction b) in the depth direction higher than the speed in the side etching (direction a) rather than isotropic etching.
소면공(V1)의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. The etching factor of the small-plane hole (V1) may be 2.0 to 3.0. For example, the etch factor of the small-hole (V1) may be 2.1 to 3.0. For example, the etch factor of the small-hole (V1) may be 2.2 to 3.0.
여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드부(IS)에서 연장되어 관통홀(TH)의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.Here, the etching factor is the depth (B) of the etched SOF / the width A of the photoresist layer extending in the direction of the center of the through hole TH extending from the island portion IS of the SOF B / A). A is an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one face and the width of the other side opposite to the one side.
이어서, 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에 대면공(V2)을 형성하기 위해 포토레지스트층을 배치할 수 있다. 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 타면 상에 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치될 수 있다. 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에는 대면공(V2)을 형성하기 위하여 오픈부를 가지는 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 상기 금속판(10)의 일면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다. Next, a photoresist layer may be disposed on the other surface of the
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 금속판(10)의 타면 중 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 금속판(10)의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다. The open portion of the second photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant or the like so that etching may occur at an open portion of the other surface of the
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판(10)의 일면 상의 홈은 대면공(V2)과 연결되어 관통홀을 형성할 수 있다. As the open portion of the second photoresist layer PR2 is etched, the groove on one surface of the
상기 관통홀을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통홀을 형성하는 단계일 수 있다.The step of forming the through hole may include forming a second groove for forming the facing hole (V2) after the step of forming the first groove for forming the small-sized hole (V1) Forming step.
이와 다르게, 상기 관통홀을 형성하는 단계는 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통홀을 형성하는 단계일 수 있다.Alternatively, the step of forming the through-hole may include forming a first groove for forming the small-sized hole V1 after the step of forming the second groove for forming the facing hole V2, Forming a hole.
이와 또 다르게, 상기 관통홀을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 및 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 동시에 진행되어 상기 관통홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.Alternatively, the step of forming the through-hole may include a step of forming a first groove for forming the small-diameter hole (V1) and a step of forming a second groove for forming the facing hole (V2) simultaneously Thereby forming the through hole TH.
다음으로, 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공(V2), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 상기 소면공(V1)의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 거쳐 증착용 마스크(100)가 형성될 수 있다.Next, the photoresist layer is removed to form a face-to-face V2 formed on the one face, a face-face hole V1 formed on the other face opposite to the face, the face-face V2, The
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100) 중 표면 에칭이 진행되지 않은 영역은 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 아일랜드부(IS)는 상기 외부 부분(SP)과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)가 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함하는 경우, 상기 증착용 마스크(100)의 아일랜드부(IS)는 상술한 표면 처리층을 더 포함할 수 있다. The
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 리브(RB) 중심에서의 최대 두께가 에칭을 거치지 않은 비유효 영역에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB) 중심에서의 최대 두께는 약 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB) 중심에서의 최대 두께는 약 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크(100)의 비유효 영역에서의 최대 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 일 수 있고, 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효 영역에서의 최대 두께는 상기 금속판(10)을 준비하는 단계에서 준비된 금속판(10)의 두께와 대응될 수 있다. The
도 15 및 도 16은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.15 and 16 are views showing a deposition pattern formed through the deposition mask according to the embodiment.
도 15를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(H1)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.Referring to FIG. 15, the
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 16에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the distance between one
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 외부 부분(SP)의 원자 농도와 내부 부분(IP)의 원자 농도의 값은 상이할 수 있다.The atomic concentration of the outer portion SP of the
자세하게, 상기 증착용 마스크(100)에서 외부 부분(SP)의 최대 니켈 원자 농도는 내부 부분(IP)의 최대 니켈 원자 농도보다 클 수 있고, 상기 증착용 마스크(100)의 표면으로부터 약 10nm 이하의 깊이 범위에서 산소 원자 농도의 최소값은 약 10 at% 이하일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 외부 부분(SP)은 하프 에칭 등과 같은 에칭 공정이 진행되지 않은 금속판(10)의 외부 부분(SP)을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 외부 부분(SP)은 상기 증착영역(DA) 및 상기 비증착영역(NDA) 중 에칭 공정이 진행되지 않은 영역을 의미할 수 있다. 특히, 상기 증착영역(DA)에서의 외부 부분(SP)은 상기 증착용 마스크(100)의 일면 중 표면 에칭이 진행되지 않은 비유효부(UA), 아일랜드부(IS)가 형성된 표면일 수 있고, 상기 증착용 마스크(100)의 타면 중 소면공(V1)이 형성되지 않은 표면을 의미할 수 있다.The maximum nickel atom concentration of the outer portion SP in the
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 외부 부분(SP)의 니켈 원자 농도가 크고, 산소 원자 농도가 낮아 상기 증착용 마스크(100)를 제조하는 단계 및 상기 증착용 마스크(100)를 이용하여 반복적인 패턴 증착 시, 상기 증착용 마스크(100)의 표면이 부식하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)가 부식되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)는 유기물 증착 공정 시 부여되는 인장력에 대한 충분할 강성을 확보할 수 있어 유기물을 균일하게 증착할 수 있다.That is, the
또한, 크롬의 원자 농도는 0.03 at% 이하로 극히 소량이기 때문에, 상기 크롬에 의한 편석 및 제 2 석출상 등이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 소면공(V1), 대면공(V2) 및 관통홀(TH)을 보다 정밀하고 균일하게 형성할 수 있어 증착 불량을 최소화할 수 있다. In addition, since the atomic concentration of chromium is extremely small at 0.03 at% or less, it is possible to prevent the chromium-segregated and the second precipitate phase from being formed, The hole TH can be formed more precisely and uniformly, and the deposition defect can be minimized.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
Claims (10)
상기 금속재는 상기 크롬(Cr)의 원자 농도가 0.03 at% 이하인 인바(invar)이고,
상기 금속재는 표면을 포함하는 외부 부분 및 상기 외부 부분 이외의 내부 부분을 포함하고,
상기 외부 부분은,
상기 표면으로부터 14nm이하의 깊이 범위에서, 상기 철(Fe)의 최대 원자 농도는 60 at% 이하이며, 상기 니켈(Ni)의 최대 원자 농도는 40 at% 내지 45 at%이고, 상기 산소(O)의 최소 원자 농도는 10 at% 이하인 증착용 마스크 제조용 금속판.(Fe) -nickel (Ni) alloy metal material having a thickness of 30 占 퐉 or less and containing oxygen (O) and chromium (Cr)
Wherein the metallic material is invar with an atomic concentration of chromium (Cr) of 0.03 at% or less,
Wherein the metal material comprises an outer portion including a surface and an inner portion other than the outer portion,
Said outer portion comprising:
Wherein the maximum atomic concentration of the iron (Fe) is 60 at% or less, the maximum atomic concentration of the nickel (Ni) is 40 at% to 45 at%, the oxygen (O) Of the minimum atomic concentration is less than 10 at%.
상기 외부 부분은 상기 표면으로부터 30nm 이하의 깊이 범위를 가지고, 상기 외부 부분과 상기 내부 부분에서 상기 니켈의 최대 원자 농도는 상이한 증착용 마스크 제조용 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the outer portion has a depth range of 30 nm or less from the surface and the maximum atom concentration of the nickel in the outer portion and the inner portion is different.
상기 표면으로부터 14nm 이하의 깊이 범위에서,
상기 니켈(Ni)의 최대 원자 농도는 42 at% 내지 44 at%인 증착용 마스크 제조용 금속판.The method according to claim 1,
In the depth range of 14 nm or less from the surface,
Wherein the maximum atomic concentration of nickel (Ni) is 42 at% to 44 at%.
상기 외부 부분에 포함된 상기 니켈은, 상기 표면으로부터 3nm 내지 9nm 깊이 범위에서 최대 원자 농도값을 가지는 증착용 마스크 제조용 금속판.The method according to claim 1,
Wherein the nickel contained in the outer portion has a maximum atomic concentration value in a depth range of 3 nm to 9 nm from the surface.
상기 표면으로부터 14nm 이하의 깊이 범위에서,
상기 산소(O)의 최소 원자 농도는 5 at% 이하인 증착용 마스크 제조용 금속판.The method according to claim 1,
In the depth range of 14 nm or less from the surface,
Wherein the minimum atomic concentration of oxygen (O) is 5 at% or less.
상기 증착 영역은, 길이 방향으로 이격된 다수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고,
상기 유효부는,
상기 금속재의 일면 상에 형성되는 다수 개의 소면공들;
상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 다수 개의 대면공들;
상기 소면공들 및 상기 대면공들을 각각 연통하는 다수 개의 관통홀들; 및
인접한 상기 관통홀들 사이에 형성되는 아일랜드부를 포함하고,
상기 관통홀은 400 PPI 이상의 해상도를 가지고,
상기 금속재는 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함하며, 상기 크롬(Cr)의 원자 농도가 0.03 at% 이하인 인바(invar)이고,
상기 금속재는 표면을 포함하는 외부 부분 및 상기 외부 부분 이외의 내부 부분을 포함하고,
상기 비증착 영역, 상기 비유효부 및 상기 아일랜드부 중 적어도 하나의 표면으로부터 14nm 이하의 깊이 범위에서, 상기 철(Fe)의 최대 원자 농도는 60 at% 이하이며, 상기 니켈(Ni)의 최대 원자 농도는 40 at% 내지 45 at%이고, 상기 산소(O)의 최소 원자 농도는 10 at% 이하인 증착용 마스크.And an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal material including a deposition region and a non-deposition region other than the deposition region,
Wherein the deposition region includes a plurality of effective portions spaced apart in the longitudinal direction and a non-effective portion other than the effective portion,
The valid part,
A plurality of small surface holes formed on one surface of the metal material;
A plurality of facing holes formed on a surface opposite to the one surface;
A plurality of through holes communicating the cavity surfaces and the facing surfaces, respectively; And
And an island portion formed between the adjacent through-holes,
The through hole has a resolution of 400 PPI or more,
Wherein the metallic material comprises oxygen (O) and chromium (Cr), and the atomic concentration of the chromium (Cr) is invar with 0.03 at%
Wherein the metal material comprises an outer portion including a surface and an inner portion other than the outer portion,
Wherein a maximum atom concentration of the iron (Fe) is 60 at% or less and a maximum atom concentration of the nickel (Ni) is in a depth range of 14 nm or less from the surface of at least one of the non-evaporated region, Is 40 at% to 45 at%, and the minimum atomic concentration of oxygen (O) is 10 at% or less.
상기 금속재는 30㎛ 이하의 두께를 가지는 증착용 마스크.The method according to claim 6,
Wherein the metal material has a thickness of 30 mu m or less.
상기 표면으로부터 14nm 이하의 깊이 범위에서,
상기 니켈(Ni)의 최대 원자 농도는 42 at% 내지 44 at%인 증착용 마스크.The method according to claim 6,
In the depth range of 14 nm or less from the surface,
Wherein the maximum atomic concentration of nickel (Ni) is 42 at% to 44 at%.
상기 비유효부의 두께는 30㎛ 이하이고,
상기 아일랜드부의 최대 두께는 30㎛ 이하인 증착용 마스크.The method according to claim 6,
The thickness of the non-fatliquored portion is 30 mu m or less,
Wherein the maximum thickness of the island portion is 30 占 퐉 or less.
상기 관통홀의 직경은 33㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 48㎛ 이하인 500PPI 이상의 해상도를 가지는, 녹색 유기물 증착을 위한 증착용 마스크.The method according to claim 6,
Wherein the diameter of the through hole is 33 占 퐉 or less and the distance between the through holes is 48 占 퐉 or less and the resolution is 500PPI or more.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024071705A1 (en) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 엘지이노텍 주식회사 | Metal plate and deposition mask comprising same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015168884A (en) * | 2014-09-29 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, manufacturing method for the same and method for manufacturing vapor-deposition mask using the same |
JP2015168847A (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, manufacturing method for the same and method for manufacturing vapor-deposition mask using the same |
KR20150114543A (en) * | 2013-03-14 | 2015-10-12 | 파우데엠 메탈스 게엠베하 | Nickel-based alloy with silicon, aluminum and chromium |
KR20160146901A (en) * | 2015-02-10 | 2016-12-21 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Manufacturing method for deposition mask, metal sheet used for producing deposition mask, and manufacturing method for said metal sheet |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210046847A (en) * | 2012-01-12 | 2021-04-28 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Metal mask having a resin plate, vapor deposition mask, method for producing vapor deposition mask device, and method for producing organic semiconductor element |
KR102160695B1 (en) * | 2013-05-10 | 2020-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask |
JP6468480B2 (en) * | 2014-01-31 | 2019-02-13 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask manufacturing method and vapor deposition mask |
CN205974646U (en) * | 2015-07-17 | 2017-02-22 | 凸版印刷株式会社 | Metal mask for coating by vaporization |
JP6631173B2 (en) * | 2015-11-05 | 2020-01-15 | 凸版印刷株式会社 | Evaporation mask, mask base repair method, and mask base repair apparatus |
KR102590890B1 (en) * | 2016-02-16 | 2023-10-19 | 엘지이노텍 주식회사 | Metal substrate, metal mask for deposition, and oled pannel using the same |
-
2017
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-
2018
- 2018-10-22 CN CN201880074868.2A patent/CN111373070A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150114543A (en) * | 2013-03-14 | 2015-10-12 | 파우데엠 메탈스 게엠베하 | Nickel-based alloy with silicon, aluminum and chromium |
JP2015168847A (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, manufacturing method for the same and method for manufacturing vapor-deposition mask using the same |
JP2015168884A (en) * | 2014-09-29 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, manufacturing method for the same and method for manufacturing vapor-deposition mask using the same |
KR20160146901A (en) * | 2015-02-10 | 2016-12-21 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Manufacturing method for deposition mask, metal sheet used for producing deposition mask, and manufacturing method for said metal sheet |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024071705A1 (en) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 엘지이노텍 주식회사 | Metal plate and deposition mask comprising same |
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