KR20190055860A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 151
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 206010057190 Respiratory tract infections Diseases 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 101100380241 Caenorhabditis elegans arx-2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 101150092805 actc1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014435 Mentha Nutrition 0.000 description 1
- 241001072983 Mentha Species 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 235000014569 mints Nutrition 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H01L51/5237—
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- H10K59/80—Constructional details
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Abstract
표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역이 정의되는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판 및 상기 비표시 영역에 배치되는 셀 실을 포함하되, 상기 셀 실은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
상기 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치의 영상 표시는 모두 광의 투과에 기인한다. 특히 광의 투과율은 표시 장치의 휘도 등의 표시 품질에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 표시 장치를 이루는 구성요소는 적어도 부분적으로 투명성 부재, 예컨대 글라스 부재를 포함할 수 있다.
복수의 투명성 부재를 결합하여 멀티 스택 접합체를 형성하기 위한 방법으로 액체 또는 연고성의 접착제인 실런트를 이용하여 접합하는 방법, 또는 글라스 프릿 또는 분말 글라스를 이용하여 접합하는 방법을 예시할 수 있다.
상기 실런트 접합은 제1 글라스 부재와 제2 글라스 부재 사이에 액체 또는 연고성의 실런트 물질을 도포하고 이를 경화함으로써 제1 글라스 부재와 제2 글라스 부재를 서로 접합할 수 있다.
또, 상기 글라스 프릿/분말 글라스 접합은 제1 글라스 부재와 제2 글라스 부재 사이에 글라스 프릿/분말 글라스 물질을 도포하고 이를 용융경화시킴으로써 제1 글라스 부재와 제2 글라스 부재를 서로 접합할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 셀 실이 차지하는 면적을 줄인 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 셀 실이 차지하는 면적을 줄일 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역이 정의되는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판 및 상기 비표시 영역에 배치되는 셀 실을 포함하되, 상기 셀 실은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 포함한다.
또한, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 유리를 포함하고, 상기 접합 필라멘트는 상기 제1 기판 및 제2 기판과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 접합 필라멘트의 폭은 100㎛ 이상 200㎛이하일 수 있다.
또한, 상기 접합 필라멘트는 중심부 및 상기 중심부를 감싸는 주변부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 중심부의 폭은 20㎛이상 70㎛이하일 수 있다.
또한, 상기 중심부와 상기 주변부는 굴절률이 상이할 수 있다.
또한, 상기 접합 필라멘트 중단의 폭은 상기 접합 필라멘트 상단의 폭 및 상기 접합 필라멘트 하단의 폭보다 클 수 있다.
또한, 상기 접합 필라멘트는 내측 접합 필라멘트와 외측 접합 필라멘트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 내측 접합 필라멘트와 상기 외측 접합 필라멘트는 부분적으로 중첩되어 중첩 영역을 형성할 수 있다.
또한, 상기 중첩 영역과 상기 내측 필라멘트는 굴절률이 상이할 수 있다.
또한, 상기 내측 접합 필라멘트 및 상기 외측 접합 필라멘트 중 선택된 어느 하나 이상은 일정 각도 기울어져 연장될 수 있다.
또한, 상기 내측 접합 필라멘트와 상기 외측 접합 필라멘트는 서로 교차할 수 있다.
또한, 상기 접합 필라멘트는 x축과 나란한 방향으로 연장되는 제1 접합 필라멘트, y축과 나란한 방향으로 연장되는 제2 접합 필라멘트 및 상기 제1 접합 필라멘트와 상기 제2 필라멘트가 교차하는 교차부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 교차부의 폭은 상기 제1 접합 필라멘트 및 상기 제2 접합 필라멘트 보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 접합 필라 멘트의 일단은 상기 교차부로부터 상기 x축과 나란한 방향으로 돌출 형성되고, 상기 제2 접합 필라멘트의 일단은 상기 교차부로부터 상기 y축과 나란한 방향으로 돌출 형성될 수 있다.
또한, 상기 셀 실은 상기 접합 필라멘트와 연결되는 프릿 실을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 비표시 영역에 배치되는 구동 집적 회로 및 상기 구동 집적 회로와 상기 표시 영역을 연결하는 복수의 도전 라인을 포함하고, 상기 프릿 실은 상기 도전 라인과 중첩될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는 셀을 포함하는 원장 패널을 실링하는 단계 및 상기 셀을 실링하는 셀 실을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 셀 실을 형성하는 단계는 레이저를 조사하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 레이저는 상기 제2 기판에서 상기 제1 기판을 향해 조사되는 제1 서브 레이저를 포함하고, 상기 제1 서브 레이저의 제1 초점은 상기 제1 기판 내부에 설정되며, 상기 제1 서브 레이저의 초점 깊이는 -100㎛ 이상 0 미만일 수 있다.
또한, 상기 레이저는 상기 제1 기판에서 상기 제2 기판을 향해 조사되는 제2 서브 레이저를 더 포함하고, 상기 제2 서브 레이저의 제2 초점은 상기 제2 기판 내부에 설정되며, 상기 제2 서브 레이저의 초점 깊이는 0 초과 100㎛ 미만일 수 있다.
또한, 상기 제1 서브 레이저 및 상기 제2 서브 레이저 중 선택된 어느 하나는 일정 각도 기울어져 조사될 수 있다.
또한, 상기 제1 기판 상에 배치되는 절연막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 레이저를 조사하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 형성하는 단계는 상기 레이저를 제1 방향으로 조사하여 제1 접합 필라멘트를 형성하는 단계 및 상기 레이저를 제2 방향으로 조사하여 제2 접합 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 접합 필라멘트와 상기 제2 접합 필라멘트는 서로 교차하여 교차부를 형성할 수 있다.
또한, 상기 셀에 프릿을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 셀 실을 형성하는 단계는 상기 프릿을 경화시켜 프릿 실을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 프릿 실과 상기 접합 필라멘트는 서로 연결될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 셀 실이 차지하는 면적을 줄일 수 있다. 이에 따라 내로우 베젤을 갖는 표시 장치를 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 'A'부분을 확대한 부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 다른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 13은 도 12의 Ⅲ-Ⅲ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 14는 도 12의 Ⅳ-Ⅳ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 'A'부분을 확대한 부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 다른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 13은 도 12의 Ⅲ-Ⅲ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 14는 도 12의 Ⅳ-Ⅳ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 또한 도면을 기준으로 다른 소자의 "좌측"에 위치하는 것으로 기술된 소자는 시점에 따라 다른 소자의 "우측"에 위치할 수도 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다. 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1의 'A'부분을 확대한 부분 확대도이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(290) 및 셀 실(CS)을 포함한다.
제1 기판(100)은 일 실시예로 유리, 석영, 고분자 수지 등의 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 고분자 물질은 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterepthalate: PET), 폴리페닐렌설파이드 (polyphenylenesulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(cellulosetriacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합일 수 있다.
제1 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 영역으로 정의된다. 표시 영역(DA) 상에 상에는 화상을 구현하기 위한 복수의 화소부(PX)가 배치된다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 외측에 배치되며, 화상을 표시하지 않는 영역으로 정의된다. 비표시 영역(NDA)은 일 실시예로, 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 1에서는 비표시 영역(NDA)이 표시 영역(DA)을 둘러싸는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 비표시 영역(NDA)은 다른 실시예로, 표시 영역(DA)의 일 측 또는 타 측에만 인접하게 배치되거나, 또는 표시 영역(DA)을 기준으로 표시 영역(DA)의 일 측 및 양 측에 각각 인접하게 배치될 수도 있다.
비표시 영역(NDA)에는 구동 집적 회로(130)가 배치될 수 있다. 구동 집적 회로(130)는 표시 영역(DA)의 구동에 필요한 신호를 생성하여 표시 영역에 전달할 수 있다.
구동 집적 회로(130)와 표시 영역(DA) 사이에는 복수의 도전 라인(160)이 배치될 수 있다. 복수의 도전 라인(160)은 구동 집적 회로(130)와 표시 영역(DA)을 전기적으로 연결할 수 있다. 즉 구동 집적 회로(130)에서 생성된 신호는 복수의 도전 라인(160)을 통해 표시 영역(DA)에 전달될 수 있다.
이어서 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 적층 구조에 대해 설명하기로 한다.
버퍼층(210)은 제1 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(210)은 제1 기판(100)을 통한 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(210)은 제1 기판(100)의 표면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층(210)은 일 실시예로 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막 및 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(210)은 제1 기판(100)의 종류 또는 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.
반도체 패턴(ACT)을 포함하는 반도체층은 버퍼층(210) 상에 배치될 수 있다. 반도체층에 대해 반도체 패턴(ACT)을 기준으로 설명하기로 한다. 반도체 패턴(ACT)은 일 실시예로, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 및 산화물 반도체 중에서 선택되는 하나 또는 두 개 이상을 혼합하여 형성될 수 있다. 반도체 패턴(ACT)은 일 실시예로 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(ACTa), 불순물이 도핑된 소스 영역(ACTb) 및 드레인 영역(ACTc)을 포함할 수 있다. 소스 영역(ACTb)은 채널 영역(ACTa)의 일 측에 위치하며, 후술하는 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결된다. 드레인 영역(ACTc)은 채널 영역(ACTa)의 타 측에 위치하며, 후술하는 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다.
제1 절연층(220)은 반도체 패턴(ACT)을 포함하는 반도체층 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(220)은 일 실시예로 게이트 절연층일 수 있다. 제1 절연층(220)은 일 실시예로 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질, BCB(BenzoCycloButene), 아크릴계 물질, 및 폴리이미드와 같은 유기 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 물질을 혼합하여 형성할 수 있다.
게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 도전체는 제1 절연층(220) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 반도체 패턴(ACT)과 중첩될 수 있다. 게이트 도전체는 예컨대, 알루미늄 합금을 포함하는 알루미늄(Al) 계열의 금속, 은 합금을 포함하는 은(Ag) 계열의 금속, 구리 합금을 포함하는 구리(Cu)계열의 금속, 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴(Mo) 계열 금속, 크롬(Cr), 티탄(Ti), 및 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2 절연층(230)은 게이트 전극(GE)을 포함하는 게이트 도전체 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(230)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질, BCB(BenzoCycloButene), 아크릴계 물질, 및 폴리이미드와 같은 유기 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 물질을 혼합하여 형성할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 도전체는 제2 절연층(230) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 제2 절연층(230) 상에 서로 이격되어 배치된다. 데이터 도전체는 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질으로 이루어진 군 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 데이터 도전체는 일 실시예로 니켈(Ni), 코발트(Co), 티탄(Ti), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 베릴륨(Be), 니오브(Nb), 금(Au), 철(Fe), 셀렌(Se) 또는 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 금속에 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니오브(Nb), 백금(Pt), 하프늄(Hf), 산소(O) 및 질소(N)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함시켜 형성한 합금이 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)의 재료로서 이용될 수 있다.
전술한, 반도체 패턴(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 스위칭 소자(TR2)를 구성한다. 도 2에서는 스위칭 소자(TR2)가 탑 게이트 방식인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 스위칭 소자(TR2)는 바텀 게이트 방식으로 형성될 수도 있다.
평탄화층(240)은 데이터 도전체 상에 배치될 수 있다. 평탄화층(240)은 단차를 제거함에 따라, 후술하는 화소 전극(250) 및 유기 발광층(270)의 발광 효율을 높일 수 있다. 평탄화층(240)은 일 실시예로 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(240)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴(polyacryl) 및 폴리실록산(polysiloxane) 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 다른 실시예로, 평탄화층(240)은 무기 물질을 포함하여 구성되거나, 또는 무기 물질 및 유기 물질의 복합 형태로 구성될 수도 있다. 평탄화층(240)에는 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출시키는 제1 컨택홀(CNT1)이 형성될 수 있다.
화소 전극(250)은 평탄화층(240) 상에 배치될 수 있다. 화소 전극(250)은 제1 컨택홀(CNT1)에 의해 노출된 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 화소 전극(250)은 정공 주입 전극인 애노드(anode)일 수 있다. 화소 전극(250)이 애노드 전극인 경우, 화소 전극(250)은 정공 주입이 용이하도록 일함수가 높은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(250)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 화소 전극(250)은 일 실시예로 반사성 재료를 포함할 수 있다. 반사성 재료는 일 실시예로, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In) 및 마그네슘-은(Mg-Ag)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
화소 전극(250)은 일 실시예로, 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 화소 전극(250)은 2 이상의 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수도 있다.
화소 전극(250)이 다중막으로 형성되는 경우, 화소 전극(250)은 일 실시예로, 반사막 및 상기 반사막 상에 배치되는 투명 또는 반투명 전극을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소 전극(250)은 반사막 및 상기 반사막 하부에 배치되는 투명 또는 반투명 전극을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(250)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 투명 또는 반투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(260)은 화소 전극(250) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(260)은 화소 전극(250)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 포함한다. 화소 정의막(260)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소 정의막(260)은 포토 레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등의 재료를 포함할 수 있다.
유기 발광층(270)은 화소 전극(250) 및 화소 정의막(260) 상에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 유기 발광층(270)은 화소 전극(250) 중 화소 정의막(260)의 개구부를 통해 노출되는 영역 상에 배치될 수 있다. 유기 발광층(270)은 일 실시예로, 화소 정의막(260)의 측벽의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
유기 발광층(270)은 일 실시예로 적색, 청색 및 녹색 중 하나의 색을 발광할 수 있다. 다른 실시예로, 유기 발광층(270)은 백색을 발광하거나, 또는 시안(cyan), 마젠타(magenta) 및 옐로우(yellow) 중 하나의 색을 발광할 수도 있다. 유기 발광층(270)이 백색을 발광하는 경우, 유기 발광층(270)은 백색 발광 재료를 포함하거나, 또는 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 형태를 가짐으로써 백색을 발광할 수도 있다.
공통 전극(280)은 유기 발광층(270) 및 화소 정의막(260) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 유기 발광층(270) 및 화소 정의막(260) 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 Li. Ca, Lif/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 공통 전극(280)은 일함수가 낮은 재료로 이루어질 수 있다. 공통 전극(280)은 일 실시예로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
전술한, 화소 전극(250), 유기 발광층(270) 및 공통 전극(280)은 유기 발광 소자(OLED)를 구성할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 유기 발광 소자(OLED)는 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 등을 더 포함하는 다층 구조일 수 있다.
제2 기판(290)은 셀 실(CS)을 통해 제1 기판(100)과 결합될 수 있다. 셀 실(CS)에 대해서는 뒤에서 자세히 설명하기로 한다.
제2 기판(290)은 일 실시예로 투명 절연 기판일 수 있다. 제2 기판(290)이 투명 절연 기판인 경우, 투명 절연 기판은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등일 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 셀 실(CS)에 대해 설명하기로 한다.
셀 실(CS)은 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 결합시킬 수 있다. 셀 실(CS)은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 또한 셀 실(CS)은 표시 영역(DA)의 외주를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라 표시 영역(DA)은 제1 기판(100), 제2 기판(290) 및 셀 실(CS)에 의해 밀봉될 수 있다.
셀 실(CS)은 표시 영역(DA)을 밀폐시키는 기능을 하는 것으로, 이를 위해 평면 상에서 닫힌 도형 형상(closed shape)을 가질 수 있다.
도 1은 셀 실(CS)이 중공부를 갖는 액자 형상을 갖는 것을 예시하지만, 셀 실(CS)이 갖는 닫힌 도형 형상(closed shape)이 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서 셀 실(CS)은 접합 필라멘트(BF)로 이루어질 수 있다. 이어서 도 3을 참조하여, 접합 필라멘트(BF)를 포함하는 비표시 영역(NDA)의 적층 구조에 대해 설명하기로 한다.
제1 기판(100) 상에는 적어도 하나의 절연막이 배치될 수 있다. 일 실시예에서 절연막은 제1 절연막(ILD1), 제2 절연막(ILD2) 및 제3 절연막(ILD3)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 제1 절연막(ILD1)은 표시 영역(DA)의 버퍼층(210)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉 제1 절연막(ILD1)과 버퍼층(210)은 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 절연막(ILD1)과 버퍼층(210)의 제조 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서 제2 절연막(ILD2)은 표시 영역(DA)의 제1 절연층(220)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제2 절연막(ILD2)과 제1 절연층(220)은 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에서 제3 절연막(ILD3)은 표시 영역(DA)의 제2 절연층(230)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제3 절연막(ILD3)과 제2 절연층(230)은 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
도 3은 비표시 영역(NDA)에 세 개 층의 절연막이 형성되는 경우를 도시하고 있지만, 절연막의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 실시예에서 비표시 영역(NDA) 상에는 제1 절연막(ILD1), 제2 절연막(ILD2) 및 제3 절연막(ILD3) 중 선택된 하나 이상의 절연막이 형성될 수 있다.
접합 필라멘트(BF)는 제1 기판(100)과 제2 기판(290) 사이에 배치될 수 있다. 접합 필라멘트(BF)는 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 직접 연결할 수 있다. 다시 말하면, 접합 필라멘트(BP)는 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 물리적으로 연결할 수 있다.
일 실시예에서 제1 기판(100) 및/또는 제2 기판(290)은 유리로 이루어질 수 있다.
이 경우, 접합 필라멘트(BF)는 제1 기판(100) 및/또는 제2 기판(290)을 이루는 유리와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF)의 폭(w1)은 100㎛ 이상 200㎛이하일 수 있다. 접합 필라멘트(BF)의 폭(w1)은 기존의 프릿을 포함하는 실링 부재가 차지하는 폭에 비해 현저히 작다. 따라서 프릿을 접합 필라멘트(BF)로 대체하는 경우, 비표시 영역(NDA)의 면적을 줄일 수 있으며, 이에 따라 내로우 베젤을 갖는 표시 장치를 구현할 수 있다.
접합 필라멘트(BF)는 단면 상에서 z축과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF)는 중심부(C)와 주변부(P)를 포함할 수 있다.
주변부(P)는 중심부(C)를 감싸도록 배치될 수 있다. 즉, 도 4에서 도시된 바와 같이 평면 상에서 중심부(C)의 양측에는 주변부(P)가 배치될 수 있다.
주변부(P)와 중심부(C)는 서로 다른 온도에서 용융된 후 굳어질 수 있다. 이에 따라 주변부(P)와 중심부(C)는 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 이 결과 주변부(P)와 중심부(C)는 평면 상에서 도 4와 같이 시인될 수 있다. 즉, 공정 온도 차이에 의해 주변부(P)와 중심부(C)는 서로 다른 광학적 특징을 가지며, 이에 따라 주변부(P)와 중심부(C)는 서로 구별되어 시인될 수 있다.
일 실시예에서 중심부(C)의 폭(s1)은 20㎛이상 70㎛이하일 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF)의 두께(g)는 4㎛ 이상 20㎛ 이하일 수 있다. 일 실시예에서 제1 기판(100)과 제2 기판(290)의 쎌 갭(cell gap)은 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라 접합 필라멘트(BF)는 제1 기판(100)과 제2 기판(290)의 쎌 갭을 극복하고, 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결할 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF)는 절연막과 접촉할 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF)는 제1 기판(100)으로부터 성장하여 복수의 절연막을 관통할 수 있다. 즉, 접합 필라멘트(BF)는 제1 절연막(ILD1), 제2 절연막(ILD2) 및 제3 절연막(ILD3)을 관통할 수 있다.
이 경우, 접합 필라멘트(BF)의 측면은 복수의 절연막 중 적어도 하나와 접촉할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하기로 한다. 이하에서 설명하는 구성의 일부는 앞서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 구성과 실질적으로 동일할 수 있으며, 중복 설명을 피하기 위해 일부 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 다른 실시예에서 접합 필라멘트(BF)는 절연막과 이격될 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF)는 제1 절연막(ILD1), 제2 절연막(ILD2) 및 제3 절연막(ILD3)과 이격될 수 있다.
이는 후술하는 바와 같이 복수의 절연막을 제거하고, 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 제조 방법에 기인한 구조일 수 있다. 복수의 절연막은 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 과정에서 발생하는 열에 의해 손상될 수 있는데, 이와 같이 절연막과 접합 필라멘트(BF)가 이격되는 경우, 절연막이 접합 필라멘트(BF)에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치에서 접합 필라멘트(BF_R)는 상단(311), 하단(313) 및 중단(312)의 폭이 서로 상이할 수 있다.
일 실시예에서 접합 필라멘트(BF_R)는 상단(311), 하단(313) 및 중단(312)을 포함할 수 있다.
상단(311)은 접합 필라멘트(BF_R)가 제2 기판(290)과 연결되는 부분이며, 하단(313)은 접합 필라멘트(BF_R)가 제1 기판(100)과 연결되는 부분일 수 있다.
중단(312)은 상단(311)과 하단(313)의 사이에 배치될 수 있다. 중단(312)은 상단(311)과 하단(313) 사이에서 접합 필라멘트(BF_R)가 최대 폭을 갖는 부분일 수 있다.
일 실시예에서 중단(312)의 폭(w4)은 60㎛ 내지 200㎛일 수 있다.
상단(311)의 폭(w2)과 하단(313)의 폭(w3)은 중단(312)의 폭(w4)에 비해 작을 수 있다.
즉, 접합 필라멘트(BF_R)는 중앙에서 양 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서 상단(311)의 폭(w2)은 하단(313)의 폭(w3)보다 클 수 있다. 이는 후술하는 제조 방법에서 레이저의 초점과 인접한 부분의 폭이 초점에서 멀리 떨어진 부분의 폭보다 상대적으로 작은 것에 기인할 수 있다.
즉, 이와 같은 폭 차이는 하단(313)과 인접한 제1 기판(100) 내부에 레이저의 초점이 배치되어 접합 필라멘트(BF_R)를 형성하는 방법에 기인할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에서 접합 필라멘트는 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 내측 접합 필라멘트(BF_I)를 포함할 수 있다.
내측 접합 필라멘트(BF_I)는 하단이 표시 영역(DA)과 상대적으로 가까운 접합 필라멘트를 의미하고, 외측 접합 필라멘트(BF_O)는 하단이 표시 영역(DA)과 상대적으로 먼 접합 필라멘트를 의미할 수 있다.
일 실시예에서 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 내측 접합 필라멘트(BF_I)는 서로 이격될 수 있다.
외측 접합 필라멘트(BF_O)는 중심부(CO)와 주변부(PO)를 포함할 수 있다. 내측 접합 필라멘트(BF_I)도 이와 마찬가지로 중심부(CI)와 주변부(PI)를 포함할 수 있다.
외측 접합 필라멘트(BF_O) 및 내측 접합 필라멘트(BF_I)는 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 접합 필라멘트와 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 중심부(CO)와 주변부(PO) 및 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 중심부(CI)와 주변부(PI)는 앞서 도 3 및 도 4 등에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에서 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 내측 접합 필라멘트(BF_I)는
나란한 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 내측 접합 필라멘트(BF_I)는 z축과 나란한 방향으로 평행하게 연장될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 다른 표시 장치의 단면도이다. 도 8을 참조하면, 일 실시예에서 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 내측 접합 필라멘트(BF_I)는 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다.
구체적으로, 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 주변부(PO)와 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 주변부(PI)가 서로 중첩되어 중첩 영역(OA)을 형성할 수 있다.
중첩 영역(OA)은 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 주변부(PO) 및 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 주변부(PI)와 광학적 특징이 상이할 수 있다. 예컨대, 중첩 영역(OA)의 굴절률은 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 주변부(PO) 및 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 주변부(PI)의 굴절률과 상이할 수 있다. 이에 따라 중첩 영역(OA)은 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 주변부(PO) 및 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 주변부(PI)와 구별되어 시인될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에서 외측 접합 필라멘트(BF_O) 및 내측 접합 필라멘트(BF_I)중 어느 하나는 일정 각도 기울어져 연장될 수 있다.
도 9는 내측 접합 필라멘트(BF_I)가 기울어진 경우를 예시한다. 이는 후술하는 제조 방법에서 설명하는 바와 같이 펨토초 레이저를 일정 각도 기울여 조사하는 것에 기인할 수 있다.
내측 접합 필라멘트(BF_I)는 z축과 일정한 각도(예컨대, 예각)를 이루며 기울어질 수 있다. 내측 접합 필라멘트(BF_I)가 기울어지면, 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 상단은 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 하단에 비해 상대적으로 외측에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 상단은 하단에 비해 상대적으로 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 가깝게 배치될 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 일 실시예에서 내측 접합 필라멘트(BF_I)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)는 서로 교차하도록 연장될 수 있다.
이 경우, 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 중심부(CI)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 중심부(CO)가 서로 교차하여 중첩될 수 있다.
또한, 이에 따라 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 주변부(PI)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 주변부(PO)도 서로 교차하여 중첩될 수 있다.
내측 접합 필라멘트(BF_I)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)는 서로 교차하여 단면 상에서 "X"자 형상을 이룰 수 있다. 즉 내측 접합 필라멘트(BF_I)의 상단은 외측 접합 필라멘트(BF_O)의 상단의 외측에 배치될 수 있다.
내측 접합 필라멘트(BF_I)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)는 서로 교차하는 부분에서 중첩 영역(OA1)이 형성될 수 있다.
중첩 영역(OA1)은 내측 접합 필라멘트(BF_I) 및 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 상이한 광학적 특성(예컨대, 굴절률)을 가질 수 있다. 이에 따라 중첩 영역(OA1)은 내측 접합 필라멘트(BF_I) 및 외측 접합 필라멘트(BF_O)와 구별되어 시인될 수 있다.
내측 접합 필라멘트(BF_I)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)는 서로 교차하는 경우, 제1 기판(100)과 제2 기판(290)이 더욱 견고하게 결합될 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다. 도 11을 참조하면, 다른 실시예에서 셀 실(CS1)은 서로 교차하는 제1 접합 필라멘트(BF1), 제2 접합 필라멘트(BF2), 제3 접합 필라멘트(BF_3) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)를 포함할 수 있다.
설명의 편의를 위해 비표시 영역(NDA)을 구분하여 지칭하기로 한다.
비표시 영역(NDA)은 도 11에서 표시 영역(DA)의 상측에 배치되는 상측 비표시 영역(NDA_T), 표시 영역(DA)의 하측에 배치되는 하측 비표시 영역(NDA_B), 표시 영역(DA)의 좌측에 배치되는 좌측 비표시 영역(NDA_L) 및 표시 영역(DA)의 우측에 배치되는 우측 비표시 영역(NDA_R)을 포함할 수 있다.
하측 비표시 영역(NDA)에는 앞서 설명한 바와 같이 구동 집적 회로(130) 및 복수의 도전 라인(160)이 형성될 수 있다.
또한, 비표시 영역(NDA)은 네 개의 코너부에 배치되는 제1 코너 비표시 영역(NDA_C1), 제2 코너 비표시 영역(NDA_C2), 제3 코너 비표시 영역(NDA_C3) 및 제4 코너 비표시 영역(NDA_C4)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 제1 접합 필라멘트(BF1)와 제3 접합 필라멘트(BF3)는 x축과 나란한 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 평면 상에서 제1 접합 필라멘트(BF1) 제3 접합 필라멘트(BF3)는 x축과 나란한 방향으로 연장된 바(bar) 형상을 가질 수 있다.
제1 접합 필라멘트(BF1)는 제1 코너 비표시 영역(NDA_C1), 상측 비표시 영역(NDA_T) 및 제2 코너 비표시 영역(NDA_C2)에 걸쳐 배치되고, 제3 접합 필라멘트(BF3)는 제3 코너 비표시 영역(NDA_C3), 하측 비표시 영역(NDA_B) 및 제4 코너 비표시 영역(NDA_C4)에 걸쳐 배치될 수 있다.
일 실시예에서 제2 접합 필라멘트(BF2) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)는 y축과 나란한 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 평면 상에서 제2 접합 필라멘트(BF2)와 제4 접합 필라멘트(BF4)는 y축과 나란한 방향으로 연장된 바(bar) 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서 제2 접합 필라멘트(BF2)는 제2 코너 비표시 영역(NDA_C2), 우측 비표시 영역(NDA_R) 및 제3 코너 비표시 영역(NDA_C3)에 걸쳐 배치되고, 제4 접합 필라멘트(BF_4)는 제4 코너 비표시 영역(NDA_C4), 좌측 비표시 영역(NDA_L) 및 제1 코너 비표시 영역(NDA_C1)에 걸쳐 배치될 수 있다.
일 실시예에서 셀 실(CS1)은 제1 접합 필라멘트(BF1)와 제4 접합 필라멘트(BF4)가 교차하여 형성하는 제1 교차부(410), 제1 접합 필라멘트(BF1)와 제2 접합 필라멘트(BF2)가 교차하여 형성하는 제2 교차부(420), 제2 접합 필라멘트(BF2)와 제3 접합 필라멘트(BF3)가 교차하여 형성하는 제3 교차부(430), 제3 접합 필라멘트(BF3)와 제4 접합 필라멘트(BF4)가 교차하여 형성하는 제4 교차부(440)를 포함할 수 있다.
제1 교차부(410)는 제1 코너 비표시 영역(NDA_C1)에 배치되고, 제2 교차부(420)는 제2 코너 비표시 영역(NDA_C2)에 배치되고, 제3 교차부(430)는 제3 코너 비표시 영역(NDA_C3)에 배치되고, 제4 교차부(440)는 제4 코너 비표시 영역(NDA_C4)에 형성될 수 있다.
제1 교차부(410), 제2 교차부(420), 제3 교차부(430) 및 제4 교차부(440)는 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 따라서, 이하에서는 제1 교차부(410)에 대해 설명하기로 한다. 제1 교차부(410)에 대한 설명은 제2 교차부(420), 제3 교차부(430) 및 제4 교차부(440)에도 그대로 적용될 수 있다.
제1 교차부(410)의 폭(c1)은 제1 접합 필라멘트(BF1)의 폭(f1) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)의 폭(f1)보다 클 수 있다. 즉, 제1 교차부(410)에서 제1 접합 필라멘트(BF1) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)는 서로 교차하며 확장될 수 있다.
평면 상에서 제1 교차부(410)의 외주는 적어도 부분적으로 곡선을 포함할 수 있다.
제1 접합 필라멘트(BF1)의 일단과 제4 접합 필라멘트(BF4)의 일단은 제1 교차부(410)로부터 일정 간격 돌출될 수 있다. 제1 접합 필라멘트(BF1) 일단의 돌출 방향과 제4 접합 필라멘트(BF4)의 일단의 돌출 방향은 서로 상이할 수 있다. 일 실시예에서 제1 접합 필라멘트(BF1)의 일단은 x축과 나란한 방향으로 연장되고, 제4 접합 필라멘트(BF1)의 일단은 y축과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.
이와 같은 돌출 양상은 제2 교차부(420), 제3 교차부(430) 및 제4 교차부(440)에서도 동일할 수 있다. 이에 따라, 셀 실(CS1)은 평면 상에서 "#" 형상을 가질 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다. 도 13은 도 12의 Ⅲ-Ⅲ'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 14는 도 12의 Ⅳ-Ⅳ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 다른 실시예에서 셀 실(CS2)은 접합 필라멘트(BF5)와 프릿 실(SLP)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 프릿 실(SLP)은 표시 영역(DA)과 구동 집적 회로(130) 사이에 배치될 수 있다. 프릿 실(SLP)은 복수의 프릿(frit)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 프릿 실(SLP)은 복수의 프릿(frit)을 녹여 형성한 결과물일 수 있다.
프릿 실(SLP)은 x축과 나란한 방향으로 연장될 수 있다. 구체적으로 프릿 실(SLP)은 제4 코너 비표시 영역(NDA_C4), 하측 비표시 영역(NDA_B) 및 제3 코너 비표시 영역(NDA_C3)에 걸쳐 배치될 수 있다.
프릿 실(SLP)은 도전 라인(160)을 가로지를 수 있다. 즉, 프릿 실(SLP)은 도전 라인(160)과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다.
프릿 실(SLP)의 양단은 접합 필라멘트(BF5)와 연결될 수 있다. 일 실시예에서 프릿 실(SLP)과 접합 필라멘트(BF5)는 제3 코너 비표시 영역(NDA_C3) 및 제4 코너 비표시 영역(NDA_C4)에서 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 실시예에서 프릿 실(SLP)과 접합 필라멘트(BF5)는 하측 비표시 영역(NDA_B)에서 접촉할 수도 있다.
프릿 실(SLP)과 접합 필라멘트(BF5)가 폐곡선을 이룸으로써, 표시 영역(DA)을 밀봉할 수 있다. 즉, 도 14에 도시된 바와 같이 접합 필라멘트(BF5)의 일측은 프릿 실(SLP)과 접촉할 수 있다.
도 12는 접합 필라멘트(BF5)가 연속적으로 형성되는 것을 예시하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 접합 필라멘트(BF5)는 도 11에 도시된 바와 같이 일 방향으로 연장되는 복수의 접합 필라멘트를 포함할 수도 있다. 각각의 접합 필라멘트는 단속적으로 형성되어 서로 연결될 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 표시 장치는 도 11의 실시예에서 제3 접합 필라멘트(BF3)를 프릿 실(SLP)로 대체한 구조를 가질 수 있다.
도 13을 참조하면, 프릿 실(SLP)은 절연막 상에 배치될 수 있다. 도 13은 프릿 실(SLP)이 제1 절연막(ILD1), 제2 절연막(ILD2) 및 제3 절연막(ILD3)과 중첩되는 것을 예시한다. 그러나, 이는 예시적인 것으로, 프릿 실(SLP)이 중첩하는 절연막의 수가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 프릿 실(SLP)은 적어도 하나의 절연막과 중첩되도로 배치될 수 있다.
프릿 실(SLP)은 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 결합하는 역할을 할 수 있다.
접합 필라멘트를 형성하는 공정 온도는 프릿 실을 형성하는 공정 온도에 비해 상대적으로 높다. 즉, 도전 라인이 있는 곳에 접합 필라멘트를 형성하면 높은 온도에 의해 도전 라인이 손상될 위험이 있다. 이와 같이 도전 라인과 중첩되는 곳은 프릿 실을 이용하고, 나머지 부분에서 접합 필라멘트를 이용하는 경우, 내로우 베젤을 구현하면서도, 도전 라인이 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. 이하에서 설명하는 구성의 일부는 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성과 동일할 수 있으며, 중복 설명을 피하기 위해 일부 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 서로 대향하는 제1 기판(100) 및 제2 기판(290)을 포함하는 셀(CE)을 포함하는 원장 패널(OS)을 실링하는 단계, 셀(CE)을 실링하는 셀 실(CS)을 형성하는 단계를 포함하되, 셀 실(CS)을 형성하는 단계는 레이저를 조사하여 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결하는 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저 원장 패널(OS)은 대향하는 상부 기판(도시하지 않음)과 하부 기판(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 즉 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 제1 기판(100)은 원장 패널(OS) 하부 기판의 일부이고, 제2 기판(290)은 원장 패널(OS) 상부 기판의 일부일 수 있다.
원장 패널(OS)은 복수의 셀(CE)을 포함할 수 있다. 하나의 셀(CE)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치를 이룰 수 있다.
복수의 셀(CE)은 복수의 열과 복수의 행을 갖는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
복수의 셀(CE) 외곽에는 원장 패널(OS)의 테두리를 따라 실링 부재(S1)가 배치될 수 있다. 즉, 실링 부재(S1)를 경화시킴으로써, 원장 패널(OS)을 실링할 수 있다. 원장 패널(OS)이 실링되면, 복수의 셀(CE)은 밀봉되며 이에 따라 외부로부터 산소나 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 16을 참조하면, 셀(CE)을 실링하는 셀 실(CS)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다.
셀 실(CS)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
셀 실(CS)을 형성하는 단계는 제1 서브 레이저(L1)를 조사하여 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결하는 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 17 내지 도 18을 참조하여 제1 서브 레이저(L1)를 조사하여 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결하는 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 단계에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 17을 참조하면, 일 실시예에서 제1 서브 레이저(L1)를 조사하는 단계는 제1 서브 레이저(L1)를 연속적으로 조사하여 닫힌 도형 형상의 셀 실(CS)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서 제1 서브 레이저(L1)는 펨토초 레이저일 수 있다. 본 명세서에서 펨토초 레이저라 함은 펄스 폭이 200 펨토초 이상 500 펨토초 이하인 레이저를 의미할 수 있다.
일 실시예에서 제1 서브 레이저(L1)는 레이저는 연속적으로 조사될 수 있다. 즉, 도 17에 도시된 바와 같이 제1 서브 레이저(L1)의 조사는 시작점(SP)에서 시작하여 표시 영역(DA)의 외주를 따라 진행되어 시작점(SP)에서 끝날 수 있다.(① 화살표 참조) 이에 따라 닫힌 도형 형상을 갖는 셀 실(CS)이 형성될 수 있다. 셀 실(CS)의 형상은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 동일할 수 있다.
도 18을 참조하면, 제1 서브 레이저(L1)는 제2 기판(290) 상부에서 제1 기판(100)을 향해 조사될 수 있다. 제1 서브 레이저(L1)의 초점(F1)은 제1 기판(100)의 내부에 설정될 수 있다.
설명의 편의를 위해 초점 깊이(depth of focus)의 기준을 설정하기로 한다. 제1 기판(100)의 상면은 초점 깊이가 ?0"인 지점으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 기판(100) 내부에서 제1 기판(100) 상면으로부터 거리가 z인 지점의 초점 깊이를 -z로 정의하기로 한다.
일 실시예에서 제1 서브 레이저(L1)의 초점 깊이는 -100㎛ 이상 0 미만일 수 있다.
제1 서브 레이저(L1)의 초점 깊이가 -100㎛ 이상 0 미만인 경우, 제1 서브 레이저(L1)가 조사되면, 제1 초점(F1)을 중심으로 고에너지가 제공될 수 있다. 제공된 에너지는 제1 기판(100) 및 제2 기판(290)을 플라즈마화할 수 있다. 플라즈마화된 제1 기판(100) 및 제2 기판(290)의 일부는 용융되어 성장할 수 있다. 즉, 제2 기판(290)의 일부는 용융되어 z축 음의 방향으로 성장하고, 제1 기판(100)의 일부는 z축 양의 방향으로 성장하여 서로 만날 수 있다. 즉 양자가 서로 만나 접합 필라멘트(BF)의 중심부(C)를 형성할 수 있다. (도 3 참조)
플라즈마화된 중심부(C)의 주위에는 열이 발생하며 이 열은 중심부(C)의 주위를 용융시킬 수 있다. 이에 따라, 중심부(C)를 둘러싸도록 접합 필라멘트(BF) 주변부(P)가 형성될 수 있다. 접합 필라멘트(BF)의 주변부(P)도 중심부(C)와 마찬가지로 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결할 수 있다.
다만, 주변부(P)와 중심부(C)의 용융 온도가 상이하므로, 양자의 광학적 특성은 상이할 수 있다. 예컨대, 주변부(P)와 중심부(C)의 굴절율은 서로 상이하며, 이에 따라 주변부(P)와 중심부(C)가 서로 구별되어 시인될 수 있다.
형성된 접합 필라멘트(BF)의 구체적 형상은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 19를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판(100) 상에 형성된 절연막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서 제1 서브 레이저(L1)를 조사하는 단계 전에 제1 기판(100) 상에 형성된 절연막을 적어도 부분적으로 제거하는 단계가 진행될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 제1 서브 레이저(L1)는 고온을 유발하며 이에 따라 제1 초점(F1) 근처에 있는 구성에 열 데미지를 가할 수 있다. 따라서, 도 19와 같이 제1 기판(100) 상에 형성된 절연막(ILD1, ILD2, ILD3)의 일부를 제거하여 이를 방지할 수 있다.
이 경우, 제1 초점(F1)은 제1 기판(100) 상에 형성된 절연막과 중첩되지 않을 수 있다.
절연막을 제거하고 제1 서브 레이저(L1)를 조사하는 경우, 절연막이 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 20을 참조하면, 레이저를 조사하여 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결하는 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 단계는 제2 기판(290) 상부에서 제1 기판(100)으로 제1 서브 레이저(L1)를 조사하는 단계 및 제1 기판(100) 하부에서 제2 기판(290)으로 제2 서브 레이저(L2)를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 서브 레이저(L1)는 앞서 도 19에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
제2 서브 레이저(L2)는 제2 서브 레이저 소스(SO2)로부터 제공될 수 있다.
제2 서브 레이저(L1)는 제1 서브 레이저(L1)와 동일한 펨토초 레이저일 수 있다.
제2 서브 레이저(L1)는 제1 기판(100)의 하부에서 제2 기판(290)을 향해 조사될 수 있다. 즉, 제2 서브 레이저(L1)의 제2 초점(F2)은 제2 기판(290) 내부에 설정될 수 있다.
설명의 편의를 위해 초점 깊이(depth of focus)의 기준을 설정하기로 한다. 제2 기판(290)의 상면은 초점 깊이가 ?0"인 지점으로 정의될 수 있다. 또한, 제2 기판(290) 내부에서 제2 기판(290) 하면으로부터 거리가 z인 지점의 초점 깊이를 +z로 정의하기로 한다.
일 실시예에서 제2 서브 레이저(L2)의 초점 깊이는 0 초과 100㎛ 미만일 수 있다.
제2 서브 레이저(L2)의 초점 깊이가 0 초과 100㎛ 미만인 경우, 제2 서브 레이저(L2)가 조사되면, 제2 초점(F2)을 중심으로 고에너지가 제공될 수 있다. 제공된 에너지는 제1 기판(100) 및 제2 기판(290)을 플라즈마화할 수 있다. 플라즈마화된 제1 기판(100) 및 제2 기판(290)의 일부는 용융되어 성장할 수 있다. 즉, 제2 기판(290)의 일부는 용융되어 z축 음의 방향으로 성장하고, 제1 기판(100)의 일부는 z축 양의 방향으로 성장하여 서로 만날 수 있다. 즉 양자가 서로 만나 접합 필라멘트(BF)의 중심부(C)를 형성할 수 있다. (도 3 참조)
플라즈마화된 중심부(C)의 주위에는 열이 발생하며 이 열은 중심부(C)의 주위를 용융시킬 수 있다. 이에 따라, 중심부(C)를 둘러싸도록 접합 필라멘트(BF) 주변부(P)가 형성될 수 있다. 접합 필라멘트(BF)의 주변부(P)도 중심부(C)와 마찬가지로 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결할 수 있다.
다만, 주변부(P)와 중심부(C)의 용융 온도가 상이하므로, 양자의 광학적 특성은 상이할 수 있다. 예컨대, 주변부(P)와 중심부(C)의 굴절율은 서로 상이하며, 이에 따라 주변부(P)와 중심부(C)가 서로 구별되어 시인될 수 있다.
제1 초점(F1)은 제2 초점(F2)에 비해 상대적으로 내측에 형성될 수 있다.
이에 따라, 제1 서브 레이저(L1)에 의해 외측 접합 필라멘트(BF_O)가 형성되고, 제2 서브 레이저(L2)에 의해 내측 접합 필라멘트(BF_I)가 형성될 수 있다.
일 실시예에서 제1 서브 레이저 소스(SO1)와 제2 서브 레이저 소스(SO2)는 서로 별개로서 독립적으로 구동될 수 있다.
다른 실시예에서 제1 서브 레이저 소스(SO1)와 제2 서브 레이저 소스(SO2)는 하나의 레이저 소스를 빔 스플리터(도시하지 않음)을 이용해 분리하여 형성할 수 있다. 즉, 레이저 소스에 의해 제공된 하나의 레이저가 빔 스플리터에 의해 분리되어 제1 서브 레이저(L1) 및 제2 서브 레이저(L2)를 이룰 수도 있다.
도 20의 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 결과물은 앞서 도 7에서 설명한 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다.
다른 실시예에서 제1 초점(F1)과 제2 초점(F2)을 서로 근접시킬 수 있다. 제1 초점(F1)과 제2 초점(F2)을 서로 근접시키는 경우, 도 8에서 설명한 바와 같이 내측 접합 필라멘트(BF_I)와 외측 접합 필라멘트(BF_O)가 서로 중첩하여 중첩 영역(OA)을 형성할 수 있다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21을 참조하면, 제1 서브 레이저(L1) 및/또는 제2 서브 레이저(L2)는 일정 각도 기울여 조사될 수 있다.
도 21은 제2 서브 레이저(L2)를 z축 방향으로부터 제1각(θ1) 기울여 조사하는 경우를 예시한다. 제1각(θ1)은 예컨대, 예각일 수 있다.
도 21의 실시예의 결과물은 도 9에서 설명한 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다. 도 22를 참조하면, 일 실시예에서 레이저를 조사하여 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결하는 접합 필라멘트(BF)를 형성하는 단계는 레이저를 단속적으로 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서 도 17에서와 달리 레이저는 단속적으로 형성할 수 있다.
이에 따라 형성되는 접합 필라멘트는 복수이며 복수의 접합 필라멘트는 도 17에 도시된 바와 같이 제1 접합 필라멘트(BF1), 제2 접합 필라멘트(BF2), 제3 접합 필라멘트(BF3) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)를 포함할 수 있다.
먼저, 레이저를 x축과 나란한 방향으로 조사하여 제1 접합 필라멘트(BF1) 및 제3 접합 필라멘트(BF3)를 형성할 수 있다. (② 및 ④ 화살표 참조)
제1 접합 필라멘트(BF1) 및 제3 접합 필라멘트(BF3)의 형성은 두 개의 레이저 소스를 가동하여 동시에 수행되거나, 하나의 레이저 소스를 가동하여 순차적으로 수행될 수 있다.
이어서, 레이저를 y축과 나란한 방향으로 조사하여 제2 접합 필라멘트(BF2) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)를 형성할 수 있다. (③ 및 ⑤ 화살표 참조)
제2 접합 필라멘트(BF2) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)의 형성은 두 개의 레이저 소스를 가동하여 동시에 수행되거나, 하나의 레이저 소스를 가동하여 순차적으로 수행될 수 있다.
설명의 편의를 위해 제1 접합 필라멘트(BF1) 및 제3 접합 필라멘트(BF3)를 먼저 형성하고, 제2 접합 필라멘트(BF2) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)를 나중에 형성하는 것으로 예시하였으나, 순서가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 실시예에서 제2 접합 필라멘트(BF2) 및 제4 접합 필라멘트(BF4)를 먼저 형성하고, 제1 접합 필라멘트(BF1) 및 제3 접합 필라멘트(BF3)를 나중에 형성할 수도 있다.
x축 방향과 나란한 방향으로 조사되는 레이저의 경로와 y축 방향과 나란한 방향으로 조사되는 레이저의 경로는 서로 부분적으로 교차할 수 있다. 이에 따라 그 결과물인 각각의 접합 필라멘트는 인접하는 접합 필라민트와 교차할 수 있다. 이에 따라 도 11에서 설명한 바와 같이 제1 교차부(410) 내지 제4 교차부(440)가 형성될 수 있다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 배치도이다.
도 23을 참조하면, 일 실시예에서 셀(CE)을 실링하는 셀 실(CS)을 형성하는 단계는 프릿 실(SLP)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이를 위해 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 셀(CE) 에 프릿을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 프릿을 형성하는 단계는 복수의 셀(CE)을 포함하는 원장 패널(OS)을 실링하는 단계 이전에 진행될 수 있다.
프릿은 표시 영역(DA)과 구동 집적 회로(130) 사이에 형성될 수 있다. 즉, 프릿은 표시 영역(DA)과 구동 집적 회로(130) 사이에 배치되는 복수의 도전 라인(160)을 가로지르도록 형성될 수 있다.
이어서, 프릿을 경화시켜 프릿 실(SLP)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 프릿의 경화는 펨토초 레이저가 아닌 일반 레이저 조사에 의하거나, 적외선 조사에 의해 이루어질 수 있다.
이어서, 레이저를 조사하여 제1 기판(100)과 제2 기판(290)을 연결하는 접합 필라멘트(BF5)를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 접합 필라멘트(BF)는 제1 서브 레이저(L1)를 도 23에 도시된 바와 같이 조사함으로써, 형성할 수 있다.
즉, 프릿 실(SLP)의 일단을 시작점으로 레이저를 조사하여 표시 영역(DA)을 외주를 따라 진행하다가 프릿 실(SLP)의 타단에서 레이저 조사를 멈출 수 있다. (⑥ 화살표 참조)
이에 의해 프릿 실(SLP)과 접합 필라멘트(BF5)를 포함하는 셀 실(CS)은 평면 상에서 닫힌 도형 형상을 가질 수 있다.
이의 결과물은 앞서 도 12에서 형성한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에서 프릿 실(SLP)을 형성하는 단계와 접합 필라멘트(BF5)를 형성하는 단계의 순서는 바뀔 수 있다. 즉, 프릿의 일단과 타단을 잇는 접합 필라멘트(BF5)를 먼저 형성하고, 이어서 프릿을 경화시킬 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 제1 기판;
NDA: 비표시 영역
DA: 표시 영역
130: 구동 집적 회로
160: 도전 라인
BF: 접합 필라멘트
290: 제2 기판
NDA: 비표시 영역
DA: 표시 영역
130: 구동 집적 회로
160: 도전 라인
BF: 접합 필라멘트
290: 제2 기판
Claims (24)
- 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역이 정의되는 제1 기판;
상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및
상기 비표시 영역에 배치되는 셀 실을 포함하되,
상기 셀 실은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 포함하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 유리를 포함하고, 상기 접합 필라멘트는 상기 제1 기판 및 제2 기판과 동일한 물질로 이루어지는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 접합 필라멘트의 폭은 100㎛ 이상 200㎛이하인 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 접합 필라멘트는 중심부 및 상기 중심부를 감싸는 주변부를 포함하는 표시 장치. - 제4항에 있어서,
상기 중심부의 폭은 20㎛이상 70㎛이하인 표시 장치. - 제4항에 있어서,
상기 중심부와 상기 주변부는 굴절률이 상이한 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 접합 필라멘트 중단의 폭은 상기 접합 필라멘트 상단의 폭 및 상기 접합 필라멘트 하단의 폭보다 큰 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 접합 필라멘트는 내측 접합 필라멘트와 외측 접합 필라멘트를 포함하는 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 내측 접합 필라멘트와 상기 외측 접합 필라멘트는 부분적으로 중첩되어 중첩 영역을 형성하는 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 중첩 영역과 상기 내측 접합 필라멘트는 굴절률이 상이한 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 내측 접합 필라멘트 및 상기 외측 접합 필라멘트 중 선택된 어느 하나 이상은 일정 각도 기울어져 연장되는 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 내측 접합 필라멘트와 상기 외측 접합 필라멘트는 서로 교차하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 접합 필라멘트는 x축과 나란한 방향으로 연장되는 제1 접합 필라멘트, y축과 나란한 방향으로 연장되는 제2 접합 필라멘트 및 상기 제1 접합 필라멘트와 상기 제2 접합 필라멘트가 교차하는 교차부를 포함하는 표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 제1 교차부의 폭은 상기 제1 접합 필라멘트 및 상기 제2 접합 필라멘트 보다 큰 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 제1 접합 필라멘트의 일단은 상기 교차부로부터 상기 x축과 나란한 방향으로 돌출 형성되고, 상기 제2 접합 필라멘트의 일단은 상기 교차부로부터 상기 y축과 나란한 방향으로 돌출 형성되는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 셀 실은 상기 접합 필라멘트와 연결되는 프릿 실을 더 포함하는 표시 장치. - 제16항에 있어서,
상기 비표시 영역에 배치되는 구동 집적 회로 및 상기 구동 집적 회로와 상기 표시 영역을 연결하는 복수의 도전 라인을 포함하고, 상기 프릿 실은 상기 도전 라인과 중첩되는 표시 장치. - 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는 셀을 포함하는 원장 패널을 실링하는 단계; 및
상기 셀을 실링하는 셀 실을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 셀 실을 형성하는 단계는 레이저를 조사하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 레이저는 상기 제2 기판에서 상기 제1 기판을 향해 조사되는 제1 서브 레이저를 포함하고, 상기 제1 서브 레이저의 제1 초점은 상기 제1 기판 내부에 설정되며, 상기 제1 서브 레이저의 초점 깊이는 -100㎛ 이상 0 미만인 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 레이저는 상기 제1 기판에서 상기 제2 기판을 향해 조사되는 제2 서브 레이저를 더 포함하고, 상기 제2 서브 레이저의 제2 초점은 상기 제2 기판 내부에 설정되며, 상기 제2 서브 레이저의 초점 깊이는 0 초과 100㎛ 미만인 표시 장치의 제조 방법. - 제20항에 있어서,
상기 제1 서브 레이저 및 상기 제2 서브 레이저 중 선택된 어느 하나는 일정 각도 기울어져 조사되는 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 제1 기판 상에 배치되는 절연막을 제거하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
레이저를 조사하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 연결하는 접합 필라멘트를 형성하는 단계는 상기 레이저를 제1 방향으로 조사하여 제1 접합 필라멘트를 형성하는 단계 및 상기 레이저를 제2 방향으로 조사하여 제2 접합 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 접합 필라멘트와 상기 제2 접합 필라멘트는 서로 교차하여 교차부를 형성하는 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 셀에 프릿을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 셀 실을 형성하는 단계는 상기 프릿을 경화시켜 프릿 실을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 프릿 실과 상기 접합 필라멘트는 서로 연결되는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170152075A KR102587002B1 (ko) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US16/136,532 US10741630B2 (en) | 2017-11-15 | 2018-09-20 | Display device having a reduced cell seal area and method of manufacturing display device |
JP2018194547A JP7248406B2 (ja) | 2017-11-15 | 2018-10-15 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
CN202311132303.4A CN117082946A (zh) | 2017-11-15 | 2018-11-14 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
EP18206130.9A EP3486963B1 (en) | 2017-11-15 | 2018-11-14 | Display device and method of manufacturing display device |
CN201811350686.1A CN109786584B (zh) | 2017-11-15 | 2018-11-14 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
US16/923,159 US11075259B2 (en) | 2017-11-15 | 2020-07-08 | Display device having reduced cell seal area and method of manufacturing display device |
US17/363,283 US11469292B2 (en) | 2017-11-15 | 2021-06-30 | Display device with reduced cell area and method of manufacturing display device |
US17/900,865 US11800760B2 (en) | 2017-11-15 | 2022-08-31 | Display device having reduced occupied cell seal and realized narrow bezel structure |
US18/374,581 US12096668B2 (en) | 2017-11-15 | 2023-09-28 | Display device and method of manufacturing display device |
KR1020230131870A KR20230144509A (ko) | 2017-11-15 | 2023-10-04 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170152075A KR102587002B1 (ko) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230131870A Division KR20230144509A (ko) | 2017-11-15 | 2023-10-04 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190055860A true KR20190055860A (ko) | 2019-05-24 |
KR102587002B1 KR102587002B1 (ko) | 2023-10-10 |
Family
ID=64331671
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170152075A KR102587002B1 (ko) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR1020230131870A KR20230144509A (ko) | 2017-11-15 | 2023-10-04 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230131870A KR20230144509A (ko) | 2017-11-15 | 2023-10-04 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10741630B2 (ko) |
EP (1) | EP3486963B1 (ko) |
JP (1) | JP7248406B2 (ko) |
KR (2) | KR102587002B1 (ko) |
CN (2) | CN109786584B (ko) |
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2017
- 2017-11-15 KR KR1020170152075A patent/KR102587002B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-09-20 US US16/136,532 patent/US10741630B2/en active Active
- 2018-10-15 JP JP2018194547A patent/JP7248406B2/ja active Active
- 2018-11-14 CN CN201811350686.1A patent/CN109786584B/zh active Active
- 2018-11-14 EP EP18206130.9A patent/EP3486963B1/en active Active
- 2018-11-14 CN CN202311132303.4A patent/CN117082946A/zh active Pending
-
2020
- 2020-07-08 US US16/923,159 patent/US11075259B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-30 US US17/363,283 patent/US11469292B2/en active Active
-
2022
- 2022-08-31 US US17/900,865 patent/US11800760B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-28 US US18/374,581 patent/US12096668B2/en active Active
- 2023-10-04 KR KR1020230131870A patent/KR20230144509A/ko active Application Filing
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---|---|
CN117082946A (zh) | 2023-11-17 |
US20200335574A1 (en) | 2020-10-22 |
US20220416003A1 (en) | 2022-12-29 |
JP2019091018A (ja) | 2019-06-13 |
EP3486963B1 (en) | 2022-10-19 |
US20190148475A1 (en) | 2019-05-16 |
JP7248406B2 (ja) | 2023-03-29 |
CN109786584B (zh) | 2023-09-26 |
US20210327999A1 (en) | 2021-10-21 |
US11800760B2 (en) | 2023-10-24 |
KR20230144509A (ko) | 2023-10-16 |
EP3486963A1 (en) | 2019-05-22 |
US10741630B2 (en) | 2020-08-11 |
KR102587002B1 (ko) | 2023-10-10 |
US11075259B2 (en) | 2021-07-27 |
CN109786584A (zh) | 2019-05-21 |
US11469292B2 (en) | 2022-10-11 |
US20240023395A1 (en) | 2024-01-18 |
US12096668B2 (en) | 2024-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |