KR20190046439A - Wafer chuck including heater pattern and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

Provided are a wafer chuck structure, including: a base plate having a mesa part protruding from a base body; a metal plate coupled to an upper surface of the mesa part and incorporating a heater pattern; and a ceramic plate coupled to the metal plate and incorporating an internal electrode to which a direct current power source is to be applied, and a manufacturing method thereof.

Description

히터 패턴을 내장한 웨이퍼 척 및 제조 방법{Wafer chuck including heater pattern and method of fabricating the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chuck having a heater pattern,

본 출원은 반도체 공정에서 웨이퍼(wafer)를 지지하고 히터 패턴(heater pattern)을 내장한 웨이퍼 척(wafer chuck) 및 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chuck supporting a wafer in a semiconductor process and incorporating a heater pattern and a manufacturing method thereof.

반도체 공정이 미세화 되고 고도화 되면서 공정 결과의 균일성(Uniformity)을 확보하는 것이 큰 이슈(issue)로 대두되고 있다. 반도체 공정의 어느 한 공정 단계(step)의 균일한 결과뿐만 아니라, 전체 공정 단계들의 전체적인 균일한 결과가 중요하지만, 모든 공정 단계들에서 만족할만한 수준의 공정 결과의 균일성을 확보하기는 어렵다. As the semiconductor process becomes finer and more sophisticated, securing the uniformity of process results is becoming a big issue. It is difficult to ensure a uniform level of process results at all process steps, although the uniform uniform results of all process steps as well as the uniform outcome of any one of the process steps of the semiconductor process are important.

반도체 전체 공정들 중 주요 공정일 수 있는 식각(etch) 공정에서 이전 공정 단계의 결과를 보완하여, 결과적으로 균일성을 확보하거나 조절(control)할 수 있는 방법이 요구되고 있다. 여러 공정 변수(parameter)들 중 공정 결과일 수 있는 식각율의 균일성(Etch Rate Uniformity) 또는 임계선폭의 균일성(CD Uniformity)에 큰 영향을 주는 웨이퍼의 온도 분포를 조절하고자 하는 시도되고 있다. There is a need for a method capable of ensuring uniformity or controlling the result of the previous process step in the etch process which may be the main process among the whole semiconductor processes. Attempts have been made to control the temperature distribution of the wafer which greatly affects the uniformity (Etch Rate Uniformity) or CD uniformity (CD Uniformity) of the process parameters among the various process parameters.

반도체 공정에서 웨이퍼는 정전척(ESC: Electro Static Chuck)과 같은 웨이퍼 척에 의해 지지될 수 있다. 정전척 구조는 웨이퍼 척킹(wafer chucking) 기능, 히팅(heating) 기능, 냉각(cooling) 기능, 알에프(RF) 방사 기능, 웨이퍼 바닥면(wafer bottom side)에 헬륨(He)을 제공하는 기능 또는/ 및 웨이퍼 리프트 업 다운(wafer lift up down) 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 정전척 구조는 정전척 하부와 상부에 각각 대기압 상태 및 진공 상태가 유지되도록 분리시키는 진공 실링 (vacuum sealing) 기능도 구비하도록 구성될 수 있다. In a semiconductor process, the wafer may be supported by a wafer chuck, such as an electrostatic chuck (ESC). The electrostatic chuck structure may include a wafer chucking function, a heating function, a cooling function, an RF emission function, a function of providing helium (He) to the wafer bottom side, and / And a wafer lift up down function. The electrostatic chuck structure may also be configured to have a vacuum sealing function for separating the upper and lower portions of the electrostatic chuck so as to maintain the atmospheric pressure state and the vacuum state, respectively.

정전척은 웨이퍼 지지 수단(wafer supporting assembly)으로 반도체 공정 챔버(chamber) 장비에 구비되고 있다. 웨이퍼의 온도 또는 웨이퍼 온도 균일성을 조절하기 위해서, 히터 패턴(heater pattern)을 정전척에 내장하고자 하는 기술이 제시되고 있다. The electrostatic chuck is provided in semiconductor processing chamber equipment as a wafer supporting assembly. In order to control the temperature of the wafer or uniformity of the wafer temperature, a technique of embedding a heater pattern in the electrostatic chuck is proposed.

본 출원은 정전척 구조에 히터 패턴을 내장한 웨이퍼 척 구조 및 이러한 구조를 제조하는 방법을 제시하고자 한다. This application proposes a wafer chuck structure having a heater pattern embedded in an electrostatic chuck structure and a method of manufacturing such a structure.

본 출원의 일 관점은, 베이스 바디(base body)로부터 돌출된 메사(mesa)부를 가지는 베이스 플레이트(base plate); 상기 메사부의 상측 표면에 결합되고 히터 패턴(heater pattern)을 내장한 금속 플레이트(metal plate); 및 상기 금속 플레이트에 결합되고 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate);를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck)을 제시한다. One aspect of the present application includes a base plate having a mesa portion protruding from a base body; A metal plate coupled to an upper surface of the mesa portion and having a heater pattern embedded therein; And a ceramic plate coupled to the metal plate and including an internal electrode to which a DC power source is to be applied.

본 출원의 일 관점은, 히터 패턴(heater pattern)을 내장한 금속 플레이트(metal plate)를 제작하는 단계; 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate)를 제작하는 단계; 베이스 바디(base body)로부터 돌출된 메사(mesa)부를 가지는 베이스 플레이트(base plate)의 상기 메사부의 상측 표면에 상기 금속 플레이트를 결합하는 단계; 및 상기 금속 플레이트에 상기 세라믹 플레이트를 결합하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법을 제시한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal plate, the method comprising: fabricating a metal plate having a heater pattern therein; Fabricating a ceramic plate having internal electrodes to which DC power is to be applied; Coupling the metal plate to an upper surface of the mesa portion of a base plate having a mesa portion protruding from a base body; And bonding the ceramic plate to the metal plate. The present invention also provides a method of manufacturing a wafer chuck.

본 출원의 일 관점은, 베이스 바디(base body)로부터 돌출된 제1메사(mesa)부 및 상기 제1메사부로부터 돌출된 제2메사부를 가지는 베이스 플레이트(base plate); 상기 제2메사부의 상측 표면에 결합된 히터 패턴(heater pattern); 상기 히터 패턴을 덮도록 상기 제2메사부에 결합된 커버 플레이트(cover plate); 및 상기 커버 플레이트에 결합되고 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate);를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck)을 제시한다. One aspect of the present application includes a base plate having a first mesa portion protruding from a base body and a second mesa portion protruding from the first mesa portion; A heater pattern coupled to an upper surface of the second mesa portion; A cover plate coupled to the second mesa to cover the heater pattern; And a ceramic plate coupled to the cover plate and including an internal electrode to which a direct current power is to be applied.

본 출원의 일 관점은, 베이스 바디(base body)로부터 돌출된 제1메사(mesa)부 및 상기 제1메사부로부터 돌출된 제2메사부를 가지는 베이스 플레이트(base plate)의 상기 제1메사부의 상측 표면에 히터 패턴(heater pattern)을 결합하는 단계; 상기 히터 패턴을 덮도록 상기 제2메사부에 커버 플레이트(cover plate)를 결합하는 단계; 및 상기 커버 플레이트에 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate)를 결합하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법을 제시한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a base plate having a first mesa portion protruding from a base body and a second mesa portion protruding from the first mesa portion, Combining a heater pattern on the surface; Coupling a cover plate to the second mesa to cover the heater pattern; And a ceramic plate having an internal electrode to which DC power is to be applied to the cover plate. The present invention also provides a method of manufacturing a wafer chuck.

본 출원의 실시예들에 따르면, 정전척 구조에 히터 패턴을 내장한 웨이퍼 척 구조 및 이를 제조하는 방법을 제시할 수 있다. According to embodiments of the present application, a wafer chuck structure having a heater pattern embedded in an electrostatic chuck structure and a method of manufacturing the wafer chuck structure can be presented.

도 1은 일 예에 따른 웨이퍼 공정 챔버(process chamber) 장비를 보여주는 도면이다.
도 2는 일 예에 따른 웨이퍼 척(wafer chuck)을 보여주는 단면도이다.
도 3는 일 예에 따른 웨이퍼 척의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 4는 일 예에 따른 웨이퍼 척의 히터 패턴의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 일 예에 따른 웨이퍼 척을 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 8 내지 도 10은 일 예에 따른 웨이퍼 척의 구조를 보여주는 도면들이다.
도 11 및 도 12은 일 에에 따른 웨이퍼 척을 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다. 1 is a view showing a wafer process chamber equipment according to an example.
2 is a cross-sectional view showing a wafer chuck according to an example.
3 is a cross-sectional view showing the structure of a wafer chuck according to an example.
4 is a cross-sectional view showing the structure of a heater pattern of a wafer chuck according to an example.
5 to 7 are sectional views showing a method of manufacturing a wafer chuck according to an example.
8 to 10 are views showing a structure of a wafer chuck according to an example.
Figs. 11 and 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a wafer chuck in accordance with one embodiment.

본 출원의 예의 기재에서 사용하는 용어들은 제시된 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 기술 분야에서의 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 사용된 용어의 의미는 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우 정의된 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석될 수 있다. 본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2", "상부(top)"및 "하부(bottom or lower)"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다.The terms used in describing the example of the present application are selected in consideration of the functions in the illustrated embodiments, and the meaning of the terms may be changed according to the intentions or customs of the user, the operator in the technical field, and so on. The meaning of the term used is in accordance with the defined definition when specifically defined in this specification and can be interpreted in a sense generally recognized by those skilled in the art without specific definition. In the description of the examples of the present application, a substrate such as "first" and "second", "top" and "bottom" It is not meant to be used to mean.

명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다. 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다. Like reference characters throughout the specification may refer to the same elements. The same reference numerals or similar reference numerals can be described with reference to other drawings, even if they are not mentioned or described in the drawings. Further, even if the reference numerals are not shown, they can be described with reference to other drawings.

도 1은 일 예에 따른 웨이퍼 공정 챔버(chamber) 장비(1)를 보여주는 도면이다. 1 is a view showing a wafer processing chamber equipment 1 according to an example.

도 1을 참조하면, 일 예에 따른 공정 챔버 장비(1)는 웨이퍼(10)에 반도체 공정을 수행하도록 구성될 수 있다. 공정 챔버 장비(10)는 예컨대 식각 공정을 웨이퍼(10)에 수행하도록 구성될 수 있다. 공정 챔버 장비(1)는 챔버 하우징(chamber housing: 20) 내에 웨이퍼 척(30)과 같은 지지 어셈블리를 구비할 수 있다. 웨이퍼 척(30)은 정전척(ESC) 구조를 포함할 수 있다. 웨이퍼 척(30)은 그 상에 장착되는 웨이퍼(10)를 지지하고, 공정 중에 웨이퍼(10)를 핸들링(handling)하는 서셉터(susceptor)일 수 있다. 웨이퍼 척(30)은 웨이퍼(10)를 직접적으로 지지하는 수단으로서 웨이퍼 지지 플레이트(plate: 31)를 구비하고, 웨이퍼 지지 플레이트(31)가 설치되는 베이스 플레이트(base plate: 33)를 구비할 수 있다. 웨이퍼 척(30)은 챔버 하우징(20)의 바닥 부분에 구비될 수 있다.Referring to FIG. 1, a process chamber apparatus 1 according to one example may be configured to perform a semiconductor process on a wafer 10. The process chamber apparatus 10 may be configured to perform, for example, an etching process on the wafer 10. The process chamber apparatus 1 may include a support assembly, such as a wafer chuck 30, in a chamber housing 20. The wafer chuck 30 may include an electrostatic chuck (ESC) structure. The wafer chuck 30 may be a susceptor that supports the wafer 10 mounted thereon and handles the wafer 10 during processing. The wafer chuck 30 can be provided with a wafer support plate 31 as means for directly supporting the wafer 10 and can have a base plate 33 on which the wafer support plate 31 is mounted have. The wafer chuck 30 may be provided at the bottom portion of the chamber housing 20. [

챔버 하우징(20)을 닫아 밀폐하는 하우징 리드(lid: 40)가 챔버 하우징(20)의 입구를 차단하여 가리게 구비될 수 있다. 하우징 리드(40)에는 챔버 하우징(20) 내부 공간에 플라즈마(plasma: 21)와 같은 공정 매개물을 제공하기 위한 플라스마 소스 코일(plasma source coil: 50)이 구비될 수 있다. 플라즈마 소스 코일(50)에 알에프파워(Radio Frequency Power)가 인가되고, 플라즈마 소스 코일(50)에 의해 여기되는 전자기장의 변화에 의해 플라즈마(21)가 챔버 하우징(20) 내에 여기될 수 있다. 챔버 하우징(20)의 내부 공간과 하우징 리드(40) 사이에는 유전 물질의 플레이트(plate) 형태의 윈도(window: 60)가 구비되어, 전자기장의 변화가 챔버 하우징(20) 내부 공간으로 전파되도록 유도할 수 있다. 윈도(60)는 챔버 하우징(20) 내부 공간을 진공 실링(vacuum sealing)하고, 또한, 내부 공간으로 알에프 파워를 전달하는 역할을 할 수 있다. A housing lead (lid) 40 for closing and sealing the chamber housing 20 may be provided so as to block the entrance of the chamber housing 20 to cover the chamber. The housing lid 40 may be provided with a plasma source coil 50 for providing a processing medium such as a plasma 21 in a space inside the chamber housing 20. [ The RF power is applied to the plasma source coil 50 and the plasma 21 can be excited into the chamber housing 20 by the change of the electromagnetic field excited by the plasma source coil 50. [ A window 60 in the form of a plate of dielectric material is provided between the inner space of the chamber housing 20 and the housing lid 40 to induce a change in the electromagnetic field to propagate to the inner space of the chamber housing 20. [ can do. The window 60 may serve to vacuum seal the inner space of the chamber housing 20 and to transfer the RF power to the inner space.

플라즈마(21)는 웨이퍼(10)에 식각 공정을 수행하는 매개물로 사용될 수 있다. 플라즈마 소스 코일(50)은 플라즈마 여기 수단으로 구비될 수 있다. 플라즈마 소스 코일(50)은 본 출원인과 동일한 출원인에 의해 출원된 한국 등록특허 10-1308687 호(2013년 9월 9일자 등록/ 균일한 플라즈마 밀도를 위한 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 챔버)에서 제시된 바와 같은 코일 형태로 구성될 수 있다. 베이스 플레이트(33)에는 바이어스(bias)를 인가할 바이어스 알에프 소스(bias RF source: 70)가 결합되어, 식각 공정 중에 플라즈마(21)에 바이어스를 인가할 수 있다. Plasma 21 may be used as an intermediary in performing the etching process on the wafer 10. The plasma source coil 50 may be provided as a plasma excitation means. The plasma source coil 50 may be a plasma source as disclosed in Korean Patent No. 10-1308687 (Registered September 9, 2013, Plasma Source for Uniform Plasma Density and Plasma Chamber Using the same) filed by the same applicant as the present applicant Coil shape. A bias RF source 70 for applying a bias may be coupled to the base plate 33 to apply a bias to the plasma 21 during the etching process.

웨이퍼(10)에 균일한 온도 분포를 인가하거나 또는 웨이퍼(10)의 국부적 영역 별로 서로 다른 온도의 존(zone)들을 유도하기 위해서, 웨이퍼 척(30)은 다수의 히팅 존(muti heating zone)을 제공할 수 있는 히터 패턴 (heater pattern)을 구비할 수 있다. 이후에 다시 설명하지만, 히터 패턴은 적어도 2 이상의 히팅 존들을 제공하도록 적어도 2 이상의 히팅 세그먼트(heating segment)들의 조합을 포함할 수 있다. 히터 패턴은 웨이퍼 척(30)의 지지 플레이트(31)에 결합될 수 있다. 각각의 히팅 세그먼트들을 상호 독립적으로 히팅 동작을 수행하도록 구비될 수 있어, 웨이퍼(10)의 국부적 영역들에 각각 서로 다른 온도 존들을 유도할 수 있다. In order to apply a uniform temperature distribution to the wafer 10 or to induce zones of different temperatures for each local region of the wafer 10, the wafer chuck 30 has a plurality of muting zones A heater pattern may be provided. As will be described below again, the heater pattern may comprise a combination of at least two heating segments to provide at least two heating zones. The heater pattern can be coupled to the support plate 31 of the wafer chuck 30. Each of the heating segments may be provided to perform a heating operation independently of each other, thereby deriving different temperature zones in the local regions of the wafer 10, respectively.

웨이퍼(10)의 서로 다른 국부 영역들 각각에 서로 다른 온도들이 각각 인가되도록 유도할 경우, 각각의 국부 영역들에 서로 다른 공정 환경이 인가되도록 유도할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 국부 영역들에서 서로 다른 공정 결과, 예컨대, 임계선폭(CD)들이 분포되도록 유도할 있다. 또한, 웨이퍼(10)의 국부 영역들에서 서로 다른 공정 결과를 유도하여, 이전 공정 단계에서 국부 영역별로 차이가 나는 공정 결과들을 보상하도록 유도할 수 있다. 또한, 웨이퍼(10)의 국부 영역들이 히팅되는 정도를 상호 독립적으로 달리하여, 웨이퍼(10)의 전체 영역에 인가되는 온도 분포가 보다 균일하게 유도할 수도 있다. 웨이퍼(10)의 각각의 국부 영역들에 인가되는 온도 분포를 임의로 조절할 수 있으므로, 웨이퍼(10)의 국부 영역들마다 서로 다른 공정 환경을 유도하는 것이 가능하다. When inducing different temperatures to be applied to each of the different local regions of the wafer 10, it is possible to induce a different process environment to be applied to each of the local regions. Thus, different process outcomes, e.g., critical line widths (CD), can be induced in the local regions of the wafer 10. It is also possible to derive different process results in the local regions of the wafer 10 and to induce compensation for process results that differ from one local region to another in a previous process step. In addition, the degree to which the local regions of the wafer 10 are heated may be different from each other independently, so that the temperature distribution applied to the entire region of the wafer 10 may be derived more uniformly. It is possible to arbitrarily adjust the temperature distribution applied to the respective local regions of the wafer 10 so that it is possible to derive a different process environment for each local region of the wafer 10. [

도 2는 일 예에 따른 웨이퍼 척(30)의 구조를 보여주는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing the structure of the wafer chuck 30 according to an example.

도 2를 참조하면, 공정 챔버 장비(도 1의 1)에 설치되는 웨이퍼 척(30)은 기본적으로 정전척(ESC) 구조를 적용하여 구성될 수 있다. 웨이퍼 척(30)은 베이스 플레이트(base plate: 33) 상에 ESC 척킹을 수행하는 웨이퍼 지지 플레이트(31)가 적층된 구조를 구비할 수 있다. 베이스 플레이트(33)는 금속 재질, 예컨대, 알루미늄(Al) 재질로 이루어진 베이스 바디(base body: 331) 및 돌출된 메사부(mesa portion: 335)을 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the wafer chuck 30 installed in the process chamber equipment (1 in FIG. 1) may be basically constructed by applying an electrostatic chuck (ESC) structure. The wafer chuck 30 may have a structure in which a wafer support plate 31 for performing ESC chucking is stacked on a base plate 33. [ The base plate 33 may include a base body 331 made of a metal material such as aluminum and a protruded mesa portion 335.

베이스 바디(331)로부터 메사부(335)가 상대적으로 좁은 폭을 가지며 돌출된 구조로 베이스 플레이트(33)가 구비될 수 있다. 베이스 바디(331)와 메사부(335) 측면에는 계단 형상(336)이 이루어질 수 있다. 메사부(335)는 실질적으로 웨이퍼 지지 플레이트(31)를 지지하는 부분일 수 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(31)는 메사부(335)의 상측 표면(335T)에 결합(bonding)될 수 있다. 베이스 플레이트(33)의 메사부(335)는 평면에서 볼 때 원형 평판 형상으로 상측 표면(335T)을 제공하도록 구성될 수 있다. The base plate 33 may be provided with the mesa portion 335 protruding from the base body 331 with a relatively narrow width. A stepped shape 336 may be formed on the side surface of the base body 331 and the mesa portion 335. The mesa 335 may be a portion that substantially supports the wafer support plate 31. The wafer support plate 31 may be bonded to the upper surface 335T of the mesa 335. [ The mesa portion 335 of the base plate 33 may be configured to provide an upper surface 335T in a circular plate shape when viewed in plan view.

베이스 바디(331) 내에 웨이퍼 척(30)을 냉각하기 위한 냉각 유로(coolant path: 333)가 구비될 수 있다. 베이스 바디(331)는 냉각 유로(333)를 내장한 냉각 블록(cooling block) 부분으로 구비될 수 있다. 베이스 바디(331)로부터 일체로 연장된 형상으로 구비되는 메사부(335)에는 냉각 유로(333)가 연장되지 않을 수 있다. A coolant path 333 for cooling the wafer chuck 30 may be provided in the base body 331. The base body 331 may be provided as a cooling block portion having a cooling passage 333 therein. The cooling passage 333 may not extend to the mesa portion 335 which is integrally extended from the base body 331. [

베이스 플레이트(33)에는 바이어스 알에프 소스(도 1의 70)가 결합되어 바이어스 RF가 인가될 수 있다. 바이어스 알에프 소스(70)는 RF 발생기 및 임피던스 매칭 시스템(RF generator & impedance matching system)을 포함하여 구비될 수 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(31)의 주위에는 도시되지는 않았으나 석영(quartz) 또는 세라믹, 실리콘카바이드(SiC) 물질로 이루어진 에지 링(edge ring)이 구비될 수 있다. 베이스 플레이트(33)는 캐소드(cathode)로 구성될 수 있다. 베이스 플레이트(33)과 챔버 하우징(도 1의 20) 내부와의 절연을 위해서, 캐소드(cathode)로 구비된 베이스 플레이트(33) 주위에는, 도시되지는 않았으나, 캐소드 절연부(cathode insulator)가 구비될 수 있다. A bias RF source 70 (FIG. 1) may be coupled to the base plate 33 to apply a bias RF. The bias RF source 70 may comprise an RF generator and an impedance matching system. An edge ring made of quartz or ceramic or silicon carbide (SiC) material may be provided around the wafer support plate 31, though not shown. The base plate 33 may be constituted by a cathode. A cathode insulator (not shown) is provided around the base plate 33 provided as a cathode for insulation between the base plate 33 and the inside of the chamber housing 20 .

웨이퍼 지지 플레이트(31)는 히터 패턴(520)을 내장한 금속 플레이트(metal plate: 320)와 금속 플레이트(320) 상에 위치하는 세라믹 플레이트(ceramic plate: 310)를 포함하여 구성될 수 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(31)는 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다. 금속 플레이트(320)와 세라믹 플레이트(310) 또한 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다. 금속 플레이트(320)는 세라믹 플레이트(310)와 실질적으로 동일한 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 금속 플레이트(320)의 측면(320S)는 세라믹 플레이트(310)의 측면(310S)에 정렬될 수 있다. 금속 플레이트(320)는 베이스 플레이트(33)의 메사부(335)의 상측 표면(335T)에 블레이징(blazing) 용접에 의해서 결합될 수 있다. 금속 플레이트(320)에 세라믹 플레이트(310)가 블레이징 용접에 의해서 결합될 수 있다. The wafer support plate 31 may include a metal plate 320 having the heater pattern 520 therein and a ceramic plate 310 disposed on the metal plate 320. The wafer support plate 31 may have a circular plate shape. The metal plate 320 and the ceramic plate 310 may also have a circular plate shape. The metal plate 320 may have substantially the same diameter or width as the ceramic plate 310. The side surface 320S of the metal plate 320 can be aligned with the side surface 310S of the ceramic plate 310. [ The metal plate 320 may be joined to the upper surface 335T of the mesa 335 of the base plate 33 by blazing welding. The ceramic plate 310 may be joined to the metal plate 320 by blazing welding.

세라믹 플레이트(310)는 ESC 척킹을 위한 내부 전극(410)을 내장할 수 있다. 내부 전극(410)에 직류 전원(DC)이 인가되어, 세라믹 플레이트(310)의 상측 표면(310T)에 웨이퍼(10)를 척킹(chucking)하는 정전기력이 세라믹 플레이트(310) 상측 표면(310T) 상에 유도될 수 있다. 세라믹 플레이트(310)는 다양한 세라믹 재질 또는 유전 물질의 층을 포함하여 구성될 수 있다. 금속 플레이트(320)에 히터 패턴(520)이 내장될 수 있다. 금속 플레이트(320)는 다양한 금속 재질, 예컨대, 알루미늄(Al) 재질의 층을 포함할 수 있다. 금속 플레이트(320)를 이루는 금속 재질은 세라믹 재질에 비해 열전도도가 높아, 히터 패턴(520)에서 발열된 열을 보다 신속하게 세라믹 플레이트(310) 및 웨이퍼(10)로 전달하는 데 유효하게 기여할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 온도 또는 온도 분포를 조절하는 데 유효할 수 있다. 웨이퍼(10)를 가열하여 온도를 높여주는 요소로 히터 패턴(520)이 금속 플레이트(320) 내에 내장될 수 있다. 히터 패턴(520)은 다양한 패턴 형상을 가지도록 형성될 수 있다. The ceramic plate 310 may contain an internal electrode 410 for ESC chucking. A DC power source DC is applied to the internal electrode 410 and an electrostatic force for chucking the wafer 10 on the upper surface 310T of the ceramic plate 310 is applied to the upper surface 310T of the ceramic plate 310 Lt; / RTI > The ceramic plate 310 may comprise a variety of ceramic materials or layers of dielectric material. The heater pattern 520 may be embedded in the metal plate 320. The metal plate 320 may comprise a variety of metal materials, for example, a layer of aluminum (Al). The metal material constituting the metal plate 320 has a higher thermal conductivity than the ceramic material and can contribute effectively to transfer the heat generated from the heater pattern 520 to the ceramic plate 310 and the wafer 10 more quickly have. Thus, it can be effective to adjust the temperature or temperature distribution of the wafer 10. [ The heater pattern 520 may be embedded in the metal plate 320 by heating the wafer 10 to raise the temperature. The heater pattern 520 may be formed to have various pattern shapes.

히터 패턴(520)을 내장한 금속 플레이트(320)를 제작하고, 이에 별도로 세라믹 플레이트(310)를 제작한 후, 금속 플레이트(320)에 세라믹 플레이트(310)를 블레이징 용접함으로써 웨이퍼 지지 플레이트(31)를 형성할 수 있다. 금속 플레이트(320)와 세라믹 플레이트(310)를 서로 분리하여 제작할 수 있으므로, 웨이퍼 지지 플레이트(31)를 구성하는 데 보다 용이할 수 있다. 금속 플레이트(320)는 웨이퍼(10)의 온도 및 웨이퍼(10)의 온도 균일성의 효율적인 제어를 위해서, 또한, 제작 상의 효율을 위해서 많아야 10㎜ 이하의 두께를 가지는 것이 유효하다. 금속 플레이트(320)는 대략 1㎜ 내지 10㎜의 두께를 가질 수 있다. 금속 플레이트(320)의 두께가 이 보다 더 두꺼울 경우, 열 전달에 상대적으로 불리하여 온도 조절이 어려워질 수 있다. 세라믹 플레이트(310)는 웨이퍼(10)의 온도 및 웨이퍼(10)의 온도 균일성의 효율적인 제어를 위해서, 0.3㎜ 내지 1㎜ 이하의 두께를 가지는 것이 유효하다. A ceramic plate 310 is fabricated and then a ceramic plate 310 is blazed and welded to the metal plate 320 to form a wafer support plate 31 ) Can be formed. Since the metal plate 320 and the ceramic plate 310 can be manufactured separately from each other, the wafer support plate 31 can be formed more easily. It is effective that the metal plate 320 has a thickness of not more than 10 mm at most for efficient control of the temperature of the wafer 10 and the temperature uniformity of the wafer 10 and also for the efficiency of fabrication. The metal plate 320 may have a thickness of approximately 1 mm to 10 mm. If the thickness of the metal plate 320 is larger than this, temperature control may be difficult due to the relative disadvantage of heat transfer. For effective control of the temperature of the wafer 10 and the temperature uniformity of the wafer 10, it is effective that the ceramic plate 310 has a thickness of 0.3 mm to 1 mm or less.

도 3는 일 예에 따른 웨이퍼 척(30-1)의 구조를 보여주는 단면도이다. 도 3에서 도 2에서와 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 의미할 수 있다. 3 is a sectional view showing the structure of the wafer chuck 30-1 according to an example. In Fig. 3, the same reference numerals as those in Fig. 2 may denote the same member.

도 2를 참조하면, 웨이퍼 척(30-1)의 온도를 센싱(sensing)하기 위한 온도 감지 센서(sensor: 611)가 웨이퍼 척(30-1)에 결합될 수 있다. 온도 감지 센서(611)는 열전대(thermocouple)을 포함하여 구비될 수 있다. 온도 감지 센서(611)는 히터 패턴(520)에 결합되도록 도입될 수 있다. 온도 감지 센서(611)가 삽입될 제1삽입홀(619)이 베이스 플레이트(33)을 관통하도록 구비될 수 있다. 제1삽입홀(619)은 히터 패턴(520)의 일부 영역을 노출하도록 연장될 수 있다. 히터 패턴(520)에 히팅 전원(heating power)를 인가하는 히팅 전원 연결선(621)이 웨이퍼 척(30-1)에 삽입될 수 있다. 히팅 전원 연결선(621)이 히터 패턴(520)에 연결되도록, 히팅 전원 연결선(621)이 삽입될 제2삽입홀(629)이 베이스 플레이트(33)을 관통하도록 구비될 수 있다. 제2삽입홀(629)은 히터 패턴(520)의 일부 영역을 노출하도록 연장될 수 있다. 내부 전극(410)에 직류 전원을 인가하는 직류 전원 연결선(631)이 웨이퍼 척(30-1)에 삽입될 수 있다. 직류 전원 연결선(631)이 내부 전극(410)에 연결되도록, 직류 전원 연결선(631)이 삽입될 제3삽입홀(639)이 베이스 플레이트(33)을 관통하도록 구비될 수 있다. 제3삽입홀(639)은 내부 전극(410)의 일부 영역을 노출하도록 연장될 수 있다.Referring to FIG. 2, a temperature sensor 611 for sensing the temperature of the wafer chuck 30-1 may be coupled to the wafer chuck 30-1. The temperature sensor 611 may include a thermocouple. The temperature sensing sensor 611 may be introduced to be coupled to the heater pattern 520. The first insertion hole 619 through which the temperature sensing sensor 611 is inserted may be provided so as to penetrate the base plate 33. The first insertion hole 619 may extend to expose a part of the area of the heater pattern 520. A heating power supply line 621 for applying a heating power to the heater pattern 520 may be inserted into the wafer chuck 30-1. The second insertion hole 629 through which the heating power supply connection line 621 is to be inserted may penetrate the base plate 33 so that the heating power supply line 621 is connected to the heater pattern 520. [ The second insertion hole 629 may be extended to expose a part of the area of the heater pattern 520. A DC power supply line 631 for applying DC power to the internal electrode 410 may be inserted into the wafer chuck 30-1. A third insertion hole 639 through which the DC power supply connection line 631 is inserted may penetrate the base plate 33 so that the DC power supply connection line 631 is connected to the internal electrode 410. The third insertion hole 639 may extend to expose a part of the internal electrode 410.

온도 감지 센서(610)에서 연결되어 감지된 온도 데이터(data)를 수집하고, 수집된 온도 데이터를 이용하여 히터 패턴(520)에 인가되는 히팅 파워를 제어하는 히팅 제어부(610)가 구비될 수 있다. 히티 제어부(610)는 히팅 전원 연결선(621)에 연결된 히터 전원부(620)를 제어하여 히터 패턴(520)의 동작을 제어할 수 있다. 내부 전극(410)에 직류 전원을 제공하는 ESC 전원부(630)가 직류 전원으로 직류 전원 연결선(631)에 연결될 수 있다. A heating control unit 610 may be provided for collecting temperature data sensed by the temperature sensing sensor 610 and controlling the heating power applied to the heater pattern 520 using the collected temperature data . The heater control unit 610 may control the heater power source unit 620 connected to the heating power source connection line 621 to control the operation of the heater pattern 520. An ESC power supply unit 630 for supplying DC power to the internal electrode 410 may be connected to the DC power supply line 631 as a DC power supply.

도 4는 도 2 및 도 3의 웨이퍼 척(30, 30-1)의 히터 패턴(520)의 구조를 보여주는 단면도이다. 4 is a sectional view showing the structure of the heater pattern 520 of the wafer chucks 30 and 30-1 of Figs. 2 and 3. Fig.

도 4를 참조하면, 금속 플레이트(도 3의 520)에 내장되는 히터 패턴(520)은 웨이퍼 척(도 2의 30 또는 도 3의 30-1)에 둘 이상의 멀티 존(multi zone)으로 온도 존을 형성하기 위해서 멀티 존 히터 패턴으로 구성될 수 있다. 예컨대, 히터 패턴(520)은 다수의 상호 독립적인 히팅 세그먼트(heating segment: 521, 523, 525)들을 포함하여 구비될 수 있다. 금속 플레이트(520)의 중심부에 위치하는 제1히팅 세그먼트(521)와 가장 자리 부분들에 각각 위치하는 제2 및 제3히팅 세그먼트(523, 525)들은 상호 간에 독립적으로 히팅 동작을 하도록 분리된 패턴으로 형성될 수 있다. 히팅 세그먼트들(521, 523, 525)에는 각각 서로 다른 히팅 파워가 인가되어, 서로 다른 온도 존들을 제공할 수 있다. 4, a heater pattern 520 embedded in a metal plate (520 in FIG. 3) is placed in a wafer chuck (30 in FIG. 2 or 30-1 in FIG. 3) in two or more multi- Zone heater pattern to form a multi-zone heater pattern. For example, the heater pattern 520 may comprise a plurality of mutually independent heating segments 521, 523, 525. The first heating segment 521 located at the center of the metal plate 520 and the second and third heating segments 523 and 525 located at the edge portions are separated from each other to perform a heating operation independently of each other As shown in FIG. Different heating powers may be applied to the heating segments 521, 523, and 525, respectively, to provide different temperature zones.

도 5 내지 도 7은 도 2의 웨이퍼 척(30)을 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다. 5 to 7 are sectional views showing a method of manufacturing the wafer chuck 30 of FIG.

도 5를 참조하면, 금속 플레이트(320)를 별도로 제조하기 위해서, 베이스 금속 플레이트(base metal plate: 321)에 히터 패턴(520)를 결합(bonding)한다. 이때, 히터 패턴(520)과 베이스 금속 플레이트(321) 사이에 열전도 물질(TIM: Thermal Interface Material)이 도입될 수도 있다. 베이스 금속 플레이트(321)에 커버 금속 플레이트(cover metal plate: 323)를 결합시켜, 커버 금속 플레이트(323)과 베이스 금속 플레이트(321) 상에 히터 패턴(520)이 결합된 금속 플레이트(320)를 형성한다. 커버 금속 플레이트(321)는 베이스 금속 플레이트(321)에 블레이징 용접될 수 있다. 이에 따라, 금속 플레이트(320)가 도 6에 제시된 것과 같이 제조될 수 있다. 베이스 금속 플레이트(321)은 세라믹 플레이트(310)와 실질적으로 동일한 원형 형태의 플레이트로 도입될 수 있다. 커버 금속 플레이트(323)는 세라믹 플레이트(310)와 실질적으로 동일한 원형 형태의 플레이트로 도입될 수 있다. Referring to FIG. 5, a heater pattern 520 is bonded to a base metal plate 321 to separately fabricate the metal plate 320. At this time, a thermal interface material (TIM) may be introduced between the heater pattern 520 and the base metal plate 321. A cover metal plate 323 is coupled to the base metal plate 321 so that the metal plate 320 having the heater pattern 520 coupled to the cover metal plate 323 and the base metal plate 321 . The cover metal plate 321 may be blazed welded to the base metal plate 321. Accordingly, the metal plate 320 can be manufactured as shown in Fig. The base metal plate 321 may be introduced into a plate of substantially the same shape as the ceramic plate 310. The cover metal plate 323 may be introduced into a plate of substantially the same shape as the ceramic plate 310.

도 7을 참조하면, 베이스 플레이트(33)의 상측 표면(335T)에 금속 플레이트(320)를 결합시킨다. 금속 플레이트(320)와 베이스 플레이트(33)는 블레이징 용접으로 체결될 수 있다. 내부 전극(410)이 내장된 세라믹 플레이트(310)를 별도로 제작한 후, 세라믹 플레이트(310)를 금속 플레이트(320)에 결합시킨다. 이에 따라, 웨이퍼 척(30)이 구성될 수 있다. Referring to FIG. 7, the metal plate 320 is coupled to the upper surface 335T of the base plate 33. The metal plate 320 and the base plate 33 can be fastened by blazing welding. After the ceramic plate 310 having the internal electrode 410 is separately formed, the ceramic plate 310 is bonded to the metal plate 320. Thus, the wafer chuck 30 can be constructed.

도 8은 일 예에 따른 웨이퍼 척(1030)의 구조를 보여주는 단면도이다. 도 9 및 도 10을 도 8의 "A" 부분을 확대 도시한 도면이다. 8 is a cross-sectional view showing the structure of the wafer chuck 1030 according to an example. Figs. 9 and 10 are enlarged views of the portion " A " in Fig.

도 8 및 도 9를 함께 참조하면, 공정 챔버 장비(도 1의 1)에 설치되는 웨이퍼 척(1030)은 기본적으로 정전척(ESC) 구조를 적용하여 구성될 수 있다. 웨이퍼 척(1030)은 베이스 플레이트(1033) 상에 ESC 척킹을 수행하는 웨이퍼 지지 플레이트(1031)가 적층된 구조를 구비할 수 있다. 베이스 플레이트(1033)는 금속 재질, 예컨대, 알루미늄(Al) 재질로 이루어진 베이스 바디(1331) 및 돌출된 제1메사부(1335), 제2메사부(1337)을 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIGS. 8 and 9, the wafer chuck 1030 installed in the process chamber equipment (1 in FIG. 1) may be basically configured by applying an electrostatic chuck (ESC) structure. The wafer chuck 1030 may have a structure in which a wafer support plate 1031 for performing ESC chucking is stacked on the base plate 1033. [ The base plate 1033 may include a base body 1331 made of a metal material such as aluminum and a protruding first mesa 1335 and a second mesa 1337.

제2메사부(1337)는 제1메사부(1335)의 폭보다 좁은 폭을 가지며, 가장자리 부분에 계단 형상의 단차(1337G)을 이루도록 제1메사부(1335)로부터 돌출될 수 있다. 제2메사부(1337)의 측면(1337S)은 제1메사부(1335)의 측면(1335S) 보다 중심쪽으로 리세스(recession)되도록 위치할 수 있다. 베이스 바디(1331)로부터 제1메사부(335)가 상대적으로 좁은 폭을 가지며 상측 방향으로 돌출된 구조로 베이스 플레이트(1033)가 구비될 수 있다. 베이스 바디(1331)와 제1메사부(1335) 측면에는 또 다른 계단 형상(1336)이 이루어질 수 있다. 제2메사부(1337)는 실질적으로 웨이퍼 지지 플레이트(1031)를 지지하는 부분일 수 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(1031)는 제2메사부(1337)의 상측 표면(1337T)에 결합(bonding)될 수 있다. 베이스 플레이트(1033)의 제2메사부(1337)는 평면에서 볼 때 원형 평판 형상으로 상측 표면(1337T)을 제공하도록 구성될 수 있다. The second mesa portion 1337 may have a width narrower than the width of the first mesa portion 1335 and protrude from the first mesa portion 1335 so as to form a stepped step 1337G at the edge portion. The side surface 1337S of the second mesa portion 1337 may be positioned to be recessed toward the center side of the side surface 1335S of the first mesa portion 1335. [ The base plate 1033 may be provided with a structure in which the first mesa portion 335 has a relatively narrow width from the base body 1331 and protrudes upward. Another stepped shape 1336 may be formed on the sides of the base body 1331 and the first mesa portion 1335. [ The second mesa 1337 may be a portion that substantially supports the wafer support plate 1031. The wafer support plate 1031 may be bonded to the upper surface 1337T of the second mesa portion 1337. [ The second mesa portion 1337 of the base plate 1033 may be configured to provide the upper surface 1337T in a circular plate shape when viewed in plan view.

베이스 바디(1331) 내에 웨이퍼 척(1030)을 냉각하기 위한 냉각 유로(1333)가 구비될 수 있다. 베이스 플레이트(1033)에는 바이어스 알에프 소스(도 1의 70)가 결합되어 바이어스 RF가 인가될 수 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(1031)는 히터 패턴(1520)를 덮는 커버 플레이트(cover plate: 1320)와 커버 플레이트(1320) 상에 위치하는 세라믹 플레이트(1310)를 포함하여 구성될 수 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(1031)는 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다. 커버 플레이트(1320)와 세라믹 플레이트(1310) 또한 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다. 히터 패턴(1520)은 도 4를 참조하여 설명한 것과 같이, 멀티 존 히터 패턴으로 구성될 수도 있다. A cooling passage 1333 for cooling the wafer chuck 1030 may be provided in the base body 1331. [ A bias RF source (70 in FIG. 1) may be coupled to the base plate 1033 to apply a bias RF. The wafer support plate 1031 may be configured to include a cover plate 1320 covering the heater pattern 1520 and a ceramic plate 1310 located on the cover plate 1320. [ The wafer support plate 1031 may have a circular plate shape. The cover plate 1320 and the ceramic plate 1310 may also have a circular plate shape. The heater pattern 1520 may be composed of a multi-zone heater pattern as described with reference to Fig.

커버 플레이트(1320)는 세라믹 플레이트(1310)와 보다 더 큰 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 커버 플레이트(1320)는 세라믹 플레이트(1310) 보다 대략 0.5㎜ 내지 5.0㎜ 큰 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 바람직하게는 웨이퍼(10)가 300㎜ 직경을 가질 때, 세라믹 플레이트(1310)는 웨이퍼(10) 직경보다 작은 대략 298㎜를 가질 수 있다. 커버 플레이트(1320)은 대략 300㎜ 직경을 가질 수 있다. 즉, 세라믹 플레이트(1310)는 커버 플레이트(1320)의 가장 자리 일부 부분(D1)을 노출하도록 설치될 수 있다. 커버 플레이트(1320)와 제2메사부(1337)의 상측 표면(1337T) 사이에 히터 패턴(1520)이 위치할 수 있다. 이때, 히터 패턴(1520)이 중첩(covering)되는 영역의 직경 또는 폭은 실질적으로 세라믹 플레이트(1310)의 폭 또는 직경 보다 작을 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 히터 패턴(1520)이 중첩(covering)되는 영역의 직경 또는 폭은 실질적으로 세라믹 플레이트(1310)의 폭 또는 직경과 동일하도록 설정할 수 있다. 히터 패턴(1520)은 이에 따라, 히터 패턴(1520)의 성능의 실질적인 극대화와 진공 실링(vacuum sealing) 기능의 안정화를 동시에 추구할 수 있다. The cover plate 1320 may have a larger diameter or width than the ceramic plate 1310. The cover plate 1320 may have a diameter or width greater than the ceramic plate 1310 by about 0.5 mm to 5.0 mm. Preferably, when the wafer 10 has a diameter of 300 mm, the ceramic plate 1310 may have approximately 298 mm smaller than the diameter of the wafer 10. The cover plate 1320 may have a diameter of approximately 300 mm. That is, the ceramic plate 1310 may be installed to expose a part of the edge portion D1 of the cover plate 1320. The heater pattern 1520 may be positioned between the cover plate 1320 and the upper surface 1337T of the second mesa portion 1337. [ At this time, the diameter or width of the area where the heater pattern 1520 is to be covered may be substantially smaller than the width or diameter of the ceramic plate 1310. Nevertheless, the diameter or width of the area over which the heater pattern 1520 is to be covered may be substantially set equal to the width or diameter of the ceramic plate 1310. Accordingly, the heater pattern 1520 can simultaneously seek the maximization of the performance of the heater pattern 1520 and the stabilization of the vacuum sealing function.

커버 플레이트(1320)는 히터 패턴(1520) 및 제2메사부(1337)를 상측에서 덮는 플레이트 형상의 평판 부분(1320P)과 가장자리의 단차 부분(1320R)을 포함하는 형태를 가질 수 있다. 단차 부분(1320R)은 제2메사부(1337)의 측면(1337S)를 덮도록 제1메사부(1335)를 향해 돌출된 형상으로 구비될 수 있다. 커버 플레이트(1320)의 단차 부분(1320R)의 끝단은 제2메사부(1337) 바깥으로 노출된 제1메사부(1335) 부분에 결합될 수 있다. 이에 따라, 커버 플레이트(1320)의 측면(1320S)에 제1메사부(1335)의 측면(1335S)은 평탄한 측면으로 이어지도록 정렬될 수 있다. The cover plate 1320 may have a shape including a plate-shaped flat plate portion 1320P and an edge stepped portion 1320R covering the heater pattern 1520 and the second mesa portion 1337 from above. The step portion 1320R may be formed to protrude toward the first mesa portion 1335 so as to cover the side surface 1337S of the second mesa portion 1337. [ The end of the stepped portion 1320R of the cover plate 1320 may be joined to the portion of the first mesa portion 1335 exposed outside the second mesa portion 1337. [ The side surface 1335S of the first mesa portion 1335 can be aligned on the flat side surface 1320S of the cover plate 1320. [

단차 부분(1320R)의 두께는 웨이퍼(도 1의 10)의 온도 및 온도 균일성을 효율적으로 제어하고, 제작 상의 효율성을 개선하기 위해서, 단차 부분(1320R)의 두께 D3는 평판 부분(1320P) 보다 두꺼운 두께를 가지도록 설정될 수 있다. 단차 부분(1320R)의 두께는 두꺼워야 15㎜ 이하로 설정될 수 있다. The thickness D3 of the stepped portion 1320R is greater than the thickness of the flat portion 1320P in order to efficiently control the temperature and temperature uniformity of the wafer (10 in Fig. 1) It can be set to have a thick thickness. The thickness of the stepped portion 1320R is thicker than 15 mm.

커버 플레이트(1320)의 단차 부분(1320R)이 제2메사부(1337)의 측면(1337S)을 덮도록, 커버 플레이트(1320)가 베이스 플레이트(1033)에 결합될 수 있다. 커버 플레이트(1320)의 평판 부분(1320P)에는 단차 부분(1320R)에 의해서 음각된 형상을 가질 수 있고, 이러한 음각된 형상 부분에 히터 패턴(1520)이 삽입되도록 커버 플레이트(1320)가 제2메사부(1337)에 블레이징 용접될 수 있다. 이에 따라, 안정적으로 커버 플레이트(1320)가 제2메사부(1337)에 결합되면서, 히터 패턴(1520)에 중첩되는 평판 부분(1320)의 두께 D2를 보다 얇게 유도하는 것이 가능하다. 이에 따라, 히터 패턴(1520)으로부터 웨이퍼(10)로의 열전달 효율을 개선하면서, 커버 플레이트(1320)와 제2메사부(1337)의 체결 구조를 안정적으로 구현할 수 있다. 커버 플레이트(1320)와 제2메사부(1337)의 체결 구조를 안정적으로 구현할 수 있어, 진공 실링 기능 또한 충실하게 구현할 수 있다. The cover plate 1320 can be coupled to the base plate 1033 so that the stepped portion 1320R of the cover plate 1320 covers the side surface 1337S of the second mesa portion 1337. [ The cover plate 1320 may have a shape engraved by the step portion 1320R on the flat plate portion 1320P and a cover plate 1320 may be formed on the second plate 1320 such that the heater pattern 1520 is inserted into the engraved portion. And can be blazed welded to the flange 1337. Accordingly, it is possible to induce the thickness D2 of the flat plate portion 1320, which overlaps the heater pattern 1520, to be thinner while the cover plate 1320 is stably coupled to the second mesa portion 1337. [ This makes it possible to stably implement the fastening structure of the cover plate 1320 and the second mesa portion 1337 while improving the heat transfer efficiency from the heater pattern 1520 to the wafer 10. [ The fastening structure of the cover plate 1320 and the second mesa portion 1337 can be stably realized and the vacuum sealing function can be faithfully realized.

세라믹 플레이트(1310)는 ESC 척킹을 위한 내부 전극(1410)을 내장할 수 있다. 내부 전극(1410)에 직류 전원(DC)이 인가되어, 세라믹 플레이트(1310)의 상측 표면(1310T)에 웨이퍼(10)를 척킹하는 정전기력이 세라믹 플레이트(1310) 상측 표면(1310T) 상에 유도될 수 있다. The ceramic plate 1310 may contain an internal electrode 1410 for ESC chucking. A DC power source DC is applied to the internal electrode 1410 so that an electrostatic force for chucking the wafer 10 on the upper surface 1310T of the ceramic plate 1310 is induced on the upper surface 1310T of the ceramic plate 1310 .

도 10을 참조하면, 세라믹 플레이트(1310)에 의해서 노출된 커버 플레이트(1320)의 노출 부분(1320E), 커버 플레이트(1320)의 노출된 측면(1320S) 그리고, 베이스 플레이트(1033)의 노출된 측면, 즉, 제1메사부(1335)의 노출된 측면(1335S) 및 베이스 바디(1331)의 노출된 측면(1331S)를 덮는 세라믹 코팅층(ceramic coating layer: 1380)을 웨이퍼 척(1030)은 구비할 수 있다. 세라믹 코팅층(1380)을 노출된 부분이 플라즈마(plasma)에 의해 손상(damage)되는 것을 막아주는 보호층으로 도입될 수 있다. 10, the exposed portion 1320E of the cover plate 1320 exposed by the ceramic plate 1310, the exposed side 1320S of the cover plate 1320, and the exposed side 1320B of the base plate 1033, The wafer chuck 1030 is provided with a ceramic coating layer 1380 covering the exposed side 1335S of the first mesa 1335 and the exposed side 1331S of the base body 1331 . The ceramic coating layer 1380 may be introduced into the protective layer to prevent the exposed portion from being damaged by the plasma.

세라믹 플레이트(1310)의 폭을 웨이퍼(10)의 폭보다 대략 2㎜ 정도 작게 하여, 웨이퍼(10)와 에지 링(1600)에 의해서, 세라믹 플레이트(1310)에 의해서 노출된 커버 플레이트(1320)의 노출 부분(1320E)이 플라즈마로부터 가려지도록 할 수도 있다. 바람직하게는 웨이퍼(10)가 300㎜ 직경을 가질 때, 세라믹 플레이트(1310)는 웨이퍼(10) 직경보다 작은 대략 298㎜를 가질 수 있다. 커버 플레이트(1320)은 대략 300㎜ 직경을 가질 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 가장 자리 부분이 커버 플레이트(1320)를 가려, 커버 플레이트(1320)에 대한 ESC 손상을 유효하게 최소화할 수 있다. 에지 링(1600)은 제1 및 제2메사부(1335, 1336), 세라믹 플레이트(1310), 커버 플레이트(1320)의 외측에 위치하도록 도입될 수 있다. The width of the ceramic plate 1310 is made smaller than the width of the wafer 10 by about 2 mm so that the edge of the cover plate 1320 exposed by the ceramic plate 1310 by the wafer 10 and the edge ring 1600 The exposed portion 1320E may be masked from the plasma. Preferably, when the wafer 10 has a diameter of 300 mm, the ceramic plate 1310 may have approximately 298 mm smaller than the diameter of the wafer 10. The cover plate 1320 may have a diameter of approximately 300 mm. Thus, the edge portion of the wafer 10 can cover the cover plate 1320, effectively minimizing the ESC damage to the cover plate 1320. The edge ring 1600 may be introduced to be located outside the first and second mesa portions 1335 and 1336, the ceramic plate 1310, and the cover plate 1320.

도 8을 다시 참조하면, 웨이퍼 척(1030)의 온도를 센싱하기 위한 온도 감지 센서(1611)가 웨이퍼 척(1030)에 결합될 수 있다. 온도 감지 센서(1611)가 삽입될 제1삽입홀(1619)이 베이스 플레이트(1033)을 관통하도록 구비될 수 있다. 제1삽입홀(1619)은 히터 패턴(1520)의 일부 영역을 노출하도록 연장될 수 있다. 히터 패턴(1520)에 히팅 전원(heating power)를 인가하는 히팅 전원 연결선(1621)이 웨이퍼 척(1030)에 삽입될 수 있다. 히팅 전원 연결선(1621)이 히터 패턴(1520)에 연결되도록, 히팅 전원 연결선(1621)이 삽입될 제2삽입홀(1629)이 베이스 플레이트(1033)을 관통하도록 구비될 수 있다. 제2삽입홀(1629)은 히터 패턴(1520)의 일부 영역을 노출하도록 연장될 수 있다. 내부 전극(1410)에 직류 전원을 인가하는 직류 전원 연결선(1631)이 웨이퍼 척(1030)에 삽입될 수 있다. 직류 전원 연결선(1631)이 내부 전극(1410)에 연결되도록, 직류 전원 연결선(1631)이 삽입될 제3삽입홀(1639)이 베이스 플레이트(1033)을 관통하도록 구비될 수 있다. 제3삽입홀(1639)은 내부 전극(1410)의 일부 영역을 노출하도록 연장될 수 있다.Referring again to FIG. 8, a temperature sensing sensor 1611 for sensing the temperature of the wafer chuck 1030 may be coupled to the wafer chuck 1030. The first insertion hole 1619 through which the temperature sensor 1611 is to be inserted may be provided so as to penetrate the base plate 1033. The first insertion hole 1619 may extend to expose a portion of the heater pattern 1520. A heating power supply line 1621 for applying a heating power to the heater pattern 1520 may be inserted into the wafer chuck 1030. [ A second insertion hole 1629 through which the heating power supply connection line 1621 is inserted may be provided so as to penetrate the base plate 1033 so that the heating power supply connection line 1621 is connected to the heater pattern 1520. The second insertion hole 1629 can be extended to expose a part of the area of the heater pattern 1520. [ A DC power supply connection line 1631 for applying a DC power to the internal electrode 1410 can be inserted into the wafer chuck 1030. A third insertion hole 1639 through which the DC power connection line 1631 is to be inserted may penetrate the base plate 1033 so that the DC power connection line 1631 is connected to the internal electrode 1410. The third insertion hole 1639 may extend to expose a part of the internal electrode 1410.

온도 감지 센서(1610)에서 연결되어 감지된 온도 데이터(data)를 수집하고, 수집된 온도 데이터를 이용하여 히터 패턴(1520)에 인가되는 히팅 파워를 제어하는 히팅 제어부(1610)가 구비될 수 있다. 히티 제어부(1610)는 히팅 전원 연결선(1621)에 연결된 히터 전원부(1620)를 제어하여 히터 패턴(1520)의 동작을 제어할 수 있다. 내부 전극(1410)에 직류 전원을 제공하는 ESC 전원부(1630)가 직류 전원으로 직류 전원 연결선(1631)에 연결될 수 있다. A heating control unit 1610 may be provided to collect temperature data sensed by the temperature sensing sensor 1610 and control the heating power applied to the heater pattern 1520 using the collected temperature data . The heater control unit 1610 controls the heater power supply unit 1620 connected to the heating power supply connection line 1621 to control the operation of the heater pattern 1520. An ESC power supply unit 1630 for providing DC power to the internal electrode 1410 may be connected to the DC power supply line 1631 through a DC power supply.

도 11 및 도 12은 도 8의 웨이퍼 척(1030)을 제조하는 방법을 보여주는 단면도들이다. Figs. 11 and 12 are cross-sectional views showing a method of manufacturing the wafer chuck 1030 of Fig.

도 11을 참조하면, 베이스 플레이트(1033)의 제2메사부(1337) 상에 히터 패턴(1520)을 결합한다. 이때, 히터 패턴(1520)은 제2메사부(1337)에 블레이징 용접으로 체결되거나 또는 블레이지 용접되지 않을 수도 있다. 히터 패턴(1520)과 제2메사부(1337) 사에 열전도 물질(TIM)이 도입될 수도 있다. 히터 패턴(1520)을 덮도록 제2메사부(1337)에 결합될 커버 플레이트(1320)을 금속 재질, 예컨대, 알루미늄 재질로 별도로 제작한다. 커버 플레이트(1320)는 히터 패턴(1520)이 결합된 제2메사부(1377)가 삽입될 삽입홈(1320G)이 평판 부분(1320)에 음각되고, 단차 부분(1320R)이 돌출된 플레이트 형태로 제작될 수 있다. Referring to FIG. 11, the heater pattern 1520 is bonded onto the second mesa portion 1337 of the base plate 1033. At this time, the heater pattern 1520 may be fastened to the second mesa 1337 by blazing or not. A heat conductive material (TIM) may be introduced into the heater pattern 1520 and the second mesa portion 1337. The cover plate 1320 to be coupled to the second mesa portion 1337 to cover the heater pattern 1520 is separately made of a metal material, for example, an aluminum material. The cover plate 1320 has a plate shape in which the insertion groove 1320G into which the second mesa portion 1377 to which the heater pattern 1520 is coupled is engraved on the flat plate portion 1320 and the step portion 1320R is protruded Can be produced.

도 12를 참조하면, 커버 플레이트(1320)의 단차 부분(1320R)이 제2메사부(1337)의 측면(1337S)을 가리고, 제2메사부(1337)의 계단 형상의 단차(1337G)에 삽입되도록, 커버 플레이트(1320)를 베이스 플레이트(1033)의 제2메사부(1337)에 결합시킨다. 이때, 블레이징 용접이 사용될 수 있다. 12, the stepped portion 1320R of the cover plate 1320 covers the side surface 1337S of the second mesa portion 1337 and is inserted into the stepped step 1337G of the second mesa portion 1337 So that the cover plate 1320 is engaged with the second mesa portion 1337 of the base plate 1033. [ At this time, blazing welding may be used.

내부 전극(1410)이 내장된 세라믹 플레이트(1310)를 별도로 제작한 후, 세라믹 플레이트(1310)를 커버 플레이트(1320)에 결합시킨다. 이에 따라, 웨이퍼 척(1030)이 구성될 수 있다. The ceramic plate 1310 having the internal electrode 1410 is separately manufactured, and then the ceramic plate 1310 is bonded to the cover plate 1320. Accordingly, the wafer chuck 1030 can be configured.

상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다. 본 출원에서 제시한 기술적 사상이 반영되는 한 다양한 다른 변형예들이 가능할 것이다.Although the embodiments of the present application as described above illustrate and describe the drawings, it is intended to illustrate what is being suggested in the present application and is not intended to limit what is presented in the present application in a detailed form. Various other modifications will be possible as long as the technical ideas presented in this application are reflected.

310: 내부 전극이 내장된 세라믹 플레이트,
320; 히터 패턴이 내장된 금속 플레이트,
33; 베이스 플레이트. 310: Ceramic plate with internal electrodes embedded therein,
320; Metal plate with built-in heater pattern,
33; Base plate.

Claims (37)

베이스 바디(base body)로부터 돌출된 메사(mesa)부를 가지는 베이스 플레이트(base plate);
상기 메사부의 상측 표면에 결합되고 히터 패턴(heater pattern)을 내장한 금속 플레이트(metal plate); 및
상기 금속 플레이트에 결합되고 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate);를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck). A base plate having a mesa portion protruding from a base body;
A metal plate coupled to an upper surface of the mesa portion and having a heater pattern embedded therein; And
And a ceramic plate coupled to the metal plate and including an internal electrode to which a DC power is to be applied. 제1항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
상기 세라믹 플레이트와 실질적으로 동일한 직경을 가지는 원형 플레이트 형상을 가지는 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The metal plate
And a wafer chuck having a circular plate shape having substantially the same diameter as the ceramic plate. 제1항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
상기 알루미늄(Al) 재질을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The metal plate
A wafer chuck comprising the aluminum (Al) material. 제1항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
상기 메사부의 상측 표면에 결합된 베이스 금속 플레이트(base metal plate); 및
상기 히터 패턴을 상기 베이스 금속 플레이트와의 사이에 두고 상기 베이스 금속 플레이트에 결합된 커버 금속 플레이트(cover metal plate)를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The metal plate
A base metal plate coupled to an upper surface of the mesa portion; And
And a cover metal plate coupled to the base metal plate with the heater pattern interposed between the base metal plate and the base plate. 제1항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는
상기 베이스 바디 및 상기 메사부를 실질적으로 관통하여 상기 히터 패턴의 일부 영역을 노출하도록 연장된 제1삽입홀을 포함하고,
상기 히터 패턴의 온도를 감지하는 온도 감지 센서(sensor)가 상기 제1삽입홀에 삽입된 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The base plate
And a first insertion hole extending substantially through the base body and the mesa portion to expose a portion of the heater pattern,
And a temperature sensor for sensing a temperature of the heater pattern is inserted into the first insertion hole. 제5항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는
상기 베이스 바디 및 상기 메사부를 실질적으로 관통하여 상기 히터 패턴의 다른 일부 영역을 노출하도록 연장된 제2삽입홀을 포함하고,
상기 히터 패턴에 히팅 전원을 연결하는 히팅 전원 연결선이 상기 제2삽입홀에 삽입된 웨이퍼 척(wafer chuck).6. The method of claim 5,
The base plate
And a second insertion hole extending substantially through the base body and the mesa portion to expose another portion of the heater pattern,
And a heating power supply line for connecting a heating power source to the heater pattern is inserted into the second insertion hole. 제6항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는
상기 베이스 바디 및 상기 메사부를 실질적으로 관통하여 상기 내부 전극의 일부 영역을 노출하도록 연장된 제3삽입홀을 포함하고,
상기 내부 전극에 상기 직류 전원을 연결하는 직류 전원 연결선이 상기 제3삽입홀에 삽입된 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 6,
The base plate
And a third insertion hole extending substantially through the base body and the mesa portion to expose a part of the internal electrode,
And a DC power supply line connecting the DC power source to the internal electrode is inserted into the third insertion hole. 제1항에 있어서,
상기 히터 패턴은
멀티 온도 존(temperature multi zone)을 유도하기 위해서,
다수의 상호 독립적으로 나뉘어진 히팅 세그먼트(heating segment)들을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The heater pattern
In order to derive a temperature multi zone,
A wafer chuck comprising a plurality of mutually independently divided heating segments. 제1항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
대략 1㎜ 내지 10㎜의 두께를 가지는 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The metal plate
A wafer chuck having a thickness of approximately 1 mm to 10 mm. 제1항에 있어서,
상기 베이스 바디는
냉각 유로(coolant path)를 내장한 웨이퍼 척(wafer chuck).The method according to claim 1,
The base body
Wafer chuck with built-in coolant path. 히터 패턴(heater pattern)을 내장한 금속 플레이트(metal plate)를 제작하는 단계;
직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate)를 제작하는 단계;
베이스 바디(base body)로부터 돌출된 메사(mesa)부를 가지는 베이스 플레이트(base plate)의 상기 메사부의 상측 표면에 상기 금속 플레이트를 결합하는 단계; 및
상기 금속 플레이트에 상기 세라믹 플레이트를 결합하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법. Fabricating a metal plate with a heater pattern embedded therein;
Fabricating a ceramic plate having internal electrodes to which DC power is to be applied;
Coupling the metal plate to an upper surface of the mesa portion of a base plate having a mesa portion protruding from a base body; And
And bonding the ceramic plate to the metal plate. 제11항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
상기 세라믹 플레이트와 실질적으로 동일한 직경을 가지는 원형 플레이트 형상을 가지는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.12. The method of claim 11,
The metal plate
Wherein the ceramic plate has a circular plate shape having substantially the same diameter as the ceramic plate. 제11항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
상기 알루미늄(Al) 재질을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.12. The method of claim 11,
The metal plate
Wherein the aluminum (Al) material is used as the material for the wafer chuck. 제11항에 있어서,
상기 금속 플레이트를 제작하는 단계는
상기 베이스 금속 플레이트(base metal plate) 상에 히터 패턴을 결합하는 단계; 및
상기 히터 패턴을 덮도록 상기 베이스 금속 플레이트에 커버 금속 플레이트(cover metal plate)를 결합하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.12. The method of claim 11,
The step of fabricating the metal plate
Bonding a heater pattern on the base metal plate; And
And joining a cover metal plate to the base metal plate to cover the heater pattern. 제14항에 있어서,
상기 커버 금속 플레이트는
블레이징(blazing) 용접으로 상기 베이스 금속 플레이트에 결합되는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.15. The method of claim 14,
The cover metal plate
Wherein the base metal plate is coupled to the base metal plate by blazing welding. 제11항에 있어서,
상기 금속 플레이트는
블레이징(blazing) 용접으로 상기 메사부에 결합되는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.12. The method of claim 11,
The metal plate
A method of manufacturing a wafer chuck, the method comprising the steps of: 제11항에 있어서,
상기 히터 패턴은
멀티 온도 존(temperature multi zone)을 유도하기 위해서,
다수의 상호 독립적으로 나뉘어진 히팅 세그먼트(heating segment)들을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.12. The method of claim 11,
The heater pattern
In order to derive a temperature multi zone,
A method of manufacturing a wafer chuck comprising a plurality of mutually independently divided heating segments. 베이스 바디(base body)로부터 돌출된 제1메사(mesa)부 및 상기 제1메사부로부터 돌출된 제2메사부를 가지는 베이스 플레이트(base plate);
상기 제2메사부의 상측 표면에 결합된 히터 패턴(heater pattern);
상기 히터 패턴을 덮도록 상기 제2메사부에 결합된 커버 플레이트(cover plate); 및
상기 커버 플레이트에 결합되고 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate);를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck). A base plate having a first mesa portion protruding from a base body and a second mesa portion protruding from the first mesa portion;
A heater pattern coupled to an upper surface of the second mesa portion;
A cover plate coupled to the second mesa to cover the heater pattern; And
And a ceramic plate coupled to the cover plate and having an internal electrode to which a direct current power is to be applied. 제18항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 세라믹 플레이트 보다 더 큰 직경을 가지는 원형 플레이트 형상을 가지는 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The cover plate
And a wafer chuck having a circular plate shape having a larger diameter than the ceramic plate. 제18항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 세라믹 플레이트에 장착되는 웨이퍼의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 가지는 원형 플레이트 형상을 가지는 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The cover plate
A wafer chuck having a circular plate shape having a diameter substantially equal to a diameter of a wafer mounted on the ceramic plate. 제18항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 알루미늄(Al) 재질을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The cover plate
A wafer chuck comprising the aluminum (Al) material. 제18항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 제2메사부의 측면을 덮도록 연장된 단차 부분을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The cover plate
And a stepped portion extending to cover a side surface of the second mesa portion. 제22항에 있어서,
상기 커버 플레이트의 단차 부분의 끝단은
상기 제2메사부 바깥으로 노출된 상기 제1메사부 부분에 결합되는 웨이퍼 척(wafer chuck).23. The method of claim 22,
The end of the stepped portion of the cover plate
And a wafer chuck coupled to the first mesa portion exposed outside the second mesa. 제18항에 있어서,
상기 커버 플레이트의 측면은
상기 제1메사부의 측면에 평탄한 측면을 이루며 이어지도록 정렬된 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The side surface of the cover plate
And a wafer chuck arranged on the side surface of the first mesa portion so as to form a flat side surface. 제18항에 있어서,
상기 세라믹 플레이트 바깥으로 노출되는 상기 커버 플레이트 부분 및 상기 커버 플레이트의 측면을 덮고, 상기 제1메사부의 측면을 덮도록 연장되는 세라믹 코팅층(ceramic coating layer)을 더 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
Further comprising a ceramic coating layer covering the side of the cover plate portion and the cover plate portion exposed to the outside of the ceramic plate and extending to cover a side surface of the first mesa portion. 제18항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는
상기 베이스 바디 및 상기 제1 및 제2메사부들을 실질적으로 관통하여 상기 히터 패턴의 일부 영역을 노출하도록 연장된 제1삽입홀을 포함하고,
상기 히터 패턴의 온도를 감지하는 온도 감지 센서(sensor)가 상기 제1삽입홀에 삽입된 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The base plate
And a first insertion hole extending substantially through the base body and the first and second mesa portions to expose a portion of the heater pattern,
And a temperature sensor for sensing a temperature of the heater pattern is inserted into the first insertion hole. 제26항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는
상기 베이스 바디 및 상기 제1 및 제2메사부들을 실질적으로 관통하여 상기 히터 패턴의 다른 일부 영역을 노출하도록 연장된 제2삽입홀을 포함하고,
상기 히터 패턴에 히팅 전원을 연결하는 히팅 전원 연결선이 상기 제2삽입홀에 삽입된 웨이퍼 척(wafer chuck).27. The method of claim 26,
The base plate
And a second insertion hole extending substantially through the base body and the first and second mesa portions to expose another part of the area of the heater pattern,
And a heating power supply line for connecting a heating power source to the heater pattern is inserted into the second insertion hole. 제26항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는
상기 베이스 바디 및 상기 제1 및 제2메사부들을 실질적으로 관통하여 상기 내부 전극의 일부 영역을 노출하도록 연장된 제3삽입홀을 포함하고,
상기 내부 전극에 상기 직류 전원을 연결하는 직류 전원 연결선이 상기 제3삽입홀에 삽입된 웨이퍼 척(wafer chuck).27. The method of claim 26,
The base plate
And a third insertion hole extending substantially through the base body and the first and second mesa portions to expose a part of the internal electrode,
And a DC power supply line connecting the DC power source to the internal electrode is inserted into the third insertion hole. 제18항에 있어서,
상기 히터 패턴은
멀티 온도 존(temperature multi zone)을 유도하기 위해서,
다수의 상호 독립적으로 나뉘어진 히팅 세그먼트(heating segment)들을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The heater pattern
In order to derive a temperature multi zone,
A wafer chuck comprising a plurality of mutually independently divided heating segments. 제18항에 있어서,
상기 베이스 바디는
냉각 유로(coolant path)를 내장한 웨이퍼 척(wafer chuck).19. The method of claim 18,
The base body
Wafer chuck with built-in coolant path. 베이스 바디(base body)로부터 돌출된 제1메사(mesa)부 및 상기 제1메사부로부터 돌출된 제2메사부를 가지는 베이스 플레이트(base plate)의 상기 제1메사부의 상측 표면에 히터 패턴(heater pattern)을 결합하는 단계;
상기 히터 패턴을 덮도록 상기 제2메사부에 커버 플레이트(cover plate)를 결합하는 단계; 및
상기 커버 플레이트에 직류 전원이 인가될 내부 전극을 내장한 세라믹 플레이트(ceramic plate)를 결합하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법. A heater pattern is formed on an upper surface of the first mesa portion of a base plate having a first mesa portion protruding from a base body and a second mesa portion projecting from the first mesa portion, );
Coupling a cover plate to the second mesa to cover the heater pattern; And
And attaching a ceramic plate having an internal electrode to be supplied with DC power to the cover plate. 제31항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 세라믹 플레이트 보다 더 큰 직경을 가지는 원형 플레이트 형상을 가지도록 제작되는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.32. The method of claim 31,
The cover plate
And a circular plate shape having a diameter larger than that of the ceramic plate. 제31항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 세라믹 플레이트에 장착되는 웨이퍼의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 가지는 원형 플레이트 형상을 가지도록 제작되는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.32. The method of claim 31,
The cover plate
And a circular plate shape having a diameter substantially equal to a diameter of the wafer mounted on the ceramic plate. 제31항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
상기 제2메사부의 측면을 덮도록 연장된 단차 부분을 가지도록 제작된 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.32. The method of claim 31,
The cover plate
And a stepped portion extending to cover a side surface of the second mesa portion. 제34항에 있어서,
상기 커버 플레이트를 결합하는 단계에서
상기 커버 플레이트의 단차 부분의 끝단이
상기 제2메사부 바깥으로 노출된 상기 제1메사부 부분에 결합되는 웨이퍼 척(wafer chuck).35. The method of claim 34,
In the step of joining the cover plate
The end of the stepped portion of the cover plate
And a wafer chuck coupled to the first mesa portion exposed outside the second mesa. 제31항에 있어서,
상기 커버 플레이트는
블레이징(blazing) 용접으로 상기 제2메사부에 결합되는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.32. The method of claim 31,
The cover plate
Wherein the second mesa is coupled to the second mesa by blazing welding. 제31항에 있어서,
상기 히터 패턴은
멀티 온도 존(temperature multi zone)을 유도하기 위해서,
다수의 상호 독립적으로 나뉘어진 히팅 세그먼트(heating segment)들을 포함하는 웨이퍼 척(wafer chuck) 제조 방법.32. The method of claim 31,
The heater pattern
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