KR20190041321A - 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190041321A
KR20190041321A KR1020170132755A KR20170132755A KR20190041321A KR 20190041321 A KR20190041321 A KR 20190041321A KR 1020170132755 A KR1020170132755 A KR 1020170132755A KR 20170132755 A KR20170132755 A KR 20170132755A KR 20190041321 A KR20190041321 A KR 20190041321A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensor
process environment
module
sensor module
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020170132755A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102395191B1 (ko
Inventor
황영호
소상윤
이대희
정대성
김동욱
송종민
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170132755A priority Critical patent/KR102395191B1/ko
Priority to US15/942,876 priority patent/US10627206B2/en
Priority to CN201810971332.2A priority patent/CN109659251B/zh
Publication of KR20190041321A publication Critical patent/KR20190041321A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102395191B1 publication Critical patent/KR102395191B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/003—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring position, not involving coordinate determination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D21/00—Measuring or testing not otherwise provided for
    • G01D21/02—Measuring two or more variables by means not covered by a single other subclass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 기술적 사상은 반도체 설비 내의 공정 환경을 검출하기 위한 센서 모듈로서, 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함하는 센서 몸체, 및 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치된 정전기 센서를 포함하고, 상기 센서 몸체에 내장된 센서 회로부를 포함하는 센서 모듈을 제공한다.

Description

센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법 {Sensor module, apparatus for manufacturing semiconductor, and method of manufacturing semiconductor device}
본 발명의 기술적 사상은 반도체 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 등의 다양한 단위 공정을 수행하는 반도체 설비에서 제조되고 있다. 최근 반도체 제품의 미세화 및 고집적화에 따라, 반도체 설비의 공정 환경이 반도체 제품 특성에 미치는 영향이 증대되고 있다. 따라서, 반도체 제품의 신뢰성을 향상시키고 반도체 제조 라인의 수율을 향상시키기 위해, 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행하기 전에 반도체 설비의 공정 환경 불량을 검출하고, 검출된 공정 환경 불량을 제거할 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 반도체 설비 내에서 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출하기 위한 센서 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상기 센서 모듈을 포함하는 반도체 제조 장치, 및 상기 센서 모듈을 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 반도체 설비 내의 공정 환경을 검출하기 위한 센서 모듈로서, 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함하는 센서 몸체, 및 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치된 정전기 센서를 포함하고, 상기 센서 몸체에 내장된 센서 회로부를 포함하는 센서 모듈을 제공한다.
또한, 상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 반도체 설비 내의 공정 환경을 검출하기 위한 센서 모듈로서, 상기 센서 모듈에 인가된 공정 환경을 감지하기 위한 제1 센서, 상기 반도체 설비 내의 상기 센서 모듈의 위치를 검출하기 위한 제2 센서, 및 상기 제1 센서에서 출력된 신호를 기반으로 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보를 생성하고, 상기 제2 센서에서 출력된 신호를 기반으로 상기 센서 모듈의 위치 정보를 생성하도록 구성된 신호 처리 모듈을 포함하는 센서 모듈을 제공한다.
나아가, 상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 적어도 하나의 챔버, 상기 적어도 하나의 챔버의 내부를 이동하도록 구성된 센서 모듈로서, 상기 적어도 하나의 챔버 내의 공정 환경을 감지하기 위한 제1 센서 및 상기 적어도 하나의 챔버 내의 상기 센서 모듈의 위치를 검출하기 위한 제2 센서를 포함하는 상기 센서 모듈, 및 상기 제1 센서에서 출력된 제1 신호 및 상기 제2 센서에서 출력된 제2 신호를 기반으로 상기 적어도 하나의 챔버 내의 공정 환경 불량을 검출하는 분석 장치를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공한다.
더 나아가, 상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 반도체 설비에 센서 모듈을 반입하여 상기 반도체 설비 내의 공정 환경을 모니터링하는 단계, 상기 모니터링을 통해 검출된 상기 반도체 설비의 공정 환경 불량을 제거하는 단계, 및 상기 반도체 설비에 웨이퍼를 반입하고, 상기 웨이퍼에 대해 반도체 제조 공정을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 모니터링 단계는, 상기 센서 모듈을 이용하여 상기 반도체 설비 내부에서 감지된 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보를 생성하고, 상기 반도체 설비 내부에 있는 상기 센서 모듈의 위치에 관련된 위치 정보를 생성하는 단계, 및 상기 공정 환경 감지 정보를 통해 공정 환경 불량을 검출하고, 상기 위치 정보를 통해 상기 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 의하면, 반도체 설비의 모니터링을 위한 센서 모듈은 공정 환경을 감지하기 위한 센서 및 반도체 설비 내의 센서 모듈의 위치를 검출하기 위한 센서를 포함하므로, 반도체 설비 내에서 공정 환경 불량이 발생된 위치를 정확하게 검출할 수 있다. 특히, 센서 모듈의 위치는 실시간으로 검출될 수 있으므로, 센서 모듈이 반도체 설비 내의 사각 지대에 위치하고 있는 경우라도 센서 모듈의 위치를 정확히 검출할 수 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 센서 모듈을 이용한 모니터링 공정을 통해 공정 환경 불량을 제거할 수 있으므로, 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 최적화할 수 있고, 최적화된 공정 환경에서 반도체 소자들을 제조함에 따라 우수하고 신뢰성 높은 반도체 소자를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 반도체 제조 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 반도체 제조 장치를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 센서 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ - Ⅳ'선에 따른 센서 모듈의 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시에들에 따른 센서 모듈을 각각 나타낸 단면도들로서, 각각 도 4의 A 영역에 대응하는 부분을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 제1 센서를 나타내는 회로도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10은 센서 모듈에서 생성된 공정 환경 감지 정보의 일 예로서, 정전기 감지 정보를 나타낸 그래프이다.
도 11은 센서 모듈에서 생성된 위치 정보를 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 반도체 제조 장치(10)를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 장치(10)는 센서 모듈(100), 분석 장치(200) 및 챔버(300)를 포함할 수 있다.
센서 모듈(100)은 반도체 제조 공정 동안에 웨이퍼에 인가되는 공정 환경을 모니터링하기 위한 모니터링 공정을 수행하기 위하여 제공될 수 있다. 센서 모듈(100)은 반도체 설비 내의 공정 환경을 감지하고, 감지된 공정 환경에 대한 정보를 분석 장치(200)에 제공할 수 있다. 센서 모듈(100)은 반도체 설비 내에서 웨이퍼의 이동 경로를 따라 이동하면서 공정 환경을 감지할 수 있다.
센서 모듈(100)은 제1 센서(110), 제2 센서(120), 신호 처리 모듈(130), 및 무선 통신 모듈(140)을 포함할 수 있다.
제1 센서(110)는 센서 모듈(100)에 인가된 공정 환경을 감지할 수 있다. 제1 센서(110)는 공정 환경에 관련된 제1 출력 신호(S1)를 생성할 수 있고, 제1 출력 신호(S1)를 신호 처리 모듈(130)로 전송할 수 있다. 예를 들어, 제1 센서(110)는 센서 모듈(100)에 가해진 공정 환경, 예컨대 정전기, 압력, 진동, 온도, 습도, 충격 등을 측정할 수 있다. 제1 센서(110)에서 출력된 제1 출력 신호(S1)는 웨이퍼 이송 경로 상의 특정 위치에서, 특정 시점에, 센서 모듈(100)에 가해진 공정 환경과 관련된 공정 환경 특성값, 예컨대 정전기 값, 압력 값, 진동 값, 온도 값, 습도 값, 충격 값 등에 대응되는 값을 포함할 수 있다.
제1 센서(110)는 반도체 설비 내의 공정 환경을 감지하기 위한 각종 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 센서(110)는 정전기 센서, 전위 센서, 압력 센서, 진동 센서, 온도 센서, 및 습도 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 센서(110)는 상술한 센서 이외에 공정 환경을 감지하기 위한 다양한 센서를 포함할 수 있다.
제2 센서(120)는 반도체 설비 내에서 웨이퍼의 이동 경로를 따라 이동하도록 구성된 센서 모듈(100)의 위치를 검출하기 위하여 제공될 수 있다. 제2 센서(120)는 센서 모듈(100)의 위치를 검출하기 위한 제2 출력 신호(S2)를 생성할 수 있고, 제2 출력 신호(S2)를 신호 처리 모듈(130)로 전송할 수 있다.
제2 센서(120)는 반도체 설비 내에서 이동하는 센서 모듈(100)의 위치를 검출하기 위한 각종 센서를 포함할 수 있다. 또한, 제2 센서(120)는 측정된 센서 모듈(100)의 위치를 보정하기 위한 각종 센서를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 센서(120)는 가속도 센서, 변위 센서 및 자이로 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 센서(120)는 상술한 센서 이외에 센서 모듈(100)의 위치를 검출하기 위한 다양한 센서를 포함할 수 있다.
신호 처리 모듈(130)은 제1 센서(110)에서 출력된 제1 출력 신호(S1)를 기반으로 센서 모듈(100)에 인가된 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보(SP1)를 생성할 수 있고, 제2 센서(120)에서 출력된 제2 출력 신호(S2)를 기반으로 반도체 설비 내에 있는 센서 모듈(100)의 위치를 검출하기 위한 위치 정보(SP2)를 생성할 수 있다. 이러한 신호 처리 모듈(130)은 제1 출력 신호(S1) 및 제2 출력 신호(S2)을 처리하기 위한 각종 알고리즘을 포함할 수 있으며, 예컨대 마이크로 컨트롤러 유닛(micro controller unit)으로 구현될 수 있다.
신호 처리 모듈(130)은 감지 정보 생성부(131) 및 위치 정보 생성부(133)를 포함할 수 있다.
감지 정보 생성부(131)는 제1 센서(110)로부터 전송된 제1 출력 신호(S1)를 처리하여 공정 환경 감지 정보(SP1)를 생성할 수 있다. 감지 정보 생성부(131)에는 제1 출력 신호(S1)를 처리하기 위한 신호 처리 알고리즘이 설치될 수 있다. 예를 들어, 공정 환경 감지 정보(SP1)는 시간 경과에 따른 공정 환경 특성값의 변화를 포함할 수 있다. 감지 정보 생성부(131)에서 생성된 공정 환경 감지 정보(SP1)는 무선 통신 모듈(140)로 전송될 수 있다.
위치 정보 생성부(133)는 제2 센서(120)로부터 전송된 제2 출력 신호(S2)를 처리하여 위치 정보(SP2)를 생성할 수 있다. 위치 정보 생성부(133)에는 제2 출력 신호(S2)를 처리하기 위한 신호 처리 알고리즘이 설치될 수 있다. 예를 들어, 위치 정보(SP2)는 시간 경과에 따른 센서 모듈(100)의 위치 변화를 포함할 수 있다. 즉, 위치 정보(SP2)는 시간 경과에 따른 센서 모듈(100)의 X축 방향의 변위, 시간 경과에 따른 센서 모듈(100)의 Y축 방향의 변위, 및 시간 경과에 따른 센서 모듈(100)의 Z축 방향의 변위를 포함할 수 있다. 이러한 위치 정보(SP2)를 통해, 특정 시점에서 센서 모듈(100)의 위치는 검출될 수 있다. 특히, 센서 모듈(100)이 외부에서 보이지 않는 구간을 이동하고 있는 경우라도, 위치 정보(SP2)를 통해 사각 지대에 위치된 센서 모듈(100)의 위치를 검출할 수 있다. 위치 정보 생성부(133)에서 생성된 위치 정보(SP2)는 무선 통신 모듈(140)로 전송될 수 있다.
무선 통신 모듈(140)은 센서 모듈(100)의 외부에 있는 분석 장치(200)와 실시간으로 통신할 수 있다. 무선 통신 모듈(140)은 신호 처리 모듈(130)에서 생성된 공정 환경 감지 정보(SP1) 및 위치 정보(SP2)를 수신할 수 있고, 수신된 공정 환경 감지 정보(SP1) 및 위치 정보(SP2)를 분석 장치(200)로 전송할 수 있다. 이 때, 분석 장치(200)에는 무선 통신 모듈(140)과의 통신에 필요한 통신 모듈을 포함할 수 있다. 무선 통신 모듈(140)은 와이-파이(Wi-Fi), 블루투스(Bluetooth), 지그비(Zigbee) 등과 같은 통신 방식을 이용하여 분석 장치(200)와 통신하도록 구성될 수 있다.
분석 장치(200)는 일반 PC(Personal Computer), 워크스테이션(workstation), 슈퍼컴퓨터 등으로 구성될 수 있다. 분석 장치(200)에는 센서 모듈(100)로부터 전송된 정보를 분석하기 위한 분석 프로그램이 설치되어 있을 수 있다. 이러한 분석 장치(200)는 센서 모듈(100)로부터 전송된 공정 환경 감지 정보(SP1) 및 위치 정보(SP2)를 분석하여, 공정 환경 불량을 검출하고 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출할 수 있다. 즉, 공정 환경 감지 정보(SP1)를 통해 공정 환경 불량이 검출되면, 위치 정보(SP2)를 이용하여 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출할 수 있다. 분석 장치(200)는 반도체 설비 내의 특정 구간 내지 특정 설비에서 공정 환경 불량이 발생하였는지 여부를 판단할 수 있고, 또한 특정 반도체 제조 공정으로 인하여 공정 환경 불량이 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다.
챔버(300)는 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정과 동일한 분위기를 센서 모듈(100)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 챔버(300)는 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행하기 위한 공정 챔버, 웨이퍼를 상기 공정 챔버로 반입 및 반출하기 위한 이송 챔버 등으로 구성될 수 있다. 상기 이송 챔버는 웨이퍼의 이동 경로를 따라 센서 모듈(100)을 이동시킬 수 있다. 또한, 상기 공정 챔버는 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정, 예컨대 건조 공정, 세정 공정, 증착 공정, 식각 공정, 확산 공정에서와 동일한 분위기를 센서 모듈(100)에 제공할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 분석 장치(200)는 공정 환경 불량이 검출된 경우에, 공정 환경 불량을 개선하기 위한 피드백 신호(FB)를 생성하고, 상기 피드백 신호(FB)를 챔버(300)에 제공할 수 있다. 챔버(300)는 분석 장치(200)로부터 인가된 피드백 신호(FB)에 따라서, 공정 환경 불량이 발생된 반도체 설비 내의 특정 구간 내지 특정 설비에 대해 공정 환경 불량을 개선하기 위한 정비(maintenance)를 수행할 수 있고, 또는 공정 환경 불량을 야기한 반도체 제조 공정에 대한 새로운 공정 조건들을 제시할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 반도체 제조 장치(10a)를 나타내는 블록도이다.
도 2에 도시된 반도체 제조 장치(10a)는 신호 처리 모듈(230)이 분석 장치(200a)에 구비된 점을 제외하고는 도 1에 도시된 반도체 제조 장치(10)와 대체로 동일한 구성을 가질 수 있다. 도 2에 있어서, 도 1과 동일한 참조 번호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 이들에 대한 상세한 설명은 생략하거나 간단히 한다.
도 2를 참조하면, 센서 모듈(100a)은 제1 센서(110)에서 생성된 제1 출력 신호(S1) 및 제2 센서(120)에서 생성된 제2 출력 신호(S2)를 분석 장치(200a)로 전송할 수 있다. 즉, 제1 센서(110)는 각각 반도체 설비 내에서 센서 모듈(100a)에 인가된 공정 환경과 관련된 제1 출력 신호(S1)을 출력하여 무선 통신 모듈(140)로 전송하고, 제2 센서(120)는 반도체 설비 내에 있는 센서 모듈(100a)의 위치에 관련된 제2 출력 신호(S2)를 출력하여 무선 통신 모듈(140)로 전송하고, 무선 통신 모듈(140)은 제1 출력 신호(S1) 및 제2 출력 신호(S2)를 실시간으로 분석 장치(200a)로 전송할 수 있다.
분석 장치(200a)는 신호 처리 모듈(230)을 포함할 수 있다. 신호 처리 모듈(230)은 제1 센서(110)로부터 전송된 제1 출력 신호(S1)를 처리하여 공정 환경 감지 정보를 생성하는 감지 정보 생성부(231) 및 제2 센서(120)로부터 전송된 제2 출력 신호(S2)를 처리하여 위치 정보를 생성하는 위치 정보 생성부(233)를 포함할 수 있다. 분석 장치(200a)는 감지 정보 생성부(231)에서 생성된 상기 공정 환경 감지 정보 및 위치 정보 생성부(233)에서 생성된 상기 위치 정보를 분석하여, 공정 환경 불량을 검출하고 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출할 수 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 센서 모듈(500)을 나타내는 사시도이다.
도 3을 참조하면, 센서 모듈(500)은 센서 몸체(510) 및 센서 회로부(520)를 포함할 수 있다.
센서 모듈(500)은 실질적으로 동일한 형상, 크기 및/또는 무게를 가질 수 있다. 센서 몸체(510)는 센서 모듈(500)의 전체 외형을 구성하는 것으로, 웨이퍼와 실질적으로 동일한 외형 및 크기를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 센서 몸체(510)는 원판 형상을 가질 수 있다.
센서 몸체(510)는 상부 플레이트(511), 하부 플레이트(513) 및 밀봉층(515)을 포함할 수 있다.
상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513)는 서로 대향하여 배치될 수 있다. 상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513)는 각각 원판 형상을 가질 수 있다. 상부 플레이트(511)는 밀봉층(515)의 상면을 덮고, 하부 플레이트(513)는 밀봉층(515)의 하면을 덮을 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513) 중 적어도 하나는 웨이퍼와 동일한 물질로 구성될 있다. 예를 들어, 상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513) 중 적어도 하나는 실리콘으로 구성될 수 있다. 상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513) 중 적어도 하나가 웨이퍼와 동일한 물질로 구성되므로, 센서 모듈(500)에서 감지된 공정 환경 특성값은 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정 동안에 웨이퍼에 인가된 공정 환경 특성값에 매우 근접할 수 있다.
밀봉층(515)은 센서 회로부(520)를 밀봉할 수 있다. 밀봉층(515)은 상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513) 사이에 개재되고, 센서 회로부(520)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 밀봉층(515)은 센서 회로부(520)의 손상을 방지할 수 있도록, 내화학성 및 내열성을 가지는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉층(515)은 에폭시 계열 물질, 열경화성 물질, 열가소성 물질, UV 처리 물질 등으로 형성될 수 있다. 열경화성 물질의 경우, 페놀형, 산무수물형, 암민형의 경화제와 아크릴폴리머의 첨가제를 포함할 수 있다. 또한, 밀봉층(515)은 레진으로 형성되되, 필러(filler) 등을 함유할 있다. 이러한 밀봉층(515)은 일반적인 몰딩 공정 또는 MUF(Molded Underfill) 공정을 통해 형성될 수 있다.
센서 회로부(520)는 센서 몸체(510)에 내장(embedded)될 수 있다. 센서 회로부(520)는 반도체 설비 내의 공정 환경을 감지하기 위한 센서들 및 반도체 설비 내에 있는 센서 모듈(500)의 위치를 검출하기 위한 센서들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 센서 회로부(520)는 도 1에 도시된 제1 센서(110) 및 제2 센서(120)를 포함할 수 있다.
도 4는 도 3의 Ⅳ - Ⅳ'선에 따른 센서 모듈(500)의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 센서 회로부(520)는 제1 센서(521), 제2 센서(523), 신호 처리 모듈(525) 및 무선 통신 모듈(527)이 실장된 기판(530)을 포함할 수 있다. 상기 제1 센서(521), 제2 센서(523), 신호 처리 모듈(525) 및 무선 통신 모듈(527)은 각각 도 1에 도시된 제1 센서(110), 제2 센서(120), 신호 처리 모듈(130) 및 무선 통신 모듈(140)과 실질적으로 동일할 수 있다.
기판(530)은, 예를 들면, 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB)일 수 있다. 상기 기판(530)은 단면 인쇄회로기판(single-sided PCB) 또는 양면 인쇄회로기판 (double-sided PCB)일 수 있고, 내부에 하나 이상의 배선층을 포함한 다층 인쇄회로기판(multi-layer PCB)일 수 있다. 나아가, 기판(530)은 경성 인쇄회로기판(rigid-PCB) 또는 연성 인쇄회로기판(flexible-PCB)일 수 있다.
기판(530)은 기판 베이스(도 5의 531 참조) 및 배선층(도 5의 533_1 및 533_2 참조)을 포함할 수 있다. 기판 베이스(531)는 절연 물질로 구성될 수 있으며, 예컨대 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 배선층은 기판 베이스(531)의 상면에 형성된 상부 배선층(도 5의 535a, 535b, 및 535c 참조), 기판 베이스(531)의 하면에 형성된 하부 배선층(도 5의 537 참조), 및 기판 베이스(531)의 내부에 형성된 내부 배선(도 5의 539a 및 539b 참조)을 포함할 수 있다. 기판(530)의 상기 내부 배선은 내부 배선층 및 기판 베이스(531) 내부에서 수직으로 연장된 관통 비아를 포함할 수 있고, 상기 상부 배선층 및 상기 하부 배선층을 전기적으로 연결할 수 있다.
제1 센서(521), 제2 센서(523), 신호 처리 모듈(525) 및 무선 통신 모듈(527)은 기판(530) 상에 실장될 수 있다. 제1 센서(521), 제2 센서(523), 신호 처리 모듈(525) 및 무선 통신 모듈(527)은 각각의 하면에 부착된 연결 단자(550)를 통하여 기판(530)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 기판(530)의 상기 상부 배선층 중에서 연결 단자(550)와 연결되는 부분은 상부 패드를 구성할 수 있다.
도 4에 도시된 것과 같이, 제1 센서(521), 제2 센서(523), 신호 처리 모듈(525) 및 무선 통신 모듈(527)이 기판(530) 상에서 수평 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 또는, 도 4에 도시된 것과 다르게, 제1 센서(521), 제2 센서(523), 신호 처리 모듈(525) 및 무선 통신 모듈(527) 중 적어도 일부는 수직 방향으로 적층될 수도 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 반도체 설비 내에서 센서 모듈(500)에 인가된 전기적 특성 값을 검출하기 위한 센서로서, 예컨대 정전기를 감지하기 위한 정전기 센서일 수 있다. 이 경우, 제1 센서(521)는 상부 플레이트(511) 및 하부 플레이트(513) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 센서(521)가 상부 플레이트(511) 및/또는 하부 플레이트(513)에 전기적으로 연결되므로, 제1 센서(521)는 상부 플레이트(511)에 유도된 정전기 및/또는 하부 플레이트(513)에 유도된 정전기를 감지할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시에들에 따른 센서 모듈(500a, 500b)을 각각 나타낸 단면도들로서, 각각 도 4의 A 영역에 대응하는 부분을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 센서 모듈(500a)은 상부 플레이트(511)와 기판(530)을 전기적으로 연결하기 위한 도전성 필라(pillar)(540)를 포함할 수 있다. 도전성 필라(540)는 밀봉층(515)을 관통하여 수직으로 연장되는 것으로서, 도전성 필라(540)의 일단은 상부 플레이트(511)에 접속되고, 도전성 필라(540)의 타단은 기판(530)의 상부 배선층(535a)에 접속될 수 있다. 도전성 필라(540)는 몰드 관통 비아(through mold via)로 지칭될 수도 있다. 제1 센서(521)는, 예를 들어, 연결 단자(550a), 연결 단자(550a)와 접하는 기판(530)의 상부 배선층(535b), 기판(530)의 내부 배선(539a), 도전성 필라(540)와 접하는 기판(530)의 상부 배선층(535a), 및 도전성 필라(540)를 경유하는 제1 연결 경로를 통하여 상부 플레이트(511)에 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 상기 제1 연결 경로를 통하여 상부 플레이트(511)에 대전된 전하량을 측정함으로써, 상부 플레이트(511)에 유도된 정전기의 세기를 측정할 수 있다. 또는, 다른 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 상기 제1 연결 경로를 통하여 접지(ground)될 수도 있다.
나아가, 제1 센서(521)는 기판(530)을 통해 하부 플레이트(513)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 센서(521)는 연결 단자(550b), 연결 단자(550b)와 접하는 기판(530)의 상부 배선층(535c), 기판(530)의 내부 배선(539b), 및 기판(530)의 하부 배선층(537)을 경유하는 제2 연결 경로를 통하여 하부 플레이트(513)에 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 상기 제2 연결 경로를 통하여 하부 플레이트(513)에 대전된 전하량을 측정함으로써, 하부 플레이트(513)에 유도된 정전기의 세기를 측정할 수 있다. 또는, 다른 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 상기 제2 연결 경로를 통하여 접지될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 센서 모듈(500b)은 기판(530)과 하부 플레이트(513) 사이에 개재된 도전성 필름(560)을 포함할 수 있다. 도전성 필름(560)은 기판(530)을 하부 플레이트(513) 상에 고정시키기 위한 접착력을 제공할 수 있다. 또한, 도전성 필름(560)은 기판(530)과 하부 플레이트(513)를 전기적으로 연결할 수 있다. 도전성 필름(560)은 기판(530)의 하부 배선층(537)과 접할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 연결 단자(550b), 연결 단자(550b)와 접하는 기판(530)의 상부 배선층(535c), 기판(530)의 내부 배선(539b), 기판(530)의 하부 배선층(537), 및 도전성 필름(560)을 경유하는 제3 연결 경로를 통하여 하부 플레이트(513)에 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 상기 제3 연결 경로를 통하여 하부 플레이트(513)에 유도된 정전기의 세기를 측정할 수 있다. 또는, 다른 실시예들에 있어서, 제1 센서(521)는 상기 제3 연결 경로를 통하여 접지될 수도 있다.
도전성 필름(560)은, 예를 들어, 미세 도전성 입자들을 접착성 수지에 혼합시켜 필름 형태로 제작하여 일 방향으로 전기가 흐르는 경로를 제공하는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)일 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니며, 도전성 필름(560)은 이방성 전도 페이스트(anisotropic conductive paste) 등 기판(530)과 하부 플레이트(513) 사이에 전기적 연결 경로를 제공할 수 있는 부재들을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 제1 센서(521)를 나타내는 회로도이다. 도 7에서는, 제1 센서(521)가 센서 모듈에 인가된 정전기를 감지하기 위한 정전기 센서인 경우를 예시한다.
도 7을 참조하면, 제1 센서(521)는 상부 플레이트(511)에 대전된 전하량에 대응하는 값을 증폭시켜 출력할 수 있는 적분 회로(integrator circuit, 521a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적분 회로(521a)는 연산 증폭기(Op), 연산 증폭기(Op)의 반전 입력 단자(-)와 입력단(NDi) 사이의 저항(R), 연산 증폭기(Op)의 반전 입력 단자(-)와 출력단(NDo) 사이에 배치된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 연산 증폭기(Op)의 비반전 입력 단자(+)는 접지 단자(GND)에 연결될 수 있다. 적분 회로(521a)는 상부 플레이트(511)로부터 입력단(NDi)을 통해 유입된 전하를 증폭시키고, 출력단(NDo)을 통해 출력 신호(Vout)를 출력할 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 제조 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 8에 예시한 반도체 제조 장치(1000)는 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행할 수 있고, 나아가 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행하기에 앞서 반도체 설비 내의 공정 환경을 모니터링 하기 위한 모니터링 공정을 수행할 수 있다. 도 8에서는, 반도체 제조 장치(1000)가 모니터링 공정을 수행하는 경우에 대해 설명하기로 한다.
도 8을 참조하면, 반도체 제조 장치(1000)는 인덱스 모듈(1300), 및 공정 모듈(1400)을 포함할 수 있다.
인덱스 모듈(1300)은 외부로부터 이송된 센서 모듈(1100)을 받고, 센서 모듈(1100)을 공정 모듈(1400)로 반입하고, 공정 모듈(1400)에서 반도체 제조 공정을 거친 센서 모듈(1100)을 공정 모듈(1400)로부터 반출할 수 있다. 센서 모듈(1100)은 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 센서 모듈(100, 100a, 500, 500a, 500b) 중 어느 하나, 또는 이들로부터 본 발명의 기술적 사상의 범위에 따라 변형 및 변경된 구조를 가지는 센서 모듈로 구성될 수 있다.
인덱스 모듈(1300)은 로드 포트(1310) 및 이송 프레임(1320)을 포함할 수 있다. 로드 포트(1310)에는 센서 모듈(1100)이 수용된 캐리어(CA)가 안착될 수 있다. 인덱스 모듈(1300)에는 복수개의 로드 포트(1310)가 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 제조 장치(1000)의 공정 효율 및 공정 제어 조건에 따라 상기 로드 포트(1310)의 개수는 다양하게 결정될 수 있다. 상기 캐리어(CA)로서, 예를 들어 전면 개방 일체형 포드(front opening unified pod, FOUP)가 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 캐리어(CA)는 센서 모듈(1100)과 함께 웨이퍼를 수용할 수 있다. 이 경우, 모니터링 공정이 진행되는 동안, 웨이퍼는 캐리어(CA) 내에서 대기할 수 있다.
이송 프레임(1320)은 로드 포트(1310)에 놓인 캐리어(CA)와 공정 모듈(1400) 간에 센서 모듈(1100)을 이송할 수 있다. 이송 프레임(1320)은 인덱스 레일(1323) 상에서 이동하도록 구성되어 센서 모듈(1100)을 이송할 수 있는 인덱스 로봇(1321)을 포함할 수 있다.
공정 모듈(1400)은 반도체 제조 공정을 수행하기 위한 모듈로서, 로드락 챔버(1410), 이송 챔버(1420) 및 공정 챔버(1430)를 포함할 수 있다.
로드락 챔버(1410)는 인덱스 모듈(1300)과 이송 챔버(1420) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(1410)는 인덱스 모듈(1300)과 연결되는 제1 포트와 이송 챔버(1420)와 연결되는 제2 포트를 가질 수 있다. 로드락 챔버(1410)는 센서 모듈(1100)이 임시로 머무르는 공간을 제공하며, 센서 모듈(1100)이 놓일 수 있는 버퍼 슬롯을 가질 수 있다. 인덱스 로봇(1321)은 센서 모듈(1100)을 캐리어(CA)로부터 인출하여 버퍼 슬롯에 놓을 수 있다. 이송 챔버(1420)의 이송 로봇(1421)은 버퍼 슬롯에 놓인 센서 모듈(1100)을 인출하여 공정 챔버(1430)로 반입할 수 있고, 공정 챔버(1430)로부터 센서 모듈(1100)을 인출하여 버퍼 슬롯에 놓을 수 있다.
이송 챔버(1420)는 그 둘레에 배치된 로드락 챔버(1410) 및 공정 챔버(1430) 사이에서 센서 모듈(1100)을 이송할 수 있다. 이송 챔버(1420)는 이송 로봇(1421) 및 이송 레일((1423)을 포함할 수 있다. 이송 로봇(1421)은 이송 레일((1423) 상에서 이동하며, 센서 모듈(1100)을 이송할 수 있다.
공정 챔버(1430)는 이송 챔버(1420)로부터 이송된 센서 모듈(1100)에 대해 반도체 제조 공정을 수행할 수 있다. 즉, 공정 챔버(1430)는 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정, 예컨대 건조 공정, 세정 공정, 증착 공정, 식각 공정, 확산 공정에서와 동일한 분위기를 센서 모듈(1100)에 제공할 수 있다. 공정 모듈(1400)에는 복수개의 공정 챔버(1430)가 제공될 수 있으며, 예컨대 복수개의 공정 챔버(1430)는 이송 챔버(1420)의 일측 또는 타측에 이송 챔버(1420)의 길이 방향에 따라 배치될 수 있다.
분석 장치(1200)는 센서 모듈(1100)과 실시간으로 통신하며, 센서 모듈(1100)에서 생성된 공정 환경 감지 정보(SP1) 및 위치 정보(SP2)를 수신할 수 있다. 분석 장치(1200)는 도 1 내지 도 2을 참조하여 설명한 분석 장치(200, 200a) 중 어느 하나, 또는 이들로부터 본 발명의 기술적 사상의 범위에 따라 변형 및 변경된 구조를 가지는 분석 장치로 구성될 수 있다.
센서 모듈(1100)은 반도체 설비 내부에서 웨이퍼의 이동 경로를 따라 이동하면서 반도체 설비 내의 공정 환경을 감지할 수 있으므로, 분석 장치(1200)를 통해 공정 환경은 반도체 설비 내의 전 구간에서 모니터링될 수 있다.
예를 들면, 센서 모듈(1100)이 반도체 설비 내의 정전기를 감지하기 위한 정전기 센서를 포함하는 경우, 센서 모듈(1100)은 센서 모듈(1100)의 이송 과정에서 발생하는 정전기, 예컨대 인덱스 모듈(1300)의 인덱스 로봇(1321) 또는 이송 챔버(1420)의 이송 로봇(1421)과 같은 이송 부재와의 접촉으로 인해 웨이퍼에 발생될 수 있는 정전기를 감지할 수 있다. 또한, 센서 모듈(1100)은 웨이퍼의 이동 경로의 근방에 배치된 반도체 설비 내의 기구들에 의해 웨이퍼에 유도될 수 있는 정전기를 감지할 수 있다. 나아가, 센서 모듈(1100)은 공정 챔버(1430)에서 수행되는 반도체 제조 공정 동안 웨이퍼에 유도될 수 있는 정전기, 예컨대 약액과 웨이퍼의 마찰로 인하여 발생된 정전기를 측정할 수 있다.
또한, 분석 장치(1200)는 센서 모듈(1100)로부터 전송된 위치 정보(SP2)를 분석하여, 반도체 설비 내의 특정 구간 내지 특정 설비에서 공정 환경 불량이 발생하였는지 여부를 판단할 수 있고, 또는 특정 반도체 제조 공정으로 인하여 공정 환경 불량이 야기되는지 여부를 판단할 수 있다. 특히, 센서 모듈(1100)의 위치는 실시간으로 검출될 수 있으므로, 센서 모듈(1100)이 반도체 설비 내의 사각 지대에 위치하고 있는 경우라도 센서 모듈(1100)의 위치를 정확히 검출할 수 있다.
더 나아가, 분석 장치(1200)는 반도체 설비의 공정 환경을 최적화하기 위한 피드백 작업을 수행할 수 있다. 분석 장치(1200)는 검출된 공정 환경 불량을 제거하기 위한 피드백 신호(FB)를 반도체 설비에 인가하며, 인가된 피드백 신호(FB)에 따라 반도체 설비에서는 공정 환경 불량을 제거하기 위한 작업이 수행될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 반도체 설비 내의 특정 챔버에서 허용 범위 이상의 정전기가 감지된 경우에, 분석 장치(1200)는 챔버 내의 정전기를 제거하기 위한 피드백 신호(FB)를 생성할 수 있다. 예를 들면, 피드백 신호(FB)가 챔버에 인가됨에 따라, 챔버는 공기이온화기(ionizer)를 동작시켜 정전기를 제거할 수 있고, 챔버 내의 상대 습도가 증가되도록 챔버 내의 환경을 조절할 수도 있다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 10은 센서 모듈에서 생성된 공정 환경 감지 정보의 일 예로서, 정전기 감지 정보를 나타낸 그래프이다. 도 11은 센서 모듈에서 생성된 위치 정보를 나타낸 그래프이다.
도 9를 참조하면, 센서 모듈을 반도체 설비로 반입한다(S110). 센서 모듈은 반도체 설비 내의 공정 환경을 감지하기 위한 센서 및 반도체 설비 내에서 센서 모듈의 위치를 검출하기 위한 센서를 포함할 수 있다. 반도체 설비에 반입된 센서 모듈은, 예컨대, FOUP과 같은 캐리어에 수용된 상태로 반도체 설비의 로드 포트(도 8의 1310)에 로딩될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 센서 모듈을 이용하여 상기 반도체 설비 내부에서 감지된 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보를 생성한다(S120). 반도체 설비 내부에서, 센서 모듈은 웨이퍼의 이동 경로를 따라서 이동할 수 있으며, 웨이퍼의 입장에서 웨이퍼에 인가될 수 있는 공정 환경, 예컨대 정전기, 압력, 진동, 온도, 습도, 충격 등을 측정한다.
도 10에 도시된 것과 같이, 센서 모듈에서 생성된 공정 환경 감지 정보의 일 예로서, 정전기 감지 정보는 시간에 따른 정전기 세기를 포함할 수 있다. 예컨대, 정전기 감지 정보는 그래프(21)로 나타날 수 있으며, 그래프(21)에서 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 정전기의 세기, 예컨대 출력 전압을 나타낸다.
도 9 및 도 11을 참조하면, 반도체 설비 내부를 이동하도록 구성된 센서 모듈의 위치에 관련된 위치 정보를 생성한다(S130). 센서 모듈은 공정 환경 감지 정보를 생성하는 것과 동시에 위치 정보를 생성하며, 공정 환경 감지 정보 및 위치 정보를 실시간으로 외부의 분석 장치로 전송한다.
도 11에 도시된 것과 같이, 센서 모듈은 센서 모듈의 가속도를 측정할 수 있는 가속도 센서를 이용하여, 위치 정보를 생성할 수 있다.
우선, 위치 정보를 생성하기 위하여, 센서 모듈은 시간에 따른 가속도를 포함하는 가속도 정보를 생성한다. 가속도 정보는 센서 모듈의 X축 방향의 가속도, 센서 모듈의 Y축 방향의 가속도, 및 센서 모듈의 Z축 방향의 가속도를 포함할 수 있다. 가속도 정보는 그래프(23a)로 나타날 수 있으며, 예컨대 그래프(23a)는 도 8의 X축 방향에 따른 가속도를 나타낸다. 그래프(23a)에서, 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 가속도를 나타낸다.
가속도 정보가 생성되면, 가속도 정보를 적분 처리하여 센서 모듈의 속도 정보를 생성한다. 속도 정보는 센서 모듈의 X축 방향의 속도, 센서 모듈의 Y축 방향의 속도, 및 센서 모듈의 Z축 방향의 속도를 포함할 수 있다. 속도 정보는 그래프(23b)로 나타날 수 있으며, 예컨대 그래프(23b)는 도 8의 X축 방향에 따른 속도를 나타낸다. 그래프(23b)에서, 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 속도를 나타낸다.
속도 정보가 생성되면, 속도 정보를 적분 처리하여, 센서 모듈의 위치 정보를 생성한다. 위치 정보는 센서 모듈의 X축 방향의 변위, 센서 모듈의 Y축 방향의 변위, 및 센서 모듈의 Z축 방향의 변위를 포함할 수 있다. 위치 정보는 그래프(23c)로 나타날 수 있으며, 예컨대 그래프(23c)는 도 8의 X축 방향에 따른 변위를 나타낸다. 그래프(23c)에서, 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 변위를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 공정 환경 감지 정보 및 위치 정보를 기반으로 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출한다(S140). 예컨대, 센서 모듈에서 허용 범위를 넘어서는 공정 환경 불량이 감지되면, 공정 환경 불량이 감지된 시점과 동일한 시점에서 센서 모듈의 위치를 검출함으로써, 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출할 수 있다.
예를 들어, 도 10에 도시된 것과 같은 정전기 감지 정보를 통해 허용 범위(PR)를 넘어선 정전기(F1, F2)를 감지된 시점(t1, t2)를 검출할 수 있다. 정전기(F1, F2)가 발생된 시점(t1, t2)를 검출되면, 도 11에 도시된 것과 같은 위치 정보를 통해 검출된 시점(t1, t2)에서 센서 모듈의 위치들(P1, P2)를 검출함으로써, 공정 환경 불량이 발생된 X축 방향에 따른 위치들을 검출할 수 있다. 유사하게, 상기 시점(t1, t2)에서, 센서 모듈의 Y축 방향에 따른 위치들 및 Z축 방향에 따른 위치들을 검출한 후, 검출된 X축 방향에 따른 위치들, Y축 방향에 따른 위치들 및 Z축 방향에 따른 위치들을 이용하여, 반도체 설비 내에서 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출한다.
공정 환경 불량이 발생된 위치가 검출되면, 센서 모듈을 반도체 설비로부터 반출하고, 검출된 위치의 공정 환경 불량을 제거한다. 또는, 모니터링 공정에서 검출된 공정 환경 불량이 검출되지 않은 경우 또는 모니터링 공정을 통해 검출된 공정 환경 불량이 제거된 경우, 센서 모듈을 반도체 설비로부터 반출하고, 캐리어에서 대기 중인 웨이퍼를 반도체 설비로 투입하여 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행한다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 12를 참조하면, 먼저, 도 9 내지 도 11을 참조하여 설명한 것과 같이, 센서 모듈을 이용하여 반도체 설비 내의 공정 환경을 모니터링 하기 위한 모니터링 공정을 수행한다(S100). 전술한 것과 같이, 모니터링 공정을 통해 반도체 설비 내의 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출할 수 있다.
모니터링 공정을 수행한 후, 모니터링 결과를 기반으로, 반도체 설비 내의 공정 환경 불량을 제거한다(S200). 공정 환경 불량을 제거하기 위하여, 공정 환경 불량이 발생된 위치에 배치된 반도체 설비에 대해 공정 환경 불량을 제거하기 위한 정비 작업를 수행하거나, 또는 공정 환경 불량을 야기한 반도체 제조 공정에 대한 공정 조건들을 변경할 수 있다.
공정 환경 불량을 제거한 이후, 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행한다(S300). 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정은 다양한 공정들을 포함할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정은 증착 공정, 식각 공정, 이온 공정, 세정 공정 등을 포함할 수 있다. 이러한 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 수행하여 해당 반도체 소자에서 요구되는 집적 회로들 및 배선들을 형성할 수 있다. 이후, 웨이퍼는 각각의 반도체 칩으로 개별화될 수 있고, 개별화된 반도체 칩에 대한 패키징 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의하면, 센서 모듈을 이용한 모니터링 공정을 통해 공정 환경 불량을 제거할 수 있으므로, 웨이퍼에 대한 반도체 제조 공정을 최적화할 수 있고, 최적화된 공정 환경에서 반도체 소자들을 제조함에 따라 우수하고 신뢰성 높은 반도체 소자를 구현할 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10, 10a, 1000: 반도체 제조 장치
100, 100a, 500, 500a, 500b: 센서 모듈
110, 521: 제1 센서 120, 523: 제2 센서
130, 525: 신호 처리 모듈 140, 527: 무선 통신 모듈
200, 200a: 분석 장치 300: 챔버
510: 센서 몸체 511: 상부 플레이트
513: 하부 플레이트 515: 밀봉층
520: 센서 회로부 530: 기판

Claims (20)

  1. 반도체 설비 내의 공정 환경을 검출하기 위한 센서 모듈로서,
    상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함하는 센서 몸체; 및
    상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 배치된 정전기 센서를 포함하고, 상기 센서 몸체에 내장된 센서 회로부;
    를 포함하는 센서 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 중 적어도 하나는 실리콘으로 구성된 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서 몸체는 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 개재되고, 상기 센서 회로부를 밀봉하는 밀봉층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서 회로부는 가속도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 센서 회로부는 상기 정전기 센서에서 출력된 신호를 기반으로 정전기 감지 정보를 생성하고, 상기 가속도 센서에서 출력된 신호를 기반으로 상기 센서 모듈의 위치 정보를 생성하도록 구성된 신호 처리 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 신호 처리 모듈에서 생성된 상기 정전기 감지 정보 및 상기 위치 정보를 외부로 전송하기 위한 무선 통신 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서 회로부는 상기 정전기 센서가 실장된 기판을 포함하고,
    상기 기판은 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 플레이트와 상기 기판 사이에서 연장되어, 상기 상부 플레이트와 상기 기판을 전기적으로 연결하는 도전성 필라(pillar)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 하부 플레이트 사이에 개재되어, 상기 기판과 상기 하부 플레이트를 전기적으로 연결하는 도전성 필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  10. 반도체 설비 내의 공정 환경을 검출하기 위한 센서 모듈로서,
    상기 센서 모듈에 인가된 공정 환경을 감지하기 위한 제1 센서;
    상기 반도체 설비 내의 상기 센서 모듈의 위치를 검출하기 위한 제2 센서; 및
    상기 제1 센서에서 출력된 신호를 기반으로 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보를 생성하고, 상기 제2 센서에서 출력된 신호를 기반으로 상기 센서 모듈의 위치 정보를 생성하도록 구성된 신호 처리 모듈;
    을 포함하는 센서 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 센서 모듈은,
    센서 몸체와,
    상기 센서 몸체에 내장된 센서 회로부로서, 상기 제1 센서 및 상기 제2 센서를 구비한 상기 센서 회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 센서 몸체는,
    서로 대향하는 상부 플레이트 및 하부 플레이트와,
    상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 사이에 개재되고, 상기 센서 회로부를 밀봉하는 밀봉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 센서는 정전기 센서를 포함하고,
    상기 정전기 센서는 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트 중 적어도 하나에 각각 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 센서는 정전기 센서, 진동 센서, 압력 센서, 온도 센서, 및 습도 센서 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 센서는 가속도 센서를 포함하고,
    상기 신호 처리 모듈은 상기 제2 센서에서 출력된 상기 센서 모듈의 가속도 신호를 기반으로 상기 반도체 설비 내의 상기 센서 모듈의 위치 정보를 생성하도록 구성된 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  16. 적어도 하나의 챔버;
    상기 적어도 하나의 챔버의 내부를 이동하도록 구성된 센서 모듈로서, 상기 적어도 하나의 챔버 내의 공정 환경을 감지하기 위한 제1 센서 및 상기 적어도 하나의 챔버 내의 상기 센서 모듈의 위치를 검출하기 위한 제2 센서를 포함하는 상기 센서 모듈; 및
    상기 제1 센서에서 출력된 제1 신호 및 상기 제2 센서에서 출력된 제2 신호를 기반으로 상기 적어도 하나의 챔버 내의 공정 환경 불량을 검출하는 분석 장치;
    를 포함하는 반도체 제조 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 센서 모듈은,
    상기 제1 센서에서 출력된 상기 제1 신호를 기반으로 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보를 생성하고, 상기 제2 센서에서 출력된 상기 제2 신호를 기반으로 상기 적어도 하나의 챔버 내의 상기 센서 모듈의 위치 정보를 생성하는 신호 처리 모듈과,
    상기 신호 처리 모듈에서 생성된 상기 공정 환경 감지 정보 및 상기 위치 정보를 상기 분석 장치로 전송하는 무선 통신 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 센서는 정전기 센서를 포함하고, 상기 제2 센서는 가속도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 분석 장치는 상기 공정 환경 불량을 제거하기 위한 피드백 신호를 생성하고, 상기 피드백 신호를 상기 적어도 하나의 챔버에 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  20. 반도체 설비에 센서 모듈을 반입하여 상기 반도체 설비 내의 공정 환경을 모니터링하는 단계;
    상기 모니터링을 통해 검출된 상기 반도체 설비의 공정 환경 불량을 제거하는 단계; 및
    상기 반도체 설비에 웨이퍼를 반입하고, 상기 웨이퍼에 대해 반도체 제조 공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 모니터링 단계는,
    상기 센서 모듈을 이용하여 상기 반도체 설비 내부에서 감지된 공정 환경에 관련된 공정 환경 감지 정보를 생성하고, 상기 반도체 설비 내부에 있는 상기 센서 모듈의 위치에 관련된 위치 정보를 생성하는 단계; 및
    상기 공정 환경 감지 정보를 통해 공정 환경 불량을 검출하고, 상기 위치 정보를 통해 상기 공정 환경 불량이 발생된 위치를 검출하는 단계;
    를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
KR1020170132755A 2017-10-12 2017-10-12 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법 KR102395191B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170132755A KR102395191B1 (ko) 2017-10-12 2017-10-12 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법
US15/942,876 US10627206B2 (en) 2017-10-12 2018-04-02 Sensor module for detecting a process environment in semiconductor equipment, a semiconductor manufacturing apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor device
CN201810971332.2A CN109659251B (zh) 2017-10-12 2018-08-24 传感器模块、半导体制造装置及制造半导体器件的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170132755A KR102395191B1 (ko) 2017-10-12 2017-10-12 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190041321A true KR20190041321A (ko) 2019-04-22
KR102395191B1 KR102395191B1 (ko) 2022-05-06

Family

ID=66096423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170132755A KR102395191B1 (ko) 2017-10-12 2017-10-12 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10627206B2 (ko)
KR (1) KR102395191B1 (ko)
CN (1) CN109659251B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102435940B1 (ko) * 2019-10-31 2022-08-24 세메스 주식회사 기판 휨 모니터링 장치, 기판 휨 모니터링 방법, 기판 처리 장비 및 기판형 센서
JP2023070787A (ja) * 2021-11-10 2023-05-22 セイコーエプソン株式会社 慣性計測装置
WO2023245198A2 (en) * 2022-06-16 2023-12-21 Iona Tech Llc Systems and methods for monitoring and detecting electrostatic discharge (esd) conditions and events

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001305152A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Fuji Electric Co Ltd 半導体センサチップおよびその製造方法、半導体センサチップを備えた半導体センサ
KR101421635B1 (ko) * 2013-10-02 2014-07-22 (주)시스윈일렉트로닉스 반도체 제조 공정의 환경안전 데이터 모니터링(sem) 장치
KR20150000544A (ko) * 2013-06-24 2015-01-05 삼성디스플레이 주식회사 정전기 측정 장치 및 정전기 측정 방법
KR20150116736A (ko) * 2014-04-08 2015-10-16 (주)씨에스이 반도체 제조 장비의 온도 모니터링 시스템 및 그 제어방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2804196B2 (ja) * 1991-10-18 1998-09-24 株式会社日立製作所 マイクロセンサ及びそれを用いた制御システム
JPH10144771A (ja) * 1996-11-06 1998-05-29 Sony Corp 半導体製造装置
US6660540B2 (en) 1999-04-09 2003-12-09 Dupont Photomasks, Inc. Test wafer and method for investigating electrostatic discharge induced wafer defects
US6614235B2 (en) * 2001-06-06 2003-09-02 Credence Technologies, Inc. Apparatus and method for detection and measurement of environmental parameters
US6781205B1 (en) 2002-10-11 2004-08-24 Ion Systems, Inc. Electrostatic charge measurement on semiconductor wafers
KR20070045524A (ko) 2005-10-27 2007-05-02 삼성전자주식회사 웨이퍼에 대한 감지 장치
JP4607848B2 (ja) 2006-10-27 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及び記憶媒体
JP4447631B2 (ja) 2007-11-05 2010-04-07 東京エレクトロン株式会社 位置検出用治具
US20100117224A1 (en) * 2008-08-29 2010-05-13 Vertical Circuits, Inc. Sensor
JP5210925B2 (ja) * 2009-02-27 2013-06-12 三菱重工業株式会社 燃料タンクの発火防止構造
JP5445335B2 (ja) 2010-05-31 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理システム
KR101347375B1 (ko) * 2010-11-18 2014-01-06 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 구비한 표시 장치
JP2012154629A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd 静電センサシートの取付構造
JP2012244041A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Renesas Electronics Corp ダイシング装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2013181884A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Panasonic Corp 静電容量式センサ
JP5712975B2 (ja) 2012-07-06 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001305152A (ja) * 2000-04-18 2001-10-31 Fuji Electric Co Ltd 半導体センサチップおよびその製造方法、半導体センサチップを備えた半導体センサ
KR20150000544A (ko) * 2013-06-24 2015-01-05 삼성디스플레이 주식회사 정전기 측정 장치 및 정전기 측정 방법
KR101421635B1 (ko) * 2013-10-02 2014-07-22 (주)시스윈일렉트로닉스 반도체 제조 공정의 환경안전 데이터 모니터링(sem) 장치
KR20150116736A (ko) * 2014-04-08 2015-10-16 (주)씨에스이 반도체 제조 장비의 온도 모니터링 시스템 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN109659251B (zh) 2023-10-13
CN109659251A (zh) 2019-04-19
US10627206B2 (en) 2020-04-21
KR102395191B1 (ko) 2022-05-06
US20190113324A1 (en) 2019-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102395191B1 (ko) 센서 모듈, 반도체 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조 방법
US7880485B2 (en) High-sensitive resistance measuring device and monitoring method of solder bump
KR102328101B1 (ko) 프로브 카드, 프로브 카드용 단열 커버 어셈블리, 및 이를 갖는 반도체 디바이스의 검사 장치
JP2009510396A (ja) 個片化されたダイを検査するデバイスおよび方法
CN104124189A (zh) 监控晶圆处理的系统及方法以及晶圆处理机
US20100234992A1 (en) Semiconductor wafer robot alignment system and method
CN110716124B (zh) 电路装置、检测器、检查装置和电路板的翘曲调节方法
US20130240884A1 (en) Detection of environmental conditions in a semiconductor chip
CN102854337A (zh) 基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板
KR102509643B1 (ko) 정전기 측정 장치
US11067554B2 (en) Gas sensor package and sensing apparatus including the same
CN104596676A (zh) 力检测装置、机器人、电子部件输送装置及检查装置
WO2018190632A1 (ko) 소자 픽업 모듈 및 이를 구비하는 반도체 소자 테스트 장치
US20210252717A1 (en) End effector measuring module and end effector monitoring apparatus using the same
CN110957240B (zh) 感应器、装载端及水平方法
KR102478111B1 (ko) 테스트 장치
US20140312450A1 (en) Small Size, Weight, and Packaging of Image Sensors
TW202043122A (zh) 輸送系統及其操作方法
US6675119B1 (en) In-situ measurement method and apparatus in adverse environment
Yang et al. In-situ service load monitoring of automotive electronic systems using silicon-based piezoresistive stress sensor
US7989229B2 (en) Tactile surface inspection during device fabrication or assembly
TWI733889B (zh) 檢測系統的調整方法及其使用的輔助套件
CN217404353U (zh) 半导体检测治具
CN110383444A (zh) 检查系统
KR20190075519A (ko) 반도체 패키징 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant