KR20190038304A - 수지 시트, 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지(封止)에 사용되는 수지 시트(1)로서, 수지 시트(1)가, 경화성의 수지 조성물층(11)을 구비하고, 수지 조성물층(11)이, 경화성 수지, 조막성 수지 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 조막성 수지가, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지 시트(1). 이러한 수지 시트(1)는, 수지 조성물층의 후막 형성이 가능함과 함께, 당해 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수하다.

Description

수지 시트, 및 그 제조 방법{RESIN SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}

본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지(封止)에 사용되는 수지 시트, 및 당해 시트의 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 경화성의 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트를 사용해서, 반도체칩과 같은 전자 부품을 봉지하는 것이 행해지고 있다. 예를 들면, 기판 상에 마련된 전자 부품에 대하여, 당해 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 적층한 후, 당해 수지 조성물층을 경화시켜서 경화층을 형성함으로써, 전자 부품의 봉지가 행해진다(특허문헌 1). 여기에서, 당해 봉지에 있어서, 전자 부품과 경화층과의 사이에 공극이 발생하는 것을 억제하는 관점에서, 상술한 수지 시트에서는, 수지 조성물층이 충분한 두께를 갖고, 그것에 의해 수지 조성물층이 전자 부품의 주위를 양호하게 덮는 것이 요구되고 있다.

최근, 전자 부품이 내장된 기판(이하, 「부품 내장 기판」이라 하는 경우가 있다)의 개발이 진행되고 있고, 이와 같은 부품 내장 기판의 제조에 있어서도, 상술한 수지 시트를 사용해서 전자 부품의 봉지가 행해지는 경우가 있다. 이 경우, 전자 부품의 봉지에 이어서, 당해 경화층을 관통하는 구멍을 형성한 후, 당해 구멍을 통해서 전자 부품과 외부를 전기적으로 접속하는 배선이 형성된다.

상술한 구멍의 형성 시에는, 경화층을 구성하는 수지의 잔사(이하 「스미어」라고 하는 경우가 있다)가 발생하고, 이 스미어가 구멍 내에 남는 경우가 있다. 스미어가 구멍 내에 남은 상태에서 배선을 형성하면, 배선의 도통(導通) 불량과 같은 문제가 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 구멍을 형성한 후 또한 배선을 형성하기 전에 있어서, 발생한 스미어를 제거하는 처리(이하 「디스미어 처리」라 하는 경우가 있다)가 행해진다. 이와 같은 디스미어 처리의 방법의 하나로서, 처리의 대상을 알칼리성 용액에 노출시킨다는 방법이 존재한다. 당해 방법에 따르면, 스미어를 알칼리성 용액에 용해시켜서, 제거할 수 있다.

일본 특개2016-175972호 공보

부품 내장 기판의 제조 방법에서는, 상술한 알칼리성 용액을 사용한 디스미어 처리에 이어, 배선 형성의 공정의 일부로서, 경화층의 표면에 금속의 도금 처리가 행해진다. 여기에서, 특허문헌 1에 개시되는 수지 시트에서는, 도금 처리에 있어서, 당해 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층에 도금이 충분히 정착하지 않는다는 문제가 있었다. 도금의 정착이 불충분할 경우, 배선의 형성을 양호하게 행할 수 없고, 얻어지는 부품 내장 기판의 품질이 저하한다.

본 발명은, 이와 같은 실상에 감안하여 이루어진 것이며, 수지 조성물층의 후막 형성이 가능함과 함께, 당해 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수한 수지 시트, 및 당해 수지 시트의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지에 사용되는 수지 시트로서, 상기 수지 시트가, 경화성의 수지 조성물층을 구비하고, 상기 수지 조성물층이, 경화성 수지, 조막성 수지 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 조막성 수지가, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 시트를 제공한다(발명 1).

상기 발명(발명 1)에 따른 수지 시트에서는, 수지 조성물층을 형성하기 위한 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 당해 수지 조성물의 도공액의 점도가 비교적 높은 것으로 되기 때문에, 당해 도공액의 도공에 의해서 충분한 두께를 갖는 수지 조성물층을 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 수지 조성물층을 형성하기 위한 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 당해 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층에서는, 알칼리성 용액을 사용한 디스미어 처리를 행했을 때에, 무기 필러가 적당히 경화층으로부터 탈리하는 한편, 무기 필러의 주위에 존재하는 매트릭스 성분이 알칼리성 용액 중에 용출하기 어렵다. 그 결과, 디스미어 처리 후의 경화층의 표면은 미소한 요철을 갖는 것으로 되고, 그 후 도금 처리를 행했을 경우에, 당해 표면에 대한 도금의 앵커 효과가 양호하게 발휘되고, 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수한 것으로 된다.

상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 수지 조성물층의 두께는, 100㎛ 이상, 300㎛ 이하인 것이 바람직하다(발명 2).

상기 발명(발명 1, 2)에 있어서, 상기 수지 조성물층은, 단일의 층으로 이루어지는 것이 바람직하다(발명 3).

상기 발명(발명 1, 2)에 있어서, 상기 수지 조성물층은, 2층 이상의 단위 수지 조성물층을 적층해서 이루어지는 것이고, 상기 단위 수지 조성물층의 두께는, 각각 100㎛ 이상인 것이 바람직하다(발명 4).

상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 무기 필러는, 최소 피복 면적이 550㎡/g 미만인 표면처리제에 의해 표면 처리된 것임이 바람직하다(발명 5).

상기 발명(발명 1∼5)에 있어서, 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면의 적어도 일부에 대해서 도금 처리를 행하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다(발명 6).

상기 발명(발명 1∼6)에 있어서, 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면의 적어도 일부에 알칼리성 용액을 접촉시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다(발명 7).

상기 발명(발명 1∼7)에 있어서, 상기 반도체 장치는, 부품 내장 기판인 것이 바람직하다(발명 8).

둘째로 본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지에 사용되는 수지 시트의 제조 방법으로서, 상기 수지 시트가, 경화성의 수지 조성물층을 구비하고, 상기 수지 조성물층이, 경화성 수지, 조막성 수지 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 조막성 수지가, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하고, 상기 제조 방법이, 상기 수지 조성물의 도공액을 도공해서 도막을 형성하는 공정, 및 당해 도막을 건조함에 의해 상기 수지 조성물층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 시트의 제조 방법을 제공한다(발명 9).

상기 발명(발명 9)에 있어서는, 상기 수지 조성물의 도공액의 1회의 도공에 의해 상기 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조함에 의해, 상기(발명 3)의 단일의 층으로 이루어지는 수지 조성물층을 형성하는 것, 또는 상기(발명 4)의 단위 수지 조성물층을 형성하는 것을 포함하는 것이 바람직하다(발명 10).

상기 발명(발명 9, 10)에 있어서, 상기 수지 조성물의 도공액은, 비점이 130℃ 이상인 희석제를 함유하는 것이 바람직하다(발명 11).

본 발명의 수지 시트는, 수지 조성물층의 후막 형성이 가능함과 함께, 당해 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수하다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트의 단면도.
도 2는 실시예 1에 따른 경화층의 표면의 주사형 전자현미경에 의한 사진.
도 3은 비교예 1에 따른 경화층의 표면의 주사형 전자현미경에 의한 사진.
도 4는 비교예 2에 따른 경화층의 표면의 주사형 전자현미경에 의한 사진.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.

〔수지 시트〕

도 1에는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)의 단면도가 나타난다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 수지 조성물층(11)과, 당해 수지 조성물층(11)의 적어도 한쪽의 면에 적층된 박리 시트(12)를 구비한다. 또, 수지 조성물층(11)에 있어서의 박리 시트(12)와는 반대의 면에, 다른 박리 시트가 추가로 적층되어도 된다. 단, 박리 시트(12) 및 다른 박리 시트는 생략되어도 된다.

1. 수지 조성물층

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)이 경화성을 갖는다. 여기에서, 경화성을 갖는다는 것은, 수지 조성물층(11)이 가열 등에 의해서 경화할 수 있는 것을 말한다. 즉, 수지 조성물층(11)은, 수지 시트(1)를 구성하고 있는 상태에서는 미경화이다. 수지 조성물층(11)은, 열경화성인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물층(11)의 두께가 두껍거나, 착색제를 함유하고 있음에 의해, 수지 조성물층(11)에 대해서 에너지선 조사에 의한 경화 처리를 하기 어려운 경우여도, 당해 수지 조성물층(11)을 양호하게 경화할 수 있다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)이, 경화성 수지, 조막성 수지 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 당해 수지 조성물이, 조막성 수지로서 폴리비닐아세탈 수지를 포함한다.

(1) 경화성 수지

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 경화성 수지를 함유함에 의해, 전자 부품을 강고하게 봉지하는 것이 가능하게 된다. 경화성 수지로서는, 수지 조성물층(11)의 두께가 두껍거나, 착색제를 함유하고 있음에 의해, 수지 조성물층(11)에 대해서 에너지선을 조사하기 어려운 경우여도, 당해 수지 조성물층(11)을 양호하게 경화할 수 있는 관점에서, 열경화성 수지가 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 수지 조성물층(11)의 경화를 가능하게 하는 것이면 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 봉지재에 통상 함유되는 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 말레이미드 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 벤조옥사진 화합물, 산무수물 화합물, 아민계 화합물, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트에스테르계 수지 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 에폭시 수지, 페놀 수지, 또는 그들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하고, 적어도 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 페녹시 수지나, 아크릴 수지에서 측쇄에 글리시딜기를 갖는 것 등, 고분자량체에서 에폭시기를 갖는 것도, 열에 의해 에폭시기가 반응하여, 수지 조성물층(11)의 경화에 관여할 수 있지만, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서는, 고분자량체에서, 수지 조성물층(11)을 시트상으로 형성하는 기능을 갖는 것은 조막성 수지로 간주한다. 이와 같은 고분자량체의 중량 평균 분자량은, 일반적으로 25,000 이상이다.

에폭시 수지는, 일반적으로, 가열을 받으면 삼차원 망상화하고, 강고한 경화물을 형성하는 성질을 갖는다. 이와 같은 에폭시 수지로서는, 공지의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 구체적으로는, 비스페놀A, 비스페놀F, 레조르시놀, 페닐노볼락, 크레졸노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르; 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알코올류의 글리시딜에테르; 프탈산, 이소프탈산, 테트라히드로프탈산 등의 카르복시산의 글리시딜에테르; 아닐린이소시아누레이트 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 글리시딜형 혹은 알킬글리시딜형의 에폭시 수지; 비닐시클로헥산디에폭시드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-디시클로헥산카복실레이트, 2-(3,4-에폭시)시클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)시클로헥산-m-디옥산 등과 같이, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합을 예를 들면 산화함에 의해 에폭시가 도입된, 소위 지환형 에폭시드를 들 수 있다. 그 외, 비페닐 골격, 트리페닐메탄 골격, 디시클로헥사디엔 골격, 나프탈렌 골격 등을 갖는 에폭시 수지를 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 상술한 에폭시 수지 중에서도, 비스페놀A의 글리시딜에테르(비스페놀A형 에폭시 수지), 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지), 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(나프탈렌형 에폭시 수지) 또는 이들의 조합을 사용하는 것이 바람직하다.

페놀 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A, 테트라메틸비스페놀A, 디알릴비스페놀A, 비페놀, 비스페놀F, 디알릴비스페놀F, 트리페닐메탄형 페놀, 테트라키스페놀, 노볼락형 페놀, 크레졸노볼락 수지, 비페닐아랄킬 골격을 갖는 페놀(비페닐형 페놀) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 비페닐형 페놀을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 페놀 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또, 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 에폭시 수지와의 반응성 등의 관점에서, 페놀 수지를 병용하는 것이 바람직하다.

수지 조성물 중에 있어서의 열경화성 수지의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 20질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 50질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 10질량% 이상임으로써, 수지 조성물층(11)의 경화가 보다 충분한 것으로 되고, 전자 부품을 보다 강고하게 봉지할 수 있다. 또한, 당해 함유량이 60질량% 이하임으로써, 수지 조성물층(11)의 의도하지 않은 단계에서의 경화를 보다 억제할 수 있고, 보존안정성이 보다 우수한 것으로 된다. 또, 수지 조성물을 희석해서 도공액으로 하고, 그 도공, 건조를 거쳐 시트상으로 형성할 경우, 수지 조성물 중에 있어서의 열경화성 수지의 함유량은, 건조 공정에 있어서 휘발하는 성분의 양을 제외한 양을 기준으로 하고, 수지 조성물의 다른 구성 성분의 함유량도 마찬가지로 한다.

경화성 수지로서, 에너지선 경화성 수지를 사용해도 된다. 에너지선 경화성 수지의 예로서는, 자외선에 의해 경화하는 수지를 들 수 있고, 자외선에 의해 경화하는 수지의 예로서는, 분자 내에 아크릴로일기, 메타크릴로일기 등의 반응성 이중 결합을 갖는 기를 갖는 수지를 들 수 있다. 에너지선 경화성 수지를 사용하는 경우에는, 수지 조성물은, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이, 열경화성 수지 및 에너지선 경화성 수지의 양쪽을 함유하고 있어도 된다.

(2) 조막성 수지

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이, 조막성 수지를 함유함에 의해, 수지 조성물층(11)을 시트상으로 형성하는 것이 용이하게 된다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이, 조막성 수지로서 폴리비닐아세탈 수지를 포함한다. 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 당해 수지 조성물의 도공액이 비교적 높은 점도를 갖는 것으로 되고, 당해 도공액을 도공함으로써, 충분한 두께를 갖는 수지 조성물층을 형성하는 것이 가능하게 된다.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층에 대해서 알칼리성 용액을 사용한 디스미어 처리를 행할 때에, 당해 경화층에 있어서의 무기 필러의 주위에 존재하는 매트릭스 성분이 알칼리성 용액 중에 용출하기 어려운 것으로 된다. 그 한편, 무기 필러는 경화층으로부터 알칼리성 용액 중에 적당히 탈리하기 때문에, 경화층의 표면에는, 무기 필러가 탈리해서 발생하는 미소한 공극과, 잔류하는 매트릭스로부터 형성되는 미소한 요철이 존재하는 것으로 된다. 디스미어 처리에 이어서, 이와 같은 미소한 요철을 갖는 경화층의 표면에 대해서 도금 처리를 행함으로써, 당해 표면에 대한 도금의 앵커 효과가 양호하게 발휘되고, 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수한 것으로 된다. 그 결과, 경화층의 표면에 대해서 배선이 양호하게 정착한 반도체 장치를 제조하는 것이 가능하게 된다.

상기 폴리비닐아세탈 수지로서는, 수지 조성물의 도공액에 원하는 점도를 부여함과 함께, 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층이 알칼리성 용액에 대해서 원하는 내성을 갖는 것으로 되는 한 한정되지 않으며, 예를 들면, 폴리비닐알코올과 부틸알데히드를 반응시켜서 얻어지는 폴리비닐부티랄, 폴리비닐알코올과 포름알데히드를 반응시켜서 얻어지는 폴리비닐포르말, 폴리비닐알코올과 아세트알데히드를 반응시켜서 얻어지는 폴리비닐아세토아세탈 등을 들 수 있고, 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 폴리비닐부티랄을 사용하는 것이 바람직하다.

폴리비닐아세탈 수지의 중량 평균 분자량은, 25,000 이상인 것이 바람직하고, 50,000 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 중량 평균 분자량은, 600,000 이하인 것이 바람직하고, 300,000 이하인 것이 특히 바람직하다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이, 폴리비닐아세탈 수지와 함께, 그 밖의 조막성 수지를 함유해도 된다. 그 밖의 조막성 수지의 예로서는, 페녹시계 수지, 올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리실록산계 수지, 고무계 수지 등을 들 수 있고, 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 그 밖의 조막성 수지의 중량 평균 분자량은, 25,000 이상인 것이 바람직하고, 50,000 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 중량 평균 분자량은, 1,500,000 이하인 것이 바람직하고, 800,000 이하인 것이 특히 바람직하다.

상기 페녹시계 수지로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀A/비스페놀F 공중합형, 비스페놀S형, 비스페놀아세토페논형, 노볼락형, 플루오렌형, 디시클로펜타디엔형, 노르보르넨형, 나프탈렌형, 안트라센형, 아다만탄형, 테르펜형, 트리메틸시클로헥산형, 비페놀형, 비페닐형 등이 예시되고, 이들 중에서도 비스페놀A형 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층으로부터 알칼리성 용액 중에 용출하기 쉬운 조막성 수지의 수지 조성물 중의 함유량이 적은 것이 바람직하고, 특히, 그와 같은 조막성 수지를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 상기 경화층으로부터 알칼리성 용액 중에 용출하기 쉬운 조막성 수지의 예로서는, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 수지 및 폴리에스테르우레탄계 수지를 들 수 있다.

수지 조성물 중에 있어서의 폴리비닐아세탈 수지의 함유량은, 4질량% 이상인 것이 바람직하고, 6질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 8질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 30질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 원하는 점도를 갖는 수지 조성물의 도공액을 조제하기 쉬워지고, 수지 조성물층(11)의 후막 형성을 행하기 쉬워짐과 함께, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층의 알칼리성 용액에 대한 내성이 효과적으로 높은 것으로 되고, 경화층에 대한 도금의 정착성이 보다 우수한 것으로 된다.

또한, 수지 조성물 중에 있어서의, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 모든 조막성 수지의 함유량은, 1질량% 이상인 것이 바람직하고, 3질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 5질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 수지 조성물층(11)을 시트상으로 형성하는 것이 보다 용이하게 된다.

조막성 수지 중에 있어서의 폴리비닐아세탈 수지의 함유량은, 75질량% 이상인 것이 바람직하고, 85질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 92질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 조막성 수지 중에 있어서의 폴리비닐아세탈 수지의 함유량은 100질량% 이하인 것이 바람직하다.

(3) 무기 필러

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 무기 필러를 함유함에 의해, 수지 조성물층(11)이 경화되어 이루어지는 경화층이, 우수한 기계적 강도를 발휘하는 것으로 된다. 또한, 경화층에 대해서 알칼리성 용액을 사용한 디스미어 처리를 행할 때에, 무기 필러가 경화층으로부터 적당히 탈리하여, 그 결과, 상술한 바와 같은, 경화층의 표면에 대한 도금의 앵커 효과가 양호하게 발휘되고, 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수한 것으로 된다.

상기 무기 필러로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 산화티타늄, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성(非晶性) 실리카, 뮬라이트, 코디에라이트 등의 복합 산화물, 몬모릴로나이트, 스멕타이트 등을 재료로 하는 필러를 예시할 수 있으며, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도 실리카 필러를 사용하는 것이 바람직하다.

무기 필러의 형상은, 입상, 침상, 판상, 부정형 등의 어느 것이어도 되지만, 이들 중에서도 구상인 것이 바람직하다.

상기 무기 필러의 평균 입경은, 0.01㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.3㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 무기 필러의 평균 입경은, 3.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.0㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 무기 필러의 평균 입경이 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층(11)이 경화되어 이루어지는 경화층이 기계적 강도를 효과적으로 발휘하기 쉬워짐과 함께, 무기 필러가 경화층으로부터 알칼리성 용액 중에 적당히 탈리하기 쉬운 것으로 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 무기 필러의 평균 입경은, 입도 분포 측정 장치(닛키소샤제, 제품명 「나노트랙Wave-UT151」)를 사용해서, 동적 광산란법에 의해 측정한 값으로 한다.

또한, 상기 무기 필러의 최대 입경은, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 최대 입경은, 5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 무기 필러의 최대 입경이 상기 범위임으로써, 경화층 중에 무기 필러를 충전하기 쉬워지고, 경화층이 보다 우수한 기계적 강도를 갖는 것으로 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 무기 필러의 최대 입경은, 입도 분포 측정 장치(닛키소샤제, 제품명 「나노트랙Wave-UT151」)를 사용해서, 동적 광산란법에 의해 측정한 값으로 한다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 무기 필러가 표면처리제에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 필러의 분산성이나 충전성이 개선됨과 함께, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층에 대해서 알칼리성 용액을 사용한 디스미어 처리를 행할 때에, 무기 필러가 경화층으로부터 적당히 탈리하기 쉬워진다. 특히, 당해 표면처리제의 최소 피복 면적은, 550㎡/g 미만인 것이 바람직하고, 520㎡/g 이하인 것이 특히 바람직하고, 450㎡/g 이하인 것이 더 바람직하다. 또한, 표면처리제의 최소 피복 면적은, 100㎡/g 이상인 것이 바람직하고, 200㎡/g 이상인 것이 특히 바람직하고, 300㎡/g 이상인 것이 더 바람직하다. 표면처리제의 최소 피복 면적이 550㎡/g 미만임으로써, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층으로부터의 무기 필러의 탈리가 양호하게 발생하기 쉬워져, 그 결과, 경화층에 있어서의 도금의 우수한 정착성이 얻기 쉬워진다. 또한, 표면처리제의 최소 피복 면적이 100㎡/g 이상임으로써, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 필러의 분산성이나 충전성이 보다 우수한 것으로 된다.

상기 표면처리제의 예로서는, 에폭시실란, 비닐실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에폭시실란을 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시실란의 구체예로서는, 예를 들면 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 무기 필러의 탈리를 효과적으로 촉진할 수 있다는 관점에서, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 비닐실란의 구체예로서는, 예를 들면 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 무기 필러의 탈리를 효과적으로 촉진할 수 있다는 관점에서, 비닐트리메톡시실란을 사용하는 것이 바람직하다.

무기 필러를 표면처리제로 표면 처리하는 방법은, 특히 한정되지 않으며, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들면, 혼합기를 사용해서 미처리의 무기 필러를 상온에서 교반하고, 그곳에 표면처리제를 분무한 후, 추가로 소정 시간 교반함으로써 표면 처리할 수 있다. 분무 후의 교반 시간은, 예를 들면 5분 이상, 15분 이하인 것이 바람직하다. 또, 표면처리제를 무기 필러에 충분히 정착시키기 위해서, 상기한 조작 후, 혼합기로부터 무기 필러를 취출해서 1일 이상 방치해도 되고, 또한, 경미한 가열 처리를 행해도 된다. 또한, 균일하게 표면 처리를 행하기 위해서, 표면처리제를 분무한 후, 유기 용매를 더 첨가하고, 상기 교반을 행해도 된다. 혼합기로서는, 공지의 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면, V 블렌더, 리본 블렌더, 버블콘 블렌더 등의 블렌더, 헨쉘 믹서, 콘크리트 믹서 등의 믹서, 볼 밀 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 믹서를 사용하는 것이 바람직하다.

수지 조성물 중에 있어서의, 무기 필러의 함유량은, 40질량% 이상인 것이 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 60질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 90질량% 이하인 것이 바람직하고, 85질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 80질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 무기 필러의 함유량이 40질량% 이상임으로써, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층이 보다 양호한 기계적 강도를 갖는 것으로 된다. 또한, 무기 필러의 함유량이 90질량% 이하임으로써, 수지 조성물층(11)이 경화하기 쉬운 것으로 되고, 수지 시트(1)를 사용해서 보다 양호한 품질을 갖는 반도체 장치를 제조하는 것이 가능하게 된다.

또한, 무기 필러가 표면처리제로 표면 처리된 것일 경우, 수지 조성물 중에 함유되는 무기 필러 중, 표면처리제로 표면 처리된 무기 필러의 비율은, 70질량% 이상인 것이 바람직하고, 85질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 당해 비율이 상기 범위임으로써, 경화층으로부터의 무기 필러의 탈리를 효과적으로 촉진하는 것과, 경화층이 우수한 기계적 강도를 갖는 것을 양호하게 양립하는 것이 가능하게 된다.

(4) 경화 촉매

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이, 열경화성 수지를 포함할 경우, 경화 촉매를 더 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지의 경화 반응을 효과적으로 진행시키는 것이 가능하게 되고, 수지 조성물층(11)을 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 경화 촉매의 예로서는, 이미다졸계 경화 촉매, 아민계 경화 촉매, 인계 경화 촉매 등을 들 수 있다.

이미다졸계 경화 촉매의 구체예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디(히드록시메틸)이미다졸 등을 들 수 있고, 반응성의 관점에서, 2-에틸-4-메틸이미다졸을 사용하는 것이 바람직하다.

아민계 경화 촉매의 구체예로서는, 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진 등의 트리아진 화합물, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데센-7(DBU), 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민 등의 제3급 아민 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진이 바람직하다.

또한, 인계 경화 촉매의 구체예로서는, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀 등을 들 수 있다.

상술한 경화 촉매는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

수지 조성물 중에 있어서의 경화 촉매의 함유량은, 0.01질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.1질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 2.0질량% 이하인 것이 바람직하고, 1.5질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 수지 조성물층(11)을 보다 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다.

(5) 가소성 용제

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)이, 1.0질량% 이상의 함유량으로, 가소성 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물층(11)의 취약함이 개선되고, 수지 조성물층(11)은 붕괴하기 어려운 것으로 되어, 보관 시, 반송 시, 사용 시 등에 있어서 수지 조성물층(11)에 있어서의 파손이나 파단의 발생이 억제된다. 또한, 수지 조성물층(11)이 소정의 유연성을 갖는 것으로 되기 때문에, 수지 조성물층(11)에 의해서 전자 부품의 주위를 충분히 덮기 쉬워지고, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층과 전자 부품과의 사이에 있어서의 공극의 형성을 양호하게 억제할 수 있다.

상기 가소성 용제는, 수지 조성물층(11)의 취약함을 충분히 개선할 수 있는 것이면 한정되지 않는다. 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(11)은, 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것임이 바람직하고, 이 경우, 전자 부품의 봉지 시에는, 수지 조성물층(11)을 가열함으로써 경화할 수 있다. 여기에서, 가소성 용제는, 가열에 의해서 휘발하는 것임으로써, 상기 가열에 의해서, 형성되는 경화층으로부터 충분히 제거된다. 또, 가소성 용제는, 보관 시나 반송 시와 같은 전자 부품에의 적용의 전의 단계에 있어서, 수지 조성물층(11)으로부터 과도하게 방출되는 것을 억제하기 위하여, 상온에서는 휘발하기 어려운 것임이 바람직하다. 또한, 후술하는 바와 같이, 수지 조성물을 용매로 희석해서 도공액을 조제한 후, 당해 도공액을 사용해서 수지 조성물층(11)이 형성되는 경우에는, 상기 가소성 용제는, 당해 도공액을 조제하기 위하여 사용되는 용매인 것이 바람직하다.

상기 가소성 용제는, 비점이 130℃ 이상인 것이 바람직하고, 또한, 상기 가소성 용제는, 비점이 210℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 가소성 용제의 비점이 130℃ 이상임으로써, 당해 가소성 용제를 포함하는 도공액을 도포해서 이루어지는 도막을 건조시킬 때에, 당해 도막 중에 가소성 용제의 전부는 휘발하지 않고, 적당히 남기 쉬워지고, 수지 조성물층(11) 중의 가소성 용제의 함유량을 상술한 값으로 조정하기 쉬워진다. 또한, 수지 시트(1)의 보관 시나 반송 시에 있어서, 수지 조성물층(11)으로부터 가소성 용제가 방출되는 것을 효과적으로 억제할 수 있고, 상술한 바와 같이 조정한 가소성 용제의 함유량을 장기간 유지하기 쉬워진다. 한편, 상기 가소성 용제의 비점이 210℃ 이하임으로써, 수지 조성물층(11)을 가열에 의해 경화할 경우에, 당해 가열에 의해서 가소성 용제가 휘발하기 쉬워진 결과, 경화층 중의 가소성 용제의 함유량을 충분히 저하시키기 쉬워진다.

상기 가소성 용제의 구체예로서는, 시클로헥산온(비점 : 155.6℃), 디메틸포름아미드(비점 : 153℃), 디메틸설폭시드(비점 : 189.0℃), 에틸렌글리콜의 에테르류(셀로솔브)(비점 : 120∼310℃ 정도), 오르토자일렌(비점 : 144.4℃) 등의 유기 용매 등을 들 수 있다.

(6) 그 밖의 성분

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 추가로, 가소제, 안정제, 점착부여제, 착색제, 커플링제, 대전방지제, 산화방지제 등을 함유해도 된다.

(7) 수지 조성물층의 구성

수지 조성물층(11)의 두께는, 100㎛ 이상인 것이 바람직하고, 105㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 110㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 당해 수지 조성물의 도공액이 비교적 높은 점도를 갖는 것으로 되고, 당해 도공액을 사용한 1회의 도공에 의해, 100㎛ 이상이라는 충분히 두꺼운 수지 조성물층(11)을 형성하는 것이 가능하게 된다. 수지 조성물층(11)의 두께가 100㎛ 이상임으로써, 수지 시트(1)를 사용해서 전자 부품을 봉지할 때에, 수지 조성물층(11)에 의해서 전자 부품의 주위를 효과적으로 덮는 것이 가능하게 되고, 당해 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층과 전자 부품 간에 공극이 발생하는 것을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다. 또, 수지 조성물층(11)의 두께의 상한으로서는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 250㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 200㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 상기한 수지 조성물층(11)의 두께는, 수지 조성물층(11)이 2층 이상의 수지 조성물층을 적층함에 의해 형성되어 있는 경우에는, 모든 수지 조성물층(11)의 두께의 합계의 두께이다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서는, 상기한 바와 같이 당해 수지 조성물의 도공액이 비교적 높은 점도를 갖는 것으로 되고, 당해 도공액을 사용한 1회의 도공에 의해, 100㎛ 이상이라는 충분히 두꺼운 수지 조성물층(11)을 형성하는 것이 가능하다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)이, 단일의 층으로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기에서, 「단일의 층으로 이루어지는」 것은, 수지 조성물층(11)이, 복수의 단위 수지 조성물층이 적층되어 이루어지는 것이 아닌 것을 말하며, 단일의 단위 수지 조성물층으로 이루어지는 것을 말한다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)이 단일의 층으로 이루어짐에 의해, 복수의 층을 적층함으로써 수지 조성물층을 형성하는 경우와 비교해서, 생산성이 우수한 것으로 된다. 또한, 복수의 단위 수지 조성물층을 적층한 경우에는, 적층 시에 이물이나 기포를 유입할 가능성이 있지만, 수지 조성물층(11)이 단일의 층으로 이루어짐에 의해, 이와 같은 현상에 기인한 불량을 회피할 수 있다.

또한, 수지 조성물층(11)을 2층 이상의 단위 수지 조성물층을 적층함에 의해 형성하는 경우에는, 단위 수지 조성물층의 두께가 모두 100㎛ 이상인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 적은 매수의 단위 수지 조성물층의 적층에 의해, 총두께가 200㎛ 이상인 수지 조성물층(11)을 얻을 수 있기 때문에, 생산성이 우수하다. 단위 수지 조성물층의 두께는, 150㎛ 이하인 것이 바람직하다.

2. 박리 시트

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 박리 시트(12)를 구비하고 있어도 된다. 박리 시트(12)의 구성은 임의이며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름 등의 플라스틱 필름을 들 수 있다. 이들 박리면(수지 시트(1)의 수지 조성물층(11)과 접하는 면)에는, 박리 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 예를 들면, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등의 박리제를 들 수 있다.

박리 시트(12)의 두께에 대해서는 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.

3. 수지 시트의 물성

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(11)이 경화해서 이루어지는 경화층 상에 대해서, 무전해 구리 도금 및 그것에 이어지는 전해 구리 도금에 의해 형성된, 두께 30㎛의 구리 도금층을 경화층으로부터 벗길 때의 필 강도가, 2N/10㎜ 이상인 것이 바람직하고, 4N/10㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함하여, 그 결과로서, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층에 대한 도금의 정착성이 우수한 것으로 된다. 그 때문에, 상술과 같은 높은 필 강도를 달성할 수 있고, 도금의 부풂이 효과적으로 억제된다. 또, 상기 필 강도의 상한값은 특히 한정되지 않지만, 15N/10㎜ 이하인 것이 바람직하고, 12N/10㎜인 것이 보다 바람직하다. 상기 필 강도의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재하는 바와 같다.

4. 수지 시트의 제조 방법

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 상술한 수지 조성물의 도공액을 도공함에 의해 수지 조성물층(11)을 형성해서 제조하는 것이 바람직하다. 이와 같은 제조 방법이면, 가소성 용제를 미량 포함하는 수지 조성물층(11)을 형성할 경우에, 수지 조성물을 구성하는 성분의 용해, 분산, 희석 등을 위하여 상기 도공액에 첨가한 희석제를 완전하게 건조시키지 않고 수지 조성물층(11)을 형성하는 것이 용이하게 되고, 이와 같은 가소성 용제를 미량 포함하는 수지 조성물층(11)을 얻는 것이 용이하다. 또한, 특히, 상술한 수지 조성물의 도공액의 1회의 도공에 의해 단일의 층으로 이루어지는 수지 조성물층(11)을(수지 조성물층(11)이 복수의 단위 수지 조성물층을 적층한 것인 경우에는, 단위 수지 조성물층을) 형성해서 제조하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상술한 수지 조성물, 및 소망에 따라 용매 또는 분산매를 더 함유하는 도공액을 조제하고, 당해 도공액을 박리 시트(12)의 박리면 상에 도공해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴에 의해 수지 시트(1)를 제조할 수 있다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 상술한 도공액이 비교적 높은 점도를 갖는 것으로 되고, 1회의 도공에 의해, 수지 조성물층(11)(단위 수지 조성물층)을 후막 형성하는 것이 가능하게 된다.

상술한 도공은, 나이프 코트법, 다이 코트법, 바 코트법, 그라비어 코트법, 블레이드 코트법 및 롤 키스 코트법 등을 들 수 있고, 특히 나이프 코트법을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 도공법에 따르면, 충분한 두께를 갖는 수지 조성물층(11)을 형성하는 것이 용이하게 된다.

나이프 코트법에 의해 도공할 경우, 그 도공 속도는, 0.3m/분 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.5m/분 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 속도는, 30m/분 이하로 하는 것이 바람직하고, 15m/분 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 도공 속도로 함에 의해, 수지 조성물층(11)을 후막 형성하기 쉬워진다.

형성한 도막을 건조할 때의 조건으로서는, 건조 온도가 40℃ 이상인 것이 바람직하고, 45℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 건조 온도는, 150℃ 이하인 것이 바람직하고, 130℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 건조 시간은, 8분 이상인 것이 바람직하고, 10분 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 건조 시간은, 20분 이하인 것이 바람직하고, 15분 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 도막의 건조는, 건조 온도를 변경하면서 행해도 되고, 예를 들면, 건조 시간을 각 온도에 대하여 3분∼4분 정도로 하고, 건조 온도를 50℃, 70℃, 90℃ 및 100℃로 순서대로 상승시켜서 건조시키는 것이 바람직하다.

상기 희석제로서는, 상술한 가소성 용제에 채용할 수 있는 것을 사용할 수 있고, 그 밖의 것으로서는, 톨루엔(비점 : 110.6℃), 아세트산에틸(비점 : 77.1℃), 메틸에틸케톤(비점 : 79.6℃), 이소프로필알코올(비점 : 82.6℃) 등의 유기 용매 등을 들 수 있다. 희석제는, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 박리 시트(12)는 공정 재료로서 박리해도 되고, 봉지에 사용하기 전까지, 수지 조성물층(11)을 보호하고 있어도 된다.

또한, 수지 시트(1)의 양면에 박리 시트가 각각 적층된 적층체의 제조 방법으로서는, 하나의 박리 시트의 박리면 상에 도공액을 도공해서 도막을 형성하고, 이것을 건조시켜서 수지 조성물층(11)과 하나의 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성한 후, 당해 적층체의 수지 조성물층(11)에 있어서의 하나의 박리 시트와는 반대의 면을 다른 박리 시트의 박리면에 첩부해서, 하나의 박리 시트/수지 조성물층(11)/다른 박리 시트라는 구성을 갖는 수지 시트(1)를 얻을 수 있다. 이 경우, 박리 시트의 적어도 한쪽은 공정 재료로서 박리해도 되고, 봉지에 사용하기 전까지, 수지 조성물층(11)을 보호하고 있어도 된다.

또한, 수지 조성물층(11)을, 복수의 층의 적층에 의해 얻는 경우에는, 상기한 방법에 의해 얻어진 수지 조성물층을, 단위 수지 조성물층으로 하고, 이것을 복수 매 적층해서 수지 조성물층(11)을 얻으면 된다. 이 경우에는, 단위 수지 조성물층을 적층한 분만큼, 두께가 두꺼운 수지 조성물층(11)이 얻어진다는 이점이 있다.

5. 수지 시트의 사용 방법

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지에 사용된다. 예를 들면, 기판 상이나, 점착 시트와 같은 가고정재(假固定材) 상에 마련된 전자 부품에 대해서, 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(11)을 적층한 후, 수지 조성물층(11)을 경화시켜서 경화층을 형성함으로써, 전자 부품의 봉지를 행할 수 있다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 제조로부터 사용까지의 사이의 실질적으로 전부 또는 일부의 기간, 냉장 보존하는 것이 바람직하다. 냉장 보존에 의해, 수지 조성물층(11)에 포함되는 경화성 수지의 반응이 진행하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 수지 조성물층(11)이 가소성 용제를 미량 포함할 경우에, 보관 중의 가소성 용제의 휘산을 억제할 수 있다. 냉장 보존은, 15℃ 이하에서 행하는 것이 바람직하고, 0∼12℃에서 행하는 것이 보다 바람직하다.

상술한 경화는, 수지 조성물이 열경화성 수지를 포함하는 경우에는, 수지 조성물층(11)을 가열함에 의해서 행하는 것이 바람직하다. 이 경우, 가열 처리의 온도를, 100℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 120℃ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 온도를, 240℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 200℃ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 가열 처리의 시간을, 15분간 이상으로 하는 것이 바람직하고, 20분간 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 시간을, 300분간 이하로 하는 것이 바람직하고, 100분간 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.

또한, 상술한 가열에 의한 수지 조성물층(11)의 경화는, 복수 회의 가열 처리에 의해 단계적으로 행하는 것이 바람직하다. 이 경우의 가열은, 2회 이상으로 나눠서 행하는 것이 바람직하고, 특히, 온도 T1에서 열경화시키는 제1 가열 처리와, 온도 T1보다도 높은 온도 T2에서 열경화시키는 제2 가열 처리에 의한, 2단계의 가열의 처리에 의해 행해지는 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 제1 가열 처리에서는, 온도 T1이 100℃ 이상, 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 가열 처리의 시간은 15분 이상, 60분 이하인 것이 바람직하다. 또한, 제2 가열 처리에서는, 온도 T2가, 150℃ 이상, 220℃ 이하인 것이 바람직하고, 가열 처리의 시간은 30분 이상, 120분 이하인 것이 바람직하다.

수지 조성물이 에너지선 경화성 수지를 포함하는 경우에는, 수지 조성물층(11)의 경화는, 에너지선의 조사, 예를 들면, 자외선의 조사에 의해 행하면 된다. 자외선을 조사할 경우, 그 조건은 통상적으로, 조도가 50∼500mW/㎠, 조사량이 100∼2,500mJ/㎠ 정도이다. 이 경우, 수지 조성물층에 의해 전자 부품을 적층한 후, 수지 조성물층(11)의 경화 전 또는 후에, 수지 조성물층(11) 중의 가소성 용제를 휘발시키기 위한 가열 공정을 행해도 된다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)가, 수지 조성물층(11)의 편면측에만 박리 시트(12)를 구비할 경우, 당해 박리 시트(12)는, 수지 조성물층(11)을 전자 부품에 적층한 후, 수지 조성물층(11)을 경화시키기 전에 수지 조성물층(11)으로부터 박리해도 되고, 혹은, 수지 조성물층(11)을 경화시킨 후, 형성된 경화층으로부터 박리해도 된다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)가, 수지 조성물층(11)의 양면측에 박리 시트를 구비할 경우, 하나의 박리 시트를 박리하고, 노출한 수지 조성물층(11)의 노출면을 전자 부품에 적층하고, 다른 박리 시트에 대해서는, 수지 조성물층(11)의 경화의 전후의 어느 하나에 있어서 박리해도 된다.

상술한 반도체 장치의 제조 방법은, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면의 적어도 일부에 알칼리성 용액을 접촉시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 반도체 장치의 제조 방법은, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면의 적어도 일부에 대해서 도금 처리를 행하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

상술한 알칼리성 용액을 접촉시키는 공정, 및 상술한 도금 처리를 행하는 공정을 포함하는 제조 방법의 예로서는, 반도체 장치로서 부품 내장 기판을 제조하는 방법을 들 수 있다. 부품 내장 기판의 제조 방법에서는, 예를 들면, 최초로, 기판 상에 마련된 전자 부품에 대해서, 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(11)을 적층한 후, 수지 조성물층(11)을 경화시켜서 경화층을 형성한다. 다음으로, 당해 경화층에 박리 시트(12)가 적층되어 있는 경우에는, 당해 박리 시트(12)를 박리한 후에, 경화층에 있어서의 전자 부품이 존재하는 것과 반대측의 면으로부터, 경화층과 전자 부품과의 계면, 혹은 경화층의, 전자 부품이 존재하는 측의 표면까지 달하는 구멍을 형성한다. 계속해서, 상술한 알칼리성 용액을 접촉시키는 공정으로서, 구멍이 형성된 경화층과 전자 부품과 기재와의 적층체를 알칼리성 용액에 접촉시킨다. 이 처리에 의해, 구멍을 형성했을 때에 발생한 스미어가 구멍 내부로부터 제거된다(디스미어 처리). 계속해서, 상술한 도금 처리를 행하는 공정으로서, 배선의 형성이 행해진다. 구체적으로는, 경화층에 있어서의 구멍을 형성한 면에 대해서, 구리와 같은 금속을 사용한 도금 처리를 행하여, 구멍에 대해서 당해 금속을 매입한 후, 도금된 당해 금속에 있어서의 불필요한 부분을 에칭 등에 의해 제거하고, 남는 금속편으로서 배선을 형성할 수 있다. 그 후, 경화층의 양 표면에 빌드업법 등에 의해, 다층 기판을 형성하여, 부품 내장 기판이 얻어진다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물이 폴리비닐아세탈 수지를 포함함에 의해, 상술한 알칼리성 용액에 접촉시키는 공정을 행하는 경우에는, 수지 조성물층(11)을 경화해서 이루어지는 경화층에 있어서, 무기 필러의 주위에 존재하는 매트릭스 성분이 알칼리성 용액 중에 용출하기 어려운 것으로 된다. 그 한편, 무기 필러는 경화층으로부터 알칼리성 용액 중에 적당히 탈리하기 때문에, 경화층의 표면은, 무기 필러가 탈리해서 발생하는 미소한 공극과 잔류하는 매트릭스에 의해, 미소한 요철을 갖는 것으로 된다. 또한, 알칼리성 용액에 접촉시키는 공정에 이어서, 상술한 도금 처리를 행하는 공정을 행할 경우, 미소한 요철이 형성된 경화층의 표면에 있어서 도금의 앵커 효과가 양호하게 발휘되기 때문에, 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수한 것으로 된다. 그 결과, 경화층의 표면에 대해서 배선이 양호하게 정착한 반도체 장치를 제조하는 것이 가능하게 된다.

상술한 전자 부품의 예로서는, 일반적으로 봉지의 대상으로 되는 전자 부품이면 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 반도체칩, 콘덴서 등을 들 수 있다. 또한, 제조되는 반도체 장치로서는, 부품 내장 기판, 반도체 패키지 등을 들 수 있고, 특히 부품 내장 기판인 것이 바람직하다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

(실시예)

이하, 실시예 및 시험예 등을 나타냄에 의해 본 발명을 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 시험예 등으로 한정되는 것은 아니다.

〔실시예 1 및 비교예 1∼2〕

표 1에 나타내는 구성 성분을 혼합하고, 메틸에틸케톤으로 희석해서, 표 1에 나타내는 고형분 농도를 갖는 수지 조성물의 도공액을 얻었다. 상기 도공액을, 편면이 실리콘 박리 처리된 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「PET38AL-5*」)의 박리면 상에, 나이프 코터를 사용해서 이하의 조건에서 도공하여, 얻어진 도막을 이하의 조건에서 건조함으로써, 수지 조성물층을 형성했다. 그 후, 수지 조성물층의 박리 필름과 접하고 있지 않은 측의 표면에, 제2 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」)의 박리면을 적층하여, 수지 조성물층과 2매의 박리 시트로 이루어지는 수지 시트를 얻었다. 또, 후술하는 바와 같이, 무기 필러는, 분산매로서의 시클로헥산온에 분산시킨 상태에서 수지 조성물의 도공액 중에 배합하여 있다. 당해 시클로헥산온은, 수지 시트의 형성 후에도 수지 시트 중에 남는 것이다. 여기에서, 표 1에 있어서의 무기 필러의 배합량은, 무기 필러의 함유량만이 반영된 것이고, 상기 시클로헥산온의 함유량은 반영되어 있지 않은 것이다. 또한, 표 1에는, 상기 도공액의 점도계(안톤·파르사제, 제품명 「레오미터MCR302」)로 측정한 점도도 나타낸다.

<나이프 코터를 사용한 도공 조건>

도공 속도 : 0.6m/분

도공갭 : 700㎛

<건조 조건>

건조 온도 : 50℃→70℃→90℃→100℃

건조 시간 : 각 온도에 대하여, 3분 20초

여기에서, 표 1에 나타내는 구성 성분의 상세는 이하와 같다.

[열경화성 수지]

BisA형 에폭시 수지 : 비스페놀A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「YL980」)

비페닐형 에폭시 수지 : 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠샤제, 제품명 「NC-3000-L」)

나프탈렌형 에폭시 수지 : 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC샤제, 제품명 「HP-6000」)

비페닐형 페놀 수지 : 비페닐형 페놀 수지(메이와가세이샤제, 제품명 「MEHC-7851-SS」)

[조막성 수지]

폴리비닐아세탈 수지 : 폴리비닐아세탈 수지(세키스이가가쿠샤제, 제품명 「BX-5」, 중량 평균 분자량 : 130,000)

BisA형 페녹시 수지 : 비스페놀A형 페녹시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「YX7200B35」」, 중량 평균 분자량 : 30,000)

아크릴 수지 : 아크릴산에스테르 공중합체(나가세켐텍스샤제, 제품명 「SG-P3」」, 중량 평균 분자량 : 130,000)

[경화 촉매]

이미다졸계 열경화 촉매 : 2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠가세이샤제, 제품명 「2E4MZ」)

[무기 필러]

에폭시실란 처리 실리카 필러 : 실리카 필러(아도마텍스샤제, 제품명 「SO-C2」, 평균 입경 : 0.5㎛, 최대 입경 : 2㎛, 형상 : 구상)를, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에쓰가가쿠샤제, 제품명 「KBM-403」, 최소 피복 면적 : 330㎡/g)을 사용해서 표면 처리한 것. 또, 시클로헥산온을 분산매로 한 분산 상태에서, 수지 조성물의 도공액에 배합했다.

〔시험예 1〕(표면 관찰)

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층측의 면을 구리 첩합 적층판 상에 라미네이트한 후, 수지 조성물층으로부터 박리 시트를 박리했다. 계속해서, 당해 수지 조성물층을, 100℃에서 60분간 가열하고, 추가로 170℃에서 60분간 가열함에 의해 경화시켜서, 경화층을 형성했다. 얻어진 경화층과 구리 첩합 적층판과의 적층체를, 알칼리성 용액으로서의 과망간산칼륨을 함유하는 수산화나트륨 용액(오쿠노세이야쿠고교샤제, 제품명 「OPC-1200」 35ml를 물 315ml로 희석하고, 추가로 과망간산칼륨을 첨가해서 과망간산칼륨 농도를 0.32mol/L로 한 것; 이하 「알칼리성 용액(1)」이라고도 한다) 중에 80℃에서 15분간 침지했다. 당해 침지 후의 측정용 샘플의 표면을, 주사형 전자현미경(히타치세이사쿠죠샤제, 제품명 「S-4700」)을 사용해서, 가속 전압 5kV 또는 10kV, 경사각 45도, 배율 10000배의 조건에서 촬영했다. 얻어진 사진을 도 2∼4에 나타낸다. 여기에서, 도 2에는 실시예 1에 따른 사진이, 도 3에는 비교예 1에 따른 사진이, 도 4에는 비교예 2에 따른 사진이 각각 나타난다.

도 2 및 도 3에 나타나는 사진에 따르면, 실시예 1 및 비교예 1의 경화층의 표면에서는, 경화층으로부터 무기 필러가 탈리해서 발생한 공동(空洞)이 다수 존재하여 있다. 이로부터, 실시예 1 및 비교예 1의 수지 시트를 사용해서 형성된 경화층에서는, 알칼리성 용액에 의한 처리를 행했을 경우, 무기 필러가 적당히 탈리하는 한편, 무기 필러의 주위를 메우고 있던 매트릭스는 알칼리성 용액에 용출하지 않고, 거의 그대로 남는 것을 알 수 있다.

이것에 대하여, 도 4에 나타나는 사진에 따르면, 비교예 2의 경화층의 표면에서는, 다수의 무기 필러가 존재하는 한편, 상술한 매트릭스는 거의 보이지 않는다. 이로부터, 비교예 2의 수지 시트를 사용해서 형성된 경화층에서는, 상술한 매트릭스가, 무기 필러를 남긴 상태에서 알칼리성 용액에 용출한 것을 알 수 있다.

〔시험예 2〕(수지 조성물층의 두께의 측정)

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트의 두께를, 정압 두께 측정기(텍크록크샤제, 제품명 「PG-02J」)를 사용해서 측정하고, 얻어진 측정값으로부터 박리 필름의 두께를 빼서, 수지 조성물층의 두께(㎛)를 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

〔시험예 3〕(도금의 벗겨짐의 평가)

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 시트의 수지 조성물층측의 면을, 코어재(히타치가세이샤제, 제품명 「MCL-E-679FG」)의 편면에, 진공 라미네이터(닛코·머티리얼즈샤제, 제품명 「V130」)를 사용해서, 90℃ 및 0.3MPa의 조건에서 라미네이트하고, 그 후, 수지 조성물층으로부터 박리 시트를 박리했다. 계속해서, 100℃에서 60분간 가열한 후, 추가로 180℃에서 60분간 가열해서, 수지 조성물층을 열경화시켰다. 이것에 의해, 코어재와, 수지 조성물층이 경화해서 이루어지는 경화층으로 이루어지는 적층체를 얻었다.

얻어진 적층체를, 글리콜에테르계 용매 에틸렌글리콜모노부틸에테르가 2:1의 비율로 혼합되어 이루어지는 팽윤액(오쿠노세이야쿠고교샤제, 제품명 「OPC-1080컨디셔너」) 중에 60℃에서 5분간 침지한 후, 조화액(粗化液)으로서의 상술의 알칼리성 용액(1)에 80℃에서 5분간 침지함으로써, 디스미어 처리를 행했다.

계속해서, 상기 적층체를, 팔라듐·주석 콜로이드 촉매 용액(오쿠노세이야쿠고교샤제, 제품명 「OPC50인듀서M」) 중에 40℃에서 6분간 침지한 후, 활성화 처리 용액(오쿠노세이야쿠고교샤제, 제품명 「OPC-150크리스타RW」) 중에 실온에서 5분간 침지하고, 추가로 그 후, 무전해 구리 도금액(오쿠노세이야쿠고교샤제, 제품명 「ATS아도캇파IW」) 중에 실온에서 35분간 침지함으로써, 상기 적층체에 대해서 무전해 구리 도금을 행했다. 이것에 의해, 두께 1㎛의 구리에 의한 도금층을 형성했다. 그 후, 당해 도금층이 형성된 적층체를, 150℃의 환경 하에 30분간 둠으로써 어닐 처리를 실시했다.

상기 어닐 처리 후, 상기 적층체에 대하여, 전해액(황산구리 농도 : 200g/L, 황산 농도 : 50g/L, 염화물 이온 농도 : 50mg/L) 중에 있어서, 전류 밀도 1A/dm²의 조건에서 전해 구리 도금을 행했다. 이것에 의해, 도금층의 최종적인 두께는 30㎛로 되었다. 계속해서, 이 도금층이 형성된 적층체를, 190℃의 환경 하에 60분간 둠으로써 어닐 처리를 실시했다.

두께 30㎛의 도금층이 형성된 적층체에 있어서의, 경화층으로부터의 도금층의 벗겨짐의 유무를 목시로 확인했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

〔시험예 4〕(도금의 필 강도의 측정)

시험예 3에 있어서, 도금의 벗겨짐이 「없음」이라는 평가를 얻은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의, 두께 30㎛의 도금층이 형성된 적층체를 10㎜ 폭으로 컷하고, 만능형 인장 시험기(시마즈세이사쿠죠제, 제품명 「오토그래프AG-IS」)를 사용해서, 필 각도 90° 및 필 속도 50㎜/min의 조건에서, 경화층에 접하는 측의 도금층을, 당해 경화층으로부터 벗겨서, 그때의 필 강도(N/10㎜)를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

이상과 같이, 실시예에서 얻어진 수지 시트는, 수지 조성물층의 두께가 충분히 두꺼운 것임과 함께, 경화층에 있어서의 도금의 정착성이 우수했다.

본 발명에 따른 수지 시트는, 부품 내장 기판과 같은 반도체 장치의 제조에 호적하게 이용할 수 있다.

1 : 수지 시트
11 : 수지 조성물층
12 : 박리 시트

Claims (11)

1. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지(封止)에 사용되는 수지 시트로서,
   상기 수지 시트가, 경화성의 수지 조성물층을 구비하고,
   상기 수지 조성물층이, 경화성 수지, 조막성 수지 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고,
   상기 조막성 수지가, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는
   것을 특징으로 하는 수지 시트.
2. 제1항에 있어서,
   상기 수지 조성물층의 두께는, 100㎛ 이상, 300㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
3. 제1항에 있어서,
   상기 수지 조성물층은, 단일의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
4. 제1항에 있어서,
   상기 수지 조성물층은, 2층 이상의 단위 수지 조성물층을 적층해서 이루어지는 것이고,
   상기 단위 수지 조성물층의 두께는, 각각 100㎛ 이상인
   것을 특징으로 하는 수지 시트.
5. 제1항에 있어서,
   상기 무기 필러는, 최소 피복 면적이 550㎡/g 미만인 표면처리제에 의해 표면 처리된 것임을 특징으로 하는 수지 시트.
6. 제1항에 있어서,
   상기 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면의 적어도 일부에 대해서 도금 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
7. 제1항에 있어서,
   상기 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면의 적어도 일부에 알칼리성 용액을 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
8. 제1항에 있어서,
   상기 반도체 장치는, 부품 내장 기판인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
9. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지에 사용되는 수지 시트의 제조 방법으로서,
   상기 수지 시트가, 경화성의 수지 조성물층을 구비하고,
   상기 수지 조성물층이, 경화성 수지, 조막성 수지 및 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고,
   상기 조막성 수지가, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하고,
   상기 제조 방법이, 상기 수지 조성물의 도공액을 도공해서 도막을 형성하는 공정, 및 당해 도막을 건조함에 의해 상기 수지 조성물층을 형성하는 공정을 구비하는
   것을 특징으로 하는 수지 시트의 제조 방법.
10. 제9항에 있어서,
    상기 수지 조성물의 도공액의 1회의 도공에 의해 상기 도막을 형성하고,
    당해 도막을 건조함에 의해, 제3항에 기재된 단일의 층으로 이루어지는 수지 조성물층을 형성하는 것, 또는 제4항에 기재된 단위 수지 조성물층을 형성하는 것
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 시트의 제조 방법.
11. 제9항에 있어서,
    상기 수지 조성물의 도공액은, 비점이 130℃ 이상인 희석제를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 시트의 제조 방법.

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