KR20190032230A - Substrate conveyance apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to provide a technology advantageous in high speed during transfer of a substrate. According to the present invention, the substrate transfer apparatus comprises: a transfer hand including a holding unit vacuum-sucking a substrate to hold the substrate, and transferring the substrate while holding the substrate by the corresponding holding unit; a pipe to connect a vacuum apparatus to perform vacuum suction with the holding unit; a valve to open/close the pipe; an orifice disposed at a position closer to the vacuum apparatus than that of the valve on the pipe and spaced apart from the valve; and a control unit to control substrate transfer by the transfer hand and opening/closing of the valve. The control unit opens the valve from a closed state to an opened state without allowing the substrate to come in contact with the holding unit, thereby controlling the substrate to come in contact with the holding unit during a period after gas suction is started and before the pressure of a holding unit side becomes constant in advance of the position of the valve on the pipe.

Description

기판 반송 장치, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법{SUBSTRATE CONVEYANCE APPARATUS, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate transfer apparatus, a lithographic apparatus,

본 발명은 기판 반송 장치, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate transfer apparatus, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing an article.

반도체 디바이스나 액정 표시 디바이스 등의 제조에 사용되는, 노광 장치 등의 리소그래피 장치는, 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 포함할 수 있다. 기판 반송 장치는, 기판의 전달을 행하는 반송 핸드를 구비한다. 반송 핸드는 일반적으로, 진공 흡착에 의해 기판을 보유 지지하는 기능을 갖는다.A lithographic apparatus such as an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device may include a substrate transfer apparatus for transferring a substrate. The substrate transfer apparatus includes a transfer hand for transferring a substrate. The carrying hand generally has a function of holding the substrate by vacuum suction.

반송 핸드에 의한 기판의 전달 동작을 고속화하는 것은, 스루풋을 향상시킬 뿐 아니라 중요한 요청이다. 특허문헌 1은, 기판을 보유 지지하고 있지 않을 때의 구동 속도를 높이는 기판 반송 장치를 개시하고 있다.Accelerating the transfer operation of the substrate by the transfer hand is an important request as well as improving the throughput. Patent Document 1 discloses a substrate transfer apparatus that increases the driving speed when the substrate is not held.

일본 특허 공개 제2006-24683호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-24683

그러나, 기판의 전달 시의 구동 유닛의 속도가 향상되어도, 전달되는 측의 진공 흡착의 확인 대기에 율속되어버려, 구동 유닛의 속도 향상에 수반하는 스루풋 향상을 전망할 수 없다.However, even if the speed of the driving unit at the time of transferring the substrate is improved, the waiting time for confirming vacuum adsorption on the side to be transferred is controlled, and the throughput improvement accompanying the speed increase of the driving unit can not be expected.

본 발명은, 예를 들어 기판의 전달 시의 고속화의 점에서 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an advantageous technique in terms of, for example, speeding up of transfer of a substrate.

본 발명의 일측면에 의하면, 기판을 진공 흡착하여 보유 지지하는 보유 지지부를 가지고, 해당 보유 지지부에 의해 상기 기판을 보유 지지하여 반송하는 반송 핸드와, 진공 흡인을 행하는 진공 장치와 상기 보유 지지부를 접속시키는 배관과, 상기 배관을 개폐 가능한 밸브와, 상기 배관에 있어서의 상기 밸브의 위치보다도 상기 진공 장치측이며, 또한 상기 밸브로부터 떨어진 위치에 마련된 오리피스와, 상기 반송 핸드에 의한 상기 기판의 반송 및 상기 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 가지고, 상기 제어부는, 상기 기판이 상기 보유 지지부에 접하지 않은 상태에서 전자기 밸브를 폐쇄 상태부터 개방 상태로 함으로써 기체의 흡인을 개시한 후이면서 상기 배관에 있어서의 상기 밸브의 위치보다도 보유 지지부측의 압력이 일정해지기 전의 기간에 있어서 상기 기판이 상기 보유 지지부에 접하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a vacuum cleaner comprising: a transfer hand having a holding portion for vacuum holding and holding a substrate and holding and holding the substrate by the holding portion; a vacuum device for performing vacuum suction; An orifice provided at a position away from the valve on the vacuum apparatus side relative to the position of the valve in the piping; and an orifice provided at a position away from the valve, And a control unit for controlling the opening and closing of the valve, wherein the control unit is configured to control the opening and closing of the electromagnetic valve after the suction of the gas is started by bringing the electromagnetic valve into the open state from the closed state in a state in which the substrate is not in contact with the holding unit, In the period before the pressure on the holding portion side becomes equal to the position of the valve Standing the substrate is a substrate transfer apparatus, characterized in that controlling so as to be in contact with the holding portion is provided.

본 발명에 따르면, 예를 들어 반송 핸드로의 기판의 전달 동작의 고속화에서 유리한 기술이 제공된다.According to the present invention, an advantageous technique is provided in the speed-up of the transfer operation of the substrate, for example, in the transfer hand.

도 1은 실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성도.
도 2는 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치의 구성도.
도 3은 기판 공급 핸드 및 기판 회수 핸드에 있어서의 진공 흡착 기구를 예시하는 도면.
도 4는 공흡인 시의 압력의 과도 특성을 나타내는 도면.
도 5는 기판 공급 핸드가 프리얼라인먼트 스테이지로부터 기판을 수취하는 동작을 설명하는 도면.
도 6은 기판 공급 핸드의 보유 지지부의 진공압의 시간 변화를 나타내는 그래프.
도 7은 기판 전달 시퀀스를 나타내는 흐름도.
도 8은 기판 회수 핸드가 기판 스테이지로부터 기판을 수취하는 동작을 설명하는 도면.
도 9는 기판 회수 핸드의 보유 지지부의 진공압의 시간 변화를 나타내는 그래프.
도 10은 기판 전달 시퀀스를 나타내는 흐름도.1 is a configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment;
2 is a configuration diagram of a substrate transport apparatus in the embodiment;
3 is a diagram illustrating a vacuum adsorption mechanism in a substrate supply hand and a substrate recovery hand;
4 is a diagram showing transient characteristics of pressure at the time of air suction;
5 is a view for explaining an operation in which a substrate supplying hand receives a substrate from a prealignment stage;
6 is a graph showing time variation of the vacuum pressure of the holding portion of the substrate supplying hand;
7 is a flow chart illustrating a substrate transfer sequence;
8 is a view for explaining an operation in which a substrate recovery hand receives a substrate from a substrate stage;
9 is a graph showing a time variation of the vacuum pressure of the holding portion of the substrate recovery hand.
10 is a flow chart showing a substrate transfer sequence;

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 본 발명의 실시 구체예를 나타내는 것에 지나지 않는 것이며, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시 형태 중에서 설명되고 있는 특징의 조합의 모두가 본 발명의 과제 해결을 위해 필수적인 것이라고는 할 수 없다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are merely illustrative of embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments. It should be noted that not all combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.

먼저, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 반송 장치와, 이 기판 반송 장치를 구비할 수 있는 리소그래피 장치의 구성에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 따른 기판 반송 장치는, 예를 들어 반도체 디바이스나 액정 표시 디바이스 등의 제조 공정에 있어서의 리소그래피 공정에서 사용되는 리소그래피 장치에 채용되는 것이며, 피처리 기판을 보유 지지하여 반송 가능하다. 이하, 일례로서, 본 실시 형태에 따른 기판 반송 장치는, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치에 채용되는 것으로 한다.First, a description will be given of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention and a configuration of a lithographic apparatus having the substrate transfer apparatus. The substrate transfer apparatus according to the present embodiment is employed in a lithography apparatus used in a lithography process in a manufacturing process of, for example, a semiconductor device or a liquid crystal display device, and can carry and carry a substrate to be processed. Hereinafter, as an example, the substrate transfer apparatus according to the present embodiment is employed in an exposure apparatus used in a lithography process in a process of manufacturing a semiconductor device.

도 1은, 본 실시 형태에 따른 노광 장치(100)의 구성을 나타내는 개략도이다. 노광 장치(100)는, 예를 들어 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식으로, 원판(R)(레티클)에 형성되어 있는 패턴의 상을 기판(W)(기판) 상에 노광(전사)하는 투영 노광 장치이다. 또한, 도 1에서는, 투영 광학계(111)의 광축에 따른 방향을 Z축이라 하고, Z축과 수직인 동일한 평면 내에서 노광 시의 기판(W)의 주사 방향(원판(R)과 기판(W)의 상대적인 이동 방향)을 Y축이라 하고, Y축과 직교하는 비주사 방향을 X축이라 한다.1 is a schematic view showing the configuration of an exposure apparatus 100 according to the present embodiment. The exposure apparatus 100 is a projection exposure apparatus that exposes (transfers) an image of a pattern formed on an original R (reticle) onto a substrate W (substrate) by, for example, a step- to be. 1, the direction along the optical axis of the projection optical system 111 is referred to as a Z-axis, and a direction in which the substrate W is scanned (in the same plane perpendicular to the Z axis) ) Is referred to as a Y-axis, and a non-scanning direction orthogonal to the Y-axis is referred to as an X-axis.

조명계(101)는, 도시하지 않은 광원으로부터 방출된 광을 조정하여 원판(R)을 조명한다. 원판(R)은, 예를 들어 석영 유리로 구성되고, 기판(W) 상에 전사되어야 할 패턴(예를 들어 회로 패턴)이 형성되어 있다. 원판 스테이지(110)는, 원판(R)을 보유 지지하여, X축 및 Y축의 각 방향으로 이동 가능하다. 투영 광학계(111)는, 원판(R)을 통과한 광을 소정의 배율(예를 들어 1/4배)로 기판(W) 상에 투영한다. 기판(W)은, 예를 들어 단결정 실리콘을 포함하는 기판이며, 미리 그 표면 상에 레지스트(감광제)가 도포되어 있다. 기판 스테이지(104)는, 그 위에 배치된 척(105)을 통해 기판(W)를 보유 지지하여, X축 및 Y축의 각 방향으로 이동 가능하다. 노광 장치(100)는, 상기한 조명계(101) 및 투영 광학계(111)는, 척(105)을 통해 기판 스테이지(104)에 보유 지지된 기판(W)에 원판(R)의 패턴을 형성하는 형성부를 구성한다.The illumination system 101 illuminates the circular plate R by adjusting the light emitted from a light source (not shown). The original plate R is made of, for example, quartz glass, and a pattern (for example, a circuit pattern) to be transferred on the substrate W is formed. The disk stage 110 holds the disk R and is movable in X and Y-axis directions. The projection optical system 111 projects light having passed through the original plate R onto the substrate W at a predetermined magnification (for example, 1/4 times). The substrate W is, for example, a substrate containing monocrystalline silicon, and a resist (photosensitive agent) is applied on its surface in advance. The substrate stage 104 holds the substrate W through a chuck 105 disposed thereon, and is movable in X and Y-axis directions. In the exposure apparatus 100, the illumination system 101 and the projection optical system 111 described above form a pattern of the circular plate R on the substrate W held on the substrate stage 104 via the chuck 105 Thereby forming a forming portion.

도 2는, 노광 장치(100)에 구성되는 기판 반송 장치의 구성도이며, 투영 광학계(111)측으로부터 본 주요부 평면도이다. 기판 스테이지(104)는, 기판 스테이지(104)의 상면에 배치된 척(105)을 구비한다. 또한, 기판 스테이지(104)는, 척(105)의 내측의 기판 탑재면에 대하여 출몰 가능하게 마련된 복수(예를 들어 3개)의 지지핀(107)을 구비한다. 지지핀(107)은, 척(105)의 척면(기판 탑재면(108))에 대하여 상방(+Z 방향)으로 돌출 및 하방(-Z 방향)으로 몰입될 수 있게 구성되어 있다. 노광 장치(100)는 또한, 기판 스테이지(104)에 반송되는 기판의 프리얼라인먼트 상태를 조정하기 위해 해당 기판을 보유 지지하는 프리얼라인먼트 스테이지(301)를 구비한다. 프리얼라인먼트 스테이지(301)도, 프리얼라인먼트 스테이지(301)의 기판 탑재면에 대하여 출몰 가능하게 마련된 복수(예를 들어 3개)의 지지핀(302)을 구비한다.Fig. 2 is a plan view of the main part seen from the side of the projection optical system 111, showing the configuration of the substrate transport apparatus configured in the exposure apparatus 100. Fig. The substrate stage 104 has a chuck 105 disposed on the upper surface of the substrate stage 104. The substrate stage 104 has a plurality of (for example, three) support pins 107 provided so as to be capable of protruding and retracting from the substrate mounting surface on the inner side of the chuck 105. The support pins 107 are configured to protrude upward (+ Z direction) and downward (-Z direction) with respect to the chuck surface (substrate mounting surface 108) of the chuck 105. The exposure apparatus 100 further includes a prealignment stage 301 for holding the substrate to adjust the prealignment state of the substrate to be transferred to the substrate stage 104. [ The prealignment stage 301 also includes a plurality of (for example, three) support pins 302 provided so as to be capable of protruding and retracting relative to the substrate mounting surface of the prealignment stage 301.

기판 공급 핸드(201)(제1 반송 핸드)는, 기판(W)을 진공 흡착에 의해 보유 지지하여 2축 방향(Y축 및 Z축의 각 방향)으로 이동 가능하고, 프리얼라인먼트 스테이지(301)로부터 기판(W)을 수취하여, 기판 스테이지(104)에 공급한다. 기판 회수 핸드(401)(제2 반송 핸드)는, 기판(W)을 진공 흡착에 의해 보유 지지하고, 2축 방향(Y축 및 Z축의 각 방향)으로 이동 가능하며, 기판 스테이지(104) 상에 있는 기판(W)을 회수하고, 회수된 기판을 보유 지지하는 전달 스테이션(501)으로 넘겨준다. 기판 공급 핸드(201) 및 기판 회수 핸드(401)는 각각, 보유 지지부(202) 및 보유 지지부(402)를 갖는다. 보유 지지부(202) 및 보유 지지부(402)는, 기판(W)와 접촉하는 보유 지지면에, 외부의 진공 펌프에 연통된 미세한 개구를 복수 갖는 흡착(suction) 영역을 갖는다. 보유 지지부(202) 및 보유 지지부(402)는, 이 흡착 영역을 부압 상태로 함으로써, 기판(W)을 진공 흡착에 의해 보유 지지 가능하다.The substrate supply hand 201 (the first transfer hand) holds the substrate W by vacuum suction to be movable in the biaxial direction (Y-axis and Z-axis directions), and from the prealignment stage 301 Receives the substrate W, and supplies the substrate W to the substrate stage 104. The substrate recovery hand 401 (the second transfer hand) holds the substrate W by vacuum suction and is movable in the biaxial direction (Y-axis and Z-axis directions) And transfers it to the transfer station 501 which holds the recovered substrate. The substrate supply hand 201 and the substrate recovery hand 401 have a holding portion 202 and a holding portion 402, respectively. The holding portion 202 and the holding portion 402 have a suction area on the holding surface in contact with the substrate W and having a plurality of fine openings communicating with the external vacuum pump. The holding support portion 202 and the holding portion 402 can hold the substrate W by vacuum adsorption by making this adsorption region a negative pressure state.

제어부(106)는, 예를 들어 컴퓨터로 구성되고, 노광 장치(100)의 각 구성 요소에 회선을 통해 접속되어, 프로그램 등에 따라서 각 구성 요소의 동작을 통괄할 수 있다. 특히 본 실시 형태에서는, 제어부(106)는, 기판 공급 핸드(201) 및 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부에 의한 기판의 진공 흡착 및 기판 공급 핸드(201) 및 기판 회수 핸드(401)에 의한 기판의 반송을 제어한다. 또한, 제어부(106)는, 기판 공급 핸드(201), 기판 회수 핸드(401) 및 프리얼라인먼트 스테이지(301)의 지지핀(302)의 각 동작도 제어할 수 있다. 또한, 제어부(106)는, 노광 장치(100)의 다른 부분과 일체로 (공통의 하우징 내에) 구성되어도 되고, 노광 장치(100)의 다른 부분과는 별체로 (다른 하우징 내에) 구성되어도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 반송 장치의 제어에 대하여 노광 장치(100) 전체를 통괄하는 제어부(106)가 실행하는 것으로 하고 있지만, 기판 반송 장치의 제어를 실행하는 제어부를, 제어부(106)와는 별체로 구성해도 된다. 이 경우, 기판 반송 장치용 제어부는 제어부(106)에 회선을 통해 접속되고, 제어부(106)로부터의 동작 지시에 기초하여, 기판 반송 장치의 제어를 실행한다.The control unit 106 is constituted by, for example, a computer, and is connected to each component of the exposure apparatus 100 via a line, and can control the operation of each component in accordance with a program or the like. Particularly in this embodiment, the control unit 106 controls the vacuum suction of the substrate by the holding unit of the substrate supply hand 201 and the substrate recovery hand 401, and the vacuum suction of the substrate by the substrate supply hand 201 and the substrate recovery hand 401 Thereby controlling the conveyance of the substrate. The control unit 106 can also control the operations of the substrate supply hand 201, the substrate recovery hand 401, and the support pins 302 of the prealignment stage 301. The control unit 106 may be formed integrally with another portion of the exposure apparatus 100 (in a common housing) or separately from other portions of the exposure apparatus 100 (in another housing). In this embodiment, the control unit 106 that controls the whole of the exposure apparatus 100 executes the control of the substrate transfer apparatus. However, the control unit 106 that executes the control of the substrate transfer apparatus may be replaced with the control unit 106 It may be composed of a separate body. In this case, the control unit for the substrate transfer device is connected to the control unit 106 via the line, and executes the control of the substrate transfer device on the basis of the operation instruction from the control unit 106. [

도 3은, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202) 및 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 진공 흡착 기구를 예시하는 도면이다. 도 3에 있어서, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202) 및 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)는, 진공 흡인을 행하는 외부의 진공 장치(진공 펌프)와, 배관(31)을 거쳐 접속되어 있다. 배관(31)에는, 배관 내의 유로를 개폐 가능한 밸브인 전자기 밸브(601)와, 공기의 유량을 조정하는 오리피스(602)가 마련되어 있다. 또한, 공기의 유량을 조정하기 위해서, 오리피스(602) 내의 유로의 단면적은, 오리피스(602)에 인접하는 배관(31)의 부분의 유로의 단면적보다 작다. 또한, 전자기 밸브(601)에 대하여 보유 지지부측의 공간의 압력을 계측하기 위한 압력계(603)가 배치되어 있다. 이 압력계(603)에 의해 보유 지지부 내의 진공압을 계측할 수 있다.3 is a diagram illustrating a vacuum adsorption mechanism of the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 and the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401. As shown in Fig. 3, the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 and the holding portion 402 of the substrate recovering hand 401 are provided with an external vacuum device (vacuum pump) for performing vacuum suction, Respectively. The piping 31 is provided with an electromagnetic valve 601 serving as a valve capable of opening and closing a flow path in the piping and an orifice 602 for adjusting the flow rate of air. Sectional area of the flow path in the orifice 602 is smaller than the sectional area of the flow path of the portion of the pipe 31 adjacent to the orifice 602 in order to adjust the flow rate of the air. Further, a pressure gauge 603 for measuring the pressure of the space on the holding portion side with respect to the electromagnetic valve 601 is disposed. The pressure gauge 603 can measure the vacuum pressure in the holding portion.

전자기 밸브(601)로부터 기판 공급 핸드(201)까지의 배관(31)은 도중부터 가늘어진다. 즉, 기판 공급 핸드(201)에 접속하는 위치의 배관(31) 내의 유로의 단면적은, 전자기 밸브(601)가 설치되어 있는 위치에 있어서의 배관(31) 내의 유로의 단면적보다 작다. 또한, 배관(31)은 기판 공급 핸드(201) 내를 통과하여 보유 지지부(202)에 접속한다. 기판 공급 핸드(201) 내를 통과하는 배관(31)은 더욱 가늘어진다. 즉, 기판 공급 핸드(201) 내를 통과하는 배관(31) 내의 유로의 단면적은, 기판 공급 핸드(201)에 접속하는 위치의 배관(31) 내의 유로의 단면적보다 작다.The piping 31 from the electromagnetic valve 601 to the substrate supply hand 201 is tapered from the middle. That is, the cross-sectional area of the flow path in the pipe 31 at the position connected to the substrate feeding hand 201 is smaller than the cross-sectional area of the flow path in the pipe 31 at the position where the electromagnetic valve 601 is installed. Further, the pipe 31 passes through the inside of the substrate feeding hand 201 and connects to the holding portion 202. The pipe 31 passing through the substrate feeding hand 201 becomes thinner. That is, the cross-sectional area of the flow path in the pipe 31 that passes through the substrate supply hand 201 is smaller than the cross-sectional area of the flow path in the pipe 31 at a position to be connected to the substrate supply hand 201.

오리피스(602)가 마련되는 위치에 따라서 압력계(603)에서 계측되는 압력의 응답 특성이 상이하다. 보유 지지부측에 가까운 위치에 오리피스(602)를 마련한 예를 도 3의 (a)에 나타내고, 진공 펌프측에 가까운 위치에 오리피스(602)를 마련한 예를 도 3의 (b)에 나타낸다. 도 3에 있어서, 전자기 밸브(601)가 폐쇄 상태인 경우, 전자기 밸브(601)로부터 진공 펌프측의 배관 내는 진공 압력(부압)으로 되어 있으며, 전자기 밸브(601)로부터 보유 지지부측의 배관 내는 대기압으로 되어 있다. 전자기 밸브(601)가 개방되면, 보유 지지부측의 기체의 흡인이 개시된다. 기판이 보유 지지부와 접촉하지 않은 상태에서 전자기 밸브(601)를 개방하면, 배관 내의 압력은 대기압에 가까운 정상의 압력으로 강하되고, 그 후, 기판이 보유 지지부와 접촉하면, 배관 내는 부압이 되어 소정의 진공도에 도달한다. 본 명세서에 있어서, 기판이 보유 지지부와 접촉하지 않은 상태에서 전자기 밸브(601)를 개방하여 진공 펌프로 흡인하는 것을 「공흡인」이라고 한다.The response characteristic of the pressure measured by the pressure gauge 603 differs depending on the position at which the orifice 602 is provided. Fig. 3 (a) shows an example in which an orifice 602 is provided at a position close to the holding and supporting portion, and Fig. 3 (b) shows an example in which an orifice 602 is provided at a position close to the vacuum pump. In Fig. 3, when the electromagnetic valve 601 is in the closed state, the inside of the piping on the side of the vacuum pump from the electromagnetic valve 601 is a vacuum pressure (negative pressure), and the inside of the piping on the side of the holding portion from the electromagnetic valve 601 Respectively. When the electromagnetic valve 601 is opened, the suction of the gas on the holding portion side is started. When the electromagnetic valve 601 is opened in a state in which the substrate is not in contact with the holding portion, the pressure in the pipe falls to a normal pressure close to atmospheric pressure. Thereafter, when the substrate comes into contact with the holding portion, ≪ / RTI > In the present specification, the electromagnetic valve 601 is opened while the substrate is not in contact with the holding portion and sucked by the vacuum pump is referred to as " vacuum suction ".

도 4는, 공흡인을 행할 때의 압력의 과도 특성을 나타낸다. 구체적으로는, 도 4는, 전자기 밸브(601)를 폐쇄 상태부터 개방 상태로 전환했을 때의 압력계(603)에 의해 계측되는 압력의 변동을 나타내고 있다. 도 4에 있어서, 종축이 압력, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 또한, 종축의 상측 방향이 마이너스의 방향이며, 상측 방향으로 갈수록 압력이 저하되는 것을 나타내고 있다. 도 4에 있어서, 파선으로 나타내어진 그래프(41)는, 오리피스(602)를 도 3의 (a)에 나타낸 바와 같은 보유 지지부측에 가까운 위치에 마련한 경우의 과도 특성을 나타내고 있다. 전자기 밸브(601)를 폐쇄 상태부터 개방 상태로 전환한 직후, 즉, 흡인 개시 직후에, 압력은 정상 압력(일정 압력)이 된다.Fig. 4 shows the transient characteristics of the pressure when air suction is performed. More specifically, FIG. 4 shows the pressure fluctuation measured by the pressure gauge 603 when the electromagnetic valve 601 is switched from the closed state to the open state. In Fig. 4, the ordinate indicates pressure and the abscissa indicates time. It is also shown that the upward direction of the vertical axis is the negative direction, and the pressure decreases toward the upward direction. 4, the graph 41 indicated by the broken line shows transient characteristics when the orifice 602 is provided at a position close to the holding portion side as shown in Fig. 3 (a). Immediately after the electromagnetic valve 601 is switched from the closed state to the open state, that is, immediately after the start of suction, the pressure becomes a normal pressure (constant pressure).

한편, 실선으로 나타내어진 그래프(42)는, 오리피스(602)를 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 배관(31)의 유로에 있어서의 전자기 밸브(601)의 위치보다도 하류측의, 진공 펌프에 가까운 위치에 마련한 경우의 과도 특성을 나타내고 있다. 이 경우, 전자기 밸브(601)를 폐쇄 상태부터 개방 상태로 전환한 직후, 즉, 흡인 개시 직후에, 압력은 과잉으로 저하되어 정상 압력으로 수렴된다. 즉, 그래프(42)에서는, 전자기 밸브(601)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하여 흡인을 개시한 후에, 압력이 정상 압력보다도 저하된 후에 상승하여 정상 압력으로 수렴된다. 도 3의 (b)의 구성의 경우, 전자기 밸브(601)로부터 오리피스(602)까지의 사이에, 도 3의 (a)에 비하여 긴 부압 영역이 있기 때문에, 전자기 밸브(601)를 개방 상태로 한 직후에 부압 영역이 보유 지지부측으로 일시적으로 확대되고, 압력이 정상 압력보다도 저하된다고 생각된다. 도 3의 (a)와 같이, 전자기 밸브(601)와 오리피스(602) 사이에 부압 영역이 없거나, 작은 경우에는, 보유 지지부측으로의 부압 영역의 확대가 오리피스(602)에 의해 제한되기 때문에, 압력은 정상 압력보다도 저하되지 않는다.On the other hand, the graph 42 indicated by the solid line shows the relationship between the orifice 602 and the electromagnetic valve 601 on the downstream side of the position of the electromagnetic valve 601 in the flow path of the pipe 31 as shown in Fig. 3 (b) And shows transient characteristics in the case of being provided at a position close to the vacuum pump. In this case, immediately after the electromagnetic valve 601 is switched from the closed state to the open state, that is, immediately after the start of suction, the pressure excessively decreases and converges to the normal pressure. That is, in the graph 42, after the electromagnetic valve 601 is switched from the closed state to the open state to start suction, the pressure rises after the pressure falls below the normal pressure and converges to the normal pressure. 3 (b), since there is a long negative pressure region between the electromagnetic valve 601 and the orifice 602, the electromagnetic valve 601 is in the open state It is considered that the negative pressure region is temporarily expanded to the side of the holding portion immediately after the pressure becomes lower than the normal pressure. 3 (a), when there is no negative pressure region between the electromagnetic valve 601 and the orifice 602, the expansion of the negative pressure region toward the holding portion side is limited by the orifice 602, Is not lower than the normal pressure.

본 실시 형태에서는, 공흡인을 개시했을 때에 보유 지지부에 있어서의 압력이 정상 압력보다 저하되도록, 오리피스(602)를 배관(31)의 유로에 있어서의 전자기 밸브(601)의 위치보다도 하류측의 위치에 마련한다. 그리고 본 실시 형태에서는, 압력이 정상 압력보다 저하되는 것을 이용하여 기판 공급 핸드(201)에 있어서의 보유 지지부(202) 및 기판 회수 핸드(401)에 있어서의 보유 지지부(402)의 진공 흡착의 개시로부터 완료까지의 시간 단축을 도모한다. 여기에서 이하에서는, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202) 및 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)에 의한 공흡인 시의 압력이 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같은 변동을 나타내는 것임을 전제로 하여 설명을 진행한다. 제어부(106)는, 기판 공급 핸드(201) 및 기판 회수 핸드(401)에 의한 기판의 반송 및 전자기 밸브(601)의 개폐를 제어한다. 본 실시 형태에 있어서, 제어부(106)는, 압력이 정상 압력보다 저하되어 있는 소정의 기간 내에 반송 핸드에 의한 기판의 반송을 위해 보유 지지부가 기판과 접하도록 밸브의 개방 동작을 행한다.In the present embodiment, the orifice 602 is disposed at a position on the downstream side of the position of the electromagnetic valve 601 in the flow path of the pipe 31 so that the pressure at the holding portion becomes lower than the normal pressure when the air suction is started . In this embodiment, by using the fact that the pressure is lower than the normal pressure, the holding support portion 202 of the substrate supply hand 201 and the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 To reduce the time from completion to completion. Hereinafter, the pressure at the time of sucking by the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 and the holding portion 402 of the substrate recovering hand 401 is changed as shown in Fig. 4 (b) The following explanation will be given on the premise that The control unit 106 controls the transport of the substrate by the substrate supply hand 201 and the substrate recovery hand 401 and the opening and closing of the electromagnetic valve 601. In the present embodiment, the control unit 106 performs the opening operation of the valve so that the holding portion comes into contact with the substrate for transporting the substrate by the transfer hand within a predetermined period in which the pressure is lower than the normal pressure.

도 5는, 기판 공급 핸드(201)가 프리얼라인먼트 스테이지(301)로부터 기판(W)을 수취하는 동작을 설명하는 도면이다. 도 5의 (a)는 지지핀(302)이 프리얼라인먼트 스테이지(301)의 기판 탑재면보다 높은 위치로 상승함으로써, 기판(W)이 기판 탑재면으로부터 부상하여, 지지핀(302)에 의해 지지되어 있는 상태이다. 이 상태에서, 제어부(106)는, 기판(W)과 프리얼라인먼트 스테이지(301) 사이에 기판 공급 핸드(201)를 위치시킨다.5 is a view for explaining an operation of the substrate supply hand 201 to receive the substrate W from the prealignment stage 301. Fig. 5A shows that the support pins 302 rise to a position higher than the substrate mounting surface of the prealignment stage 301 so that the substrate W floats from the substrate mounting surface and is supported by the support pins 302 . In this state, the control unit 106 places the substrate supply hand 201 between the substrate W and the prealignment stage 301. [

도 5의 (b)에 있어서, 제어부(106)는, 기판 공급 핸드(201)가 기판(W)을 수취하기 위해서, 지지핀(302)을 -Z 방향으로 하강시킨다. 또한, 여기에서는, 지지핀(302)의 하강 동작(하강 구동)은, 지지핀(302)을 하방으로 구동함으로써 행해지지만, 프리얼라인먼트 스테이지(301) 자체를 하방으로 구동함으로써 행해져도 된다. 그 후, 제어부(106)는 기판 공급 핸드(201)의 공흡인을 개시한다. 지지핀(302)의 하강에 의해, 기판(W)의 하면과 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)가 접한다. 그것에 의해, 공흡인의 상태로부터 보유 지지부와 기판 사이의 폐공간의 진공 흡인의 상태로 변한다.5B, the control unit 106 lower the support pin 302 in the -Z direction so that the substrate supply hand 201 receives the substrate W. In this case, Here, the lowering operation (lowering drive) of the support pins 302 is performed by driving the support pins 302 downward, but may be performed by driving the prealignment stage 301 itself downward. Thereafter, the control unit 106 starts the vacuum suction of the substrate supply hand 201. The lower surface of the substrate W contacts with the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 by the lowering of the holding pin 302. [ Thereby, the vacuum suction state of the closed space between the holding portion and the substrate is changed from the state of the vacuum suction.

도 5의 (c)에 있어서, 제어부(106)는, 지지핀(302)을 기판 공급 핸드(201)의 하면과 간섭하지 않는 위치까지 하강시킨다. 또한, 제어부(106)는, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 압력값(부압)이 소정의 역치 Pt를 초과했는지를 판정한다. 압력값이 역치 Pt를 초과하면, 기판(W)은 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)에 의한 보유 지지가 완료되고, 기판 공급 핸드(201)가 Y 방향으로 구동 가능한 것이 확인된다.5 (c), the control unit 106 moves the support pin 302 down to a position where it does not interfere with the lower surface of the substrate supply hand 201. The control unit 106 also determines whether the pressure value (negative pressure) of the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 exceeds the predetermined threshold value Pt. When the pressure value exceeds the threshold value Pt, it is confirmed that the holding of the substrate W by the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 is completed and the substrate feeding hand 201 can be driven in the Y direction.

그리고, 도 5의 (d)에 있어서, 제어부(106)는, 기판 공급 핸드(201)를 +Y 방향으로 구동하여, 기판 스테이지(104)로 반송한다. 또한, 제어부(106)는, 프리얼라인먼트 스테이지(301)에서 다음 기판을 수취하기 위해서, 지지핀(302)을 +Z 방향으로 상승시킨다.5 (d), the control unit 106 drives the substrate feeding hand 201 in the + Y direction and conveys it to the substrate stage 104. [ Further, the control unit 106 raises the support pin 302 in the + Z direction in order to receive the next substrate in the pre-alignment stage 301. [

이어서, 도 6을 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의, 기판 공급 핸드(201)가 프리얼라인먼트 스테이지(301)의 지지핀(302)으로부터 기판(W)을 수취하는 동작을 설명한다. 도 6은, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 진공압의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 도 6에 있어서, 종축이 압력, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 또한, 종축의 상측 방향이 마이너스의 방향이며, 상측 방향으로 갈수록 압력이 저하되는 것을 나타내고 있다.Next, referring to Fig. 6, the operation of the substrate supply hand 201 in this embodiment for receiving the substrate W from the support pins 302 of the prealignment stage 301 will be described. 6 is a graph showing a change in vacuum pressure of the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 with time. In Fig. 6, the ordinate indicates pressure and the abscissa indicates time. It is also shown that the upward direction of the vertical axis is the negative direction, and the pressure decreases toward the upward direction.

먼저, 그래프(61)에 대하여 설명한다. 시각 Tp0에서 지지핀(302)의 하강 동작이 개시되고, 시각 Tp0과 거의 동시인 시각 ThSa에, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 공흡인이 개시된다. 즉, 기판이 보유 지지부에 접하지 않은 상태에서 전자기 밸브(601)의 개방 동작이 행해진다. 그 후, 그래프(61)에 도시된 바와 같이, 압력은 정상 압력보다 저하되고 나서 상승하고, 정상 압력으로 수렴되어간다(도 4 참조). 그러나, 시각 Tp1에 기판(W)이 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)와 접하므로, 그 이후, 압력은 저하되어간다. 지지핀(302)이 기판 공급 핸드(201)와 간섭하지 않는 위치까지 하강하는 시각 Tp2(도 5의 (c)의 상태)를 경과한 후, 시각 ThEa에서, 압력이 역치 Pt에 달하여, 기판의 보유 지지가 완료된다. 종래에는, 공흡인 시의 압력이 정상 압력으로 수렴된 후에 기판(W)이 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)와 접하게 되어 있었다. 이에 비해, 그래프(61)에 의하면, 공흡인 시의 압력이 정상 압력으로 수렴되기 전의 시각 Tp1에서 기판(W)이 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)와 접한다. 그 때문에, 종래보다 조기에 압력이 역치 Pt에 달한다.First, the graph 61 will be described. At the time Tp0, the lowering operation of the supporting pin 302 is started, and the holding of the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 is started at the time ThSa almost equal to the time Tp0. That is, the electromagnetic valve 601 is opened in a state in which the substrate is not in contact with the holding portion. Then, as shown in the graph 61, the pressure is lower than the normal pressure, then rises, and converges to the normal pressure (see Fig. 4). However, since the substrate W comes into contact with the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 at time Tp1, the pressure thereafter drops. 5 (c)) at which the support pin 302 is lowered to a position where it does not interfere with the substrate supply hand 201, the pressure reaches the threshold value Pt at time ThEa, The holding is completed. Conventionally, the substrate W is brought into contact with the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 after the pressure at the time of vacuum suction converges to a normal pressure. On the other hand, according to the graph 61, the substrate W comes into contact with the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 at the time Tp1 before the pressure at the time of vacuum suction converges to the normal pressure. Therefore, the pressure reaches the threshold value Pt earlier than in the prior art.

이와 같이, 제어부(106)는, 압력이 정상 압력보다 저하되어 있는 소정의 기간 내에 기판 공급 핸드에 의한 기판의 반송을 위해 보유 지지부가 기판과 접하도록 밸브의 개방 동작을 행한다. 예를 들어, 제어부(106)는, 정상 압력보다 저하되어 있는 압력에 있어서의 피크의 값(최솟값)에 대하여 70％ 이하의 압력을 갖는 기간 내에 보유 지지부가 기판과 접하도록 밸브의 개방 동작을 행하게 하면 된다. 단, 이 경우에도, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 압력이 역치 Pt에 달하는 것은, 지지핀(302)이 기판 공급 핸드(201)와 간섭하지 않는 위치까지 하강하는 시각 Tp2보다도 후이다. 본 실시 형태에서는, 이것을 그래프(62)와 같이 더욱 조기에 압력이 역치 Pt에 달하는 것으로 제어할 수 있다. 이하, 상세하게 설명한다.In this manner, the control unit 106 performs the opening operation of the valve such that the holding unit comes into contact with the substrate for transporting the substrate by the substrate supply hand within a predetermined period in which the pressure is lower than the normal pressure. For example, the control unit 106 performs an opening operation of the valve such that the holding unit comes into contact with the substrate within a period of not more than 70% of the peak value (the minimum value) at the pressure lower than the normal pressure . The reason why the pressure of the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 reaches the threshold value Pt is that the time Tp2 at which the holding pin 302 descends to a position where it does not interfere with the substrate feeding hand 201 After. In the present embodiment, it is possible to control the pressure to reach the threshold value Pt even earlier as in the case of the graph (62). This will be described in detail below.

먼저, 실시 형태에 있어서의 기판 반송 방법에 대하여 설명한다. 도 7은, 제어부(106)에 의한 기판(W)의 전달 시퀀스를 나타내는 흐름도이다. 도 7에 나타내는 흐름도는, 도 5의 (a), (b), (c)에 나타나는 동작에 있어서 제어부(106)가 실행하는 제어 내용을 나타내고 있으며, 이 제어에 의해, 보유 지지부(202)의 진공압의 변화는, 도 6의 그래프(62)로 나타난다.First, the substrate transport method in the embodiment will be described. 7 is a flowchart showing a transfer sequence of the substrate W by the control unit 106. Fig. The flow chart shown in Fig. 7 shows control contents executed by the control unit 106 in the operations shown in Figs. 5A, 5B and 5C. By this control, The change in the vacuum pressure is indicated by the graph 62 in Fig.

제어부(106)는, 예를 들어 적어도 이하의 정보를 취득한다.The control unit 106 obtains, for example, at least the following information.

(1) 지지핀(302)의 하강 동작이 개시되고 나서 기판(W)이 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)와 접할 때까지의 시간(Tp1-Tp0)의 정보(제1 정보),(First information) of the time (Tp1-Tp0) from when the substrate W is brought into contact with the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 after the lowering operation of the supporting pin 302 is started, ,

(2) 공흡인(기판(W)과 기판 공급 핸드(201)가 접하지 않은 상태에서의 흡인)을 개시한 후의 압력과 시간의 관계를 나타내는 정보(제2 정보).(2) Information (second information) indicating the relationship between pressure and time after the ball suction (suction in a state in which the substrate W and the substrate supply hand 201 are not in contact) is started.

제어부는, 추가적으로 이하의 정보를 취득해도 된다. 제어부(106)는, 이 정보를 미리 기억하고 있어도 된다.The control unit may additionally acquire the following information. The control unit 106 may store this information in advance.

(3) 기판(W)이 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)와 접하고 나서, 지지핀(302)이 기판 공급 핸드(201)와 간섭하지 않는 위치까지 하강할 때까지의 시간(Tp2-Tp1)의 정보.(3) The time Tp2 from when the substrate W comes into contact with the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 to when the holding pin 302 is lowered to a position where the holding pin 302 does not interfere with the substrate feeding hand 201 -Tp1).

제어부(106)는, 공흡인 시의 압력의 과도 특성에 기초하여, 공흡인을 개시하고 나서 정상 압력보다 저하되어 있는 압력의 피크에 도달할 때까지의 시간 Δt를 구할 수 있다. 이 값은 미리 기억되어 있어도 된다.Based on the transient characteristics of the pressure at the time of air suction, the control unit 106 can obtain the time? T until the peak of the pressure that is lower than the normal pressure after the start of the air suction. This value may be stored in advance.

제어부(106)는 시각 Tp1에서 지지핀(302)의 하강을 개시하고 나서 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 흡인을 개시할 때까지의 흡인 개시 대기 시간을 산출한다(S1). 제어부(106)는, 지지핀(302)의 하강 동작에 의해 기판(W)이 보유 지지부(202)에 접하는 타이밍에 기초하여 흡인 개시 대기 시간을 결정한다. 구체적으로는, 흡인 개시 대기 시간은, Tp1-Tp0-Δt를 계산함으로써 구해진다. 제어부(106)는, 시각 Tp0으로부터 소정 시간(즉 흡인 개시 대기 시간)만큼 후의 시각 ThSb를 설정한다. 제어부(106)는 레시피마다(기판마다, 로트마다) 흡인 개시 대기 시간을 기억할 수 있다.The control unit 106 calculates the suction start waiting time until the suction of the holding portion 202 of the substrate supply hand 201 is started after the start of the lowering of the support pin 302 at the time Tp1 (S1). The control unit 106 determines the suction start waiting time based on the timing at which the substrate W contacts the holding portion 202 by the lowering operation of the support pin 302. [ Specifically, the suction start waiting time is obtained by calculating Tp1 - Tp0 -? T. The control unit 106 sets the time ThSb which is later than the time Tp0 by a predetermined time (i.e., the suction start waiting time). The control unit 106 can store the suction start waiting time for each recipe (for each substrate, for each lot).

이어서, 제어부(106)는, 시각 Tp1에서 지지핀(302)의 하강 동작을 개시한다(S2). 한편, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 흡인에 대해서는, S1에서 산출한 흡인 개시 대기 시간, 대기한다(S3). 그리고, 흡인 개시 대기 시간이 경과한 후의 시각 ThSb에서, 제어부(106)는 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 흡인을 개시한다(S4). 그 후, 제어부(106)는, 진공압이 역치 Pt에 도달하는 것을 확인하고(S5), 지지핀(302)을 기판 공급 핸드(201)와 간섭하지 않는 위치까지 구동하여, 기판 전달 구동이 완료된다(S6).Subsequently, the control unit 106 starts the lowering operation of the support pin 302 at time Tp1 (S2). On the other hand, regarding the suction of the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201, the suction start waiting time calculated in S1 is awaited (S3). Then, at the time ThSb after the elapse of the suction start waiting time, the control unit 106 starts sucking the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 (S4). Thereafter, the control unit 106 confirms that the vacuum pressure reaches the threshold value Pt (S5), drives the support pin 302 to a position where it does not interfere with the substrate supply hand 201, (S6).

이와 같이, 제어부(106)는, 예를 들어 정상 압력보다 저하되어 있는 압력에 있어서의 피크의 시점에서 기판의 반송을 위해 보유 지지부(202)가 기판(W)과 접하도록 공흡인을 개시한다(즉 밸브의 개방 동작을 행함). 도 6의 예에서는, 그래프(62)로 나타내는 바와 같이, 시각 ThSb에서, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 공흡인이 개시된다. 이 때문에, 기판(W)이 보유 지지부(202)에 접하고 난 뒤의 압력의 저하가 이 피크의 위치로부터 시작되므로, 그 만큼, 압력이 빨리 역치 Pt에 도달할 수 있다. 그래프(62)에 의하면, 기판 공급 핸드(201)의 보유 지지부(202)의 압력이 역치 Pt에 달하는 타이밍이, 지지핀(302)이 기판 공급 핸드(201)와 간섭하지 않는 위치까지 하강하는 시각 Tp2보다 앞이다. 따라서, 그래프(62)에 있어서의 기판(W)의 전달 완료까지의 시간은, 그래프(61)에 비해, ThEa-Tp2로 나타내지는 시간만큼 더 단축시킬 수 있다.As described above, the control unit 106 starts the sucking so that the holding portion 202 comes into contact with the substrate W for conveying the substrate at the time of the peak at the pressure lower than the normal pressure (for example, That is, the opening operation of the valve is performed). In the example of Fig. 6, as shown by the graph 62, the attraction of the holding portion 202 of the substrate feeding hand 201 is started at the time ThSb. Therefore, since the pressure drop after the substrate W contacts the holding portion 202 starts from the position of this peak, the pressure can reach the threshold value Pt quickly by that much. The timing at which the pressure of the holding portion 202 of the substrate supplying hand 201 reaches the threshold value Pt is the time at which the supporting pin 302 descends to a position where it does not interfere with the substrate supplying hand 201 It is ahead of Tp2. Therefore, the time to completion of transfer of the substrate W in the graph 62 can be further shortened by the time indicated by ThEa-Tp2, as compared with the graph 61. [

이상, 기판 공급 핸드(201)가 프리얼라인먼트 스테이지(301)로부터 기판(W)을 수취하는 동작에 대하여 설명하였다. 이어서, 기판 회수 핸드(401)가 기판 스테이지(104)로부터 기판(W)을 수취하는 동작에 대하여 설명한다.The operation in which the substrate supply hand 201 receives the substrate W from the prealignment stage 301 has been described above. Next, the operation in which the substrate recovery hand 401 receives the substrate W from the substrate stage 104 will be described.

도 8은, 본 실시 형태에 있어서의, 기판 회수 핸드(401)가 기판 스테이지(104)로부터 기판(W)을 수취하는 동작을 설명하는 도면이다. 도 8의 (a)는, 지지핀(107)이 기판 스테이지(104)의(척(105)의) 기판 탑재면보다 높은 위치로 상승함으로써, 기판(W)이 기판 탑재면으로부터 부상하여, 지지핀(107)에 의해 지지되어 있는 상태에 있다. 이 상태에서, 제어부(106)는, 기판(W)과 기판 스테이지(104) 사이에 기판 회수 핸드(401)를 위치시킨다.Fig. 8 is a view for explaining the operation of the substrate recovery hand 401 in the present embodiment for receiving the substrate W from the substrate stage 104. Fig. 8A shows that the support pins 107 are raised to a position higher than the substrate mounting surface of the substrate stage 104 (on the chuck 105) so that the substrate W floats from the substrate mounting surface, (Not shown). In this state, the control unit 106 places the substrate recovery hand 401 between the substrate W and the substrate stage 104. [

도 8의 (b)에 있어서, 제어부(106)는, 기판 회수 핸드(401)가 기판(W)을 수취하기 위해서, 기판 회수 핸드(401)를 상승시킨다. 이 때, 제어부(106)는 기판 회수 핸드(401)의 공흡인을 개시한다. 기판 회수 핸드(401)의 상승에 의해, 기판(W)의 하면과 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)가 접한다. 그것에 의해, 공흡인의 상태로부터 보유 지지부와 기판 사이의 폐공간의 진공 흡인의 상태로 변한다.8B, the control unit 106 raises the substrate recovery hand 401 so that the substrate recovery hand 401 receives the substrate W. In this case, At this time, the control unit 106 starts the vacuum suction of the substrate recovery hand 401. The lower surface of the substrate W contacts the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 by the rise of the substrate recovery hand 401. [ Thereby, the vacuum suction state of the closed space between the holding portion and the substrate is changed from the state of the vacuum suction.

도 8의 (c)에 있어서, 제어부(106)는, 기판 회수 핸드(401)를 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 상승시킨다. 또한, 제어부(106)는, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 압력값이 소정의 역치 Pt를 초과했는지를 판정한다. 압력값이 역치 Pt를 초과하면, 기판(W)은, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)에 의한 보유 지지가 완료되고, 기판 회수 핸드(401)가 Y 방향으로 구동 가능한 것이 확인된다.8 (c), the control unit 106 raises the substrate recovery hand 401 to a position where it does not interfere with the support pin 107. [ The control unit 106 also determines whether the pressure value of the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 exceeds the predetermined threshold value Pt. When the pressure value exceeds the threshold value Pt, it is confirmed that the holding of the substrate W by the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 is completed and the substrate recovery hand 401 can be driven in the Y direction .

그리고, 도 8의 (d)에 있어서, 제어부(106)는, 기판 회수 핸드(401)를 -Y 방향으로 구동하여, 회수측의 전달 스테이션(501)으로 반송한다.8 (d), the control unit 106 drives the substrate recovery hand 401 in the -Y direction and transfers it to the transfer station 501 on the collection side.

이어서, 도 9를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의, 기판 회수 핸드(401)가 기판 스테이지(104)의 지지핀(107)으로부터 기판(W)을 수취하는 동작을 설명한다. 도 9는, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 진공압의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 도 9에 있어서, 종축이 압력, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 또한, 종축의 상측 방향이 마이너스의 방향이며, 상측 방향으로 갈수록 압력이 저하되는 것을 나타내고 있다. 시각 Tp0에서, 기판 회수 핸드(401)의 상승 동작(상승 구동)이 개시된다. Tp2는, 기판 회수 핸드(401)가 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 상승 구동한 시각을 나타낸다(도 8의 (c)의 상태).Next, referring to Fig. 9, an operation of the substrate recovery hand 401 in the present embodiment for receiving the substrate W from the support pins 107 of the substrate stage 104 will be described. 9 is a graph showing the time variation of the vacuum pressure of the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401. Fig. In Fig. 9, the ordinate indicates pressure and the abscissa indicates time. It is also shown that the upward direction of the vertical axis is the negative direction, and the pressure decreases toward the upward direction. At time Tp0, the ascending operation (ascending driving) of the substrate retrieving hand 401 is started. Tp2 indicates the time when the substrate recovery hand 401 is driven to the position where it does not interfere with the support pin 107 (state of FIG. 8 (c)).

제어부(106)는, 도 6에서 설명한 기판 공급 핸드(201)와 동일한 조정을 행한다. 즉, 제어부(106)는, 정상 압력보다 저하되어 있는 소정의 기간 내에 기판 회수 핸드에 의한 기판의 반송을 위해 보유 지지부가 기판과 접하도록 공흡인을 개시한다(즉, 밸브의 개방 동작을 행함). 예를 들어, 도 9의 예에서는, 시각 ThSa에서, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 공흡인이 개시된다. 이 때문에, 보유 지지부(402)가 기판(W)과 접하고 나서의 압력의 저하가 이 피크의 위치로부터 시작되므로, 그 만큼, 압력이 일찍 역치 Pt에 도달할 수 있다. 그것이 도 9의 그래프(91)에 나타나 있다.The control unit 106 performs the same adjustment as the substrate supply hand 201 described in Fig. In other words, the control unit 106 starts to suck the holding portion in contact with the substrate for transporting the substrate by the substrate recovery hand within a predetermined period that is lower than the normal pressure (i.e., performs valve opening operation) . For example, in the example of Fig. 9, at time ThSa, the holding of the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 is started. Therefore, since the pressure drop after the holding portion 402 contacts the substrate W starts from the position of this peak, the pressure can reach the threshold value Pt earlier by that much. This is shown in the graph 91 of FIG.

이어서, 지지핀(107)에 지지되어 있는 기판(W)에 아래로 볼록한 휨이 있는 상태를 생각할 수 있다. 기판(W)에 아래로 볼록한 휨이 있는 경우, 기판(W)의 수취 위치가 변화된다. 예를 들어, 기판(W)에 휨이 없는 경우에 기판 회수 핸드(401)를 상승시켜 기판(W)과 접하는 시각을, 도 9에 나타내는 바와 같이, Tp1a로 한다. 이에 비해, 기판(W)에 아래로 볼록한 휨이 있는 경우, 기판 회수 핸드(401)를 상승시켜 기판(W)과 접하는 시각은 Tp1b로 변화된다. 이 때, 공흡인의 개시 타이밍을, 기판의 휨에 관계없이 ThSa와 동시인 ThSb로 하면, 그래프(92)로 나타낸 바와 같이, 압력이 정상 압력보다 저하되었다가 상승한 시점에서 기판(W)의 수취가 행해진다. 그 때문에, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 압력이 역치 Pt에 도달하는 것이 시각 ThEb까지 지연된다. 이 경우, ThEb는 기판 회수 핸드(401)가 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 상승 구동한 시각 Tp보다도 늦은 시점이 되고, 그래프(91)에 비해, 그래프(92)의 기판(W)의 전달 완료까지의 시간은, ThEb-Tp2로 표시되는 시간만큼 지연되어버린다.Subsequently, a state in which the substrate W supported by the support pins 107 has a downward convex deflection can be considered. When the substrate W is convex downward, the receiving position of the substrate W is changed. For example, when there is no warpage in the substrate W, the time at which the substrate recovery hand 401 is lifted and contacts the substrate W is set to Tp1a as shown in Fig. On the other hand, when the substrate W is convex downward, the time when the substrate recovery hand 401 is lifted and contacts the substrate W is changed to Tp1b. At this time, assuming that the start timing of the vacancy suction is ThSb concurrently with ThSa regardless of the warpage of the substrate, as shown by the graph (92), when the pressure becomes lower than the normal pressure, Is performed. Therefore, it is delayed up to the time ThEb that the pressure of the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 reaches the threshold value Pt. In this case, ThEb becomes later than the time Tp when the substrate recovery hand 401 does not interfere with the support pins 107, Is delayed by the time indicated by ThEb-Tp2.

도 10은, 제어부(106)에 의한 기판(W)의 전달 시퀀스를 나타내는 흐름도이다. 도 10에 나타내는 흐름도는, 도 8의 (a), (b), (c)에 나타나는 동작에 있어서 제어부(106)가 실행하는 제어 내용을 나타내고, 이 제어에 의해, 보유 지지부(402)의 진공압의 변화는 도 9의 그래프(93)로 나타내진다.10 is a flowchart showing a transfer sequence of the substrate W by the control unit 106. Fig. 10 shows the contents of control executed by the control unit 106 in the operations shown in Figs. 8A, 8B and 8C. By this control, The change in pneumatic pressure is represented by graph 93 in Fig.

제어부(106)는, 도 9에 있어서의 Tp0, Tp1a, Tp1b, Tp2 및 공흡인 시의 압력의 과도 특성을 관리하고 있다. 제어부(106)는, 예를 들어 적어도 이하의 정보를 취득한다.The control unit 106 manages Tp0, Tp1a, Tp1b and Tp2 in Fig. 9 and the transient characteristics of the pressure at the time of sucking. The control unit 106 obtains, for example, at least the following information.

(1) 기판 회수 핸드(401)의 상승이 개시되고 나서 기판(W)이 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)에 접할 때까지의 시간의 정보,(1) information on the time until the substrate W comes into contact with the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 after the rise of the substrate recovery hand 401 is started,

(2) 공흡인(기판(W)과 기판 공급 핸드(201)가 접하지 않은 상태에서의 흡인)을 개시한 후의 압력과 시간의 관계를 나타내는 정보.(2) Information indicating the relationship between pressure and time after the ball suction (suction of the substrate W in a state in which the substrate supply hand 201 is not in contact) is started.

(3) 기판(W)의 휨의 정보.(3) Information on warping of the substrate W.

제어부는, 기판(W)의 휨의 정보를, 도시하지 않은 계측기를 사용한 실측에 의해 취득해도 된다. 또한, 제어부(106)는, 추가적으로 이하의 정보를 취득해도 된다. 제어부(106)는, 이 정보를 미리 기억하고 있어도 된다.The control unit may acquire warpage information of the substrate W by actual measurement using a meter (not shown). Further, the control section 106 may additionally acquire the following information. The control unit 106 may store this information in advance.

(3) 기판(W)이 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)에 접하고 나서, 기판 회수 핸드(401)가 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 상승할 때까지의 시간의 정보.(3) Information on the time from when the substrate W contacts the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 to when the substrate recovery hand 401 is raised to a position where it does not interfere with the support pin 107 .

제어부(106)는, 공흡인 시의 압력의 과도 특성에 기초하여, 공흡인을 개시하고 나서 정상 압력보다 저하되어 있는 압력의 피크에 도달할 때까지의 시간 Δt를 구할 수 있다. 이 값은 미리 기억되어 있어도 된다.Based on the transient characteristics of the pressure at the time of air suction, the control unit 106 can obtain the time? T until the peak of the pressure that is lower than the normal pressure after the start of the air suction. This value may be stored in advance.

제어부(106)는, 검출되는 압력의 변동에 기초하여, 기판 변형에 수반하는 Tp1a로부터 Tp1b로의 기판 전달 타이밍의 변화를 구한다(S7). 제어부(106)는, 다음 기판의 전달 처리 시에, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 흡인 개시까지의 대기 시간인 흡인 개시 대기 시간을 산출한다(S8). 흡인 개시 대기 시간은 Tp1b-Tp0-Δt를 계산함으로써 구해진다. 제어부(106)는, 시각 Tp0으로부터 흡인 개시 대기 시간만큼 후의 시각 ThSc를 설정한다. 레시피마다(기판마다, 로트마다) 기판 변형이 있는 것으로 보고, 제어부(106)는 레시피마다 흡인 개시 대기 시간을 기억할 수 있다.The control unit 106 obtains a change in the substrate transfer timing from Tp1a to Tp1b due to substrate deformation on the basis of the fluctuation of the detected pressure (S7). The control unit 106 calculates the suction start waiting time, which is the waiting time until the start of suction of the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401, at the next substrate transfer processing (S8). The suction start waiting time is obtained by calculating Tp1b-Tp0-t. The control unit 106 sets the time ThSc after the suction start wait time from the time Tp0. The control unit 106 can recognize the substrate deformation per recipe (per substrate, lot), and the control unit 106 can store the suction start waiting time for each recipe.

이어서, 제어부(106)는 기판 회수 핸드(401)의 상승 동작을 개시한다(S9). 한편, 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 흡인에 대해서는, S8에서 산출한 흡인 개시 대기 시간, 대기한다(S10). 그리고, 흡인 개시 대기 시간 경과 후의 시각 ThSc에서, 제어부(106)는 기판 회수 핸드(401)의 보유 지지부(402)의 흡인을 개시한다(S11). 그 후, 제어부(106)는 진공압이 역치 Pt에 도달하는 것을 확인하고(S12), 기판 회수 핸드(401)를 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 상승 구동하여, 기판 전달 구동이 완료된다(S13).Subsequently, the control unit 106 starts the ascending operation of the substrate recovery hand 401 (S9). On the other hand, regarding the suction of the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401, the suction start waiting time calculated in S8 is awaited (S10). Then, at the time ThSc after the elapse of the suction start waiting time, the control unit 106 starts sucking the holding portion 402 of the substrate recovery hand 401 (S11). Thereafter, the control unit 106 confirms that the vacuum pressure reaches the threshold value Pt (S12), drives the substrate returning hand 401 to a position where it does not interfere with the support pin 107, (S13).

도 9에 있어서, ThEa 및 ThEb는 각각, 본 실시 형태에 따른 그래프(91) 및 그래프(93)가 역치 Pt에 달하는 타이밍을 나타내고, ThEc는, 그래프(92)가 역치 Pt에 달하는 타이밍을 나타내고 있다. 그래프(93)에 의하면, 압력이 역치 Pt에 달하는 타이밍이, 기판 회수 핸드(401)를 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 상승하는 시각 Tp2보다 앞이다. 따라서 본 실시 형태에서는, 제어부(106)는, 진공압이 역치 Pt에 도달한 후, 기판 회수 핸드(401)가 지지핀(107)과 간섭하지 않는 위치까지 구동했을 때, 기판(W)의 전달 완료라고 판단한다. 이 경우, 그래프(93)에 있어서의 기판(W)의 전달 완료까지의 시간은, 그래프(92)에 비해, ThEc-Tp2로 나타내지는 시간만큼 더 단축시킬 수 있다.9, ThEa and ThEb represent timings at which the graphs 91 and 93 according to the present embodiment reach the threshold value Pt, respectively, and ThEc represents the timing at which the graph 92 reaches the threshold value Pt . According to the graph 93, the timing at which the pressure reaches the threshold value Pt is ahead of the time Tp2 at which the substrate recovery hand 401 ascends to a position where it does not interfere with the support pin 107. [ Therefore, in the present embodiment, when the substrate recovery hand 401 is driven to a position where it does not interfere with the support pins 107 after the vacuum pressure reaches the threshold value Pt, the control unit 106 controls the transfer of the substrate W It is judged to be completed. In this case, the time to completion of transfer of the substrate W in the graph 93 can be further shortened by the time represented by ThEc-Tp2, as compared with the graph 92. [

이어서 동일한 레시피가 실행된 경우, 기판 회수 핸드(401)의 상승 동작을 개시한 후, 제어부(106)가 기억하고 있는 레시피마다의 흡인 개시 대기 시간만큼 흡인 개시를 기다린다. 기판 회수 핸드(401)가 기판(W)을 수취하는 위치까지의 구동을 개시하고 나서 완료될 때까지의 시간보다도, 진공압이 역치 Pt에 도달할 때까지의 시간이 짧은 경우에는, 제어부(106)는 레시피마다 흡인 개시 대기 시간을 갱신해도 된다.Subsequently, when the same recipe is executed, after the start-up operation of the substrate recovery hand 401 is started, the control unit 106 waits for the sucking start wait time for each recipe stored in the control unit 106. When the time taken until the vacuum pressure reaches the threshold value Pt is shorter than the time from when the substrate recovery hand 401 starts to drive to the position where the substrate recovery hand 401 receives the substrate W to completion, ) May update the suction start waiting time for each recipe.

상술한 도 8 내지 도 10에서 예시한 기판 변형에 수반하는 기판 전달 시간의 변화에 따라서 흡인 개시 대기 시간을 설정하는 공정은, 도 5에 도시한 기판 공급 핸드(201)가 프리얼라인먼트 스테이지(301)로부터 기판(W)을 수취하는 동작에도 적용할 수 있다.The step of setting the suction start waiting time in accordance with the change of the substrate transfer time according to the substrate deformation shown in Figs. 8 to 10 described above is carried out in such a manner that the substrate supply hand 201 shown in Fig. The operation of receiving the substrate W is also possible.

이상 설명한 실시 형태에 따르면, 기판의 전달 동작의 고속화에서 유리한 기판 반송 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 기판 반송 장치를 사용한 리소그래피 장치에 의하면, 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the embodiments described above, it is possible to provide a substrate transfer apparatus which is advantageous in speeding up the transfer operation of the substrate. Further, the lithographic apparatus using the substrate transfer apparatus according to the present embodiment can improve the throughput.

또한, 상기한 실시 형태에서는 리소그래피 장치로서 노광 장치를 예시했지만, 리소그래피 장치는 노광 장치에 한정되지 않는다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 하전 입자선으로 기판(위의 감광재)에 묘화를 행하는 묘화 장치, 또는 형을 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치 등이어도 된다.In the above-described embodiment, the exposure apparatus is exemplified as the lithographic apparatus, but the lithographic apparatus is not limited to the exposure apparatus. The lithographic apparatus may be, for example, an imaging apparatus that performs imaging on a substrate (photosensitive material above) with a charged particle beam, or an imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a substrate using a mold.

<물품 제조 방법의 실시 형태>&Lt; Embodiment of Product Manufacturing Method >

본 발명의 실시 형태에 있어서의, 물품을 제조하는 물품 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 상기 리소그래피 장치(노광 장치나 임프린트 장치, 묘화 장치 등)를 사용하여 기판에 원판의 패턴을 전사하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 전사된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은 다른 주지된 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능ㆍ품질ㆍ생산성ㆍ생산 비용의 적어도 하나에 있어서 유리하다.The article manufacturing method for manufacturing an article in the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a micro device such as a semiconductor device or a device having a fine structure. The article manufacturing method of the present embodiment includes a step of transferring a pattern of a circular plate to a substrate by using the lithographic apparatus (an exposure apparatus, an imprinting apparatus, a drawing apparatus, or the like), and a step of processing a substrate transferred with the pattern in this step . This manufacturing method also includes other known processes (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

100: 노광 장치,
104: 기판 스테이지,
106: 제어부,
107: 지지핀,
201: 기판 공급 핸드,
202: 보유 지지부,
301: 프리얼라인먼트 스테이지,
302: 지지핀,
401: 기판 회수 핸드,
402: 보유 지지부100: an exposure apparatus,
104: substrate stage,
106:
107: support pin,
201: substrate supply hand,
202: holding portion,
301: prealignment stage,
302: support pin,
401: substrate recovery hand,
402:

Claims (14)

기판을 진공 흡착하여 보유 지지하는 보유 지지부를 가지고, 해당 보유 지지부에 의해 상기 기판을 보유 지지하여 반송하는 반송 핸드와,
진공 흡인을 행하는 진공 장치와 상기 보유 지지부를 접속시키는 배관과,
상기 배관을 개폐 가능한 밸브와,
상기 배관에 있어서의 상기 밸브의 위치보다도 상기 진공 장치측이며, 또한 상기 밸브로부터 떨어진 위치에 마련된 오리피스와,
상기 반송 핸드에 의한 상기 기판의 반송 및 상기 밸브의 개폐를 제어하는 제어부
를 가지고,
상기 제어부는, 상기 기판이 상기 보유 지지부에 접하지 않은 상태에서 전자기 밸브를 폐쇄 상태부터 개방 상태로 함으로써 기체의 흡인을 개시한 후이면서 상기 배관에 있어서의 상기 밸브의 위치보다도 보유 지지부측의 압력이 일정해지기 전의 기간에 있어서 상기 기판이 상기 보유 지지부에 접하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.A transfer hand having a holding portion for holding a substrate by vacuum suction and holding the substrate by the holding portion,
A vacuum apparatus for performing vacuum suction, a pipe for connecting the holding unit,
A valve capable of opening and closing the pipe,
An orifice provided at a position away from the valve, the position being closer to the vacuum apparatus than the position of the valve in the pipe;
A control unit for controlling the conveyance of the substrate by the conveyance hand and the opening and closing of the valve,
Lt; / RTI &
Wherein the control unit controls the electromagnetic valve so that the pressure of the holding part side is higher than the position of the valve in the piping after the suction of the gas is started by bringing the electromagnetic valve into the open state from the closed state in a state where the substrate is not in contact with the holding part And controls the substrate to contact the holding portion in a period before the substrate is fixed. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 보유 지지부측의 상기 배관의 압력이 상기 기간에 있어서의 상기 압력의 최솟값에 대하여 70％ 이하의 압력값으로 되어 있는 기간 내에 상기 반송 핸드에 의한 상기 기판의 반송을 위해 상기 보유 지지부가 해당 기판과 접하도록 상기 밸브의 개방 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.2. The apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the pressure of the piping on the side of the substrate by the transfer hand within a period in which the pressure of the piping on the side of the holding unit is a pressure value of 70% Wherein the holding portion supports the valve so that the holding portion abuts against the substrate for carrying. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기간에 있어서 상기 보유 지지부측의 상기 배관의 압력이 최솟값이 되는 시점에서 상기 반송 핸드에 의한 상기 기판의 반송을 위해 상기 보유 지지부가 해당 기판과 접하도록 상기 밸브의 개방 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.2. The apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the holding unit such that the holding unit contacts the substrate for transporting the substrate by the transferring hand at a time point when the pressure of the piping on the holding unit side becomes the minimum value in the period Thereby performing an opening operation of the valve. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 기판 탑재면에 대하여 출몰 가능하게 마련된 복수의 지지핀을 갖는 스테이지에 탑재되어 있으며,
상기 제어부는,
상기 복수의 지지핀이 상기 스테이지의 상기 기판 탑재면보다 높은 위치로 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 탑재면으로부터 부상하여, 상기 복수의 지지핀에 의해 지지되어 있는 상태에서, 상기 기판과 상기 스테이지 사이에 상기 반송 핸드를 위치시키고,
상기 복수의 지지핀의 하강 동작을 개시하고,
상기 기간 내에 상기 하강 동작에 의해 상기 보유 지지부가 해당 기판과 접하도록 상기 밸브의 개방 동작을 행하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is mounted on a stage having a plurality of support pins provided so as to be capable of protruding and retracting with respect to a substrate mounting surface,
Wherein,
The plurality of support pins are raised to a position higher than the substrate mounting surface of the stage so that the substrate floats from the substrate mounting surface and is supported by the plurality of support pins, Place the transfer hand,
The lowering operation of the plurality of support pins is started,
And performing the opening operation of the valve such that the holding portion contacts the substrate by the falling operation within the period
And the substrate transfer device. 제4항에 있어서, 상기 하강 동작은, 상기 복수의 지지핀을 하방으로 구동함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.The substrate transport apparatus according to claim 4, wherein the lowering operation is performed by driving the plurality of support pins downward. 제4항에 있어서, 상기 하강 동작은, 상기 스테이지를 하방으로 구동함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.The substrate transport apparatus according to claim 4, wherein the lowering operation is performed by driving the stage downward. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 기판 탑재면에 대하여 출몰 가능하게 마련된 복수의 지지핀을 갖는 스테이지에 탑재되어 있으며,
상기 제어부는,
상기 복수의 지지핀이 상기 기판 탑재면보다 높은 위치로 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 탑재면으로부터 부상하여, 상기 복수의 지지핀에 의해 지지되어 있는 상태에서, 상기 기판과 상기 스테이지 사이에 상기 반송 핸드를 위치시키고,
상기 반송 핸드의 상승 동작을 개시하고,
상기 기간 내에 상기 상승 동작에 의해 상기 보유 지지부가 상기 기판과 접하도록 상기 밸브의 개방 동작을 행하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is mounted on a stage having a plurality of support pins provided so as to be capable of protruding and retracting with respect to a substrate mounting surface,
Wherein,
The plurality of support pins are raised to a position higher than the substrate mounting surface so that the substrate is lifted from the substrate mounting surface and supported by the plurality of support pins, Position,
The lifting operation of the carrying hand is started,
And performing the opening operation of the valve such that the holding portion comes into contact with the substrate by the lifting operation within the period
And the substrate transfer device. 제4항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 하강 동작이 개시되고 나서 상기 기판이 상기 보유 지지부와 접할 때까지의 시간의 정보인 제1 정보와, 상기 기판이 상기 보유 지지부에 접하지 않은 상태에서 상기 기체의 흡인을 개시한 후의 상기 보유 지지부측의 상기 배관의 압력과 시간의 관계 정보인 제2 정보를 취득하고,
상기 제1 정보 및 상기 제2 정보에 기초하여 상기 밸브의 개방 동작을 행하는 타이밍을 조정하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.5. The apparatus of claim 4,
Wherein the first information is information on a time from when the lowering operation is started until the substrate is in contact with the holding support portion and the second information is information on the time until the substrate is in contact with the holding portion, Acquires second information, which is information relating to the pressure and time of the pipe on the side of the pipe,
And adjusting the timing of performing the valve opening operation based on the first information and the second information
And the substrate transfer device. 제7항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 상승 동작이 개시되고 나서 상기 기판이 상기 보유 지지부와 접할 때까지의 시간의 정보인 제1 정보와, 상기 기판이 상기 보유 지지부에 접하지 않은 상태에서 상기 기체의 흡인을 개시한 후의 상기 보유 지지부측의 상기 배관의 압력과 시간의 관계 정보인 제2 정보를 취득하고,
상기 제1 정보 및 상기 제2 정보에 기초하여 상기 밸브의 개방 동작을 행하는 타이밍을 조정하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.8. The apparatus of claim 7,
The first information being information of a time from when the lifting operation is started until the substrate comes into contact with the holding support portion and the second information when the substrate is in contact with the holding support portion, Acquires second information, which is information relating to the pressure and time of the pipe on the side of the pipe,
And adjusting the timing of performing the valve opening operation based on the first information and the second information
And the substrate transfer device. 제8항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 복수의 지지핀에 지지되어 있을 때의 상기 기판의 휨의 정보를 취득하고,
상기 휨의 정보에 기초하여 상기 밸브의 개방 동작을 행하는 타이밍을 다시 조정하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.9. The apparatus according to claim 8,
Information on the warpage of the substrate when it is supported by the plurality of support pins,
The timing for performing the opening operation of the valve is adjusted again based on the information of the warping
And the substrate transfer device. 기판을 보유 지지하는 기판 스테이지와,
상기 기판 스테이지에 보유 지지된 상기 기판에 패턴을 형성하는 형성부와,
상기 기판 스테이지로의 해당 기판의 공급 및 상기 기판 스테이지로부터의 상기 기판의 회수 중 적어도 어느 것을 행하는 제1항에 기재된 기판 반송 장치
를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.A substrate stage for holding a substrate,
A forming unit configured to form a pattern on the substrate held on the substrate stage;
The substrate transfer apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate transfer device is provided with at least one of a supply of the substrate to the substrate stage and a recovery of the substrate from the substrate stage
Of the lithographic apparatus. 제11항에 있어서, 상기 기판 스테이지에 반송되는 기판의 프리얼라인먼트 상태를 조정하기 위해 해당 기판을 보유 지지하는 프리얼라인먼트 스테이지를 더 가지고,
상기 기판 반송 장치는, 상기 프리얼라인먼트 스테이지로부터 상기 기판 스테이지에 기판을 반송하여 상기 기판의 공급을 행하는
것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.12. The apparatus according to claim 11, further comprising a prealignment stage for holding a substrate to adjust a prealignment state of the substrate transferred to the substrate stage,
Wherein the substrate transport apparatus transports the substrate from the prealignment stage to the substrate stage to supply the substrate
Wherein the lithographic apparatus is a lithographic apparatus. 제11항에 있어서, 회수된 기판을 보유 지지하는 전달 스테이션을 더 가지고,
상기 기판 반송 장치는, 상기 기판 스테이지로부터 상기 전달 스테이션에 기판을 반송하여 상기 기판의 회수를 행하는
것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.12. The apparatus of claim 11, further comprising a transfer station for holding the recovered substrate,
Wherein the substrate transfer device transfers the substrate from the substrate stage to the transfer station to collect the substrate
Wherein the lithographic apparatus is a lithographic apparatus. 물품을 제조하는 물품 제조 방법이며,
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피 장치를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 패턴이 형성된 기판을 가공하는 공정
을 가지고,
상기 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.A method of manufacturing an article,
A lithographic apparatus, comprising: a step of forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to any one of claims 11 to 13;
A step of processing the substrate on which the pattern is formed
To have,
Wherein the article is manufactured from the processed substrate.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010110863A (en) * 2008-11-06 2010-05-20 Yushin Precision Equipment Co Ltd Vacuum suction device and molded article ejector with vacuum suction device
KR20170039805A (en) * 2015-10-01 2017-04-12 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024683A (en) 2004-07-07 2006-01-26 Nikon Corp Conveying apparatus, exposure apparatus, and conveyance method
JP2010110863A (en) * 2008-11-06 2010-05-20 Yushin Precision Equipment Co Ltd Vacuum suction device and molded article ejector with vacuum suction device
KR20170039805A (en) * 2015-10-01 2017-04-12 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot

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