KR20190024722A - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents

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다카시 우노
후미히로 가미무라
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이쿠오 스나카
다카시 나카자와
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Abstract

An objective of the present invention is to suppress a processing liquid from being polluted in a circulation line just after circulation of the processing liquid. According to one embodiment of the present invention, a liquid processing apparatus comprises: a tank to store a processing liquid; a circulation line to return the processing liquid sent from the tank to the tank; a pump to form a circulation flow of the processing liquid in the circulation line; a filter disposed on a downstream side of the pump in the circulation line; a backpressure valve disposed on a downstream side of the filter in the circulation line; and a control unit to control the pump and the backpressure valve. The control unit starts the pump at a discharge pressure preset at a first pressure when circulation of the processing liquid is started in the circulation line. After a preset time, the control unit controls the discharge pressure of the pump to increase the discharge pressure of the pump to a second pressure greater than the first pressure.

Description

액처리 장치 및 액처리 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method,

개시한 실시형태는, 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다. The disclosed embodiments relate to a liquid processing apparatus and a liquid processing method.

종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 칭함) 등의 기판용의 처리액을 순환 라인으로 순환시키고, 이러한 순환 라인으로부터 분기되는 분기 라인을 통해 처리부에 처리액을 공급하는 액처리 장치가 알려져 있다. 이러한 액처리 장치의 순환 라인에는, 처리액으로부터 이물질을 제거하는 필터가 마련되어 있다(특허문헌 1 참조). Conventionally, there has been known a liquid processing apparatus for circulating a processing liquid for a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter also referred to as a wafer) to a circulation line and supplying the processing liquid to the processing section through a branch line branched from the circulation line. The circulation line of the liquid processing apparatus is provided with a filter for removing foreign matter from the treatment liquid (see Patent Document 1).

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2015-220318호 공보Patent Document 1: JP-A-2015-220318

그러나, 종래의 순환 라인에서는, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 펌프의 토출 압력에 기인하여 이물질이 필터를 빠져 나가는 것에 의해, 순환 라인 내의 처리액이 오염되어 버릴 우려가 있었다. However, in the conventional circulation line, there is a possibility that the treatment liquid in the circulation line may be contaminated by the foreign substance leaving the filter immediately after the circulation of the treatment liquid starts, due to the discharge pressure of the pump.

실시형태의 일양태는, 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 순환 라인 내의 처리액이 오염되는 것을 억제할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION An aspect of an embodiment of the present invention has been made in view of the above circumstances and it is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus and liquid processing method capable of suppressing contamination of a processing liquid in a circulation line immediately after a circulation of the processing liquid starts .

실시형태의 일양태에 따른 액처리 장치는, 탱크와, 순환 라인과, 펌프와, 필터와, 배압 밸브와, 제어부를 구비한다. 상기 탱크는 처리액을 저류한다. 상기 순환 라인은, 상기 탱크로부터 보내는 처리액을 상기 탱크로 복귀시킨다. 상기 펌프는, 상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환류를 형성한다. 상기 필터는, 상기 순환 라인에서의 상기 펌프의 하류측에 마련된다. 상기 배압 밸브는, 상기 순환 라인에서의 상기 필터의 하류측에 마련된다. 상기 제어부는, 상기 펌프 및 상기 배압 밸브를 제어한다. 그리고, 상기 제어부는, 상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환을 시작할 때에, 상기 펌프의 토출 압력이 미리 정해진 제1 압력으로 시동하고, 미리 정해진 시간이 경과한 후에 상기 펌프의 토출 압력이 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력으로 증가하도록 상기 펌프의 토출 압력을 제어한다. A liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a tank, a circulation line, a pump, a filter, a back pressure valve, and a control unit. The tank reserves the treatment liquid. The circulation line returns the treatment liquid sent from the tank to the tank. The pump forms a circulating flow of the treatment liquid in the circulation line. The filter is provided on the downstream side of the pump in the circulation line. The back pressure valve is provided on the downstream side of the filter in the circulation line. The control unit controls the pump and the back pressure valve. The control unit starts the circulation of the processing liquid in the circulation line, the discharge pressure of the pump starts at a predetermined first pressure, and after the predetermined time has elapsed, And controls the discharge pressure of the pump to increase to a second pressure greater than one pressure.

실시형태의 일양태에 의하면, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 순환 라인 내의 처리액이 오염되는 것을 억제할 수 있다. According to one aspect of the embodiment, it is possible to suppress contamination of the treatment liquid in the circulation line immediately after the start of circulation of the treatment liquid.

도 1은, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는, 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은, 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 4는, 실시형태에서의 기판 세정 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 5는, 실시형태에 따른 처리 유체 공급원의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은, 실시형태에서의 펌프의 토출 압력과 배압 밸브의 밸브 개방도의 추이에 관해 나타내는 도면이다.
도 7은, 실시형태 및 참고예에서의 필터의 상류측과 하류측의 차압의 추이에 관해 나타내는 도면이다.
도 8은, 기판 처리 시스템이 실행하는 기판 처리의 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 9는, 처리 유체 공급원이 실행하는 액처리의 순서를 나타내는 흐름도이다. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
2 is a schematic diagram showing a configuration of a processing unit.
3 is a schematic diagram showing a specific configuration example of the processing unit.
4 is a diagram showing the outline of a substrate cleaning process in the embodiment.
5 is a view showing a schematic configuration of a treatment fluid supply source according to the embodiment.
Fig. 6 is a diagram showing the discharge pressure of the pump and the transition of the valve opening degree of the back pressure valve in the embodiment. Fig.
Fig. 7 is a diagram showing the transition of the differential pressure between the upstream side and the downstream side of the filter in the embodiment and the reference example. Fig.
8 is a flowchart showing a sequence of substrate processing performed by the substrate processing system.
9 is a flowchart showing the sequence of the liquid processing performed by the processing fluid supply source.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 액처리 장치 및 액처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of a liquid processing apparatus and a liquid processing method disclosed by the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below.

<기판 처리 시스템의 개요><Overview of substrate processing system>

처음에, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 관해 설명한다. First, the schematic configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to Fig.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to the present embodiment. Hereinafter, X-axis, Y-axis and Z-axis orthogonal to each other are defined and the Z-axis normal direction is set as a vertical upward direction for clarifying the positional relationship.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

반입반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하, 웨이퍼(W)로 지칭함]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.The loading and unloading station 2 includes a carrier arrangement section 11 and a carrying section 12. [ A plurality of carriers C for horizontally accommodating a plurality of substrates and a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in the embodiment are arranged in the carrier arrangement section 11. [

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The carry section 12 is provided adjacent to the carrier arrangement section 11 and includes a substrate transfer apparatus 13 and a transfer section 14 therein. The substrate transfer device 13 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the carrier C and the transfer part 14 by using the wafer holding mechanism. .

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.The processing station 3 is provided adjacent to the carry section 12. The processing station 3 includes a carry section 15 and a plurality of processing units 16. A plurality of processing units (16) are arranged on both sides of the carry section (15).

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The carry section (15) has a substrate transfer apparatus (17) inside. The substrate transfer device 17 is provided with a wafer holding mechanism for holding the wafer W. The substrate transfer apparatus 17 is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis and is capable of transferring the wafer W between the transfer unit 14 and the processing unit 16 W).

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 기판 처리를 행한다.The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W carried by the substrate transfer device 17. [

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.In addition, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer and includes a control unit 18 and a storage unit 19. [ In the storage unit 19, a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19. [

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Such a program may be one stored in a storage medium readable by a computer and installed in the storage unit 19 of the control apparatus 4 from the storage medium. Examples of the storage medium readable by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card and the like.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.The substrate transfer apparatus 13 of the loading and unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C arranged in the carrier arrangement section 11 And the taken-out wafer W is placed on the transfer part 14. [ The wafer W placed on the transfer section 14 is taken out of the transfer section 14 by the substrate transfer apparatus 17 of the processing station 3 and is carried into the processing unit 16.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 and then taken out of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed in the transfer part 14 . The processed wafers W placed on the transfer section 14 are returned to the carrier C of the carrier arrangement section 11 by the substrate transfer apparatus 13.

<처리 유닛의 개요><Overview of Processing Unit>

다음으로, 처리 유닛(16)의 개요에 관해, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 처리 유닛(16)의 구성을 나타내는 모식도이다. Next, the outline of the processing unit 16 will be described with reference to Fig. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the processing unit 16. As shown in Fig.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling portion of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.The substrate holding mechanism 30 includes a holding portion 31, a holding portion 32, and a driving portion 33. The holding portion 31 holds the wafer W horizontally. The support portion 32 is a member extending in the vertical direction and the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33 and horizontally supports the holding portion 31 at the tip end portion. The driving portion 33 rotates the support portion 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the holding portion 31 supported by the holding portion 32 by rotating the holding portion 32 by using the driving portion 33 and thereby rotates the holding portion 31 Thereby rotating the held wafer W.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다. 이러한 처리 유체 공급원(70)의 구성에 관해서는 후술한다. The treatment fluid supply part 40 supplies a treatment fluid to the wafer W. The treatment fluid supply part 40 is connected to the treatment fluid supply source 70. The construction of the processing fluid supply source 70 will be described later.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액부(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액부(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.The recovery cup 50 is disposed so as to surround the holding portion 31 and collects the treatment liquid scattering from the wafer W by the rotation of the holding portion 31. [ A drain portion 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50 and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain portion 51 to the outside of the processing unit 16 . An exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.

다음으로, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예에 관해, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다. Next, a specific configuration example of the processing unit 16 will be described with reference to Fig. Fig. 3 is a schematic diagram showing a specific configuration example of the processing unit 16. Fig.

도 3에 나타낸 바와 같이, 기판 유지 기구(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 마련된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다. 또, 웨이퍼(W)는, 기판 처리가 행해지는 표면을 상측으로 향하게 한 상태로 유지부(31)에 유지된다. 3, a holding member 311 for holding the wafer W from the side surface is provided on the upper surface of the holding portion 31 provided in the substrate holding mechanism 30. As shown in Fig. The wafer W is horizontally held by the holding member 311 in a state slightly spaced from the upper surface of the holding portion 31. [ The wafer W is held in the holding portion 31 with the surface on which the substrate processing is performed facing upward.

처리 유체 공급부(40)는, 복수(여기서는 4개)의 노즐(41a∼41d)과, 이러한 노즐(41a∼41d)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. The processing fluid supply section 40 includes a plurality of (here, four) nozzles 41a to 41d, an arm 42 for horizontally supporting the nozzles 41a to 41d, And a turning elevating mechanism (43).

노즐(41a)은, 밸브(44a)와 유량 조정기(45a)를 통해 HFC 공급원(46a)에 접속된다. HFC 공급원(46a)에는, 예를 들면 HFC(HydroFluoroCarbon) 등의 웨이퍼(W)를 처리하는 CF계 세정액이 저장된다. 또, 이러한 CF계 세정액은 HFC에 한정되지 않고, PFC(PerFluoroCarbon)나 HFO(HydroFluoroOlefins) 등을 이용해도 좋다. The nozzle 41a is connected to the HFC supply source 46a through the valve 44a and the flow rate regulator 45a. In the HFC supply source 46a, a CF-based cleaning liquid for processing a wafer W such as HFC (Hydrofluorocarbon) is stored. Such a CF-based cleaning liquid is not limited to HFC, and may be PFC (Perfluorocarbon), HFO (HydrofluoroOlefins) or the like.

노즐(41b)은, 밸브(44b)와 유량 조정기(45b)를 통해 DHF 공급원(46b)에 접속된다. DHF 공급원(46b)에는, 예를 들면 DHF(Diluted HydroFluoric acid : 희불산) 등의 웨이퍼(W)의 잔사를 세정하는 세정액이 저장된다. 또, 웨이퍼(W)의 잔사를 세정하는 세정액은 DHF에 한정되지 않고, 유기 박리액 등을 이용해도 좋다. The nozzle 41b is connected to the DHF supply source 46b through the valve 44b and the flow rate regulator 45b. The DHF supply source 46b stores a cleaning liquid for cleaning the residue of the wafer W, for example, diluted hydrofluoric acid (DHF). The cleaning liquid for cleaning the residue of the wafer W is not limited to DHF, and an organic peeling liquid or the like may be used.

노즐(41c)은, 밸브(44c)와 유량 조정기(45c)를 통해 DIW 공급원(46c)에 접속된다. DIW(DeIonized Water : 탈이온수)은, 예를 들면 린스 처리에 이용된다. 또, 린스 처리에 이용하는 처리액은 DIW에 한정되지 않고, DHF를 웨이퍼(W) 상으로부터 제거할 수 있는 것이라면, 그 밖의 종류의 처리액을 이용해도 좋다. The nozzle 41c is connected to the DIW supply source 46c through the valve 44c and the flow rate regulator 45c. DIW (deionized water) is used for rinsing, for example. The treatment liquid used for the rinse treatment is not limited to DIW, and any other treatment liquid may be used as long as it can remove DHF from the wafer W.

노즐(41d)은, 밸브(44d)와 유량 조정기(45d)를 통해 IPA 공급원(46d)에 접속된다. IPA(IsoPropyl Alcohol)은, 예를 들면 치환 처리에 이용된다. 또, 치환 처리에 이용하는 처리액은 IPA에 한정되지 않고, DIW보다 표면장력이 낮은 용제라면, 그 밖의 종류의 용제를 이용해도 좋다. The nozzle 41d is connected to the IPA supply source 46d via the valve 44d and the flow rate regulator 45d. IPA (IsoPropyl Alcohol) is used, for example, in the substitution process. The treatment liquid used for the substitution treatment is not limited to IPA, and other types of solvents may be used as far as the solvent is lower in surface tension than DIW.

노즐(41a)로부터는, HFC 공급원(46a)으로부터 공급되는 HFC가 토출된다. 노즐(41b)로부터는, DHF 공급원(46b)으로부터 공급되는 DHF가 토출된다. 노즐(41c)로부터는, DIW 공급원(46c)으로부터 공급되는 DIW가 토출된다. 노즐(41d)로부터는, IPA 공급원(46d)으로부터 공급되는 IPA가 토출된다. From the nozzle 41a, the HFC supplied from the HFC supply source 46a is discharged. From the nozzle 41b, the DHF supplied from the DHF supply source 46b is discharged. From the nozzle 41c, the DIW supplied from the DIW supply source 46c is discharged. From the nozzle 41d, the IPA supplied from the IPA supply source 46d is discharged.

<세정 처리의 상세><Details of Cleaning Process>

다음으로, 처리 유닛(16)에서의 웨이퍼(W)의 세정 처리의 상세에 관해, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는, 실시형태에서의 기판 세정 처리의 개요를 나타내는 도면이다. 또, 이러한 기판 세정 처리가 행해지는 이전의 공정에서, 웨이퍼(W)에는 드라이 에칭 처리가 행해지고 있는 것으로 한다. Next, details of the cleaning process of the wafer W in the processing unit 16 will be described with reference to FIG. 4 is a diagram showing the outline of a substrate cleaning process in the embodiment. It is assumed that the wafer W is subjected to a dry etching process in a previous step of performing such a substrate cleaning process.

우선, 기판 반송 장치(17)에 의해, 웨이퍼(W)가 처리 유닛(16)의 챔버(20) 내에 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 기판 처리되는 표면을 상측을 향하게 한 상태로 유지 부재(311)에 유지된다. 그 후, 구동부(33)에 의해, 기판 유지 기구(30)가 웨이퍼(W)와 함께 정해진 회전수로 회전한다. First, the wafer W is carried into the chamber 20 of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17. Then, the wafer W is held on the holding member 311 with the surface to be processed with the substrate facing upward. Thereafter, the substrate holding mechanism 30 rotates together with the wafer W by the drive unit 33 at a predetermined rotation speed.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는, 도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, HFC에 의한 제1 세정 처리가 행해진다. 이러한 제1 세정 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41a)이 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동한다. 그 후, 밸브(44a)가 미리 정해진 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 CF계 세정액인 HFC이 공급된다. 이러한 제1 세정 처리에 의해, 웨이퍼(W)에 대한 드라이 에칭시에 웨이퍼(W)에 부착되는 불소계 폴리머를 제거할 수 있다. Next, in the processing unit 16, as shown in Fig. 4A, the first cleaning process by HFC is performed. In this first cleaning process, the nozzle 41a of the process fluid supply unit 40 moves to the upper center of the wafer W. [ Thereafter, the valve 44a is opened for a predetermined time, whereby HFC as the CF-based cleaning liquid is supplied to the surface of the wafer W. By this first cleaning process, the fluorine-based polymer adhering to the wafer W can be removed during dry etching of the wafer W.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는, 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, DHF에 의한 제2 세정 처리가 행해진다. 이러한 제2 세정 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41b)이 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동한다. 그 후, 밸브(44b)가 미리 정해진 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 세정액인 DHF가 공급된다. Next, in the processing unit 16, as shown in Fig. 4 (b), a second cleaning process by DHF is performed. In this second cleaning process, the nozzle 41b of the process fluid supply unit 40 moves to the upper center of the wafer W. [ Thereafter, the valve 44b is opened for a predetermined time, whereby DHF, which is a cleaning liquid, is supplied to the surface of the wafer W.

이러한 제2 세정 처리에 의해, 웨이퍼(W)에 대한 드라이 에칭시에 웨이퍼(W)에 부착되어, 제1 세정 처리에서는 제거되기 어려운 불소계 폴리머 이외의 잔사를 제거할 수 있다. Such a second cleaning process can remove residues other than the fluorine-based polymer which is adhered to the wafer W during dry etching of the wafer W and which is difficult to remove in the first cleaning process.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는, DIW에 의한 린스 처리가 행해진다. 이러한 린스 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41c)이 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동하고, 밸브(44c)가 미리 정해진 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 린스액인 DIW가 공급된다. 이 린스 처리에 의해, 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 DHF를 제거한다. Next, in the processing unit 16, rinse processing by DIW is performed. In this rinsing process, the nozzle 41c of the treatment fluid supply part 40 moves to the center of the wafer W, and the valve 44c is opened for a predetermined time, whereby the surface of the wafer W is rinsed DIW is supplied. By this rinsing treatment, the DHF remaining on the wafer W is removed.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는, IPA에 의한 치환 처리가 행해진다. 이러한 치환 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41d)이 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동하고, 밸브(44d)가 미리 정해진 시간 개방됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 IPA가 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다. Next, in the processing unit 16, replacement processing by IPA is performed. In this replacement process, the nozzle 41d of the processing fluid supply unit 40 is moved to the upper center of the wafer W, and the valve 44d is opened for a predetermined time, thereby supplying IPA to the surface of the wafer W . As a result, DIW remaining on the surface of the wafer W is replaced with IPA.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리가 행해진다. 이러한 건조 처리에서는, 예를 들면, 구동부(33)에 의해 기판 유지 기구(30)를 고속 회전시킴으로써, 유지 부재(311)에 유지되는 웨이퍼(W) 상의 IPA를 털어낸다. Subsequently, in the processing unit 16, a drying process for drying the wafer W is performed. In this drying process, for example, the substrate holding mechanism 30 is rotated at a high speed by the driving unit 33 to shake the IPA on the wafer W held by the holding member 311.

그 후, 처리 유닛(16)에서는, 반출 처리가 행해진다. 반출 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨 후, 기판 반송 장치(17)에 의해, 웨이퍼(W)가 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이러한 반출 처리가 완료되면, 1장의 웨이퍼(W)에 관한 일련의 기판 처리가 완료된다. Thereafter, in the processing unit 16, the carry-out process is performed. In the carrying out process, after the rotation of the wafer W is stopped, the wafer W is carried out of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17. [ When such a carrying-out process is completed, a series of substrate processing for one wafer W is completed.

여기까지 설명한 바와 같이, 실시형태에서는, CF계 세정액(예를 들면, HFC)에 의한 제1 세정 처리와, 잔사 제거용의 세정액(예를 들면, DHF)에 의한 제2 세정 처리를 연속하여 행한다. 이에 따라, 실시형태에 의하면, 드라이 에칭 처리시에 부착되는 불소계 폴리머와, 불소계 폴리머 이외의 잔사를, 웨이퍼(W)로부터 양호하게 제거할 수 있다. As described above, in the embodiment, the first cleaning process by the CF-based cleaning liquid (for example, HFC) and the second cleaning process by the cleaning liquid for removing the residue (for example, DHF) are successively performed . Thus, according to the embodiment, it is possible to satisfactorily remove the fluorine-based polymer adhered during the dry etching treatment and the residue other than the fluorine-based polymer from the wafer W.

또, 실시형태에서는, 불소계 폴리머를 제거하는 제1 세정 처리를 CF계의 세정액에 의해 실시한 경우에 관해 나타냈지만, 제1 세정 처리는 세정액을 이용하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 세정 처리를, CF계의 용제를 이용한 베이퍼 세정이나 고온 고압 세정, 초임계 세정 등에 의해 행해도 좋다. In the embodiment, the case where the first cleaning treatment for removing the fluorine-based polymer is performed by the cleaning liquid of the CF system is shown, but the first cleaning treatment is not limited to the case of using the cleaning liquid. For example, the first cleaning process may be performed by a vapor cleaning using a CF-based solvent, a high-temperature high-pressure cleaning, a supercritical cleaning, or the like.

또한, 실시형태에서는, 제1 세정 처리의 후에, 잔사를 제거하는 제2 세정 처리를 행하는 경우에 관해 나타냈지만, 제1 세정 처리에 의해 잔사도 제거할 수 있는 경우에는, 반드시 제2 세정 처리를 행할 필요는 없다. In the embodiment, the second cleaning process for removing the residue is performed after the first cleaning process. However, if the residue can also be removed by the first cleaning process, the second cleaning process is necessarily performed There is no need to do this.

<처리 유체 공급원의 개요><Outline of Treatment Fluid Source>

다음으로, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 처리 유체 공급원(70)의 개략 구성에 관해, 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5는, 실시형태에 따른 처리 유체 공급원(70)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. Next, a schematic configuration of the processing fluid supply source 70 included in the substrate processing system 1 will be described with reference to FIG. 5 is a view showing a schematic configuration of a treatment fluid supply source 70 according to the embodiment.

도 5에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 처리 유체 공급원(70)은, 복수의 처리 유닛(16)에 처리액을 공급한다. 또, 실시형태에서는, 도 3에 나타낸 HFC 공급원(46a)과, DHF 공급원(46b)과, DIW 공급원(46c)과, IPA 공급원(46d)을, 도 5에 나타내는 처리 유체 공급원(70)으로 각각 개별적으로 구성한다. As shown in Fig. 5, the processing fluid supply source 70 provided in the substrate processing system 1 supplies the processing liquid to the plurality of processing units 16. In the embodiment, the HFC supply source 46a, the DHF supply source 46b, the DIW supply source 46c, and the IPA supply source 46d shown in Fig. 3 are connected to the processing fluid supply source 70 shown in Fig. 5 Configure them individually.

처리 유체 공급원(70)은, 처리액을 저류하는 탱크(102)와, 이러한 탱크(102)로부터 나와 탱크(102)로 복귀하는 순환 라인(104)을 갖는다. 이러한 순환 라인(104)에는, 탱크(102)를 기준으로 하여, 상류측으로부터 순서대로 펌프(106)와, 필터(108)와, 접속부(110)와, 배압 밸브(114)가 마련된다. The treatment fluid supply source 70 has a tank 102 for storing treatment liquid and a circulation line 104 for returning from the tank 102 to the tank 102. The circulation line 104 is provided with a pump 106, a filter 108, a connecting portion 110 and a back pressure valve 114 in this order from the upstream side with respect to the tank 102.

펌프(106)는, 탱크(102)로부터 나와, 순환 라인(104)을 통과하여, 탱크(102)로 복귀하는 처리액의 순환류를 형성한다. 또, 실시형태에 있어서, 펌프(106)의 토출 압력은, 제어부(18)에 의해 제어 가능하다. The pump 106 exits the tank 102 and passes through the circulation line 104 to form a circulating flow of the process liquid returning to the tank 102. In addition, in the embodiment, the discharge pressure of the pump 106 can be controlled by the control unit 18.

필터(108)는, 순환 라인(104) 내를 순환하는 처리액에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. The filter 108 removes contaminants such as particles contained in the treatment liquid circulating in the circulation line 104.

접속부(110)에는, 하나 또는 복수의 분기 라인(112)이 접속된다. 각 분기 라인(112)은, 순환 라인(104)을 흐르는 처리액을 대응하는 각 처리 유닛(16)에 공급한다. 또, 각 분기 라인(112)에는, 필요에 따라서, 유량 제어 밸브 등의 유량 조정 기구나 필터 등을 마련할 수 있다. One or a plurality of branch lines 112 are connected to the connection unit 110. [ Each branch line 112 supplies the treatment liquid flowing through the circulation line 104 to each corresponding processing unit 16. In addition, a flow rate adjusting mechanism such as a flow rate control valve, a filter, and the like can be provided in each branch line 112 as needed.

배압 밸브(114)는, 이러한 배압 밸브(114)의 상류측에서의 처리액의 압력이 원하는 압력보다 큰 경우에는 밸브 개방도를 크게 하고, 상류측에서의 처리액의 압력이 원하는 압력보다 작은 경우에는 밸브 개방도를 작게 함으로써, 상류측에서의 처리액의 압력을 원하는 압력으로 유지하는 기능을 갖는다. 또, 실시형태에 있어서, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도는 제어부(18)에 의해 제어 가능하다. When the pressure of the process liquid at the upstream side of the back pressure valve 114 is larger than the desired pressure, the back pressure valve 114 is increased. When the pressure of the process liquid at the upstream side is lower than the desired pressure, So as to maintain the pressure of the treatment liquid at the upstream side at a desired pressure. In the embodiment, the valve opening degree of the back pressure valve 114 can be controlled by the control section 18. [

또, 순환 라인(104)에는, 여기까지 설명한 각 구성 부재 외에, 필요에 따라서 보조 기계류(예를 들면, 히터나 플로우미터 등)가 더 마련되어 있어도 좋다. The circulation line 104 may be provided with auxiliary machinery (for example, a heater or a flow meter), if necessary, in addition to the components described above.

또한, 탱크(102)는, 탱크액 보충부(116)와, 드레인부(118)를 갖는다. 탱크액 보충부(116)는, 탱크(102)에 처리액 또는 처리액 구성 성분을 보충한다. 드레인부(118)는, 탱크(102) 내의 처리액을 교환할 때 등에, 탱크(102) 내의 처리액을 배출한다. The tank 102 has a tank liquid replenishing section 116 and a drain section 118. The tank liquid replenishing section 116 replenishes the processing liquid or the constituents of the processing liquid to the tank 102. [ The drain portion 118 discharges the processing solution in the tank 102, for example, when the processing solution in the tank 102 is exchanged.

여기까지 설명한 처리 유체 공급원(70)에서는, 분기 라인(112)이 접속되는 접속부(110)의 압력을, 배압 밸브(114)를 이용하여 원하는 압력으로 유지함으로써, 처리 유체 공급원(70)으로부터 각 처리 유닛(16)으로의 처리액의 공급을 원활하게 행할 수 있다. In the processing fluid supply source 70 described so far, the pressure of the connection portion 110 to which the branch line 112 is connected is maintained at a desired pressure by using the back pressure valve 114, It is possible to smoothly supply the treatment liquid to the unit 16.

한편, 순환 라인(104)에서는, 처리액의 교환 작업이나 트러블로부터의 복귀 작업 등의 후에, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 펌프(106)의 토출 압력에 기인하여 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것에 의해, 순환 라인(104) 내의 처리액이 오염되는 경우가 있었다. 이와 같이 처리액이 순환 라인(104) 내에서 오염된 경우, 다시 장기간의 순환을 행함으로써, 필터(108)로 처리액 내의 이물질을 제거할 필요가 있기 때문에, 기판 처리 시스템(1)의 복귀에 시간이 걸리는 경우가 있었다. On the other hand, in the circulation line 104, after the circulation of the process liquid is started after the exchange of the process liquid and the return from the trouble, foreign substances are introduced into the filter 108 due to the discharge pressure of the pump 106 The process liquid in the circulation line 104 may be contaminated. When the treatment liquid is contaminated in the circulation line 104 as described above, it is necessary to remove the foreign substances in the treatment liquid by the filter 108 by performing long-term circulation again. Therefore, It took time.

따라서, 실시형태에서는, 펌프(106)의 토출 압력과, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도를 적절하게 제어함으로써, 처리액의 순환을 시작한 직후에 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것을 억제하는 것으로 했다. 이어서, 이러한 제어의 상세에 관해, 도 6 및 도 7을 참조하면서 설명한다. Therefore, in the embodiment, the discharge pressure of the pump 106 and the valve opening degree of the back pressure valve 114 are appropriately controlled to prevent the foreign matter from escaping from the filter 108 immediately after the circulation of the treatment liquid is started . Next, the details of such control will be described with reference to Figs. 6 and 7. Fig.

도 6은, 실시형태에서의 펌프(106)의 토출 압력과 배압 밸브(114)의 밸브 개방도의 추이에 관해 나타내는 도면이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 처리 유체 공급원(70)에서는, 펌프(106)가 시동하는 시간 T1보다 전에, 밸브 개방도 유지 처리가 행해진다(단계 S1). 6 is a diagram showing the discharge pressure of the pump 106 and the transition of the valve opening degree of the back pressure valve 114 in the embodiment. As shown in Fig. 6, in the treatment fluid supply source 70, the valve opening degree maintenance process is performed before the time T1 at which the pump 106 is started (step S1).

이러한 밸브 개방도 유지 처리에서는, 배압 밸브(114)를 제어함으로써, 이러한 배압 밸브(114)의 밸브 개방도를 미리 정해진 밸브 개방도 V1로 일정하게 유지한다. 환언하면, 밸브 개방도 유지 처리에서는, 배압 밸브(114)의 상류측에서의 처리액의 압력치에 관계없이, 배압 밸브(114)에서의 통상의 밸브 개방도의 제어는 행하지 않는다. In this valve opening degree maintenance processing, the back pressure valve 114 is controlled to maintain the valve opening degree of the back pressure valve 114 constant at the predetermined valve opening degree V1. In other words, in the valve opening degree maintenance processing, the normal valve opening degree control by the back pressure valve 114 is not performed regardless of the pressure value of the processing liquid on the upstream side of the back pressure valve 114. [

밸브 개방도 유지 처리에서는, 예를 들면, 배압 밸브(114)가 완전 개방으로 일정해지도록 유지된다. 그리고, 이러한 밸브 개방도의 유지 상태가, 펌프(106)를 시동할 때에도 유지된다. In the valve opening degree maintenance processing, for example, the back pressure valve 114 is maintained so as to be kept at a full opening state. Such a maintenance state of the valve opening degree is also maintained when the pump 106 is started.

밸브 개방도 유지 처리에 이어서, 처리 유체 공급원(70)에서는 순환 시작 처리가 행해진다(단계 S2). 이러한 순환 시작 처리에서는, 펌프(106)를 제어함으로써 시간 T1에 펌프(106)를 시동한다.Following the valve opening degree maintenance processing, circulation start processing is performed in the processing fluid supply source 70 (step S2). In this circulation start process, the pump 106 is started and the pump 106 is started at time T1.

여기서, 순환 시작 처리시에는, 펌프(106)의 토출 압력이 미리 정해진 제1 압력 P1이 되도록 제어하여, 펌프(106)를 시동한다. 또, 이러한 제1 압력 P1은, 펌프(106)에서의 최대 토출 압력인 제2 압력 P2보다 작다. 또, 최대 토출 압력(제2 압력 P2)보다 작은 제1 압력 P1로 펌프(106)를 동작시키는 수단으로는, 예를 들면, 펌프(106)에 레귤레이터를 추가하여, 이러한 레귤레이터에 의해 토출 압력을 저압(제1 압력 P1)과 고압(제2 압력 P2)으로 전환하면 된다. Here, during the circulation start processing, the discharge pressure of the pump 106 is controlled to be the predetermined first pressure P1, and the pump 106 is started. This first pressure P1 is smaller than the second pressure P2, which is the maximum discharge pressure in the pump 106. [ As a means for operating the pump 106 with the first pressure P1 smaller than the maximum discharge pressure (the second pressure P2), for example, a regulator is added to the pump 106, and the discharge pressure (The first pressure P1) and the high pressure (the second pressure P2).

도 7은, 실시형태 및 참고예에서의 필터(108)의 상류측과 하류측의 차압의 추이에 관해 나타내는 도면이다. 또, 도 7에 나타내는 참고예에서는, 실시형태와 달리, 시간 T1에 있어서, 펌프(106)를 최대 토출 압력인 제2 압력 P2으로 시동한다. 또한, 펌프(106)를 시동하기 전에는, 배압 밸브(114)의 상류측에는 펌프(106)의 토출 압력이 인가되어 있지 않기 때문에, 배압 밸브(114)의 제어는 작동하고 있지 않은 상태이다. Fig. 7 is a diagram showing the change in pressure difference between the upstream side and the downstream side of the filter 108 in the embodiment and the reference example. In the reference example shown in Fig. 7, unlike the embodiment, the pump 106 is started at the second pressure P2 which is the maximum discharge pressure at time T1. Before the pump 106 is started, since the discharge pressure of the pump 106 is not applied to the upstream side of the back pressure valve 114, the control of the back pressure valve 114 is not in operation.

따라서, 참고예에서는, 펌프(106)가 제2 압력 P2으로 시동하고, 배압 밸브(114)의 상류측에 토출 압력이 인가되고 나서, 배압 밸브(114)의 제어가 시작된다. 그러나, 이러한 제어가 안정적으로 동작할 때까지는 미리 정해진 타임래그가 있기 때문에, 제어가 안정되는 시간 Ta까지 배압 밸브(114)는 제어되지 않은 상태이다. Therefore, in the reference example, the pump 106 starts at the second pressure P2, and the discharge pressure is applied to the upstream side of the back pressure valve 114, and then the control of the back pressure valve 114 is started. However, since there is a predetermined time lag until such control stably operates, the back pressure valve 114 is in an uncontrolled state until the time Ta during which the control is stable.

즉, 필터(108)의 상류측에서는 펌프(106)로부터 최대 토출 압력으로 처리액이 토출되고, 필터(108)의 하류측에서는 배압 밸브(114)가 제어되지 않은 상태이다. 이에 따라, 도 7에 나타낸 바와 같이, 펌프(106)가 시동하는 시간 T1로부터, 배압 밸브(114)의 제어가 작용하는 시간 Ta까지는, 필터(108)의 상류측과 하류측 사이에서 필터(108)의 내차압을 초과하는 큰 차압 Dc이 가해져 버린다. 따라서, 참고예에서는, 이러한 큰 차압 Dc에 의해, 이물질이 필터(108)를 빠져 나갈 우려가 있었다. That is, on the upstream side of the filter 108, the treatment liquid is discharged from the pump 106 to the maximum discharge pressure, and the back pressure valve 114 is not controlled on the downstream side of the filter 108. 7, the filter 108 is connected between the upstream side and the downstream side of the filter 108 from the time T1 when the pump 106 starts to the time Ta when the back pressure valve 114 operates. A large differential pressure Dc exceeding the differential pressure of the differential pressure Dc is applied. Therefore, in the reference example, foreign matter may escape from the filter 108 due to the large differential pressure Dc.

한편, 실시형태에서는, 펌프(106)의 토출 압력이 최대 토출 압력(제2 압력 P2)보다 작은 제1 압력 P1이 되도록 제어하면서, 순환 라인(104) 내에서의 처리액의 순환을 시작한다. 이에 따라, 펌프(106)를 시동했을 때에, 필터(108)의 상류측에 인가되는 압력을 낮게 억제할 수 있다. On the other hand, in the embodiment, the circulation of the process liquid in the circulation line 104 is started while controlling the discharge pressure of the pump 106 to be the first pressure P1 which is smaller than the maximum discharge pressure (second pressure P2). Accordingly, when the pump 106 is started, the pressure applied to the upstream side of the filter 108 can be suppressed to a low level.

즉, 펌프(106)의 토출 압력이 제1 압력 P1이 되도록 제어하여 처리액의 순환을 시작함으로써, 필터(108)의 상류측과 하류측 사이에 가해지는 차압을, 참고예에서의 차압 Dc보다 작은 차압 Da로 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 펌프(106)의 토출 압력에 기인하여 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것을 억제할 수 있다. That is, by controlling the discharge pressure of the pump 106 to be the first pressure P1 and starting the circulation of the treatment liquid, the differential pressure applied between the upstream side and the downstream side of the filter 108 is lower than the differential pressure Dc in the reference example It can be suppressed to a small differential pressure Da. Therefore, according to the embodiment, foreign matter can be prevented from escaping from the filter 108 due to the discharge pressure of the pump 106 immediately after the circulation of the treatment liquid is started.

또한, 실시형태에서는, 밸브 개방도 유지 처리에 의해, 펌프(106)를 시동했을 때에, 배압 밸브(114)가 완전 개방으로 일정해지도록 제어되어 있다. 이에 따라, 펌프(106)로부터 토출되는 처리액이 최대 토출 압력보다 작은 제1 압력 P1로 토출되고 있는 경우에도, 순환 라인(104) 내에서의 처리액의 유량을 충분히 확보할 수 있다. 이에 따라, 펌프(106)에 에어가 혼입되었다 하더라도 펌프(106) 내에 에어가 머무르는 것을 방지할 수 있어, 펌프(106)에 에어가 혼입되는 것에 의한 문제를 방지할 수 있다. Further, in the embodiment, when the pump 106 is started by the valve opening degree holding process, the back pressure valve 114 is controlled to be kept at a full opening state. Accordingly, even when the process liquid discharged from the pump 106 is discharged at the first pressure P1 smaller than the maximum discharge pressure, the flow rate of the process liquid in the circulation line 104 can be sufficiently secured. Accordingly, even if air is mixed into the pump 106, it is possible to prevent the air from staying in the pump 106, and it is possible to prevent problems caused by the air being mixed into the pump 106. [

또, 밸브 개방도 유지 처리에서는, 배압 밸브(114)는 완전 개방이 아니어도 좋으며, 순환 라인(104) 내에서의 처리액의 유량을 확보할 수 있는 밸브 개방도 V1로 일정하면 된다. 이에 따라, 제1 압력 P1로 토출되고 있는 경우에도, 순환 라인(104) 내에서의 처리액의 유량을 충분히 확보할 수 있다. In the valve opening degree holding treatment, the back pressure valve 114 may not be completely opened, but it may be set to a valve opening degree V1 that can secure the flow rate of the treatment liquid in the circulation line 104. [ Accordingly, even in the case of being discharged at the first pressure P1, the flow rate of the treatment liquid in the circulation line 104 can be sufficiently secured.

도 6의 설명으로 되돌아간다. 순환 시작 처리에 이어서, 처리 유체 공급원(70)에서는 밸브 개방도 제어 처리가 행해진다(단계 S3). 이러한 밸브 개방도 제어 처리에서는, 시간 T2에 배압 밸브(114)에서의 밸브 개방도의 제어를 시작한다. Returning to the description of Fig. Following the circulation start processing, the processing fluid supply source 70 performs valve opening degree control processing (step S3). In this valve opening degree control processing, control of the valve opening degree in the back pressure valve 114 is started at time T2.

또, 이러한 「밸브 개방도의 제어」란, 배압 밸브(114)의 상류측에서의 처리액의 압력이 원하는 압력보다 큰 경우에는 밸브 개방도를 크게 하고, 상류측에서의 처리액의 압력이 원하는 압력보다 작은 경우에는 밸브 개방도를 작게 하여, 배압 밸브(114)의 상류측에서의 압력을 원하는 압력으로 일정하게 하는 제어를 말한다.This &quot; control of valve opening degree &quot; means that when the pressure of the processing solution on the upstream side of the back pressure valve 114 is larger than the desired pressure, the valve opening degree is increased and when the pressure of the processing solution on the upstream side is smaller than the desired pressure The valve opening degree is reduced and the pressure at the upstream side of the back pressure valve 114 is made constant at a desired pressure.

또한, 이러한 밸브 개방도 제어 처리의 후(즉, 시간 T2보다 후)에는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도가 작아지도록 제어된다. 이것은, 펌프(106)의 토출 압력이 최대 토출 압력보다 작은 제1 압력 P1이기 때문에, 배압 밸브(114)의 상류측에서의 압력을 원하는 압력으로 승압하기 위해, 배압 밸브(114)를 통과하는 처리액을 조절할 필요가 있기 때문이다. Further, after such valve opening degree control processing (that is, after time T2), as shown in FIG. 6, the valve opening degree of the back pressure valve 114 is controlled to be small. This is because the discharge pressure of the pump 106 is the first pressure P1 which is smaller than the maximum discharge pressure so that the pressure of the processing liquid passing through the back pressure valve 114 is increased to increase the pressure on the upstream side of the back pressure valve 114 to a desired pressure It is necessary to adjust.

이러한 밸브 개방도 제어 처리에 이어서, 처리 유체 공급원(70)에서는 승압 처리가 행해진다(단계 S4). 이러한 승압 처리에서는, 시간 T1로부터 미리 정해진 시간이 경과하고, 차압이 안정되는 시간 T3에, 펌프(106)의 토출 압력을 제1 압력 P1로부터 최대 토출 압력인 제2 압력 P2으로 승압시킨다. 또, 도 6에 나타낸 바와 같이, 시간 T3의 시점에서는, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도는 밸브 개방도 유지 처리에서의 밸브 개방도 V1보다 작은 밸브 개방도 V2로 감소하고 있다. Following this valve opening degree control processing, the processing fluid supply source 70 performs step-up processing (step S4). In this pressure increase processing, the discharge pressure of the pump 106 is increased from the first pressure P1 to the second pressure P2, which is the maximum discharge pressure, at a time T3 at which a predetermined time elapses from the time T1 and the pressure difference becomes stable. 6, at the time point of time T3, the valve opening degree of the back pressure valve 114 decreases to the valve opening degree V2 which is smaller than the valve opening degree V1 in the valve opening degree holding treatment.

이러한 승압 처리에 의해, 필터(108)의 상류측에서의 압력이 증가한다. 그러나, 실시형태에서는, 밸브 개방도 제어 처리에 의해, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도가 밸브 개방도 V2로 감소하고 있기 때문에, 배압 밸브(114)의 상류측(즉, 필터(108)의 하류측)에서의 압력도 증가하고 있다. By this pressure increasing process, the pressure on the upstream side of the filter 108 is increased. However, in the embodiment, since the valve opening degree of the back pressure valve 114 is reduced to the valve opening degree V2 by the valve opening degree control process, the upstream side of the back pressure valve 114 (that is, The pressure on the downstream side) is also increasing.

이에 따라, 도 7에 나타낸 바와 같이, 최대 토출 압력에서의 토출이 시작된 직후(즉, 시간 T3의 직후)에, 필터(108)의 상류측과 하류측 사이에 가해지는 차압 Db가 크게 증가하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 승압 처리의 직후에 있어서, 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것을 억제할 수 있다. 7, the differential pressure Db applied between the upstream side and the downstream side of the filter 108 is greatly increased immediately after the start of the discharge at the maximum discharge pressure (i.e., immediately after the time T3) . Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent foreign matter from escaping from the filter 108 immediately after the pressure increasing process.

<처리의 순서>&Lt; Sequence of Processing >

이어서, 실시형태에 따른 각종 처리의 순서에 관해, 도 8 및 도 9를 참조하면서 설명한다. 도 8은, 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 순서를 나타내는 흐름도이다. Next, the order of various processes according to the embodiment will be described with reference to Figs. 8 and 9. Fig. Fig. 8 is a flowchart showing the sequence of substrate processing executed by the substrate processing system 1. Fig.

도 8에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는 우선, 반입 처리가 행해진다(단계 S101). 반입 처리에서는, 제어부(18)가 기판 반송 장치(17)를 제어하여, 처리 유닛(16)의 챔버(20) 내에 웨이퍼(W)를 반입시킨다. 웨이퍼(W)는, 기판 처리되는 표면을 상측을 향하게 한 상태로 유지 부재(311)에 유지된다. 그 후, 제어부(18)는, 구동부(33)를 제어하여, 기판 유지 기구(30)를 미리 정해진 회전수로 회전시킨다. As shown in Fig. 8, in the processing unit 16, the carrying-in process is performed first (step S101). The control unit 18 controls the substrate transfer device 17 to bring the wafer W into the chamber 20 of the processing unit 16. [ The wafer W is held on the holding member 311 with the surface to be processed with the substrate facing upward. Thereafter, the control unit 18 controls the driving unit 33 to rotate the substrate holding mechanism 30 at a predetermined rotational speed.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제1 세정 처리가 행해진다(단계 S102). 제1 세정 처리에서는, 제어부(18)가 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41a)을 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동시킨다. 그 후, 제어부(18)가 밸브(44a)를 미리 정해진 시간 개방함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 CF계 세정액인 HFC을 공급한다. Next, the first cleaning process is performed in the processing unit 16 (step S102). In the first cleaning process, the control unit 18 moves the nozzle 41a of the processing fluid supply unit 40 to the upper center of the wafer W. Thereafter, the controller 18 opens the valve 44a for a predetermined time, thereby supplying HFC as a CF cleaning solution to the surface of the wafer W.

웨이퍼(W)의 표면에 공급된 HFC는, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 부착된 불소계 폴리머가 HFC에 의해 제거된다. The HFC supplied to the surface of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force resulting from the rotation of the wafer W. [ Thus, the fluorine-based polymer attached to the wafer W is removed by HFC.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제2 세정 처리가 행해진다(단계 S103). 제2 세정 처리에서는, 제어부(18)가 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41b)을 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동시킨다. 그 후, 제어부(18)가 밸브(44b)를 미리 정해진 시간 개방함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 잔사용의 세정액인 DHF를 공급한다. Next, the second cleaning process is performed in the processing unit 16 (step S103). In the second cleaning process, the controller 18 moves the nozzle 41b of the processing fluid supply unit 40 to the upper center of the wafer W. Thereafter, the controller 18 opens the valve 44b for a predetermined time, thereby supplying DHF, which is the cleaning solution for the remaining use, to the surface of the wafer W.

웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DHF는, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 부착된 잔사가 DHF에 의해 제거된다. DHF supplied to the surface of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force resulting from the rotation of the wafer W. [ Thereby, the residue attached to the wafer W is removed by DHF.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 린스 처리가 행해진다(단계 S104). 린스 처리에서는, 제어부(18)가, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41c)을 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동시키고, 밸브(44c)를 미리 정해진 시간 개방함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 린스액인 DIW를 공급한다. Next, rinse processing is performed in the processing unit 16 (step S104). The control unit 18 moves the nozzle 41c of the processing fluid supply unit 40 to the upper center of the wafer W and opens the valve 44c for a predetermined period of time so that the surface of the wafer W To supply DIW, which is the rinsing liquid.

웨이퍼(W)의 표면에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DHF가 DIW에 의해 제거된다. The DIW supplied to the surface of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force resulting from the rotation of the wafer W. [ Thereby, the DHF remaining on the surface of the wafer W is removed by the DIW.

다음으로, 처리 유닛(16)에서는 치환 처리가 행해진다(단계 S105). 치환 처리에서는, 제어부(18)가, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41d)을 웨이퍼(W)의 중앙 상측으로 이동시키고, 밸브(44d)를 미리 정해진 시간 개방함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 용제인 IPA를 공급한다. Next, in the processing unit 16, replacement processing is performed (step S105). The control unit 18 moves the nozzle 41d of the process fluid supply unit 40 to the upper center of the wafer W and opens the valve 44d for a predetermined period of time so that the surface of the wafer W IPA &lt; / RTI &gt;

웨이퍼(W)의 표면에 공급된 IPA는, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다. The IPA supplied to the surface of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by the centrifugal force resulting from the rotation of the wafer W. As a result, DIW remaining on the surface of the wafer W is replaced with IPA.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리가 행해진다(단계 S106). 건조 처리에서는, 예를 들면, 제어부(18)가 구동부(33)를 제어하여 기판 유지 기구(30)를 고속 회전시킴으로써, 유지 부재(311)에 유지되는 웨이퍼(W) 상의 IPA를 털어낸다. Subsequently, in the processing unit 16, drying processing for drying the wafer W is performed (step S106). In the drying process, for example, the control unit 18 controls the driving unit 33 to rotate the substrate holding mechanism 30 at a high speed, thereby shaking off the IPA on the wafer W held by the holding member 311. [

그 후, 처리 유닛(16)에서는 반출 처리가 행해진다(단계 S107). 반출 처리에서는, 제어부(18)가 구동부(33)를 제어하여 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨 후, 기판 반송 장치(17)를 제어하여 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16)으로부터 반출시킨다. 이러한 반출 처리가 완료되면, 1장의 웨이퍼(W)에 관한 일련의 기판 처리가 완료된다. Thereafter, in the processing unit 16, the carry-out process is performed (step S107). The control unit 18 controls the driving unit 33 to stop the rotation of the wafer W and then controls the substrate transfer device 17 to carry the wafer W out of the processing unit 16. [ When such a carrying-out process is completed, a series of substrate processing for one wafer W is completed.

도 9는, 처리 유체 공급원(70)이 실행하는 액처리의 순서를 나타내는 흐름도이다. 본 처리는, 처리액의 교환 작업이나 트러블로부터의 복귀 작업 등의 후에 행해진다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 처리 유체 공급원(70)에서는 우선, 밸브 개방도 유지 처리가 행해진다(단계 S111). 밸브 개방도 유지 처리에서는, 제어부(18)가 배압 밸브(114)를 제어하여, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도가 미리 정해진 밸브 개방도 V1로 일정해지도록 유지한다. 이러한 밸브 개방도 유지 처리에서는, 예를 들면, 배압 밸브(114)가 완전 개방으로 일정해지도록 유지된다. Fig. 9 is a flowchart showing the sequence of the liquid processing performed by the processing fluid supply source 70. Fig. This process is performed after the replacement of the process liquid and the return from the trouble. As shown in Fig. 9, in the processing fluid supply source 70, first, the valve opening degree maintenance processing is performed (step S111). In the valve opening degree maintenance processing, the control unit 18 controls the back pressure valve 114 to maintain the valve opening degree of the back pressure valve 114 constant at the predetermined valve opening degree V1. In such a valve opening degree maintenance process, for example, the back pressure valve 114 is maintained so as to be kept at a full opening state.

다음으로, 처리 유체 공급원(70)에서는 순환 시작 처리가 행해진다(단계 S112). 순환 시작 처리에서는, 제어부(18)가 펌프(106)를 제어하여, 순환 라인(104) 내에서의 처리액의 순환을 시작한다. 또, 순환 시작 처리에 있어서 펌프(106)를 시동할 때의 토출 압력은, 최대 토출 압력(제2 압력 P2)보다 작은 제1 압력 P1로 제어된다. Next, circulation start processing is performed in the processing fluid supply source 70 (step S112). In the circulation start process, the control unit 18 controls the pump 106 to start the circulation of the process liquid in the circulation line 104. In the circulation start process, the discharge pressure at the time of starting the pump 106 is controlled to the first pressure P1 which is smaller than the maximum discharge pressure (second pressure P2).

다음으로, 처리 유체 공급원(70)에서는 밸브 개방도 제어 처리가 행해진다(단계 S113). 밸브 개방도 제어 처리에서는, 제어부(18)가 배압 밸브(114)를 제어하여, 이러한 배압 밸브(114)의 상류측에서의 압력을 원하는 압력으로 일정해지도록, 밸브 개방도의 제어를 행한다. 또, 실시형태에서는, 펌프(106)의 토출 압력이 최대 토출 압력보다 작은 제1 압력 P1이기 때문에, 배압 밸브(114)의 밸브 개방도가 작아지도록 제어된다. Next, in the processing fluid supply source 70, the valve opening degree control processing is performed (step S113). In the valve opening degree control processing, the control unit 18 controls the back pressure valve 114 to control the valve opening degree so that the pressure at the upstream side of the back pressure valve 114 becomes constant at a desired pressure. In the embodiment, the discharge pressure of the pump 106 is the first pressure P1 which is smaller than the maximum discharge pressure, so that the valve opening degree of the back pressure valve 114 is controlled to be small.

그 후, 처리 유체 공급원(70)에서는 승압 처리가 행해진다(단계 S114). 승압 처리에서는, 제어부(18)가 펌프(106)를 제어하여, 펌프(106)의 토출 압력을, 제1 압력 P1로부터 최대 토출 압력인 제2 압력 P2로 승압한다. 이러한 승압 처리가 완료되면, 처리 유체 공급원(70)에서의 일련의 액처리가 완료된다. Thereafter, the processing fluid supply source 70 performs the pressure increasing processing (step S114). In the pressure increasing process, the control unit 18 controls the pump 106 to increase the discharge pressure of the pump 106 from the first pressure P1 to the second pressure P2, which is the maximum discharge pressure. When the pressure increasing process is completed, a series of liquid processing in the processing fluid supply source 70 is completed.

이상, 본 발명의 실시형태에 관해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 취지를 일탈하지 않는 한 여러가지 변경이 가능하다. 예를 들면, 실시형태에서는, 승압 처리에 있어서, 펌프(106)의 토출 압력을 최대 토출 압력인 제2 압력 P2로 승압하는 예에 관해 나타냈지만, 제2 압력 P2는 반드시 펌프(106)의 최대 토출 압력이 아니어도 좋다. Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. For example, in the embodiment, the example in which the discharge pressure of the pump 106 is stepped up to the second discharge pressure P2, which is the maximum discharge pressure, is shown in the pressure increasing process, The discharge pressure may not be.

실시형태에 따른 액처리 장치는, 탱크(102)와, 순환 라인(104)과, 펌프(106)와, 필터(108)와, 배압 밸브(114)와, 제어부(18)를 구비한다. 탱크(102)는, 처리액을 저류한다. 순환 라인(104)은, 탱크(102)로부터 보내는 처리액을 탱크(102)로 복귀시킨다. 펌프(106)는, 순환 라인(104)에서의 처리액의 순환류를 형성한다. 필터(108)는, 순환 라인(104)에서의 펌프(106)의 하류측에 마련된다. 배압 밸브(114)는, 순환 라인(104)에서의 필터(108)의 하류측에 마련된다. 제어부(18)는, 펌프(106) 및 배압 밸브(114)를 제어한다. 그리고, 제어부(18)는, 순환 라인(104)에서의 처리액의 순환을 시작할 때에, 펌프(106)의 토출 압력이 미리 정해진 제1 압력 P1로 시동하고, 미리 정해진 시간이 경과한 후에 펌프(106)의 토출 압력이 제1 압력 P1보다 큰 제2 압력 P2로 증가하도록 펌프(106)의 토출 압력을 제어한다. 이에 따라, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 펌프(106)의 토출 압력에 기인하여 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것을 억제할 수 있다. The liquid processing apparatus according to the embodiment includes a tank 102, a circulation line 104, a pump 106, a filter 108, a back pressure valve 114, and a control unit 18. The tank 102 stores the process liquid. The circulation line 104 returns the treatment liquid sent from the tank 102 to the tank 102. The pump 106 forms a circulating flow of the process liquid in the circulation line 104. The filter 108 is provided on the downstream side of the pump 106 in the circulation line 104. The back pressure valve 114 is provided on the downstream side of the filter 108 in the circulation line 104. The control unit 18 controls the pump 106 and the back pressure valve 114. [ The control unit 18 starts the circulation of the process liquid in the circulation line 104 when the discharge pressure of the pump 106 starts at the predetermined first pressure P1 and the pump 106 is controlled to increase to a second pressure P2 higher than the first pressure P1. Accordingly, it is possible to prevent foreign matter from escaping from the filter 108 due to the discharge pressure of the pump 106 immediately after the start of the circulation of the treatment liquid.

또한, 실시형태에 따른 액처리 장치에 있어서, 제어부(18)는, 순환 라인(104)에서의 처리액의 순환을 시작할 때에, 배압 밸브(114)가 미리 정해진 밸브 개방도 V1로 일정해지도록 배압 밸브(114)를 제어한다. 이에 따라, 펌프(106)로부터 토출되는 처리액이 최대 토출 압력보다 작은 제1 압력 P1로 토출되고 있는 경우에도, 순환 라인(104) 내에서의 처리액의 유량을 충분히 확보할 수 있다. In the liquid processing apparatus according to the embodiment, when starting the circulation of the process liquid in the circulation line 104, the control unit 18 controls the back pressure valve 114 so that the back pressure valve 114 becomes constant at the predetermined valve opening V1. Thereby controlling the valve 114. Accordingly, even when the process liquid discharged from the pump 106 is discharged at the first pressure P1 smaller than the maximum discharge pressure, the flow rate of the process liquid in the circulation line 104 can be sufficiently secured.

또한, 실시형태에 따른 액처리 장치에 있어서, 제어부(18)는, 순환 라인(104)에서의 처리액의 순환을 시작할 때에, 배압 밸브(114)가 완전 개방으로 일정해지도록 배압 밸브(114)를 제어한다. 이에 따라, 펌프(106)에 에어가 혼입되었다 하더라도 펌프(106) 내에 에어가 머무르는 것을 방지할 수 있어, 펌프(106)에 에어가 혼입되는 것에 의한 문제를 방지할 수 있다. In the liquid processing apparatus according to the embodiment, the control unit 18 controls the back pressure valve 114 so that the back pressure valve 114 is kept at a full opening state when the circulation of the process liquid in the circulation line 104 is started. . Accordingly, even if air is mixed into the pump 106, it is possible to prevent the air from staying in the pump 106, and it is possible to prevent problems caused by the air being mixed into the pump 106. [

또한, 실시형태에 따른 액처리 장치에 있어서, 제어부(18)는, 펌프(106)의 토출 압력이 제1 압력 P1로부터 제2 압력 P2로 증가하기 전에, 밸브 개방도가 미리 정해진 밸브 개방도 V1로부터 서서히 작아지도록 배압 밸브(114)를 제어한다. 이에 따라, 승압 처리의 직후에 있어서, 필터(108)의 상류측과 하류측 사이에 가해지는 차압이 지나치게 증가하는 것을 억제할 수 있다. In the liquid processing apparatus according to the embodiment, before the discharge pressure of the pump 106 increases from the first pressure P1 to the second pressure P2, the control unit 18 sets the valve opening degree to a predetermined valve opening degree V1 And controls the back pressure valve 114 so that it gradually becomes smaller. Accordingly, it is possible to suppress an excessive increase in pressure difference between the upstream side and the downstream side of the filter 108 immediately after the pressure increase processing.

또한, 실시형태에 따른 액처리 장치는, 순환 라인(104)에서의 필터(108)와 배압 밸브(114) 사이에 마련되고, 기판(웨이퍼(W))을 처리하는 처리부(처리 유닛(16))에 처리액을 공급하는 분기 라인(112)이 접속되는 접속부(110)를 더 구비한다. 이에 따라, 처리 유체 공급원(70)으로부터 처리 유닛(16)으로의 처리액의 공급을 원활하게 행할 수 있다. The liquid processing apparatus according to the embodiment further includes a processing unit (processing unit 16) provided between the filter 108 and the back pressure valve 114 in the circulation line 104 for processing the substrate (wafer W) And a branching line 112 for supplying the treatment liquid to the branching line 112. [ Thus, the treatment liquid can be supplied from the treatment fluid supply source 70 to the treatment unit 16 smoothly.

또한, 실시형태에 따른 액처리 방법은, 순환 시작 공정(단계 S112)과, 승압 공정(단계 S114)을 포함한다. 순환 시작 공정(단계 S112)은, 탱크(102)로부터 보내는 처리액을 탱크(102)로 복귀시키는 순환 라인(104)에 있어서, 처리액의 순환을 시작할 때에, 순환 라인(104)에서의 처리액의 순환류를 형성하는 펌프(106)의 토출 압력을 미리 정해진 제1 압력 P1로 시동한다. 승압 공정(단계 S114)은, 미리 정해진 시간이 경과한 후에 펌프(106)의 토출 압력을 제1 압력 P1보다 큰 제2 압력 P2로 증가시킨다. 이에 따라, 처리액의 순환을 시작한 직후에, 펌프(106)의 토출 압력에 기인하여 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것을 억제할 수 있다. 펌프(106)의 토출 압력을 제1 압력 P1까지 시동할 때에, 또는 제1 압력 P1로부터 제2 압력 P2로 증가시킬 때에, 서서히 증가시켜도 좋다. 이에 따라, 펌프(106)의 토출 압력에 기인하여 이물질이 필터(108)를 빠져 나가는 것을 더욱 억제할 수 있다. The liquid processing method according to the embodiment includes a circulation start step (step S112) and a pressure increasing step (step S114). The circulation starting process (step S112) is a process of circulating the process liquid in the circulation line 104 at the start of the circulation of the process liquid in the circulation line 104 that returns the process liquid sent from the tank 102 to the tank 102 The discharge pressure of the pump 106, which forms the circulating flow of the refrigerant, is started at the predetermined first pressure P1. The boosting process (step S114) increases the discharge pressure of the pump 106 to a second pressure P2, which is larger than the first pressure P1, after a predetermined time has elapsed. Accordingly, it is possible to prevent foreign matter from escaping from the filter 108 due to the discharge pressure of the pump 106 immediately after the start of the circulation of the treatment liquid. The discharge pressure of the pump 106 may be gradually increased when it is started up to the first pressure P1 or when it is increased from the first pressure P1 to the second pressure P2. Accordingly, it is possible to further suppress the foreign matter from escaping from the filter 108 due to the discharge pressure of the pump 106.

또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러가지 변경이 가능하다. Other effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments described and shown above. Accordingly, various changes may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

W : 웨이퍼 1 : 기판 처리 시스템
16 : 처리 유닛 18 : 제어부
70 : 처리 유체 공급원 102 : 탱크
104 : 순환 라인 106 : 펌프
108 : 필터 110 : 접속부
114 : 배압 밸브W: Wafer 1: substrate processing system
16: processing unit 18:
70: treatment fluid supply source 102: tank
104: circulation line 106: pump
108: filter 110: connection
114: Backpressure valve

Claims (6)

처리액을 저류하는 탱크와,
상기 탱크로부터 보내는 처리액을 상기 탱크로 복귀시키는 순환 라인과,
상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환류를 형성하는 펌프와,
상기 순환 라인에서의 상기 펌프의 하류측에 마련되는 필터와,
상기 순환 라인에서의 상기 필터의 하류측에 마련되는 배압 밸브와,
상기 펌프 및 상기 배압 밸브를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환을 시작할 때에, 상기 펌프의 토출 압력이 미리 정해진 제1 압력으로 시동하고, 미리 정해진 시간이 경과한 후에 상기 펌프의 토출 압력이 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력으로 증가하도록 상기 펌프의 토출 압력을 제어하는 액처리 장치. A tank for storing the treatment liquid,
A circulation line for returning the treatment liquid sent from the tank to the tank,
A pump for forming a circulating flow of the treatment liquid in the circulation line,
A filter provided on the downstream side of the pump in the circulation line,
A back pressure valve provided on the downstream side of the filter in the circulation line,
A controller for controlling the pump and the back pressure valve
And,
Wherein,
Wherein a discharge pressure of the pump is started at a predetermined first pressure when a circulation of the treatment liquid in the circulation line is started, and after a predetermined time has elapsed, And controls the discharge pressure of the pump to increase with pressure. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환을 시작할 때에, 상기 배압 밸브가 미리 정해진 밸브 개방도로 일정해지도록 상기 배압 밸브를 제어하는 것인 액처리 장치. The apparatus of claim 1,
And controls the back pressure valve so that the back pressure valve becomes constant at a predetermined valve opening when the circulation of the processing solution in the circulation line starts. 제2항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환을 시작할 때에, 상기 배압 밸브가 완전 개방으로 일정해지도록 상기 배압 밸브를 제어하는 것인 액처리 장치. 3. The apparatus of claim 2,
And controls the back-pressure valve so that the back-pressure valve becomes constant when the circulation of the process liquid in the circulation line starts. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 펌프의 토출 압력이 제1 압력으로부터 제2 압력으로 증가하기 전에, 상기 밸브 개방도가 미리 정해진 밸브 개방도로부터 서서히 작아지도록 상기 배압 밸브를 제어하는 것인 액처리 장치. 4. The apparatus according to claim 2 or 3,
And controls the back pressure valve so that the valve opening degree gradually decreases from a predetermined valve opening degree before the discharge pressure of the pump increases from the first pressure to the second pressure. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 순환 라인에서의 상기 필터와 상기 배압 밸브 사이에 마련되고, 기판을 처리하는 처리부에 상기 처리액을 공급하는 분기 라인이 접속되는 접속부를 더 구비하는 액처리 장치. The apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a connection portion provided between the filter in the circulation line and the back pressure valve and to which a branch line for supplying the processing solution to the processing portion for processing the substrate is connected And the liquid processing apparatus. 탱크로부터 보내는 처리액을 상기 탱크로 복귀시키는 순환 라인에 있어서, 상기 처리액의 순환을 시작할 때에, 상기 순환 라인에서의 상기 처리액의 순환류를 형성하는 펌프의 토출 압력을 미리 정해진 제1 압력으로 시동하는 순환 시작 공정과,
미리 정해진 시간이 경과한 후에 상기 펌프의 토출 압력을 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력으로 증가시키는 승압 공정
을 포함하는 액처리 방법. A circulation line for returning the process liquid sent from the tank to the tank, wherein, when the circulation of the process liquid starts, the discharge pressure of the pump forming the circulating flow of the process liquid in the circulation line is started to a predetermined first pressure A circulation start step,
A boosting step of increasing the discharge pressure of the pump to a second pressure greater than the first pressure after a predetermined time has elapsed
&Lt; / RTI &gt;
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