KR20190021813A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing method comprises: a step of selectively etching a silicon nitride film for polysilicon, while oxidizing the silicon nitride film; a step of supplying water vapor into a chamber where the substrate is provided to form a water vapor layer around the substrate; and an etching step of selectively etching a denatured film formed by the oxidation process, by supplying process gas containing fluorine into the chamber after the step of forming the water vapor layer.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

전자 제품은 그 부피가 점점 작아지면서도 고용량의 데이터 처리를 요하고 있다. 이에 따라, 이러한 전자 제품에 사용되는 반도체 메모리 장치의 집적도를 향상시킬 필요가 있다. 반도체 메모리 장치의 집적도를 향상시키기 위해, 반도체 메모리의 패턴의 선폭이 점차 좁아지고 있다.Electronic products require a large amount of data processing while getting smaller in volume. Accordingly, it is necessary to improve the degree of integration of semiconductor memory devices used in such electronic products. In order to improve the degree of integration of the semiconductor memory device, the line width of the pattern of the semiconductor memory is gradually narrowed.

반도체 메모리 소자의 제조 과정에서, 웨이퍼에는 패턴 형성을 위해 서로 상이한 물성의 층들이 형성된다. 패턴의 선폭이 좁아 짐에 따라, 높은 선택비를 가지면서 상이한 물성의 층들 가운데 일부를 식각 시킬 필요성이 증가하고 있다.In the process of manufacturing a semiconductor memory device, layers of different physical properties are formed on the wafer for pattern formation. As the line width of the pattern narrows, there is an increasing need to etch some of the layers having different physical properties while having a high selectivity.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 선택적 식각을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently performing selective etching.

본 발명의 일 측면에 따르면, 폴리실리콘에 대한 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하되, 실리콘 질화막을 산화처리 하는 단계와; 기판이 제공된 챔버 내부로 수증기를 공급하여 기판의 주위에 수증기 층을 형성하는 단계와; 상기 수증기 층 형성 단계 이후에 상기 챔버 내부로 불소를 포함하는 공정 가스를 공급하여 상기 산화처리에 의해 형성된 변성막을 선택적으로 식각하는 식각 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: selectively etching a silicon nitride film for polysilicon, Supplying water vapor into the chamber provided with the substrate to form a water vapor layer around the substrate; And an etching step of selectively etching the denatured film formed by the oxidation process by supplying a process gas containing fluorine into the chamber after the step of forming the water vapor layer.

또한, 상기 식각 단계에서 상기 공정 가스가 공급될 때, 상기 수증기의 공급이 이루어 질 수 있다.Further, when the process gas is supplied in the etching step, the supply of the steam may be performed.

또한, 상기 수증기 층 형성단계에서 상기 수증기는 캐리어 가스와 혼합된 상태로 공급될 수 있다.Further, in the step of forming the water vapor layer, the water vapor may be supplied while being mixed with the carrier gas.

또한, 상기 수증기 층이 형성되는 단계에서 상기 기판은 설정 온도로 가열될 수 있다.Further, in the step of forming the water vapor layer, the substrate may be heated to a set temperature.

또한, 상기 식각 단계 이 후, 상기 기판을 설정 온도로 가열하는 열처리 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include a heat treatment step of heating the substrate to a set temperature after the etching step.

또한, 상기 열처리는 상기 기판을 지지하는 서셉터를 가열하여 이루어 질 수 있다.Further, the heat treatment may be performed by heating the susceptor supporting the substrate.

또한, 상기 열처리는 샤워 헤드에 위치된 히터에 의해 이루어 질 수 있다.Further, the heat treatment may be performed by a heater positioned in the showerhead.

또한, 상기 변성막을 식각하는 단계는 상기 기판이 0°~50°범위의 온도인 상태이고, 1Torr 내지 30Torr의 압력에서 이루어 질 수 있다.In addition, the step of etching the modified film may be performed at a temperature in the range of 0 ° to 50 ° and at a pressure of 1 Torr to 30 Torr.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 처리하는 방법에 있어서, 폴리 실리콘에 대해 식각 대상막을 선택적으로 식각하되, 기판이 제공된 챔버 내부로 수증기를 분사하여 기판의 주위에 수증기 층을 형성하는 단계와; 상기 챔버 내부로 불소를 포함하는 공정 가스를 공급하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함하되, 상기 식각 단계에서, 상기 식각 대상막이 실리콘 질화막이면 제1 공정 압력에서 수행되고, 상기 식각 대상막이 실리콘 질화막을 산화 처리 하여 형성된 변성막이면 상기 제1 공정 압력보다 높은 제2 공정 압력에서 수행되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising: selectively etching a film to be etched with respect to polysilicon, wherein water vapor is injected into a chamber provided with a substrate to form a water vapor layer around the substrate; And etching the etching target film by supplying a process gas containing fluorine into the chamber, wherein if the etching target film is a silicon nitride film, the etching target film is performed at a first process pressure, and the etching target film is a silicon nitride film Is carried out at a second process pressure higher than the first process pressure, the substrate processing method can be provided.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 서셉터; 상기 챔버의 내부로 수증기를 공급하는 수분 공급관; 및 상기 챔버의 내부로, 실리콘 질화막을 산화시켜 변성막을 형성되게 하는 산화 가스와, 폴리 실리콘에 대해 상기 변성막이 선택적으로 식각 되게 하는 공정 가스를 상기 수증기에 의해 수증기 층이 형성된 상태 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, A susceptor positioned inside the chamber and supporting the substrate; A water supply pipe for supplying water vapor into the chamber; And a process gas supply step of supplying an oxidizing gas for oxidizing the silicon nitride film to form a denatured film into the chamber and a process gas for selectively etching the denatured film against the polysilicon, A substrate processing apparatus including the substrate processing apparatus can be provided.

또한, 상기 공정 가스가 공급될 때 상기 수증기가 함께 공급되도록 상기 수분 공급관 및 상기 공정 가스 공급부를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a controller for controlling the moisture supply pipe and the process gas supply unit so that the water vapor is supplied together when the process gas is supplied.

또한, 상기 수분 공급관은 상기 수증기를 캐리어 가스와 혼합된 상태로 공급할 수 있다.Further, the water supply pipe may supply the water vapor in a mixed state with the carrier gas.

또한, 상기 서셉터는 상기 수증기 층이 형성될 때, 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 포함할 수 있다.In addition, the susceptor may include a heating member for heating the substrate when the water vapor layer is formed.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 선택적 식각을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently performing selective etching can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 모듈에 제공될 수 있는 식각 모듈을 나타내는 도면이다.
도 3은 식각 대상막으로 기판의 질화막이 처리되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 기판의 주위에 수증기 층이 형성된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 질화막 처리 시 챔버의 내부 압력 변화를 나타내는 도면이다.
도 6은 식각 대상막으로 기판의 산화막이 처리되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 산화막 처리 시 챔버의 내부 압력 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 다른 실시 예에 따라 기판의 질화막이 처리되는 과정을 나타내는 흐름도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a view of an etch module that may be provided in the process module of Figure 1;
3 is a view showing a state in which a nitride film of a substrate is treated with a film to be etched.
4 is a view showing a state in which a water vapor layer is formed around a substrate.
5 is a diagram showing changes in the internal pressure of the chamber during the nitride film processing.
6 is a view showing a state in which an oxide film of a substrate is treated with a film to be etched.
7 is a diagram showing changes in the internal pressure of the chamber during oxide film processing.
8 is a flowchart showing a process of processing a nitride film of a substrate according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 공정 처리부(30)를 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)가 배열된 방향을 제 1 방향(11)이라하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(11)에 수직인 방향을 제 2 방향(12)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a process processing section 30. The facility front end module 20 and the process processing section 30 are arranged in one direction. A direction in which the facility front end module 20 and the processing unit 30 are arranged is referred to as a first direction 11 and a direction perpendicular to the first direction 11 as viewed from the top is referred to as a second direction 12 ).

설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송프레임(21)은 로드 포트(10)와 공정 처리실(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 공정 처리부(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 공정 처리실(30)간에 기판(W)을 이송한다.The apparatus front end module 20 has a load port 10 and a transfer frame 21. [ The load port 10 is disposed in front of the facility front end module 20 in a first direction 11. The load port (10) has a plurality of support portions (6). Each support 6 is arranged in a row in a second direction 12 and is provided with a carrier 4 (e.g., a cassette, a cassette, etc.) in which a substrate W to be supplied to the process and a substrate W, FOUP, etc.) are located. In the carrier 4, a substrate W to be supplied to the process and a substrate W to which the process is completed are accommodated. The transfer frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing chamber 30. The transfer frame 21 includes a first transfer robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing unit 30. [ The first transfer robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing chamber 30. [

공정 처리실(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 공정 모듈(60)를 포함한다.The process chamber 30 includes a load lock chamber 40, a transfer chamber 50, and a process module 60.

로드락 챔버(40)는 이송프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 공정 모듈(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21. [ In one example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the equipment front end module 20. The load lock chamber 40 is a space that waits before the substrate W to be supplied to the process is transferred to the process module 60 or before the processed substrate W is transferred to the equipment front end module 20 .

트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 가질 수 있다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 공정 모듈(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 공정 모듈(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 공정 모듈(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송 로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 공정 모듈(60)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 공정 모듈(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 공정 모듈(60)간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 공정 모듈(60)들이 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40. The transfer chamber 50 has a polygonal body when viewed from the top. In one example, the transfer chamber 50 may have a pentagonal body when viewed from the top. On the outside of the body, a load lock chamber 40 and a plurality of process modules 60 are arranged along the circumference of the body. Each side wall of the body is provided with a passage (not shown) through which the substrate W enters and exits, and the passage connects the transfer chamber 50 to the load lock chamber 40 or the process module 60. Each passage is provided with a door (not shown) for opening and closing the passage to seal the inside thereof. The transfer chamber 50 is provided with a load lock chamber 40 and a second transfer robot 53 for transferring the substrate W between the process modules 60. The second transfer robot 53 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process module 60 or transfers the processed substrate W to the load lock chamber 40 do. The substrate W may be transferred between the process modules 60 to sequentially provide the substrates W to the plurality of process modules 60. [ 1, when the transfer chamber 50 has a pentagonal body, a load lock chamber 40 is disposed on the side wall adjacent to the facility front end module 20, respectively, and processing modules 60 are disposed on the remaining side walls do. The transfer chamber 50 may be provided in various forms depending on the shape, as well as the required process module.

공정 모듈(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 공정 모듈(60)는 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 공정 모듈(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정처리가 진행된다. 공정 모듈(60)는 제 2 이송 로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정처리를 하고, 공정처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송 로봇(53)으로 제공한다. 각각의 공정 모듈(60)에서 진행되는 공정처리는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 공정 모듈(60)이 수행하는 공정은 기판(W)을 이용해 반도체 소자 또는 디스플레이 패널을 생산하는 과정 가운데 일 공정일 수 있다. 공정 모듈(60)가운데 하나 이상은 기판(W)을 식각 처리 하는 모듈(도 2의 200a)을 포함한다. 제어기(미도시)는 기판 처리 장치의 구성 요소를 제어할 수 있다.The process module 60 is disposed along the periphery of the transfer chamber 50. A plurality of process modules 60 may be provided. In each process module 60, the processing of the substrate W is proceeded. The process module 60 transfers the substrate W from the second transfer robot 53 to process the substrate W and provides the processed substrate W to the second transfer robot 53. The process processes in each process module 60 may be the same or different from each other. The process performed by the process module 60 may be a process of producing a semiconductor device or a display panel using the substrate W. [ At least one of the process modules 60 includes a module (200a of FIG. 2) for etching the substrate W. A controller (not shown) may control components of the substrate processing apparatus.

도 2는 도 1의 공정 모듈에 제공될 수 있는 식각 모듈을 나타내는 도면이다.Figure 2 is a view of an etch module that may be provided in the process module of Figure 1;

도 2를 참조하면, 식각 모듈(200a)은 챔버(2100), 서셉터(2200), 샤워 헤드(2300) 및 플라스마 여기부(2400)를 포함한다. 식각 모듈(200a)의 구성은 제어기에 이해 제어될 수 있다.Referring to FIG. 2, the etching module 200a includes a chamber 2100, a susceptor 2200, a showerhead 2300, and a plasma excitation portion 2400. The configuration of the etching module 200a can be controlled and controlled by the controller.

챔버(2100)는 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(2100)는 바디(2110)와 밀폐 커버(2120)를 가진다. 바디(2110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(2110)의 측벽에는 기판이 출입하는 개구(미도시)가 형성되며, 개구는 슬릿 도어(slit door)(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 개폐 부재는 챔버(2100) 내에서 기판(W) 처리가 수행되는 동안 개구를 폐쇄하고, 기판(W)이 챔버(2100) 내부로 반입될 때와 챔버(2100) 외부로 반출될 때 개구를 개방한다.The chamber 2100 provides a space in which process processing is performed. The chamber 2100 has a body 2110 and a sealing cover 2120. The upper surface of the body 2110 is opened and a space is formed therein. An opening (not shown) through which the substrate enters and exits is formed in a side wall of the body 2110, and the opening can be opened and closed by an opening and closing member such as a slit door (not shown). The opening and closing member closes the opening during the processing of the substrate W in the chamber 2100 and opens the opening when the substrate W is carried into the chamber 2100 and out of the chamber 2100 do.

바디(2110)의 일측에는 배기홀(2111)이 형성된다. 일 예로, 배기홀(2111)은 바디(2110)의 하부벽 또는 측벽에 형성될 수 있다.An exhaust hole 2111 is formed at one side of the body 2110. For example, the exhaust hole 2111 may be formed in the lower wall or the side wall of the body 2110.

배기홀(2111)은 배기 라인(2112)과 연결된다. 배기 라인(2112)을 통해 챔버(2100)의 내부 압력이 조절되고, 공정에서 발생된 반응 부산물이 챔버(2100) 외부로 배출된다.The exhaust hole 2111 is connected to the exhaust line 2112. The internal pressure of the chamber 2100 is controlled through the exhaust line 2112, and the reaction by-products generated in the process are discharged to the outside of the chamber 2100.

밀폐 커버(2120)는 바디(2110)의 상부벽과 결합하며, 바디(2110)의 개방된 상면을 덮어 바디(2110) 내부를 밀폐시킨다. 밀폐 커버(2120)의 상단은 플라스마 여기부(2400)와 연결된다. 밀폐 커버(2120)에는 확산공간(2121)이 형성된다. 확산공간(2121)은 샤워 헤드(2300)에 가까워질수록 너비가 점차 넓어진다. 예를 들어, 확산공간(2121)은 역 깔때기 형상을 가질 수 있다.The sealing cover 2120 engages with the upper wall of the body 2110 and covers the open upper surface of the body 2110 to seal the inside of the body 2110. The upper end of the sealing cover 2120 is connected to the plasma excitation portion 2400. A diffusion space 2121 is formed in the sealing cover 2120. The diffusion space 2121 gradually gets wider as it gets closer to the shower head 2300. For example, the diffusion space 2121 may have an inverted funnel shape.

서셉터(2200)는 챔버(2100) 내부에 위치된다. 서셉터(2200)의 상면에는 기판이 놓여진다. 서셉터(2200)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 서셉터(2200)를 냉각한다. 서셉터(2200)에는 플라즈마에 의한 기판(W) 처리 정도를 조절하기 위해 바이어스 전원(2210)으로부터 전력이 인가될 수 있다. 바이어스 전원(2210)이 인가하는 전력은 라디오 주파수(radio frequency, RF) 전원일 수 있다. 서셉터(2200)는 바이어스 전원(2210)이 공급하는 전력에 의해 쉬즈를 형성하고, 그 영역에서 고밀도의 플라즈마를 형성하여 공정 능력을 향상시킬 수 있다.The susceptor 2200 is located inside the chamber 2100. The substrate is placed on the upper surface of the susceptor 2200. A cooling passage (not shown) through which the cooling fluid circulates may be formed inside the susceptor 2200. The cooling fluid circulates along the cooling flow path and cools the susceptor 2200. Power may be applied to the susceptor 2200 from the bias power supply 2210 to control the degree of processing of the substrate W by the plasma. The power applied by the bias power supply 2210 may be a radio frequency (RF) power source. The susceptor 2200 forms sheath by the electric power supplied by the bias power source 2210, and high-density plasma is formed in the region to improve the process capability.

서셉터(2200)의 내부에는 가열 부재(2220)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열 부재(222)는 열선으로 제공되거나, 가열된 유체가 유동하는 배관으로 형성될 수 있다. 가열 부재(222)는 기판(W)을 기 설정된 온도 또는 기 설정도니 온도 범위로 가열한다.A heating member 2220 may be provided inside the susceptor 2200. According to one example, the heating member 222 may be provided with a hot wire or may be formed with a pipe through which the heated fluid flows. The heating member 222 heats the substrate W to a predetermined temperature or a predetermined set temperature range.

서셉터(2200)의 내부에는 냉각 부재(2230)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각 부재(2230)는 냉매가 유동하는 배관일 수 있다.A cooling member 2230 may be provided inside the susceptor 2200. According to one example, the cooling member 2230 may be a pipe through which refrigerant flows.

샤워 헤드(2300)는 바디(2110)의 상부벽에 결합된다. 샤워 헤드(2300)는 플레이트 형상으로, 서셉터(2200)의 상면과 나란하게 배치될 수 있다. 샤워 헤드(2300)는 표면이 산화 처리된 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(2300)에는 분배홀(2310)들이 형성된다. 분배홀(2310)들은 균일한 라디칼 공급을 위해 동심의 원주상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 확산공간(2121)에서 확산된 플라스마는 분배홀(2310)들에 유입된다. 이때 전자 또는 이온 등과 같은 하전 입자는 샤워 헤드(2300)에 갇히고, 산소 라디칼 등과 같이 전하를 띄지 않는 중성 입자들은 분배홀(2310)들을 통과하여 기판(W)으로 공급된다. 또한, 샤워 헤드는 접지되어 전자 또는 이온이 이동되는 통로를 형성할 수 있다. 또한, 샤워 헤드(2300)에는 가열을 위한 히터(미도시)가 위치될 수 있다.The shower head 2300 is coupled to the upper wall of the body 2110. The showerhead 2300 may be arranged in a plate shape and parallel to the upper surface of the susceptor 2200. The shower head 2300 may be provided with an aluminum material whose surface is oxidized. Discharge holes 2310 are formed in the shower head 2300. The distribution holes 2310 may be formed at regular intervals on the circumference of the concentric circle for uniform radical supply. The plasma diffused in the diffusion space 2121 flows into the distribution holes 2310. At this time, charged particles such as electrons or ions are confined in the showerhead 2300, and neutral particles, such as oxygen radicals, which are not charged, are supplied to the substrate W through the distribution holes 2310. Further, the showerhead may be grounded to form a passage through which electrons or ions move. Further, a heater (not shown) for heating may be placed in the shower head 2300. [

플라스마 여기부(2400)는 플라스마를 생성하여, 챔버(2100)로 공급한다. 플라스마 여기부(2400)는 챔버(2100)의 상부에 제공될 수 있다. 플라스마 여기부(2400)는 발진기(2410), 도파관(2420), 유전체 관(2430) 및 공정 가스 공급부(2440)를 포함한다.The plasma excitation portion 2400 generates a plasma and supplies it to the chamber 2100. [ The plasma excitation part 2400 may be provided on the upper part of the chamber 2100. The plasma excitation section 2400 includes an oscillator 2410, a waveguide 2420, a dielectric tube 2430, and a process gas supply section 2440.

발진기(2410)는 전자기파를 발생시킨다. 도파관(2420)은 발진기(2410)와 유전체 관(2430)을 연결하며, 발진기(2410)에서 발생된 전자기파가 유전체 관(2430) 내부로 전달되는 통로를 제공한다. 공정 가스 공급부(2440)는 챔버(2100)의 상부로 공정 가스, 산화 가스를 공급한다. 유전체 관(2430) 내부로 공급된 공정 가스는 전자기파에 의해 플라스마 상태로 여기 된다. 플라스마는 유전체 관(2430)을 거쳐 확산공간(2121)으로 유입된다.The oscillator 2410 generates an electromagnetic wave. The waveguide 2420 connects the oscillator 2410 and the dielectric tube 2430 and provides a path through which electromagnetic waves generated from the oscillator 2410 are transmitted into the dielectric tube 2430. The process gas supply unit 2440 supplies a process gas and an oxidizing gas to the upper portion of the chamber 2100. The process gas supplied into the dielectric tube 2430 is excited into a plasma state by electromagnetic waves. The plasma is introduced into the diffusion space 2121 through the dielectric tube 2430.

상술한 플라즈마 여기부(2400)는 전자기파를 이용하는 경우를 예로 들었으나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 여기부(2400)는 유도결합 플라즈마 여기부, 용량 결합 플라즈마 여기부 등으로 제공될 수 도 있다.The plasma excitation section 2400 may be provided by an inductively coupled plasma excitation section, a capacitively coupled plasma excitation section, or the like, although the plasma excitation section 2400 described above uses an electromagnetic wave as an example.

챔버(2100)의 일측에는 수분 공급관(2130)이 연결된다. 일 예로, 수분 공급관(2130)은 샤워 헤드(2300)의 위쪽에서 밀폐 커버(2120)에 연결되는 형태로 제공될 수 있다. 따라서, 수분 공급관(2130)을 통해 공급된 수분을 샤웨 헤드(2300)를 거쳐 기판으로 균일하게 공급될 수 있다. 또 다른 예로, 수분 공급관(2130)은 샤웨 헤드(2300)의 아래쪽에 위치되도록 바디의 측벽에 연결될 수 도 있다. 수분 공급관(2130)은 챔버(2100)의 내측 공간으로 수분을 공급한다. 수분 공급관(2130)은 수분을 설정 온도로 가열되어 기화된 증기 형태로 공급할 수 있다. 또한, 수분 공급관(2130)은 수분의 공급 효율 또는 공급 상태의 조절을 용이하게 하기 위해, 수분을 캐리어 가스와 혼합한 상태로 공급할 수 있다. 캐리어 가스는 질소, 헬륨 등과 같은 불활성 가스일 수 있다.A water supply pipe 2130 is connected to one side of the chamber 2100. In one example, the water supply pipe 2130 may be provided in the form of being connected to the sealing cover 2120 from above the shower head 2300. Therefore, the moisture supplied through the water supply pipe 2130 can be uniformly supplied to the substrate via the shear head 2300. As another example, the water supply pipe 2130 may be connected to the side wall of the body so as to be positioned under the shoe head 2300. The water supply pipe 2130 supplies moisture to the inner space of the chamber 2100. The water supply pipe 2130 can supply moisture in the form of vaporized vapor heated to a predetermined temperature. In addition, the water supply pipe 2130 can supply water mixed with the carrier gas in order to facilitate adjustment of the water supply efficiency or the supply state. The carrier gas may be an inert gas such as nitrogen, helium, or the like.

도 3은 식각 대상막으로 기판의 질화막이 처리되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 4는 기판의 주위에 수증기 층이 형성된 상태를 나타내는 도면이고, 도 5는 질화막 처리 시 챔버의 내부 압력 변화를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing a state in which a nitride film of a substrate is treated with a film to be etched, FIG. 4 is a view showing a state where a vapor layer is formed around the substrate, and FIG. to be.

공정 처리를 위해 기판이 챔버(2100)로 반입되어, 서셉터(2200)에 위치되면, 챔버(2100)의 내부공간으로 수증기가 공급된다. When the substrate is brought into the chamber 2100 and placed in the susceptor 2200 for processing, steam is supplied to the inner space of the chamber 2100.

기판(W)에는 폴리실리콘 층(3100)과 식각 대상막(3120)이 형성된 상태로 제공된다. 일 예로, 기판(W)은 폴리실리콘 층(3100)의 상부에 식각 대상막(3120)인 질화막 층(3120)이 패턴을 가지고 형성되어 있을 수 있다. 따라서, 질화막 층(3120)의 상면은 외부로 노출된다. 그리고 폴리실리콘 층(3100)의 일부는 질화막 층(3120)의 패턴을 통해 외부로 노출된다.The substrate W is provided with a polysilicon layer 3100 and an etching target film 3120 formed thereon. For example, the substrate W may be formed with a nitride film layer 3120, which is a film to be etched 3120, on the top of the polysilicon layer 3100. Therefore, the upper surface of the nitride film layer 3120 is exposed to the outside. And a part of the polysilicon layer 3100 is exposed to the outside through the pattern of the nitride film layer 3120. [

내부 공간으로 공급된 수증기는 기판의 외면에 맺혀 물 방울을 형성하지 않은 상태 수증기 층을 형성하여, 기판이 습식 처리 방식으로 처리되는 상태와 유사한 환경에 놓이도록 한다. 구체적으로, 수증기가 공급될 때, 챔버(2100)의 내부 공간은 대기압 보다 낮은 예비 압력(F1)으로 조절된 상태일 수 있다. The water vapor supplied to the inner space is formed on the outer surface of the substrate to form a water vapor layer without forming a water droplet so that the substrate is placed in an environment similar to that in which the substrate is treated by the wet processing method. Specifically, when water vapor is supplied, the inner space of the chamber 2100 may be in a state of being adjusted to a preliminary pressure F1 lower than the atmospheric pressure.

예비 압력(F1)은 진공에 근접하거나, 수 내지 수십 Torr 인 상태일 수 있다. 또한, 수증기가 공급될 때, 기판은 가열 부재(2220), 냉각 부재(2230), 또는 가열 부재(2220)와 냉각 부재(2230)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태일 수 있다. 이와 같이 챔버(2100)의 내부 공간, 또는 챔버(2100)의 내부 공간과 챔버(2100)의 온도가 조절된 상태로 수증기가 공급되면, 수증기는 기판에 물방울 형태로 맺히지 않고, 기판 주위에 수증기 층을 수 있다. The preliminary pressure F1 may be in the state of being close to vacuum or several to several tens of Torr. Further, when water vapor is supplied, the substrate may be conditioned by the heating member 2220, the cooling member 2230, or the heating member 2220 and the cooling member 2230 to a set temperature or a set temperature range . When water vapor is supplied to the inner space of the chamber 2100 or the inner space of the chamber 2100 and the temperature of the chamber 2100 in such a manner that the water vapor is not formed on the substrate in the form of water droplets, Lt; / RTI >

수증기의 공급이 개시되고 설정 시간이 경과되면, 챔버(2100)의 내부 공간으로 공정 가스가 공급되어, 실리콘 질화막을 식각하는 공정이 수행된다. 공정 가스 공급부(2440)가 공정 가스를 공급하면, 공정 가스는 주로 실리콘 질화막층과 반응하여, 실리콘 질화막층을 선택적으로 식각한다. 기판의 주위에 위치된 수증기는 기판 주위를 습식 식각 공정과 유사한 환경으로 한다. 구체적으로 수증기는 공정 가스와 반응하여, 실리콘 질화막층과 반응하는 작용기를 효과적으로 형성되게 할 수 있다. 또한, 수증기는 실리콘 질화막층과 공정 가스가 반응하는 것을 보조할 수 있다.When the supply of steam is started and the set time has elapsed, a process gas is supplied to the inner space of the chamber 2100, and a process of etching the silicon nitride film is performed. When the process gas supply unit 2440 supplies the process gas, the process gas mainly reacts with the silicon nitride film layer to selectively etch the silicon nitride film layer. The water vapor located around the substrate makes the environment around the substrate similar to the wet etching process. Specifically, the water vapor reacts with the process gas to effectively form a functional group that reacts with the silicon nitride film layer. In addition, the water vapor can assist in reacting the silicon nitride film layer with the process gas.

공정 가스는 불소 원자를 포함하는 화합물로 제공된다. 예를 들어, 공정 가스는 삼불화 질소, 사불화탄소, 2플루오르화 메테인(difluoro methane) 또는 3플루오르화 메테인(trifluoro methane) 등으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 가스는 삼불화 질소, 사불화탄소, 2플루오르화 메테인(difluoro methane) 및 3플루오르화 메테인(trifluoro methane) 가운데 2개 이상의 혼합 가스로 제공될 수 도 있다. 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기된 상태로 공급되어, 기판과의 반응성이 증가될 수 있다. 공정 가스는 플라즈마로 여기되는 과정에서 불소 라디칼을 제공한다.The process gas is provided as a compound containing a fluorine atom. For example, the process gas may be provided by nitrogen trifluoride, carbon tetrafluoride, difluoro methane, trifluoromethane, or the like. In addition, the process gas may be provided as two or more gaseous gases among nitrogen trifluoride, carbon tetrafluoride, difluoro methane and trifluoromethane. The process gas is supplied in a state of being excited to the plasma state, so that the reactivity with the substrate can be increased. The process gas provides a fluorine radical in the process of being excited by the plasma.

공정 가스가 공급되어 식각 공정이 수행될 때, 챔버(2100)의 내부는 제1 공정 압력(F2)으로 설정될 수 있다. 공정 가스가 공급될 때 기판의 온도는 0°~50°범위로 조절되고, 제1공정 압력(F2)은 0.1Torr 내지 3Torr 범위로 조절된다. 제1공정 압력(F2)은 예비 압력(F1)과 설정 관계를 갖도록 설정될 수 있다. 제1공정 압력(F2)은 예비 압력(F1)보다 설정 압력만큼 크게 형성될 수 있다. 또한, 제1공정 압력(F2)은 예비 압력(F1)보다 설정 압력만큼 작게 설정되거나, 예비 압력(F1)과 동일할 수 있다. 공정 가스는 챔버(2100)의 내부가 예비 압력(F1)에서 제1 공정 압력(F2)으로 조절된 직 후 공급이 개시되거나, 챔버(2100)의 내부가 제1 공정 압력(F2)으로 조절되고 설정 시간이 경과된 후 개시될 수 있다. 공정 가스가 공급될 때, 수증기는 계속 공급되는 상태일 수 있다. 이후, 설정 시간 동안 식각 공정이 수행되면, 공정 가스와 수증기의 공급은 종료될 수 있다. 이때, 공정 가스의 공급이 먼저 중단될 수 있다. 또한, 공정 가스와 수증기의 공급은 함께 중단될 수 있다.When the process gas is supplied and the etching process is performed, the interior of the chamber 2100 can be set to the first process pressure F2. When the process gas is supplied, the temperature of the substrate is controlled in the range of 0 ° to 50 °, and the first process pressure (F 2) is controlled in the range of 0.1 Torr to 3 Torr. The first process pressure F2 may be set to have a setting relationship with the preliminary pressure F1. The first process pressure F2 may be formed to be larger than the preliminary pressure F1 by a set pressure. The first process pressure F2 may be set to be smaller than the preliminary pressure F1 by a set pressure or may be equal to the preliminary pressure F1. The process gas starts to be supplied immediately after the inside of the chamber 2100 is adjusted from the preliminary pressure F1 to the first process pressure F2 or the inside of the chamber 2100 is adjusted to the first process pressure F2 And can be started after the set time has elapsed. When the process gas is supplied, the steam may be continuously supplied. Thereafter, when the etching process is performed during the set time, the supply of the process gas and the water vapor may be terminated. At this time, the supply of the process gas may be stopped first. In addition, the supply of process gas and water vapor can be stopped together.

이 후, 기판은 설정 온도로 가열되어 열처리 된다. 기판이 식각 처리 된 후, 기판에는 반응 부산물이 잔류하는 상태일 수 있다. 이 와 같은 반응 부산물은 기판의 가열의 통해 기판에서 제거될 수 있다. 기판(W)의 가열은 플라즈마 모듈(200a)에서 가열 부재(2220)에 의해 수행될 수 있다. 기판(W)의 가열은 샤워 헤드(2300)에 위치된 히터에 의해 이루어 질 수도 있다. 또한, 기판의 가열은 플라즈마 모듈(200a)에서 반출된 후 다른 공정 모듈에서 수행될 수 도 있다.Thereafter, the substrate is heated to a set temperature and heat-treated. After the substrate is etched, the reaction byproduct may remain in the substrate. Such reaction by-products can be removed from the substrate through heating of the substrate. Heating of the substrate W can be performed by the heating member 2220 in the plasma module 200a. The heating of the substrate W may be performed by a heater positioned in the shower head 2300. [ Further, heating of the substrate may be carried out in another process module after it is taken out from the plasma module 200a.

도 6은 식각 대상막으로 기판의 산화막이 처리되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 7은 산화막 처리 시 챔버의 내부 압력 변화를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a view showing a state in which an oxide film of a substrate is treated with a film to be etched, and FIG.

공정 처리를 위해 기판이 챔버(2100)로 반입되어, 서셉터(2200)에 위치되면, 챔버(2100)의 내부공간으로 수증기가 공급된다(S100). 공정 처리를 위해 제공되는 기판의 상면은 폴리 실리콘층과 식각 대상막인 실리콘 산화막층을 포함한다. 내부 공간으로 공급된 수증기는 기판의 외면에 맺혀 물 방울을 형성하지 않은 상태로, 기판이 습식 처리 방식으로 처리되는 상태와 유사한 환경이 되도록 한다. 구체적으로, 수증기가 공급될 때, 챔버(2100)의 내부 공간은 대기압 보다 낮은 예비 압력(Fa)으로 조절된 상태일 수 있다. 예비 압력(Fa)은 진공에 근접하거나, 수 내지 수십 Torr 인 상태일 수 있다. 또한, 수증기가 공급될 때, 기판은 가열 부재(2220), 냉각 부재(2230), 또는 가열 부재(2220)와 냉각 부재(2230)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태일 수 있다. 이와 같이 챔버(2100)의 내부 공간, 또는 챔버(2100)의 내부 공간과 챔버(2100)의 온도가 조절된 상태로 수증기가 공급되면, 수증기는 기판에 물방울 형태로 맺히지 않을 수 있다. 이때, 기판 주위의 수증기는 기판과 반응하여, 주로 실리콘 산화막층의 산소에 수소가 결합되는 형태의 반응이 발생한다.When the substrate is brought into the chamber 2100 and placed in the susceptor 2200 for processing, steam is supplied to the inner space of the chamber 2100 (S100). The upper surface of the substrate provided for the processing includes a polysilicon layer and a silicon oxide film layer which is a film to be etched. The water vapor supplied to the inner space is formed in the outer surface of the substrate so as not to form a water droplet, so that the environment becomes similar to the state in which the substrate is treated by the wet processing method. Specifically, when water vapor is supplied, the inner space of the chamber 2100 may be in a state of being adjusted to a preliminary pressure Fa lower than the atmospheric pressure. The preliminary pressure Fa may be in the vicinity of vacuum or in the range of several to several tens of Torr. Further, when water vapor is supplied, the substrate may be conditioned by the heating member 2220, the cooling member 2230, or the heating member 2220 and the cooling member 2230 to a set temperature or a set temperature range . When steam is supplied to the inner space of the chamber 2100 or the inner space of the chamber 2100 and the temperature of the chamber 2100, water vapor may not be formed on the substrate in the form of water droplets. At this time, the water vapor around the substrate reacts with the substrate, and a reaction occurs in which hydrogen is mainly bonded to oxygen in the silicon oxide film layer.

수증기의 공급이 개시되고 설정 시간이 경과되면, 챔버(2100)의 내부 공간으로 공정 가스가 공급되어, 실리콘 산화막을 선택적으로 식각하는 공정이 수행된다(S200). 공정 가스 공급부(2440)가 공정 가스를 공급하면, 공정 가스는 주로 실리콘 산화막층과 반응하여, 실리콘 산화막층을 선택적으로 식각한다. 기판의 주위에 위치된 수증기는 기판 주위를 습식 식각 공정과 유사한 환경으로 한다. 또한, 실리콘 산화막층의 산소에 결합된 수소는, 공정 가스와 실리콘 산화막층의 반응성을 증가 시킨다. When the supply of the water vapor is started and the preset time has elapsed, a process gas is supplied to the inner space of the chamber 2100, and a process of selectively etching the silicon oxide film is performed (S200). When the process gas supply unit 2440 supplies the process gas, the process gas mainly reacts with the silicon oxide film layer to selectively etch the silicon oxide film layer. The water vapor located around the substrate makes the environment around the substrate similar to the wet etching process. Further, hydrogen bonded to oxygen in the silicon oxide film layer increases the reactivity of the process gas and the silicon oxide film layer.

공정 가스는 불소 원자를 포함하는 화합물로 제공된다. 예를 들어, 공정 가스는 삼불화 질소, 사불화탄소, 2플루오르화 메테인(difluoro methane) 또는 3플루오르화 메테인(trifluoro methane) 등으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 가스는 삼불화 질소, 사불화탄소, 2플루오르화 메테인(difluoro methane) 및 3플루오르화 메테인(trifluoro methane) 가운데 2개 이상의 혼합 가스로 제공될 수 도 있다. 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기된 상태로 공급되어, 기판과의 반응성이 증가될 수 있다. 공정 가스는 플라즈마로 여기되는 과정에서 불소 라디칼을 제공한다.The process gas is provided as a compound containing a fluorine atom. For example, the process gas may be provided by nitrogen trifluoride, carbon tetrafluoride, difluoro methane, trifluoromethane, or the like. In addition, the process gas may be provided as two or more gaseous gases among nitrogen trifluoride, carbon tetrafluoride, difluoro methane and trifluoromethane. The process gas is supplied in a state of being excited to the plasma state, so that the reactivity with the substrate can be increased. The process gas provides a fluorine radical in the process of being excited by the plasma.

공정 가스가 공급되어 식각 공정이 수행될 때, 챔버(2100)의 내부는 제2 공정 압력(Fb)으로 설정될 수 있다. When the process gas is supplied and the etching process is performed, the inside of the chamber 2100 can be set to the second process pressure Fb.

공정 가스가 공급될 때 기판의 온도는 0°~50°범위로 조절되고, 제2공정 압력(Fb)은 3Torr 내지 30Torr 범위로 조절된다. 제2공정 압력(Fb)은 예비 압력(Fa)과 설정 관계를 갖도록 설정될 수 있다. 제2공정 압력(Fb)은 예비 압력(Fa)보다 설정 압력만큼 크게 형성될 수 있다. 또한, 제2공정 압력(Fb)은 예비 압력(Fa)보다 설정 압력만큼 작게 설정되거나, 예비 압력(Fa)과 동일할 수 있다. 제2 공정 압력(Fb)은 예비 압력(Fa)보다 설정 압력만큼 크게 형성된다. 공정 가스는 챔버(2100)의 내부가 예비 압력(Fa)에서 제2 공정 압력(Fb)으로 조절된 직 후 공급이 개시되거나, 챔버(2100)의 내부가 제2 공정 압력(Fb)으로 조절되고 설정 시간이 경과된 후 개시될 수 있다. 공정 가스가 공급될 때, 수증기는 계속 공급되는 상태일 수 있다. 이후, 설정 시간 동안 식각 공정이 수행되면, 공정 가스와 수증기의 공급은 종료될 수 있다. 이때, 공정 가스의 공급이 먼저 중단될 수 있다. 또한, 공정 가스와 수증기의 공급은 함께 중단될 수 있다.When the process gas is supplied, the temperature of the substrate is controlled in the range of 0 ° to 50 °, and the second process pressure (Fb) is controlled in the range of 3 Torr to 30 Torr. The second process pressure Fb may be set to have a set relationship with the preliminary pressure Fa. The second process pressure Fb may be formed to be larger than the preliminary pressure Fa by a set pressure. In addition, the second process pressure Fb may be set to be smaller than the preliminary pressure Fa by a set pressure or may be equal to the preliminary pressure Fa. The second process pressure Fb is formed to be larger than the preliminary pressure Fa by a set pressure. The process gas is started to be supplied immediately after the inside of the chamber 2100 is adjusted to the second process pressure Fb at the preliminary pressure Fa or the inside of the chamber 2100 is adjusted to the second process pressure Fb And can be started after the set time has elapsed. When the process gas is supplied, the steam may be continuously supplied. Thereafter, when the etching process is performed during the set time, the supply of the process gas and the water vapor may be terminated. At this time, the supply of the process gas may be stopped first. In addition, the supply of process gas and water vapor can be stopped together.

도 8은 다른 실시 예에 따라 기판의 질화막이 처리되는 과정을 나타내는 흐름도이다.8 is a flowchart showing a process of processing a nitride film of a substrate according to another embodiment.

도 4의 기판과 동일하게 폴리실리콘 층과 식각 대상막으로 실리콘 질화막 층을 갖는 기판이 처리될 수 있다. The substrate having the polysilicon layer and the silicon nitride film layer as the film to be etched can be processed similarly to the substrate of Fig.

도 8을 참조하면, 기판은 질화막이 산화 처리된다(S410). 일 예로, 기판이 반입되어 서셉터(2200)에 위치되면, 질화막의 산화 처리를 위해 공정 가스 공급부(2440)에 의해 산화 가스가 공급된다. 산화 가스는 산소일 수 있다. 질화막과의 반응성 증가를 위해 산화 가스는 플라즈마 여기부(2400)를 통해 플라즈마 상태로 여기되어 공급될 수 있다. 또한, 산화 가스가 공급될 때, 기판은 가열 부재(2220)에 의해 가열되어 산화 가스와의 반응성이 증가될 수 있다. 실리콘 질화막 층은 산화되어 SiOXNY의 화학식을 갖는 변성막을 형성 하게 된다.Referring to FIG. 8, the nitride film of the substrate is oxidized (S410). In one example, when the substrate is loaded and placed in the susceptor 2200, the oxidizing gas is supplied by the process gas supply unit 2440 for oxidizing the nitride film. The oxidizing gas may be oxygen. For increasing the reactivity with the nitride film, the oxidizing gas may be excited into the plasma state through the plasma excitation part 2400 and supplied. Further, when the oxidizing gas is supplied, the substrate may be heated by the heating member 2220 to increase the reactivity with the oxidizing gas. The silicon nitride film layer is oxidized to form a modified film having the formula SiO X N Y.

변성막이 형성되면, 챔버(2100)의 내부공간으로 수증기가 공급된다(S420). 내부 공간으로 공급된 수증기는 기판의 외면에 맺혀 물 방울을 형성하지 않은 상태로, 기판이 습식 처리 방식으로 처리되는 상태와 유사한 환경이 되도록 한다. 구체적으로, 수증기가 공급될 때, 챔버(2100)의 내부 공간은 대기압 보다 낮은 예비 압력으로 조절된 상태일 수 있다. 예비 압력은 진공에 근접하거나, 수 내지 수십 Torr 인 상태일 수 있다. 또한, 수증기가 공급될 때, 기판은 가열 부재(2220), 냉각 부재(2230), 또는 가열 부재(2220)와 냉각 부재(2230)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태일 수 있다. 이와 같이 챔버(2100)의 내부 공간, 또는 챔버(2100)의 내부 공간과 챔버(2100)의 온도가 조절된 상태로 수증기가 공급되면, 수증기는 기판에 물방울 형태로 맺히지 않을 수 있다. 이때, 기판 주위의 수증기는 기판과 반응하여, 주로 변성막에 포함된 산소로 인해 변성막의 산소에 수소가 결합되는 형태의 반응이 발생한다.When the modified film is formed, water vapor is supplied to the inner space of the chamber 2100 (S420). The water vapor supplied to the inner space is formed in the outer surface of the substrate so as not to form a water droplet, so that the environment becomes similar to the state in which the substrate is treated by the wet processing method. Specifically, when water vapor is supplied, the inner space of the chamber 2100 may be in a state of regulated to a preliminary pressure lower than the atmospheric pressure. The preliminary pressure may be in the vicinity of vacuum, or several to several tens of Torr. Further, when water vapor is supplied, the substrate may be conditioned by the heating member 2220, the cooling member 2230, or the heating member 2220 and the cooling member 2230 to a set temperature or a set temperature range . When steam is supplied to the inner space of the chamber 2100 or the inner space of the chamber 2100 and the temperature of the chamber 2100, water vapor may not be formed on the substrate in the form of water droplets. At this time, the water vapor around the substrate reacts with the substrate, and a reaction occurs in which hydrogen is bonded to the oxygen of the denatured film mainly due to oxygen contained in the denatured film.

수증기의 공급이 개시되고 설정 시간이 경과되면, 챔버(2100)의 내부 공간으로 공정 가스가 공급되어, 변성막을 선택적으로 식각하는 공정이 수행된다(S200). 공정 가스 공급부(2440)가 공정 가스를 공급하면, 공정 가스는 주로 변성막과 반응하여, 변성막을 선택적으로 식각한다(S430). 기판의 주위에 위치된 수증기는 기판 주위를 습식 식각 공정과 유사한 환경으로 한다. 또한, 변성막의 산소에 결합된 수소는, 공정 가스와 변성막의 반응성을 증가 시킨다. When the supply of steam is started and the set time has elapsed, a process gas is supplied to the inner space of the chamber 2100, and a process of selectively etching the denatured film is performed (S200). When the process gas supply unit 2440 supplies the process gas, the process gas mainly reacts with the denatured film to selectively etch the denatured film (S430). The water vapor located around the substrate makes the environment around the substrate similar to the wet etching process. Further, the hydrogen bonded to the oxygen of the modified film increases the reactivity of the process gas and the denatured film.

공정 가스는 불소 원자를 포함하는 화합물로 제공된다. 예를 들어, 공정 가스는 삼불화 질소, 사불화탄소, 2플루오르화 메테인(difluoro methane) 또는 3플루오르화 메테인(trifluoro methane) 등으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 가스는 삼불화 질소, 사불화탄소, 2플루오르화 메테인(difluoro methane) 및 3플루오르화 메테인(trifluoro methane) 가운데 2개 이상의 혼합 가스로 제공될 수 도 있다. 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기된 상태로 공급되어, 기판과의 반응성이 증가될 수 있다. 공정 가스는 플라즈마로 여기되는 과정에서 불소 라디칼을 제공한다.The process gas is provided as a compound containing a fluorine atom. For example, the process gas may be provided by nitrogen trifluoride, carbon tetrafluoride, difluoro methane, trifluoromethane, or the like. In addition, the process gas may be provided as two or more gaseous gases among nitrogen trifluoride, carbon tetrafluoride, difluoro methane and trifluoromethane. The process gas is supplied in a state of being excited to the plasma state, so that the reactivity with the substrate can be increased. The process gas provides a fluorine radical in the process of being excited by the plasma.

공정 가스가 공급되어 식각 공정이 수행될 때, 챔버(2100)의 내부는 제3 공정 압력으로 설정될 수 있다. 공정 가스가 공급될 때 기판의 온도는 0°~50°범위로 조절되고, 제3공정 압력은 1Torr 내지 30Torr 범위로 조절된다. 제3공정 압력은 예비 압력과 설정 관계를 갖도록 설정될 수 있다. 제3공정 압력은 예비 압력보다 설정 압력만큼 크게 형성될 수 있다. 또한, 제3공정 압력은 예비 압력보다 설정 압력만큼 작게 설정되거나, 예비 압력과 동일할 수 있다. 공정 가스는 챔버(2100)의 내부가 예비 압력에서 제3공정 압력으로 조절된 직 후 공급이 개시되거나, 챔버(2100)의 내부가 제3공정 압력으로 조절되고 설정 시간이 경과된 후 개시될 수 있다. 공정 가스가 공급될 때, 수증기는 계속 공급되는 상태일 수 있다. 이후, 설정 시간 동안 식각 공정이 수행되면, 공정 가스와 수증기의 공급은 종료될 수 있다. 이때, 공정 가스의 공급이 먼저 중단될 수 있다. 또한, 공정 가스와 수증기의 공급은 함께 중단될 수 있다. When the process gas is supplied and the etching process is performed, the interior of the chamber 2100 can be set to the third process pressure. When the process gas is supplied, the temperature of the substrate is adjusted in the range of 0 ° to 50 °, and the third process pressure is set in the range of 1 Torr to 30 Torr. The third process pressure may be set to have a set relationship with the preliminary pressure. The third process pressure may be formed to be larger than the preliminary pressure by a set pressure. Further, the third process pressure may be set to be smaller than the preliminary pressure by a set pressure, or may be the same as the preliminary pressure. The process gas may be started immediately after the inside of the chamber 2100 is adjusted to the third process pressure at the preliminary pressure or may be started after the inside of the chamber 2100 is adjusted to the third process pressure and the set time has elapsed have. When the process gas is supplied, the steam may be continuously supplied. Thereafter, when the etching process is performed during the set time, the supply of the process gas and the water vapor may be terminated. At this time, the supply of the process gas may be stopped first. In addition, the supply of process gas and water vapor can be stopped together.

이 후, 기판은 설정 온도로 가열되어 열처리 된다(S440). 기판이 식각 처리 된 후, 기판에는 반응 부산물이 잔류하는 상태일 수 있다. 이 와 같은 반응 부산물은 기판의 가열의 통해 기판에서 제거될 수 있다. 기판(W)의 가열은 플라즈마 모듈(200a)에서 가열 부재(2220)에 의해 수행될 수 있다. 기판(W)의 가열은 샤워 헤드(2300)에 위치된 히터에 의해 이루어 질 수도 있다. 또한, 기판의 가열은 플라즈마 모듈(200a)에서 반출된 후 다른 공정 모듈에서 수행될 수 도 있다.Thereafter, the substrate is heated to a set temperature and heat-treated (S440). After the substrate is etched, the reaction byproduct may remain in the substrate. Such reaction by-products can be removed from the substrate through heating of the substrate. Heating of the substrate W can be performed by the heating member 2220 in the plasma module 200a. The heating of the substrate W may be performed by a heater positioned in the shower head 2300. [ Further, heating of the substrate may be carried out in another process module after it is taken out from the plasma module 200a.

또한, 열처리에 앞서, 질화막을 설정 두께만큼 식각하기 위해, 질화막 산화 처리(S410), 수증기 공급(S420) 및 변성막 식각(S430)은 2회 이상 반복될 수 있다.Further, the nitride film oxidation process (S410), the water vapor supply (S420), and the modified film etching process (S430) may be repeated twice or more to etch the nitride film by a predetermined thickness prior to the heat treatment.

본 발명의 실시 예에 따르면, 질화막은 변성막으로 막질이 변화된 상태에서 식각되어, 질화막을 바로 식각할 때에 비해 빠른 속도로 식각 될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the nitride film is etched in a state in which the film quality is changed to a denatured film, so that the nitride film can be etched at a faster rate than when the nitride film is directly etched.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 로드 포트 20: 설비 전방 단부 모듈
21: 이송프레임 25: 제 1 이송로봇
30: 공정 처리실 40: 로드락 챔버
50: 트랜스퍼 챔버 60: 공정 모듈
200a: 플라즈마 모듈 2100: 챔버
2110: 바디 2200: 서셉터 10: load port 20: equipment front end module
21: transfer frame 25: first transfer robot
30: process chamber 40: load lock chamber
50: Transfer chamber 60: Process module
200a: plasma module 2100: chamber
2110: Body 2200: Susceptor

Claims (13)

폴리실리콘에 대한 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하되,
실리콘 질화막을 산화처리 하는 단계와;
기판이 제공된 챔버 내부로 수증기를 공급하여 기판의 주위에 수증기 층을 형성하는 단계와;
상기 수증기 층 형성 단계 이후에 상기 챔버 내부로 불소를 포함하는 공정 가스를 공급하여 상기 산화처리에 의해 형성된 변성막을 선택적으로 식각하는 식각 단계를 포함하는 기판 처리 방법.A silicon nitride film for polysilicon is selectively etched,
Oxidizing the silicon nitride film;
Supplying water vapor into the chamber provided with the substrate to form a water vapor layer around the substrate;
And an etching step of supplying a process gas containing fluorine into the chamber after the step of forming the water vapor layer to selectively etch the modified film formed by the oxidation process. 제1항에 있어서,
상기 식각 단계에서 상기 공정 가스가 공급될 때, 상기 수증기의 공급이 이루어 지는 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the supply of the steam is performed when the process gas is supplied in the etching step. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 수증기 층 형성단계에서 상기 수증기는 캐리어 가스와 혼합된 상태로 공급되는 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the water vapor is supplied in a mixed state with the carrier gas in the step of forming the water vapor layer. 제1항에 있어서,
상기 수증기 층이 형성되는 단계에서 상기 기판은 설정 온도로 가열되는 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is heated to a set temperature in the step of forming the water vapor layer. 제1항에 있어서,
상기 식각 단계 이 후, 상기 기판을 설정 온도로 가열하는 열처리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
Further comprising a heat treatment step of heating the substrate to a set temperature after the etching step. 제5항에 있어서,
상기 열처리는 상기 기판을 지지하는 서셉터를 가열하여 이루어 지는 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the heat treatment is performed by heating a susceptor supporting the substrate. 제5항에 있어서,
상기 열처리는 샤워 헤드에 위치된 히터에 의해 이루어 지는 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the heat treatment is performed by a heater positioned in the showerhead. 제1항에 있어서,
상기 변성막을 식각하는 단계는 상기 기판이 0°~50°범위의 온도인 상태이고, 1Torr 내지 30Torr의 압력에서 이루어 지는 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of etching the modified film is performed at a temperature in the range of 0 to 50 degrees and at a pressure of 1 Torr to 30 Torr. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
폴리 실리콘에 대해 식각 대상막을 선택적으로 식각하되,
기판이 제공된 챔버 내부로 수증기를 분사하여 기판의 주위에 수증기 층을 형성하는 단계와;
상기 챔버 내부로 불소를 포함하는 공정 가스를 공급하여 상기 식각 대상막을 식각하는 단계를 포함하되,
상기 식각 단계에서, 상기 식각 대상막이 실리콘 질화막이면 제1 공정 압력에서 수행되고, 상기 식각 대상막이 실리콘 질화막을 산화 처리 하여 형성된 변성막이면 상기 제1 공정 압력보다 높은 제2 공정 압력에서 수행되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
Selectively etching the target film for polysilicon,
Spraying water vapor into the chamber provided with the substrate to form a water vapor layer around the substrate;
And etching the etching target film by supplying a process gas containing fluorine into the chamber,
Wherein the etching is performed at a first process pressure if the etching target film is a silicon nitride film and the substrate processing is performed at a second process pressure higher than the first process pressure if the etching target film is a modified film formed by oxidizing a silicon nitride film Way. 챔버;
상기 챔버의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 서셉터;
상기 챔버의 내부로 수증기를 공급하는 수분 공급관; 및
상기 챔버의 내부로, 실리콘 질화막을 산화시켜 변성막을 형성되게 하는 산화 가스와, 폴리 실리콘에 대해 상기 변성막이 선택적으로 식각 되게 하는 공정 가스를 상기 수증기에 의해 수증기 층이 형성된 상태 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.chamber;
A susceptor positioned inside the chamber and supporting the substrate;
A water supply pipe for supplying water vapor into the chamber; And
A process gas supply unit for supplying an oxidizing gas for oxidizing the silicon nitride film to form a denatured film into the chamber and a process gas for selectively etching the denatured film against the polysilicon in a state in which the water vapor layer is formed by the steam, And the substrate processing apparatus. 제10항에 있어서,
상기 공정 가스가 공급될 때 상기 수증기가 함께 공급되도록 상기 수분 공급관 및 상기 공정 가스 공급부를 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Further comprising a controller for controlling the water supply pipe and the process gas supply unit so that the water vapor is supplied together when the process gas is supplied. 제10항에 있어서,
상기 수분 공급관은 상기 수증기를 캐리어 가스와 혼합된 상태로 공급하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the water supply pipe supplies the water vapor in a mixed state with the carrier gas. 제10항에 있어서,
상기 서셉터는 상기 수증기 층이 형성될 때, 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 포함하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the susceptor includes a heating member for heating the substrate when the water vapor layer is formed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910004039B1 (en) * 1985-08-28 1991-06-22 에프_에스_아이 코포레이션 Gaseous process and apparatus for removing film from substrates
JP2005302897A (en) * 2004-04-08 2005-10-27 Sony Corp Method for removing hard etching mask and manufacturing method for semiconductor device
JP2008010661A (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for processing substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910004039B1 (en) * 1985-08-28 1991-06-22 에프_에스_아이 코포레이션 Gaseous process and apparatus for removing film from substrates
JP2005302897A (en) * 2004-04-08 2005-10-27 Sony Corp Method for removing hard etching mask and manufacturing method for semiconductor device
JP2008010661A (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for processing substrate

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