KR20190015090A - 이온주입장치 - Google Patents

Abstract

주입처리실 내에서의 웨이퍼검사공정의 장기 신뢰성을 높인다.
이온주입장치(10)는 웨이퍼(W)에 대한 이온빔조사가 이루어지는 주입처리실(16)과, 주입처리실(16) 내를 소정의 빔궤도를 따라 진행하는 이온빔(B)을 제공하는 빔라인장치(14)와, 주입처리실(16) 내에 노출될 수 있는 노출면을 갖는 광학부재를 통하여 웨이퍼(W)를 광학적으로 검사하는 검사장치(60)와, 주입처리실(16) 내의 빔궤도 상에 배치 가능하기 때문에 이온빔의 충돌에 의하여 오염물질의 발생원이 될 수 있는 빔충돌개소와 광학부재의 노출면의 사이의 위치로서, 검사장치(60)의 광축 상을 피한 위치에 마련되는 차폐부재를 구비한다.

Description

이온주입장치{ION IMPLANTATION APPARATUS}

본 출원은 2017년 8월 4일에 출원된 일본 특허출원 제2017-151785호에 근거하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.

본 발명은, 이온주입장치에 관한 것이다.

반도체제조공정에서는, 진공용기 내에 마련된 홀더(플래튼)에 유지된 기판(반도체웨이퍼)에 대하여 이온빔을 조사하는 "이온주입처리"가 이루어진다. 이와 같은 이온주입처리의 정밀도 향상을 목적으로 하여, 진공용기 내의 웨이퍼의 위치나 회전각도를 촬상장치에 의하여 촬상하여 화상처리를 행함으로써 검출하는 검사장치가 이용된다. 검사장치는, 예를 들면 진공용기 밖에 마련되고, 진공용기의 천장에 마련되는 창판을 통하여 진공용기 내의 웨이퍼를 촬상한다(특허문헌 1 참조).

일본 공개특허공보 2010-92619호

이온주입처리가 실행되는 진공용기(주입처리실이라고도 함)의 내벽에는, 장치의 운전에 따라 오염이 부착된다. 그 결과, 검사장치용 창판에도 오염이 부착되고, 창판의 오염에 의하여 검사정밀도가 악화되어, 웨이퍼검사공정의 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 검사정밀도를 유지하기 위해서는, 정기적으로 창판의 오염을 제거하거나, 또는 창판자체를 교환하는 등의 메인터넌스가 발생한다. 메인터넌스 중에는 장치를 사용할 수 없기 때문에, 장치의 스루풋 향상의 관점에서, 메인터넌스 빈도를 가능한 한 감소시키는 것이 바람직하다.

본 발명은 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적의 하나는, 주입처리실 내에서의 웨이퍼검사공정의 장기 신뢰성을 높이는 기술을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 일 양태의 이온주입장치는, 웨이퍼에 대한 이온빔조사가 이루어지는 주입처리실과, 주입처리실 내를 소정의 빔궤도를 따라 진행하는 이온빔을 제공하는 빔라인장치와, 주입처리실 내에 노출될 수 있는 노출면을 갖는 광학부재를 통하여 웨이퍼를 광학적으로 검사하는 검사장치와, 주입처리실 내의 빔궤도 상에 배치 가능하기 때문에 이온빔의 충돌에 의하여 오염물질의 발생원이 될 수 있는 빔충돌개소와 광학부재의 노출면의 사이의 위치로서, 검사장치의 광축 상을 피한 위치에 마련되는 차폐부재를 구비한다.

또한, 이상의 구성요소의 임의의 조합이나 본 발명의 구성요소나 표현을, 방법, 장치, 시스템 등의 사이에서 서로 치환한 것도 또한, 본 발명의 양태로서 유효하다.

본 발명에 의하면, 주입처리실 내에서의 웨이퍼검사공정의 장기 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

도 1은 실시형태에 관한 이온주입장치의 개략 구성을 나타내는 상면도이다.
도 2는 주입처리 중의 이온주입장치의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
도 3은 웨이퍼검사 중의 이온주입장치의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
도 4는 주입처리실 내의 빔충돌개소를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5의 (a)-(f)는, 촬상용 차폐부재의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 변형예에 관한 주입처리실의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
도 7은 다른 변형예에 관한 주입처리실의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
도 8은 또 다른 변형예에 관한 주입처리실의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 다만, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명을 적절히 생략한다. 또, 이하에 설명하는 구성은 예시이며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

도 1은 실시형태에 관한 이온주입장치(10)를 개략적으로 나타내는 상면도이다. 도 2 및 도 3은 이온주입장치(10)의 개략 구성을 나타내는 측면도이다. 자세한 것은 후술하지만, 도 2는 주입처리 중의 상태를 모식적으로 나타내고, 도 3은 웨이퍼검사 중의 상태를 모식적으로 나타낸다.

이온주입장치(10)는 피처리물(W)의 표면에 이온주입처리를 하도록 구성되어 있다. 피처리물(W)은, 예를 들면 기판이며, 예를 들면 반도체웨이퍼이다. 따라서 이하에서는 설명의 편의를 위하여 피처리물(W)을 웨이퍼(W)라고 부르는 경우가 있지만, 이것은 주입처리의 대상을 특정 물체에 한정하는 것을 의도하고 있지 않다.

이온주입장치(10)는 빔을 일방향으로 왕복주사시키고, 웨이퍼(W)를 주사방향과 직교하는 방향으로 왕복운동시킴으로써 웨이퍼(W)의 처리면 전체에 걸쳐 이온빔(B)을 조사하도록 구성되어 있다. 본 명세서에서는 설명의 편의상, 설계상의 빔궤도로 나아가는 이온빔(B)의 진행방향을 z방향으로 하고, z방향에 수직인 면을 xy면이라고 정의한다. 이온빔(B)을 피처리물(W)에 대하여 주사하는 경우에 있어서, 빔의 주사방향을 x방향으로 하고, z방향 및 x방향에 수직인 방향을 y방향으로 한다. 따라서, 빔의 왕복주사는 x방향으로 행해지고, 웨이퍼(W)의 왕복운동은 y방향으로 행해진다.

이온주입장치(10)는 이온원(12)과, 빔라인장치(14)와, 주입처리실(16)과, 웨이퍼반송장치(18)를 구비한다. 이온원(12)은 이온빔(B)을 빔라인장치(14)에 부여하도록 구성되어 있다. 빔라인장치(14)는 이온원(12)으로부터 주입처리실(16)로 이온을 수송하도록 구성되어 있다. 웨이퍼반송장치(18)는 주입처리되어야 할 미처리 웨이퍼를 주입처리실(16)에 반입하고, 주입처리된 처리완료 웨이퍼를 주입처리실(16)로부터 반출하도록 구성된다. 또, 이온주입장치(10)는 이온원(12), 빔라인장치(14), 주입처리실(16) 및 웨이퍼반송장치(18)에 원하는 진공환경을 제공하기 위한 진공배기계(도시하지 않음)를 구비한다.

빔라인장치(14)는, 예를 들면 상류로부터 순서대로, 질량분석부(20), 가변애퍼처(21), 빔정형부(22), 제1 빔계측기(24), 빔주사기(26), 평행화렌즈(30) 또는 빔평행화장치, 및 각도에너지필터(AEF; Angular Energy Filter)(34)를 구비한다. 다만, 빔라인장치(14)의 상류란, 이온원(12)에 가까운 측을 가리키고, 하류란 주입처리실(16)(또는 빔스토퍼(38))에 가까운 측을 가리킨다.

질량분석부(20)는 이온원(12)의 하류에 마련되어 있고, 이온원(12)으로부터 인출된 이온빔(B)으로부터 필요한 이온종을 질량분석에 의하여 선택하도록 구성되어 있다.

가변애퍼처(21)는 개구폭이 조정 가능한 애퍼처이며, 개구폭을 변경함으로써 애퍼처를 통과하는 이온빔(B)의 빔전류량을 조정한다. 가변애퍼처(21)는, 예를 들면 빔라인을 사이에 두고 상하로 배치되는 애퍼처플레이트를 갖고, 애퍼처플레이트의 간격을 변화시킴으로써 빔전류량을 조정해도 된다.

빔정형부(22)는 사중극 수렴/발산장치(Q렌즈) 등의 수렴/발산렌즈를 구비하고 있고, 가변애퍼처(21)를 통과한 이온빔(B)을 원하는 단면형상으로 정형하도록 구성되어 있다. 빔정형부(22)는 전장식(電場式)의 삼단사중극 렌즈(트리플릿 Q렌즈라고도 함)이며, 3개의 사중극 렌즈를 갖는다. 빔정형부(22)는 3개의 렌즈장치를 이용함으로써, 웨이퍼(W)에 입사하는 이온빔(B)의 x방향 및 y방향의 수렴 또는 발산을 각각의 방향에 대하여 독립적으로 조정할 수 있다. 빔정형부(22)는 자장식의 렌즈장치를 포함해도 되고, 전장과 자장의 쌍방을 이용하여 빔을 정형하는 렌즈장치를 포함해도 된다.

제1 빔계측기(24)는 빔라인 상에 출입 가능하게 배치되고, 이온빔의 전류를 측정하는 인젝터 플래그 패러데이컵이다. 제1 빔계측기(24)는 빔정형부(22)에 의하여 정형된 이온빔(B)의 빔전류를 계측할 수 있도록 구성된다. 제1 빔계측기(24)는 빔전류를 계측하는 패러데이컵(24b)과, 패러데이컵(24b)을 상하로 이동시키는 구동부(24a)를 갖는다. 도 2의 파선(破線)으로 나타내는 바와 같이, 빔라인 상에 패러데이컵(24b)을 배치한 경우, 이온빔(B)은 패러데이컵(24b)에 의하여 차단된다. 한편, 도 2의 실선으로 나타내는 바와 같이, 패러데이컵(24b)을 빔라인 상으로부터 벗어나게 한 경우, 이온빔(B)의 차단이 해제된다.

빔주사기(26)는 빔의 왕복주사를 제공하도록 구성되어 있고, 정형된 이온빔(B)을 x방향으로 주사하는 편향수단이다. 빔주사기(26)는 x방향으로 대향하여 마련되는 주사전극쌍(28)을 갖는다. 주사전극쌍(28)은 가변전압전원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 주사전극쌍(28)에 인가되는 전압을 주기적으로 변화시킴으로써, 전극 사이에 발생하는 전계를 변화시켜 이온빔(B)을 다양한 각도로 편향시킨다. 이렇게 하여, 이온빔(B)은 x방향의 주사범위에 걸쳐 주사된다. 다만, 도 1에 있어서 화살표 X에 의하여 빔의 주사방향 및 주사범위를 예시하고, 주사범위에서의 이온빔(B)의 복수의 궤적을 일점쇄선으로 나타내고 있다.

평행화렌즈(30)는 주사된 이온빔(B)의 진행방향을 설계상의 빔궤도와 평행하게 하도록 구성되어 있다. 평행화렌즈(30)는 중앙부에 이온빔의 통과슬릿이 마련된 원호형상의 복수의 P렌즈전극(32)을 갖는다. P렌즈전극(32)은 고압전원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 전압 인가에 의하여 발생하는 전계를 이온빔(B)에 작용시켜, 이온빔(B)의 진행방향을 평행하게 정렬시킨다. 다만, 평행화렌즈(30)는 다른 빔평행화장치로 치환되어도 되고, 빔평행화장치는 자계를 이용하는 자석장치로서 구성되어도 된다. 평행화렌즈(30)의 하류에는, 이온빔(B)을 가속 또는 감속시키기 위한 AD(Accel/Decel)칼럼(도시하지 않음)이 마련되어도 된다.

각도에너지필터(AEF)(34)는, 이온빔(B)의 에너지를 분석하여 필요한 에너지의 이온을 하방으로 편향시켜 주입처리실(16)로 유도하도록 구성되어 있다. 각도에너지필터(34)는 전계편향용 AEF전극쌍(36)을 갖는다. AEF전극쌍(36)은 고압전원(도시하지 않음)에 접속된다. 도 2에 있어서, 상측의 AEF전극에 정전압, 하측의 AEF전극에 부전압을 인가시킴으로써, 이온빔(B)을 하방으로 편향시킨다. 다만, 각도에너지필터(34)는 자계편향용 자석장치로 구성되어도 되고, 전계편향용 AEF전극쌍과 자석장치의 조합으로 구성되어도 된다.

이와 같이 하여, 빔라인장치(14)는 웨이퍼(W)에 조사되어야 할 이온빔(B)을 주입처리실(16)에 공급한다.

주입처리실(16)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 1매 또는 복수 매의 웨이퍼(W)를 유지하는 플래튼구동장치(50)를 구비한다. 플래튼구동장치(50)는 웨이퍼유지장치(52)와, 왕복운동기구(54)와, 트위스트각 조정기구(56)와, 틸트각 조정기구(58)를 포함한다. 웨이퍼유지장치(52)는 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 정전척 등을 포함한다. 왕복운동기구(54)는, 빔주사방향(x방향)과 직교하는 왕복운동방향(y방향)으로 웨이퍼유지장치(52)를 왕복운동시킴으로써, 웨이퍼유지장치(52)에 유지되는 웨이퍼를 y방향으로 왕복운동시킨다. 도 2에 있어서, 화살표 Y에 의하여 웨이퍼(W)의 왕복운동을 예시한다.

트위스트각 조정기구(56)는 웨이퍼(W)의 회전각을 조정하는 기구이며, 웨이퍼처리면의 법선을 축으로 하여 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 웨이퍼의 외주부에 마련되는 얼라인먼트마크와 기준위치의 사이의 트위스트각을 조정한다. 여기에서, 웨이퍼의 얼라인먼트마크란, 웨이퍼의 외주부에 마련되는 노치나 오리엔테이션 플랫을 말하고, 웨이퍼의 결정축방향이나 웨이퍼의 원주방향의 각도위치의 기준이 되는 마크를 말한다. 트위스트각 조정기구(56)는 웨이퍼유지장치(52)와 왕복운동기구(54)의 사이에 마련되고, 웨이퍼유지장치(52)와 함께 왕복운동된다.

틸트각 조정기구(58)는 웨이퍼(W)의 기울기를 조정하는 기구이며, 웨이퍼처리면을 향하는 이온빔(B)의 진행방향과 웨이퍼처리면의 법선의 사이의 틸트각을 조정한다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 경사각 중, x방향의 축을 회전의 중심축으로 하는 각도를 틸트각으로서 조정한다. 틸트각 조정기구(58)는 왕복운동기구(54)와 주입처리실(16)의 벽면의 사이에 마련되어 있고, 왕복운동기구(54)를 포함하는 플래튼구동장치(50) 전체를 R방향으로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 틸트각을 조정하도록 구성된다.

플래튼구동장치(50)는 이온빔(B)이 웨이퍼(W)에 조사되는 주입위치와, 검사장치(60)에 의하여 웨이퍼(W)가 검사되는 검사위치의 사이에서 웨이퍼(W)가 이동 가능해지도록 웨이퍼(W)를 유지한다. 도 2는 웨이퍼(W)가 주입위치에 있는 상태를 나타내고 있고, 플래튼구동장치(50)는 이온빔(B)의 궤도와 웨이퍼(W)가 교차하도록 웨이퍼(W)를 유지한다. 도 3은 웨이퍼(W)가 검사위치에 있는 상태를 나타내고 있고, 검사장치(60)의 광축(C1, C2)과 웨이퍼(W)가 교차하도록 웨이퍼(W)를 유지한다. 플래튼구동장치(50)는 주로 틸트각 조정기구(58)에 의한 R방향의 회전이동과, 왕복운동기구(54)에 의한 Y방향의 직선이동을 조합함으로써, 웨이퍼(W)를 주입위치와 검사위치의 사이에서 이동시킨다.

본 실시형태에 있어서, 도 3에 나타내는 웨이퍼(W)의 검사위치는, 웨이퍼반송장치(18)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출하기 위한 반출입위치와 공통된다. 검사위치 또는 반출입위치에 있어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼처리면이 수평방향이 되는 방향으로 배치된다. 다만, 웨이퍼(W)의 검사위치는, 웨이퍼(W)의 반출입위치와 달라도 된다. 다만, 웨이퍼(W)의 반출입위치는, 웨이퍼반송장치(18)에 마련되는 반송기구 또는 반송로봇에 의하여 반출입구(80)를 통하여 웨이퍼(W)가 반입 또는 반출되는 경우의 웨이퍼유지장치(52)의 위치에 대응한다.

주입처리실(16)은 빔스토퍼(38)를 구비한다. 빔스토퍼(38)는 주입처리실(16)의 측벽(16c)에 대하여 고정된다. 빔궤도 상에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 경우, 이온빔(B)은 빔스토퍼(38)에 입사한다. 빔스토퍼(38)는 주입처리실(16)과 웨이퍼반송장치(18)의 사이를 접속하는 반출입구(80)의 근처에 위치하고 있고, 반출입구(80)보다 연직하방의 위치에 마련된다.

주입처리실(16)에는, 이온빔의 빔전류량이나 빔전류밀도분포를 계측하기 위한 제2 빔계측기(44)가 마련된다. 제2 빔계측기(44)는 사이드컵(40)((40R, 40L))과, 센터컵(42)을 갖는다.

사이드컵(40R, 40L)은 웨이퍼(W)에 대하여 x방향으로 어긋나 배치되어 있고, 이온주입 시에 웨이퍼(W)를 향하는 이온빔을 차단하지 않는 위치에 배치된다. 이온빔(B)은 웨이퍼(W)가 위치하는 범위를 넘어 x방향으로 주사되기 때문에, 이온주입 시에 있어서도 주사되는 빔의 일부가 사이드컵(40R, 40L)에 입사한다. 이로써, 이온주입처리 중의 빔전류량을 계측한다. 사이드컵(40R, 40L)의 계측값은, 제2 빔계측기(44)에 보내진다.

센터컵(42)은 웨이퍼(W)의 표면(웨이퍼처리면)에 있어서의 빔전류량이나 빔전류밀도분포를 계측하기 위한 것이다. 센터컵(42)은 가동식으로 되어 있고, 이온주입 시에는 웨이퍼위치로부터 대피되며, 웨이퍼(W)가 조사위치에 없을 때에 웨이퍼위치에 삽입된다. 센터컵(42)은 x방향으로 이동하면서 빔전류량을 계측하고, 빔주사방향의 빔전류밀도분포를 계측한다. 센터컵(42)의 계측값은, 제2 빔계측기(44)에 보내진다. 다만, 센터컵(42)은 빔주사방향의 복수의 위치에 있어서의 이온조사량을 동시에 계측 가능해지도록, 복수의 패러데이컵이 x방향으로 나열된 어레이형상으로 형성되어 있어도 된다.

주입처리실(16)에는 에너지슬릿(46)이 마련된다. 에너지슬릿(46)은 각도에너지필터(34)의 하류측에 마련되고, 각도에너지필터(34)와 함께 웨이퍼(W)에 입사하는 이온빔(B)의 에너지분석을 한다. 에너지슬릿(46)은 빔주사방향(x방향)으로 가로방향의 슬릿으로 구성되는 에너지제한슬릿(EDS; Energy Defining Slit)이다. 에너지슬릿(46)은 원하는 에너지값 또는 에너지범위의 이온빔(B)을 웨이퍼(W)를 향하여 통과시키고, 그 이외의 이온빔을 차폐한다.

주입처리실(16)에는 플라스마샤워장치(48)가 마련된다. 플라스마샤워장치(48)는 에너지슬릿(46)의 하류측에 위치한다. 플라스마샤워장치(48)는 이온빔(B)의 빔전류량에 따라 이온빔 및 웨이퍼처리면에 저에너지 전자를 공급하고, 이온주입으로 발생하는 웨이퍼처리면의 정전하의 차지업을 억제한다. 플라스마샤워장치(48)는, 예를 들면 이온빔(B)이 통과하는 샤워튜브와, 샤워튜브 내에 전자를 공급하는 플라스마발생장치를 포함한다.

주입처리실(16)에는 검사장치(60)가 마련된다. 검사장치(60)는, 도 3에 나타나는 검사위치에 배치되는 웨이퍼(W)의 위치나 방향을 검사하기 위한 장치이며, 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 외주부에 마련되는 노치나 오리엔테이션 플랫이라는 얼라인먼트마크의 위치를 광학적으로 검사한다. 검사장치(60)는 웨이퍼(W)의 화상을 취득하기 위한 촬상장치(62)와, 웨이퍼(W)를 조명하기 위한 조명장치(72)를 구비한다. 촬상장치(62) 및 조명장치(72)는, 주입처리실(16)의 밖에 마련되어 있고, 주입처리실(16)의 벽면에 마련되는 개구(16d, 16e)를 통하여 웨이퍼(W)를 검사한다. 검사장치(60)의 광축(C1, C2)은, 연직방향으로 뻗어 있고, 촬상축(C1) 및 조명축(C2)이 검사위치에 있는 웨이퍼(W)를 사이에 두고 반대측에 위치하도록 구성된다.

촬상장치(62)는, 예를 들면 CCD센서나 CMOS센서 등의 촬상소자를 구비하는 카메라이다. 촬상장치(62)는 주입처리실(16)의 상방에 마련되고, 주입처리실(16)의 상부벽(16a)에 마련되는 상부개구(16d)를 통하여 주입처리실(16)의 내부를 촬상한다. 상부개구(16d)를 막도록 하여, 촬상용 외측 창부재(64) 및 촬상용 내측 창부재(66)가 마련된다. 촬상용 외측 창부재(64)는 주입처리실(16)의 외측에 마련되고, 촬상용 내측 창부재(66)는 주입처리실(16)의 내측에 마련된다. 촬상용 창부재(64, 66)는 가시광에 대하여 투광성을 갖는 판형상부재이며, 예를 들면 유리판이나 수지판 등으로 구성되는 광학부재이다. 광학부재의 표면에 수지필름 등의 교환이 용이한 커버부재가 부가되어도 된다.

촬상용 내측 창부재(66)의 근방에는, 촬상용 차폐부재(68)가 마련된다. 촬상용 차폐부재(68)는 주입처리실(16) 내에 마련되고, 주입처리실(16)의 내부에 노출되는 촬상용 내측 창부재(66)의 노출면(66a)에 대한 오염의 부착을 방지한다. 촬상용 차폐부재(68)는, 이온빔(B)의 충돌에 의하여 오염물질의 발생원이 될 수 있는 "빔충돌개소"로부터 비래(飛來)하는 오염물질이 노출면(66a)에 직접 부착되는 것을 방해하도록 배치된다.

도 4는 주입처리실(16) 내의 빔충돌개소(82a, 82b, 82c)를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 본 실시형태에 있어서의 "빔충돌개소"란, 주입처리실(16) 내의 빔궤도 상에 배치 가능한 임의의 물체에 대응하며, 예를 들면 주입위치에 있는 웨이퍼(W)나, 플래튼구동장치(50), 빔스토퍼(38), 사이드컵(40), 센터컵(42), 에너지슬릿(46), 플라스마샤워장치(48) 등이 빔충돌개소가 될 수 있다. 도 4는 이와 같은 빔충돌개소의 예를 나타내고 있고, 에너지슬릿(46)에 있어서의 빔충돌개소(82a), 웨이퍼(W)에 있어서의 빔충돌개소(82b), 빔스토퍼(38)에 있어서의 빔충돌개소(82c)를 예시하고 있다.

촬상용 차폐부재(68)는, 이와 같은 빔충돌개소 중 적어도 하나와 촬상용 내측 창부재(66)의 노출면(66a)의 사이에 배치되고, 빔충돌개소로부터 비래하는 오염물질이 노출면(66a)에 직접 부착되는 것을 방해한다. 촬상용 차폐부재(68)는, 예를 들면 주입위치에 있는 웨이퍼(W), 플래튼구동장치(50), 센터컵(42)으로부터 비래하는 오염물질을 차폐하도록 구성된다. 촬상용 차폐부재(68)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 에너지슬릿(46)이나 웨이퍼(W)에 있어서의 빔충돌개소(82a, 82b)로부터 비래하는 오염물질을 차폐한다. 그 결과, 촬상용 차폐부재(68)의 외측면에는, 비래한 오염물질(84)이 퇴적된다. 촬상용 차폐부재(68)는, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 그래파이트(C) 등의 재료로 구성할 수 있다.

촬상용 차폐부재(68)는 촬상장치(62)에 의한 촬상을 방해하지 않도록, 촬상축(C1) 상을 피한 위치에 마련된다. 또, 촬상용 차폐부재(68)는 플래튼구동장치(50)의 동작과 간섭하지 않도록 플래튼구동장치(50)의 가동범위 외에 마련된다. 예를 들면, 도 2 및 도 3에 파선 R로 나타나는 플래튼구동장치(50)의 가동범위 내에 촬상용 차폐부재(68)가 위치하지 않도록, 촬상축(C1)을 따른 방향의 촬상용 차폐부재(68)의 길이(또는 높이)가 제한된다.

촬상용 차폐부재(68)는 통형상부재로 구성되고, 촬상장치(62)의 촬상축(C1)의 둘레를 둘러싸도록 배치된다. 도 5의 (a)-(f)는, 촬상용 차폐부재(68)의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 촬상축(C1)과 직교하는 단면을 나타내고 있다. 촬상용 차폐부재(68)는, 예를 들면 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 촬상축(C1) 둘레의 원주방향의 전체를 둘러싸도록 구성되는 완전한 원통부재로 구성된다. 촬상용 차폐부재(68)는, 원주방향의 일부를 부분적으로 둘러싸도록 구성되는 불완전한 원통형상부재여도 되고, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이 촬상축(C1)에 직교하는 단면이 C자형상으로 구성되어도 되며, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이 촬상축(C1)에 직교하는 단면이 원호형상으로 구성되어도 된다. 촬상용 차폐부재(68)는, 도 5의 (d)에 나타내는 바와 같이, 각통부재로 구성되어도 되고, 도 5의 (e), (f)에 나타내는 바와 같이, 원주방향의 일부를 부분적으로 둘러싸도록 구성되는 불완전한 각통형상부재여도 된다. 촬상용 차폐부재(68)는 평판형상의 부재여도 된다.

도 3으로 되돌아가, 조명장치(72)는 LED 등의 백색광원을 포함하고, 촬상대상이 되는 웨이퍼(W)의 얼라인먼트마크를 조명한다. 조명장치(72)는 주입처리실(16)의 하방에 마련되고, 주입처리실(16)의 바닥부벽(16b)에 마련되는 바닥부개구(16e)를 통하여 주입처리실(16)의 내부를 조명한다. 바닥부개구(16e)를 막도록 하여, 조명용 외측 창부재(74) 및 조명용 내측 창부재(76)가 마련된다. 조명용 외측 창부재(74)는 주입처리실(16)의 외측에 마련되고, 조명용 내측 창부재(76)는 주입처리실(16)의 내측에 마련된다. 조명용 창부재(74, 76)는 가시광에 대하여 투광성을 갖는 판형상부재이며, 예를 들면 유리판이나 수지판 등으로 구성되는 광학부재이다. 광학부재의 표면에 수지필름 등의 교환이 용이한 커버부재가 부가되어도 된다.

조명용 내측 창부재(76)의 근방에는, 조명용 차폐부재(78)가 마련된다. 조명용 차폐부재(78)는 주입처리실(16) 내에 마련되고, 상술한 촬상용 차폐부재(68)와 마찬가지로, 주입처리실(16)의 내부에 노출되는 조명용 내측 창부재(76)의 노출면(76a)에 대한 오염의 부착을 방지한다. 조명용 차폐부재(78)는, 상술한 "빔충돌개소" 중 적어도 하나와 조명용 내측 창부재(76)의 노출면(76a)의 사이에 배치되고, 빔충돌개소로부터 비래하는 오염물질이 노출면(76a)에 직접 부착되는 것을 방해한다. 조명용 차폐부재(78)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 빔스토퍼(38)로부터 비래하는 오염물질을 차폐하도록 구성된다. 그 결과, 조명용 차폐부재(78)의 외측면에는, 비래한 오염물질(86)이 퇴적된다. 조명용 차폐부재(78)는, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 그래파이트(C) 등의 재료로 구성할 수 있다.

조명용 차폐부재(78)는, 조명장치(72)에 의한 조명을 방해하지 않도록, 조명축(C2) 상을 피한 위치에 마련된다. 또, 조명용 차폐부재(78)는, 플래튼구동장치(50)의 동작과 간섭하지 않도록 플래튼구동장치(50)의 가동범위 외에 마련된다. 예를 들면, 도 2 및 도 3에 파선 R로 나타나는 플래튼구동장치(50)의 가동범위 내에 조명용 차폐부재(78)가 위치하지 않도록, 조명용 차폐부재(78)는 조명축(C2)에 대하여 비스듬하게 절단된 형상을 갖는다. 구체적으로는, 주입처리실(16)의 바닥부벽(16b)으로부터의 조명축(C2)을 따른 방향의 조명용 차폐부재(78)의 길이(또는 높이)는, 빔스토퍼(38)에 가까운 측(지면(紙面)의 우측)이 크고, 빔스토퍼(38)로부터 먼 측(지면의 좌측)이 작아도 된다.

조명용 차폐부재(78)는 촬상용 차폐부재(68)와 마찬가지로, 통형상부재로 구성되고, 조명장치(72)의 조명축(C2)의 둘레를 둘러싸도록 배치된다. 조명용 차폐부재(78)는, 도 5의 (a)-(f)에 나타나는 촬상용 차폐부재(68)와 마찬가지로, 원주방향의 전체를 둘러싸도록 구성되는 완전한 원통 또는 각통형상이어도 되고, 원주방향의 일부를 부분적으로 둘러싸도록 구성되는 불완전한 원통형상 또는 각통형상이어도 된다. 조명용 차폐부재(78)는 그 외의 형상이어도 되고, 평판형상의 부재로 구성되어도 된다.

노출면을 갖는 광학부재(촬상용 내측 창부재(66) 및 조명용 내측 창부재(76))는, 메인터넌스 시에 용이하게 교환할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 노출면에 대한 오염의 부착을 방지하는 차폐부재(촬상용 차폐부재(68) 및 조명용 차폐부재(78))에 대해서도, 메인터넌스 시에 용이하게 교환할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.

도 3에 나타내는 웨이퍼검사 중의 상태에서는, 주입처리실(16)보다 상류측에서 이온빔(B)이 차단되어, 주입처리실(16)에 이온빔(B)이 조사되지 않도록 제어된다. 이온빔(B)은, 예를 들면 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 빔계측기(24)의 패러데이컵(24b)에 의하여 차단된다. 이온빔(B)의 차단은 제1 빔계측기(24) 이외의 장소에서 이루어져도 된다. 예를 들면, 빔주사기(26)의 통상의 스캔범위로부터 일탈되도록 크게 빔을 편향시키고, 그 편향방향을 고정함으로써, 이온빔(B)을 빔라인장치(14)의 도중에서 차단해도 된다. 웨이퍼검사 시에 빔라인장치(14)가 이온빔(B)을 도중에서 차단함으로써, 웨이퍼검사 중에 주입처리실(16) 내에서 새로운 오염물질이 발생하여, 창부재의 노출면(66a, 76a)에 오염이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

계속해서, 이온주입장치(10)의 동작의 흐름을 나타낸다. 먼저, 도 3에 나타내는 바와 같이, 빔라인장치(14)의 도중에서 이온빔(B)이 차단된 상태에서, 웨이퍼반송장치(18)로부터 주입처리실(16)로 미처리 웨이퍼(W)가 반입된다. 미처리 웨이퍼(W)는, 검사위치에 배치되고, 검사장치(60)에 의하여 광학적으로 검사된다. 미처리 웨이퍼(W)의 검사결과에 근거하여, 왕복운동기구(54)의 Y방향의 왕복운동위치가 조정되고, 트위스트각 조정기구(56)에 의한 웨이퍼(W)의 회전각이 조정될 수 있다. 계속해서, 틸트각 조정기구(58)에 의하여 플래튼구동장치(50)를 회전시켜, 도 2에 나타내는 바와 같이, 미처리 웨이퍼(W)가 주입위치에 배치된다. 그 후, 이온빔(B)의 차단이 해제되고, 소정의 주입레시피에 따라 웨이퍼(W)에 대한 이온주입처리가 실행된다. 주입처리의 종료후, 빔라인장치(14)의 도중에서 이온빔(B)이 차단된다. 처리완료 웨이퍼(W)는, 도 2에 나타내는 주입위치로부터 도 3에 나타내는 검사위치로 되돌아가, 주입처리실(16)로부터 웨이퍼반송장치(18)로 반출된다.

본 실시형태에 의하면, 검사장치(60)를 이용하여 주입처리실(16) 내에서의 웨이퍼(W)의 위치를 검사한 후에 주입처리가 이루어지기 때문에, 주입처리의 위치정밀도를 높일 수 있다. 또, 검사장치(60)의 광축(C1, C2) 상에 배치되는 광학부재 중, 주입처리실(16) 내에 노출되는 노출면(66a, 76a)을 갖는 광학부재(촬상용 내측 창부재(66) 및 조명용 내측 창부재(76))에 대하여 차폐부재(촬상용 차폐부재(68) 및 조명용 차폐부재(78))가 마련되기 때문에, 광학부재의 노출면(66a, 76a)의 오염의 부착을 방지할 수 있다. 이로써, 이온주입장치(10)의 장기 운전에 따라 광학부재의 노출면(66a, 76a)에 오염이 축적되는 양 및 속도를 저감시킬 수 있고, 오염의 부착에 의한 검사정밀도의 저하를 적합하게 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 주입처리실(16) 내에서의 웨이퍼검사공정의 장기 신뢰성을 높일 수 있다. 또, 본 실시형태에 의하면, 오염제거를 위한 메인터넌스빈도를 낮출 수 있어, 이온주입장치(10)의 생산성을 높일 수 있다.

본 실시형태에 의하면, 차폐부재(촬상용 차폐부재(68) 및 조명용 차폐부재(78))는, 오염물질의 발생원이 되는 빔충돌개소(82a, 82b, 82c)보다, 차폐해야 할 노출면(66a, 76a)에 가까운 위치에 마련된다. 오염의 부착을 방지해야 할 노출면(66a, 76a)의 근처에 차폐부재를 마련함에 따라, 빔충돌개소가 복수 존재할 수 있는 경우이더라도, 복수의 빔충돌개소로부터 비래하는 오염물질에 대한 차폐성을 높일 수 있다. 이로써, 오염의 부착에 의한 검사정밀도의 저하를 보다 적합하게 억제할 수 있다.

이상, 본 발명을 상술한 각 실시형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명은 상술한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 각 실시형태의 구성을 적절히 조합한 것이나 치환한 것에 대해서도 본 발명에 포함되는 것이다. 또, 당업자의 지식에 근거하여 각 실시형태에 있어서의 조합이나 처리의 순번을 적절히 변경하는 것이나 각종 설계변경 등의 변형을 실시형태에 대하여 더하는 것도 가능하고, 그와 같은 변형이 더해진 실시형태도 본 발명의 범위에 포함될 수 있다.

도 6은 변형예에 관한 주입처리실(16)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 본 변형예에서는, 조명용 차폐부재(90)의 구성이 상술한 실시형태와 상이하다. 조명용 차폐부재(90)는 조명용 내측 창부재(76)의 근방이 아니라, 빔충돌개소 중 하나인 빔스토퍼(38)의 근방에 마련된다. 즉, 조명용 차폐부재(90)는, 오염의 부착을 방지해야 할 노출면(76a)보다 빔충돌개소(82c)인 빔스토퍼(38)의 근처에 마련된다.

조명용 차폐부재(90)는, 빔스토퍼(38)에 대하여 고정되어 있고, 빔스토퍼(38)를 따라 빔스캔방향(x방향)으로 뻗는다. 조명용 차폐부재(90)는 빔스캔방향(x방향)과 직교하는 단면이 L자형상이 되도록 구성되어 있고, 빔스토퍼(38)로부터 연직하방으로 뻗은 후, 빔스토퍼(38)의 표면과 직교하는 방향으로 돌출되어 뻗도록 구성된다. 이로써, 조명용 차폐부재(90)는, 빔스토퍼(38)와 조명용 내측 창부재(76)의 노출면(76a)의 사이의 위치에 배치되고, 또한 조명축(C2) 상을 피한 위치에 배치된다.

본 변형예에 의하면, 빔스토퍼(38)에 있어서의 빔충돌개소(82c)로부터 비래하는 오염물질 중 적어도 일부(오염물질(86a))를 조명용 차폐부재(90)에 의하여 차단할 수 있다. 다만, 빔스토퍼(38)에 있어서의 빔충돌개소(82c)로부터 비래하는 오염물질의 다른 일부(오염물질(86b))는, 조명용 차폐부재(90)에 의하여 차폐되지 않지만, 도 6에 나타내는 바와 같이, 조명용 내측 창부재(76)를 넘은 위치에 부착된다. 따라서, 본 변형예에 있어서도 상술한 실시형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다.

도 7은 다른 변형예에 관한 주입처리실(16)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 본 변형예에서는, 검사장치(160)가 구비하는 촬상장치(162)가 주입처리실(16)의 측방에 마련되는 점에서 상술한 실시형태와 상이하다. 촬상장치(162)는, 주입처리실(16)의 측벽(16c)의 상방에 마련되는 측방개구(16f)를 통하여, 촬상축(C1)의 도중에서 마련되는 광로변경미러(165)를 통하여 주입처리실(16)의 내부를 촬상한다. 측방개구(16f)는 촬상용 외측 창부재(164)에 의하여 막혀 있다. 광로변경미러(165)는 주입처리실(16) 내에 마련되는 케이스(169)의 내부에 수용되어 있다. 광로변경미러(165)에 의하여 반사되고 연직하방으로 뻗는 촬상축(C1) 상에는, 노출면(166a)을 갖는 촬상용 내측 창부재(166)가 마련된다. 촬상용 내측 창부재(166)의 둘레에는, 촬상용 차폐부재(168)가 마련된다. 본 변형예에 있어서도, 상술한 실시형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다.

도 8은 또 다른 변형예에 관한 주입처리실(16)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 본 변형예에서는, 검사장치(260)가 구비하는 촬상장치(262)가 주입처리실(16)의 측방에 마련되고, 조명장치(272)가 주입처리실(16)의 상방에 마련되는 점에서 상술한 실시형태와 상이하다.

촬상장치(262)의 배치는, 도 7의 변형예에 관한 촬상장치(162)와 동일하다. 촬상장치(262)는, 주입처리실(16)의 측벽(16c)의 상방에 마련되는 측방개구(16f)를 통하여, 광축(C)의 도중에서 마련되는 하프미러(265)를 통하여 주입처리실(16)의 내부를 촬상한다. 측방개구(16f)는, 촬상용 외측 창부재(264)에 의하여 막혀 있고, 하프미러(265)는 케이스(269)의 내부에 수용되어 있다.

조명장치(272)의 배치는, 상술한 실시형태에 관한 촬상장치(62)와 동일하다. 조명장치(272)는, 주입처리실(16)의 상부벽(16a)에 마련되는 상부개구(16d)를 통하여, 광축(C)의 도중에서 마련되는 하프미러(265)를 통하여 주입처리실(16)의 내부를 조명한다.

하프미러(265)의 하방에는, 케이스(269)의 개구를 막도록 내측 창부재(266)가 마련된다. 내측 창부재(266)는, 주입처리실(16)의 내부에 노출되는 노출면(266a)을 갖는다. 내측 창부재(266)의 둘레에는, 차폐부재(268)가 마련된다.

본 변형예에 있어서도, 상술한 실시형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 또, 본 변형예에서는, 촬상용 및 조명용 광축(C)이 공통되어 있기 때문에, 주입처리실(16) 내에 노출되는 노출면(266a)을 갖는 광학부재를 하나로 할 수 있다. 따라서, 오염의 축적에 의하여 메인터넌스가 필요한 경우이더라도, 하나의 광학부재(내측 창부재(266))만을 교환하면 되기 때문에, 메인터넌스의 번거로움을 저감시킬 수 있다.

상술한 실시형태 및 변형예에서는, 검사장치의 광축 상에 배치되는 광학부재의 노출면이 주입처리실(16) 내에 상시 노출되는 구성에 대하여 나타냈다. 추가적인 변형예에서는, 광학부재의 노출면을 일시적으로 커버할 수 있는 가동부재가 더 마련되어도 된다. 이 가동부재는, 주입위치에 있는 웨이퍼(W)에 이온빔(B)을 조사할 때, 검사장치의 광축과 교차하는 위치로 이동하여, 빔조사 시에 광학부재의 노출면이 주입처리실(16) 내에 노출되지 않도록 한다. 또, 이 가동부재는, 검사위치에 있는 웨이퍼(W)를 검사할 때, 검사장치의 광축과 교차하지 않는 위치로 이동하여, 광학부재의 노출면이 주입처리실(16) 내에 노출되도록 한다. 본 변형예에 의하면, 노출면을 갖는 광학부재에 대한 오염물질의 부착을 더 억제할 수 있다.

상술한 실시형태 및 변형예에서는, 오염의 부착을 방지해야 할 광학부재의 노출면의 근방 또는 빔스토퍼(38)의 근방에 차폐부재를 배치하는 경우에 대하여 나타냈다. 추가적인 변형예에서는, 오염의 부착을 방지해야 할 광학부재의 노출면보다, 상술한 주입처리실(16) 내의 빔충돌개소 중 적어도 하나에 가까운 위치에 차폐부재를 배치해도 된다. 또, 주입처리실(16) 내의 빔충돌개소가 아니라, 빔라인장치(14) 내의 빔충돌개소와의 사이에 차폐부재를 배치해도 된다. 빔라인장치(14) 내의 빔충돌개소는, 예를 들면 각도에너지필터(34)의 AEF전극(36)이어도 된다.

상술한 실시형태에서는, 검사장치가 상방에 배치되고, 조명장치가 하방에 배치되는 경우를 나타냈다. 추가적인 변형예에서는, 검사장치와 조명장치의 배치를 상하 반대로 해도 된다.

상술한 실시형태 및 변형예에서는, 웨이퍼(W)의 화상을 촬상하여 검사하는 검사장치에 대하여 설명했다. 추가적인 변형예에서는, 레이저광 등을 웨이퍼(W)에 조사하고, 웨이퍼(W)로부터의 반사광이나 산란광을 검출하여 웨이퍼(W)를 광학적으로 검사하는 검사장치 등이 이용되어도 된다.

10…이온주입장치
14…빔라인장치
16…주입처리실
50…플래튼구동장치
60…검사장치
62…촬상장치
68…촬상용 차폐부재
72…조명장치
78…조명용 차폐부재
66a, 76a…노출면
B…이온빔
C1…촬상축
C2…조명축
W…웨이퍼

Claims (10)

1. 웨이퍼에 대한 이온빔조사가 이루어지는 주입처리실과,
   상기 주입처리실 내를 소정의 빔궤도를 따라 진행하는 이온빔을 제공하는 빔라인장치와,
   상기 주입처리실 내에 노출될 수 있는 노출면을 갖는 광학부재를 통하여 상기 웨이퍼를 광학적으로 검사하는 검사장치와,
   상기 주입처리실 내의 상기 빔궤도 상에 배치 가능하기 때문에 상기 이온빔의 충돌에 의하여 오염물질의 발생원이 될 수 있는 빔충돌개소와 상기 광학부재의 상기 노출면의 사이의 위치로서, 상기 검사장치의 광축 상을 피한 위치에 마련되는 차폐부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 주입처리실 내에 마련되고, 상기 이온빔이 상기 웨이퍼에 조사되는 주입위치와 상기 검사장치에 의하여 상기 웨이퍼가 검사되는 검사위치의 사이에서 상기 웨이퍼가 이동 가능해지도록 상기 웨이퍼를 유지하는 플래튼구동장치를 더 구비하고,
   상기 차폐부재는, 상기 주입처리실에 대하여 고정되어 있으며, 상기 웨이퍼의 이동에 따른 상기 플래튼구동장치의 가동범위 외에 마련되는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
3. 제2항에 있어서,
   상기 검사장치의 광축은, 상기 빔궤도와 교차하는 방향으로 뻗어 있고, 상기 검사위치에 있는 상기 웨이퍼와 교차하며, 또한 상기 주입위치에 있는 상기 웨이퍼와 교차하지 않는 위치에 마련되는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
   상기 빔충돌개소 중 적어도 하나는, 상기 주입위치에 있는 상기 웨이퍼 또는 상기 플래튼구동장치이며,
   상기 차폐부재 중 적어도 하나는, 상기 빔충돌개소 중 적어도 하나보다 상기 노출면에 가까운 위치에 마련되는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
   상기 빔충돌개소 중 적어도 하나는, 상기 주입위치에 있는 상기 웨이퍼 또는 상기 플래튼구동장치보다 하류측에 마련되는 빔스토퍼이며,
   상기 차폐부재 중 적어도 하나는, 상기 노출면보다 상기 빔스토퍼에 가까운 위치에 마련되는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 차폐부재는, 상기 검사장치의 광축둘레의 원주방향의 전체 또는 일부를 둘러싸는 통형상부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 차폐부재는, 상기 웨이퍼에 대한 빔조사 시에 상기 검사장치의 광축과 교차하고, 상기 웨이퍼의 검사 시에 상기 검사장치의 광축과 교차하지 않도록 배치되는 가동부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 차폐부재는, 상기 주입처리실 내의 복수 개소에 마련되는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 빔라인장치는, 상기 웨이퍼의 검사 시에 상기 주입처리실보다 상류측에서 상기 이온빔을 차단시키는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사장치는, 상기 웨이퍼를 조명하는 조명장치와, 상기 웨이퍼를 촬상하는 촬상장치를 포함하고, 상기 웨이퍼를 향하는 조명축 및 상기 웨이퍼를 향하는 촬상축의 각각이 상기 웨이퍼를 사이에 두고 반대측에 위치하도록 구성되며,
    상기 차폐부재는, 상기 조명축 상에 배치되는 조명용 광학부재의 노출면과 상기 빔충돌개소의 사이에 배치되는 조명용 차폐부재와, 상기 촬상축 상에 배치되는 촬상용 광학부재의 노출면과 상기 빔충돌개소의 사이에 배치되는 촬상용 차폐부재 중 적어도 일방을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.

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