KR20190012023A - Heat sink cap of semiconductor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 일면에 설치되어 반도체 소자를 방열시키는 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a semiconductor heat dissipation cap and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor heat dissipation cap provided on one surface of a semiconductor element to dissipate heat.
전자부품의 방열장치로서 종래에는 열방지 목적으로 사용되고 있는 알루미늄 방열판을 사용하여 자기장의 형성으로 노이즈 발생율이 높고 제조 공정이 복잡하고 고가이며 정확성이 없고 발열시 열 방출량이 적어 반도체 소자의 조기손상 및 수명단축의 원인으로 기인되고 있다.As a heat dissipation device for electronic components, it has been known to use an aluminum heat sink for the purpose of preventing heat, so that the noise generation rate is high due to the formation of a magnetic field, the manufacturing process is complicated and expensive, the accuracy is low, It is caused by shortening of the shortage.
특히, 일반적으로, 디스플레이 장치는 샤시 및 디스플레이 패널 어셈블리를 구비한다. 디스플레이 패널 어셈블리는 디스플레이 패널과, 인쇄회로기판(PCB) 그리고 상기 디스플레이 패널과 상기 인쇄회로기판(PCB)을 연결하여 상기 인쇄회로기판으로부터 상기 디스플레이 패널에 구동 신호를 제공하는 테이프 패키지를 구비한다.In particular, in general, the display device comprises a chassis and a display panel assembly. The display panel assembly includes a display panel, a printed circuit board (PCB), and a tape package that connects the display panel and the printed circuit board (PCB) to provide a driving signal to the display panel from the printed circuit board.
고해상도의 TV 또는 모니터로 사용되는 디스플레이 장치는 구동 주파수가 60hz 에서 120Hz 로 증가하고, 채널수 및 해상도가 증가하며, 또한 패널 사이즈도 40인치 이상으로 증가하게 되었다. 이에 따라 테이프 패키지에 장착되는 구동 드라이버 IC 의 구동 로드가 증가하였다. 이로 인하여 구동 드라이버 IC 로부터 방출되는 열이 심각한 문제로 대두되었다.A display device used as a high-resolution TV or monitor increases the driving frequency from 60 Hz to 120 Hz, increases the number of channels and resolution, and increases the panel size to more than 40 inches. As a result, the driving rod of the driving driver IC mounted on the tape package has increased. As a result, heat emitted from the driver IC becomes a serious problem.
이러한 방열요구를 만족하기 위하여 금속을 주 방열재료로 사용하는 쉬트형 방열 테이프가 사용되어져 왔으나, 금속박편의 높은 열전도성에 비하여 접착층의 낮은 열전도성으로 효과적인 방열이 어려우며, 다층구조를 가짐에 따라 그 두께가 두꺼워져, 스마트폰이나 노트북, 유기발광다이오드 티브이(LED TV) 등의 박층화에 문제로 제기되고 있었다.In order to satisfy such heat dissipation requirement, a sheet type heat-radiating tape using a metal as a main heat-dissipating material has been used. However, it is difficult to effectively dissipate heat due to the low thermal conductivity of the adhesive layer as compared with the high thermal conductivity of the metal foil piece. It has become a problem in thinning of smart phones, notebook computers, and organic light emitting diode TVs (LED TVs).
또한, 스마트폰이나 유기발광다이오드 및 TV 등에 많이 사용되고 있는 일반적인 시트형 방열테이프는 반도체 소자의 일면에만 접촉되되므로, 방열테이프의 설치는 용이하지만 방열성능이 저하되는 문제점이 있었다.In addition, a general sheet-type heat-radiating tape, which is widely used in smart phones, organic light emitting diodes and TVs, is in contact with only one surface of a semiconductor device, so that it is easy to install the heat-radiating tape, but heat radiation performance is deteriorated.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 반도체 소자와 캡부의 상부 둘레 사이의 접촉에 의해 접촉면적이 증가되어 반도체 소자의 방열성능을 향상시키는 동시에 반도체 소자의 열해를 방지할 수 있는 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to improve the heat radiation performance of a semiconductor device by increasing the contact area by contact between the semiconductor device and the upper circumference of the cap part, And a method of manufacturing the same.
또한, 본 발명은 반도체 소자와 캡부 사이의 공기층으로부터 외부로 열기의 발산을 용이하게 하는 동시에 외기의 유입을 용이하게 하여 통기성을 향상시킬 수 있는 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor heat dissipation cap capable of facilitating the diffusion of heat from the air layer between the semiconductor element and the cap portion to the outside while facilitating the inflow of outside air and improving the air permeability, The purpose.
또한, 본 발명은 반도체 소자와 주변부 및 캡부 사이의 접촉을 용이하게 하는 동시에 반도체 소자로부터 외부로 열전도성을 향상시킬 수 있는 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor heat dissipation cap capable of facilitating contact between a semiconductor element and a peripheral portion and a cap portion, and improving thermal conductivity from a semiconductor element to the outside, and a manufacturing method thereof.
또한, 본 발명은 반도체 소자와 주변부 및 캡부 사이의 접촉면적을 확장시키는 동시에 접착부에 의해 접촉력을 향상시킬 수 있는 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor heat dissipation cap and a method of manufacturing the same that can increase the contact area between the semiconductor element, the peripheral portion, and the cap portion and improve the contact force by the adhesive portion.
또한, 본 발명은 캡부의 성형성을 향상시키는 동시에 박막 금속시트의 투입 및 탈거를 용이하게 할 수 있는 반도체의 방열캡 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a semiconductor heat radiation cap capable of improving moldability of a cap portion and facilitating insertion and removal of a thin metal sheet, and a method of manufacturing the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 소자의 일면에 접촉되어 방열시키는 주변부(10); 상기 주변부(10)의 일면에 반도체 소자의 외곽부위와 접촉되도록 절곡 형성된 캡부(20); 및 반도체 소자에 접촉하는 상기 주변부(10) 및 상기 캡부(20)의 접촉부위에 도포되어, 반도체 소자와의 접촉력을 제공하는 접착부(30);를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a peripheral portion that contacts and radiates heat on one surface of a semiconductor device; A
또한, 본 발명은 상기 캡부(20)의 접촉부위에 절취 형성된 절취부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 절취부(40)는, 상기 캡부(20)의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 절취 형성된 슬릿으로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.Further, the present invention is characterized in that the present invention further comprises a cut-out portion (40) cut out at a contact portion of the cap portion (20). The cut-out
본 발명의 상기 주변부(10)와 상기 캡부(20)는, 박막 금속시트로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 반도체 소자는, 디스플레이 구동칩(DDI; Display Driver IC)과, 여기에 연결되는 도선이 배치된 도선필름으로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.The
본 발명은 반도체의 방열캡의 제조방법으로서, 반도체의 방열용 박막 금속시트를 반도체 소자를 커버링하는 사이즈로 절단하는 단계; 상기 절단된 박막 금속시트에 반도체 소자를 캡핑하도록 박막 금속시트의 주변부의 중앙부위에 캡부를 성형하는 단계; 상기 갭부에서 상기 반도체 소자와의 접촉부위에 절취부를 절취하는 단계; 상기 주변부와 상기 캡부의 하부에 접착부를 도포하는 단계; 및 상기 주변부와 상기 캡부를 이형지의 상부에 접착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing a heat radiation cap of a semiconductor, comprising the steps of: cutting a thin metal sheet for heat radiation of a semiconductor into a size for covering a semiconductor element; Forming a cap portion at a central portion of the periphery of the thin metal sheet to cap the semiconductor element on the cut thin metal sheet; Cutting the cut portion at the contact portion with the semiconductor element in the gap portion; Applying a bonding portion to the peripheral portion and a lower portion of the cap portion; And bonding the peripheral portion and the cap portion to an upper portion of the release paper.
본 발명의 상기 성형단계는, 상기 반도체 소자의 형상으로 돌출 형성된 하부금형과 상기 반도체 소자의 형상으로 함몰 형성된 상부금형 사이에서 박막 금속시트를 흡착해서 성형하는 것을 특징으로 한다.The forming step of the present invention is characterized in that a thin metal sheet is adsorbed and formed between a lower mold protruding in the shape of the semiconductor element and an upper mold formed by recessing in the shape of the semiconductor element.
본 발명의 상기 절취단계는, 상기 캡부의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 복수개의 슬릿을 절취하는 것을 특징으로 한다.The cutting step of the present invention is characterized in that a plurality of slits are cut out at regular intervals in the longitudinal direction along the bending portion of the cap portion.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 반도체 소자의 상부에 동일한 형상의 갭부를 접촉시켜 반도체 소자의 열기를 방열시킴으로써, 반도체 소자와 캡부의 상부 둘레 사이의 접촉에 의해 접촉면적이 증가되어 반도체 소자의 방열성능을 향상시키는 동시에 반도체 소자의 열해를 방지할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, a gap of the same shape is brought into contact with an upper portion of a semiconductor element to dissipate heat of the semiconductor element, so that the contact area is increased by the contact between the semiconductor element and the upper circumference of the cap portion, It is possible to improve the performance and to prevent the deterioration of the semiconductor device.
또한, 캡부의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 절취 형성된 복수의 슬릿으로 이루어진 절취부를 형성함으로써, 반도체 소자와 캡부 사이의 공기층으로부터 외부로 열기의 발산을 용이하게 하는 동시에 외기의 유입을 용이하게 하여 통기성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, by forming the cut-out portion formed of a plurality of slits formed at equal intervals in the lengthwise direction along the bent portion of the cap portion, it is possible to facilitate the diffusion of the heat from the air layer between the semiconductor element and the cap portion to the outside, Thereby providing an effect of improving air permeability.
또한, 주변부와 캡부가 박막 금속시트로 이루어짐으로써, 반도체 소자와 주변부 및 캡부 사이의 접촉을 용이하게 하는 동시에 반도체 소자로부터 외부로 열전도성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, since the peripheral portion and the cap portion are made of the thin metal sheet, the contact between the semiconductor element and the peripheral portion and the cap portion can be facilitated, and the thermal conductivity can be improved from the semiconductor element to the outside.
또한, 반도체 소자로서 디스플레이 구동칩과 도선필름을 구비함으로써, 반도체 소자와 주변부 및 캡부 사이의 접촉면적을 확장시키는 동시에 접착부에 의해 접촉력을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, by providing the display drive chip and the lead film as semiconductor elements, it is possible to expand the contact area between the semiconductor element and the peripheral portion and the cap portion, and to improve the contact force by the adhesive portion.
또한, 하부금형과 상부금형에 박막 금속시트를 흡착시켜 캡부를 성형함으로써, 캡부의 성형성을 향상시키는 동시에 박막 금속시트의 투입 및 탈거를 용이하게 할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by forming the cap portion by sucking the thin metal sheet to the lower mold and the upper mold, the moldability of the cap portion can be improved and the thin metal sheet can be easily inserted and removed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡을 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡을 나타내는 분해도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡의 제조방법을 나타내는 블럭도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡의 제조방법에 사용되는 제조장치를 나타내는 구성도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor heat radiation cap according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is an exploded view showing a heat radiation cap of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
3 is a block diagram showing a method of manufacturing a semiconductor heat radiation cap according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing a manufacturing apparatus used in a method of manufacturing a semiconductor heat radiation cap according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡을 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡을 나타내는 분해도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡의 제조방법을 나타내는 블럭도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체의 방열캡의 제조방법에 사용되는 제조장치를 나타내는 구성도이다.2 is an exploded view showing a heat radiation cap of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of an embodiment of the present invention FIG. 4 is a block diagram showing a manufacturing apparatus used in a method of manufacturing a semiconductor heat radiation cap according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 반도체의 방열캡은, 주변부(10), 갭부(20), 접착부(30) 및 절취부(40)를 포함하여 이루어져, 반도체 소자의 상부에 설치되어 반토체 소자의 열기를 외부로 방열시키는 반도체의 방열캡이다.1 and 2, the semiconductor heat radiation cap according to the present embodiment includes a
이러한 반도체 소자로는, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등의 디스플레이를 구성하는 수많은 화소들의 구동시 사용되는 디스플레이 구동칩(110, DDI; Display Driver IC)과, 여기에 연결되는 도선이 배치된 도선필름(120)으로 이루어져 있는 것이 바람직하다.Such a semiconductor device includes a display driver IC 110 (Display Driver IC) used for driving a large number of pixels constituting a display such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP) And a
주변부(10)는, 반도체 소자의 일면에 접촉되어 방열시키는 방열부재로서, 반도체 소자의 도선필름(120)에 접촉되도록 평판형상으로 형성된 박막 금속시트 또는 박막 금속테이프, 방열필름 등과 같은 방열부재로 이루어져 있는 것이 가능함은 물론이다.The
갭부(20)는, 주변부(10)의 일면에 반도체 소자의 외곽부위와 접촉되도록 절곡 형성된 방열부재로서, 반도체 소자의 디스플레이 구동칩(110)의 외곽에 접촉되도록 직사각형의 캡형상으로 절곡 형성된 박막 금속시트 또는 박막 금속테이프, 방열필름 등과 같은 방열부재로 이루어져 있는 것이 가능함은 물론이다.The
이러한 캡부(20)는, 반도체 소자의 전후면, 좌우면, 상면 등과 같이 5개 면에서 접촉되어, 반도체 소자와의 접촉면적을 증가시켜 열기의 방출량을 증가시킬 수 있게 된다.The
특히, 갭부(20)는 반도체 소자의 디스플레이 구동칩(110)의 외곽에 억지끼움에 의해 끼워맞춤되어 접촉되도록 사각형의 캡형상으로 형성되되 하단부위가 내향으로 좁아지게 형성되어, 반도체 소자의 상부에 척킹되는 것도 가능함은 물론이다.Particularly, the
접착부(30)는, 반도체 소자에 접촉하는 주변부(10) 및 캡부(20)의 접촉부위에 도포되어 반도체 소자와의 접촉력을 제공하는 접착층으로서, 방열수지, 에폭시수지, 아크릴 또는 실리콘 등과 같은 접착부재로 이루어져 있는 것이 가능함은 물론이다.The
절취부(40)는, 캡부(20)의 절곡부위에 절취 형성된 절취홈으로서, 캡부(20)의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 절취 형성된 복수개의 제1 슬릿(41)과 제2 슬릿(42)으로 이루어져 있다.The
제1 슬릿(41)은 캡부(20)의 상단 절곡부위에 길이방향으로 절취 형성되어 있고, 제2 슬릿(42)은 캡부(20)의 하단 절곡부위에 길이방향으로 절취 형성되어 있다.The
또한, 절취부(40)는, 캡부(20)의 측면 절곡부위에 절취 형성된 측단 슬릿이나, 캡부(20)의 상면부위에 절취 형성된 상면 슬릿이나, 캡부(20)의 측면부위에 절취 형성된 측면 슬릿을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.The
이러한 슬릿에 의해 반도체 소자의 작동시 발열된 열기를 반도체 소자와 캡부(20) 사이의 공기층으로부터 외부로 배출시키는 동시에, 외부로부터 반도체 소자와 캡부(20) 사이의 공기층의 내부로 외기의 유입을 허용하여 반도체 소자의 방열효율을 향상시켜 반도체 소자의 동작성능을 향상시키고 고온발열에 의한 열해를 감소시킬 수 있게 된다.The slits allow the heat generated during the operation of the semiconductor device to be discharged from the air layer between the semiconductor element and the
이하 도면을 참조해서 본 실시예의 반도체의 방열캡의 제조방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings, a manufacturing method of the semiconductor heat radiation cap of the present embodiment will be described in detail.
도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 반도체의 방열캡의 제조방법은, 절단단계(S10), 성형단계(S20), 절취단계(S30), 도포단계(S40) 및 접착단계(S50)를 포함하여 이루어져 있다.As shown in Figs. 3 and 4, the manufacturing method of the semiconductor heat radiation cap according to the present embodiment includes a cutting step S10, a molding step S20, a cutting step S30, a coating step S40, (S50).
절단단계(S10)는, 반도체의 방열용 방열부재를 반도체 소자를 커버링하도록 더 큰 사이즈로 절단하는 단계로서, 박막 금속시트 또는 박막 금속테이프, 방열필름 등과 같은 방열부재를 직사각형 바아 형상의 디스플레이 구동칩을 커버링하도록 더 큰 사이즈로 절단하게 된다.The cutting step S10 is a step of cutting the heat dissipating member for a semiconductor to a larger size so as to cover the semiconductor element and cutting the heat dissipating member such as a thin metal sheet or a thin metal tape or a heat radiating film into a rectangular bar- As shown in Fig.
성형단계(S20)는, 절단된 박막 금속시트에 반도체 소자를 캡핑하도록 박막 금속시트의 주변부(10)의 중앙부위에 캡부(20)를 성형하는 단계로서, 도 4에 나타낸 바와 같이 반도체 소자의 형상으로 돌출 형성된 하부금형(210)과 상기 반도체 소자의 형상으로 함몰 형성된 상부금형(220) 사이에서 박막 금속시트를 흡착해서 성형하게 된다.The forming step S20 is a step of molding the
하부금형(210)에는 평판형상의 하형판(211)의 중앙부위에 반도체 소자의 형상으로 돌출 형성된 돌기편(212)가 형성되어 있고, 이러한 돌기편(212)의 형상은 성형된 박막 금속시트와의 투입 및 탈거를 용이하게 하도록 상방으로 갈수록 단면이 좁게 형성되어 있는 것이 바람직하다.The
상부금형(220)에는 평판형상의 상형판(221)의 중앙부위에 반도체 소자의 형상으로 함몰 형성된 오목홈(222)이 형성되어 있고, 상형판(221)과 오목홈(222)에는 박막 금속시트를 음압 및 가압에 의해 흡착 및 탈거하도록 복수개의 흡착홀(223)이 형성되어 있다.The
또한, 이러한 오목홈(222)의 형상은, 성형된 박막 금속시트와의 흡착 및 탈거를 용이하게 하도록 상방으로 갈수록 단면이 좁게 형성되어 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the shape of the
절취단계(S30)는, 갭부(20)에서 반도체 소자와의 접촉부위에 절취부를 절취 형성하는 단계로서, 캡부(20)의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 복수개의 슬릿을 절취하는 것이 바람직하다.The cutting step S30 is a step of cutting the cut portion at the contact portion with the semiconductor element in the
도포단계(S40)는, 주변부(10)와 캡부(20)의 하부에 접착부(30)를 도포하는 단계로서, 주변부(10)와 캡부(20)가 성형된 박막 금속시트의 하부에 방열수지, 에폭시수지, 아크릴 또는 실리콘 등과 같은 접착부재를 도포하여 접착층을 형성하여 반도체 소자와의 접촉력을 향상시키게 된다.The application step S40 is a step of applying the
접착단계(S50)는, 주변부(10)와 캡부(20)를 이형지의 상부에 접착시키는 단계로서, 주변부(10)와 캡부(20)가 성형된 박막 금속시트에 접착층을 형성하여 반도체 소자와 접촉작업을 진행하기 전에 준비작업으로 띠형상의 이형지에 복수개를 이격한 상태로 미리 접착시켜 준비하게 된다.The bonding step S50 is a step of bonding the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 소자의 상부에 동일한 형상의 갭부를 접촉시켜 반도체 소자의 열기를 방열시킴으로써, 반도체 소자와 캡부의 상부 둘레 사이의 접촉에 의해 접촉면적이 증가되어 반도체 소자의 방열성능을 향상시키는 동시에 반도체 소자의 열해를 방지할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, since the gap of the same shape is brought into contact with the top of the semiconductor element to dissipate the heat of the semiconductor element, the contact area is increased by the contact between the semiconductor element and the upper circumference of the cap portion, It is possible to improve the performance and to prevent the deterioration of the semiconductor device.
또한, 캡부의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 절취 형성된 복수의 슬릿으로 이루어진 절취부를 형성함으로써, 반도체 소자와 캡부 사이의 공기층으로부터 외부로 열기의 발산을 용이하게 하는 동시에 외기의 유입을 용이하게 하여 통기성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, by forming the cut-out portion formed of a plurality of slits formed at equal intervals in the lengthwise direction along the bent portion of the cap portion, it is possible to facilitate the diffusion of the heat from the air layer between the semiconductor element and the cap portion to the outside, Thereby providing an effect of improving air permeability.
또한, 주변부와 캡부가 박막 금속시트로 이루어짐으로써, 반도체 소자와 주변부 및 캡부 사이의 접촉을 용이하게 하는 동시에 반도체 소자로부터 외부로 열전도성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, since the peripheral portion and the cap portion are made of the thin metal sheet, the contact between the semiconductor element and the peripheral portion and the cap portion can be facilitated, and the thermal conductivity can be improved from the semiconductor element to the outside.
또한, 반도체 소자로서 디스플레이 구동칩과 도선필름을 구비함으로써, 반도체 소자와 주변부 및 캡부 사이의 접촉면적을 확장시키는 동시에 접착부에 의해 접촉력을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, by providing the display drive chip and the lead film as semiconductor elements, it is possible to expand the contact area between the semiconductor element and the peripheral portion and the cap portion, and to improve the contact force by the adhesive portion.
또한, 하부금형과 상부금형에 박막 금속시트를 흡착시켜 캡부를 성형함으로써, 캡부의 성형성을 향상시키는 동시에 박막 금속시트의 투입 및 탈거를 용이하게 할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by forming the cap portion by sucking the thin metal sheet to the lower mold and the upper mold, the moldability of the cap portion can be improved and the thin metal sheet can be easily inserted and removed.
이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, the above embodiments are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting.
10: 주변부
20: 갭부
30: 접착부
40: 절취부10: peripheral portion 20: gap portion
30: Adhesive part 40:
Claims (8)
상기 주변부(10)의 일면에 반도체 소자의 외곽부위와 접촉되도록 절곡 형성된 캡부(20); 및
반도체 소자에 접촉하는 상기 주변부(10) 및 상기 캡부(20)의 접촉부위에 도포되어, 반도체 소자와의 접촉력을 제공하는 접착부(30);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.A peripheral portion (10) for contacting and radiating heat on one surface of the semiconductor element;
A cap portion 20 bent on one surface of the peripheral portion 10 to be in contact with an outer portion of the semiconductor device; And
And a bonding portion (30) applied to a contact portion of the peripheral portion (10) and the cap portion (20) in contact with the semiconductor element and providing a contact force with the semiconductor element.
상기 캡부(20)의 절곡부위에 절취 형성된 절취부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.The method according to claim 1,
And a cutout portion (40) formed at a bent portion of the cap portion (20).
상기 절취부(40)는, 상기 캡부(20)의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 절취 형성된 슬릿으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.3. The method of claim 2,
Wherein the cutout part (40) is formed as a slit cut out at equal intervals in the longitudinal direction along the bent part of the cap part (20).
상기 주변부(10)와 상기 캡부(20)는, 박막 금속시트로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.1 < / RTI >
Wherein the peripheral portion (10) and the cap portion (20) are formed of a thin metal sheet.
상기 반도체 소자는, 디스플레이 구동칩(DDI; Display Driver IC)과, 여기에 연결되는 도선이 배치된 도선필름으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor device comprises a display driver IC (DDI) and a conductive film on which conductors are connected.
반도체의 방열용 박막 금속시트를 반도체 소자를 커버링하는 사이즈로 절단하는 단계;
상기 절단된 박막 금속시트에 반도체 소자를 캡핑하도록 박막 금속시트의 주변부의 중앙부위에 캡부를 성형하는 단계;
상기 갭부에서 상기 반도체 소자와의 접촉부위에 절취부를 절취하는 단계;
상기 주변부와 상기 캡부의 하부에 접착부를 도포하는 단계; 및
상기 주변부와 상기 캡부를 이형지의 상부에 접착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor heat sink cap,
Cutting a thin metal sheet for heat radiation of a semiconductor into a size for covering a semiconductor element;
Forming a cap portion at a central portion of the periphery of the thin metal sheet to cap the semiconductor element on the cut thin metal sheet;
Cutting the cut portion at the contact portion with the semiconductor element in the gap portion;
Applying a bonding portion to the peripheral portion and a lower portion of the cap portion; And
And bonding the peripheral portion and the cap portion to an upper portion of the release paper.
상기 성형단계는, 상기 반도체 소자의 형상으로 돌출 형성된 하부금형과 상기 반도체 소자의 형상으로 함몰 형성된 상부금형 사이에서 박막 금속시트를 흡착해서 성형하는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.The method according to claim 6,
Wherein the forming step is performed by sucking the thin metal sheet between the lower mold protruding in the shape of the semiconductor element and the upper mold being recessed in the shape of the semiconductor element.
상기 절취단계는, 상기 캡부의 절곡부위를 따라 길이방향 등간격으로 복수개의 슬릿을 절취하는 것을 특징으로 하는 반도체의 방열캡.The method according to claim 6,
Wherein the cutting step comprises cutting a plurality of slits longitudinally spaced apart along a bending portion of the cap portion.
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