JP2006269078A - Led light source module - Google Patents

Led light source module Download PDF

Info

Publication number
JP2006269078A
JP2006269078A JP2005080833A JP2005080833A JP2006269078A JP 2006269078 A JP2006269078 A JP 2006269078A JP 2005080833 A JP2005080833 A JP 2005080833A JP 2005080833 A JP2005080833 A JP 2005080833A JP 2006269078 A JP2006269078 A JP 2006269078A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
source module
led light
led
metal wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005080833A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kimihiko Sudo
公彦 須藤
Norio Nakazato
典生 中里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Lighting Ltd
Original Assignee
Hitachi Lighting Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Lighting Ltd filed Critical Hitachi Lighting Ltd
Priority to JP2005080833A priority Critical patent/JP2006269078A/en
Publication of JP2006269078A publication Critical patent/JP2006269078A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED light source module capable of effectively radiate heat generated by an LED chip to a secondary cooling system. <P>SOLUTION: In this LED light source module structure wherein a silicon submount mounting the LED chip is directly arranged on a base metal of a metal wiring substrate to realize a mounting structure with low thermal resistance, the LED chip, the silicon submount and the metal wiring substrate are arranged as prescribed for effectively diffusing the heat generated by the LED chip to a metal wiring substrate side to realize high heat dissipation effect. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、LEDチップを複数用いたLED光源モジュールの構造に関するものである。 The present invention relates to a structure of an LED light source module using a plurality of LED chips.

一般に、携帯電話や携帯情報端末機等に用いられる小型液晶ディスプレイのバックライト光源には、低出力タイプのLEDチップが用いられている。一方、テレビやパソコン等に用いられる大型液晶ディスプレイ用のバックライト光源には、高い光出力が得られる冷陰極管が使用されている。ところが近年、1W程度の電力を投入することが可能な高出力タイプのLEDチップの実用化に伴い、これらを用いた大型液晶ディスプレイでの利用が可能な液晶バックライト用LED光源モジュールの開発が行われている。
通常、バックライト光源に用いるLED光源モジュールには、長尺の配線基板上に赤、青、緑の3原色のLEDチップを、長手方向へ等間隔に配置した構造からなるLED光源が用いられる(例えば、特許文献1)。このようなLED光源から得られる白色光を導光板へ導入し、面発光をさせることによって液晶ディスプレイ用のバックライトとして機能させる。また、赤、青、緑のLEDチップを1組としてサブマウント上に配列し、更に、長尺の配線基板の長手方向に平行にこのサブマウントを配置した構造からなるLED光源モジュールが用いられることもある(例えば、特許文献2)。
Generally, a low output type LED chip is used as a backlight light source of a small liquid crystal display used in a mobile phone, a portable information terminal, or the like. On the other hand, a cold cathode tube capable of obtaining a high light output is used as a backlight light source for a large-sized liquid crystal display used in a television or a personal computer. However, in recent years, along with the practical application of high-power type LED chips capable of supplying about 1 W of power, the development of LED light source modules for liquid crystal backlights that can be used in large-sized liquid crystal displays using them has been carried out. It has been broken.
In general, an LED light source module used for a backlight light source uses an LED light source having a structure in which LED chips of three primary colors of red, blue, and green are arranged at equal intervals in a longitudinal direction on a long wiring board ( For example, Patent Document 1). White light obtained from such an LED light source is introduced into a light guide plate to cause surface emission, thereby functioning as a backlight for a liquid crystal display. Also, an LED light source module having a structure in which red, blue, and green LED chips are arranged as a set on a submount and the submount is arranged in parallel to the longitudinal direction of a long wiring board is used. (For example, Patent Document 2).

特開平6−178048JP-A-6-178048 特開平8−116401JP-A-8-116401

通常、LEDバックライトを大型液晶ディスプレイに適用するためには、高い光出力が必要とされる。そのため、LEDチップへの投入電力が増加し、LEDチップからの発熱量が多くなる。LEDチップの信頼性を確保するためには、発生した熱を効果的に放熱させる光源モジュール構造が必要となる。
そこで本発明は、高い光出力を得ると共に、LEDチップからの発熱を効果的に放熱させることが可能なモジュール構造を提供することを課題とする。
Usually, in order to apply an LED backlight to a large liquid crystal display, a high light output is required. Therefore, the input power to the LED chip increases and the amount of heat generated from the LED chip increases. In order to ensure the reliability of the LED chip, a light source module structure that effectively dissipates the generated heat is required.
Therefore, an object of the present invention is to provide a module structure capable of obtaining a high light output and effectively dissipating heat generated from the LED chip.

複数のLEDチップをサブマウント上に直列配列させた際の発熱密度は、配列の短辺方向に比べ、長手方向の方がLEDチップが隣合っているために高くなる。そこで、本発明では、LEDチップからの熱を効果的に放熱させるために、赤、青、緑のLEDチップを一列に搭載したシリコン製サブマウントを、LEDチップの配列方向が金属配線基板の長手方向に対して直交配列とすることによって、金属配線基板の長手方向へ放熱させることを特徴とする。更に、LEDチップからの熱を金属配線基板の垂直方向へ効果的に放熱させるために、シリコン製サブマウントを金属配線基板上に形成した凹部に直接搭載したことを特徴とする。 The heat generation density when a plurality of LED chips are arranged in series on the submount is higher because the LED chips are adjacent to each other in the longitudinal direction than in the short side direction of the arrangement. Therefore, in the present invention, in order to effectively dissipate heat from the LED chips, a silicon submount in which red, blue and green LED chips are mounted in a row is used, and the arrangement direction of the LED chips is the longitudinal direction of the metal wiring board. It is characterized in that heat is radiated in the longitudinal direction of the metal wiring board by making the arrangement orthogonal to the direction. Further, in order to effectively dissipate heat from the LED chip in the vertical direction of the metal wiring board, a silicon submount is directly mounted in a recess formed on the metal wiring board.

本発明により、LED光源モジュールを効果的に放熱することが可能となり、高い光出力を得ることが可能なLED光源モジュールを得ることができる。 According to the present invention, it is possible to effectively dissipate the LED light source module, and an LED light source module capable of obtaining a high light output can be obtained.

本発明では、サブマウントの材料として、熱伝導率が高く、微細配線形成が可能であり、更に、大量生産による低コスト化が可能なシリコンを用いる。また、複数のシリコン製サブマウントを配置し、電気的に相互に接続するために用いられる配線基板には、大型液晶ディスプレイの短部の長さに合わせるために長尺化が可能であり、更に、高い放熱効果を有した材料を用いるのが好ましい。そこで本発明では、機械的強度及び熱伝導率の高い、金属を配線基板とした。以下に、本発明の実施形態について添付図面に従って説明する。 In the present invention, as the material for the submount, silicon having high thermal conductivity, capable of forming fine wiring, and capable of reducing the cost by mass production is used. In addition, the wiring substrate used for arranging and electrically connecting a plurality of silicon submounts can be elongated to match the length of the short part of the large liquid crystal display. It is preferable to use a material having a high heat dissipation effect. Therefore, in the present invention, a metal having high mechanical strength and high thermal conductivity is used as the wiring board. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

図1に本発明のLED光源モジュール4の断面図を示す。複数のLEDチップ3を実装したシリコン製サブマウント2を、長尺の金属配線基板1の長手方向に複数配置した構造からなる。ここで、各シリコン製サブマウント2上には、赤、青、緑の3原色のLEDチップを実装し、これらを混色することによって白色光が得られるようになっている。図2に、4個のLEDチップ3をシリコン製サブマウント2上に一列に実装したシリコン製サブマウントの平面図を示す。各色のLEDチップ3の個数は、ホワイトバランスを揃えるため、赤を1個、青を1個、緑を2個とし、両側に緑のLEDチップを配置してある。両側に発熱量の最も多い緑のLEDチップを配置することにより、最も効率的な放熱効果が得られる。図3には、従来例を示す。一般に、LEDチップ3を一列に実装したサブマウントは、色むらを低減させるため、LEDチップ3の配列方向と金属配線基板1の長手方向が平行になるように配置される。本発明では、図4に示したように、シリコン製サブマウント2上のLEDチップ3の配列方向を、金属配線基板1の長手方向に対して直交するように配置することを特徴としている。図5に、本発明のLED光源モジュール4を用いたバックライト光源16の全体図を示す。LED光源モジュール4は、導光板14の端部に相対して配置されており、LEDから放出される光はレンズ15を通して導光板14に導かれ、液晶パネルの背面を照射する。LED光源モジュールを、図4のようなバックライト光源へ適用する場合、液晶ディスプレイの厚みを薄くするため、金属配線基板の短辺の長さは短い方が好ましい。 FIG. 1 shows a cross-sectional view of the LED light source module 4 of the present invention. It consists of a structure in which a plurality of silicon submounts 2 mounted with a plurality of LED chips 3 are arranged in the longitudinal direction of a long metal wiring board 1. Here, on each silicon submount 2, LED chips of three primary colors of red, blue, and green are mounted, and white light can be obtained by mixing these. FIG. 2 is a plan view of a silicon submount in which four LED chips 3 are mounted in a row on the silicon submount 2. The number of LED chips 3 for each color is set to one red, one blue, and two green to align the white balance, and green LED chips are arranged on both sides. The most efficient heat radiation effect can be obtained by arranging the green LED chips with the largest amount of heat generation on both sides. FIG. 3 shows a conventional example. In general, the submount in which the LED chips 3 are mounted in a row is arranged so that the arrangement direction of the LED chips 3 and the longitudinal direction of the metal wiring board 1 are parallel to reduce color unevenness. In the present invention, as shown in FIG. 4, the arrangement direction of the LED chips 3 on the silicon submount 2 is arranged so as to be orthogonal to the longitudinal direction of the metal wiring board 1. FIG. 5 shows an overall view of a backlight light source 16 using the LED light source module 4 of the present invention. The LED light source module 4 is disposed relative to the end portion of the light guide plate 14, and light emitted from the LED is guided to the light guide plate 14 through the lens 15 and irradiates the back surface of the liquid crystal panel. When the LED light source module is applied to a backlight light source as shown in FIG. 4, it is preferable that the length of the short side of the metal wiring board is short in order to reduce the thickness of the liquid crystal display.

図4に示した本発明の構造では、発熱密度の高いシリコン製サブマウントの長辺が、金属配線基板の長手方向に対して直交に配置しているため、LEDチップからの熱は金属配線基板の長手方向へ効果的に放熱される。LEDチップ3から発生した熱は、シリコン製サブマウント上でLEDチップが一列に配置されていることから、その発熱密度は、図2のAMで示したシリコン製サブマウントの短辺よりも、ANで示した長辺の方が高くなる。これは、隣合ったLEDチップからの発熱による影響を受けるためであり、LEDチップ間の間隙が狭いほど、この影響は高くなる傾向にある。よって、図3に示した従来の配置方法の場合、放熱性を確保するために、シリコン製サブマウントの長辺と金属配線基板1の長手方向の辺との間隙を充分広くすることが必要となる。一方、図4に示した本発明の場合、発熱密度が高くなるシリコン製サブマウントの長辺は、金属配線基板1の長手方向と垂直に配置されているため、シリコン製サブマウントの長辺と金属配線基板1の長手方向の辺との間隔を必要とせず、LEDチップからの発熱は金属配線基板1の長手方向に効果的に拡散される。   In the structure of the present invention shown in FIG. 4, since the long side of the silicon submount having a high heat generation density is arranged orthogonal to the longitudinal direction of the metal wiring board, the heat from the LED chip is generated by the metal wiring board. The heat is effectively dissipated in the longitudinal direction. Since the LED chips 3 are arranged in a row on the silicon submount, the heat generated from the LED chip 3 is higher than the short side of the silicon submount shown by AM in FIG. The longer side indicated by is higher. This is because it is affected by heat generated from adjacent LED chips, and this effect tends to be higher as the gap between the LED chips is narrower. Therefore, in the case of the conventional arrangement method shown in FIG. 3, it is necessary to sufficiently widen the gap between the long side of the silicon submount and the long side of the metal wiring board 1 in order to ensure heat dissipation. Become. On the other hand, in the case of the present invention shown in FIG. 4, the long side of the silicon submount that increases the heat generation density is arranged perpendicular to the longitudinal direction of the metal wiring board 1. The distance from the side in the longitudinal direction of the metal wiring board 1 is not required, and the heat generated from the LED chip is effectively diffused in the longitudinal direction of the metal wiring board 1.

本発明の詳細構造を図6を用いて説明する。
シリコン製サブマウント2は、シリコン基板10の表面に絶縁層を形成し、この上に配線層12を形成する。当該配線層12上にLEDチップ4を、半田、導電性接着剤、超音波の何れかの手法によって接合する。また、シリコン製サブマウント2の表面に形成する絶縁膜は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化アルミ膜等を用いることができる。当該シリコン製サブマウント2を、長尺の金属配線基板1の長手方向に沿って配置する。金属配線基板1は、アルミから成るベース基板5と、その上面に形成した絶縁層6及び配線層7から構成される。ここで、シリコン製サブマウント2を搭載する金属配線基板1上の領域を絶縁層6を除去した凹部8とすることにより、ベース基板5とシリコン製サブマウント2を熱抵抗の高い絶縁層6を介さずに直接搭載することによって熱抵抗を低下させることができる。なお、シリコン製サブマウント2と金属配線基板1の接続は、放熱性の高い樹脂、例えば銀ペースト9を用いて行われる。次に、金属配線基板1の配線層7と、シリコン製サブマウント2の配線層12を、ワイヤーボンディング13によって電気的に結線することによって、LED光源モジュール4が製造される。
The detailed structure of the present invention will be described with reference to FIG.
In the silicon submount 2, an insulating layer is formed on the surface of the silicon substrate 10, and a wiring layer 12 is formed thereon. The LED chip 4 is bonded onto the wiring layer 12 by any one of solder, conductive adhesive, and ultrasonic methods. The insulating film formed on the surface of the silicon submount 2 can be a silicon oxide film, a silicon nitride film, an aluminum nitride film, or the like. The silicon submount 2 is arranged along the longitudinal direction of the long metal wiring substrate 1. The metal wiring substrate 1 includes a base substrate 5 made of aluminum, and an insulating layer 6 and a wiring layer 7 formed on the upper surface thereof. Here, the region on the metal wiring substrate 1 on which the silicon submount 2 is mounted is formed as a recess 8 from which the insulating layer 6 is removed, so that the base substrate 5 and the silicon submount 2 are provided with the insulating layer 6 having a high thermal resistance. It is possible to reduce the thermal resistance by mounting directly without intervention. The connection between the silicon submount 2 and the metal wiring board 1 is performed using a resin with high heat dissipation, such as silver paste 9. Next, the LED light source module 4 is manufactured by electrically connecting the wiring layer 7 of the metal wiring board 1 and the wiring layer 12 of the silicon submount 2 by wire bonding 13.

次に、形状が正方形のシリコン製サブマウント2上に、LEDチップ3を格子状に配置した場合の実施例について説明する。図7は本実施例に用いるシリコン製サブマウントの平面図を示す。なお、正方形のシリコン製サブマウント2の一辺の長さはCとし、LEDチップの一辺の長さをA5とする。シリコン製サブマウント2の形状とLEDチップ3の配置以外のLED光源モジュール4の構造は実施例1と同様である。図7に示したように、LEDチップ3はシリコン製サブマウント2上に格子状に配置される。このような正方形のシリコン製サブマウント2を、金属配線基板1の上に搭載したLED光源モジュールの平面図を図8に、断面図を図9に示す。 Next, an embodiment in which the LED chips 3 are arranged in a grid pattern on the silicon submount 2 having a square shape will be described. FIG. 7 is a plan view of a silicon submount used in this embodiment. The length of one side of the square silicon submount 2 is C, and the length of one side of the LED chip is A5. The structure of the LED light source module 4 other than the shape of the silicon submount 2 and the arrangement of the LED chips 3 is the same as that of the first embodiment. As shown in FIG. 7, the LED chips 3 are arranged in a grid pattern on the silicon submount 2. FIG. 8 is a plan view of the LED light source module in which such a square silicon submount 2 is mounted on the metal wiring board 1, and FIG.

当該配置の場合、金属配線基板1の短手方向の長さB、金属配線基板1の厚みT、シリコン製サブマウント2の一辺の長さCを適切な関係にすることにより、効率的な放熱を実現することができる。   In the case of the arrangement, efficient heat dissipation can be achieved by appropriately setting the length B of the metal wiring board 1 in the short direction, the thickness T of the metal wiring board 1, and the length C of one side of the silicon submount 2. Can be realized.

3次元熱伝導解析により、金属配線基板1の短手方向の長さB、金属配線基板1の厚みT、シリコン製サブマウント2の一辺の長さCの関係を数値解析した。ここで解析条件として、金属配線基板にはアルミ(熱伝導率は237W/mK)と、サブマウントにはシリコン(熱伝導率は149W/mK)と、シリコン製サブマウントの絶縁層にはシリコン酸化膜(熱伝導率は1W/mK)と、配線層には銅(熱伝導率は401W/mk)と、シリコン製サブマウントと金属配線基板との接続にはAgペースト(熱伝導率は4W/mK)を用いて解析を行った。   By three-dimensional heat conduction analysis, the relationship between the length B of the metal wiring board 1 in the short direction, the thickness T of the metal wiring board 1, and the length C of one side of the silicon submount 2 was numerically analyzed. As analysis conditions, aluminum (thermal conductivity is 237 W / mK) for the metal wiring substrate, silicon (thermal conductivity is 149 W / mK) for the submount, and silicon oxide for the insulating layer of the silicon submount. A film (thermal conductivity is 1 W / mK), a wiring layer is copper (thermal conductivity is 401 W / mk), and an Ag paste (thermal conductivity is 4 W / m) for connection between the silicon submount and the metal wiring substrate. mK) was used for analysis.

この結果を図10に示す。図10は、C・T/Bと金属配線基板1上の点Xでの温度上昇との関係を解析した結果を示す。小型化の観点からはC・T/Bは小さい方が良く、更に、図10よりC・T/Bが5を超えると点Xでの温度が急激に上昇する。従って、C・T/Bの値は5以下が望ましい。このような構造にすることにより、効果的な放熱が可能なLED光源モジュールを実現できる。
The result is shown in FIG. FIG. 10 shows the result of analyzing the relationship between C · T / B and the temperature rise at the point X on the metal wiring board 1. From the viewpoint of miniaturization, it is better that C · T / B is smaller. Further, as shown in FIG. Therefore, the value of C · T / B is preferably 5 or less. By adopting such a structure, an LED light source module capable of effective heat dissipation can be realized.

本発明に係るLED光源モジュールの断面図Sectional drawing of the LED light source module which concerns on this invention 複数のLEDチップを一列に配置したシリコン製サブマウントの平面図Plan view of silicon submount with multiple LED chips arranged in a row 従来のLED光源モジュールの平面図Plan view of conventional LED light source module 本発明に係るLED光源モジュールの平面図The top view of the LED light source module which concerns on this invention 本実施例1のLED光源モジュールを搭載した液晶バックライト光源の全体図Overall view of a liquid crystal backlight light source equipped with the LED light source module of Example 1 本実施例1のLED光源モジュールの詳細な断面図Detailed sectional view of the LED light source module of Example 1 本実施例2のLEDチップ実装後のシリコン製サブマウントの平面図Plan view of silicon submount after mounting LED chip of Example 2 本実施例2のシリコン製サブマウントを搭載した金属配線基板の平面図Plan view of a metal wiring board on which the silicon submount of Example 2 is mounted 本実施例2のシリコン製サブマウントを搭載した金属配線基板の断面図Sectional drawing of the metal wiring board carrying the silicon | silicone submount of the present Example 2. 金属配線基板1の短手方向の長さB、金属配線基板1の厚みT、シリコン製サブマウント2の一辺の長さCとしたとき、C・T/Bと金属配線基板1上の点Xでの温度上昇との関係を解析した結果を示す図C · T / B and point X on the metal wiring board 1 when the length B of the metal wiring board 1 in the short direction, the thickness T of the metal wiring board 1 and the length C of one side of the silicon submount 2 are given. Showing the result of analyzing the relationship with temperature rise

符号の説明Explanation of symbols

1 金属配線基板
2 Siサブマウント
3 LEDチップ
4 LED光源光源モジュール
5 ベース基板
6 絶縁層
7 配線層
8 凹部
9 接着剤
10 Si基板
11 絶縁層
12 配線層
13 ワイヤーボンディング
14 導光板
15 レンズ
16 バックライト光源

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal wiring board 2 Si submount 3 LED chip 4 LED light source module 5 Base substrate 6 Insulating layer 7 Wiring layer 8 Recess 9 Adhesive 10 Si substrate 11 Insulating layer 12 Wiring layer 13 Wire bonding 14 Light guide plate 15 Lens 16 Backlight light source

Claims (5)

複数のLEDチップを一列に配列したサブマウントを長尺状の基板の上に複数並べてなるLED光源モジュールにおいて、
上記サブマウント上のLEDチップの配列方向が、金属配線基板の長手方向と直交することを特徴とするLED光源モジュール。
In the LED light source module in which a plurality of submounts in which a plurality of LED chips are arranged in a row are arranged on a long substrate,
The LED light source module, wherein the arrangement direction of the LED chips on the submount is orthogonal to the longitudinal direction of the metal wiring board.
請求項1のLED光源モジュールにおいて、
上記基板上にその長手方向と直行する方向に複数の凹部を有し、当該凹部内にシリコン製サブマウントを搭載したことを特徴とするLED光源モジュール。
The LED light source module according to claim 1.
An LED light source module comprising a plurality of recesses in a direction perpendicular to the longitudinal direction on the substrate, and a silicon submount mounted in the recesses.
請求項1のLED光源モジュールにおいて、
赤を1個、青を1個、緑を2個のLEDチップを一列に実装したシリコン製サブマウントであり、両側に緑のLEDチップを配置したことを特徴とするLED光源モジュール。
The LED light source module according to claim 1.
An LED light source module, which is a silicon submount in which one LED for red, one LED for blue, and two LED chips for green are mounted in a row, and green LED chips are arranged on both sides.
複数のLEDチップを格子状に配列したシリコン製サブマウントを長尺状の金属基板の上に複数並べてなるLED光源モジュールにおいて、
上記金属基板の短手方向の長さをB、上記金属基板の厚さをT、上記金属基板の短手方向における上記シリコン製サブマウントの長さをC、としたとき
C・T/Bが5以下であることを特徴とするLED光源モジュール。
In an LED light source module in which a plurality of silicon submounts in which a plurality of LED chips are arranged in a grid are arranged on a long metal substrate,
When the length of the metal substrate in the short direction is B, the thickness of the metal substrate is T, and the length of the silicon submount in the short direction of the metal substrate is C
C. T / B is 5 or less, LED light source module characterized by the above-mentioned.
請求項4のLED光源モジュールにおいて、
上記基板上にその長手方向と直行する方向に複数の凹部を有し、当該凹部内にシリコン製サブマウントを搭載したことを特徴とするLED光源モジュール。
The LED light source module according to claim 4.
An LED light source module comprising a plurality of recesses in a direction perpendicular to the longitudinal direction on the substrate, and a silicon submount mounted in the recesses.
JP2005080833A 2005-03-22 2005-03-22 Led light source module Pending JP2006269078A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005080833A JP2006269078A (en) 2005-03-22 2005-03-22 Led light source module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005080833A JP2006269078A (en) 2005-03-22 2005-03-22 Led light source module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006269078A true JP2006269078A (en) 2006-10-05

Family

ID=37204830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005080833A Pending JP2006269078A (en) 2005-03-22 2005-03-22 Led light source module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006269078A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218186A (en) * 2007-03-05 2008-09-18 Mitsubishi Electric Corp Luminaire
US7461962B2 (en) 2007-01-22 2008-12-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight assembly, display device provided with the same, and method thereof
WO2010119872A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-21 パナソニック電工株式会社 Led unit
JP2012009282A (en) * 2010-06-24 2012-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp Light-emitting device, and lighting apparatus
JP2012123967A (en) * 2010-12-07 2012-06-28 Casio Computer Co Ltd Light source device and projector
TWI454796B (en) * 2008-04-10 2014-10-01 Lg Display Co Ltd Liquid crystal display device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7461962B2 (en) 2007-01-22 2008-12-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight assembly, display device provided with the same, and method thereof
JP2008218186A (en) * 2007-03-05 2008-09-18 Mitsubishi Electric Corp Luminaire
TWI454796B (en) * 2008-04-10 2014-10-01 Lg Display Co Ltd Liquid crystal display device
WO2010119872A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-21 パナソニック電工株式会社 Led unit
US8592830B2 (en) 2009-04-13 2013-11-26 Panasonic Corporation LED unit
JP2012009282A (en) * 2010-06-24 2012-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp Light-emitting device, and lighting apparatus
JP2012123967A (en) * 2010-12-07 2012-06-28 Casio Computer Co Ltd Light source device and projector
US9316897B2 (en) 2010-12-07 2016-04-19 Casio Computer Co., Ltd. Light source unit and projector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7728231B2 (en) Light emitting module, lighting device, and display device
JP4758921B2 (en) Linear light source device and backlight device
US8100567B2 (en) Light-emitting devices and related systems
JP5097127B2 (en) Light emitting device, display device, and solid light emitting element substrate
US20120113328A1 (en) Mounting substrate for semiconductor light emitting element, backlight chassis, display device and television receiver
US20080099777A1 (en) Light-emitting devices and related systems
US20080123367A1 (en) Light source unit for use in a backlight module
JP3173051U (en) Light source device, backlight module, liquid crystal display
JP2004311791A (en) Lighting device, backlight and display
JPWO2008132941A1 (en) Light emitting device and display device
JP2005158957A (en) Light emitting device
JP2009272451A (en) Surface light source module, back light unit, and liquid crystal display device
JP5931199B2 (en) Surface light source device and liquid crystal display device
JP2007108547A (en) Liquid crystal display
JP2006269078A (en) Led light source module
JP2008192940A (en) Light emitting device
JP2010238540A (en) Light-emitting module and manufacturing method therefor
JP5507313B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4842390B1 (en) Illumination device and image display device including the same
JP2006066725A (en) Semiconductor device equipped with heat dissipation structure, and its assembly method
JP2011101054A (en) Substrate for mounting semiconductor light emitting element, backlight chassis, display device, and television receiver
JP4912844B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME
KR100771110B1 (en) Backlight Unit and Liquid Crystal Display having the same
JP2007194610A (en) Light emitting module, method for fabrication thereof, and indicator using the light emitting module
JP5968647B2 (en) LED lamp and LED lighting device