KR20190009673A - Recycling system of semiconductor sputtering electrostatic chuck using laser welding - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 스퍼터링 장비 중 정전기를 발생시키는 정전척을 레이저 용접을 이용하여 수리하고 재사용할 수 있어 새로운 제품 구입을 위한 비용을 절감할 수 있는 레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recycling system for a semiconductor sputtering electrostatic chuck, and more particularly, to a recycling system for a semiconductor sputtering electrostatic chuck capable of repairing and reusing an electrostatic chuck for generating static electricity using laser welding, To a recycling system for a semiconductor sputtering electrostatic chuck using laser welding.
일반적으로, 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마 분위기 또는 진공 분위기의 챔버 내에서 진행될 수 있으며, 반도체 제조 공정 중 박막 형성 공정, 식각 공정 등에서 반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 웨이퍼를 지지 및 고정하는 전정기를 이용한 정전척(Electrostatic Chuck)이 다양하게 개발되고 있다.In general, a semiconductor device manufacturing process can be performed in a chamber of a plasma atmosphere or a vacuum atmosphere. In the thin film forming process, the electrostatic chucking process using an electrostatic chuck (Electrostatic Chuck) are being developed variously.
정전척은 반도체 제조공정이 이루어지는 챔버의 내부에 마련되어 전원을 공급받으면 유전 분극을 일으켜, 웨이퍼에 발생되는 정전기를 이용하여 웨이퍼를 지지 및 고정(즉, 척킹(chucking))한다.The electrostatic chuck is provided inside a chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed and generates dielectric polarization when power is supplied to support and fix (i.e., chuck) the wafer using static electricity generated on the wafer.
이러한 정전척은 국내 생산율이 현저히 낮고 대부분 수입에 의존하고 있으며, 고가 장비에 해당하여 새로 구입시 많은 비용이 소요되는데, 일부 부품에서 파손 또는 고장이 발생하면 폐기 처분하여 새로 구매하고 있는 실정이다.These electrostatic chucks are very low in domestic production rate and mostly depend on imports, and they are costly for new equipments. If some parts are damaged or broken, they are discarded and newly purchased.
이에 따라 정전척은 파손 또는 고장 발생시 재 구매를 위한 많은 비용이 소요되어 반도체 제조 공정을 수행함에 있어 비용 부담이 발생하는 문제점이 있다.Accordingly, when the electrostatic chuck is damaged or malfunctions, it takes a lot of cost for re-purchasing, which causes a cost burden in performing the semiconductor manufacturing process.
한편, 본 발명과 관련된 선행기술로는 대한민국 등록특허공보 제10-1613349호 및 대한민국 공개특허공보 제10-2007-0121838호가 있다.On the other hand, Korean Patent Registration No. 10-1613349 and Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2007-0121838 disclose prior art related to the present invention.
따라서, 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 반도체 스퍼터링 장비 중 정전기를 발생시키는 정전척을 레이저 용접을 이용하여 수리하고 재사용할 수 있어 새로운 제품 구입을 위한 비용을 절감할 수 있는 레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a laser welding method capable of repairing and reusing an electrostatic chuck for generating static electricity in a semiconductor sputtering equipment using laser welding, thereby reducing the cost for purchasing a new product And an object of the present invention is to provide a recycling system for a semiconductor sputtering electrostatic chuck.
또한, 본 발명은 정전척의 부품별 결함 테스트를 진행하여 결함이 발생한 부품에 대한 즉각적인 수리가 가능하고, 이에 따른 반도체 스퍼터링 공정의 효율성을 증대시킬 수 있는 레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템을 제공하는데 다른 목적이 있다.Further, the present invention provides a recycling system for a semiconductor sputtering electrostatic chuck using laser welding capable of instantly repairing defective parts by conducting defect tests for each part of the electrostatic chuck and thereby increasing the efficiency of the semiconductor sputtering process There is another purpose.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and method for controlling the same.
상기 본 발명의 목적들 및 다른 특징들을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 반도체 스퍼터링 장비에 장착되는 정전척(Electrostatic Chuck)의 재사용을 위한 리사이클링 시스템에 있어서, 상기 정전척의 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트를 수행하는 부품 테스트부; 상기 결함 여부 테스트 결과에 따라 상기 리사이클 후보 부품 중 결함이 없는 리사이클 부품에 대하여 초음파 세정을 수행하는 부품 세정부; 및 상기 결함 여부 테스트 결과에 따라 상기 리사이클 후보 부품 중 결함이 있는 결함 부품에 대하여 수리를 수행하는 부품 수리부를 포함하는 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a recycling system for reusing an electrostatic chuck mounted on a semiconductor sputtering machine, the system comprising: A component testing unit for performing a defect test; A component cleaner for performing ultrasonic cleaning on a defect-free recycle component of the recycle candidate component according to the defect test result; And a part repairing part for repairing defective defective parts among the recycle candidate parts according to the defect test result.
본 발명에 있어서, 상기 부품 테스트부는 상기 정전척을 구성하는 적어도 하나의 부품에 대한 리사이클 리스트를 생성하고, 상기 리사이클 리스트에 포함된 리사이클 후보 부품을 결정하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the part testing unit generates a recycle list for at least one component constituting the electrostatic chuck, and determines a recycle candidate part included in the recycle list.
본 발명에 있어서, 상기 부품 테스트부는 상기 리사이클 후보 부품에 대한 리크(Leak) 테스트, 케이블 단선 여부 테스트, 및 척킹(Chucking)/디척킹(Dechucking) 강도 테스트 중 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In the present invention, the parts testing unit may perform at least one of a leakage test for the recycle candidate part, a cable disconnection test, and a chucking / dechucking strength test desirable.
본 발명에 있어서, 상기 부품 테스트부는 상기 리사이클 후보 부품에 대한 상기 결함 여부 테스트 결과를 기초로 상기 리사이클 리스트를 업데이트하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the part testing unit updates the recycle list based on the defectiveness test result of the recycle candidate part.
본 발명에 있어서, 상기 부품 세정부는 상기 리사이클 부품에 고주파를 발생시켜 캐비테이션(Cavitation)을 통한 세정을 수행하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the component cleaner performs cleaning by cavitation by generating a high frequency in the recycle part.
본 발명에 있어서, 상기 부품 수리부는 상기 정전척의 상부에 구비되는 메인 커버의 딤플 형성을 위한 코팅을 수행하고, 상기 딤플은 서로 상이한 물질로 이루어진 박막이며, 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the component repair part performs a coating for forming a dimple of a main cover provided on the electrostatic chuck, and the dimple is a thin film made of a material different from that of the main cover.
본 발명에 있어서, 상기 부품 수리부는 상기 정전척의 메인 커버와 벨로우즈(Bellows) 사이에 결합되는 서스 커버를 수평 절단하고, 상기 서스 커버 내부의 결함 부품을 수리한 후 상기 절단된 서스 커버를 용접하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.In the present invention, the part repairing unit horizontally cuts the susco cover, which is coupled between the main cover of the electrostatic chuck and the bellows, and welds the cut cover after repairing the defective part in the susco cover .
본 발명에 따른 레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템은 다음과 같은 효과를 제공한다.The recycling system for a semiconductor sputtering electrostatic chuck using laser welding according to the present invention provides the following effects.
본 발명은 반도체 스퍼터링 장비 중 정전기를 발생시키는 정전척을 레이저 용접을 이용하여 수리하고 재사용할 수 있어 새로운 제품 구입을 위한 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In the present invention, an electrostatic chuck for generating static electricity among semiconductor sputtering equipment can be repaired and reused using laser welding, thereby reducing the cost for purchasing a new product.
본 발명은 정전척의 부품별 결함 테스트를 진행하여 결함이 발생한 부품에 대한 즉각적인 수리가 가능하고, 이에 따른 반도체 스퍼터링 공정의 효율성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, defect testing is performed for each part of the electrostatic chuck to immediately repair defective parts, and the efficiency of the semiconductor sputtering process can be increased accordingly.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템을 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템을 통한 리사이클링 과정을 도시한 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템에서 리사이클되는 정전척을 도시한 도면이다.1 is a block diagram showing a recycling system of a semiconductor sputtering electrostatic chuck according to the present invention.
2 is a flowchart showing a recycling process through a recycling system of a semiconductor sputtering electrostatic chuck according to the present invention.
3 is a view showing an electrostatic chuck recycled in a recycling system of a semiconductor sputtering electrostatic chuck according to the present invention.
본 발명의 추가적인 목적들, 특징들 및 장점들은 다음의 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 보다 명료하게 이해될 수 있다. Further objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 본 발명은 다양한 변경을 도모할 수 있고, 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 아래에서 설명되고 도면에 도시된 예시들은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the present invention is capable of various modifications and various embodiments, and the examples described below and illustrated in the drawings are intended to limit the invention to specific embodiments It is to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
또한, 명세서에 기재된 "...부", "...유닛", "...모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Also, the terms " part, "" unit," " module, "and the like, which are described in the specification, refer to a unit for processing at least one function or operation, Software. ≪ / RTI >
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a recycling system for a semiconductor sputtering equipment according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템을 도시한 블록도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템을 통한 리사이클링 과정을 도시한 순서도이며, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템에서 리사이클되는 정전척을 도시한 도면이다.FIG. 1 is a block diagram showing a recycling system of a semiconductor sputtering equipment according to the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing a recycling process through a recycling system of a semiconductor sputtering equipment according to the present invention, FIG. 1 shows an electrostatic chuck recycled in a recycling system of a semiconductor sputtering machine.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템(100)은 반도체 스퍼터링 장비에 장착되어 반도체 웨이퍼를 지지 및 고정하기 위해 정전기를 발생하는 정전척(Electrostatic Chuck)을 리사이클 할 수 있다.1 to 3, a
이를 위하여 본 발명에 따른 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템(100)은 정전척의 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트를 수행하는 부품 테스트부(110), 결함 여부 테스트 결과에 따라 리사이클 후보 부품 중 결함이 없는 리사이클 부품에 대하여 초음파 세정을 수행하는 부품 세정부(120), 및 결함 여부 테스트 결과에 따라 리사이클 후보 부품 중 결함이 있는 결함 부품에 대하여 수리를 수행하는 부품 수리부(130)를 포함한다.To this end, the
또한, 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템(100)은 부품 테스트부(110), 부품 세정부(120), 및 부품 수리부(130)에 대한 동작을 제어하는 제어부(140)를 더 포함할 수 있다.The
부품 테스트부(110)는 반도체 스퍼터링 장비에 장착되는 정전척을 구성하는 적어도 하나의 부품에 대한 리사이클 리스트를 생성하고, 리사이클 리스트에 포함된 리사이클 후보 부품을 결정할 수 있다.The
리사이클 리스트는 정전척을 구성하는 모든 부품에 대한 정보를 포함하고, 예를 들면 모든 부품에 대한 정보는 부품명, 부품 수명, 부품 사용 시작일, 및 리사이클 여부 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.The recycle list includes information on all the parts constituting the electrostatic chuck. For example, the information on all the parts may be composed of at least one of the part name, part life, part use start date, and recycling availability.
리사이클 후보 부품은 리사이클 리스트에 포함된 부품들에 대한 정보를 기초로 결정될 수 있으며, 결함 여부에 대한 테스트가 필요한 적어도 하나의 부품으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 리사이클 후보 부품은 부품 수명이 기 설정된 기간(부품별로 다르게 설정)보다 짧게 남은 부품, 부품 사용 시작일이 기 설정된 기간(부품별로 다르게 설정) 이상으로 사용된 부품, 또는 리사이클 기록이 없는 부품으로 이루어질 수 있다.The recyclable candidate part may be determined based on information about the parts included in the recycled list, and may be made up of at least one part that needs to be tested for defects. For example, a recycled candidate part may be a part that is shorter than a predetermined period of time (set differently for each part), a part that is used for a predetermined period (set differently for each part) ≪ / RTI >
부품 테스트부(110)는 리사이클 리스트에 포함된 부품 중 리사이클 후보 부품으로 선별된 부품에 대한 결함 여부 테스트를 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 결함 여부 테스트는 리사이클 후보 부품에 대한 리크(Leak) 테스트, 케이블 단선 여부 테스트, 및 척킹(Chucking)/디척킹(Dechucking) 강도 테스트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
리크(Leak) 테스트는 헬륨가스를 이용하여 리크가 발생한 부품을 모니터링하여 수행될 수 있다. 일반적으로 리크는 벨로우즈(330), 메인 커버(310)의 중앙에 형성되는 헬륨 라인, 서스 커버(320)와 서스 커버(320)의 외측에 구성되는 세라믹 링 사이에 발생할 수 있다. 리크 테스트는 헬륨가스가 벨로우즈(330), 헬륨 라인, 서스 커버(320)와 세라믹 링 사이를 통과할 때 발생하는 리크 현상을 모니터링함에 따라 수행될 수 있다. 리크 테스트 결과에 따라 리크가 발생한 부품에 대한 정보를 리사이클 리스트에 업데이트하여 결함 부품으로 분류하고, 리크가 발생하지 않은 부품에 대한 정보를 리사이클 리스트에 업데이트하여 리사이클 부품으로 분류할 수 있다.Leak testing can be performed by monitoring the leaked parts using helium gas. Generally, the leakage may occur between the
케이블 단선 여부 테스트는 저항 측정기를 정전척에 연결한 후 정전척을 모니터링하여 수행될 수 있다. 즉, 케이블 단선 여부 테스트는 저항 측정기와 정전척의 케이블이 연결되면, 케이블에 일정 전류를 공급하는 과정에서 발생하는 저항 측정기의 저항값에 따라 해당 케이블에 대한 단선 여부를 체크할 수 있다. 케이블 단선 여부 테스트 결과에 따라 단선이 발생한 케이블에 대한 정보를 리사이클 리스트에 업데이트하여 결함 부품으로 분류하고, 단선이 발생하지 않은 케이블에 대한 정보를 리사이클 리스트에 업데이트하여 리사이클 부품으로 분류할 수 있다.The cable disconnect test can be performed by connecting the resistance meter to the electrostatic chuck and then monitoring the electrostatic chuck. That is, when the resistance measuring device and the cable of the electrostatic chuck are connected, it is possible to check whether the cable is disconnected or not according to the resistance value of the resistance measuring device generated in the process of supplying a constant current to the cable. According to the result of the cable disconnection test, information about the cable in which the disconnection occurred can be updated in the recycle list to be classified as a defective part, and the information about the cable in which disconnection has not occurred can be updated in the recycle list to be classified as a recyclable part.
척킹(Chucking)/디척킹(Dechucking) 강도 테스트는 메인 커버(310)에서 반도체 웨이퍼를 척킹/디척킹하는 강도를 모니터링하여 수행될 수 있다. 척킹/디척킹 강도 테스트는 메인 커버(310)의 균질도를 측정하고 노슬라이딩 여부를 체크하여 균질도와 노슬라이딩을 기초로 척킹/디척킹 강도를 측정할 수 있다. 척킹/디척킹 강도 테스트 결과에 따라 강도가 기 설정된 범위를 벗어나면 리사이클 리스트에 업데이트하여 결함 부품으로 분류하고, 강도가 기설정된 범위 내에 있으면 리사이클 리스트에 업데이트하여 리사이클 부품으로 분류할 수 있다.The chucking / dechucking strength test can be performed by monitoring the strength of chucking / dechucking the semiconductor wafer at the
부품 세정부(120)는 정전척을 구성하는 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트 결과에 따라 리사이클 후보 부품 중 결함이 없는 리사이클 부품에 대하여 초음파 세정을 수행한다.The parts cleaning unit 120 performs ultrasonic cleaning on the recycled recyclable recycled parts in accordance with the result of the defectiveness test on the recycled candidate parts constituting the electrostatic chuck.
일 실시예에서, 부품 세정부(120)는 리사이클 부품에 고주파를 발생시켜 캐비테이션(Cavitation)을 통한 세정을 수행하여 리사이클 부품을 세정할 수 있으며, 리사이클 부품을 세정함에 따라 리사이클 부품의 성능을 향상시킬 수 있다.In one embodiment, the part cleaner 120 may generate high frequency waves on the recycle part to perform cleaning through cavitation to clean the recycle part, and to improve the performance of the recycle part by cleaning the recycle part .
캐비테이션은 액중에 초음파가 가해져 수축과 팽창 현상이 반복되어 미세한 기포가 형성되고, 미세한 기포의 붕괴시 높은 충격력이 발생하여 기계에너지와 열에너지로 바뀌는 현상으로, 좁은 틈, 복잡한 형상의 물체도 세척할 수 있는 특징이 있다.Cavitation is a phenomenon in which ultrasonic waves are applied to the liquid to form fine bubbles due to repeated shrinkage and expansion, and high impact force is generated when the bubble collapses, resulting in mechanical energy and thermal energy. It is also possible to clean narrow gaps and complex shapes There are features.
부품 세정부(120)는 부품을 세정하기 위한 고주파 발생 장치를 제어하고, 고주파 발생 장치는 고주파 신호를 생성하는 발진기(Generator)와 고주파를 부품으로 전달하는 진동부(Transducer)로 구성될 수 있다.The component cleaning unit 120 controls a high frequency generator for cleaning components. The high frequency generator may include a generator for generating a high frequency signal and a transducer for transmitting a high frequency component.
부품 수리부(130)는 정전척을 구성하는 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트 결과에 따라 리사이클 후보 부품 중 결함이 있는 결함 부품에 대하여 수리를 수행한다.The
부품 수리부(130)는 리사이클 리스트에 업데이트된 정보를 기초로 수리가 필요한 결함 부품에 대한 데이터를 추출할 수 있다. 부품 수리부(130)는 리크가 발생된 부품 및 단선이 발견된 케이블에 대한 교체 및 수리를 위해 서스 커버(320)를 수평 절단(도 3의 A)할 수 있다. 이후 작업자에 의해 내부 부품 및 케이블의 교체 또는 수리가 수행되면 서스 커버(320)의 절단면을 다시 레이저로 용접하여 서스 커버(320)를 리사이클할 수 있다.The
부품 수리부(130)는 척킹/디척킹 강도를 개선하기 위해 정전척의 상부에 구비되는 메인 커버(310) 상에 딤플 형성을 위한 코팅을 수행할 수 있다. 딤플은 서로 상이한 물질로 이루어진 박막이며, 다층으로 이루어질 수 있다. 딤플은 반도체 웨이퍼 상에 원판 형상 또는 링 형상으로 이루어져 구비되는 박막으로 구성되며, 다양한 박막 증착 방법에 의해 증착될 수 있다. The
부품 테스트부(110)는 결함 부품에 대하여 교체 또는 수리가 완료되면 결함 여부 테스트를 다시 수행한 후 리사이클 리스트를 업데이트할 수 있다. 부품 테스트부(110)는 교체 또는 수리가 완료된 부품에 대하여 결함 여부 테스트 결과, 결함이 발생하지 않으면 리사이클 부품으로 분류하고 리사이클 리스트를 업데이트하여 해당 리사이클 부품에 대한 세정이 진행될 수 있도록 할 수 있다.The
제어부(140)는 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템(100)에 대한 전체적인 동작을 제어하고, 부품 테스트부(110), 부품 세정부(120), 및 부품 수리부(130) 간의 데이터 흐름을 제어할 수 있다.The
한편, 정전척은 반도페 웨이퍼가 안착되는 메인 커버(310), 메인 커버(310)의 하부에 결합되는 서스 커버(320), 서스 커버(320)의 하부에 결합되는 벨로우즈(330), 벨로우즈(330)의 하부에 결합되는 샤프트 등으로 이루어질 수 있고, 각 구성의 내부에는 샤프트, 벨로우즈(330), 서스커버(320)의 중심을 통과하여 메인 커버(310)까지 연장 형성되는 복수의 케이블들을 포함할 수 있다.The electrostatic chuck includes a
메인 커버(310)는 도전성 판(conductive plate)과 같은 전극이 내부에 배치되어 전극으로부터 전원을 공급받을 수 있다. 메인 커버(310)는 전원을 공급받으면 정전기력을 발생시켜 반도체 웨이퍼를 척킹할 수 있다. 즉, 메인 커버(310)는 전원이 인가된 전극에서 양전하를 생성하면 전극 상에 배치되는 반도체 웨이퍼에 음전하가 유도됨으로써, 반도체 웨이퍼 사이에서 인력을 발생시켜 반도체 웨이퍼를 척킹할 수 있다.In the
메인 커버(310)에 척킹된 반도체 웨이퍼는 정전척에 고정되어 반도체 제조 공정을 위해 제공되고, 반도체 제조 공정이 완료되면 전극에 공급되는 전원이 차단됨에 따라 메인 커버(310)로부터 분리 즉, 디척킹될 수 있다.The semiconductor wafer chucked by the
서스 커버(320)는 스테인리스를 사용한 강철(steel use stainless, SUS)로 제작될 수 있으며, 메인 커버(310)와 벨로우즈(330) 사이에 구비되고 내부 케이블의 연결 단자를 포함하여 케이블이 메인 커버(310)로 연결될 수 있도록 한다. 서스 커버(320)는 내부 케이블, 연결 단자 또는 부품 등의 교체 또는 수리가 필요할 때 수평으로 절단될 수 있으며, 교체 또는 수리가 완료되면 다시 레이저로 용접되어 다시 사용될 수 있다.The
벨로우즈(330)는 관의 돌출 부위 끝에 용접한 쭈글쭈글한 쇠 테두리로, 일반적으로 사용되고 있는 부품이며, 서스 커버(320)의 하부에 구비되어 축 방향 움직임을 허용하면서 그 사이의 가스 또는 액체물을 밀폐시키고자 할 때 사용된다. 벨로우즈(330)는 반도체 스퍼터링 장비에서 사용됨에 따라 수명, 부식 등으로 인해 리크가 발생할 수 있고, 정기적인 결함 여부 테스트를 통해 리크 발생 여부에 따라 교체될 수 있다.The bellows 330 is a generally used rimmed steel rim welded to the end of the projecting portion of the pipe. The bellows 330 is provided at the lower portion of the
도 2를 참고하면, 반도체 스퍼터링 장비의 리사이클링 시스템(100)을 통한 정전척의 리사이클 과정을 설명한다.Referring to FIG. 2, the recycling process of the electrostatic chuck through the
부품 테스트부(110)는 리사이클 리스트에 포함된 모든 부품들에 대한 정보(예를 들어, 부품명, 부품 수명, 부품 사용 시작일, 및 리사이클 여부 중 적어도 하나)를 기초로 리사이클 후보 부품을 결정하여 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트를 수행한다(단계 S210).The
부품 테스트부(110)는 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트 결과에 따라 리사이클 리스트를 업데이트하여 리사이클 부품과 결함 부품에 대하여 구별 가능하도록 구축될 수 있다. 리사이클 부품과 결함 부품은 각각을 식별할 수 있는 식별 코드가 부여될 수 있다.The
부품 수리부(130)는 리사이클 리스트를 체크하여 리사이클 후보 부품 중 결함이 있는 결함 부품에 대하여 각 부품 특성에 따라 수리한다(단계 S220 및 S230).The
부품 수리부(130)는 메인 커버(310)의 딤플 형성을 위한 코팅, 벨로우즈(330) 교체, 단선 케이블 교체 또는 수리, 리크 발생 부품에 대한 교체 또는 수리, 서스 커버(320)의 절단 및 용접을 통한 교체 또는 수리 등을 위한 프로세스를 생성 및 실행하여 결함 부품에 대한 교체 또는 수리를 수행할 수 있다.The
부품 수리부(130)를 통해 수리된 결함 부품은 부품 테스트부(110)에 의해 결함 여부 테스트가 다시 수행되어 리사이클 부품 또는 결함 부품 중 하나로 결정될 수 있다. The defective part repaired through the
부품 세정부(120)는 리사이클 리스트를 체크하여 리사이클 후보 부품 중 결함이 없는 리사이클 부품에 대하여 초음파 세정을 수행한다(단계 S220 및 S240).The parts cleaning unit 120 checks the recycle list to perform ultrasonic cleaning on the recycled recyclable recycled parts (steps S220 and S240).
부품 세정부(120)를 통해 세척된 부품들은 반도체 스퍼터링 장비를 구동하기 위해 리사이클된다(단계 S250).The parts cleaned through the parts cleaning unit 120 are recycled to drive the semiconductor sputtering equipment (step S250).
한편, 본 발명에서는 결함이 없는 부품에 대해서 세정하는 과정과, 결함이 있는 부품에 대해서 수리한 후 세정하는 과정으로 설명하였지만, 모든 부품에 대하여 세정한 후 결함이 있는 부품에 대해서 수리할 수 있는 구성 또한 구현 가능하다. 즉, 부품의 세정 프로세스와 수리 프로세스는 어떠한 순서로 구현되어도 무방하다.Meanwhile, in the present invention, a process of cleaning a defective part and a cleaning process of repairing a defective part have been described. However, it is possible to repair a defective part after cleaning all the parts It can also be implemented. That is, the parts cleaning process and the repair process may be implemented in any order.
본 명세서에서 설명되는 실시 예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments and the accompanying drawings described in the present specification are merely illustrative of some of the technical ideas included in the present invention. Therefore, it is to be understood that the embodiments disclosed herein are not for purposes of limiting the technical idea of the present invention, but rather are not intended to limit the scope of the technical idea of the present invention. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
100: 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템
110: 부품 테스트부
120: 부품 세정부
130: 부품 수리부
140: 제어부100: Recycling system of semiconductor sputtering electrostatic chuck
110:
120: Parts tax department
130: Component Repair Department
140:
Claims (7)
상기 정전척의 리사이클 후보 부품에 대한 결함 여부 테스트를 수행하는 부품 테스트부;
상기 결함 여부 테스트 결과에 따라 상기 리사이클 후보 부품 중 결함이 없는 리사이클 부품에 대하여 초음파 세정을 수행하는 부품 세정부; 및
상기 결함 여부 테스트 결과에 따라 상기 리사이클 후보 부품 중 결함이 있는 결함 부품에 대하여 수리를 수행하는 부품 수리부를 포함하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
1. A recycling system for reusing an electrostatic chuck mounted on a semiconductor sputtering equipment,
A component testing unit for performing a defect test on the recycle candidate part of the electrostatic chuck;
A component cleaner for performing ultrasonic cleaning on a defect-free recycle component of the recycle candidate component according to the defect test result; And
And a part repairing unit for repairing defective defective parts among the recycle candidate parts according to the defectiveness test result
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
상기 부품 테스트부는
상기 정전척을 구성하는 적어도 하나의 부품에 대한 리사이클 리스트를 생성하고, 상기 리사이클 리스트에 포함된 리사이클 후보 부품을 결정하는 것을 특징으로 하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
The method according to claim 1,
The part testing unit
A recycle list for at least one component constituting the electrostatic chuck is generated and the recycle candidate component included in the recycle list is determined
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
상기 부품 테스트부는
상기 리사이클 후보 부품에 대한 리크(Leak) 테스트, 케이블 단선 여부 테스트, 및 척킹(Chucking)/디척킹(Dechucking) 강도 테스트 중 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
3. The method of claim 2,
The part testing unit
A leaking test for the recycle candidate part, a test for whether a cable is disconnected, and a chucking / dechucking strength test.
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
상기 부품 테스트부는
상기 리사이클 후보 부품에 대한 상기 결함 여부 테스트 결과를 기초로 상기 리사이클 리스트를 업데이트하는 것을 특징으로 하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
The method of claim 3,
The part testing unit
And updates the recycle list based on the result of the defectiveness test on the recycle candidate part
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
상기 부품 세정부는
상기 리사이클 부품에 고주파를 발생시켜 캐비테이션(Cavitation)을 통한 세정을 수행하는 것을 특징으로 하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
The method according to claim 1,
The component tax
And high frequency is generated in the recycle part to perform cleaning through cavitation
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
상기 부품 수리부는
상기 정전척의 상부에 구비되는 메인 커버의 딤플 형성을 위한 코팅을 수행하고,
상기 딤플은 서로 상이한 물질로 이루어진 박막이며, 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
The method according to claim 1,
The part repair part
A coating for forming a dimple of the main cover provided on the electrostatic chuck is performed,
Wherein the dimples are thin films made of materials different from each other,
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
상기 부품 수리부는
상기 정전척의 메인 커버와 벨로우즈(Bellows) 사이에 결합되는 서스 커버를 수평 절단하고, 상기 서스 커버 내부의 결함 부품을 수리한 후 상기 절단된 서스 커버를 용접하는 것을 특징으로 하는
레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템.
The method according to claim 6,
The part repair part
Wherein the susceptor is horizontally cut between a main cover and a bellows of the electrostatic chuck to repair a defective part inside the susceptor,
Recycling System of Electrostatic Chuck for Semiconductor Sputtering by Laser Welding.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170091753 | 2017-07-19 | ||
KR20170091753 | 2017-07-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190009673A true KR20190009673A (en) | 2019-01-29 |
KR102071674B1 KR102071674B1 (en) | 2020-01-30 |
Family
ID=65323263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170114603A KR102071674B1 (en) | 2017-07-19 | 2017-09-07 | Recycling system of semiconductor sputtering electrostatic chuck using laser welding |
Country Status (1)
Country | Link |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2017-09-07 KR KR1020170114603A patent/KR102071674B1/en active IP Right Grant
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