KR20190007880A

KR20190007880A - 고온 열박리 테이프 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20190007880A
Application number: KR1020170089486A
Authority: KR
Inventors: 왕주근
Original assignee: (주)탁스
Priority date: 2017-07-14
Filing date: 2017-07-14
Publication date: 2019-01-23

Abstract

본 발명은 베이스 필름과 그 위에 도포된 점착제층으로 이루어진 고온 열박리 테이프에 있어서, 상기 베이스 필름은 폴리이미드(polyimide) 필름이고, 상기 점착제층은 실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부, 발포제 10∼20 중량부, 및 0.3∼5.0 중량부의 첨가제로 이루어진다. 상기 발포제는 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 발포제로부터 선택되며, 상기 첨가제는 0.1∼1.5 중량부의 가교결합제, 0.1∼1.5 중량부의 촉매, 및 0.1∼1.5 중량부의 밀착력 향상제를 필수적으로 포함하며, 산화방지제와 같은 내열첨가제를 하나 이상 더 포함할 수 있다. 본 발명의 고온 열박리 테이프는 실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부에 희석용제 10∼30 중량부를 첨가하여 20∼40분간 교반하고, 상기 교반액에 발포제 10∼20 중량부를 첨가하여 20∼40분간 교반하고, 상기 교반액에 첨가제 0.3∼5.0 중량부를 첨가하여 30∼60분간 교반하여 점착제 조성물을 제조하고; 상기 제조된 점착제 조성물을 폴리이미드 필름에 도포하고; 상기 점착제 조성물이 도포된 폴리이미드 필름을 건조시키는 단계에 의하여 제조된다. 베이스 필름인 폴리이미드 필름은 종래의 베이스 필름과 같이 그 두께를 25~75㎛ 범위로 하는 것이 바람직하다. 베이스 필름에 도포되는 점착제층은 그 두께를 5~70㎛ 범위로 하는 것이 바람직하다.

Description

고온 열박리 테이프 및 그 제조 방법 {Heat Release Type Tape and Method of Preparing the Same}

본 발명은 고온 열박리 테이프에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 제조공정 중에서 FOWLP(Fan Out Wafer Level Package) 및 TBDB(Temporary Bonding Debonding) 공정에 사용하기 위한 테이프로서, 고온에서 점착제 내의 물리발포제의 팽창으로 인해 테이프가 용이하게 박리되는 고온 열박리 테이프에 관한 것이다.

열박리 테이프는 이미 접착되어 있는 테이프에 열을 가하여 점착력을 약화시킴으로써 접착되어 있는 테이프를 용이하게 제거할 목적으로 사용되는 테이프이다. 각종 제조공정 후에 테이프를 제거하거나, 잘못된 작업으로 인하여 접착된 테이프를 제거하거나 또는 A/S 등의 목적으로 접착된 테이프를 제거할 필요가 있는데, 이 경우에 열박리 테이프가 사용된다.

열박리 테이프는 이미 다양한 산업분야에서 사용되고 있다. 자동차 부품, 전자제품 부품, 사무용품, 각종 생활용품의 조립에 다양한 형태의 열박리 테이프가 개발되어 사용되고 있다. 현재 반도체 제조공정에서 사용되고 있는 열박리 테이프는 박리온도가 대략 100~150℃ 범위이다. 이 범위에서의 박리온도를 갖는 열박리 테이프는 베이스 필름(base film)으로 폴리에스터(PET) 필름을 사용하고, 점착제층으로 아크릴 점착제를 사용한다. 물론 상기 점착제층에는 이형필름(라이너(liner)라고도 함)이 부착된다.

상기 종래의 열박리 테이프는 박리온도가 대략 100~150℃ 범위이기 때문에 그 온도 범위에 맞는 발포 셀(cell)을 사용한다. 아크릴 점착제는 아크릴 수지에 발포 셀과 기타 필요한 첨가제를 혼합하여 블렌딩(blending) 한 것으로, 이 아크릴 점착제를 PET 필름에 도포하여 열박리 테이프를 제조한다.

최근 반도체 기술이 발전하면서 FOWLP 공정이나 TBDB 공정이 개발되었다. 그런데 이들 공정은 150~250℃에서 진행되기 때문에 이러한 고온에서 안정적인 점착물성과 치수변형이 최소화된 형태의 테이프가 필요하게 되었다. 즉, 150~250℃ 범위의 고온에서 충분한 내열특성과 열박리가 가능한 테이프의 개발이 필요하게 된 것이다.

열박리 테이프는 원하는 온도에서 가열되었을 때 점착력이 약화되어 열박리가 용이하게 일어나야 하고, 테이프가 제거되었을 때 점착제 잔류물이 피착체에 남아 있지 않아야 한다. 점착제 잔류물이 잔류하는 현상을 전이 현상 또는 전사 현상이라 하는데 이러한 현상이 없어야 한다. 따라서 고온 열박리 테이프는 이러한 요건을 충족하도록 개발되어야 한다.

일본특허공개 2001-101609호에는 기재, 에너지(열)를 흡수하여 박리되는 접착제층, 및 에너지(열)을 흡수하여도 박리되지 않는 접착제층으로 이루어진 테이프를 개시하지만, 이는 자동차 부품, 전자제품 부품, 사무용품, 각종 생활용품의 조립에 사용되는 테이프이다.

일본특허공개 2006-89147호에는 250~300℃ 범위의 박리온도에서 박리되는 다양한 종류의 폴리오가노실록산의 조성을 갖는 점착제용 실리콘 조성물 및 그를 이용한 열박리 테이프를 개시한다. 그러나 이 열박리 테이프는 반도체 부품의 리플로우(reflow) 공정이나 수지 밀봉 공정에서의 마스킹(masking)에 사용하는 것으로, 250~300℃ 온도에서 박리되도록 다양한 종류의 폴리오가노실록산으로 구성되는 실리콘 점착제를 사용한다.

일반적으로, 고온 열박리 테이프를 제조하고자 하는 경우에는 점착제 성분으로 실리콘 수지를 사용한다. 그러나 실리콘 점착제는 표면장력이 낮기 때문에 베이스 필름과 점착제의 결합력(밀착력)을 향상시켜야 한다.

고온 열박리 테이프는 고온에서의 사용과정이나 박리과정에서 가스(gas)가 발생하는 결점이 있다. 이 가스는 주로 점착제를 희석할 때 사용되는 용제가 잔류함으로써 발생하는 것이다. 이를 아웃 개싱(out gasing)이라 하는데, 이러한 문제도 해결되어야 한다.

본 발명자는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에서 사용할 수 있도록 150~250℃ 범위의 고온에서 충분한 내열특성과 열박리가 가능하고, 점착제 잔류물이 피착체에 남게 되는 전이 현상(또는 전사 현상)이 발생하지 않으며, 베이스 필름과 점착제의 결합력(밀착력)이 우수한 본 발명의 고온 열박리 테이프를 개발하기에 이른 것이다.

본 발명의 목적은 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에서 사용할 수 있도록 150~250℃ 범위의 고온에서 충분한 내열특성과 열박리가 가능한 새로운 고온 열박리 테이프를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 점착제 잔류물이 피착체에 남게 되는 전이 현상(또는 전사 현상)이 발생하지 않는 고온 열박리 테이프를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 베이스 필름과 점착제의 결합력(밀착력)이 우수한 고온 열박리 테이프를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 테이프의 점착제층에 부착되어 그 점착제층으로부터 쉽게 이형되는 이형필름(라이너)을 구비한 고온 열박리 테이프를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 고온에서의 사용과정이나 박리과정에서 가스가 발생하는 아웃 개싱(out gasing)의 문제를 해결할 수 있는 고온 열박리 테이프를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 상기 및 기타의 다른 목적들은 하기 상세히 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.

본 발명은 베이스 필름과 그 위에 도포된 점착제층으로 이루어진 고온 열박리 테이프에 있어서, 상기 베이스 필름은 폴리이미드(polyimide) 필름이고, 상기 점착제층은 실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부, 발포제 10∼20 중량부, 및 0.3∼5.0 중량부의 첨가제로 이루어지는 것을 그 특징으로 한다.

상기 발포제는 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 발포제로부터 선택되며, 상기 첨가제는 0.1∼1.5 중량부의 가교결합제, 0.1∼1.5 중량부의 촉매, 및 0.1∼1.5 중량부의 밀착력 향상제를 필수적으로 포함하며, 산화방지제와 같은 내열첨가제를 하나 이상 더 포함할 수 있다.

상기 점착제층에는 이형필름이 부착되는데, 이형필름은 PET 필름을 베이스 필름으로 하고, 그 위에 플루오로 실리콘(fluoro silicone)을 m2당 0.2∼1.0g으로 도포하여 25∼100㎛ 두께가 되도록 한다.

본 발명의 고온 열박리 테이프는 실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부에 희석용제 10∼30 중량부를 첨가하여 20∼40분간 교반하고, 상기 교반액에 발포제 10∼20 중량부를 첨가하여 20∼40분간 교반하고, 상기 교반액에 첨가제 0.3∼5.0 중량부를 첨가하여 30∼60분간 교반하여 점착제 조성물을 제조하고; 상기 제조된 점착제 조성물을 폴리이미드 필름에 도포하고; 상기 점착제 조성물이 도포된 폴리이미드 필름을 건조시키는 단계에 의하여 제조된다.

베이스 필름인 폴리이미드 필름은 종래의 베이스 필름과 같이 그 두께를 25~75㎛ 범위로 하는 것이 바람직하다. 베이스 필름에 도포되는 점착제층은 그 두께를 5~70㎛ 범위로 하는 것이 바람직하다.

상기 희석용제로는 톨루엔, 메틸에틸케톤(MEK) 등이 바람직하게 사용될 수 있으며, 이 용제는 실리콘 점착제 조성물을 균일하게 하고 발포제와 기타 첨가제를 균일하게 혼합하기 위한 것으로, 건조 단계에서 휘발된다.

점착제 조성물을 베이스 필름에 도포하기 전에, 베이스 필름에 프라이머 코팅을 더 할 수 있다. 프라이머 코팅은 점착제 조성물과 베이스 필름의 밀착력(결합력)을 좋게 하기 위한 것이다.

상기 건조 단계에 의하여 제조된 조성물이 도포된 폴리이미드 필름의 점착제층에 상기에서 제조된 이형필름을 부착하는 단계를 더 포함한다.

본 발명은 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에서 사용할 수 있도록 150~250℃ 범위의 고온에서 충분한 내열특성과 열박리가 가능한 새로운 고온 열박리 테이프를 제공한다.

이하 본 발명의 구체적인 내용을 하기에 상세히 설명한다.

본 발명은 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에서 사용할 수 있도록 150~250℃ 범위의 고온에서 충분한 내열특성과 열박리가 가능하고, 점착제 잔류물이 피착체에 남게 되는 전이 현상(또는 전사 현상)이 발생하지 않으며, 베이스 필름과 점착제의 결합력(밀착력)이 우수하고, 점착제층으로부터 쉽게 이형되는 이형필름(라이너)을 구비하고, 사용과정이나 박리과정에서 가스가 발생하는 아웃 개싱(out gasing)의 문제를 해결할 수 있는 고온 열박리 테이프를 제공하는 발명의 효과를 갖는다.

본 발명은 고온 열박리 테이프에 관한 것으로, 반도체 제조공정 중에서 FOWLP 및 TBDB 공정에 사용하기 위한 테이프로서, 우수한 점착력을 가지면서 동시에 고온에서 점착제 내의 물리발포제의 팽창으로 인해 테이프가 용이하게 박리되는 고온 열박리 테이프에 관한 것이다.

종래에는 열박리 테이프의 베이스 필름으로 PET, PP(폴리프로필렌), PE(폴리에틸렌), PVC(폴리비닐클로라이드) 등이 사용되어 왔다. 하지만 본 발명에서는 내영특성을 갖는 폴리이미드(PI)가 바람직하게 사용될 수 있다. 베이스 필름으로 PEN(polyethylene naphthalene), 유리섬유에 PTFE(polytetrafluoro ethylene)를 코팅한 필름, ETFE (ethylene terafluoroethylene), PEEK(polyether ether keton), PPS(polyphenylene sulfide), PES(polyether sulfone) 등도 용도에 따라 사용될 수 있다.

상기 점착제층의 수지로는 실리콘 수지 조성물을 한다. 박리온도가 100~150℃ 범위인 종래의 열박리 테이프에서는 점착제층으로 아크릴 점착제를 사용하지만, 아크릴 점착제는 박리온도가 150~250℃ 범위인 고온 열박리 테이프에서는 사용할 수 없다. 고온 열박리 테이프에 사용되는 실리콘 수지 조성물은 시판되는 것을 구매하여 사용할 수 있다. 미국의 다우코닝사나 일본의 신에츠사에 의하여 제조되어 시판되는 실리콘 수지 조성물이 있다.

실리콘 수지 조성물은 희석용제 내에서 균일하게 희석된다. 희석용제는 톨루엔, 메틸에틸케톤(MEK) 등이 바람직하게 사용될 수 있다. 이 용제는 건조 단계에서 휘발된다.

실리콘 수지 조성물이 희석용제 내에 균일하게 희석된 용액에 발포제를 첨가하여 교반한다. 발포제는 박리온도 범위인 150~250℃에서 발포되는 발포제를 선택해야 한다. 발포제는 발포온도에 따라 구분되는데, 통상 150~170℃, 180~190℃, 200~210℃, 250~260℃ 등으로 구분되는 발포제를 사용한다. 부착되어 있는 테이프가 상기 범위의 발포온도로 가열되면, 발포제가 발포되고, 그 결과 테이프의 점착력은 약화되어 부착되었던 테이프를 피착체로부터 용이하게 박리할 수 있다.

테이프의 제조과정에서 사용되었던 희석용제는 건조과정에서 휘발되고, 점착제층은 실리콘 점착제 조성물이 대략 75∼90 중량%, 및 발포제가 대략 5∼20 중량%이고 나머지는 첨가제가 점유한다. 점착제층에서 발포제의 함량이 5 중량% 이하이면 충분한 발포를 기대할 수 없고 따라서 박리가 용이한 점착력의 약화도 기대할 수 없다. 한편, 발포제의 함량이 20 중량% 이상이면 불필요한 발포제 사용으로 인하여 점착력을 조절하기가 쉽지 않다.

첨가제 중에서 가교결합제는 실리콘 점착제의 가교밀도를 향상하기 위한 것으로, 이는 본 발명의 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있다. 첨가제 중에서 촉매는 실리콘 점착제의 경화를 촉진하기 위한 것으로, 이는 본 발명 기술분야의 당업자에 의하여 용이하게 실시될 수 있다.

첨가제 중에서 밀착력 향상제(anchorage)는 베이스 필름과 실리콘 점착제 사이의 밀착력(결합력)을 향상하기 위한 것으로, 전체 점착제 중에서 약 0.1∼1.5 중량%의 범위로 사용한다. 실리콘 점착제는 표면장력이 낮기 때문에 베이스 필름과 실리콘 점착제 사이의 밀착력(결합력)을 향상시킬 필요가 있다. 점착제층에서 밀착력 향상제의 함량이 0.1 중량% 이하이면 충분한 결합력을 기대할 수 없고 따라서 접착테이프로서의 성능이 저하된다. 한편, 밀착력 향상제의 함량이 1.5 중량% 이상이면 잔사 현상이 발생하는 결점이 있다.

기타 첨가제로 산화방지제와 같은 내열첨가제를 하나 이상 더 포함할 수 있다. 이들 첨가제는 열박리 테이프에 사용되는 일반적인 것으로, 산화방지제로는 실리카, 알루미나, 산화철, TiO2 등이 있다.

상기 점착제층에는 이형필름이 부착되는데, 이형필름은 PET 필름을 베이스 필름으로 하고, 그 위에 플루오로 실리콘(fluoro silicone)을 m2당 0.2∼1.0g으로 도포하여 25∼100㎛ 두께가 되도록 한다. 상기 이형필름은 테이프의 점착제층을 일시적으로 보호하는 역할을 하며, 테이프 사용시에 제거된다. 상기 PET 필름에 코팅되는 물질은 일시적인 접착과 용이한 제거 기능을 갖는다.

본 발명의 고온 열박리 테이프는 실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부에 희석용제 10∼30 중량부를 첨가하여 실리콘 점착제 조성물이 균일하게 희석되도록 20∼40분간 교반한다. 상기 교반액에 발포제 10∼20 중량부를 첨가하여 발포제가 균일하게 혼합되도록 20∼40분간 교반한다. 상기 교반액에 0.1∼1.5 중량부의 가교결합제, 0.1∼1.5 중량부의 촉매, 및 0.1∼1.5 중량부의 밀착력 향상제로 이루어진 첨가제 0.3∼5.0 중량부를 첨가하여 30∼60분간 교반하여 점착제 조성물을 제조한다. 상기 첨가제에는 산화방지제와 같은 내열첨가제가 하나 이상 더 부가될 수 있다.

상기에서 제조된 점착제 조성물을 폴리이미드 필름에 도포한다. 이는 코팅장비인 코마 코터(Comma coater), 마이크로 그라비아(Micro Gravure), 슬롯 다이(Slot-die) 등의 장치에 의하여 연속공정으로 진행되는 것으로 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에 의하여 용이하게 실시될 수 있다. 상기 점착제 조성물이 도포된 폴리이미드 필름은 쳄버(chamber)라 하는 드라이 존(dry zone)을 통과하면서 건조된다. 드라이 존을 통과한 테이프는 점착제층에 이형필름을 연속적으로 부착하면서 권취한다. 권취된 테이프는 최종적으로 완성된 고온 열박리 테이프이다.

점착제 조성물을 베이스 필름에 도포하기 전에, 베이스 필름에 프라이머(primer) 코팅을 더 할 수 있다. 프라이머 코팅은 점착제 조성물과 베이스 필름의 밀착력(결합력)을 좋게 하기 위한 것이다. 프라이머 코팅은 종래의 열박리 테이프에서도 실시하던 것이지만, 본 발명에서는 실리콘 점착제와 최적화된 배합비를 갖는 프라이머를 제조하여 사용한다. 본 발명의 프라이머는 실리콘 검(gum)과 실리콘 수지(resin) 혼합물을 주성분으로 하고 미량의 첨가제(밀착력 향상제, 실란커플링제, 가교제, 촉매)가 첨가되어 베이스 필름과 점착제층의 점착력을 증가시킨다. 프라이머 코팅은 메이어 바(mayer bar)를 이용하여 진행하고, 코팅후에는 120℃에서 1분간 경화시킨다. 프라이머 코팅은 베이스 필름과 점착제층의 점착력을 증가시킬 뿐만 아니라, 열박리 후에 잔류물이 남게 되는 전이(전사) 현상이 일어나지 않는다.

본 발명은 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에서 사용할 수 있도록 150~250℃ 범위의 고온에서 충분한 내열특성과 열박리가 가능하고, 박리후에도 피착체에 잔류물이 남지 않는 새로운 고온 열박리 테이프를 제공한다.

본 발명의 고온 열박리 테이프는 테이프의 점착력을 500gf/25mm 까지 높일 수 있다. 종래의 고온 열박리 테이프가 300gf/25mm 정도의 점착력을 갖는 것에 비하여 점착력을 향상시킬 수 있다. 본 발명에서의 점착력의 향상은 프라이며 코팅을 비롯하여 실리콘 점착제의 조성에 기인하는 것으로 추측된다. 점착력이 향상되더라도 내열특성이 유지되며, 용이한 박리가 가능하고, 박리후에는 잔류물이 남지 않는다.

상기 설명은 단면 테이프에 관한 것이다. 그러나 본 발명은 단면 테이프에 국한되지 않으며, 양면 테이프에도 동일하게 적용된다. 즉 양면 테이프인 경우에는 베이스 필름 양쪽면에 점착제층이 형성되고, 각 점착제층에는 이형필름이 부착된다.

본 발명은 하기의 실시예에 의해 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시를 위한 것일 뿐 특허청구범위의 보호범위를 제한하고자 하는 것이 아니다.

실시예 : 실시예 1-6 및 비교예 1-4

베이스 필름으로는 모두 폴리이미드(PI) 필름을 사용하였다. 실리콘 점착제 수지, 희석용제, 발포제, 및 첨가제의 조성은 아래 표와 같다. 실리콘 점착제 수지로는 다우코닝사의 상품명 “7657”을 사용하였으며, 희석용제는 톨루엔을, 발포제로는 마스모토사의 상품명 “F190ssd"를 사용하였다. 가교결합제로는 다우코닝사의 상품명 ”7028“을 사용하였고, 촉매로는 , 및 첨가제의 다우코닝사의 상품명 ”4000“을 사용하였고, 밀착력 향상제로는 다우코닝사의 상품명 ”9250“을 사용하였다.

이형필름은 베이스 필름으로 PET 필름을 사용하였고, 코팅액으로는 풀루오로 실리콘을 사용하였다.

실시예 1-3 및 비교예 3-4에서는 프라이머 처리를 하였으나, 실시예 4-6 및 비교예 1-2에서는 프라이머 처리를 하지 않았다.

하기 표에 따른 조성을 갖는 점착제 조성물을 코마 코터(Comma coater)에서 폴리이미드 필름에 도포하고, 도포된 폴리이미드 필름은 드라이 존(dry zone)을 통과시켜 건조하였다. 드라이 존을 통과한 테이프는 점착제층에 이형필름을 연속적으로 부착하면서 권취하였다. 베이스 필름인 폴리이미드 필름은 그 두께가 50㎛인 것을 사용하였고, 베이스 필름에 도포되는 점착제층은 그 두께를 60㎛로 하였다.

실시예 1-6 및 비교예 1-4에 대하여 물성을 측정하거나 관찰하여 그 결과를 아래 표에 나타내었다. 발포전후의 점착력을 KSA-1107에 의하여 측정하였다.

우선, 프라이머 처리를 한 실시예 1-3이 프라이머 처리를 하지 않은 실시예 4-6보다 발포전 점착력이 대체로 낮음을 알 수 있다. 발포제, 가교결합제, 촉매, 및 밀착력 향상제를 적정량 사용한 실시예 1-6은 잔사가 발생하지 않았으며, 가스도 발생하지 않았다. 밀착력 향상제를 사용하지 않은 비교예 1에서는 발포전 점착력이 상태적으로 낮았고 잔사가 발생하였다. 발포제를 과량 사용한 비교예 2에서는 발포전 점착력이 상대적으로 낮았고, 잔사와 가스가 발생하였다. 발포제를 사용하지 않은 비교예 3에서는 발포후 점착력이 매우 높았고, 잔사가 심하게 발생하였고 가스도 발생하였다. 밀착력 향상제가 사용되지 않은 비교예 4에서는 발포전 점착력이 상대적으로 낮았고, 잔사와 가스가 심하게 발생하였다.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims

베이스 필름과 그 위에 도포된 점착제층으로 이루어진 고온 열박리 테이프에 있어서,
상기 베이스 필름은 폴리이미드(polyimide) 필름이고, 상기 점착제층은 실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부, 발포제 10∼20 중량부, 및 0.3∼5.0 중량부의 첨가제로 이루어지고, 상기 발포제는 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 발포제로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프.
제1항에 있어서, 상기 첨가제는 0.1∼1.5 중량부의 가교결합제, 0.1∼1.5 중량부의 촉매, 및 0.1∼1.5 중량부의 밀착력 향상제를 필수적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착제층에는 이형필름이 더 부착되고, 상기 이형필름은 PET 필름을 베이스 필름으로 하고, 그 위에 플루오로 실리콘(fluoro silicone)을 m²당 0.2∼1.0g으로 도포하여 그 두께가 25∼100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프.
제3항에 있어서, 상기 베이스 필름은 그 두께가 25~75㎛ 범위이고, 상기 점착제층은 그 두께가 5~70㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프.
제4항에 있어서, 상기 점착제층이 상기 베이스 필름의 양면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프.
실리콘 점착제 조성물 60∼90 중량부에 희석용제 10∼30 중량부를 첨가하여 20∼40분간 교반하고, 상기 교반액에 발포제 10∼20 중량부를 첨가하여 20∼40분간 교반하고, 그리고 상기 교반액에 첨가제 0.3∼5.0 중량부를 첨가하여 30∼60분간 교반하여 점착제 조성물을 제조하고;
상기 제조된 점착제 조성물을 폴리이미드 필름에 도포하고;
상기 점착제 조성물이 도포된 폴리이미드 필름을 건조시키는;
단계에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 점착제 조성물을 베이스 필름에 도포하는 단계 전에, 베이스 필름에 프라이머 코팅을 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 건조 단계 후에, 상기 폴리이미드 필름의 점착제층에 이형필름을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 희석용제가 톨루엔 또는 메틸에틸케톤(MEK)인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 FOWLP 공정이나 TBDB 공정에 사용하기 위한 150~250℃ 범위의 온도에서 발포되는 고온 열박리 테이프의 제조 방법.