KR20180136550A - 조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180136550A
KR20180136550A KR1020187034320A KR20187034320A KR20180136550A KR 20180136550 A KR20180136550 A KR 20180136550A KR 1020187034320 A KR1020187034320 A KR 1020187034320A KR 20187034320 A KR20187034320 A KR 20187034320A KR 20180136550 A KR20180136550 A KR 20180136550A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
pulses
controlling
radiation pulses
controllable characteristic
Prior art date
Application number
KR1020187034320A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102151013B1 (ko
Inventor
난 린
샌더 배스 루볼
사이먼 지스버트 조세푸스 마시젠
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20180136550A publication Critical patent/KR20180136550A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102151013B1 publication Critical patent/KR102151013B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G02F1/354—Third or higher harmonic generation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/04—Irradiation devices with beam-forming means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • G02F2001/354—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/16—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 series; tandem
    • G03F2007/2067—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

리소그래피 프로세스에서 사용되는 검사 장치에서 사용되기 위한 조명 장치 내에서 조명 방사선을 생성하는 방법이 설명된다. 복수 개의 방사선 펄스(704)를 포함하는 구동 방사선 빔(702)이 제공된다. 빔은 제 1 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스(706a, 708a)로 분할된다. 각각의 복수 개의 구동 방사선 펄스는 제어가능 특성을 가진다. 제 1 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스는 출력 파장 스펙트럼을 가지는 조명 방사선 빔을 생성하기 위하여 사용될 수 있다. 제 1 및 제 2 제어가능 특성은 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 및 제 2 부분 각각을 제어하도록 제어된다.

Description

조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 2016 년 5 월 4 일에 출원되고 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합되는 EP 출원 번호 제 16168237.2 의 우선권을 주장한다.
본 발명은 조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 고 고조파 생성 방사선 소스 내에서 조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 목표 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)이라고도 불리는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 특정 패턴 및 재료 조성물을 각각 포함하는 다수의 층이 도포되어 마감된 제품의 기능성 디바이스 및 상호연결을 형성한다.
리소그래피 프로세스에서, 생성된 구조체를, 예를 들어 프로세스를 제어하고 검증하기 위해서 자주 측정하는 것이 바람직하다. 임계 치수(CD)를 측정하기 위하여 흔히 사용되는 스캐닝 전자 현미경, 및 디바이스에 있는 두 개의 층들의 정렬 정확도인 오버레이를 측정하는 전문 툴과 같이, 이러한 측정을 하기 위한 다양한 툴들이 알려져 있다. 최근, 다양한 형태의 산란계들이 리소그래피 분야에서 사용되도록 개발되어 왔다.
공지된 산란계의 예들은 흔히 전용 계측 타겟의 공급에 의존한다. 예를 들어, 방법은, 측정 빔이 격자보다 작은 스폿을 생성하도록(즉, 격자는 언더필됨) 충분히 큰 단순 격자의 형태인 타겟을 요구할 수 있다. 소위 재구성 방법에서, 격자의 특성은 산란 방사선과 타겟 구조체의 수학적 모델 사이의 상호작용을 시뮬레이션함으로써 계산될 수 있다. 모델의 파라미터는, 시뮬레이션된 상호작용이 실제 타겟으로부터 관찰된 것과 유사한 회절 패턴을 생성할 때까지 조절된다.
복원에 의해 피쳐 형상을 측정하는 것과 함께, 공개 특허 출원 제 US2006066855A1 에 기술된 것처럼, 이러한 장치를 사용하여 회절 기초 오버레이가 측정될 수 있다. 회절 차수들의 암-시야 이미징을 사용하는 회절-기초 오버레이를 통해, 더 작은 타겟에 대한 오버레이 측정이 가능해진다. 이러한 타겟은 조명 스폿보다 더 작을 수 있고, 웨이퍼 상의 제품 구조체에 의하여 둘러싸일 수도 있다. 암시야 이미징 계측의 예는, 예를 들어 US2011102753A1 및 US20120044470A와 같은 다수의 공개된 특허 출원에서 발견될 수 있다. 복합 격자 타겟을 사용하여 하나의 이미지 내의 다수의 격자들이 측정될 수 있다. 공지된 산란계는 가시광 또는 near-IR 파 범위에 있는 광을 사용하는 경향이 있는데, 그러면 격자의 피치가 그 특성이 실제로 관심 대상인 실제 제품 구조체보다 훨씬 성겨야 한다. 이러한 제품 피쳐는 훨씬 더 짧은 파장을 가지는 심자외선(DUV) 또는 극자외(EUV) 방사선을 사용하여 규정될 수도 있다. 불행하게도, 이러한 파장은 일반적으로 계측을 위해서는 이용가능하거나 사용가능하지 않다.
반면에, 현대의 제품 구조체의 치수는 너무 작아서 광계측 기법으로는 이미징될 수 없다. 예를 들어 작은 피쳐에는 다수의 패터닝 프로세스, 및/또는 피치-복제에 의해 형성되는 것들이 있다. 그러므로, 대량 계측을 위해 사용되는 타겟은, 그 오버레이 오차 또는 임계 치수가 관심 대상 특성인 제품보다 훨씬 큰 피쳐를 흔히 사용한다. 측정 결과는 실제 제품 구조체의 치수에 간접적으로만 관련되고, 계측 타겟이 리소그래피 장치 내의 광학 투영 하에서 동일한 왜곡을 겪지 않기 때문에, 및/또는 제조 프로세스의 다른 단계에서 상이하게 처리되기 때문에 부정확할 수 있다. 스캐닝 전자 현미경(SEM)이 이러한 현대의 제품 구조체를 직접적으로 해상할 수 있지만, SEM은 광학적 측정보다 훨씬 더 시간이 많이 걸린다. 더욱이, 전자는 두꺼운 프로세스 층을 통과할 수 없어서, 계측 애플리케이션을 위해서는 적합하지 않게 된다. 콘택 패드를 사용하여 전기적 특성을 측정하는 것과 같은 다른 기법도 알려져 있는데, 이것은 실제 제품 구조체의 간접적 증거만을 제공한다.
계측 중에 사용되는 방사선의 파장을 감소시킴으로써(즉 "소프트 X-선" 파장 스펙트럼으로 이동시킴으로써), 방사선이 제품 구조체 내로 더 투과될 수 있기 때문에 측정 성능이 개선된다. 그러나, 그러려면 계측 시스템의 스펙트럼 분해능도 대응하여 개선되어야 한다. 또한, 제품 구조체가 점점 많은 개수의 층을 포함하고 따라서 두께가 증가함과 함께, 제품 구조체의 복잡도도 증가되고 있다. 따라서, 계측 측정을 수행하기 위해서 요구되는 스펙트럼 분해능이 증가된다.
더 나아가, DUV 또는 EUV 파장을 방출하는 방사선 소스는 계측 측정을 수행하도록 최적화되지 않을 수도 있는데, 이러한 점은 이러한 측정의 정확도 및 유용성에 부정적인 영향을 줄 수 있다. 그러므로, 계측 측정에서 사용되기 위한 방사선을 생성하기 위한 개선된 방법 및 방사선 소스가 요구된다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 고 고조파 생성 방사선 소스에서 조명 방사선 빔을 생성하는 방법으로서,
상기 조명 방사선 빔을 생성하기 위하여 구동 방사선 빔을 제공하는 단계 - 상기 구동 방사선 빔은 복수 개의 방사선 펄스를 포함함 -;
상기 구동 방사선 빔을 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스로 분할하는 단계 -;
상기 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하도록, 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계; 및
상기 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하도록, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계를 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법이 제공된다.
일부 실시예들에서, 상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계는, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스에 상대적인 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연을 특정 지연 값만큼 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 또는 제 2 부분이 단일 파장 연속체(continuum)를 각각 포함하게 하도록 제어될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는, 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는, 상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나에 대해 게이팅(gating)을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 일반화된 이중 광학 게이팅이 상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나 상에 수행될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는, 상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나 상에 펄스 압축(pulse compression)을 수행하는 것을 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분이 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분과 달라지도록 제어된다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 검사 장치용 방법으로서,
제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스를 제공하는 단계;
제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스를 제공하는 단계;
상기 제 1 복수 개의 출력 펄스 및 상기 제 2 복수 개의 출력 펄스를 조명 방사선 빔으로 결합하는 단계; 및
상기 조명 방사선 빔을 사용하여 타겟의 적어도 하나의 특성을 결정하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스를 제공하는 단계는, 상기 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하도록, 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 것을 포함하고;
상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스를 제공하는 단계는, 상기 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하도록, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법이 제공된다.
본 발명은 전술된 방법을 실행하기 위한 수단을 포함하는 조명 장치를 더 제공한다.
또한, 본 발명은 전술된 방법을 실행하기 위한 수단을 포함하는 검사 장치를 더 제공한다.
또한, 본 발명은 전술된 검사 장치를 포함하는 리소그래피 장치를 더 제공한다.
본 발명은 더 나아가, 디바이스 제조 방법으로서, 디바이스 피쳐 및 계측 타겟이 리소그래피 프로세스에 의하여 일련의 기판 상에 형성되고, 하나 이상의 처리된 기판 상의 상기 계측 타겟의 특성이 전술된 바와 같은 방법에 의하여 측정되며, 측정된 특성이, 추가적인 기판의 처리를 위해 상기 리소그래피 프로세스의 파라미터를 조절하기 위하여 사용되는, 디바이스 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 전술된 본 발명에 따른 방법의 제어하는 단계를 구현하기 위한 머신-판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공한다.
또한, 본 발명은 리소그래피 시스템으로서,
리소그래피 장치를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는,
패턴을 조명하도록 구성되는 조명 광학 시스템;
상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학 시스템; 및
전술된 바와 같은 검사 장치를 포함하며,
상기 리소그래피 장치는 상기 패턴을 추가적인 기판에 적용할 때, 상기 검사 장치로부터의 측정 결과를 사용하도록 구성되는, 리소그래피 시스템을 더 제공한다.
본 발명의 다른 양태, 특징 및 장점 및 본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 동작은 첨부 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명이 본 명세서에서 설명되는 특정 실시예로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 이러한 실시예는 본 명세서에서 예시를 위해 제공될 뿐이다. 본 명세서에 포함된 교시에 기초하는 추가적인 실시예들이 당업자에게 명백해질 것이다.
본 발명의 실시예가 오직 예시를 통하여, 대응하는 참조 심벌들이 대응하는 부분을 표시하는 첨부된 개략도를 참조하여 이제 설명될 것이다.
도 1 은 반도체 디바이스용 생산 설비를 제조하는 다른 장치와 함께 리소그래피 장치를 도시한다;
도 2 는 본 발명의 제 1 실시예에서 사용가능한 계측 방법에서 격자 타겟에 관련된 입사 광선과 반사 광선의 기하학적 구조를 도시한다;
도 3 은 도 2 의 방법을 수행하는 계측 장치의 컴포넌트를 개략적으로 도시한다;
도 4 의 (a) 및 (b)는 도 3 의 장치에서 사용가능한 방사선 소스를 예시한다;
도 5 는 도 4 의 방사선 소스의 출력 스펙트럼의 개략도이다;
도 6 의 (a) 및 (b)는 펄스 압축 방법의 개략도이다;
도 7 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 조명 시스템의 개략도이다;
도 8 은 도 7 의 조명 시스템을 사용하기 위한 방법의 예시이다;
도 9 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 조명 시스템의 개략도이다;
도 10 은 도 9 의 조명 시스템을 사용하기 위한 방법의 예시이다;
도 11 은 도 7 또는 도 9 의 조명 시스템이 그 안에서 사용될 수 있는 계측 장치의 개략도이다;
도 12 는 도 11 의 계측 장치를 사용하기 위한 방법을 예시한다;
도 13 은 도 11 의 계측 장치에서 사용가능한 제 1 검출기 셋업의 개략도이다;
도 14 는 도 11 의 검출기 셋업 내에서 사용가능한 필터 재료에 대한 여러 예시적인 투과 스펙트럼들을 개략적으로 예시한다; 그리고
도 15 는 도 11 의 계측 장치에서 사용가능한 제 2 검출기 셋업의 개략도이다.
본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1 은 대량의 리소그래피 제조 프로세스를 구현하는 산업 설비의 일부로서, 리소그래피 장치(LA)를 200 에서 도시한다. 제공된 예에서, 제조 프로세스는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 반도체 제품(집적 회로)을 제조하기 위해 적응된다. 상이한 타입의 기판을 이러한 프로세스를 변형하여 처리함으로써 매우 다양한 제품이 제조될 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 반도체 제품의 생산은 오늘날 상업적으로 매우 중요한 일 예로서만 사용된다.
리소그래피 장치(또는 간략히 "리소 툴(200)") 내에는 202 에 측정 스테이션(MEA)이 도시되고, 204 에 노광 스테이션(EXP)이 도시된다. 제어 유닛(LACU)은 206 에 도시된다. 이러한 예에서, 각각의 기판은 패턴이 적용되게 하기 위해 측정 스테이션 및 노광 스테이션에 진입한다. 광학적 리소그래피 장치에서, 컨디셔닝된 방사선 및 투영 시스템을 사용하여 패터닝 디바이스(MA)로부터 기판 상에 제품 패턴을 전사하기 위해서 예를 들어 투영 시스템이 사용된다. 이것은 패턴의 이미지를 방사선-감응 레지스트 재료의 층에 형성함으로써 이루어진다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 침지액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 패터닝(MA) 디바이스는 마스크 또는 레티클일 수 있고, 이것은 패터닝 디바이스에 의해 투과되거나 반사된 방사선 빔에 패턴을 부여한다. 알려진 동작 모드는 스테핑 모드 및 스캐닝 모드를 포함한다. 잘 알려진 바와 같이, 투영 시스템은 기판에 대한 지지 및 위치설정 시스템 및 패터닝 디바이스와 다양한 방식으로 협동하여 원하는 패턴을 기판에 걸친 많은 타겟 부분에 적용시킬 수 있다. 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스는 고정된 패턴을 가지는 레티클 대신에 사용될 수 있다. 예를 들어, 방사선은 심자외선(DUV) 또는 극자외(EUV) 파대역에 있는 전자기 방사선을 포함할 수 있다. 본 발명은 다른 타입의 리소그래피 프로세스, 예를 들어 전자 빔에 의한, 예를 들어 임프린트 리소그래피 및 다이렉트 라이팅(direct writing) 리소그래피에도 역시 적용가능하다.
리소그래피 장치 제어 유닛(LACU)은 다양한 액츄에이터 및 센서의 모든 이동 및 측정을 제어하여, 기판(W) 및 레티클(MA)을 수용하고 패터닝 동작을 구현한다. LACU는 장치의 동작과 관련된 원하는 계산을 구현하는 신호 처리와 데이터 처리 능력을 더 포함한다. 실무상, 제어 유닛(LACU)은, 이러한 장치 내의 서브시스템 또는 컴포넌트의 실시간 데이터 획득, 처리 및 제어를 각각 처리하는 많은 서브유닛들의 시스템으로서 구현될 것이다.
패턴이 노광 스테이션(EXP)에서 기판에 적용되기 전에, 기판은 측정 스테이션(MEA)에서 처리되어 다양한 준비 단계들이 수행될 수 있게 한다. 준비 단계는 레벨 센서를 사용하여 기판의 표면 높이를 매핑하는 것과 정렬 센서를 사용하여 기판 상의 정렬 마크의 위치를 측정하는 것을 포함할 수도 있다. 공칭적으로, 정렬 마크는 규칙적인 그리드 패턴으로 배치된다. 그러나, 마크를 생성할 때 생기는 부정확성과 처리되는 동안 발생하는 기판의 변형 때문에, 마크들은 이상적인 그리드로부터 벗어나게 된다. 결과적으로, 이러한 장치가 제품 피쳐를 매우 높은 정확도로 올바른 위치에 인쇄하려면, 기판의 위치 및 배향을 측정하는 것에 추가하여, 실무상 정렬 센서는 기판 면적에 걸쳐 많은 마크의 위치를 자세하게 측정해야 한다. 이러한 장치는 두 개의 기판 테이블을 가지는 소위 이중 스테이지 타입일 수 있고, 각 테이블에는 제어 유닛(LACU)에 의해 제어되는 위치설정 시스템이 있다. 하나의 기판 테이블에 있는 하나의 기판이 노광 스테이션(EXP)에서 노광되는 동안, 다른 기판은 측정 스테이션(MEA)에 있는 다른 기판 테이블에 로딩될 수 있어서, 다양한 준비 단계들이 수행될 수 있다. 그러므로, 정렬 마크를 측정하는 것은 시간이 많이 걸리는 작업이고, 두 개의 기판 테이블을 제공하면 장치의 쓰루풋이 크게 증가하게 될 수 있다. 기판 테이블이 측정 스테이션과 노광 스테이션에 있는 동안 기판 테이블의 위치를 위치 센서(IF)가 측정할 수 없다면, 이러한 스테이션 양자 모두에서의 기판 테이블의 위치를 측정할 수 있도록 제 2 위치 센서가 제공될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치(LA)는 두 개의 기판 테이블(WTa 및 WTb)과 그들 사이에서 기판 테이블이 교환될 수 있는 두 개의 스테이션 - 노광 스테이션 및 측정 스테이션 - 을 가지는, 소위 듀얼 스테이지 타입일 수 있다.
생산 설비 내에서, 장치(200)는, 이러한 장치(200)에 의한 패터닝을 위해서 감광성 레지스트 및 다른 코팅을 기판(W)에 적용시키기 위한 코팅 장치(208)를 역시 포함하는 "리소 셀" 또는 "리소 클러스터"의 일부를 형성한다. 장치(200)의 출력측에는, 노광된 패턴을 물리적 레지스트 패턴으로 현상하기 위해서 베이킹 장치(210) 및 현상 장치(212)가 제공된다. 이러한 장치들 모두 사이에서, 기판 핸들링 시스템은 기판을 지지하고 이들을 장치의 일부에서 다른 부분으로 전달하는 것을 담당한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system; SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 장치 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다. 감독 제어 시스템(SCS)은 각각의 패터닝된 기판을 생성하기 위해 수행될 단계들의 정의를 상세히 제공하는 레시피 정보(R)를 수신한다.
리소셀 내에서 패턴이 적용되고 현상되면, 패터닝된 기판(220)은 222, 224, 226 에 예시되는 것과 같은 다른 처리 장치로 전달된다. 통상적인 제조 설비 내에는 다양한 장치에 의해 광범위한 처리 단계들이 구현된다. 예시를 위하여, 이러한 실시예에서 장치(222)는 에칭 스테이션이고, 및 장치(224)는 에칭후 어닐링 단계를 수행한다. 추가적인 물리적 및/또는 화학적 처리 단계들이 다른 장치(226 등)에 적용된다. 재료의 증착, 표면 재료 특성의 변경(산화, 도핑, 이온 이식 등), 화학적-기계적 연마(CMP) 등과 같은 여러 타입의 동작들이 실제 디바이스를 제작하기 위해 요구될 수 있다. 실무상, 장치(226)는 하나 이상의 장치에서 수행되는 일련의 상이한 처리 단계를 나타낸다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체 디바이스를 제작하려면, 적합한 재료 및 패턴을 가지는 디바이스 구조체를 기판 위에 층별로 쌓아올리기 위해 이러한 처리들의 반복이 수반된다. 이에 따라, 리소 클러스터에 도달하는 기판(230)은 새롭게 준비된 기판일 수도 있고, 또는 기판은 이러한 클러스터 또는 완전히 다른 장치에서 이전에 처리된 기판일 수도 있다. 이와 유사하게, 요구되는 처리에 따라서, 장치(226)를 떠나는 기판(232)은 동일한 리소 클러스터 내에서의 후속 패터닝 동작을 위해 반환될 수 있거나, 상이한 클러스터 내에서의 패터닝 동작을 위해 보내질 수 있거나, 다이싱 및 패키징을 위해 보내져야 할 마감된 제품일 수도 있다.
제품 구조체의 각각의 층은 상이한 세트의 프로세스 단계를 요구하고, 각각의 층에서 사용되는 장치(226)는 타입이 완전히 다를 수도 있다. 더 나아가, 장치(226)에 의해 적용될 처리 단계들이 공칭적으로 동일한 경우에도, 큰 설비에서는 상이한 기판들에 단계(226)를 수행하도록 병렬적으로 동작하는, 동일해 보이는 여러 머신들이 존재할 수도 있다. 이러한 머신들 사이에서 셋-업 또는 고장에 있어서 작은 차이가 발생한다는 것은, 다른 기판들이 다른 방식으로 영향받게 된다는 것을 의미할 수 있다. 심지어, 에칭(장치(222))과 같이 각각의 층에 대해 상대적으로 공통인 단계들도, 공칭적으로 동일하지만 병렬적으로 작동하여 쓰루풋을 최대화하는 여러 에칭 장치들에 의해 구현될 수 있다. 더욱이, 실무적으로는, 다른 층들은 에칭될 재료의 세부사항과 예를 들어 이방성 에칭과 같은 특별한 요구 사항에 따라서 다른 에칭 프로세스, 예를 들어 화학적 에칭, 플라즈마 에칭을 요구한다.
선행 및/또는 후속 프로세스는 전술된 것처럼 다른 리소그래피 장치에서 수행될 수 있고, 심지어 상이한 타입의 리소그래피 장치에서 수행될 수도 있다. 예를 들어, 분해능 및 오버레이와 같은 파라미터가 매우 중요한 일부 층들은 디바이스 제작 프로세스 중에 덜 중요한 다른 층들보다 더 진보된 리소그래피 툴에서 처리될 수 있다. 그러므로 일부 층들이 침지 타입 리소그래피 툴에서 노광될 수 있는 반면에 다른 층들은 '건식' 툴에서 노광된다. 일부 층들은 DUV 파장에서 동작하는 툴 안에서 노광될 수 있는 반면에, 다른 층들은 EUV 파장 방사선을 사용하여 노광된다.
리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해서는, 노광된 기판을 검사하여 후속 층들 사이의 오버레이 에러, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성을 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 리소셀(LC)이 그 안에 위치되는 제조 설비는, 리소셀 내에서 처리된 기판(W)의 일부 또는 전부를 수납하는 계측 시스템(MET)을 더 포함한다. 계측 결과는 감독 제어 시스템(SCS)으로 직접적으로 또는 간접적으로 제공된다. 오차가 검출되는 경우, 특히 동일 배치(batch)의 다른 기판이 여전히 노광되기에 충분한 정도로 계측이 곧바로 신속하게 행해질 수 있으면, 후속 기판의 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 스트리핑되고 재작업(rework) 되며 - 수율을 개선하기 위하여 - 또는 폐기되어, 이를 통하여 오류가 있는 것으로 알려진 기판에 다른 처리를 수행하는 것을 회피할 수도 있다. 기판의 일부 타겟 영역에만 오류가 있는 경우, 양호한 것으로 간주되는 타겟 영역에만 추가의 노광이 수행될 수 있다.
도 1 에는 제조 프로세스의 원하는 스테이지에서 제품의 파라미터를 측정하기 위해 제공되는 계측 장치(240)도 역시 도시된다. 현대의 리소그래피 생산 설비 내에 있는 계측 장치의 공통적인 예는, 예를 들어 각도-분해 산란계 또는 분광식 산란계인데, 이것은 장치(222)에서의 에칭 이전에 220 에서 현상된 기판의 특성을 측정하기 위해 적용될 수 있다. 계측 장치(240)를 사용하면, 예를 들어 오버레이 또는 임계 치수(CD)와 같은 중요한 성능 파라미터가 현상된 레지스트 내의 규정된 정확도 요구 사항을 만족시키지 않는다는 것이 결정될 수 있다. 에칭 단계 이전에, 현상된 레지스트를 벗겨내고 리소 클러스터를 통해 기판(220)을 재처리할 기회가 있다. 역시 잘 알려진 바와 같이, 장치(240)로부터의 계측 결과(242)는, 시간에 따라 미세하게 조절하는 감독 제어 시스템(SCS) 및/또는 제어 유닛(LACU)(206)에 의해서, 패터닝 동작의 정확한 성능을 유지하여 제품이 사양에 벗어나게 제작되거나 재작업해야 하는 위험을 최소화시키기 위해 사용될 수 있다. 물론, 계측 장치(240) 및/또는 다른 계측 장치(미도시)는 처리된 기판(232, 234), 및 인입하는 기판(230)의 특성을 측정하기 위해 적용될 수 있다.
도 2 는 EUV 계측 방법을 예시하고 도 3 은 EUV 계측 장치(300)를 예시한다. 이러한 장치는 도 1 의 제조 시스템에서 처리된 기판(W)의 파라미터를 측정하기 위한 EUV 계측 장치(244)의 일 예로서 사용될 수 있다.
도 2 에서, 타겟(T)은 구형 기준 프레임의 원점에 1-차원의 격자 구조체를 포함하는 것으로 개략적으로 표현된다. 축들(X, Y 및 Z)이 타겟에 대해 규정된다. (물론, 이론 상 임의의 좌표계가 규정될 수 있고, 각각의 컴포넌트는 도시된 것에 대해 규정될 수 있는 자기 자신의 로컬 기준 프레임을 가질 수 있다.) 타겟 구조체의 주기 방향(D)은 X 축과 정렬된다. 도면은 완전한 투시도가 아니고, 개략적인 예시일 뿐이다. X-Y 평면은 타겟 및 기판의 평면이고, 명확화를 위하여 관찰자에 대해 기울어진 것으로 원(302)의 비스듬한 도면에 의해 표현되어 도시된다. Z 방향은 기판에 수직인 방향(N)을 규정한다. 도 2 에서, 입사 광선 중 하나는 304 로 명명되고 그레이징 입사의 각도 α를 가진다. 이러한 예에서, 입사 광선(304)(및 방사선 스폿(S))을 형성하는 모든 입사 광선)은 X-Z 평면에 평행인 평면, 즉 방향(D) 및 N을 규정하고 원(306)으로 표현되는 평면에 실질적으로 놓여 있다. 타겟(T)의 주기적 구조체에 의해 산란되지 않는 반사된 광선(308)은 다이어그램에서 타겟의 우측을 향해 고도 각도 α로 대두된다. 입사 광선(304)의 방사선 중 일부는 타겟(T)에 의해서 여러 알려진 방식으로 회절 차수로 산란된다. 제 1 차 산란 방사선을 포함하는 산란 광선(309)이 도시된다. 도시된 예에서, 제 1 차 산란 방사선은 상이한 파장의 여러 개별 광선을 포함한다. 산란 방사선은 검출기(313a)에 의해서 검출될 수 있는데, 이것은 예를 들어 픽셀들의 어레이를 가지는 CCD 이미지 검출기일 수 있다.
분광식 반사측정을 수행하기 위하여, 광선(308) 및 다른 반사된 광선은 상이한 파장의 광선들을 포함하는 스펙트럼(310)으로 분할된다. 스펙트럼은 예를 들어 그레이징 입사 회절 격자(312)를 사용하여 생성될 수 있다. 스펙트럼은 제 2 검출기(313b)에 의해 검출된다. 제 1 검출기와 유사하게, 이러한 검출기는 예를 들어 픽셀들의 어레이를 가지는 CCD 이미지 검출기일 수 있다. 제 1 및 제 2 검출기 양자 모두는 검출된 스펙트럼을 전기 신호로 그리고 종국에는 분석하기 위한 디지털 데이터로 변환하기 위해 사용된다.
실제 시스템에서, 방사선(304)의 스펙트럼은 시간 변동에 노출될 수 있고, 이것은 분석을 방해할 것이다. 검출된 스펙트럼을 이러한 변동에 반해서 정규화하기 위하여, 레퍼런스 스펙트럼이 제 2 검출기(314)에 의해 캡쳐된다. 레퍼런스 스펙트럼을 생성하기 위해서, 소스 방사선(316)이 다른 회절 격자(318)에 의해 회절된다. 격자(318)의 제로 차수 반사된 광선은 입사 광선(304)을 형성하는 반면에, 격자(318)의 일차 회절된 광선(320)은 레퍼런스 스펙트럼 검출기(314)에 의해 검출되는 레퍼런스 스펙트럼을 형성한다. 분석할 때 사용되도록 레퍼런스 스펙트럼을 나타내는 전기 신호 및 데이터가 획득된다.
입사각 α의 하나 이상의 값에 대해 획득된 측정된 스펙트럼으로부터, 타겟 구조체(T)의 특성의 측정이 상세히 후술되는 방식으로 계산될 수 있다.
도 3 으로 돌아가면, 기판(W) 상에 형성된 계측 타겟(T)의 특성을 도 2 의 방법을 사용하여 측정하기 위해서 EUV 계측 장치(300)가 제공된다. 다양한 하드웨어 컴포넌트들은 개략적으로 표현된다. 이러한 컴포넌트의 실용적 구현형태는 현존 컴포넌트 및 특수 설계된 컴포넌트의 혼합물을 잘 알려진 디자인 원리에 따라 적용시키는 당업자에 의해 수행될 수 있다. 설명될 다른 컴포넌트에 대한 원하는 위치 및 배향에서 기판을 홀딩하기 위해 지지체(자세하게 도시되지 않음)가 제공된다. 방사선 소스(330)는 방사선을 조명 시스템(332)으로 제공한다. 조명 시스템(332)은 타겟(T) 상에 포커싱된 조사 스폿을 형성하는 광선(304)에 의해 표현되는 EUV 방사선의 빔을 제공한다. 조명 시스템(332)도 레퍼런스 스펙트럼(320)을 검출기(314)로 제공한다. 컴포넌트(312, 313a, 313b) 등은 편리하게 검출 시스템(333)이라고 간주될 수 있다.
이러한 예에서 기판(W)은 위치설정 시스템(334)을 가지는 가동 지지체 상에 탑재되어, 광선(304)의 입사각 α가 조절될 수 있게 한다. 이러한 예에서, 기판(W)을 틸팅하여 입사각을 변경하는 동안 소스(330) 및 조명 시스템(332)은 정지된 상태를 유지하는 것은 오직 편의에 따라 선택된 것이다. 반사된 광선(308)을 잡아내기 위해서, 검출 시스템(333)에는 추가적 가동 지지체(336)가 제공되어, 이것이 정지된 조명 시스템에 대해 각도 2α를 통해, 또는 기판에 대해 각도 α를 통해 이동하게 한다. 반사측정의 그레이징 입사 레짐(regime)에서, 입사각 α를 도시된 바와 같이 기판 평면에 대해 정의하는 것이 편리하다. 물론, 이것은 입사 광선(I)의 입사 방향과 기판에 수직인 방향(N) 사이의 각도라고도 마찬가지로 정의될 수 있다.
각각의 타겟(T)을 방사선의 스폿(S)이 위치되는 위치로 이동시키기 위해서 도시되지 않은 추가적 액츄에이터가 제공된다. (다르게 보면, 스폿을 타겟이 위치된 위치로 이동시키는 것과 같음) 실제 응용예에서, 단일 기판 상에서 측정될 개개의 타겟 또는 타겟 위치의 연속이 존재할 수 있고, 기판들의 연속도 존재할 수 있다. 이론상, 조명 시스템 및 검출기가 정지된 상태를 유지하는 동안 기판 및 타겟이 이동되고 재배향되는지, 조명 시스템 및 검출기가 이동되는 동안 기판이 정지된 상태를 유지하는지, 또는 상대 운동을 하는 상이한 컴포넌트들이 이러한 기법을 조합해서 얻어지는지는 중요하지 않다. 본 발명은 이러한 변형예 모두를 망라한다.
도 2 를 참조하여 전술된 바와 같이, 타겟(T)이 주기적이기 때문에, 입사 방사선의 일부는 별개의 차수로 산란된다. 이러한 예에서는 상이한 파장을 가지는 복수 개의 광선을 포함하는 산란 방사선(309)의 제 1 차수가 도 3 에 도시된다. 산란 방사선은 제 1 검출기(313a)에 충돌한다. 방사선의 일부는 타겟(T) 및 기판(W)에 의해 반사되고, 후속하여 검출기(313b)에 충돌하기 전에 상이한 파장의 광선들의 스펙트럼(310)으로 분할된다. 예를 들어, 검출기(313a 및 313b)는 위치-감응 EUV 검출기, 예를 들어 검출기 요소들의 어레이를 포함한다. 어레이는 선형 어레이일 수 있지만, 실무상 요소(픽셀)의 2-차원의 어레이가 제공될 수도 있다. 검출기(313a 및 313b)는 예를 들어 CCD(전하 결합 디바이스) 이미지 센서일 수 있다.
프로세서(340)는 검출기(313 및 314)로부터 신호를 수신한다. 특히, 검출기(313a 및/또는 313b)로부터의 신호(ST)는 타겟 스펙트럼을 나타내고 검출기(314)로부터의 신호(SR)는 레퍼런스 스펙트럼을 나타낸다. 프로세서(340)는 타겟 스펙트럼으로부터 레퍼런스 스펙트럼을 감산하여, 소스 스펙트럼에 있는 변동에 반해서 정규화된 타겟의 반사 스펙트럼을 포함할 수 있다. 하나 이상의 입사각에 대한 결과적으로 얻어지는 반사 스펙트럼들은 타겟의 특성, 예를 들어 CD 또는 오버레이의 측정을 계산하기 위해서 프로세서 내에서 사용된다.
실무상, 소스(330)로부터의 방사선은 일련의 짧은 펄스로 제공될 수 있고, 신호(SR 및 ST)는 각각의 펄스에 대해 함께 캡쳐될 수 있다. 각각의 개개의 펄스가 이러한 입사각에서의 이러한 타겟에 대한 전체 반사 스펙트럼으로 통합되기 전에 그들에 대한 차분 신호가 계산된다. 이러한 방식으로, 펄스들 사이의 소스 스펙트럼의 불안정성이 정정된다. 펄스 레이트는 초당 수 십만 번의 반복(Hz)으로부터, 초당 수 백만 번의 반복(MHz) 까지(상한을 포함함)의 임의의 적합한 값을 가질 수 있다. 하나의 반사 스펙트럼으로 측정되도록 통합되는 펄스들의 개수는 예를 들어 수 십 또는 수 백 개일 수 있다. 이렇게 많은 펄스가 있어도, 물리적 측정을 하는 데에는 일 초의 일부만 걸린다.
이러한 EUV-SR을 반도체 제조 시의 계측에 적용하면, 작은 격자 타겟이 사용될 수 있다. 다수의 회절 스펙트럼들은, 그레이징 입사각 α를 다양한 상이한 값으로 설정하면서 검출기(313a 및 313b 및 314)를 사용하여 캡쳐된다. 타겟 구조체의 검출된 스펙트럼들 및 수학적 모델을 사용하면, CD 및/또는 다른 관심 파라미터의 측정을 얻기 위한 재구성 계산이 수행될 수 있다. 예시적인 하나의 재구성 방법이 상세히 후술될 것이다.
간단히 타겟 자체를 고려하면, 라인과 공간의 치수는 타겟 디자인에 따라 달라질 것이지만, 구조체의 주기는 예를 들어 100 nm 미만, 50 nm 미만, 20 nm 미만, 심지어 10 nm 미만 그리고 5 nm까지 내려갈 수 있다. 격자 구조체의 라인은 기판의 제품 영역 내에 있는 제품 피쳐와 동일한 치수 및 피치일 수 있다. 격자 구조체의 라인은 사실상, 오직 계측 목적을 위해서 전용 타겟 영역 내에 형성된 타겟 구조체가 아니라 제품 구조체의 라인일 수 있다. 이러한 작은 피쳐는 예를 들어 임프린트 리소그래피에 의해 또는 다이렉트-라이트(write) 방법에 의해여 EUV 리소그래피 프로세스에서 형성될 수 있다. 이러한 작은 피쳐는 또한 소위 이중-패터닝 프로세스(일반적으로 다중-패터닝)에 의하여 현재의 DUV 리소그래피를 사용해서 형성될 수 있다. 이러한 범주의 기법은, 예를 들어 리소-에칭-리소-에칭(LELE)에 의한 피치-이중화(doubling) 및 BEOL(back end-of line) 층들에서의 자기-정렬된 듀얼-다마신(dual-damascene)을 포함한다. 설명을 위하여, 다음 예들에서 CD가 관심 파라미터라고 간주할 것이다. 그러나, 포개져서 형성되는 두 개의 격자가 있는 경우, 다른 관심 파라미터는 오버레이일 수 있다. 이것은 별개로 후술되는 EUV-SR 회절 차수에 있는 비대칭에 기초해서 측정될 수 있다. 하부 구조체로의 적당한 침투를 얻기 위해 필요하면 입사각이 상승될 수 있다.
다중-패터닝 프로세스에서, 구조체들은 제품의 하나의 층에서 형성되지만, 하나의 패터닝 동작으로 형성되는 것이 아니라 두 개 이상의 패터닝 단계에서 형성된다. 따라서, 예를 들어 구조체의 제 1 모집단은 구조체의 제 2 모집단과 인터리빙될 수 있고, 하나의 단계만으로 얻을 수 있는 것보다 더 높은 분해능을 얻기 위하여 이러한 모집단들은 다른 단계에서 형성된다. 비록 모집단들의 배치는 기판 상의 다른 피쳐에 대하여 동일하고 완벽해야 하지만, 실제 패턴은 당연히 어느 정도의 위치 오프셋을 나타낸다. 모집단들 사이의 임의의 의도하지 않은 위치 오프셋은 오버레이의 형태인 것으로 간주될 수 있고, 층들 사이의 오버레이를 측정하기 위하여 사용되는 것과 유사한 기법에 의하여 측정될 수 있다. 또한, 피쳐들의 다수의 모집단이 단일 층에 형성된다면, 아래 또는 위의 층에 있는 피쳐들에 대한 오버레이는 각각의 모집단별로 다를 수 있고, 이러한 모집단들 각각에 대한 오버레이는 원할 경우 개별적으로 측정될 수 있다.
도 4 의 (a)는 예를 들어 고 고조파 생성(HHG) 기법에 기초한 EUV 방사선 생성기를 포함하는 소스(402)를 도시한다. 방사선 소스의 주된 구성 요소는 펌프 레이저(420)와 HHG 가스 셀(422)이다. 가스 서플라이(424)는 적합한 가스를 가스 셀로 공급한다. 펌프 레이저는, 예를 들어 티타늄-사파이어 기초 레이저일 수 있는데, 이것은 800 nm의 파장 및 피코초 미만의 펄스 폭을 가지는 펄스를 수 kHz의 반복률에서 생성한다. 다른 예에서, 펌프 레이저는 필요에 따라 수 메가헤르쯔에 달하는 펄스 반복률을 가지는, 광 증폭기를 포함하는 섬유-기초 레이저일 수도 있다. 통상적인 펄스 지속기간은 서브-피코초 범위에 있을 수 있다. 파장은 예를 들어 1 μm의 영역에 있을 수 있다. 구동 방사선 펄스는 방사선의 제 1 빔(428)으로서 HHG 가스 셀(422)로 전달되는데, 여기에서 방사선의 일부가 더 높은 주파수로 변환된다. 조명 방사선 빔(430)(도 3 의 입사 광선(304)에 대응함)은 요구되는 EUV 파장 또는 파장들의 간섭성 방사선 및 제 1 빔의 구동 방사선 펄스 양자 모두를 포함한다. 또는, 하나 이상의 필터링 디바이스(432)가 제공될 수도 있다. 알루미늄(Al)의 박막과 같은 필터는 기본 IR 방사선이 검사 장치 내로 더 들어가는 것을 막는 역할을 할 수 있다. 이러한 필터의 필터링 특성은 멤브레인의 재료에 따라 달라진다는 것에 주의해야 한다. 이를 고려하여, 멤브레인 재료를 선택함으로써 필터의 필터링 특성을 제어하는 것이 가능하다. 멤브레인 재료의 여러 특정한 선택들이 구상될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 요구되는 EUV 방사선이 공기 중에서 진행할 때 흡수된다는 것에 유념하면, 방사선 경로 중 일부 또는 전부는 진공 환경 내에 보유될 수 있다. 방사선 소스(402) 및 조명 광학기(404)의 다양한 컴포넌트들은 동일한 장치 내에서 상이한 계측 '레시피'를 구현하도록 조절가능할 수 있다. 예를 들어, 상이한 파장 및/또는 편광이 선택가능해질 수 있다.
도 4 의 (b)는 HHG 가스 셀(422)의 더 상세한 도면을 도시한다. 방사선(428)의 제 1 빔이 가스 셀에 진입한다. 빔은 초점 요소(434)에 의해서 집속된다. 물론, 초점 요소가 하나 또는 여러 개의 광학 컴포넌트를 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 초점 요소는 특정한 초점 길이를 가지고, 방사선의 제 1 빔을 실질적으로 초점(438) 내로 집속하도록 동작가능하다. 초점은 HHG 가스 셀의 가스 볼륨(436) 내에 위치된다. 초점에서, 방사선 펄스는 가스와 상호작용하여, 방사선 중 일부를 더 높은 주파수로 변환한다. 위에서 언급된 바와 같이, 조명 방사선 빔(430)은 요구되는 EUV 파장 또는 파장들의 간섭성 방사선 및 제 1 빔의 구동 방사선 펄스 양자 모두를 포함한다. 측정에 영향을 주거나 심지어 타겟 또는 검출기를 손상시킬 수 있는 구동 방사선이 계속 전파되는 것을 막기 위하여, 필터(432)는 전술된 바와 같이 조명 방사선 빔의 원치않는 부분을 필터링한다.
패터닝된 구조체의 임계 치수(CD)의 측정과 같은 특정한 계측 측정들은 큰 방사선 대역폭을 가지는 방사선이 사용될 때 더 유리하다. 더 큰 대역폭을 가지는 방사선을 사용하면 더 좁은 대역폭을 가지는 방사선보다 더 많은 정보가 제공되고, 그러면 재구성 정확도가 개선된다. 이제, 재구성 정확도가 개선되면 계측 장치의 정확도가 증가되고, 더 확장하면 리소그래피 장치의 성능이 개선된다. 물론, 후속하는 예들이 임계 치수를 측정하는 것에 대하여 설명될 것이지만, 후속하는 예들의 원리는 다른 타입의 계측 측정(예를 들어 오버레이 오차) 또는 다른 타입의 이미징 방법(예를 들어 간섭성 회절 이미징)에도 적용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
HHG 방사선 소스는 통상적으로 여러 방사선 피크를 출력하고, 각각의 피크는 고조파 차수를 나타낸다. 인접한 고조파 차수들 사이의 파장 간격은 다음과 같이 규정될 수 있다:
Figure pct00001
λD는 구동 방사선의 파장이고, N은 고조파 차수의 번호이다. 알 수 있는 바와 같이, 더 높은 고조파 차수에 대해서는 파장 간격이 감소한다. 따라서, 충분히 높은 차수의 고조파 차수에 대하여, 고조파 피크의 폭은 피크들 사이의 파장 간격 이상이 될 것이다. 그러므로, 충분히 높은 고조파 차수의 경우, 대응하는 방사선 피크는 적어도 부분적으로 중첩하여 준-연속체(quasi-continuum)를 형성할 것이다. 더 낮은 차수의 고조파의 경우, 방사선 피크들 사이의 파장 간격은 고조파 차수 번호가 감소함에 따라 비례적으로 증가한다. 그러므로, 더 낮은 고조파 차수에 대응하는 방사선 피크는, 인접한 고조파 차수들 사이의 파장 간격이 방사선 피크의 스펙트럼 폭보다 크기 때문에 중첩하지 않는다.
이것이 도 5 에 도시되는데, 이것은 도 4 에 예시된 것과 같은 방사선 소스로부터의 예시적인 출력 스펙트럼을 개략적으로 예시한다.
예시적인 방사선 소스는 방사선의 제 1 연속체(502)를 출력한다. 제 1 연속체는 그 폭이 피크들 사이의 파장 간격의 폭보다 큰 개개의 방사선 피크로 이루어진다. 물론, 스펙트럼의 형상은 오직 예를 들기 위한 것이고, 실재로는 연속체가 별개의 방사선 피크들을 포함할 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 일 예에서, 연속체의 파장 범위는 약 12-16 nm이다. 다른 예들에서, 연속체의 파장 범위는 6-11 nm, 10-18 nm, 11-25 nm, 20-28 nm, 20-40 nm 또는 25-40 nm일 수 있다. 또한, 예시적인 HHG 방사선 소스는 여러 특정 파장에서 여러 방사선 피크(504)를 출력한다. 방사선 피크는 방사선 소스에 의해 출력되는 더 낮은 차수의 고조파를 나타내지만, 개개의 피크들 사이의 파장 간격은 피크 폭보다 크다. 정규 HHG 방사선 소스의 경우, 기수 번째 고조파만이 존재한다는 것에 주의해야 한다. 그러나, 우수 번째 고조파만이 생성되는 HHG 방사선 소스를 구상하고 구현하는 것도 역시 가능하다.
전술된 바와 같이, 계측 측정(예컨대 CD 측정)을 수행할 때 방사선 소스의 출력 방사선의 전체 스펙트럼 폭을 증가시키는 것이 유익할 수 있다. 예를 들어, 제 1 연속체(502)에 추가하여 제 2 방사선 연속체(506)를 출력하기 위하여 방사선 소스가 수정될 수 있다면 유익할 것이다.
발명자들은, 더 낮은 고조파 차수에 대응하여 방사선 피크의 스펙트럼 폭을 증가시킴으로써, HHG 방사선 소스가 더 높은 파장 범위에서 연속체를 제공하게 할 수 있다는 것을 실현했다. HHG 소스 내에서 생성된 방사선 피크의 스펙트럼 폭이 그것을 생성하기 위하여 사용된 구동 방사선 펄스의 포락선에 의하여 규정되기 때문에, 구동 방사선 펄스 또는 그 일부에 펄스 압축 또는 게이팅 방법을 수행하면 방사선 피크의 스펙트럼 폭이 넓어질 것이다. 충분히 널어진다면, 여러 방사선 피크들이 하나의 연속체를 형성할 수 있다. 이것이 이제 도 6 의 (a) 및 (b)를 참조하여 더 설명될 것인데, 도 6 은 HHG 방사선 소스 내에서의 펄스 압축의 간단한 개략도를 도시한다.
도 6 의 (a)는 도 4 의 레이저 소스(420)에 의해 방출되는 것과 같은, 특정 펄스 지속기간(604a)을 가지는 방사선 펄스(602a)를 도시한다. 전술된 바와 같이, 레이저 소스로부터의 방사선이 HHG 가스 셀 내의 가스와 상호작용하면, 여러 방사선 피크(606a)가 생성된다. 방사선 피크는 파장 범위(608a)에 걸쳐 펼쳐지고, 각각의 방사선 피크는 파장 간격(610)(전술된 바와 같이)에 의해 인접한 방사선 피크들로부터 분리된다. 알 수 있는 바와 같이, 이러한 예에서 방사선 피크의 폭은 그들 사이의 파장 간격보다 작다. 물론, 세 개의 방사선 피크들은 오직 예를 들기 위해서 도시된 것이고, 더 많은 방사선 피크들이 방출될 수도 있다는 것이 이해될 수 있다.
도 6 의 (b)에서 펄스 지속기간(604b)을 짧게 하기 위하여 펄스 압축이 펄스(602b) 상에 수행된다. 도 6(a)의 원래의 펄스(602a)는 쇄선으로 표시된다. 짧아진 펄스가 HHG 가스 셀 내의 가스와 상호작용하면, 여러 방사선 피크들(606b)이 생성된다. 비-압축 펄스(602a)의 방사선 피크(606a)와 비교할 때, 방사선 피크들(606b) 각각은 스펙트럼적으로 광폭화된다. 따라서, 이제 방사선 피크에 의하여 점유되는 파장 범위(608b)가 광폭화된다. 도 6 의 (a)의 원래의 방사선 피크(606a)는 쇄선으로 표시된다. 알 수 있는 바와 같이, 펄스 압축 이후에, 피크들이 스펙트럼적으로 중첩되도록 방사선 피크들이 광폭화되었다. 다르게 말하면, 피크들 사이의 세기가 이제 제로가 아니어서, 방사선 연속체를 형성한다.
펄스 압축을 수행하기 위한 여러 메커니즘들이 고려되고 도 4 에 도시되는 것과 같은 방사선 소스 내에서 구현될 수 있다. 하나의 공지된 메커니즘은 "General Double Optical Gating" (GDOG) and is described in "Generation of Isolated Attosecond Pulses with 20 to 38 Femtosecond Lasers", Feng et al., Physical Review Letters 103, 2009에 설명된다. 다른 메커니즘은 "이온화 게이팅(ionization gating)"이라고 알려져 있고, "High energy attosecond light sources", Giuseppe Sansone et al., Nature Photonics 5, 655-663 (2001)에 설명된다. 또 다른 공지된 메커니즘은 "Isolated single-cycle attosecond pulses", Giuseppe Sansone et al., Science, vol 314, 443-446, 2006에 설명된 것과 같은 "후펄스 압축(post pulse compression)"이다. 고 고조파 생성 방사선 소스 내에서 조명 방사선을 생성하기 위한 예시적인 장치(700) 및 방법이 도 7 및 도 8 을 참조하여 논의될 것이다.
제 1 단계(801)에서, 조명 방사선을 생성하기 위한 구동 방사선 빔(702)이 제공된다. 구동 방사선 빔은 복수의 방사선 펄스(704)를 포함한다. 방사선 펄스는 적합한 펄스 반복률 및 출력 방사선 파장 스펙트럼을 가지는 적합한 방사선 소스에 의하여 생성될 수 있다. 일 예에서, 방사선 소스는 위의 도 4 에 대해서 설명된 레이저 소스(420)이다. 그러나, 다른 방사선 파장을 가지는 다른 방사선 소스가 구상될 수도 있다는 것이 이해될 것이다.
제 2 단계(802)에서, 구동 방사선 빔(702)은 제 1 빔분할 요소(710)에 의하여 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스(706a) 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스(708a)로 분할된다. 일 예에서, 빔분할 요소는 빔분할기(예를 들어 부분적으로 투과하는 미러면)이다. 빔분할 요소는 인입하는 방사선을 임의의 적합한 방식으로 분할하도록 구성될 수 있다. 일 예에서, 빔분할 요소는, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스들 중의 펄스들의 세기가 구동 방사선 빔 펄스의 세기의 실질적으로 70%이고 및 제 2 복수 개의 펄스들 중의 펄스들의 세기가 구동 방사선 빔의 세기의 30%가 되도록 구동 방사선 빔을 분할하도록 동작가능하다. 다른 예들에서, 90%/10%, 80%/20%, 또는 60%/40%와 같은(비한정적) 상이한 분할 비율이 사용될 수도 있다. 특정 타겟에 대해서 선택된 특정한 분할 비율은: 생성된 조명 방사선의 요구되는 출력 파장 스펙트럼; 구동 방사선 펄스의 HHG 가스 셀 내의 변환 효율; 및 측정 대상인 타겟의 특성(예를 들어 CD)에 대한 파장-의존적 측정 감도를 포함하는(비한정적) 여러 인자에 따라 달라진다. 일부 예들에서, 분할 비율은, 예를 들어 빔분할기 재료의 속성에 기초하여 고정된다. 다른 예들에서, 예를 들어 측정될 타겟의 속성에 기초하여 조명 방사선을 최적화하기 위해서 분할 비율이 변경될 수 있다. 물론, 구동 방사선 빔이 단지 예를 들어 두 가지 복수 개의 구동 방사선 펄스들로 분할된다는 것에 주의한다. 다른 예들에서, 구동 방사선 빔은 세 가지 이상의 복수 개의 구동 방사선 펄스들로 분할될 수 있다.
제 3 단계(803)에서, 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하기 위하여 제 1 복수 개의 방사선 펄스(706a)의 제 1 제어가능 특성이 제어된다. 일 예에서, 제어가능 특성은 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스에 상대적인 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연이다. 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스는 지연 요소(712)를 통과해서 진행하는데, 이것은 제 1 복수 개의 지연된 구동 방사선 펄스(706b)를 출력한다. 지연은 임의의 적합한 값으로 설정될 수 있다. 일부 예들에서, 지연은 고정된 값을 가질 수 있다. 다른 예들에서, 지연 값은 적합한 방식으로 변경될 수 있다. 특정한 예에서, 지연의 값은 제 1 복수 개의 펄스들 중 임의의 것과 제 2 복수 개의 펄스들 중 임의의 것 사이에 시간적 중첩이 없도록 설정된다. 일부 예들에서, 지연은 1 ns 내지 10 ns이다. 다른 예들에서, 지연은 3 ns, 4 ns 또는 5 ns보다 크다.
제 1 및 제 2 복수 개의 대응하는 방사선 펄스들 사이에 중첩이 있으면 HHG 프로세스는 왜곡되거나 부정적으로 영향받게 될 수 있다. 따라서, 지연은 제 1 복수 개 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스들 사이에 임의의 시간적 중첩이 생기는 것을 피하도록 선택될 수 있다. 또한, 각각의 HHG 방출은 단수명 플라즈마를 생성한다. 지연 시간은 연속적인 펄스들에 의해 생성되는 HHG 플라즈마 사이에 임의의 상호작용이 생기는 것을 피하도록 선택될 수 있다. 통상적으로, 플라즈마 감쇠 시간은 피코초 단위로 측정된다. 따라서, 특정한 예에서 지연은 1 ns보다 크도록 선택될 수 있다. 다른 예들에서, 지연 시간은 검출기(또는 검출기들)의 최소 응답 시간보다 크도록 선택된다. 그러면 연속적인 펄스들이 검출기에 의해 별개로 검출될 수 있다.
지연은 임의의 적합한 방식으로 도입될 수 있다. 일부 예들에서, 지연은 방사선 펄스의 광로 길이를 수정함으로써 도입될 수 있다. 이러한 예에서, 지연 요소는 하나 또는 여러 가동 광학 요소, 예를 들어 미러를 포함할 수 있다.
지연 요소에 추가적으로 또는 대안적으로, 장치가 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스를 적합한 방식으로 수정하기 위해서 사용될 수 있는 하나 이상의 추가 컴포넌트(715)를 선택적으로 포함할 수 있다는 것에 주의해야 한다. 예를 들어, 추가 컴포넌트는 제 1 복수 개의 펄스의 HHG 가스 셀 내의 가스와의 상호작용에 의해 생성되는 파장 스펙트럼을 변경하기 위해서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스의 펄스들을 수정하도록 동작가능할 수 있다. 일 예에서, 추가 컴포넌트는 광학 파라메트릭 증폭기일 수 있다. 다른 예에서, 추가 컴포넌트는 후술되는 펄스 제어 요소(714)와 유사한 펄스 제어 요소일 수 있다. 이와 같이, 비록 제 2 제어가능 특성과 연계하여 설명되었지만, 펄스 제어 요소는 이론상 제 1 제어가능 특성을 제어하기 위해서도 사용될 수 있다.
제 4 단계(804)에서, 제 2 복수 개의 방사선 펄스(708a)의 제 2 제어가능 특성은 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하기 위해서 제어된다. 일 예에서, 제어가능 특성은 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분이 단일 파장 연속체를 포함하게 하도록 제어된다. 일부 예들에서, 제 2 제어가능 특성을 제어하는 것은, 제 2 복수 개의 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함한다. 파장 스펙트럼은 펄스 제어 요소(714)에 의해 제어되는데, 이것은 제 2 복수 개의 제어된 방사선 펄스(708b)를 출력한다.
펄스 제어 요소는 임의의 적합한 메커니즘을 사용하여 임의의 적합한 방식으로 구현될 수 있다. 일 예에서, 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스는 적합한 방식으로 게이팅된다. 일 예에서, 펄스 제어 요소는 제 2 복수 개의 방사선 펄스 상에 범용 이중 광학 게이팅(General Double Optical Gating)을 수행한다. 다른 예에서, 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스 상에 펄스 압축이 수행된다. 일 예에서, 제 2 제어가능 특성은, 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분이 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분과 달라지도록 제어된다.
선택적인 제 5 단계(805)에서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스는 제 2 빔분할 요소(716)에 의하여 출력 방사선 빔(718)으로 재결합된다. 일 예에서, 제 2 빔분할 요소는 빔분할기이다. 그러면, 제 2 방사선 빔이 조명 방사선을 생성하도록 사용될 수 있다.
물론, 전술된 장치가 "매크로(macro)" 광 요소로 구현된 것으로 도시되었지만, 전술된 장치는 임의의 적합한 방식으로도 구현될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 이러한 장치는 광섬유 컴포넌트를 사용하여 구현될 수 있다. 다른 예에서, 전술된 장치는 집적된 광학 컴포넌트를 사용하여 구현된다.
도 9 및 도 10 은 방사선을 생성하기 위한 제 2 의 예시적인 방법 및 장치를 도시한다. 도 7 및 도 8 과 쉽게 비교하기 위하여, 도 7 및 도 8 의 대응하는 요소들과 유사한 도 9 및 도 10 의 요소들은 도 7 및 도 8 에 사용된 참조 부호와 유사한 참조 부호로 명명되는데, "7" 및 "8" 대신에 접두부 "9" 및 "10"이 각각 사용된다. 더 나아가, 이러한 방법 및 장치의 도 7 및 도 8 의 특징과 다른 특징만이 상세히 논의될 것이다.
제 1 단계(1001)에서, 구동 방사선 빔(902)이 제공된다. 구동 방사선 빔은 복수 개의 방사선 펄스(904)를 포함한다.
제 2 단계(1002)에서, 구동 방사선 빔(902)은 도 7 및 도 8 을 참조하여 설명된 것과 유사한 방식으로 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스(906a) 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스(908a)로 분할된다. 구동 방사선 빔은 제 1 빔분할 요소(910)에 의하여 분할된다. 제 1 빔분할 요소의 분할 비율은 도 7 을 참조하여 전술된 바와 같이 선택될 수 있다.
제 3 단계(1003)에서, 제 1 복수 개의 방사선 펄스(906a)의 제 1 제어가능 특성은 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하기 위하여 제어된다. 이러한 예에서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스는 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스(908a)에 상대적으로 지연된다. 이러한 지연은 제어가능한 경로 길이가 있는 광 지연 경로를 포함하는 지연 제어 시스템(912)에 의해서 제어된다. 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스(906a)는 제 1 우회 미러(920)에 의해 우회된 후 하나 이상의 지연 미러(922)를 향해 전파된다. 이러한 예에서 지연 미러는, 적어도 제 1 방향(화살표(926)로 표시됨)으로 이동될 수 있는 가동 지연 요소(924), 예컨대 가동 스테이지 상에 탑재된다. 그러면 제 1 복수 개의 지연된 구동 방사선 펄스(906b)는 제 2 우회 미러(928)에 의해 반사되고 출사 빔분할기(916)를 향해 전파된다. 전술된 바와 같이, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스(906a)는 오직 예로서 지연 시스템(912)에 의해서만 수정된다는 것이 이해될 것이다. 이러한 장치는 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스를 적합한 방식으로 수정하기 위해서 사용될 수 있는 하나 이상의 추가 컴포넌트(915)를 선택적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가 컴포넌트는 제 1 복수 개의 펄스의 HHG 가스 셀 내의 가스와의 상호작용에 의해 생성되는 파장 스펙트럼을 변경하기 위해서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스의 펄스들을 수정하도록 동작가능할 수 있다. 일 예에서, 추가 컴포넌트는 광학 파라메트릭 증폭기일 수 있다. 다른 예에서, 추가 컴포넌트는 후술되는 펄스 제어 요소(914)와 유사한 펄스 제어 요소일 수 있다. 이와 같이, 비록 제 2 제어가능 특성과 연계하여 설명되었지만, 펄스 제어 요소는 이론상 제 1 제어가능 특성을 제어하기 위해서도 사용될 수 있다. 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스들이 대안적이거나 추가적인 컴포넌트에 의해서 수정되는 예들이 쉽게 구상될 수 있다.
제 4 단계(1004)에서, 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스(908a)의 제 2 제어가능 특성은 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하기 위해서 제어된다. 제 2 제어가능 특성은 펄스 제어 요소(914)에 의해 제어된다. 펄스 제어 요소는 감쇠기(930)를 포함한다. 후속하여, 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스는 펄스 제어 요소로 전파된다. 이러한 예에서, 펄스 제어 요소는 범용 이중 광학 게이팅(GDOG) 요소(932)를 포함한다. GDOG 요소는 선형 편광을 가진 방사선 펄스의 단일 사이클을 게이팅 아웃(gate out)하고, 펄스의 잔여 사이클이 원편광되게 한다(따라서 HHG 셀 내의 가스에 임의의 고조파 성분을 생성하지 않음). 이러한 예에서, GDOG는 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 내의 각각의 펄스를 "단일 사이클(single cycle)" 펄스(908b)로 효과적으로 게이팅 아웃한다.
선택적인 제 5 단계(1005)에서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스는 제 2 빔분할 요소(916)에 의하여 출력 방사선 빔(918)으로 재결합된다. 일 예에서, 제 2 빔분할 요소는 빔분할기이다. 그러면, 제 2 방사선 빔이 조명 방사선을 생성하도록 사용될 수 있다.
도 11 및 도 12 는 예시적인 계측 장치(1100)를 도시한다. 도 4 와 쉽게 비교하기 위하여, 도 4 의 대응하는 요소들과 유사한 도 11 의 요소들은 도 4 에 사용된 참조 부호와 유사한 참조 부호로 명명되는데, "4" 대신에 접두부 "11"이 사용된다.
검사 장치는 펌프 레이저(1120)와 HHG 가스 셀(1122)을 포함한다. 가스 서플라이(1124)는 적합한 가스를 가스 셀로 공급한다. 펌프 레이저는 구동 방사선 빔(1128)의 제 1 빔을 빔 개질 요소(1134)로 전달한다. 일 예에서, 빔 개질 요소는 도 7 및 도 8 또는 도 9 및 도 10 을 참조하여 설명된 장치와 실질적으로 동일하다. 빔 개질 요소로부터 나온 출력 방사선(1135)은 HHG 가스 셀(1122)로 전달되고, 거기에서 출력 방사선의 부분이 전술된 바와 같이 더 높은 주파수로 변환되어 조명 방사선 빔(1130a, 1130b)을 생성한다. 이러한 예에서, 출력 방사선(1135)은 도 7 을 참조하여 설명된 출력 방사선 빔(718) 또는 도 9 를 참조하여 설명된 출력 방사선 빔(918)과 실질적으로 동일하다. 조명 방사선 빔은 요구되는 EUV 파장 또는 파장들의 간섭성 방사선(참조 번호 1130a) 및 출력 방사선의 구동 방사선 펄스(참조 번호 1130b) 양자 모두를 포함한다. 필터링 디바이스(1132)는 출력 방사선의 구동 방사선 펄스를 차단하고 요구되는 EUV 파장 또는 파장들의 간섭성 방사선만을 투과시키도록 사용된다.
필터링된 후에, 조명 방사선 빔(1130a)은 출력 파장 스펙트럼(1140)을 가진다. 출력 파장 스펙트럼은 제 1 부분(1142) 및 제 2 부분(1144)을 포함한다. 제 1 부분은 제 1 복수 개의 방사선 펄스와 HHG 가스 셀 내에 존재하는 가스 사이의 상호작용에 의해서 생성된다. 일 예에서, 제 1 부분은 도 4 를 참조하여 설명된 공지된 소스에 의해 생성된 출력 파장 스펙트럼과 실질적으로 동일하다. 일 예에서, 제 1 부분은 12-16 nm의 파장을 가지는 방사선을 포함한다. 다른 예에서, 제 1 부분은 6-11 nm의 파장을 가진 방사선을 더 포함한다. 이것은 임의의 적합한 방식으로 달성될 수 있다. 일 예에서, 이것은, 광학 파라메트릭 증폭기를 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스를 수정하는 빔 개질 요소(1134)의 부분으로 추가함으로써 달성된다. 또 다른 예에서, 제 1 부분은 10-18 nm, 11-25 nm, 20-28 nm, 20-40 nm 또는 25-40 nm의 파장을 가지는 방사선을 포함한다.
출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분(1144)은 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 HHG 가스 셀의 가스와의 상호작용에 의하여 생성된다. 일 예에서, 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분은 40-50 nm의 파장을 가진 방사선을 포함한다. 다른 예에서, 제 2 부분은 45-60 nm의 파장을 가진 방사선을 포함한다. 또 다른 예에서, 추가적으로 또는 대안적으로, 제 2 부분은 20-28 nm의 파장을 가진 방사선을 포함하는데, 이것은, 예를 들어 분할 비율을 수정(전술된 바와 같이)함으로써 달성될 수 있다. 추가적인 예에서, 제 2 부분은 25-40 nm의 파장을 가진 방사선을 추가적으로 또는 대안적으로 포함할 수 있다. 이것은, 예를 들어 사후 펄스 압축 및/또는 게이팅을 수행함으로써 달성될 수 있다.
전술된 바와 같이, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스는 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스에 상대적으로 지연된다. 일부 예들에서, 지연 값은 제 1 복수 개의 펄스들이 제 2 복수 개의 펄스들과 시간적으로 중첩하지 않게 되도록 선택된다. 다르게 말하면, 출력 방사선(1135)에서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스의 펄스들은 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스의 펄스들과 함께 시간적으로 산재된다. 그러면, 이제 조명 방사선 빔이, 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분 내의 제 2 파장을 가지는 펄스들과 함께 산재되는 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 내의 제 1 파장을 가지는 펄스들로 이루어지게 된다. 이러한 방식으로, 제 1 부분은 시간적으로 제 2 부분과 구별될 수 있다.
그러면 조명 방사선 빔(1130a)은 그 표면 상에 타겟 구조체(T)가 있는 기판(1150)으로 전달된다. 조명 방사선 빔은 타겟 구조체에 의해 산란된다. 이러한 예에서, 타겟 구조체는 회절 격자와 같은 주기적 타겟 구조체이다. 공지된 방식으로, 타겟 구조체는 인입하는 방사선을 방사선의 별개의 차수들로 산란한다. 이러한 예에서, 0 차 산란 방사선(1152)은 사용되지 않는다. 그러나, 0 차 방사선이 다른 목적을 위해서는 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 제 1 차 산란 방사선(1154)은 검출기(1156)에 의해 집광된다. 도 11 에 도시된 바와 같은 검출기(1156)가 도 3 에 도시되는 제 1 검출기(313a)와 실질적으로 동일하지만, 측정을 수행하기 위하여 도 3 의 제 2 검출기(313b)와 실질적으로 동일한 검출기를 사용하는 것도 역시 가능할 것이라는 것에 주의해야 한다. 달리 표현하면, 도 3 을 참조하여 설명된 것과 유사한 방식으로, 0 차 방사선을 사용하여 측정을 수행하는 것이 가능할 것이다.
이제 검사 장치(1100)를 사용하는 방법이 도 12 를 참조하여 설명될 것이다.
제 1 단계(1201)에서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스가 제공된다. 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스는 임의의 적합한 방식으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 제 1 복수 개의 펄스는 도 7 및 도 8 또는 도 9 및 도 10 을 참조하여 전술된 바와 같이 제공된다. 일 예에서, 제 1 단계는 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하기 위하여 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 것을 더 포함한다. 일 예에서, 제어가능 특성은 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스에 상대적인 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연이다. 지연은 임의의 적합한 값으로 설정될 수 있다. 일부 예들에서, 지연은 고정된 값을 가질 수 있다. 다른 예들에서, 지연 값은 적합한 방식으로 변경될 수 있다. 특정한 예에서, 지연의 값은 제 1 복수 개의 펄스들 중 임의의 것과 제 2 복수 개의 펄스들 중 임의의 것 사이에 시간적 중첩이 없도록 설정된다. 일부 예들에서, 지연은 1 ns 내지 10 ns이다. 특정한 예들에서, 지연은 3 ns, 4 ns 또는 5 ns보다 크다.
제 2 단계(1202)에서, 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스가 제공된다. 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스가 임의의 적합한 방식으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 제 2 복수 개의 펄스는 도 7 및 도 8 또는 도 9 및 도 10 을 참조하여 전술된 바와 같이 제공된다. 일 예에서, 제 2 단계는, 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하기 위하여 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 것을 더 포함한다. 일 예에서, 제어가능 특성은 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분이 단일 파장 연속체를 포함하게 하도록 제어된다. 일부 예들에서, 제 2 제어가능 특성을 제어하는 것은, 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함한다.
제 3 단계(1203)에서, 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스는 조명 방사선 빔으로 결합된다. 구동 방사선 펄스의 제 1 및 제 2 복수 개의 펄스들은 임의의 적합한 방식으로 결합될 수 있다. 일 예에서, 제 1 및 제 2 복수 개의 펄스들은 빔분할 요소, 예컨대 빔분할기에 의해 결합된다.
제 4 단계(1204)에서, 조명 방사선 빔은 타겟의 적어도 하나의 특성을 결정하기 위하여 사용된다.
도 13 은 예시적인 검출기 셋업을 좀 더 상세하게 도시한다. 조명 방사선 빔(1302)은 기판(1304)의 표면 상의 주기적 타겟 구조체(T)에 충돌하고, 알려진 방식으로 산란된다. 예시를 위하여, 0 차 산란 방사선(1306) 및 제 1 차 산란 방사선(1308)이 도 13 에 도시된다. 이러한 예에서, 조명 방사선 빔은 도 7 및 도 8 또는 도 9 및 도 10 을 참조하여 논의된 조명 방사선 빔과 실질적으로 동일하다. 물론, 주기적 타겟 구조체는 오직 예를 들기 위해 도시되었고, 다수의 상이한 타겟 구조체들이 구상될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 전술된 바와 같이, 이러한 예에서 0 차 산란 방사선(1306)은 사용되지 않는다. 조명 방사선이 파장 스펙트럼을 가지는 방사선(단일 파장을 가지는 방사선에 반대로)을 포함하기 때문에, 제 1 차 산란 방사선의 산란 각도는 파장에 따라 달라진다. 검출기 셋업은 산란 방사선을 검출하는 검출기(1310)를 가진다. 도 11 에 도시된 바와 같은 검출기(1156)가 도 3 에 도시되는 제 1 검출기(313a)와 실질적으로 동일하지만, 측정을 수행하기 위하여 도 3 의 제 2 검출기(313b)와 실질적으로 동일한 검출기를 사용하는 것도 역시 가능할 것이라는 것에 주의해야 한다. 달리 표현하면, 도 3 을 참조하여 설명된 것과 유사한 방식으로, 0 차 방사선을 사용하여 측정을 수행하는 것이 가능할 것이다.
이러한 예에서, 전술된 바와 같이, 조명 방사선 빔(1302) 조명 방사선 빔은, 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분 내의 제 2 파장을 가지는 펄스들과 함께 산재되는 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 내의 제 1 파장을 가지는 펄스들로 이루어진다. 타겟 구조체(T)는 제 1 파장을 가지는 펄스를 제 2 파장을 가지는 펄스와 다를 각도에서 산란시킨다.
검출기 셋업은 필터(1312)를 더 포함한다. 필터는 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼을 적합한 방식으로 수정하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 필터는 원치않는 방사선을 차단하고 하나 이상의 관심 파장을 가지는 방사선을 투과시키도록 사용될 수 있다.
검출기 셋업 내에서 필터를 사용하는 비한정적인 예가 이제 논의될 것이다. 이러한 예에서, 조명 방사선 빔은 12-16 nm의 파장 범위를 가지는 제 1 부분 및 40-50 nm의 파장 범위를 가지는 제 2 부분을 포함하는 출력 파장 스펙트럼을 포함한다. 알려진 바와 같이, 출력 파장 스펙트럼의 세기는 HHG 가스 셀 내의 가스의 이온화 단면에 기인하여 파장에 따라 달라진다. 예를 들어, 조명 방사선 빔의 세기는 짧은 파장에서보다 긴 파장에서 더 높을 수 있는데, 그러면 이러한 파장에서 검출기가 포화될 수 있다. 필터는 하나 또는 여러 개의 필터 재료를 포함할 수 있다. 각각의 필터 재료는 특정 송신 속성을 가질 수 있다. 특정 필터에 대한 필터 재료는 조명 방사선 빔의 속성 및 검출기의 속성에 따라서 선택될 수 있다.
도 14 는 도 13 의 검출기 셋업 내에서 사용될 수 있는 여러 예시적인 필터 재료에 대한 투과 곡선을 도시한다. 물론, 이것은 오직 예를 들기 위한 것이고 논의된 재료는 한정하려는 것이 아님이 이해될 것이다. 제 1 투과 곡선(1402)은 알루미늄(Al)을 나타낸다. 제 2 투과 곡선(1404)은 지르코늄(Zr)을 나타낸다. 제 3 투과 곡선(1406)은 니오븀(Nb)을 나타낸다.
도 13 을 참조하여 전술된 예로 돌아가면, 검출기는 긴 파장(예를 들어 40-50 nm)에서는 포화되지만 짧은 파장(예를 들어 12-16 nm)에서는 포화되지 않는다. 이러한 예에서는 니오븀으로 제작된 필터가 사용될 수 있다. 도 14 에서 알 수 있는 바와 같이, 니오븀은 5-20 nm 및 35-55 nm(삽입 도면에서 참조부호 1408 로 표시된 바와 같음)에서 투과 "윈도우(window)"를 가진다. 투과된 세기(Y-축으로 표시됨)가 35-55 nm에서 해당 윈도우에 대해 더 낮다는 것에 주목한다. 그러므로 니오븀으로 제작된 필터는 낮은 파장에는 실질적으로 영향을 주지 않는 반면에, 더 긴 파장에서 전술된 검출기 포화를 적어도 부분적으로 완화시킬 것이다. 도 15 는 제 2 예시적 검출기 셋업을 도시한다. 도 13 과 쉽게 비교하기 위하여, 도 13 의 대응하는 요소들과 유사한 도 15 의 요소들은 도 13 에 사용된 참조 부호와 유사한 참조 부호로 명명되는데, "13" 대신에 접두부 "15"가 사용된다.
이러한 예에서, 단일 검출기(도 13 에서와 같이)를 사용하는 대신에, 두 개의 검출기(1510a, 1510b)가 사용된다. 검출기는 특정한 파장 스펙트럼 내의 방사선을 검출하도록 위치설정된다. 방사선의 회절 각도가 방사선 파장에 의존한다면, 검출기는 특정 파장만을 검출하도록 위치설정될 수 있다. 이러한 방식으로, 원치않는 방사선 파장이 필터링 아웃될 수 있어서, 검출기가 과포화될 위험성이 줄어든다. 이러한 예에서, 제 1 검출기(1510a)는 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분에 속하는 파장을 가지는 산란 방사선(1508a)을 검출하도록 위치설정된다. 이와 유사하게, 제 2 검출기(1510b)는 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분에 속하는 파장을 가지는 산란 방사선(1508b)을 검출하도록 위치설정된다. 제 1 필터(1512a) 및 제 2 필터(1512b)는 제 1 검출기(1510a) 및 제 2 검출기(1510b)의 전면에 각각 위치설정된다. 필터 재료는 산란 방사선의 파장 스펙트럼을 임의의 적합한 방식으로 수정하도록 선택될 수 있다. 제 1 필터 및 제 2 필터 각각은 특정한 투과 속성을 가지는 하나 이상의 특정 재료로 제작될 수 있다. 또한, 제 1 필터는 제 2 필터와 다른 재료로 제작될 수 있다. 일 예에서, 제 1 필터 및/또는 제 2 필터용 필터 재료는 특정 파장 위 또는 아래의 방사선을 차단하도록 선택된다. 다른 예에서, 제 1 필터 및/또는 제 2 필터용 필터 재료는 특정 파장 범위 내의 방사선만을 투과시키도록 선택된다. 다른 예들에서, 제 1 필터 및 제 2 필터 중 하나 또는 양자 모두는 함께 생략될 수 있다.
전술된 검출기 셋업에 추가적으로 또는 대안적으로, 검출기가 특정한 시간에서만 검출하도록 동작되는 예들이 구상될 수 있다. 일 예에서, 검출기는 특정 기간 중 특정한 파장 범위 내에서만 방사선을 검출하도록 동작된다. 특정한 예에서, 검출기는 적외선(IR) 방사선에는 둔감하지만 높은 검출 속도를 가지는 마이크로-채널 플레이트(Micro-Channel Plate; MCP)이다.
앞선 내용은 오직 예를 들기 위한 것이고, 많은 다른 검출기 타입, 및 필터 타입이 구상될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 애퍼쳐, 빔 차단기 또는 핀홀과 같은 다른 광학 컴포넌트가 전술된 필터에 추가적으로 또는 그 대신에 필터로서 사용될 수 있다. 필터를 적절하게 사용하면, 검출기의 과포화 위험을 낮추고 측정 중의 노이즈를 감소시키는 것이 가능하다.
비록 위에서 광 리소그래피의 콘텍스트에서 본 발명의 실시예를 사용하는 것에 대해 특정하여 언급하였지만, 본 발명이 다른 애플리케이션, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에서 사용될 수도 있고, 콘텍스트가 허용하는 경우 광 리소그래피로 제한되는 것이 아니라는 것이 인정될 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트의 층에 프레스될 수도 있고, 그 위에서 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 인가함으로써 경화된다. 패터닝 장치는 레지스트가 경화된 후에 레지스트 외부로 이동됨으로써 그 내부에 패턴을 잔류시킨다.
다른 실시예들은 아래의 번호가 매겨진 절에서 기술된다:
1. 고 고조파 생성 방사선 소스에서 조명 방사선 빔을 생성하는 방법으로서,
상기 조명 방사선 빔을 생성하기 위하여 구동 방사선 빔을 제공하는 단계 - 상기 구동 방사선 빔은 복수 개의 방사선 펄스를 포함함 -;
상기 구동 방사선 빔을 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스로 분할하는 단계 -;
상기 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하도록, 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계; 및
상기 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하도록, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계를 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
2. 제 1 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계는,
상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스에 상대적인 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연을 특정 지연 값만큼 제어하는 단계를 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
3. 제 1 절 또는 제 2 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 또는 제 2 부분이 단일 파장 연속체(continuum)를 각각 포함하게 하도록 제어되는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
4. 제 1 절 내지 제 3 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
5. 제 4 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나에 대해 게이팅(gating)을 수행하는 것을 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
6. 제 4 절에 있어서,
일반화된 이중 광학 게이팅이 상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나 상에 수행되는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
7. 제 4 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나 상에 펄스 압축(pulse compression)을 수행하는 것을 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
8. 제 1 절 내지 제 7 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분이 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분과 달라지도록 제어되는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
9. 검사 장치용 방법에 있어서,
제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스를 제공하는 단계;
제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스를 제공하는 단계;
상기 제 1 복수 개의 출력 펄스 및 상기 제 2 복수 개의 출력 펄스를 조명 방사선 빔으로 결합하는 단계; 및
상기 조명 방사선 빔을 사용하여 타겟의 적어도 하나의 특성을 결정하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스를 제공하는 단계는, 상기 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하도록, 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 것을 포함하고;
상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스를 제공하는 단계는, 상기 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하도록, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법.
10. 제 9 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계는,
상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스에 상대적인 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연을 특정 지연 값만큼 제어하는 단계를 포함하는, 검사 장치용 방법.
11. 제 9 절 또는 제 10 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 또는 제 2 부분이 단일 파장 연속체(continuum)를 각각 포함하게 하도록 제어되는, 검사 장치용 방법.
12. 제 9 절 내지 제 11 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법.
13. 제 12 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스에 대해 게이팅(gating)을 수행하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법.
14. 제 12 절에 있어서,
일반화된 이중 광학 게이팅이 상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나 상에 수행되는, 검사 장치용 방법.
15. 제 12 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 상에 펄스 압축(pulse compression)을 수행하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법.
16. 제 9 절 내지 제 15 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분이 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분과 달라지도록 제어되는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
17. 제 1 절 내지 제 8 절 중 어느 한 절의 방법을 수행하기 위한 수단을 포함하는 조명 장치.
18. 제 9 절 내지 제 16 절 중 어느 한 절의 방법을 수행하기 위한 수단을 포함하는 검사 장치.
19. 제 18 절에 있어서,
제 17 절에 따른 조명 장치를 포함하는, 검사 장치.
20. 디바이스 제조 방법으로서, 디바이스 피쳐 및 계측 타겟이 리소그래피 프로세스에 의하여 일련의 기판 상에 형성되고, 하나 이상의 처리된 기판 상의 상기 계측 타겟의 특성이 제 9 절 내지 제 16 절 중 어느 하나의 방법에 의해 측정되며, 측정된 특성이, 추가적인 기판의 처리를 위해 상기 리소그래피 프로세스의 파라미터를 조절하기 위하여 사용되는, 디바이스 제조 방법.
21. 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
프로세서가 제 1 절 내지 제 8 절 중 어느 한 절의 제어하는 단계 또는 제 9 절 내지 제 16 절 중 어느 한 절의 제어하는 단계를 수행하게 하는 머신-판독가능 명령을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
22. 리소그래피 시스템으로서,
리소그래피 장치를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는,
패턴을 조명하도록 구성되는 조명 광학 시스템;
상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학 시스템; 및
제 18 절 또는 제 19 절에 따른 검사 장치를 포함하며,
상기 리소그래피 장치는 상기 패턴을 추가적인 기판에 적용할 때, 상기 검사 장치에 의해 계산된 하나 이상의 파라미터를 사용하도록 구성되는, 리소그래피 시스템.
리소그래피 장치와 관련하여 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 약 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5-20 nm 범위의 파장을 가짐), 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는, 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다.
본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다.
특정 실시예에 대한 전술한 설명은 본 발명의 전반적인 특성을 완전하게 보여주어, 당해 기술 분야에 익숙한 사람이 갖고 있는 지식을 적용함으로써 본 발명의 전반적인 개념으로부터 벗어나지 않고서도 불필요한 실험 없이 이러한 구체적인 실시예에 대한 다양한 응용을 용이하게 수정 및/또는 적응시킬 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 수정 및 적응은 본 명세서에 제공된 교시 및 지침을 기반으로 하는 개시 실시예의 등가물의 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서에서 구문 또는 어휘는 예에 의한 설명의 목적을 위한 것이고 한정하기 위한 것이 아니며, 따라서 본 명세서의 용어 또는 구문은 교시 및 지도를 고려하여 당업자에 의하여 해석되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.
본 발명의 적용 범위 및 범위는 전술한 예시 실시예의 어떠한 것에 의해서도 한정되어서는 안 되며, 후속하는 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.

Claims (15)

  1. 고 고조파 생성 방사선 소스에서 조명 방사선 빔을 생성하는 방법으로서,
    상기 조명 방사선 빔을 생성하기 위하여 구동 방사선 빔을 제공하는 단계 - 상기 구동 방사선 빔은 복수 개의 방사선 펄스를 포함함 -;
    상기 구동 방사선 빔을 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 및 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스로 분할하는 단계 -;
    상기 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하도록, 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계; 및
    상기 조명 방사선 빔의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하도록, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계를 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계는,
    상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스에 상대적인 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연을 특정 지연 값만큼 제어하는 단계를 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 또는 제 2 부분이 단일 파장 연속체(continuum)를 각각 포함하게 하도록 제어되는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
    상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성(higher harmonic generation)을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
    상기 제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스 또는 상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나에 대해 게이팅(gating)을 수행하는 것을 포함하는, 조명 방사선 빔 생성 방법.
  6. 검사 장치용 방법으로서,
    제 1 복수 개의 구동 방사선 펄스를 제공하는 단계;
    제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스를 제공하는 단계;
    상기 제 1 복수 개의 출력 펄스 및 상기 제 2 복수 개의 출력 펄스를 조명 방사선 빔으로 결합하는 단계; 및
    상기 조명 방사선 빔을 사용하여 타겟의 적어도 하나의 특성을 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스를 제공하는 단계는, 상기 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분을 제어하도록, 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 제 1 제어가능 특성을 제어하는 것을 포함하고;
    상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스를 제공하는 단계는, 상기 조명 방사선의 출력 파장 스펙트럼의 제 2 부분을 제어하도록, 상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스의 제 2 제어가능 특성을 제어하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계는,
    상기 제 2 복수 개의 방사선 펄스에 상대적인 상기 제 1 복수 개의 방사선 펄스의 지연을 특정 지연 값만큼 제어하는 단계를 포함하는, 검사 장치용 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성 또는 상기 제 2 제어가능 특성 중 적어도 하나는, 상기 출력 파장 스펙트럼의 제 1 부분 또는 제 2 부분이 단일 파장 연속체(continuum)를 각각 포함하게 하도록 제어되는, 검사 장치용 방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 제어가능 특성을 제어하는 단계 또는 상기 제 2 제어가능 특성을 제어하는 단계 중 적어도 하나는,
    상기 제 2 복수 개의 구동 방사선 펄스 중 적어도 하나의 펄스의 고 고조파 생성을 위한 생성 시간 윈도우를 제어하는 것을 포함하는, 검사 장치용 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 수단을 포함하는 조명 장치.
  11. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 수단을 포함하는 검사 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    제 10 항에 따른 조명 장치를 포함하는, 검사 장치.
  13. 디바이스 제조 방법으로서,
    디바이스 피쳐 및 계측 타겟이 리소그래피 프로세스에 의하여 일련의 기판 상에 형성되고,
    하나 이상의 처리된 기판 상의 상기 계측 타겟의 특성이 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 측정되며,
    측정된 특성이, 추가적인 기판의 처리를 위해 상기 리소그래피 프로세스의 파라미터를 조절하기 위하여 사용되는, 디바이스 제조 방법.
  14. 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
    프로세서가 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 제어하는 단계 또는 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 제어하는 단계를 수행하게 하는 머신-판독가능 명령을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
  15. 리소그래피 시스템으로서,
    리소그래피 장치를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는,
    패턴을 조명하도록 구성되는 조명 광학 시스템;
    상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학 시스템; 및
    제 11 항 또는 제 12 항에 따른 검사 장치를 포함하며,
    상기 리소그래피 장치는 상기 패턴을 추가적인 기판에 적용할 때, 상기 검사 장치에 의해 계산된 하나 이상의 파라미터를 사용하도록 구성되는, 리소그래피 시스템.
KR1020187034320A 2016-05-04 2017-05-02 조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치 KR102151013B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16168237 2016-05-04
EP16168237.2 2016-05-04
PCT/EP2017/060322 WO2017191084A1 (en) 2016-05-04 2017-05-02 Method and apparatus for generating illuminating radiation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180136550A true KR20180136550A (ko) 2018-12-24
KR102151013B1 KR102151013B1 (ko) 2020-09-03

Family

ID=55913500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187034320A KR102151013B1 (ko) 2016-05-04 2017-05-02 조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10048596B2 (ko)
JP (1) JP6727327B2 (ko)
KR (1) KR102151013B1 (ko)
CN (1) CN109074000B (ko)
IL (1) IL262358B (ko)
TW (1) TWI634394B (ko)
WO (1) WO2017191084A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102323993B1 (ko) 2017-03-15 2021-11-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 가스를 전달하는 장치 및 고조파 방사선을 발생시키는 조명 소스
EP3570109A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
WO2020126248A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-25 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for metrology
EP3783436A1 (en) * 2019-08-19 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Illumination and detection apparatus for a metrology apparatus
EP3783439A1 (en) * 2019-08-22 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Metrology device and detection apparatus therefor
WO2021136632A1 (en) * 2019-12-30 2021-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, metrology systems, illumination sources and methods thereof
JP2022020938A (ja) * 2020-07-21 2022-02-02 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法
WO2023021622A1 (ja) * 2021-08-18 2023-02-23 ギガフォトン株式会社 バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007537455A (ja) * 2004-05-14 2007-12-20 ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法
US20080029712A1 (en) * 2004-10-08 2008-02-07 Commissariat A L'energie Atomique Terahertz Optical Gate
CN102255233A (zh) * 2011-05-24 2011-11-23 上海理工大学 用于紫外精密光谱连续产生的调控方法
US20140204963A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Kla-Tencor Corporation 193NM Laser And Inspection System

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3698677B2 (ja) * 2002-03-15 2005-09-21 川崎重工業株式会社 レーザパルス制御方法と装置およびｘ線発生方法と装置
US7564552B2 (en) * 2004-05-14 2009-07-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7067819B2 (en) * 2004-05-14 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7830928B2 (en) 2006-08-02 2010-11-09 Regents of the University of Colorado, a body corp Quasi-phase matching and quantum control of high harmonic generation in waveguides using counterpropagating beams
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US8704198B2 (en) * 2009-12-14 2014-04-22 Massachusetts Institute Of Technology Efficient high-harmonic-generation-based EUV source driven by short wavelength light
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
CN103972769B (zh) 2014-05-16 2017-01-11 上海理工大学 一种通过外加太赫兹波场拓宽紫外超连续谱的方法
US9496681B2 (en) 2014-11-20 2016-11-15 University Of Ottawa Apparatus and method for tunable generation of coherent radiation
US9244332B1 (en) * 2014-12-22 2016-01-26 Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy Pulse light source device and method for creating fs pulses
KR102010941B1 (ko) 2015-03-25 2019-08-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법, 계측 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2017025392A1 (en) 2015-08-12 2017-02-16 Asml Netherlands B.V. Metrology methods, radiation source, metrology apparatus and device manufacturing method
CN108700819B (zh) 2015-12-23 2020-11-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备和用于执行测量的方法
JP6895985B2 (ja) 2016-04-28 2021-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｈｈｇ源、検査装置、および測定を実施する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007537455A (ja) * 2004-05-14 2007-12-20 ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法
US20080029712A1 (en) * 2004-10-08 2008-02-07 Commissariat A L'energie Atomique Terahertz Optical Gate
CN102255233A (zh) * 2011-05-24 2011-11-23 上海理工大学 用于紫外精密光谱连续产生的调控方法
US20140204963A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Kla-Tencor Corporation 193NM Laser And Inspection System

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019516127A (ja) 2019-06-13
TWI634394B (zh) 2018-09-01
US20170322497A1 (en) 2017-11-09
CN109074000A (zh) 2018-12-21
IL262358A (en) 2018-11-29
WO2017191084A1 (en) 2017-11-09
KR102151013B1 (ko) 2020-09-03
JP6727327B2 (ja) 2020-07-22
TW201805727A (zh) 2018-02-16
US10048596B2 (en) 2018-08-14
IL262358B (en) 2022-04-01
CN109074000B (zh) 2020-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102151013B1 (ko) 조명 방사선을 생성하기 위한 방법 및 장치
TWI633299B (zh) 度量衡方法、度量衡裝置及器件製造方法
KR102217258B1 (ko) Hhg 소스, 검사 장치, 및 측정 수행 방법
US10649344B2 (en) Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
KR20180030191A (ko) 계측 방법, 방사선 소스, 계측 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20190015553A (ko) 계측 장치
TW201730546A (zh) 微影裝置及用於執行量測之方法
CN110312968B (zh) 对准衍射光学系统的方法和衍射光学元件
KR20190113932A (ko) 측정 방법의 성능을 예측하기 위한 방법 및 장치, 측정 방법 및 장치
TWI631321B (zh) 用於檢測裝置之照明源、檢測裝置及檢測方法
TW201510672A (zh) 檢測裝置及方法、微影裝置、微影處理製造單元及元件製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant