JP2019516127A - 照明放射を発生するための方法及び装置 - Google Patents

照明放射を発生するための方法及び装置 Download PDF

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Abstract

リソグラフィプロセスで使用するインスペクション装置内で使用する照明装置において照明放射を発生する方法が記載されている。複数の放射パルス（７０４）を含む駆動放射ビーム（７０２）が提供される。ビームは第１及び第２の複数の駆動放射パルス（７０６ａ、７０８ａ）に分割される。それぞれの複数の駆動放射パルスは制御可能特性を有する。第１及び第２の複数を使用して、出力波長スペクトルを備えた照明放射ビームを発生することができる。第１及び第２の制御可能特性は、照明放射ビームの出力波長スペクトルの第１及び第２の部分をそれぞれ制御するために制御される。【選択図】 図７

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１６年５月４日に出願された欧州特許出願第１６１６８２３７．２号の優先権を主張するものであり、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、照明放射を発生するための方法及び装置に関する。特に、本発明は、高調波発生放射源において照明放射を発生するための方法及び装置に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合、代替的にマスク又はレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。完成品の機能デバイス及び相互接続部を規定するために、それぞれが特定のパターン及び材料組成を有する複数の層が適用される。
[0004] リソグラフィプロセスでは、例えばプロセス制御及び検証のために、作成された構造について頻繁に測定を行うことが望ましい。クリティカルディメンジョン（ＣＤ）を測定するためにしばしば使用される走査電子顕微鏡や、デバイス内の２つの層のアライメントの正確さであるオーバーレイを測定するための専用ツールを含む、このような測定を行うための様々なツールが知られている。最近では、リソグラフィ分野で使用するために様々な形式のスキャトロメータが開発されている。
[0005] 既知のスキャトロメータの例は、専用のメトロロジーターゲットの提供を頼りにする場合が多い。例えば、ある方法は、格子より小さいスポットを測定ビームが発生する（即ち、格子が充填不足になる）ように十分に大きい単純格子の形のターゲットを必要とする可能性がある。いわゆる再構築方法では、ターゲット構造の数学モデルで散乱線の相互作用をシミュレートすることにより、格子の特性を計算することができる。シミュレートした相互作用が現実のターゲットから観測されたものと同様の回折図形を生成するまで、モデルのパラメータが調整される。
[0006] 再構築によるフィーチャ形状の測定に加えて、米国特許出願公報第２００６０６６８５５Ａ１号に記載されているような装置を使用して回折ベースのオーバーレイを測定することができる。回折次数の暗視野結像を使用する回折ベースのオーバーレイメトロロジーは、より小さいターゲットのオーバーレイ測定を可能にする。これらのターゲットは、照明スポットより小さくすることができ、ウェーハ上の製品構造によって取り囲むことができる。暗視野結像メトロロジーの例は、例えば米国特許出願公報第２０１１１０２７５３Ａ１号及び第２０１２００４４４７０Ａ号など、多数の特許出願公報に見られる。複合格子ターゲットを使用して、１つの像において複数の格子を測定することができる。既知のスキャトロメータは可視域又は近ＩＲ波長域の光を使用する傾向があり、この場合、格子のピッチは、実際にその特性に関心のある実際の製品構造よりかなり粗くなる必要がある。このような製品フィーチャは、はるかに短い波長を有する深紫外線（ＤＵＶ）又は極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用して規定することができる。残念なことに、このような波長は通常、メトロロジーのために入手又は使用可能ではない。
[0007] これに反して、最新の製品構造の寸法は非常に小さいので、光学メトロロジー技法で結像することができない。小さいフィーチャとしては、例えば、複数のパターニングプロセス及び／又はピッチ倍増によって形成されるものを含む。このため、大量メトロロジーに使用されるターゲットは、そのオーバーレイエラー又はクリティカルディメンジョンが関心のある特性である製品よりかなり大きいフィーチャを使用する場合が多い。メトロロジーターゲットはリソグラフィ装置内の光学投影下で同じひずみを発生しないか及び／又は製造プロセスの他のステップにおいて異なる処理を受けないので、測定結果は現実の製品構造の寸法に間接的に関連するだけであり、不正確である可能性がある。走査電子顕微鏡検査（ＳＥＭ）はこれらの最新の製品構造を直接解明できるが、ＳＥＭは光学測定よりかなり時間のかかるものである。その上、電子は厚いプロセス層を貫通できず、これによりメトロロジー適用にあまり適さなくなっている。導体パッドを使用して電気的性質を測定することなどのその他の技法も知られているが、これは真の製品構造の間接証拠のみを提供するものである。
[0008] メトロロジー中に使用される放射の波長を減少させる（即ち、「軟Ｘ線」波長スペクトルに向かって移動させる）ことにより、放射は更に製品構造内に更に浸透できるので、測定性能が改善される。しかしながら、これはメトロロジーシステムのスペクトル分解における対応する改善を必要とする。更に、製品構造の複雑さが増し、製品構造は層数の増加及び対応する厚さの増加を含む。次にこれは、メトロロジー測定を実行するために必要なスペクトル分解を増加する。
[0009] 更に、ＤＵＶ又はＥＵＶ波長を放出する放射源はメトロロジー測定を実行するように最適化することができず、これはこのような測定の正確さ及び有用性に否定的な影響を及ぼす可能性がある。従って、メトロロジー測定で使用すべき放射を発生するための改善された方法及び放射源が必要である。
[0010] 本発明の第１の態様により、高調波発生放射源において照明放射ビームを発生するための方法であって、
照明放射ビームを発生するための駆動放射ビームを提供することであって、その放射ビームが複数の放射パルスを含むことと、
駆動放射ビームを第１の複数の駆動放射パルスと第２の複数の駆動放射パルスに分割することと、
照明放射ビームの出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することと、
照明放射ビームの出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために第２の複数の放射パルスの第２の制御可能特性を制御することと、
を含む、方法が提供される。
[0011] いくつかの実施形態では、第１の制御可能特性を制御することは、第２の複数の放射パルスに対する第１の複数の放射パルスの遅延を特定の遅延値によって制御することを含むことができる。
[0012] いくつかの実施形態では、第１の制御可能特性又は第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つは、それぞれ出力波長スペクトルの第１の部分又は第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御することができる。
[0013] いくつかの実施形態では、第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つは、第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含むことができる。
[0014] いくつかの実施形態では、第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つは、第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについてゲーティング（ｇａｔｉｎｇ）を実行することを含むことができる。
[0015] いくつかの実施形態では、第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについて汎用ダブルオプティカルゲート法（ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ ｄｏｕｂｌｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｇａｔｉｎｇ）を実行することができる。
[0016] いくつかの実施形態では、第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つは、第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについてパルス圧縮を実行することを含む。
[0017] いくつかの実施形態では、第１の制御可能特性又は第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つは、出力波長スペクトルの第２の部分が出力波長スペクトルの第１の部分とは異なるように制御される。
[0018] 本発明の第２の態様により、インスペクション装置に関する方法であって、
第１の複数の駆動放射パルスを提供することと、
第２の複数の駆動放射パルスを提供することと、
第１の複数の出力パルスと第２の複数の出力パルスを結合して照明放射ビームにすることと、
照明放射ビームを使用して、ターゲットの少なくとも１つの特性を決定することと、
を含み、
第１の複数の放射パルスを提供するステップが、照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することを含み、
第２の複数の放射パルスを提供するステップが、照明放射の出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために第２の複数の放射パルスの第２の制御可能特性を制御することを含む、方法が提供される。
[0019] 本発明は、上記の方法を実行するための手段を含む照明装置を更に提供する。
[0020] 本発明は、上記の方法を実行するための手段を含むインスペクション装置を更に提供する。
[0021] 本発明は、上記のインスペクション装置を含むリソグラフィ装置を更に提供する。
[0022] 本発明は、デバイスを製造する方法であって、デバイスフィーチャ及びメトロロジーターゲットがリソグラフィプロセスによって一連の基板上に形成され、１つ以上の処理された基板上のメトロロジーターゲットの特性が上記の方法によって測定され、測定された特性が更なる基板の処理のためにリソグラフィプロセスのパラメータを調整するために使用される、方法を提供する。
[0023] 本発明は、上記の本発明による方法において制御ステップを実現するための１つ以上のシーケンスの機械可読命令を含むコンピュータプログラムプロダクトを更に提供する。
[0024] 本発明は、リソグラフィシステムであって、
リソグラフィ装置が、
パターンを照明するように配置された照明光学システムと、
基板上にパターンの像を投影するように配置された投影光学システムと、
上記のインスペクション装置と、
を含み、
リソグラフィ装置が、更なる基板にパターンを適用する際にインスペクション装置によって計算された１つ以上のパラメータを使用するように配置される、リソグラフィシステムを更に提供する。
[0025] 本発明の更なる態様、特徴、及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作については、添付図面に関連して以下に詳細に説明する。本発明は本明細書に記載されている特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は例示目的のみのために本明細書に提示される。追加の実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて当業者にとって明らかになるであろう。
[0026] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものにすぎない。
半導体デバイスのための生産施設を形成するその他の装置とともにリソグラフィ装置を図示している。 本発明の一実施形態において使用可能なメトロロジー方法において格子ターゲットに対する入射線及び反射線のジオメトリを図示している。 図２の方法を実行するメトロロジー装置のコンポーネントを概略的に示している。 図３の装置において使用可能な放射源を示している。 図３の装置において使用可能な放射源を示している。 図４の放射源の出力スペクトルの概略図である。 パルス圧縮方法の概略図である。 パルス圧縮方法の概略図である。 本発明の第１の実施形態による照明システムの概略図である。 図７の照明システムを使用するための方法の図である。 本発明の第２の実施形態による照明システムの概略図である。 図９の照明システムを使用するための方法の図である。 図７又は図９の照明システムを使用可能なメトロロジー装置の概略図である。 図１１のメトロロジー装置を使用するための方法を示している。 図１１のメトロロジー装置において使用可能な第１の検出器セットアップの概略図である。 図１１の検出器セットアップにおいて使用可能なフィルタ材料に関するいくつかの模範的な透過スペクトルを概略的に示している。 図１１のメトロロジー装置において使用可能な第２の検出器セットアップの概略図である。
[0027] このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。
[0028] 図１は、大量リソグラフィ製造プロセスを実現する工業施設の一部としてリソグラフィ装置ＬＡを２００に示している。この例では、製造プロセスは、半導体ウェーハなどの基板上の半導体製品（集積回路）の製造に適合している。当業者であれば、このプロセスの変形例において異なるタイプの基板を処理することにより多様な製品を製造できることを認識するであろう。半導体製品の生産は純粋に、今日大いに商業的意義がある例として使用される。
[0029] リソグラフィ装置（又は略して「リソツール」２００）内には、測定ステーションＭＥＡが２０２に示され、露光ステーションＥＸＰが２０４に示されている。制御ユニットＬＡＣＵは２０６に示されている。この例では、それぞれの基板は測定ステーション及び露光ステーションに移行してパターンが適用される。光学リソグラフィ装置では、例えば、調整された放射及び投影システムを使用してパターニングデバイスＭＡから基板上に製品パターンを転写するために投影システムが使用される。これは、放射感応性レジスト材料の層にパターンの像を形成することによって行われる。
[0030] 本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射あるいは液浸液の使用又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電気型の光学システム、あるいはそれらの任意の組み合わせを含む、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきである。パターニングデバイスＭＡは、パターニングデバイスによって透過又は反射された放射ビームにパターンを付与するマスク又はレチクルにすることができる。周知の動作モードとしてはステップモード及びスキャンモードを含む。周知の通り、投影システムは、基板全域にわたる多くのターゲット部分に所望のパターンを適用するために様々なやり方で基板及びパターニングデバイスのためにサポートシステム及び位置決めシステムと共働することができる。固定パターンを有するレチクルの代わりにプログラマブルパターニングデバイスを使用することもできる。放射は例えば深紫外線（ＤＵＶ）又は極端紫外線（ＥＵＶ）の周波帯内の電磁放射を含むことができる。本発明は、例えば電子ビームによるインプリントリソグラフィ及び直接描画リソグラフィなどの他のタイプのリソグラフィプロセスにも適用可能である。
[0031] リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、基板Ｗ及びレチクルＭＡを受け取り、パターニング動作を実現するように、様々なアクチュエータ及びセンサのすべての移動及び測定を制御する。また、ＬＡＣＵは、装置の動作に関連する所望の計算を実現するための信号処理及びデータ処理機能も含む。実際には、制御ユニットＬＡＣＵは、それぞれが装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムデータ取得、処理、及び制御を処理する、多くのサブユニットからなるシステムとして実現されるであろう。
[0032] 露光ステーションＥＸＰでパターンが基板に適用される前に、様々な予備ステップを実行できるように測定ステーションＭＥＡで基板が処理される。予備ステップは、レベルセンサを使用して基板の表面高さをマッピングすることと、アライメントセンサを使用して基板上のアライメントマークの位置を測定することを含むことができる。アライメントマークは名目上は規則正しいグリッドパターンに配置される。しかしながら、マークを作成する際の不正確さにより、また、その処理全体を通して発生する基板の変形により、マークは理想的なグリッドから逸脱する。その結果として、装置が非常に高い精度で正確な位置に製品フィーチャをプリントするためのものである場合、基板の位置及び向きを測定することに加えて、アライメントセンサは実際には基板領域全域にわたる多くのマークの位置を詳細に測定しなければならない。装置は、それぞれが制御ユニットＬＡＣＵによって制御される位置決めシステムを備えた２つの基板テーブルを有する、いわゆるデュアルステージタイプにすることができる。一方の基板テーブル上の１つの基板が露光ステーションＥＸＰで露光されている間に、様々な予備ステップを実行できるようにもう１つの基板を測定ステーションＭＥＡでもう一方の基板テーブル上に装填することができる。従って、アライメントマークの測定は非常に時間のかかるものであり、２つの基板テーブルを備えることにより、装置のスループットの実質的な増加が可能になる。それが測定ステーション並びに露光ステーションにある間に位置センサＩＦが基板テーブルの位置を測定できない場合、基板テーブルの位置を両方のステーションで追跡できるようにするために第２の位置センサを設けてもよい。リソグラフィ装置ＬＡは例えば、２つの基板テーブルＷＡａ及びＷＴｂと、それらの間で基板テーブルを交換できる露光ステーション及び測定ステーションという２つのステーションとを有する、いわゆるデュアルステージタイプであってもよい。
[0033] 生産施設内で、装置２００は、装置２００によるパターニングのために基板Ｗに感光レジスト及びその他のコーティングを適用するためのコーティング装置２０８も含む、「リソセル」又は「リソクラスタ」の一部を形成する。装置２００の出力側には、露光されたパターンを物理的なレジストパターンに現像するためのベーキング装置２１０及び現像装置２１２が設けられる。これらの装置すべての間で基板ハンドリングシステムが基板の支持及び１つの装置から次の装置への基板の移送を処理する。これらの装置は、しばしばひとまとめにしてトラックと呼ばれ、それ自体が監視制御システムＳＣＳによって制御されるトラック制御ユニットの制御下にあり、監視制御システムＳＣＳはリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。従って、スループット及び処理効率を最大限にするように各種の装置を操作することができる。監視制御システムＳＣＳは、それぞれのパターン形成された基板を作成するために実行すべきステップの定義を詳細に提供するレシピ情報Ｒを受け取る。
[0034] リソセルでパターンが適用され現像されると、パターン形成された基板２２０は、２２２、２２４、２２６に示されているような他の処理装置に移送される。典型的な製造施設では広範囲の処理ステップが様々な装置によって実現される。例のため、この実施形態の装置２２２はエッチングステーションであり、装置２２４はポストエッチングアニーリングステップを実行する。更なる物理的及び／又は化学的処理ステップは更なる装置２２６などで適用される。現実のデバイスを作成するために、材料の付着、表面材料特性の改質（酸化、ドーピング、イオン注入など）、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）などの多数のタイプの操作が必要になる可能性がある。装置２２６は、実際には、１つ以上の装置で実行される一連の各種処理ステップを表す可能性がある。
[0035] 周知の通り、半導体デバイスの製造は、基板上に層ごとに適切な材料とパターンでデバイス構造を蓄積するために、このような処理の多くの繰り返しを必要とする。従って、リソクラスタに到着する基板２３０は、新たに用意された基板である場合もあれば、このクラスタにおいて又は完全に他の装置において、以前処理された基板である場合もある。同様に、必要な処理次第で、残りの装置２２６上の基板２３２は、同じリソクラスタにおけるその後のパターニング操作のために戻される場合もあれば、異なるクラスタにおけるパターニング操作が予定されている場合もあれば、ダイシング及びパッケージングのために発送される完成品である場合もある。
[0036] 製品構造の各層は異なる１組のプロセスステップを必要とし、各層で使用される装置２２６は完全にタイプの異なるものになる可能性がある。更に、装置２２６によって適用される処理ステップが名目上は同じである場合でも、大規模施設では、異なる基板についてステップ２２６を実行するために複数のおそらく同一の機械が並行して稼働している可能性がある。これらの機械間のセットアップのわずかな違い又は障害は、異なる基板に異なるように影響を及ぼすことを意味する可能性がある。エッチング（装置２２２）など、各層に比較的共通するステップでも、名目上は同一であるが、スループットを最大限にするために並行して稼働する複数のエッチング装置によって実現される場合もある。その上、実際には、異なる層は、エッチングすべき材料の詳細並びに例えば異方性エッチングなどの特殊な要件に応じて、化学エッチング、プラズマエッチングなど、異なるエッチングプロセスを必要とする。
[0037] 以前の及び／又はその後のプロセスは、前述の通り、他のリソグラフィ装置で実行することができ、異なるタイプのリソグラフィ装置で実行することもできる。例えば、デバイス製造プロセスにおいて解像度及びオーバーレイなどのパラメータで非常に要求が厳しいいくつかの層は、あまり要求が厳しくない他の層より高度なリソグラフィツールで実行することができる。従って、いくつかの層は液浸タイプのリソグラフィツールで露光することができ、他の層は「ドライ」ツールで露光される。また、いくつかの層はＤＵＶ波長で稼働するツールで露光することができ、他の層はＥＵＶ波長放射を使用して露光される。
[0038] リソグラフィ装置によって露光される基板が正確に一貫して露光されるために、露光された基板を検査して、その後の層間のオーバーレイエラー、ライン厚、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの特性を測定することが望ましい。従って、リソセルＬＣが位置する製造施設は、そのリソセルで処理された基板Ｗのうちの一部又は全部を受け取るメトロロジーシステムＭＥＴも含む。メトロロジー結果は直接又は間接的に監視制御システムＳＣＳに提供される。特に同じバッチの他の基板が更に露光されるのに十分なほど直ちに高速でメトロロジーを実行できる場合、エラーが検出されると、その後の基板の露光に対する調整を行うことができる。また、すでに露光された基板は、歩留まりを改善するために除去して再加工するか又は廃棄し、それにより障害があると分かっている基板に対して更なる処理の実行を回避することができる。基板のいくつかのターゲット部分のみに障害がある場合、良好なターゲット部分のみについて更なる露光を実行することができる。
[0039] 図１には、製造プロセス内の所望のステージで製品のパラメータについて測定を行うために設けられるメトロロジー装置２４０も示されている。最新のリソグラフィ生産施設におけるメトロロジー装置の一般的な例は角度分解スキャトロメータ又は分光スキャトロメータなどのスキャトロメータであり、これは装置２２２におけるエッチングの前に２２０で現像された基板の特性を測定するために適用することができる。メトロロジー装置２４０を使用すると、例えばオーバーレイ又はクリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの重要な性能パラメータが、現像されたレジストにおいて指定の精度要件を満たしていないと判断される可能性がある。エッチングステップの前に、現像されたレジストを除去し、リソクラスタにより基板２２０を再処理する機会が存在する。同じく周知の通り、装置２４０からのメトロロジー結果２４２を使用して、監視制御システムＳＣＳ及び／又は制御ユニットＬＡＣＵ２９６が経時的に小さい調整を行うことによりリソクラスタ内のパターニング動作の正確な性能を維持し、それにより製品が規格外れで作成され、再加工を必要とする危険性を最小限にすることができる。当然のことながら、メトロロジー装置２４０及び／又はその他のメトロロジー装置（図示せず）は、処理された基板２３２、２３４及び入ってくる基板２３０の特性を測定するために適用することができる。
[0040] 図２はＥＵＶメトロロジー方法を示し、図３はＥＵＶメトロロジー装置３００を示している。この装置は、図１の製造システムにおいて処理された基板Ｗのパラメータを測定するためのＥＵＶメトロロジー装置２４４の一例として使用することができる。
[0041] 図２では、ターゲットＴは、球形の基準系の原点において１次元の格子構造を含むものとして概略的に表される。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸はターゲットに対して定義される。（当然のことながら、原則として任意の座標系を定義することができ、それぞれのコンポーネントはそれ専用の局所的基準系を有することができ、これは示されているものに対して定義することができる。）ターゲット構造の周期性の方向ＤはＸ軸と位置合わせされる。この図面は真の透視図ではなく、概略図にすぎない。Ｘ−Ｙ平面はターゲット及び基板の平面であり、明瞭にするため、見る人に向かって傾斜して示され、円３０２の斜視図によって表される。Ｚ方向は基板に対して垂直な方向Ｎを定義する。図２では、入射線のうちの１つが３０４と表示され、かすめ入射角αを有する。この例では、入射線３０４（及び放射スポットＳを形成するすべての入射線）は実質的にＸ−Ｚ平面に平行な平面、即ち方向Ｄ及びＮによって規定され、円３０６によって表される平面内に位置している。ターゲットＴの周期構造によって散乱しない反射線３０８は、仰角αで図中のターゲットの右側に向かって出現する。入射線３０４の放射の一部は、既知の方式でターゲットＴによっていくつかの回折次数に散乱する。１次の散乱線を含む散乱線３０９が示されている。示されている例では、１次の散乱線は異なる波長のいくつかの個別線を含む。散乱線は検出器３１３ａによって検出することができ、これは、例えば、複数ピクセルのアレイを有するＣＣＤイメージ検出器にすることができる。
[0042] 分光反射測定を実行するために、光線３０８及びその他の反射線は、異なる波長の複数光線を含む、スペクトル３１０に分解される。このスペクトルは例えばかすめ入射回折格子３１２を使用して生成することができる。スペクトルは第２の検出器３１３ｂによって検出される。第１の検出器と同様に、この検出器は例えば複数ピクセルのアレイを有するＣＣＤイメージ検出器にすることができる。第１及び第２の検出器はどちらも、検出されたスペクトルを電気信号に変換し、最終的に分析用のデジタルデータに変換するために使用される。
[0043] 実用的なシステムでは、放射３０４のスペクトルは時間変動を受ける可能性があり、これは分析を妨げることになるであろう。このような変動に対して検出されたスペクトルを正規化するために、第２の検出器３１４によって基準スペクトルが捕捉される。基準スペクトルを生成するために、ソース放射３１６は他の回折格子３１８によって回折される。格子３１８のゼロ次反射線は入射線３０４を形成し、格子３１８の１次回折波３２０は基準スペクトル検出器３１４によって検出された基準スペクトルを形成する。分析時に使用するために基準スペクトルを表す電気信号及びデータが得られる。
[0044] 入射角αの１つ以上の値について得られた実測スペクトルから、以下に詳述するようにターゲット構造Ｔの特性の測定値を計算することができる。
[0045] 図３を参照すると、図２の方法によって基板Ｗ上に形成されたメトロロジーターゲットＴの特性を測定するためにＥＵＶメトロロジー装置３００が提供される。様々なハードウェアコンポーネントが概略的に表されている。これらのコンポーネントの実用的な実施形態は、周知の設計原理により、当業者が既存のコンポーネントと特別に設計されたコンポーネントの混合を適用することによって実行することができる。記述すべき他のコンポーネントに対して所望の位置及び向きに基板を保持するためにサポート（詳細には図示しない）が設けられる。放射源３３０は照明システム３３２への放射を提供する。照明システム３３２は、ターゲットＴ上に集束照射スポットを形成する光線３０４によって表されるＥＵＶ放射のビームを提供する。照明システム３３２は検出器３１４への基準スペクトル３２０も提供する。コンポーネント３１２、３１３ａ、３１３ｂなどは都合よく検出システム３３３と見なすことができる。
[0046] この例の基板Ｗは、光線３０４の入射角αを調整できるような位置決めシステム３３４を有する可動サポート上に搭載される。この例では、便宜上、基板Ｗを傾斜させて入射角を変更することが選ばれており、放射源３３０及び照明システム３３２は静止したままになる。反射線３０８を捕らえるために、検出システム３３３には更なる可動サポート３３６が設けられ、従って、静止した照明システムに対して角度２αで又は基板に対して角度αで移動する。反射測定のかすめ入射レジームでは、図示の通り、基板の平面を参照することにより入射角αを規定することは都合のよいことである。当然のことながら、入射線の入射方向Ｉと基板に対して垂直な方向Ｎとの間の角度として同様に規定できるだろう。
[0047] 放射の集束スポットＳが位置する位置にそれぞれのターゲットＴを導くために、図示していない追加のアクチュエータが設けられる。（他の見方では、ターゲットが位置する位置にスポットを導くためである。）実用的な適用例では、単一基板上に測定すべき一連の個別ターゲット又はターゲット位置が存在する可能性があり、一連の基板が存在する可能性もある。原則として、基板及びターゲットが移動して向きを変えられ、照明システム及び検出器が静止したままでいるか、基板が静止したままでいて、照明システム及び検出器が移動するか、あるいはこれらの技法の組み合わせによって相対運動の異なるコンポーネントが達成されるかは重要ではない。本発明はこれらの変形例をすべて包含するものである。
[0048] 図２に関連してすでに述べたように、ターゲットＴは周期的であるので、入射放射線の一部分は別個の次数に散乱する。１次の散乱線３０９は、この例では異なる波長を有する複数の光線を含み、図３に示されている。この散乱線は第１の検出器３１３ａに衝突する。この放射線の一部分は、ターゲットＴ及び基板Ｗによって反射され、その後、検出器３１３ｂに衝突する前に、異なる波長の複数光線のスペクトル３１０に分割される。検出器３１３ａ及び３１３ｂは例えば検出器エレメントのアレイである位置敏感ＥＵＶ検出器を含む。このアレイはリニアアレイにすることができるが、実際にはエレメント（ピクセル）の２次元アレイを提供することができる。検出器３１３ａ及び３１３ｂは例えばＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサにすることができる。
[0049] プロセッサ３４０は検出器３１３及び３１４からの信号を受け取る。特に、検出器３１３ａ及び／又は３１３ｂからの信号ＳＴはターゲットスペクトルを表し、検出器３１４からの信号ＳＲは基準スペクトルを表す。プロセッサ３４０は、ソーススペクトルにおける変動に対して正規化されたターゲットの反射スペクトルを含むように、ターゲットスペクトルから基準スペクトルを引くことができる。１つ以上の入射角について結果として得られる反射スペクトルを使用して、ターゲットの特性、例えばＣＤ又はオーバーレイの測定値を計算する。
[0050] 実際には、放射源３３０からの放射は一連の短パルスとして提供することができ、信号ＳＲ及びＳＴはそれぞれのパルスについて一緒に捕捉することができる。それぞれの個別パルスに関する差信号は、この入射角でこのターゲットに関する全体的な反射スペクトルに集約される前に計算される。このようにして、パルス間のソーススペクトルの不安定性が補正される。パルスレートは、毎秒数十万繰り返し数（Ｈｚ）から毎秒数百万繰り返し数（ＭＨｚ）までの任意の適切な値を有することができる。１つの反射スペクトルを測定するために集約されるパルス数は例えば数十又は数百である可能性がある。このように多くのパルスの場合でも、物理的測定は１秒の何分の１かを要する。
[0051] 半導体製造のメトロロジーに対するこのＥＵＶ−ＳＲの適用例では、小さい格子ターゲットを使用することができる。かすめ入射角αを様々な異なる値に設定しながら、検出器３１３ａ、３１３ｂ、及び３１４を使用して複数の回折スペクトルが捕捉される。検出されたスペクトル及びターゲット構造の数学モデルを使用して、再構築計算を実行して、ＣＤ及び／又は関心のあるその他のパラメータの測定に到達することができる。再構築方法の例については以下に更に示す。
[0052] ターゲット自体について簡単に検討すると、線及び空間の寸法はターゲット設計に依存することになるが、構造の周期は例えば１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、２０ｎｍ未満、更に１０ｎｍ未満であり、５ｎｍまで下がる可能性がある。格子構造の線は基板の製品エリア内の製品フィーチャと同じ寸法及びピッチにすることができる。実際に、格子構造の線は、メトロロジーのためにのみ、専用のターゲットエリア内に形成されたターゲット構造ではなく、製品構造の線にすることができる。このような小さいフィーチャは例えばインプリントリソグラフィ又は直接描画法によってＥＵＶリソグラフィプロセスにおいて形成することができる。また、このような小さいフィーチャは、いわゆるダブルパターニングプロセス（一般にマルチパターニング）によって現代のＤＵＶリソグラフィを使用して形成することもできる。このカテゴリの技法としては、例えばバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）層におけるリソエッチ・リソエッチ（ＬＥＬＥ）及び自己整合性デュアルダマシンによるピッチダブリングを含む。説明のために、以下の例では関心のあるパラメータがＣＤであると想定する。しかしながら、２つの格子が互いの上に形成されている場合、関心のあるもう１つのパラメータはオーバーレイである可能性がある。これは、以下に別途説明するように、ＥＵＶ−ＳＲ回折次数における非対称に基づいて測定することができる。下部構造への適度な浸透を達成するために必要であれば入射角を高めることができる。
[0053] マルチパターニングプロセスでは、１回のパターニング動作ではなく２つ以上のパターニングステップで、製品の１つの層内に構造が形成される。従って、例えば、第１の集合の構造は第２の集合の構造と交互配置することができ、これらの集合は、１つのステップ単独で生成できるものより高い解像度を達成するように異なるステップで形成される。これらの集合の配置は基板上の他のフィーチャに関して同一かつ完全なものでなければならないが、当然のことながら、すべての現実のパターンは特定の位置オフセットを呈する。集合間の意図的でない位置オフセットはオーバーレイの一形式と見なすことができ、層間のオーバーレイを測定するために使用されるものに類似した技法によって測定することができる。更に、下にある層又は上にある層におけるフィーチャに対するオーバーレイは、単一層内に複数の集合のフィーチャが形成される時にそれぞれの集合について異なる可能性があり、それぞれの集合に関するオーバーレイは望ましい場合は別途測定することができる。
[0054] 図４（ａ）は、例えば高調波発生（ＨＨＧ）技法に基づくＥＵＶ放射のジェネレータを含む放射源４０２を示している。放射源の主要コンポーネントはポンプレーザ４２０及びＨＨＧガスセル４２２である。ガス供給４２４は適切なガスをガスセルに供給する。ポンプレーザは例えばチタンサファイアベースのレーザにすることができ、これは、８００ｎｍの波長及びサブピコ秒のパルス幅を有するパルスを数ｋＨｚの繰り返し率で発生する。他の例では、ポンプレーザは、必要に応じて数メガヘルツまでのパルス繰り返し率を有し、光増幅器を備えたファイバベースのレーザにすることができる。典型的なパルス長はサブピコ秒の範囲内にすることができる。波長は例えば１μｍの領域内にすることができる。駆動放射パルスは第１の放射ビーム４２８としてＨＨＧガスセル４２２に送り出され、そこで放射の一部分はより高い周波数に変換される。照明放射ビーム４３０（図３の入射線３０４に対応する）は、１つ以上の所望のＥＵＶ波長のコヒーレント放射及び第１のビームの駆動放射パルスの両方を含む。１つ以上のフィルタリングデバイス４３２を設けることができる。アルミニウム（Ａｌ）の薄いメンブレンなどのフィルタは、基本的なＩＲ放射を切断して更にインスペクション装置内に通過しないようにする働きをする。このようなフィルタのフィルタリング特性はメンブレンの材料に依存することに留意されたい。このため、メンブレン材料の選択によりフィルタのフィルタリング特性を制御することは可能である。メンブレン材料についていくつかの特定の選択肢を想定できることは認識されるであろう。空気中を移動する時に所望のＥＵＶ放射が吸収されることを念頭に置くと、放射経路の一部又は全部を真空環境内に含めてもよい。放射源４０２及び照明光学部品４０４の様々なコンポーネントは、同じ装置内で異なるメトロロジー「レシピ」を実現するために調整可能なものにすることができる。例えば、異なる波長及び／又は偏光は選択可能にすることができる。
[0055] 図４（ｂ）は、ＨＨＧガスセル４２２のより詳細な図を示している。第１の放射ビーム４２８はガスセルに入る。ビームはフォーカスエレメント４３４によって集束される。当然のことながら、フォーカスエレメントは１つ又はいくつかの光学コンポーネントを含むことができることは認識されるであろう。フォーカスエレメントは、特定の焦点距離を有し、第１の放射ビームを実質的に焦点４３８に集束するように動作可能である。焦点はＨＨＧガスセルのガス容積４３６の内部に位置する。焦点において、放射パルスはガスと相互作用し、それにより放射の一部分をより高い周波数に変換する。上述の通り、照明放射ビーム４３０は、１つ以上の所望のＥＵＶ波長のコヒーレント放射及び第１のビームの駆動放射パルスの両方を含む。駆動放射が更に伝搬すると、測定に影響を及ぼすかあるいはターゲット又は検出器に対して損傷を引き起こす可能性もあるので、それを防止するために、フィルタ４３２は上記のように照明放射ビームの不要な部分をフィルタで除去する。
[0056] パターン形成された構造のクリティカルディメンジョン（ＣＤ）の測定などの特定のメトロロジー測定は、大きい放射帯域幅を有する放射から恩恵を受ける。より大きい帯域幅の放射を使用すると、より狭い帯域幅の放射より多くの情報を提供し、それにより再構築の正確さが改善される。次に、改善された再構築の正確さにより、メトロロジー装置の正確さが増し、ひいてはリソグラフィ装置の性能が高まる。当然のことながら、以下の例はクリティカルディメンジョンの測定に関連して説明するが、以下の例の原理は他のタイプのメトロロジー測定（例えばオーバーレイエラー）又は他のタイプの結像方法（例えばコヒーレント回折結像）に適用できることが認識されるであろう。
[0057] ＨＨＧ放射源は典型的にいくつかの放射ピークを出力し、それぞれのピークは高調波次数を表す。隣接する高調波次数間の波長間隔は以下のように定義することができる。
Δλ＝λＤ／Ｎ−λＤ／（Ｎ＋２）≒２λＤ／Ｎ２
[0058] λＤは駆動放射の波長を示し、Ｎは高調波次数の数である。お分かりのように、高調波次数がより高くなると、波長間隔が減少する。従って、十分に高い次数の高調波次数の場合、高調波ピークの幅はピーク間の波長間隔と等しいか又はそれより大きくなる。このため、十分に高い高調波次数の場合、対応する複数の放射ピークは少なくとも部分的に重なり合って準連続体を形成することになる。より低次の高調波の場合、放射ピーク間の波長間隔は高調波次数の減少に比例して増加する。このため、隣接する高調波次数間の波長間隔は放射ピークのスペクトル幅より大きいので、より低い高調波次数に対応する複数の放射ピークは重ならない。
[0059] これは図５に示されており、同図は図４に示されているものなどの放射源からの模範的な出力スペクトルを概略的に示している。
[0060] 模範的な放射源は第１の連続体５０２の放射を出力する。第１の連続体は、その幅がピーク間の波長間隔の幅より大きい個別放射ピークからなる。当然のことながら、スペクトルの形状は例示目的のみのものであり、実際には連続体は別個の放射ピークを含むことができることが認識されるであろう。一例では、連続体の波長範囲は約１２〜１６ｎｍである。その他の例では、連続体の波長範囲は６〜１１ｎｍ、１０〜１８ｎｍ、１１〜２５ｎｍ、２０〜２８ｎｍ、２０〜４０ｎｍ、又は２５〜４０ｎｍにすることができる。更に、模範的なＨＨＧ放射源はいくつかの特定の波長でいくつかの放射ピーク５０４を出力する。放射ピークは放射源によって出力された低次高調波を表し、その場合、個別ピーク間の波長間隔はピーク幅より大きい。正規のＨＨＧ放射源の場合、奇数の高調波のみが存在することに留意されたい。しかしながら、偶数の高調波のみが生成されるＨＨＧ放射源を想定並びに実現することも同様に可能である。
[0061] 上記のように、放射源の出力放射の全体的なスペクトル幅を増加することはメトロロジー測定（ＣＤ測定など）を実行する時に有利である可能性がある。例えば、第１の連続体５０２に加えて第２の放射連続体５０６を出力するように放射源を変更できる場合に有利になるであろう。
[0062] 本発明者らは、より低い高調波次数に対応する放射ピークのスペクトル幅を増加することにより、ＨＨＧ放射源がより高い波長範囲で連続体を提供できるようにすることが可能であることを認識している。ＨＨＧ放射源において発生される放射ピークのスペクトル幅はそれを発生するために使用される駆動放射パルスの包絡線によって規定されるので、駆動放射パルス又はその一部分についてパルス圧縮又はゲーティング方法を実行すると、放射ピークのスペクトル幅を広げることになる。十分に広げられた場合、いくつかの放射ピークが１つの連続体を形成することができる。これについては、ＨＨＧ放射源におけるパルス圧縮の単純な概略図を示す図６（ａ）及び図６（ｂ）に関連して以下に更に説明する。
[0063] 図６（ａ）は、図４のレーザ源４２０によって放出されたような特定のパルス長６０４ａを備えた放射パルス６０２ａを示している。上記のように、レーザ源からの放射がＨＨＧガスセル内のガスと相互作用すると、いくつかの放射ピーク６０６ａが発生される。放射ピークは波長範囲６０８ａにわたって分散され、それぞれの放射ピークは波長間隔６１０（上記の通り）によって隣接する放射ピークから分離される。お分かりのように、この例では、放射ピークの幅は放射ピーク間の波長間隔より小さい。当然のことながら、３つの放射ピークは例示目的のみのために示されており、より多くの放射ピークが放出される可能性があることは認識されるであろう。
[0064] 図６（ｂ）では、パルス長６０４ｂを短縮するようにパルス６０２ｂについてパルス圧縮が実行される。図６（ａ）の元のパルス６０２ａは点線によって示されている。短縮されたパルスがＨＨＧガスセル内のガスと相互作用すると、いくつかの放射ピーク６０６ｂが発生される。非圧縮パルス６０２ａの放射ピーク６０６ａと比較して、放射ピーク６０６ｂのそれぞれはスペクトル的に広げられている。次にこれにより放射ピークが占有する波長範囲６０８ｂが広げられる。図６（ａ）の元の放射ピーク６０６ａは点線によって示されている。お分かりのように、パルス圧縮後、放射ピークは、そのピークがスペクトル的に重なるように広げられている。換言すれば、ピーク間の強度はこの時点で非ゼロであり、それにより放射連続体を作成する。
[0065] パルス圧縮を実行するためのいくつかのメカニズムを想定することができ、図４に示されているような放射源において実現することができる。１つの既知のメカニズムは、「汎用ダブルオプティカルゲート法」（ＧＤＯＧ）として知られ、「Generation of Isolated Attosecond Pulses with 20 to 38 Femtosecond Lasers」（Feng他、Physical Review Letters 103、2009年）に記載されている。もう１つのメカニズムは、「イオン化ゲーティング」として知られ、「High energy attosecond light sources」（Giuseppe Sansone他、Nature Photonics 5、655-663ページ、2001年）に記載されている。更にもう１つの既知のメカニズムは、「Isolated single-cycle attosecond pulses」（Giuseppe Sansone他、Science、第314号、443-446ページ、2006年）に記載されているように「ポストパルス圧縮」として知られている。次に、高調波発生放射源において照明放射を発生するための模範的な装置７００及び方法について図７及び図８に関連して述べる。
[0066] 第１のステップ８０１では、照明放射を発生するための駆動放射ビーム７０２が提供される。駆動放射ビームは複数の放射パルス７０４を含む。放射パルスは、適切なパルス繰り返し率及び出力放射波長スペクトルを備えた適切な放射源によって発生することができる。一例では、放射源は上記の図４に関連して記載されているレーザ源４２０である。しかしながら、他の放射波長を備えた他の放射源も想定できることが認識されるであろう。
[0067] 第２のステップ８０２では、駆動放射ビーム７０２は、第１のビームスプリッティングエレメント７１０によって第１の複数の駆動放射パルス７０６ａと第２の複数の駆動放射パルス７０８ａに分割される。一例では、ビームスプリッティングエレメントはビームスプリッタ（例えば部分的に透過するミラー表面）である。ビームスプリッティングエレメントは、入ってくる放射を任意の適切なやり方で分割するように構成することができる。一例では、ビームスプリッティングエレメントは、第１の複数の駆動放射パルスにおけるパルスの強度が駆動放射ビームパルスの強度の実質的に７０％になり、第２の複数のパルスの強度が駆動放射ビームの強度の３０％になるような駆動放射ビームを分割するように動作可能である。その他の例では、９０％／１０％、８０％／２０％、又は６０％／４０％など（これらに限定されない）の異なる分割比を使用することができる。特定のターゲットのために選択される特定の分割比は、発生される照明放射の所望の出力波長スペクトル、駆動放射パルスのＨＨＧガスセルにおける変換効率、及び測定中のターゲットの特性（例えばＣＤ）に関する波長依存の測定感度を含むがこれらの限定されないいくつかの要因に依存する。いくつかの例では、分割比は固定され、例えば、ビームスプリッタ材料の特性に基づくものである。その他の例では、例えば測定すべきターゲットの特性に基づいて、照明放射を最適化するために分割比を変動させることができる。当然のことながら、駆動放射ビームは例示目的のみのために２つの複数の駆動放射パルスに分割されることに留意されたい。その他の例では、駆動放射ビームは、３つ以上の複数の駆動放射パルスに分割することができる。
[0068] 第３のステップ８０３では、照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために、第１の複数の放射パルス７０６ａの第１の制御可能特性が制御される。一例では、制御可能特性は、第２の複数の駆動放射パルスに対する第１の複数の放射パルスの遅延である。第１の複数の駆動放射パルスは遅延素子７１２を通って伝搬し、その素子は第１の複数の遅延駆動放射パルス７０６ｂを出力する。この遅延は任意の適切な値に設定することができる。いくつかの例では、遅延は固定値を有することができる。その他の例では、遅延値は適切なやり方で変動させることができる。特定の例では、遅延の値は、第１の複数のパルスのいずれかと第２の複数のパルスのいずれかとの間で時間的な重なりが発生しないように設定される。いくつかの例では、遅延は１ｎｓ〜１０ｎｓの間である。その他の例では、遅延は３ｎｓ、４ｎｓ、又は５ｎｓより大きい。
[0069] 第１及び第２の複数において対応する放射パルス間に重なりがある場合、ＨＨＧプロセスはゆがめられるか又は否定的な影響を受ける可能性がある。従って、第１の複数と第２の複数の駆動放射パルス間の時間的な重なりを回避するように遅延を選択することができる。更に、それぞれのＨＨＧ放出は短寿命プラズマを発生する。連続するパルスによって発生されたＨＨＧプラズマ間の相互作用を回避するように遅延時間を選択することができる。典型的に、プラズマ減衰時間はピコ秒で測定される。従って、遅延は特定の例では１ｎｓより大きくなるように選択することができる。その他の例では、遅延時間は、検出器（複数も可）の最小応答時間についてより大きくなるように選択される。これにより、連続するパルスを検出器によって個別に検出することができる。
[0070] 遅延は任意の適切なやり方で導入することができる。いくつかの例では、遅延は放射パルスの光路長を変更することによって導入することができる。このような例では、遅延素子は１つ又はいくつかの可動光学素子、例えばミラーを含むことができる。
[0071] 遅延素子に加えて又はこれに代わって、装置は任意選択で、第１の複数の駆動放射パルスを適切に変更するために使用できる１つ以上の追加のコンポーネント７１５を含むことができることに留意されたい。例えば、追加のコンポーネントは、第１の複数のパルスとＨＨＧガスセル内のガスとの相互作用によって発生される波長スペクトルを変更するために第１の複数の駆動放射パルスのパルスを変更するように動作可能にすることができる。一例では、追加のコンポーネントは光パラメトリック増幅器にすることができる。他の例では、追加のコンポーネントは、以下に説明するパルス制御エレメント７１４と同様のパルス制御エレメントにすることができる。このため、第２の制御可能特性に関して記載されているが、パルス制御エレメントは原則として第１の制御可能特性を制御するために同様に適切に使用できるであろう。
[0072] 第４のステップ８０４では、照明放射の出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために、第２の複数の放射パルス７０８ａの第２の制御可能特性が制御される。一例では、出力波長スペクトルの第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御可能特性が制御される。いくつかの例では、第２の制御可能特性を制御することは、第２の複数の放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含む。波長スペクトルはパルス制御エレメント７１４によって制御され、このエレメントは第２の複数の被制御放射パルス７０８ｂを出力する。
[0073] パルス制御エレメントは、任意の適切なメカニズムを使用して適切に実現することができる。一例では、第２の複数の駆動放射パルスは適切なやり方でゲーティングされる。一例では、パルス制御エレメントは第２の複数の放射パルスについて汎用ダブルオプティカルゲート法を実行する。他の例では、第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスについてパルス圧縮が実行される。一例では、照明放射の出力波長スペクトルの第２の部分が照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分とは異なるように第２の制御可能特性が制御される。
[0074] 任意選択の第５のステップ８０５では、第１の複数の駆動放射パルスと第２の複数の駆動放射パルスが第２のビームスプリッティングエレメント７１６によって再結合されて出力放射ビーム７１８になる。一例では、第２のビームスプリッティングエレメントはビームスプリッタである。次に第２の放射ビームを使用して照明放射を発生することができる。
[0075] 当然のことながら、上記の装置は「マクロ」光学素子で実現されて示されているが、上記の装置は任意の適切なやり方で実現できることが認識されるであろう。例えば、この装置は光ファイバコンポーネントを使用して実現できるであろう。他の例では、上記の装置は統合光学コンポーネントを使用して実現される。
[0076] 図９及び図１０は、放射を発生するための第２の模範的な方法及び装置を示している。図７及び図８との比較を容易にするため、図７及び図８の対応する要素と同様の図９及び図１０の要素は図７及び図８で使用したものと同様の参照符号で示されているが、「７」及び「８」の代わりにそれぞれ「９」及び「１０」という接頭辞で示されている。更に、方法及び装置の特徴のうち、図７及び図８のものとは異なるものについてのみ詳細に述べる。
[0077] 第１のステップ１００１では、駆動放射ビーム９０２が提供される。駆動放射ビームは複数の放射パルス９０４を含む。
[0078] 第２のステップ１００２では、駆動放射ビーム９０２は、図７及び図８に関連して記載されているものと同様のやり方で第１の複数の駆動放射パルス９０６ａと第２の複数の駆動放射パルス９０８ａに分割される。駆動放射ビームは第１のビームスプリッティングエレメント９１０によって分割される。第１のビームスプリッティングエレメントの分割比は図７に関連して上述したように選択することができる。
[0079] 第３のステップ１００３では、照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために、第１の複数の放射パルス９０６ａの第１の制御可能特性が制御される。この例では、第１の複数の駆動放射パルスは第２の複数の駆動放射パルス９０８ａに対して遅延される。遅延は、制御可能経路長を備えた光学遅延経路を含む遅延制御システム９１２によって制御される。第１の複数の駆動放射パルス９０６ａは第１の誘導ミラー９２０によって誘導され、次に１つ以上の遅延ミラー９２２に向かって伝搬する。遅延ミラーはこの例では、少なくとも第１の方向（矢印９２６によって示される）に移動可能な可動ステージなどの可動遅延素子９２４上に取り付けられる。次に第１の複数の遅延駆動放射パルス９０６ｂは第２の誘導ミラー９２８によって反射され、出口ビームスプリッタ９１６に向かって伝搬する。上記のように、第１の複数の駆動放射パルス９０６ａは例示目的のみのために遅延システム９１２によってのみ変更されることは認識されるであろう。装置は任意選択で、第１の複数の駆動放射パルスを適切に変更するために使用できる１つ以上の追加のコンポーネント９１５を含むことができる。例えば、追加のコンポーネントは、第１の複数のパルスとＨＨＧガスセル内のガスとの相互作用によって発生される波長スペクトルを変更するために第１の複数の駆動放射パルスのパルスを変更するように動作可能にすることができる。一例では、追加のコンポーネントは光パラメトリック増幅器にすることができる。他の例では、追加のコンポーネントは、以下に説明するパルス制御エレメント９１４と同様のパルス制御エレメントにすることができる。このため、第２の制御可能特性に関して記載されているが、パルス制御エレメントは原則として第１の制御可能特性を制御するために同様に適切に使用できるであろう。第１の複数の駆動放射パルスが代替の又は追加のコンポーネントによって変更される例は、容易に想定することができる。
[0080] 第４のステップ１００４では、照明放射の出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために、第２の複数の駆動放射パルス９０８ａの第２の制御可能特性が制御される。第２の制御可能特性はパルス制御エレメント９１４によって制御される。パルス制御エレメントはアテニュエータ９３０を含む。その後、第２の複数の駆動放射パルスはパルス制御エレメントに伝搬する。この例では、パルス制御エレメントは汎用ダブルオプティカルゲート法（ＧＤＯＧ）エレメント９３２を含む。ＧＤＯＧエレメントは、直線偏光を備えた放射パルスの単一サイクルをゲーティングし、そのパルスの残りのサイクルを円偏光させる（それにより、ＨＨＧセル内のガスにおいて高調波成分を発生しない）。この例では、ＧＤＯＧは第２の複数の駆動放射パルス内のそれぞれのパルスを「単一サイクル」パルス９０８ｂに効果的にゲーティングする。
[0081] 任意選択の第５のステップ１００５では、第１の複数の駆動放射パルスと第２の複数の駆動放射パルスが第２のビームスプリッティングエレメント９１６によって再結合されて出力放射ビーム９１８になる。一例では、第２のビームスプリッティングエレメントはビームスプリッタである。次に第２の放射ビームを使用して照明放射を発生することができる。
[0082] 図１１及び図１２は模範的なメトロロジー装置１１００を示している。図４との比較を容易にするため、図４の対応する要素と同様の図１１の要素は図４で使用したものと同様の参照符号で示されているが、「４」の代わりに「１１」という接頭辞で示されている。
[0083] インスペクション装置はポンプレーザ１１２０及びＨＨＧガスセル１１２２を含む。ガス供給１１２４は適切なガスをガスセルに供給する。ポンプレーザは駆動放射ビーム１１２８の第１のビームをビーム変更エレメント１１３４に送り出す。一例では、ビーム変更エレメントは図７及び図８又は図９及び図１０に関連して説明した装置と実質的に同一である。ビーム変更エレメントからの出力放射１１３５はＨＨＧガスセル１１２２に送り出され、そこで出力放射の一部分は上記のようにより高い周波数に変換されて照明放射ビーム１１３０ａ、１１３０ｂを作成する。この例では、出力放射１１３５は図７に関連して説明した出力放射ビーム７１８又は図９に関連して説明した出力放射ビーム９１８と実質的に同一である。照明放射ビームは、１つ以上の所望のＥＵＶ波長のコヒーレント放射（参照番号１１３０ａ）及び出力放射の駆動放射パルス（参照番号１１３０ｂ）の両方を含む。フィルタリングデバイス１１３２は、出力放射の駆動放射パルスをブロックし、１つ以上の所望のＥＵＶ波長のコヒーレント放射のみを透過するために使用される。
[0084] フィルタリングされた後、照明放射ビーム１１３０ａは出力波長スペクトル１１４０を有する。出力波長スペクトルは第１の部分１１４２と第２の部分１１４４とを含む。第１の部分は、第１の複数の放射パルスとＨＨＧガスセル内に存在するガスとの相互作用によって発生される。一例では、第１の部分は図４に関連して説明した既知の放射源によって発生された出力波長スペクトルと実質的に同一である。一例では、第１の部分は１２〜１６ｎｍの波長を備えた放射を含む。他の例では、第１の部分は６〜１１ｎｍの波長を備えた放射を更に含む。これは任意の適切なやり方で達成することができる。一例では、これは、第１の複数の駆動放射パルスを変更するビーム変更エレメント１１３４の一部に光パラメトリック増幅器を追加することによって達成される。更に他の例では、第１の部分は１０〜１８ｎｍ、１１〜２５ｎｍ、２０〜２８ｎｍ、２０〜４０ｎｍ、又は２５〜４０ｎｍの波長を備えた放射を含む。
[0085] 出力波長スペクトルの第２の部分１１４４は、第２の複数の放射パルスとＨＨＧガスセルのガスとの相互作用によって発生される。一例では、出力波長スペクトルの第２の部分は４０〜５０ｎｍの波長を備えた放射を含む。他の例では、第２の部分は４５〜６０ｎｍの波長を備えた放射を含む。更に他の例では、第２の部分は追加的に又は代替的に２０〜２８ｎｍの波長を備えた放射を含み、これは例えば分割比（上記の通り）を変更することによって達成することができる。更なる例では、第２の部分は追加的に又は代替的に２５〜４０ｎｍの波長を備えた放射を含むことができる。これは例えばポストパルス圧縮及び／又はゲーティングを実行することによって達成することができる。
[0086] 上記のように、第１の複数の駆動放射パルスは第２の複数の駆動放射パルスに対して遅延される。いくつかの例では、第１の複数のパルスが第２の複数のパルスと時間的に重ならないように遅延値が選択される。換言すれば、出力放射１１３５において第１の複数の駆動放射パルスのパルスには第２の複数の駆動放射パルスのパルスが時間的に散在している。次にこれにより照明放射ビームは、出力波長スペクトルの第２の部分内の第２の波長を有するパルスが散在している、出力波長スペクトルの第１の部分内の第１の波長を有するパルスからなる。このようにして、第１の部分は第２の部分から時間的に区別することができる。
[0087] 次に照明放射ビーム１１３０ａは、その表面上にターゲット構造Ｔを備えた基板１１５０に送り出される。照明放射ビームはターゲット構造によって散乱する。この例では、ターゲット構造は回折格子などの周期的ターゲット構造である。既知のやり方では、ターゲット構造は入ってくる放射を別個の次数の放射に散乱させる。この例では、０次の散乱線１１５２は使用しない。しかしながら、０次の放射はその他の目的に使用できることが認識されるであろう。１次の散乱線１１５４は検出器１１５６によって収集される。図１１に示されている検出器１１５６は図３に示されている第１の検出器３１３ａと実質的に同一であるが、測定を実行するために図３の第２の検出器３１３ｂと実質的に同一の検出器を使用することは同様に十分可能であることに留意されたい。他の言い方では、図３に関連して説明したものと同様のやり方で０次の放射を使用することにより測定を実行することは可能になるであろう。
[0088] 次に、インスペクション装置１１００を使用する方法について、図１２に関連して説明する。
[0089] 第１のステップ１２０１では、第１の複数の駆動放射パルスが提供される。第１の複数の駆動放射パルスは任意の適切なやり方で提供することができる。一例では、第１の複数は、図７及び図８又は図９及び図１０に関連して上記で説明したように提供される。一例では、第１のステップは、照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することを更に含む。一例では、制御可能特性は、第２の複数の駆動放射パルスに対する第１の複数の放射パルスの遅延である。この遅延は任意の適切な値に設定することができる。いくつかの例では、遅延は固定値を有することができる。その他の例では、遅延値は適切なやり方で変動させることができる。特定の例では、遅延の値は、第１の複数のパルスのいずれかと第２の複数のパルスのいずれかとの間で時間的な重なりが発生しないように設定される。いくつかの例では、遅延は１ｎｓ〜１０ｎｓの間である。特定の例では、遅延は３ｎｓ、４ｎｓ、又は５ｎｓより大きい。
[0090] 第２のステップ１２０２では、第２の複数の駆動放射パルスが提供される。第２の複数の駆動放射パルスは任意の適切なやり方で提供することができる。一例では、第２の複数は、図７及び図８又は図９及び図１０に関連して上記で説明したように提供される。一例では、第２のステップは、照明放射の出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために第２の複数の駆動放射パルスの第２の制御可能特性を制御することを更に含む。一例では、出力波長スペクトルの第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御可能特性が制御される。いくつかの例では、第２の制御可能特性を制御することは、第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含む。
[0091] 第３のステップ１２０３では、第１の複数の駆動放射パルスと第２の複数の駆動放射パルスが結合されて照明放射ビームになる。第１及び第２の複数の駆動放射パルスは任意の適切なやり方で結合することができる。一例では、第１及び第２の複数はビームスプリッタなどのビームスプリッティングエレメントによって結合される。
[0092] 第４のステップ１２０４では、照明放射ビームを使用して、ターゲットの少なくとも１つの特性を決定する。
[0093] 図１３は、模範的な検出器セットアップをより詳細に示している。照明放射ビーム１３０２は基板１３０４の表面上の周期的ターゲット構造Ｔにあたり、既知のやり方で散乱する。例示目的のため、図１３には０次の散乱線１３０６と１次の散乱線１３０８が示されている。この例では、照明放射ビームは、図７及び図８又は図９及び図１０に関連して述べた照明放射ビームと実質的に同一である。当然のことながら、周期的ターゲット構造は例示目的のみのために示されており、いくつかの異なるターゲット構造を想定できることは認識されるであろう。上記のように、この例では０次の散乱線１３０６は使用しない。照明放射は（単一波長を有する放射と対立するものとして）波長スペクトルを有する放射を含むので、１次の散乱線の散乱角は波長に依存する。検出器セットアップは散乱線を検出する検出器１３１０を有する。図１１に示されている検出器１１５６は図３に示されている第１の検出器３１３ａと実質的に同一であるが、測定を実行するために図３の第２の検出器３１３ｂと実質的に同一の検出器を使用することは同様に十分可能であることに留意されたい。他の言い方では、図３に関連して説明したものと同様のやり方で０次の放射を使用することにより測定を実行することは可能になるであろう。
[0094] この例では、上記のように、照明放射ビーム１３０２は、出力波長スペクトルの第２の部分内の第２の波長を有するパルスが散在している、出力波長スペクトルの第１の部分内の第１の波長を有するパルスからなる。ターゲット構造Ｔは、第２の波長を有するパルスとは異なる角度で第１の波長を有するパルスを散乱させる。
[0095] 検出器セットアップはフィルタ１３１２を更に含む。このフィルタは照明放射ビームの出力波長スペクトルを適切なやり方で変更するために使用することができる。例えば、このフィルタは、不要な放射をブロックし、関心のある１つ以上の波長を有する放射を透過するために使用することができる。
[0096] 次に、検出器セットアップ内のフィルタの使用の例示的かつ非限定的な例について述べる。この例では、照明放射ビームは、１２〜１６ｎｍの波長範囲を備えた第１の部分と４０〜５０ｎｍの波長範囲を有する第２の部分とを有する出力波長スペクトルを含む。知られているように、出力波長スペクトルの強度は、ＨＨＧガスセル内のガスのイオン化断面積により波長に依存して変動する。例えば、照明放射ビームの強度は短い波長より長い波長の方が強くなる可能性があり、これはこれらの波長での検出器の飽和を引き起こす可能性がある。このフィルタは１つ又はいくつかのフィルタ材料を含むことができる。それぞれのフィルタ材料は特定の透過特性を有する可能性がある。特定のフィルタ用のフィルタ材料は、照明放射ビームの特性及び検出器の特性に依存して選択することができる。
[0097] 図１４は、図１３の検出器セットアップにおいて使用可能な、いくつかの模範的なフィルタ材料に関する透過曲線を示している。当然のことながら、これは例示目的のみのためのものであり、述べられている材料は限定するためのものではないことは認識されるであろう。第１の透過曲線１４０２はアルミニウム（Ａｌ）を表している。第２の透過曲線１４０４はジルコニウム（Ｚｒ）を表している。第３の透過曲線１４０６はニオブ（Ｎｂ）を表している。
[0098] 上記の図１３に関連して述べた例に戻ると、検出器は、より短い波長（例えば１２〜１６ｎｍ）ではなく、より長い波長（例えば４０〜５０ｎｍ）で飽和する。この例では、ニオブで作られたフィルタを使用することができる。図１４で分かるように、ニオブは５〜２０ｎｍ及び３５〜５５ｎｍ（挿入部分において参照番号１４０８で示されているもの）で透過「ウィンドウ」を有する。透過強度（Ｙ軸で示されている）は３５〜５５ｎｍのウィンドウの場合により低くなることに留意されたい。従って、ニオブで作られたフィルタはより低い波長には実質的に影響を及ぼさないが、より長い波長において上述の検出器飽和を少なくとも部分的に緩和することになるであろう。図１５は第２の模範的な検出器セットアップを示している。図１３との比較を容易にするため、図１３の対応する要素と同様の図１５の要素は図１３で使用したものと同様の参照符号で示されているが、「１３」の代わりに「１５」という接頭辞で示されている。
[0099] この例では、（図１３のように）単一検出器を使用する代わりに、２つの検出器１５１０ａ、１５１０ｂが使用される。検出器は、特定の波長スペクトル内の放射を検出するように位置決めされる。放射の回折角が放射波長に依存する場合、検出器は特定の波長のみを検出するように位置決めすることができる。このやり方で不要な放射波長をフィルタで除去することができ、それにより検出器の過飽和の危険性を低減する。この例では、第１の検出器１５１０ａは、出力波長スペクトルの第１の部分に入る波長を有する散乱線１５０８ａを検出するように位置決めされる。同様に、第２の検出器１５１０ｂは、出力波長スペクトルの第２の部分に入る波長を有する散乱線１５０８ｂを検出するように位置決めされる。第１のフィルタ１５１２ａ及び第２のフィルタ１５１２ｂはそれぞれ第１の検出器１５１０ａ及び第２の検出器１５１０ｂの前に位置決めされる。フィルタ材料は、任意の適切ややり方で散乱線の波長スペクトルを変更するように選択することができる。第１のフィルタ及び第２のフィルタのそれぞれは１つ以上の特定の材料で作ることができ、それぞれの材料は特定の透過特性を有する。更に、第１のフィルタは第２のフィルタとは異なる材料で作ることができる。一例では、第１のフィルタ及び／又は第２のフィルタ用のフィルタ材料は、特定の波長の上又は下の放射をブロックするように選択される。他の例では、第１のフィルタ及び／又は第２のフィルタ用のフィルタ材料は、特定の波長範囲内の放射のみを透過するように選択される。その他の例では、第１のフィルタ及び第２のフィルタのうちの一方又は両方を完全に省略することができる。
[0100] 上記の検出器セットアップに対して追加的に又は代替的に、検出器が特定の時間にのみ検出するように操作される例を想定することができる。一例では、検出器は、特定の期間中に特定の波長範囲内の放射のみを検出するように操作される。特定の例では、検出器はマイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）であり、これは赤外線（ＩＲ）放射に対して鈍感であるが、高い検出速度を有する。
[0101] 上記は純粋に模範的なものであり、多くのその他の検出器タイプ並びにフィルタタイプを想定できることは認識されるであろう。例えば、アパーチャ、ビームブロッカ、又はピンホールなどのその他の光学コンポーネントを、上記のフィルタの追加として又はその代替としてのフィルタとして使用することができる。フィルタの適切な使用により、検出器の過飽和の危険性を更に低減すること並びに測定時のノイズを低減することが可能である。
[0102] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
[0103] 本発明による更なる実施形態については以下の番号付き条項に記載する。
１．高調波発生放射源において照明放射ビームを発生するための方法であって、
照明放射ビームを発生するための駆動放射ビームを提供することであって、その放射ビームが複数の放射パルスを含むことと、
駆動放射ビームを第１の複数の駆動放射パルスと第２の複数の駆動放射パルスに分割することと、
照明放射ビームの出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することと、
照明放射ビームの出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために第２の複数の放射パルスの第２の制御可能特性を制御することと、
を含む、方法。
２．第１の制御可能特性を制御することが、第２の複数の放射パルスに対する第１の複数の放射パルスの遅延を特定の遅延値によって制御することを含む、条項１に記載の方法。
３．第１の制御可能特性又は第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つが、それぞれ出力波長スペクトルの第１の部分又は第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御される、条項１又は条項２に記載の方法。
４．第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含む、条項１から３のいずれかに記載の方法。
５．第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについてゲーティングを実行することを含む、条項４に記載の方法。
６．第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについて汎用ダブルオプティカルゲート法が実行される、条項４に記載の方法。
７．第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについてパルス圧縮を実行することを含む、条項４に記載の方法。
８．第１の制御可能特性又は第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つが、出力波長スペクトルの第２の部分が出力波長スペクトルの第１の部分とは異なるように制御される、上記条項のいずれかに記載の方法。
９．インスペクション装置に関する方法であって、
第１の複数の駆動放射パルスを提供することと、
第２の複数の駆動放射パルスを提供することと、
第１の複数の出力パルスと第２の複数の出力パルスを結合して照明放射ビームにすることと、
照明放射ビームを使用して、ターゲットの少なくとも１つの特性を決定することと、
を含み、
第１の複数の放射パルスを提供するステップが、照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することを含み、
第２の複数の放射パルスを提供するステップが、照明放射の出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために第２の複数の放射パルスの第２の制御可能特性を制御することを含む、方法。
１０．第１の制御可能特性を制御することが、第２の複数の放射パルスに対する第１の複数の放射パルスの遅延を特定の遅延値によって制御することを含む、条項９に記載の方法。
１１．第１の制御可能特性又は第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つが、それぞれ出力波長スペクトルの第１の部分又は第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御される、条項９又は条項１０に記載の方法。
１２．第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含む、条項９から１１のいずれかに記載の方法。
１３．第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、第２の複数の駆動放射パルスについてゲーティングを実行することを含む、条項１２に記載の方法。
１４．第１の複数の駆動放射パルス又は第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについて汎用ダブルオプティカルゲート法が実行される、条項１２に記載の方法。
１５．第１の制御可能特性を制御すること又は第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、第２の複数の駆動放射パルスについてパルス圧縮を実行することを含む、条項１２に記載の方法。
１６．第１の制御可能特性又は第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つが、出力波長スペクトルの第２の部分が出力波長スペクトルの第１の部分とは異なるように制御される、条項９から１５のいずれかに記載の方法。
１７．条項１から８のいずれかに記載の方法を実行するための手段を含む照明装置。
１８．条項９から１６のいずれかに記載の方法を実行するための手段を含むインスペクション装置。
１９．条項１７に記載の照明装置を含む、条項１８に記載のインスペクション装置。
２０．デバイスを製造する方法であって、デバイスフィーチャ及びメトロロジーターゲットがリソグラフィプロセスによって一連の基板上に形成され、１つ以上の処理された基板上のメトロロジーターゲットの特性が条項９から１６のいずれかに記載の方法によって測定され、測定された特性が更なる基板の処理のためにリソグラフィプロセスのパラメータを調整するために使用される、方法。
２１．条項１から８のいずれかに記載の制御ステップ又は条項９から１６のいずれかに記載の制御ステップをプロセッサに実行させるための機械可読命令を含むコンピュータプログラムプロダクト。
２２．リソグラフィシステムであって、
リソグラフィ装置が、
パターンを照明するように配置された照明光学システムと、
基板上にパターンの像を投影するように配置された投影光学システムと、
条項１８又は１９に記載のインスペクション装置と、
を含み、
リソグラフィ装置が、更なる基板にパターンを適用する際にインスペクション装置によって計算された１つ以上のパラメータを使用するように配置される、リソグラフィシステム。
[0104] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
[0105] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。
[0106] 特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び／又はこれらを様々な用途に適応させることができる。従って、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲内に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
[0107] 本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。

Claims (15)

  1. 高調波発生放射源において照明放射ビームを発生する方法であって、
    前記照明放射ビームを発生する駆動放射ビームを提供することであって、前記放射ビームが複数の放射パルスを含むことと、
    前記駆動放射ビームを第１の複数の駆動放射パルス及び第２の複数の駆動放射パルスに分割することと、
    前記照明放射ビームの出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために前記第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することと、
    前記照明放射ビームの前記出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために前記第２の複数の放射パルスの第２の制御可能特性を制御することと、
    を含む、方法。
  2. 第１の制御可能特性を制御することは、前記第２の複数の放射パルスに対する前記第１の複数の放射パルスの遅延を特定の遅延値によって制御することを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１の制御可能特性又は前記第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つは、それぞれ前記出力波長スペクトルの前記第１の部分又は前記第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御される、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記第１の制御可能特性を制御すること又は前記第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、前記第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記第１の制御可能特性を制御すること又は前記第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つが、前記第１の複数の駆動放射パルス又は前記第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つについてゲーティングを実行することを含む、請求項４に記載の方法。
  6. インスペクション装置に関する方法であって、
    第１の複数の駆動放射パルスを提供することと、
    第２の複数の駆動放射パルスを提供することと、
    前記第１の複数の出力パルスと前記第２の複数の出力パルスを結合して照明放射ビームにすることと、
    前記照明放射ビームを使用して、ターゲットの少なくとも１つの特性を決定することと、
    を含み、
    第１の複数の放射パルスを提供するステップは、前記照明放射の出力波長スペクトルの第１の部分を制御するために前記第１の複数の放射パルスの第１の制御可能特性を制御することを含み、
    第２の複数の放射パルスを提供するステップは、前記照明放射の前記出力波長スペクトルの第２の部分を制御するために前記第２の複数の放射パルスの第２の制御可能特性を制御することを含む、方法。
  7. 第１の制御可能特性を制御することは、前記第２の複数の放射パルスに対する前記第１の複数の放射パルスの遅延を特定の遅延値によって制御することを含む、請求項６に記載の方法。
  8. 前記第１の制御可能特性又は前記第２の制御可能特性のうちの少なくとも１つは、それぞれ前記出力波長スペクトルの前記第１の部分又は前記第２の部分に単一波長連続体を含ませるように制御される、請求項６又は７に記載の方法。
  9. 前記第１の制御可能特性を制御すること又は前記第２の制御可能特性を制御することのうちの少なくとも１つは、前記第２の複数の駆動放射パルスのうちの少なくとも１つのパルスの高調波発生に関する発生時間ウィンドウを制御することを含む、請求項６から８のいずれか一項に記載の方法。
  10. 請求項１から５のいずれか一項に記載の方法を実行するための手段を含む照明装置。
  11. 請求項６から９のいずれか一項に記載の方法を実行するための手段を含むインスペクション装置。
  12. 請求項１０に記載の照明装置を含む、請求項１１に記載のインスペクション装置。
  13. デバイスを製造する方法であって、デバイスフィーチャ及びメトロロジーターゲットがリソグラフィプロセスによって一連の基板上に形成され、１つ以上の処理された基板上の前記メトロロジーターゲットの特性が請求項６から９のいずれか一項に記載の方法によって測定され、前記測定された特性が更なる基板の処理のために前記リソグラフィプロセスのパラメータを調整するために使用される、方法。
  14. 請求項１から５のいずれか一項に記載の制御ステップ又は請求項６から９のいずれか一項に記載の制御ステップをプロセッサに実行させるための機械可読命令を含むコンピュータプログラムプロダクト。
  15. リソグラフィシステムであって、
    リソグラフィ装置が、
    パターンを照明するように配置された照明光学システムと、
    基板上に前記パターンの像を投影するように配置された投影光学システムと、
    請求項１１又は１２に記載のインスペクション装置と、
    を含み、
    前記リソグラフィ装置が、更なる基板に前記パターンを適用する際に前記インスペクション装置によって計算された１つ以上のパラメータを使用するように配置される、リソグラフィシステム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023021622A1 (ja) * 2021-08-18 2023-02-23 ギガフォトン株式会社 バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102323993B1 (ko) 2017-03-15 2021-11-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 가스를 전달하는 장치 및 고조파 방사선을 발생시키는 조명 소스
EP3570109A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
WO2020126248A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-25 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for metrology
EP3783436A1 (en) * 2019-08-19 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Illumination and detection apparatus for a metrology apparatus
EP3783439A1 (en) * 2019-08-22 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Metrology device and detection apparatus therefor
WO2021136632A1 (en) * 2019-12-30 2021-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, metrology systems, illumination sources and methods thereof
JP2022020938A (ja) * 2020-07-21 2022-02-02 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003270551A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Kawasaki Heavy Ind Ltd レーザパルス制御方法と装置およびｘ線発生方法と装置
JP2007537455A (ja) * 2004-05-14 2007-12-20 ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法
CN102255233A (zh) * 2011-05-24 2011-11-23 上海理工大学 用于紫外精密光谱连续产生的调控方法
US9244332B1 (en) * 2014-12-22 2016-01-26 Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy Pulse light source device and method for creating fs pulses

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7564552B2 (en) * 2004-05-14 2009-07-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7067819B2 (en) * 2004-05-14 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
FR2876465B1 (fr) * 2004-10-08 2007-01-19 Commissariat Energie Atomique Porte optique terahertz
US7830928B2 (en) 2006-08-02 2010-11-09 Regents of the University of Colorado, a body corp Quasi-phase matching and quantum control of high harmonic generation in waveguides using counterpropagating beams
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US8704198B2 (en) * 2009-12-14 2014-04-22 Massachusetts Institute Of Technology Efficient high-harmonic-generation-based EUV source driven by short wavelength light
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
CN103972769B (zh) 2014-05-16 2017-01-11 上海理工大学 一种通过外加太赫兹波场拓宽紫外超连续谱的方法
US9496681B2 (en) 2014-11-20 2016-11-15 University Of Ottawa Apparatus and method for tunable generation of coherent radiation
KR102010941B1 (ko) 2015-03-25 2019-08-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법, 계측 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2017025392A1 (en) 2015-08-12 2017-02-16 Asml Netherlands B.V. Metrology methods, radiation source, metrology apparatus and device manufacturing method
CN108700819B (zh) 2015-12-23 2020-11-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备和用于执行测量的方法
JP6895985B2 (ja) 2016-04-28 2021-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｈｈｇ源、検査装置、および測定を実施する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003270551A (ja) * 2002-03-15 2003-09-25 Kawasaki Heavy Ind Ltd レーザパルス制御方法と装置およびｘ線発生方法と装置
JP2007537455A (ja) * 2004-05-14 2007-12-20 ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法
CN102255233A (zh) * 2011-05-24 2011-11-23 上海理工大学 用于紫外精密光谱连续产生的调控方法
US9244332B1 (en) * 2014-12-22 2016-01-26 Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy Pulse light source device and method for creating fs pulses

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
G.SANSONE ET.AL.: "Isolated single-cycle attosecond pulses", SCIENCE, vol. 314, no. 5798, JPN6019037172, 20 October 2006 (2006-10-20), US, pages 443 - 446, XP055020835, ISSN: 0004127754, DOI: 10.1126/science.1132838 *
GIUSEPPE SANSONE ET.AL.: "High energy attosecond light sources", NATURE PHOTONICS, vol. 5, no. 11, JPN6019037171, November 2011 (2011-11-01), pages 655 - 663, ISSN: 0004127753 *
XIMAO FENG ET.AL.: "Generation of Isolated Attosecond Pulses with 20 to 28 Femtosecond Lasers", PHYSICAL REVIEW LETTERS, vol. 103, JPN6019037168, 30 October 2009 (2009-10-30), US, pages 183901 - 1, ISSN: 0004127752 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023021622A1 (ja) * 2021-08-18 2023-02-23 ギガフォトン株式会社 バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

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