KR20180133828A - Method for manufacturing integrated circuit device - Google Patents

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정재훈
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an integrated circuit device, capable of collectively performing a coating process, an exposure process, and a developing process. The method includes the following steps: sealing a chamber using a door after placing a substrate on a plate; applying photoresist on the substrate rotated by rotating the plate; opening the chamber using the door and selectively irradiating the photoresist coated on the substrate with light in a state in which the plate is fixed; closing the chamber using the door; supplying a developer onto the substrate coated with the photoresist, which is selectively irradiated with the light, and rotated as the plate is rotated; and forming a photoresist pattern by partially removing the photoresist irradiated with the light or the photoresist not irradiated with the light.

Description

집적회로 소자 제조 방법{Method for manufacturing integrated circuit device}[0001] The present invention relates to a method for manufacturing integrated circuit devices,

본 발명은 집적회로 소자 제조 방법에 관한 것으로써, 기판 상에 도포하는 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 공정이 이루어지는 집적회로 소자 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an integrated circuit device, and more particularly, to a method for manufacturing an integrated circuit device in which a process for forming a photoresist to be coated on a substrate is formed as a photoresist pattern.

일반적으로, 반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에서는 기판 상에 형성하는 박막을 원하는 박막 패턴을 갖도록 형성해야 한다. 즉, 집적회로 소자의 제조에서는 금속 배선 등의 연결을 위하여 기판 상에 박막을 형성한 후, 언급한 박막을 박막 패턴으로 형성해야 하는 것이다. 그리고 언급한 바와 같이, 박막을 박막 패턴으로 형성하는 공정은 기판 상에 박막을 형성하고, 이어서 박막 상에 포토레지스트를 도포하고, 그리고 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하는 식각 공정을 수행함에 의해 달성된다.Generally, in the production of integrated circuit devices such as semiconductor devices, flat panel display devices and the like, a thin film formed on a substrate must be formed to have a desired thin film pattern. That is, in the manufacture of an integrated circuit device, a thin film is formed on a substrate for connection of a metal wiring and the like, and then the thin film is formed into a thin film pattern. As described above, the process of forming a thin film into a thin film pattern includes forming a thin film on a substrate, then applying a photoresist on the thin film, forming the photoresist into a photoresist pattern, And then performing an etching process using it as a mask.

여기서, 언급한 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성하는 공정은 포토레지스트를 도포하는 도포 공정, 포토레지스트의 일부 영역을 광에 노출시키는 노광 공정, 그리고 광에 노출된 포토레지스트 또는 광에 노출되지 않은 포토레지스트를 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 수행함에 이루어진다.Here, the step of forming the photoresist in the form of a photoresist pattern includes a coating step of applying a photoresist, an exposure step of exposing a part of the photoresist to light, a step of exposing the photoresist to light, And removing the resist to form a photoresist pattern.

특히, 언급한 현상 공정에서는 현상액의 탁도를 관리해야 한다. 이는, 현상액의 탁도가 설정 조건을 만족하지 않을 경우 불량이 발생하기 때문이다. 이에, 언급한 현상 공정에서는 현상액의 탁도가 낮을 경우 더미(dummy) 기판을 사용하는 더미 공정을 수행하여 현상액의 탁도를 관리하고 있다. 즉, 현상 공정에서는 신규로 공급되는 현상액을 그대로 사용할 경우 현상액의 탁도가 낮기 때문에 언급한 더미 공정을 수행하여 폐 현상액과 신규 현상액을 혼합함에 의해 현상액의 탁도를 관리하는 것이다.In particular, in the mentioned developing process, the turbidity of the developer should be controlled. This is because if the turbidity of the developer does not satisfy the set condition, a failure occurs. In the development process mentioned above, when the turbidity of the developer is low, a dummy process using a dummy substrate is performed to manage the turbidity of the developer. That is, in the developing step, since the turbidity of the developer is low when the newly supplied developer is used as it is, the turbidity of the developer is managed by mixing the waste developer and the new developer by performing the dummy process mentioned above.

그러나 종래의 집적회로 소자 제조 장치의 경우에는 현상액의 탁도를 관리하기 위하여 언급한 더미 공정을 수행해애 하기 때문에 더미 공정의 수행으로 인한 생산성이 저하되는 문제점이 있다.However, in the case of the conventional integrated circuit device manufacturing apparatus, since the dummy process mentioned above is not performed in order to manage the turbidity of the developer, the productivity due to the dummy process is deteriorated.

또한, 종래의 집적회로 소자 제조 장치의 경우에는 언급한 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 별도 장치를 사용하여 수행하고 있기 때문에 장치 구성에 따른 복잡성으로 인하여 생산성이 저하되는 문제점이 있다.In addition, in the case of a conventional integrated circuit device manufacturing apparatus, since the coating process, the exposure process, and the developing process are performed using separate devices, the productivity is lowered due to the complexity of the device configuration.

본 발명의 목적은 현상액의 탁도 관리를 보다 용이하게 수행할 수 있을 뿐만 아니라 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 일괄로 수행할 수 있는 집적회로 소자 제조 방법을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide an integrated circuit device manufacturing method capable of more easily performing turbidity management of a developer and performing a coating process, an exposure process, and a developing process at once.

언급한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 소자 제조 방법은 기판을 플레이트에 놓은 후 도어를 사용하여 챔버를 밀폐시키는 단계와, 플레이트를 회전시킴에 따라 회전하는 상기 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 개방시킨 후, 상기 플레이트를 고정시킨 상태에서 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트에 선택적으로 광을 조사하는 단계와, 상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 밀폐시키는 단계와, 상기 플레이트를 회전시킴에 따라 회전하는 상기 선택적으로 광이 조사된 상기 포토레지스트가 도포된 상기 기판 상에 현상액을 공급하는 단계, 및 상기 광이 조사된 포토레지스트 또는 상기 광이 조사되지 않은 포토레지스트를 부분적으로 제거하여 상기 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an integrated circuit device, the method comprising: disposing a substrate on a plate and sealing the chamber using a door; Applying a photoresist, selectively opening the chamber using the door, and then selectively irradiating the photoresist coated on the substrate with the plate fixed, using the door Applying a developer to the substrate to which the selectively irradiated photoresist has been applied that rotates as the plate is rotated, and supplying the developer to the photoresist, The photoresist not irradiated with light is partially removed, It may include the step of forming into a turn.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 포토레지스트 및 상기 현상액은 상기 도어를 통하여 상기 기판 상으로 공급될 수 있다.In exemplary embodiments, the photoresist and developer may be supplied onto the substrate through the door.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 광을 조사하는 단계는 상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 개방시킨 후, 상기 광의 조사가 가능한 광 조사부를 상기 챔버 상부로 배치시키는 단계와, 상기 플레이트를 고정시킨 상태에서 상기 광 조사부를 사용하여 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트에 선택적으로 광을 조사하는 단계, 및 상기 챔버 상부에 배치되어 있는 상기 광 조사부를 상기 챔버 외부로 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.In the exemplary embodiments, the step of illuminating the light may include the steps of disposing a light irradiation part capable of irradiating the light onto the chamber after opening the chamber using the door, Selectively irradiating light onto the photoresist applied on the substrate using the light irradiating unit, and moving the light irradiating unit disposed above the chamber to the outside of the chamber.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 현상액을 공급하는 단계는 상기 현상액의 탁도가 낮을 경우에는 상기 챔버 외부로 배출되는 폐 현상액을 상기 기판 상으로 공급하도록 조절하고, 상기 현상액의 탁도가 높을 경우에는 계속해서 신규 현상액을 상기 기판 상으로 공급하도록 조절할 수 있다.In the exemplary embodiments, the supplying of the developing solution may be controlled so as to supply a waste developer discharged to the outside of the chamber onto the substrate when the turbidity of the developer is low, and when the turbidity of the developer is high, So that a new developer can be supplied onto the substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트를 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, the method may further comprise the step of applying a photoresist on the substrate, followed by curing the photoresist.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 포토레지스트를 경화시키는 단계는 상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 밀폐시킨 상태에서 수행할 수 있다.In exemplary embodiments, the step of curing the photoresist may be performed with the chamber closed using the door.

언급한 본 발명의 집적회로 소자 제조 방법은 현상액 수용부로부터 현상액 공급부로 폐 현상액을 공급할 수 있는 폐 현상액 공급부를 구비함으로써 현상액의 탁도가 높을 경우에는 현상액 공급부로부터 신규 현상액을 공급받아 현상액의 탁도를 조절하고, 현상액의 탁도가 낮은 경우에는 폐 현상액 공급부로부터 폐 현상액을 공급받아 현상액의 탁도를 조절할 수 있다. 이에, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치를 사용할 경우 현상액의 탁도를 조절하기 위한 더미 공정을 생략할 수 있다.The method of manufacturing an integrated circuit device according to the present invention includes a waste developer supply part capable of supplying a developer from a developer storage part to a developer supply part. When the turbidity of the developer is high, a new developer is supplied from the developer supply part to control the turbidity of the developer If the turbidity of the developer is low, the waste developer may be supplied from the waste developer supply part to control the turbidity of the developer. Therefore, when the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention is used, the dummy process for controlling the turbidity of the developer can be omitted.

따라서 본 발명의 집적회로 소자 제조 방법을 사용하는 집적회로 소자의 제조에서는 현상액의 탁도 조절을 위한 더미 공정을 생략할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다.Therefore, in the manufacture of the integrated circuit device using the integrated circuit device manufacturing method of the present invention, since the dummy process for controlling the turbidity of the developer can be omitted, the productivity can be improved by the manufacture of the integrated circuit device.

또한, 본 발명의 집적회로 소자 제조 방법은 동일 챔버를 사용하여 포토레지스트를 도포하는 도포 공정, 포토레지스트를 광에 노출시키는 노광 공정 및 포토레지스트에 현상액을 공급하여 포토레지스트 패턴으로 형성하는 현상 공정을 수행할 수 있다. 이에, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 일괄로 수행할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 제조에 따른 보다 향상된 생산성을 기대할 수 있다.In addition, the method for manufacturing an integrated circuit device of the present invention includes a coating step of applying a photoresist using the same chamber, an exposure step of exposing the photoresist to light, and a developing step of forming a photoresist pattern by supplying a developing solution to the photoresist Can be performed. Accordingly, since the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention can perform the application process, the exposure process, and the development process collectively, it is possible to expect more improved productivity due to the manufacture of integrated circuit devices.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 소자 제조 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram showing an integrated circuit device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.While the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term "comprises" or "comprising ", etc. is intended to specify that there is a stated feature, figure, step, operation, component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

실시예Example

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 집적회로 소자 제조 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram showing an integrated circuit device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 포토리소그래피(photolithography) 공정에 사용한다. 즉, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 기판(10) 상에 형성하는 박막의 패터닝시 식각 마스크로 사용하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이다. 또한, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 포토레지스트를 도포하는 도포 공정, 포토 마스크를 사용하여 원하는 부분의 포토레지스트에 광을 조사하는 노광 공정 및 현상액을 공급함에 따라 광이 조사되는 부분의 포토레지스트 또는 광이 조사되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 수행할 수 있다. 그리고 이하에서는 본 발명의 집적회로 소자 장치를 사용하는 현상 공정에 대하여 먼저 설명하고, 아울러 도포 공정 및 노광 공정에 대해서는 후술하기로 한다.Referring to FIG. 1, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention is used in a photolithography process for forming a photoresist pattern into a photoresist pattern. That is, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention is for forming a photoresist pattern for use as an etching mask when patterning a thin film formed on a substrate 10. The apparatus for manufacturing an integrated circuit device of the present invention may further comprise a coating step of applying a photoresist, an exposure step of irradiating a desired part of the photoresist with a photomask using the photomask, and a photoresist Or a developing step of removing a photoresist in a portion not irradiated with light to form a photoresist pattern. Hereinafter, the developing process using the integrated circuit device of the present invention will be described first, and the coating process and the exposure process will be described later.

본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 집적회로 소자로 제조하기 위한 기판(10)이 놓여지는 플레이트(12)가 구비되는 챔버(11)를 포함한다. 특히, 본 발명에서의 챔버(11)는 챔버(11)를 개폐할 수 있도록 챔버(11) 상부에 도어(21)를 구비할 수 있다. 이에, 집적회로 소자의 제조시 챔버(11)의 개폐를 통하여 설정된 공정 조건을 유지할 수 있다. 아울러, 언급한 플레이트(12)는 회전 가능하게 구비될 수 있다. 이에, 현상 공정시 기판(10) 상으로 현상액을 공급할 때 플레이트(12)를 사용하여 기판(10)을 회전시킴으로써 회전력에 의해 기판(10)의 가장자리까지 현상액이 공급될 수 있다.The integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention includes a chamber 11 provided with a plate 12 on which a substrate 10 for manufacturing with integrated circuit elements is placed. In particular, the chamber 11 of the present invention may include a door 21 on the chamber 11 so as to open and close the chamber 11. Thus, the process conditions set through the opening and closing of the chamber 11 can be maintained during manufacture of the integrated circuit device. In addition, the above-mentioned plate 12 may be rotatably provided. Thus, when the developing solution is supplied onto the substrate 10 during the developing process, the developing solution can be supplied to the edge of the substrate 10 by the rotational force by rotating the substrate 10 using the plate 12. [

또한, 도포 공정에서도 플레이트(12)를 사용하여 기판(10)을 회전시킴으로써 기판(10) 상에 도포되는 포토레지스트를 회전력에 의해 기판(10)의 가장가지까지 충분하게 도포할 수 있다. 다만, 노광 공정에서는 기판(10)을 회전시키지 않을 수도 있다.In addition, in the coating process, the substrate 12 can be used to rotate the substrate 10 so that the photoresist applied on the substrate 10 can be sufficiently applied to the edge of the substrate 10 by the rotational force. However, the substrate 10 may not be rotated in the exposure step.

언급한 집적회로 소자 제조 장치는 플레이트(12)에 놓여지는 기판(10)으로 현상액을 공급하도록 구비되는 현상액 공급부(13)를 포함한다. 이때, 현상액 공급부(13)는 도어(21)와 연결되게 구비될 수 있다. 즉, 현상액 공급부(13)는 도어(21)를 통하여 챔버(11) 내의 플레이트(12)에 놓여지는 기판(10)으로 현상액을 공급하도록 구비될 수 있는 것이다. 특히, 도어(21)에 노즐 등과 같은 분사부(23)가 구비될 경우에는 현상액 공급부(13)는 분사부(23)와 연결되도록 구비될 수 있다. 여기서, 현상액 공급부(13)를 도어(21)와 연결되도록 구비하는 것은 기판(10)의 상부에서 기판(10)으로 현상액을 공급하기 위함이다. 따라서 도어(21)가 없을 경우에는 기판(10) 상부를 향하도록 현상액 공급부(13)가 구비될 수 있다.The above-mentioned integrated circuit device manufacturing apparatus includes a developer supply unit 13 configured to supply a developer to a substrate 10 placed on a plate 12. At this time, the developer supply unit 13 may be connected to the door 21. That is, the developer supply unit 13 may be provided to supply the developer to the substrate 10 placed on the plate 12 in the chamber 11 through the door 21. [ Particularly, when the door 21 is provided with a jetting part 23 such as a nozzle, the developer supplying part 13 may be connected to the jetting part 23. The reason why the developer supply unit 13 is connected to the door 21 is to supply the developer to the substrate 10 from the top of the substrate 10. [ Accordingly, when there is no door 21, the developer supply unit 13 may be provided so as to face the upper side of the substrate 10. [

그리고 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 플레이트(12)에 놓여지는 기판(10)으로 공급되는 현상액을 챔버(11) 외부로 배출시키는 현상액 배출부(15)를 포함한다. 따라서, 현상 공정의 수행시 기판(10)으로 공급되는 현상액이 현상액 배출부(15)를 통하여 챔버(11) 외부로 배출될 수 있다. 이에, 언급한 현상액 배출부(15)는 주로 챔버(11)의 저면에 연결될 수 있다.The apparatus for manufacturing an integrated circuit device of the present invention includes a developer discharge portion 15 for discharging a developer supplied to a substrate 10 placed on a plate 12 to the outside of the chamber 11. Therefore, the developing solution supplied to the substrate 10 during the developing process can be discharged to the outside of the chamber 11 through the developer discharging portion 15. [ The developer discharging portion 15 mentioned above can be connected to the bottom of the chamber 11 mainly.

또한, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 현상액 배출부(15)로부터 배출되는 현상액, 즉 폐 현상액을 수용하는 현상액 수용부(17)를 포함한다. 이에, 현상액 배출부(15)를 통하여 배출되는 폐 현상액을 그대로 흘려보내지 않고 언급한 현상액 수용부(17)에 수용할 수 있는 것이다.The integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention also includes a developer accommodating portion 17 for accommodating a developer discharged from the developer discharging portion 15, that is, a waste developer. Therefore, the waste developer discharged through the developer discharging portion 15 can be received in the aforementioned developer accommodating portion 17 without being flowed as it is.

언급한 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 현상액의 탁도를 조절하기 위한 폐 현상액 공급부(19)를 포함한다. 언급한 폐 현상액 공급부(19)는 현상액 수용부(17)에 수용되는 폐 현상액을 공급받아 현상액 수용부(17)로부터 현상액 공급부(13)로 폐 현상액이 공급되도록 구비될 수 있다. 이에, 언급한 폐 현상액 공급부(19)는 현상액 수용부(17) 및 현상액 공급부(13) 사이를 연결하도록 구비될 수 있다.The aforementioned integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention includes a waste developer supply portion 19 for adjusting the turbidity of the developer. The waste developer supply unit 19 may be provided to receive the waste developer stored in the developer storage unit 17 and supply the waste developer from the developer storage unit 17 to the developer supply unit 13. [ The waste developer supply unit 19 may be provided to connect between the developer accommodating unit 17 and the developer supply unit 13.

따라서 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 언급한 폐 현상액 공급부(19)를 구비함으로써 현상액 공급부(13)로부터 기판(10)으로 공급되는 현상액의 탁도가 낮을 경우 폐 현상액 공급부(19)로부터 폐 현상액을 공급받음에 의해 현상액의 탁도를 조절할 수 있다. 또한, 언급한 현상액 공급부(13)로부터 기판(10)으로 공급되는 현상액의 탁도가 높을 경우에는 현상액 공급부(13)를 통하여 계속적으로 신규 현상액을 공급받에 의해 현상액 탁도를 조절할 수 있다.Therefore, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention is equipped with the above-mentioned waste developer supply portion 19, so that when the turbidity of the developer supplied from the developer supply portion 13 to the substrate 10 is low, The turbidity of the developer can be controlled by receiving the supply. When the turbidity of the developer supplied from the developer supply unit 13 to the substrate 10 is high, the turbidity of the developer can be controlled by receiving the fresh developer continuously through the developer supply unit 13. [

이에, 본 발명에서의 집적회로 소자 제조 장치는 기판(10)으로 공급되는 현상액의 탁도를 보다 용이하게 조절할 수 있다. 즉, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치를 사용할 경우 종래와 같이 더미 공정을 수행하지 않고도 현상액의 탁도를 조절할 수 있는 것이다.Accordingly, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention can more easily control the turbidity of the developer supplied to the substrate 10. [ That is, when the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention is used, the turbidity of the developer can be controlled without performing the dummy process as in the prior art.

따라서 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치를 사용하여 현상 공정을 수행할 경우 더미 공정을 수행하지 않고도 현상액의 탁도를 용이하게 수행할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다.Therefore, when the development process is performed using the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention, turbidity of the developer can be easily performed without performing the dummy process, so that the productivity can be improved by manufacturing the integrated circuit device.

또한, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 언급한 현상 공정 이외에도 포토레지스트를 도포하는 도포 공정 및 포토레지스트에 광을 조사하는 노광 공정을 더 수행할 수 있다.In addition to the developing process mentioned above, the apparatus for manufacturing an integrated circuit device of the present invention can further perform an application process for applying a photoresist and an exposure process for irradiating the photoresist with light.

이에, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 플레이트(12) 놓여지는 기판(10)으로 포토레지스트를 공급하는 포토레지스트 공급부(25)를 포함할 수 있다. 즉, 포토레지스트 공급부(25)의 경우에도 도어(21)를 통하여 챔버(11) 내의 플레이트(12)에 놓여지는 기판(10)으로 포토레지스트를 도포하도록 구비될 수 있는 것이다. 특히, 도어(21)에 노즐 등과 같은 분사부(23)가 구비될 경우에는 현상액 공급부(13)와 마찬가지로 포토레지스트 공급부(25)도 분사부(23)와 연결되도록 구비될 수 있다. 여기서, 포토레지스트 공급부(25) 또한 도어(21)와 연결되도록 구비하는 것은 기판(10)의 상부에서 기판(10)으로 포토레지스트를 공급 및 도포하기 위함이다. 따라서 도어(21)가 없을 경우에는 현상액 공급부(13)와 마찬가지로 기판(10) 상부를 향하도록 포토레지스트 공급부(25)가 구비될 수 있다.Thus, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention may include a photoresist supply section 25 for supplying photoresist to the substrate 10 on which the plate 12 is placed. That is, even in the case of the photoresist supply unit 25, it may be provided to apply the photoresist to the substrate 10 placed on the plate 12 in the chamber 11 through the door 21. [ Particularly, when the door 21 is provided with the jetting portion 23 such as a nozzle, the photoresist supplying portion 25 may be connected to the jetting portion 23 like the developer supplying portion 13. The photoresist supply unit 25 is also connected to the door 21 in order to supply and apply the photoresist to the substrate 10 from the top of the substrate 10. Accordingly, in the absence of the door 21, the photoresist supply unit 25 may be provided so as to face the upper side of the substrate 10 like the developer supply unit 13.

아울러, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 플레이트(12)에 놓여지는 기판(10) 상부에서기판(10)으로 광을 조사할 수 있는 광 조사부(27)를 포함한다. 특히, 언급한 광 조사부(27)는 챔버(11) 외부로부터 챔버(11)로 이송 가능하게 구비될 수 있다. 즉, 도어(21)의 개폐를 통하여 광 조사부(27)가 챔버(11) 외부로부터 챔버(11)로 이송 가능하게 구비될 수 있는 것이다.In addition, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention includes a light irradiating section 27 capable of irradiating light onto the substrate 10 from above the substrate 10 placed on the plate 12. In particular, the light irradiating unit 27 may be provided so as to be transferable from the outside of the chamber 11 to the chamber 11. That is, the light irradiation unit 27 can be provided so as to be transferable from the outside of the chamber 11 to the chamber 11 by opening and closing the door 21.

또한, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 도어(21)를 사용한 챔버(11)의 폐쇄시 챔버(11)를 외부로부터 긴밀하게 폐쇄하도록 도어(21)와 접촉하는 접촉 부위에 오-링(O-ring) 등과 같은 긴밀부(29)를 구비할 수 있고, 그리고 챔버(11) 내부를 설정 압력을 유지하도록 기압을 조정하기 위한 기압 조정부(31, 33)를 구비할 수 있다. 여기서, 언급한 기압 조정부(31, 33)는 대기압 조정부(31), 진공 조정부(33) 등으로 구비될 수 있다.The apparatus for manufacturing an integrated circuit device of the present invention is characterized in that an O-ring O (O) is provided at a contact portion in contact with the door 21 so as to close the chamber 11 tightly from the outside in closing the chamber 11 using the door 21. [ and an air tightening portion 31 and 33 for adjusting the air pressure so as to maintain the set pressure inside the chamber 11. The air tightness adjusting portion 31 and 33 may be provided in the chamber 11, The atmospheric pressure adjusting units 31 and 33 may be equipped with an atmospheric pressure adjusting unit 31, a vacuum adjusting unit 33, or the like.

언급한 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치를 사용하는 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정에 대하여 설명하면, 먼저 기판(10)을 플레이트(12)에 놓은 후 도어(21)를 사용하여 챔버(11)를 밀폐시키고 그리고 포토레지스트 공급부(25)를 사용하여 기판(10)으로 포토레지스트를 공급한다. 이때, 플레이트(12)가 회전함에 따라 기판(10)도 회전하는 상태를 유지하고, 챔버(11) 내부는 진공 상태를 유지한다. 이에, 언급한 기판(10)의 회전에 따른 회전력에 의해 기판(10)으로 공급되는 포토레지스트는 기판(10)의 중심 부분으로부터 가장가리 부분까지 균일하게 도포된다. 그리고 포토레지스트를 경화시키는 공정을 수행한다. 여기서, 언급한 포토레지스트의 경화는 도시하지는 않았지만 챔버(11) 내부의 온도를 조절할 수 있는 부재를 사용함에 의해 달성될 수 있다. 이어서, 도어(21)를 사용하여 챔버(11)를 개방시킨 후, 챔버(11) 상부로 광 조사부(27)를 배치시킨다. 이에, 언급한 광 조사부(27)는 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 그리고 광 조사부(27)를 사용하여 기판(10) 상에 도포된 포토레지스트에 광을 조사한다. 이때, 포토레지스트의 선택적인 부분에만 광이 조사되도록 포토 마스크를 사용할 수 있다. 계속해서, 언급한 광 조사부(27)를 사용한 광의 조사를 수행한 후, 도어(21)를 사용하여 챔버(11)를 폐쇄시킨다. 그리고 현상액 공급부(13)를 사용하여 포토레지스트로 현상액을 공급한다. 이때, 현상액의 탁도가 낮을 경우 현상액 배출부(15), 현상액 수용부(17) 및 폐 현상액 공급부(19)를 사용하여 현상액의 탁도를 조절한다. 따라서 포토레지스트에는 탁도가 조절된 현상액이 계속적으로 공급될 수 있다. 이에, 광에 노출된 포토레지스트 또는 광에 노출되지 않은 포토레지스트를 제거함으로써 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성할 수 있다.The substrate 10 is first placed on the plate 12 and then the door 11 is moved to the chamber 11 using the door 21, And supplies the photoresist to the substrate 10 using the photoresist supply 25. [ At this time, as the plate 12 rotates, the substrate 10 is kept rotating, and the chamber 11 is maintained in a vacuum state. The photoresist supplied to the substrate 10 by the rotational force generated by the rotation of the substrate 10 is uniformly applied from the central portion to the most peripheral portion of the substrate 10. Then, a step of curing the photoresist is performed. Here, the curing of the photoresist mentioned above can be achieved by using a member capable of controlling the temperature inside the chamber 11, though not shown. Subsequently, the chamber 11 is opened using the door 21, and then the light irradiation unit 27 is disposed above the chamber 11. [ Thus, the light irradiating unit 27 mentioned above can be disposed on the substrate 10. And irradiates the photoresist coated on the substrate 10 with light using the light irradiation unit 27. [ At this time, a photomask can be used so that light is irradiated only to a selective portion of the photoresist. Subsequently, the irradiation of light using the light irradiating unit 27 mentioned above is performed, and then the chamber 11 is closed by using the door 21. Then, the developing solution is supplied to the photoresist by using the developing solution supply unit 13. At this time, when the turbidity of the developer is low, the turbidity of the developer is adjusted by using the developer discharge portion 15, the developer accommodating portion 17, and the waste developer supply portion 19. [ Thus, a developer with controlled turbidity can be continuously supplied to the photoresist. Thus, the photoresist exposed to light or the photoresist not exposed to light can be removed to form the photoresist in a photoresist pattern.

언급한 바와 같이, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 포토레지스트 공급부(25)를 구비함으로써 도포 공정을 수행할 수 있고, 광 조사부(27)를 구비함으로써 노광 공정을 수행할 수 있고, 그리고 현상액 공급부(13)를 구비함으로써 현상 공정을 수행할 수 있다. 아울러, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치는 현상액 배출부(15), 현상액 수용부(17) 및 폐 현상액 공급부(19)를 구비함으로써 현상액의 탁도 조절을 보다 용이하게 수행할 수 있다.As described above, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention can perform the coating process by having the photoresist supply unit 25, and can perform the exposure process by having the light irradiation unit 27, (13), whereby the developing process can be performed. In addition, the integrated circuit device manufacturing apparatus of the present invention can more easily perform the turbidity control of the developer by providing the developer discharge portion 15, the developer accommodating portion 17, and the waste developer supply portion 19. [

언급한 본 발명의 집적회로 소자 제조 방법은 더미 공정을 수행하지 않고도 현상액의 탁도 조절을 위한 더미 공정을 생략할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다. 또한, 본 발명의 집적회로 소자 제조 장치 및 방법은 동일 챔버를 사용하여 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 일괄로 수행할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 제조에 따른 보다 향상된 생산성을 기대할 수 있다.The method of manufacturing the integrated circuit device of the present invention can be expected to improve the productivity due to the manufacture of the integrated circuit device since the dummy process for controlling the turbidity of the developer can be omitted without performing the dummy process. In addition, the apparatus and method for manufacturing an integrated circuit device according to the present invention can be applied to a coating process, an exposure process, and a development process all at once using the same chamber, and therefore, productivity can be improved by manufacturing integrated circuit devices.

따라서 본 발명의 집적회로 소자 제조 방법을 사용할 경우 집적회로 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 확보할 수 있기 때문에 집적회로 소자의 가격 경쟁력의 향상까지도 기대할 수 있다.Therefore, when the method of manufacturing an integrated circuit device of the present invention is used, productivity of the integrated circuit device can be improved and productivity of the integrated circuit device can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

10 : 기판 11 : 챔버
12 : 플레이트 13 : 현상액 공급부
15 : 현상액 배출부 17 : 현상액 수용부
19 : 폐 현상액 공급부 21 : 도어
23 : 분사부 25 : 포토레지스트 공급부
27 : 광 조사부 29 : 긴밀부
31 : 대기압 조정부 33 : 진공 조정부
100 : 제조 장치10: substrate 11: chamber
12: plate 13: developer supply part
15: Developer discharging portion 17: Developer receiving portion
19: waste developer supply part 21: door
23: jetting part 25: photoresist supplying part
27: Light irradiation part 29:
31: atmospheric pressure adjusting unit 33: vacuum adjusting unit
100: Manufacturing apparatus

Claims (6)

기판을 플레이트에 놓은 후 도어를 사용하여 챔버를 밀폐시키는 단계;
플레이트를 회전시킴에 따라 회전하는 상기 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 개방시킨 후, 상기 플레이트를 고정시킨 상태에서 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트에 선택적으로 광을 조사하는 단계;
상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 밀폐시키는 단계;
상기 플레이트를 회전시킴에 따라 회전하는 상기 선택적으로 광이 조사된 상기 포토레지스트가 도포된 상기 기판 상에 현상액을 공급하는 단계; 및
상기 광이 조사된 포토레지스트 또는 상기 광이 조사되지 않은 포토레지스트를 부분적으로 제거하여 상기 포토레지스트를 포토레지스트 패턴으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 방법.Sealing the chamber using a door after placing the substrate on a plate;
Applying photoresist on the rotating substrate by rotating the plate;
Opening the chamber using the door, and then selectively irradiating the photoresist coated on the substrate with the plate fixed;
Sealing the chamber using the door;
Supplying a developing solution onto the substrate to which the selectively light-irradiated photoresist is applied which rotates by rotating the plate; And
Removing the photoresist on which the light is irradiated or the photoresist on which the light is not irradiated to form the photoresist in the form of a photoresist pattern. 제1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 및 상기 현상액은 상기 도어를 통하여 상기 기판 상으로 공급되는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 방법.2. The method of claim 1, wherein the photoresist and developer are supplied onto the substrate through the door. 제1 항에 있어서, 상기 광을 조사하는 단계는,
상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 개방시킨 후, 상기 광의 조사가 가능한 광 조사부를 상기 챔버 상부로 배치시키는 단계;
상기 플레이트를 고정시킨 상태에서 상기 광 조사부를 사용하여 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트에 선택적으로 광을 조사하는 단계; 및
상기 챔버 상부에 배치되어 있는 상기 광 조사부를 상기 챔버 외부로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 방법.2. The method of claim 1,
Disposing a light irradiation portion capable of irradiating the light onto the chamber after opening the chamber using the door;
Selectively irradiating the photoresist coated on the substrate with the light irradiation unit while the plate is fixed; And
And moving the light irradiating unit disposed above the chamber to the outside of the chamber. 제1 항에 있어서, 상기 현상액을 공급하는 단계는 상기 현상액의 탁도가 낮을 경우에는 상기 챔버 외부로 배출되는 폐 현상액을 상기 기판 상으로 공급하도록 조절하고, 상기 현상액의 탁도가 높을 경우에는 계속해서 신규 현상액을 상기 기판 상으로 공급하도록 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 방법. The method according to claim 1, wherein the step of supplying the developing solution adjusts the supply of the waste developer discharged to the outside of the chamber to the substrate when the turbidity of the developer is low, and when the turbidity of the developer is high, Wherein the developer is adjusted to be supplied onto the substrate. 제1 항에 있어서, 상기 기판 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트를 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 방법.2. The method of claim 1, further comprising the step of applying a photoresist on the substrate and then curing the photoresist. 제5 항에 있어서, 상기 포토레지스트를 경화시키는 단계는 상기 도어를 사용하여 상기 챔버를 밀폐시킨 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the step of curing the photoresist is performed using the door while the chamber is closed.
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