KR20180131439A - Monitoring device, monitoring method, and computer readable recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 증착장치(蒸着裝置)의 감시(監視)에 관한 것이다.The present invention relates to monitoring of a deposition apparatus.
기판에 증착재료를 증착시킴으로써 당해 기판에 대한 성막(成膜)을 하는 증착장치를 감시하는 기술이 종래부터 개발되고 있다. 그 일례가 특허문헌1에 개시되어 있다.A technique for monitoring a deposition apparatus for depositing a deposition material on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate has been conventionally developed. An example thereof is disclosed in
특허문헌1에는, CCD(Charge Coupled Device) 카메라에 의하여 증착재료에 대한 전자빔(電子beam)의 조사위치(照射位置)를 인식하고, 당해 조사위치에 의거하여 전자빔의 위치의 제어를 하는 기술이 개시되어 있다.
그러나 특허문헌1에는, 탕면(湯面) 상황의 감시 또는 전자빔의 위치의 제어를 할 때마다, 복수의 화상을 취득하는 것에 관한 개시는 없다. 따라서 특허문헌1의 기술에서는, 당해 감시 또는 제어를 하는 경우에, 재료용기의 주변환경(예 : 재료용기 자체 또는 그 주변의 밝기)에 따라서는, 해석대상으로서 부적절한 화상을 취득하여 버릴 가능성이 있다. 이 경우에 당해 감시 또는 제어를 정밀도 좋게 할 수 없을 가능성이 있다.However, in
본 발명의 하나의 태양은, 증착장치의 상태를 정밀도 좋게 판정할 수 있는 감시장치 등을 실현하는 것을 목적으로 한다.One aspect of the present invention is to realize a monitoring apparatus and the like that can accurately determine the state of a deposition apparatus.
상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치는, 기판에 증착재료를 증착시킴으로써 상기 기판에 대한 성막을 하는 증착장치를 감시하는 감시장치로서, 상기 증착장치가 구비하는, 상기 증착재료를 지지하기 위한 용기를 피사체로 하여 복수 회의 촬영을 하는 촬영부와, 상기 촬영부가 촬영한 복수의 화상으로부터, 상기 용기가 비치는 화상인 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 화상선택부와, 상기 화상선택부가 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 상태판정부를 구비한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a monitoring apparatus for monitoring a deposition apparatus for forming a film on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate, the monitoring apparatus comprising: An image capturing unit that captures a plurality of images using a container for supporting the evaporation material as an object; and an image processing unit that, from the plurality of images captured by the image capturing unit, an image having the highest correlation with the reference image, And a state determination section that determines the state of the deposition apparatus by analyzing the analysis object image selected by the image selection section.
또한 상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시방법은, 기판에 증착재료를 증착시킴으로써 상기 기판에 대한 성막을 하는 증착장치를 감시하는 감시방법으로서, 상기 증착장치가 구비하는, 상기 증착재료를 지지하기 위한 용기를 피사체로 하여 복수 회의 촬영을 하는 촬영공정과, 상기 촬영공정에서 촬영한 복수의 화상으로부터, 상기 용기가 비치는 화상인 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 화상선택공정과, 상기 화상선택공정에서 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 상태판정공정을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a monitoring method for monitoring a deposition apparatus for forming a film on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate, the monitoring method comprising: An imaging step of taking a plurality of images with the container for supporting the evaporation material as an object; and an imaging step of acquiring, from a plurality of images captured in the imaging step, an image having the highest correlation with a reference image, And a state determination step of determining the state of the deposition apparatus by analyzing the analysis object image selected in the image selection step.
또한 상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 하나의 태양에 관한 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체는, 컴퓨터 프로그램이 기억된, 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체에 있어서, 상기 컴퓨터 프로그램이 프로세서에 의하여 실행될 때에 상기 감시방법의 각 공정이 실현된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a computer-readable recording medium having a computer program stored thereon, Each process of the method is realized.
본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치 및 감시방법에 의하면, 증착장치의 상태가 정상의 상태인지 아닌지를 정밀도 좋게 판정할 수 있다는 효과를 발휘한다.According to the monitoring apparatus and the monitoring method according to one aspect of the present invention, it is possible to accurately determine whether the state of the vapor deposition apparatus is in a normal state or not.
도1은, 본 발명의 실시형태1에 관한 감시장치의 구체적인 구성의 일례를 나타내는 블럭도이다.
도2는, 본 발명의 실시형태1에 관한 감시시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도3은, 본 발명의 실시형태1에 관한 증착장치가 구비하는 터릿의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도4는, 상기 증착장치가 구비하는 하스라이너 및 그 주변의 개략적인 단면도이다.
도5는 상기 감시장치가 구비하는 기준화상(DB)에 등록되어 있는 기준화상군의 일례를 나타내는 도면으로서, (a)는 하스라이너의 사용상태가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타내고, (b)는 탕면위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타내고, (c)는 소정 범위 내에 있어서 하스라이너의 경사가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타내고, (d)는 전자빔의 조사위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타낸다.
도6은, 하스라이너의 위치의 판정처리에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도7은, 탕면위치의 판정처리에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도8은, 조사위치의 판정처리에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도9는, 하스라이너의 위치감시에 있어서 촬영된 복수의 화상의 일례를 나타내는 것이다.
도10은, 탕면위치감시에 있어서 촬영된 복수의 화상의 일례를 나타내는 것이다.
도11은, 조사위치감시에 있어서 촬영된 복수의 화상의 일례를 나타내는 것이다.
도12는, 상기 감시시스템에 있어서의 처리 플로의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도13은, 상기 감시장치에 있어서의 처리 플로의 일례를 나타내는 플로 차트이다.1 is a block diagram showing an example of a specific configuration of a monitoring apparatus according to
2 is a diagram showing an example of a monitoring system according to
3 is a diagram showing an example of the configuration of a turret included in the evaporation apparatus according to
4 is a schematic cross-sectional view of the washer liner and the periphery thereof, which the deposition apparatus is provided with.
Fig. 5 is a diagram showing an example of a reference image group registered in a reference image DB included in the monitoring apparatus, in which (a) is a reference image group including a plurality of reference images whose use states of the harness liner are different from each other (B) shows an example of a reference image group including a plurality of reference images having different bath surface positions, and (c) includes a plurality of reference images having different slopes of the underline liner within a predetermined range (D) shows an example of a reference image group including a plurality of reference images in which the irradiation positions of the electron beams are different from each other.
Fig. 6 is a view for explaining a process of determining the position of the harness liner. Fig.
Fig. 7 is a view for explaining the bath surface position determination process.
Fig. 8 is a diagram for explaining the irradiation position determination process.
Fig. 9 shows an example of a plurality of images photographed in monitoring the position of the harness liner.
Fig. 10 shows an example of a plurality of images photographed in the bath surface position monitoring.
Fig. 11 shows an example of a plurality of images photographed in the irradiation position monitoring.
12 is a flowchart showing an example of the processing flow in the above-described monitoring system.
13 is a flowchart showing an example of a processing flow in the monitoring apparatus.
[실시형태1][Embodiment 1]
본 발명의 1실시태양에 대하여, 도1∼도13을 사용하여 이하에서 상세하게 설명한다.An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to Figs.
≪감시시스템(監視 system)의 구성≫«Configuration of surveillance system»
우선 도2∼도4를 사용하여, 본 실시형태에 관한 감시시스템의 일례에 대하여 설명한다. 도2는 본 실시형태에 관한 감시시스템의 일례를 나타내는 도면이다. 도3은 증착장치(蒸着裝置)(2)가 구비하는 터릿(turret)(25)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도4는 하스라이너(hearth liner)(24) 및 그 주변의 개략적인 단면도이다. 또 도4는 하스라이너(24)가 정상의 위치에 있을 때의 단면도이다.First, an example of a monitoring system according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 2 to 4. Fig. 2 is a diagram showing an example of a monitoring system according to the present embodiment. 3 is a view showing an example of the configuration of a
또 증착장치가 구비하는, 증착재료를 지지하기 위한 용기(容器)로서는, 예를 들면 도가니를 들 수 있다. 또한 도가니의 내벽에 하스라이너가 설치되어 있는 경우에는, 상기 용기로서는 예를 들면 하스라이너를 들 수 있다. 본 실시형태에서는, 상기 용기가 하스라이너인 경우를 예로 들어 설명한다.As a container (container) for supporting the evaporation material, which is provided in the evaporation apparatus, for example, a crucible can be mentioned. When the hash liner is provided on the inner wall of the crucible, the container may be, for example, a washer liner. In the present embodiment, the case where the container is an ash liner will be described as an example.
도2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 관한 감시시스템은, 감시장치(監視裝置)(1), 증착장치(2) 및 재료공급장치(3)를 구비하고 있다. 증착장치(2)는, 기판(100)에 증착재료(MA)를 증착시킴으로써 기판(100)에 대한 성막(成膜)을 하는 장치이다. 감시장치(1)는, 이 증착장치(2)를 감시하는 장치이다. 또한 재료공급장치(3)는, 증착장치(2)가 구비하는 하스라이너(24)에 증착재료(MA)를 공급하는 장치이다. 증착재료(MA)로서는, 예를 들면 알루미늄 와이어재 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않으며, 증착장치(2)가 기판(100)에 성막을 하는 다양한 재료(예를 들면 금속재료)이더라도 좋다. 이하에서는, 감시장치(1) 및 증착장치(2)의 구성을 더 구체적으로 설명한다. 우선 증착장치(2)에 대하여 설명한다.As shown in Fig. 2, the monitoring system according to the present embodiment includes a monitoring device (monitoring device) 1, a
<증착장치(2)><Deposition Apparatus (2)>
증착장치(2)는, 전자빔원(EB(Electron Beam)원)(21), 빔편향용 자석(beam偏向用 磁石)(22), 폴피스(pole piece)(23), 하스라이너(24), 터릿(25), 터릿 회전부(26) 및 기판 회전부(27)를 구비하고 있다.The
전자빔원(21)은, 증착장치(2)가 구비하는 제어부(도면에 나타내지 않는다)의 제어를 받아, 하스라이너(24)에 공급된(지지된) 증착재료(MA)에 대하여 전자빔(EB)을 출사(出射)하는 빔출사원(beam出射源)이다. 또한 전자빔원(21)은, 광자(光子)와, 전자빔(EB)을 구성하는 열전자(熱電子)를 방출할 수 있는 필라멘트를 포함한다. 필라멘트에 전류와 함께 가속전압이 인가됨으로써, 전자빔원(21)은 방출된 열전자를 전자빔(EB)으로서 전자빔원(21)의 전방으로 출사한다.The
또한 필라멘트에 전류를 인가하지만, 가속전압을 인가하지 않도록 함으로써 필라멘트는 광자만 방출한다. 이 경우에 전자빔원(21)은, 그 주위를 조명(照明)하는 조명광원(백열등)으로서 기능한다. 촬영부(11)(후술)가 촬영하는 타이밍으로 전자빔원(21)을 조명광원으로서 기능시킴으로써, 촬영을 위한 조명광원을 별도로 설치할 필요가 없다. 또한 조명광원을 별도로 설치하는 경우에, 촬영부(11)의 근방에 설치되는 경우가 많다. 이 경우에 헐레이션(halation)이 생겨 버려서, 하스라이너(24) 및 터릿(25)을 선명하게 촬영할 수 없을 가능성이 있다. 상기와 같이 조명광원으로서 전자빔원(21)을 사용함으로써, 헐레이션의 발생을 막아 하스라이너(24) 및 터릿(25)을 선명하게 촬영하는 것이 가능하게 된다. 또 전자빔원(21)과는 별도로 조명광원을 상기 헐레이션이 생기지 않는 위치에 설치하여도 좋다.Further, the filament is supplied with a current, but by not applying the acceleration voltage, the filament emits only the photon. In this case, the
빔편향용 자석(22) 및 폴피스(23)는, 전자빔원(21)으로부터 출사된 전자빔(EB)의 진로를 변경하는 진로변경부이다. 구체적으로는, 빔편향용 자석(22) 및 폴피스(23)는 상기 제어부의 제어를 받아, 발생시키는 자력을 변경함으로써 전자빔(EB)의 진로를 변경한다. 이에 따라, 전자빔(EB)은 전자빔원(21)으로부터 대략 원호의 궤적을 그려서, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)에 조사(照射)된다. 또한 그 조사위치는, 성막 레이트(成膜 rate)가 최대로 되는 위치 즉 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)의 탕면(湯面)(표면)의 중심에 전자빔(EB)이 조사되도록 제어된다.The beam deflecting
하스라이너(24)는, 재료공급장치(3)에 의하여 공급된 증착재료(MA)를 지지하기 위한 도가니이다. 하스라이너(24)는, 터릿 회전부(26)의 구동에 의하여 그 위치가 변경된다. 재료공급장치(3)의 근방(재료공급위치)에 있어서, 하스라이너(24)에 증착재료(MA)가 공급된다. 또한 기판(100)과 대향(對向)하는 위치(증착위치)에 있어서, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)는 전자빔원(21)으로부터 출사된 전자빔(EB)을 받아 용해되는 동시에 증발된다. 그리고 증발된 증착재료(MA)가 기판(100)에 증착(부착)됨으로써, 기판(100)에 대한 증착재료(MA)의 성막이 실시된다.The
터릿(25)은, 하스라이너(24)가 복수 설치된 기대(基臺)이다. 본 실시형태에서는, 도3에 나타내는 바와 같이 회전축(AX)의 주위에 6개의 하스라이너(24)가 설치되어 있다. 터릿(25)이 터릿 회전부(26)의 구동에 의하여 회전축(AX)을 중심으로 하여 회전함으로써, 하스라이너(24)를 상기 재료공급위치와 상기 증착위치의 사이에서 이동시킬 수 있다. 그 때문에, 증착위치에 있어서, 이미 증착재료(MA)가 공급되어 있는 하스라이너(24A)로부터 증착재료(MA)를 증발시킴으로써 기판(100)에 대한 성막을 실시함과 아울러, 재료공급위치에 있는 다른 하스라이너(24B)에 증착재료(MA)를 공급할 수 있다. 즉 하스라이너(24)에 대한 증착재료(MA)의 공급과, 기판(100)에 대한 증착재료(MA)의 증착을 연속적으로 할 수 있다.The
또한 도4에 나타내는 바와 같이 하스라이너(24)는, 터릿(25)에 대하여 단열재(리플렉터(reflector))(30)를 사이에 두고 설치되어 있다. 단열재(30)는, 하스라이너(24)에 공급된 증착재료(MA)의 보온성을 높이는 것이다. 단열재(30)에 의하여 당해 증착재료(MA)를 효율적으로 용해시킬 수 있다. 또한 단열재(30)에 의하여, 하스라이너(24)를 터릿(25)에 대하여 위치결정할 수 있다.4, the
터릿 회전부(26)는, 터릿(25)의 대략 중심에 접속되어, 터릿(25)을 회전축(AX)을 중심으로 하여 회전시키는 것이다. 또한 기판 회전부(27)는, 성막의 대상이 되는 기판(100)이 그 대략 중심에 부착됨으로써, 성막 중인 기판(100)을 회전시킨다. 터릿 회전부(26) 및 기판 회전부(27)는, 상기 제어부에 의하여 그 구동이 제어된다.The turret rotation section 26 is connected to the substantially center of the
<감시장치(1)><Monitoring device (1)>
다음에 도1, 도2, 도4∼도11을 사용하여 감시장치(1)에 대하여 설명한다. 도1은 본 실시형태에 관한 감시장치(1)의 구체적인 구성의 일례를 나타내는 블럭도이다. 도5는 기준화상(基準畵像)(DB141)에 등록되어 있는 기준화상군(基準畵像群)의 일례를 나타내는 도면으로서, (a)는 하스라이너(24)의 사용상태가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타내고, (b)는 탕면위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타내고, (c)는 소정 범위 내에 있어서 하스라이너(24)의 경사가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타내고, (d)는 전자빔(EB)의 조사위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군의 일례를 나타낸다. 도6은 하스라이너(24)의 위치의 판정처리에 대하여 설명하기 위한 도면이다. 도7은 탕면위치의 판정처리에 대하여 설명하기 위한 도면이다. 도8은 조사위치의 판정처리에 대하여 설명하기 위한 도면이다. 도9∼도11은 촬영된 복수의 화상의 일례를 나타내는 것이다.Next, the
감시장치(1)는, 촬영부(11)가 촬영한 하스라이너(24)의 화상을 해석함으로써, 증착장치(2)의 상태가 정상의 상태인지 아닌지를 감시하는 것이다. 도1에 나타내는 바와 같이 감시장치(1)는, 제어부(10), 촬영부(11)(도2에도 나타냄), 통지부(13) 및 기억부(14)를 구비한다. 또한 도2에 나타내는 바와 같이 감시장치(1)는 카메라 셔터(12)를 구비한다.The
(촬영부)(Photographing section)
촬영부(11)는, 촬영제어부(15)(후술)의 제어에 의하여, 전자빔(EB)이 조사되는 증착재료(MA)를 지지하기 위한 하스라이너(24)(구체적으로는 하스라이너(24) 및 그 주변영역)를 피사체(被寫體)로 하여, 복수 회 촬영하는 것이다.The photographing
복수 회 촬영함으로써, 1회의 촬영으로 취득한 화상(촬영화상)을 해석대상화상으로 하는 경우에 비하여, 그 선택의 폭을 넓힐 수 있다. 그 때문에, 하스라이너(24)(및 그 주변)의 선명한 화상을 해석대상화상으로 할 가능성을 높일 수 있기 때문에, 증착장치(2)의 상태를 정밀도 좋게 판정할 수 있다.By photographing a plurality of times, the selection width can be widened as compared with a case where an image (shot image) obtained by one shooting is used as an analysis target image. Therefore, it is possible to increase the possibility that the clear image of the washer liner 24 (and its surroundings) is to be analyzed as an image to be analyzed, so that the state of the
감시장치(1)는, (A)하스라이너(24)의 위치, (B)하스라이너(24)에 공급된 증착재료(MA)의 탕면위치, 및 (C)하스라이너(24)에 있어서의, 전자빔원(21)으로부터 출사된 전자빔(EB)의 조사위치를 감시대상으로 한다. 바꾸어 말하면, 감시장치(1)에서는, 후술하는 상태판정부(17)가, 해석대상화상에 비치는 상기 (A), (B) 및 (C)를 해석대상으로서 해석함으로써, 증착장치(2)의 상태가 정상의 상태인지 아닌지를 판정한다. 구체적으로는 상태판정부(17)는, 해석대상화상에 비치는 각 위치를 해석함으로써, 각 위치가 정상의 위치(기준위치)에 있는지 아닌지를 판정한다.The
여기에서 상기 해석대상화상이라는 것은, 촬영부(11)가 촬영한 화상으로서, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서, 상기 각 위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정하기 위하여 해석되는 화상이다. 또한 상기 정상의 위치(기준위치)라는 것은, 상기 (A)에 있어서는, 하스라이너(24)의 개구부를 포함하는 가상적인 표면이, 터릿(25)의 표면에 대하여 거의 경사지지 않은 상태(소정 범위 내의 경사를 갖는 상태)를 가리킨다. 상기 (B)에 있어서는, 증착장치(2)에 있어서의 기판(100)에 대한 증착처리에 있어서 지장이 없는 정도로, 하스라이너(24)에 증착재료(MA)가 공급되어 있을 때의 증착재료(MA)의 탕면위치이다. 상기 (C)에 있어서는, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)의 탕면의 무게중심(중심)이 된다.Here, the interpretation object image is interpreted as an image taken by the photographing
본 실시형태에서는, 촬영부(11)는, 상기 (A)∼(C)의 각각의 감시에 있어서, 연속하여 복수 회 촬영한다. 바꾸어 말하면, 복수 회의 촬영이, 상기 (A)∼(C)의 3회의 감시의 각각에서 실시된다. 이에 따라, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서, 밝기가 서로 다른 하스라이너(24)가 비치는 화상을 복수 취득할 수 있다. 단, 각 감시에 있어서 복수의 화상을 취득하는 것을 고려하지 않으면, 1회의 증착처리에 있어서 연속한 복수 회의 촬영이 1회 실시되는 것만이더라도 좋다.In the present embodiment, the photographing
또 본 실시형태에서는, 감시장치(1)는, 상기 (A)∼(C)를 감시대상(해석대상)으로 하지만, 상기 (A)∼(C) 중 적어도 어느 하나를 감시대상으로 하여도 좋다.In the present embodiment, the
또한 촬영부(11)는, 하스라이너(24)를 촬영할 때마다 촬영감도 및 셔터속도 중 적어도 어느 하나를 변경한다. 촬영감도는, 촬영 시에 있어서의 소정 시간당 광(光)을 받아들이는 양(능력)을 규정하는 것이다. 셔터속도는, 촬영 시의 집광시간을 규정하는 것이다. 촬영감도 및 셔터속도 중 어느 일방을 변경함으로써, 밝기가 서로 다른 화상을 취득할 수 있다. 일반적으로 촬영감도가 낮을수록, 셔터속도가 빠를수록 어두운 화상이 된다.Further, the photographing
예를 들면 1매의 화상만을 촬영한 경우에, 그 화상이 지나치게 밝은(또는 지나치게 어두운) 경우에는, 당해 화상에 있어서 하스라이너(24) 또는 증착재료(MA)를 특정하는 것이 곤란하게 될 가능성이 있다. 밝기가 서로 다른 복수의 화상을 취득함으로써, 밝기가 억제된 화상(또는 밝기가 강조된 화상)을 취득할 수 있다. 이 경우에 당해 화상을 해석함으로써, 하스라이너(24) 또는 증착재료(MA)를 특정할 수 있을 가능성이 높아진다.For example, when only one image is photographed, there is a possibility that it becomes difficult to specify the
촬영감도 및 셔터속도는 각각 복수 단계로 설정되어 있다. 촬영감도 및 셔터속도는, 실험 등에 의하여, 기준화상과의 대비가 비교적 쉬운 콘트라스트(contrast)를 갖는 하스라이너(24)의 화상을 취득할 수 있을 가능성이 비교적 높다고 추정되는 범위에서 설정되어 있다. 또한 촬영감도 및 셔터속도는, 서로의 상관(相關)을 고려하여 설정되어 있다. 또 기준화상이라는 것은, 촬영부(11)에 의하여 미리 촬영되어, 기억부(14)의 기준화상(DB(Database)141)(후술)에 등록된 하스라이너(24)의 촬영결과를 나타내는 화상이다.The photographing sensitivity and the shutter speed are respectively set in a plurality of stages. The photographing sensitivity and the shutter speed are set within a range in which it is estimated that the possibility of obtaining an image of the
본 실시형태에서는, 촬영감도는 「1」, 「1.5」, 「2」, …「7」, 「7.5」 및 「8」의 16단계로 설정되어 있다. 「1」은 ISO 감도의 100에 상당한다. 촬영감도가 1 올라가면, 소정 시간당 광의 받아들이는 양은 2배가 된다. 즉 촬영감도가 0.5 올라가면, 상기 받아들이는 양은 √2배가 된다. 또한 셔터속도는, 「1/60」, 「1/120」 및 「1/240」의 3단계로 설정되어 있다. 이들의 설정값 및 설정수는 어디까지나 일례이다.In the present embodiment, the photographing sensitivity is "1", "1.5", "2", ... Quot ;, " 7 ", " 7.5 ", and " 8 ". &Quot; 1 " corresponds to 100 of the ISO sensitivity. When the photographing sensitivity is increased by one, the amount of light received per predetermined time is doubled. That is, when the photographing sensitivity is increased by 0.5, the above-mentioned amount of received is 2 times. The shutter speed is set to three levels of "1/60", "1/120", and "1/240". The set value and the set number of these are merely examples.
또한 촬영감도 및 셔터속도는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라 설정되어 있어도 좋다. 이 경우에 촬영부(11)는, 촬영제어부(15)의 제어를 받아, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서 당해 각 감시에 따라 설정된 촬영감도 및 셔터속도로 하스라이너(24)를 촬영한다.The photographing sensitivity and the shutter speed may be set in accordance with the respective surveillance of (A) to (C). In this case, under the control of the photographing
또한 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서, 촬영부(11)가 복수의 화상의 촬영을 시작한 후 종료할 때까지의 기간에 있어서, 당해 화상을 촬영하지 않는 소정기간이 설정되어 있어도 좋다. 소정기간은, 실험 등에 의하여 상기 (A)∼(C)의 감시의 각각에 있어서 적합한 값이 설정되어 있다. 예를 들면 소정기간이 시작하는 시기는, 촬영시작으로부터 소정 매수 촬영완료 시(예 : 4매 촬영완료 시)로 규정되고, 소정기간은, 당해 촬영완료 시로부터 수 초간(예 : 10초간)으로 규정된다. 촬영제어부(15)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라 소정기간 촬영을 하지 않도록 촬영부(11)를 제어한다.Further, in the respective surveillance of the above (A) to (C), even if the predetermined period during which the image is not photographed is set in the period from when the photographing
이와 같이 촬영감도, 셔터속도 또는 촬영 타이밍을 적절하게 변경하여 복수의 화상을 촬영함으로써, 밝기가 서로 다른 하스라이너(24)(하스라이너(24)에 포함되는 증착재료(MA) 또는 전자빔(EB)이 조사된 증착재료(MA))가 비치는 복수의 화상을 취득하는 것이 가능하게 된다.(The evaporation material MA or the electron beam EB included in the washer liner 24) having different brightness is obtained by appropriately changing the photographing sensitivity, the shutter speed or the photographing timing, It is possible to acquire a plurality of images reflected by the deposited material MA (the irradiated evaporation material MA).
또 촬영부(11)가 촬영설정을 변경하여 촬영한 복수의 화상의 일례에 대해서는 후술한다.An example of a plurality of images photographed by changing the photographing setting by the photographing
또한 촬영부(11)로서는 CCD 카메라 등을 들 수 있다. 촬영부(11)는, 정상의 위치에 있을 때의 하스라이너(24)의 개구면의 중심을 통과하는 수선(垂線)(중심선(CL))으로부터 소정의 각도(α)를 갖는 위치에 배치되어 있다. 이 위치로부터 촬영함으로써, 감시장치(1)는 촬영부(11)가 촬영한 하스라이너(24)의 화상에 있어서, 하스라이너(24)의 여러 가지의 방향으로의 경사량을 산출하는 것이 가능하게 된다.The photographing
(카메라 셔터)(Camera shutter)
카메라 셔터(12)는, 촬영제어부(15)의 제어에 의하여, 촬영부(11)가 하스라이너(24)를 촬영하는 타이밍으로 촬영부(11)의 전방을 개방상태로 하지만, 그 이외의 때에는 폐쇄상태로 한다. 이 제어에 의하여, 촬영하는 이외의 시간대에 있어서 비산된 증착재료(MA)가 촬영부(11)의 렌즈(도면에 나타내지 않는다)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한 촬영부(11)의 렌즈 전방에는, 당해 방지의 목적으로 글라스판이 접착되어 있어도 좋다.The
(통지부)(Notification section)
통지부(13)는, 상기 감시시스템을 이용하는 작업자에 대하여 각종 통지를 하는 것이다. 통지부(13)는, 예를 들면 상태판정부(17)의 제어를 받아, 하스라이너(24)의 위치, 하스라이너(24)에 있어서의 증착재료(MA)의 탕면위치 또는 당해 증착재료(MA)에 있어서의 전자빔(EB)의 조사위치가 각각 정상의 위치로부터 벗어나 있는 경우에 경고를 발생한다. 통지부(13)는, 예를 들면 각종 통지를 음으로 출력하는 스피커 및/또는 각종 통지를 화상으로 출력하는 표시장치에서 출력된다.The notifying
(기억부)(Storage unit)
기억부(14)는, 예를 들면 제어부(10)가 실행하는 각종 제어 프로그램 등을 기억하는 것으로서, 예를 들면 하드디스크, 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억장치에 의하여 구성된다. 기억부(14)에는, 예를 들면 (1)감시처리의 공정을 나타내는 감시 프로그램, (2)촬영부(11)가 촬영한 화상을 나타내는 데이터, (3)촬영된 화상과의 비교대상이 되는 기준화상을 나타내는 데이터, (4)촬영설정을 나타내는 데이터, (5)제어부(10)에서의 판정처리에 사용되는 각종 임계값(소정의 범위를 규정하는 값)이 저장되어 있다. 촬영설정으로서는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서의 촬영부(11)의 촬영위치, 촬영감도, 셔터속도 및 촬영 타이밍 등을 들 수 있다. 또한 기억부(14)는, 기준화상을 등록(기억)할 수 있는 기준화상(DB141)을 구비하고 있다.The
(기준화상의 예)(Example of reference image)
본 실시형태에서는 기준화상이 복수 등록되어 있다. 기준화상으로서는, 적어도 복수의 화상으로부터 해석대상화상을 선택하는 데에 적합한 화상이 설정되어 있을 필요가 있다. 기준화상으로서는, 예를 들면 하스라이너(24)의 윤곽부분, 증착재료(MA)의 탕면위치(하스라이너(24)의 내벽과 탕면의 경계부분) 또는 탕면에 조사된 전자빔(EB)이 선명하게 비치는 화상이 설정된다. 또는 기준화상을 해석(가공)함으로써 상기 윤곽부분, 경계부분 또는 전자빔(EB)의 위치를 추정할 수 있는 화상이 기준화상으로서 설정된다. 이 경우에, 추정된 상기 윤곽부분, 경계부분 또는 전자빔(EB)의 위치가 기준화상과 대응되어 기억부(14)에 기억되어 있다.In the present embodiment, a plurality of reference images are registered. As the reference image, it is necessary to set an image suitable for selecting an analysis object image from at least a plurality of images. As the reference image, for example, an electron beam EB irradiated on the contour portion of the
본 실시형태에서는, 복수의 기준화상으로서, 예를 들면 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 대하여 각각 1개의 기준화상이 기준화상(DB141)에 등록되어 있다. 상기 (A)의 경우에, 후술하는 바와 같이 촬영된 화상에 비치는 하스라이너(24)의 윤곽부분에 의거하여 하스라이너(24)의 위치가 감시된다. 그 때문에, 기준화상에는 상기 윤곽부분이 선명하게 비치고 있는 것이 바람직하고, 예를 들면 신품의 하스라이너(24)가 비치는 화상이 기준화상으로서 설정되어 있다. 또한 상기 (B) 또는 (C)의 경우에는, 촬영된 화상에 비치는 상기 경계부분 또는 조사위치에 의거하여 상기 탕면위치 또는 조사위치가 감시된다. 그 때문에, 예를 들면 상기 경계부분 또는 조사위치가 선명하게 비치는 화상이 기준화상으로서 설정되어 있다.In the present embodiment, one reference image is registered as a plurality of reference images, for example, for each of the above-mentioned surveillance (A) to (C) in the
이와 같이 기준화상으로서, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따른 것이 설정되어 있는 경우에, 기준화상과의 대비 결과 선택된 해석대상화상에 있어서, 상기 윤곽부분, 경계부분 또는 조사위치의 특정이 용이하게 될 가능성이 높아진다.As described above, in the case where the reference image is set according to the monitoring of each of (A) to (C), it is possible to specify the outline portion, the boundary portion, The possibility of the occurrence of the problem becomes easy.
또한 복수의 기준화상으로서, 예를 들면As a plurality of reference images, for example,
(a)하스라이너(24)의 사용상태가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군,(a) a reference image group including a plurality of reference images whose use states of the
(b)하스라이너(24)에 공급된 증착재료(MA)의 탕면위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군,(b) a reference image group including a plurality of reference images having different bath surface positions of the evaporation material MA supplied to the
(c)소정 기준면에 대한 하스라이너(24)의 경사로서, 소정 범위 내의 경사가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군, 및(c) a reference image group including a plurality of reference images different in inclination within a predetermined range as a gradient of the
(d)전자빔원(21)으로부터 출사된 전자빔(EB)의, 하스라이너(24)에 있어서의 조사위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군이(d) A reference image group including a plurality of reference images of different irradiation positions of the electron beam EB emitted from the
기준화상(DB141)에 등록되어 있어도 좋다. 상기 (a)∼(d)의 기준화상군의 일례가 도5에 나타나 있다. 또 각 기준화상은, 예를 들면 하스라이너(24)(및 증착재료(MA))가 적열(赤熱)되고 있는 상태의 것이더라도 좋다.Or may be registered in the
도5의 (a)에는, 상기 (a)에 대응하는 기준화상군이 나타나 있다. 이 예에서는, 하스라이너(24)의 사용상태로서, 하스라이너(24)를 거의 사용하지 않은 상태(신품(新品)), 하스라이너(24)의 내벽에 증착재료(MA)가 부착된 상태(신중고(新中古)) 및 증착재료(MA)가 하스라이너(24)의 내벽을 타고 하스라이너(24)의 외부로 누출된 상태(젖음(wetting)의 상승」이 생긴 상태)(중고(中古))의 3종류가 준비되어 있다.5 (a) shows the reference image group corresponding to (a). In this example, the use state of the
도5의 (b)에는, 상기 (b)에 대응하는 기준화상군이 나타나 있다. 이 예에서는, 탕면위치가 하스라이너(24)의 개구부 부근인 상태(증착재료(MA)의 양(탕량(湯量))이 많은 상태), 중간 부근인 상태 및 저부 부근인 상태의 3종류가 준비되어 있다.In Fig. 5B, the reference image group corresponding to the above (b) is shown. In this example, three kinds of states, i.e., a state in which the bath surface position is in the vicinity of the opening of the harness liner 24 (a state in which the amount of the evaporation material MA is large (hot water amount)), .
도5의 (c)에는, 상기 (c)에 대응하는 기준화상군이 나타나 있다. 이 예에서는, 하스라이너(24)의 위치가 정상의 위치에 있는 경우의 기준화상이 3종류 준비되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 상기 소정 기준면이라는 것은, 터릿(25)의 표면이고, 상기 소정 범위라는 것은, 터릿(25)의 표면에 대한 상기 가상적인 표면(하스라이너(24)의 개구부를 포함하는 가상적인 표면)의 경사가, 증착처리에 지장을 주지 않는 정도의 범위(수 °정도의 범위)인 것을 의미한다. 도5의 (c)에서는, 이 소정 범위에 있어서 하스라이너(24)의 경사가 0°인 경우에, 하스라이너(24)가 좌측으로 올라간 경우 및 하스라이너(24)가 우측으로 올라간 경우의 3종류의 기준화상이 준비되어 있다. 좌측으로 올라간 것, 우측으로 올라간 것에 대해서는 후술한다.5 (c) shows a reference image group corresponding to (c). In this example, three reference images are prepared when the position of the
도5의 (d)에서는, 상기 (d)에 대응하는 기준화상군이 나타나 있다. 이 예에서는, 조사위치가 탕면의 중앙, 좌측으로 치우친 것 및 우측으로 치우친 것의 3종류의 기준화상이 준비되어 있다.In (d) of FIG. 5, the reference image group corresponding to (d) is shown. In this example, three kinds of reference images are prepared: the irradiation position is shifted to the center of the bath surface, the left side, and the right side.
또 각 기준화상군에 있어서의 기준화상의 종류는, 2종류이더라도 좋고, 4종류 이상이더라도 좋다. 예를 들면 도5의 (c)에 있어서, 전방으로 올라간 것 및/또는 후방으로 올라간 것(후술)인 경우의 기준화상이 준비되어 있어도 좋다. 또한 상기 (a)∼(d)의 모두가 반드시 준비되어 있을 필요는 없으며, 감시장치(1)에서 감시하는 감시대상에 따라 필요한 기준화상군이 준비되어 있으면 좋다. 바꾸어 말하면, 상기 (a)∼(d)의 적어도 1개의 기준화상군이 준비되어 있으면 좋다.The reference image in each reference image group may be of two types or four or more types. For example, in (c) of FIG. 5, a reference image may be prepared in the case where the image has been moved forward and / or backward (described later). It is not always necessary to prepare all of the above (a) to (d), and it suffices that the necessary reference image group is prepared in accordance with the monitored object to be monitored by the
(제어부)(Control section)
제어부(10)는 감시장치(1)를 통괄적으로 제어하는 것이다. 구체적으로는, 제어부(10)는, 증착장치(2)의 상태를 정밀도 좋게 판정함과 아울러, 판정결과에 따른 통지 또는 증착처리의 정지를 하기 위하여 촬영제어부(15), 화상선택부(16) 및 상태판정부(17)를 구비한다.The
촬영제어부(15)는 촬영부(11)를 제어하는 것이다. 상기에서 설명한 바와 같이 촬영제어부(15)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서 촬영부(11)에 복수 회 촬영시킨다. 촬영제어부(15)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 대하여 설정된 촬영부(11)의 촬영위치, 촬영감도 및 셔터속도를 선택한다. 또한 촬영제어부(15)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서 소정 매수 촬영완료 후에, 타이머(도면에 나타내지 않는다)를 작동시켜서 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 대하여 설정된 소정기간을 측정시킴과 아울러, 촬영부(11)의 촬영을 정지시킨다. 그리고 타이머로부터 소정기간 경과의 통지를 받으면, 촬영을 재개시킨다.The photographing
예를 들면 상기 (A)의 감시에 있어서는, 촬영제어부(15)는, 증착완료 후에 성막 레이트가 0인 것(증착재료(MA)가 비산되지 않고 있는 상태인 것)을 확인한다. 촬영제어부(15)는, 당해 확인이 완료된 후(예 : 증착완료로부터 약 2∼3분 후)에 촬영감도를 「6」, 「5」, 「4」 및 「3」의 순서로 변화시켜서, 연속하여 4회 촬영한다. 촬영제어부(15)는, 상기 (A)의 감시에 대하여 설정된 소정기간(예 : 10초)을 측정하고, 이 사이의 촬영을 중단한다. 촬영제어부(15)는, 소정기간의 경과를 확인하면, 다시 촬영감도를 「6」, 「5」, 「4」 및 「3」의 순서로 변화시켜서, 연속하여 4회 촬영한다. 이와 같이 하여 합계 8매의 화상을 취득한다. 또 셔터속도는 「1/60」 또는 「1/120」로 설정되어 있다.For example, in the monitoring of the above (A), the image
상기 (B)의 감시에 있어서는, 촬영제어부(15)는, 증착완료 후에 성막 레이트가 0인 것을 확인한다. 촬영제어부(15)는, 당해 확인이 완료된 후에 촬영감도를 「6」, 「5」, 「4」 및 「3」의 순서로 변화시켜서, 연속하여 4회 촬영한다. 그 후에 촬영제어부(15)는, 상기 (B)의 감시에 대하여 설정된 소정기간(예 : 10초)을 측정하고, 이 사이의 촬영을 중단한다. 촬영제어부(15)는, 소정기간의 경과를 확인하면, 다시 촬영감도를 「6」, 「5」, 「4」 및 「3」의 순서로 변화시켜서, 연속하여 4회 촬영한다. 이와 같이 하여 합계 8매의 화상을 취득한다. 또 셔터속도는 「1/60」 또는 「1/120」로 설정되어 있다.In the monitoring of (B) above, the image
상기 (C)의 감시에 있어서는, 촬영감도를 「8」, 「7.5」, 「7」, 「6.5」, 「6」, 「5.5」, 「5」, 「4.5」의 순서로 변화시켜서, 연속하여 8회 촬영한다. 즉 본 실시형태에서는, 상기 (C)의 감시에 대하여 설정된 소정기간은 0초이다. 이와 같이 하여 합계 8매의 화상을 취득한다. 또 셔터속도는 「1/60」, 「1/120」 또는 「1/240」로 설정되어 있다.In the monitoring of (C), the photographing sensitivity is changed in the order of "8", "7.5", "7", "6.5", "6", "5.5", "5" 8 times. That is, in the present embodiment, the predetermined period set for the monitoring of (C) is 0 second. In this manner, a total of eight images are acquired. The shutter speed is set to "1/60", "1/120", or "1/240".
본 실시형태에서는, 상기 (A) 및 (B)의 감시를 위한 촬영은, 증착(본증착)완료 후로서, 증착에 의하여 하스라이너(24) 및 증착재료(MA)가 적열되고 있는 상태에서 실시된다. 이 적열되고 있는 상태는, 기판(100)에 대한 증착이 완료되어 전자빔(EB)의 조사를 정지한 후에 5분 정도 계속한다. 본 실시형태에서는, 상기의 촬영은, 당해 정지 후에 약 2∼3분의 시점에서 실시된다. 또한 신품의 하스라이너(24)는, 젖음의 상승이 발생하고 있는 하스라이너(24)에 비하여, 화상이 밝아지는 경향이 있다. 바꾸어 말하면, 젖음의 상승이 발생하고 있는 경우에, 증착재료(MA)가 그 내벽을 피복하고 있기 때문에, 화상이 어두워지는 경향이 있다. 특히 증착재료(MA)가 알루미늄, 은 등의 메탈계의 것인 경우에 현저하게 어두워진다. 또한 증착재료(MA)의 탕면위치에 의해서도 화상의 밝기가 다르다. 탕면위치가 높은 경우에는 하스라이너(24) 및 증착재료(MA)가 식기 어려워지는(적열상태가 유지되기 쉬워지는) 한편, 탕면위치가 낮은 경우에는 식기 쉽다.In the present embodiment, the photographing for monitoring in (A) and (B) is performed in a state in which the
이와 같이 상기 (A) 및 (B)의 감시에서는, 적열상태에 있어서 촬영된 후에, 하스라이너(24)의 상태 또는 탕면위치 등에 의해서는 그 적열정도가 다르다. 그 때문에, 상황에 따라서는 상기 윤곽부분 또는 경계부분을 추출하기 위한 화상해석에 대해서는 지나치게 밝은 화상이 촬영되어 버릴 가능성이 있다. 이 경우에 촬영된 화상에 있어서는, 상기 윤곽부분 또는 경계부분이 불선명하게 되어(당해 부분의 콘트라스트가 저하되어 버려서), 당해 윤곽부분 또는 경계부분을 정밀도 좋게 취득할 수 없을 가능성이 있다.As described above, in the surveillance of the above (A) and (B), the degree of redness varies depending on the state of the
그래서 상기 (A) 및 (B)에서의 촬영에서는, 촬영감도는, 증착완료로부터 잠시 경과한 후에(증착에 의한 상기 적열이 없게 된 상태에서) 실시되는 상기 (C)의 감시를 위한 촬영에 비하여, 낮게 설정되어 있다. 그 때문에 밝기를 억제한 화상의 취득을 기대할 수 있다. 또한 시간이 경과함에 따라 하스라이너(24) 등의 적열상태가 침정화(沈靜化)된다. 연속된 복수 회의 촬영 중에 소정기간의 촬영대기기간을 설정함으로써, 당해 소정기간 후의 촬영에 있어서는 적열상태가 억제된 화상의 취득을 기대할 수 있다. 또 1회의 연속한 촬영 중에 소정기간이 복수 회 설정되어도 좋다.Therefore, in the photographing in (A) and (B), the photographing sensitivity is lower than that in the photographing for monitoring in (C), which is carried out after a while from the completion of the vapor deposition , Respectively. Therefore, it is possible to expect the acquisition of an image in which the brightness is suppressed. Also, as time elapses, the red state of the
한편 상기 (C)의 감시를 위한 촬영은, 상기에서 설명한 바와 같이 상기 (A) 및 (B)에서의 촬영에 비하여, 하스라이너(24) 등이 적열되지 않는 것이 예상된다. 그 때문에, 상기 (C)에서의 촬영에서는, 촬영감도는 상기 (A) 및 (B)에서의 촬영에 비하여 높게 설정되어 있다.On the other hand, it is expected that the photographing for monitoring in (C) above will not heat the
각 감시에 있어서, 이렇게 복수의 화상을 촬영함으로써 상기 윤곽부분, 경계부분 또는 조사위치를 정밀도 좋게 취득할 수 있을 가능성을 높일 수 있다.In each surveillance, it is possible to increase the possibility that the contour portion, the boundary portion, or the irradiation position can be acquired with high precision by photographing a plurality of images.
또 상기 촬영감도, 셔터속도 및 소정기간의 설정은 어디까지나 일례이다. 상기 촬영감도, 셔터속도 및 소정기간은, 각 감시에 있어서 상기 하스라이너(24)의 위치, 탕면위치 또는 조사위치를 해석할 수 있는 해석대상화상을, 촬영된 복수의 화상으로부터 선택하는 것이 가능하다면, 어떤 값으로 설정되어도 좋다. 또한 1회의 증착처리에 있어서, 상기 (A)∼(C)의 감시에 있어서 촬영되는 화상의 매수도 8매에 한정되지 않으며, 적절하게 변경되어도 좋다.The setting of the photographing sensitivity, the shutter speed, and the predetermined period is only an example. The photographing sensitivity, the shutter speed, and the predetermined period may be set as long as it is possible to select an analysis object image capable of analyzing the position, bath surface position, or irradiation position of the
화상선택부(16)는, 촬영부(11)가 촬영한 복수의 화상으로부터, 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택한다.The
구체적으로는, 화상선택부(16)는, 촬영부(11)가 촬영한 각 화상의 화소값에 의거하여 당해 각 화상의, 기준화상에 대한 상관 정도를 나타내는 상관값을 산출한다. 이 상관값의 산출에는, 예를 들면 패턴매칭을 사용하여 상기 각 화상과 기준화상 사이의 상관값(유사도(類似度))을 산출하는 정규화 상관(正規化 相關)이라고 하는 통계방법이 사용된다.Specifically, the
정규화 상관에 있어서는, 상관값은 다음 식에 의하여 산출된다. 다음 식에 있어서, Ⅰ는 상기 각 화상에 있어서의 각 화소의 화소값(휘도값), M은 기준화상에 있어서의 각 화소의 화소값, n은 상기 각 화상 및 기준화상에 있어서의 전체 화소수이다. 또한 바(-)는 평균값을 나타낸다.In the normalized correlation, the correlation value is calculated by the following equation. I is a pixel value (luminance value) of each pixel in each image, M is a pixel value of each pixel in the reference image, n is the total number of pixels in each of the images and the reference image to be. The bar (-) represents the average value.
상기 식에 있어서, 상기 각 화상이 기준화상에 유사할수록 100(%)에 가까운 값을 나타낸다. 화상선택부(16)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서, 촬영된 복수의 화상 중 상관값이 100에 가장 가까운 화상을 해석대상화상으로서 선택한다. 또 상관값을 산출하는 대상으로서는, 각 화상 및 기준화상에 있어서의 상기 윤곽부분 또는 경계부분이더라도 좋다. 예를 들면 화상선택부(16)가, 복수의 화상 및 기준화상에 있어서의 상기 윤곽부분의 상관에 의하여 해석대상화상을 선택하는 경우에는, 촬영된 화상에 있어서의 윤곽부분의 오검출의 가능성을 억제할 수 있다.In the above equation, the closer the image is to the reference image, the closer the value is to 100 (%). The
상기에서 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는, 상기 (A) 및 (B)의 감시 시에는, 적열상태인 하스라이너(24) 또는 증착재료(MA)를 촬영하게 된다. 이 영향을 억제하기 위하여 감시장치(1)에서는, 촬영부(11)가 적어도 촬영감도를 변경한 복수의 하스라이너(24)를 우선 촬영한다. 이에 따라, 밝기가 다른 하스라이너(24) 또는 증착재료(MA)가 비치는 화상을 복수 취득할 수 있다. 그리고 화상선택부(16)가, 촬영부(11)가 취득한 밝기가 서로 다른 복수의 화상과, 예를 들면 적열되고 있는 하스라이너(24) 또는 증착재료(MA)가 비치는 기준화상(상기 윤곽부분 또는 경계부분이 취득할 수 있는 화상)을 대비하여, 가장 기준화상과의 상관이 높은 화상을 선택한다. 이에 따라, 증착장치(2)의 상태판정을 위하여 해석하기 쉬운 화상을 해석대상화상으로서 선택할 수 있다. 촬영된 복수의 화상에 있어서, 상기 윤곽부분 또는 경계부분의 콘트라스트가 저하되지 않거나 또는 상기 윤곽부분 또는 경계부분의 콘트라스트의 저하가 억제된 화상을 해석대상화상으로서 선택하기 때문에, 상기 하스라이너(24)의 위치 또는 탕면위치의 판정을 정밀도 좋게 하는 것이 가능하게 된다.As described above, in the present embodiment, during the monitoring of (A) and (B), the
또한 상기 (C)의 감시 시에는, 전자빔(EB)을 조사하면서 촬영이 된다. 그 때문에, 촬영 시의 하스라이너(24)의 주변환경의 밝기가 변동되기 쉽게 되므로, 당해 변동에 기인하여 예를 들면 촬영된 화상에 있어서 전자빔(EB)의 조사위치가 불선명하게 될 가능성이 있다. 이 경우에 있어서도, 촬영부(11)가 적어도 촬영감도를 변경한 복수의 하스라이너(24)를 촬영한다. 그리고 화상선택부(16)는, 밝기가 다른 증착재료(MA)가 비치는 복수의 화상과, 예를 들면 적열되고 있는 증착재료(MA)가 비치는 기준화상을 대비하여, 가장 기준화상과의 상관이 높은 촬영화상을 선택한다. 이에 따라, 상기와 마찬가지로 해석하기 쉬운 화상을 해석대상화상으로서 선택할 수 있기 때문에, 상기 조사위치의 판정을 정밀도 좋게 하는 것이 가능하게 된다.Further, at the time of surveillance in the above (C), photographing is performed while irradiating the electron beam EB. Therefore, the brightness of the surrounding environment of the
또한 화상선택부(16)는, 상기 소정기간이 설정되어 있는 경우에는, 당해 소정기간의 전후에 있어서 기준화상과의 대비를 하여도 좋다. 예를 들면 상기 (A) 및 (B)의 감시인 경우에, 화상선택부(16)는, 최초의 4화상과 기준화상을 대비하여, 당해 4화상 중에서 가장 기준화상과의 상관이 높은 화상을 1개 선택한다. 그 후에 화상선택부(16)는, 소정기간 후의 4화상과 기준화상을 대비하여, 당해 4화상 중에서 가장 기준화상과의 상관이 높은 화상을 1개 선택한다. 그리고 화상선택부(16)는, 소정기간 전의 4화상으로부터 선택한 화상 및 소정기간 후의 4화상으로부터 선택한 화상 중에서 기준화상과의 상관이 더 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택한다.When the predetermined period is set, the
또한 본 실시형태에서는, 상기에서 설명한 바와 같이 하스라이너(24)의 상태가 서로 다른 기준화상이 복수 설정되어 있다. 그 때문에, 화상선택부(16)는 복수의 기준화상으로부터 선택한 기준화상을 사용하여, 촬영부(11)가 촬영한 복수의 화상으로부터 해석대상화상을 선택한다. 하스라이너(24)의 상태로서는, 예를 들면 하스라이너(24)의 사용상태, 하스라이너(24) 내에서의 증착재료(MA)의 탕면위치, 하스라이너(24)의 경사 및 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)에 있어서의 전자빔(EB)의 조사위치를 들 수 있다.Further, in the present embodiment, as described above, a plurality of reference images having different states of the
화상선택부(16)는, 예를 들면 취득한 화상을 해석함으로써 해석대상화상을 선택하기 위한 기준화상(해석대상화상 선택용의 기준화상)을 선택한다. 이 경우에 화상선택부(16)는, 예를 들면 하스라이너(24)의 윤곽부분, 내벽 또는 탕면 부근으로 상정되는 영역의 휘도값을 산출하고, 당해 영역의 휘도값과, 기준화상에 있어서 대응하는 영역의 휘도값을 대비한다. 화상선택부(16)는, 해석하여 취득한 영역의 휘도값과 가장 가까운 휘도값을 갖는 기준화상을 해석대상화상 선택용의 기준화상으로서 선택한다.The
또한 화상선택부(16)는, 예를 들면 전자빔원(21)에 인가되는 전류값의 크기에 의거하여, 하스라이너(24)의 상태에 대응한 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택하여도 좋다. 이 경우에 전류값의 크기(범위)와 복수의 기준화상이 대응되어, 기준화상(DB141)에 기억되어 있어도 좋다. 화상선택부(16)는, 촬영부(11)가 화상을 취득하였을 때에 전류값을 취득하여, 기준화상(DB141)을 참조함으로써 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택한다.The
이와 같이 화상선택부(16)는, 촬영한 화상 또는 전류값 등의 정보로부터 하스라이너(24)의 대략적인 상태를 특정하여 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택할 수 있다. 또 화상선택부(16)는, 취득한 화상 중에서 1개(예 : 최초에 취득한 화상)에 대하여 상기 해석 또는 전류값을 취득하지만, 이것에 한정되지 않아, 복수의 화상에 대하여 상기 해석 또는 전류값을 취득하여도 좋다.In this manner, the
또한 화상선택부(16)는, 예를 들면 각 감시용으로서 각각 1개씩 기준화상이 설정되어 있는 경우에, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에서 사용되는 기준화상(각 감시에 대응된 기준화상)을 해석대상화상 선택용의 기준화상으로서 선택한다. 또한 화상선택부(16)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택하여도 좋다.Further, in the case where a reference image is set for each one for each monitoring purpose, the
본 실시형태에서는, 복수의 기준화상으로서 상기 (a)∼(d)의 기준화상군이 설정되어 있다. 그 때문에, 화상선택부(16)는 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라 상기 (a)부터 (d)의 기준화상군 중 적어도 1개로부터, 상기 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택하여도 좋다.In the present embodiment, the reference image groups (a) to (d) are set as a plurality of reference images. Therefore, the
여기에서 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 대응하는 기준화상군으로서는, 각 감시에 있어서 필요로 되는 부분(예 : 상기 윤곽부분, 경계부분 또는 조사위치)이 선명하게 비치는 화상이, 촬영된 복수의 화상으로부터 선택되기 쉽게 설정되어 있는 것이 바람직하다. 또한 각 감시에 있어서, 선택 후의 화상에 대하여 기준화상을 사용한 처리가 실시되는 경우에는, 당해 처리도 가미하여 상기 기준화상군이 선택되는 것이 바람직하다.Here, as the reference image group corresponding to each of the above-mentioned surveillance (A) to (C), an image in which a part required for each surveillance (for example, the outline part, boundary part or irradiation position) It is preferable that it is set so as to be easily selected from a plurality of images. Further, in the respective surveillances, when the processing using the reference image is performed on the selected image, it is preferable that the reference image group is selected in consideration of the processing.
상기 (A)의 감시인 경우에, 촬영된 화상에 있어서 상기 윤곽부분(도6에 나타내는 HL)을 취득할 수 있는 화상이 선택되는 것이 바람직하다. 그 때문에, 화상선택부(16)가 사용하는 기준화상군으로서 예를 들면 상기 (a) 또는 (c)가 설정되어 있다.In the case of (A), it is preferable that an image capable of obtaining the contour portion (HL shown in FIG. 6) is selected in the photographed image. For this reason, for example, the above-mentioned (a) or (c) is set as the reference image group used by the
상기 (B)의 감시인 경우에, 촬영된 화상에 있어서 상기 윤곽부분(도7에 나타내는 EDb) 및 상기 경계부분(도7에 나타내는 EDf)을 취득할 수 있는 화상이 선택되는 것이 바람직하다. 그 때문에, 화상선택부(16)가 사용하는 기준화상군으로서 예를 들면 상기 (a)∼(c)가 설정되어 있다.In the case of (B), it is preferable that an image capable of acquiring the contour portion (ED b shown in FIG. 7) and the boundary portion (ED f shown in FIG. 7) is selected in the photographed image. For this reason, for example, the above-mentioned (a) to (c) are set as the reference image group used by the
상기 (C)의 감시인 경우에, 촬영된 화상에 있어서 탕면위치 및 상기 조사위치가 취득될 수 있는 화상이 선택되는 것이 바람직하다. 그 때문에, 화상선택부(16)가 사용하는 기준화상군으로서 예를 들면 상기 (b) 또는 (d)가 설정되어 있다.In the case of (C) monitoring, it is preferable that an image which can acquire the bath surface position and the irradiation position in the photographed image is selected. For this reason, for example, the above-mentioned (b) or (d) is set as the reference image group used by the
이렇게 설정되어 있는 상태에 있어서, 화상선택부(16)는, 예를 들면 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라(바꾸어 말하면 상기 설정에 따라) 상기 (a)부터 (d)의 기준화상군으로부터 적어도 1개의 기준화상군을 선택하고, 선택된 기준화상군 중에서 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택한다. 해석대상화상 선택용의 기준화상을 선택하는 경우에도, 화상선택부(16)는, 상기와 마찬가지로 취득한 화상의 해석 또는 전류값의 취득에 의하여 당해 기준화상을 선택하여도 좋다. 또한 상기 (a)∼(d)의 기준화상군에 있어서 미리 선택되는 기준화상이 설정되어 있어도 좋으며, 이 경우에는, 화상선택부(16)는 당해 기준화상을 해석대상화상 선택용의 기준화상으로서 선택한다.In such a state, the
이와 같이 화상선택부(16)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서, 가장 상관이 높다고 상정되는 대표적인 기준화상을 1개, 해석대상화상 선택용의 기준화상으로서 선택한다.In this manner, the
상태판정부(17)는, 화상선택부(16)가 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 증착장치(2)의 상태를 판정하는 것이다. 상기 (A)∼(C)를 감시하기 위하여 상태판정부(17)는, 하스라이너 위치감시부(171), 탕면위치감시부(172) 및 조사위치감시부(173)를 구비하고 있다.The
또 상태판정부(17)는, 하스라이너 위치감시부(171), 탕면위치감시부(172) 및 조사위치감시부(173)의 모든 기능을 반드시 갖고 있을 필요는 없다. 상태판정부(17)는, 이들 3개의 기능 중에서 1개 또는 2개의 기능만을 갖고 있어도 좋다. 상태판정부(17)는, 감시장치(1)가 감시대상으로 하는 기능만을 갖고 있으면 좋다.The
하스라이너 위치감시부(171)는 하스라이너(24)의 위치를 감시하는 것이다. 구체적으로는 하스라이너 위치감시부(171)는, 촬영부(11)가 촬영한 화상을 해석함으로써 하스라이너(24)의 위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정한다. 예를 들면 하스라이너 위치감시부(171)는, 해석대상화상 및 기준화상에 있어서 하스라이너(24)의 윤곽부분을 특정하고, 특정된 하스라이너(24)의 윤곽부분 상호간의 상관값을 산출하고, 당해 상관값이 소정의 범위 내에 있는지 아닌지를 판정한다. 또한 하스라이너 위치감시부(171)는, 상기 윤곽부분의 일부로서 대향하는 2개 위치의 거리를 산출하고, 당해 거리가 소정의 범위 내에 있는지 아닌지를 판정한다. 그리고 하스라이너 위치감시부(171)는, 상관값 또는 거리가 소정의 범위 내이면, 하스라이너(24)의 위치가 정상의 위치에 있다고 판정하는 한편, 범위 외이면 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한다.The harness liner
정상이 아닌 위치에 있다고 판정하는 경우의 예로서, 도6에 나타내는 바와 같이 「후방으로 올라간 것」, 「전방으로 올라간 것」, 「좌측으로 올라간 것」 및 「우측으로 올라간 것」으로 한 하스라이너(24)의 상태를 들 수 있다.As shown in Fig. 6, an example of judging that the vehicle is in the non-normal position is a case in which the vehicle is raised to the rear, the vehicle is raised to the front, the vehicle is raised to the left, (24).
「후방으로 올라간 것」은, 하스라이너(24)의 상측(y=0에 가까운 측)이 터릿(25)의 상면방향으로 경사진 상태를 가리킨다. 「전방으로 올라간 것」은, 하스라이너(24)의 하측(y=0부터 +y방향으로 떨어진 측)이 터릿(25)의 상면방향으로 경사진 상태를 가리킨다. 「좌측으로 올라간 것」은, 하스라이너(24)의 좌측(x=0에 가까운 측)이 터릿(25)의 상면방향으로 경사진 상태를 가리킨다. 「우측으로 올라간 것」은, 하스라이너(24)의 우측(x=0으로부터 +x방향으로 떨어진 측)이 터릿(25)의 상면방향으로 경사진 상태를 가리킨다.Indicates that the upper side (near y = 0) of the
탕면위치감시부(172)는, 하스라이너(24)에 공급된 증착재료(MA)의 탕면위치를 감시한다. 구체적으로는 탕면위치감시부(172)는, 촬영부(11)가 촬영한 화상을 해석함으로써 당해 탕면위치를 검출하여, 당해 탕면위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정한다. 예를 들면 탕면위치감시부(172)는, 도7에 나타내는 바와 같이 서로 대향하는 상기 윤곽부분의 일부(EDb)와 상기 경계부분의 일부(EDf)를 검출한다. 그리고 탕면위치감시부(172)는, 상기 윤곽부분의 일부(EDb)와 상기 경계부분의 일부(EDf)의 거리(Ds)를 산출하여, 당해 거리(Ds)가 소정의 범위 내이면, 탕면위치가 정상인 위치에 있다고 판정하는 한편, 범위 외이면 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한다.The bath surface
또한 탕면위치감시부(172)는, 정상이 아닌 위치라고 판정한 경우로서, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)가 적다고 판정한 경우에는, 당해 하스라이너(24)에 대한 증착재료(MA)의 공급량을 산출하고, 당해 공급량을 나타내는 데이터를 재료공급장치(3)로 송신한다. 재료공급장치(3)는, 당해 데이터를 수신하면, 당해 데이터가 나타내는 공급량만큼 당해 하스라이너(24)에 증착재료(MA)를 공급한다.When it is determined that the position of the bath surface
조사위치감시부(173)는, 전자빔원(21)으로부터 출사된 전자빔(EB)의, 하스라이너(24)에 있어서의 조사위치의 감시하는 것이다. 구체적으로는 조사위치감시부(173)는, 촬영부(11)가 촬영한 화상을 해석함으로써 당해 조사위치를 검출하여, 당해 조사위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정한다. 예를 들면 조사위치감시부(173)는, 도8에 나타내는 바와 같이 촬영된 화상에 있어서, 소정의 화소값 이상의 화소값을 갖고, 동시에 소정의 면적 이상의 면적을 갖는 범위를 조사위치(IA)(조사영역)로서 특정하여, 당해 조사위치의 무게중심위치(CP)를 특정한다. 그리고 조사위치감시부(173)는, 그 무게중심위치(CP)가 소정의 범위 내에 있으면, 조사위치(IA)가 정상의 위치에 있다고 판정하는 한편, 범위 외이면 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한다. 또 조사위치가 정상의 위치가 되는지 아닌지의 판정은, 정상의 위치에 전자빔(EB)이 비치는 기준화상과의 대비에 의하여 실시하여도 좋다.The irradiation
또한 조사위치감시부(173)는, 범위 외에 있는 경우에는, 조사위치를 정상의 위치까지 이동시키기 위한 이동량(보정량)을 산출한다. 그리고 조사위치감시부(173)는, 증착장치(2)에, 당해 보정량만큼 전자빔(EB)의 조사위치를 변경시킨다. 증착장치(2)에서는, 빔편향용 자석(22) 및 폴피스(23)가 제어됨으로써, 조사위치가 정상의 위치가 되도록 조사위치의 보정이 실시된다.When the irradiation
또한 상태판정부(17)는, 각 감시에 있어서 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한 경우에는, 증착장치(2)에 있어서 이상(異常)이 발생하고 있다고 판정하여, 통지부(13)를 제어하여 경고를 발생시킨다. 또한 상태판정부(17)는, 당해 판정의 경우에는 증착장치(2)에 의한 증착처리를 정지시킨다. 구체적으로는 상태판정부(17)는, 증착장치(2)가 갖는 전원(도면에 나타내지 않는다)에 의한, 증착장치(2)의 각 부에 대한 전력공급을 정지시킨다.When it is determined that the position is not normal in each monitoring, the
또 상기 판정의 경우에, 상태판정부(17)는 상기 경고통지 및 증착장치(2)의 전력공급 정지의 양방을 반드시 실행할 필요는 없다. 예를 들면 상태판정부(17)는, 정상의 위치로부터의 어긋난 양이 어느 정도의 범위 내인 경우에는, 증착처리에 지장을 초래할 가능성이 있어, 계속적인 증착처리의 실행은 회피하는 쪽이 좋은 상태(유지보수가 필요한 상태, 소위 「경미한 고장」)라고 판정하여, 경고통지만을 하여도 좋다. 한편 상태판정부(17)는, 상기 어긋난 양이 어느 정도의 범위도 넘은 경우에는, 증착처리에 지장을 초래할 뿐만 아니라 안전성을 담보할 수 없게 되는 상태(소위 「중대한 고장」)라고 판정하여, 적어도 증착처리를 정지시킨다.In addition, in the case of the above determination, the
(촬영화상의 예)(Example of photographed image)
도9∼도11에, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서 촬영된 복수의 화상의 일례를 나타낸다. 도9가 하스라이너(24)의 위치감시 시에 촬영된 화상의 일례, 도10이 탕면위치감시 시에 촬영된 화상의 일례, 도11이 조사위치감시 시에 촬영된 화상의 일례이다. 도9∼도11에 있어서 사선으로 둘러싸인 화상이, 화상선택부(16)가 해석대상화상으로서 선택한 화상이다.Figs. 9 to 11 show an example of a plurality of photographed images in the respective surveillance of (A) to (C). FIG. 9 is an example of an image captured at the time of monitoring the position of the
또 도9 및 도10의 예에서는, 셔터속도 「1/60」 및 「1/120」로 촬영하였을 경우를 들고 있다. 또한 도11의 예에서는, 셔터속도 「1/60」, 「1/120」 및 「1/240」로 촬영하였을 경우를 들고 있다. 그러나 각 감시에 있어서는, 상기 중 어느 하나의 셔터속도(예 : 「1/60」)로 설정되어 있으면 좋다. 바꾸어 말하면, 본 예에서는, 복수의 화상으로서 촬영감도 및 촬영 타이밍이 서로 다른 8매의 화상을 취득할 수 있으면 좋다.In the example of Figs. 9 and 10, the case where the shutter speed is 1/60 and 1/120 is taken. In the example of Fig. 11, there is a case where the image is photographed with shutter speeds "1/60", "1/120", and "1/240". However, in each surveillance, it may be set to any one of the above shutter speeds (e.g., " 1/60 "). In other words, in this example, it suffices to obtain eight images in which the photographing sensitivity and the photographing timing are different from each other as a plurality of images.
단, 기준화상과의 상관이 더 높은 화상을 선택할 가능성을 높이기 위하여, 기준화상과 대비하는 복수의 화상의 수를 늘리는 목적으로, 각 감시에 있어서 복수의 셔터속도의 각각에 대응하는 화상을 취득하여도 좋다. 바꾸어 말하면, 도9∼도11에 나타내는 화상의 모두를 기준화상과의 대비 대상으로 하여도 좋다.However, in order to increase the possibility of selecting an image having a higher correlation with the reference image, an image corresponding to each of a plurality of shutter speeds in each monitoring is acquired for the purpose of increasing the number of the plurality of images to be compared with the reference image It is also good. In other words, all of the images shown in Figs. 9 to 11 may be objects to be compared with the reference image.
도9 및 도10의 예에서는, 화상선택부(16)는, 셔터속도 「1/60」인 경우에도, 셔터속도 「1/120」인 경우에도 상관이 가장 높은 화상 No.1을 해석대상화상으로서 선택하고 있다. 도11의 예에서는, 화상선택부(16)는, 셔터속도 「1/60」인 경우에는, 상관값이 가장 높은 화상 No.2를 해석대상화상으로서 선택하고, 셔터속도 「1/120」 및 「1/240」인 경우에는 상관이 가장 높은 화상 No.1을 해석대상화상으로서 선택하고 있다.9 and 10, the
또 각 셔터속도에 있어서의 8매의 화상에 있어서, 상관이 가장 높은 화상으로서 2개 이상의 화상이 선택될 수 있는 경우에는, 화상선택부(16)는, 미리 정해진 방법으로 해석대상화상으로서 1개의 화상을 선택하여도 좋다. 당해 방법으로서는, 예를 들면 상관이 가장 높은 복수의 화상 중에서 화상 No.가 가장 작은 화상(가장 먼저 촬영된 화상)을 해석대상화상으로 한 방법을 들 수 있다.When two or more images can be selected as the image with the highest correlation in the eight images at each shutter speed, the
≪감시시스템의 처리 플로≫«Process flow of monitoring system»
다음에 도12를 사용하여, 감시시스템에 있어서의 처리 플로의 일례에 대하여 설명한다. 도12는 감시시스템에 있어서의 처리 플로의 일례를 나타내는 플로 차트이다.Next, an example of a processing flow in the monitoring system will be described with reference to Fig. 12 is a flowchart showing an example of a processing flow in the monitoring system.
우선, 증착장치(2)는 기판(100)에 대한 증착재료(MA)의 증착 전에 전자빔원(21)으로부터 전자빔(EB)을 출사하여, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)에 조사함으로써 당해 증착재료(MA)를 녹인다(처리스텝(이후 S라고 부른다)1). 다음에, 증착장치(2)는, 광(光)의 강도를 높여서 전자빔(EB)을 증착재료(MA)에 조사하여 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)를 증발시킴으로써, 기판(100)에 대한 성막(본증착)을 한다(S2).First, the
다음에, 감시장치(1)는, 증착장치(2)에 의한 성막처리가 완료되면, 성막 레이트가 0인 것을 확인한 후에 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)의 탕면관리를 한다(S3 ; 상기 (B)의 감시에 대응). 구체적으로는 탕면위치감시부(172)는, 촬영설정을 탕면위치감시용의 설정(탕면위치 촬영설정)으로 한다. 촬영부(11)는, 촬영제어부(15)의 제어를 받아서, 당해 촬영설정하에 있어서 복수의 화상을 촬영한다. 화상선택부(16)는, 탕면위치감시용의 기준화상을 사용하여 당해 복수의 화상으로부터, 탕면위치를 감시하기에 적합한 해석대상화상을 선택한다. 그리고 탕면위치감시부(172)는, 해석대상화상을 해석함으로써, 탕면위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정한다. 탕면위치감시부(172)는, 탕면위치가 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한 경우에는, 통지부(13)로부터의 경고통지 및/또는 증착장치(2)의 정지를 실시한다. 또한 탕면위치감시부(172)는, 정상이 아닌 위치라고 판정한 경우로서, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)가 적다고 판정한 경우에는, 당해 하스라이너(24)에 대한 증착재료(MA)의 공급량을 산출하고, 당해 공급량을 나타내는 데이터를 재료공급장치(3)로 송신한다.Next, when the film forming process by the
또한 감시장치(1)는, 증착장치(2)에 의한 성막처리가 완료되면, 성막 레이트가 0인 것을 확인한 후에, 하스라이너(24)의 위치관리를 한다(S4 ; 상기 (A)의 감시에 대응). 하스라이너 위치감시부(171)는, 성막 레이트가 0인 것을 확인한 후 소정기간 경과 후(예 : 수 초 후, 단 탕면관리 시작 후)에, 당해 위치관리의 처리를 시작한다. 또 하스라이너 위치감시부(171)는, S3의 처리에 있어서 촬영부(11)가 복수의 화상을 촬영한 것을 나타내는 통지를 탕면위치감시부(172)로부터 받음으로써, 당해 위치관리의 처리를 시작하여도 좋다.The
하스라이너 위치감시부(171)는, 우선 증착장치(2)에 대하여 전자빔원(21)의 필라멘트로부터 광자만을 방출시키도록 지시를 한다. 증착장치(2)는, 당해 지시를 받으면 전자빔원(21)을 조명광원으로서 기능시킨다. 또한 하스라이너 위치감시부(171)는, 복수의 화상의 촬영 전에, 촬영설정을, 탕면위치 촬영설정으로부터, 하스라이너(24)의 위치감시용의 촬영설정(하스위치 촬영설정)으로 절체한다. 촬영부(11)는, 촬영제어부(15)의 제어를 받아서, 당해 촬영설정하에서 복수의 화상을 촬영한다. 화상선택부(16)는, 하스라이너(24)의 위치감시용의 기준화상을 사용하여, 당해 복수의 화상으로부터, 하스라이너(24)의 위치를 감시하기에 적합한 해석대상화상을 선택한다. 그리고 하스라이너 위치감시부(171)는, 해석대상화상을 해석함으로써 하스라이너(24)의 위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정한다. 하스라이너 위치감시부(171)는, 하스라이너(24)의 위치가 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한 경우에는, 통지부(13)로부터의 경고통지 및/또는 증착장치(2)의 정지를 실시한다.The washer liner
또한 감시장치(1)에서는, 하스라이너 위치감시부(171)는, 하스라이너 위치감시용의 복수의 화상의 촬영이 완료되면, 그 취지를 탕면위치감시부(172)에 통지한다. 탕면위치감시부(172)는, 촬영설정을 하스라이너위치 촬영설정으로부터 탕면위치 촬영설정으로 절체한다. 또 당해 처리 타이밍은, 하스라이너(24)의 촬영 전(후술하는 S6의 처리 전)이면 좋다.In addition, in the
또한 S3의 처리에 있어서, 탕면위치감시부(172)가 상기 공급량을 나타내는 데이터를 재료공급장치(3)로 송신한 경우에는, 재료공급장치(3)는 당해 공급량의 산출대상이 된 하스라이너(24)에 증착재료(MA)를 공급한다(S5).When the bath surface
다음에 증착장치(2)는, 재료공급장치(3)에 의한 증착재료(MA)의 공급처리가 완료되면, S1과 마찬가지로 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)를 녹인다. 감시장치(1)는, 증착장치(2)에 의한 당해 녹이기 처리가 완료되면, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)의 탕면관리를 실시한다(S6 ; 상기 (B)의 감시에 대응). 이 처리는, S3에 있어서의 탕면위치감시부(172)에 의한 처리와 동일하다.Next, the
또 S3의 처리는 기판(100)에 대한 성막 후의 탕면상태를 관리하기 위하여 실시되고, S6의 처리는 증착재료(MA)의 공급 후의 탕면상태를 관리하기 위하여 실시된다.The processing of S3 is performed to manage the state of the bath surface after the deposition of the
또한 감시장치(1)에서는, 탕면위치감시부(172)는, 탕면위치감시용의 복수의 화상의 촬영이 완료되면, 그 취지를 조사위치감시부(173)에 통지한다. 조사위치감시부(173)는, 촬영설정을 탕면위치 촬영설정으로부터 조사위치감시용의 촬영설정(조사위치 촬영설정)으로 절체한다. 또 당해 처리 타이밍은, 하스라이너(24)의 촬영 전(S7의 처리 전)이면 좋다.Further, in the
다음에 감시장치(1)는, 하스라이너(24) 내의 증착재료(MA)에 대한 전자빔(EB)의 조사위치관리를 한다(S7 ; 상기 (C)의 감시에 대응). 구체적으로는, 촬영부(11)는 촬영제어부(15)의 제어를 받아서, 조명위치 촬영설정하에서 복수의 화상을 촬영한다. 화상선택부(16)는, 조사위치감시용의 기준화상을 사용하여, 당해 복수의 화상으로부터, 조사위치를 감시하기에 적합한 해석대상화상을 선택한다. 그리고 조사위치감시부(173)는, 해석대상화상을 해석함으로써 조사위치가 정상의 위치에 있는지 아닌지를 판정한다. 조사위치감시부(173)는, 조사위치가 정상이 아닌 위치에 있다고 판정한 경우에는, 통지부(13)로부터의 경고통지 및/또는 증착장치(2)의 정지를 실시한다.Next, the
또한 이 경우에는, 조사위치감시부(173)는, 조사위치에 따른 보정량을 결정하여, 증착장치(2)로 당해 보정량을 나타내는 데이터를 송신한다. 증착장치(2)는, 당해 데이터에 의거하여 조사위치가 정상의 위치가 되도록 조사위치의 보정을 한다.In this case, the irradiation
또한 감시장치(1)에서는, 조사위치감시부(173)는, 조사위치감시용의 복수의 화상의 촬영이 완료되면, 그 취지를 탕면위치감시부(172)에 통지한다. 탕면위치감시부(172)는, 촬영설정을 조사위치 촬영설정으로부터 탕면위치 촬영설정으로 절체한다. 또 당해 처리 타이밍은, 다음 회의 하스라이너(24)의 촬영 전(S3의 처리 전)이면 좋다.Further, in the
또 하스라이너 위치감시부(171), 탕면위치감시부(172) 및 조사위치감시부(173)의 처리순서는, 상기 순서에 한정되지 않는다.In addition, the order of processing of the washer liner
≪감시장치의 처리 플로≫«Process flow of monitoring device»
다음에 도13을 사용하여, 감시장치(1)에 있어서의 처리 플로(감시방법)의 일례에 대하여 설명한다. 도13은 감시장치(1)에 있어서의 처리 플로의 일례를 나타내는 플로 차트이다.Next, an example of a processing flow (monitoring method) in the
우선 상기 (A)∼(C)의 각 감시(도12의 S3, S4, S6 및 S7의 각 처리)에 있어서, 촬영제어부(15)는 촬영부(11)를 제어하여, 상태판정부(17)에서 설정된 촬영설정으로 복수 회 하스라이너(24)를 촬영한다(S11 ; 촬영공정). 촬영제어부(15)는 복수의 화상을 취득하면, 그 취지를 화상선택부(16)에 통지한다.The
화상선택부(16)는, 당해 통지를 받아서, 복수의 기준화상(기준화상군)으로부터, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 대응하는 1개의 기준화상(해석대상화상 선택용의 기준화상)을 선택한다(S12). 각 감시에 대응된 기준화상이 1개 설정되어 있는 경우에는, 당해 기준화상을 해석대상화상 선택용의 기준화상으로서 선택한다. 그리고 화상선택부(16)는, 각 감시에 있어서 촬영된 복수의 화상과 선택한 기준화상을 대비하여, 각 화상에 대하여 상관값을 산출한다(S13). 화상선택부(16)는, 각 감시에 있어서 산출된 상관값 중에서 최대의 상관값(최대 상관값)을 갖는 화상을 해석대상화상으로서 선택한다(S14 ; 화상선택공정). 화상선택부(16)는 해석대상화상을 선택한 취지를 상태판정부(17)에 통지한다.The
상태판정부(17)는, 각 감시에 대응하는 처리(하스라이너 위치감시부(171), 탕면위치감시부(172) 또는 조사위치감시부(173)에 의한 처리)를 실행함으로써, 증착장치(2)의 상태가 정상의 상태인지 아닌지를 판정한다(S15 ; 상태판정공정). 상태판정부(17)는, 상기 (A)∼(C)의 감시의 모두에 있어서 증착장치(2)의 상태가 정상이라고 판정한 경우에는(S15에서 YES), 당해 처리 플로를 종료한다. 한편 상태판정부(17)는, 상기 (A)∼(C)의 감시 중 어느 하나에 있어서 증착장치(2)의 상태가 정상이 아니라고 판정한 경우에는(S15에서 NO), 통지부(13)로부터 경고를 통지한다(S16). 또한 상태판정부(17)는, 중대한 고장인 경우에는 증착장치(2)를 정지시킨다(S17).The
≪주된 효과≫«Main effects»
감시장치(1)에서는, 촬영부(11)가 복수 회 하스라이너(24)를 촬영한다. 또한 촬영부(11)는 촬영감도, 셔터속도 및 촬영 타이밍 중 적어도 어느 하나를 변경하여 촬영을 한다. 그 때문에 밝기가 서로 다른 복수의 화상을 취득할 수 있다.In the
그리고 화상선택부(16)는, 촬영부(11)가 촬영한 복수의 화상으로부터, 하스라이너(24)가 비치는 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택한다. 그 때문에, 화상해석이 실시되기 쉬운 밝기를 갖는 화상을 선택할 수 있게 된다. 상태판정부(17)는, 이렇게 선택된 해석대상화상을 해석하여 증착장치(2)의 상태를 판정한다.The
1회만 촬영하여 해석대상화상으로 하는 경우에, 지나치게 밝거나 또는 지나치게 어두운 화상이 촬영된 경우에는, 당해 화상을 해석하더라도 상기 윤곽부분 등의 해석대상을 특정할 수 없을 가능성이 있다. 이 경우에, 촬영설정을 조정하면서 다시 촬영이 필요하게 된다. 또한 상기에서 설명한 바와 같이 하스라이너(24)의 상태 또는 탕면위치 등에 의해서는, 하스라이너(24) 및 증착재료(MA)의 적열정도 또는 적열시간이 달라지기 때문에, 해석대상화상으로서는 지나치게 밝은 화상을 취득하여 버릴 가능성이 있다. 이 경우에도 해석대상을 특정할 수 없을 가능성이 있다.In the case where an image to be analyzed is photographed only once and an overly bright or too dark image is photographed, there is a possibility that the object of analysis such as the outline portion can not be specified even if the image is analyzed. In this case, photographing is required again while adjusting the photographing setting. Further, as described above, since the hot rolling or heating time of the
한편 감시장치(1)에 의하면, 적열상태를 고려한 후에, 촬영한 것 중에서 가장 해석하기 쉬운 화상을 해석대상화상으로서 선택할 수 있다. 그 때문에 상기의 경우에 비하여, 하스라이너(24)의 주변환경에 의존하지 않고, 증착장치(2)의 상태를 정밀도 좋게 판정할 수 있을 가능성을 높일 수 있다. 또한 감시장치(1)에 의하면, 다시 촬영할 가능성을 저감시킬 수 있다. 그 때문에 다시 촬영을 하는 수고 또는 시간을 삭감시키는 것이 가능하게 된다.On the other hand, according to the
[실시형태2][Embodiment 2]
본 발명의 실시형태2에 대하여 설명하면 이하와 같다. 또 설명의 편의상, 상기 실시형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다.The second embodiment of the present invention will be described below. For convenience of explanation, members having the same functions as the members described in the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.
실시형태1에서는, 복수의 기준화상 중으로부터 해석대상화상 선택용의 기준화상이 1개 선택되는 경우에 대하여 설명하였지만, 복수 선택되어도 좋다.In the first embodiment, one reference image for selection of an image to be analyzed is selected from a plurality of reference images, but a plurality of reference images may be selected.
예를 들면 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 있어서, 선택되는 해석대상화상 선택용의 기준화상의 수가 2 이상으로 미리 설정되어 있어, 화상선택부(16)는 그 수만큼 기준화상을 선택하여도 좋다. 이 경우에 예를 들면 화상선택부(16)는, 실시형태1에서 기술한 바와 같이 취득된 화상을 해석하여, 당해 화상에 포함되는 영역(예 : 상기 윤곽부분으로 상정되는 영역)의 휘도값에 가까운 휘도값(당해 영역에 대응하는 기준화상에 있어서의 영역의 휘도값)을 갖는 기준화상으로부터 순서대로, 상기 설정된 수만큼 선택한다. 전류값을 사용하여 선택하는 경우에는, 화상선택부(16)는, 예를 들면 취득한 전류값에 대응하는 기준화상을 선택함과 아울러, 그 전류값 근방의 값에 대응하는 기준화상을, 상기 설정된 수를 넘지 않는 범위에서 선택한다.For example, in each of the above-mentioned surveillance (A) to (C), the number of reference images for selection of the image to be analyzed to be selected is preset to be 2 or more, and the
또한 각 감시용으로서 각각 복수의 기준화상이 설정되어 있는 경우에, 각 감시에 있어서, 촬영된 복수의 화상의 각각과, 복수의 기준화상의 각각에서 상관값이 산출되어도 좋다. 바꾸어 말하면, 이 경우에는, 촬영부(11)가 촬영한 모든 화상과, 기준화상(DB141)에 저장된 모든 기준화상 사이에서의 상관값이 산출된다.Further, in a case where a plurality of reference images are set for each monitoring, a correlation value may be calculated for each of a plurality of photographed images and each of a plurality of reference images in each monitoring. In other words, in this case, the correlation value between all the images photographed by the photographing
또한 화상선택부(16)는, 촬영부(11)가 촬영한 화상의 각각을 복수의 기준화상의 일부에만 대비하여도 좋다. 예를 들면 화상선택부(16)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라, 기준화상(DB141)에 저장된 복수의 기준화상으로부터 촬영부(11)가 촬영한 화상과 대비하는 기준화상을 선택하여도 좋다.Further, the
예를 들면 화상선택부(16)는, 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 따라, 상기 (a)부터 (d)의 기준화상군 중 적어도 1개를, 각 감시에서 촬영된 화상과 대비하는 복수의 기준화상으로서 선택하여도 좋다. 실시형태1에서 기술한 바와 같이 상기 (A)∼(C)의 각 감시에 대하여, 상기 (a)부터 (d)의 기준화상군이 대응되어 있는 경우에, 화상선택부(16)는 각 감시에서 대응되는 기준화상군을 선택한다.For example, the
화상선택부(16)는, 상기에서 설명한 바와 같이 해석대상화상 선택용의 기준화상으로서 선택한 복수의 기준화상의 각각을, 촬영부(11)가 촬영한 복수의 화상의 각각과 대비하여 각각의 상관값을 산출한다. 그리고 화상선택부(16)는, 산출한 상관값 중에서 가장 높은 상관값을 갖는 화상을 해석대상화상으로서 선택한다. 바꾸어 말하면, 화상선택부(16)는, 촬영부(11)가 촬영한 복수의 화상으로부터, 복수의 기준화상 중 적어도 일부의 각각과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택한다.As described above, the
이와 같이 해석대상화상 선택용의 기준화상이 복수 있는 경우에 있어서도, 실시형태1과 마찬가지로 복수의 화상으로부터, 각 감시에 있어서의 화상해석에서 필요로 되는 부분의 가장 취득하기 쉬운 화상을 해석대상화상으로서 선택할 수 있다. 그 때문에, 각 감시에 있어서 증착장치(2)의 상태를 정밀도 좋게 판정하는 것이 가능하게 된다. 또한 해석대상화상 선택용의 기준화상이 복수 있기 때문에, 촬영부(11)가 촬영한 화상과 기준화상과의 상관을 더 폭넓게 확인할 수 있다.Even in the case where there are a plurality of reference images for selection of an image to be analyzed in this manner, as in the first embodiment, it is possible to obtain, from a plurality of images, an image that is easiest to be acquired in a part required for image analysis in each monitoring, You can choose. Therefore, it is possible to accurately determine the state of the
[실시형태3][Embodiment 3]
본 발명의 실시형태3에 대하여 설명하면 이하와 같다. 또 설명의 편의상, 상기 실시형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다.A third embodiment of the present invention will be described below. For convenience of explanation, members having the same functions as the members described in the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.
실시형태1 및 2에서는, 기준화상(DB141)에는 기준화상이 복수 등록되어 있다. 이것에 한정되지 않고, 상기 (A)∼(C)의 감시에 공통의 1개의 기준화상만이 기준화상(DB141)에 등록되어 있어도 좋다.In
해석대상화상으로서는, 상기 (A)의 감시이면 상기 윤곽부분, 상기 (B)의 감시이면 상기 윤곽부분 및 경계부분, 상기 (C)의 감시이면 상기 조사위치가 정밀도 좋게 추출될 수 있는 화상이 선택되는 것이 바람직하다. 그 때문에, 기준화상으로서는 상기 윤곽부분, 경계부분 및 조사위치가 선명하게 비치는 화상인 것이 바람직하다. 이 경우에, 기준화상으로서 예를 들면 신품의 하스라이너(24)가 비치는 화상에 있어서, 정상의 위치에 있는 탕면위치의 무게중심 부근으로 조사된 전자빔(EB)이 비치는 화상이면 좋다.As an image to be analyzed, an image which can be extracted with high precision can be selected as the image of the contour portion if the surveillance of (A) is performed, the contour portion and the boundary portion if surveillance of (B) . Therefore, as the reference image, it is preferable that the contour portion, the boundary portion, and the irradiation position are clear images. In this case, the reference image may be an image in which the electron beam EB irradiated near the center of gravity of the bath surface position at the normal position in the image of the
또한 화상선택부(16)가, 예를 들면 촬영된 각 화상에 있어서의 하스라이너(24)의 윤곽부분과, 기준화상에 있어서의 하스라이너(24)의 윤곽부분과의 상관에 의하여 해석대상화상을 선택하는 경우에, 기준화상에 있어서 상기 윤곽부분이 선명하게 비치고 있는 것이 바람직하다. 이 경우에 기준화상으로서는 신품의 하스라이너(24)가 비치는 화상이면 좋다.The
이와 같이 등록된 기준화상이 1개이더라도, 복수의 화상으로부터 각 감시에 있어서의 화상해석에서 필요로 되는 부분의 가장 취득하기 쉬운 화상을 해석대상화상으로서 선택할 수 있다. 그 때문에, 각 감시에 있어서 증착장치(2)의 상태를 정밀도 좋게 판정하는 것이 가능하게 된다.Even if there is only one reference image thus registered, it is possible to select, as the analysis target image, an image most easily obtainable from the plurality of images, which is required in the image analysis in each monitoring. Therefore, it is possible to accurately determine the state of the
[소프트웨어에 의한 실현예][Examples of realization by software]
감시장치(1)의 제어블록(특히 제어부(10)의 각 기능블록)은, 집적회로(IC칩) 등에 형성된 논리회로(하드웨어)에 의하여 실현되어도 좋고, CPU(Central Processing Unit)를 사용하여 소프트웨어에 의하여 실현되어도 좋다.The control block of the monitoring apparatus 1 (in particular, each functional block of the control section 10) may be realized by a logic circuit (hardware) formed on an integrated circuit (IC chip) or the like, .
후자의 경우에, 감시장치(1)는, 각 기능을 실현하는 소프트웨어인 프로그램의 명령을 실행하는 CPU, 상기 프로그램 및 각종 데이터가 컴퓨터(또는 CPU)로 판독할 수 있도록 기록된 ROM(Read Only Memory) 또는 기억장치(이들을 「기록매체」라고 부른다), 상기 프로그램을 전개하는 RAM(Random Access Memory) 등을 구비하고 있다. 그리고 컴퓨터(또는 CPU)가 상기 프로그램을 상기 기록매체로부터 판독하여 실행함으로써 본 발명의 목적이 달성된다. 상기 기록매체로서는, 「일시적이지 않은 유형의 매체」 예를 들면 테이프, 디스크, 카드, 반도체 메모리, 프로그래머블한 논리회로 등을 사용할 수 있다. 또한 상기 프로그램은, 상기 프로그램을 전송할 수 있는 임의의 전송매체(통신 네트워크나 방송파 등)를 통하여 상기 컴퓨터에 공급되어도 좋다. 또 본 발명의 하나의 태양은, 상기 프로그램이 전자적인 전송에 의하여 구현화된, 반송파에 실린 데이터 신호의 형태로도 실현될 수 있다.In the latter case, the
[정리][theorem]
(1)상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치는, 기판에 증착재료를 증착시킴으로써 당해 기판에 대한 성막을 하는 증착장치를 감시하는 감시장치로서, 상기 증착장치가 구비하는, 상기 증착재료를 지지하기 위한 용기를 피사체로 하여 복수 회의 촬영을 하는 촬영부와, 상기 촬영부가 촬영한 복수의 화상으로부터, 상기 용기가 비치는 화상인 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 화상선택부와, 상기 화상선택부가 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 상태판정부를 구비한다.(1) In order to solve the above problems, a monitoring apparatus according to one aspect of the present invention is a monitoring apparatus for monitoring a deposition apparatus for forming a film on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate, An image capturing unit that captures a plurality of images by using a container for supporting the evaporation material as an object, and an image analyzing unit that analyzes an image having the highest correlation with a reference image, And a state determination unit that determines the state of the deposition apparatus by analyzing the analysis object image selected by the image selection unit.
상기의 구성에 의하면, 복수 회 촬영한 용기의 화상으로부터 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택한다. 그리고 당해 해석대상화상을 사용하여 증착장치의 상태를 판정한다. 그 때문에 증착장치의 상태를 정밀도 좋게 판정하는 것이 가능하게 된다.According to the above configuration, an image having the highest correlation with the reference image is selected as an analysis object image from the image of the container captured a plurality of times. Then, the state of the deposition apparatus is determined using the analysis object image. Therefore, it is possible to determine the state of the deposition apparatus with high precision.
(2)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치에서는, 상기 (1)의 구성에 있어서, 상기 촬영부는, 상기 화상을 촬영할 때마다 촬영감도 및 셔터속도 중 적어도 어느 하나를 변경하여도 좋다.(2) In the monitoring apparatus according to one aspect of the present invention, in the configuration of (1), the photographing section may change at least one of photographing sensitivity and shutter speed every time the image is photographed.
일반적으로, 용기 자체 또는 그 주변의 밝기에 따라서는, 촬영한 화상에 비치는 용기의 콘트라스트가 저하되어 기준화상과의 대비가 곤란하게 되는 경우가 있다. 상기의 구성에 의하면, 촬영할 때마다 촬영감도 및/또는 셔터속도를 변경하기 때문에, 밝기가 서로 다른 용기를 촬영할 수 있다. 그 때문에, 기준화상과의 대비에 적합한 용기의 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 것이 가능하게 된다.In general, depending on the brightness of the container itself or its surroundings, the contrast of the container reflected in the captured image may decrease, making it difficult to compare with the reference image. According to the above configuration, since the photographing sensitivity and / or the shutter speed are changed each time the photographing is performed, it is possible to photograph the container having different brightness. Therefore, it becomes possible to select the image of the container suitable for comparison with the reference image as the analysis object image.
(3)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치에서는, 상기 (2)의 구성에 있어서, 상기 복수의 화상의 촬영을 시작한 후 종료할 때까지의 기간에 있어서, 상기 화상을 촬영하지 않는 소정기간이 설정되어 있어도 좋다.(3) In the monitoring apparatus according to one aspect of the present invention, in the above-mentioned constitution (2), in a period from the start of shooting to the end of shooting of the plurality of images, The period may be set.
상기의 구성에 의하면, 화상을 촬영하지 않는 소정기간을 설정함으로써, 기준화상과의 대비에 적합한 밝기를 갖는 용기의 화상을 취득할 가능성을 높일 수 있다.According to the above configuration, it is possible to increase the likelihood of acquiring an image of the container having a brightness suitable for contrast with the reference image by setting a predetermined period during which no image is captured.
(4)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치에서는, 상기 (2) 또는 (3)의 구성에 있어서, 상기 상태판정부는, 상기 해석대상화상에 비친 (A)상기 용기의 위치, (B)상기 용기에 공급된 증착재료의 탕면위치 및 (C)상기 용기에 있어서의, 빔출사원으로부터 출사된 전자빔의 조사위치 중 어느 하나를 해석대상으로서 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 것이고, 상기 촬영부는, 상기 해석대상에 따라 설정된 상기 촬영감도 및 상기 셔터속도로 촬영을 하여도 좋다.(4) In the monitoring apparatus according to one aspect of the present invention, in the arrangement of (2) or (3) ) Of the evaporation source supplied to the vessel and (C) the irradiation position of the electron beam emitted from the beam emission source in the vessel is analyzed as an analysis object, The photographing section may photograph at the photographing sensitivity and the shutter speed set in accordance with the object to be analyzed.
상기의 구성에 의하면, 상기 (A)∼(C)의 해석대상에 따른 촬영감도 및/또는 셔터속도로 용기를 촬영할 수 있다. 바꾸어 말하면, 각 해석대상에 따른, 기준화상과의 대비에 적합한 용기의 화상을 취득할 가능성을 높일 수 있다.According to the above configuration, the container can be photographed with the photographing sensitivity and / or the shutter speed according to the analysis objects (A) to (C). In other words, it is possible to increase the likelihood of acquiring an image of the container suitable for comparison with the reference image according to each analysis object.
(5)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치에서는, 상기 (1)∼(4) 중 어느 하나의 구성에 있어서, 상기 용기의 상태가 서로 다른 복수의 상기 기준화상이 설정되어 있고, 상기 화상선택부는, 복수의 상기 기준화상으로부터 선택한 기준화상을 사용하여, 상기 복수의 화상으로부터 상기 해석대상화상을 선택하여도 좋다.(5) In the monitoring apparatus according to one aspect of the present invention, it is preferable that the plurality of reference images having different states of the containers are set in any one of the constitutions (1) to (4) The image selection unit may select the analysis object image from the plurality of images using the reference image selected from the plurality of reference images.
상기의 구성에 의하면, 촬영한 복수의 화상을, 용기의 상태가 서로 다른 복수의 기준화상 중 적어도 1개와 대비할 수 있다. 그 때문에, 용기의 상태를 가미하여 해석대상화상을 선택하는 것이 가능하게 된다.According to the above configuration, it is possible to prepare a plurality of captured images with at least one of a plurality of reference images having different states of the container. Therefore, it becomes possible to select an analysis object image in consideration of the state of the container.
(6)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치에서는, 상기 (5)의 구성에 있어서, 상기 복수의 기준화상은, (a)상기 용기의 사용상태가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군, (b)상기 용기에 공급된 상기 증착재료의 탕면위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군, (c)소정 기준면에 대한 상기 용기의 경사로서, 소정 범위 내의 경사가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군, 및 (d)빔출사원으로부터 출사된 전자빔의, 상기 용기에 있어서의 조사위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군 중 적어도 1개이더라도 좋다.(6) In the monitoring apparatus according to one aspect of the present invention, in the arrangement of (5), the plurality of reference images may include: (a) a plurality of reference images (B) a reference image group including a plurality of reference images having different bath surface positions of the evaporation material supplied to the container, (c) a slope of the container with respect to a predetermined reference plane, (D) a reference image group including a plurality of reference images different in irradiation position in the container from electron beam emitted from the beam emission source, .
상기의 구성에 의하면, 촬영한 화상을 상기 (a)∼(d)의 기준화상군 중 적어도 1개와 대비할 수 있다. 상기 용기의 사용상태, 증착재료의 탕면위치, 용기의 경사 또는 전자빔의 조사위치를 가미하여, 해석대상화상을 선택하는 것이 가능하게 된다.According to the above configuration, the photographed image can be compared with at least one of the reference image groups (a) to (d). The image to be analyzed can be selected in consideration of the use state of the container, the bath surface position of the evaporation material, the inclination of the container, or the irradiation position of the electron beam.
(7)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시장치에서는, 상기 (6)의 구성에 있어서, 상기 상태판정부는, 상기 해석대상화상에 비친 (A)상기 용기의 위치, (B)상기 용기에 공급된 증착재료의 탕면위치 및 (C)상기 용기에 있어서의, 빔출사원으로부터 출사된 전자빔의 조사위치 중 어느 하나를 해석대상으로서 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 것이고, 상기 화상선택부는, 상기 해석대상에 따라 상기 (a)부터 (d)의 기준화상군 중 적어도 1개로부터 상기 해석대상화상을 선택할 때에 사용하는 기준화상을 선택하여도 좋다.(7) In the monitoring apparatus according to one aspect of the present invention, it is preferable that, in the arrangement of (6), the state judging section judges whether or not (A) Wherein the state of the deposition apparatus is determined by analyzing one of an irradiation position of the supplied evaporation material and an irradiation position of the electron beam emitted from the beam outgoing source in the container (C) , And a reference image to be used for selecting the analysis object image from at least one of the reference image groups (a) to (d) may be selected according to the analysis object.
상기의 구성에 의하면, 상기 (A)∼(C)의 해석대상에 따라 상기 (a)∼(d)의 기준화상군 중 적어도 1개에 포함되는 기준화상을 선택하여, 촬영한 화상과 대비하는 것이 가능하게 된다. 그 때문에, 각 해석대상에 대하여 증착장치의 상태를 정밀도 좋게 판정하는 것이 가능하게 된다.According to the above arrangement, the reference image included in at least one of the reference image groups (a) to (d) is selected according to the analysis object of (A) to (C) Lt; / RTI > Therefore, it is possible to accurately determine the state of the evaporation apparatus for each analysis target.
(8)또한 본 발명의 하나의 태양에 관한 감시방법은, 기판에 증착재료를 증착시킴으로써 당해 기판에 대한 성막을 하는 증착장치를 감시하는 감시방법으로서, 상기 증착장치가 구비하는, 상기 증착재료를 지지하기 위한 용기를 피사체로 하여 복수 회의 촬영을 하는 촬영공정과, 상기 촬영공정에서 촬영한 복수의 화상으로부터, 상기 용기가 비치는 화상인 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 화상선택공정과, 상기 화상선택공정에서 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 상태판정공정을 포함한다.(8) A monitoring method according to one aspect of the present invention is a monitoring method for monitoring a deposition apparatus for forming a film on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate, the monitoring method comprising the steps of: An image picking up step of picking up a plurality of images by taking a container for supporting a subject as a subject; and an image selecting unit that selects, as an image to be analyzed, an image having the highest correlation with a reference image, And a state determination step of determining the state of the deposition apparatus by analyzing the analysis object image selected in the image selection step.
상기의 방법에 의하면, 상기 (1)의 구성에 관한 효과와 동일한 효과를 얻는다.According to the above method, the same effect as the effect of the constitution of (1) is obtained.
또 본 발명의 각 태양에 관한 감시장치는, 컴퓨터에 의하여 실현하여도 좋으며, 이 경우에는, 컴퓨터를 상기 감시장치가 구비하는 각 부(소프트웨어 요소)로서 동작시킴으로써 상기 감시장치를 컴퓨터로 실현시키는 감시장치의 감시제어 프로그램 및 그것을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록매체도, 본 발명의 범주에 들어간다.The monitoring device according to each aspect of the present invention may be realized by a computer. In this case, by operating the computer as each unit (software element) included in the monitoring device, A monitoring control program of the apparatus and a computer readable recording medium on which the program is recorded are also included in the scope of the present invention.
[부기사항][Additions]
본 발명은 상기에서 설명한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하며, 다른 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절하게 조합시켜서 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.It is to be understood that the present invention is not limited to the embodiments described above and that various changes can be made within the scope of the claims and embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the other embodiments with the technical scope of the present invention .
1 : 감시장치
2 : 증착장치
11 : 촬영부
16 : 화상선택부
17 : 상태판정부
21 : 전자빔원(빔출사원)
24 : 하스라이너(용기)
100 : 기판
EB : 전자빔
IA : 조사위치
MA : 증착재료1: Monitoring device
2: Deposition device
11:
16: Image selection unit
17:
21: electron beam source (beam outgoing source)
24: Haas Liner (container)
100: substrate
EB: electron beam
IA: Investigation location
MA: Deposition material
Claims (9)
상기 증착장치가 구비하는, 상기 증착재료를 지지하기 위한 용기를 피사체(被寫體)로 하여 복수 회의 촬영을 하는 촬영부와,
상기 촬영부가 촬영한 복수의 화상으로부터, 상기 용기가 비치는 화상(畵像)인 기준화상과의 상관(相關)이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 화상선택부와,
상기 화상선택부가 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 상태판정부를
구비하는 것을 특징으로 하는 감시장치.
1. A monitoring apparatus for monitoring a deposition apparatus for forming a film on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate,
A photographing unit provided in the apparatus for photographing a plurality of times using a container for supporting the evaporation material as a subject;
An image selection unit that selects, from the plurality of images photographed by the photographing unit, an image having the highest correlation with a reference image that is an image of the container;
And a state determination unit that determines the state of the deposition apparatus by analyzing the analysis object image selected by the image selection unit
Wherein the monitoring device comprises:
상기 촬영부는, 상기 화상을 촬영할 때마다 촬영감도 및 셔터속도 중 적어도 어느 하나를 변경하는 것을 특징으로 하는 감시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the photographing section changes at least one of the photographing sensitivity and the shutter speed every time the image is photographed.
상기 복수의 화상의 촬영을 시작한 후 종료할 때까지의 기간에 있어서, 상기 화상을 촬영하지 않는 소정기간이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 감시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein a predetermined period during which the image is not photographed is set in a period from the start of shooting of the plurality of images to the end of shooting of the plurality of images.
상기 상태판정부는, 상기 해석대상화상에 비친 (A)상기 용기의 위치, (B)상기 용기에 공급된 증착재료의 탕면위치(湯面位置), 및 (C)상기 용기에 있어서의, 빔출사원(beam出射源)으로부터 출사된 전자빔(電子beam)의 조사위치(照射位置) 중 어느 하나를 해석대상으로서 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 것이고,
상기 촬영부는, 상기 해석대상에 따라 설정된 상기 촬영감도 및 상기 셔터속도로 촬영을 하는 것을
특징으로 하는 감시장치.
The method according to claim 2 or 3,
(A) the position of the container, (B) the bath surface position of the evaporation material supplied to the container (hot water surface position), and (C) (Irradiating position) of an electron beam (beam) emitted from a beam emitting source is analyzed as an analysis object to determine the state of the deposition apparatus,
Wherein the photographing section performs photographing with the photographing sensitivity and the shutter speed set in accordance with the object to be analyzed
Characterized by a monitoring device.
상기 용기의 상태가 서로 다른 복수의 상기 기준화상이 설정되어 있고,
상기 화상선택부는, 복수의 상기 기준화상으로부터 선택한 기준화상을 사용하여, 상기 복수의 화상으로부터 상기 해석대상화상을 선택하는 것을
특징으로 하는 감시장치.
The method according to claim 1,
A plurality of reference images having different states of the container are set,
Wherein the image selecting unit selects the image to be analyzed from the plurality of images using the reference image selected from the plurality of reference images
Characterized by a monitoring device.
상기 복수의 기준화상은,
(a)상기 용기의 사용상태가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군,
(b)상기 용기에 공급된 상기 증착재료의 탕면위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군,
(c)소정 기준면에 대한 상기 용기의 경사로서, 소정 범위 내의 경사가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군, 및
(d)빔출사원으로부터 출사된 전자빔의, 상기 용기에 있어서의 조사위치가 서로 다른 복수의 기준화상을 포함하는 기준화상군
중 적어도 1개인 것을 특징으로 하는 감시장치.
6. The method of claim 5,
The plurality of reference images may include:
(a) a reference image group including a plurality of reference images whose use states of the containers are different from each other,
(b) a reference image group including a plurality of reference images having different bath surface positions of the evaporation material supplied to the container,
(c) a reference image group including a plurality of reference images different in inclination within a predetermined range as the inclination of the container with respect to a predetermined reference plane, and
(d) a reference image group including a plurality of reference images whose irradiating positions in the container are different from each other, of the electron beam emitted from the beam emitting source
Wherein the at least one monitoring device is at least one of the plurality of monitoring devices.
상기 상태판정부는, 상기 해석대상화상에 비친 (A)상기 용기의 위치, (B)상기 용기에 공급된 증착재료의 탕면위치, 및 (C)상기 용기에 있어서의, 빔출사원으로부터 출사된 전자빔의 조사위치 중 어느 하나를 해석대상으로서 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 것이고,
상기 화상선택부는, 상기 해석대상에 따라, 상기 (a)부터 (d)의 기준화상군 중 적어도 1개로부터 상기 해석대상화상을 선택할 때에 사용하는 기준화상을 선택하는 것을
특징으로 하는 감시장치.
The method according to claim 6,
(A) the position of the container, (B) the position of the bath surface of the evaporation material supplied to the container, and (C) the position of the electron beam emitted from the beam outgoing source in the container The state of the deposition apparatus is determined by analyzing any one of the irradiation positions of the deposition apparatus,
Wherein the image selection unit selects a reference image to be used in selecting the analysis object image from at least one of the reference image groups (a) to (d) in accordance with the analysis object
Characterized by a monitoring device.
상기 증착장치가 구비하는, 상기 증착재료를 지지하기 위한 용기를 피사체로 하여 복수 회의 촬영을 하는 촬영공정과,
상기 촬영공정에서 촬영한 복수의 화상으로부터, 상기 용기가 비치는 화상인 기준화상과의 상관이 가장 높은 화상을 해석대상화상으로서 선택하는 화상선택공정과,
상기 화상선택공정에서 선택한 해석대상화상을 해석함으로써 상기 증착장치의 상태를 판정하는 상태판정공정을
포함하는 것을 특징으로 하는 감시방법.
A monitoring method for monitoring a deposition apparatus for forming a film on a substrate by depositing an evaporation material on the substrate,
A photographing step of photographing a plurality of times by using a container for supporting the evaporation material provided in the evaporation apparatus as an object;
An image selection step of selecting, as an analysis target image, an image having the highest correlation with a reference image, which is an image of the container, from a plurality of images captured in the shooting step;
A state determination step of determining the state of the deposition apparatus by analyzing the analysis object image selected in the image selection step
The monitoring method comprising:
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7248201B2 (en) * | 2020-11-30 | 2023-03-29 | コニカミノルタ株式会社 | Analyzers, inspection systems, and learning devices |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004197121A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Beam position monitoring device in electron beam deposition system |
JP2005126759A (en) | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Nec Kansai Ltd | Vacuum deposition apparatus |
JP2012137474A (en) * | 2010-12-07 | 2012-07-19 | Honda Motor Co Ltd | Method and device for recognizing work position |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3255469B2 (en) * | 1992-11-30 | 2002-02-12 | 三菱電機株式会社 | Laser thin film forming equipment |
US7439208B2 (en) * | 2003-12-01 | 2008-10-21 | Superconductor Technologies, Inc. | Growth of in-situ thin films by reactive evaporation |
JP2006352715A (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Casio Comput Co Ltd | Digital camera and exposure control method thereof |
JP2010153769A (en) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | Substrate position sensing device, substrate position sensing method, film forming device, film forming method, program, and computer readable storage medium |
TW201337013A (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-16 | Hitachi High Tech Corp | Evaporation source device, vacuum vapor deposition device and manufacturing method for organic EL display device |
JP2013211137A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Samsung Display Co Ltd | Vacuum evaporation method and apparatus of the same |
CN202692075U (en) * | 2012-08-08 | 2013-01-23 | 日立造船株式会社 | Combustion area detection device of combustion furnace |
JP6139423B2 (en) * | 2014-01-29 | 2017-05-31 | シャープ株式会社 | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method |
WO2015152217A1 (en) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | 株式会社ニコン | Substrate-processing apparatus, device manufacturing method, and method for adjusting substrate-processing apparatus |
JP2016222974A (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Vacuum deposition apparatus |
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- 2018-05-29 KR KR1020180060850A patent/KR102496604B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004197121A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Beam position monitoring device in electron beam deposition system |
JP2005126759A (en) | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Nec Kansai Ltd | Vacuum deposition apparatus |
JP2012137474A (en) * | 2010-12-07 | 2012-07-19 | Honda Motor Co Ltd | Method and device for recognizing work position |
Also Published As
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |