KR20180131279A - 알루미늄 부재의 재사용 방법 - Google Patents

알루미늄 부재의 재사용 방법 Download PDF

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KR20180131279A KR1020170068069A KR20170068069A KR20180131279A KR 20180131279 A KR20180131279 A KR 20180131279A KR 1020170068069 A KR1020170068069 A KR 1020170068069A KR 20170068069 A KR20170068069 A KR 20170068069A KR 20180131279 A KR20180131279 A KR 20180131279A
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Abstract

알루미늄 부재의 표면에 적층된 불순물층을 제거하면서도 알루미늄 부재의 표면이 과도하게 부식되는 부작용은 최소화되는 알루미늄 부재의 재사용 방법이 개시된다. 개시된 알루미늄 부재의 재사용 방법은, 순수 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 모재를 구비하고 표면에 불순물층이 적층된 알루미늄 부재를 산성 전해액에 침지(浸漬)하는 알루미늄 부재 침지 단계, 산성 전해액에 양극 전극(anode)을 침지하고, 산성 전해액에 침지된 알루미늄 부재를 음극 전극(cathode)으로 하여, 알루미늄 부재에서 불순물층이 제거되고 모재의 표면이 전부 노출될 때까지 직류 전원을 연결하고 통전(通電)시키는 음극 통전 단계, 및 모재를 산성 전해액에서 빼내고 세정하는 세정 단계를 구비한다.

Description

알루미늄 부재의 재사용 방법{Method of recycling aluminum member}
본 발명은 증착 챔버와 같이 가혹한 환경에서 사용되는 알루미늄 부재를 재사용하기 위한 처리 방법에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체칩 등을 제조하기 위한 증착 공정에는 증착 챔버(chamber)가 사용된다. 상기 증착 챔버 내에는 증착 물질을 분사하는데 사용되는 디퓨져(diffuser), 샤워헤드(shower head), 상부 전극과 같은 부품이 구비된다. 상기 증착 챔버 내의 부품은 순수 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금을 소재로 하는 알루미늄 부재이다.
증착 챔버 내에서 증착 과정 중에 증착 대상물에 부착되어 박막을 형성하는 증착 물질이 상기 증착 챔버 내의 알루미늄 부재에 부착될 수 있다. 상기 알루미늄 부재에 부착된 증착 물질 등을 제거하기 위하여 증착 챔버 내부는 주기적으로 삼불화질소(NF3) 또는 사불화질소(CF4)를 사용하여 세척된다. 상기 증착 챔버 세척 과정에서 상기 알루미늄 부재의 표면에 불화알루미늄(AlFX)이 생성된다.
한편, 증착 과정 중에 증착 챔버 내부의 알루미늄 부재는 250 내지 500℃의 고온, 및 고진공의 증착 환경에 노출된다. 이러한 가혹한 환경에서 상기 알루미늄 부재의 표면에 생성된 불화알루미늄(AlFX)이 알루미늄 부재의 표면에서 떨어져 나가 증착 챔버 내의 불순물 파티클(particle)이 증가되고, 증착 대상물에 증착된 박막의 품질이 저하된다.
따라서, 증착 박막의 품질 불량을 예방하기 위하여 상기 알루미늄 부재를 자주 교체해 주어야 하며, 이로 인해 증착 작업의 비용이 증대되고, 자원이 낭비된다. 그러므로, 상기 알루미늄 부재 표면에 생성된 불화알루미늄을 제거하고 재사용하는 처리 방법이 요구된다.
대한민국 공개특허공보 제10-2013-0105308호
본 발명은, 알루미늄 부재의 표면에 적층된 불순물층을 제거하면서도 상기 알루미늄 부재의 표면이 과도하게 부식되는 부작용은 최소화되는 알루미늄 부재의 재사용 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 증착 챔버 내에 설치되는 알루미늄 부재의 표면에 생성된 불화알루미늄을 제거하면서도, 상기 알루미늄 부재의 표면이 과도하게 부식되거나 상기 알루미늄 부재에 형성된 홀(hole)의 내경(inner diameter)이 과도하게 확대되는 부작용은 최소화되는 알루미늄 부재의 재사용 방법을 제공한다.
본 발명은, 순수 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 모재를 구비하고 표면에 불순물층이 적층된 알루미늄 부재를 산성 전해액에 침지(浸漬)하는 알루미늄 부재 침지 단계, 상기 산성 전해액에 양극 전극(anode)을 침지하고, 상기 산성 전해액에 침지된 알루미늄 부재를 음극 전극(cathode)으로 하여, 상기 알루미늄 부재에서 상기 불순물층이 제거되고 상기 모재의 표면이 전부 노출될 때까지 직류 전원을 연결하고 통전(通電)시키는 음극 통전 단계, 및 상기 모재를 상기 산성 전해액에서 빼내고 세정하는 세정 단계를 구비하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법을 제공한다.
상기 불순물층은 불화알루미늄(AlFX)(X는 자연수)으로 이루어질 수 있다.
상기 산성 전해액은 질산(HNO3) 수용액일 수 있다.
상기 양극 전극의 재질은 백금(Pt), 금(Au), 및 스테인레스스틸(stainless steel) 중 하나일 수 있다.
본 발명의 알루미늄 부재의 재사용 방법은, 상기 세정 단계 이후에, 상기 모재의 표면에 무공질(無孔質) 산화알루미늄으로 이루어지며 두께가 200 내지 700nm 인 무공질 양극 산화층을 적층하는 무공질 양극 산화층 적층 단계를 더 구비할 수 있다.
상기 무공질 양극 산화층 적층 단계는, 상기 모재를 중성 전해액(neutral electrolyte)에 침지하고, 상기 모재를 양극 전극(anode)으로 하여 상기 중성 전해액을 전기 분해하는 중성 전해액 전기 분해 단계를 구비할 수 있다.
본 발명에 의하면, 표면에 불순물층이 적층된 알루미늄 부재를 음극 전극으로 하여 산성 전해액 속에서 통전시킴으로써, 산성 전해액 속에서 불순물층이 제거되는 동안 알루미늄 부재의 모재(母材) 표면의 과도한 식각이나 국부적인 부식이 억제된다. 특히, 홀(hole)이 형성된 알루미늄 부재의 경우에 산성 전해액 내에서 상기 홀의 내경이 거의 확대되지 않으므로, 알루미늄 부재의 재사용(recycling) 가능 회수를 늘릴 수 있어 자원이 절약되고, 알루미늄 부재를 이용한 작업, 예컨대 증착 작업의 비용도 절감된다.
또한, 불순물층이 깨끗하게 제거된 모재의 표면에 양극 산화 피막과 같은 보호 피막, 또는 도금 피막을 적층하는 경우에 상기 피막의 결합력, 내식성과 같은 피막의 품질이 향상되고, 내구성이 향상된다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 부재의 재사용 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 부재의 재사용 방법을 상세하게 설명한다. 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자 또는 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 부재의 재사용 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다. 도 1에는 본 발명에 따른 알루미늄 부재의 재사용 방법이 적용될 알루미늄 부재(10A)의 일 예가 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 상기 알루미늄 부재(10A)는 예컨대, 증착 챔버 내의 디퓨져(diffuser), 샤워헤드(shower head)일 수 있다. 상기 알루미늄 부재(10A)는 표면에 적층된 불순물층(17)과, 상기 불순물층(17)에 의해 가려진 모재(11)를 구비한다.
상기 모재(11)는 순수 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(aluminum alloy)으로 이루어진다. 상기 알루미늄 합금은 알루미늄(Al)을 주재료로 포함하고 알루미늄이 아닌 금속이 소량 포함된 금속으로서, 상기 알루미늄이 아닌 금속은, 예컨대, 규소(Si), 철(Fe), 구리(Cu), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni) 중 적어도 하나일 수 있다. 알루미늄 합금은 100% 조성의 순수 알루미늄에 비해 예컨대, 강도(strength) 등의 물리적 성질이 우수하므로, 증착 챔버 내의 가혹한 환경에서 사용하기에 보다 적합하다. 상기 알루미늄 부재(10A)에는 상기 모재(11)를 두께 방향으로 관통하며, 내경(HD)이 0.1 내지 1mm 인 복수의 홀(hole)(15)이 형성될 수 있다.
상기 불순물층(17)은 예컨대, 불화알루미늄(AlFX)(X는 자연수)으로 이루어질 수 있다. 부연하면, 알루미늄 부재(10A)가 예컨대, 증착 챔버 내의 디퓨져 또는 샤워헤드인 경우, 증착 챔버 내에서 증착 과정 중에 증착 대상물에 부착되어 박막을 형성하는 증착 물질이 상기 알루미늄 부재(10A)에 부착될 수 있다. 삼불화질소(NF3) 또는 사불화질소(CF4)를 사용하여 증착 챔버 내부를 세척하는 과정에서 상기 증착 물질은 알루미늄 부재(10A)의 표면에서 분리되나, 대신에 상기 알루미늄 부재의 표면에 불화알루미늄(AlFX)으로 이루어진 불순물층(17)이 생성 적층될 수 있다. 상기 불순물층(17)은 홀(15)의 내부에도 적층될 수 있다.
증착 챔버 내부 세척 후에 증착 작업이 다시 실시되면, 증착 챔버 내부의 알루미늄 부재(10A)는 고온 및 고진공의 가혹한 환경에 방치되는데, 이때 상기 불순물층(17)이 갈라져 크랙(crack)(18a, 18b)이 발생할 수도 있다. 참조번호 '118a'1는 불순물층(17)의 일부가 알루미늄 부재(10A)에서 떨어져나가 모재(11)의 표면이 일부 노출되는 대형 크랙을 나타내고, 참조번호 '118b'1는 모재(11)의 표면은 노출되지 않고 불순물층(17)의 표면만 미세하게 갈라진 소형 크랙을 나타낸다.
한편, 도 1에 도시된 알루미늄 부재(10A)는 모재(11)와, 모재(11)의 표면에 적층된 불순물층(17)만으로 이루어진 것이지만, 본 발명의 알루미늄 부재 재사용 방법을 적용할 수 있는 알루미늄 부재가 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 모재와 불순물층 사이에 산화알루미늄으로 이루어진 양극 산화층이 적층된 알루미늄 부재가 본 발명에 적용될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른, 알루미늄 부재의 재사용 방법은, 알루미늄 부재 침지 단계(S10), 음극 통전 단계(S20), 및 세정 단계(S30)를 구비한다. 도 2는 상기 알루미늄 부재 침지 단계(S10) 및 음극 통전 단계(S20)를 설명하기 위한 도면으로서, 도 2를 참조하면, 상기 알루미늄 부재 침지 단계(S10)는 상기 불순물층(17)(도 1 참조)이 표면에 적층된 알루미늄 부재(10A)를 산성 전해액(5)에 침지(浸漬)하는 단계이다. 욕조(2)에 채워지는 산성 전해액(5)은 예컨대, 질산(HNO3) 수용액일 수 있다. 상기 산성 전해액(5)에 독성이 강한 불산(HF)은 포함되지 않는다. 구체적으로, 1 내지 90 wt% 농도 및 -5 내지 20℃ 온도의 질산 수용액에 상기 알루미늄 부재(10A)를 1 내지 3시간 동안 침지할 수 있다.
상기 음극 통전 단계(S20)는 산성 전해액(5)에 양극 전극(anode)(3)을 침지하고, 산성 전해액(5)에 침지된 알루미늄 부재(10A)를 음극 전극(cathode)으로 하여, 상기 알루미늄 부재(10A)에서 상기 불순물층(17)(도 1 참조)이 제거되고 모재(11)(도 1 참조)의 표면이 전부 노출될 때까지 직류 전원(7)을 연결하고 통전(通電)시키는 단계이다. 순수 알루미늄이나 알루미늄 합금의 표면에 양극 산화층을 형성하기 위한 알루미늄 아노다이징(anodizing)의 경우에는 알루미늄 부재를 양극 전극으로 사용하지만, 본원 발명의 알루미늄 부재 재사용 방법에서는 상기 알루미늄 부재(10A)를 음극 전극으로 사용한다.
한편, 상술한 모재와 불순물층 사이에 산화알루미늄으로 이루어진 양극 산화층이 적층된 알루미늄 부재 음극 전극으로 하여 상기 음극 통전 단계(S20)를 진행하는 경우에는 상기 불순물층뿐만 아니라 상기 양극 산화층까지 모두 제거되고 모재의 표면이 전부 노출될 때까지 음극 통전 단계(S20)가 지속된다.
직류 전원(7)을 연결하고 통전시키면 음극 전극인 알루미늄 부재(10A)로 전자(electron)가 공급되고, 상기 전자가 알루미늄 부재(10A) 주변에서 산성 전해액(5)의 수소 이온(H+)과 결합하여 수소(H2)가 생성된다. 또한, 상기 모재(11)(도 1 참조)를 구성하는 알루미늄(Al)에서 전자 방출이 억제되므로, 음극 통전 단계(S20) 동안에는 모재(11)의 알루미늄 성분이 산성 전해액(5)으로 방출되어 모재(11) 표면이 부식되는 현상이 억제되고, 모재(11) 표면에 산화 반응에 의한 산화막 형성이 억제된다. 그러나, 상기 불순물층(17)(도 1 참조)은 산성 전해액에 의해 활발하게 식각된다. 따라서, 알루미늄 부재(10A)가 산성 전해액(5) 속에 침지된 상태에서도 모재(11) 표면의 과도한 식각이나 국부적인 부식이 억제되고, 불순물층(17)만 깨끗하게 제거될 수 있다.
양극 전극(3)의 재질은 백금(Pt), 금(Au), 및 스테인레스스틸(stainless steel) 중 하나일 수 있다. 상기 음극 통전 단계(S20)에서는 전위차에 의해 양극 전극(3)에서 직류 전원(7) 방향으로 전자가 공급된다. 그런데, 양극 전극이 반응성이 큰 금속으로 이루어진 경우 상기 양극 전극이 분해되거나 양극 전극 표면에 산화막이 형성되어 통전(通電)을 방해할 수 있다. 따라서, 반응성이 거의 없는 백금(Pt), 금(Au), 또는 스테인레스스틸이 양극 전극의 재질로 적용될 수 있다.
상기 세정 단계(S30)는 불순물층(17)(도 1 참조)이 제거된 알루미늄 부재(10A), 즉 모재(11)(도 1 참조)를 산성 전해액(5)에서 빼내고 세정하는 단계이다. 세정 단계(S30)를 통해 모재(11) 표면에 잔존하는 산성 전해액이 제거된다. 도 3에는 세정 단계(S30) 직후에 불순물층(17)이 제거된 모재(11)가 도시된다.
도 4에는 불순물층(17)(도 1 참조)이 제거된 모재(11)와, 상기 모재(11)의 표면에 적층된 무공질 양극 산화층(20)을 구비한 알루미늄 부재(10B)가 도시된다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 알루미늄 부재의 재사용 방법은, 세정 단계(S30) 이후에 모재(11)의 표면에 무공질(無孔質) 산화알루미늄으로 이루어지며 두께(AT)가 200 내지 700nm 인 무공질 양극 산화층(20)을 적층하는 무공질 양극 산화층 적층 단계(S40)를 더 구비한다. 무공질 양극 산화층(20)은 알루미늄 부재(10B)의 내식성을 향상시켜주는 보호 피막으로서 기능한다. 따라서, 본 발명에 따른 알루미늄 부재 재사용 방법을 적용하기 전의 알루미늄 부재(10A)(도 1 참조)보다 본 발명에 따른 알루미늄 부재 재사용 방법을 적용한 알루미늄 부재(10B)의 내식성이 향상된다.
상기 무공질 양극 산화층 적층 단계(S40)는 모재(11)를 중성 전해액(neutral electrolyte)에 침지하고, 상기 모재(11)를 양극 전극(anode)으로 하여 상기 중성 전해액을 전기 분해하는 중성 전해액 전기 분해 단계를 구비한다. 상기 중성 전해액은 예컨대, 붕산(boric acid), 붕산염(borate), 인산염(phosphate), 아디프산염(adipate)과 같은 중성 전해질의 수용액이다. 상기 중성 전해액에는 복수 종류의 중성 전해질이 포함될 수도 있다.
전기 분해의 구체적인 조건을 예를 들면, 중성 전해액에 포함된 중성 전해질의 농도는 1 내지 200g/l 일 수 있다. 중성 전해액의 온도는 50 내지 90℃ 일 수 있다. 양극 전극과 음극 전극 간 전압은 직류 30 내지 50V 일 수 있다. 전기 분해 시간은 무공질 양극 산화층(20)의 두께(AT)에 따라 달라지며, 짧게는 1분 이내, 길게는 30분 이내일 수 있다.
상기 중성 전해액 전기 분해는 배리어 타입 아노다이징(barrier type anodizing)이라 불리기도 한다. 산성 전해액(acidic electrolyte)에 모재를 침잠시켜 전기 분해하는, 일반적인 다공성 아노다이징(porous anodizing)에 의해 형성된 양극 산화층은 다공질(多孔質) 양극 산화층으로서, 표면에 다수의 기공이 형성되고, 두께가 수십 마이크로미터(㎛)이며, 조직이 치밀하지 않다. 그러나, 상기 중성 전해액 전기 분해를 통해 형성된 양극 산화층(20)은 무공질(無孔質) 양극 산화층으로서, 표면에 기공이 형성되지 않고, 두께(AT)가 수십 내지 수백 나노미터(nm)로 얇으며, 조직이 치밀하여, 상기 다공질 양극 산화층보다 가혹한 환경에 견디는 내식성이 우수하다.
상기 무공질 양극 산화층(20)은 두께(AT)가 얇아서 모재(11)에 형성된 내경(HD)이 0.1 내지 1mm 인 홀(hole)(15)의 내주면에도 적층된다. 따라서, 상기 홀(15) 내주면의 깊은 지점도 가혹한 환경에 의한 침식과 손상으로부터 보호된다. 상기 무공성 양극 산화층(20)의 두께(AT)는 200 내지 700nm 이고, 상기 홀(15)의 내경(HD)은 이보다 매우 큰 0.1 내지 1mm 이므로, 상기 무공성 양극 산화층(20)에 의해 상기 홀(15)의 입구가 폐쇄되지 않는다.
상기 무공질 양극 산화층 적층 단계(S40) 이후에, 진공 환경 또는 질소 기체가 채워진 환경에서 상기 무공질 양극 산화층(20)이 적층된 모재(11)를 열처리하는 열처리 단계가 추가로 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 무공질 양극 산화층(20)이 적층된 모재(11)를 200 내지 500℃ 온도에서 방치하여 열처리할 수 있다. 열처리 시간은 온도가 높을수록 짧아질 수 있다. 열처리 단계의 다른 예로서, 상기 무공질 양극 산화층(20)이 적층된 모재(11)를 500℃ 보다 높은 고온에서 30초 이내의 시간 동안 방치하는 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 적용할 수 있다. 500℃ 보다 높은 고온으로 열처리하는 경우에 상기 모재(11)를 고온에서 너무 오랜 시간 방치하면 알루미늄 합금으로 이루어진 모재(11)에 변형이 올 수도 있으므로, 이를 예방하기 위하여 짧은 시간 동안만 열처리하게 된다. 상기 열처리 단계를 통하여 무공질 양극 산화층(20)에 함유된 수분이 제거되고 재질의 밀도가 증가하므로, 무공질 양극 산화층(20)의 내식성이 더욱 향상된다.
알루미늄 부재(10B) 표면의 보호 피막으로서 기능하는 무공질 양극 산화층(20)은 소위, 배리어 타입(barrier type) 양극 산화층으로서 다공질 양극 산화층보다 두께가 얇고 조직이 치밀하다. 따라서, 고온, 고진공, 강산성 가스(strong acid gas) 노출 등의 가혹한 작업 환경에서도 알루미늄 부재(10B)의 표면 부식, 표면 갈라짐, 표면에서 파티클(particle) 분리 등과 같은 표면 손상이 억제된다.
특히, 증착 챔버 내에 설치되는 디퓨져, 샤워헤드 등과 같이 내경(HD)이 0.1 내지 1mm 인 복수의 홀(hole)(15)을 갖는 알루미늄 부재(10)의 경우에도, 상기 홀(15)의 내주면에 조직이 치밀한 무공질 양극 산화층(20)이 적층되므로 가혹한 작업 환경에서 상기 홀(15) 내주면 측의 표면 손상이 억제된다.
이상에서 설명한 본 발명의 알루미늄 부재 재사용 방법은, 표면에 불순물층(17)이 적층된 알루미늄 부재(10A)를 음극 전극으로 하여 산성 전해액(5) 속에서 통전시킴으로써, 산성 전해액(5) 속에서 불순물층(17)이 제거되는 동안 알루미늄 부재(10A)의 모재(母材)(11) 표면의 과도한 식각이나 국부적인 부식이 억제된다. 특히, 홀(hole)(15)이 형성된 알루미늄 부재(10A)의 경우에 산성 전해액(5) 내에서 상기 홀(15)의 내경(HD)이 거의 확대되지 않으므로, 알루미늄 부재의 재사용(recycling) 가능 회수를 늘릴 수 있어 자원이 절약되고, 알루미늄 부재를 이용한 작업, 예컨대 증착 작업의 비용도 절감된다.
또한, 불순물층(17)이 깨끗하게 제거된 모재(11)의 표면에 양극 산화 피막과 같은 보호 피막, 또는 도금 피막을 적층하는 경우에 상기 피막의 결합력, 내식성과 같은 피막의 품질이 향상되고, 내구성이 향상된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
3: 양극 전극 5: 산성 전해액
7: 직류 전원 10A, 10B: 알루미늄 부재
11: 모재 15: 홀(hole)
17: 불순물층 20: 무공질 양극 산화층

Claims (6)

  1. 순수 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 모재를 구비하고 표면에 불순물층이 적층된 알루미늄 부재를 산성 전해액에 침지(浸漬)하는 알루미늄 부재 침지 단계;
    상기 산성 전해액에 양극 전극(anode)을 침지하고, 상기 산성 전해액에 침지된 알루미늄 부재를 음극 전극(cathode)으로 하여, 상기 알루미늄 부재에서 상기 불순물층이 제거되고 상기 모재의 표면이 전부 노출될 때까지 직류 전원을 연결하고 통전(通電)시키는 음극 통전 단계; 및,
    상기 모재를 상기 산성 전해액에서 빼내고 세정하는 세정 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 불순물층은 불화알루미늄(AlFX)(X는 자연수)으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 산성 전해액은 질산(HNO3) 수용액인 것을 특징으로 하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 양극 전극의 재질은 백금(Pt), 금(Au), 및 스테인레스스틸(stainless steel) 중 하나인 것을 특징으로 하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 세정 단계 이후에, 상기 모재의 표면에 무공질(無孔質) 산화알루미늄으로 이루어지며 두께가 200 내지 700nm 인 무공질 양극 산화층을 적층하는 무공질 양극 산화층 적층 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 무공질 양극 산화층 적층 단계는, 상기 모재를 중성 전해액(neutral electrolyte)에 침지하고, 상기 모재를 양극 전극(anode)으로 하여 상기 중성 전해액을 전기 분해하는 중성 전해액 전기 분해 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄 부재의 재사용 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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