KR20180130642A - 화학기상 증착장치 - Google Patents

화학기상 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180130642A
KR20180130642A KR1020170066330A KR20170066330A KR20180130642A KR 20180130642 A KR20180130642 A KR 20180130642A KR 1020170066330 A KR1020170066330 A KR 1020170066330A KR 20170066330 A KR20170066330 A KR 20170066330A KR 20180130642 A KR20180130642 A KR 20180130642A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grounding
strap bar
ground
sub
susceptor
Prior art date
Application number
KR1020170066330A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102399343B1 (ko
Inventor
최재혁
박종훈
민경주
박원웅
정석원
주현우
허명수
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170066330A priority Critical patent/KR102399343B1/ko
Priority to US15/990,051 priority patent/US11214870B2/en
Publication of KR20180130642A publication Critical patent/KR20180130642A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102399343B1 publication Critical patent/KR102399343B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02592—Microstructure amorphous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R9/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, e.g. terminal strips or terminal blocks; Terminals or binding posts mounted upon a base or in a case; Bases therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R9/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, e.g. terminal strips or terminal blocks; Terminals or binding posts mounted upon a base or in a case; Bases therefor
    • H01R9/16—Fastening of connecting parts to base or case; Insulating connecting parts from base or case

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

화학기상 증착장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되며 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터의 상부에 배치된 가스 분배부, 상기 챔버의 바닥면에 배치되고 상기 챔버에 전기적으로 연결된 제1 접지 스트랩바, 상기 서셉터의 하면에 배치되고 상기 서셉터에 전기적으로 연결된 제2 접지 스트랩바, 상기 제1 접지 스트랩바 및 상기 제2 접지 스트랩바에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 접지 스트랩바에 고정된 일단 및 상기 제2 접지 스트랩바에 고정된 타단을 각각 포함하는 복수 개의 접지 스트랩들을 포함한다.

Description

화학기상 증착장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE}
본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 방식을 이용한 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
표시장치의 제조공정은 기판 표면에 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 포토리소그라피(photolithography)공정, 및 식각(etching)공정 등이 있다. 예시적으로, 박막증착공정은 스퍼터링 증착 방식(sputtering)과 화학기상증착 방식(Chemical Vapor Deposition: CVD)이 있다. 스퍼터링 방식은 스박막입자를 직접적으로 기판에 충돌 및 흡착 시키는 물리적 증착 방식이다. 화학기상증착 방식은 기판 상부에서 라디컬(radical)의 화학반응을 유도하여 그 반응결과물인 박막입자를 낙하 및 흡착시키는 증착 방식이다. 특히, 화학기상 증착 방식으로, 플라즈마(plazma)의 높은 에너지와 풍부한 라디컬을 이용하는 플라즈마 화학기상증착이 사용된다.
본 발명의 목적은 챔버 내에 접지 스트랩의 부착이 용이한 화학기상 증착장치를 제공하는 데 있다.
본 발명을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 화학기상 증착장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되며 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터의 상부에 배치된 가스 분배부, 상기 챔버의 바닥면에 배치되고 상기 챔버에 전기적으로 연결된 제1 접지 스트랩바, 상기 서셉터의 하면에 배치되고 상기 서셉터에 전기적으로 연결된 제2 접지 스트랩바, 상기 제1 접지 스트랩바 및 상기 제2 접지 스트랩바에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 접지 스트랩바에 고정된 일단 및 상기 제2 접지 스트랩바에 고정된 타단을 각각 포함하는 복수 개의 접지 스트랩들을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 접지 스트랩들의 제1 영역들을 각각 커버하며 상기 제1 접지 스트랩바 상에 고정되는 복수 개의 제1 접지 블록들을 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 접지 블록들 각각에는 적어도 하나의 제1 접지 블록홀이 정의되며, 상기 제1 접지 스트랩바에는 상기 제1 접지 블록홀에 중첩하는 제1 스트랩홈이 정의되며, 상기 블록홀과 상기 스트랩홈에 삽입된 제1 볼트에 의해 상기 제1 접지 블록들과 상기 제1 접지 스트랩바가 고정된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역들에는 상기 제1 스트랩홈에 중첩하는 개구홀이 정의된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 접지 스트랩들의 제2 영역들을 각각 커버하며 상기 제2 접지 스트랩바 상에 고정되는 복수 개의 제2 접지 블록들을 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제2 접지 블록들 각각에는 적어도 하나의 제2 접지 블록홀이 정의되며, 상기 제2 접지 스트랩바에는 상기 제2 접지 블록홀에 중첩하는 제2 스트랩홈이 정의되며, 상기 제2 접지 블록홀과 상기 제2 스트랩홈에 삽입된 제2 볼트에 의해 상기 제2 접지 블록들과 상기 제2 접지 스트랩바가 고정된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 접지 스트랩바 및 상기 제2 접지 스트랩바 각각은 복수 개로 제공되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 접지 스트랩바는, 제1 방향에서 서로 마주보며 이격된 제1 서브 접지 스트랩바와 제2 서브 접지 스트랩바, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 서로 마주보며 이격된 제3 서브 접지 스트랩바와 제4 서브 접지 스트랩바를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 서브 접지 스트랩바들 중 어느 하나는 서로 분리된 적어도 두 개 이상의 서브 접지 스트랩바들을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제2 접지 스트랩바는, 상기 제1 방향에서 서로 마주보며 이격된 제5 서브 접지 스트랩바와 제6 서브 접지 스트랩바, 상기 제2 방향에서 서로 마주보며 이격된 제7 서브 접지 스트랩바와 제8 서브 접지 스트랩바를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 서브 접지 스트랩바와 상기 제3 서브 접지 스트랩바는 일체 형상으로 제공되며, 상기 제2 서브 접지 스트랩바와 상기 제4 서브 접지 스트랩바는 일체 형상으로 제공된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 접지 스트랩바에는 적어도 하나의 제1 볼트 홀이 정의되며, 상기 챔버의 상기 바닥면에는 상기 제1 볼트 홀에 중첩하는 제1 볼트 홈이 정의되고, 상기 제1 볼트 홀과 상기 제1 볼트 홈에 삽입된 제1 바디 볼트에 의해 상기 제1 접지 스트랩바와 상기 바닥면이 고정된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제2 접지 스트랩바에는 적어도 하나의 제2 볼트 홀이 정의되며, 상기 서셉터의 상기 하면에는 상기 제2 볼트 홀에 중첩하는 제2 볼트 홈이 정의되고, 상기 제2 볼트 홀과 상기 제2 볼트 홈에 삽입된 제2 바디 볼트에 의해 상기 제2 접지 스트랩바와 상기 하면이 고정된다.
본 발명을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치는 서로 마주보며 이격된 상부면 및 바닥면과 상기 상부면 및 상기 바닥면을 연결하는 측면을 포함하는 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되며 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터의 상부에 배치된 가스 분배부, 상기 바닥면에 정의된 복수 개의 제1 홈들에 각각 삽입된 복수 개의 제1 고정 클립들, 상기 고정 클립들 및 상기 서셉터를 전기적으로 연결되며, 상기 고정 클립들에 고정된 일단 및 상기 서셉터에 고정된 타단을 각각 포함하는 복수 개의 접지 스트랩들을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 서셉터의 하면에 배치되고 상기 서셉터에 전기적으로 연결된 접지 스트랩바를 더 포함하고, 상기 접지 스트랩들의 상기 타단들은 상기 접지 스트랩바에 고정된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 접지 스트랩들의 일 영역들을 각각 커버하며 상기 접지 스트랩바 상에 고정되는 복수 개의 접지 블록들을 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 서셉터의 하면에 정의된 복수 개의 제2 홈들에 각각 삽입된 복수 개의 제2 고정 클립들을 더 포함하고, 상기 접지 스트랩들의 상기 타단들은 상기 제2 고정 클립들에 고정된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 복수 개의 접지 스트랩들이 접지 스트랩바에 부착된 후, 챔버 내에 접지 스트랩바가 배치될 수 있다. 즉, 접지 스트랩들 각각이 챔버 내에 배치되는 공정이 아닌, 접지 스트랩들이 동시에 챔버 내에 배치될 수 있다.
그 결과, 접지 스트랩을 챔버 내에 배치하는 공정이 용이하며, 공정 시간 또한 단축될 수 있다.
도 1는 본 발명의 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 접지 스트랩바가 챔버 내부에 결합되는 구조를 보여준다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1에 도시된 AA 영역을 확대한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 도 1에 도시된 AA 영역을 확대한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 BB 영역을 확대한 확대도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 사시도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들 의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 사시도이다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 화학기상 증착장치(CVD)는 플라즈마 화학기상 증착장치 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)로 제공될 수 있다. 이하, 본 발명의 화학기상 증착장치는 플라즈마 화학기상 증착장치(PECVD)인 것으로 설명될 수 있다. 화학기상 증착장치(CVD)는 집적회로 장치, 표시장치, 태양전지 등에 적용된 기판을 제조하는 반도체 제조공정에 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 화학기상 증착장치(CVD)는 챔버(CB), 서셉터(SP), 제1 접지 스트랩바(BS1), 제2 접지 스트랩바(BS2), 제1 접지 블록(BK1), 제2 접지 블록(BK2), 접지 스트랩(GDS), 가스 주입부(GSI), 가스 분배부(GSD), 및 가스 배출부(GSE)를 포함한다.
챔버(CB)는 상부면(US), 바닥면(DS), 및 상부면(US)과 바닥면(DS)을 연결하는 측면(SW)을 포함한다. 챔버(CB)는 화학기상 증착장치(CVD)의 동작에 필요한 구성들이 배치될 내부 공간을 포함할 수 있다.
특히, 화학기상 증착장치(CVD)의 동작 시에 챔버(CB)의 내부 공간은 외부와 밀폐될 수 있다. 이 경우, 가스 주입부(GSI) 및 가스 배출부(GSE)는 외부 공기의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만 기판의 이송 등을 위해 챔버(CB)의 일 부분이 개폐될 수 있다. 이 경우, 챔버(CB)의 측면(SW) 중 어느 일 부분이 개폐될 수 있다.
챔버(CB)의 상부면(US)에는 가스 주입부(GSI) 및 가스 분배부(GSD)가 배치될 수 있다. 가스 주입부(GSI)는 챔버(CB)의 상부면(US)을 관통하여, 챔버(CB)의 내부 공간에 공정 가스를 주입한다. 이 경우, 가스 주입부(GSI)의 일 영역은 챔버(CB) 내에 배치될 수 있으며, 다른 영역은 챔버(CB) 외부에 배치될 수 있다.
예시적으로, 공정 가스는 실리콘 질화막의 증착을 위해 SiH4, NH3, N2의 혼합 기체를 포함할 수 있으며, 비정질 실리콘막의 증착을 위해 SiH4, H2의 기체를 포함할 수 있다. 또한, 인(P)을 도핑하여 전자 이동도를 높이는 불순물 비정질 실리콘막(n+a-Si)의 형성 시에, 비정질 실리콘용 공정 가스에 PH3가 첨가될 수 있다. 실리콘 산화막의 증착을 위해서는 TEOS(Tetraethyl Orthosilicate), Si(OC2H5), O2 의 혼합 기체가 사용될 수 있다.
가스 분배부(GSD)는 기판(ST)과 대향하도록 챔버(CB)의 상부면(US)에 결합될 수 있다. 가스 분배부(GSD)는 가스 주입부(GSI)로부터 주입된 공정 가스를 기판(ST)을 향해 전달할 수 있다. 실시 예에 따르면, 가스 분배부(GSD)에는 복수 개의 관통홀들이 정의될 수 있으며, 관통홀들을 통해 기판(ST)으로 공정 가스가 균일하게 전달될 수 있다.
도시되지 않았지만, 챔버(CB)의 상부면(US)에는 고주파 전원이 인가되는 전극판이 더 배치될 수 있다. 전극판은 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다. 전극판은 가스 분배부(GSD)와 전기적으로 연결될 수 있다. 서셉터(SP)는 접지에 연결된다.
전극판에 인가된 고주파 전원에 의해, 가스 분배부(GSD)와 서셉터(SP) 사이에 플라즈마가 형성될 수 있다. 즉, 전극판과 서셉터(SP) 간의 전위차에 의해 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다. 그 결과, 플라즈마의 높은 에너지와 라디칼의 화학반응 결과물이 기판(ST) 표면으로 낙하, 흡착되어 박막으로 증착된다.
가스 배출부(GSE)는 챔버(CB)의 바닥면(DS) 중 일부를 관통하며, 바닥면(DS) 상에 결합될 수 있다. 가스 배출부(GSE)는 챔버(CB)의 내부 공간에 유입된 공정 가스를 챔버(CB) 외부로 배출할 수 있다.
서셉터(SP)는 기판(ST)을 지지할 수 있다. 예시적으로, 기판(ST)은 유리 기판, 반도체 기판, 유전체 기판, 폴리머, 옷감, 및 금속 기판 등을 포함할 수 있다. 서셉터(SP)는 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다.
서셉터(SP)는 기판(ST)을 지지하는 제1 서셉터(SP1) 및 제1 서셉터(SP1)에 연결되어 챔버(CB)의 바닥면(DS)을 관통하는 제2 서셉터(SP2)를 포함한다. 제1 서셉터(SP1) 및 제2 서셉터(SP2)는 서로 분리된 형상으로 제공되거나, 일체 형상으로 제공될 수 있다. 제1 서셉터(SP1)는 기판(ST)이 배치되는 상면(SUP) 및 제2 서셉터(SP2)가 연결되는 하면(SDN)을 포함한다. 제1 서셉터(SP1) 및 제2 서셉터(SP2) 간의 결합 구조는 화학기상 증착장치(CVD)에 포함된 구성에 따라 다양하게 변경 가능하다.
제1 서셉터(SP1)는 기판(ST)을 지지하기 위해, 사각형 형상 또는 원형 형상의 플레이트일 수 있다. 도시되지 않았지만, 제1 서셉터(SP1)는 기판(ST)을 가열할 수 있는 히팅 라인 및 냉각할 수 있는 냉각라인을 포함할 수 있다.
제2 서셉터(SP2)는 제1 서셉터(SP1)의 중앙 영역에 연결되어, 제1 서셉터(SP1)를 지지할 수 있다. 제2 서셉터(SP2)는 원기둥 또는 사각 기둥의 형상으로 제공될 수 있다.
특히, 제2 서셉터(SP2)는 수직 상승하거나 수직 하강함으로써, 기판(ST)을 공정 위치에 도달시킬 수 있다. 이 경우, 제1 서셉터(SP1)는 제2 서셉터(SP2)의 움직임에 따라, 동일한 방향으로 이동될 수 있다. 예를 들어, 챔버(CB)의 측면(SW)을 통해 기판(ST)이 외부 공간에서 챔버(CB) 내부 공간으로 이송될 경우, 제2 서셉터(SP2)는 수직 상승할 수 있다. 그 결과, 제1 서셉터(SP1) 상에 기판(ST)이 배치될 수 있다. 이 후, 제2 서셉터(SP2)가 하강함으로써 기판(ST)이 공정 위치로 도달될 수 있다.
그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 기판(ST)이 외부 공간에서 챔버(CB) 내부 공간으로 이송될 경우, 제2 서셉터(SP2)는 수직 하강할 수 있다. 그 결과, 제1 서셉터(SP1) 상에 기판(ST)이 배치될 수 있다. 이 후, 제2 서셉터(SP2)가 상승함으로써 기판(ST)이 공정 위치로 도달될 수 있다.
한편, 서셉터(SP)와 가스 분배부(GSD) 간의 플라즈마 형성을 위해 서셉터(SP)가 접지에 연결될 필요성이 있다. 이 경우, 제2 서셉터(SP2)는 챔버(CB)의 바닥면(DS)에 결합되어, 바닥면(DS)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 챔버(CB)는 전도성 물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 챔버(CB)는 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다. 특히, 챔버(CB)의 일 영역은 외부의 접지 단자(GD)와 전기적으로 연결될 수 있다.
즉, 기판(ST)을 통해 고주파 전원이 서셉터(SP)로 전달되고, 서셉터(SP)로 전달된 고주파 전원이 챔버(CB)로 전달될 수 있다. 그 결과, 챔버(CB)에 전도된 고주파 전원이 접지 단자(GD)로 전달될 수 있다.
그러나, 기판(ST)을 통해 서셉터(SP)로 전달된 고주파 전원이 제2 서셉터(SP2)를 통해 챔버(CB)에 완전히 전달되지 않는 경우가 발생할 수 있다. 이 경우, 아크 방전(arc discharge)이 일어날 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 화학기상 증착장치(CVD)는 제1 접지 스트랩바(BS1), 제1 접지 블록(BK1), 제2 접지 스트랩바(BS2), 제2 접지 블록(BK2), 및 접지 스트랩(GDS)을 포함할 수 있다.
제1 접지 스트랩바(BS1), 제1 접지 블록(BK1), 제2 접지 스트랩바(BS2), 제2 접지 블록(BK2), 및 접지 스트랩(GDS) 각각은 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다.
자세하게, 제1 접지 스트랩바(BS1)는 챔버(CB)의 바닥면(DS) 상에 배치되고, 제1 접지 블록(BK1)은 제1 접지 스트랩바(BS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 접지 스트랩바(BS2)는 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN) 상에 배치되고, 제2 접지 블록(BK2)은 제2 접지 스트랩바(BS2) 상에 배치될 수 있다.
접지 스트랩(GDS)은 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제2 접지 스트랩바(BS2) 사이에 배치되어, 전기적으로 연결될 수 있다. 접지 스트랩(GDS)은 곡률을 가지며 휘어질 수 있으며, 제2 서셉터(SP2)의 수직 운동에 기반하여, 곡률 특성이 달라질 수 있다.
접지 스트랩(GDS)의 일 영역은 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제1 접지 블록(BK1) 사이에 고정될 수 있다. 즉, 제1 접지 블록(BK1)은 접지 스트랩(GDS)의 일 영역을 커버하며 제1 접지 스트랩바(BS1) 상에 고정될 수 있다.
접지 스트랩(GDS)의 다른 영역은 제2 접지 스트랩바(BS2) 및 제2 접지 블록(BK2) 사이에 고정될 수 있다. 즉, 제2 접지 블록(BK2)은 접지 스트랩(GDS)의 다른 영역을 커버하며 제2 접지 스트랩바(BS2) 상에 고정될 수 있다. 여기서, 접지 스트랩(GDS)의 일 영역 및 다른 영역은 접지 스트랩의 일단 및 타단에 인접한 영역을 각각 의미한다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 접지 스트랩(GDS)은 복수 개로 제공될 수 있으며, 제1 접지 블록(BK1)은 접지 스트랩(GDS)의 개수에 대응하여 복수 개로 제공될 수 있다. 제2 접지 블록(BK2) 역시 접지 스트랩(GDS)의 개수에 대응하여 복수 개로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 복수 개의 접지 스트랩들(GDS)은 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제2 접지 스트랩바(BS2)에 각각 체결된 후, 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제2 접지 스트랩바(BS2)가 챔버(CB) 내에 결합될 수 있다. 즉, 기존의 경우, 본 발명의 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제2 접지 스트랩바(BS2)의 구성 없이, 각 접지 스트랩을 볼트를 이용하여 직접적으로 챔버 및 서셉터에 고정시켰다. 이 경우, 복수 개의 접지 스트랩들 각각을 볼트를 이용하여 챔버 및 서셉터 내부에 연결하기 위한 공정 시간도 많이 걸리며, 공정에도 어려움이 있었다.
본 발명에 따르면, 챔버(CB) 외부에서 복수 개의 접지 스트랩들(GDS)이 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제2 접지 스트랩바(BS2)에 각각 연결된다. 이 후, 제1 접지 스트랩바(BS1) 및 제2 접지 스트랩바(BS2)를 챔버(CB)에 연결하기 때문에, 공정 시간이 줄어드며, 공정 또한 매우 용이해질 수 있다.
도 2를 참조하면, 설명의 편의를 위해 도 1에 도시된 챔버(CB)의 형상 중 일부만이 개시된 것으로 설명된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 접지 스트랩바(BS1)는 제1 내지 제4 서브 접지 스트랩바들(BS1a~BS4a)을 포함하고, 제1 내지 제4 서브 접지 스트랩바들(BS1a~BS4a)은 챔버(CB)의 바닥면(DS) 상에 각각 배치된다. 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제2 서브 접지 스트랩바(BS2a)는 제1 방향(DR1)에서 서로 마주보며 이격될 수 있다. 제3 서브 접지 스트랩바(BS3a) 및 제4 서브 접지 스트랩바(BS4a)는 제2 방향(DR2)에서 서로 마주보며 이격될 수 있다.
여기서, 제1 서셉터(SP1)는 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 제1 서셉터(SP1)의 법선 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 제3 방향(DR3)은 제1 서셉터(SP1)의 두께 방향을 지시한다. 각 부재들의 전면(상면)과 배면(하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
제2 접지 스트랩바(BS2)는 제5 내지 제8 서브 접지 스트랩바들(BS1b~BS4b)을 포함하고, 제5 내지 제8 서브 접지 스트랩바들(BS1b~BS4b)은 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN) 상에 각각 배치된다. 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b) 및 제6 서브 접지 스트랩바(BS2b)는 제1 방향(DR1)에서 서로 마주보며 이격될 수 있다. 제7 서브 접지 스트랩바(BS3b) 및 제8 서브 접지 스트랩바(BS4b)는 제2 방향(DR2)에서 서로 마주보며 이격될 수 있다.
또한, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)는 제3 방향(DR3)에서 서로 중첩할 수 있다. 제2 서브 접지 스트랩바(BS2a) 및 제6 서브 접지 스트랩바(BS2b)는 제3 방향(DR3)에서 서로 중첩할 수 있다. 제3 서브 접지 스트랩바(BS3a) 및 제7 서브 접지 스트랩바(BS3b)는 제3 방향(DR3)에서 서로 중첩할 수 있다. 제4 서브 접지 스트랩바(BS4a) 및 제8 서브 접지 스트랩바(BS4b)는 제3 방향(DR3)에서 서로 중첩할 수 있다.
접지 스트랩(GDS)은 복수 개의 제1 내지 제4 접지 스트랩들(GDS1~GDS4)을 포함한다. 제1 접지 스트랩들(GDS1)은 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b) 사이에 각각 배치되며, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)에 각각 연결된다.
이 경우, 제1 접지 블록(BK1a)은 제1 접지 스트랩들(GDS1)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제1 접지 블록들(BK1a)은 제1 접지 스트랩들(GDS1)의 일 영역을 각각 커버하며 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 상에 각각 고정될 수 있다. 제5 접지 블록(BK1b)은 제1 접지 스트랩들(GDS1)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제5 접지 블록들(BK1b)은 제1 접지 스트랩들(GDS1)의 다른 영역을 각각 커버하며 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b) 상에 각각 고정될 수 있다.
제2 접지 스트랩들(GDS2)은 제2 서브 접지 스트랩바(BS2a) 및 제6 서브 접지 스트랩바(BS2b) 사이에 각각 배치되며, 제2 서브 접지 스트랩바(BS2a) 및 제6 서브 접지 스트랩바(BS2b)에 각각 연결된다.
이 경우, 제2 접지 블록(BK2a)은 제2 접지 스트랩들(GDS2)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제2 접지 블록들(BK2a)은 제2 접지 스트랩들(GDS2)의 일 영역을 각각 커버하며 제2 서브 접지 스트랩바(BS2a) 상에 각각 고정될 수 있다. 제6 접지 블록(BK2b)은 제2 접지 스트랩들(GDS2)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제6 접지 블록들(BK2b)은 제2 접지 스트랩들(GDS2)의 다른 영역을 각각 커버하며 제6 서브 접지 스트랩바(BS2b) 상에 각각 고정될 수 있다.
제3 접지 스트랩들(GDS3)은 제3 서브 접지 스트랩바(BS3a) 및 제7 서브 접지 스트랩바(BS3b) 사이에 각각 배치되며, 제3 서브 접지 스트랩바(BS3a) 및 제7 서브 접지 스트랩바(BS3b)에 각각 연결된다.
이 경우, 제3 접지 블록(BK3a)은 제3 접지 스트랩들(GDS3)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제3 접지 블록들(BK3a)은 제3 접지 스트랩들(GDS3)의 일 영역을 각각 커버하며 제3 서브 접지 스트랩바(BS3a) 상에 각각 고정될 수 있다. 제7 지 블록(BK3b)은 제3 접지 스트랩들(GDS3)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제7 서브 접지 블록들(BK3b)은 제3 접지 스트랩들(GDS3)의 다른 영역을 각각 커버하며 제7 서브 접지 스트랩바(BS3b) 상에 각각 고정될 수 있다.
제4 접지 스트랩들(GDS4)은 제4 서브 접지 스트랩바(BS4a) 및 제8 서브 접지 스트랩바(BS4b) 사이에 각각 배치되며, 제4 서브 접지 스트랩바(BS4a) 및 제8 서브 접지 스트랩바(BS4b)에 각각 연결된다.
이 경우, 제4 접지 블록(BK4a)은 제4 접지 스트랩들(GDS4)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제4 접지 블록들(BK4a)은 제4 접지 스트랩들(GDS4)의 일 영역을 각각 커버하며 제4 서브 접지 스트랩바(BS4a) 상에 각각 고정될 수 있다. 제8 접지 블록(BK4b)은 제4 접지 스트랩들(GDS4)의 개수에 대응하도록 복수 개로 제공된다. 복수 개의 제8 접지 블록들(BK4b)은 제4 접지 스트랩들(GDS4)의 다른 영역을 각각 커버하며 제8 서브 접지 스트랩바(BS4b) 상에 각각 고정될 수 있다.
상술된 바와 같이, 제1 내지 제4 접지 스트랩들(GDS1~GDS4)은 챔버(CB) 외부에서 복수 개의 서브 접지 스트랩바들 중 해당하는 두 개의 서브 접지 스트랩바들에 각각 연결될 수 있다. 이 후, 제1 내지 제4 접지 스트랩들(GDS1~GDS4)이 연결된 서브 접지 스트랩바들이 챔버(CB) 내에 결합될 수 있다. 일 예로, 제1 접지 스트랩들(GDS1)이 연결된 제1 및 제5 서브 접지 스트랩바들(BS1a, BS1b)이 챔버(CB) 내부에 결합될 수 있다.
즉, 챔버(CB) 내부의 좁은 공간이 아닌, 챔버(CB) 외부의 넓은 공간에서 접지 스트랩들이 서브 접지 스트랩바에 체결될 수 있다. 이 후, 서브 접지 스트랩바들이 챔버(CB)의 바닥면(DS) 및 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에 각각 체결될 수 있다. 따라서, 접지 스트랩들을 챔버(CB) 내부에 배치하는 공정 과정이 용이하며 공정 시간 또한 줄어들 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 접지 스트랩바가 챔버 내부에 결합되는 구조를 보여준다. 도 3을 참조하면, 일 예로 도 2에 도시된 제1 내지 제4 접지 스트랩들(GDS1~GD4) 중 제1 접지 스트랩들(GDS1)을 연결한 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)가 챔버(CB) 내부에 배치되는 구조가 설명된다. 한편, 나머지 제2 내지 제8 서브 접지 스트랩들 또한 상기 방식과 동일하게 챔버(CB) 내부에 각각 결합될 수 있다. 따라서, 이에 대한 설명은 생략된다.
앞서 상술된 바와 같이, 제1 접지 스트랩들(GDS1)은 챔버(CB) 외부에서 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)에 각각 연결된다. 이후, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)는 챔버(CB)의 바닥면(DS) 및 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에 각각 결합될 수 있다.
자세하게, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)에는 양측 엣지 부분에 제1 볼트홀(BTHa)이 각각 정의된다. 바닥면(DS)에는 제3 방향(DR3)에서 제1 볼트홀(BTHa)에 중첩하는 제1 볼트홈(CH1)이 정의된다. 제1 바디 볼트(BTa)가 제1 볼트홀(BTHa) 및 제1 볼트홈(CH1)에 체결됨으로써, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)가 챔버(CB)의 바닥면(DS)에 고정될 수 있다.
제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)에는 양측 엣지 부분에 제2 볼트홀(BTHb)이 각각 정의된다. 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에는 제3 방향(DR3)에서 제2 볼트홀(BTHb)에 중첩하는 제2 볼트홈(미도시)이 정의된다. 제2 바디 볼트(BTb)가 제2 볼트홀(BTHb) 및 제2 볼트홈에 체결됨으로써, 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)가 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에 고정될 수 있다.
상술된 바와 같이, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)가 바닥면(DS) 및 하면(SDN)에 각각 고정됨에 따라, 제1 접지 스트랩들(GDS1) 또한 챔버(CB) 내부 공간에 배치된다.
그 결과, 기판(ST, 도1 도시)으로부터 전달된 고주파 전원이 제1 서셉터(SP1), 제5 접지 스트랩바(BS1b), 제1 접지 스트랩들(GDS1), 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a), 및 챔버(CB) 순으로 전달될 수 있다. 챔버(CB)에 전달된 고주파 전원은 접지(GD, 도2참조)로 전달된다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1에 도시된 AA 영역(AA1)을 확대한 확대도이다. 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 도 1에 도시된 AA 영역(AA2)을 확대한 확대도이다.
먼저, 도 4를 참조하면, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)에는 제1 접지 블록들(BK1a) 각각과 결합되기 위한 복수 개의 스트랩홈들이 정의될 수 있다. 도 4에 도시된 바에 따르면, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)에는 제1 접지 블록들(BK1a) 각각과 중첩하는 두 개의 제1 스트랩홈들(OH1a, OH1b)이 정의된다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 제1 접지 블록들(BK1a) 각각에 중첩하는 적어도 하나 이상의 제1 스트랩홀이 정의될 수 있다.
제1 접지 블록들(BK1a) 각각에는 제1 스트랩홈들(OH1a, OH1b)에 중첩하는 두 개의 제1 접지 블록홀들(H1a, H1b)이 정의될 수 있다. 제1 볼트들(BT1a, BT1b)이 제1 접지 블록홀들(H1a, H1b) 및 제1 스트랩홈들(OH1a, OH1b)에 체결됨으로써, 제1 접지 블록들(BK1a)이 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)에 고정될 수 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b) 역시 제5 접지 블록들(BK1b) 각각과 결합되기 위한 복수 개의 스트랩홈들이 정의될 수 있다. 또한, 제5 접지 블록들(BK1b) 각각에는 스트랩홈들에 중첩하는 블록홀들이 정의될 수 있다. 볼트들이 제5 접지 블록들(BK1b)에 정의된 블록홀들 및 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)에 정의된 스트랩홈들에 체결됨으로써, 제5 접지 블록들(BK1b)이 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)에 고정될 수 있다.
또한, 제1 접지 스트랩(GDS1)은 바디 영역(GDS1a) 및 바디 영역(GDS1a)의 일단 및 타단으로부터 각각 연장된 제1 영역(GDS1b) 및 제2 영역(미도시)을 포함한다. 제1 영역(GDS1b) 및 제2 영역은 동일한 구조로 제공될 수 있다. 여기서, 제1 영역(GDS1b)은 제1 접지 블록(BK1a)에 의해 커버되는 영역일 수 있으며, 제2 영역은 제5 접지 블록(BK1b)에 의해 커버되는 영역일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 영역(GDS1b)은 개구부(GOP)를 포함할 수 있다. 제1 볼트들(BT1a, BT1b)은 개구부(GOP)에 중첩할 수 있다. 특히, 제1 영역(GDS1b)은 제1 볼트들(BT1a, BT1b)이 제1 스트랩홈들(OH1a, OH1b)에 체결된 후, 제1 접지 블록(BK1a)과 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 사이에 슬라이딩 방식으로 삽입될 수 있다. 일 예로, 개구부(GOP)는 사각형의 형상으로 제공될 수 있다.
제1 영역(GDS1b)이 제1 접지 블록(BK1a)에 의해 커버되기 위해, 개구부(GOP)는 제1 영역(GDS1b)의 일단으로부터 연장된 형상으로 제공될 수 있다. 여기서, 제1 영역(GDS1b)의 일단은 바디 영역(GDS1a)과 연결되는 제1 영역(GDS1b)의 타단과 서로 마주하며 이격된다.
도 5에 도시된 제1 접지 스트랩(GDS1)은 도 4에 도시된 제1 접지 스트랩(GDS1) 중 제1 영역(GDS1b) 및 제2 영역을 제외하고 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 영역(GDS2b)은 제1 볼트들(BT1a, BT1b)이 삽입되기 위한 개구홀들(OP1a, OP1b)만이 정의될 있다. 이 경우, 제1 볼트들(BT1a, BT1b)이 제1 스트랩홈들(OH1a, OH1b)에 체결되기 전에, 개구부들(OP1a, OP1b)이 제1 스트랩홈들(OH1a, OH1b)과 중첩하도록 제1 영역(GDS2b)이 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a) 상에 배치된다. 이 후, 제1 볼트들(BT1a, BT1b)이 제1 접지 블록홀들(H1a, H1b), 개구부들(OP1a, OP1b), 및 제1 스트랩홀들(OH1a, OH1b)에 각각 삽입된다. 따라서, 제1 접지 블록(BK1a)이 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)에 고정되며, 제1 영역(GDS2b)이 제1 접지 블록(BK1a)에 의해 커버될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 사시도이다. 도 6에 도시된 화학기상 증착장치(CVD2)는 도 2에 도시된 화학기상 증착장치(CVD)과 비교하여, 서브 접지 스트랩바의 구성만이 상이할 뿐 나머지 구성들은 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 나머지 구성들에 대한 설명은 생략될 수 있다.
또한, 도 6을 통해 도 2에 도시된 제1 내지 제8 서브 접지 스트랩바들 중 제1 서브 접지 스트랩바 및 제5 접지 스트랩바를 기준으로 설명되나, 나머지 서브 접지 스트랩바들 또한 동일한 구조를 가질 수 있다.
자세하게, 도 6을 참조하면, 도 2에 도시된 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)가 분할된 구조로 제공될 수 있다. 즉, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)는 제1 스트랩바(BS11a) 및 제2 스트랩바(BS12a)를 포함할 수 있다. 제1 스트랩바(BS11a) 및 제2 스트랩바(BS12a)는 서로 분리된 구조로 제공된다. 제5 서브 접지 스트랩바(BS1b)는 제3 스트랩바(BS11b) 및 제4 스트랩바(BS12b)를 포함할 수 있다. 제3 스트랩바(BS11b) 및 제4 스트랩바(BS12b)는 서로 분리된 구조로 제공된다.
제1 스트랩바(BS11a) 및 제2 스트랩바(BS12a) 사이에 복수의 제1 서브 접지 스트랩들(GDS1a)이 연결될 수 있다. 제3 스트랩바(BS11b) 및 제4 스트랩바(BS12b) 사이에 복수의 제2 서브 접지 스트랩들(GDS1b)이 연결될 수 있다.
또한, 복수의 제1 서브 접지 블록들(BK11a)은 제1 서브 접지 스트랩들(GDS1a)의 일 영역을 각각 커버하며 제1 스트랩바(BS11a) 상에 고정된다. 복수의 제2 서브 접지 블록들(BK12a)은 제2 서브 접지 스트랩들(GDS1b)의 일 영역을 각각 커버하며 제2 스트랩바(BS12a) 상에 고정된다. 복수의 제3 서브 접지 블록들(BK11b)은 제3 서브 접지 스트랩들(GDS1a)의 다른 영역을 각각 커버하며 제3 스트랩바(BS11b) 상에 고정된다. 복수의 제4 서브 접지 블록들(BK12b)은 제2 서브 접지 스트랩들(GDS1b)의 다른 영역을 각각 커버하며 제4 스트랩바(BS12b) 상에 고정된다.
챔버(CB)의 바닥면(DS)에는 제1 스트랩바(BS11a)가 고정되기 위한 제1 볼트홈(CH1a) 및 제2 스트랩바(BS12a)가 고정되기 위한 제2 볼트홈(CH1b)이 각각 정의될 수 있다.
도 6을 통해 상술된 바와 같이, 도 2에 도시된 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)는 분할된 구조로 제공될 수 있다. 특히, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)의 분할된 구조는 기판(ST)의 장변 방향과 평행한 방향을 갖는 접지 스트랩바에 적용될 수 있다. 즉, 제2 및 제4 서브 접지 스트랩바들(BS2a, BS4a, 도2 참조)에 비해 제1 및 제3 서브 접지 스트랩바들(BS1a, BS3a)의 길이가 길 수 있다. 이 경우, 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)가 제1 스트랩바(BS11a) 및 제2 스트랩바(BS12a)의 분할된 구조로 제공됨에 따라, 챔버(CB)의 바닥면(DS)에 제1 스트랩바(BS11a) 및 제2 스트랩바(BS12a)를 고정시키는 공정이 용이해질 수 있다. 일 예로, 제1 스트랩바(BS11a) 및 제2 스트랩바(BS12a)와 바닥면(DS)에 정의된 볼트홈들(CH1a, CH1b) 간의 정렬 과정이 용이해질 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도이다. 도 8은 도 7에 도시된 BB 영역을 확대한 확대도이다.
도 7에 도시된 화학기상 증착장치(CVD3)는 도 2에 도시된 화학기상 증착장치(CVD)와 비교하여, 바닥면(DS) 상에 배치된 서브 접지 스트랩바들의 구성을 제외하고 나머지 구성들은 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 나머지 구성들에 대한 설명은 생략된다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 챔버(CB)의 바닥면(DS)에는 접지 스트랩(GDSa)의 일 영역이 삽입되는 홈들(FH)이 정의될 수 있다. 홈(FH)의 개수는 접지 스트랩(GDSa)의 개수에 대응할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 홈(FH) 상에 고정 클립(FC)이 배치될 수 있다. 고정 클립(FC)은 알루미늄(Aluminium), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy) 중 적어도 어느 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다. 고정 클립(FC)은 접지 스트랩(GDSa)의 일 영역이 슬라이딩 방식으로 체결되기 위한 구조로, 형상은 다양하게 변경 가능하다.
일 예로, 접지 스트랩(GDSa)의 일 영역이 고정 클립(FC)에 삽입될 경우, 접지 스트랩(GDSa)의 일 영역은 고정 클립(FC)에 고정될 수 있다.
상술된 바에 따르면, 접지 스트랩(GDSa)의 일 영역은 홈(FH)에 배치된 고정 클립(FC)에 연결되며, 다른 영역은 블록(BK)에 의해 커버되어 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에 연결된 서브 접지 스트랩바(BS)에 연결된다.
그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에 접지 스트랩(GDSa)의 다른 영역이 삽입되는 홈들이 정의될 수 있다. 홈의 개수는 접지 스트랩(GDSa)의 개수에 대응하며, 하면(SDN)에 고정 클립이 배치될 수 있다. 접지 스트랩(GDSa)의 다른 영역은 하면(SDN)에 배치된 고정 클립에 연결될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 화학기상 증착장치의 사시도이다.
도 9에 도시된 화학기상 증착장치(CVD4)는 도 1에 도시된 화학기상 증착장치(CVD)와 비교하여, 바닥면(DS) 상에 배치된 서브 접지 스트랩바들의 구성을 제외하고 나머지 구성들은 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 나머지 구성들에 대한 설명은 생략된다.
도 9를 참조하면, 바닥면(DS) 상에 두 개의 서브 접지 스트랩바들(BSa, BSb)이 배치될 수 있다. 이 경우, 서브 접지 스트랩바(BSa)는 도 2에 도시된 제1 서브 접지 스트랩바(BS1a)와 제3 서브 접지 스트랩바(BS3a)가 일체 형상으로 제공된 것일 수 있다. 또한, 서브 접지 스트랩바(BSb)는 도 2에 도시된 제2 서브 접지 스트랩바(BS2a)와 제4 서브 접지 스트랩바(BS4a)가 일체 형상으로 제공된 것일 수 있다.
서브 접지 스트랩바들(BSa, BSb)에는 접지 스트랩들에 대응하는 복수 개의 블록들(BKa, BKb)이 각각 배치될 수 있다.
마찬가지로, 도시되지 않았지만, 제1 서셉터(SP1)의 하면(SDN)에 상기 두 개의 서브 접지 스트랩바들(BSa, BSb)의 구조와 동일한 두 개의 서브 접지 스트랩바들이 배치될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
CB: 챔버
GSI: 가스 주입부
GSD: 가스 분배부
GSE: 가스 배출부
SP: 서셉터
ST: 기판

Claims (17)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터의 상부에 배치된 가스 분배부;
    상기 챔버의 바닥면에 배치되고 상기 챔버에 전기적으로 연결된 제1 접지 스트랩바;
    상기 서셉터의 하면에 배치되고 상기 서셉터에 전기적으로 연결된 제2 접지 스트랩바; 및
    상기 제1 접지 스트랩바 및 상기 제2 접지 스트랩바에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 접지 스트랩바에 고정된 일단 및 상기 제2 접지 스트랩바에 고정된 타단을 각각 포함하는 복수 개의 접지 스트랩들을 포함하는 화학기상 증착장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지 스트랩들의 제1 영역들을 각각 커버하며 상기 제1 접지 스트랩바 상에 고정되는 복수 개의 제1 접지 블록들을 더 포함하는 화학기상 증착장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 접지 블록들 각각에는 적어도 하나의 제1 접지 블록홀이 정의되며, 상기 제1 접지 스트랩바에는 상기 제1 접지 블록홀에 중첩하는 제1 스트랩홈이 정의되며,
    상기 블록홀과 상기 스트랩홈에 삽입된 제1 볼트에 의해 상기 제1 접지 블록들과 상기 제1 접지 스트랩바가 고정되는 화학기상 증착장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 영역들에는 상기 제1 스트랩홈에 중첩하는 개구홀이 정의된 화학기상 증착장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 접지 스트랩들의 제2 영역들을 각각 커버하며 상기 제2 접지 스트랩바 상에 고정되는 복수 개의 제2 접지 블록들을 더 포함하는 화학기상 증착장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 접지 블록들 각각에는 적어도 하나의 제2 접지 블록홀이 정의되며, 상기 제2 접지 스트랩바에는 상기 제2 접지 블록홀에 중첩하는 제2 스트랩홈이 정의되며,
    상기 제2 접지 블록홀과 상기 제2 스트랩홈에 삽입된 제2 볼트에 의해 상기 제2 접지 블록들과 상기 제2 접지 스트랩바가 고정되는 화학기상 증착장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 접지 스트랩바 및 상기 제2 접지 스트랩바 각각은 복수 개로 제공되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 접지 스트랩바는,
    제1 방향에서 서로 마주보며 이격된 제1 서브 접지 스트랩바와 제2 서브 접지 스트랩바; 및
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 서로 마주보며 이격된 제3 서브 접지 스트랩바와 제4 서브 접지 스트랩바를 포함하는 화학기상 증착장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 서브 접지 스트랩바들 중 어느 하나는 서로 분리된 적어도 두 개 이상의 서브 접지 스트랩바들을 포함하는 화학기상 증착장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 접지 스트랩바는,
    상기 제1 방향에서 서로 마주보며 이격된 제5 서브 접지 스트랩바와 제6 서브 접지 스트랩바; 및
    상기 제2 방향에서 서로 마주보며 이격된 제7 서브 접지 스트랩바와 제8 서브 접지 스트랩바를 포함하는 화학기상 증착장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 서브 접지 스트랩바와 상기 제3 서브 접지 스트랩바는 일체 형상으로 제공되며, 상기 제2 서브 접지 스트랩바와 상기 제4 서브 접지 스트랩바는 일체 형상으로 제공된 화학기상 증착장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 접지 스트랩바에는 적어도 하나의 제1 볼트 홀이 정의되며, 상기 챔버의 상기 바닥면에는 상기 제1 볼트 홀에 중첩하는 제1 볼트 홈이 정의되고,
    상기 제1 볼트 홀과 상기 제1 볼트 홈에 삽입된 제1 바디 볼트에 의해 상기 제1 접지 스트랩바와 상기 바닥면이 고정되는 화학기상 증착장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 접지 스트랩바에는 적어도 하나의 제2 볼트 홀이 정의되며, 상기 서셉터의 상기 하면에는 상기 제2 볼트 홀에 중첩하는 제2 볼트 홈이 정의되고,
    상기 제2 볼트 홀과 상기 제2 볼트 홈에 삽입된 제2 바디 볼트에 의해 상기 제2 접지 스트랩바와 상기 하면이 고정되는 화학기상 증착장치.
  14. 서로 마주보며 이격된 상부면 및 바닥면과 상기 상부면 및 상기 바닥면을 연결하는 측면을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터의 상부에 배치된 가스 분배부;
    상기 바닥면에 정의된 복수 개의 제1 홈들에 각각 삽입된 복수 개의 제1 고정 클립들; 및
    상기 고정 클립들 및 상기 서셉터를 전기적으로 연결되며, 상기 고정 클립들에 고정된 일단 및 상기 서셉터에 고정된 타단을 각각 포함하는 복수 개의 접지 스트랩들을 포함하는 화학기상 증착장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 서셉터의 하면에 배치되고 상기 서셉터에 전기적으로 연결된 접지 스트랩바를 더 포함하고,
    상기 접지 스트랩들의 상기 타단들은 상기 접지 스트랩바에 고정되는 화학기상 증착장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 접지 스트랩들의 일 영역들을 각각 커버하며 상기 접지 스트랩바 상에 고정되는 복수 개의 접지 블록들을 더 포함하는 화학기상 증착장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 서셉터의 하면에 정의된 복수 개의 제2 홈들에 각각 삽입된 복수 개의 제2 고정 클립들을 더 포함하고,
    상기 접지 스트랩들의 상기 타단들은 상기 제2 고정 클립들에 고정되는 화학기상 증착장치.
KR1020170066330A 2017-05-29 2017-05-29 화학기상 증착장치 KR102399343B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170066330A KR102399343B1 (ko) 2017-05-29 2017-05-29 화학기상 증착장치
US15/990,051 US11214870B2 (en) 2017-05-29 2018-05-25 Chemical vapor deposition system including ground strap bar

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170066330A KR102399343B1 (ko) 2017-05-29 2017-05-29 화학기상 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180130642A true KR20180130642A (ko) 2018-12-10
KR102399343B1 KR102399343B1 (ko) 2022-05-19

Family

ID=64400563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170066330A KR102399343B1 (ko) 2017-05-29 2017-05-29 화학기상 증착장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11214870B2 (ko)
KR (1) KR102399343B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020222764A1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Applied Materials, Inc. Ground strap assemblies
US11984299B2 (en) 2020-09-04 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Deposition device apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020177119A1 (en) * 2019-03-07 2020-09-10 Applied Materials, Inc. Grounding strap design
CN110656321B (zh) * 2019-09-16 2021-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种接地结构及具有该接地结构的化学气相沉积设备
US11443921B2 (en) * 2020-06-11 2022-09-13 Applied Materials, Inc. Radio frequency ground system and method
US20240093380A1 (en) * 2022-09-21 2024-03-21 Applied Materials, Inc. Grounding devices for substrate processing chambers

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040250955A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
KR20050015715A (ko) * 2003-08-07 2005-02-21 동부아남반도체 주식회사 히터 블록 및 이를 갖는 플라즈마 처리장치
KR20090057202A (ko) * 2004-09-21 2009-06-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버 내에서 캐소드의 ｒｆ 접지
KR20100090675A (ko) * 2007-05-03 2010-08-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 직사각형 서셉터의 비대칭 접지
KR101593460B1 (ko) * 2009-02-04 2016-02-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세스를 위한 접지 귀환

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6221221B1 (en) * 1998-11-16 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing RF return current path control in a semiconductor wafer processing system
US6933442B2 (en) * 2003-02-12 2005-08-23 Senior Industries, Inc. Methods and apparatus to secure a ground strap assembly to an electrically conductive member
US7743730B2 (en) * 2005-12-21 2010-06-29 Lam Research Corporation Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly
KR100786273B1 (ko) 2006-05-22 2007-12-17 주식회사 에스에프에이 서셉터 접지용 스트립 클램프 및 그를 구비한 화학 기상증착장치
US8004293B2 (en) * 2006-11-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with ground member integrity indicator and method for using the same
US8381677B2 (en) * 2006-12-20 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Prevention of film deposition on PECVD process chamber wall
US7959735B2 (en) * 2007-02-08 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Susceptor with insulative inserts
US20100000684A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Jong Yong Choi Dry etching apparatus
JP5683469B2 (ja) * 2008-10-09 2015-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 大型プラズマ処理チャンバのｒｆ復路
KR20150022163A (ko) * 2013-08-22 2015-03-04 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리 장치용 스트랩 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US10580623B2 (en) * 2013-11-19 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Plasma processing using multiple radio frequency power feeds for improved uniformity

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040250955A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor
KR20050015715A (ko) * 2003-08-07 2005-02-21 동부아남반도체 주식회사 히터 블록 및 이를 갖는 플라즈마 처리장치
KR20090057202A (ko) * 2004-09-21 2009-06-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버 내에서 캐소드의 ｒｆ 접지
KR20100090675A (ko) * 2007-05-03 2010-08-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 직사각형 서셉터의 비대칭 접지
KR101593460B1 (ko) * 2009-02-04 2016-02-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세스를 위한 접지 귀환

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020222764A1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Applied Materials, Inc. Ground strap assemblies
US11984299B2 (en) 2020-09-04 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Deposition device apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102399343B1 (ko) 2022-05-19
US11214870B2 (en) 2022-01-04
US20180340258A1 (en) 2018-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180130642A (ko) 화학기상 증착장치
US11075060B2 (en) Substrate processing apparatus
US6663715B1 (en) Plasma CVD apparatus for large area CVD film
US20080295772A1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
US20060162661A1 (en) Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
CN101003033B (zh) 气体分离型喷头
CN102163530A (zh) 等离子体处理装置
WO2013133983A1 (en) Substrate support with ceramic insulation
US20070221129A1 (en) Apparatus for depositing atomic layer using gas separation type showerhead
US20160153086A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101690971B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2022537246A (ja) 接地用ストラップアセンブリ
KR101929481B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI727316B (zh) 基板處理裝置
KR101561675B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102431354B1 (ko) 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR101995717B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101830322B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101895838B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101919871B1 (ko) 정전기적으로 대전된 기판과 라이너를 이용하여 탄소나노튜브들을 제조하는 방법과 장치
KR102362305B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102361069B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180134809A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2000277506A (ja) プラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
KR102143146B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)